KR20230034145A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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KR20230034145A
KR20230034145A KR1020220100375A KR20220100375A KR20230034145A KR 20230034145 A KR20230034145 A KR 20230034145A KR 1020220100375 A KR1020220100375 A KR 1020220100375A KR 20220100375 A KR20220100375 A KR 20220100375A KR 20230034145 A KR20230034145 A KR 20230034145A
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processing apparatus
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KR1020220100375A
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노성호
이정환
정청환
김태동
김영준
금문철
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주식회사 원익아이피에스
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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus. More specifically, the present invention relates to a substrate processing apparatus which processes a substrate by a high pressure and a low pressure. The present invention discloses the substrate processing apparatus comprising: a process chamber (100) including a chamber main body (110) having an opened upper side, and having an installation groove (130) formed on the center of a floor surface (120), and having a gate (111) for introducing and discharging a substrate (1) on one side, and a top lid (140) coupled to an upper side of the chamber main body (110) and forming an inner space (S1); a substrate support unit (200) inserted into the installation groove (130) of the chamber main body (110), and having an upper surface on which the substrate (1) is settled; an inner lid unit (300) vertically movably installed in the inner space (S1), and falling to allow a part to form a sealed processing space (S1) with the substrate support unit (200) located inside by coming in close contact with the floor surface (120) near the installation groove (130); a gas supply unit (400) installed to communicate with the processing space (S2), and supplying process gas to the processing space (S2); and an inner lid driving unit (600) installed by penetrating the top lid (140) and driving the vertical movement of the inner lid unit (300). Therefore, excellent durability can be provided.

Description

기판처리장치{Substrate processing apparatus}Substrate processing apparatus {Substrate processing apparatus}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고압 및 저압에 의해 기판처리가 수행되는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus in which substrate processing is performed by high pressure and low pressure.

기판처리장치는 웨이퍼와 같은 기판에 대한 공정을 처리하는 것으로서, 일반적으로 기판에 대한 식각, 증착, 열처리 등이 수행될 수 있다.A substrate processing apparatus processes a process for a substrate such as a wafer, and may generally perform etching, deposition, heat treatment, and the like on the substrate.

이때, 기판 상에 증착을 통한 막을 형성하는 경우, 기판의 박막 형성 후 막 내 불순물 제거 및 막의 특성을 개선하기 위한 공정이 요구되고 있다.At this time, in the case of forming a film on a substrate through deposition, a process for removing impurities in the film and improving properties of the film after forming a thin film on the substrate is required.

특히, 3차원 반도체 소자들, 높은 종횡비를 갖는 기판들의 등장에 따라 스텝 커버리지의 규격을 만족하기 위해 증착 온도를 보다 저온화하거나, 불순물의 함량이 높은 가스를 필연적으로 사용하게 됨으로써, 막 내의 불순물 제거가 더욱 어려워지고 있는 실정이다. In particular, with the advent of 3D semiconductor devices and substrates with a high aspect ratio, the deposition temperature is lowered or a gas with a high impurity content is inevitably used to meet the step coverage standard, thereby removing impurities from the film. is getting more and more difficult.

따라서, 기판 상에 박막 형성 후 박막 특성의 열화 없이도 박막 내에 존재하는 불순물을 제거하여 박막의 특성을 개선할 수 있는 기판처리방법과 이를 수행하는 기판처리장치가 요구되고 있다.Therefore, there is a need for a substrate processing method capable of improving the properties of a thin film by removing impurities present in the thin film without deterioration of the thin film properties after forming the thin film on the substrate, and a substrate processing apparatus for performing the same.

또한, 기판 상의 박막 뿐만 아니라, 챔버 내부에 남아있는 미량의 불순물 등에 의해 증착되는 박막이 오염되는 등의 문제점이 있으며, 이에 따라 기판을 지지하는 기판지지부를 포함하는 챔버 내부에 대한 불순물의 제거 등이 필요하다. In addition, there is a problem that not only the thin film on the substrate, but also the thin film to be deposited is contaminated by a small amount of impurities remaining inside the chamber. need.

이러한 문제점을 개선하기 위하여, 종래 한국 특허출원 제10-2021-0045294A호는, 고압 및 저압 분위기를 반복적으로 형성하여, 기판 표면 및 챔버 내부의 불완전성을 감소시켜 박막의 특성을 개선하는 기판처리방법을 개시하였다.In order to improve this problem, conventional Korean Patent Application No. 10-2021-0045294A discloses a substrate processing method for improving the properties of a thin film by repeatedly forming high and low pressure atmospheres to reduce imperfections on the surface of the substrate and inside the chamber. has been initiated.

그러나, 종래 기판처리장치에 전술한 기판처리방법을 적용하는 경우, 기판을 처리하는 처리공간의 부피가 상대적으로 커 빠른 압력변화 속도를 구현하지 못하는 문제점이 있다.However, when the above-described substrate processing method is applied to a conventional substrate processing apparatus, there is a problem in that a fast pressure change rate cannot be implemented due to a relatively large volume of a processing space for processing a substrate.

또한, 종래 기판처리장치는, 저압인 0.01 Torr부터 고압인 5 Bar 수준의 넓은 압력범위를 짧은 시간 내에 반복적으로 수행하는 공정을 구현하지 못하는 문제점이 있다. In addition, the conventional substrate processing apparatus has a problem in that it cannot implement a process of repeatedly performing a wide pressure range from a low pressure of 0.01 Torr to a high pressure of 5 Bar within a short time.

또한, 종래 기판처리장치는, 고압의 기판처리 수행 시 처리공간을 밀폐하는 게이트밸브가 압력을 견디지 못하여 고압의 기판처리 수행이 어렵고 게이트밸브의 내구성이 담보되지 못하는 문제점이 있다.In addition, in the conventional substrate processing apparatus, the gate valve that seals the processing space does not withstand the pressure during high-pressure substrate processing, making it difficult to perform high-pressure substrate processing and the durability of the gate valve is not guaranteed.

또한, 종래 기판처리장치는, 고압과 저압 사이의 반복적인 변압을 통해 기판처리를 수행함에 따라, 밀폐된 처리공간을 위한 실링의 손상이 쉽고, 이에 따라 고압환경에서 내부의 공정가스가 누출되거나 저압환경에서 외부의 불순물이 유입되기 쉬운 문제점이 있다. In addition, as the conventional substrate processing apparatus performs substrate processing through repetitive pressure changes between high and low pressures, it is easy to damage the sealing for the closed processing space, and accordingly, the process gas leaks in the high pressure environment or the low pressure There is a problem that external impurities are easily introduced into the environment.

이 경우, 공정챔버 외부로 공정가스 등의 유해물질이 누출될 수 있는 문제점이 있다.In this case, there is a problem in that harmful substances such as process gas may leak to the outside of the process chamber.

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 처리공간의 부피를 최소화하여 넓은 압력범위의 압력변화 속도를 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving a pressure change rate in a wide pressure range by minimizing the volume of a processing space in order to solve the above problems.

또한, 본 발명의 목적은, 불순물의 유입을 방지하고 공정가스의 외부누출을 방지하여 기판처리 품질과 안전성이 향상되는 기판처리장치를 제공하는데 있다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that improves substrate processing quality and safety by preventing the inflow of impurities and external leakage of process gas.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 상부가 개방되고 바닥면(120) 중심 측에 설치홈(130)이 형성되며 일측에 기판(1)을 반출입하기 위한 게이트(111)를 포함하는 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 상부에 결합되어 내부공간(S1)을 형성하는 탑리드(140)를 포함하는 공정챔버(100)와; 상기 챔버본체(110)의 상기 설치홈(130)에 내삽되게 설치되며, 상면에 기판(1)이 안착되는 기판지지부(200)와; 상기 내부공간(S1)에 상하이동 가능하도록 설치되며, 하강을 통해 일부가 상기 설치홈(130)에 인접한 상기 바닥면(120)과 밀착되어 상기 기판지지부(200)가 내부에 위치하는 밀폐된 처리공간(S2)을 형성하는 이너리드부(300)와; 상기 처리공간(S2)과 연통되게 설치되어, 상기 처리공간(S2)에 공정가스를 공급하는 가스공급부(400)와; 상기 탑리드(140)를 관통하여 설치되어, 상기 이너리드부(300)의 상하이동을 구동하는 이너리드구동부(600)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다. The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above. In the present invention, the top is open, the installation groove 130 is formed on the center side of the bottom surface 120, and the substrate 1 is carried in and out on one side. A process chamber 100 including a chamber body 110 including a gate 111 for processing, and a top lid 140 coupled to an upper portion of the chamber body 110 to form an inner space S1; a substrate support part 200 installed to be inserted into the installation groove 130 of the chamber body 110 and on which the substrate 1 is seated; It is installed in the inner space (S1) so as to be movable up and down, and through descent, a part is in close contact with the bottom surface 120 adjacent to the installation groove 130, and the substrate support part 200 is located inside. an inner lead part 300 forming a space S2; a gas supply unit 400 installed in communication with the processing space S2 and supplying a process gas to the processing space S2; Disclosed is a substrate processing apparatus including an inner lead driver 600 installed through the top lid 140 to drive the inner lead unit 300 to move vertically.

상기 바닥면(120)은, 상기 기판지지부(200)에 안착되는 상기 기판(1)의 상면보다 높게 위치할 수 있다.The bottom surface 120 may be positioned higher than the upper surface of the substrate 1 seated on the substrate support 200 .

상기 설치홈(130)은, 상기 처리공간(S2)이 최소화되도록 설치되는 상기 기판지지부(200)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. The installation groove 130 may be formed in a shape corresponding to the substrate support 200 installed to minimize the processing space S2.

상기 기판지지부(200)는, 상면에 상기 기판(1)이 안착되는 평면 상 원형인 기판지지플레이트(210)와, 상기 설치홈(130)의 바닥을 관통하여 상기 기판지지플레이트(210)와 연결되는 기판지지포스트(220)를 포함하며, 상기 설치홈(130)은, 상기 기판지지플레이트(210)가 설치되는 공간을 제외한 잔여공간이 최소화되도록, 상기 기판지지플레이트(210)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. The substrate support part 200 is connected to the substrate support plate 210 having a circular shape on a plane on which the substrate 1 is seated on the upper surface and the substrate support plate 210 through the bottom of the installation groove 130. It includes a substrate support post 220, and the installation groove 130 has a shape corresponding to the substrate support plate 210 so that the remaining space other than the space in which the substrate support plate 210 is installed is minimized. can be formed

상기 이너리드부(300)와 상기 바닥면(120)이 밀착되는 위치에서 상기 이너리드부(300)의 저면 또는 상기 바닥면(120) 중 어느 하나에 구비되는 실링부(900)를 포함할 수 있다. A sealing part 900 provided on either the bottom surface of the inner lead part 300 or the bottom surface 120 may be included at a position where the inner lead part 300 and the bottom surface 120 come into close contact. there is.

상기 실링부(900)는, 상기 이너리드부(300)의 저면 중 가장자리를 따라서 구비되는 제1실링부재(910)와, 상기 제1실링부재(910)에 일정 간격 이격된 위치에 구비되는 제2실링부재(920)를 포함할 수 있다. The sealing part 900 includes a first sealing member 910 provided along the edge of the bottom surface of the inner lead part 300 and a first sealing member 910 provided at a position spaced apart from the first sealing member 910 by a predetermined interval. 2 sealing member 920 may be included.

상기 공정챔버(100) 중 상기 이너리드부(300)와 밀착위치에 설치되어 상기 실링부(900)를 펌핑하는 펌핑부(500)를 추가로 포함할 수 있다. A pumping unit 500 installed in close contact with the inner lead unit 300 in the process chamber 100 to pump the sealing unit 900 may be further included.

상기 펌핑부(500)는, 상기 제1실링부재(910)와 상기 제2실링부재(920) 사이공간(S3)을 펌핑할 수 있다.The pumping unit 500 may pump the space S3 between the first sealing member 910 and the second sealing member 920 .

상기 가스공급부(400)는, 상기 기판지지부(200)의 가장자리에 인접하여 설치될 수 있다. The gas supply unit 400 may be installed adjacent to an edge of the substrate support unit 200 .

상기 처리공간(S2)은, 상기 이너리드부(300)의 저면 중 일부와 상기 가스공급부(400)와 상기 기판지지부(200)를 잇는 상면 사이에 사이에 형성될 수 있다. The processing space S2 may be formed between a portion of the bottom surface of the inner lead part 300 and an upper surface connecting the gas supply part 400 and the substrate support part 200 .

상기 가스공급부(400)는, 상기 설치홈(130)의 가장자리에 설치되어 상기 공정가스를 분사하는 가스분사부(410)와, 상기 공정챔버(100)의 하부면을 관통하여 구비되어 외부로부터 상기 공정가스를 상기 가스분사부(410)에 공급하는 가스공급유로(420)를 포함할 수 있다. The gas supply unit 400 includes a gas dispensing unit 410 installed at the edge of the installation groove 130 to inject the process gas, and a gas dispensing unit 410 penetrating the lower surface of the process chamber 100 to provide the gas from the outside. A gas supply passage 420 for supplying process gas to the gas dispensing unit 410 may be included.

상기 이너리드구동부(600)는, 일단이 상기 공정챔버(100)의 상부면을 관통하여 상기 이너리드부(300)에 결합되는 복수의 구동로드(610)와, 복수의 상기 구동로드(610)의 타단에 연결되어 상기 구동로드(610)를 상하방향으로 구동하는 적어도 하나의 구동원(620)을 포함할 수 있다. The inner lead driver 600 includes a plurality of driving rods 610, one end of which passes through the upper surface of the process chamber 100 and is coupled to the inner lead part 300, and a plurality of driving rods 610. It may include at least one driving source 620 connected to the other end of and driving the driving rod 610 in the vertical direction.

상기 이너리드구동부(600)는, 상기 공정챔버(100)의 상부면과 상기 이너리드부(300) 사이에 상기 구동로드(610)를 감싸도록 설치되는 벨로우즈(630)를 추가로 포함할 수 있다.The inner lead driving part 600 may further include a bellows 630 installed between the upper surface of the process chamber 100 and the inner lead part 300 to surround the driving rod 610. .

본 발명에 따른 기판처리장치는, 챔버 내부의 기판이 처리되는 처리공간의 부피를 최소화하여, 넓은 압력범위의 압력변화 속도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of improving the speed of pressure change in a wide pressure range by minimizing the volume of the processing space in which the substrate is processed inside the chamber.

특히, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판이 처리되는 처리공간의 부피를 최소화함으로써, 저압의 0.01 Torr부터 고압의 5 Bar까지 1 Bar/s의 높은 압력변화 속도로 압력변화가 가능한 이점이 있다. In particular, the substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of being able to change the pressure at a high pressure change rate of 1 Bar/s from a low pressure of 0.01 Torr to a high pressure of 5 Bar by minimizing the volume of the processing space in which the substrate is processed. .

특히, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판이 도입 및 반출이 용이하면서도 기판이 처리되는 처리공간의 부피를 최소화할 수 있는 이점이 있다. In particular, the substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of being able to minimize the volume of the processing space where the substrate is processed while the substrate is easily introduced and taken out.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 최소화된 처리공간으로부터의 실링부의 설치를 통해 가스 등 이물질의 누출을 방지하면서도, 실링부에 대한 퍼지를 통해 실링부의 부식 및 손상을 방지하여 내구성이 뛰어난 이점이 있다. In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention prevents the leakage of foreign substances such as gas through the installation of the sealing unit from the minimized processing space, and prevents corrosion and damage of the sealing unit through the purge of the sealing unit, resulting in excellent durability. there is

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 급격한 압력변화를 통해 기판의 이물질, 불순물을 효과적으로 제거하고 기판처리속도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다. In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of effectively removing foreign substances and impurities from the substrate and improving the substrate processing speed through rapid pressure changes.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 고압공정을 통한 기판처리에도 게이트밸브와는 무관하게 이너리드부의 하강 밀착을 통한 밀폐된 처리공간의 형성으로 기판처리를 수행할 수 있어, 게이트밸브의 성능과는 무관하게 고압공정의 기판처리 수행이 용이하고 게이트밸브에 대한 손상을 방지할 수 있는 이점이 있다. In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention can perform substrate processing by forming a closed processing space through descending contact of the inner lead regardless of the gate valve even when substrate processing is performed through a high-pressure process, and thus the performance of the gate valve Regardless, there is an advantage in that it is easy to perform substrate processing in a high-pressure process and can prevent damage to the gate valve.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 고압공정에 따른 기판처리 시 처리공간으로부터 리크가 발생하는 경우에도 이중공간의 형성을 통한 내부공간에서의 펌핑을 통해 장치 외부로의 유출을 방지하여 안전성이 향상되는 이점이 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention, even when leakage occurs from the processing space during substrate processing according to the high-pressure process, safety is ensured by preventing leakage to the outside of the apparatus through pumping in the internal space through the formation of a double space. There are benefits to improving.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리공간과 공정챔버 외부공간 사이에 비처리공간의 일종의 버퍼공간을 형성함으로써, 처리공간의 공정가스 등 유해물질의 공정챔버 외부로의 유출을 방지함으로써 기판처리의 안전성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention forms a buffer space of a non-processing space between the processing space and the outer space of the process chamber, thereby preventing the outflow of harmful substances such as process gases from the processing space to the outside of the process chamber. It has the advantage of improving the safety of processing.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리공간과 공정챔버 외부공간 사이에 비처리공간을 형성하고, 비처리공간의 압력을 제어함으로써 처리공간으로의 불순물 등의 유입을 방지하여 기판처리의 품질을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention forms a non-processing space between the processing space and the outer space of the process chamber, and controls the pressure in the non-processing space to prevent the inflow of impurities into the processing space, thereby improving substrate processing quality. There are advantages to improving.

도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1에 따른 기판처리장치의 처리공간 형성 모습을 보여주는 단면도들이다.
도 3은, 도 1에 따른 오링의 모습을 보여주는 A부분 확대도이다.
도 4는, 도 1에 따른 기판처리장치를 통한 공정에 따른 압력변화모습을 보여주는 그래프이다.
도 5는, 본 발명에 따른 다른 실시예의 기판처리장치 모습을 보여주는 단면도이다.
도 6은, 도 5에 따른 기판처리장치를 통한 공정에 따른 압력변화모습을 보여주는 그래프이다.1 is a cross-sectional view showing the appearance of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is cross-sectional views showing how a processing space is formed in the substrate processing apparatus according to FIG. 1 .
3 is an enlarged view of part A showing the appearance of the O-ring according to FIG. 1;
FIG. 4 is a graph showing a pressure change according to a process through the substrate processing apparatus according to FIG. 1 .
5 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus of another embodiment according to the present invention.
FIG. 6 is a graph showing pressure changes according to processes through the substrate processing apparatus according to FIG. 5 .

이하, 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상부가 개방되고 바닥면(120) 중심 측에 설치홈(130)이 형성되며 일측에 기판(1)을 반출입하기 위한 게이트(111)를 포함하는 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 상부에 결합되어 내부공간(S1)을 형성하는 탑리드(140)를 포함하는 공정챔버(100)와; 상기 챔버본체(110)의 상기 설치홈(130)에 내삽되게 설치되며, 상면에 기판(1)이 안착되는 기판지지부(200)와; 상기 내부공간(S1)에 상하이동 가능하도록 설치되며, 하강을 통해 일부가 상기 설치홈(130)에 인접한 상기 바닥면(120)과 밀착되어 상기 기판지지부(200)가 내부에 위치하는 밀폐된 처리공간(S2)을 형성하는 이너리드부(300)와; 상기 처리공간(S2)과 연통되게 설치되어, 상기 처리공간(S2)에 공정가스를 공급하는 가스공급부(400)와; 상기 탑리드(140)를 관통하여 설치되어, 상기 이너리드부(300)의 상하이동을 구동하는 이너리드구동부(600)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus according to the present invention has an open top, an installation groove 130 formed at the center of the bottom surface 120, and a gate 111 for carrying in and out of the substrate 1 on one side. ) and a process chamber 100 including a chamber body 110 including a chamber body 110 and a top lid 140 coupled to an upper portion of the chamber body 110 to form an inner space S1; a substrate support part 200 installed to be inserted into the installation groove 130 of the chamber body 110 and on which the substrate 1 is seated; It is installed in the inner space (S1) so as to be movable up and down, and through descent, a part is in close contact with the bottom surface 120 adjacent to the installation groove 130, and the substrate support part 200 is located inside. an inner lead part 300 forming a space S2; a gas supply unit 400 installed in communication with the processing space S2 and supplying a process gas to the processing space S2; An inner lead driver 600 installed through the top lid 140 and driving the vertical movement of the inner lead 300 is included.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상기 공정챔버(100) 중 상기 이너리드부(300)와 밀착위치에 설치되어 실링부(900)에 누출되는 가스를 펌핑하는 펌핑부(500)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, in the substrate processing apparatus according to the present invention, a pumping unit 500 is installed in close contact with the inner lead unit 300 in the process chamber 100 to pump gas leaking into the sealing unit 900. can be included with

여기서 처리대상이 되는 기판(1)은, LCD, LED, OLED 등의 표시장치에 사용하는 기판, 반도체 기판, 태양전지 기판, 글라스 기판 등의 모든 기판을 포함하는 의미로 이해될 수 있다.Here, the substrate 1 to be processed can be understood as including all substrates such as substrates used in display devices such as LCD, LED, and OLED, semiconductor substrates, solar cell substrates, and glass substrates.

상기 공정챔버(100)는, 내부에 내부공간(S1)이 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 100 has an internal space S1 formed therein, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 공정챔버(100)는, 상부가 개방된 챔버본체(110)와 챔버본체(110)의 개방된 상부를 복개하여 챔버본체(110)와 함께 밀폐된 내부공간(S1)을 형성하는 탑리드(140)를 포함할 수 있다.For example, the process chamber 100 forms a chamber body 110 with an open top and a sealed inner space S1 together with the chamber body 110 by covering the open top of the chamber body 110. It may include a top lead 140 that does.

또한, 상기 공정챔버(100)는, 내부공간(S1)의 바닥을 형성하는 바닥면(120)과, 바닥면(120)에 기판지지부(200)가 설치되도록 형성되는 설치홈(130)을 포함할 수 있다. In addition, the process chamber 100 includes a bottom surface 120 forming the bottom of the inner space S1 and an installation groove 130 formed to install the substrate support part 200 on the bottom surface 120. can do.

또한, 상기 공정챔버(100)는, 기판(1)을 반출입하기 위해 챔버본체(110)의 일측에 형성되는 게이트(111)를 개폐하기 위한 게이트밸브(150)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the process chamber 100 may further include a gate valve 150 for opening and closing the gate 111 formed on one side of the chamber body 110 to transport the substrate 1 in and out.

상기 챔버본체(110)는, 상부가 개방되어 후술하는 탑리드(140)와 함께 내부에 밀폐된 내부공간(S1)을 형성할 수 있다.The chamber body 110 may have an open upper portion to form a sealed inner space S1 therein together with a top lid 140 to be described later.

이때, 상기 챔버본체(110)는, 알루미늄을 비롯한 금속재질로 구성될 수 있으며, 다른 예로서 석영재질로 구성될 수 있고, 종래 개시된 챔버와 같이 직육면체 형태를 가질 수 있다. At this time, the chamber body 110 may be made of a metal material such as aluminum, or may be made of a quartz material as another example, and may have a rectangular parallelepiped shape like the conventionally disclosed chamber.

상기 탑리드(140)는, 상부가 개방된 챔버본체(110)의 상측에 결합되어, 챔버본체(110)와 함께 내부에 밀폐된 내부공간(S1)을 형성하는 구성일 수 있다.The top lid 140 may be coupled to an upper side of the chamber body 110 having an open top, and may form a sealed internal space S1 together with the chamber body 110.

이때, 상기 탑리드(140)는, 챔버본체(110)의 형상에 대응되어 평면 상 직사각형 형태로 형성될 수 있으며, 챔버본체(110)와 동일한 재질로 구성될 수 있다. At this time, the top lid 140 may be formed in a rectangular shape on a plane corresponding to the shape of the chamber body 110 and may be made of the same material as the chamber body 110 .

또한, 상기 탑리드(140)는, 후술하는 이너리드구동부(600)가 관통하여 설치되도록, 복수의 관통공이 형성될 수 있으며, 저면에 후술하는 벨로우즈(630)의 끝단이 결합되어 외부로의 각종 가스 및 이물질의 누출을 방지할 수 있다. In addition, a plurality of through holes may be formed in the top lid 140 so that an inner lead driving unit 600 described later may be installed therethrough, and an end of a bellows 630 described later may be coupled to the bottom surface to allow various kinds of information to the outside. The leakage of gas and foreign matter can be prevented.

한편, 상기 탑리드(140) 구성이 생략되고, 상기 챔버본체(110)가 내부에 밀폐된 내부공간(S1)을 형성하는 일체형으로 형성될 수 있음은 또한 물론이다. Meanwhile, it goes without saying that the top lid 140 may be omitted and the chamber main body 110 may be integrally formed to form the inner space S1 sealed therein.

상기 공정챔버(100)는, 내측 하부면이 내부공간(S1)의 바닥을 형성하는 바닥면(120)과, 바닥면(120)에 후술하는 기판지지부(200)가 설치되도록 형성되는 설치홈(130)을 포함할 수 있다.The process chamber 100 has a bottom surface 120 whose inner lower surface forms the bottom of the inner space S1, and an installation groove formed so that a substrate support part 200 to be described later is installed on the bottom surface 120 ( 130) may be included.

보다 구체적으로, 상기 공정챔버(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 하부면 중 중심 측에 후술하는 기판지지부(200)에 대응되어 단차를 가지고 설치홈(130)이 형성될 수 있으며, 설치홈(130)의 가장자리에 바닥면(120)이 구성될 수 있다. More specifically, as shown in FIG. 1, the process chamber 100 may have an installation groove 130 formed on the center side of the lower surface with a step corresponding to the substrate support 200 to be described later, A bottom surface 120 may be formed at the edge of the installation groove 130 .

즉, 상기 공정챔버(100)는, 내측하부면에 기판지지부(200)가 설치되기 위한 설치홈(130)이 단차를 가지고 형성되며, 이외의 부분은 바닥면(120)으로 정의되어 설치홈(130)보다 높은 높이로 형성될 수 있다. That is, in the process chamber 100, the installation groove 130 for installing the substrate support 200 is formed with a step on the inner lower surface, and the other portion is defined as the bottom surface 120, and the installation groove ( 130) may be formed at a higher height.

상기 게이트밸브(150)는, 기판(1)을 반출입하기 위해 챔버본체(110)의 일측에 형성되는 게이트(111)를 개폐하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gate valve 150 is configured to open and close the gate 111 formed on one side of the chamber body 110 to transport the substrate 1 in and out, and various configurations are possible.

이때, 상기 게이트밸브(150)는, 상하구동 및 전후퇴 구동을 통해 챔버본체(110)와 밀착 또는 해제됨으로써 게이트(111)를 폐쇄 또는 개방할 수 있으며, 다른 예로서, 대각선 방향으로의 단일 구동을 통해 게이트(111)를 개방 또는 폐쇄할 수 있고, 이 과정에서 실린더, 캠, 전자기 등 종래 개시된 다양한 형태의 구동방법이 적용될 수 있다. At this time, the gate valve 150 may close or open the gate 111 by being in close contact with or released from the chamber body 110 through up-and-down driving and forward and backward driving. As another example, a single drive in a diagonal direction The gate 111 can be opened or closed through, and in this process, various types of conventionally disclosed driving methods such as cylinders, cams, and electromagnetics can be applied.

상기 기판지지부(200)는, 공정챔버(100)에 설치되며, 상면에 기판(1)이 안착되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate support unit 200 is installed in the process chamber 100 and has a structure on which the substrate 1 is seated, and various configurations are possible.

즉, 상기 기판지지부(200)는, 상면에 기판(1)을 안착시킴으로써 처리되는 기판(1)을 지지하고 기판처리 과정에서 고정할 수 있다.That is, the substrate support part 200 can support the substrate 1 to be processed by seating the substrate 1 on the upper surface and fix it during the substrate processing process.

또한, 상기 기판지지부(200)는, 내부에 히터를 구비하여 기판처리를 위한 처리공간(S2)의 온도분위기를 형성할 수 있다. In addition, the substrate support unit 200 may have a heater therein to form a temperature atmosphere in the processing space S2 for substrate processing.

예를 들면, 상기 기판지지부(200)는, 상면에 상기 기판(1)이 안착되는 평면 상 원형인 기판지지플레이트(210)와, 상기 공정챔버(100)의 하부면을 관통하여 상기 기판지지플레이트(210)와 연결되는 기판지지포스트(220)를 포함할 수 있다.For example, the substrate support part 200 includes a substrate support plate 210 having a circular shape on a plane on which the substrate 1 is seated on an upper surface, and the substrate support plate passing through the lower surface of the process chamber 100. It may include a substrate support post 220 connected to (210).

또한, 상기 기판지지부(200)는, 기판지지플레이트(210) 내에 설치되어 기판지지플레이트(210)에 안착되는 기판(1)을 가열하는 히터를 포함할 수 있다. In addition, the substrate support part 200 may include a heater installed in the substrate support plate 210 to heat the substrate 1 seated on the substrate support plate 210 .

상기 기판지지플레이트(210)는, 상면에 기판(1)이 안착되는 구성으로서, 기판(1)의 형상에 대응되어 평면 상 원형인 플레이트 구성일 수 있다.The substrate support plate 210 is a configuration on which the substrate 1 is seated on the upper surface, and may have a circular plate configuration corresponding to the shape of the substrate 1 on a plane.

이때, 상기 기판지지플레이트(210)는, 내부에 히터가 구비되어, 처리공간(S2)에 기판처리를 위한 공정온도를 조성할 수 있으며, 이때의 공정온도는 약 400℃ 내지 550℃일 수 있다. At this time, the substrate support plate 210 is provided with a heater therein to create a process temperature for substrate processing in the processing space S2, and the process temperature at this time may be about 400° C. to 550° C. .

상기 기판지지포스트(220)는, 공정챔버(100)의 하부면을 관통하여 기판지지플레이트(210)와 연결되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate support post 220 penetrates the lower surface of the process chamber 100 and is connected to the substrate support plate 210, and various configurations are possible.

상기 기판지지포스트(220)는, 공정챔버(100)의 하부면을 관통하여 기판지지플레이트(210)와 결합할 수 있으며, 내부에 히터에 전원을 공급하기 위한 각종 도선들이 설치될 수 있다.The substrate support post 220 may pass through the lower surface of the process chamber 100 and be coupled to the substrate support plate 210 , and various wires for supplying power to the heater may be installed therein.

한편, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 4에 도시된 바와 같이, 고압과 저압의 압력분위기를 단시간 내에 반복적으로 변화시켜 조성하는 기판처리를 수행하기 위한 장치로서, 보다 구체적으로는 5 Bar에서 0.01 Torr의 압력범위를 1Bar/s 수준의 압력변화 속도로 반복적으로 변화시켜야할 필요가 있다.On the other hand, as shown in FIG. 4, the substrate processing apparatus according to the present invention is a device for performing substrate processing by repeatedly changing a pressure atmosphere of high pressure and low pressure within a short time, and more specifically, at 5 Bar. It is necessary to repeatedly change the pressure range of 0.01 Torr at a pressure change rate of 1 Bar/s.

그러나, 챔버본체(110)의 내부공간(S1)의 방대한 공간 부피를 고려할 때 전술한 압력변화속도를 달성할 수 없는 바, 기판처리를 위한 처리공간(S2)의 부피를 최소화하여야 할 필요성이 있다.However, considering the enormous space volume of the inner space (S1) of the chamber body 110, it is impossible to achieve the above-mentioned pressure change rate, so there is a need to minimize the volume of the processing space (S2) for substrate processing. .

이를 위하여, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상기 내부공간(S1)에 상하이동 가능하도록 설치되며, 하강을 통해 일부가 상기 공정챔버(100)와 밀착되어 상기 기판지지부(200)가 내부에 위치하는 밀폐된 처리공간(S2)을 형성하는 이너리드부(300)를 포함한다.To this end, the substrate processing apparatus according to the present invention is installed to be movable up and down in the inner space (S1), and a part of it is in close contact with the process chamber 100 through descent, so that the substrate support part 200 is located inside. and an inner lead part 300 forming an enclosed processing space S2.

상기 이너리드부(300)는, 내부공간(S1)에 상하이동 가능하도록 설치되며, 하강을 통해 일부가 공정챔버(100)와 밀착되어 기판지지부(200)가 내부에 위치하는 밀폐된 처리공간(S2)을 형성하는 구성일 수 있다.The inner lead part 300 is installed to be movable up and down in the inner space S1, and a part of the inner lead part 300 is in close contact with the process chamber 100 through descent, and the closed processing space in which the substrate support part 200 is located inside ( S2) may be configured to form.

즉, 상기 이너리드부(300)는, 내부공간(S1) 중 기판지지부(200)의 상측에서 상하이동 가능하도록 설치되어, 하강을 통해 공정챔버(100)의 내부면 중 적어도 일부와 밀착됨으로써, 공정챔버(100)의 내측하부면과의 사이에 밀폐된 처리공간(S2)을 필요에 따라 형성할 수 있다.That is, the inner lead part 300 is installed so as to be able to move up and down on the upper side of the substrate support part 200 in the inner space S1, and comes into close contact with at least a part of the inner surface of the process chamber 100 through descent, An enclosed processing space S2 may be formed between the inner lower surface of the process chamber 100 as needed.

이에 따라, 상기 기판지지부(200)는, 처리공간(S2) 내에 위치할 수 있으며 기판지지부(200)에 안착되는 기판(1)에 대한 기판처리를 부피가 최소화된 처리공간(S2) 내에서 수행할 수 있다.Accordingly, the substrate support unit 200 may be located in the processing space S2, and substrate processing for the substrate 1 seated on the substrate support unit 200 is performed in the processing space S2 with a minimized volume. can do.

일예로, 상기 이너리드부(300)는, 하강을 통해 가장자리가 바닥면(120)에 밀착함으로써, 저면과 공정챔버(100)의 내측하부면 사이에서 밀폐된 처리공간(S2)을 형성할 수 있다.For example, the inner lead part 300 may form a sealed processing space S2 between the bottom surface and the inner lower surface of the process chamber 100 by bringing its edge into close contact with the bottom surface 120 through descent. there is.

한편, 다른 예로서, 상기 이너리드부(300)는, 하강을 통해 가장자리가 공정챔버(100)의 내측면에 밀착함으로써, 밀폐된 처리공간(S2)을 형성할 수 있음은 또한 물론이다. On the other hand, as another example, the edge of the inner lead part 300 is in close contact with the inner surface of the process chamber 100 through descent, so that the closed processing space S2 can be formed.

상기 이너리드부(300)는, 하강을 통해 가장자리가 바닥면(120)에 밀착하여 밀폐된 처리공간(S2)을 형성하고, 설치홈(130)에 설치되는 기판지지부(200)가 처리공간(S2) 내에 배치될 수 있다. The inner lead part 300 forms a closed processing space S2 by being in close contact with the bottom surface 120 through its edge through descent, and the substrate support part 200 installed in the installation groove 130 is in the processing space ( S2) can be placed in.

즉, 상기 이너리드부(300)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 하강을 통해 가장자리가 설치홈(130)과 단차를 가지고 높은 위치에 위치하는 바닥면(120)에 밀착함으로써, 저면과 설치홈(130) 사이에 밀폐된 처리공간(S2)을 형성할 수 있다.That is, as shown in FIG. 2, the inner lead part 300 adheres to the bottom surface 120 located at a high position with an edge having a step difference with the installation groove 130 through the descent, so that the bottom surface and the installation A sealed processing space S2 may be formed between the grooves 130 .

이때, 설치홈(130)에 기판지지부(200), 보다 구체적으로는 기판지지플레이트(210)가 설치됨으로써, 처리공간(S2)의 부피를 최소화하고 상면에 처리대상인 기판(1)을 위치시킬 수 있다. At this time, the substrate support part 200, more specifically, the substrate support plate 210 is installed in the installation groove 130, thereby minimizing the volume of the processing space S2 and positioning the substrate 1 to be processed on the upper surface. there is.

이 과정에서 처리공간(S2)의 부피를 최소화하기 위하여, 설치홈(130)은, 처리공간(S2)이 설치되는 기판지지부(200)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있으며, 보다 구체적으로는 원형의 기판지지플레이트(210)에 대응되어 원기둥 형태를 가지는 홈으로 형성될 수 있다. In this process, in order to minimize the volume of the processing space S2, the installation groove 130 may be formed in a shape corresponding to the substrate support 200 in which the processing space S2 is installed, and more specifically, a circular shape. Corresponding to the substrate support plate 210 of the can be formed as a groove having a cylindrical shape.

즉, 설치홈(130)이 형성하는 설치공간 중 기판지지플레이트(210)가 설치되는 공간을 제외한 잔여공간이 최소화되도록, 기판지지플레이트(210)의 형상에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.That is, it may be formed in a shape corresponding to the shape of the substrate support plate 210 so that the remaining space other than the space in which the substrate support plate 210 is installed is minimized among the installation spaces formed by the installation groove 130 .

이 과정에서 기판지지플레이트(210)의 상면에 안착되는 기판(1)과 이너리드부(300) 사이의 간섭을 방지하기 위하여, 바닥면(120)의 높이는 기판지지부(200)에 안착되는 기판(1)의 상면보다 높은 위치에 형성될 수 있다.In this process, in order to prevent interference between the substrate 1 seated on the upper surface of the substrate support plate 210 and the inner lead portion 300, the height of the bottom surface 120 is higher than the substrate seated on the substrate support portion 200 ( 1) can be formed at a higher position than the upper surface.

한편, 기판지지부(200)에 안착되는 기판(1)과 이너리드부(300)의 저면 사이의 간격이 넓어질수록, 처리공간(S2)의 부피 또한 커짐을 의미하므로, 기판(1)과 이너리드부(300) 사이의 간섭이 방지되면서도, 이들 사이의 간격이 최소화되는 위치에 바닥면(120)의 높이가 설정될 수 있다.Meanwhile, as the distance between the substrate 1 seated on the substrate support unit 200 and the bottom surface of the inner lead unit 300 widens, it means that the volume of the processing space S2 also increases. While interference between the lead parts 300 is prevented, the height of the bottom surface 120 may be set at a position where a distance between them is minimized.

상기 이너리드부(300)는, 이너리드구동부(600)를 통해 상하이동하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The inner lead unit 300 moves up and down through the inner lead driver 600, and various configurations are possible.

상기 이너리드부(300)는, 이너리드구동부(600)를 통해 내부공간(S1) 내에서 상하이동 가능한 구성일 수 있다. The inner lead part 300 may be vertically movable within the inner space S1 through the inner lead driver 600 .

이때, 상기 이너리드부(300)는, 평면 상 설치홈(130)을 복개하고 가장자리가 바닥면(120) 일부에 대응되는 크기로 형성될 수 있으며, 가장자리가 바닥면(120)에 밀착함으로써 설치홈(130)과의 사이에 밀폐된 처리공간(S2)을 형성할 수 있다.At this time, the inner lead part 300 may cover the installation groove 130 on a plane, have an edge formed in a size corresponding to a part of the bottom surface 120, and install by having the edge adhere to the bottom surface 120. A sealed processing space S2 may be formed between the groove 130 and the groove 130 .

한편, 상기 이너리드부(300)는, 다른 예로서 가장자리가 공정챔버(100)의 내측면에 밀착하여 처리공간(S2)을 형성할 수 있음은 또한 물론이다.Meanwhile, as another example, the inner lead part 300 may form the processing space S2 by being in close contact with the inner surface of the process chamber 100 .

또한, 상기 이너리드부(300)는, 상하이동에 따라 형성되는 밀폐된 처리공간(S2) 내의 공정온도를 효과적으로 달성 및 유지하기 위하여, 처리공간(S2)의 온도가 내부공간(S1) 등으로 손실되는 것을 방지할 수 있는 단열효과가 뛰어난 재질로 형성될 수 있다.In addition, the inner lead part 300, in order to effectively achieve and maintain the process temperature in the closed processing space S2 formed according to the vertical movement, the temperature of the processing space S2 is transferred to the inner space S1, etc. It can be formed of a material with excellent insulation effect that can prevent loss.

상기 실링부(900)는, 이너리드부(300) 또는 공정챔버(100) 바닥면(120) 중 적어도 하나에 구비되는 구성으로서, 공정챔버(100)의 바닥면(120)과 이너리드부(300)가 밀착하는 위치에 대응되어 구비될 수 있다.The sealing part 900 is provided on at least one of the inner lead part 300 and the bottom surface 120 of the process chamber 100, and the bottom surface 120 of the process chamber 100 and the inner lead part ( 300) may be provided to correspond to the close contact position.

즉, 상기 실링부(900)는, 이너리드부(300)의 가장자리가 바닥면(120)에 접촉하여 밀폐된 처리공간(S2)을 형성하는 경우, 이너리드부(300)의 저면 중 가장자리를 따라서 구비되어 바닥면(120)과의 사이에 접촉될 수 있다.That is, when the edge of the inner lead part 300 comes into contact with the bottom surface 120 to form the closed processing space S2, the sealing part 900 removes the edge of the bottom surface of the inner lead part 300. Therefore, it is provided and can be in contact with the bottom surface 120.

이로써, 상기 실링부(900)는, 밀폐된 처리공간(S2)이 형성되도록 유도할 수 있으며, 처리공간(S2)의 공정가스 등이 내부공간(S1) 등 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다. Thus, the sealing unit 900 can guide the closed processing space S2 to be formed, and can prevent process gas in the processing space S2 from leaking out to the outside, such as the inner space S1. .

예를 들면, 상기 실링부(900)는, 이너리드부(300)의 저면 중 가장자리를 따라서 구비되는 제1실링부재(910)와, 제1실링부재(910)에 일정 간격 이격된 위치에 구비되는 제2실링부재(920)를 포함할 수 있다.For example, the sealing part 900 is provided at a position spaced apart from the first sealing member 910 by a predetermined distance from the first sealing member 910 provided along the edge of the bottom surface of the inner lead part 300. It may include a second sealing member 920 to be.

이때, 상기 제1실링부재(910) 및 상기 제2실링부재(920)는, 종래 개시된 형태의 오링으로서, 이너리드부(300)의 저면 중 가장자리를 따라서 서로 일정 간격으로 이격되어 나란히 설치될 수 있다.At this time, the first sealing member 910 and the second sealing member 920 are conventionally disclosed O-rings, and may be spaced apart from each other at regular intervals along the edge of the bottom surface of the inner lead part 300 and installed side by side. there is.

즉, 상기 제1실링부재(910) 및 상기 제2실링부재(920)는, 이중으로 처리공간(S2)에 대한 실링을 수행함으로써, 처리공간(S2)으로부터 외부로의 공정가스 등의 유출을 차단할 수 있다.That is, the first sealing member 910 and the second sealing member 920 double seal the processing space S2, thereby preventing outflow of process gas from the processing space S2 to the outside. can block

한편, 상기 실링부(900)는, 바닥면(120)에 구비되는 삽입홈에 삽입되어 설치될 수 있으며, 이너리드부(300)의 상하이동에 따라 이너리드부(300)와 밀착되거나 분리될 수 있다. Meanwhile, the sealing part 900 may be installed by being inserted into an insertion groove provided on the bottom surface 120, and may come into close contact with or be separated from the inner lead part 300 as the inner lead part 300 moves up and down. can

다른 예로서, 실링부(900)가 이너리드부(300)의 저면에 구비될 수 있음은 또한 물론이다.As another example, it goes without saying that the sealing unit 900 may be provided on the lower surface of the inner lead unit 300 .

상기 펌핑부(500)는, 공정챔버(100) 중 상기 이너리드부(300)와 밀착위치에 설치되어 실링부(900)에 누출되는 공정가스를 펌핑하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The pumping unit 500 is installed in close contact with the inner lead unit 300 in the process chamber 100 to pump process gas leaking into the sealing unit 900, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 펌핑부(500)는, 이너리드부(300)와 공정챔버(100) 사이의 밀착위치에 대응되는 위치에서 공정챔버(100)의 하부면을 관통하여 설치됨으로써, 이너리드부(300)에 설치되는 실링부(900)를 펌핑할 수 있다.For example, the pumping unit 500 is installed through the lower surface of the process chamber 100 at a position corresponding to the close contact between the inner lead unit 300 and the process chamber 100, thereby forming the inner lead unit 500. The sealing part 900 installed in 300 can be pumped.

즉, 상기 펌핑부(500)는, 소모품인 실링부(900)에의 공정가스의 노출을 최소화함으로써, 고온 및 공정가스가 사용되는 처리공간(S2)에 노출되는 실링부(900)의 부식 및 손상을 최소화하여 내구성을 증대시킬 수 있다. That is, the pumping unit 500 minimizes the exposure of the process gas to the sealing unit 900, which is a consumable, thereby preventing corrosion and damage of the sealing unit 900 exposed to the processing space S2 where high temperature and process gas are used. can be minimized to increase durability.

이를 위하여, 상기 펌핑부(500)는, 제1실링부재(910)와 제2실링부재(920) 사이공간(S3)을 펌핑할 수 있다. To this end, the pumping unit 500 may pump the space S3 between the first sealing member 910 and the second sealing member 920 .

예를 들면, 상기 펌핑부(500)는, 외부에 구비되어 사이공간(S3)에 대한 펌핑을 수행하는 펌프(530)와, 제2실링부재(321)와 제2실링부재(920) 사이에 대응되는 위치에 설치되는 펌핑노즐(510)과, 일단이 펌핑노즐(510)에 연통되고 타단이 외부의 펌프(530)와 연결되도록, 공정챔버(100)의 하부면을 관통하여 구비되는 펌핑유로(520)를 포함할 수 있다. For example, the pumping unit 500 is provided outside the pump 530 for pumping the interspace S3, and between the second sealing member 321 and the second sealing member 920. A pumping nozzle 510 installed at a corresponding position, and a pumping oil provided through the lower surface of the process chamber 100 so that one end communicates with the pumping nozzle 510 and the other end connects with the external pump 530. (520).

이때, 상기 펌핑노즐(510)은, 실링부(900)를 따라서 평면 상 원형으로 형성될 수 있으며, 다른 예로서, 실링부(900)를 따라서 공정챔버(100)의 하부면에 형성되는 홈중 일부에 구비되어 홈을 따라서 펌핑을 수행하는 구성일 수 있다. At this time, the pumping nozzle 510 may be formed in a circular shape on a plane along the sealing portion 900, and as another example, some of the grooves formed on the lower surface of the process chamber 100 along the sealing portion 900. It may be provided in the configuration to perform pumping along the groove.

한편, 상기 펌핑유로(520)는, 공정챔버(100)의 하부면을 관통하도록 형성되는 별도의 배관구성일 수 있으며, 다른 예로서 공정챔버(100)의 하부면을 가공하여 형성될 수 있다.Meanwhile, the pumping passage 520 may be a separate pipe structure formed to pass through the lower surface of the process chamber 100, or may be formed by processing the lower surface of the process chamber 100 as another example.

한편, 상기 펌핑부(500)는, 실링부(900)로 누출되는 공정가스를 펌핑하는 전술한 예와는 달리, 제1실링부재(910)와 제2실링부재(920) 사이의 사이공간(S3)에 퍼지가스를 공급하는 구성일 수 있다.On the other hand, the pumping unit 500, unlike the above-described example of pumping the process gas leaking into the sealing unit 900, the space between the first sealing member 910 and the second sealing member 920 ( It may be configured to supply purge gas to S3).

상기 가스공급부(400)는, 처리공간(S2)과 연통되어, 처리공간(S2)에 공정가스를 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas supply unit 400 communicates with the processing space S2 and supplies process gas to the processing space S2, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 가스공급부(400)는, 처리공간(S2)에 노출되어 처리공간(S2) 내에 공정가스를 공급하는 가스공급노즐(410)과, 공정챔버(100)를 관통하여 가스공급노즐(410)과 연결되며 가스공급노즐(410)을 통해 공급되는 공정가스를 전달하는 가스공급유로(420)를 포함할 수 있다.For example, the gas supply unit 400 includes a gas supply nozzle 410 exposed to the processing space S2 and supplying process gas into the processing space S2, and a gas supply nozzle passing through the process chamber 100. It may include a gas supply passage 420 connected to the gas supply nozzle 410 and delivering process gas supplied through the gas supply nozzle 410 .

이때, 상기 가스공급부(400)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 설치홈(130)의 가장자리에 기판지지부(200)에 인접하여 설치될 수 있으며, 이로써 처리공간(S2)에 공정가스를 공급할 수 있다. At this time, as shown in FIG. 2, the gas supply unit 400 may be installed adjacent to the substrate support unit 200 at the edge of the installation groove 130, thereby supplying process gas to the processing space S2. can

한편, 이로써 처리공간(S2)은, 이너리드부(300)의 저면 중 일부와 가스공급부(400) 및 기판지지부(200)의 상면 사이에 형성될 수 있다. Meanwhile, as a result, the processing space S2 may be formed between a part of the lower surface of the inner lead part 300 and the upper surface of the gas supply part 400 and the substrate support part 200 .

상기 가스공급노즐(410)은, 처리공간(S2)에 노출되어 처리공간(S2) 내에 공정가스를 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas supply nozzle 410 is exposed to the processing space S2 and supplies process gas into the processing space S2, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 가스공급노즐(410)은, 설치홈(130)의 가장자리에 기판지지플레이트(210)의 측면에 인접하게 설치되며, 상측 또는 기판지지플레이트(210) 측으로 공정가스를 분사하여 처리공간(S2) 내에 공정가스를 공급할 수 있다.For example, the gas supply nozzle 410 is installed adjacent to the side surface of the substrate support plate 210 at the edge of the installation groove 130, and sprays process gas toward the upper side or toward the substrate support plate 210 for processing. A process gas may be supplied into the space S2.

이때, 상기 가스공급노즐(410)은, 설치홈(130)의 가장자리에 기판지지플레이트(210)를 둘러싸도록 구비되며, 평면 상 기판지지플레이트(210)의 측면 중 적어도 일부에서 공정가스를 분사할 수 있다.At this time, the gas supply nozzle 410 is provided to surround the substrate support plate 210 at the edge of the installation groove 130, and injects process gas from at least a part of the side surface of the substrate support plate 210 on a plane. can

일예로, 상기 가스공급노즐(410)은, 설치홈(130)의 가장자리에서 이너리드부(300)의 저면을 향해 공정가스를 분사할 수 있으며, 처리공간(S2)의 최소화된 부피에 따라 처리공간(S2)을 단시간 내에 원하는 압력으로 조성하기 위하여 공정가스를 공급할 수 있다. For example, the gas supply nozzle 410 may inject process gas from the edge of the installation groove 130 toward the bottom surface of the inner lead part 300, and process gas according to the minimized volume of the processing space S2. Process gas may be supplied to create a desired pressure in the space S2 within a short period of time.

상기 가스공급유로(420)는, 공정챔버(100)의 하부면을 관통하여 외부의 공정가스저장부와 연결될 수 있으며, 공정가스를 전달받아 공정가스공급노즐(410)에 공급할 수 있다. The gas supply passage 420 may pass through the lower surface of the process chamber 100 and be connected to an external process gas storage unit, and may receive process gas and supply it to the process gas supply nozzle 410 .

이때, 상기 가스공급유로(420)는, 공정챔버(100)의 하부면을 관통하여 설치되는 배관일 수 있으며, 다른 예로서 공정챔버(100)의 하부면을 가공하여 형성할 수 있다.In this case, the gas supply passage 420 may be a pipe installed through the lower surface of the process chamber 100, and as another example, may be formed by processing the lower surface of the process chamber 100.

상기 이너리드구동부(600)는, 공정챔버(100)의 상부면을 관통하여 설치되어, 이너리드부(300)의 상하이동을 구동하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The inner lead driver 600 is installed through the upper surface of the process chamber 100 to drive the vertical movement of the inner lead 300, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 이너리드구동부(600)는, 일단이 공정챔버(100)의 상부면을 관통하여 이너리드부(300)에 결합되는 복수의 구동로드(610)와, 복수의 구동로드(610)의 타단에 연결되어 구동로드(610)를 상하방향으로 구동하는 적어도 하나의 구동원(620)을 포함할 수 있다.For example, the inner lead driver 600 includes a plurality of driving rods 610 having one end penetrating the upper surface of the process chamber 100 and coupled to the inner lead part 300, and a plurality of driving rods 610. ) It may include at least one driving source 620 that is connected to the other end and drives the driving rod 610 in the vertical direction.

또한, 상기 이너리드구동부(600)는, 공정챔버(100)의 상부면, 즉 탑리드(140)에 설치되어 상기 구동로드(610)의 끝단을 고정하여 지지하는 고정지지부(640)와, 공정챔버(100)의 상부면과 이너리드부(300) 사이에 구동로드(610)를 감싸도록 설치되는 벨로우즈(630)를 추가로 포함할 수 있다. In addition, the inner lead driver 600 includes a fixed support 640 installed on the upper surface of the process chamber 100, that is, the top lid 140 to fix and support the end of the drive rod 610, A bellows 630 installed between the upper surface of the chamber 100 and the inner lead part 300 to surround the driving rod 610 may be further included.

상기 구동로드(610)는, 일단이 공정챔버(100)의 상부면을 관통하여 이너리드부(300)에 결합되고 타단이 공정챔버(100)의 외부에서 구동원(620)에 결합되어 구동원(620)을 통한 상하이동을 통해 이너리드부(300)를 상하로 구동하는 구성일 수 있다.The driving rod 610 has one end coupled to the inner lead part 300 passing through the upper surface of the process chamber 100 and the other end coupled to the driving source 620 outside the process chamber 100 so that the driving rod 620 ) may be configured to vertically drive the inner lead unit 300 through vertical movement.

이때, 상기 구동로드(610)는, 복수개, 보다 구체적으로는 2개 또는 4개가 이너리드부(300)의 상면에 일정간격으로 결합하여, 이너리드부(300)가 수평을 유지하면서 상하이동 하도록 유도할 수 있다.At this time, a plurality of driving rods 610, more specifically, two or four, are coupled to the upper surface of the inner lead part 300 at regular intervals so that the inner lead part 300 moves up and down while maintaining a horizontal position. can induce

상기 구동원(620)은, 고정지지부(640)에 설치되어 결합하는 구동로드(610)를 상하로 구동하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The driving source 620 is installed on the fixed support 640 to drive the coupled driving rod 610 up and down, and various configurations are possible.

상기 구동원(620)은, 종래 개시된 구동방식이면 어떠한 구성도 적용 가능하며, 예를 들면, 실린더방식, 전자기구동, 스크류모터 구동, 캠구동 등 다양한 구동방식이 적용될 수 있다.The driving source 620 can be applied to any configuration as long as it is a conventionally disclosed driving method, and for example, various driving methods such as a cylinder method, an electromagnetic drive, a screw motor drive, and a cam drive can be applied.

상기 벨로우즈(630)는, 공정챔버(100)의 상부면과 이너리드부(300) 사이에 구동로드(610)를 감싸도록 설치되어, 내부공간(S1)의 가스 등이 공정챔버(100)의 상부면을 통하여 누출되는 것을 방지하는 구성일 수 있다.The bellows 630 is installed between the upper surface of the process chamber 100 and the inner lead part 300 to surround the driving rod 610, so that the gas in the inner space S1 passes through the process chamber 100. It may be configured to prevent leakage through the upper surface.

한편, 상기 벨로우즈(630)는, 이너리드부(300)의 상하이동을 고려하여 설치될 수 있다.Meanwhile, the bellows 630 may be installed considering the vertical movement of the inner lead part 300 .

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치의 다른 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하며, 전술한 구성과 동일한 구성에 대한 중복설명은 생략한다.Hereinafter, another embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings, and redundant description of the same configuration as the above-described configuration will be omitted.

따라서, 중복설명이 생략된 구성에 대하여는 전술한 내용이 모두 동일하게 적용될 수 있다.Accordingly, all of the foregoing contents may be equally applied to configurations in which redundant descriptions are omitted.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상부가 개방되고 바닥면(120) 중심 측에 설치홈(130)이 형성되며 일측에 기판(1)을 반출입하기 위한 게이트(111)를 포함하는 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 상부에 결합되어 비처리공간(S3)을 형성하는 탑리드(140)를 포함하는 공정챔버(100)와; 상기 챔버본체(110)의 상기 설치홈(130)에 내삽되게 설치되며, 상면에 기판(1)이 안착되는 기판지지부(200)와; 상기 내부공간에 상하이동 가능하도록 설치되며, 하강을 통해 일부가 상기 설치홈(130)에 인접한 상기 바닥면(120)과 밀착되어 상기 기판지지부(200)가 내부에 위치하는 밀폐된 처리공간(S2)을 형성하는 이너리드부(300)와; 상기 처리공간(S2)과 연통되며, 상기 처리공간(S2)에 대한 압력을 조절하는 제1압력조절부(700)와; 상기 비처리공간(S3)과 연통되며, 상기 처리공간(S2)과 독립적으로 상기 비처리공간(S3)에 대한 압력을 조절하는 제2압력조절부(800)를 포함한다.As shown in FIG. 5, the substrate processing apparatus according to the present invention has an open top, an installation groove 130 formed at the center of the bottom surface 120, and a gate 111 for carrying in and out of the substrate 1 on one side. ) and a process chamber 100 including a chamber body 110 including a chamber body 110 and a top lid 140 coupled to an upper portion of the chamber body 110 to form a non-processing space S3; a substrate support part 200 installed to be inserted into the installation groove 130 of the chamber body 110 and on which the substrate 1 is seated; It is installed in the inner space so as to be movable up and down, and a part of it is in close contact with the bottom surface 120 adjacent to the installation groove 130 through descent, and the substrate support part 200 is located therein. ) and the inner lead portion 300 forming; a first pressure controller 700 communicating with the processing space S2 and adjusting the pressure in the processing space S2; It communicates with the non-processing space (S3) and includes a second pressure adjusting unit (800) for adjusting the pressure for the non-processing space (S3) independently of the processing space (S2).

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상기 공정챔버(100)의 상부면을 관통하여 설치되어, 상기 이너리드부(300)의 상하이동을 구동하는 이너리드구동부(600)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention may further include an inner lead driver 600 installed through the upper surface of the process chamber 100 to drive the vertical movement of the inner lead portion 300. can

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1압력조절부(700) 및 제2압력조절부(800)를 통한 처리공간(S2) 및 비처리공간(S3)에 대한 압력조절을 제어하는 제어부를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 5, the processing space (S2) and the non-processing space (S3) through the first pressure adjusting unit 700 and the second pressure adjusting unit 800 It may further include a control unit for controlling the pressure control for.

또한, 상기 공정챔버(100)는, 일측에 후술하는 제2가스공급부(810)가 연결되어 충진가스를 비처리공간(S3)으로 공급하도록 구비되는 가스공급홀(170)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the process chamber 100 may further include a gas supply hole 170 connected to a second gas supply unit 810 to be described below at one side to supply filling gas to the non-processing space S3. there is.

또한, 상기 공정챔버(100)는, 타측에 후술하는 제2가스배기부(820)가 연결되어, 비처리공간(S3)을 배기하기하도록 구비되는 가스배기홀(180)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the process chamber 100 may further include a gas exhaust hole 180 provided to exhaust a non-processing space S3 by connecting a second gas exhaust unit 820 to be described below to the other side thereof. there is.

상기 가스공급홀(170)는, 공정챔버(100)의 챔버본체(110) 일측에 구비되며, 제2가스공급부(810)가 연결되는 구성일 수 있다.The gas supply hole 170 may be provided on one side of the chamber body 110 of the process chamber 100 and connected to the second gas supply unit 810 .

예를 들면, 상기 가스공급홀(170)는, 챔버본체(110)의 일측에 가공을 통해 형성되거나, 챔버본체(110)의 일측에 형성되는 관통구에 설치되어 구비될 수 있다.For example, the gas supply hole 170 may be formed through processing on one side of the chamber body 110 or installed in a through hole formed on one side of the chamber body 110 .

이로써, 상기 가스공급홀(170)는, 제2가스공급부(810)가 설치되어 비처리공간(S3)과 제2가스공급부(810)를 연결할 수 있으며, 이를 통해 비처리공간(S3)에 충진가스를 공급하도록 할 수 있다.Thus, in the gas supply hole 170, the second gas supply unit 810 is installed to connect the non-processing space S3 and the second gas supply unit 810, through which the non-processing space S3 is filled. gas can be supplied.

상기 가스배기홀(180)는, 공정챔버(100)의 챔버본체(110) 타측에 구비되며, 제2가스배기부(820)가 연결되는 구성일 수 있다.The gas exhaust hole 180 may be provided on the other side of the chamber body 110 of the process chamber 100 and connected to the second gas exhaust unit 820 .

예를 들면, 상기 가스배기홀(180)는, 챔버본체(110)의 타측에 가공을 통해 형성되거나, 챔버본체(110)의 타측에 형성되는 관통구에 설치되어 구비될 수 있다.For example, the gas exhaust hole 180 may be formed through processing on the other side of the chamber body 110 or installed in a through hole formed on the other side of the chamber body 110 .

이로써, 상기 가스배기홀(180)는, 제2가스배기부(820)가 설치되어 비처리공간(S3)에 대한 배기를 수행하도록 할 수 있다. Thus, in the gas exhaust hole 180, the second gas exhaust unit 820 may be installed to exhaust the non-processing space S3.

이때, 상기 이너리드부(300)는, 평면 상 설치홈(130)을 복개하고 가장자리가 바닥면(120) 일부에 대응되는 크기로 형성될 수 있으며, 가장자리가 바닥면(120)에 밀착함으로써 설치홈(130)과의 사이에 밀폐된 처리공간(S2)을 형성할 수 있다.At this time, the inner lead part 300 may cover the installation groove 130 on a plane, have an edge formed in a size corresponding to a part of the bottom surface 120, and install by having the edge adhere to the bottom surface 120. A sealed processing space S2 may be formed between the groove 130 and the groove 130 .

한편, 상기 이너리드부(300)는, 다른 예로서 가장자리가 공정챔버(100)의 내측면에 밀착하여 처리공간(S2)을 형성할 수 있음은 또한 물론이다.Meanwhile, as another example, the inner lead part 300 may form the processing space S2 by being in close contact with the inner surface of the process chamber 100 .

또한, 상기 이너리드부(300)는, 상하이동에 따라 형성되는 밀폐된 처리공간(S2) 내의 공정온도를 효과적으로 달성 및 유지하기 위하여, 처리공간(S2)의 온도가 내부공간 등으로 손실되는 것을 방지할 수 있는 단열효과가 뛰어난 재질로 형성될 수 있다.In addition, the inner lead part 300 prevents the temperature of the processing space S2 from being lost to the inner space in order to effectively achieve and maintain the process temperature in the closed processing space S2 formed according to the vertical movement. It can be formed of a material with excellent heat insulation effect that can be prevented.

즉, 상기 이너리드부(300)는, 내부공간(S1)에 상하이동 가능하도록 설치되며, 하강을 통해 일부가 설치홈(130)에 인접한 바닥면(120)과 밀착되어 내부공간(S1)을 상기 기판지지부(200)가 내부에 위치하는 밀폐된 처리공간(S2)과, 그 이외의 비처리공간(S3)으로 분할할 수 있다.That is, the inner lead part 300 is installed to be movable up and down in the inner space S1, and a part of the inner lead part 300 comes into close contact with the bottom surface 120 adjacent to the installation groove 130 through descent to form the inner space S1. The substrate support unit 200 may be divided into a closed processing space S2 located inside and a non-processing space S3 other than that.

결과적으로, 상기 이너리드부(300)는, 공정챔버(100) 내부의 내부공간(S1)을 하강을 통해 바닥면(120)과 밀착하여 기판지지부(200)가 내부에 위치하는 밀폐된 처리공간(S2)과 이외의 비처리공간(S3)으로 분할할 수 있고, 상승을 통해 처리공간(S2)과 비처리공간(S3)을 연통할 수 있다.As a result, the inner lead part 300 comes into close contact with the bottom surface 120 through the descent of the inner space S1 inside the process chamber 100, and the closed processing space in which the substrate support part 200 is located therein. It can be divided into (S2) and a non-processing space (S3), and the processing space (S2) and the non-processing space (S3) can be communicated through an elevation.

상기 제1압력조절부(700)는, 처리공간(S2)과 연통되며, 처리공간(S2)에 대한 압력을 조절하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The first pressure controller 700 communicates with the processing space S2 and controls the pressure in the processing space S2, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 제1압력조절부(700)는, 처리공간(S2)에 공정가스를 공급하는 가스공급부(400)와, 처리공간(S2)에 대한 배기를 수행하는 가스배기부(720)를 포함할 수 있다.For example, the first pressure controller 700 includes a gas supply unit 400 supplying process gas to the processing space S2 and a gas exhaust unit 720 exhausting the processing space S2. can include

즉, 상기 제1압력조절부(700)는, 처리공간(S2)에 공정가스를 공급하고 처리공간(S2)을 적절히 배기함으로써, 처리공간(S2)에 대한 압력을 조절할 수 있으며, 이를 통해 도 6에 도시된 바와 같이, 처리공간(S2)을 고압과 저압의 압력분위기를 단시간 내에 반복적으로 변화시켜 조성할 수 있다.That is, the first pressure controller 700 may adjust the pressure in the processing space S2 by supplying process gas to the processing space S2 and properly exhausting the processing space S2, through which As shown in FIG. 6, the processing space S2 can be created by repeatedly changing the pressure atmosphere of high pressure and low pressure within a short period of time.

이때, 보다 구체적으로는 처리공간(S2)의 압력을 5 Bar에서 0.01 Torr의 압력범위 사이에서 1Bar/s 수준의 압력변화 속도로 반복적으로 변화시킬 수 있다. At this time, more specifically, the pressure of the processing space (S2) can be repeatedly changed at a pressure change rate of 1 Bar/s level between the pressure range of 5 Bar and 0.01 Torr.

특히, 이때 상기 제1압력조절부(700)는, 제1압력에서 상압으로 처리공간(S2)의 압력을 하강시키고, 상압에서 진공의 제2압력으로 처리공간(S2)의 압력을 단계적으로 하강시킬 수 있다.In particular, at this time, the first pressure controller 700 lowers the pressure of the processing space S2 from the first pressure to the normal pressure, and gradually lowers the pressure of the processing space S2 from the normal pressure to the second vacuum pressure. can make it

또한, 상기 제1압력조절부(700)는, 기판처리를 위하여 처리공간(S2)의 압력을 제1압력에서 제2압력을 거쳐 제1압력으로 순차적으로 복수회 반복 변압할 수 있다.In addition, the first pressure controller 700 may sequentially and repeatedly change the pressure in the processing space S2 from the first pressure to the second pressure to the first pressure for substrate processing.

상기 가스공급부(400)는, 처리공간(S2)에 연통되어 공정가스를 공급하는 구성으로서, 전술한 구성이 동일하게 적용되는 바 상세한 설명은 생략한다.The gas supply unit 400 communicates with the processing space S2 to supply process gas, and since the above-described configuration is equally applied, a detailed description thereof will be omitted.

상기 가스배기부(720)는, 처리공간(S2)에 대한 배기를 수행하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas exhaust unit 720 is configured to exhaust the processing space S2, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 가스배기부(720)는, 처리공간(S2)과 연통되며 외부에 설치되는 외부배기장치를 포함함으로써 처리공간(S2)에 대한 배기량을 제어할 수 있고 이로써 처리공간(S2)의 압력을 조절할 수 있다. For example, the gas exhaust unit 720 communicates with the processing space (S2) and includes an external exhaust device installed outside, thereby controlling the exhaust amount of the processing space (S2), thereby reducing the processing space (S2). pressure can be adjusted.

상기 제2압력조절부(800)는, 비처리공간(S3)과 연통되며, 처리공간(S2)과 독립적으로 비처리공간(S3)에 대한 압력을 조절하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The second pressure adjusting unit 800 communicates with the non-processing space S3 and controls the pressure in the non-processing space S3 independently of the processing space S2, and various configurations are possible.

특히, 상기 제2압력조절부(800)는, 처리공간(S2)과 구분되어 형성되는 비처리공간(S3)을 처리공간(S2)과 독립적으로 압력을 조절할 수 있다. In particular, the second pressure adjusting unit 800 may control the pressure of the non-processing space S3 formed separately from the processing space S2 independently of the processing space S2.

예를 들면, 상기 제2압력조절부(800)는, 상기 비처리공간(S3)과 연통되며, 상기 비처리공간(S3)에 충진가스를 공급하는 제2가스공급부(810)와, 비처리공간(S3)에 대한 배기를 수행하는 제2가스배기부(820)를 포함할 수 있다.For example, the second pressure adjusting unit 800 communicates with the non-processing space S3 and includes a second gas supply unit 810 supplying a filling gas to the non-processing space S3, and a non-processing space S3. A second gas exhaust unit 820 for exhausting the space S3 may be included.

상기 제2가스공급부(810)는, 전술한 가스공급홀(170)에 연결되어 비처리공간(S3)으로 충진가스를 공급할 수 있으며, 이를 통해 비처리공간(S3)에 대한 압력을 조절할 수 있다.The second gas supply unit 810 is connected to the aforementioned gas supply hole 170 to supply a filling gas to the non-processing space S3, and through this, the pressure in the non-processing space S3 can be adjusted. .

상기 제2가스배기부(820)는, 전술한 가스배기홀(180)에 연결되어 비처리공간(S3)에 대한 배기를 수행하는 구성으로서, 이를 통해 비처리공간(S3)에 대한 압력을 조절할 수 있다.The second gas exhaust unit 820 is connected to the above-described gas exhaust hole 180 and is configured to exhaust the non-processing space S3, through which the pressure in the non-processing space S3 can be adjusted. can

한편, 상기 제2가스공급부(810) 및 상기 제2가스배기부(820)는, 종래 개시된 충진가스의 공급과 배기를 수행하는 구성이면 어떠한 구성도 적용 가능하다.On the other hand, the second gas supply unit 810 and the second gas exhaust unit 820 can be applied to any configuration as long as it is a conventionally disclosed configuration for supplying and exhausting the filling gas.

상기 제2압력조절부(800)는, 기판처리를 위하여 기판(1)이 안착되는 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 제1압력에서 제2압력으로 변화시키는 과정에서, 비처리공간(S3)의 압력을 일정하게 유지할 수 있다. The second pressure adjusting unit 800, in the process of changing the pressure of the processing space S2 in which the substrate 1 is seated, from the first pressure higher than the normal pressure to the second pressure for substrate processing, the non-processing space ( The pressure of S3) can be kept constant.

이때, 상기 제2압력조절부(800)는, 기판처리가 수행되는 동안 비처리공간(S3)의 압력을 진공으로 유지할 수 있으며, 이 과정에서 처리공간(S2)의 압력보다 낮거나 같게 유지될 수 있다.At this time, the second pressure controller 800 may maintain the pressure in the non-processing space S3 as a vacuum while the substrate processing is performed, and during this process, the pressure in the processing space S2 may be maintained at a level equal to or lower than that of the processing space S2. can

즉, 상기 제2압력조절부(800)는, 기판처리 과정에서 비처리공간(S3)의 압력을 제2압력인 0.01 Torr로 일정하게 유지함으로써, 처리공간(S2)의 압력보다 같거나 낮게 유지하고, 이를 통해 비처리공간(S3)의 불순물 등의 처리공간(S2)으로의 유입을 방지할 수 있다.That is, the second pressure controller 800 maintains the pressure of the non-processing space S3 constant at 0.01 Torr, which is the second pressure, during the substrate processing process, thereby maintaining the same or lower pressure than the pressure of the processing space S2. Through this, it is possible to prevent impurities such as impurities from the non-processing space S3 from entering the processing space S2.

한편, 다른 예로서 상기 제2압력조절부(800)는, 비처리공간(S3)의 압력을 변압시킬 수 있으며, 이 과정에서도 처리공간(S2)의 압력보다는 낮은 압력값을 가지도록 할 수 있다.Meanwhile, as another example, the second pressure controller 800 may change the pressure in the non-processing space S3, and even in this process, it may have a lower pressure value than the pressure in the processing space S2. .

또한, 상기 제2압력조절부(800)는, 기판처리 과정에서 비처리공간(S3)에 대한 충진가스의 공급없이 배기만을 통해 비처리공간(S3)의 압력을 조절할 수 있다. In addition, the second pressure controller 800 may adjust the pressure in the non-processing space S3 through exhaust only without supplying a filling gas to the non-processing space S3 during the substrate processing process.

즉, 상기 제2압력조절부(800)는, 제2가스공급부(810)에 따른 충진가스의 공급없이 제2가스배기부(820)의 작동만을 통해 비처리공간(S3)에 대한 압력을 조절할 수 있다.That is, the second pressure adjusting unit 800 controls the pressure in the non-processing space S3 only through the operation of the second gas exhaust unit 820 without supplying the filling gas according to the second gas supply unit 810. can

한편, 다른 예로서, 상기 제2압력조절부(800)는, 비처리공간(S3)에 충진가스를 공급하여, 제2가스배기부(820)의 배기와 함께 비처리공간(S3)의 압력을 조절할 수 있음은 또한 물론이다. On the other hand, as another example, the second pressure controller 800 supplies a filling gas to the non-processing space S3, and the pressure of the non-processing space S3 together with the exhaust of the second gas exhaust unit 820. Of course, it is also possible to adjust.

한편, 전술한 바와 달리 상기 제2압력조절부(800)는, 공정챔버(100), 즉 챔버본체(110)의 일측에 형성되는 가스배기홀(180)과, 타측에 형성되는 가스공급홀(170)로서 외부로부터 공급되는 충진가스를 전달하는 가스공급홀(170)과 비처리공간(S3)에 대한 배기를 수행하는 가스배기홀(180)일 수 있다.On the other hand, unlike the above, the second pressure adjusting unit 800 has a gas exhaust hole 180 formed on one side of the process chamber 100, that is, the chamber body 110, and a gas supply hole formed on the other side ( 170), it may be a gas supply hole 170 for delivering a filling gas supplied from the outside and a gas exhaust hole 180 for exhausting the non-processing space S3.

상기 제어부는, 제1압력조절부(700) 및 제2압력조절부(800)를 통한 처리공간(S2) 및 비처리공간(S3)에 대한 압력조절을 제어하는 구성일 수 있다.The control unit may be configured to control pressure control in the processing space S2 and the non-processing space S3 through the first pressure adjusting unit 700 and the second pressure adjusting unit 800 .

특히, 상기 제어부는, 기판처리의 공정단계와 연계되어, 각 단계에서의 비처리공간(S3) 및 처리공간(S2)의 제1압력조절부(700) 및 제2압력조절부(800)를 통한 제어를 수행할 수 있다.In particular, the control unit is linked to the process step of substrate processing, and controls the first pressure control unit 700 and the second pressure control unit 800 in the non-processing space S3 and the processing space S2 in each step. control can be performed.

예를 들면, 상기 제어부는, 이너리드부(300)가 상승하여 처리공간(S2) 및 비처리공간(S3)이 서로 연통된 상태에서, 가스공급부(400)를 통해 퍼지가스를 공급하고 제2가스배기부(820)를 통해 배기를 수행할 수 있다.For example, the control unit supplies purge gas through the gas supply unit 400 in a state in which the inner lead unit 300 rises and the processing space S2 and the non-processing space S3 communicate with each other, and the second Exhaust may be performed through the gas exhaust unit 820 .

보다 구체적으로, 상기 제어부는, 기판처리가 수행되는 처리공간(S2)에 대한 클리닝을 수행하기 위하여, 이너리드부(300)가 상승하여 처리공간(S2)과 비처리공간(S3)이 서로 연통된 상태에서, 가스공급부(400)를 통해 퍼지가스를 공급하여 기판처리가 수행된 기판지지부(200) 주위를 클리닝 또는 퍼징할 수 있다.More specifically, in order to perform cleaning of the processing space S2 where substrate processing is performed, the control unit raises the inner lead unit 300 so that the processing space S2 and the non-processing space S3 communicate with each other. In this state, a purge gas may be supplied through the gas supply unit 400 to clean or purge the area around the substrate support unit 200 where substrate processing has been performed.

더 나아가, 공정챔버(100)의 측면에 구비되는 제2가스배기부(820)를 통해 퍼지가스를 배기함으로써, 가스공급부(400)를 통해 공급된 퍼지가스의 측면으로의 상승흐름을 유도하여 내부 부유물을 비처리공간(S3) 및 외부로 배출하도록 유도할 수 있다. Furthermore, by exhausting the purge gas through the second gas exhaust unit 820 provided on the side surface of the process chamber 100, an upward flow of the purge gas supplied through the gas supply unit 400 is induced to the side surface to induce internal flow. Floating matter may be induced to be discharged to the non-processing space (S3) and the outside.

또한, 상기 제어부는, 이너리드부(300)의 상승 전, 제1압력조절부(700) 및 제2압력조절부(800) 중 적어도 하나를 통해 처리공간(S2)과 비처리공간(S3)의 압력을 서로 동일하도록 조절할 수 있다.In addition, before the rise of the inner lead part 300, the control unit controls the processing space S2 and the non-processing space S3 through at least one of the first pressure adjusting unit 700 and the second pressure adjusting unit 800. pressure can be adjusted to be equal to each other.

보다 구체적으로, 상기 제어부는, 이너리드부(300)의 하강으로 밀폐된 처리공간(S2)이 형성된 상태에서 기판처리가 수행되고, 처리가 완료된 기판(1)에 대한 반출을 위하여 이너리드부(300)가 상승되기 전, 비처리공간(S3)과 처리공간(S2) 사이의 압력차로 인한 기판(1)에 대한 위치변화 또는 손상을 방지하기 위하여 제1압력조절부(700) 및 제2압력조절부(800) 중 적어도 하나를 통한 비처리공간(S3)과 처리공간(S2) 사이의 압력이 동일하도록 제어할 수 있다.More specifically, the control unit performs substrate processing in a state in which the process space S2 sealed by the descent of the inner lead unit 300 is formed, and the inner lead unit ( 300) before being raised, the first pressure adjusting unit 700 and the second pressure control unit 700 in order to prevent position change or damage to the substrate 1 due to the pressure difference between the non-processing space S3 and the processing space S2 The pressure between the non-processing space S3 and the processing space S2 through at least one of the control units 800 may be controlled to be the same.

즉, 상기 제어부는, 비처리공간(S3)과 처리공간(S2) 사이의 압력차가 유지된 상태에서 이너리드부(300)의 상승으로 인해 비처리공간(S3)과 처리공간(S2)이 연통되는 경우, 압력차에 따른 일방향으로의 기류 발생에 따라 기판(1)이 영향받는 것을 방지하기 위하여, 이들 사이의 압력을 동일하게 조절하도록 제1압력조절부(700) 및 제2압력조절부(800) 중 적어도 하나를 제어할 수 있다.That is, the control unit communicates between the non-processing space S3 and the processing space S2 due to the rise of the inner lead part 300 in a state where the pressure difference between the non-processing space S3 and the processing space S2 is maintained. In this case, in order to prevent the substrate 1 from being affected by air flow in one direction according to the pressure difference, the first pressure adjusting unit 700 and the second pressure adjusting unit (700) and the second pressure adjusting unit ( 800), at least one of which may be controlled.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above has only been described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as noted, the scope of the present invention should not be construed as being limited to the above embodiments, and the scope of the present invention described above It will be said that the technical idea and the technical idea together with the root are all included in the scope of the present invention.

100: 공정챔버 200: 기판지지부
300: 이너리드부 400: 가스공급부
500: 펌핑부 600: 이너리드구동부100: process chamber 200: substrate support
300: inner lead part 400: gas supply part
500: pumping unit 600: inner lead driving unit

Claims (13)

상부가 개방되고 바닥면(120) 중심 측에 설치홈(130)이 형성되며 일측에 기판(1)을 반출입하기 위한 게이트(111)를 포함하는 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 상부에 결합되어 내부공간(S1)을 형성하는 탑리드(140)를 포함하는 공정챔버(100)와;
상기 챔버본체(110)의 상기 설치홈(130)에 내삽되게 설치되며, 상면에 기판(1)이 안착되는 기판지지부(200)와;
상기 내부공간(S1)에 상하이동 가능하도록 설치되며, 하강을 통해 일부가 상기 설치홈(130)에 인접한 상기 바닥면(120)과 밀착되어 상기 기판지지부(200)가 내부에 위치하는 밀폐된 처리공간(S2)을 형성하는 이너리드부(300)와;
상기 처리공간(S2)과 연통되게 설치되어, 상기 처리공간(S2)에 공정가스를 공급하는 가스공급부(400)와;
상기 탑리드(140)를 관통하여 설치되어, 상기 이너리드부(300)의 상하이동을 구동하는 이너리드구동부(600)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. A chamber body 110 having an open top, an installation groove 130 formed at the center of the bottom surface 120, and a gate 111 for carrying in and out of the substrate 1 on one side, and the chamber body 110 a process chamber 100 including a top lid 140 coupled to an upper portion of the inner space S1;
a substrate support part 200 installed to be inserted into the installation groove 130 of the chamber body 110 and on which the substrate 1 is seated;
It is installed in the inner space (S1) so as to be movable up and down, and through descent, a part is in close contact with the bottom surface 120 adjacent to the installation groove 130, and the substrate support part 200 is located inside. an inner lead part 300 forming a space S2;
a gas supply unit 400 installed in communication with the processing space S2 and supplying a process gas to the processing space S2;
and an inner lead driving unit 600 installed through the top lid 140 to drive the vertical movement of the inner lead unit 300. 청구항 1에 있어서,
상기 바닥면(120)은,
상기 기판지지부(200)에 안착되는 상기 기판(1)의 상면보다 높게 위치하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 1,
The bottom surface 120,
The substrate processing apparatus, characterized in that located higher than the upper surface of the substrate (1) seated on the substrate support (200). 청구항 2에 있어서,
상기 설치홈(130)은,
상기 처리공간(S2)이 최소화되도록 설치되는 상기 기판지지부(200)에 대응되는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 2,
The installation groove 130,
The substrate processing apparatus, characterized in that formed in a shape corresponding to the substrate support portion 200 installed to minimize the processing space (S2). 청구항 2에 있어서,
상기 기판지지부(200)는,
상면에 상기 기판(1)이 안착되는 평면 상 원형인 기판지지플레이트(210)와, 상기 설치홈(130)의 바닥을 관통하여 상기 기판지지플레이트(210)와 연결되는 기판지지포스트(220)를 포함하며,
상기 설치홈(130)은,
상기 기판지지플레이트(210)가 설치되는 공간을 제외한 잔여공간이 최소화되도록, 상기 기판지지플레이트(210)에 대응되는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 2,
The substrate support part 200,
A substrate support plate 210 having a circular shape on a plane on which the substrate 1 is seated on the upper surface, and a substrate support post 220 connected to the substrate support plate 210 through the bottom of the installation groove 130 contains,
The installation groove 130,
The substrate processing apparatus, characterized in that formed in a shape corresponding to the substrate support plate 210 so that the remaining space other than the space where the substrate support plate 210 is installed is minimized. 청구항 1에 있어서,
상기 이너리드부(300)와 상기 바닥면(120)이 밀착되는 위치에서 상기 이너리드부(300)의 저면 또는 상기 바닥면(120) 중 어느 하나에 구비되는 실링부(900)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
Including the sealing part 900 provided on either the bottom surface of the inner lead part 300 or the bottom surface 120 at a position where the inner lead part 300 and the bottom surface 120 come into close contact. Characterized by a substrate processing apparatus. 청구항 5에 있어서,
상기 실링부(900)는,
상기 이너리드부(300)의 저면 중 가장자리를 따라서 구비되는 제1실링부재(910)와, 상기 제1실링부재(910)에 일정 간격 이격된 위치에 구비되는 제2실링부재(920)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 5,
The sealing part 900,
A first sealing member 910 provided along the edge of the bottom surface of the inner lead part 300, and a second sealing member 920 provided at a position spaced apart from the first sealing member 910 by a predetermined interval. A substrate processing apparatus characterized in that for doing. 청구항 6에 있어서,
상기 공정챔버(100) 중 상기 이너리드부(300)와 밀착위치에 설치되어 상기 실링부(900)를 펌핑하는 펌핑부(500)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 6,
The substrate processing apparatus further comprises a pumping unit 500 installed in close contact with the inner lead unit 300 in the process chamber 100 to pump the sealing unit 900. 청구항 7에 있어서,
상기 펌핑부(500)는,
상기 제1실링부재(910)와 상기 제2실링부재(920) 사이공간(S3)을 펌핑하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 7,
The pumping unit 500,
The substrate processing apparatus, characterized in that for pumping the space (S3) between the first sealing member (910) and the second sealing member (920). 청구항 1에 있어서,
상기 가스공급부(400)는,
상기 기판지지부(200)의 가장자리에 인접하여 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The gas supply unit 400,
Substrate processing apparatus, characterized in that installed adjacent to the edge of the substrate support portion (200). 청구항 9에 있어서,
상기 처리공간(S2)은,
상기 이너리드부(300)의 저면 중 일부와 상기 가스공급부(400)와 상기 기판지지부(200)를 잇는 상면 사이에 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 9,
The processing space (S2),
A substrate processing apparatus characterized in that it is formed between a part of the lower surface of the inner lead part 300 and an upper surface connecting the gas supply part 400 and the substrate support part 200. 청구항 1에 있어서,
상기 가스공급부(400)는,
상기 설치홈(130)의 가장자리에 설치되어 상기 공정가스를 분사하는 가스분사부(410)와, 상기 공정챔버(100)의 하부면을 관통하여 구비되어 외부로부터 상기 공정가스를 상기 가스분사부(410)에 공급하는 가스공급유로(420)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 1,
The gas supply unit 400,
The gas injection unit 410 installed at the edge of the installation groove 130 to inject the process gas, and the gas injection unit 410 provided through the lower surface of the process chamber 100 to supply the process gas from the outside ( A substrate processing apparatus comprising a gas supply passage 420 supplying gas to 410). 청구항 1에 있어서,
상기 이너리드구동부(600)는,
일단이 상기 공정챔버(100)의 상부면을 관통하여 상기 이너리드부(300)에 결합되는 복수의 구동로드(610)와, 복수의 상기 구동로드(610)의 타단에 연결되어 상기 구동로드(610)를 상하방향으로 구동하는 적어도 하나의 구동원(620)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The inner lead driver 600,
A plurality of driving rods 610 having one end passing through the upper surface of the process chamber 100 and coupled to the inner lead part 300, and connected to the other end of the plurality of driving rods 610, the driving rod ( A substrate processing apparatus comprising at least one driving source 620 for driving the 610 in the vertical direction. 청구항 12에 있어서,
상기 이너리드구동부(600)는,
상기 공정챔버(100)의 상부면과 상기 이너리드부(300) 사이에 상기 구동로드(610)를 감싸도록 설치되는 벨로우즈(630)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 12,
The inner lead driver 600,
The substrate processing apparatus further comprises a bellows 630 installed between the upper surface of the process chamber 100 and the inner lead part 300 to surround the driving rod 610.
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KR1020220100375A KR20230034145A (en) 2021-09-02 2022-08-11 Substrate processing apparatus

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