KR20230045255A - 전자 장치 및 그 제어 방법 - Google Patents
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Abstract
전자 장치가 개시된다. 본 개시에 따른 전자 장치는, 외부 장치와 통신을 수행하는 통신 인터페이스, 메모리, 및 프로세서를 포함하고, 프로세서는, 외부 장치가 외부 장치와 연결된 투명 전극 시트에 제1 신호를 인가하도록 요청하는 제어 신호를 외부 장치로 전송하고, 외부 장치로부터 제1 신호가 투명 전극 시트에 인가된 제1 시점, 외부 장치에 의해 제1 신호에 대한 응답 신호인 제2 신호가 획득된 제2 시점, 및 제2 신호의 파형을 수신하고, 제1 시점과 제2 시점의 차이, 제2 신호의 파형에 기초하여 투명 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단한다.
Description
본 개시는 전자 장치 및 그 제어 방법으로, 보다 상세하게는, 터치 패널의 결함을 판단하는 전자 장치 및 그 제어 방법에 관한 것이다.
터치 패널의 종류에는 여러가지가 존재하지만, 정전용량 방식의 터치 패널이 가장 활발히 이용되고 있다. 정전용량 방식의 터치 패널은 두 전극 사이에 존재하는 전계의 변화에 기초하여 터치를 인식하며, 두 전극은 시트 형태로 구현될 수 있다.
전극 시트의 결함을 판단하기 위한 다양한 시도가 있었으나, 기존의 결함 판단 방법은, TX 전극 시트와 RX 전극 시트의 접합 조립이 끝난 후에 결함을 판단하므로 결함이 존재한다고 판단된 전극 시트의 재사용이 불가능하며, 결함이 존재하는 위치를 알 수 없어 사용자의 추가 작업이 필요하다는 한계가 있었다.
따라서, 터치 패널을 구성하는 전극 시트의 접합 조립 이전에도 결함을 판단하고 결함이 존재하는 위치를 획득할 수 있는 기술이 필요한 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 외부 장치로부터 수신된 신호에 기초하여 터치 패널을 구성하는 투명 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명의 기술분야에서의 통상의 기술자에게 명확하게 이해 될 수 있을 것이다.
상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 개시의 예시적인 일 실시 예에 따르면, 전자 장치에 있어서, 외부 장치와 통신을 수행하는 통신 인터페이스; 메모리; 및 프로세서;를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 외부 장치가 상기 외부 장치와 연결된 투명 전극 시트에 제1 신호를 인가하도록 요청하는 제어 신호를 상기 외부 장치로 전송하고, 상기 외부 장치로부터, 상기 제1 신호가 상기 투명 전극 시트에 인가된 제1 시점, 상기 외부 장치에 의해 상기 제1 신호에 대한 응답 신호인 제2 신호가 획득된 제2 시점, 및 상기 제2 신호의 파형을 수신하고, 상기 제1 시점과 상기 제2 시점의 차이, 상기 제2 신호의 파형에 기초하여 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단하는 전자 장치가 제공될 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 제1 시점과 상기 제2 시점의 차이가 기설정된 시간 범위 밖이면 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단하는 전자 장치가 제공될 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 제2 신호의 전압 크기가 기설정된 전압 범위 밖이면 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 제1 시점과 상기 제2 시점의 차이가 기설정된 시간보다 작고 상기 제2 신호의 전압 크기가 기설정된 값보다 작으면, 상기 투명 전극 시트에 포함된 복수의 라인 중 적어도 일부가 서로 쇼트되거나 상기 복수의 라인 중 적어도 일부가 그라운드에 쇼트되었다고 판단할 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 제2 신호의 상승 시간이 기설정된 시간 보다 크면, 상기 투명 전극 시트에 이물질이 존재하거나 상기 투명 전극 시트와 다른 투명 전극 시트 간의 압착 정도가 기설정된 범위 밖이라고 판단할 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 제1 시점과 상기 제2 시점의 차이에 기초하여 상기 투명 전극 시트에 존재하는 결함의 위치를 획득할 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 제2 신호의 파형과 기설정된 파형의 유사도를 획득하고, 상기 유사도가 기설정된 값보다 작으면, 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단하고, 상기 유사도가 기설정된 값 이상이면, 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재하지 않는다고 판단할 수 있다.
상기 전자 장치는, 디스플레이;를 더 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단되면, 상기 결함에 대한 정보를 표시하도록 상기 디스플레이를 제어할 수 있다.
전자 장치의 제어 방법에 있어서, 외부 장치와 통신 연결을 수행하는 단계; 상기 외부 장치가 상기 외부 장치와 연결된 투명 전극 시트에 제1 신호를 인가하도록 요청하는 제어 신호를 상기 외부 장치로 전송하는 단계; 상기 외부 장치로부터, 상기 제1 신호가 상기 투명 전극 시트에 인가된 제1 시점, 상기 외부 장치에 의해 상기 제1 신호에 대한 응답 신호인 제2 신호가 획득된 제2 시점, 및 상기 제2 신호의 파형을 수신하는 단계; 및 상기 제1 시점과 상기 제2 시점의 차이, 상기 제2 신호의 파형에 기초하여 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단하는 단계;를 포함하는 제어 방법이 제공될 수 있다.
상기 판단하는 단계는, 상기 제1 시점과 상기 제2 시점의 차이가 기설정된 시간 범위 밖이면 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다.
상기 판단하는 단계는, 상기 제2 신호의 전압 크기가 기설정된 전압 범위 밖이면 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다.
상기 판단하는 단계는, 상기 제1 시점과 상기 제2 시점의 차이가 기설정된 시간보다 작고 상기 제2 신호의 전압 크기가 기설정된 값보다 작으면, 상기 투명 전극 시트에 포함된 복수의 라인 중 적어도 일부가 서로 쇼트되거나 상기 복수의 라인 중 적어도 일부가 그라운드에 쇼트되었다고 판단할 수 있다.
상기 판단하는 단계는, 상기 제2 신호의 상승 시간이 기설정된 시간 보다 크면, 상기 투명 전극 시트에 이물질이 존재하거나 상기 투명 전극 시트와 다른 투명 전극 시트 간의 압착 정도가 기설정된 범위 밖이라고 판단할 수 있다.
상기 판단하는 단계는, 상기 제1 시점과 상기 제2 시점의 차이에 기초하여 상기 투명 전극 시트에 존재하는 결함의 위치를 획득할 수 있다.
상기 판단하는 단계는, 상기 제2 신호의 파형과 기설정된 파형의 유사도를 획득하는 단계, 상기 유사도가 기설정된 값보다 작으면, 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단하는 단계, 및 상기 유사도가 기설정된 값 이상이면, 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재하지 않는다고 판단하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제어 방법은, 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단되면, 상기 결함에 대한 정보를 표시하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 개시의 과제의 해결 수단이 상술한 해결 수단들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 해결 수단들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 개시가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
이상과 같은 본 개시의 다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치는 터치 패널을 구성하는 전극 시트의 접합 조립 이전에도 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단할 수 있다. 또한, 전자 장치는 전극 시트에서 결함이 존재하는 위치를 획득할 수 있다.
그 외에 본 개시의 실시 예로 인하여 얻을 수 있거나 예측되는 효과에 대해서는 본 개시의 실시 예에 대한 상세한 설명에서 직접적 또는 암시적으로 개시하도록 한다. 예컨대, 본 개시의 실시 예에 따라 예측되는 다양한 효과에 대해서는 후술될 상세한 설명 내에서 개시될 것이다.
본 개시의 다른 양상, 이점 및 두드러진 특징들은 첨부된 도면과 관련하여 본 발명의 다양한 실시 예들을 개시하는 다음의 상세한 설명으로부터 당업자에게 명백해질 것이다.
본 개시의 특정 실시 예의 양상, 특징 및 이점은 첨부된 도면들을 참조하여 후술되는 설명을 통해 보다 명확해질 것이다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 터치 패널 결함 판단 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시 예에 따른 응답 신호의 파형을 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 개시의 일 실시 예에 따른 응답 신호의 파형을 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전극 시트가 정상일 때의 회로도이다.
도 6은 본 개시의 일 실시 예에 따른 결함이 전극 시트에 존재할 때의 회로도이다.
도 7은 본 개시의 일 실시 예에 따른 결함이 전극 시트에 존재할 때의 회로도이다.
도 8은 본 개시의 일 실시 예에 따른 결함이 전극 시트에 존재할 때의 회로도이다.
도 9는 도 5 내지 도 8의 회로도에 대응되는 응답 신호를 나타낸 그래프이다.
도 10 은 본 개시의 일 실시 예에 따른 전극 시트의 회로도이다.
도 11은 본 개시의 일 실시 예에 따른 전극 시트의 회로도이다.
도 12는 도 10 및 도 11의 회로도에 대응되는 응답 신호를 나타낸 그래프이다.
도 13은 본 개시의 일 실시 예에 따른 접합된 전극 시트의 회로도이다.
도 14는 도 13의 오실로스코프에 의해 획득된 신호를 나타낸 그래프이다.
도 15는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제어 방법을 도시한 순서도이다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 터치 패널 결함 판단 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시 예에 따른 응답 신호의 파형을 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 개시의 일 실시 예에 따른 응답 신호의 파형을 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전극 시트가 정상일 때의 회로도이다.
도 6은 본 개시의 일 실시 예에 따른 결함이 전극 시트에 존재할 때의 회로도이다.
도 7은 본 개시의 일 실시 예에 따른 결함이 전극 시트에 존재할 때의 회로도이다.
도 8은 본 개시의 일 실시 예에 따른 결함이 전극 시트에 존재할 때의 회로도이다.
도 9는 도 5 내지 도 8의 회로도에 대응되는 응답 신호를 나타낸 그래프이다.
도 10 은 본 개시의 일 실시 예에 따른 전극 시트의 회로도이다.
도 11은 본 개시의 일 실시 예에 따른 전극 시트의 회로도이다.
도 12는 도 10 및 도 11의 회로도에 대응되는 응답 신호를 나타낸 그래프이다.
도 13은 본 개시의 일 실시 예에 따른 접합된 전극 시트의 회로도이다.
도 14는 도 13의 오실로스코프에 의해 획득된 신호를 나타낸 그래프이다.
도 15는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제어 방법을 도시한 순서도이다.
본 명세서에서 사용되는 용어에 대해 간략히 설명하고, 본 개시에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.
본 개시의 실시 예에서 사용되는 용어는 본 개시에서의 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어들을 선택하였으나, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 판례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 개시의 설명 부분에서 상세히 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 본 개시에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌, 그 용어가 가지는 의미와 본 개시의 전반에 걸친 내용을 토대로 정의되어야 한다.
본 개시의 실시 예들은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 특정한 실시 형태에 대해 범위를 한정하려는 것이 아니며, 개시된 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 실시 예들을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "구성되다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고하여 본 개시의 실시 예에 대하여 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 개시는 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 개시를 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 터치 패널 결함 판단 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 터치 패널 결함 판단 시스템(1000)은, 전자 장치(100), 외부 장치(200) 및 터치 패널(300)을 포함할 수 있다. 터치 패널(300)은 저반사(Anti-Glare, AG) 필름(310), 커버 윈도우(320), 상부 OCA(Optical Clear Adhesive) 필름(330), 상부 전극 시트(340), 하부 OCA 필름(350) 및 하부 전극 시트(360)를 포함할 수 있다. 전극 시트(340, 360)는 투명일 수 있다. 예를 들어, 상부 전극 시트(340)는 TX 전극 시트이며, 하부 전극 시트(360)는 RX 전극 시트일 수 있다. 다만 이는 일 실시 예에 불과하며, 상부 전극 시트(340)가 RX 전극 시트이며, 하부 전극 시트(360)는 TX 전극 시트일 수도 있다.
외부 장치(200)는 임피던스 측정 장치이다. 예를 들어, 외부 장치(200)는 시간 도메인 반사 측정 (Time Domain Reflectometer, TDR) 장치를 포함할 수 있다. 외부 장치(200)는, 전극 시트(340, 360)에 제1 신호를 인가하고, 제1 신호가 전극 시트(340, 360)에서 반사되어 돌아오는 제2 신호(즉, 제1 신호에 대한 응답 신호)를 획득할 수 있다. 외부 장치(200)는 제1 신호에 대한 정보 및 제2 신호에 대한 정보를 획득할 수 있다. 각 신호에 대한 정보는 시간에 따른 신호의 전압 크기 즉, 신호의 파형을 포함할 수 있다. 본 개시에서 제2 신호는 응답 신호라 지칭되기도 한다.
전자 장치(100)는 외부 장치(200)와 통신을 수행하여 제1 신호에 대한 정보 및 제2 신호에 대한 정보를 획득할 수 있다. 전자 장치(100)는 제1 신호에 대한 정보 및 제2 신호에 대한 정보에 기초하여 터치 패널(300)에 결함이 존재하는 지 판단할 수 있다. 한편, 도 1에서는 전자 장치(100)를 PC(Personal Computer)로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 전자 장치(100)는 모바일 장치일 수 있다.
도시하지 않았으나, 전극 시트(340, 360)는 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board, PCB)에 배치되어 외부 장치(200)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 인쇄 회로 기판 상에는 전극 시트(340, 360)에 포함된 복수의 라인과 전자 장치(100)를 연결하는 MUX 회로가 배치될 수 있다. 전자 장치(100)는 전극 시트에 포함된 복수의 라인 각각에 순차적으로 제1 신호가 인가되도록 MUX 회로를 제어할 수 있다.
도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 2를 참조하면, 전자 장치(100)는 통신 인터페이스(110), 디스플레이(120), 메모리(130) 및 프로세서(140)를 포함할 수 있다. 통신 인터페이스(110)는 적어도 하나의 통신 회로를 포함하며 외부 장치 또는 외부 서버와 통신을 수행할 수 있다. 예를 들어, 전극 시트의 성능을 테스트하기 위한 사용자 명령이 획득되면, 통신 인터페이스(110)는 외부 장치가 전극 시트에 제1 신호를 인가하도록 요청하는 제어 신호를 외부 장치로 전송할 수 있다. 또는, 통신 인터페이스(110)는 스위칭 제어 신호를 MUX 회로로 전송할 수 있다. 또한, 통신 인터페이스(110)는 외부 장치로부터 전극 시트에 인가된 제1 신호에 대한 정보, 제1 신호에 대한 응답 신호인 제2 신호에 대한 정보를 수신할 수 있다.
통신 인터페이스(110)는 적어도 하나의 통신 단자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 통신 인터페이스(110)는 USB(Universal Serial Bus) 포트, LAN 포트 및 WAN 포트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 통신 인터페이스(110)는 유선 통신 모듈 및 무선 통신 모듈을 포함할 수 있다. 유선 통신 모듈은 이더넷 모듈을 포함할 수 있다. 무선 통신 모듈은 BLE(Bluetooth Low Energy) 모듈, 와이파이 통신 모듈, 셀룰러 통신모듈, 3G(3세대) 이동통신 모듈, 4G(4세대) 이동통신 모듈, 4세대 LTE(Long Term Evolution) 통신 모듈, 5G(5세대) 이동통신 모듈 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
디스플레이(120)는 프로세서(140)의 제어에 의해 다양한 정보를 표시할 수 있다. 예를 들어, 디스플레이(120)는 터치 패널 또는 전극 시트에 존재하는 결함에 대한 정보를 표시할 수 있다. 결함에 대한 정보는, 결함의 유형 및 위치를 포함할 수 있다. 한편, 디스플레이(120)는 LCD(Liquid Crystal Display Panel), OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등으로 구현될 수 있으며, 또한 디스플레이(120)는 플렉서블 디스플레이, 투명 디스플레이 등으로 구현될 수 있다. 다만, 본 개시에 따른 디스플레이(120)가 특정한 종류에 한정되는 것은 아니다.
메모리(130)는 전자 장치(100)의 구성요소들의 전반적인 동작을 제어하기 위한 운영체제(OS: Operating System) 및 전자 장치(100)의 구성요소와 관련된 명령 또는 데이터를 저장할 수 있다. 메모리(130)는 비휘발성 메모리(ex: 하드 디스크, SSD(Solid state drive), 플래시 메모리), 휘발성 메모리 등으로 구현될 수 있다.
메모리(130)는 전극 시트의 결함을 판단하기 위한 기준이 되는 값을 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리(130)는 기설정된 시간 범위를 저장할 수 있다. 제1 신호가 전극 시트에 인가된 제1 시점 및 외부 장치에 의해 제2 신호가 획득된 제2 시점의 차이가 기설정된 시간 범위(예로, 10ns~12ns) 밖이면, 프로세서(140)는 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다. 본 개시에서 제2 신호가 획득된 제2 시점이란, 제1 신호에 대응되는 반사 신호가 획득된 시점을 의미한다.
메모리(130)는 기설정된 전압 범위를 저장할 수 있다. 제2 신호의 전압 크기가 기설정된 전압 범위(예로, 0.95V~1.05V) 밖이면, 프로세서(140)는 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다. 기설정된 시간 범위 및 기설정된 전압 범위는 사용자에 의해 설정될 수 있다.
프로세서(140)는 메모리(130)와 전기적으로 연결되어 전자 장치(100)의 전반적인 기능 및 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어, 전극 시트의 결함을 검사하기 위한 사용자 명령이 획득되면, 프로세서(140)는 외부 장치로 제어 신호를 전송하도록 통신 인터페이스(110)를 제어할 수 있다. 여기서, 제어 신호는, 외부 장치가 외부 장치와 연결된 투명 전극 시트에 제1 신호를 인가하도록 요청하는 신호일 수 있다.
프로세서(140)는 외부 장치로부터 제1 신호에 대한 정보, 투명 전극 시트로부터 제1 신호가 반사된 신호인 제2 신호에 대한 정보를 수신할 수 있다. 제1 신호에 대한 정보는, 제1 신호가 투명 전극 시트에 인가된 제1 시점을 포함할 수 있다. 제2 시점에 대한 정보는, 외부 장치에 의해 제2 신호가 획득된 제2 시점, 제2 신호의 파형을 수신할 수 있다.
프로세서(140)는 제1 시점과 제2 시점의 차이, 제2 신호의 파형에 기초하여 투명 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단할 수 있다. 예를 들어, 제1 시점과 제2 시점의 차이가 기설정된 시간 범위 밖이면, 프로세서(140)는 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다. 또는, 제2 신호의 전압 크기가 기설정된 전압 범위 밖이면, 프로세서(140)는 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다.
제1 시점과 제2 시점의 차이가 기설정된 시간보다 작고 제2 신호의 전압 크기가 기설정된 값보다 작으면, 프로세서(140)는 투명 전극 시트에 포함된 복수의 라인 중 적어도 일부가 서로 쇼트되거나 복수의 라인 중 적어도 일부가 그라운드에 쇼트되었다고 판단할 수 있다.
제2 신호의 상승 시간이 기설정된 시간(예로, 1ns~1.5ns)보다 크면, 프로세서(140)는 투명 전극 시트에 이물질이 존재한다고 판단할 수 있다. 투명 전극 시트가 다른 투명 전극 시트와 접합(예로, 도 1의 상부 전극 시트(340)와 하부 전극 시트(360)가 접합)된 후 결함 테스트가 수행된 경우, 제2 신호의 상승 시간이 기설정된 시간보다 크면, 프로세서(140)는 전극 시트(340, 360) 간의 압착 정도가 기설정된 범위 밖이라고 판단할 수 있다.
프로세서(140)는 제1 시점과 제2 시점의 차이에 기초하여 투명 전극 시트에 존재하는 결함의 위치를 획득할 수 있다. 프로세서(140)는 제1 시점과 제2 시점의 차이에 기초하여 라인의 임피던스를 산출할 수 있다. 예를 들어, 60옴의 라인은 250ps에 대응될 수 있다. 프로세서(140)는 산출된 임피던스에 기초하여 라인의 길이를 획득하고, 라인의 길이에 기초하여 결함의 위치를 획득할 수 있다. 라인의 물성치(예로, 비저항, 전도성)는 메모리(130)에 미리 저장되어 있을 수 있다.
프로세서(140)는 제2 신호의 파형과 기설정된 파형의 유사도를 획득할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(140)는 유사도 판단 알고리즘 또는 유사도 판단을 위한 신경망 모델을 이용하여 제2 신호의 파형과 기설정된 파형의 유사도를 획득할 수 있다. 이 때, 유사도 판단 알고리즘 또는 유사도 판단을 위한 신경망 모델은 메모리(130)에 미리 저장되어 있을 수 있다. 유사도가 기설정된 값보다 작으면, 프로세서(140)는 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다. 유사도가 기설정된 값 이상이면, 프로세서(140)는 투명 전극 시트에 결함이 존재하지 않는다고 판단할 수 있다.
한편, 본 개시에서는 외부 장치(200)가 TDR 장치인 경우를 중심으로 설명하나, 이는 일 실시 예에 불과하며, 외부 장치(200)는 FPGA(field programmable gate array) 또는 ASIS(application-specific integrated circuit)를 이용한 지그 보드로 구현될 수 있다. 지그 보드는 전극 시트에 인가될 펄스 신호를 생성하는 펄스 생성부, TDC(Time-to-Digital Converter), 비교기를 포함할 수 있다. 지그 보드는 펄스 신호 및 응답 신호에 대한 정보를 저장할 수 있다. 예를 들어, 지그 보드는 펄스 신호가 지그 보드에 인가된 제1 시점, 응답 신호가 획득된 제2 시점, 제1 시점 및 제2 시점의 차이 및 응답 신호의 크기를 저장할 수 있다. 지그 보드는 저장된 정보를 전자 장치(100)로 전송할 수 있다.
도 3은 본 개시의 일 실시 예에 따른 응답 신호의 파형을 나타낸 그래프이다. 도 4는 본 개시의 일 실시 예에 따른 응답 신호의 파형을 나타낸 그래프이다.
도 3을 참조하면, 제1 응답 신호(31)는 순간적으로 전압의 크기가 증가한 후 감소하는 형태를 가질 수 있다. 이러한 파형은 라인의 인덕턴스가 존재하는 경우 나타날 수 있다. 예를 들어, 라인에 에어 갭(air gap)이 형성되면 라인의 인덕턴스가 증가할 수 있다.
도 4를 참조하면, 제2 응답 신호(41)는 순간적으로 전압의 크기가 감소한 후 증가하는 형태를 가질 수 있다. 이러한 파형은 라인의 커패시턴스가 증가한 경우 나타날 수 있다. 예를 들어, 라인에 이물질이 존재하거나 찍힘이 발생하면 라인의 커패시턴스가 증가할 수 있다. 라인의 찍힘은 전극 시트와 접착 필름을 압착하여 접합하는 과정에서 발생할 수 있다.
전자 장치(100)는 응답 신호의 파형에 기초하여 라인에 결함이 존재하는 지 판단하고, 결함의 유형을 판단할 수 있다. 일 예로, 수신된 응답 신호의 파형이 제1 응답 신호(31)와 같은 형태인 경우, 전자 장치(100)는 라인에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다. 이 때, 전자 장치(100)는 라인에 에어 갭이 형성되었다고 판단할 수 있다. 다른 일 예로, 수신된 응답 신호의 파형이 제2 응답 신호(41)와 같은 형태인 경우, 전자 장치(100)는 라인에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다. 이 때, 전자 장치(100)는 라인에 이물질이 존재하거나 찍힘이 발생했다고 판단할 수 있다.
한편, 전자 장치(100)는 전극 시트가 정상일 때의 기준 응답 신호의 파형을 저장하고 있을 수 있다. 기준 응답 신호의 크기와 수신되는 응답 신호의 크기의 차이가 기설정된 값보다 크면, 전자 장치(100)는 라인에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다. 또는, 전자 장치(100)는 수신된 응답 신호의 파형을 분석하여 라인의 인덕턴스 또는 커패시턴스를 획득할 수 있다. 획득된 인덕턴스 또는 커패시턴스와 기준값과의 차이가 기설정된 값보다 크면, 전자 장치(100)는 라인에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다.
도 5는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전극 시트가 정상일 때의 회로도이다. 도 6 내지 도 8은 본 개시의 일 실시 예에 따른 결함이 전극 시트에 존재할 때의 회로도이다. 도 9는 도 5 내지 도 8의 회로도에 대응되는 응답 신호를 나타낸 그래프이다.
도 5 내지 도 8을 참조하면, TDR 장치는 복수의 라인을 포함하는 전극 시트에 펄스 신호를 인가하여 응답 신호를 획득할 수 있다. 응답 신호는 펄스 신호가 전극 시트에 의해 반사된 신호일 수 있다. TDR 장치는 도 9와 같은 파형을 획득하여 전자 장치(100)로 전송할 수 있다. 전자 장치(100)는 수신된 파형을 분석하여 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단할 수 있다. 도시되지 않았으나, 전극 시트는 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board, PCB)에 배치되며, 인쇄 회로 기판 상에는 전극 시트에 포함된 복수의 라인과 전자 장치(100)를 연결하는 MUX 회로가 배치될 수 있다.
도 5를 참조하면, 전극 시트(50)는 복수의 라인을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 라인은 제1 라인(51)을 포함할 수 있다. 제1 라인(51)은 복수의 전송 라인(52, 53, 54)을 포함할 수 있다. 제1 라인(51)은 기준 길이(d0)의 전기적 길이(electrical length)를 가질 수 있다.
도 9를 참조하면, 제1 라인(51)에 펄스 신호가 인가되면, TDR 장치는 기준 응답 신호(90)를 획득할 수 있다. 제1 라인(51)은 오픈 상태이므로, 기준 응답 신호(90)의 크기는 펄스 신호가 인가될 때 제1 전압(V1)까지 증가하고, 기준 시점(t0) 이후로 제2 전압(V2)까지 증가할 수 있다. 기준 시점(t0)은 제1 라인(51)으로 인가된 펄스 신호에 대응되는 반사 신호가 획득된 시점이다.
전자 장치(100)는 기준 응답 신호(90)의 파형을 분석하여 제1 시점(t0)을 식별할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 기준 응답 신호(90)를 미분한 값이 기설정된 값보다 큰 시점을 식별하여 제1 시점(t0)을 식별할 수 있다. 전자 장치(100)는 제1 시점(t0)에 기초하여 기준 시간 범위(TR) 및 기준 전압 범위(VR)를 정의할 수 있다. 전자 장치(100)는 기준 시간 범위(TR) 및 기준 전압 범위(VR)에 기초하여 응답 신호를 분석하여 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단할 수 있다. 예를 들어, TDR 장치에 의해 펄스 신호에 대응되는 반사 신호가 획득된 시점이 기준 시간 범위(TR) 밖이거나, 기준 시간 범위(TR)에서 응답 신호의 크기가 기준 전압 범위(VR) 밖인 경우, 전자 장치(100)는 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다.
도 6을 참조하면, 전극 시트(60)는 제1 라인(61) 및 제2 라인(62)을 포함할 수 있다. TDR 장치로부터 전기적 길이가 제1 길이(d1)인 지점에서 제1 라인(61) 및 제2 라인(62)은 쇼트될 수 있다.
도 9를 참조하면, 제1 라인(61)에 펄스 신호가 인가되면, TDR 장치는 제1 응답 신호(91)를 획득할 수 있다. 제1 라인(61) 및 제2 라인(62)이 TDR 장치로부터 전기적 길이가 기준 길이(d0)보다 작은 제1 길이(d1)에서 쇼트되었으므로, 제1 라인(61)으로 인가된 펄스 신호에 대응되는 반사 신호는 기준 시점(t0)보다 작은 제1 시점(t1)에서 센싱될 수 있다. 또한, 제1 라인(61) 및 제2 라인(62)이 병렬 연결되므로 제1 라인(61)의 임피던스가 감소하게 되고, 제1 응답 신호(91) 크기는 제1 시점(t1)에서 제3 전압(V3)으로 감소할 수 있다.
전자 장치(100)는 제1 응답 신호(91)의 파형을 분석하여 전극 시트(60)에 결함이 존재하는 지 판단할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 제1 응답 신호(91)를 미분한 값의 크기가 최초로 기설정된 값보다 커지는 시점을 제1 시점(t1)으로 식별할 수 있다. 그리고, 전자 장치(100)는 제1 시점(t1)에서의 제1 응답 신호(91)의 크기 변화를 식별할 수 있다. 제1 시점(t1)이 기준 시점(t0)보다 작고, 제3 전압(V3)이 제1 전압(V1)보다 작으므로, 전자 장치(100)는 TDR 장치로부터 전기적 길이가 기준 길이(d0)보다 작은 지점에서 제1 라인(61)의 임피던스가 감소하게 되는 결함이 존재한다고 판단할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 제1 라인(61)이 TDR 장치로부터 전기적 길이가 기준 길이(d0)보다 작은 지점에서 다른 라인과 쇼트되었다고 판단할 수 있다.
한편, 전자 장치(100)는 제1 시점(t1)에 기초하여 결함이 존재하는 위치를 획득할 수 있다. 전자 장치(100)는 제1 시점(t1)에 기초하여 제1 라인(61)의 전기적 길이를 산출할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 제1 시점(t1)과 기준 시점(t0)을 비교하여 제1 라인(61)의 전기적 길이를 산출할 수 있다. 전자 장치(100)는 제1 라인(61)의 전기적 길이에 기초하여 펄스 신호에 대응되는 반사 신호가 반사된 위치를 판단할 수 있다.
도 7을 참조하면, 전극 시트(70)는 제1 라인(71) 및 제2 라인(72)을 포함할 수 있다. TDR 장치로부터 전기적 길이가 제2 길이(d2)인 지점에서 제1 라인(71) 및 제2 라인(72)은 쇼트될 수 있다.
도 9를 참조하면, 제1 라인(71)에 펄스 신호가 인가되면, TDR 장치는 제2 응답 신호(92)를 획득할 수 있다. 제1 라인(71) 및 제2 라인(72)이 직렬로 연결되어 TDR 장치로부터 전기적 길이가 기준 길이(d0)보다 커졌으므로, 제1 라인(71)으로 인가된 펄스 신호에 대응되는 반사 신호는 기준 시점(t0)보다 큰 제2 시점(t2)에서 획득될 수 있다. 또한, 제1 라인(71) 및 제2 라인(72)은 오픈 상태이므로, 제2 응답 신호(92)의 크기는 펄스 신호가 인가될 때 제1 전압(V1)까지 증가하고, 제2 시점(t2) 이후로 제2 전압(V2)까지 증가할 수 있다.
전자 장치(100)는 제2 응답 신호(92)의 파형을 분석하여 전극 시트(70)에 결함이 존재하는 지 판단할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 제2 응답 신호(92)를 미분한 값의 크기가 기설정된 값보다 커지는 시점을 제2 시점(t2)으로 식별할 수 있다. 제2 시점(t2)이 기준 시점(t0)보다 크므로, 전자 장치(100)는 전극 시트(70)에 제1 라인(71)의 전기적 길이가 증가하게 되는 결함이 존재한다고 판단할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 제1 라인(71)과 다른 라인이 직렬로 연결되었다고 판단할 수 있다.
도 8을 참조하면, 전극 시트(80)는 제1 라인(81) 및 제2 라인(82)을 포함할 수 있다. TDR 장치로부터 전기적 길이가 제3 길이(d3)인 지점에서 제1 라인(81)은 그라운드에 쇼트될 수 있다.
도 9를 참조하면, 제1 라인(81)에 펄스 신호가 인가되면, TDR 장치는 제3 응답 신호(93)를 획득할 수 있다. 제1 라인(81)이 TDR 장치로부터 전기적 길이가 기준 길이(d0)보다 작은 제3 길이(d3)에서 그라운드에 쇼트되었으므로, 제1 라인(81)으로 인가된 펄스 신호에 대응되는 반사 신호가 획득되는 제3 시점(t3)은 기준 시점(t0)보다 작을 수 있다. 또한, 제1 라인(81)이 그라운드에 쇼트됨에 따라 제1 라인(81)의 임피던스가 감소했으므로 제3 응답 신호(93)의 크기는 제3 시점(t3)에서 제1 전압(V1)보다 작은 제4 전압(V4)으로 감소할 수 있다.
전자 장치(100)는 제3 응답 신호(93)의 파형을 분석하여 전극 시트(80)에 결함이 존재하는 지 판단할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 제3 응답 신호(93)를 미분한 값의 크기가 기설정된 값보다 커지는 시점을 제3 시점(t3)으로 식별할 수 있다. 제3 시점(t3)이 기준 시점(t0)보다 작으므로, 전자 장치(100)는 전극 시트(80)에 제1 라인(81)의 전기적 길이가 감소하게되는 결함이 존재한다고 판단할 수 있다. 또한, 제3 시점(t3) 이후로 제3 응답 신호(93)의 크기가 제1 전압(V1)보다 작아졌으므로, 전자 장치(100)는 제1 라인(91)의 임피던스가 감소하게 되는 결함이 존재한다고 판단할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 제1 라인(81)이 제3 거리(d3)에 대응되는 지점에서 그라운드와 쇼트되었다고 판단할 수 있다.
한편, 전자 장치(100)는 상부 전극 시트(340)와 하부 전극 시트(360)가 접한된 이후에도 상부 전극 시트(340) 또는 하부 전극 시트(360)에 결함이 존재하는 지 판단할 수 있다.
도 10 및 도 11은 본 개시의 일 실시 예에 따른 전극 시트의 회로도이다. 도 12는 도 10 및 도 11의 회로도에 대응되는 응답 신호를 나타낸 그래프이다.
도 10을 참조하면, 가로 라인들(101, 102, ??)은 상부 전극 시트(340)를 구성하며, 세로 라인들(103, 104, 105, ??)은 하부 전극 시트(360)를 구성할 수 있다. 상부 전극 시트(340)와 하부 전극 시트(360) 사이에는 커패시턴스(C1, C2, C3)가 형성될 수 있다. TDR 장치는 제1 라인(101)에 펄스 신호를 인가하여 응답 신호를 획득할 수 있다. 예를 들어, 도 12의 제1 응답 신호(121), 제2 응답 신호(122), 제3 응답 신호(123)가 획득될 수 있다.
도 12를 참조하면, 제1 응답 신호(121)는 접합된 전극 시트에 결함이 존재하지 않을 때의 신호이다. 전자 장치(100)는 제1 응답 신호(121)에 기초하여 기준 시간 범위(TR') 및 기준 전압 범위(VR')를 정의할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 제1 응답 신호(121)의 크기가 기설정된 값과 동일해지는 기준 시점(t0')을 식별하고, 기준 시점(t0')에 기초하여 기준 시간 범위(TR')를 정의할 수 있다. 또한, 전자 장치(100)는 기준 시점(t0')에서 제1 응답 신호(121)의 기준 전압(V0')에 기초하여 기준 전압 범위(VR')를 정의할 수 있다.
전자 장치(100)는 기준 시간 범위(TR') 및 기준 전압 범위(VR')에 기초하여 응답 신호를 분석하여 접합된 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단할 수 있다. 예를 들어, TDR 장치에 의해 펄스 신호에 대응되는 반사 신호가 획득된 시점이 기준 시간 범위(TR') 밖이거나, 기준 시간 범위(TR')에서 응답 신호의 크기가 기준 전압 범위(VR') 밖인 경우, 전자 장치(100)는 접합된 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다.
제2 응답 신호(122)는 커패시턴스(C1, C2, C3)가 기설정된 값보다 큰 경우의 응답 신호이다. 커패시턴스가 증가하면, 응답 신호의 상승 시간이 커질 수 있다. 따라서, 제2 응답 신호(122)가 기준 전압(V0')까지 도달하는 시간은 제1 응답 신호(121)가 기준 전압(V0')까지 도달하는 시간보다 크다는 것을 확인할 수 있다.
전자 장치(100)는 응답 신호의 파형을 분석하여 접합된 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단할 수 있다. 가령, 응답 신호가 제2 응답 신호(122)와 같다면, 전자 장치(100)는 접합된 전극 시트에 커패시턴스가 기설정된 값보다 증가하게 된 결함이 존재한다고 판단할 수 있다.
제3 응답 신호(123)는 도 11의 회로도와 같이, 라인들(101, 102) 간의 쇼트가 발생한 경우의 응답 신호이다. 제1 라인(101) 및 제2 라인(102)이 TDR 장치로부터 전기적 길이가 기준 길이(d0)보다 작은 지점에서 쇼트되었으므로, 제1 라인(101)으로 인가된 펄스 신호에 대응되는 반사 신호는 기준 시점(t0')보다 작은 제1 시점(t1')에서 획득될 수 있다. 또한, 제1 라인(101) 및 제2 라인(102)이 병렬 연결되므로 제1 라인(101)의 임피던스가 감소하게 되고, 제3 응답 신호(123) 크기는 제1 시점(t1')에서 감소할 수 있다.
전자 장치(100)는 응답 신호의 파형을 분석하여 접합된 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단할 수 있다. 가령, 응답 신호가 제3 응답 신호(123)와 같다면, 전자 장치(100)는 제1 라인(101)의 전기적 길이와 임피던스가 감소하게 되는 결함이 존재한다고 판단할 수 있다.
도 11 내지 도 12에서는 상부 전극 시트(340)에서 획득된 신호에 기초하여 접합된 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단하는 방법을 설명하였다. 다만 이는 일 실시 예에 불과하며, 전자 장치(100)는 하부 전극 시트(360)에서 획득된 신호를 분석해서 접합된 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단할 수 있다.
도 13은 본 개시의 일 실시 예에 따른 접합된 전극 시트의 회로도이다. 도 14는 도 13의 오실로스코프(oscilloscope)에 의해 획득된 신호를 나타낸 그래프이다.
도 13을 참조하면, 오실로스코프(131)는 하부 전극 시트(360)를 구성하는 라인들(132, 133, 134, 135)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 오실로스코프(131)의 프로브는 노드들(136, 137, 138, 139)에 연결될 수 있다.
도 14를 참조하면, 제1 응답 신호(141)는 제1 노드(N1)에서 센싱된 신호이며, 제2 응답 신호(142)는 제2 노드(N2)에서 센싱된 신호이며, 제3 응답 신호(143)는 제3 노드(N3)에서 센싱된 신호이며, 제4 응답 신호(144)는 제4 노드(N4)에서 센싱된 신호이다.
전자 장치(100)는 오실로스코프(131)로부터 응답 신호를 수신하고, 응답 신호를 분석하여 접합된 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단할 수 있다. 전자 장치(100)는 응답 신호가 기설정된 조건을 만족하는 지 판단하여 접합된 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단할 수 있다. 예를 들어, 기설정된 조건은, 인접한 두 응답 신호가 획득된 시점 간의 시간 차이가 기설정된 범위 이내여야 한다는 제1 조건을 포함할 수 있다. 제1 조건이 만족된다는 것은 상부 전극 시트(340) 및 하부 전극 시트(360) 사이에 형성되는 커패시터들이 일정한 간격 즉, 균일하게 형성되는 것을 의미한다. 따라서, 제1 조건이 만족되지 않는 경우, 전자 장치(100)는 접합된 전극 시트에 형성된 커패시터가 불균일하다는 결함이 존재한다고 판단할 수 있다. 기설정된 조건은, TDR 장치로부터의 전기적 길이가 먼 위치에서 센싱된 응답 신호일수록 크기가 작아야 한다는 제2 조건을 포함할 수 있다. 접합된 전극 시트에 포함된 라인 간 쇼트가 발생하는 경우, 전기적 길이가 변동될 수 있고 이에 따라 응답 신호가 획득되는 시점이 변할 수 있다. 따라서, 제2 조건이 만족되지 않는다면, 전자 장치(100)는 접합된 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다. 제1 조건 및 제2 조건이 만족되는 경우, 전자 장치(100)는 접합된 전극 시트에 결함이 존재하지 않는다고 판단할 수 있다.
도 14를 참조하면, 전자 장치(100)는 각 응답 신호의 크기가 최대가 되는 시점을 비교하여 시간 차이를 획득할 수 있다. 전자 장치(100)는 제1 응답 신호(141)가 획득된 시점과 제2 응답 신호(142)가 획득된 시점의 제1 시간 차이(
)를 획득할 수 있다. 전자 장치(100)는 제2 응답 신호(142)가 획득된 시점과 제3 응답 신호(143)가 획득된 시점의 제2 시간 차이(
)를 획득할 수 있다. 전자 장치(100)는 제3 응답 신호(143)가 획득된 시점과 제4 응답 신호(144)가 획득된 시점의 제3 시간 차이(
)를 획득할 수 있다.
전자 장치(100)는 제1 시간 차이(
), 제2 시간 차이(
) 및 제3 시간 차이(
)에 기초하여 제1 조건이 만족되는 지 판단할 수 있다. 제1 시간 차이(
), 제2 시간 차이(
) 및 제3 시간 차이(
)가 모두 기설정된 범위(예로, 0.4ns~0.6ns)라면, 전자 장치(100)는 제1 조건이 만족된다고 판단할 수 있다. 반면에, 제1 시간 차이(
), 제2 시간 차이(
) 및 제3 시간 차이(
) 중 적어도 하나라도 기설정된 범위 밖이라면, 전자 장치(100)는 제1 조건이 만족되지 않는다고 판단할 수 있다.
전자 장치(100)는 각 응답 신호의 크기가 최대값을 식별하고, 식별된 최대값을 비교하여 제2 조건이 만족되는 지 판단할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 제1 응답 신호(141)의 제1 최대값(V1'), 제2 응답 신호(142)의 제2 최대값(V2'), 제3 응답 신호(143)의 제3 최대값(V3'), 제4 응답 신호(144)의 제4 최대값(V4')을 식별할 수 있다. 제1 최대값(V1')은 제2 최대값(V2')보다 크고, 제2 최대값(V2')은 제3 최대값(V3')보다 크고, 제3 최대값(V3')은 제4 최대값(V4')보다 크므로, 전자 장치(100)는 제2 조건이 만족된다고 판단할 수 있다. 따라서, 도 14와 같은 응답 신호가 획득되는 경우, 전자 장치(100)는 접합된 회로에 결함이 존재하지 않는다고 판단할 수 있다. 반면에, 제1 최대값(V1')이 제2 최대값(V2')보다 작다면, 전자 장치(100)는 제2 조건이 만족되지 않는다고 판단할 수 있다.
도 15는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제어 방법을 도시한 순서도이다.
전자 장치(100)는 외부 장치와 통신 연결을 수행하고(S1510), 외부 장치가 외부 장치와 연결된 투명 전극 시트에 제1 신호를 인가하도록 요청하는 제어 신호를 외부 장치로 전송할 수 있다(S1520).
전자 장치(100)는 외부 장치로부터 제1 신호가 투명 전극 시트에 인가된 제1 시점, 외부 장치에 의해 제1 신호에 대한 응답 신호인 제2 신호가 획득된 제2 시점, 및 제2 신호의 파형을 수신할 수 있다(S1530).
전자 장치(100)는 제1 시점과 제2 시점의 차이, 제2 신호의 파형에 기초하여 투명 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단할 수 있다(S1540). 예를 들어, 제1 시점과 제2 시점의 차이가 기설정된 시간 범위 밖이면, 전자 장치(100)는 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다. 또는, 제2 신호의 전압 크기가 기설정된 전압 범위 밖이면, 전자 장치(100)는 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다.
제1 시점과 제2 시점의 차이가 기설정된 시간보다 작고 제2 신호의 전압 크기가 기설정된 값보다 작으면, 전자 장치(100)는 투명 전극 시트에 포함된 복수의 배선 중 적어도 일부가 서로 쇼트되거나 복수의 배선 중 적어도 일부가 그라운드에 쇼트되었다고 판단할 수 있다.
제2 신호의 상승 시간이 기설정된 시간 보다 크면, 전자 장치(100)는 투명 전극 시트에 이물질이 존재하거나 투명 전극 시트와 다른 투명 전극 시트 간의 압착 정도가 기설정된 범위 밖이라고 판단할 수 있다.
한편, 전자 장치(100)는 제1 시점과 제2 시점의 차이에 기초하여 투명 전극 시트에 존재하는 결함의 위치를 판단할 수 있다. 전자 장치(100)는 디스플레이(120)를 통해 결함의 위치를 포함하는 결함에 대한 정보를 표시할 수 있다.
전자 장치(100)는 제2 신호의 파형과 기설정된 파형의 유사도를 획득할 수 있다. 유사도가 기설정된 값보다 작으면, 전자 장치(100)는 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단할 수 있다. 유사도가 기설정된 값 이상이면, 전자 장치(100)는 투명 전극 시트에 결함이 존재하지 않는다고 판단할 수 있다.
한편, 이상에서 설명된 다양한 실시 예들은 소프트웨어(software), 하드웨어(hardware) 또는 이들의 조합을 이용하여 컴퓨터(computer) 또는 이와 유사한 장치로 읽을 수 있는 기록 매체 내에서 구현될 수 있다. 일부 경우에 있어 본 명세서에서 설명되는 실시 예들이 프로세서 자체로 구현될 수 있다. 소프트웨어적인 구현에 의하면, 본 명세서에서 설명되는 절차 및 기능과 같은 실시 예들은 별도의 소프트웨어 모듈들로 구현될 수 있다. 소프트웨어 모듈들 각각은 본 명세서에서 설명되는 하나 이상의 기능 및 작동을 수행할 수 있다.
한편, 상술한 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 처리 동작을 수행하기 위한 컴퓨터 명령어(computer instructions)는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체(non-transitory computer-readable medium) 에 저장될 수 있다. 이러한 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 저장된 컴퓨터 명령어는 프로세서에 의해 실행되었을 때 상술한 다양한 실시 예에 따른 처리 동작을 특정 기기가 수행하도록 할 수 있다.
비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체란 레지스터, 캐쉬, 메모리 등과 같이 짧은 순간 동안 데이터를 저장하는 매체가 아니라 반영구적으로 데이터를 저장하며, 기기에 의해 판독(reading)이 가능한 매체를 의미한다. 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체의 구체적인 예로는, CD, DVD, 하드 디스크, 블루레이 디스크, USB, 메모리카드, ROM 등이 있을 수 있다.
이상에서는 본 개시의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 개시는 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 개시의 요지를 벗어남이 없이 당해 개시에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 개시의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
100: 전자 장치
110: 통신 인터페이스
120: 디스플레이 130: 메모리
140: 프로세서 200: 외부 장치
300: 터치 패널
120: 디스플레이 130: 메모리
140: 프로세서 200: 외부 장치
300: 터치 패널
Claims (16)
- 전자 장치에 있어서,
외부 장치와 통신을 수행하는 통신 인터페이스;
메모리; 및
프로세서;를 포함하고,
상기 프로세서는,
상기 외부 장치가 상기 외부 장치와 연결된 투명 전극 시트에 제1 신호를 인가하도록 요청하는 제어 신호를 상기 외부 장치로 전송하고,
상기 외부 장치로부터, 상기 제1 신호가 상기 투명 전극 시트에 인가된 제1 시점, 상기 외부 장치에 의해 상기 제1 신호에 대한 응답 신호인 제2 신호가 획득된 제2 시점, 및 상기 제2 신호의 파형을 수신하고,
상기 제1 시점과 상기 제2 시점의 차이, 상기 제2 신호의 파형에 기초하여 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단하는
전자 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 제1 시점과 상기 제2 시점의 차이가 기설정된 시간 범위 밖이면 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단하는
전자 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 제2 신호의 전압 크기가 기설정된 전압 범위 밖이면 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단하는
전자 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 제1 시점과 상기 제2 시점의 차이가 기설정된 시간보다 작고 상기 제2 신호의 전압 크기가 기설정된 값보다 작으면, 상기 투명 전극 시트에 포함된 복수의 라인 중 적어도 일부가 서로 쇼트되거나 상기 복수의 라인 중 적어도 일부가 그라운드에 쇼트되었다고 판단하는
전자 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 제2 신호의 상승 시간이 기설정된 시간 보다 크면, 상기 투명 전극 시트에 이물질이 존재하거나 상기 투명 전극 시트와 다른 투명 전극 시트 간의 압착 정도가 기설정된 범위 밖이라고 판단하는
전자 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 제1 시점과 상기 제2 시점의 차이에 기초하여 상기 투명 전극 시트에 존재하는 결함의 위치를 획득하는
전자 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 프로세서는,
상기 제2 신호의 파형과 기설정된 파형의 유사도를 획득하고,
상기 유사도가 기설정된 값보다 작으면, 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단하고,
상기 유사도가 기설정된 값 이상이면, 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재하지 않는다고 판단하는
전자 장치. - 제1 항에 있어서,
디스플레이;를 더 포함하고,
상기 프로세서는,
상기 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단되면, 상기 결함에 대한 정보를 표시하도록 상기 디스플레이를 제어하는
전자 장치. - 전자 장치의 제어 방법에 있어서,
외부 장치와 통신 연결을 수행하는 단계;
상기 외부 장치가 상기 외부 장치와 연결된 투명 전극 시트에 제1 신호를 인가하도록 요청하는 제어 신호를 상기 외부 장치로 전송하는 단계;
상기 외부 장치로부터, 상기 제1 신호가 상기 투명 전극 시트에 인가된 제1 시점, 상기 외부 장치에 의해 상기 제1 신호에 대한 응답 신호인 제2 신호가 획득된 제2 시점, 및 상기 제2 신호의 파형을 수신하는 단계; 및
상기 제1 시점과 상기 제2 시점의 차이, 상기 제2 신호의 파형에 기초하여 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재하는 지 판단하는 단계;를 포함하는
제어 방법. - 제8 항에 있어서,
상기 판단하는 단계는,
상기 제1 시점과 상기 제2 시점의 차이가 기설정된 시간 범위 밖이면 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단하는
제어 방법. - 제9 항에 있어서,
상기 판단하는 단계는,
상기 제2 신호의 전압 크기가 기설정된 전압 범위 밖이면 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단하는
제어 방법. - 제9 항에 있어서,
상기 판단하는 단계는,
상기 제1 시점과 상기 제2 시점의 차이가 기설정된 시간보다 작고 상기 제2 신호의 전압 크기가 기설정된 값보다 작으면, 상기 투명 전극 시트에 포함된 복수의 라인 중 적어도 일부가 서로 쇼트되거나 상기 복수의 라인 중 적어도 일부가 그라운드에 쇼트되었다고 판단하는
제어 방법. - 제9 항에 있어서,
상기 판단하는 단계는,
상기 제2 신호의 상승 시간이 기설정된 시간 보다 크면, 상기 투명 전극 시트에 이물질이 존재하거나 상기 투명 전극 시트와 다른 투명 전극 시트 간의 압착 정도가 기설정된 범위 밖이라고 판단하는
제어 방법. - 제9 항에 있어서,
상기 판단하는 단계는,
상기 제1 시점과 상기 제2 시점의 차이에 기초하여 상기 투명 전극 시트에 존재하는 결함의 위치를 획득하는
제어 방법. - 제9 항에 있어서,
상기 판단하는 단계는,
상기 제2 신호의 파형과 기설정된 파형의 유사도를 획득하는 단계,
상기 유사도가 기설정된 값보다 작으면, 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단하는 단계, 및
상기 유사도가 기설정된 값 이상이면, 상기 투명 전극 시트에 결함이 존재하지 않는다고 판단하는 단계를 포함하는
제어 방법. - 제9 항에 있어서,
상기 투명 전극 시트에 결함이 존재한다고 판단되면, 상기 결함에 대한 정보를 표시하는 단계;를 더 포함하는
제어 방법.
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