KR20230040073A - Substrate processing method - Google Patents

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KR20230040073A
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이정환
정청환
노성호
김태동
금문철
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주식회사 원익아이피에스
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Abstract

A substrate processing device includes: a process chamber comprising a chamber body and a top lead; a substrate support part; an inner lead part; a processing space pressure control part, and a non-processing space pressure control part. The process chamber comprises a bottom surface with an open top and an installation groove, a chamber body with a gate, and a top lead. Therefore, it is possible to provide a substrate processing device with improved durability by dichotomizing an exhaust line according to the pressure of a processing space.

Description

기판처리장치{Substrate processing method} Substrate processing device {Substrate processing method}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고압과 저압 사이의 변압을 통해 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing by transforming a pressure between a high pressure and a low pressure.

기판처리장치는 웨이퍼와 같은 기판에 대한 공정을 처리하는 것으로서, 일반적으로 기판에 대한 식각, 증착, 열처리 등이 수행될 수 있다.A substrate processing apparatus processes a process for a substrate such as a wafer, and may generally perform etching, deposition, heat treatment, and the like on the substrate.

이때, 기판 상에 증착을 통한 막을 형성하는 경우, 기판의 박막 형성 후 막 내 불순물 제거 및 막의 특성을 개선하기 위한 공정이 요구되고 있다.At this time, in the case of forming a film on a substrate through deposition, a process for removing impurities in the film and improving properties of the film after forming a thin film on the substrate is required.

특히, 3차원 반도체 소자들, 높은 종횡비를 갖는 기판들의 등장에 따라 스텝 커버리지의 규격을 만족하기 위해 증착 온도를 보다 저온화하거나, 불순물의 함량이 높은 가스를 필연적으로 사용하게 됨으로써, 막 내의 불순물 제거가 더욱 어려워지고 있는 실정이다. In particular, with the advent of 3D semiconductor devices and substrates with a high aspect ratio, the deposition temperature is lowered or a gas with a high impurity content is inevitably used to meet the step coverage standard, thereby removing impurities from the film. is getting more and more difficult.

따라서, 기판 상에 박막 형성 후 박막 특성의 열화 없이도 박막 내에 존재하는 불순물을 제거하여 박막의 특성을 개선할 수 있는 기판처리방법과 이를 수행하는 기판처리장치가 요구되고 있다.Therefore, there is a need for a substrate processing method capable of improving the properties of a thin film by removing impurities present in the thin film without deterioration of the thin film properties after forming the thin film on the substrate, and a substrate processing apparatus for performing the same.

또한, 기판 상의 박막 뿐만 아니라, 챔버 내부에 남아있는 미량의 불순물 등에 의해 증착되는 박막이 오염되는 등의 문제점이 있으며, 이에 따라 기판을 지지하는 기판지지부를 포함하는 챔버 내부에 대한 불순물의 제거 등이 필요하다. In addition, there is a problem that not only the thin film on the substrate, but also the thin film to be deposited is contaminated by a small amount of impurities remaining inside the chamber. need.

이러한 문제점을 개선하기 위하여, 종래 한국 특허출원 제10-2021-0045294A호는, 고압 및 저압 분위기를 반복적으로 형성하여, 기판 표면 및 챔버 내부의 불완전성을 감소시켜 박막의 특성을 개선하는 기판처리방법을 개시하였다.In order to improve this problem, conventional Korean Patent Application No. 10-2021-0045294A discloses a substrate processing method for improving the properties of a thin film by repeatedly forming high and low pressure atmospheres to reduce imperfections on the surface of the substrate and inside the chamber. has been initiated.

그러나, 종래 기판처리장치에 전술한 기판처리방법을 적용하는 경우, 기판을 처리하는 처리공간의 부피가 상대적으로 커 빠른 압력변화 속도를 구현하지 못하는 문제점이 있다.However, when the above-described substrate processing method is applied to a conventional substrate processing apparatus, there is a problem in that a fast pressure change rate cannot be implemented due to a relatively large volume of a processing space for processing a substrate.

즉, 종래 기판처리장치는, 저압인 0.01 Torr부터 고압인 5 Bar 수준의 넓은 압력범위를 짧은 시간 내에 반복적으로 수행하는 공정을 구현하지 못하는 문제점이 있다.That is, the conventional substrate processing apparatus has a problem in that it cannot implement a process of repeatedly performing a wide pressure range from a low pressure of 0.01 Torr to a high pressure of 5 Bar within a short time.

또한, 종래 기판처리장치는, 고압과 저압 사이의 반복적인 변압을 통해 기판처리를 수행함에 따라, 밀폐된 처리공간을 위한 실링의 손상이 쉽고, 이에 따라 고압환경에서 내부의 공정가스가 누출되거나 저압환경에서 외부의 불순물이 유입되기 쉬운 문제점이 있다. In addition, as the conventional substrate processing apparatus performs substrate processing through repetitive pressure changes between high and low pressures, it is easy to damage the sealing for the closed processing space, and accordingly, the process gas leaks in the high pressure environment or the low pressure There is a problem that external impurities are easily introduced into the environment.

또한, 종래 기판처리장치는, 고압과 저압이 반복적으로 변압되는 처리공간에 대한 배기를 단일라인으로 수행함으로써, 외부에 연결되는 외부진공펌프가 고압에 노출되어 손상되는 등 내구성이 저하되는 문제점이 있다. In addition, the conventional substrate processing apparatus has a problem in that durability is deteriorated, such as an external vacuum pump connected to the outside being exposed to high pressure and damaged by performing exhaust to a processing space in which high and low pressures are repeatedly changed in a single line. .

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 처리공간의 압력에 따라 배기라인을 이원화하여 내구성이 향상된 기판처리장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus having improved durability by dualizing an exhaust line according to a pressure in a processing space in order to solve the above problems.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 상부가 개방되고 바닥면(120) 중심 측에 설치홈(130)이 형성되며 일측에 기판(1)을 반출입하기 위한 게이트를 포함하는 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 상부에 결합되어 내부공간을 형성하는 탑리드(140)를 포함하는 공정챔버(100)와; 상기 챔버본체(110)의 상기 설치홈(130)에 내삽되게 설치되며, 상면에 기판(1)이 안착되는 기판지지부(200)와; 상기 내부공간(S1)에 상하이동 가능하도록 설치되며, 하강을 통해 일부가 상기 설치홈(130)에 인접한 상기 바닥면(120)과 밀착되어 상기 내부공간을 상기 기판지지부(200)가 위치하는 밀폐된 처리공간(S2)과, 그 이외의 비처리공간(S1)으로 분할하는 이너리드부(300)와; 상기 처리공간(S2)과 연통되며, 상기 처리공간(S2)에 대한 압력을 조절하는 처리공간압력조절부(400)와; 상기 비처리공간(S1)과 연통되며, 상기 처리공간(S2)과 독립적으로 상기 비처리공간(S1)에 대한 압력을 조절하는 비처리공간압력조절부(500)를 포함하며, 상기 처리공간압력조절부(400)는, 상기 처리공간(S2)에 대한 배기를 통해 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하는 고압제어부(410)와, 상기 처리공간(S2)에 대한 펌핑을 통해 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하는 펌핑제어부(420)와, 상기 처리공간(S2)과 연통되며 상기 처리공간(S2)에 공정가스를 공급하는 처리공간가스공급부(430)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다. The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above. In the present invention, the top is open, the installation groove 130 is formed on the center side of the bottom surface 120, and the substrate 1 is carried in and out on one side. a process chamber 100 including a chamber body 110 including a gate for processing, and a top lid 140 coupled to an upper portion of the chamber body 110 to form an inner space; a substrate support part 200 installed to be inserted into the installation groove 130 of the chamber body 110 and on which the substrate 1 is seated; It is installed in the inner space (S1) so as to be able to move up and down, and through descent, a part is in close contact with the bottom surface 120 adjacent to the installation groove 130, sealing the inner space in which the substrate support part 200 is located. an inner lead unit 300 dividing into a processing space S2 and a non-processing space S1; a processing space pressure adjusting unit 400 communicating with the processing space S2 and adjusting the pressure in the processing space S2; It communicates with the non-processing space (S1) and includes a non-processing space pressure adjusting unit (500) for adjusting the pressure in the non-processing space (S1) independently of the processing space (S2), the processing space pressure The controller 400 includes a high-pressure control unit 410 that controls the pressure in the processing space S2 to a pressure higher than normal pressure through exhaust to the processing space S2, and pumping for the processing space S2. A pumping control unit 420 that controls the pressure in the processing space S2 to a pressure lower than normal pressure through a process space gas supply unit communicating with the processing space S2 and supplying a process gas to the processing space S2 A substrate processing apparatus including (430) is disclosed.

상기 공정챔버(100)는, 상기 챔버본체(110)에 상기 처리공간(S2)과 연통되는 처리공간배기포트를 포함하며, 상기 펌핑제어부(420)는, 상기 처리공간배기포트와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 펌핑배기라인(421)과, 상기 펌핑배기라인(421) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 펌핑제어밸브(422)를 포함하며, 상기 고압제어부(410)는, 상기 펌핑배기라인(421) 중 상기 펌핑제어밸브(422) 전단과 외부배기장치(800) 사이가 연통하도록 설치되는 고압배기라인(411)과, 상기 고압배기라인(411) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부배기장치(800)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 고압제어밸브(412)를 포함할 수 있다. The process chamber 100 includes a processing space exhaust port communicating with the processing space S2 in the chamber body 110, and the pumping control unit 420 includes the processing space exhaust port and an external vacuum pump ( 900) and a pumping exhaust line 421 installed to communicate with each other, and installed on the pumping exhaust line 421 to control the pressure in the processing space S2 to a pressure lower than normal pressure in the processing space S2. It includes a pumping control valve 422 for controlling the amount of the process gas flowing to the external vacuum pump 900, and the high pressure control unit 410 includes the pumping control valve 422 of the pumping exhaust line 421 A high-pressure exhaust line 411 installed to communicate between the front end and the external exhaust device 800, and a high-pressure exhaust line 411 installed on the high-pressure exhaust line 411 to control the pressure in the processing space S2 to a pressure higher than normal pressure. A high-pressure control valve 412 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external exhaust device 800 may be included.

상기 외부배기장치(800)는, 배출되는 배기가스 중 유해물질을 제거하는 유해물질제거부(810)와, 상기 유해물질제거부(810)와 상기 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 외부배기라인(820)을 포함하며, 상기 고압배기라인(411)은, 일단이 상기 펌핑배기라인(421) 중 상기 처리공간펌핑제어밸브(422) 전단에 연결되고, 타단이 상기 외부배기라인(820)에 연결될 수 있다. The external exhaust device 800 is installed to communicate between a harmful substance removal unit 810 that removes harmful substances from exhaust gas, and the harmful substance removal unit 810 and the external vacuum pump 900 It includes an external exhaust line 820, and the high-pressure exhaust line 411 has one end connected to the front end of the processing space pumping control valve 422 of the pumping exhaust line 421, and the other end of the external exhaust line ( 820) can be connected.

상기 외부배기장치(800)는, 배출되는 배기가스 중 유해물지를 제거하는 유해물질제거부(810)와, 상기 유해물질제거부(810)와 상기 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 외부배기라인(820)을 포함하며, 상기 고압배기라인(411)은, 일단이 상기 펌핑배기라인(421) 중 상기 처리공간펌핑제어밸브(422) 전단에 연결되고, 타단이 상기 유해물질제거부(810)에 연결될 수 있다. The external exhaust device 800 includes a harmful substance removal unit 810 that removes harmful substances from exhaust gas, and an external device installed so that the harmful substance removal unit 810 and the external vacuum pump 900 communicate with each other. It includes an exhaust line 820, and the high-pressure exhaust line 411 has one end connected to the front end of the processing space pumping control valve 422 of the pumping exhaust line 421, and the other end connected to the harmful substance removal unit ( 810).

상기 공정챔버(100)는, 상기 챔버본체(110)에 상기 처리공간(S2)과 연통되는 처리공간배기포트를 포함하며, 상기 펌핑제어부(420)는, 상기 처리공간배기포트와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 펌핑배기라인(421)과, 상기 펌핑배기라인(421) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 펌핑제어밸브(422)를 포함하며, 상기 고압제어부(410)는, 상기 펌핑배기라인(421) 중 상기 펌핑제어밸브(422) 전단과 후단 사이가 연통하도록 설치되는 고압배기라인(411)과, 상기 고압배기라인(411) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 고압제어밸브(412)를 포함할 수 있다. The process chamber 100 includes a processing space exhaust port communicating with the processing space S2 in the chamber body 110, and the pumping control unit 420 includes the processing space exhaust port and an external vacuum pump ( 900) and a pumping exhaust line 421 installed to communicate with each other, and installed on the pumping exhaust line 421 to control the pressure in the processing space S2 to a pressure lower than normal pressure in the processing space S2. It includes a pumping control valve 422 for controlling the amount of the process gas flowing to the external vacuum pump 900, and the high pressure control unit 410 includes the pumping control valve 422 of the pumping exhaust line 421 A high-pressure exhaust line 411 installed to communicate between the front and rear ends, and the processing space S2 installed on the high-pressure exhaust line 411 to control the pressure in the processing space S2 to a pressure higher than normal pressure It may include a high-pressure control valve 412 for controlling the amount of the process gas flowing from the external vacuum pump 900.

상기 공정챔버(100)는, 상기 챔버본체(110)에 상기 처리공간(S2)과 연통되는 처리공간배기포트를 포함하며, 상기 펌핑제어부(420)는, 상기 처리공간배기포트와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 펌핑배기라인(421)과, 상기 펌핑배기라인(421) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 펌핑제어밸브(422)를 포함하며, 상기 고압제어부(410)는, 상기 펌핑배기라인(421) 중 상기 펌핑제어밸브(422) 전단과 상기 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 고압배기라인(411)과, 상기 고압배기라인(411) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 고압제어밸브(412)를 포함할 수 있다. The process chamber 100 includes a processing space exhaust port communicating with the processing space S2 in the chamber body 110, and the pumping control unit 420 includes the processing space exhaust port and an external vacuum pump ( 900) and a pumping exhaust line 421 installed to communicate with each other, and installed on the pumping exhaust line 421 to control the pressure in the processing space S2 to a pressure lower than normal pressure in the processing space S2. It includes a pumping control valve 422 for controlling the amount of the process gas flowing to the external vacuum pump 900, and the high pressure control unit 410 includes the pumping control valve 422 of the pumping exhaust line 421 A high-pressure exhaust line 411 installed to communicate between the front end and the external vacuum pump 900, and installed on the high-pressure exhaust line 411 to control the pressure in the processing space S2 to a pressure higher than normal pressure A high-pressure control valve 412 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 may be included.

상기 공정챔버(100)는, 상기 챔버본체(110)에 상기 처리공간(S2)과 연통되는 처리공간배기포트를 포함하며, 상기 고압제어부(410)는, 상기 처리공간배기포트와 상기 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 고압배기라인(411)과, 상기 고압배기라인(411) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 고압제어밸브(412)를 포함하며, 상기 펌핑제어부(420)는, 상기 고압배기라인(411) 중 상기 고압제어밸브(412) 전단과 상기 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 펌핑배기라인(421)과, 상기 펌핑배기라인(421) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 펌핑제어밸브(422)를 포함할 수 있다. The process chamber 100 includes a processing space exhaust port communicating with the processing space S2 in the chamber body 110, and the high pressure controller 410 includes the processing space exhaust port and the external vacuum pump. A high-pressure exhaust line 411 installed to communicate between the 900 and the processing space S2 installed on the high-pressure exhaust line 411 to control the pressure in the processing space S2 to a pressure higher than normal pressure includes a high-pressure control valve 412 for controlling the amount of the process gas flowing from the external vacuum pump 900, and the pumping control unit 420 includes the high-pressure control valve 412 of the high-pressure exhaust line 411 ) A pumping exhaust line 421 installed to communicate between the front end and the external vacuum pump 900, and a pumping exhaust line 421 installed on the pumping exhaust line 421 to control the pressure in the processing space S2 to a pressure lower than normal pressure A pumping control valve 422 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 may be included.

상기 공정챔버(100)는, 상기 챔버본체(110)에 각각 상기 처리공간(S2)과 연통되는 고압배기포트(720)와 펌핑배기포트(730)를 포함하며, 상기 펌핑제어부(420)는, 상기 펌핑배기포트(730)와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 펌핑배기라인(421)과, 상기 펌핑배기라인(421) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 펌핑제어밸브(422)를 포함하며, 상기 고압제어부(410)는, 상기 고압배기포트(720)와 외부배기장치(800) 사이가 연통하도록 설치되는 고압배기라인(411)과, 상기 고압배기라인(411) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부배기장치(800)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 고압제어밸브(412)를 포함할 수 있다. The process chamber 100 includes a high-pressure exhaust port 720 and a pumping exhaust port 730 communicating with the processing space S2 in the chamber body 110, respectively, and the pumping control unit 420, A pumping exhaust line 421 installed to communicate between the pumping exhaust port 730 and the external vacuum pump 900, and a pumping exhaust line 421 installed on the pumping exhaust line 421 to increase the pressure in the processing space S2 to a level higher than normal pressure. and a pumping control valve 422 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 so as to be controlled at a low pressure, and the high pressure control unit 410 controls the high pressure exhaust A high-pressure exhaust line 411 is installed to communicate between the port 720 and the external exhaust device 800, and is installed on the high-pressure exhaust line 411 to reduce the pressure in the processing space S2 to a pressure higher than normal pressure. A high-pressure control valve 412 may be included to control the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external exhaust device 800 to be controlled.

상기 외부배기장치(800)는, 배출되는 배기가스 중 유해물질을 제거하는 유해물질제거부(810)와, 상기 유해물질제거부(810)와 상기 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 외부배기라인(820)을 포함하며, 상기 고압배기라인(411)은, 일단이 상기 고압배기포트(720)에 연결되고, 타단이 상기 외부배기라인(820)에 연결될 수 있다. The external exhaust device 800 is installed to communicate between a harmful substance removal unit 810 that removes harmful substances from exhaust gas, and the harmful substance removal unit 810 and the external vacuum pump 900 An external exhaust line 820 is included, and the high-pressure exhaust line 411 may have one end connected to the high-pressure exhaust port 720 and the other end connected to the external exhaust line 820 .

상기 외부배기장치(800)는, 배출되는 배기가스 중 유해물지를 제거하는 유해물질제거부(810)와, 상기 유해물질제거부(810)와 상기 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 외부배기라인(820)을 포함하며, 상기 고압배기라인(411)은, 일단이 상기 고압배기포트(720)에 연결되고, 타단이 상기 유해물질제거부(810)에 연결될 수 있다. The external exhaust device 800 includes a harmful substance removal unit 810 that removes harmful substances from exhaust gas, and an external device installed so that the harmful substance removal unit 810 and the external vacuum pump 900 communicate with each other. It includes an exhaust line 820, and the high-pressure exhaust line 411 may have one end connected to the high-pressure exhaust port 720 and the other end connected to the harmful substance removal unit 810.

상기 공정챔버(100)는, 상기 챔버본체(110)에 각각 상기 처리공간(S2)과 연통되는 고압배기포트(720)와 펌핑배기포트(730)를 포함하며, 상기 펌핑제어부(420)는, 상기 펌핑배기포트(730)와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 펌핑배기라인(421)과, 상기 펌핑배기라인(421) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 펌핑제어밸브(422)를 포함하며, 상기 고압제어부(410)는, 상기 고압배기포트(720)와 상기 펌핑배기라인(421) 중 상기 펌핑제어밸브(422) 후단 사이가 연통하도록 설치되는 고압배기라인(411)과, 상기 고압배기라인(411) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 고압제어밸브(412)를 포함할 수 있다. The process chamber 100 includes a high-pressure exhaust port 720 and a pumping exhaust port 730 communicating with the processing space S2 in the chamber body 110, respectively, and the pumping control unit 420, A pumping exhaust line 421 installed to communicate between the pumping exhaust port 730 and the external vacuum pump 900, and a pumping exhaust line 421 installed on the pumping exhaust line 421 to increase the pressure in the processing space S2 to a level higher than normal pressure. and a pumping control valve 422 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 so as to be controlled at a low pressure, and the high pressure control unit 410 controls the high pressure exhaust The high-pressure exhaust line 411 installed so that the rear end of the pumping control valve 422 communicates with the port 720 and the pumping exhaust line 421, and is installed on the high-pressure exhaust line 411 to the processing space ( A high pressure control valve 412 may be included to control the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 so as to control the pressure of S2) to a pressure higher than normal pressure.

상기 공정챔버(100)는, 상기 챔버본체(110)에 각각 상기 처리공간(S2)과 연통되는 고압배기포트(720)와 펌핑배기포트(730)를 포함하며, 상기 펌핑제어부(420)는, 상기 펌핑배기포트(730)와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 펌핑배기라인(421)과, 상기 펌핑배기라인(421) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 펌핑제어밸브(422)를 포함하며, 상기 고압제어부(410)는, 상기 고압배기포트(720)와 상기 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 고압배기라인(411)과, 상기 고압배기라인(411) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 고압제어밸브(412)를 포함할 수 있다. The process chamber 100 includes a high-pressure exhaust port 720 and a pumping exhaust port 730 communicating with the processing space S2 in the chamber body 110, respectively, and the pumping control unit 420, A pumping exhaust line 421 installed to communicate between the pumping exhaust port 730 and the external vacuum pump 900, and a pumping exhaust line 421 installed on the pumping exhaust line 421 to increase the pressure in the processing space S2 to a level higher than normal pressure. and a pumping control valve 422 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 so as to be controlled at a low pressure, and the high pressure control unit 410 controls the high pressure exhaust A high-pressure exhaust line 411 installed to communicate between the port 720 and the external vacuum pump 900, and a high-pressure exhaust line 411 installed on the high-pressure exhaust line 411 to reduce the pressure in the processing space S2 to a pressure higher than normal pressure. It may include a high-pressure control valve 412 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space (S2) to the external vacuum pump 900 so as to control.

상기 비처리공간압력조절부(500)는, 상기 비처리공간(S1)과 연통되어 상기 비처리공간(S1)에 충진가스를 공급하는 비처리공간가스공급부(510)와, 상기 챔버본체(110)에 형성되는 비처리공간배기포트(180)를 이용한 상기 비처리공간(S1)에 대한 배기를 통해 상기 비처리공간(S1)의 압력을 제어하는 비처리공간압력제어부(520)를 포함할 수 있다. The non-processing space pressure adjusting unit 500 includes a non-processing space gas supply unit 510 communicating with the non-processing space S1 and supplying a filling gas to the non-processing space S1, and the chamber body 110 ) may include a non-processing space pressure control unit 520 for controlling the pressure of the non-processing space (S1) through exhaust to the non-processing space (S1) using the non-processing space exhaust port 180 formed in there is.

상기 비처리공간압력제어부(520)는, 상기 비처리공간(S1)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어할 수 있다. The non-processing space pressure controller 520 may control the pressure in the non-processing space S1 to a pressure higher than normal pressure.

상기 비처리공간압력제어부(520)는, 상기 비처리공간배기포트(180)와 외부배기장치(800) 사이가 연통하도록 설치되는 비처리공간배기라인(521)과, 상기 비처리공간배기라인(521) 상에 설치되어 상기 비처리공간(S1)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하도록 상기 비처리공간(S1)에서 상기 외부배기장치(800)로 흐르는 충진가스의 양을 제어하는 비처리공간고압제어밸브(522)를 포함할 수 있다. The non-processing space pressure control unit 520 includes a non-processing space exhaust line 521 installed to communicate between the non-processing space exhaust port 180 and the external exhaust device 800, and the non-processing space exhaust line ( 521) to control the amount of filling gas flowing from the non-processing space (S1) to the external exhaust device 800 so as to control the pressure in the non-processing space (S1) to a pressure higher than normal pressure. A high pressure control valve 522 may be included.

상기 비처리공간압력제어부(520)는, 상기 비처리공간(S1)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어할 수 있다.The non-processing space pressure controller 520 may control the pressure in the non-processing space S1 to a pressure lower than normal pressure.

상기 비처리공간압력제어부(520)는, 상기 비처리공간배기포트(180)와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 비처리공간펌핑배기라인(524)과, 상기 비처리공간펌핑배기라인(524) 상에 설치되어 상기 비처리공간(S1)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 상기 비처리공간(S1)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 충진가스의 양을 제어하는 비처리공간펌핑제어밸브(525)를 포함할 수 있다.The non-processing space pressure control unit 520 includes a non-processing space pumping exhaust line 524 installed to communicate between the non-processing space exhaust port 180 and the external vacuum pump 900, and the non-processing space pumping exhaust It is installed on the line 524 to control the amount of filling gas flowing from the non-processing space (S1) to the external vacuum pump 900 so as to control the pressure in the non-processing space (S1) to a pressure lower than normal pressure. A process space pumping control valve 525 may be included.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 챔버 내부의 기판이 처리되는 처리공간의 부피를 최소화하여, 넓은 압력범위의 압력변화 속도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of improving the speed of pressure change in a wide pressure range by minimizing the volume of the processing space in which the substrate is processed inside the chamber.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리공간과 공정챔버 외부공간 사이의 비처리공간에 대한 압력조절을 수행함으로써, 처리공간으로의 불순물 등의 유입을 방지하고 처리공간의 공정가스 등 유해물질의 공정챔버 외부로의 유출을 방지할 수 있는 이점이 있다. In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention controls the pressure in the non-processing space between the processing space and the outer space of the process chamber, thereby preventing impurities from entering the processing space and harmful substances such as process gas in the processing space. There is an advantage in preventing outflow of the process chamber to the outside.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리공간의 배기를 압력에 따라 이원화함으로써, 처리공간에 대한 배기효율을 증대시키고, 장치 구성의 내구성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of increasing the exhaust efficiency of the processing space and improving the durability of the device configuration by dividing the exhaust of the processing space into two streams according to the pressure.

도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 제1실시예에 따른 처리공간압력조절부와 비처리공간압력조절부의 연결모습을 보여주는 도면이다.
도 3은, 도 1에 따른 기판처리장치 중 제2실시예에 따른 처리공간압력조절부와 비처리공간압력조절부의 연결모습을 보여주는 도면이다.
도 4는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 제3실시예에 따른 처리공간압력조절부와 비처리공간압력조절부의 연결모습을 보여주는 도면이다.
도 5는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 비처리공간압력조절부의 다른 실시예의 모습을 보여주는 도면이다.
도 6은, 도 1에 따른 기판처리장치를 통해 수행되는 처리공간 및 비처리공간 각각의 압력변화모습을 보여주는 그래프이다.1 is a cross-sectional view showing the appearance of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a view showing a connection between a processing space pressure adjusting unit and a non-processing space pressure adjusting unit according to the first embodiment of the substrate processing apparatus according to FIG. 1 .
FIG. 3 is a view showing a connection between a processing space pressure adjusting unit and a non-processing space pressure adjusting unit according to a second embodiment of the substrate processing apparatus according to FIG. 1 .
FIG. 4 is a view showing a connection between a processing space pressure control unit and a non-processing space pressure control unit according to a third embodiment of the substrate processing apparatus according to FIG. 1 .
FIG. 5 is a view showing a state of another embodiment of a non-processing space pressure control unit in the substrate processing apparatus according to FIG. 1 .
FIG. 6 is a graph showing pressure changes in each of a processing space and a non-processing space performed through the substrate processing apparatus according to FIG. 1 .

이하, 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

한편, 이하 설명에 따른 연통하다의 표현은 직접 또는 간접 연결되어 연결된느 공간이 서로 통하여 내부 가스가 이들 사이를 흐를 수 있는 상태를 의미하는 것으로, 직접적인 연결관계 뿐만 아니라 간접적인 연결을 포함하는 의미로 해석될 수 있다.On the other hand, the expression of being in communication according to the following description means a state in which internal gas can flow between them through spaces that are directly or indirectly connected and connected, and has a meaning that includes not only direct connection but also indirect connection. can be interpreted

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 내부에 비처리공간(S1)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 비처리공간(S1)에 설치되며, 일부가 상기 공정챔버(100)와 밀착됨으로써 상기 비처리공간(S1)과 독립되고 밀폐된 처리공간(S2)을 형성하는 이너리드부(300)와; 상기 처리공간(S2) 내에 설치되며, 상면에 기판(1)이 안착되는 기판지지부(200)와; 상기 처리공간(S2)과 연통되며, 상기 처리공간(S2)에 대한 압력을 조절하는 처리공간압력조절부(400)와; 상기 비처리공간(S1)과 연통되며, 상기 처리공간(S2)과 독립적으로 상기 비처리공간(S1)에 대한 압력을 조절하는 비처리공간압력조절부(500)를 포함한다.As shown in FIG. 1, a substrate processing apparatus according to the present invention includes a process chamber 100 forming a non-processing space S1 therein; an inner lead part 300 installed in the non-processing space S1 and forming a closed processing space S2 independent of the non-processing space S1 by being partially brought into close contact with the process chamber 100; a substrate support unit 200 installed in the processing space S2 and on which the substrate 1 is seated; a processing space pressure adjusting unit 400 communicating with the processing space S2 and adjusting the pressure in the processing space S2; It communicates with the non-processing space (S1) and includes a non-processing space pressure regulator 500 that adjusts the pressure for the non-processing space (S1) independently of the processing space (S2).

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 공정챔버(100)의 상부면을 관통하여 설치되어, 이너리드부(300)의 상하이동을 구동하는 이너리드구동부(600)를 포함할 수 있다. In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention may include an inner lead driver 600 that is installed through the upper surface of the process chamber 100 and drives the vertical movement of the inner lead portion 300 .

여기서 처리대상이 되는 기판(1)은, LCD, LED, OLED 등의 표시장치에 사용하는 기판, 반도체 기판, 태양전지 기판, 글라스 기판 등의 모든 기판을 포함하는 의미로 이해될 수 있다.Here, the substrate 1 to be processed can be understood as including all substrates such as substrates used in display devices such as LCD, LED, and OLED, semiconductor substrates, solar cell substrates, and glass substrates.

상기 공정챔버(100)는, 내부에 비처리공간(S1)이 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 100 has a non-processing space S1 formed therein, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 공정챔버(100)는, 상부가 개방된 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)의 개방된 상부를 복개하여 챔버본체(110)와 함께 밀폐된 비처리공간(S1)을 형성하는 탑리드(140)를 포함할 수 있다.For example, the process chamber 100 includes a chamber body 110 with an open top and a non-processing space S1 sealed together with the chamber body 110 by covering the open top of the chamber body 110. It may include a top lead 140 forming a.

또한, 상기 공정챔버(100)는, 비처리공간(S1)의 바닥을 형성하는 바닥면(120)과, 바닥면(120)에 기판지지부(200)가 설치되도록 형성되는 설치홈(130)을 포함할 수 있다. In addition, the process chamber 100 includes a bottom surface 120 forming the bottom of the non-processing space S1 and an installation groove 130 formed to install the substrate support part 200 on the bottom surface 120. can include

또한, 상기 공정챔버(100)는, 일측에 후술하는 비처리공간가스공급부(510)가 연결되어 가압가스를 비처리공간(S1)으로 공급하도록 구비되는 비처리공간가스공급포트(170)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the process chamber 100 has a non-processing space gas supply port 170 connected to a non-processing space gas supply unit 510 to be described later to supply pressurized gas to the non-processing space S1 at one side of the process chamber 100. can be included with

또한, 상기 공정챔버(100)는, 타측에 후술하는 비처리공간압력제어부(520)가 연결되어, 비처리공간(S1)을 배기하기하도록 구비되는 비처리공간배기포트(180)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the process chamber 100 further includes a non-processing space exhaust port 180 connected to a non-processing space pressure control unit 520 to be described later on the other side to exhaust the non-processing space S1. can do.

또한, 상기 공정챔버(100)는, 처리공간(S2)과 연통되도록 하부면에 설치되어, 고압제어부(410) 및 펌핑제어부(420)와 연통되기 위한 적어도 하나의 처리공간배기포트가 형성되는 매니폴드부(700)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the process chamber 100 is installed on the lower surface to communicate with the processing space S2, and at least one processing space exhaust port is formed to communicate with the high pressure control unit 410 and the pumping control unit 420. A fold portion 700 may be additionally included.

상기 챔버본체(110)는, 상부가 개방되어 후술하는 탑리드(140)와 함께 내부에 밀폐된 비처리공간(S1)을 형성할 수 있다.The chamber main body 110 has an open top, and may form a sealed non-processing space S1 therein together with a top lid 140 to be described later.

이때, 상기 챔버본체(110)는, 알루미늄을 비롯한 금속재질로 구성될 수 있으며, 다른 예로서 석영재질로 구성될 수 있고, 종래 개시된 챔버와 같이 직육면체 형태를 가질 수 있다. At this time, the chamber body 110 may be made of a metal material such as aluminum, or may be made of a quartz material as another example, and may have a rectangular parallelepiped shape like the conventionally disclosed chamber.

상기 탑리드(140)는, 상부가 개방된 챔버본체(110)의 상측에 결합되어, 챔버본체(110)와 함께 내부에 밀폐된 비처리공간(S1)을 형성하는 구성일 수 있다.The top lid 140 may be coupled to an upper side of the chamber body 110 with an open top, and may form a closed non-processing space S1 together with the chamber body 110 therein.

이때, 상기 탑리드(140)는, 챔버본체(110)의 형상에 대응되어 평면 상 직사각형 형태로 형성될 수 있으며, 챔버본체(110)와 동일한 재질로 구성될 수 있다. At this time, the top lid 140 may be formed in a rectangular shape on a plane corresponding to the shape of the chamber body 110 and may be made of the same material as the chamber body 110 .

또한, 상기 탑리드(140)는, 후술하는 이너리드구동부(600)가 관통하여 설치되도록, 복수의 관통공이 형성될 수 있으며, 저면에 후술하는 벨로우즈(630)의 끝단이 결합되어 외부로의 각종 가스 및 이물질의 누출을 방지할 수 있다. In addition, a plurality of through holes may be formed in the top lid 140 so that an inner lead driving unit 600 described later may be installed therethrough, and an end of a bellows 630 described later may be coupled to the bottom surface to allow various kinds of information to the outside. The leakage of gas and foreign matter can be prevented.

한편, 상기 탑리드(140) 구성이 생략되고, 상기 챔버본체(110)가 내부에 밀폐된 비처리공간(S1)을 형성하는 일체형으로 형성될 수 있음은 또한 물론이다. Meanwhile, it goes without saying that the top lid 140 may be omitted and the chamber main body 110 may be integrally formed to form the sealed non-processing space S1 therein.

상기 공정챔버(100)는, 내측 하부면이 비처리공간(S1)의 바닥을 형성하는 바닥면(120)과, 바닥면(120)에 후술하는 기판지지부(200)가 설치되도록 형성되는 설치홈(130)을 포함할 수 있다.The process chamber 100 has a bottom surface 120 whose inner lower surface forms the bottom of the non-processing space S1, and an installation groove formed so that a substrate support part 200, which will be described later, is installed on the bottom surface 120. (130).

보다 구체적으로, 상기 공정챔버(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 하부면 중 중심 측에 후술하는 기판지지부(200)에 대응되어 단차를 가지고 설치홈(130)이 형성될 수 있으며, 설치홈(130)의 가장자리에 바닥면(120)이 구성될 수 있다. More specifically, as shown in FIG. 1, the process chamber 100 may have an installation groove 130 formed on the center side of the lower surface with a step corresponding to the substrate support 200 to be described later, A bottom surface 120 may be formed at the edge of the installation groove 130 .

즉, 상기 공정챔버(100)는, 내측하부면에 기판지지부(200)가 설치되기 위한 설치홈(130)이 단차를 가지고 형성되며, 이외의 부분은 바닥면(120)으로 정의되어 설치홈(130)보다 높은 높이로 형성될 수 있다.That is, in the process chamber 100, the installation groove 130 for installing the substrate support 200 is formed with a step on the inner lower surface, and the other portion is defined as the bottom surface 120, and the installation groove ( 130) may be formed at a higher height.

상기 비처리공간가스공급포트(170)는, 공정챔버(100)의 챔버본체(110) 일측에 구비되며, 비처리공간가스공급부(510)가 연결되는 구성일 수 있다.The non-processing space gas supply port 170 may be provided on one side of the chamber body 110 of the process chamber 100 and connected to the non-processing space gas supply unit 510 .

예를 들면, 상기 비처리공간가스공급포트(170)는, 챔버본체(110)의 일측에 가공을 통해 형성되거나, 챔버본체(110)의 일측에 형성되는 관통구에 설치되어 구비될 수 있다.For example, the non-processing space gas supply port 170 may be formed through processing on one side of the chamber body 110 or installed in a through hole formed on one side of the chamber body 110 .

이로써, 상기 비처리공간가스공급포트(170)는, 비처리공간가스공급부(510)가 설치되어 비처리공간(S1)과 비처리공간가스공급부(510)를 연결할 수 있으며, 이를 통해 비처리공간(S1)에 가압가스를 공급하도록 할 수 있다.Thus, in the non-processing space gas supply port 170, the non-processing space gas supply unit 510 is installed to connect the non-processing space S1 and the non-processing space gas supply unit 510, through which the non-processing space gas supply unit 510 is installed. A pressurized gas may be supplied to (S1).

상기 비처리공간배기포트(180)는, 공정챔버(100)의 챔버본체(110) 타측에 구비되며, 비처리공간압력제어부(520)가 연결되는 구성일 수 있다.The non-processing space exhaust port 180 may be provided on the other side of the chamber body 110 of the process chamber 100 and connected to the non-processing space pressure controller 520 .

예를 들면, 상기 비처리공간배기포트(180)는, 챔버본체(110)의 타측에 가공을 통해 형성되거나, 챔버본체(110)의 타측에 형성되는 관통구에 설치되어 구비될 수 있다.For example, the non-processing space exhaust port 180 may be formed through processing on the other side of the chamber body 110 or installed in a through hole formed on the other side of the chamber body 110.

이로써, 상기 비처리공간배기포트(180)는, 비처리공간압력제어부(520)가 설치되어 비처리공간(S1)에 대한 배기를 수행하도록 할 수 있다.Accordingly, in the non-processing space exhaust port 180, the non-processing space pressure control unit 520 may be installed to exhaust the non-processing space S1.

상기 이너리드부(300)는, 비처리공간(S1)에 설치되며, 일부가 공정챔버(100)와 밀착됨으로써, 비처리공간(S1)과 독립되고 밀폐된 처리공간(S2)을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The inner lead part 300 is installed in the non-processing space S1, and a part of it comes into close contact with the process chamber 100 to form a closed processing space S2 independent of the non-processing space S1. As such, various configurations are possible.

특히, 상기 이너리드부(300)는, 비처리공간(S1)에 상하이동 가능하도록 설치되어, 하강을 통해 밀폐된 처리공간(S2)을 형성할 수 있으며, 보다 상세하게는 상승하여 처리공간(S2)을 해제하거나 하강하여 바닥면(120)과 밀착함으로써 내부에 밀폐된 처리공간(S2)을 필요에 의해 형성할 수 있다.In particular, the inner lead part 300 is installed to be movable up and down in the non-processing space S1, and can form a closed processing space S2 by descending, and more specifically, by rising to the processing space ( By releasing or descending S2 and making close contact with the bottom surface 120, the processing space S2 sealed inside can be formed as needed.

즉, 상기 이너리드부(300)는, 비처리공간(S1) 중 기판지지부(200)의 상측에서 상하이동 가능하도록 설치되어, 하강을 통해 공정챔버(100)의 내부면 중 적어도 일부와 밀착됨으로써, 공정챔버(100)의 내측하부면과의 사이에 밀폐된 처리공간(S2)을 필요에 따라 형성할 수 있다.That is, the inner lead part 300 is installed to be movable up and down on the upper side of the substrate support part 200 in the non-processing space S1, and comes into close contact with at least a part of the inner surface of the process chamber 100 through descent. , A sealed processing space S2 may be formed between the inner lower surface of the process chamber 100 as needed.

이에 따라, 상기 기판지지부(200)는, 처리공간(S2) 내에 위치할 수 있으며 기판지지부(200)에 안착되는 기판(1)에 대한 기판처리를 부피가 최소화된 처리공간(S2) 내에서 수행할 수 있다.Accordingly, the substrate support unit 200 may be located in the processing space S2, and substrate processing for the substrate 1 seated on the substrate support unit 200 is performed in the processing space S2 with a minimized volume. can do.

일예로, 상기 이너리드부(300)는, 하강을 통해 가장자리가 바닥면(120)에 밀착함으로써, 저면과 공정챔버(100)의 내측하부면 사이에서 밀폐된 처리공간(S2)을 형성할 수 있다.For example, the inner lead part 300 may form a sealed processing space S2 between the bottom surface and the inner lower surface of the process chamber 100 by bringing its edge into close contact with the bottom surface 120 through descent. there is.

한편, 다른 예로서, 상기 이너리드부(300)는, 하강을 통해 가장자리가 공정챔버(100)의 내측면에 밀착함으로써, 밀폐된 처리공간(S2)을 형성할 수 있음은 또한 물론이다. On the other hand, as another example, the edge of the inner lead part 300 is in close contact with the inner surface of the process chamber 100 through descent, so that the closed processing space S2 can be formed.

상기 이너리드부(300)는, 하강을 통해 가장자리가 바닥면(120)에 밀착하여 밀폐된 처리공간(S2)을 형성하고, 설치홈(130)에 설치되는 기판지지부(200)가 처리공간(S2) 내에 배치될 수 있다. The inner lead part 300 forms a closed processing space S2 by being in close contact with the bottom surface 120 through its edge through descent, and the substrate support part 200 installed in the installation groove 130 is in the processing space ( S2) can be placed in.

즉, 상기 이너리드부(300)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 하강을 통해 가장자리가 설치홈(130)과 단차를 가지고 높은 위치에 위치하는 바닥면(120)에 밀착함으로써, 저면과 설치홈(130) 사이에 밀폐된 처리공간(S2)을 형성할 수 있다.That is, as shown in FIG. 1, the inner lead part 300 adheres to the bottom surface 120 located at a high position with an edge having a step difference with the installation groove 130 through descent, so that the bottom surface and the installation A sealed processing space S2 may be formed between the grooves 130 .

이때, 설치홈(130)에 기판지지부(200), 보다 구체적으로는 기판지지플레이트(210)가 설치됨으로써, 처리공간(S2)의 부피를 최소화하고 상면에 처리대상인 기판(1)을 위치시킬 수 있다. At this time, the substrate support part 200, more specifically, the substrate support plate 210 is installed in the installation groove 130, thereby minimizing the volume of the processing space S2 and positioning the substrate 1 to be processed on the upper surface. there is.

한편, 다른 예로서 기판지지플레이트(210)의 하측인 설치홈(130)에 처리공간(S2)의 부피를 최소화하고, 열손실을 방지하기 위한 인슐레이터부가 추가로 설치될 수 있다.Meanwhile, as another example, an insulator unit for minimizing the volume of the processing space S2 and preventing heat loss may be additionally installed in the installation groove 130 below the substrate support plate 210 .

이 과정에서 처리공간(S2)의 부피를 최소화하기 위하여, 설치홈(130)은, 처리공간(S2)이 설치되는 기판지지부(200)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있으며, 보다 구체적으로는 원형의 기판지지플레이트(210)에 대응되어 원기둥 형태를 가지는 홈으로 형성될 수 있다. In this process, in order to minimize the volume of the processing space S2, the installation groove 130 may be formed in a shape corresponding to the substrate support 200 in which the processing space S2 is installed, and more specifically, a circular shape. Corresponding to the substrate support plate 210 of the can be formed as a groove having a cylindrical shape.

즉, 설치홈(130)이 형성하는 설치공간 중 기판지지플레이트(210) 및 인슐레이터부가 설치되는 공간을 제외한 잔여공간이 최소화되도록, 기판지지플레이트(210)의 형상에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.That is, the installation space formed by the installation groove 130 may be formed in a shape corresponding to the shape of the substrate support plate 210 so that the remaining space excluding the space where the substrate support plate 210 and the insulator unit are installed is minimized. .

이 과정에서 기판지지플레이트(210)의 상면에 안착되는 기판(1)과 이너리드부(300) 사이의 간섭을 방지하기 위하여, 바닥면(120)의 높이는 기판지지부(200)에 안착되는 기판(1)의 상면보다 높은 위치에 형성될 수 있다.In this process, in order to prevent interference between the substrate 1 seated on the upper surface of the substrate support plate 210 and the inner lead portion 300, the height of the bottom surface 120 is higher than the substrate seated on the substrate support portion 200 ( 1) can be formed at a higher position than the upper surface.

한편, 기판지지부(200)에 안착되는 기판(1)과 이너리드부(300)의 저면 사이의 간격이 넓어질수록, 처리공간(S2)의 부피 또한 커짐을 의미하므로, 기판(1)과 이너리드부(300) 사이의 간섭이 방지되면서도, 이들 사이의 간격이 최소화되는 위치에 바닥면(120)의 높이가 설정될 수 있다.Meanwhile, as the distance between the substrate 1 seated on the substrate support unit 200 and the bottom surface of the inner lead unit 300 widens, it means that the volume of the processing space S2 also increases. While interference between the lead parts 300 is prevented, the height of the bottom surface 120 may be set at a position where a distance between them is minimized.

상기 이너리드부(300)는, 이너리드구동부(600)를 통해 상하이동하는 이너리드(310)와, 이너리드(310)의 공정챔버(100)의 내부면과 밀착되는 위치에 구비되는 실링부(320)를 포함할 수 있다. The inner lead part 300 is a sealing part provided at a position where the inner lead 310 moves up and down through the inner lead driver 600 and the inner surface of the process chamber 100 of the inner lead 310 in close contact with each other. (320).

상기 이너리드(310)는, 이너리드구동부(600)를 통해 비처리공간(S1) 내에서 상하이동 가능한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The inner lead 310 is configured to move up and down in the non-processing space S1 through the inner lead driver 600, and various configurations are possible.

이때, 상기 이너리드(310)는, 평면 상 설치홈(130)을 복개하고 가장자리가 바닥면(120) 일부에 대응되는 크기로 형성될 수 있으며, 가장자리가 바닥면(120)에 밀착함으로써 설치홈(130)과의 사이에 밀폐된 처리공간(S2)을 형성할 수 있다.At this time, the inner lead 310 may cover the installation groove 130 on a plane, have an edge formed in a size corresponding to a part of the bottom surface 120, and have an edge closely adhered to the bottom surface 120 to install the installation groove. A closed processing space S2 may be formed between the processing space S2 and the processing space 130 .

한편, 상기 이너리드(310)는, 다른 예로서 가장자리가 공정챔버(100)의 내측면에 밀착하여 처리공간(S2)을 형성할 수 있음은 또한 물론이다.Meanwhile, as another example, the inner lead 310 may form the processing space S2 by being in close contact with the inner surface of the process chamber 100 .

또한, 상기 이너리드(310)는, 상하이동에 따라 형성되는 밀폐된 처리공간(S2) 내의 공정온도를 효과적으로 달성 및 유지하기 위하여, 처리공간(S2)의 온도가 비처리공간(S1) 등으로 손실되는 것을 방지할 수 있는 단열효과가 뛰어난 재질로 형성될 수 있다.In addition, the inner lead 310, in order to effectively achieve and maintain the process temperature in the closed processing space S2 formed according to the vertical movement, the temperature of the processing space S2 is transferred to the non-processing space S1, etc. It can be formed of a material with excellent insulation effect that can prevent loss.

상기 실링부(320)는, 이너리드(310)의 공정챔버(100)의 내부면과 밀착되는 위치에 구비되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The sealing part 320 is provided at a position in close contact with the inner surface of the process chamber 100 of the inner lead 310, and various configurations are possible.

즉, 상기 실링부(320)는, 이너리드(310)의 가장자리가 바닥면(120)에 접촉하여 밀폐된 처리공간(S2)을 형성하는 경우, 이너리드(310)의 저면 중 가장자리를 따라서 구비되어 바닥면(120)과의 사이에 접촉될 수 있다.That is, the sealing part 320 is provided along the edge of the bottom surface of the inner lead 310 when the edge of the inner lead 310 contacts the bottom surface 120 to form the closed processing space S2. It can be in contact with the bottom surface 120.

이로써, 상기 실링부(320)는, 밀폐된 처리공간(S2)이 형성되도록 유도할 수 있으며, 처리공간(S2)의 공정가스 등이 비처리공간(S1) 등 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다.Thus, the sealing unit 320 can guide the closed processing space S2 to be formed, and can prevent process gas in the processing space S2 from leaking out to the outside, such as the non-processing space S1. there is.

상기 기판지지부(200)는, 처리공간(S2) 내에 설치되며, 상면에 기판(1)이 안착되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate support unit 200 is installed in the processing space S2 and has a configuration in which the substrate 1 is seated on the upper surface, and various configurations are possible.

즉, 상기 기판지지부(200)는, 상면에 기판(1)을 안착시킴으로써 처리되는 기판(1)을 지지하고 기판처리 과정에서 고정할 수 있다.That is, the substrate support part 200 can support the substrate 1 to be processed by seating the substrate 1 on the upper surface and fix it during the substrate processing process.

또한, 상기 기판지지부(200)는, 내부에 히터를 구비하여 기판처리를 위한 처리공간(S2)의 온도분위기를 형성할 수 있다. In addition, the substrate support unit 200 may have a heater therein to form a temperature atmosphere in the processing space S2 for substrate processing.

예를 들면, 상기 기판지지부(200)는, 상면에 상기 기판(1)이 안착되는 평면 상 원형인 기판지지플레이트(210)와, 상기 공정챔버(100)의 하부면을 관통하여 상기 기판지지플레이트(210)와 연결되는 기판지지샤프트(220)를 포함할 수 있다.For example, the substrate support part 200 includes a substrate support plate 210 having a circular shape on a plane on which the substrate 1 is seated on an upper surface, and the substrate support plate passing through the lower surface of the process chamber 100. It may include a substrate support shaft 220 connected to (210).

또한, 상기 기판지지부(200)는, 기판지지플레이트(210) 내에 설치되어 기판지지플레이트(210)에 안착되는 기판(1)을 가열하는 히터를 포함할 수 있다. In addition, the substrate support part 200 may include a heater installed in the substrate support plate 210 to heat the substrate 1 seated on the substrate support plate 210 .

상기 기판지지플레이트(210)는, 상면에 기판(1)이 안착되는 구성으로서, 기판(1)의 형상에 대응되어 평면 상 원형인 플레이트 구성일 수 있다.The substrate support plate 210 is a configuration on which the substrate 1 is seated on the upper surface, and may have a circular plate configuration corresponding to the shape of the substrate 1 on a plane.

이때, 상기 기판지지플레이트(210)는, 내부에 히터가 구비되어, 처리공간(S2)에 기판처리를 위한 공정온도를 조성할 수 있으며, 이때의 공정온도는 약 400℃ 내지 550℃일 수 있다. At this time, the substrate support plate 210 is provided with a heater therein to create a process temperature for substrate processing in the processing space S2, and the process temperature at this time may be about 400° C. to 550° C. .

상기 기판지지샤프트(220)는, 공정챔버(100)의 하부면을 관통하여 기판지지플레이트(210)와 연결되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate support shaft 220 penetrates the lower surface of the process chamber 100 and is connected to the substrate support plate 210, and various configurations are possible.

상기 기판지지샤프트(220)는, 공정챔버(100)의 하부면을 관통하여 기판지지플레이트(210)와 결합할 수 있으며, 내부에 히터에 전원을 공급하기 위한 각종 도선들이 설치될 수 있다.The substrate support shaft 220 may pass through the lower surface of the process chamber 100 and be coupled to the substrate support plate 210 , and various wires for supplying power to the heater may be installed therein.

상기 처리공간압력조절부(400)는, 처리공간(S2)과 연통되며, 처리공간(S2)에 대한 압력을 조절하는 구성일 수 있다.The processing space pressure control unit 400 communicates with the processing space S2 and may be configured to adjust the pressure in the processing space S2.

예를 들면, 상기 처리공간압력조절부(400)는, 처리공간(S2)에 대한 배기를 통해 상압보다 높은 처리공간(S2)의 압력을 제어하는 고압제어부(410)와, 처리공간(S2)에 대한 펌핑을 통해 상압보다 낮은 처리공간(S2)의 압력을 제어하는 펌핑제어부(420)를 포함한다.For example, the processing space pressure control unit 400 includes a high pressure control unit 410 that controls a pressure in the processing space S2 higher than normal pressure through exhaust to the processing space S2, and a processing space S2. It includes a pumping control unit 420 for controlling the pressure in the processing space (S2) lower than normal pressure through pumping.

또한, 상기 처리공간압력조절부(400)는, 처리공간(S2)과 연통되며, 처리공간(S2)에 공정가스를 공급하는 처리공간가스공급부(430)를 추가로 포함할 수 있다. In addition, the processing space pressure adjusting unit 400 may further include a processing space gas supply unit 430 communicating with the processing space S2 and supplying process gas to the processing space S2.

상기 처리공간가스공급부(430)는, 처리공간(S2)에 연통되어 공정가스를 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The processing space gas supply unit 430 communicates with the processing space S2 to supply processing gas, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 처리공간가스공급부(430)는, 처리공간(S2)에 노출되어 처리공간(S2) 내에 공정가스를 공급하는 가스공급노즐(431)과, 일단이 공정챔버(100)를 관통하여 가스공급노즐(431)과 연결되며 타단이 외부에 설치되는 가스저장부(433)에 연결되어 가스공급노즐(431)을 통해 공급되는 공정가스를 전달하는 가스공급유로(432)를 포함할 수 있다.For example, the processing space gas supply unit 430 has a gas supply nozzle 431 exposed to the processing space S2 and supplying process gas into the processing space S2, and one end passing through the process chamber 100. The gas supply passage 432 is connected to the gas supply nozzle 431 and the other end is connected to the gas storage unit 433 installed outside to deliver the process gas supplied through the gas supply nozzle 431. there is.

이때, 상기 처리공간가스공급부(430)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 설치홈(130)의 가장자리에 기판지지부(200)에 인접하여 설치될 수 있으며, 이로써 처리공간(S2)에 공정가스를 공급할 수 있다. At this time, as shown in FIG. 1 , the processing space gas supply unit 430 may be installed adjacent to the substrate support unit 200 at the edge of the installation groove 130, thereby supplying the process gas to the processing space S2. can supply

상기 가스공급노즐(431)은, 처리공간(S2)에 노출되어 처리공간(S2) 내에 공정가스를 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas supply nozzle 431 is exposed to the processing space S2 and supplies process gas into the processing space S2, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 가스공급노즐(431)은, 설치홈(130)의 가장자리에 기판지지플레이트(210)의 측면에 인접하게 설치되며, 상측 또는 기판지지플레이트(210) 측으로 공정가스를 분사하여 처리공간(S2) 내에 공정가스를 공급할 수 있다.For example, the gas supply nozzle 431 is installed adjacent to the side surface of the substrate support plate 210 at the edge of the installation groove 130, and sprays process gas toward the upper side or toward the substrate support plate 210 for processing. A process gas may be supplied into the space S2.

이때, 상기 가스공급노즐(431)은, 설치홈(130)의 가장자리에 기판지지플레이트(210)를 둘러싸도록 구비되며, 평면 상 기판지지플레이트(210)의 측면 중 적어도 일부에서 공정가스를 분사할 수 있다.At this time, the gas supply nozzle 431 is provided to surround the substrate support plate 210 at the edge of the installation groove 130, and injects process gas from at least a part of the side surface of the substrate support plate 210 on a plane. can

일예로, 상기 가스공급노즐(431)은, 설치홈(130)의 가장자리에서 이너리드(310)의 저면을 향해 공정가스를 분사할 수 있으며, 처리공간(S2)의 최소화된 부피에 따라 처리공간(S2)을 단시간 내에 원하는 압력으로 조성하기 위하여 공정가스를 공급할 수 있다. For example, the gas supply nozzle 431 may inject process gas from the edge of the installation groove 130 toward the bottom surface of the inner lead 310, and according to the minimized volume of the processing space S2, the processing space (S2) can be supplied with a process gas to create a desired pressure within a short time.

상기 가스공급유로(432)는, 공정챔버(100)의 하부면을 관통하여 외부의 공정가스저장부와 연결될 수 있으며, 공정가스를 전달받아 공정가스공급노즐(431)에 공급할 수 있다. The gas supply passage 432 may pass through the lower surface of the process chamber 100 and be connected to an external process gas storage unit, and may receive process gas and supply it to the process gas supply nozzle 431 .

이때, 상기 가스공급유로(432)는, 공정챔버(100)의 하부면을 관통하여 설치되는 배관일 수 있으며, 다른 예로서 공정챔버(100)의 하부면을 가공하여 형성할 수 있다.In this case, the gas supply passage 432 may be a pipe installed through the lower surface of the process chamber 100, and as another example, may be formed by processing the lower surface of the process chamber 100.

상기 고압제어부(410)는, 처리공간(S2)에 대한 배기를 통해 상압보다 높은 처리공간(S2)의 압력을 제어하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The high-pressure control unit 410 controls the pressure in the processing space S2 higher than the atmospheric pressure through exhaust to the processing space S2, and various configurations are possible.

즉, 상기 고압제어부(410)는, 처리공간(S2) 내가 상압보다 높은 고압일 경우 처리공간(S2)의 압력을 조절하기 위하여 처리공간(S2)을 배기하는 구성일 수 있다.That is, the high pressure control unit 410 may be configured to exhaust the processing space S2 in order to adjust the pressure in the processing space S2 when the high pressure in the processing space S2 is higher than normal pressure.

예를 들면, 상기 고압제어부(410)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 후술하는 매니폴드부(700)에 구비되는 처리공간배기포트와 외부배기장치(800) 사이가 연통하도록 설치되는 고압배기라인(411)과, 상기 고압배기라인(411) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)으로 유입된 공정가스의 압력을 제어하는 고압제어밸브(412)를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIG. 2 , the high-pressure control unit 410 is a high-pressure exhaust installed so that a processing space exhaust port provided in a manifold unit 700 and an external exhaust device 800 communicate with each other. A line 411 and a high-pressure control valve 412 installed on the high-pressure exhaust line 411 to control the pressure of the process gas flowing into the processing space S2 may be included.

또한, 상기 고압제어부(410)는, 고압배기라인(411) 중 고압제어밸브(412) 전단에 설치되어, 상기 고압배기라인(411)의 개폐를 결정하는 고압개폐밸브(413)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the high pressure control unit 410 further includes a high pressure on/off valve 413 which is installed in front of the high pressure control valve 412 of the high pressure exhaust line 411 and determines whether the high pressure exhaust line 411 is opened or closed. can do.

또한, 상기 고압제어부(410)는, 고압배기라인(411)에 상기 고압개폐밸브(413)와 병렬로 설치되는 릴리프밸브(414)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the high pressure control unit 410 may further include a relief valve 414 installed in parallel with the high pressure on/off valve 413 in the high pressure exhaust line 411 .

상기 고압배기라인(411)은, 매니폴드부(700)에 구비되는 처리공간배기포트와 외부배기장치(800) 사이가 연통하도록 설치되어, 처리공간(S2)의 공정가스 등이 전달되는 유로를 형성할 수 있다.The high-pressure exhaust line 411 is installed to communicate between the processing space exhaust port provided in the manifold unit 700 and the external exhaust device 800, and provides a passage through which process gas in the processing space S2 is delivered. can form

상기 고압제어밸브(412)는, 고압배기라인(411) 상에 설치되어 처리공간(S2)으로 유입된 공정가스의 압력을 제어하는 구성으로서, 고압배기라인(411)을 통한 배기량을 제어할 수 있다.The high-pressure control valve 412 is installed on the high-pressure exhaust line 411 to control the pressure of the process gas flowing into the processing space S2, and can control the exhaust amount through the high-pressure exhaust line 411. there is.

이때, 상기 고압제어밸브(412)는, 고압배기라인(411) 상에 설치되는 압력게이지(미도시)를 통해 압력을 체크하고 제어신호를 전송하는 제어부(미도시)를 통해 제어될 수 있다. At this time, the high pressure control valve 412 may be controlled through a controller (not shown) that checks the pressure through a pressure gauge (not shown) installed on the high pressure exhaust line 411 and transmits a control signal.

상기 고압개폐밸브(413)는, 고압배기라인(411) 중 고압제어밸브(412) 전단에 설치되어, 고압배기라인(411)의 개폐를 결정하는 구성일 수 있다.The high-pressure on-off valve 413 may be installed at a front end of the high-pressure control valve 412 in the high-pressure exhaust line 411 to determine whether the high-pressure exhaust line 411 is opened or closed.

즉, 상기 고압개폐밸브(413)는, 고압배기라인(411)의 개폐를 통해 처리공간(S2)이 고압상태일때는 고압배기라인(411)을 개방하고 처리공간(S2)이 저압상태일때는 고압배기라인(411)을 폐쇄할 수 있다.That is, the high-pressure on-off valve 413 opens the high-pressure exhaust line 411 when the processing space S2 is in a high-pressure state through opening and closing of the high-pressure exhaust line 411 and opens the high-pressure exhaust line 411 when the processing space S2 is in a low-pressure state. The high-pressure exhaust line 411 may be closed.

상기 릴리프밸브(414)는, 고압배기라인(411) 상에 고압개폐밸브(413)와 병렬로 설치되는 구성으로서, 미리 설정된 고압 이상을 감지하면 배기를 위하여 기계적으로 개방될 수 있다. The relief valve 414 is configured to be installed in parallel with the high pressure on/off valve 413 on the high pressure exhaust line 411, and can be mechanically opened for exhaust when a preset high pressure or higher is sensed.

즉, 상기 릴리프밸브(414)는, 안전성 제고를 위하여 고압, 예를 들면 5Bar 이상의 압력이 감지되는 경우 기계적으로 개방하여 고압에 따른 장치의 손상을 방지할 수 있다. That is, the relief valve 414 can be mechanically opened to prevent damage to the device due to the high pressure when a high pressure, for example, 5 Bar or more, is sensed to improve safety.

상기 펌핑제어부(420)는, 처리공간배기포트와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 펌핑배기라인(421)과, 펌핑배기라인(421) 상에 설치되어 처리공간(S2)을 펌핑하여 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하는 펌핑제어밸브(422)를 포함할 수 있다.The pumping control unit 420 is installed on the pumping exhaust line 421 installed to communicate between the processing space exhaust port and the external vacuum pump 900, and the pumping exhaust line 421 to pump the processing space S2. It may include a pumping control valve 422 for controlling the pressure in the processing space S2 to a pressure lower than normal pressure.

또한, 상기 펌핑제어부(420)는, 펌핑배기라인(421) 중 펌핑제어밸브(422) 전단에 설치되어, 펌핑배기라인(421)의 개폐를 결정하는 펌핑개폐밸브(423)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the pumping control unit 420 is installed in front of the pumping control valve 422 of the pumping exhaust line 421 and may further include a pumping opening/closing valve 423 for determining whether the pumping exhaust line 421 is opened or closed. can

또한, 상기 펌핑제어부(420)는, 펌핑배기라인(421) 중 펌핑개폐밸브(423)와 병렬로 설치되어어 펌핑량을 제어하는 슬로우펌핑밸브(424)를 추가로 포함할 수 있다. In addition, the pumping controller 420 may further include a slow pumping valve 424 installed in parallel with the pumping opening/closing valve 423 of the pumping exhaust line 421 to control the pumping amount.

상기 펌핑배기라인(421)은, 매니폴드부(700)에 구비되는 처리공간배기포트와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되어, 처리공간(S2)의 공정가스 등이 전달되는 유로를 형성할 수 있다.The pumping exhaust line 421 is installed to communicate between the processing space exhaust port provided in the manifold unit 700 and the external vacuum pump 900, and provides a passage through which process gas in the processing space S2 is delivered. can form

상기 펌핑제어밸브(422)는, 펌핑배기라인(421) 상에 설치되어 처리공간(S2)으로 유입된 상압보다 낮은 저압상태의 공정가스 압력을 제어하는 구성으로서, 펌핑배기라인(421)을 통한 배기량을 제어할 수 있다.The pumping control valve 422 is installed on the pumping exhaust line 421 to control the pressure of the process gas in a low pressure state lower than the normal pressure introduced into the processing space S2, Emissions can be controlled.

이때, 상기 펌핑제어밸브(422)는, 펌핑배기라인(421) 상에 설치되는 압력게이지(미도시)를 통해 압력을 체크하고 제어신호를 전송하는 제어부(미도시)를 통해 제어될 수 있다. At this time, the pumping control valve 422 may be controlled through a control unit (not shown) that checks the pressure through a pressure gauge (not shown) installed on the pumping exhaust line 421 and transmits a control signal.

상기 펌핑개폐밸브(423)는, 펌핑배기라인(421) 중 펌핑제어밸브(422) 전단에 설치되어, 펌핑배기라인(421)의 개폐를 결정하는 구성일 수 있다.The pumping exhaust line 423 may be installed at a front end of the pumping control valve 422 in the pumping exhaust line 421 to determine whether the pumping exhaust line 421 is opened or closed.

즉, 상기 펌핑개폐밸브(423)는, 펌핑배기라인(421)의 개폐를 통해 처리공간(S2)이 고압상태일때는 펌핑배기라인(421)을 폐쇄하고 처리공간(S2)이 저압상태일때는 펌핑배기라인(421)을 개방할 수 있다.That is, the pumping exhaust line 423 closes the pumping exhaust line 421 when the processing space S2 is in a high pressure state through opening and closing of the pumping exhaust line 421, and when the processing space S2 is in a low pressure state. The pumping exhaust line 421 may be opened.

상기 슬로우펌핑밸브(424)는, 펌핑배기라인(421) 상에 펌핑개폐밸브(423)와 병렬로 설치되는 구성으로서, 초기 펌핑과정 또는 펌핑 중 펌핑량의 제어가 필요할 경우 개방되어 펌핑량을 조절하는 구성일 수 있다. The slow pumping valve 424 is installed in parallel with the pumping opening/closing valve 423 on the pumping exhaust line 421, and is opened to adjust the pumping amount during the initial pumping process or when control of the pumping amount is required during pumping. It may be a configuration that

한편, 이하에서는 본 발명에 따른 고압제어부(410) 및 펌핑제어부(420)의 매니폴드부(700)와의 설치를 위한 다양한 실시예들에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Meanwhile, hereinafter, various embodiments for installation of the high pressure control unit 410 and the pumping control unit 420 according to the present invention with the manifold unit 700 will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 고압제어부(410)는, 제1실시예로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 고압배기라인(411)이 매니폴드부(700)에 구비되는 처리공간배기포트와 외부배기장치(800) 사이를 연통하도록 설치되며, 보다 구체적으로는 일단이 후술하는 펌핑배기라인(421) 중 펌핑제어밸브(422) 전단에서 분기되어 연결되고, 타단이 외부배기장치(800)에 연결될 수 있다. The high pressure control unit 410 according to the present invention, as a first embodiment, as shown in FIG. 2, the high pressure exhaust line 411 is provided in the manifold unit 700, the processing space exhaust port and the external exhaust device ( 800), and more specifically, one end is branched from and connected to the front end of the pumping control valve 422 of the pumping exhaust line 421 described later, and the other end is connected to the external exhaust device 800. Can be.

즉, 상기 고압제어부(410)는, 상기 펌핑배기라인(421)이 처리공간배기포트와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치된 상태에서, 고압배기라인(411)이 펌핑배기라인(421) 중 상기 펌핑제어밸브(422) 전단과 외부배기장치(800) 사이가 연통하도록 설치될 수 있다.That is, in a state in which the pumping exhaust line 421 is installed to communicate between the processing space exhaust port and the external vacuum pump 900, the high pressure control unit 410 connects the high pressure exhaust line 411 to the pumping exhaust line 421. It may be installed to communicate between the front end of the pumping control valve 422 and the external exhaust device 800.

결과적으로, 상기 고압제어부(410)는, 매니폴드부(700)에 단일의 처리공간배기포트가 구비될 때, 처리공간배기포트에 연결되는 펌핑배기라인(421)으로부터 분기되어 구비될 수 있으며, 이를 위하여 고압배기라인(411)이 펌핑제어밸브(422) 전단에서 펌핑배기라인(421)에 연결되어 분기 설치될 수 있다.As a result, when the single processing space exhaust port is provided in the manifold unit 700, the high pressure control unit 410 may be branched off from the pumping exhaust line 421 connected to the processing space exhaust port, To this end, the high-pressure exhaust line 411 may be branched and connected to the pumping exhaust line 421 at the front end of the pumping control valve 422 .

이 경우, 매니폴드부(700)에 구비되는 단일의 처리공간배기포트에는 펌핑제어부(420)의 펌핑배기라인(421)이 결합될 수 있으며, 펌핑배기라인(421) 중 펌핑개폐밸브(423)의 전단에서 고압배기라인(411)이 분기되어 설치될 수 있다.In this case, the pumping exhaust line 421 of the pumping control unit 420 may be coupled to the single processing space exhaust port provided in the manifold unit 700, and the pumping exhaust line 421 includes a pumping opening/closing valve 423 At the front end of the high-pressure exhaust line 411 may be branched and installed.

한편, 이 경우, 전술한 펌핑개폐밸브(423)와 고압개폐밸브(413)를 통해, 단일의 처리공간배기포트를 통해 배기되는 공정가스를 압력, 즉 상압을 기준으로 고압 및 저압에 따라 적절히 개폐하여 배기할 수 있다.Meanwhile, in this case, the process gas exhausted through the single processing space exhaust port is properly opened and closed according to the pressure, that is, the high pressure and the low pressure based on the normal pressure, through the above-described pumping opening/closing valve 423 and the high pressure opening/closing valve 413. it can be exhausted.

상기 외부배기장치(800)는, 배출되는 배기가스 중 유해물질을 제거하는 유해물질제거부(810)와, 유해물질제거부(810)와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 외부배기라인(820)을 포함할 수 있다.The external exhaust device 800 includes a harmful substance removal unit 810 that removes harmful substances from exhaust gas, and an external exhaust device installed so that the harmful substance removal unit 810 and the external vacuum pump 900 communicate with each other. line 820.

이때, 상기 고압배기라인(411)은, 일단이 펌핑배기라인(421) 중 처리공간펌핑제어밸브(422) 전단에 연결되고, 타단이 외부배기라인(820)에 연결됨으로써, 고압제어부(410)가 외부배기장치(800)에 연통될 수 있다.At this time, the high-pressure exhaust line 411 has one end connected to the front end of the processing space pumping control valve 422 of the pumping exhaust line 421 and the other end connected to the external exhaust line 820, so that the high-pressure control unit 410 may be communicated with the external exhaust device 800.

또한, 다른 예로서, 상기 고압배기라인(411)은, 일단이 펌핑배기라인(421) 중 처리공간펌핑제어밸브(422) 전단에 연결되고, 타단이 유해물질제거부(810)에 직접 연결됨으로써, 고압제어부(410)가 외부배기장치(800)에 연통될 수 있다.In addition, as another example, the high-pressure exhaust line 411 has one end connected to the front end of the processing space pumping control valve 422 of the pumping exhaust line 421 and the other end directly connected to the harmful substance removal unit 810. , The high pressure control unit 410 may communicate with the external exhaust device 800.

한편, 제3실시예로서, 도 4에 도시된 바와 같이, 펌핑제어부(420)가 펌핑배기라인(410)을 통해 처리공간배기포트와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치된 상태에서, 고압제어부(410)는, 고압배기라인(411)이 펌핑배기라인(421) 중 펌핑제어밸브(422) 전단과 후단 사이가 연통하도록 설치됨으로써, 처리공간(S2)에서 외부진공펌프(900)로 흐르는 공정가스의 양을 고압제어밸브(412)를 통해 제어할 수 있다.On the other hand, as a third embodiment, as shown in FIG. 4, in a state where the pumping control unit 420 is installed to communicate between the processing space exhaust port and the external vacuum pump 900 through the pumping exhaust line 410, the high pressure The controller 410 is installed such that the high-pressure exhaust line 411 communicates between the front end and the rear end of the pumping control valve 422 among the pumping exhaust line 421, so that the flow from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 The amount of process gas can be controlled through the high-pressure control valve 412.

이때, 펌핑제어부(420) 및 고압제어부(410)가 각각 동일한 외부진공펌프(900)와 연통하는 구성일 수 있으며, 다른 예로서 펌핑제어부(420) 및 고압제어부(410) 각각에 독립된 별도의 외부진공펌프(900)가 연통될 수 있음은 또한 물론이다.At this time, the pumping control unit 420 and the high pressure control unit 410 may be configured to communicate with the same external vacuum pump 900, respectively. It goes without saying that the vacuum pump 900 can also be communicated.

한편, 제3실시예의 다른 예로서, 펌핑제어부(420)가 펌핑배기라인(410)을 통해 처리공간배기포트와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치된 상태에서, 고압제어부(410)는 고압배기라인(411)이 펌핑배기라인(421) 중 펌핑제어밸브(422) 전단과 외부진공펌프(900)에 직접 연결됨으로써 처리공간(S2)에서 외부진공펌프(900)로 흐르는 공정가스의 양을 고압제어밸브(412)를 통해 조절할 수 있다.On the other hand, as another example of the third embodiment, in a state in which the pumping control unit 420 is installed to communicate between the processing space exhaust port and the external vacuum pump 900 through the pumping exhaust line 410, the high pressure control unit 410 operates at a high pressure The exhaust line 411 is directly connected to the front end of the pumping control valve 422 and the external vacuum pump 900 of the pumping exhaust line 421, thereby controlling the amount of process gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900. It can be adjusted through the high pressure control valve 412.

이 경우 또한, 펌핑제어부(420) 및 고압제어부(410)가 각각 동일한 외부진공펌프(900)와 연통하는 구성일 수 있으며, 다른 예로서 펌핑제어부(420) 및 고압제어부(410) 각각에 독립된 별도의 외부진공펌프(900)가 연통될 수 있다.In this case, also, the pumping control unit 420 and the high pressure control unit 410 may be configured to communicate with the same external vacuum pump 900, respectively. The external vacuum pump 900 of may be in communication.

또한 다른 예로서, 상기 고압제어부(410)가 고압배기라인(411)이 처리공간배기포트와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치된 상태에서, 펌핑제어부(420)는 펌핑배기라인(421)이 고압배기라인(411) 중 고압제어밸브(412) 전단과 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치됨으로써 처리공간(S2)에서 외부진공펌프(900)로 흐르는 공정가스의 양을 펌핑제어밸브(422)를 통해 제어할 수 있다.As another example, in a state in which the high-pressure control unit 410 is installed such that the high-pressure exhaust line 411 communicates between the processing space exhaust port and the external vacuum pump 900, the pumping control unit 420 is the pumping exhaust line 421 In the high-pressure exhaust line 411, the front end of the high-pressure control valve 412 and the external vacuum pump 900 are installed to communicate, thereby controlling the amount of process gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 through the pumping control valve. It can be controlled through (422).

이 경우 또한, 펌핑제어부(420) 및 고압제어부(410)가 각각 동일한 외부진공펌프(900)와 연통하는 구성일 수 있으며, 다른 예로서 펌핑제어부(420) 및 고압제어부(410) 각각에 독립된 별도의 외부진공펌프(900)가 연통될 수 있다.In this case, also, the pumping control unit 420 and the high pressure control unit 410 may be configured to communicate with the same external vacuum pump 900, respectively. The external vacuum pump 900 of may be in communication.

한편, 제2실시예로서, 도 3에 도시된 바와 같이, 매니폴드부(700)가 고압제어부(410)와 연결되는 고압배기포트(720)와, 펌핑제어부(420)와 연결되는 펌핑배기포트(730)를 각각 구비할 수 있다.On the other hand, as a second embodiment, as shown in FIG. 3, the manifold unit 700 has a high pressure exhaust port 720 connected to the high pressure control unit 410 and a pumping exhaust port connected to the pumping control unit 420. (730) may be provided, respectively.

이 경우, 전술한 고압배기라인(411)이 일단이 고압배기포트(720)에 결합되고 타단이 외부배기장치(800)에 결합되어 고압상태의 공정가스를 고압배기라인(411)을 통해 배기할 수 있다. In this case, one end of the above-described high-pressure exhaust line 411 is coupled to the high-pressure exhaust port 720 and the other end is coupled to the external exhaust device 800 to exhaust process gas under high pressure through the high-pressure exhaust line 411. can

또한, 고압제어부(410)와는 독립되어 펌핑제어부(420) 중 펌핑배기라인(421)의 일단이 저압배기포트(730)에 연결되고 타단이 외부진공펌프(900)에 연결되어 저압상태의 공정가스를 저압배기라인(421)을 통해 배기할 수 있다. In addition, independent of the high-pressure control unit 410, one end of the pumping exhaust line 421 of the pumping control unit 420 is connected to the low-pressure exhaust port 730 and the other end is connected to the external vacuum pump 900, so that the low-pressure process gas may be exhausted through the low pressure exhaust line 421.

보다 구체적으로, 상기 고압제어부(410)는, 펌핑배기라인(421)이 펌핑배기포트(730)와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치된 상태에서, 고압배기라인(411)이 고압배기포트(720)와 외부배기장치(800) 사이가 연통하도록 설치됨으로써, 처리공간(S2)에서 외부배기장치(800)로 흐르는 공정가스의 양을 제어하여 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어할 수 있다.More specifically, the high pressure control unit 410, in a state where the pumping exhaust line 421 is installed to communicate between the pumping exhaust port 730 and the external vacuum pump 900, the high pressure exhaust line 411 is connected to the high pressure exhaust port 720 and the external exhaust device 800 are installed to communicate, thereby controlling the amount of process gas flowing from the processing space S2 to the external exhaust device 800 so that the pressure in the processing space S2 is higher than normal pressure. can be controlled with

이때, 상기 고압배기라인(411)은, 일단이 고압배기포트(720)에 연결되고, 타단이 외부배기라인(820)에 연결됨으로써, 고압제어부(410)가 외부배기장치(800)에 연통될 수 있다.At this time, the high-pressure exhaust line 411 has one end connected to the high-pressure exhaust port 720 and the other end connected to the external exhaust line 820, so that the high-pressure control unit 410 communicates with the external exhaust device 800. can

또한, 다른 예로서, 상기 고압배기라인(411)은, 일단이 고압배기포트(720)에 연결되고, 타단이 유해물질제거부(810)에 연결됨으로써, 고압제어부(410)가 외부배기장치(800)에 연통될 수 있다.In addition, as another example, the high-pressure exhaust line 411 has one end connected to the high-pressure exhaust port 720 and the other end connected to the harmful substance removal unit 810, so that the high-pressure control unit 410 is an external exhaust device ( 800) can be communicated.

한편, 다른 예로서, 펌핑제어부(420)가 펌핑배기라인(410)을 통해 펌핑배기포트(730)와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치된 상태에서, 고압제어부(410)는, 고압배기라인(411)이 상기 고압배기포트(720)와 상기 펌핑배기라인(421) 중 상기 펌핑제어밸브(422) 후단 사이가 연통하도록 설치됨으로써, 처리공간(S2)에서 외부진공펌프(900)로 흐르는 공정가스의 양을 고압제어밸브(412)를 통해 제어할 수 있다.On the other hand, as another example, in a state in which the pumping control unit 420 is installed to communicate between the pumping exhaust port 730 and the external vacuum pump 900 through the pumping exhaust line 410, the high pressure control unit 410, the high pressure exhaust A line 411 is installed to communicate between the high-pressure exhaust port 720 and the rear end of the pumping control valve 422 among the pumping exhaust lines 421, and flows from the processing space S2 to the external vacuum pump 900. The amount of process gas can be controlled through the high-pressure control valve 412.

이때, 펌핑제어부(420) 및 고압제어부(410)가 각각 동일한 외부진공펌프(900)와 연통하는 구성일 수 있으며, 다른 예로서 펌핑제어부(420) 및 고압제어부(410) 각각에 독립된 별도의 외부진공펌프(900)가 연통될 수 있음은 또한 물론이다.At this time, the pumping control unit 420 and the high pressure control unit 410 may be configured to communicate with the same external vacuum pump 900, respectively. It goes without saying that the vacuum pump 900 can also be communicated.

또한, 다른 예로서, 펌핑제어부(420)가 펌핑배기라인(410)을 통해 처리공간배기포트와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치된 상태에서, 고압제어부(410)는 고압배기라인(411)이 상기 고압배기포트(720)와 상기 외부진공펌프(900) 사이를 직접 연결됨으로써 처리공간(S2)에서 외부진공펌프(900)로 흐르는 공정가스의 양을 고압제어밸브(412)를 통해 조절할 수 있다.In addition, as another example, in a state in which the pumping control unit 420 is installed to communicate between the processing space exhaust port and the external vacuum pump 900 through the pumping exhaust line 410, the high pressure control unit 410 is connected to the high pressure exhaust line 411 ) is directly connected between the high pressure exhaust port 720 and the external vacuum pump 900 to control the amount of process gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 through the high pressure control valve 412. can

이 경우 또한, 펌핑제어부(420) 및 고압제어부(410)가 각각 동일한 외부진공펌프(900)와 연통하는 구성일 수 있으며, 다른 예로서 펌핑제어부(420) 및 고압제어부(410) 각각에 독립된 별도의 외부진공펌프(900)가 연통될 수 있다.In this case, also, the pumping control unit 420 and the high pressure control unit 410 may be configured to communicate with the same external vacuum pump 900, respectively. The external vacuum pump 900 of may be in communication.

상기 비처리공간압력조절부(500)는, 비처리공간(S1)과 연통되며, 처리공간(S2)과 독립적으로 비처리공간(S1)에 대한 압력을 조절하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The non-processing space pressure control unit 500 communicates with the non-processing space S1 and controls the pressure in the non-processing space S1 independently of the processing space S2, and various configurations are possible. .

예를 들면, 상기 비처리공간압력조절부(500)는, 비처리공간(S1)과 연통되며, 비처리공간(S1)에 가압가스를 공급하는 비처리공간가스공급부(510)와, 비처리공간(S1)에 대한 배기를 통해 비처리공간(S1)의 압력을 제어하는 비처리공간압력제어부(520)를 포함할 수 있다.For example, the non-processing space pressure adjusting unit 500 communicates with the non-processing space S1 and includes a non-processing space gas supply unit 510 supplying pressurized gas to the non-processing space S1, and a non-processing space S1. It may include a non-processing space pressure control unit 520 that controls the pressure of the non-processing space (S1) through exhaust to the space (S1).

특히, 이 경우 상기 비처리공간압력조절부(500)는, 비처리공간가스공급부(510)가 생략되고, 단순히 비처리공간압력제어부(520)만을 통해 비처리공간(S1)에 대한 압력을 수행할 수 있다.In particular, in this case, the non-processing space pressure control unit 500, the non-processing space gas supply unit 510 is omitted, and simply performs the pressure for the non-processing space S1 through the non-processing space pressure control unit 520. can do.

상기 비처리공간가스공급부(510)는, 전술한 비처리공간가스공급포트(170)에 연결되어 비처리공간(S1)에 대하여 가압가스를 공급하는 구성으로서, 종래 개시된 어떠한 형태의 가스공급 구성도 적용 가능하다.The non-processing space gas supply unit 510 is connected to the aforementioned non-processing space gas supply port 170 to supply pressurized gas to the non-processing space S1, and any type of gas supply configuration disclosed in the related art Applicable.

상기 비처리공간압력제어부(520)는, 비처리공간(S1)에 대한 배기를 통해 비처리공간(S1)의 압력을 제어하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The non-processing space pressure control unit 520 controls the pressure of the non-processing space S1 through exhaust to the non-processing space S1, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 비처리공간압력제어부(520)는, 일단이 비처리공간배기포트(180)에 연결되고 타단이 외부진공펌프(900)와 연결되는 비처리공간배기라인(521)과, 비처리공간배기라인(521) 상에 설치되어 비처리공간(S1)에 대한 압력을 제어하는 비처리공간고압제어밸브(522)를 포함할 수 있다.For example, the non-processing space pressure control unit 520 includes a non-processing space exhaust line 521 having one end connected to the non-processing space exhaust port 180 and the other end connected to the external vacuum pump 900, A non-processing space high pressure control valve 522 installed on the processing space exhaust line 521 to control the pressure in the non-processing space S1 may be included.

또한, 상기 비처리공간압력제어부(520)는, 비처리공간배기라인(521) 중 비처리공간고압제어밸브(522)의 전단에 설치되어, 비처리공간배기라인(521)의 개폐여부를 결정하는 압력개폐밸브(523)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the non-processing space pressure control unit 520 is installed at the front end of the non-processing space high pressure control valve 522 among the non-processing space exhaust lines 521 to determine whether the non-processing space exhaust line 521 is opened or closed. A pressure on-off valve 523 may be further included.

상기 비처리공간배기라인(521)은, 공정챔버(100)에 구비되는 비처리공간배기포트(180)와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되어, 처리공간(S2)의 공정가스 등이 전달되는 유로를 형성할 수 있다.The non-processing space exhaust line 521 is installed to communicate between the non-processing space exhaust port 180 provided in the process chamber 100 and the external vacuum pump 900, such as process gas in the processing space S2, etc. It is possible to form a flow path through which this is transmitted.

상기 비처리공간고압제어밸브(522)는, 비처리공간배기라인(521) 상에 설치되어 비처리공간(S1)으로 유입된 상압보다 높은 고압상태의 충진가스 압력을 제어하는 구성으로서, 비처리공간배기라인(521)을 통한 배기량을 제어할 수 있다.The non-processing space high pressure control valve 522 is installed on the non-processing space exhaust line 521 to control the pressure of the filling gas in a high-pressure state higher than the atmospheric pressure introduced into the non-processing space S1, The amount of exhaust through the space exhaust line 521 can be controlled.

이때, 상기 비처리공간고압제어밸브(522)는, 비처리공간배기라인(521) 상에 설치되는 압력게이지(미도시)를 통해 압력을 체크하고 제어신호를 전송하는 제어부(미도시)를 통해 제어될 수 있다. At this time, the non-processing space high pressure control valve 522 checks the pressure through a pressure gauge (not shown) installed on the non-processing space exhaust line 521 and transmits a control signal through a control unit (not shown). can be controlled

상기 압력개폐밸브(523)는, 비처리공간배기라인(521) 중 비처리공간고압제어밸브(522) 전단에 설치되어, 비처리공간배기라인(521)의 개폐를 결정하는 구성일 수 있다.The pressure opening/closing valve 523 may be installed at a front end of the non-processing space high-pressure control valve 522 among the non-processing space exhaust lines 521 to determine opening and closing of the non-processing space exhaust line 521 .

즉, 상기 압력개폐밸브(523)는, 비처리공간배기라인(521)의 개폐를 통해 비처리공간(S1)에 대한 배기여부를 결정할 수 있다.That is, the pressure opening/closing valve 523 may determine whether to exhaust the non-processing space S1 through opening and closing of the non-processing space exhaust line 521 .

결과적으로, 상기 비처리공간압력제어부(520)는, 비처리공간배기라인(521) 및 비처리공간고압제어밸브(522)를 통해 비처리공간(S1)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어할 수 있다.As a result, the non-processing space pressure control unit 520 controls the pressure in the non-processing space S1 to a pressure higher than normal pressure through the non-processing space exhaust line 521 and the non-processing space high pressure control valve 522. can

한편, 상기 비처리공간압력제어부(520)는, 도 6에 도시된 바와 같이 비처리공간(S1)을 상압보다 낮은 저압, 진공상태 분위기로 제어할 수 있음은 또한 물론이다.On the other hand, as shown in FIG. 6, the non-processing space pressure control unit 520 can also control the non-processing space S1 to a low pressure, vacuum state atmosphere lower than normal pressure.

이를 위해, 상기 비처리공간압력제어부(520)는, 비처리공간배기포트(180)와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 비처리공간펌핑배기라인(524)과, 비처리공간펌핑배기라인(524) 상에 설치되어 비처리공간(S1)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 비처리공간(S1)에서 외부진공펌프(900)로 흐르는 충진가스의 양을 제어하는 비처리공간펌핑제어밸브(525)를 포함할 수 있다.To this end, the non-processing space pressure control unit 520 includes a non-processing space pumping exhaust line 524 installed to communicate between the non-processing space exhaust port 180 and the external vacuum pump 900, and the non-processing space pumping A non-processing space installed on the exhaust line 524 to control the amount of filling gas flowing from the non-processing space (S1) to the external vacuum pump 900 so as to control the pressure in the non-processing space (S1) to a pressure lower than normal pressure. A pumping control valve 525 may be included.

또한, 비처리공간펌핑배기라인(524) 상에 설치되는 압력개폐밸브(523)가 전술한 바와 같이 동일하게 적용될 수 있음은 또한 물론이다.In addition, it goes without saying that the pressure opening/closing valve 523 installed on the non-processing space pumping exhaust line 524 can be equally applied as described above.

더 나아가, 상기 비처리공간펌핑배기라인(524)과 비처리공간펌핑제어밸브(525)의 설치구성 또한, 비처리공간배기라인(521)과 비처리공간고압제어밸브(522)와 동일하게 적용될 수 있다.Furthermore, the installation configuration of the non-processing space pumping exhaust line 524 and the non-processing space pumping control valve 525 is also applied in the same way as the non-processing space exhaust line 521 and the non-processing space high pressure control valve 522. can

한편, 비처리공간(S1)의 압력을 조절하는 비처리공간압력제어부(520)와 처리공간압력조절부(400)의 구성은 각각 동일한 외부배기장치(800)를 공유하여 연결될 수 있으며 다른 예로서, 각각이 별개의 독립된 외부배기장치(800)에 연결되어 배기할 수 있음은 또한 물론이다.On the other hand, the configuration of the non-processing space pressure control unit 520 and the processing space pressure control unit 400 for controlling the pressure in the non-processing space S1 may be connected by sharing the same external exhaust device 800, and as another example , It is also of course that each can be exhausted by being connected to a separate independent external exhaust device (800).

또한 비처리공간압력제어부(520)와 처리공간압력조절부(400)의 구성은 각각 동일한 외부진공펌프(900)를 공유하여 연결될 수 있으며, 다른 예로서 각각이 별개의 독립된 외부진공펌프(900)에 연결되어 펌핑될 수 있음은 또한 물론이다.In addition, the configuration of the non-processing space pressure control unit 520 and the processing space pressure control unit 400 may be connected by sharing the same external vacuum pump 900, and as another example, each separate and independent external vacuum pump 900 Of course, it can also be connected to and pumped.

상기 이너리드구동부(600)는, 공정챔버(100)의 상부면을 관통하여 설치되어, 이너리드부(300)의 상하이동을 구동하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The inner lead driver 600 is installed through the upper surface of the process chamber 100 to drive the vertical movement of the inner lead 300, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 이너리드구동부(600)는, 일단이 공정챔버(100)의 상부면을 관통하여 이너리드부(300)에 결합되는 복수의 구동로드(610)와, 복수의 구동로드(610)의 타단에 연결되어 구동로드(610)를 상하방향으로 구동하는 적어도 하나의 구동원(620)을 포함할 수 있다.For example, the inner lead driver 600 includes a plurality of driving rods 610 having one end penetrating the upper surface of the process chamber 100 and coupled to the inner lead part 300, and a plurality of driving rods 610. ) It may include at least one driving source 620 that is connected to the other end and drives the driving rod 610 in the vertical direction.

또한, 상기 이너리드구동부(600)는, 공정챔버(100)의 상부면, 즉 탑리드(140)에 설치되어 상기 구동로드(610)의 끝단을 고정하여 지지하는 고정지지부(640)와, 공정챔버(100)의 상부면과 이너리드부(300) 사이에 구동로드(610)를 감싸도록 설치되는 벨로우즈(630)를 추가로 포함할 수 있다. In addition, the inner lead driver 600 includes a fixed support 640 installed on the upper surface of the process chamber 100, that is, the top lid 140 to fix and support the end of the drive rod 610, A bellows 630 installed between the upper surface of the chamber 100 and the inner lead part 300 to surround the driving rod 610 may be further included.

상기 구동로드(610)는, 일단이 공정챔버(100)의 상부면을 관통하여 이너리드부(300)에 결합되고 타단이 공정챔버(100)의 외부에서 구동원(620)에 결합되어 구동원(620)을 통한 상하이동을 통해 이너리드부(300)를 상하로 구동하는 구성일 수 있다.The driving rod 610 has one end coupled to the inner lead part 300 passing through the upper surface of the process chamber 100 and the other end coupled to the driving source 620 outside the process chamber 100 so that the driving rod 620 ) may be configured to vertically drive the inner lead unit 300 through vertical movement.

이때, 상기 구동로드(610)는, 복수개, 보다 구체적으로는 2개 또는 4개가 이너리드부(300)의 상면에 일정간격으로 결합하여, 이너리드부(300)가 수평을 유지하면서 상하이동 하도록 유도할 수 있다.At this time, a plurality of driving rods 610, more specifically, two or four, are coupled to the upper surface of the inner lead part 300 at regular intervals so that the inner lead part 300 moves up and down while maintaining a horizontal position. can induce

상기 구동원(620)은, 고정지지부(640)에 설치되어 결합하는 구동로드(610)를 상하로 구동하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The driving source 620 is installed on the fixed support 640 to drive the coupled driving rod 610 up and down, and various configurations are possible.

상기 구동원(620)은, 종래 개시된 구동방식이면 어떠한 구성도 적용 가능하며, 예를 들면, 실린더방식, 전자기구동, 스크류모터 구동, 캠구동 등 다양한 구동방식이 적용될 수 있다.The driving source 620 can be applied to any configuration as long as it is a conventionally disclosed driving method, and for example, various driving methods such as a cylinder method, an electromagnetic drive, a screw motor drive, and a cam drive can be applied.

상기 벨로우즈(630)는, 공정챔버(100)의 상부면과 이너리드부(300) 사이에 구동로드(610)를 감싸도록 설치되어, 비처리공간(S1)의 가스 등이 공정챔버(100)의 상부면을 통하여 누출되는 것을 방지하는 구성일 수 있다.The bellows 630 is installed between the upper surface of the process chamber 100 and the inner lead part 300 to surround the driving rod 610, so that gas in the non-processing space S1 flows through the process chamber 100. It may be configured to prevent leakage through the upper surface of the.

이때, 상기 벨로우즈(630)는, 이너리드부(300)의 상하이동을 고려하여 설치될 수 있다. At this time, the bellows 630 may be installed in consideration of the vertical movement of the inner lead part 300 .

상기 매니폴드부(700)는, 처리공간(S2)과 연통되도록 공정챔버(100)의 하부면에 설치되어, 고압제어부(410) 및 펌핑제어부(420)와 연통되기 위한 적어도 하나의 처리공간배기포트가 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The manifold unit 700 is installed on the lower surface of the process chamber 100 to communicate with the processing space S2, and at least one processing space exhaust to communicate with the high pressure control unit 410 and the pumping control unit 420. As a configuration in which the port is formed, various configurations are possible.

예를 들면, 상기 매니폴드부(700)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100)의 하부면에 설치되며 내부에 처리공간(S2)과 연통하는 매니폴드(710)와, 매니폴드(710)에 구비되어 전술한 고압제어부(410) 및 펌핑제어부(420) 중 적어도 하나와 결합하는 처리공간배기포트를 포함할 수 있다. For example, as shown in FIG. 1, the manifold unit 700 includes a manifold 710 installed on the lower surface of the process chamber 100 and communicating with the processing space S2 therein, A process space exhaust port provided in the fold 710 and coupled to at least one of the above-described high pressure control unit 410 and the pumping control unit 420 may be included.

이때, 상기 매니폴드(710)는, 공정챔버(100)의 하부면에 설치되어 처리공간(S2)과 연통할 수 있으며, 이로써 처리공간(S2)과 고압제어부(410) 및 펌핑제어부(420)를 배기를 위해 매개할 수 있다.At this time, the manifold 710 is installed on the lower surface of the process chamber 100 to communicate with the processing space S2, and thereby the processing space S2, the high pressure control unit 410, and the pumping control unit 420 can be mediated for exhaust.

한편, 상기 매니폴드(710)는, 전술한 기판지지샤프트(220)를 통해 기판지지플레이트(210)에 설치되는 히터와 연결되는 각종 도선들이 관통하여 설치되도록 하부관통공(711)이 형성될 수 있다.Meanwhile, in the manifold 710, a lower through hole 711 may be formed so that various wires connected to the heater installed on the substrate support plate 210 through the substrate support shaft 220 may be installed therethrough. there is.

또한, 상기 매니폴드(710)는, 전술한 바와 같이, 고압제어부(410)와 연결되는 고압배기포트(720)와 펌핑제어부(420)와 연결되는 펌핑배기포트(730)가 각각 구비될 수 있다. In addition, as described above, the manifold 710 may be provided with a high pressure exhaust port 720 connected to the high pressure control unit 410 and a pumping exhaust port 730 connected to the pumping control unit 420, respectively. .

상기 외부배기장치(800)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 처리공간(S2) 및 비처리공간(S1)으로부터 배출되는 유해물질을 제거하는 유해물질제거부(810)와, 유해물질제거부(810)와 고압제어부(410), 펌핑제어부(420) 및 비처리공간압력제어부(520) 사이를 연결하는 외부배기라인(820)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, the external exhaust device 800 includes a harmful substance removal unit 810 that removes harmful substances discharged from the processing space S2 and the non-processing space S1, and a harmful substance removal unit. An external exhaust line 820 connecting between the 810, the high pressure control unit 410, the pumping control unit 420, and the non-processing space pressure control unit 520 may be included.

또한, 상기 외부배기장치(800)는, 유해물질제거부(810)의 후단에 유해물질이 제거된 배기가스를 외부로 배기하기 위한 배기라인(830)을 추가로 포함할 수 있다.In addition, the external exhaust device 800 may further include an exhaust line 830 at the rear end of the harmful substance removal unit 810 to exhaust exhaust gas from which harmful substances are removed to the outside.

이 경우, 전술한 외부진공펌프(900)는, 유해물질제거부(810)의 전단에서 비처리공간압력제어부(520) 및 펌핑제어부(420)와 연결되는 위치에 설치되어, 각각 비처리공간(S1)과 처리공간(S2)을 펌핑할 수 있다.In this case, the external vacuum pump 900 described above is installed in a position connected to the non-processing space pressure control unit 520 and the pumping control unit 420 at the front end of the harmful substance removal unit 810, respectively, in the non-processing space ( S1) and the processing space (S2) can be pumped.

이때, 도 2에 도시된 바와 같이, 고압제어부(410)는, 외부진공펌프(900)를 보호하기 위하여 외부진공펌프(900)의 후단에서 외부배기라인(820)에 연결되고 이에 따라 유해물질제거부(810)로 배기가스를 전달할 수 있다.At this time, as shown in FIG. 2, the high pressure control unit 410 is connected to the external exhaust line 820 at the rear end of the external vacuum pump 900 to protect the external vacuum pump 900, thereby removing harmful substances. Exhaust gas can be delivered to rejection 810 .

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above has only been described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as noted, the scope of the present invention should not be construed as being limited to the above embodiments, and the scope of the present invention described above It will be said that the technical idea and the technical idea together with the root are all included in the scope of the present invention.

1: 기판 100: 공정챔버
200: 기판지지부 300: 이너리드부
400: 처리공간압력조절부 500: 비처리공간압력조절부
700: 매니폴드부1: substrate 100: process chamber
200: substrate support part 300: inner lead part
400: processing space pressure control unit 500: non-processing space pressure control unit
700: manifold part

Claims (17)

상부가 개방되고 바닥면(120) 중심 측에 설치홈(130)이 형성되며 일측에 기판(1)을 반출입하기 위한 게이트를 포함하는 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 상부에 결합되어 내부공간을 형성하는 탑리드(140)를 포함하는 공정챔버(100)와;
상기 챔버본체(110)의 상기 설치홈(130)에 내삽되게 설치되며, 상면에 기판(1)이 안착되는 기판지지부(200)와;
상기 내부공간(S1)에 상하이동 가능하도록 설치되며, 하강을 통해 일부가 상기 설치홈(130)에 인접한 상기 바닥면(120)과 밀착되어 상기 내부공간을 상기 기판지지부(200)가 위치하는 밀폐된 처리공간(S2)과, 그 이외의 비처리공간(S1)으로 분할하는 이너리드부(300)와;
상기 처리공간(S2)과 연통되며, 상기 처리공간(S2)에 대한 압력을 조절하는 처리공간압력조절부(400)와;
상기 비처리공간(S1)과 연통되며, 상기 처리공간(S2)과 독립적으로 상기 비처리공간(S1)에 대한 압력을 조절하는 비처리공간압력조절부(500)를 포함하며,
상기 처리공간압력조절부(400)는,
상기 처리공간(S2)에 대한 배기를 통해 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하는 고압제어부(410)와, 상기 처리공간(S2)에 대한 펌핑을 통해 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하는 펌핑제어부(420)와, 상기 처리공간(S2)과 연통되며 상기 처리공간(S2)에 공정가스를 공급하는 처리공간가스공급부(430)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. A chamber body 110 having an open top, an installation groove 130 formed at the center of the bottom surface 120, and a gate for carrying in and out of the substrate 1 on one side, and a chamber body 110 on the upper side of the chamber body 110. a process chamber 100 including a top lid 140 coupled to form an inner space;
a substrate support part 200 installed to be inserted into the installation groove 130 of the chamber body 110 and on which the substrate 1 is seated;
It is installed in the inner space (S1) so as to be able to move up and down, and through descent, a part is in close contact with the bottom surface 120 adjacent to the installation groove 130, sealing the inner space in which the substrate support part 200 is located. an inner lead unit 300 dividing into a processing space S2 and a non-processing space S1;
a processing space pressure adjusting unit 400 communicating with the processing space S2 and adjusting the pressure in the processing space S2;
It communicates with the non-processing space (S1) and includes a non-processing space pressure adjusting unit 500 for adjusting the pressure in the non-processing space (S1) independently of the processing space (S2),
The processing space pressure control unit 400,
A high-pressure control unit 410 controls the pressure in the processing space S2 to a pressure higher than normal pressure through exhaust to the processing space S2, and pumping the processing space S2 through the processing space S2. ) To include a pumping control unit 420 that controls the pressure to a pressure lower than normal pressure, and a processing space gas supply unit 430 communicating with the processing space S2 and supplying process gas to the processing space S2 Characterized by a substrate processing apparatus. 청구항 1에 있어서,
상기 공정챔버(100)는,
상기 챔버본체(110)에 상기 처리공간(S2)과 연통되는 처리공간배기포트를 포함하며,
상기 펌핑제어부(420)는,
상기 처리공간배기포트와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 펌핑배기라인(421)과, 상기 펌핑배기라인(421) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 펌핑제어밸브(422)를 포함하며,
상기 고압제어부(410)는,
상기 펌핑배기라인(421) 중 상기 펌핑제어밸브(422) 전단과 외부배기장치(800) 사이가 연통하도록 설치되는 고압배기라인(411)과, 상기 고압배기라인(411) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부배기장치(800)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 고압제어밸브(412)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The process chamber 100,
A processing space exhaust port communicating with the processing space (S2) is included in the chamber body 110,
The pumping control unit 420,
A pumping exhaust line 421 installed to communicate between the processing space exhaust port and the external vacuum pump 900, and a pumping exhaust line 421 installed on the pumping exhaust line 421 to reduce the pressure in the processing space S2 to a pressure lower than normal pressure. And a pumping control valve 422 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space (S2) to the external vacuum pump 900 to control,
The high pressure control unit 410,
Among the pumping exhaust line 421, a high pressure exhaust line 411 is installed to communicate between the front end of the pumping control valve 422 and the external exhaust device 800, and is installed on the high pressure exhaust line 411 to perform the processing. A high pressure control valve 412 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external exhaust device 800 so as to control the pressure in the space S2 to a pressure higher than normal pressure. A substrate processing device that does. 청구항 2에 있어서,
상기 외부배기장치(800)는,
배출되는 배기가스 중 유해물질을 제거하는 유해물질제거부(810)와, 상기 유해물질제거부(810)와 상기 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 외부배기라인(820)을 포함하며,
상기 고압배기라인(411)은,
일단이 상기 펌핑배기라인(421) 중 상기 처리공간펌핑제어밸브(422) 전단에 연결되고, 타단이 상기 외부배기라인(820)에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 2,
The external exhaust device 800,
It includes a harmful substance removal unit 810 for removing harmful substances from exhaust gas, and an external exhaust line 820 installed to communicate between the harmful substance removal unit 810 and the external vacuum pump 900, ,
The high-pressure exhaust line 411,
The substrate processing apparatus, characterized in that one end is connected to the front end of the processing space pumping control valve 422 of the pumping exhaust line 421, and the other end is connected to the external exhaust line 820. 청구항 2에 있어서,
상기 외부배기장치(800)는,
배출되는 배기가스 중 유해물지를 제거하는 유해물질제거부(810)와, 상기 유해물질제거부(810)와 상기 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 외부배기라인(820)을 포함하며,
상기 고압배기라인(411)은,
일단이 상기 펌핑배기라인(421) 중 상기 처리공간펌핑제어밸브(422) 전단에 연결되고, 타단이 상기 유해물질제거부(810)에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 2,
The external exhaust device 800,
It includes a harmful substance removal unit 810 for removing harmful substances from discharged exhaust gas, and an external exhaust line 820 installed to communicate between the harmful substance removal unit 810 and the external vacuum pump 900,
The high-pressure exhaust line 411,
The substrate processing apparatus, characterized in that one end is connected to the front end of the processing space pumping control valve 422 of the pumping exhaust line 421, and the other end is connected to the harmful substance removal unit 810. 청구항 1에 있어서,
상기 공정챔버(100)는,
상기 챔버본체(110)에 상기 처리공간(S2)과 연통되는 처리공간배기포트를 포함하며,
상기 펌핑제어부(420)는,
상기 처리공간배기포트와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 펌핑배기라인(421)과, 상기 펌핑배기라인(421) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 펌핑제어밸브(422)를 포함하며,
상기 고압제어부(410)는,
상기 펌핑배기라인(421) 중 상기 펌핑제어밸브(422) 전단과 후단 사이가 연통하도록 설치되는 고압배기라인(411)과, 상기 고압배기라인(411) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 고압제어밸브(412)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The process chamber 100,
A processing space exhaust port communicating with the processing space (S2) is included in the chamber body 110,
The pumping control unit 420,
A pumping exhaust line 421 installed to communicate between the processing space exhaust port and the external vacuum pump 900, and a pumping exhaust line 421 installed on the pumping exhaust line 421 to reduce the pressure in the processing space S2 to a pressure lower than normal pressure. And a pumping control valve 422 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space (S2) to the external vacuum pump 900 to control,
The high pressure control unit 410,
Of the pumping exhaust line 421, a high pressure exhaust line 411 installed so that the front and rear ends of the pumping control valve 422 communicate with each other, and a high pressure exhaust line 411 installed on the high pressure exhaust line 411 of the processing space S2. A substrate processing apparatus comprising a high pressure control valve 412 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 so as to control the pressure to a pressure higher than normal pressure. 청구항 1에 있어서,
상기 공정챔버(100)는,
상기 챔버본체(110)에 상기 처리공간(S2)과 연통되는 처리공간배기포트를 포함하며,
상기 펌핑제어부(420)는,
상기 처리공간배기포트와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 펌핑배기라인(421)과, 상기 펌핑배기라인(421) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 펌핑제어밸브(422)를 포함하며,
상기 고압제어부(410)는,
상기 펌핑배기라인(421) 중 상기 펌핑제어밸브(422) 전단과 상기 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 고압배기라인(411)과, 상기 고압배기라인(411) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 고압제어밸브(412)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The process chamber 100,
A processing space exhaust port communicating with the processing space (S2) is included in the chamber body 110,
The pumping control unit 420,
A pumping exhaust line 421 installed to communicate between the processing space exhaust port and the external vacuum pump 900, and a pumping exhaust line 421 installed on the pumping exhaust line 421 to reduce the pressure in the processing space S2 to a pressure lower than normal pressure. And a pumping control valve 422 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space (S2) to the external vacuum pump 900 to control,
The high pressure control unit 410,
Among the pumping exhaust line 421, a high pressure exhaust line 411 is installed to communicate between the front end of the pumping control valve 422 and the external vacuum pump 900, and is installed on the high pressure exhaust line 411 to A high pressure control valve 412 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 so as to control the pressure in the processing space S2 to a pressure higher than normal pressure. A substrate processing apparatus to be. 청구항 1에 있어서,
상기 공정챔버(100)는,
상기 챔버본체(110)에 상기 처리공간(S2)과 연통되는 처리공간배기포트를 포함하며,
상기 고압제어부(410)는,
상기 처리공간배기포트와 상기 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 고압배기라인(411)과, 상기 고압배기라인(411) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 고압제어밸브(412)를 포함하며,
상기 펌핑제어부(420)는,
상기 고압배기라인(411) 중 상기 고압제어밸브(412) 전단과 상기 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 펌핑배기라인(421)과, 상기 펌핑배기라인(421) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 펌핑제어밸브(422)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The process chamber 100,
A processing space exhaust port communicating with the processing space (S2) is included in the chamber body 110,
The high pressure control unit 410,
A high-pressure exhaust line 411 installed to communicate between the processing space exhaust port and the external vacuum pump 900, and installed on the high-pressure exhaust line 411, the pressure in the processing space S2 is higher than normal pressure. A high-pressure control valve 412 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 so as to be controlled by pressure;
The pumping control unit 420,
Among the high-pressure exhaust lines 411, a pumping exhaust line 421 installed to communicate between the front end of the high-pressure control valve 412 and the external vacuum pump 900, and installed on the pumping exhaust line 421, and a pumping control valve 422 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space (S2) to the external vacuum pump (900) so as to control the pressure in the processing space (S2) to a pressure lower than normal pressure. A substrate processing apparatus to be. 청구항 1에 있어서,
상기 공정챔버(100)는,
상기 챔버본체(110)에 각각 상기 처리공간(S2)과 연통되는 고압배기포트(720)와 펌핑배기포트(730)를 포함하며,
상기 펌핑제어부(420)는,
상기 펌핑배기포트(730)와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 펌핑배기라인(421)과, 상기 펌핑배기라인(421) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 펌핑제어밸브(422)를 포함하며,
상기 고압제어부(410)는,
상기 고압배기포트(720)와 외부배기장치(800) 사이가 연통하도록 설치되는 고압배기라인(411)과, 상기 고압배기라인(411) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부배기장치(800)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 고압제어밸브(412)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The process chamber 100,
The chamber body 110 includes a high pressure exhaust port 720 and a pumping exhaust port 730 communicating with the processing space S2, respectively.
The pumping control unit 420,
A pumping exhaust line 421 installed to communicate between the pumping exhaust port 730 and the external vacuum pump 900, and a pumping exhaust line 421 installed on the pumping exhaust line 421 to increase the pressure in the processing space S2 to a level higher than normal pressure. A pumping control valve 422 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 so as to be controlled at a low pressure;
The high pressure control unit 410,
A high-pressure exhaust line 411 is installed to communicate between the high-pressure exhaust port 720 and the external exhaust device 800, and is installed on the high-pressure exhaust line 411 to increase the pressure in the processing space S2 to a level higher than normal pressure. A substrate processing apparatus comprising a high pressure control valve 412 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external exhaust device 800 so as to be controlled at a high pressure. 청구항 8에 있어서,
상기 외부배기장치(800)는,
배출되는 배기가스 중 유해물질을 제거하는 유해물질제거부(810)와, 상기 유해물질제거부(810)와 상기 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 외부배기라인(820)을 포함하며,
상기 고압배기라인(411)은,
일단이 상기 고압배기포트(720)에 연결되고, 타단이 상기 외부배기라인(820)에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 8,
The external exhaust device 800,
It includes a harmful substance removal unit 810 for removing harmful substances from exhaust gas, and an external exhaust line 820 installed to communicate between the harmful substance removal unit 810 and the external vacuum pump 900, ,
The high-pressure exhaust line 411,
A substrate processing apparatus, characterized in that one end is connected to the high-pressure exhaust port 720 and the other end is connected to the external exhaust line 820. 청구항 8에 있어서,
상기 외부배기장치(800)는,
배출되는 배기가스 중 유해물지를 제거하는 유해물질제거부(810)와, 상기 유해물질제거부(810)와 상기 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 외부배기라인(820)을 포함하며,
상기 고압배기라인(411)은,
일단이 상기 고압배기포트(720)에 연결되고, 타단이 상기 유해물질제거부(810)에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 8,
The external exhaust device 800,
It includes a harmful substance removal unit 810 for removing harmful substances from discharged exhaust gas, and an external exhaust line 820 installed to communicate between the harmful substance removal unit 810 and the external vacuum pump 900,
The high-pressure exhaust line 411,
A substrate processing apparatus, characterized in that one end is connected to the high-pressure exhaust port 720 and the other end is connected to the harmful substance removal unit 810. 청구항 1에 있어서,
상기 공정챔버(100)는,
상기 챔버본체(110)에 각각 상기 처리공간(S2)과 연통되는 고압배기포트(720)와 펌핑배기포트(730)를 포함하며,
상기 펌핑제어부(420)는,
상기 펌핑배기포트(730)와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 펌핑배기라인(421)과, 상기 펌핑배기라인(421) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 펌핑제어밸브(422)를 포함하며,
상기 고압제어부(410)는,
상기 고압배기포트(720)와 상기 펌핑배기라인(421) 중 상기 펌핑제어밸브(422) 후단 사이가 연통하도록 설치되는 고압배기라인(411)과, 상기 고압배기라인(411) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 고압제어밸브(412)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The process chamber 100,
The chamber body 110 includes a high pressure exhaust port 720 and a pumping exhaust port 730 communicating with the processing space S2, respectively.
The pumping control unit 420,
A pumping exhaust line 421 installed to communicate between the pumping exhaust port 730 and the external vacuum pump 900, and a pumping exhaust line 421 installed on the pumping exhaust line 421 to increase the pressure in the processing space S2 to a level higher than normal pressure. A pumping control valve 422 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 so as to be controlled at a low pressure;
The high pressure control unit 410,
The high-pressure exhaust line 411 installed so that the rear end of the pumping control valve 422 communicates between the high-pressure exhaust port 720 and the pumping exhaust line 421, and is installed on the high-pressure exhaust line 411 to A high pressure control valve 412 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 so as to control the pressure in the processing space S2 to a pressure higher than normal pressure. A substrate processing apparatus to be. 청구항 1에 있어서,
상기 공정챔버(100)는,
상기 챔버본체(110)에 각각 상기 처리공간(S2)과 연통되는 고압배기포트(720)와 펌핑배기포트(730)를 포함하며,
상기 펌핑제어부(420)는,
상기 펌핑배기포트(730)와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 펌핑배기라인(421)과, 상기 펌핑배기라인(421) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 펌핑제어밸브(422)를 포함하며,
상기 고압제어부(410)는,
상기 고압배기포트(720)와 상기 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 고압배기라인(411)과, 상기 고압배기라인(411) 상에 설치되어 상기 처리공간(S2)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하도록 상기 처리공간(S2)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 상기 공정가스의 양을 제어하는 고압제어밸브(412)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The process chamber 100,
The chamber body 110 includes a high pressure exhaust port 720 and a pumping exhaust port 730 communicating with the processing space S2, respectively.
The pumping control unit 420,
A pumping exhaust line 421 installed to communicate between the pumping exhaust port 730 and the external vacuum pump 900, and a pumping exhaust line 421 installed on the pumping exhaust line 421 to increase the pressure in the processing space S2 to a level higher than normal pressure. A pumping control valve 422 for controlling the amount of the process gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 so as to be controlled at a low pressure;
The high pressure control unit 410,
A high-pressure exhaust line 411 installed to communicate between the high-pressure exhaust port 720 and the external vacuum pump 900, and a high-pressure exhaust line 411 installed on the high-pressure exhaust line 411 to reduce the pressure in the processing space S2 to normal pressure. A substrate processing apparatus comprising a high-pressure control valve 412 for controlling the amount of the processing gas flowing from the processing space S2 to the external vacuum pump 900 so as to be controlled at a higher pressure. 청구항 1에 있어서,
상기 비처리공간압력조절부(500)는,
상기 비처리공간(S1)과 연통되어 상기 비처리공간(S1)에 충진가스를 공급하는 비처리공간가스공급부(510)와, 상기 챔버본체(110)에 형성되는 비처리공간배기포트(180)를 이용한 상기 비처리공간(S1)에 대한 배기를 통해 상기 비처리공간(S1)의 압력을 제어하는 비처리공간압력제어부(520)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The non-processing space pressure control unit 500,
A non-processing space gas supply unit 510 communicating with the non-processing space S1 to supply a filling gas to the non-processing space S1, and a non-processing space exhaust port 180 formed in the chamber body 110 A substrate processing apparatus comprising a non-processing space pressure control unit 520 for controlling the pressure in the non-processing space (S1) through exhaust to the non-processing space (S1) using. 청구항 13에 있어서,
상기 비처리공간압력제어부(520)는,
상기 비처리공간(S1)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 13,
The non-processing space pressure control unit 520,
Substrate processing apparatus, characterized in that for controlling the pressure in the non-processing space (S1) to a pressure higher than normal pressure. 청구항 14에 있어서,
상기 비처리공간압력제어부(520)는,
상기 비처리공간배기포트(180)와 외부배기장치(800) 사이가 연통하도록 설치되는 비처리공간배기라인(521)과, 상기 비처리공간배기라인(521) 상에 설치되어 상기 비처리공간(S1)의 압력을 상압보다 높은 압력으로 제어하도록 상기 비처리공간(S1)에서 상기 외부배기장치(800)로 흐르는 충진가스의 양을 제어하는 비처리공간고압제어밸브(522)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 14,
The non-processing space pressure control unit 520,
A non-processing space exhaust line 521 installed to communicate between the non-processing space exhaust port 180 and the external exhaust device 800, and a non-processing space exhaust line 521 installed on the non-processing space exhaust line 521 to ensure that the non-processing space ( A non-processing space high pressure control valve 522 for controlling the amount of filling gas flowing from the non-processing space (S1) to the external exhaust device 800 so as to control the pressure of S1) to a pressure higher than normal pressure. A substrate processing apparatus to be. 청구항 13에 있어서,
상기 비처리공간압력제어부(520)는,
상기 비처리공간(S1)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 13,
The non-processing space pressure control unit 520,
Substrate processing apparatus, characterized in that for controlling the pressure in the non-processing space (S1) to a pressure lower than normal pressure. 청구항 14에 있어서,
상기 비처리공간압력제어부(520)는,
상기 비처리공간배기포트(180)와 외부진공펌프(900) 사이가 연통하도록 설치되는 비처리공간펌핑배기라인(524)과, 상기 비처리공간펌핑배기라인(524) 상에 설치되어 상기 비처리공간(S1)의 압력을 상압보다 낮은 압력으로 제어하도록 상기 비처리공간(S1)에서 상기 외부진공펌프(900)로 흐르는 충진가스의 양을 제어하는 비처리공간펌핑제어밸브(525)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 14,
The non-processing space pressure control unit 520,
A non-processing space pumping exhaust line 524 installed to communicate between the non-processing space exhaust port 180 and the external vacuum pump 900, and a non-processing space pumping exhaust line 524 installed on the non-processing space pumping exhaust line 524 A non-processing space pumping control valve 525 for controlling the amount of filling gas flowing from the non-processing space (S1) to the external vacuum pump 900 so as to control the pressure of the space (S1) to a pressure lower than normal pressure. A substrate processing apparatus characterized in that.
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