KR20230027308A - 에지 링 및 바이어스 전극 기하학적 구조를 사용한 막 두께 균일성 개선 - Google Patents

에지 링 및 바이어스 전극 기하학적 구조를 사용한 막 두께 균일성 개선 Download PDF

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Abstract

본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 집적 회로들의 제조 및 막 두께 균일성을 개선하기 위해 기판 프로세싱 챔버 내에서의 사용을 위한 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 개시내용의 실시예들은 에지 링(edge ring)에 관한 것이다. 에지 링은 오버행 링(overhang ring)을 포함할 수 있다.

Description

에지 링 및 바이어스 전극 기하학적 구조를 사용한 막 두께 균일성 개선
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 막 두께 균일성을 개선하기 위해 기판 프로세싱 챔버 내에서의 사용을 위한 장치 및 집적 회로들의 제조에 관한 것이다.
[0002] 기판 프로세싱의 주요 목적은 각각의 기판에서 가능한 가장 큰 유효 표면적과 이의 결과로서 가장 많은 수의 칩들을 얻는 것이다. 고려해야 할 일부 인자들에는 기판에 증착된 층의 균일성 및 두께에 영향을 미치는 프로세싱 변수들과, 기판에 부착되어 기판의 전부 또는 일부를 쓸모없게 만들 수 있는 오염물들이 포함된다. 이들 인자들의 제어는 프로세싱된 각각의 기판에 대한 유효 표면적을 최대화한다.
[0003] 최근 반도체 프로세싱의 발전들로 인해, 낮은 이온 전류 및 높은 이온 에너지를 필요로 하는 새로운 처리 애플리케이션들에 대한 관심이 대두되고 있다. 이는, 막을 성장시키지 않으면서 깊은 처리(deep treatment)를 가능하게 한다. 낮은 이온 전류 및 높은 이온 에너지 요구를 충족시키기 위해, 소스 전력을 10 내지 20배 이상 초과하는 바이어스 전력이 사용되고 있다. 이렇게 높은 바이어스 대 소스 전력 비율로 인해, 기판에 대한 플라스마 전류 및 플라스마 밀도가 영향을 받는다. 영향을 받은 플라스마 전류 및 밀도로 인해 기판 에지를 향해 막 두께가 두꺼워지는 결과가 초래된다.
[0004] 에지 링(edge ring)들은 전통적으로 기판의 에지 근처의 증착 속도를 변경함으로써 막 두께 균일성을 개선하는데 사용되어 왔다. 그러나, 전형적인 에지 링들은 여전히 기판의 말단 에지 근처에서 불충분한(poor) 균일성과 증착 속도를 초래한다. 따라서, 당업계에서는 보다 높은 균일성을 생성하는 에지 링들에 대한 필요성이 존재한다.
[0005] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 낮은 이온 전류 및 높은 이온 에너지 애플리케이션들 동안에, 기판의 에지 근처에서 막 두께를 개선하기 위한 장치에 관한 것이다.
[0006] 일 실시예에서, 기판 프로세싱을 위한 장치는 에지 링 및 오버행 링(overhang ring)을 포함한다. 에지 링은 최하부 표면, 상부 표면 및 상부 표면에 배치되는 그루브(groove)를 포함한다. 오버행 링은 그루브에 배치되고, 그루브로부터 연장되는 제1 부분 및 제1 부분에 연결되고 반경방향 내측으로 연장되는 제2 부분을 포함한다.
[0007] 다른 실시예에서, 기판 프로세싱을 위한 장치는 에지 링 및 오버행 링을 포함한다. 에지 링은 최하부 표면, 상부 표면, 중앙 개구 및 상부 표면에 배치되는 그루브를 포함한다. 오버행 링은 그루브에 배치되고, 그루브로부터 상향으로 연장되는 제1 부분 및 오버행 링의 중심 축선을 향해 반경방향 내측으로 연장되는 제2 부분을 포함한다.
[0008] 또 다른 실시예에서, 기판 프로세싱을 위한 장치는 에지 링 및 오버행 링을 포함한다. 에지 링은 지지 표면, 상부 표면, 상부 표면에 배치되는 그루브 및 상부 표면 상에 배치되는 복수의 탭(tab)들을 더 포함한다. 오버행 링은 그루브에 배치되고, 그루브로부터 연장되는 제1 부분 및 제1 부분에 연결되고 반경방향 내측으로 연장되는 제2 부분을 더 포함한다.
[0009] 위에서 언급된 본 개시내용의 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에서 간략히 요약된 개시내용에 대한 보다 구체적인 설명은 일부가 첨부된 도면들에 예시되어 있는 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하고, 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있다는 것이 주목되어야 한다.
[0010] 도 1은 프로세스 챔버의 개략적인 단면도이다.
[0011] 도 2a 내지 도 2b는 도 1의 프로세스 챔버 내에서의 사용을 위한 에지 링들의 단면도들이다.
[0012] 도 3a는 도 2b의 에지 링의 개략적인 평면도이다.
[0013] 도 3b는 도 2b의 에지 링의 개략적인 단면도이다.
[0014] 도 4는 도 3a 내지 도 3b의 에지 링과 함께 사용되는 오버행 링의 단면도이다.
[0015] 도 5a 내지 도 5b는 도 3a 내지 도 3b의 에지 링의 부분 단면도들이다.
[0016] 도 6은 2개의 서로 다른 에지 링들을 사용한 기판 위의 막 두께를 예시하는 그래프이다.
[0017] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가의 언급없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있는 것으로 고려된다.
[0018] 도 1은 프로세스 챔버(100)의 개략적인 단면도이다. 프로세스 챔버(100)는 유도 결합 플라스마(ICP) 챔버이다. 프로세스 챔버(100)는 유도 코일(114), 덮개(104), 제1 무선 주파수(RF) 전력 소스(116), 챔버 바디(102), 받침대 조립체(106), 기판(126), 에지 링 조립체(138) 및 제2 RF 전력 소스(128)를 포함한다. 제1 프로세스 챔버는 내부에서 플라스마를 생성할 수 있다. 플라스마는 플라스마 밀도가 더 낮은 제2 플라스마 영역(122)에 의해 둘러싸인 제1 플라스마 영역(120)을 포함한다. 제1 플라스마 영역(120) 및/또는 제2 플라스마 영역(122)은 복수의 RF 전류 라인들(124)을 통해 접지에 전기적으로 결합한다.
[0019] 유도 코일(114)은 프로세스 챔버(100)의 덮개(104) 상에 배치된다. 유도 코일(114)은 프로세스 챔버(100)의 중심 축선(1)에 중심설정된다. 유도 코일(114)은 프로세스 챔버(100)를 위한 소스 전력을 전송한다. 소스 전력은 RF 전력 소스(116)로부터 수신된 RF 전력이다. 유도 코일은 프로세스 챔버(100)의 내부로의 전송을 위해 약 50 W 내지 약 500 W의 RF 전력을 수신한다. 일부 실시예들에서, 유도 코일은 약 50 W 내지 약 250 W, 예를 들어 약 50 W 내지 약 200 W, 예를 들어 약 50 W 내지 약 150 W, 예를 들어 약 75 W 내지 약 150 W, 예를 들어 약 100 W의 RF 전력을 수신할 수 있다. 제1 RF 전력 소스 및 유도 코일(114)은 유도 코일(114)의 일 단부에서 제1 연결부(132)에 의해 연결된다. 제1 연결부(132)는 하나 이상의 와이어들 또는 케이블들일 수 있다.
[0020] 유도 코일(114)은 추가로 제2 연결부(134)에 부착될 수 있다. 제2 연결부(134)는 제1 연결부(132)와 유사하다. 제2 연결부는 접지(118)에 연결된다. 제2 연결부를 접지(118)에 연결하는 것은 유도 코일(114)을 접지에 연결한다.
[0021] 정전 척(110)은 제2 RF 전력 소스(128)에 의해 전력을 공급받는다. 제2 RF 전력 소스(128)는 프로세스 챔버(100)를 위한 바이어스 전력을 생성한다. 제2 RF 전력 소스(128)는 정전 척(110)에 인가될 약 500 W 내지 약 3000 W의 RF 전력을 생성할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제2 RF 전력 소스(128)는 정전 척(110)에 인가될 약 600 W 내지 약 2500 W, 예를 들어 약 700 W 내지 약 2250 W, 예를 들어 약 750 W 내지 약 2200 W, 예를 들어 약 800 W 내지 약 2000 W의 RF 전력을 생성할 수 있다. 제2 RF 전력 소스(128) 및 정전 척은 제3 연결부(130)에 의해 연결된다. 제3 연결부(130)는 하나 이상의 와이어들 또는 케이블들일 수 있다.
[0022] 덮개(104)는 유전체 덮개(dielectric lid)이다. 덮개(104)는 프로세스 챔버(100)의 최상부 상에 배치되어 이를 덮는다. 덮개(104)는 프로세싱 영역(150)으로부터 유도 코일(114)을 분리한다. 덮개는 제거 가능하거나, 힌지결합(도시되지 않음)될 수 있다. 프로세싱 영역(150)은 챔버 바디(102) 내에 있고, 챔버 바디(102)와 덮개(104) 내부의 영역으로서 규정된다. 프로세싱 영역(150)은 에지 링 조립체(138) 및 기판(126)을 지지하기 위한 받침대 조립체(106)를 포함한다. 제1 플라스마 영역(120) 및 제2 플라스마 영역(122)은 생성 시 프로세싱 영역(150) 내에 포함된다.
[0023] 받침대 조립체(106)는 지지 바디(108), 정전 척(110), 제2 RF 전력 소스(128) 및 에지 링 조립체(138)를 포함한다. 정전 척(110)은 지지 바디(108)의 최상부 상에 배치된다. 정전 척(110)은 지지 바디(108)의 최상부 상에 배치되도록 크기설정되고, 정전 척(110)의 최상부 표면 상에 기판(126)을 수용한다. 에지 링 조립체(138)는 정전 척(110)의 일부 및 지지 바디(108) 위에 배치된다. 에지 링 조립체(138)는 기판(126) 주위에 배치된다.
[0024] 에지 링 조립체(138)는 기판(126)을 둘러싼다. 에지 링 조립체(138)는 오버행 링(112) 및 에지 링(140)을 포함한다. 오버행 링(112) 및 에지 링(140)은 본원에서 보다 상세하게 설명된다.
[0025] 제1 플라스마 영역(120)은 프로세싱 영역(150) 내의 고밀도 플라스마의 영역이다. 제2 플라스마 영역(122)은 프로세싱 영역(150) 내의 저밀도 플라스마의 영역이다. 제2 플라스마 영역(122)은 제1 플라스마 영역(120)을 둘러싸고 제1 플라스마 영역(120)보다 낮은 플라스마 밀도를 갖는다. 제1 및 제2 플라스마 영역들(120, 122)은 산소 기반 플라스마들일 수 있다. 산소 기반 플라스마들은 이산화규소와 같은 산화규소들을 포함하는 처리들의 수행 시 사용될 수 있다.
[0026] 복수의 RF 전류 라인들(124)은 기판(126) 표면과 챔버 바디(102)의 측벽들 사이의 연통을 나타낸다. 이전 에지 링들을 사용하는 실시예들에서, RF 전류 라인들(124)은 저압 ICP 기판 프로세싱 동안 제1 또는 제2 플라스마 영역들(120, 122)을 통과하지 않는다. 그러나, 본원에 설명된 에지 링 조립체(138) 및 다른 에지 링 조립체들과 같은 에지 링들은 RF 전류 라인들이 제1 및 제2 플라스마 영역(120, 122)을 통과하도록, 기판의 에지 근처에서 당해 RF 전류 라인들(124)을 변경한다. RF 전류 라인들(124)은 전류가 최소 저항의 경로를 통과할 때 에지 링 조립체(138)에 의해 방향전환된다. 이론적으로 구속되지 않는 한, 에지 링 조립체(138)는 기판으로부터 챔버 바디(102)의 측벽들로의 보다 낮은 저항 경로를 차단하는 것으로 여겨진다. 그 후, RF 전류 라인들(124)은 제1 및 제2 플라스마 영역들(120, 122)을 통해 강제로 상승된다. 이러한 효과는 상대적으로 높은 바이어스 전력들을 이용할 때 더 두드러질 수 있다. 제1 또는 제2 플라스마 영역(120, 122)을 통과하는 RF 전류 라인들(124)은 기판(126) 에지 근처에서 막 두께가 두꺼워지는 것을 감소시킨다.
[0027] 도 2a 내지 도 2b는 도 1의 프로세스 챔버(100) 내에서 사용되는 에지 링 조립체들(138a 및 138b)의 단면도들이다. 에지 링 조립체들(138a, 138b)은 도 1에 도시된 바와 같이, 정전 척(110)의 외측 에지 위 및 그 주위에 배치된다. 에지 링 조립체들(138a, 138b)은 에지 링들(140a, 140b)의 2개의 서로 다른 실시예들을 포함한다. 도 2a에 예시된 에지 링 조립체(138a)의 제1 실시예는 메인 바디(250a)를 갖는 제1 에지 링(140a)을 포함한다. 제1 에지 링(140a)은 메인 바디(250a), 메인 바디(250a)의 반경방향 내측에 배치되는 캔틸레버(208), 메인 바디(250a)의 반경방향 외측에 배치되는 외측 바디(202) 및 메인 바디(250a)의 최상부 상에 배치되는 복수의 수직 돌출부들(206)을 포함한다.
[0028] 도 2a의 제1 에지 링(140a)은 하나의 연속적(예를 들어, 단일) 바디이다. 제1 에지 링(140a)은 수직으로 연장되는 메인 바디(250a)를 포함한다. 연장된 메인 바디(250a)는 외측 바디(202)로부터 연장된다. 외측 바디(202)는 원통형이고, 정전 척(110)에 인접하여 배치되는 제1 에지 링(140a)의 일부이다. 외측 바디(202)는 최하부 표면(240)을 갖는다. 최하부 표면(240)은 정전 척(110)의 최상부 표면에 인접한다. 최하부 표면(240)은 외측 바디(202)의 반경방향 내측의 단차부(step)(242)를 포함한다. 단차부(242)는 정전 척(110)의 유사한 단차형 부분에 대응하고 이와 결합한다.
[0029] 외측 바디(202)는 반경방향 내측 캔틸레버(208)를 더 포함한다. 캔틸레버(208)는 에지 링(140a)의 최내측 부분이다. 캔틸레버(208)는 정전 척(110)의 기판 지지 표면(230)에 인접하여 배치된다. 캔틸레버(208)는 기판 지지 표면(230)에 평행하는 최상부 캔틸레버 표면(232)을 갖는다. 최상부 캔틸레버 표면(232)은 기판 지지 표면(230)과 실질적으로 동일 평면을 이룰 수 있다. 일부 실시예들에서, 최상부 캔틸레버 표면(232)은 기판(126)과 같은 기판의 에지의 밑면을 보호하는데 사용된다. 기판(126)의 에지는 프로세싱 동안 캔틸레버(208)의 적어도 일부 위에서 연장될 수 있다.
[0030] 메인 바디(250a)는 높이(H1)를 갖는다. 연장된 메인 바디(250a)의 높이(H1)는 약 10 mm 내지 약 40 mm, 예를 들어 약 15 mm 내지 약 35 mm, 예를 들어 약 20 mm 내지 약 30 mm일 수 있다. 일부 실시예들에서, 연장된 메인 바디(250a)의 높이(H1)는 약 25 mm이다. 연장된 메인 바디(250a)는 내측 표면(222) 및 외측 표면(218)을 갖는다. 일부 실시예들에서, 높이(H1)는 연장된 메인 바디(250a)의 내측 표면(222)의 높이이다. 내측 표면(222)은 최상부 캔틸레버 표면(232)으로부터 수직 돌출부(206)의 최하부까지 연장된다.
[0031] 내측 표면(222)은 연장된 메인 바디(250a)의 에지 링 조립체(138a)의 중심 축선에 가장 가까운 표면이다. 외측 표면(218)은 연장된 메인 바디(250a)의 에지 링 조립체(138a)의 중심 축선으로부터 가장 먼 표면이다. 연장된 메인 바디(250a)는 추가로 상부 표면(220)을 포함한다. 상부 표면(220)은 내측 표면(222)과 외측 표면(218)을 연결한다. 상부 표면(220)의 최상부 상에 배치되는 수직 돌출부(206)가 있다. 수직 돌출부(206)는 돌출부 내측 표면(216)을 갖는다. 돌출부 내측 표면(216)은 연장된 메인 바디(250a)의 내측 표면(222)과 동일 평면을 이룬다. 연장된 메인 바디(250a) 상에 배치되는 복수의 수직 돌출부들(206)이 있을 수 있다. 복수의 수직 돌출부들(206)은 에지 링(140a)의 상부 표면(220)을 중심으로 균등하게 배치된다.
[0032] 도 2b는 제2 실시예에 따른 에지 링 조립체(138b)를 예시한다. 제2 에지 링 조립체(138b)는 제2 에지 링(140b) 및 그루브(306) 내에 배치되는 도 1에 도시된 오버행 링(112)과 같은 오버행 링(112)을 포함한다. 에지 링 조립체(138b)는 또한, 도 1의 프로세싱 챔버(100)에 사용될 수 있다. 도 2b의 제2 에지 링(140b)은 하나의 연속적인 에지 링이다.
[0033] 제2 에지 링(140b)은 메인 바디(250b)의 상부 표면에 형성되는 그루브(306)를 포함한다. 그루브(306)는 오버행 링(112)을 수용하도록 크기설정된다. 외측 바디(202)는 최하부 표면(240)을 갖는다. 최하부 표면(240)은 정전 척(110)의 최상부 표면에 인접한다. 최하부 표면(240)은 단차 영역(242)을 포함한다. 단차 영역(242)은 정전 척(110)의 유사한 단차형 부분에 대응하고 이와 결합한다. 외측 바디(202)는 캔틸레버(208)를 더 포함한다. 캔틸레버(208)는 에지 링(140b)의 반경방향 최내측 부분이다. 캔틸레버(208)는 정전 척(110)의 기판 지지 표면(230)에 인접하여 배치된다. 캔틸레버(208)는 기판 지지 표면(230)에 평행하는 최상부 캔틸레버 표면(232)을 갖는다. 최상부 캔틸레버 표면(232)은 기판 지지 표면(230)과 실질적으로 동일 평면을 이룰 수 있다. 일부 실시예들에서, 최상부 캔틸레버 표면(232)은 기판(126)과 같은 기판의 에지의 밑면을 보호하는데 사용된다. 기판(126)의 에지는 캔틸레버(208)의 적어도 일부 위에서 연장될 수 있다.
[0034] 제2 에지 링(140b)의 외측 바디 최상부 상에 배치되는 수직 돌출부(206)가 있다. 수직 돌출부(206)는 돌출부 내측 표면(216)을 갖는다. 돌출부 내측 표면(216)은 캔틸레버(208)의 최상부 캔틸레버 표면(232)과 교차한다. 최상부 캔틸레버 표면(232) 상에 배치되는 복수의 수직 돌출부들(206)이 존재할 수 있다. 복수의 수직 돌출부들(206)은 제2 에지 링(140b)을 중심으로 균등하게 배치된다.
[0035] 에지 링(140b)의 그루브(306)는 에지 링(140b)의 중심 축선에 대해 캔틸레버(208)의 반경방향 외측에 배치된다. 그루브(306)는 수직 돌출부(206)의 반경방향 외측에 배치된다. 그루브(306)는 오버행 링(112)을 수용하도록 크기설정된다. 그루브(306)는 내측벽(inner sidewall)(254), 외측벽(outer sidewall)(252) 및 최하부 표면(256)을 갖는다. 외측벽 및 내측벽(252, 254)은 수직 측벽들이고, 최하부 표면(256)에 수직이면서 서로 평행한다. 외측벽 및 내측벽(252, 254)은 서로 약 25 mm 미만, 예를 들어 서로 약 20 mm 미만, 예를 들어 서로 약 15 mm 미만 이격되어 있다. 일부 실시예들에서, 외측벽 및 내측벽(252, 254)은 서로로부터 오버행 링(112)의 제1 부분(210)의 폭과 동일한 거리만큼 이격되어 있다. 외측벽 및 내측벽(252, 254)은 서로 평행하고, 에지 링(138b)의 중심 축선을 중심으로 동심 링들을 형성한다. 외측벽 및 내측벽(252, 254)은 최하부 표면(256)에 의해 연결된다.
[0036] 오버행 링(112)은 제1 부분(210) 및 제2 부분(270)을 포함한다. 제1 부분(210)은 그루브(306)로부터 상향으로 연장된다. 일부 예들에서, 제1 부분(210)은 수직 부분이고, 제2 에지 링(140b)의 그루브(306)로부터 수직으로 연장된다. 제1 부분(210)의 높이(H2)는 약 20 mm 내지 약 40 mm, 예를 들어 약 20 mm 내지 약 35 mm, 예를 들어 약 25 mm 내지 약 30 mm이다. 제2 부분(270)은 에지 링(138b)의 중심 축선을 향해 반경방향 내측으로 연장된다. 제2 부분(270)은 제1 부분(210)과 일정 각도로 배치된다. 도 2b에 설명된 실시예에서, 제2 부분(270)은 수평 부분이고, 오버행 링(112)의 제1 부분(210)에 직교한다. 제2 부분(270)은 제1 부분(210)의 원위 단부에 배치된다.
[0037] 제2 부분은 제1 부분(210)의 최상부 상에 배치되고, 약 2 mm 내지 약 8 mm, 예를 들어 약 3 mm 내지 약 7 mm, 예를 들어 약 4 mm 내지 약 6 mm, 예를 들어 약 4.5 mm 내지 약 5.5 mm의 두께를 갖는다.
[0038] 제2 부분은 그루브(306)의 최하부로부터 높이(H2)에 배치될 수 있다. 제2 부분은 추가적으로, 수직 돌출부들(206)의 최상부로부터 높이(H3)로서 규정될 수 있다. 높이(H3)는 약 10 mm 내지 약 30 mm, 예를 들어, 약 15 mm 내지 약 25 mm, 예를 들어 약 17.5 mm 내지 약 22.5 mm이다. 일부 실시예들에서, 높이(H3)는 약 18 mm 내지 약 20 mm이다.
[0039] 제1 부분(210)이 수직 부분이 아니거나, 제2 부분(270)이 수평 부분이 아닌 실시예들이 가능하다고 여겨진다. 제1 부분(210)이 수직 부분이 아니거나 제2 부분(270)이 수평 부분이 아닌 실시예들에서, 제1 부분(210)과 제2 부분(270) 사이의 각도는 변경될 수 있다.
[0040] 오버행 링(112)의 제1 부분(210) 및 제2 부분(270)은 서로 연속적이다. 일부 실시예들에서, 제1 부분(210) 및 제2 부분(270)의 전체는 연속적인 석영 피스(piece)로 형성된다.
[0041] 내측 오버행 표면(214)은 제2 (예를 들어, 수평) 부분(270)의 반경방향 내측 에지이다. 내측 오버행 표면(214)은 오버행 링(112)의 제2 부분(270)이 적어도 부분적으로 수직 돌출부들(206) 위로 연장되도록 돌출부 내측 표면(216) 위에 배치된다. 일부 실시예들에서, 내측 오버행 표면(214)은 +/- 10 밀리미터 내와 같이 돌출부 내측 표면(216)과 유사한 반경방향 포지션을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 내측 오버행 표면(214)은 수직 돌출부들(206)의 일부 위로만 연장되고, 내측 오버행 표면(214)은 돌출부 내측 표면(216)의 반경방향 외측에 배치된다. 내측 오버행 표면(214)은 내측 오버행 표면(214)이 기판(126)과 같은 기판 위로 연장되지 않아 에지 링(138b)의 중앙 개구 내에 기판의 배치를 허용하도록, 에지 링(140b)의 내측 반경 미만의 내측 반경을 갖는다.
[0042] 본원에 설명된 실시예들에서, 에지 링들(140a, 140b) 및 오버행 링(112) 모두의 전체는 산화규소(예를 들어, SiO2)와 같은 석영 재료이다. 에지 링들(140a, 140b) 및 오버행 링(112) 각각은 온전히 석영으로 제조될 수 있다. 일부 실시예들에서, 에지 링들(140a, 140b) 및 오버행 링(112)의 일부들만이 석영 재료이고, 다른 재료들도 사용될 수 있다.
[0043] 에지 링 조립체들(138a, 138b)의 제1 및 제2 실시예들은 본원에서 명시적으로 언급되지 않은 일부 컴포넌트들을 공유할 수 있다. 예를 들어, 에지 링 조립체들(138a, 138b)의 제1 및 제2 실시예들은 유사한 외측 바디들(202), 수직 돌출부들(206), 캔틸레버들(208), 최하부 표면들(240) 및 단차 영역들(242)을 포함한다.
[0044] 도 3a는 도 2b의 에지 링(140b)의 개략적인 평면도이다. 도 3b는 도 2b의 에지 링(140b)의 개략적인 단면도이다. 에지 링(140b)은 중앙 개구(302), 외측 바디(202), 복수의 수직 돌출부들(206), 그루브(306), 최상부 캔틸레버 표면(232), 중간 표면(316) 및 외측 리지 표면(308)을 포함한다.
[0045] 개구(302)는 원형이고, 에지 링(140b)의 중심을 관통 형성된다. 일부 실시예들에서, 개구(302)의 직경은 약 295 mm 내지 약 300 mm, 예를 들어 약 296 mm 내지 약 298 mm, 예를 들어 약 297 mm 내지 약 298 mm이다. 개구(302)의 직경은 캔틸레버(208)가 기판 약간 밑에 배치되어 기판의 배면을 보호하도록, 프로세싱될 기판의 직경보다 약간 작다.
[0046] 최상부 캔틸레버 표면(232)은 최상부 캔틸레버 표면(232)이 중간 표면(316)과 에지 링(140b)의 내측 캔틸레버 표면(310) 사이의 표면이 되도록 개구(302)로부터 반경방향 외측으로 배치된다. 최상부 캔틸레버 표면(232)의 외측 에지는 약 315 mm 내지 약 335 mm, 예를 들어 약 320 mm 내지 약 330 mm, 예를 들어 약 322 mm 내지 약 328 mm의 직경을 갖는다. 최상부 캔틸레버 표면(232)은 수평 표면이고, 평면이다.
[0047] 복수의 수직 돌출부들(206)은 최상부 캔틸레버 표면(232)의 최상부 상에 형성된다. 일부 실시예들에서, 복수의 수직 돌출부들(206)은 최상부 캔틸레버 표면(232)의 외측 부분 상에 배치된다. 내측 돌출부 내측 표면은 약 300 mm 내지 약 315 mm, 예를 들어 약 300 mm 내지 약 310 mm, 예를 들어 약 302 mm 내지 약 310 mm, 예를 들어 약 302 mm 내지 약 308 mm의 내경을 갖는다. 복수의 수직 돌출부들(206)은 돌출부 외측 표면(502)을 갖는다. 돌출부 외측 표면은 약 315 mm 내지 약 335 mm, 예를 들어 약 320 mm 내지 약 330 mm의 직경을 갖는다. 복수의 수직 돌출부들(206)은 6개의 돌출부들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 수직 돌출부들(206)의 개수는 3개의 돌출부들 내지 12개의 돌출부들, 예를 들어 3개의 돌출부들 내지 10개의 돌출부들, 예를 들어 4개의 돌출부들 내지 9개의 돌출부들, 예를 들어 4개의 돌출부들 내지 8개의 돌출부들일 수 있다. 수직 돌출부들은 중심 축선(1)을 중심으로 균등하게 이격되고, 최상부 캔틸레버 표면(232)을 중심으로 서로 등거리에 있다. 복수의 수직 돌출부들(206)은 약 5 mm 내지 약 25 mm, 예를 들어 약 5 mm 내지 약 20 mm, 예를 들어 약 10 mm 내지 약 15 mm의 폭(W)을 가질 수 있다. 폭(W)은 중심 축선(1)에 면하는 수직 돌출부(206)의 면을 가로지르는 거리이다. 수직 돌출부들(206)은 프로세싱 동안 기판의 고정 및 정렬을 용이하게 한다.
[0048] 중간 표면(316)은 최상부 캔틸레버 표면(232)과 그루브(306) 사이의 표면이다. 중간 표면(316)은 중심 축선(1)으로부터의 반경방향 거리가 증가함에 따라 중간 표면(316)이 하향으로 기울어지도록 하는 각진 표면이다.
[0049] 그루브(306)는 중간 표면(316)과 외측 바디(202) 사이에 배치된다. 그루브(306)는 2개의 측벽들(252, 254)을 갖는다. 내측벽(254)은 중간 표면(316)에 인접하여 이에 연결된다. 외측벽(252)은 외측 바디(202)에 인접하여 이에 연결된다. 그루브(306)의 내측벽(254)은 약 325 mm 내지 약 350 mm, 예를 들어 약 330 mm 내지 약 350 mm, 예를 들어 약 335 mm 내지 약 345 mm의 직경을 갖는다. 그루브(306)의 외측벽(252)은 약 340 mm 내지 약 360 mm, 예를 들어 약 345 mm 내지 약 355 mm의 직경을 갖는다. 그루브(306)는 에지 링(140b)의 전체 주위에 형성된다.
[0050] 일부 실시예들에서, 그루브(306)는 불연속적인 그루브일 수 있다. 본 실시예에서, 오버행 링(112)은 불연속적인 그루브 내에 끼워지도록 하는 제1 부분(210)을 가질 것이다. 대안적으로 오버행 링(112) 및 에지 링(140b)은 체결구, 소닉 용접 또는 접착제를 사용하여 오버행 링(112) 및 에지 링(140b)을 부착하도록 조정될 수 있다. 에지 링(140b) 및 오버행 링(112)은 또한, 하나의 연속적인 컴포넌트 또는 부품일 수 있다. 본 실시예는 오버행 링(112) 및 에지 링(140b)을 형성하도록 3차원 인쇄 또는 몰딩을 사용할 수 있다.
[0051] 외측 바디(202)는 외측 리지 표면(308)을 갖는다. 외측 리지 표면(308)은 에지 링(140b)의 최외측 표면이다. 외측 리지 표면(308)은 수직 표면일 수 있고, 외측 바디(202)의 일부일 수 있다. 에지 링(140b)의 외측 리지 표면(308)은 약 375 mm 내지 약 425 mm, 예를 들어 약 380 mm 내지 약 415 mm, 예를 들어 약 385 mm 내지 약 405 mm, 예를 들어 약 390 mm 내지 약 400 mm의 직경을 갖는다.
[0052] 도 3b는 에지 링(140b)의 측단면도이다. 에지 링(140b)은 개구(302), 외측 바디(202), 복수의 수직 돌출부들(206), 그루브(306), 내측 캔틸레버 표면(310) 및 외측 리지 표면(308)을 포함한다. 도 3b의 단면도는 도 3a에 도시된 점선을 따라 취해진다.
[0053] 에지 링(140b)은 에지 링(140b)이 도 1의 프로세스 챔버(100)에 포지셔닝될 때 중심 축선(1)과 동축을 이루는 중심 축선을 포함한다. 중심 축선(1)은 개구(302)를 통과한다.
[0054] 도 4는 도 3a 내지 도 3b의 에지 링(140b)과 함께 사용되는 오버행 링(112)의 측단면도이다. 오버행 링(112)은 제1 부분(210) 및 제2 부분(270)을 포함한다. 오버행 링은 에지 링(140b)의 그루브(306) 내로 삽입된다. 오버행 링(112)은 또한 중심 축선(1)을 따라 중심설정된다. 일부 실시예들에서, 중심 축선은 에지 링(140b)의 중심 축선(1) 또는 오버행 링(112)의 중심 축선(1)이다. 중심 축선(1)이 개구(302)를 통과하도록 오버행 링(112)에 형성되는 개구(302)가 존재한다.
[0055] 제1 부분(210)은 내측 표면(408) 및 외측 표면(412)을 포함한다. 내측 표면(408) 및 외측 표면(412)은 최하부 표면(410)에 의해 일 단부 상에 연결된다. 내측 표면(408) 및 외측 표면(412) 모두는 제1 부분(210)의 내측 표면(408) 및 외측 표면(412)이 상향 연장되도록 하는 수직 표면들이다. 내측 표면(408) 및 외측 표면(412)은 서로 평행한다. 내측 표면(408) 및 외측 표면(412)은 최하부 표면(410)으로부터 유사하게 상향으로 연장된다.
[0056] 내측 표면(408)은 약 325 mm 내지 약 350 mm, 예를 들어 약 330 mm 내지 약 350 mm, 예를 들어 약 335 mm 내지 약 345 mm의 직경을 갖는다. 외측 표면(412)은 약 335 mm 내지 약 365 mm, 예를 들어 약 340 mm 내지 약 360 mm, 예를 들어 약 345 mm 내지 약 355 mm의 직경을 갖는다.
[0057] 제2 부분(270)은 하부 표면(406), 최상부 표면(404), 내측 오버행 표면(214) 및 외측 표면(412)을 포함한다. 제2 부분(270)의 하부 표면(406)은 제1 부분(210)의 내측 표면(408)과 교차하고 이에 연결된다. 외측 표면(412)은 제1 부분(210)으로부터 제2 부분(270)으로 연장되고, 제2 부분(270)의 외측 표면(412)을 형성한다. 최상부 표면(404)은 외측 표면(412)과 교차하고 이에 연결된다. 최상부 표면은 오버행 링(112)의 상부 표면이다. 내측 오버행 표면(214)은 오버행 링(112)의 최내측 표면이다. 내측 오버행 표면(214)은 오버행 링(112)의 제2 부분(270)의 하부 표면(406) 및 최상부 표면(404)과 교차하고 이들을 연결한다.
[0058] 내측 오버행 표면(214)은 제1 부분(210)의 내측 표면(408) 및 외측 표면(412)에 평행한다. 내측 오버행 표면(214)은 약 300 mm 내지 약 315 mm, 예를 들어 약 300 mm 내지 약 310 mm, 예를 들어 약 302 mm 내지 약 310 mm, 예를 들어 약 302 mm 내지 약 308 mm, 예를 들어 약 303 mm 내지 약 306 mm의 직경을 갖는다. 내측 오버행 표면(214)은 300 mm의 직경을 갖는 기판이 내측 오버행 표면(214) 사이 개구(302)를 통과할 수 있도록 크기설정될 수 있다.
[0059] 오버행 링(112)의 제2 부분(270)의 최상부 표면(404) 및 오버행 링(112)의 제2 부분(270)의 하부 표면(406)은 평행한다. 최상부 표면(404)과 제2 부분(270) 사이의 수선(perpendicular)은 약 2.5 mm 내지 약 7.5 mm, 예를 들어 약 3 mm 내지 약 7 mm, 예를 들어 약 3.5 mm 내지 약 6.5 mm, 예를 들어 약 4 mm 내지 약 6 mm이다. 수선은 제2 부분(270)의 두께를 나타낸다. 내측 오버행 표면(214)은 약 2.5 mm 내지 약 7.5 mm, 예를 들어 약 3 mm 내지 약 7 mm, 예를 들어 약 3.5 mm 내지 약 6.5 mm, 예를 들어 약 4 mm 내지 약 6 mm의 길이를 갖는다.
[0060] 오버행 링(112)의 제2 부분(270)의 최상부 표면(404) 및 하부 표면(406)은 내측 오버행 표면(214) 및 외측 표면(412)에 수직일 수 있다. 오버행 링(112)의 제2 부분(270)의 최상부 표면(404) 및 하부 표면(406)은 오버행 링(112)의 제1 부분(210)으로부터 반경방향 내측으로 연장된다. 오버행 링(112)의 제2 부분(270)의 하부 표면(406)은 하부 표면(406)의 표면적이 최상부 표면(404)의 표면적 미만이도록 오버행 링(112)의 제2 부분(270)의 최상부 표면(404)보다 작다.
[0061] 오버행 링(112)의 제2 부분(270)의 하부 표면(406) 및 오버행 링(112)의 제1 부분(210)의 내측 표면(408)은 제1 코너(412)에서 교차한다. 제1 코너(412)는 오버행 링(112)의 내측 코너이고, 약 80도 내지 약 100도, 예를 들어 약 85도 내지 약 95도, 예를 들어 약 90도의 각도를 이룬다. 제1 코너(412)는 둥글거나 기울어진 코너이다. 제1 코너(412)의 곡선은 약 1.5 mm 내지 약 4 mm, 예를 들어, 약 2 mm 내지 약 3.5 mm, 예를 들어 약 2 mm 내지 약 3 mm의 곡률 반경을 가질 수 있다.
[0062] 오버행 링(112)의 제2 부분(270)의 최상부 표면(404) 및 오버행 링의 외측 표면(412)은 제2 코너(414)에서 교차한다. 제2 코너(414)는 오버행 링(112)의 외측 코너이고, 약 260도 내지 약 280도, 예를 들어 약 265도 내지 약 275도, 예를 들어 약 270도의 바깥 각도를 갖는다. 제2 코너(414)는 둥글거나 기울어진 코너이다. 제2 코너(414)의 곡선은 약 0.5 mm 내지 약 2 mm, 예를 들어 약 1 mm 내지 약 1.5 mm의 곡률 반경을 갖는다.
[0063] 최하부 표면(410)과 외측 표면(412) 및 내측 표면(408)의 교차로 인해 최하부 코너(416)가 생성된다. 최하부 코너(416)는 약 0.5 mm 내지 약 2 mm, 예를 들어 약 1 mm 내지 약 1.5 mm의 곡률 반경을 갖는다. 최하부 코너들은 약 260도 내지 약 280도, 예를 들어 약 265도 내지 약 275도, 예를 들어 약 270도의 바깥 각도를 갖는다.
[0064] 도 5a 내지 도 5b는 도 3a 내지 도 3b의 에지 링(140b)의 부분 단면도이다. 도 5a는 도 3b의 측단면도의 일측의 근접도를 예시한다. 도 5b는 도 5a에 도시된 바와 같은 돌출부 내측 표면(216)의 근접도를 예시한다.
[0065] 도 5a에 도시된 에지 링(140b)의 부분은 내측 캔틸레버 표면(310), 캔틸레버(208), 수직 돌출부들(206), 중간 표면(316), 그루브(306), 외측 바디(202), 외측 리지 표면(308), 최하부 표면(240) 및 단차 영역(242)을 포함한다. 에지 링(140b)은 단일 부품이고, 정전 척(110) 및 기판(126) 주위에 배치된다.
[0066] 캔틸레버(208)는 에지 링(140b)의 내측 캔틸레버 표면(310)에 인접하여 배치된다. 내측 캔틸레버 표면(310)은 에지 링(140b)의 최내측 부분이다. 최상부 캔틸레버 표면(232)은 캔틸레버(208)의 상부 표면이다. 내측 캔틸레버 표면(310)은 캔틸레버(208)의 내측 표면이다.
[0067] 캔틸레버(208)의 최상부 돌출부 표면(530)은 수직 돌출부들(206)의 돌출부 내측 표면(216)과 교차한다. 돌출부 내측 표면(216)은 최상부 캔틸레버 표면(232)으로부터 최상부 돌출부 표면(530)까지 연장된다. 돌출부 내측 표면(216)은 각진 표면이고, 최상부 캔틸레버 표면(232)에 대해 90도를 초과하는 각도를 이룬다. 최상부 돌출부 표면(530)은 수평 표면이다. 최상부 돌출부 표면(530)은 돌출부 내측 표면(216)으로부터 돌출부 외측 표면(502)까지 연장된다. 돌출부 외측 표면(502)은 수직 표면이다. 돌출부 외측 표면은 최상부 돌출부 표면(530)으로부터 중간 표면(316)까지 연장된다. 돌출부 외측 표면(502)은 일 단부 상에서는 최상부 돌출부 표면(530)과 만나고, 다른 단부 상에서는 중간 표면(316)과 만난다.
[0068] 중간 표면(316)은 돌출부 외측 표면(502)으로부터 그루브(306)까지 연장된다. 보다 구체적으로는, 중간 표면(316)은 돌출부 외측 표면(502)의 최하부 단부로부터 그루브(306)의 내측벽(254)의 최상부 단부까지 연장된다. 중간 표면(316)은 중심 축선(1)으로부터의 반경방향 거리가 증가함에 따라 중간 표면(316)이 하향으로 경사지도록 하는 각진 표면이다. 중간 표면(316)은 최상부 캔틸레버 표면(232)에 대해 약 5도 내지 약 15도의 각도, 예를 들어 약 7.5도 내지 약 12.5도, 예를 들어 약 9도 내지 약 11도의 각도를 이룰 수 있다.
[0069] 그루브(306)는 중간 표면(316)과 외측 바디(202) 사이에 배치된다. 그루브(306)는 2개의 측벽들(252, 254)을 갖는다. 내측벽(254)은 중간 표면(316)에 인접하고 이에 연결된다. 외측벽(252)은 외측 바디(202)에 인접하고 이에 연결된다. 내측벽(254) 및 외측벽(252)은 수직 측벽들이다. 내측벽(254) 및 외측벽(252)은 그루브(306)의 최하부 표면(256)에 의해 연결된다. 그루브(306)의 최하부 표면(256)은 수평 표면이다. 그루브(306)의 최하부 표면(256)은 내측 최하부 표면(522) 아래로 약 1 mm 내지 약 5 mm, 예를 들어 내측 최하부 표면(522) 아래로 1.5 mm 내지 약 4 mm, 예를 들어 내측 최하부 표면(522) 아래로 2 mm 내지 약 3 mm 또는 내측 최하부 표면(522) 아래로 약 2.25 mm 내지 약 2.75 mm이다.
[0070] 그루브(306) 내에서 내측벽(254)은 외측벽(252)보다 크다. 외측벽(252)은 중간 표면(316) 및 외측 바디(202)의 경사로 인해 내측벽(254)보다 작다. 그루브의 최하부 표면(256)은 오버행 링(112)의 최하부 표면(410)을 수용하도록 크기설정된다.
[0071] 외측 바디(202)는 내측 메인 표면(508), 외측 곡선 부분(510) 및 외측 리지 표면(308)을 포함한다. 내측 메인 표면(508)은 외측 바디(202)가 최상부 캔틸레버 표면(232)에 대해 약 5도 내지 약 15도의 각도, 예를 들어 약 7.5 내지 약 12.5도, 예를 들어 약 9도 내지 약 11도의 각도의 표면을 갖도록 중간 표면(316)과 동일 평면을 이룬다.
[0072] 외측 바디(202)의 외측 리지 표면(308)은 에지 링(140b)의 최외측 표면이다. 외측 바디(202)의 외측 리지 표면(308)은 외측 곡선 부분(510)에 의해 내측 메인 표면(508)에 연결된다. 외측 곡선 부분(510)은 내측 메인 표면(508)의 외측 에지와 외측 리지 표면(308)의 최상부 에지를 연결한다. 외측 곡선 부분은 약 3 mm 내지 약 10 mm, 예를 들어 약 4 mm 내지 약 9 mm, 예를 들어 약 5 mm 내지 약 8 mm, 예를 들어 약 6 mm 내지 약 7 mm의 곡률 반경을 갖는다. 외측 바디(202)의 외측 리지 표면(308)은 정전 척(110)(도 2a 내지 도 2b에 도시됨)의 외측 에지를 보호하기 위해 하향으로 연장된다.
[0073] 외측 바디(202)의 외측 리지 표면(308)은 리지 최하부 표면(514)에 연결된다. 리지 최하부 표면(514)은 수평 표면이다. 리지 최하부 표면(514)은 외측 리지 표면(308)을 내측 리지 표면(516)에 연결한다. 리지 최하부 표면(514)은 곡선 코너들에서 외측 리지 표면(308) 및 내측 리지 표면(516)에 연결된다. 내측 리지 표면(516)과 리지 최하부 표면(514)뿐만 아니라 외측 리지 표면(308)과 리지 최하부 표면(514) 사이의 곡선 코너들은 약 0.5 mm 내지 약 2.5 mm, 예를 들어 약 0.75 mm 내지 약 2 mm, 예를 들어 약 1 mm 내지 약 1.5 mm의 곡률 반경을 갖는다.
[0074] 내측 리지 표면(516)은 수직 표면이고, 외측 리지 표면(308)에 평행한다. 내측 리지 표면(516)은 정전 척의 외측 표면을 둘러싸도록 크기설정된다. 내측 리지 표면(516)은 에지 링(140b)의 최하부 표면(240)의 일부이다. 내측 리지 표면(516)은 제1 단부 상에서 리지 최하부 표면(514)에 연결되고, 제2 단부 상에서 주요 최하부 표면(primary bottom surface)(518)에 연결된다.
[0075] 주요 최하부 표면(518)은 수평 표면이다. 주요 최하부 표면(518)은 평면 표면이고, 내측 리지 표면(516)으로부터 하부 단차 표면(lower stepped surface)(520)까지 연장된다. 하부 단차 표면(520)은 단차 영역(242)의 일부인 수직 표면이다. 하부 단차 표면(520)은 내측 리지 표면(516) 및 주요 최하부 표면(518)의 반경방향 내측에 있다. 하부 단차 표면(520)은 또한 그루브(306)의 반경방향 내측에 있다. 하부 단차 표면(520)은 주요 최하부 표면(518)과 내측 최하부 표면(522)을 연결한다.
[0076] 내측 최하부 표면(522)은 하부 단차 표면(520)을 내측 캔틸레버 표면(310)에 연결하는 수평 표면이다. 내측 최하부 표면(522)은 수직 돌출부들(206) 및 캔틸레버(208) 아래에 있다. 내측 최하부 표면(522)은 평면 표면이다. 내측 최하부 표면(522)은 단차 영역(242)의 일부이다.
[0077] 도 5b는 돌출부 내측 표면(216)의 근접도를 예시한다. 돌출부 내측 표면(216)은 제1 내측 돌출부 표면(528) 및 제2 내측 돌출부 표면(532)을 포함한다. 돌출부 내측 표면(216)은 곡선형 내측 표면이다. 돌출부 내측 표면(216)의 곡률 반경은 약 150 mm 내지 약 165 mm, 예를 들어 약 150 mm 내지 약 160 mm, 예를 들어 약 152 mm 내지 약 158 mm, 예를 들어 약 154 mm 내지 약 156 mm이다. 제1 내측 돌출부 표면(528)은 캔틸레버(208)의 최상부 캔틸레버 표면(232)으로부터 연장되는 수직 표면이다. 제1 내측 돌출부 표면(528)은 제1 돌출부 코너(526)에서 최상부 캔틸레버 표면(232)에 연결된다. 제1 돌출부 코너(526)는 제1 돌출부 코너(526)가 약 1 mm 내지 약 5 mm, 예를 들어 약 2 mm 내지 약 4 mm의 곡률 반경을 갖도록 하는 곡선형 코너일 수 있다. 제1 내측 돌출부 표면(528)은 약 1 mm 내지 약 5 mm, 예를 들어 약 2 mm 내지 약 4 mm, 예를 들어 약 2.5 mm 내지 약 3.5 mm의 높이(H3)를 갖는다.
[0078] 제2 내측 돌출부 표면(532)은 제1 내측 돌출부 표면(528)에 인접하여 배치되고, 제2 돌출부 코너(524)에서 제1 내측 돌출부 표면(528)에 연결된다. 제2 내측 돌출부 표면(532)은 중심 축선으로부터의 거리가 증가함에 따라 양의 경사를 나타내는 표면(positively sloped surface)이다. 제2 내측 돌출부 표면(532)은 제2 내측 돌출부 표면(532)이 약 5도 내지 약 20도, 예를 들어 약 7도 내지 약 15도, 예를 들어 약 9도 내지 약 12도의 각도(θ)를 갖도록, 수직선으로부터 각도(θ)만큼 오프셋된다.
[0079] 제2 내측 돌출부 표면(532)은 높이(H4)를 갖는다. 제2 내측 돌출부 표면(532)의 높이(H4)는 약 1 mm 내지 약 4 mm, 예를 들어 약 1.5 mm 내지 약 3 mm, 예를 들어 약 2 mm 내지 약 2.5 mm이다. 제2 내측 돌출부 표면(532)은 제3 돌출부 코너(520)에서 최상부 돌출부 표면(530)에 연결된다. 제3 돌출부 코너(520)는 제3 돌출부 코너(520)가 약 0.1 mm 내지 약 0.5 mm, 예를 들어 약 0.2 mm 내지 약 0.4 mm, 예를 들어 약 0.25 mm 내지 약 0.35 mm의 곡률 반경을 갖도록 하는 곡선형 코너이다.
[0080] 도 6은 SiO2 산화 프로세스와 같은 SiO2 처리 동안 2개의 서로 다른 에지 링들을 사용한 후의 기판 위의 막 두께를 예시하는 그래프이다. 제1 에지 링은 표준 에지 링이고, 기판의 에지 근처에서 불충분한 두께 균일성을 갖는다(실선으로 나타냄). 제2 에지 링은 본원에 설명된 에지 링(140b)과 같은 오버행 피처를 사용하는 에지 링이며, 기판의 에지 근처에서 개선된 두께 균일성을 갖는다.
[0081] 도 6은 기판의 에지 근처에서 현저하게 개선된 층 두께를 도시한다. 개선된 층 두께는 적어도 부분적으로 기판과 프로세스 챔버의 측벽들 사이에서, 도 1의 RF 전류 라인들(124)과 같은 직접 RF 전류 통신 경로들의 변화에 의해 야기된다. 높은 바이어스 대 소스 전력 비율들을 갖는 종래 기판 처리 프로세스들에 있어서, 기판에 대한 플라스마 전류 및 플라스마 밀도는 영향을 받는다. 영향을 받은 플라스마 전류 및 밀도로 인해 기판 에지를 향해 막 두께가 두꺼워진다. 기판 에지를 향해 막 두께가 두꺼워지는 것은 소스 전력 코일에 의해 제어되는 플라스마를 통해서보다는 기판과 접지된 측벽 사이의 직접 RF 통신에 기인한다.
[0082] 도 6에 도시된 바와 같이, 오버행 링들과 함께 에지 링들을 사용하는 것은 더 높은 균일성을 생성하고, 소스 전력 코일에 의해 형성된 더 높은 밀도의 플라스마를 통과하도록 직접 RF 통신 경로를 변경하는 것으로 밝혀졌다. RF 전류 라인들(124)은 제1 플라스마 영역 및 제2 플라스마 영역과 같은 플라스마를 통해 유동하도록 변경된다.
[0083] 오버행 링은 종래의 에지 링을 사용하는 경우에서 달성되는 것보다 높은 플라스마 밀도를 갖는 영역을 통과하도록 RF 전류 라인들(124)의 경로들을 변경한다. 오버행 링(112)의 제2 부분(210)은 오버행 링(112)의 제1 부분(210)이 기판의 에지에 바로 인접하여 배치되지 않으므로, RF 전류 라인들(124)이 플라스마 밀도가 더 높은 영역을 통과하고 에지 근처에서 기판으로의 이온 전류를 크게 변화시키지 않도록, RF 전류 라인들(124)을 안쪽으로 밀어 넣는다.
[0084] 본원에서는 에지 링들(140a, 140b) 및 오버행 링(112) 모두가 석영 재료인 것으로 설명되어 있으나, 에지 링(140) 및/또는 오버행 링(112) 내에 다른 재료들이 또한 사용될 수 있는 것으로 고려된다. 에지 링(140a, 140b) 및 오버행 링들(112)의 일부일 수 있는 다른 재료들에는 실리콘 카바이드, 알루미나 또는 이트리아가 포함된다. 일부 실시예들에서, 다른 세라믹 재료들이 사용된다. 일부 실시예들에서, 석영 재료는 내부에 내포된 추가 재료들을 포함할 수 있다.
[0085] 에지 링들(140a, 140b) 및 오버행 링(112)의 일부 코너들은 곡선형 코너들인 것으로 전술되어 있지만, 에지 링들(140a, 140b) 및 오버행 링(112)의 코너들 모두는 곡선형 코너들일 수 있는 것으로 고려된다. 달리 전술되지 않는 한, 에지 링들(140a, 140b) 및 오버행 링(112)의 코너들 모두는 곡률 반경이 약 1 mm 미만, 예를 들어 약 0.75 mm 미만, 예를 들어 약 0.5 mm 미만인 곡선형 에지가 되도록 절곡될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 에지 링들(140a, 140b) 및 오버행 링(112)의 코너들 모두는 예리한 코너들일 수 있다.
[0086] 일부 실시예들에서, 도 2a의 에지 링(140a)이 이용된다. 본 실시예에서, 기판 프로세싱을 위한 장치는 에지 링을 포함한다. 에지 링은 최하부 표면 및 상부 표면을 포함한다. 상부 표면은 캔틸레버, 연장된 메인 바디 및 외측 바디를 더 포함한다. 캔틸레버는 연장된 메인 바디의 반경방향 내측에 배치되고, 연장된 메인 바디는 외측 바디의 반경방향 내측에 배치된다. 연장된 메인 바디는 내측 표면, 외측 표면 및 상부 표면을 포함한다. 상부 표면은 상부 표면 상에 배치된 수직 돌출부를 포함하고, 연장된 메인 바디는 약 10 mm 내지 약 40 mm의 높이를 갖는다.
[0087] 본원의 실시예들은 일반적으로 300 mm 기판들의 프로세싱에 관한 치수들을 설명하지만, 다른 치수들의 기판들도 프로세싱될 수 있다는 것으로 고려된다. 이러한 예들에서, 본원에 설명된 에지 링들의 치수들은 이에 따라 스케일링될 수 있다.
[0088] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (20)

  1. 기판 프로세싱을 위한 장치로서,
    에지 링(edge ring); 및
    오버행 링(overhang ring)을 포함하고,
    상기 에지 링은,
    최하부 표면;
    상부 표면; 및
    상기 상부 표면에 배치되는 그루브(groove)를 포함하고,
    상기 오버행 링은 상기 그루브에 배치되고,
    상기 오버행 링은,
    상기 그루브로부터 연장되는 제1 부분; 및
    상기 제1 부분에 연결되고, 반경방향 내측으로 연장되는 제2 부분을 더 포함하는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 에지 링은 석영 재료를 포함하는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 오버행 링은 석영 재료를 포함하는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 에지 링은 상기 상부 표면 상에 배치되는 복수의 탭(tab)들을 더 포함하는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 탭들은 3개 내지 10개의 탭들을 포함하는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 탭들은 상기 그루브의 반경방향 내측에 배치되는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 오버행 링의 제2 부분은 상기 복수의 탭들의 외측 표면의 반경방향 내측으로 연장되는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 에지 링은 외측 리지를 더 포함하고, 상기 외측 리지는 상기 에지 링의 최하부 표면으로부터 연장되는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 오버행 링의 제2 부분은 상기 오버행 링의 제1 부분에 수직인,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 오버행 링은 상기 에지 링의 내측 반경 미만의 내측 반경을 갖는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 에지 링의 그루브는 상기 오버행 링의 제1 부분을 수용하도록 크기설정되는 측벽들을 갖는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  12. 기판 프로세싱을 위한 장치로서,
    에지 링; 및
    오버행 링을 포함하고,
    상기 에지 링은,
    최하부 표면;
    상부 표면;
    중앙 개구; 및
    상기 상부 표면에 배치되는 그루브를 포함하고,
    상기 오버행 링은 상기 그루브에 배치되고,
    상기 오버행 링은,
    상기 그루브로부터 상향으로 연장되는 제1 부분; 및
    상기 오버행 링의 중심 축선을 향해 반경방향 내측으로 연장되는 제2 부분을 더 포함하는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 오버행 링은 상기 에지 링의 내측 반경 미만의 내측 반경을 갖는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 최하부 표면은,
    내측 최하부 표면;
    상기 내측 최하부 표면의 외측 에지에 연결되는 하부 단차 표면(lower stepped surface);
    상기 하부 단차 표면의 상기 내측 최하부 표면에 대한 대향 단부에 연결되는 주요 최하부 표면(primary bottom surface); 및
    상기 주요 최하부 표면의 외측 에지에 연결되는 내측 리지 표면(inner ledge surface)을 더 포함하는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 그루브의 최하부 표면은 상기 내측 최하부 표면으로부터 수직으로 약 1 mm 내지 약 5 mm에 배치되는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 제2 부분은 상기 그루브의 최하부 표면으로부터 약 10 mm 내지 약 30 mm에 있는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  17. 제12 항에 있어서,
    상기 그루브는 폭이 약 15 mm 미만인,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  18. 기판 프로세싱을 위한 장치로서,
    에지 링; 및
    오버행 링을 포함하고,
    상기 에지 링은,
    지지 표면;
    상부 표면;
    상기 상부 표면에 배치되는 그루브; 및
    상기 상부 표면 상에 배치되는 복수의 탭들을 더 포함하고,
    상기 오버행 링은 상기 그루브에 배치되고,
    상기 오버행 링은,
    상기 그루브로부터 연장되는 제1 부분; 및
    상기 제1 부분에 연결되고, 반경방향 내측으로 연장되는 제2 부분을 더 포함하는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 에지 링 및 상기 오버행 링은 석영 재료를 포함하는,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
  20. 제18 항에 있어서,
    상기 그루브는 상기 오버행 링의 제1 부분과 폭이 대략 동일한,
    기판 프로세싱을 위한 장치.
KR1020237003472A 2020-07-27 2020-12-08 에지 링 및 바이어스 전극 기하학적 구조를 사용한 막 두께 균일성 개선 KR20230027308A (ko)

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11380575B2 (en) * 2020-07-27 2022-07-05 Applied Materials, Inc. Film thickness uniformity improvement using edge ring and bias electrode geometry
CN118679562A (zh) * 2022-02-09 2024-09-20 朗姆研究公司 晶片边缘倾斜和蚀刻速率均匀性

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69126724T2 (de) * 1990-03-19 1998-01-15 Toshiba Kawasaki Kk Vorrichtung zur Dampfphasenabscheidung
US5891348A (en) 1996-01-26 1999-04-06 Applied Materials, Inc. Process gas focusing apparatus and method
US5810931A (en) 1996-07-30 1998-09-22 Applied Materials, Inc. High aspect ratio clamp ring
JP3247079B2 (ja) * 1997-02-06 2002-01-15 松下電器産業株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
US6159299A (en) * 1999-02-09 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Wafer pedestal with a purge ring
US6277198B1 (en) 1999-06-04 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Use of tapered shadow clamp ring to provide improved physical vapor deposition system
US6344105B1 (en) 1999-06-30 2002-02-05 Lam Research Corporation Techniques for improving etch rate uniformity
US6589352B1 (en) 1999-12-10 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Self aligning non contact shadow ring process kit
TW517262B (en) 2000-03-16 2003-01-11 Applied Materials Inc Shadow ring with common guide member
US6521292B1 (en) * 2000-08-04 2003-02-18 Applied Materials, Inc. Substrate support including purge ring having inner edge aligned to wafer edge
US6896765B2 (en) 2002-09-18 2005-05-24 Lam Research Corporation Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber
US7147749B2 (en) 2002-09-30 2006-12-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system
US20040069227A1 (en) * 2002-10-09 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber configured for uniform gas flow
TWI354320B (en) * 2006-02-21 2011-12-11 Nuflare Technology Inc Vopor phase deposition apparatus and support table
US8226769B2 (en) * 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US8999106B2 (en) * 2007-12-19 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber
US20090221150A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Applied Materials, Inc. Etch rate and critical dimension uniformity by selection of focus ring material
US9997381B2 (en) * 2013-02-18 2018-06-12 Lam Research Corporation Hybrid edge ring for plasma wafer processing
US10319568B2 (en) * 2013-11-12 2019-06-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus for performing plasma process for target object
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
KR102424818B1 (ko) * 2015-05-27 2022-07-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링
SG10202108705SA (en) 2015-07-03 2021-09-29 Applied Materials Inc Process kit having tall deposition ring and deposition ring clamp
US10553404B2 (en) 2017-02-01 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
JP7407125B2 (ja) * 2018-04-20 2023-12-28 ラム リサーチ コーポレーション エッジエクスクルージョン制御
JP7101055B2 (ja) * 2018-06-12 2022-07-14 東京エレクトロン株式会社 静電チャック、フォーカスリング、支持台、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法
KR102124766B1 (ko) 2019-12-31 2020-06-19 (주)삼양컴텍 플라즈마 처리 장치 및 그 제조방법
US11380575B2 (en) * 2020-07-27 2022-07-05 Applied Materials, Inc. Film thickness uniformity improvement using edge ring and bias electrode geometry
US20230162955A1 (en) * 2021-11-24 2023-05-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with detachable shaft

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