KR20230046575A - 퀀텀닷 유기발광다이오드 - Google Patents

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Abstract

퀀텀닷 유기발광다이오드가 개시된다. 본 개시의 일 실시 예에 따른 퀀텀닷 유기발광다이오드는 청색 유기발광다이오드(OLED; Organic Light-Emitting Diode)층과, 상기 청색 OLED층의 상부에 마련되며, R, G, B 색상 별로 서로 다른 산란 입자 구조를 구비하는 양자점 색변환층과, 상기 양자점 색변환층의 상부에 마련되며, 상기 양자점 색변환층의 R, G, B 색상의 색 섞임을 필터링하는 컬러 필터(Color Filter)층과, 상기 컬러 필터층의 상부에 마련되는 코팅층을 포함할 수 있다.

Description

퀀텀닷 유기발광다이오드{QUANTUM DOT ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE}
본 개시는 퀀텀닷 유기발광다이오드에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 퀀텀닷 유기발광다이오드의 색변환층 구성에 대한 것이다.
최근 들어 자연에 가까운 색을 충실히 재현하는 고색 재현 디스플레이에 대한 수요가 증가하는 가운데, OLED(Organic Light-Emitting Diode)의 뒤를 이을 차세대 디스플레이 소자 후보로 떠오르고 있는 퀀텀닷(QD; Quantum Dot)-OLED 디스플레이에 관한 관심이 증가되고 있다.
QD-OLED는 청색 OLED 상부에 양자점 색변환층을 형성하여 적색, 녹색, 청색(R, G, B)의 서브 픽셀을 구현하는 방식으로, 적색과 녹색 양자점으로 구성된 색변환층에서 청색 OLED의 빛을 흡수하고, 양자점 자체의 밴드 갭 에너지만큼 빛을 재방출하는 원리를 이용한다.
양자점 색변환층에서 청색 빛을 많이 흡수해야, 흡수한 빛을 이용해 양자점이 높은 효율로 적색 또는 녹색을 재방출 하며, 또한 색변환된 색 이외의 광원인 청색은 방출하지 않아야 높은 색순도를 얻는 것이 가능하다.
양자점 색변환층에서 청색 흡수량을 늘리기 위해서는 양자점 농도를 증가시키는 방법이 있을 수 있으나, 양자점 간의 응집을 유발하여 발광 특성을 저하시키거나, 양자점-양자점 간의 에너지 전달에 의해 재방출 효율이 감소되는 등의 부정적인 효과 또한 함께 증가하기 때문에 농도를 증가시키는 것에는 한계가 있다.
이를 보완하기 위해 일정 농도의 양자점을 포함하며, 두께를 증가시키거나, 양자점 색변환층 내부에 산란입자를 투입하는 방법에 제안되고 있다.
그러나, 일정 농도 이상의 산란입자를 색변환층에 투입하기 어려운 문제가 있고, 또한 분산 안정성이 떨어져 양자점 색변환층 용액에서 산란입자의 침전이 발생되어, 안정성이 떨어지는 문제가 있다.
본 개시의 기술적 과제는 적은 농도의 산란입자를 사용하여 높은 색변환 효율을 달성할 수 있는 구조의 퀀텀닷 유기발광다이오드를 제공하는데 있다.
본 개시의 다른 기술적 과제는 청색광 누설을 개선함과 동시에 높은 색변환 효율을 달성할 수 있는 구조의 퀀텀닷 유기발광다이오드를 제공하는데 있다.
본 개시에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 개시가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 개시의 일 양상에 따르면, 퀀텀닷 유기발광다이오드를 제공할 수 있다. 상기 퀀텀닷 유기발광다이오드는 청색 유기발광다이오드(OLED; Organic Light-Emitting Diode)층과, 상기 청색 OLED층의 상부에 마련되며, R양자점 색변환층에서 청색 흡수량을 늘리기 위해서는 양자점 농도를 증가시키는 방법이 있을 수 있으나, 양자점 간의 응집을 유발하여 발광 특성을 저하시키거나, 양자점-양자점 간의 에너지 전달에 의해 재방출 효율이 감소되는 등의 부정적인 효과 또한 함께 증가하기 때문에 농도를 증가시키는 것에는 한계가 있다.
이를 보완하기 위해 일정 농도의 양자점을 포함하며, 두께를 증가시키거나, 양자점 색변환층 내부에 산란입자를 투입하는 방법에 제안되고 있다.
그러나, 일정 농도 이상의 산란입자를 색변환층에 투입하기 어려운 문제가 있고, 또한 분산 안정성이 떨어져 양자점 색변환층 용액에서 산란입자의 침전이 발생되어, 안정성이 떨어지는 문제가 있다.
본 개시의 기술적 과제는 적은 농도의 산란입자를 사용하여 높은 색변환 효율을 달성할 수 있는 구조의 퀀텀닷 유기발광다이오드를 제공하는데 있다.
본 개시의 다른 기술적 과제는 청색광 누설을 개선함과 동시에 높은 색변환 효율을 달성할 수 있는 구조의 퀀텀닷 유기발광다이오드를 제공하는데 있다.
본 개시에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 개시가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다., G, B 색상 별로 서로 다른 산란 입자 구조를 구비하는 양자점 색변환층과, 상기 양자점 색변환층의 상부에 마련되며, 상기 양자점 색변환층의 R, G, B 색상의 색 섞임을 필터링하는 컬러 필터(Color Filter)층과, 상기 컬러 필터층의 상부에 마련되는 코팅층을포함할 수 있다.
본 개시에 대하여 위에서 간략하게 요약된 특징들은 후술하는 본 개시의 상세한 설명의 예시적인 양상일 뿐이며, 본 개시의 범위를 제한하는 것은 아니다.
본 개시에 따르면, 적은 농도의 산란입자를 사용하여 높은 색변환 효율을 달성할 수 있는 구조의 퀀텀닷 유기발광다이오드를 구성할 수 있다.
또한, 청색광 누설을 개선함과 동시에 높은 색변환 효율을 달성할 수 있다.
본 개시에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 개시가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 퀀텀닷 유기발광다이오드의 구조를 예시하는 도면이다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 퀀텀닷 유기발광다이오드에 구비되는 양자점 색변환층의 구조를 예시하는 도면이다.
도 3a는 실시예 1에 따라 구성된 색변환층의 산란입자를 나타내는 도면이다.
도 3b는 비교예 1에 따라 구성된 색변환층의 산란입자를 나타내는 도면이다.
도 4a는 실시예 1에 따라 구성된 색변환층의 구조를 예시하는 도면이다.
도 4b는 비교예 1에 따라 구성된 색변환층의 구조를 예시하는 도면이다.
도 5a는 실시예 1의 퀀텀닷 유기발광다이오드의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
도 5b는 비교예 1의 퀀텀닷 유기발광다이오드의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
도 6은 실시예 1과 비교예 1에서 산란입자 농도 증가에 따른 누설 청색광의 감소 비율을 나타낸다.
도 7은 실시예 1과 비교예 1에서 산란입자 농도 증가에 따른 적색 발광 세기 증가 비율을 나타낸다.
도 8은 실시예 2 및 비교예 2에 의해 구성된 색변환층을 구비하는 퀀텀닷 유기발광다이오드의 발광 스펙트럼을 나타낸다.
이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 개시의 실시 예에 대하여 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나, 본 개시는 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다.
본 개시의 실시 예를 설명함에 있어서 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그에 대한 상세한 설명은 생략한다. 그리고, 도면에서 본 개시에 대한 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본 개시에 있어서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소와 "연결", "결합" 또는 "접속"되어 있다고 할 때, 이는 직접적인 연결관계뿐만 아니라, 그 중간에 또 다른 구성요소가 존재하는 간접적인 연결관계도 포함할 수 있다. 또한 어떤 구성요소가 다른 구성요소를 "포함한다" 또는 "가진다"고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 배제하는 것이 아니라 또 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 개시에 있어서, 서로 구별되는 구성요소들은 각각의 특징을 명확하게 설명하기 위함이며, 구성요소들이 반드시 분리되는 것을 의미하지는 않는다. 즉, 복수의 구성요소가 통합되어 하나의 단위로 이루어질 수도 있고, 하나의 구성요소가 분산되어 복수의 단위로 이루어질 수도 있다. 따라서, 별도로 언급하지 않더라도 이와 같이 통합된 또는 분산된 실시 예도 본 개시의 범위에 포함된다.
본 개시에 있어서, 다양한 실시 예에서 설명하는 구성요소들이 반드시 필수적인 구성요소들은 의미하는 것은 아니며, 일부는 선택적인 구성요소일 수 있다. 따라서, 일 실시 예에서 설명하는 구성요소들의 부분집합으로 구성되는 실시 예도 본 개시의 범위에 포함된다. 또한, 다양한 실시 예에서 설명하는 구성요소들에 추가적으로 다른 구성요소를 포함하는 실시 예도 본 개시의 범위에 포함된다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 개시의 실시 예들에 대해서 설명한다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 퀀텀닷(QD; Quantum Dot) 유기발광다이오드의 구조를 예시하는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 퀀텀닷 유기발광다이오드(10)는, 청색 유기발광다이오드(OLED; Organic Light-Emitting Diode)층(11)과, 양자점 색변환층(13R, 13G, 13B)과, 컬러 필터(Color Filter)층(15R, 15G, 15B)과, 코팅층(16)을 포함할 수 있다.
청색 OLED층(11)의 상부에 적색 변환층(13R), 녹색 변환층(13G) 및 청색 변환층(13B)이 미리 정해진 크기로 형성될 수 있다. 그리고, 양자점 색변환층(13R, 13G, 13B)의 상부에 컬러 필터층(15R, 15G, 15B)이 마련될 수 있다. 이때, 컬러 필터층(15R, 15G, 15B)은, 각각의 색상별 색변환층(13R, 13G, 13B)의 크기 및 위치에 맞춰 형성될 수 있다. 그리고, 코팅층(16)은 컬러 필터층(15R, 15G, 15B)의 상부에 구비될 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 퀀텀닷 유기발광다이오드(10)는, 제1인캡슐레이션(encapsulation)층(12)과, 제2인캡슐레이션층(14)을 더 포함할 수 있다. 일 예로, 청색 OLED층(11)의 상부에 제1인캡슐레이션층(12)이 구비되고, 제1인캡슐레이션층(12)의 상부에 적색 변환층(13R), 녹색 변환층(13G) 및 청색 변환층(13B)이 미리 정해진 크기로 형성될 수 있다. 그리고, 양자점 색변환층(13R, 13G, 13B)의 상부에 제2인캡슐레이션층(14)이 형성될 수 있으며, 제2인캡슐레이션층(14)의 상부에 컬러 필터층(15R, 15G, 15B)이 마련될 수 있다. 이때, 컬러 필터층(15R, 15G, 15B)은, 각각의 색상별 색변환층(13R, 13G, 13B)의 크기 및 위치에 맞춰 형성될 수 있다. 그리고, 코팅층(16)은 컬러 필터층(15R, 15G, 15B)의 상부에 구비될 수 있다.
제1 및 제2인캡슐레이션층(12, 14)은, 양자점 색변환층(13R, 13G, 13B)을 보호하기 위한 층으로써, 고밀도 무기박막의 단층 또는 복합층을 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 제1 및 제2인캡슐레이션층(12, 14)은, 유기 박막 또는 무기 박막의 조합으로 이루어진 복합층을 포함할 수도 있다. 일 예로, 제1 및 제2인캡슐레이션층(12, 14)은, Al2O3, SiO2, SiNx, 및 SiOxNy 중, 적어도 하나 또는 둘 이상이 조합된 층으로 구성될 수 있다.
특히, 본 개시의 일 실시예에 따른 퀀텀닷 유기발광다이오드(10)는, 양자점 색변환층(13R, 13G, 13B)은 각각의 색상별로 서로 다른 산란 입자 구조를 구비하도록 구성되는게 바람직하다.
일 예로, 양자점 색변환층(13R, 13G, 13B)에 구비되는 산란 입자는, 고분자 매트릭스에 양자점(21, 도 2참조)을 포함할 수 있으며, 광개시제와 첨가제, 광변환 레진, 모노머, 산란 입자(22, 23, 24)를 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 양자점(21)은 2종 화합물로, II-VI 족 화합물 또는 III-V족 화합물로 구성되거나, 3종 화합물로 I-III-VI 족 화합물로 구성된 나노미터 크기의 반도체 입자이며, 중심을 이루는 핵(core)에 껍질(shell)이 싸여있는 구조를 구비할 수 있다.
일 예로, 나노미터 크기의 반도체 입자는, 카드뮴셀레나이드 (CdSe), 카드뮴설파이드 (CdS), 카드뮴텔루라이드 (CdTe), 징크설파이드 (ZnS), 징크셀레나이드 (ZnSe), 징크텔루라이드 (ZnTe), 징크셀레나이드텔루라이드 (ZnSexTe1-x), 인듐포스파이드 (InP), 인듐아세나이드 (InAs), 인듐갈륨포스파이드 (InGaP), 실버인듐설파이드 (AgInS2), 카파인듐설파이드 (CuInS2), 카파인듐셀레나이드 (CuInSe2) 등과 같은 것들의 '핵' 또는 '핵 및 껍질의 조합'을 포함하여 구성되는 입자를 포함할 수 있다.
바람직하게, 산란 입자(22, 23, 24)는, 고분자 레진의 굴절률보다 상대적으로 큰 굴절률을 갖는 재질의 산화물 입자가 사용될 수 있다. 일 예로, 산란 입자(22, 23, 24)는, TiO2, ZnO, ZrO2, BaTiO3, BaSO4, 및 Fe2O3 중, 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 산란 입자(22, 23, 24)는, 수십nm ~ 수백 nm의 크기로 구성될 수 있다. 특히, 산란 입자(22, 23, 24)는, 다양한 형태로 이루어질 수 있다. 일 예로, 산란 입자(22, 23, 24)는, 구형, 막대형, 테트라파드형, 큐브형, 스타형, 판상형 중 적어도 하나의 형태로 구성될 수 있다.
비록 본 개시의 실시예에서, 산란 입자의 재질의 종류나 형태 등을 예시하고 있으나, 본 개시가 이를 한정하는 것은 아니며 다양하게 변경될 수 있다.
다시, 도 1을 참조하면, 양자점 색변환층(13R, 13G, 13B)은, 적색 변환층(13R), 녹색 변환층(13G), 및 청색 변환층(13B)을 포함할 수 있다.
적색 변환층(13R)과, 녹색 변환층(13G)은, 혼합 양상 산란입자를 포함하는 적색 및 녹색의 퀀텀닷 용액을 이용해 각각 코팅 및 패턴화하여 구성된 변환층일 수 있다. 그리고, 청색 변환층(13B)은, 청색 유기발광다이오드(11)에서 발생되는 OLED 광원을 그대로 사용하므로, 양자점을 포함하지 않도록 구성될 수 있다. 또한, 청색 변환층(13B)은, 전술한 산란 입자를 포함하여 구성될 수 있다.
컬러 필터층(15R, 15G, 15B)은, 양자점 색변환층(13R, 13G, 13B)에서 변환되지 못하고 새어나오는 청색 광원을 필터링하고, 이웃한 색상의 색변환층에서 전방향으로 발광하는 양자점의 색 섞임을 필터링하도록 구성될 수 있다.
코팅층(16)은 컬러 필터층(15R, 15G, 15B)의 보호를 위해 구비되는 층으로서, 소정의 용액의 코팅이나 진공 증착을 통해 형성될 수 있다.
이하, 본 개시의 일 실시예에 따른 퀀텀닷(QD; Quantum Dot) 유기발광다이오드의 구조와, 비교예의 결과를 설명한다.
도 3a는 실시예 1에 따라 구성된 색변환층의 산란입자를 나타내는 도면이고, 도 3b는 비교예 1에 따라 구성된 색변환층의 산란입자를 나타내는 도면이다.
[실시예 1]
실시예 1에서, 적색 발광 양자점을 이용하여 양자점 색변환층을 제작하였다.
색변환층 용액은 가시광 영역에서 투명한 레진을 바탕으로 하며, 광개시제와 첨가제, 및 모노머를 포함하여 구성하였다. UV 경화를 통해 매트릭스(matrix)를 형성할 수 있다. 또한, 실시예 1은 ZnO 구형 입자와 ZnO 막대 입자가 섞인 ZnO-B로 색변환층을 형성하였다.
[비교예 1]
비교예 1에서는, 전술한 실시예 1에서와 같이, 적색 발광 양자점을 이용하여 양자점 색변환층을 제작하였고, 이때, 색변환층 용액은 가시광 영역에서 투명한 레진을 바탕으로 하며, 광개시제와 첨가제, 및 모노머를 포함하여 구성하였다. UV 경화를 통해 매트릭스(matrix)를 형성하였다.
다만, 색변환층의 형성시, 단일 ZnO 구형 입자로 이루어진 산란 입자를 사용하여 ZnO-A로 색변환층을 형성하였다.
실시예 1 및 비교예 1에서, 양자점 색변환층 제작을 위해 UV 경화형 레진에 산란 입자를 먼저 믹싱(mixing)한 후, 양자점을 첨가하여 색변환층 용액을 제조하였다. 이후, 양자점의 농도는 고정하고, 산란 입자의 농도를 변화시켜가며 그 효과를 관찰하였다.
일 예로, 실시예 1 및 비교예 1의 색변환층은 각각 도 4a 및 도 4b와 같이 도식화할 수 있다. 실시예 1 및 비교예 1에 의해 구성된 양자점 색변환층을 포함하여 퀀텀닷 유기발광다이오드를 구성하였고, 이렇게 구성된 퀀텀닷 유기발광다이오드의 발광 스펙트럼을 측정하였고, 측정된 결과는 각각 도 5a 및 도 5b와 같이 나타난다.
또한, 실시예 1과 비교예 1에서 산란입자 농도 증가에 따른 누설 청색광의 감소 비율을 측정하였고, 그 결과는 도 6과 같이 나타난다. 또한, 실시예 1과 비교예 1에서 산란입자 농도 증가에 따른 적색 발광 세기 증가 비율을 측정하였고, 그 결과는 도 7과 같이 나타난다.
실시예 1과 비교예 1의 결과를 나타내는 도 5a, 도 5b, 도 6, 및 도 7에 따르면, 청색의 경우 OLED의 전계발광 스펙트럼, 적색의 경우 양자점의 형광 스펙트럼에 해당한다. 산란 입자의 농도가 증가함에 따라 변환된 적색 형광 세기가 증가하는 것(도 7참조)을 확인할 수 있다. 그리고, 모든 층의 양자점 농도가 동일하다는 것을 고려하였을 때, 산란입자 농도가 증가함에 따라 유입되는 청색 광원의 산란 효과가 증가하여 광 경로가 증가하고, 이로 인해 양자점의 청색 광원 흡수 정도가 증가함(도 6 참조)을 확인할 수 있다. 또한, 양자점의 청색 광원 흡수량이 증가함에 따라 변환되는 적색 형광 역시 증가하는 것을 확인할 수 있다. 산란입자 농도를 기준으로 비교하였을 때, 동일 농도에서 혼합모양 산란입자를 사용한 실시예 1의 경우 단일모양 산란입자를 사용한 비교예 1에 비해 변환되는 적색 형광 세기가 비슷하거나 더욱 높은 값을 보이는 것을 확인할 수 있다. 또한, 혼합 모양 산란입자를 사용한 실시예 1의 경우 단일모양 산란입자를 사용한 비교예 1에 비해 청색 누설이 현저하게 줄어든 것을 확인할 수 있다.
[실시예 2]
실시예 2에서, 적색 발광 양자점을 이용하여 양자점 색변환층을 제작하였다.
색변환층 용액은 가시광 영역에서 투명한 레진을 바탕으로 하며, 광개시제와 첨가제, 및 모노머를 포함하여 구성하였다. UV 경화를 통해 매트릭스(matrix)를 형성할 수 있다. 또한, 실시예 2는 ZnO 구형 입자와 ZnO 막대 입자가 섞인 ZnO-B로 색변환층을 형성하였다. 그리고, 실시예 2에서 구성된 양자점 색변환층을 OLED 소자 상부에 direct coating을 통해 QD-OLED를 제작하였다.
[비교예 2]
비교예 2에서는, 전술한 실시예 1에서와 같이, 적색 발광 양자점을 이용하여 양자점 색변환층을 제작하였고, 이때, 색변환층 용액은 가시광 영역에서 투명한 레진을 바탕으로 하며, 광개시제와 첨가제, 및 모노머를 포함하여 구성하였다. UV 경화를 통해 매트릭스(matrix)를 형성하였다. 다만, 색변환층의 형성시, 단일 ZnO 구형 입자로 이루어진 산란 입자를 사용하여 ZnO-A로 색변환층을 형성하였다.
그리고, 비교예 2에서 구성된 양자점 색변환층을 OLED 소자 상부에 direct coating을 통해 QD-OLED를 제작하였다.
전술한 실시예 2 및 비교예 2에 의해 제작된 QD-OLED에 대한 발광 스펙트럼을 측정하였으며, 그 결과는 도 8과 같이 나타난다. 산란입자를 포함하는 비교예 2에 비하여, 혼합양상 산란입자를 사용한 실시예 2에서, 상대적으로 많은 색변환이 발생되는 것을 확인할 수 있다.
본 개시의 예시적인 방법들은 설명의 명확성을 위해서 동작의 시리즈로 표현되어 있지만, 이는 단계가 수행되는 순서를 제한하기 위한 것은 아니며, 필요한 경우에는 각각의 단계가 동시에 또는 상이한 순서로 수행될 수도 있다. 본 개시에 따른 방법을 구현하기 위해서, 예시하는 단계에 추가적으로 다른 단계를 포함하거나, 일부의 단계를 제외하고 나머지 단계를 포함하거나, 또는 일부의 단계를 제외하고 추가적인 다른 단계를 포함할 수도 있다.
본 개시의 다양한 실시 예는 모든 가능한 조합을 나열한 것이 아니고 본 개시의 대표적인 양상을 설명하기 위한 것이며, 다양한 실시 예에서 설명하는 사항들은 독립적으로 적용되거나 또는 둘 이상의 조합으로 적용될 수도 있다.

Claims (12)

  1. 청색 유기발광다이오드(OLED; Organic Light-Emitting Diode)층과,
    상기 청색 OLED층의 상부에 마련되며, R, G, B 색상 별로 서로 다른 산란 입자 구조를 구비하는 양자점 색변환층과,
    상기 양자점 색변환층의 상부에 마련되며, 상기 양자점 색변환층의 R, G, B 색상의 색 섞임을 필터링하는 컬러 필터(Color Filter)층과,
    상기 컬러 필터층의 상부에 마련되는 코팅층을 포함하는 퀀텀닷(QD; Quantum Dot) 유기발광다이오드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 양자점 색변환층은,
    혼합 양상 산란입자를 포함하는 퀀텀닷 용액에 의해 서로 다른 산란 입자 구조의 적색 변환층과, 녹색 변환층을 포함하는 퀀텀닷 유기발광다이오드.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 적색 변환층과, 녹색 변환층은,
    상기 퀀텀닷 용액을 사용한 코팅 또는 패턴화하여 구성되는 퀀텀닷 유기발광다이오드.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 양자점 색변환층은,
    상기 혼합 양상 산란입자를 포함하는 청색 변환층을 포함하는 퀀텀닷 유기발광다이오드.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 청색 변환층은,
    상기 혼합 양상 산란입자를 포함하는 레진으로 구성되는 퀀텀닷 유기발광다이오드.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 혼합 양상 산란입자는,
    고분자 레진의 굴절율에 비하여 상대적으로 큰 크기의 굴절율을 구비하는 산화물 입자를 포함하는 퀀텀닷 유기발광다이오드.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 산화물 입자는,
    TiO2, ZnO, ZrO2, BaTiO3, BaSO4, 및 Fe2O3 중 적어도 하나를 포함하는 퀀텀닷 유기발광다이오드.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 산화물 입자는,
    구형, 막대형, 테트라파드형, 큐브형, 스타형, 및 판상형 중 적어도 하나의 형상으로 구성된 입자를 포함하는 퀀텀닷 유기발광다이오드.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2인캡슐레이션층은,
    고밀도 무기 박막의 단층 또는 복합층으로 구성된 퀀텀닷 유기발광다이오드.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 및 제2인캡슐레이션층은,
    Al2O3, SiO2, SiNx, 및 SiOxNy 중, 적어도 하나를 포함하는 퀀텀닷 유기발광다이오드.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 청색 유기발광다이오드층과, 상기 양자점 색변환층 사이에 제1인캡슐레이션(encapsulation)층과,
    상기 양자점 색변환층의 상부에 마련되는 제2인캡슐레이션층을 포함하는 퀀텀닷(QD; Quantum Dot) 유기발광다이오드.
  12. 유기 발광다이오드(OLED; Organic Light-Emitting Diode)에 있어서,
    유기 발광다이오드층과,
    상기 유기 발광다이오드층의 상부에 마련되며, R, G, B 색상 별로 서로 다른 산란 입자 구조를 구비하는 양자점 색변환층과,
    상기 양자점 색변환층의 상부에 마련되는 코팅층을 포함하는 퀀텀닷(QD; Quantum Dot) 유기발광다이오드.
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