KR20230037272A - 폴리아믹산 조성물 및 이로부터 제조되는 폴리이미드 - Google Patents

폴리아믹산 조성물 및 이로부터 제조되는 폴리이미드 Download PDF

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Abstract

본 발명은 폴리아믹산 조성물 및 이로부터 제조되는 폴리이미드에 관한 것으로, 높은 투명도를 가지면서도 전기전도도가 우수한 효과를 가진다.

Description

폴리아믹산 조성물 및 이로부터 제조되는 폴리이미드{Polyamic acid composition and polyimide prepared therefrom}
본 발명은 폴리아믹산 조성물 및 이로부터 제조되는 폴리이미드에 관한 것이다.
일반적으로, 폴리이미드(polyimide, PI) 수지라 함은 방향족 디안하이드라이드와 방향족 디아민 또는 방향족 디이소시아네이트를 용액중합하여 폴리아믹산 유도체를 제조한 후, 경화에 의한 이미드화를 통해 제조되는 고내열성 수지를 일컫는다.
폴리이미드는 강직한 방향족 주쇄를 기본으로 하는 열적 안정성을 가진 고분자 물질로 이미드 고리의 화학적 안정성을 기초로 하여 우수한 강도, 내화학성, 내후성, 내열성 등의 기계적 특성을 가진다. 뿐만 아니라 폴리이미드는 절연특성, 낮은 유전율과 같은 뛰어난 전기적 특성으로 전자, 통신, 광학 등 광범위한 산업 분야에 적용 가능한 고기능성 고분자 재료로 각광받고 있다.
최근에는 각종 전자기기가 박형화, 경량화 및 소형화 됨에 따라 가볍고 유연성이 우수하며 열에 강한 폴리이미드를 전자기기의 부품으로 사용하기 위하여 전기전도성을 부여하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다.
폴리이미드에 전기전도성을 부여하기 위한 방법으로 탄소계 전도성 물질을 폴리이미드 전구체에 분산시키는 방법이 알려져 있으나(특허문헌 1), 탄소계 전도성 물질이 분산된 폴리이미드 전구체를 경화한 폴리이미드는 투과도가 낮아 디스플레이 산업과 같이 투명성이 요구되는 분야에 적합하지 않으며, 과량의 전도성 물질이 요구된다는 단점이 있다.
미국 특허공보 제4568412호
본 발명은 높은 투명도를 가지면서도 표면저항이 낮은 폴리아믹산 조성물 및 폴리이미드 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
폴리이미드(polyimide, PI) 수지는 방향족 디안하이드라이드와 방향족 디아민 또는 방향족 디이소시아네이트를 중합하여 폴리아믹산 유도체를 제조한 후, 경화에 의한 이미드화를 통해 제조된다.
폴리이미드는 강직한 방향족 주쇄를 기본으로 하여 우수한 열적 안정성 가진다. 다만, 이러한 방향족 주쇄에 의한 높은 열적 안정성의 반대 급부로서 투명성은 그만큼 떨어져 전자재료 분야, 특히 높은 투명성을 요구하는 디스플레이 분야에 사용하기에는 한계가 있다. 특히, 최근에는 폴리이미드에 전기전도성을 부여하여 전자산업 분야에 활용하고자 하는 연구가 진행되고 있으나, 전도성 물질이 부가된 폴리이미드는 그 투명성을 개선하기가 더욱 어렵다.
본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물은 디안하이드라이드 단량체 및 디아민 단량체를 중합 단위로 갖는 중합체와 상용성이 우수한 공액계 전도성 고분자를 폴리아믹산 조성물에 포함함으로써, 높은 투과도를 가지면서도 전기전도성이 우수한 폴리이미드를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물은 공액계 전도성 고분자와 용매가 우수한 작용효과를 가짐으로써, 공액계 전도성 고분자의 분산성이 우수하기 때문에, 이를 경화시켜 제조된 폴리이미드는 공액계 전도성 고분자를 적은 함량으로 포함하면서도 전기전도성이 우수하다.
특히, 본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물은 상기와 같은 높은 투명도 및 전기전도성을 가지면서도 폴리이미드의 특유의 우수한 열적 특성 및 기계적 특성을 유지한다.
본 발명은 폴리아믹산 조성물에 관한 것이다. 상기 폴리아믹산 조성물은 디안하이드라이드 단량체와 디아민 단량체를 중합 단위로 갖는 중합체 및 공액계 전도성 고분자를 포함한다.
상기 공액계 전도성 고분자는 단일결합 하나를 중심으로 원자가전자에 의해 다중결합이 되어 있는 구조를 포함하는 고분자를 통칭한다. 구체적으로, 상기 공액계 전도성 고분자는 이중결합과 단일결합 또는 삼중결합과 단일결합이 교번하며 연결된 화학구조를 가지는 고분자일 수 있다.
본 발명에 따른 공액계 전도성 고분자의 예로는 폴리플루오렌(polyfluorene), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리피렌(polypyrene), 폴리아줄렌(polyazulene), 폴리나프탈렌(polynaphthalene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 폴리(p-페닐렌술피드)(poly(p-phenylene sulfide), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리카바졸(polycarbazole), 폴리인돌(polyindole), 폴리아제핀(polyazepine) 또는 폴리아닐린(polyaniline)을 들 수 있다.
본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물의 중합체의 중합단위를 구성하는 디안하이드라이드 단량체와 디아민 단량체가 방향족 디안하이드라이드 단량체 및/또는 방향족 디아민 단량체를 포함하는 경우, 공액계 전도성 고분자는 상용성의 관점에서 방향족 고리 및 헤테로 원자를 포함할 수 있다. 이러한 공액계 전도성 고분자로는 폴리티오펜(polythiophene), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 폴리(p-페닐렌술피드)(poly(p-phenylene sulfide), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리카바졸(polycarbazole), 폴리인돌(polyindole), 폴리아제핀(polyazepine) 및 폴리아닐린(polyaniline)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물의 디안하이드라이드 단량체와 디아민 단량체를 포함하는 중합체는 질소 원자를 포함하므로, 상기 공액계 전도성 고분자의 헤테로 원자는 분산성 및 상용성의 관점에서 질소인 것이 바람직하며, 이에 따라 본 발명에 따른 공액계 전도성 고분자는 폴리피롤(polypyrrole), 폴리카바졸(polycarbazole), 폴리인돌(polyindole), 폴리아제핀(polyazepine) 및 폴리아닐린(polyaniline)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다. 특히, 경화 후 폴리이미드의 투명성을 향상하는 관점에서 분자량이 적고 방향족 고리 내에 질소 원자를 포함하는 폴리피롤이 바람직하다.
본 발명에 공액계 전도성 고분자는 필름 전도도(Dried Cast Film Conductivity)가 0.005S/cm 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 공액계 전도성 고분자는 필름 전도도가 0.006S/cm 이상, 0.007S/cm 이상, 0.008S/cm 이상, 0.009S/cm 이상 또는 0.01S/cm 이상일 수 있다. 공액계 전도성 고분자의 필름 전도도가 상기와 같은 필름 전도도를 만족하는 경우, 이를 포함하는 폴리아믹산 조성물은 전기전도성이 향상될 수 있다.
이때, 상기 공액계 전도성 고분자는 전체 폴리아믹산 조성물을 기준으로 0.01 내지 1중량%로 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 공액계 전도성 고분자의 함량은 0.05 내지 1중량%, 0.05 내지 0.9중량%, 0.1 내지 1중량%, 0.1 내지 0.7중량%, 0.2 내지 1중량%, 0.2 내지 0.9중량%, 0.2 내지 0.7중량%, 0.3 내지 1중량%, 0.3 내지 0.9중량%, 0.3 내지 0.7중량%, 0.4 내지 0.7중량% 또는 0.4 내지 0.6중량%일 수 있다. 본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물은 공액계 전도성 고분자를 상기와 같은 함량으로 포함함으로써, 투명도가 우수하면서도 전기전도성이 우수할 수 있다.
본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물은 경화 후 380 내지 780nm 파장에서 10㎛ 두께의 평균 광투과도가 65% 이상이며, ASTM D257에 따라 측정한 표면저항이 1.0 x 1013Ω/□이하일 수 있다.
구체적으로, 본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물은 경화 후 380 내지 780nm 파장에서 10㎛ 두께의 평균 광투과도가 65% 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 광투과도는 66% 이상, 68% 이상, 70% 이상, 75% 이상, 80% 이상, 82% 이상, 84% 이상 또는 85% 이상일 수 있으며, 상한은 특별히 제한되지 않으나 90% 이하일 수 있다. 상기 광투과도는 자외선/가시광선 분광광도계(UV-Vis Spectrophotometer)를 이용하여 측정할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물은 ASTM D257에 따라 측정된 표면저항이 1.0 x 1013Ω/□ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 표면저항은 6.0 x 1012Ω/□ 이하, 2.0 x 1012Ω/□ 이하, 5.0 x 1011Ω/□ 이하 또는 2.0 x 1011Ω/□ 이하일 수 있으며, 구체적으로, 상기 표면저항은 1.0 x 1011 내지 1.0 x 1013Ω/□, 1.0 x 1011 내지 6.0 x 1012Ω/□, 1.0 x 1011 내지 2.0 x 1012Ω/□ 또는 1.0 x 1011 내지 1.0 x 1012Ω/□일 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 광투과도 및 표면저항을 동시에 만족함으로써, 투명도가 높으면서도 전기전도성이 우수한 폴리아믹산 조성물을 제공할 수 있다.
폴리아믹산 용액의 제조에 사용될 수 있는 디안하이드라이드 단량체는 방향족 테트라카르복실릭 디안하이드라이드일 수 있으며, 상기 방향족 테트라카르복실릭 디안하이드라이드는 피로멜리틱 디안하이드라이드(또는 PMDA), 3,3',4,4'-바이페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드(또는 BPDA), 2,3,3',4'-바이페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드(또는 a-BPDA), 옥시디프탈릭 디안하이드라이드(또는 ODPA), 디페닐설폰-3,4,3',4'-테트라카르복실릭 디안하이드라이드(또는 DSDA), 비스(3,4-디카르복시페닐)설파이드 디안하이드라이드, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로페인 디안하이드라이드, 2,3,3',4'- 벤조페논테트라카르복실릭 디안하이드라이드, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실릭 디안하이드라이드(또는 BTDA), 비스(3,4-디카르복시페닐)메테인 디안하이드라이드, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로페인 디안하이드라이드, p-페닐렌비스(트라이멜리틱 모노에스터 애시드 안하이드라이드), p-바이페닐렌비스(트라이멜리틱 모노에스터 애시드 안하이드라이드), m-터페닐-3,4,3',4'-테트라카르복실릭 디안하이드라이드, p-터페닐-3,4,3',4'-테트라카르복실릭 디안하이드라이드, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 디안하이드라이드, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 디안하이드라이드, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)바이페닐 디안하이드라이드, 2,2-비스〔(3,4-디카르복시 페녹시)페닐〕프로페인 디안하이드라이드(BPADA), 2,3,6,7-나프탈렌테트라카복실산 디안하이드라이드, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실릭 디안하이드라이드, 4,4'-(2,2-헥사플루오로아이소프로필리덴)디프탈산 디안하이드라이드 등을 예로 들 수 있다.
상기 디안하이드라이드 단량체는 필요에 따라, 단독 또는 2 종 이상을 조합하여 이용할 수 있고, 예를 들면, 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA), 3,3',4,4'-바이페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드(s-BPDA), 2,3,3',4'-바이페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드(a-BPDA), 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실릭 디안하이드라이드(BTDA), 옥시디프탈릭 디안하이드라이드(ODPA), 4,4-(헥사플루오르이소프로필리덴)디프탈릭 안하이드라이드(6-FDA) 및 p-페닐렌비스(트리멜리테이트 안하이드라이드)(TAHQ)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 구체예에서, 상기 디안하이드라이드 단량체는 1개의 벤젠고리를 갖는 디안하이드라이드 단량체 및 2개 이상의 벤젠고리를 갖는 디안하이드라이드 단량체를 포함할 수 있다. 상기 1개의 벤젠고리를 갖는 디안하이드라이드 단량체 및 상기 2개 이상의 벤젠고리를 갖는 디안하이드라이드 단량체는 각각 20 내지 60몰% 및 40 내지 90몰%; 25 내지 55몰% 및 45 내지 80몰%; 또는 35 내지 53몰% 및 48 내지 75몰%의 몰비로 포함될 수 있다. 본 발명은 상기 디안하이드라이드 단량체를 포함함으로써, 우수한 접착력을 가지면서도 목적하는 수준의 기계적 물성을 함께 구현할 수 있다.
또한, 폴리아믹산 용액 제조에 사용될 수 있는 디아민 단량체는 방향족 디아민으로서, 이하와 같이 분류하여 예를 들 수 있다.
1) 1,4-디아미노벤젠(또는 파라페닐렌디아민, PDA), 1,3-디아미노벤젠, 2,4-디아미노톨루엔, 2,6-디아미노톨루엔, 3,5-디아미노벤조익 애시드(또는 DABA) 등과 같이, 구조 상 벤젠 핵 1개를 갖는 디아민으로서, 상대적으로 강직한 구조의 디아민;
2) 4,4'-디아미노디페닐에테르(또는 옥시디아닐린, ODA), 3,4'-디아미노디페닐에테르 등의 디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐메테인(메틸렌디아민), 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노바이페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노바이페닐, 2,2'-비스(트라이플루오로메틸)-4,4'-디아미노바이페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메테인, 3,3'-디카복시-4,4'-디아미노디페닐메테인, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노디페닐메테인, 비스(4-아미노페닐)설파이드, 4,4'-디아미노벤즈아닐라이드, 3,3'-디클로로벤지딘, 3,3'-디메틸벤지딘(또는 o-톨리딘), 2,2'-디메틸벤지딘(또는 m-톨리딘), 3,3'-디메톡시벤지딘, 2,2'-디메톡시벤지딘, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐설파이드, 3,4'-디아미노디페닐설파이드, 4,4'-디아미노디페닐설파이드, 3,3'-디아미노디페닐설폰, 3,4'-디아미노디페닐설폰, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디클로로벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디메톡시벤조페논, 3,3'-디아미노디페닐메테인, 3,4'-디아미노디페닐메테인, 4,4'-디아미노디페닐메테인, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(3-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로페인, 3,3'-디아미노디페닐설폭사이드, 3,4'-디아미노디페닐설폭사이드, 4,4'-디아미노디페닐설폭사이드 등과 같이, 구조 상 벤젠 핵 2개를 갖는 디아민;
3) 1,3-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(4-아미노 페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠(또는 TPE-Q), 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠(또는 TPE-Q), 1,3-비스(3-아미노페녹시)-4-트라이플루오로메틸벤젠, 3,3'-디아미노-4-(4-페닐)페녹시벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디(4-페닐페녹시)벤조페논, 1,3-비스(3-아미노페닐설파이드)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐설파이드)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐설파이드)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페닐설폰)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐설폰)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐설폰)벤젠, 1,3-비스〔2-(4-아미노페닐)아이소프로필〕벤젠, 1,4-비스〔2-(3-아미노페닐)아이소프로필〕벤젠, 1,4-비스〔2-(4-아미노페닐)아이소프로필〕벤젠 등과 같이, 구조 상 벤젠 핵 3개를 갖는 디아민;
4) 3,3'-비스(3-아미노페녹시)바이페닐, 3,3'-비스(4-아미노페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)바이페닐, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕에테르, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕에테르, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕에테르, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕에테르, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕케톤, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕케톤, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕케톤, 비스〔4-(4-아미노 페녹시)페닐〕케톤, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕설파이드, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕설파이드, 비스 〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕설파이드, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕설파이드, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕설폰, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕설폰, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕설폰, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕설폰, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕메테인, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕메테인, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕메테인, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕메테인, 2,2-비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕프로페인, 2,2-비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕프로페인, 2,2-비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕프로페인, 2,2-비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕프로페인(BAPP), 2,2-비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로페인, 2,2-비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로페인, 2,2-비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로페인, 2,2-비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로페인 등과 같이, 구조 상 벤젠 핵 4개를 갖는 디아민.
일 예시에서, 본 발명에 따른 디아민 단량체는 1,4-디아미노벤젠(PPD), 1,3-디아미노벤젠(MPD), 2,4-디아미노톨루엔, 2,6-디아미노톨루엔, 4,4'-디아미노디페닐에테르(ODA), 4,4'-메틸렌디아민(MDA), 4,4-디아미노벤즈아닐라이드(4,4-DABA), N,N-비스(4-아미노페닐)벤젠-1,4-디카르복아마이드(BPTPA), 2,2-디메틸벤지딘(M-TOLIDINE), 2,2-비스(트리플루오르메틸)벤지딘(TFDB), 1,4-비스아미노페녹시벤젠(TPE-Q), 비스아미노페녹시벤젠(TPE-R), 2,2-비스아미노페녹시페닐프로판(BAPP) 및 2,2-비스아미노페녹시페닐헥사플루오로프로판(HFBAPP)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물은 용매를 포함하며, 상기 용매는 유기 용매일 수 있다. 상기 폴리이미드 전구체와 상용성이 좋은 용매로는 N,N-디에틸아세트아미드 (DEAC), N,N-디메틸프로피온아미드 (DMPA), 3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드 (KJCMPA), N-메틸-2피롤리돈(NMP) 감마 브티로락톤(GBL) 및 디그림(Diglyme)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 선택할 수 있다.
구체적으로, 본 발명에 따른 공액계 전도성 고분자의 분산성의 관점에서 N,N-디에틸아세트아미드(DEAC), N,N-디메틸프로피온아미드(DMPA) 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것이 바람직하다. N,N-디에틸아세트아미드(DEAC) 또는 N,N-디메틸프로피온아미드(DMPA)는 극성이 상대적으로 약하여 이들 중 어느 하나를 단독으로 사용하거나 또는 이들의 혼합량을 증가시키는 경우 공액계 전도성 고분자의 분산성을 향상시킬 수 있다. 특히, 고리를 가지는 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)에 극성이 상대적으로 약한 N,N-디에틸아세트아미드(DEAC) 또는 N,N-디메틸프로피온아미드(DMPA)를 혼합하는 경우 공액계 전도성 고분자의 분산성이 향상되어 전기전도성 및 투명도가 향상될 수 있다. 이때, 전체 용매에 대한 메틸-2-피롤리돈(NMP)과 N,N-디에틸아세트아미드(DEAC) 또는 N,N-디메틸프로피온아미드(DMPA)의 몰 비는 3:7 내지 7:3일 수 있으며, 예를 들어, 상기 메틸-2-피롤리돈(NMP)과 N,N-디에틸아세트아미드(DEAC) 또는 N,N-디메틸프로피온아미드(DMPA)의 몰 비는 6:4 내지 4:6 또는 4.5:5.5 내지 5.5:4.5일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물의 용매는 끓는점이 150℃ 이상일 수 있다. 예를 들어, 폴리아믹산 조성물의 용매는 끓는점이 160℃ 이상 또는 170℃ 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 용매의 비점의 하한은 예를 들어, 155°C, 160°C, 165°C, 170°C, 175°C, 180°C, 185°C, 190°C, 195°C, 200°C 또는 201°C 이상일 수 있고, 상한은 예를 들어, 500°C, 450°C, 300°C, 280°C, 270°C, 250°C, 240°C, 230°C, 220°C, 210°C 또는 205°C 이하일 수 있다. 상기와 같은 비점을 가짐으로써, 경화 시 물과 용매의 분리가 용이할 수 있다.
한편, 본 발명의 폴리아믹산 조성물은 접동성, 열전도성, 도전성, 코로나 내성, 루프 경도 등의 필름의 여러 가지 특성을 개선할 목적으로 충전재가 포함될 수 있다. 첨가되는 충전재는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 실리카, 산화티탄, 알루미나, 질화규소, 질화붕소, 인산수소칼슘, 인산칼슘, 운모 등을 들 수 있다.
상기 충전재의 입경은 특별히 한정되는 것은 아니며, 개질하여야 할 필름 특성과 첨가하는 충전재의 종류에 따라서 결정할 수 있다. 상기 평균 입경은 0.05 내지 20 ㎛, 0.1 내지 10 ㎛, 0.1 내지 5 ㎛ 또는 0.1 내지 3 ㎛일 수 있다. 본 명세서에서 평균 입경은 특별히 달리 규정하지 않는 한, D50 입도 분석에 따라 측정한 평균 입경일 수 있다. 본 발명은 상기 입경 범위를 조절함으로써, 개질 효과를 충분히 유지하면서도 표면성을 손상시키지 않고 기계적 특성을 저하시키지 않을 수 있다.
또한, 본 발명은 충전재의 첨가량에 대해서도 특별히 한정되는 것은 아니고, 개질하여야 할 필름 특성이나 충전재 입경 등에 의해 결정할 수 있다. 본 발명에서, 상기 충전재의 첨가량은 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 내지 10 중량부, 0.01 내지 5 중량부, 또는 0.02 내지 1 중량부일 수 있다. 본 발명은 상기 함량을 조절함으로써, 충전재의 개질 효과를 충분히 유지하면서도 필름의 기계적 특성을 손상시키지 않을 수 있다. 상기 충전재의 첨가 방법은 특별히 한정되는 것은 아니고, 동종 업계의 공지의 방법을 이용할 수도 있다.
본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물은 고형분이 5 내지 30중량%의 범위 내일 수 있다. 상기 고형분 함량은 7 중량% 이상, 9 중량% 이상, 10 중량% 이상, 13 중량% 이상, 15 중량% 이상, 또는 17 중량% 이상일 수 있고, 상한은 예를 들어, 30 중량% 이하, 26 중량% 이하, 24 중량% 이하, 20 중량% 이하 또는 19 중량% 이하일 수 있다. 본 발명은 상기 폴리아믹산 조성물의 고형분 함량을 상대적으로 높게 조절함으로써, 경화 후 물성을 목적하는 수준으로 유지하면서도 점도 상승을 제어하고 경화 과정에서 다량의 용매를 제거해야 하는 제조 비용과 공정 시간 증가를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 폴리아믹산 조성물의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물의 제조방법은 디안하이드라이드 단량체와 디아민 단량체를 중합하는 단계를 포함한다.
상기 디안하이드라이드 단량체와 디아민 단량체를 중합 하는 방법은 용액 중합 등 통상의 폴리이미드 전구체 중합 방법을 이용할 수 있다.
예를 들어, (1) 디아민 단량체 전량을 용매 중에 넣고, 그 후 디안하이드라이드 단량체를 디아민 단량체와 실질적으로 등몰이 되도록 첨가하여 중합하는 방법;
(2) 디안하이드라이드 단량체 전량을 용매 중에 넣고, 그 후 디아민 단량체를 디안하이드라이드 단량체와 실질적으로 등몰이 되도록 첨가하여 중합하는 방법;
(3) 디아민 단량체 중 일부 성분을 용매 중에 넣은 후, 반응 성분에 대해서 디안하이드라이드 단량체 중 일부 성분을 혼합한 후, 나머지 디아민 단량체 성분을 첨가하고 이에 연속해서 나머지 디안하이드라이드 단량체 성분을 첨가하여, 디아민 단량체 및 디안하이드라이드 단량체가 실질적으로 등몰이 되도록 하여 중합하는 방법;
(4) 디안하이드라이드 단량체를 용매 중에 넣은 후, 반응 성분에 대해서 디아민 화합물 중 일부 성분을 혼합한 후, 다른 디안하이드라이드 단량체 성분을 첨가하고 계속되어 나머지 디아민 단량체 성분을 첨가하여, 디아민 단량체 및 디안하이드라이드 단량체가 실질적으로 등몰이 되도록 하여 중합하는 방법 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물의 제조방법은 디아민 단량체를 용매와 혼합하는 단계; 상기 혼합물에 공액계 전도성 고분자를 혼합하는 단계; 및 상기 혼합물에 디안하이드라이드 단량체를 혼합하는 단계를 포함할 수 있다.
디아민 단량체, 공액계 전도성 고분자 및 디안하이드라이드 단량체를 상기의 순서로 혼합함으로써, 공액계 전도성 고분자의 분산성을 향상시켜 제조된 폴리아믹산 조성물 및 이를 경화시킨 폴리이미드의 전기전도성 및 투명도를 향상시킬 수 있다.
이때, 상기 공액계 전도성 고분자는 전체 조성물을 기준으로 0.01 내지 1중량%로 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 공액계 전도성 고분자의 함량은 0.05 내지 1중량%, 0.05 내지 0.9중량%, 0.1 내지 1중량%, 0.1 내지 0.7중량%, 0.2 내지 1중량%, 0.2 내지 0.9중량%, 0.2 내지 0.7중량%, 0.3 내지 1중량%, 0.3 내지 0.9중량%, 0.3 내지 0.7중량%, 0.4 내지 0.7중량% 또는 0.4 내지 0.6중량%일 수 있다. 본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물은 공액계 전도성 고분자를 상기와 같은 함량으로 포함함으로써, 투명도가 우수하면서도 전기전도성이 우수할 수 있다.
본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물은 경화 후 열팽창계수(CTE)가 10 ppm/°C 이하의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 CTE의 상한은 9 ppm/°C, 8 ppm/°C, 7 ppm/°C, 6 ppm/°C, 5 ppm/°C 또는 4 ppm/°C 이하일 수 있고, 하한은 예를 들어, 0.1 ppm/°C, 1 ppm/°C, 2.0 ppm/°C 또는 3 ppm/°C 이상일 수 있다. 하나의 예에서, 상기 열팽창계수는 100 내지 450°C에서 측정한 것일 수 있다. 상기 CTE는 TA사 열기계 분석기(thermomechanical analyzer) Q400 모델을 사용할 수 있으며, 폴리이미드를 필름화 제조하여 폭 2 mm, 길이 10 mm로 자른 후 질소 분위기하에서 0.05 N의 장력을 가하면서, 10°C/min의 속도로 상온에서 500°C까지 승온 후 다시 10°C/min의 속도로 냉각하면서 100°C에서 450°C 구간의 기울기를 측정할 수 있다.
본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물은 일 예시에서, 경화 후의 유리전이온도가 400°C 이상의 범위를 가질 수 있으며 예를 들어, 상기 유리전이온도의 하한은 403°C 이상, 405°C 이상, 410°C 이상, 420°C 이상, 430°C 이상, 440°C 이상 또는 450°C 이상일 수 있다. 상한은 600°C 이하일 수 있다. 상기 유리전이온도는 폴리아믹산 조성물을 경화하여 제조된 폴리이미드에 대해 TMA를 이용하여 10°C/min 조건에서 측정할 수 있다.
본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물은 경화 후 1중량% 열분해온도가 500°C 이상일 수 있다. 상기 열분해온도는 TA사 열무게 분석(thermogravimetric analysis) Q50 모델을 사용하여 측정할 수 있다. 구체예에서, 상기 폴리아믹산을 경화한 폴리이미드를 질소 분위기하에서 10°C/분의 속도로 150°C까지 승온시킨 후 30 분간 등온을 유지하여 수분을 제거한다. 이후 10°C/분의 속도로 600°C까지 승온하여 1%의 중량 감소가 발생하는 온도를 측정할 수 있다. 상기 열분해온도의 하한은 예를 들어, 505°C 이상, 510°C 이상, 520°C 이상, 530°C 이상, 540°C 이상, 550°C 이상, 560°C 이상 또는 570°C 이상일 수 있다. 상한은 예를 들어, 800°C, 750°C, 700°C, 650°C 또는 630°C 이하일 수 있다.
본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물은 경화 후 120Hz에서의 유전율이 3.8F/m 이상일 수 있다. 예를 들어, 폴리아믹산 조성물은 경화 후 120Hz에서의 유전율이 3.9F/m 이상, 4.0F/m 이상, 4.1F/m 이상, 4.2F/m 이상 또는 4.3F/m 이상일 수 있으며, 상한은 5.0/m 이하일 수 있다. 본 발명은 상기와 같은 범위의 유전율을 가짐으로써, 전자 기기 또는 전자 산업 분야에 폴리아믹산 조성물 또는 이로부터 제조되는 폴리아믹산을 이용 시 충분한 대전 방지 효과를 부여할 수 있다.
또한, 상기 폴리아믹산 조성물은 경화 후 신율(Elongation)이 10% 이상일 수 있고, 예를 들어, 11% 이상, 12% 이상, 15% 이상, 20% 이상 또는 25% 이상일 수 있다. 상한은 특별히 제한되지 않으나, 40% 이하일 수 있다. 상기 신율은 폴리아믹산 조성물을 폴리이미드 필름으로 경화하여, 폭 10 mm, 길이 40 mm로 자른 후 인스트론(Instron)사의 Instron5564 UTM 장비를 사용하여 ASTM D-882 방법으로 신율을 측정할 수 있다.
또한, 본 발명의 폴리아믹산 조성물은 경화 후 탄성률이 5.0GPa 이상일 수 있다. 상기 탄성률의 하한은 예를 들어, 6.0 GPa 이상, 7.0 GPa 이상, 8.0 GPa 이상 또는 9.0 GPa 이상일 수 있다. 상한은 특별히 제한되지 않으나 15 GPa 이하일 수 있다.
또한, 폴리아믹산 조성물은 경화 후 인장 강도가 180MPa 이상일 수 있다. 상기 인장 강도의 하한은 예를 들어, 190 MPa 이상, 200 MPa 이상, 300 MPa 이상, 400 MPa 이상, 410 MPa 이상, 420 MPa 이상 또는 440 MPa 이상일 수 있고, 상한은 예를 들어, 550 MPa 이하 또는 530 MPa 이하일 수 있다. 상기 탄성률 및 인장 강도는 상기 폴리아믹산 조성물을 경화하여 폴리이미드 필름으로 제조 후, 폭 10 mm, 길이 40 mm로 자른 후 인스트론(Instron)사의 Instron5564 UTM 장비를 사용하여 ASTM D-882 방법으로 탄성률 및 인장 강도를 측정할 수 있다. 이때의 Cross Head Speed는 50 mm/min의 조건으로 측정할 수 있다.
상기 폴리아믹산 조성물은 저점도 특성을 갖는 조성물일 수 있다. 본 발명의 폴리아믹산 조성물은 23°C 온도 및 1s-1의 전단속도 조건으로 측정한 점도가 10,000cP 이하, 5,000cP 이하, 4,000 cP 이하, 3,500 cP 이하, 3,300 cP 이하, 3,200 cP 이하 또는 3,100 cP 이하일 수 있다. 그 하한은 특별히 한정되지 않으나, 500 cP 이상 또는 1,000 cP 이상일 수 있다. 상기 점도는 예를 들어, Haake 사의 Rheostress 600을 사용하여 측정한 것일 수 있고 1/s의 전단 속도, 23°C 온도 및 1 mm 플레이트 갭 조건에서 측정한 것일 수 있다. 본 발명은 상기 점도 범위를 조절함으로써, 우수한 공정성을 갖는 전구체 조성물을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 폴리아믹산 조성물의 제조방법에 따라 제조된 폴리아믹산 조성물을 지지체에 제막하고 건조하여 겔을 제조하고, 상기 겔을 경화하는 단계를 포함하는, 폴리이미드의 제조방법을 제공한다.
구체적으로, 본 발명의 폴리이미드의 제조방법은, 상기 폴리아믹산 조성물을 지지체에 제막하고 건조하여 필름 형태의 겔을 제조하고, 상기 겔을 경화하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 겔을 경화하는 단계는, 상기 지지체에 제막된 폴리아믹산 조성물을 20 내지 120 °C의 온도에서 5 내지 60 분 동안 건조하여 겔 필름을 제조하고, 상기 겔 필름을 30 내지 500°C까지 1 내지 8 °C/분의 속도로 승온하고, 450 내지 500°C에서 5 내지 60 분 동안 열처리하고, 20 내지 120 °C까지 1 내지 8 °C/분의 속도로 냉각하는 공정을 통해 수행될 수 있다.
상기 겔 필름을 경화하는 단계는 30 내지 500°C에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 겔 필름을 경화하는 단계는 30 내지 400°C, 30 내지 300°C, 30 내지 200°C, 30 내지 100°C, 100 내지 500°C, 100 내지 300°C, 200 내지 500°C 또는 400 내지 500°C에서 수행될 수 있다.
상기 폴리이미드 필름의 두께는 5 내지 20 μm인 것을 특징으로 할 수 있다. 예를 들어, 상기 폴리이미드 필름의 두께는 5 내지 18 μm, 6 내지 16 μm, 7 내지 14 μm, 8 내지 12 μm 또는 9 내지 11 μm일 수 있다.
상기 지지체는 예를 들어, 무기 기판일 수 있으며, 무기 기판으로는 유리 기판, 금속 기판을 들 수 있으나, 유리 기판을 사용하는 것이 바람직하며, 상기 유리 기판은 소다 석회 유리, 붕규산 유리, 무알칼리 유리 등이 사용될 수 있으나, 이것만으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 폴리이미드는 내열성, 투명도 및 전기전도성이 우수하므로, 이를 요하면서도 정전기 문제에 민감한 전기전자, 평판디스플레이 산업, 반도체, 태양전지산업 등의 고내열성을 필요로 하는 첨단 핵심 기계 부품으로 광범위하게 활용될 수 있다. 구체적으로, High-K 트랜지스터, Oxide-TFT용 폴리이미드 기판 또는 LTPS-TFT용 폴리이미드 기판에 유용하게 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물 및 이로부터 제조되는 폴리이미드는 높은 투명도를 가지면서도 전기전도성이 우수한 효과를 가진다. 특히, 본 발명에 따른 폴리아믹산 조성물 및 이로부터 제조되는 폴리이미드는 상기와 같은 높은 투명도 및 전기전도성을 가지면서도 폴리이미드의 특유의 우수한 열적 특성 및 기계적 특성을 유지한다.
이하 본 발명에 따르는 실시예 및 본 발명에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
<폴리아믹산 조성물의 제조>
실시예 1
교반기 및 질소 주입 배출관을 구비한 500 ㎖ 반응기에 질소를 주입시키면서 용매로서 N,N-디메틸프로피온아미드(DMPA)를 투입하였다.
반응기의 온도를 50°C로 설정한 후 디아민 단량체로서 파라-페닐렌 디아민(PPD)을 투입하고 이어서 전도성 고분자로서, 필름 전도도(Dried Cast Film Conductivity)가 0.006S/cm인 폴리피롤을 전체 조성물 대하여 0.1몰% 투입한 후 완전히 용해하였다. 이후, 디안하이드라이드 단량체로서 바이페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드(BPDA)를 100중량부를 투입한 후 120분간 교반을 계속하여 중합된 폴리아믹산 조성물을 제조하였다.
실시예 2 내지 9
하기 표 1에 나타낸 바와 같이 단량체 성분 및 함량 비율과 용매의 성분 및 함량 비율 조절한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 폴리아믹산 조성물을 제조하였다.
비교예 1 내지 7
하기 표 1과 같이 전도성 고분자의 성분 및 함량을 조절한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 폴리아믹산 용액을 제조하였다.
구분 디아민
(몰%)		 디안하이드라이드
(몰%)		 전도성 고분자 용매(비율) 점도
(cP)
PPD BPDA PMDA 성분 함량
(몰%)		 NMP DMPA
실시예 1 100 100 　 폴리피롤 0.1 0 1 3100
실시예 2 100 100 　 폴리피롤 0.3 0 1 3100
실시예 3 100 100 　 폴리피롤 0.5 0 1 3100
실시예 4 100 100 　 폴리피롤 1 0 1 3100
실시예 5 100 70 30 폴리피롤 0.3 0 1 3800
실시예 6 100 70 30 폴리피롤 0.5 0 1 3800
실시예 7 100 50 50 폴리피롤 0.5 0 1 4400
실시예 8 100 100 　 폴리피롤 0.5 5 5 3300
실시예 9 100 70 30 폴리피롤 0.5 5 5 3800
비교예 1 100 100 　 그래핀 0.1 0 1 3200
비교예 2 100 100 　 그래핀 0.5 0 1 3200
비교예 3 100 100 　 PEDOT:PSS 0.5 0 1 3200
비교예 4 100 100 　 암모늄 이온 0.1 0 1 3200
비교예 5 100 100 　 암모늄 이온 1 0 1 3200
비교예 6 100 100 　 인산염 0.5 0 1 3200
비교예 7 100 100 　 인삼염 0.3 0 1 3200
PPD: 파라-페닐렌 디아민
BPDA: 바이페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드
PMDA: 피로멜리틱 디안하이드라이드
PEDOT:PSS : 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌술포네이트)
DMPA: N,N-디메틸프로피온아미드
NMP: N-메틸-2-피롤리돈
<물성 측정을 위한 폴리 이미드의 제조>
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 폴리아믹산 용액을 1,500 rpm 이상의 고속 회전을 통해 기포를 제거하였다. 이후 스핀 코터를 이용하여 유리 기판에 탈포된 폴리아믹산 용액을 도포하였다. 이후 질소 분위기하에서 120°C의 온도로 30 분 동안 건조하여 겔 필름을 제조하고, 상기 겔 필름을 450°C까지 2°C/분의 속도로 승온하였으며, 450°C에서 60분 동안 열처리한 후, 30°C까지 2°C/분의 속도로 냉각하여 10㎛의 폴리이미드 필름을 수득하였다.
이후 증류수에 디핑(dipping)하여 유리 기판에서 폴리이미드 필름을 박리시켰다. 제조된 폴리이미드 필름의 물성을 하기 방식을 이용하여 측정하고, 그 결과를 하기 표 2 및 표 3에 나타내었다.
실험예 1 - 점도
실시예 및 비교예에서 제조된 폴리아믹산 용액에 대해, Haake 사의 Rheostress 600을 사용하여 1/s의 전단 속도, 23°C 온도 및 1 mm 플레이트 갭 조건에서 점도를 측정하였다.
실험예 2- 두께 측정
제조된 폴리이미드 필름의 두께는 Anritsu사의 필름 두께 측정기(Electric Film thickness tester)를 사용하여 측정하였다.
실험예 3 - 광투과도
실시예 및 비교예의 폴리아믹산 용액을 경화하여 제조된 10㎛의 폴리이미드 필름에 대해, 퍼킨앨머(Perkin Elmer)사의 자외선/가시광선 분광광도계(UV-Vis Spectrophotometer)로 Lambda 465 모델을 사용하였으며, 투과율 모드로 470 nm의 투과율을 측정하였다.
실험예 4: 유전율 측정
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 폴리이미드 필름의 120Hz에서의 유전율을 Keysight사의 SPDR 측정기를 이용하여 측정하였다.
실험예 5 - 표면저항
ASTM D257에 따라 KEYSIGHT / B2987A를 이용하여 표면저항을 측정하였다. 구체적으로, 110 X 110 mm 폴리이미드 필름 시편에 대하여 온도 : 23±3℃, Source Voltage : 300 V, Load Scale : 5 kgf 및 Charge Time : 60 Sec 조건에서 측정하였다.
구분 고형분(%) 두께(㎛) 투과도(%) 유전율(F/m) 표면저항(Ω/□)
실시예 1 18 10 71 3.9 4.43x1012
실시예 2 18 10 70 3.9 1.43x1012
실시예 3 18 10 68 4.1 1.53x1011
실시예 4 18 10 66 4.2 1.13x1011
실시예 5 18 10 68 4.0 9.24x1012
실시예 6 18 10 67 4.1 5.13x1012
실시예 7 18 10 65 4.0 5.78x1012
실시예 8 18 10 70 4.1 1.42x1011
실시예 9 18 10 70 4.2 1.63x1011
비교예 1 18 10 56 4.2 1.89x1011
비교예 2 18 10 54 4.3 4.81x1012
비교예 3 18 10 55 3.6 8.02x1013
비교예 4 18 10 58 3.6 4.51x1013
비교예 5 18 10 53 3.5 8.51x1015
비교예 6 18 10 56 3.6 2.28x1014
비교예 7 18 10 58 3.6 2.54x1014
실험예 6 - CTE
TA사 열기계 분석기(thermomechanical analyzer) Q400 모델을 사용하였으며, 폴리이미드 필름을 폭 2 mm, 길이 10 mm로 자른 후 질소 분위기하에서 0.05 N의 장력을 가하면서, 10°C/min의 속도로 상온에서 500°C까지 승온 후 다시 10°C/min의 속도로 냉각하면서 100°C에서 Tg 온도까지의 구간의 기울기를 측정하였다.
실험예 7 - 유리전이온도
실시예 및 비교예의 폴리아믹산 용액을 경화하여 제조된 폴리이미드 필름에 대해, TMA를 이용하여 10°C/min 조건에서 급격히 팽창하는 지점을 On-set point로 측정하였다.
실험예 8 - 중량%의 열분해온도(Td)
TA사 열중량 분석(thermogravimetric analysis) Q50 모델을 사용하였으며, 폴리이미드 필름을 질소 분위기하에서 10°C/분의 속도로 150°C까지 승온시킨 후 30 분간 등온을 유지하여 수분을 제거했다. 이후 10°C/분의 속도로 600°C까지 승온하여 1%의 중량 감소가 발생하는 온도를 측정하였다.
실험예 9 - 신율 측정
실시예 및 비교예의 폴리아믹산 용액을 경화하여 제조된 폴리이미드 필름을 폭 10 mm, 길이 40 mm로 자른 후 인스트론(Instron)사의 Instron5564 UTM 장비를 사용하여 ASTM D-882 방법으로 신율을 측정할 수 있다.
실험예 10 - 탄성률 및 인장 강도 측정
실시예 및 비교예의 폴리아믹산 용액을 경화하여 제조된 폴리이미드 필름을 폭 10 mm, 길이 40 mm로 자른 후 인스트론(Instron)사의 Instron5564 UTM 장비를 사용하여 ASTM D-882 방법으로 탄성률 및 인장 강도를 측정할 수 있다. 이때의 Cross Head Speed는 50 mm/min의 조건으로 측정할 수 있다.
구분 CTE(ppm/℃) Tg(℃) Td(℃) 신율(%) 인장강도(MPa) 탄성율(GPa)
실시예 1 4　 470 572 30 503 9.1
실시예 2 5 465 573 28 487 9.0
실시예 3 5 468 568 28 462 8.6
실시예 4 5 460 565 27 455 8.6
실시예 5 7 463 570 23 448 9.5
실시예 6 8 460 565 22 420 9.4
실시예 7 3 470 573 31 505 9.0
실시예 8 5 470 573 31 505 9.0
실시예 9 7 468 570 25 432 9.4
비교예 1 15 440 558 12 337 8.7
비교예 2 15 445 556 13 339 8.8
비교예 3 16 440 553 14 345 8.8
비교예 4 18 435 555 14 345 8.8
비교예 5 24 420 548 10 291 8.9
비교예 6 19 438 551 15 356 8.8
비교예 7 13 443 555 14 343 8.8

Claims (13)

  1. 디안하이드라이드 단량체와 디아민 단량체를 중합 단위로 갖는 중합체; 및
    공액계 전도성 고분자를 포함하고,
    경화 후 380 내지 780nm 파장에서 10㎛ 두께의 평균 광투과도가 65% 이상이며, ASTM D257에 따라 측정한 표면저항이 1.0x1013Ω/□이하인 폴리아믹산 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공액계 전도성 고분자는 방향족 고리 및 헤테로 원자를 포함하는 폴리아믹산 조성물.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 공액계 전도성 고분자는 질소 원자를 포함하는 폴리아믹산 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 공액계 전도성 고분자는 폴리피롤(polypyrrole), 폴리카바졸(polycarbazole), 폴리인돌(polyindole), 폴리아제핀(polyazepine) 및 폴리아닐린(polyaniline)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 폴리아믹산 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 공액계 전도성 고분자의 함량은 0.01 내지 1중량%인 폴리아믹산 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    디아민 단량체는 1,4-디아미노벤젠(PPD), 1,3-디아미노벤젠(MPD), 2,4-디아미노톨루엔, 2,6-디아미노톨루엔, 4,4'-디아미노디페닐에테르(ODA), 4,4'-메틸렌디아민(MDA), 4,4-디아미노벤즈아닐라이드(4,4-DABA), N,N-비스(4-아미노페닐)벤젠-1,4-디카르복아마이드(BPTPA), 2,2-디메틸벤지딘(M-TOLIDINE), 2,2-비스(트리플루오르메틸)벤지딘(TFDB), 1,4-비스아미노페녹시벤젠(TPE-Q), 비스아미노페녹시벤젠(TPE-R), 2,2-비스아미노페녹시페닐프로판(BAPP) 및 2,2-비스아미노페녹시페닐헥사플루오로프로판(HFBAPP)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 폴리아믹산 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    디안하이드라이드 단량체는 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA), 3,3',4,4'-바이페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드(s-BPDA), 2,3,3',4'-바이페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드(a-BPDA), 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실릭 디안하이드라이드(BTDA), 옥시디프탈릭 디안하이드라이드(ODPA), 4,4-(헥사플루오르이소프로필리덴)디프탈릭 안하이드라이드(6-FDA) 및 p-페닐렌비스(트리멜리테이트 안하이드라이드)(TAHQ)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 폴리아믹산 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    N,N-디에틸아세트아미드(DEAC), N,N-디메틸프로피온아미드(DMPA), 3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드(KJCMPA) 및 N-메틸-2피로리돈(NMP)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 용매를 더 포함하는 폴리아믹산 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    고형분이 5 내지 30%의 범위 내인 폴리아믹산 조성물.
  10. 제1항에 있어서,
    경화 후 CTE가 10 ppm/°C 이하의 범위를 가지는 폴리아믹산 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    경화 후 120Hz에서의 유전율이 3.8F/m 이상인 폴리아믹산 조성물.
  12. 디아민 단량체를 용매와 혼합하는 단계;
    상기 혼합물에 공액계 전도성 고분자를 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합물에 디안하이드라이드 단량체를 혼합하는 단계를 포함하는 폴리아믹산 조성물의 제조방법.
  13. 제1항에 따른 폴리아믹산 조성물의 경화물을 포함하는 폴리이미드.

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