KR20230037930A - Apparatus for processing substrate - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 180
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
- H05B1/0227—Applications
- H05B1/023—Industrial applications
- H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
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Abstract
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method.
반도체 장치 또는 디스플레이 장치를 제조할 때에는, 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 세정 등 다양한 공정이 실시된다. 상기 공정들을 수행하기 위한 기판 처리 장치는, 약액, 기판 및/또는 처리 공간을 타겟 온도로 승온하기 위한 히터 시스템을 포함할 수 있다.When manufacturing a semiconductor device or a display device, various processes such as photography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed. A substrate processing apparatus for performing the above processes may include a heater system for raising the temperature of the chemical liquid, the substrate, and/or the processing space to a target temperature.
종래의 히터 시스템은, 세팅 시간(setting time) 내에 타겟 온도까지 승온되지 못하면 히터 시스템에 이상이 있다고 판단하고 인터락(interlock)을 걸게 된다. 즉, 히터 시스템의 전원 또는 온도 센서에 이상이 있더라도, 세팅 시간이 경과해야만 이상 여부를 발견할 수 있다. 예를 들어, 특정 위치의 온도를 측정하는 온도 센서가 불량이라면, 컨트롤러는 상기 특정 위치의 온도가 낮은 것으로 판단하고 상기 특정 위치의 온도를 계속 승온시켜서, 과열(overheating)시킬 수 있다. In a conventional heater system, when the temperature is not raised to a target temperature within a setting time, it is determined that there is something wrong with the heater system and an interlock is applied. That is, even if there is an abnormality in the power supply or temperature sensor of the heater system, it is possible to detect the abnormality only after the setting time has elapsed. For example, if a temperature sensor for measuring the temperature of a specific location is defective, the controller may determine that the temperature of the specific location is low and continuously raise the temperature of the specific location to cause overheating.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 히터를 안전하고 빠르게 제어할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. An object to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of safely and quickly controlling a heater.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 히터를 안전하고 빠르게 제어할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing method capable of safely and quickly controlling a heater.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks of the present invention are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 다수의 히팅존을 포함하는 히터; 상기 다수의 히팅존 중 적어도 하나의 히팅존의 온도를 센싱하는 센서부; 및 상기 다수의 히팅존 중 제1 히팅존의 제1 온도 기울기를 산출하되, 상기 제1 온도 기울기는 제1 시점과 제2 시점 사이의 시간 변화량에 대한, 제1 온도와 제2 온도 사이의 온도 변화량의 비율이고, 상기 제1 온도는 상기 제1 시점에서의 상기 제1 히팅존의 온도이고, 상기 제2 온도는 상기 제2 시점에서의 상기 제1 히팅존의 온도이고, 상기 제1 온도 기울기를 제1 레퍼런스 기울기와 비교하고, 상기 비교 결과에 따라 상기 히터의 동작을 중지시키는 제어부를 포함한다.One aspect (aspect) of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above object is a heater including a plurality of heating zones; a sensor unit sensing a temperature of at least one heating zone among the plurality of heating zones; and calculating a first temperature gradient of a first heating zone among the plurality of heating zones, wherein the first temperature gradient is a temperature between a first temperature and a second temperature with respect to a time change amount between a first time point and a second time point. The ratio of the change amount, the first temperature is the temperature of the first heating zone at the first time point, the second temperature is the temperature of the first heating zone at the second time point, and the first temperature gradient and a control unit that compares with a first reference slope and stops the operation of the heater according to the comparison result.
상기 제1 레퍼런스 기울기는 최소 기울기를 포함하고, 상기 제어부는 상기 제1 온도 기울기가 상기 최소 기울기보다 작으면, 상기 히터의 동작을 중지시킬 수 있다. 또는, 상기 제1 레퍼런스 기울기는 최대 기울기를 포함하고, 상기 제어부는 상기 제1 온도 기울기가 최대 기울기보다 크면, 상기 히터의 동작을 중지시킬 수 있다.The first reference slope includes a minimum slope, and the controller may stop the operation of the heater when the first temperature slope is smaller than the minimum slope. Alternatively, the first reference slope includes a maximum slope, and the controller may stop the operation of the heater when the first temperature slope is greater than the maximum slope.
상기 비교 결과, 상기 히터의 동작이 정상적이라고 판단하는 경우, 상기 제어부는 상기 다수의 히팅존 중 제1 히팅존의 제2 온도 기울기를 산출하되, 상기 제2 온도 기울기는 상기 제2 시점과 제3 시점 사이의 시간 변화량에 대한, 상기 제2 온도와 제3 온도 사이의 온도 변화량의 비율이고, 상기 제3 온도는 상기 제3 시점에서의 상기 제1 히팅존의 온도이고, 상기 제2 온도 기울기를 제1 레퍼런스 기울기와 비교하고, 상기 비교 결과에 따라 상기 히터의 동작을 중지시킨다.As a result of the comparison, when it is determined that the operation of the heater is normal, the control unit calculates a second temperature gradient of a first heating zone among the plurality of heating zones, wherein the second temperature gradient is the second temperature and the third temperature gradient. The ratio of the temperature change amount between the second temperature and the third temperature to the time change amount between time points, the third temperature is the temperature of the first heating zone at the third time point, and the second temperature gradient It is compared with the first reference slope, and the operation of the heater is stopped according to the comparison result.
여기서, 상기 제1 시점과 상기 제2 시점 사이의 시간 변화량과, 상기 제2 시점과 상기 제3 시점 사이의 시간 변화량은 서로 동일할 수 있다.Here, a time change amount between the first time point and the second time point and a time change amount between the second time point and the third time point may be equal to each other.
상기 제1 시점은 승온 시작시점에서부터 소정시간 지난 시점일 수 있다.The first time point may be a time point after a predetermined time has elapsed from the start point of temperature increase.
상기 다수의 히팅존 중 제2 히팅존은, 미사용 히팅존이고, 상기 제어부는 상기 제2 히팅존의 온도가 한계온도 이상이 되면, 상기 히터의 동작을 중지시킬 수 있다.Among the plurality of heating zones, a second heating zone is an unused heating zone, and the controller may stop the operation of the heater when the temperature of the second heating zone exceeds a threshold temperature.
상기 다수의 히팅존 중 제2 히팅존은, 미사용 히팅존이고, 상기 제어부는 상기 제2 히팅존의 제3 온도 기울기를 산출하되, 상기 제3 온도 기울기는 상기 제5 시점과 상기 제6 시점 사이의 시간 변화량에 대한, 상기 제5 온도와 상기 제6 온도 사이의 온도 변화량의 비율이고, 상기 제5 온도는 상기 제5 시점에서의 상기 제2 히팅존의 온도이고, 상기 제6 온도는 상기 제6 시점에서의 상기 제2 히팅존의 온도이고, 상기 제3 온도 기울기를 제2 레퍼런스 기울기와 비교하고, 상기 비교 결과에 따라 상기 히터의 동작을 중지시킬 수 있다.Among the plurality of heating zones, a second heating zone is an unused heating zone, and the control unit calculates a third temperature gradient of the second heating zone, wherein the third temperature gradient is between the fifth time point and the sixth time point. The ratio of the temperature change between the fifth temperature and the sixth temperature to the time change of , the fifth temperature is the temperature of the second heating zone at the fifth time point, and the sixth temperature is the The temperature of the second heating zone at 6 points in time, the third temperature gradient may be compared with the second reference gradient, and the operation of the heater may be stopped according to the comparison result.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 방법의 일 면은, 다수의 히팅존을 포함하는 히터를 제공하되, 상기 다수의 히팅존은 제1 히팅존을 포함하고, 제1 시점에서, 상기 제1 히팅존의 제1 온도를 측정하고, 제2 시점에서, 상기 제1 히팅존의 제2 온도를 측정하고, 상기 제1 히팅존의 제1 온도 기울기를 산출하되, 상기 제1 온도 기울기는 상기 제1 시점과 상기 제2 시점 사이의 시간 변화량에 대한, 상기 제1 온도와 상기 제2 온도 사이의 온도 변화량의 비율이고, 상기 제1 온도 기울기를 제1 레퍼런스 기울기와 비교하고, 상기 비교 결과에 따라 상기 히터의 동작을 중지시키는 것을 포함할 수 있다.One aspect of the substrate processing method of the present invention for achieving the other object is to provide a heater including a plurality of heating zones, wherein the plurality of heating zones include a first heating zone, and at a first point in time, the A first temperature of the first heating zone is measured, a second temperature of the first heating zone is measured at a second time point, and a first temperature gradient of the first heating zone is calculated, wherein the first temperature gradient is The ratio of the temperature change amount between the first temperature and the second temperature to the time change amount between the first time point and the second time point, the first temperature slope is compared with a first reference slope, and the comparison result It may include stopping the operation of the heater according to.
상기 제1 레퍼런스 기울기는 최소 기울기 또는 최대 기울기를 포함하고, 상기 제어부는 상기 제1 온도 기울기가 상기 최소 기울기보다 작거나, 상기 제1 온도 기울기가 최대 기울기보다 크면, 상기 히터의 동작을 중지시킬 수 있다.The first reference slope may include a minimum slope or a maximum slope, and the controller may stop the operation of the heater when the first temperature slope is less than the minimum slope or the first temperature slope is greater than the maximum slope. there is.
상기 다수의 히팅존 중 제2 히팅존은, 미사용 히팅존이고, 상기 제1 시점 및 상기 제2 시점에서, 상기 제2 히팅존의 온도를 측정하고, 상기 제어부는, 상기 제1 시점 또는 상기 제2 시점에서 측정된 상기 제2 히팅존의 온도가 한계온도 이상이 되면, 상기 히터의 동작을 중지시킬 수 있다.Among the plurality of heating zones, a second heating zone is an unused heating zone, measures the temperature of the second heating zone at the first time point and the second time point, and the control unit controls the temperature of the first time point or the first time point. When the temperature of the second heating zone measured at two points in time exceeds the limit temperature, the operation of the heater may be stopped.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 지지부에 설치된 히터를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 도 2의 히팅존(예를 들어, Z6)의 예시적 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작(즉, 사용 히팅존을 이용한 히터 불량 체크 동작)을 설명하기 위한 도면이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 다른 동작(즉, 미사용 히팅존을 이용한 히터 불량 체크 동작)을 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention.
FIG. 2 is a plan view illustrating a heater installed in the substrate support part of FIG. 1 .
FIG. 3 is a view for explaining an exemplary configuration of a heating zone (eg, Z6) of FIG. 2 .
4 to 6 are diagrams for explaining an operation of a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention (ie, a heater failure check operation using a heating zone in use).
7 and 8 are diagrams for explaining other operations (ie, a heater failure check operation using an unused heating zone) of the substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them, will become clear with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various different forms, only the present embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the common knowledge in the art to which the present invention belongs It is provided to fully inform the holder of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numbers designate like elements throughout the specification.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The spatially relative terms "below", "beneath", "lower", "above", "upper", etc. It can be used to easily describe the correlation between elements or components and other elements or components. Spatially relative terms should be understood as encompassing different orientations of elements in use or operation in addition to the orientations shown in the figures. For example, when flipping elements shown in the figures, elements described as “below” or “beneath” other elements may be placed “above” the other elements. Thus, the exemplary term “below” may include directions of both below and above. Elements may also be oriented in other orientations, and thus spatially relative terms may be interpreted according to orientation.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, components and/or sections, it is needless to say that these elements, components and/or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Accordingly, it goes without saying that the first element, first element, or first section referred to below may also be a second element, second element, or second section within the spirit of the present invention.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components regardless of reference numerals are given the same reference numerals, Description will be omitted.
본 발명에서는 다수의 히팅존을 갖는 히터가 베이크 유닛에 적용된 경우를 이용하여 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다. 다수의 히팅존을 갖는 히터는 기판 지지 유닛이 설치되는 다양한 장비, 카트리지 등에도 적용될 수 있다.Although the present invention has been described using a case where a heater having a plurality of heating zones is applied to a bake unit, it is not limited thereto. A heater having a plurality of heating zones may be applied to various equipment, cartridges, etc. in which a substrate support unit is installed.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 2는 도 1의 기판 지지부에 설치된 히터를 설명하기 위한 평면도이고, 도 3은 도 2의 히팅존(예를 들어, Z6)의 예시적 구성을 설명하기 위한 도면이다. 1 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention. FIG. 2 is a plan view illustrating a heater installed in the substrate support unit of FIG. 1 , and FIG. 3 is a diagram illustrating an exemplary configuration of a heating zone (eg, Z6) of FIG. 2 .
우선 도 1에서, 기판 처리 장치(100)의 예로서 베이크 유닛을 도시한다. 베이크 유닛은 기판을 공정 온도 또는 그 이상으로 가열 처리하기 위한 장비로서, 기판의 전체 영역을 균일한 온도로 가열하거나 작업자에 따라 기판의 영역별 온도를 조절할 수 있다. First, in FIG. 1 , a bake unit is shown as an example of the
기판 처리 장치(100)는 챔버(110), 출입구(112), 기판 지지부(120), 센서부(150), 제어부(200) 등을 포함할 수 있다. The
챔버(110)는 내부에 기판을 가열처리하기 위한 공간을 제공한다. 베이킹 공정 동안, 챔버(110) 내부는 상압 또는 감압 분위기일 수 있다. 챔버(110)의 일측에는 출입구(112)가 설치되고, 출입구(112)를 통해서 베이크 공정을 하기 위한 웨이퍼를 집어넣거나 베이크 공정이 완료된 웨이퍼를 빼낼 수 있다. 별도로 도시하지 않았으나, 챔버(110)의 측벽에는 챔버(110) 내부에 기류(예를 들어, 비활성 가스, 에어)를 유입시키기 위한 주변홀이 형성될 수 있다. The
챔버(110) 내에는 기판 지지부(120)가 배치되고, 웨이퍼는 기판 지지부(120)의 상면에 안착되어 가열처리된다.A
여기서 도 2 및 도 3을 참고하면, 기판 지지부(120)에는 히터가 설치되고, 히터는 다수의 히팅존(heating zone)(Z1~Z15)으로 구분될 수 있고, 각 히팅존(Z1~Z15)에는 적어도 하나의 히팅 부재가 설치된다. 히팅 부재는 예를 들어, 열전 소자 또는 열선일 수 있다. 다수의 히팅존(Z1~Z15)은 기판 지지부(120)의 동일한 평면 상에 위치할 수 있다. 또한, 다수의 히팅존(Z1~Z15)은 독립적으로 온도 조절될 수 있다. 도 3에 도시된 것과 같이, 히팅존(예를 들어, Z6)내에는 열선이 기설정된 방식으로 배열/배치될 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 3, a heater is installed in the
예를 들어, 기판 지지부(120)의 가장 중앙에는 히팅존(Z1)이 위치하고, 히팅존(Z1)을 둘러싸도록 2개의 히팅존(Z2, Z3)이 위치한다. 또한, 2개의 히팅존(Z2, Z3)을 둘러싸도록 4개의 히팅존(Z4, Z5, Z6, Z7)이 위치한다. 여기서, 각 히팅존(예를 들어, Z2)은 2개의 히팅존(예를 들어, Z4, Z5)이 위치할 수 있다. 또한, 2개의 히팅존(Z4, Z5, Z6, Z7)을 둘러싸도록 8개의 히팅존(Z8~Z15)이 위치한다. For example, the heating zone Z1 is located at the very center of the
도 2에서는 예시적으로, 히팅존(Z1~Z15)이 4겹으로(즉, Z1, Z2~Z3, Z4~Z7, Z8~Z15) 배치된 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 히팅존은 3겹 또는 5겹으로도 배치될 수 있다. 또한, 도 2에서는 각 히팅존(예를 들어, Z4)의 외측에 대응되는 히팅존(예를 들어, Z8. Z9)이 2개인 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 각 히팅존의 외측에 대응되는 히팅존들은 3개 이상일 수도 있다. In FIG. 2, it has been described that the heating zones Z1 to Z15 are arranged in four layers (ie, Z1, Z2 to Z3, Z4 to Z7, and Z8 to Z15) by way of example, but it is not limited thereto. That is, the heating zone may be arranged in 3 layers or 5 layers. In addition, in FIG. 2, it has been described that there are two heating zones (eg, Z8 and Z9) corresponding to the outside of each heating zone (eg, Z4), but it is not limited thereto. That is, there may be three or more heating zones corresponding to the outside of each heating zone.
다수의 히팅존(Z1~Z15)은 15개로 구분된 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 16개 이상일 수도 있다. The plurality of heating zones Z1 to Z15 are illustrated as being divided into 15, but are not limited thereto. For example, it may be 16 or more.
또한, 별도로 도시하지 않았으나, 기판 지지부(120)의 안착면(기판이 접촉하는 면)에는 다수의 핀 홀이 설치되고, 핀 홀 내에는 상하 방향으로 이동가능한 리프트 핀이 제공될 수 있다. 리프트 핀은 기판을 들어올리거나, 기판을 기판 지지부(120)의 안착면에 안착시킨다. In addition, although not separately shown, a plurality of pin holes may be installed on a seating surface (a surface in contact with the substrate) of the
다시 도 1을 참고하면, 센서부(150)는 히터의 온도를 센싱한다. 센서부(150)는 다수의 센서를 포함할 수 있다. 센서와 히팅존(Z1~Z15)은 일대일(one-to-one)로 매칭되어, 하나의 센서가 대응되는 하나의 히팅존(Z1~Z15)의 온도를 센싱할 수 있다. 또는, 센서와 히팅존(Z1~Z15)은 일대다(one-to-many)로 매칭되어, 하나의 센서가 대응되는 둘 이상의 히팅존(Z1~Z15)의 온도를 센싱할 수 있다.Referring back to FIG. 1 , the
제어부(200)는 다수의 히팅존(Z1~Z15)의 온도 기울기를 산출하고, 산출된 온도 기울기를 기초로 히터가 정상상태인지 여부를 판단한다. 히터의 동작이 비정상이라고 판단되는 경우에는, 히터를 중지시키는 인터락(interlock)을 걸 수 있다. The
사용중인 히팅존(즉, 전원을 공급하여 승온하고 있는 히팅존)에 대한 정상 여부 판단 방법과, 미사용 히팅존(즉, 전원이 공급되지 않는 히팅존)에 대한 정상 여부 판단 방법은 서로 다를 수 있다. 사용중인 히팅존에 대한 판단 방법은, 도 4 내지 도 6을 이용하여 설명하고, 미사용 히팅존에 대한 판단 방법은 도 7 및 도 8을 이용하여 설명한다. A method for determining whether a heating zone in use (ie, a heating zone that is heating up by supplying power) is normal or not may differ from a method for determining whether a heating zone that is not in use (ie, a heating zone without power is supplied) is different from each other. . A method of determining a heating zone in use will be described with reference to FIGS. 4 to 6 , and a method of determining an unused heating zone will be described with reference to FIGS. 7 and 8 .
도 4 내지 도 6은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 이하에서는, 다수의 히팅존 중에서 제1 히팅존(예를 들어, Z6)을 예로 들어 설명한다.4 to 6 are views for explaining the operation of a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention. Hereinafter, a first heating zone (eg, Z6) among a plurality of heating zones will be described as an example.
우선 도 4를 참고하면, 제어부(200)는 제1 히팅존(Z6)의 제1 온도 기울기(St1t2)를 산출한다(S310).First, referring to FIG. 4 , the
여기에서, 도 5를 참고하면, x축은 시간이고 y축은 온도를 나타낸다. 도 5는 t0 시점에서 제1 히팅존(Z6)에 전원을 공급하기 시작하고, 시간이 지남에 따라 제1 히팅존(Z6)의 온도를 타겟온도(Tg)로 맞추는 과정에서 나타나는 시간-온도 관계도이다.Here, referring to FIG. 5 , the x-axis represents time and the y-axis represents temperature. 5 is a time-temperature relationship shown in the process of starting to supply power to the first heating zone (Z6) at time t0 and adjusting the temperature of the first heating zone (Z6) to the target temperature (Tg) over time It is also
제1 온도 기울기(St1t2)는 시간 t1(즉, 제1 시점)과 시간 t2(즉, 제2 시점) 사이의 시간 변화량(즉, Δt = t2-t1) 에 대한, 제1 온도(T1)와 제2 온도(T2) 사이의 온도 변화량(즉, ΔT = T2-T1)의 비율이다. 제1 온도(T1)는 시간 t1에서 측정된 제1 히팅존(Z6)의 온도이고, 제2 온도(T2)는 시간 t2에서 측정된 제1 히팅존(Z6)의 온도를 의미한다. The first temperature gradient S t1t2 is the first temperature T1 with respect to the time change amount (ie, Δt = t2-t1) between the time t1 (ie, the first time point) and the time t2 (ie, the second time point). It is the ratio of the temperature change amount (ie, ΔT = T2-T1) between T and the second temperature T2. The first temperature T1 is the temperature of the first heating zone Z6 measured at time t1, and the second temperature T2 means the temperature of the first heating zone Z6 measured at time t2.
따라서, 제1 온도 기울기(St1t2)는 다음의 수학식1을 이용하여 산출할 수 있다. Therefore, the first temperature gradient S t1t2 can be calculated using Equation 1 below.
[수학식1][Equation 1]
St1t2 = ΔT / Δt = (T2-T1) / ( t2-t1)S t1t2 = ΔT / Δt = (T2-T1) / ( t2-t1)
이어서, 제어부(200)는 제1 온도 기울기(St1t2)를 제1 레퍼런스 기울기와 비교하여, 비교 결과에 따라 히터의 동작을 중지시킨다(S320, S330, S340).Next, the
구체적으로, 제1 레퍼런스 기울기는 최소 기울기(Smin) 및/또는 최대 기울기(Smax)를 포함할 수 있다.Specifically, the first reference slope may include a minimum slope (Smin) and/or a maximum slope (Smax).
제1 온도 기울기(St1t2)와 최소 기울기(Smin)를 비교한다(S320). 제1 온도 기울기(St1t2)가 최소 기울기(Smin)보다 작으면(S320에서 YES), 히터의 동작에 이상이 발생했다고 판단하고 인터락을 걸 수 있다(S340). The first temperature slope (S t1t2 ) and the minimum slope (Smin) are compared (S320). If the first temperature slope S t1t2 is smaller than the minimum slope Smin (YES in S320), it is determined that an abnormality has occurred in the operation of the heater, and an interlock may be applied (S340).
제1 온도 기울기(St1t2)가 최소 기울기(Smin)보다 크면(S320에서 NO), 제1 온도 기울기(St1t2)와 최대 기울기(Smax)를 비교한다(S330). 제1 온도 기울기(St1t2)가 최대 기울기(Smax)보다 크면(S330에서 YES), 히터의 동작에 이상이 발생했다고 판단하고 인터락을 걸 수 있다(S340). When the first temperature slope S t1t2 is greater than the minimum slope Smin (NO in S320), the first temperature slope S t1t2 is compared with the maximum slope Smax (S330). If the first temperature gradient (S t1t2 ) is greater than the maximum gradient (Smax) (YES in S330 ), it is determined that an abnormality has occurred in the operation of the heater, and the interlock may be applied (S340).
반면, 제1 온도 기울기(St1t2)가 최대 기울기(Smax)보다 작으면(S330에서 NO), 히터가 정상적으로 동작한다고 판단할 수 있다. On the other hand, when the first temperature slope S t1t2 is smaller than the maximum slope Smax (NO in S330 ), it may be determined that the heater operates normally.
여기서, 도 6을 참고하여 전술한 내용을 정리한다. 도 6은 시간 t1~t2 에서의 제1 온도 기울기(St1t2)를 설명하기 위한 도면이다.Here, the foregoing will be summarized with reference to FIG. 6 . 6 is a diagram for explaining a first temperature gradient S t1t2 from time t1 to t2.
최소 기울기(Smin) 및 최대 기울기(Smax)는 미리 테스트를 통해서 알게 된 값일 수 있다. 즉, 제1 온도 기울기(St1t2)가 최소 기울기(Smin)와 최대 기울기(Smax) 사이에서 움직이면, 세팅시간 내에 제1 히팅존(Z6)이 온도가 타겟온도(Tg)에 도달할 수 있다.The minimum slope (Smin) and the maximum slope (Smax) may be values known in advance through a test. That is, when the first temperature slope S t1t2 moves between the minimum slope Smin and the maximum slope Smax, the temperature of the first heating zone Z6 may reach the target temperature Tg within the setting time.
제1 온도 기울기(St1t2)가 최소 기울기(Smin)보다 작으면, 제1 온도 기울기(St1t2)는 St1t2_e1 과 같은 기울기를 가질 수 있다. St1t2_e1 과 같은 기울기를 가지면, 제1 히팅존(Z6)의 온도가 너무 천천히 올라가기 때문에, 세팅시간 내에 제1 히팅존(Z6)이 온도가 타겟온도(Tg)에 도달할 수 없다. 제1 히팅존(Z6)의 온도가 천천히 올라가는 이유는, 제1 히팅존(Z6)의 히팅 부재에 전원을 공급하는 전원선이 단선되었을 수 있다. 이러한 경우에는, 세팅시간이 모두 경과하지 않더라도, 제1 히팅존(Z6)이 타겟온도(Tg)를 맞추지 못할 것을 미리 알 수 있다.When the first temperature slope S t1t2 is less than the minimum slope Smin, the first temperature slope S t1t2 may have the same slope as S t1t2_e1 . If it has the same slope as S t1t2_e1 , since the temperature of the first heating zone Z6 rises too slowly, the temperature of the first heating zone Z6 cannot reach the target temperature Tg within the setting time. The reason why the temperature of the first heating zone Z6 rises slowly may be that the power line supplying power to the heating member of the first heating zone Z6 is disconnected. In this case, even if the setting time does not all elapse, it can be known in advance that the first heating zone (Z6) will not be able to meet the target temperature (Tg).
또는, 제1 온도 기울기(St1t2)가 최소 기울기(Smin)보다 작은 것은, 전술한 것과 다른 불량을 의미할 수도 있다. 예를 들어, 센서부(150)의 센서(즉, 온도 센서)와 히팅 부재의 접촉이 불량하여 온도가 낮게 측정될 수도 있다. 또한, 센서부(150)의 센서가, 매칭된 히팅 부재가 아닌 다른 히팅 부재에 연결될 수도 있다. 이러한 경우들에서, 제1 히팅존(Z6)의 온도가 타겟 온도(Tg)에 이를 때까지 제1 히팅존(Z6)을 가열하면 제1 히팅존(Z6)이 과열된다.Alternatively, the fact that the first temperature slope S t1t2 is smaller than the minimum slope Smin may mean a defect different from the above-described one. For example, the temperature may be low due to poor contact between the sensor (ie, the temperature sensor) of the
따라서, 제1 온도 기울기(St1t2)가 최소 기울기(Smin)보다 작으면, 제어부(200)는 히터의 동작을 중지해야 한다.Accordingly, when the first temperature slope S t1t2 is smaller than the minimum slope Smin, the
반면, 제1 온도 기울기(St1t2)가 최대 기울기(Smax)보다 크면, 제1 온도 기울기(St1t2)는 St1t2_e2 과 같은 기울기를 가질 수 있다. St1t2_e2 과 같은 기울기를 가지면, 제1 히팅존(Z6)의 온도가 너무 빠르게 올라가기 때문에, 세팅시간이 끝날 즈음에는 제1 히팅존(Z6)이 과열될 수 있다. 즉, 제1 히팅존(Z6)의 온도가 타겟온도(Tg)보다 너무 많이 높아질 수 있다. 세팅시간이 모두 경과하지 않더라도, 제1 히팅존(Z6)이 과열될 것을 미리 알 수 있다. On the other hand, when the first temperature slope S t1t2 is greater than the maximum slope Smax, the first temperature slope S t1t2 may have the same slope as S t1t2_e2 . If the slope is the same as S t1t2_e2 , since the temperature of the first heating zone Z6 rises too quickly, the first heating zone Z6 may be overheated near the end of the setting time. That is, the temperature of the first heating zone Z6 may be too much higher than the target temperature Tg. Even if the setting time does not all elapse, it can be known in advance that the first heating zone Z6 will be overheated.
다시 도 4 및 도 5를 참고하면, 제1 온도 기울기(St1t2)를 기초로 검토해 본 결과 히터가 정상적으로 동작한다고 판단한 경우(S330에서 NO), 기설정된 시간이 경과하면, 다시 제2 온도 기울기(St2t3)를 산출한다(S350). Referring to FIGS. 4 and 5 again, when it is determined that the heater operates normally as a result of the examination based on the first temperature gradient (S t1t2 ) (NO in S330), after a predetermined time elapses, the second temperature gradient ( S t2t3 ) is calculated (S350).
제2 온도 기울기(St2t3)는 시간 t2(즉, 제2 시점)과 시간 t3(즉, 제3 시점) 사이의 시간 변화량(즉, Δt = t3-t2) 에 대한, 제2 온도(T2)와 제3 온도(T3) 사이의 온도 변화량(즉, ΔT = T3-T2)의 비율이다. 제2 온도(T2)는 시간 t2에서 측정된 제1 히팅존(Z6)의 온도이고, 제3 온도(T3)는 시간 t3에서 측정된 제1 히팅존(Z6)의 온도를 의미한다. 시간 t1(즉, 제1 시점)과 시간 t2(즉, 제2 시점) 사이의 시간 변화량과, 시간 t2(즉, 제2 시점)과 시간 t3(즉, 제3 시점) 사이의 시간 변화량은 서로 동일할 수 있다.The second temperature gradient S t2t3 is the second temperature T2 with respect to the amount of time change (ie, Δt = t3-t2) between the time t2 (ie, the second time point) and the time t3 (ie, the third time point) It is the ratio of the temperature change amount (ie, ΔT = T3-T2) between T and the third temperature T3. The second temperature T2 is the temperature of the first heating zone Z6 measured at time t2, and the third temperature T3 means the temperature of the first heating zone Z6 measured at time t3. The amount of change in time between the time t1 (ie, the first time point) and the time t2 (ie, the second time point) and the amount of change in time between the time t2 (ie, the second time point) and the time t3 (ie, the third time point) are mutually can be the same
따라서, 제2 온도 기울기(St2t3)는 다음의 수학식2을 이용하여 산출할 수 있다. Therefore, the second temperature gradient S t2t3 can be calculated using Equation 2 below.
[수학식2][Equation 2]
St2t3 = ΔT / Δt = (T3-T2) / (t3-t2)S t2t3 = ΔT / Δt = (T3-T2) / (t3-t2)
제2 온도 기울기(St2t3)에 대해서도, 제1 온도 기울기(St1t2)에 대해 수행하였던 방식으로 실질적으로 동일한 방식으로 히터의 이상여부를 판단할 수 있다. 즉, 제어부(200)는 제2 온도 기울기(St2t3)를 제2 레퍼런스 기울기와 비교하여, 비교 결과에 따라 히터의 동작을 중지시킨다. 제2 레퍼런스 기울기는 제1 레퍼런스 기울기와 동일할 수 있다.With respect to the second temperature gradient S t2t3 , it is possible to determine whether or not the heater is abnormal in substantially the same manner as the method performed for the first temperature gradient S t1t2 . That is, the
제2 온도 기울기(St2t3)가 최소 기울기(Smin)보다 크고 최대 기울기(Smax)보다 작으면, 히터의 동작이 정상이라고 판단한다. 반면, 제2 온도 기울기(St2t3)가 최소 기울기(Smin)보다 작거나, 최대 기울기(Smax)보다 크면, 히터의 동작이 비정상이라고 판단하고 인터락을 건다.When the second temperature slope S t2t3 is larger than the minimum slope Smin and smaller than the maximum slope Smax, it is determined that the operation of the heater is normal. On the other hand, when the second temperature slope S t2t3 is less than the minimum slope Smin or greater than the maximum slope Smax, it is determined that the operation of the heater is abnormal and an interlock is applied.
이와 같은 방식으로, 제1 히팅존(Z6)의 온도가 타겟 온도(Tg)에 근접할 때까지 제1 히팅존(Z6)의 온도 기울기를 다수회 추가적으로 더 산출할 수 있다. 추가적으로 산출된 온도 기울기를 기준으로, 제1 히팅존(Z6)의 이상여부를 판단할 수 있다.In this way, the temperature gradient of the first heating zone Z6 may be additionally calculated multiple times until the temperature of the first heating zone Z6 approaches the target temperature Tg. Based on the additionally calculated temperature gradient, it is possible to determine whether or not the first heating zone Z6 is abnormal.
한편, 온도 기울기(즉, St1t2, St2t3 등)를 구하는 것은, 시간 t1~tb에서 산출하고, 시간0~t1, 시간 tb 이후에서는 산출하지 않는다. 시간 t1(즉, 제1 시점)은 승온 시작시점(즉, 시간 t0)부터 소정시간 지난 시점이다. 시간 t1, 시간 tb는 다수의 테스트를 통해서 알게 된 값일 수 있다.On the other hand, the temperature gradient (ie, S t1t2 , S t2t3 , etc.) is calculated from time t1 to tb, and is not calculated from time 0 to t1 or after time tb. Time t1 (ie, the first time point) is a time point after a predetermined time has elapsed since the start of the temperature increase (ie, time t0). Time t1 and time tb may be values learned through a number of tests.
그 이유는, 시간 t0에서, 제어부(200)에서 제1 히팅존(Z6)에 전원을 공급하여 제1 히팅존(Z6)의 온도를 상승시키기 시작한다. 따라서, 시간 t0~t1 에는 제1 히팅존(Z6)의 온도가 안정적으로 상승되기 전이다. 시간 t0~t1에서는 일반적으로 기울기가 너무 낮다. 시간 t0~t1 에서 산출된 제1 히팅존(Z6)의 온도 기울기는 판단 기준으로 사용되지 않는다.The reason is that, at time t0, the
또한, 시간 tb 이후에서, 제1 히팅존(Z6)의 온도가 타겟 온도(Tg)에 근접하였기 때문에, 제1 히팅존(Z6)의 온도가 안정화 단계로 들어간다. 따라서 시간 tb 이후에서는 일반적으로 기울기가 너무 낮다. 시간 tb 이후에서 산출된 제1 히팅존(Z6)의 온도 기울기는 판단 기준으로 사용되지 않는다.Also, after time tb, since the temperature of the first heating zone Z6 approaches the target temperature Tg, the temperature of the first heating zone Z6 enters the stabilization phase. Therefore, after time tb, the slope is usually too low. The temperature gradient of the first heating zone Z6 calculated after time tb is not used as a criterion for determination.
도 7은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 다른 동작을 설명하기 위한 도면이다. 이하에서는, 다수의 히팅존 중에서 미사용 히팅존(예를 들어, Z7)을 예로 들어 설명한다.7 is a diagram for explaining another operation of a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention. Hereinafter, an unused heating zone (eg, Z7) among a plurality of heating zones will be described as an example.
도 7을 참고하면, 다수의 히팅존(Z1~Z15) 중 제2 히팅존(Z7)은 미사용 히팅존일 수 있다. 미사용 히팅존은 전원이 공급되지 않는 히팅존을 의미한다. 미사용 히팅존은 전원이 공급되지 않기 때문에 온도가 올라가지 않아야 하지만, 인접한 영역에 배치된 사용 중인 히팅존(예를 들어, Z6)의 영향(예를 들어, 복사열)로 인해서 온도가 상승할 수 있다. 따라서, 미사용 히팅존이라고 하더라도 온도가 전혀 올라가지 않을 수 없다. 다만, 미사용 히팅존의 과도한 온도 상승에 의한 에러를 방지할 필요가 있다. Referring to FIG. 7 , among the plurality of heating zones Z1 to Z15, the second heating zone Z7 may be an unused heating zone. An unused heating zone means a heating zone to which power is not supplied. The temperature of the unused heating zone should not rise because power is not supplied, but the temperature may rise due to the influence (eg, radiant heat) of the heating zone in use (eg, Z6) disposed in an adjacent area. Therefore, even in an unused heating zone, the temperature cannot but rise at all. However, it is necessary to prevent an error due to excessive temperature rise of an unused heating zone.
제어부(200)는 미사용 히팅존인 제2 히팅존(Z7)의 온도를 체크하고, 제2 히팅존(Z7)의 온도가 한계온도(Tℓ) 이상이 되면 히터의 동작을 중지시킨다(즉, 인터락 발생).The
제어부(200)는 사용 히팅존인 제1 히팅존(Z6)의 온도를 체크하는 시점(즉, 시간 t1, 시간 t2, 시간 t3 등)에서, 미사용 히팅존인 제2 히팅존(Z7)의 온도도 체크할 수 있다. The
도 7에서는, 시간 t3에서 제2 히팅존(Z7)의 온도가 한계온도(Tℓ) 이상이 되고, 이에 따라 제어부(200)가 인터락을 건 것을 도시하였다.In FIG. 7 , the temperature of the second heating zone Z7 becomes equal to or higher than the limit temperature Tℓ at time t3, and accordingly, the
도 8은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 또 다른 동작을 설명하기 위한 도면이다. 이하에서는, 다수의 히팅존 중에서 미사용 히팅존(예를 들어, Z7)을 예로 들어 설명한다.8 is a diagram for explaining another operation of a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention. Hereinafter, an unused heating zone (eg, Z7) among a plurality of heating zones will be described as an example.
도 8을 참고하면, 미사용 히팅존(Z7)도 사용중인 히팅존(Z6)과 마찬가지로 온도 기울기를 산출할 수 있다.Referring to FIG. 8 , a temperature gradient of an unused heating zone Z7 may be calculated similarly to the heating zone Z6 in use.
즉, 제어부(200)는 제2 히팅존(Z7)의 제3 온도 기울기(Qt1t2)를 산출한다. 제3 온도 기울기(Qt1t2)는 시점t1과 시점t2 사이의 시간 변화량(즉, Δt = t2-t1)에 대한, 온도 T11와 온도 T12 사이의 온도 변화량(즉, ΔT = T12-T11)의 비율이고, 온도 T11는 시점 t1에서의 제2 히팅존(Z7)의 온도이고, 온도 T12는 시점 t2에서의 제2 히팅존(Z7)의 온도이다. That is, the
따라서, 제3 온도 기울기(Qt1t2)는 다음의 수학식3을 이용하여 산출할 수 있다. Therefore, the third temperature gradient Q t1t2 can be calculated using Equation 3 below.
[수학식3][Equation 3]
Qt1t2 = ΔT / Δt = (T12-T11) / (t2-t1)Q t1t2 = ΔT / Δt = (T12-T11) / (t2-t1)
제어부(200)는 제3 온도 기울기(Qt1t2)를 제3 레퍼런스 기울기와 비교하고, 비교 결과에 따라 상기 히터의 동작을 중지시킬 수 있다. The
제3 레퍼런스 기울기는 "미사용 기준 기울기"를 포함한다. 미사용 기준 기울기는 "시간에 따른, 미사용 히팅존이 복사열 등을 영향으로 상승할 수 있는 최대 온도 상승분"을 의미할 수 있다. 제3 온도 기울기(Qt1t2)가 미사용 기준 기울기보다 작으면, 히터가 정상적인 것으로 판단할 수 있다.The third reference slope includes "unused reference slope". The unused reference slope may mean "a maximum temperature rise over time that an unused heating zone may rise due to radiant heat or the like." When the third temperature gradient Q t1t2 is smaller than the non-used reference gradient, it may be determined that the heater is normal.
제3 온도 기울기(Qt1t2)가 미사용 기준 기울기보다 크게 되는 이유는 다음과 같을 수 있다. 즉, 센서부(150)의 센서가 매칭된 히팅 부재가 아닌 다른 히팅 부재에 연결될 수도 있다. 또는, 히터의 전원 스와프(swap)로 인해서 미사용 히팅 부재가 히팅되고 있는 경우일 수도 있다. 따라서, 제3 온도 기울기(Qt1t2)를 기준으로 히터의 정상 여부를 판단할 수 있다.The reason why the third temperature gradient (Q t1t2 ) is greater than the non-used reference gradient may be as follows. That is, the sensor of the
유사하게, 제어부(200)는 제2 히팅존(Z7)의 제4 온도 기울기(Qt2t3)를 산출한다. 제4 온도 기울기(Qt2t3)는 (T13-T12) / ( t3-t2) 를 만족한다.Similarly, the
한편, 제어부(200)는 제4 온도 기울기(Qt2t3)를 제3 레퍼런스 기울기(미사용 기준 기울기)와 비교하고, 비교 결과에 따라 상기 히터의 동작을 중지시킬 수 있다. Meanwhile, the
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the above and accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains can implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. You will understand that there is Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting.
100: 기판 처리 장치
110: 챔버
112: 출입구
120: 기판 지지부
150: 센서부
200: 제어부100: substrate processing device
110: chamber
112: entrance
120: substrate support
150: sensor unit
200: control unit
Claims (11)
상기 다수의 히팅존 중 적어도 하나의 히팅존의 온도를 센싱하는 센서부; 및
상기 다수의 히팅존 중 제1 히팅존의 제1 온도 기울기를 산출하되, 상기 제1 온도 기울기는 제1 시점과 제2 시점 사이의 시간 변화량에 대한, 제1 온도와 제2 온도 사이의 온도 변화량의 비율이고, 상기 제1 온도는 상기 제1 시점에서의 상기 제1 히팅존의 온도이고, 상기 제2 온도는 상기 제2 시점에서의 상기 제1 히팅존의 온도이고, 상기 제1 온도 기울기를 제1 레퍼런스 기울기와 비교하고, 상기 비교 결과에 따라 상기 히터의 동작을 중지시키는 제어부를 포함하는, 기판 처리 장치.A heater including a plurality of heating zones;
a sensor unit sensing a temperature of at least one heating zone among the plurality of heating zones; and
A first temperature gradient of a first heating zone among the plurality of heating zones is calculated, wherein the first temperature gradient is a temperature change amount between a first temperature and a second temperature with respect to a time change amount between a first time point and a second time point. , wherein the first temperature is the temperature of the first heating zone at the first time point, the second temperature is the temperature of the first heating zone at the second time point, and the first temperature gradient A substrate processing apparatus comprising a control unit that compares the slope with a first reference slope and stops the operation of the heater according to the comparison result.
상기 제1 레퍼런스 기울기는 최소 기울기를 포함하고,
상기 제어부는 상기 제1 온도 기울기가 상기 최소 기울기보다 작으면, 상기 히터의 동작을 중지시키는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The first reference slope includes a minimum slope,
The control unit stops the operation of the heater when the first temperature gradient is smaller than the minimum gradient.
상기 제1 레퍼런스 기울기는 최대 기울기를 포함하고,
상기 제어부는 상기 제1 온도 기울기가 최대 기울기보다 크면, 상기 히터의 동작을 중지시키는, 기판 처리 장치. According to claim 1,
The first reference slope includes a maximum slope,
The control unit stops the operation of the heater when the first temperature gradient is greater than the maximum gradient.
상기 비교 결과, 상기 히터의 동작이 정상적이라고 판단하는 경우,
상기 제어부는 상기 다수의 히팅존 중 제1 히팅존의 제2 온도 기울기를 산출하되, 상기 제2 온도 기울기는 상기 제2 시점과 제3 시점 사이의 시간 변화량에 대한, 상기 제2 온도와 제3 온도 사이의 온도 변화량의 비율이고, 상기 제3 온도는 상기 제3 시점에서의 상기 제1 히팅존의 온도이고, 상기 제2 온도 기울기를 제1 레퍼런스 기울기와 비교하고, 상기 비교 결과에 따라 상기 히터의 동작을 중지시키는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
As a result of the comparison, when it is determined that the operation of the heater is normal,
The control unit calculates a second temperature gradient of a first heating zone among the plurality of heating zones, wherein the second temperature gradient is based on the amount of change in time between the second and third times, the second temperature and the third temperature gradient. The ratio of the temperature change between temperatures, the third temperature is the temperature of the first heating zone at the third point in time, the second temperature gradient is compared with the first reference gradient, and the heater according to the comparison result Stopping the operation of the substrate processing apparatus.
상기 제1 시점과 상기 제2 시점 사이의 시간 변화량과, 상기 제2 시점과 상기 제3 시점 사이의 시간 변화량은 서로 동일한, 기판 처리 장치.According to claim 4,
A time change amount between the first time point and the second time point and a time change amount between the second time point and the third time point are equal to each other.
상기 제1 시점은 승온 시작시점에서부터 소정시간 지난 시점인, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The first time point is a time when a predetermined time has elapsed from the start of the temperature increase, the substrate processing apparatus.
상기 다수의 히팅존 중 제2 히팅존은, 미사용 히팅존이고,
상기 제어부는 상기 제2 히팅존의 온도가 한계온도 이상이 되면, 상기 히터의 동작을 중지시키는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
Among the plurality of heating zones, a second heating zone is an unused heating zone,
The controller stops the operation of the heater when the temperature of the second heating zone is equal to or higher than the limit temperature.
상기 다수의 히팅존 중 제2 히팅존은, 미사용 히팅존이고,
상기 제어부는
상기 제2 히팅존의 제3 온도 기울기를 산출하되, 상기 제3 온도 기울기는 상기 제5 시점과 상기 제6 시점 사이의 시간 변화량에 대한, 상기 제5 온도와 상기 제6 온도 사이의 온도 변화량의 비율이고, 상기 제5 온도는 상기 제5 시점에서의 상기 제2 히팅존의 온도이고, 상기 제6 온도는 상기 제6 시점에서의 상기 제2 히팅존의 온도이고, 상기 제3 온도 기울기를 제2 레퍼런스 기울기와 비교하고, 상기 비교 결과에 따라 상기 히터의 동작을 중지시키는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
Among the plurality of heating zones, a second heating zone is an unused heating zone,
The control unit
Calculate a third temperature gradient of the second heating zone, wherein the third temperature gradient is a temperature change amount between the fifth temperature and the sixth temperature with respect to a time change amount between the fifth time point and the sixth time point ratio, the fifth temperature is the temperature of the second heating zone at the fifth time point, the sixth temperature is the temperature of the second heating zone at the sixth time point, and the third temperature gradient is 2 Comparing with a reference slope, and stopping the operation of the heater according to the comparison result.
제1 시점에서, 상기 제1 히팅존의 제1 온도를 측정하고,
제2 시점에서, 상기 제1 히팅존의 제2 온도를 측정하고,
상기 제1 히팅존의 제1 온도 기울기를 산출하되, 상기 제1 온도 기울기는 상기 제1 시점과 상기 제2 시점 사이의 시간 변화량에 대한, 상기 제1 온도와 상기 제2 온도 사이의 온도 변화량의 비율이고,
상기 제1 온도 기울기를 제1 레퍼런스 기울기와 비교하고,
상기 비교 결과에 따라 상기 히터의 동작을 중지시키는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.Provide a heater including a plurality of heating zones, wherein the plurality of heating zones include a first heating zone,
At a first time point, a first temperature of the first heating zone is measured,
At a second time point, a second temperature of the first heating zone is measured,
Calculate a first temperature gradient of the first heating zone, wherein the first temperature gradient is a temperature change amount between the first temperature and the second temperature with respect to a time change amount between the first time point and the second time point is the ratio,
comparing the first temperature slope with a first reference slope;
And stopping the operation of the heater according to the comparison result, a substrate processing method.
상기 제1 레퍼런스 기울기는 최소 기울기 또는 최대 기울기를 포함하고,
상기 제어부는 상기 제1 온도 기울기가 상기 최소 기울기보다 작거나, 상기 제1 온도 기울기가 최대 기울기보다 크면, 상기 히터의 동작을 중지시키는, 기판 처리 방법.According to claim 9,
The first reference slope includes a minimum slope or a maximum slope,
The control unit stops the operation of the heater when the first temperature gradient is smaller than the minimum gradient or the first temperature gradient is greater than the maximum gradient.
상기 다수의 히팅존 중 제2 히팅존은, 미사용 히팅존이고,
상기 제1 시점 및 상기 제2 시점에서, 상기 제2 히팅존의 온도를 측정하고,
상기 제어부는, 상기 제1 시점 또는 상기 제2 시점에서 측정된 상기 제2 히팅존의 온도가 한계온도 이상이 되면, 상기 히터의 동작을 중지시키는, 기판 처리 방법.
According to claim 9,
Among the plurality of heating zones, a second heating zone is an unused heating zone,
At the first time point and the second time point, the temperature of the second heating zone is measured,
The control unit stops the operation of the heater when the temperature of the second heating zone measured at the first time point or the second time point is equal to or higher than the limit temperature.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210121080A KR20230037930A (en) | 2021-09-10 | 2021-09-10 | Apparatus for processing substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=85872020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020210121080A KR20230037930A (en) | 2021-09-10 | 2021-09-10 | Apparatus for processing substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20230037930A (en) |
-
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- 2021-09-10 KR KR1020210121080A patent/KR20230037930A/en unknown
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