KR20230046804A - 클램프 링이 구비된 클램프 척 - Google Patents

클램프 링이 구비된 클램프 척 Download PDF

Info

Publication number
KR20230046804A
KR20230046804A KR1020210130291A KR20210130291A KR20230046804A KR 20230046804 A KR20230046804 A KR 20230046804A KR 1020210130291 A KR1020210130291 A KR 1020210130291A KR 20210130291 A KR20210130291 A KR 20210130291A KR 20230046804 A KR20230046804 A KR 20230046804A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
clamp ring
wafer
clamp
ring
base plate
Prior art date
Application number
KR1020210130291A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102637744B1 (ko
Inventor
김남헌
Original Assignee
주식회사 나이스플라즈마
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 나이스플라즈마 filed Critical 주식회사 나이스플라즈마
Priority to KR1020210130291A priority Critical patent/KR102637744B1/ko
Publication of KR20230046804A publication Critical patent/KR20230046804A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102637744B1 publication Critical patent/KR102637744B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 클램프 링이 구비된 클램프 척에 관한 것으로, 플라즈마가 형성되는 챔버에 구비되며, 웨이퍼가 안착되는 베이스 플레이트; 링 형상으로 이루어지면서 상기 베이스 플레이트의 상부에 구비되는 클램프 링;을 포함하며, 상기 클램프 링은, 상기 베이스 플레이트에 상기 웨이퍼가 안착되면, 상기 웨이퍼의 상부와 접촉되면서 상기 웨이퍼 상부를 지지하는 것을 특징으로 하는 것이다.

Description

클램프 링이 구비된 클램프 척 {Clamp chunk having clmap ring}
본 발명은 클램프 링이 구비된 클램프 척에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 베이스 플레이트에 안착되는 웨이퍼의 상부에 클램프 링을 구비하고, 클램프 링을 통해 웨이퍼를 지지함에 따라 세라믹 필름을 사용하지 않고 웨이퍼를 지지할 수 있는 클램프 링이 구비된 클램프 척에 관한 것이다.
일반적으로 반도체를 제조하는 공정에서는 균일성을 확보하는 것이 매우 중요하며, 반도체의 제조 공정 중 식각(etching) 공정에서 반도체의 균일성이 확보되거나 조절될 수 있다.
한편, 반도체의 제조 공정에서 웨이퍼는 정전척(ESC : Electrostatic chuck)과 같은 웨이퍼 척에 의해 지지될 수 있다. 정전척은 웨이퍼를 식각하는 과정에서 웨이퍼를 지지하면서 고정할 수 있는 장치로, 정전척은 반도체 공정 챔버 내부에 구비되면서 웨이퍼를 지지하게 된다.
정전척은 웨이퍼 척킹, 웨이퍼 히팅, 웨이퍼 냉각, 알에프(RF) 방사 기능 등을 수행할 수 있는 것으로, 정전척을 통해 웨이퍼를 지지한 상태에서 웨이퍼의 식각이 진행될 수 있다.
그러나 종래의 정전척은 다음과 같은 문제점이 있다. 정전척은 웨이퍼 척킹 기능을 수행할 수 있는 것으로, 일반적으로 정전척은 세라믹 필름을 통해 정전 효과를 발생시켜 웨이퍼를 척킹(chucking)하거나 디척킹(dechucking) 할 수 있다.
구체적으로, 정전척은 베이스 플레이트와 세라믹 필름(세라믹 레이어)으로 이루어진 세라믹 플레이트를 포함하며, 베이스 플레이트 상부에 층 형상으로 이루어진 세라믹 플레이트가 구비된다. 세라믹 플레이트(세라믹 필름, 세라믹 레이어)는 유전 물질을 포함하는 것으로, 세라믹 플레이트는 정전기력을 유도하여 웨이퍼를 척킹(Chucking)하거나 디척킹(dechucking) 할 수 있게 된다.
그러나 베이스 플레이트의 상부에 층 형상으로 이루어진 세라믹 플레이트를 형성하는 제작 공정은, 얇은 세라믹 플레이트를 정밀하게 제작하여 베이스 플레이트의 상부에 배치하여야 함에 따라 제작 공정이 매우 복잡한 문제점이 있다.
또한, 베이스 플레이트의 상부에 층 형상으로 이루어진 세라믹 플레이트를 형성하는 제작 공정은 많은 시간을 필요로 할 뿐만 아니라, 제작 비용 또한 고가의 비용이 발생하는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 더욱 상세하게는 베이스 플레이트에 안착되는 웨이퍼의 상부에 클램프 링을 구비하고, 클램프 링을 통해 웨이퍼를 지지함에 따라 세라믹 필름을 사용하지 않고 웨이퍼를 지지할 수 있는 클램프 링이 구비된 클램프 척에 관한 것이다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 클램프 링이 구비된 클램프 척은, 플라즈마가 형성되는 챔버에 구비되며, 웨이퍼가 안착되는 베이스 플레이트; 링 형상으로 이루어지면서 상기 베이스 플레이트의 상부에 구비되는 클램프 링;을 포함하며, 상기 클램프 링은, 상기 베이스 플레이트에 상기 웨이퍼가 안착되면, 상기 웨이퍼의 상부와 접촉되면서 상기 웨이퍼 상부를 지지하는 것을 특징으로 하는 것이다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 클램프 링이 구비된 클램프 척의 링 형상으로 이루어진 상기 클램프 링의 외경은 상기 웨이퍼의 직경 보다 크고, 상기 클램프 링의 내경은 상기 웨이퍼의 직경 보다 작을 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 클램프 링이 구비된 클램프 척의 상기 클램프 링의 내측과 상기 웨이퍼가 겹치는 폭은, 1 내지 2.5mm 일 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 클램프 링이 구비된 클램프 척의 상기 베이스 플레이트가 구비되는 상기 챔버 내부의 플라즈마 밀도는, 상기 챔버 내측에서 상기 챔버의 외측으로 갈수록 높아질 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 클램프 링이 구비된 클램프 척의 상기 챔버에는, 상기 챔버 내부로 가스를 주입할 수 있는 가스 주입구가 구비될 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 클램프 링이 구비된 클램프 척의 상기 가스 주입구는, 상기 챔버의 측면에 구비되며, 상기 가스 주입구는 상기 챔버의 측면에서 4방향 내지 8방향으로 가스를 주입할 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 클램프 링이 구비된 클램프 척의 상기 클램프 링은, 엔지니어링 플라스틱으로 이루어진 접촉부를 포함하고, 상기 접촉부는 상기 클램프 링의 하부에 형성되며, 상기 웨이퍼는 상기 클램프 링의 하부에 형성된 상기 접촉부에 접촉될 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 클램프 링이 구비된 클램프 척의 상기 클램프 링은 상기 웨이퍼와 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 클램프 링이 구비된 클램프 척의 상기 클램프 링은 실리콘(Si) 링으로 이루어질 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 클램프 링이 구비된 클램프 척의 상기 클램프 링의 내측 상부는 모따기 되면서, 상기 클램프 링의 내측 상부에는 모따기부가 구비될 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 클램프 링이 구비된 클램프 척은 상기 클램프 링과 결합되면서, 상기 클램프 링을 상, 하로 이동시킬 수 있는 클램프 링 리프트부를 더 포함할 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 클램프 링이 구비된 클램프 척의 상기 클램프 링 리프트부는, 상기 클램프 링에 결합되는 클램프 링 리프트 핀을 포함하며, 상기 클램프 링 리프트 핀은 상기 베이스 플레이트에 대하여 상, 하로 이동될 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 클램프 링이 구비된 클램프 척의 상기 웨이퍼는 상기 베이스 플레이트에 직접 접촉되면서 상기 웨이퍼와 상기 베이스 플레이트 사이에는 레이어가 구비되지 않을 수 있다.
본 발명은 클램프 링이 구비된 클램프 척에 관한 것으로, 베이스 플레이트에 안착되는 웨이퍼의 상부에 클램프 링을 구비하고, 클램프 링을 통해 웨이퍼를 지지함에 따라 세라믹 필름을 사용하지 않고 웨이퍼를 지지할 수 있는 장점이 있다.
본 발명은 세라믹 필름을 사용하지 않고 클램프 링을 통해 웨이퍼를 지지함에 따라 클램프 척의 제작 비용과 시간을 절감시킬 수 있는 장점이 있으며, 전극을 얇게 하면서 챔버의 부피를 감소시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 클램프 링 하부에 엔지니어링 플라스틱이 구비됨에 따라 웨이퍼와 클램프 링 사이에서 입자 발생을 방지할 수 있으며, 본 발명은 클램프 링과 웨이퍼가 동일한 재질로 이루어짐에 따라 클램프 링과 웨이퍼 사이에 화학 작용이 발생하는 것을 방지할 수 있는 장점도 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따라 챔버에 베이스 플레이트가 구비되고, 베이스 플레이트에 웨이퍼가 안착된 것을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따라 웨이퍼 상부에 구비되는 클램프 링을 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2의 "A" 부분의 확대도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 클램프 링과 웨이퍼의 가장자리가 겹치는 폭을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따라 클램프 링에 의해 발생하는 그림자 효과(Shadow effect)를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 챔버 내부의 플라즈마 밀도를 나타내는 도면이다.
도 7(a) 및 도 7(b)는 본 발명의 실시 예에 따른 클램프 링에 엔지니어링 플라스틱이 구비된 것을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따라 클램프 링의 내측 상부가 모따기 된 것을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따라 클램프 링을 상, 하부로 이동시킬 수 있는 클램프 링 리프트 핀을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따라 베이스 플레이트에 웨이퍼가 안착된 이후, 웨이퍼의 상부에 클램프 링이 접촉된 것을 나타내는 도면이다.
본 명세서는 본 발명의 권리범위를 명확히 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 실시할 수 있도록, 본 발명의 원리를 설명하고, 실시 예들을 개시한다. 개시된 실시 예들은 다양한 형태로 구현될 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에서 사용될 수 있는 "포함한다" 또는 "포함할 수 있다" 등의 표현은 발명(disclosure)된 해당 기능, 동작 또는 구성요소 등의 존재를 가리키며, 추가적인 하나 이상의 기능, 동작 또는 구성요소 등을 제한하지 않는다. 또한, 본 발명의 다양한 실시예에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어, 결합되어" 있다고 언급된 때에는, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 결합되어 있을 수도 있지만, 상기 어떤 구성요소와 상기 다른 구성요소 사이에 새로운 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 결합되어" 있다고 언급된 때에는, 상기 어떤 구성요소와 상기 다른 구성요소 사이에 새로운 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있어야 할 것이다.
본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 발명은 클램프 링이 구비된 클램프 척에 관한 것으로, 베이스 플레이트에 안착되는 웨이퍼의 상부에 클램프 링을 구비하고, 클램프 링을 통해 웨이퍼를 지지함에 따라 세라믹 필름을 사용하지 않고 웨이퍼를 지지할 수 있는 클램프 링이 구비된 클램프 척에 관한 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명하기로 한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 클램프 링이 구비된 클램프 척은, 베이스 플레이트(110), 클램프 링(120)을 포함한다.
상기 베이스 플레이트(110)는 플라즈마가 형성되는 챔버(10)에 구비되는 것으로, 상기 베이스 플레이트(110)에 웨이퍼(20)가 안착될 수 있다. 도 1을 참조하면, 상기 챔버(10)의 상부에는 플라즈마를 형성시키는 플라즈마 소스 코일(11)이 구비되어 있으며, 상기 플라즈마 소스 코일(11)을 통해 상기 챔버(10) 내부에 플라즈마를 형성시킬 수 있게 된다.
상기 소스 코일(11)은 상기 웨이퍼(30)의 직경 보다 큰 직경을 가지는 외부 헬리컬 코일(helical coil)과, 상기 웨이퍼(30)의 직경 보다 작은 직경을 가지는 내부 스파이럴 코일(spiral coil)을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 소스 코일(11)은 상기 챔버(10) 내부에 플라즈마를 형성시킬 수 있다면 다양한 형태의 코일을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 플라즈마 소스 코일(11)에 알에프 파워(Radio Frequency Power)가 인가되면, 상기 플라즈마 소스 코일(11)에 의해 여기되는 전자기장의 변화에 의해 상기 챔버(10)에 플라즈마가 형성될 수 있다. 상기 웨이퍼(20)는 상기 챔버(10) 내부에 형성된 플라즈마를 통해 식각될 수 있게 된다.
상기 베이스 플레이트(110)는 상기 챔버(10) 내부에 구비되면서, 상기 웨이퍼(20)가 안착되는 플레이트일 수 있다. 상기 베이스 플레이트(110)는 알루미늄으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 웨이퍼(20)를 안착시킬 수 있다면 다양한 재질로 이루어질 수 있다.
상기 베이스 플레이트(110)에는 바이어스(bias)를 인가할 알에프 제너레이터(RF generator)(12)가 결합될 수 있으며, 상기 알에프 제네레이터(12)를 통해 식각 도중 플라즈마에 바이어스를 인가할 수 있다.
종래에는 베이스 플레이트에 안착되는 웨이퍼를 지지하면서 고정하기 위해, 베이스 플레이트 상부에 세라믹 필름으로 이루어진 세라믹 플레이트가 구비되었다. 그러나 베이스 플레이트 상부에 세라믹 플레이트를 구비하는 것은 고가의 비용이 발생할 뿐만 아니라, 제작 시간이 상당히 오래 걸리는 문제점이 있다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명의 실시 예에 따른 클램프 링이 구비된 클램프 척은 상기 클램프 링(120)을 통해 상기 베이스 플레이트(110)에 안착되는 상기 웨이퍼(20)를 지지하면서 고정하는 것이다.
상기 클램프 링(120)은 링 형상으로 이루어지면서 상기 베이스 플레이트(110)의 상부에 구비되는 것이다. 상기 클램프 링(120)은 상기 베이스 플레이트(110)에 상기 웨이퍼(20)가 안착되면, 상기 웨이퍼(20)의 상부와 접촉되면서 상기 웨이퍼(20) 상부를 지지할 수 있는 것이다.
구체적으로, 상기 클램프 링(120)은 상기 웨이퍼(20)의 상부에 직접적으로 접촉되면서 상기 웨이퍼(20)를 지지하면서 고정할 수 있는 것이다. 도 2를 참조하면, 링 형상으로 이루어진 상기 클램프 링(120)의 외경(Do)(121)은 상기 웨이퍼(20)의 직경 보다 크고, 상기 클램프 링(120)의 내경(Di)(122)은 상기 웨이퍼(20)의 직경 보다 작을 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 웨이퍼(20)는 원판 형상으로 이루어질 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따라, 링 형상으로 이루어진 상기 클램프 링(120)의 외경(121)을 상기 웨이퍼(20)의 직경 보다 크게 하고, 상기 클램프 링(120)의 내경(122)을 상기 웨이퍼(20)의 직경 보다 작게 하면, 도 3과 같이 상기 클램프 링(120)을 통해 상기 웨이퍼(20)의 가장자리를 누르면서 상기 웨이퍼(20)를 지지할 수 있게 된다.
상기 웨이퍼(20)의 내측은 플라즈마에 의해 식각되는 부분이나, 상기 웨이퍼(20)의 외측 가장자리는 플라즈마에 의해 식각되지 않는 부분이다. 따라서, 상기 클램프 링(120)을 통해 상기 웨이퍼(20)의 외측 가장자리를 누르게 되면, 상기 웨이퍼(20)의 식각 공정에 영향을 주지 않으면서 상기 웨이퍼(20)를 지지할 수 있게 된다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 상기 클램프 링(120)의 내측과 상기 웨이퍼(20)가 겹치는 폭은, 1 내지 2.5mm 일 수 있다. 상기 클램프 링(120)의 내측과 상기 웨이퍼(20)가 겹치는 폭이 1mm 보다 작으면, 상기 클램프 링(120)을 통해 상기 웨이퍼(20)를 구속하면서 지지하는 힘이 작아질 수 있다.
따라서 상기 클램프 링(120)을 통해 상기 웨이퍼(20)를 안정적으로 구속하기 위해서는 상기 클램프 링(120)의 내측과 상기 웨이퍼(20)가 겹치는 폭은 1mm 보다 큰 것이 바람직하다.
상술한 것과 같이 상기 웨이퍼(20)의 내측은 플라즈마에 의해 식각되는 부분이나, 상기 웨이퍼(20)의 외측 가장자리는 플라즈마에 의해 식각되지 않는 부분이며, 상기 웨이퍼(20)의 측단에서 내측으로 3mm 정도까지가 플라즈마에 의해 식각되지 않는 영역일 수 있다. 구체적으로, 상기 웨이퍼(20)의 가장자리 3mm는 Edge exclusion(EE) 영역으로, 패턴(pattern)이 형성되지 않을 수 있다.
따라서, 상기 클램프 링(120)의 내측과 상기 웨이퍼(20)가 겹치는 폭은 3mm 보다 작은 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 상기 클램프 링(120)의 내측과 상기 웨이퍼(20)가 겹치는 폭은 2.5mm 보다 작은 것이 좋다.
도 5를 참조하면, 상기 웨이퍼(20)의 상부에 상기 클램프 링(120)이 접촉되었을 때, 상기 클램프 링(120)의 높이에 의해 그림자 효과(Shadow effect)가 발생할 수 있게 된다.
구체적으로, 도 5와 같이 상기 클램프 링(120)의 높이에 의해 상기 클램프 링(120)의 내측 끝단 보다 안쪽까지 플라즈마가 도달하지 못하게 되면서, 상기 웨이퍼(20)가 식각되지 않는 영역이 상기 클램프 링(120)과 상기 웨이퍼(20)가 접촉되는 면적보다 더 넓은 면적으로 형성될 수 있다.
따라서, 그림자 효과(Shadow effect)를 고려하여, 상기 웨이퍼(20)가 식각되지 않은 영역을 3mm 보다 작게 하기 위해, 상기 클램프 링(120)의 내측과 상기 웨이퍼(20)가 겹치는 폭은 2.5mm 보다 작은 것이 바람직하다.
또한, 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 상기 베이스 플레이트(110)가 구비되는 상기 챔버(10) 내부의 플라즈마 밀도는, 상기 챔버(10) 내측에서 상기 챔버(10)의 외측으로 갈수록 높아질 수 있다.
상술한 바와 같이 상기 클램프 링(120)을 통해 상기 웨이퍼(20)의 상부를 지지할 경우, 상기 클램프 링(120)의 높이에 의해 상기 클램프 링(120)의 내측 끝단 보다 안쪽까지 플라즈마가 도달하지 못하게 되는 그림자 효과(Shadow effect)가 발생할 수 있다.
이와 같은 상기 클램프 링(120)에 의해 발생하는 그림자 효과에 의해 상기 웨이퍼(20)의 균일성이 저하될 우려가 있다. 그러나 본 발명의 실시 예에 같이, 상기 챔버(10) 내부의 플라즈마 밀도를 상기 챔버(10) 내측에서 상기 챔버(10)의 외측으로 갈수록 높아지게 하면, 외측에서 높아진 플라즈마 밀도에 의해 그림자 효과가 상쇄되면서 상기 웨이퍼(20)의 균일성을 향상시킬 수 있게 된다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 웨이퍼(20)는 상기 베이스 플레이트(110)에 직접 접촉될 수 있으며, 상기 웨이퍼(20)와 상기 베이스 플레이트(110) 사이에는 레이어가 구비되지 않을 수 있다.
구체적으로, 종래의 정전척은 정전 효과로 웨이퍼를 척킹하기 위해 세라믹 플레이트(세라믹 레이어)를 사용하였으나, 본 발명의 실시 예에 따른 클램프 링이 구비된 클램프 척은 상기 클램프 링(120)을 통해 상기 웨이퍼(20)를 지지함에 따라 상기 웨이퍼(20)와 상기 베이스 플레이트(110) 사이에 레이어가 구비되지 않을 수 있게 된다.
종래의 정전척은 베이스 플레이트에 히팅 기능을 하는 히팅 플레이트가 구비될 수 있으며, 상기 히팅 플레이트를 통해 웨이퍼의 온도를 조절하면서 식각 공정을 진행하였다. 웨이퍼의 온도는 웨이퍼의 선폭에 영향을 주는 인자로, 선폭을 일정하게 하기 위해서는 적정한 온도가 가해져야 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 클램프 링이 구비된 클램프 척은, 상기 웨이퍼(20)와 상기 베이스 플레이트(110) 사이에 레이어가 구비되지 않게 하면서 상기 웨이퍼(20)의 온도를 조절하기 위해 가스를 이용할 수 있다.
이를 위해 상기 챔버(10)에는 상기 챔버(10) 내부로 가스를 주입할 수 있는 가스 주입구가 구비될 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 가스 주입구는 상기 챔버(10)의 측면에 구비될 수 있으며, 상기 가스 주입구는 상기 챔버(10)의 측면에서 4방향 내지 8방향으로 가스를 주입할 수 있다.
상기 챔버(10)의 상기 가스 주입구를 통해 상기 챔버(10) 내부로 가스를 주입함에 따라, 상기 가스를 통해 상기 웨이퍼(20)의 온도를 조절할 수 있게 되고, 이를 통해 상기 웨이퍼(20)의 선폭을 일정하게 할 수 있게 된다.
도 7(a) 및 도 7(b)를 참조하면, 상기 클램프 링(120)은 엔지니어링 플라스틱으로 이루어진 접촉부(130)를 포함할 수 있다. 상기 엔지니어링 플라스틱은 플라즈마와 반응하지 않은 플라스틱일 수 있으며, 상기 엔지니어링 플라스틱은 플라즈마와 반응하지 않은 것이라면 다양한 종류의 플라스틱으로 이루어질 수 있다.
상기 접촉부(130)는 상기 클램프 링(120)의 하부에 구비될 수 있으며, 상기 웨이퍼(20)는 상기 클램프 링(120)의 하부에 구비된 상기 접촉부(130)에 접촉될 수 있다.
상기 접촉부(130)가 없이 상기 클램프 링(120)이 상기 웨이퍼(20)에 직접적으로 접촉되면, 플라즈마에 의해 상기 클램프 링(120)과 상기 웨이퍼(20) 사이에서 입자 발생(Paticle generation)의 위험이 있다.
이를 방지하기 위해 상기 클램프 링(120)의 하부에는 상기 엔지니어링 플라스틱으로 이루어진 상기 접촉부(130)가 구비될 수 있으며, 상기 접촉부(130)를 통해 상기 클램프 링(120)과 상기 웨이퍼(20) 사이에서 입자 발생(Paticle generation)을 방지할 수 있게 된다.
도 7(a)를 참조하면, 상기 접촉부(130)는 상기 웨이퍼(20)와 상기 클램프 링(120)이 접촉되는 지점에 구비될 수 있으며, 도 7(b)와 상기 접촉부(130)는 상기 클램프 링(120)의 하부에서 층을 형성하면서 상기 클램프 링(120)의 하부에 구비될 수도 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 클램프 링(120)은 상기 웨이퍼(20)와 동일한 재질로 이루어질 수 있다. 상기 클램프 링(120)은 상기 웨이퍼(20)와 동일한 재질인 실리콘(Si)으로 이루어질 수 있으며, 상기 클램프 링(120)은 Si 링으로 이루어질 수 있다.
상기 클램프 링(120)과 상기 웨이퍼(20)가 다른 재질로 이루어지면, 플라즈마에 의해 상기 클램프 링(120)과 상기 웨이퍼(20) 사이에서 화학 반응(Chemical reaction)이 발생할 우려가 있다.
이와 같이 상기 클램프 링(120)과 상기 웨이퍼(20) 사이에서 화학 반응이 발생하는 것을 방지하기 위해, 상기 클램프 링(120)은 상기 웨이퍼(20)와 동일한 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 클램프 링(120)은 SiC 링으로 이루어질 수도 있다. 상기 클램프 링(120)이 SiC 링으로 이루어지는 경우에도, 상기 웨이퍼(20)와 상기 클램프 링(120) 사이에서 실질적으로 화학 반응이 발생하지 않을 수 있기 때문에, 상기 클램프 링(120)은 SiC 링으로 이루어질 수도 있다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 상기 클램프 링(120)의 내측 상부는 모따기 되면서, 상기 클램프 링(120)의 내측 상부에는 모따기부(123)가 구비될 수 있다.
상술한 바와 같이 상기 클램프 링(120)을 통해 상기 웨이퍼(20)의 상부를 지지할 경우, 상기 클램프 링(120)의 높이에 의해 상기 클램프 링(120)의 내측 끝단 보다 안쪽까지 플라즈마가 도달하지 못하게 되는 그림자 효과(Shadow effect)가 발생할 수 있다.
이를 방지하기 위해 상기 클램프 링(120)의 내측 상부는 모따기 되면서, 상기 클램프 링(120)의 내측 상부에 상기 모따기부(123)가 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 클램프 링(120)의 내측 상부는 경사를 형성하면서 파여질 수 있으며, 상기 클램프 링(120)의 내측 상부가 파여짐에 따라 상기 클램프 링(120)의 내측 끝단의 높이가 낮아질 수 있게 된다.
상기 클램프 링(120)의 내측 끝단의 높이가 낮아짐에 따라 상기 클램프 링(120)의 내측 끝단 보다 안쪽까지 플라즈마가 도달하지 못하게 되는 비율이 낮아지게 되면서 그림자 효과에 의한 영향을 감소시킬 수 있게 된다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 클램프 링이 구비된 클램프 척은 상기 클램프 링(120)과 결합되면서, 상기 클램프 링(120)을 상, 하로 이동시킬 수 있는 클램프 링 리프트부(140)를 더 포함할 수 있다.
상기 클램프 링(120)은 상기 베이스 플레이트(110)에 상기 웨이퍼(20)가 안착된 이후에 상기 웨이퍼(20)의 상부에 접촉되어야 한다. 따라서, 상기 웨이퍼(20)가 웨이퍼 리프트 핀(142)을 통해 상기 베이스 플레이트(110)에 안착되는 과정에서는 상기 클램프 링(120)과 상기 웨이퍼(20) 사이에 간섭이 발생하는 것을 방지하기 위해, 상기 클램프 링(120)을 상부로 들어올리는 것이 바람직하다.
상기 클램프 링 리프트부(140)는 이를 위해 구비되는 것이다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 클램프 링 리프트부(140)는 상기 클램프 링(120)에 결합되는 클램프 링 리프트 핀(141)을 포함할 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 클램프 링 리프트 핀(141)은 상기 클램프 링(120)과 결합되면서 상기 클램프 링(120)과 함께 움직일 수 있는 것이다. 상기 클램프 링 리프트 핀(141)은 상기 베이스 플레이트(110)에 대하여 상, 하로 이동될 수 있는 것으로, 상기 클램프 링 리프트 핀(141)이 상기 베이스 플레이트(110)에 대하여 상, 하로 이동됨에 따라 상기 클램프 링 리프트 핀(141)에 결합된 상기 클램프 링(120)을 상기 베이스 플레이트(110)에 대하여 상, 하로 이동시킬 수 있게 된다.
상기 웨이퍼 리프트 핀(142)은 상기 웨이퍼(20)를 이동시킬 수 있는 것으로, 상기 웨이퍼 리프트 핀(142)을 통해 상기 베이스 플레이트(110)에 상기 웨이퍼(20)를 안착시킬 수 있게 된다.
상기 웨이퍼 리프트 핀(142)을 통해 상기 웨이퍼(20)를 상기 베이스 플레이트(110)에 안착시킬 때는, 상기 클램프 링 리프트 핀(141)을 통해 상기 베이스 플레이트(110)에 대하여 상기 클램프 링(120)을 상부로 이동시키면서 들어올리게 된다.
이를 통해 상기 웨이퍼(20)가 상기 베이스 플레이트(110)에 안착될 때, 상기 클램프 링(120)과 상기 웨이퍼(20) 사이에 간섭이 발생하는 것을 방지할 수 있게 된다.
상기 베이스 플레이트(110)에 상기 웨이퍼(20)가 안착된 이후에는, 상기 클램프 링 리프트 핀(141)을 통해 상기 클램프 링(120)을 하부로 이동시키면서 내릴 수 있다. 상기 클램프 링(120)이 하부로 내려오면서 상기 웨이퍼(20)에 접촉하게 되고, 이를 통해 상기 클램프 링(120)으로 상기 웨이퍼(20)를 지지할 수 있게 된다.
도 9를 참조하면, 상기 클램프 링 리프트 핀(141)은 상기 클램프 링(120)과 상기 웨이퍼(20)가 접촉되는 지점의 외측에서 상기 클램프 링(120)에 결합될 수 있으며, 상기 클램프 링 리프트 핀(141)은 상기 클램프 링(120)의 원주를 따라 세 지점에 결합될 수 있다. 다만, 이에 한정되지는 않으며, 상기 클램프 링(120)에 결합되는 상기 클램프 링 리프트 핀(141)의 개수는 변경될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 복수 개의 상기 클램프 링 리프트 핀(141) 사이의 거리는 상기 웨이퍼(20)의 직경 보다 넓은 것이 바람직하다. 상기 웨이퍼(20)는 로봇 블레이드(robot blade)를 통해 상기 베이스 플레이트(110)에 안착될 수 있다.
이때, 복수 개의 상기 클램프 링 리프트 핀(141) 사이의 거리(Dp)가 상기 웨이퍼(20)의 직경(Dw) 보다 넓어야 상기 로봇 블레이드와 상기 클램프 링 리프트 핀(141) 사이에서 간섭이 발생하지 않으면서, 상기 웨이퍼(20)가 상기 베이스 플레이트(110)에 안착될 수 있게 된다.
상술한 설명에서 상기 클램프 링 리프트부(140)는 상기 클램프 링 리프트 핀(141)을 포함하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지는 않는다. 상기 클램프 링 리프트부(140)는 상기 웨이퍼(20)가 상기 베이스 플레이트(110)에 안착될 때, 상기 클램프 링(120)을 상, 하로 이동시켜 상기 클램프 링(120)과 상기 웨이퍼(20) 사이에서 간섭이 발생하는 것을 방지할 수 있다면, 다양한 구성을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 웨이퍼(20)는 상기 베이스 플레이트(110)에 직접 접촉되면서 상기 웨이퍼(20)와 상기 베이스 플레이트(110) 사이에는 레이어가 구비되지 않을 수 있으나, 상기 베이스 플레이트(110)의 외측에는 링 형상의 결합부재가 구비될 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 결합부재는 링 형상으로 이루어지면서 상기 베이스 플레이트(110)의 외측에 결합될 수 있는 것으로, 상기 결합부재는 상기 웨이퍼(20)의 하부에서 상기 베이스 플레이트(110)의 외측에 결합될 수 있는 것이다.
상기 결합부재는 상기 베이스 플레이트(110)를 지지하면서 상기 베이스 플레이트(110)의 기능을 보조할 수 있는 것으로, 상기 결합부재는 Si ring(111), Al2O3 ring(112)을 포함할 수 있다. 다만, 상기 결합부재는 이에 한정되지는 않으며, 상기 베이스 플레이트(110)를 지지하면서 상기 베이스 플레이트(110)의 기능을 보조할 수 있다면 다양한 재질로 이루어질 수 있다.
상술한 본 발명의 실시 예에 따른 클램프 링이 구비된 클램프 척은 다음과 같은 효과가 있다.
종래의 웨이퍼를 지지하기 위한 정전척은, 베이스 플레이트 상부에 층 형상으로 이루어진 세라믹 플레이트를 통해 웨이퍼를 지지하였다. 그러나 베이스 플레이트의 상부에 층 형상으로 이루어진 세라믹 플레이트를 형성하는 제작 공정은, 얇은 세라믹 플레이트를 정밀하게 제작하여 베이스 플레이트의 상부에 배치하여야 함에 따라 제작 공정이 매우 복잡한 문제점이 있다.
또한, 베이스 플레이트의 상부에 층 형상으로 이루어진 세라믹 플레이트를 형성하는 제작 공정은 많은 시간을 필요로 할 뿐만 아니라, 제작 비용 또한 고가의 비용이 발생하는 문제점이 있다.
그러나 본 발명의 실시 예에 따른 클램프 링이 구비된 클램프 척은 베이스 플레이트에 안착되는 웨이퍼의 상부에 클램프 링을 구비하고, 클램프 링을 통해 웨이퍼를 지지함에 따라 세라믹 필름을 사용하지 않고 웨이퍼를 지지할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 클램프 링이 구비된 클램프 척은 세라믹 필름을 사용하지 않고 클램프 링을 통해 웨이퍼를 지지함에 따라 클램프 척의 제작 비용과 시간을 절감시킬 수 있는 장점이 있으며, 전극을 얇게 하면서 챔버의 부피를 감소시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 클램프 링이 구비된 클램프 척은 클램프 링 하부에 엔지니어링 플라스틱이 구비됨에 따라 웨이퍼와 클램프 링 사이에서 입자 발생(Particle generation)을 방지할 수 있으며, 본 발명은 클램프 링과 웨이퍼가 동일한 재질로 이루어짐에 따라 클램프 링과 웨이퍼 사이에 화학 작용(Chemical reaction)이 발생하는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
이와 함께, 본 발명의 실시 예에 따른 클램프 링이 구비된 클램프 척은 클램프 링 리프트 핀을 포함하는 리프트 부를 통해 클램프 링을 베이스 플레이트에 대하여 상, 하로 이동시킴에 따라, 웨이퍼에 베이스 플레이트를 안착할 때 웨이퍼와 클램프 링 사이에 간섭이 발생하는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시 예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10...챔버 11...플라즈마 소스 코일
12...알에프 제네레이터 20...웨이퍼
110...베이스 플레이트 120...클램프 링
121...외경 122...내경
123...모따기부 130...접촉부
140...클램프 링 리프트부 141...클램프 링 리프트 핀
142...웨이퍼 리프트 핀

Claims (13)

  1. 웨이퍼를 지지하는 척에 있어서,
    플라즈마가 형성되는 챔버에 구비되며, 웨이퍼가 안착되는 베이스 플레이트;
    링 형상으로 이루어지면서 상기 베이스 플레이트의 상부에 구비되는 클램프 링;을 포함하며,
    상기 클램프 링은,
    상기 베이스 플레이트에 상기 웨이퍼가 안착되면, 상기 웨이퍼의 상부와 접촉되면서 상기 웨이퍼 상부를 지지하는 것을 특징으로 하는 클램프 링이 구비된 클램프 척.
  2. 제1항에 있어서,
    링 형상으로 이루어진 상기 클램프 링의 외경은 상기 웨이퍼의 직경 보다 크고,
    상기 클램프 링의 내경은 상기 웨이퍼의 직경 보다 작은 것을 특징으로 하는 클램프 링이 구비된 클램프 척.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 클램프 링의 내측과 상기 웨이퍼가 겹치는 폭은,
    1 내지 2.5mm 인 것을 특징으로 하는 클램프 링이 구비된 클램프 척.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 플레이트가 구비되는 상기 챔버 내부의 플라즈마 밀도는,
    상기 챔버 내측에서 상기 챔버의 외측으로 갈수록 높아지는 것을 특징으로 하는 클램프 링이 구비된 클램프 척.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 챔버에는, 상기 챔버 내부로 가스를 주입할 수 있는 가스 주입구가 구비되는 것을 특징으로 하는 클램프 링이 구비된 클램프 척.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 가스 주입구는, 상기 챔버의 측면에 구비되며,
    상기 가스 주입구는 상기 챔버의 측면에서 4방향 내지 8방향으로 가스를 주입하는 것을 특징으로 하는 클램프 링이 구비된 클램프 척.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 클램프 링은, 엔지니어링 플라스틱으로 이루어진 접촉부를 포함하고,
    상기 접촉부는 상기 클램프 링의 하부에 형성되며,
    상기 웨이퍼는 상기 클램프 링의 하부에 형성된 상기 접촉부에 접촉되는 것을 특징으로 하는 클램프 링이 구비된 클램프 척.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 클램프 링은 상기 웨이퍼와 동일한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 클램프 링이 구비된 클램프 척.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 클램프 링은 Si 링 또는 SiC 링으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 클램프 링이 구비된 클램프 척.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 클램프 링의 내측 상부는 모따기 되면서, 상기 클램프 링의 내측 상부에는 모따기부가 구비되는 것을 특징으로 하는 클램프 링이 구비된 클램프 척.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 클램프 링과 결합되면서, 상기 클램프 링을 상, 하로 이동시킬 수 있는 클램프 링 리프트부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 클램프 링이 구비된 클램프 척.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 클램프 링 리프트부는, 상기 클램프 링에 결합되는 클램프 링 리프트 핀을 포함하며,
    상기 클램프 링 리프트 핀은 상기 베이스 플레이트에 대하여 상, 하로 이동되는 것을 특징으로 하는 클램프 링이 구비된 클램프 척.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼는 상기 베이스 플레이트에 직접 접촉되면서 상기 웨이퍼와 상기 베이스 플레이트 사이에는 레이어가 구비되지 않는 것을 특징으로 하는 클램프 링이 구비된 클램프 척.
KR1020210130291A 2021-09-30 2021-09-30 클램프 링이 구비된 클램프 척 KR102637744B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210130291A KR102637744B1 (ko) 2021-09-30 2021-09-30 클램프 링이 구비된 클램프 척

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210130291A KR102637744B1 (ko) 2021-09-30 2021-09-30 클램프 링이 구비된 클램프 척

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230046804A true KR20230046804A (ko) 2023-04-06
KR102637744B1 KR102637744B1 (ko) 2024-02-19

Family

ID=85917877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210130291A KR102637744B1 (ko) 2021-09-30 2021-09-30 클램프 링이 구비된 클램프 척

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102637744B1 (ko)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06208957A (ja) * 1993-01-08 1994-07-26 Nissin Electric Co Ltd 被処理物保持装置
JP2000260727A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Asahi Kasei Microsystems Kk ウェーハ保持装置
KR20030051645A (ko) * 2000-10-06 2003-06-25 램 리서치 코포레이션 정전기력에 의하여 고정되는 플라즈마 공정용 에지 링
JP2004055585A (ja) * 2002-07-16 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR200409518Y1 (ko) * 2005-05-20 2006-03-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 프로세싱 챔버를 위한 내부 안테나
KR20140034784A (ko) * 2011-04-11 2014-03-20 콰드란트 이피피 에이지 세라믹-충전된 중합체 복합 부품을 사용하는 플라즈마 처리 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06208957A (ja) * 1993-01-08 1994-07-26 Nissin Electric Co Ltd 被処理物保持装置
JP2000260727A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Asahi Kasei Microsystems Kk ウェーハ保持装置
KR20030051645A (ko) * 2000-10-06 2003-06-25 램 리서치 코포레이션 정전기력에 의하여 고정되는 플라즈마 공정용 에지 링
JP2004055585A (ja) * 2002-07-16 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR200409518Y1 (ko) * 2005-05-20 2006-03-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 프로세싱 챔버를 위한 내부 안테나
KR20140034784A (ko) * 2011-04-11 2014-03-20 콰드란트 이피피 에이지 세라믹-충전된 중합체 복합 부품을 사용하는 플라즈마 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102637744B1 (ko) 2024-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2235748B1 (en) High temperature vacuum chuck assembly
KR101174816B1 (ko) 플라즈마 처리 장치의 포커스 링 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치
US6887340B2 (en) Etch rate uniformity
TWI757848B (zh) 結合邊緣環定位及置中特徵部的電漿鞘調諧用可更換及/或可折疊邊緣環組件及使用該組件的系統
TWI763969B (zh) 用於電漿處理中之均勻性控制的漸縮上電極
KR100988085B1 (ko) 고밀도 플라즈마 처리 장치
CN101199036B (zh) 具有可调电极面积比的受约束等离子体
US20180122680A1 (en) Electrostatic chuck assembly and semiconductor manufacturing apparatus including the same
TWI738901B (zh) 用於電漿處理系統中的載體板
KR20130023062A (ko) 정전 척 및 반도체·액정 제조 장치
US20090194238A1 (en) Plasma processing apparatus
US20200335384A1 (en) Stage and substrate processing apparatus
KR101728390B1 (ko) 식각 장치 및 플라즈마 처리 장치
CN101471275A (zh) 一种被处理体的保持装置
KR102637744B1 (ko) 클램프 링이 구비된 클램프 척
JP2023537684A (ja) エッジリングとバイアス電極の形状寸法を用いた膜厚均一性の改善
US11127620B2 (en) Electrostatic chuck for high temperature processing chamber
TW202114029A (zh) 邊緣環、載置台、基板處理裝置及基板處理方法
KR20050038898A (ko) 반도체 기판의 건식 식각 장치
US20230187253A1 (en) Electrostatic chuck including upper plate and substrate processing apparatus including the same
KR20070036215A (ko) 반도체소자 제조용 건식식각장치
US20230207282A1 (en) Plasma processing apparatus
US20230064141A1 (en) Substrate processing apparatus including electrostatic chuck, substrate processing method, and method of manufacturing electrostatic chuck
US11646179B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
US20220270862A1 (en) Substrate support, plasma processing system, and plasma etching method

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant