KR20230021028A - 물리 량을 포착 또는 방출하기 위한 전자 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

물리 량을 포착 또는 방출하기 위한 전자 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230021028A
KR20230021028A KR1020227046356A KR20227046356A KR20230021028A KR 20230021028 A KR20230021028 A KR 20230021028A KR 1020227046356 A KR1020227046356 A KR 1020227046356A KR 20227046356 A KR20227046356 A KR 20227046356A KR 20230021028 A KR20230021028 A KR 20230021028A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
active
electronic device
electrically insulating
electrically
elements
Prior art date
Application number
KR1020227046356A
Other languages
English (en)
Inventor
프레데릭 마이어
프레데릭 메르시에
에르완 도르넬
이반-크리스토프 로뱅
Original Assignee
알레디아
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 알레디아 filed Critical 알레디아
Publication of KR20230021028A publication Critical patent/KR20230021028A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

물리 량을 포착 또는 방출하기 위한 전자 장치 및 그 제조 방법
하부 지지체(11); 하부 전도성 엘리먼트(12); 활성 파트를 포함하고, 각각이 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12)에 전기적으로 연결되는 하단부(13a), 및 상단부(13b)를 포함하는 능동 엘리먼트들(13); 상부 전도성 엘리먼트들(14);을 포함하는 물리 량을 포착 또는 방출하기 위한 전자 장치(10)로서, 각 능동 엘리먼트(13)의 상단부(13b)는 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)에 전기적으로 연결되며; 하부 지지체(11)의 지지면에 나란히 배치된 적어도 두 개의 인접한 능동 엘리먼트들(13)의 측벽(13c) 사이에 적어도 하나의 제1 전기 절연 엘리먼트(16)가 배치되고; 제1 전기 절연 엘리먼트(16)는 상부 전도성 엘리먼트들(14) 중 하나와 하부 전도성 엘리먼트(12) 중 하나 사이에 배치된다.

Description

물리 량을 포착 또는 방출하기 위한 전자 장치 및 그 제조 방법
본 발명은 물리 량을 포착 또는 방출하기 위한 전자 장치에 관한 것이다.
본 발명은 또한 물리 량을 포착 또는 방출하기 위한 전자 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
광 디스플레이 스크린(light display screen) 분야에서, 스크린을 구성하는 광 엘리먼트(light element)는 매트릭스 방식으로 배열되어야 한다. 이러한 매트릭스의 형성에 필요한 정밀도는 스크린에 대해 기대되는 해상도가 증가함에 따라 증가한다.
발광 엘리먼트를 구성하는 발광 다이오드들을 제1 지지체, 예를 들어 실리콘 또는 사파이어 웨이퍼 상에 제조하고, 이를 스크린의 일체형 파트가 되도록 의도된 제2 지지체 상에 전사하는 것은 공지되어 있다. 이와 같이 전사된 발광 다이오드들에 전력을 공급하도록 하는 전기적 연결은 제2 지지체의 레벨에서 이루어진다.
발광 다이오드가 3차원 배선된 다이오드인 경우, 발광 다이오드 상부의 전기적 연결과 하부의 전기적 연결은, 수십 마이크로미터에 불과할 수 있는 그들의 이격 거리로 인해, 의도하지 않은 단락의 위험 없이 달성하기가 어렵다.
광 엘리먼트와 제2 지지체 사이의 전기적 연결을 생성하기 위해 열압축(thermocompression) 방법이 종종 사용된다. 그렇더라도, 이러한 솔루션은 광 엘리먼트의 발광 다이오드를 덮을 수 있는 광 변환 엘리먼트(light conversion element)와 양립할 수 없는 높은 온도의 사용을 수반하기 때문에 개선될 수 있는 성능을 갖는다.
고해상도 센서에 의한 이미징 분야에서, 파라미터 또는 물리 량의 센서와 방출기(emitter)는 매트릭스 방식으로 배열되어야 한다. 이러한 매트릭스의 형성에 필요한 정밀도는 스크린에 대해 기대되는 해상도가 증가할수록 증가하고 위에서 제기된 동일한 문제가 부각된다. 또한, 관련 센서나 방출기의 높은 토포그래피(topography)는 넓은 면에서의 집적화를 더욱 복잡하게 한다.
본 발명은 전술된 문제의 전부 또는 일부를 해결하는 것을 가능하게 하는 전자 장치 및 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
특히, 다음 목적들 중 적어도 하나를 만족시키는 솔루션을 제공하는 것이 목적이다:
- 단락의 위험을 제한하는, 물리 량을 포착 또는 방출하기 위한 전자 장치의 제공을 허용하는 것;
- 더 낮은 비용으로 물리 량을 포착하거나 방출하는 전자 장치의 제공을 허용하는 것;
- 광 변환 엘리먼트의 손상 위험을 제한하는 것;
- 큰 치수를 갖는 물리 량을 포착 또는 방출하기 위한 전자 장치의 제공을 허용하는 것;
- 높은 성능으로 물리 량을 포착하거나 방출하는 전자 장치의 제공을 허용하는 것.
이러한 목적은 물리 량을 포착하거나 방출하는 전자 장치에 의해 달성될 수 있으며, 전자 장치는:
- 하부 지지체;
- 서로 전기적으로 절연되고 하부 지지체의 지지면 상에 적어도 부분적으로 형성되는 하부 전도성 엘리먼트들;
- 하부 지지체에 대해 가로로 배향된 가로 방향으로 고려되는 두께를 갖고, 각각이 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트에 전기적으로 연결되는 하단부, 및 하단부에 대해 가로 방향으로 하부 지지체와 반대측에 배치되는 상단부를 포함하는 복수의 능동 엘리먼트 - 각 능동 엘리먼트는 활성 파트를 포함하고, 활성 파트는 활성 파트에 대해 외부의 외부 파라미터가 활성 파트에 인가되는 때에 상태를 변경할 수 있음 -;
- 서로 전기적으로 절연된 상부 전도성 엘리먼트들;을 포함하고,
각 능동 엘리먼트의 상단부는 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트에 전기적으로 연결되고, 각 능동 엘리먼트는 능동 엘리먼트를 둘러싸고 측면으로 연장되는 적어도 하나의 측벽을 상기 두께를 따라 외부에 확정하며;
적어도 하나의 제1 전기 절연 엘리먼트가 하부 지지체의 지지면 상에 나란히 배치된 적어도 두 개의 인접한 능동 엘리먼트들의 적어도 하나의 측벽의 적어도 일부 사이에 배치되어 제1 전기 절연 엘리먼트에 의해 분리되는 측벽들이 서로 전기적으로 절연되며;
제1 전기 절연 엘리먼트가 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트와 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트 사이에 배치되어, 제1 전기 절연 엘리먼트에 의해 분리되는 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트 및 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트가 서로 전기적으로 절연된다.
이러한 전자 장치의 일부 바람직하지만 비한정적인 양태는 다음과 같다.
장치의 일 구현형태에서, 적어도 하나의 능동 엘리먼트는 능동 엘리먼트의 활성 파트와 연관된 적어도 하나의 파라미터에 영향을 줄 수 있는 제어 장치를 포함한다.
장치의 일 구현형태에서, 적어도 하나의 능동 엘리먼트의 활성 파트는, 활성 파트에 인가되는 외부 파라미터가 상부 전도성 엘리먼트들 및 하부 전도성 엘리먼트들 중 적어도 하나로부터 기인한 전기량인 경우, 적어도 하나의 광 복사선(light radiation)을 방출할 수 있는 발광 파트를 포함한다.
장치의 일 구현형태에서, 제어 장치는 발광 파트에 의해 방출될 수 있는 광 복사선에 관한 적어도 하나의 방출 파라미터를 변조할 수 있다.
장치의 일 구현형태에서, 제어 장치는 적어도 하나의 트랜지스터를 포함한다.
장치의 일 구현형태에서, 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트는, 한편으로는 능동 엘리먼트의 발광 파트와 전기적으로 접촉하고 발광 파트에 의해 방출될 수 있는 광 복사선에 대해 투명 특성을 갖는 투명 전기 전도체에 의해 형성되고, 다른 한편으로는 투명 전기 전도체와 전기적으로 접촉하는 금속 전기 전도체에 의해 형성된다.
장치의 일 구현형태에서, 상부 전도성 엘리먼트들의 금속 전기 전도체는, 적어도 가로 방향으로는, 능동 엘리먼트들의 방출 파트를 덮지 않도록 배치된다.
장치의 일 구현형태에서, 적어도 하나의 능동 엘리먼트의 발광 파트는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함한다.
장치의 일 구현형태에서, 발광 다이오드는 마이크로미터 치수를 갖고, 주 연장 축이 가로 방향에 전체적으로 평행한 와이어 형상이다.
장치의 일 구현형태에서, 적어도 하나의 능동 엘리먼트의 발광 파트의 적어도 두 개의 발광 다이오드는, 상이한 파장을 갖는 적어도 두 개의 광 복사선을 방출할 수 있다.
장치의 일 구현형태에서, 적어도 하나의 능동 엘리먼트의 발광 파트의 적어도 하나의 발광 다이오드는, 대응하는 발광 다이오드에 의해 방출된 광 복사선을 변환할 수 있는 광발광 물질(photoluminescent material)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸여 있다.
장치의 일 구현형태에서, 적어도 하나의 능동 엘리먼트의 활성 파트는, 활성 파트에 외부 파라미터가 인가되는 때에 상태를 변경하도록 구성된 외부 파라미터를 측정하기 위한 장치를 포함한다.
장치의 일 구현형태에서, 제어 장치는 활성 파트의 측정 장치의 상태 변화를 판정하고, 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트와 하나의 하부 전도성 엘리먼트 사이에서 이러한 판정을 나타내는 출력 신호를 전달한다.
장치의 일 구현형태에서, 적어도 하나의 측정 장치는, 센서 및 트랜스듀서(transduce)로부터 선택된 전기 컴포넌트이다.
장치의 일 구현형태에서, 능동 엘리먼트들은 하부 지지체를 향한 능동 엘리먼트들의 전사(transfer) 이전에 하부 지지체와 별개의 외부 지지체 상에서 획득된다.
장치의 일 구현형태에서, 제1 전기 절연 엘리먼트는 전기 절연 물질로 코팅된 금속 입자들의 세트를 포함하고, 전기 절연 물질은 제1 전기 절연 엘리먼트가 수축 압력을 받지 않고 금속 입자들의 대부분이 서로 접촉하지 않는 전기 절연인 제1 상태와, 가로 방향으로 가해지는 수축 압력의 영향으로 금속 입자들의 대부분이 전기적으로 접촉하는 이방성 전기 전도성인 제2 상태 사이에서 변할 수 있도록 구성된다.
장치의 일 구현형태에서, 제1 전기 절연 엘리먼트는, 적어도 하나의 능동 엘리먼트의 하단부와 이 능동 엘리먼트의 하단부와 연결되는 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트 사이에 배치되는 콘택트부에 배치된다; 특히 능동 엘리먼트 및 하부 지지체를 포함하는 그룹으로부터 취해진 적어도 하나의 엘리먼트에 대한 전기 본딩 장치(electrical bonding device)의 동작에 기인하여 콘택트부에 대해 능동 엘리먼트 및/또는 하부 지지체에 의한 수축 압력이 인가되어, 제1 전기 절연 엘리먼트가 전기 절연인 제1 상태에서 방향성 전기 전도성인 제2 상태로 진행하여 능동 엘리먼트의 하단부가 하부 전도성 엘리먼트와 전기적으로 접촉하게 됨으로써, 콘택트부 내에 위치하는 제1 전기 절연 엘리먼트의 금속 입자들의 전부 또는 일부가 능동 엘리먼트의 하단부와 하부 전도성 엘리먼트 사이의 전기적인 연결을 제공한다.
장치의 일 구현형태에서, 제1 전기 절연 엘리먼트와 별개인 제2 전기 절연 엘리먼트가, 하부 지지체의 지지면 상에 나란히 배치된 적어도 두 개의 인접한 능동 엘리먼트들 사이에, 그리고 상부 전도성 엘리먼트들과 하부 전도성 엘리먼트들 사이에 배치되어,
- 제2 전기 절연 엘리먼트에 의해 서로 분리되는 인접한 능동 엘리먼트들로 이루어진 제1 그룹;
- 제2 전기 절연 엘리먼트에 의해 서로 분리되는 상부 전도성 엘리먼트들 및 하부 전도성 엘리먼트들로 이루어진 제2 그룹 중 적어도 하나의 구성원들이 서로 전기적으로 절연하도록 한다.
장치의 일 구현형태에서, 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트의 금속 전기 전도체는 제2 전기 절연 엘리먼트와 투명 전기 전도체 사이에 배치된다.
장치의 일 구현형태에서, 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트는 그것이 연결된 능동 엘리먼트의 상단부의 레벨에 배치되는 국부를 확정하고, 상부 전기 엘리먼트의 상기 국부는 적어도 부분적으로 적응형 리소그래피(adaptive lithography)에 의해 형성된다.
장치의 일 구현형태에서, 외부 파라미터는, 음파, 광 복사선, 전자기 복사선, 전류, 전위차 및 압력파로 구성된 그룹에 포함된다.
본 발명은 또한 물리 량을 포착 또는 방출하기 위한 전자 장치를 제조하는 방법의 구현형태에 관한 것으로, 방법은 다음 단계들을 포함한다:
E1) 서로 전기적으로 절연되고 하부 지지체의 지지면 상에 적어도 부분적으로 형성된 하부 전도성 엘리먼트들을 포함하는 하부 지지체를 제공하는 단계;
E2) 하부 지지체에 대해 가로로 배향된 가로 방향으로 고려된 두께를 갖고 각각이 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트에 전기적으로 연결될 수 있는 하단부, 하단부에 대해 가로 방향으로 하부 지지체의 반대측에 배치되는 상단부 및 활성 파트를 포함하는 복수의 능동 엘리먼트를 제공하는 단계 -활성 파트는 활성 파트에 대해 외부의 외부 파라미터가 활성 파트에 인가되는 때에 상태를 변경할 수 있고, E2) 단계에서 제공되는 각 능동 엘리먼트는, 적어도 하단부 및 상단부를 둘러싸고 측면으로 연장되는 적어도 하나의 측벽을 두께를 따라, 외부에 확정함 -;
E3) 하부 지지체의 지지면 상에 나란히 배치된 적어도 두 개의 인접한 능동 엘리먼트의 적어도 하나의 측벽의 적어도 일부 사이에 배치되는 적어도 하나의 제1 전기 절연 엘리먼트를 형성하여, 제1 전기 절연 엘리먼트에 의해 분리되는 측벽들이 서로 전기적으로 절연되는 단계;
- E2) 및 E3) 단계들 중 하나의 종료 시에, 적어도 하나의 능동 엘리먼트의 하단부가 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트에 전기적으로 연결됨 -;
E4) 서로 전기적으로 절연된 상부 전도성 엘리먼트들을 형성하여, 형성된 상부 전도성 엘리먼트들 중 적어도 하나에 각 능동 엘리먼트의 상단부가 전기적으로 연결되도록 하는 단계;를 포함하며, E4) 단계의 종료 시에, 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트와 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트 사이에 제1 전기 절연성 엘리먼트가 더 배치되어, 제1 전기 절연 엘리먼트에 의해 분리되는 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트 및 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트가 서로 전기적으로 절연된다.
이러한 제조 방법의 일부 바람직하지만 비한정적인 양태는 다음과 같다.
방법의 일 구현형태에서, E2) 단계에서 제공되는 능동 엘리먼트들은, E2) 단계 동안 구현되는 하부 지지체를 향한 능동 엘리먼트의 전사 이전에, 하부 지지체와는 다른 외부 지지체 상에서 획득된다.
방법의 일 구현형태에서, 제1 전기 절연 엘리먼트는, 제1 전기 절연 엘리먼트가 수축 압력을 받지 않고 금속 입자들의 대부분이 서로 접촉하지 않는 전기 절연인 제1 상태와, 수축 압력의 영향으로 금속 입자들의 대부분이 전기적으로 접촉하는 이방성 전기 전도성인 제2 상태 사이에서 변할 수 있도록 구성된, 전기 절연 물질로 코팅된 금속 입자들의 세트를 포함하고, E3) 단계는 적어도 하나의 능동 엘리먼트의 하단부와 이 능동 엘리먼트의 하단부에 연결될 수 있는 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트 사이에 배치된 콘택트부에 제1 전기 절연 엘리먼트를 형성하는 단계로 구성된 E31) 단계를 포함한다;
방법은, 콘택트부에 위치하는 제1 전기 절연 엘리먼트의 금속 입자들의 전부 또는 일부가 능동 엘리먼트의 하단부와 하부 전도성 엘리먼트 사이의 전기적인 연결을 제공하는 방향성 전기 전도성인 제2 상태가 되도록, 능동 엘리먼트와 하부 지지체사이의 상대적인 움직임- 상기 상대적인 움직임은 능동 엘리먼트 및 하부 지지체로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 엘리먼트에 대한 전기 본딩 장치의 동작으로부터 기인함 -에 의해 콘택트부 상에 수축 압력을 인가하는 단계로 구성된 E21) 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 양태, 목적, 장점 및 특징은 첨부 도면을 참조하여 비한정적인 예로서 제공된 본 발명의 바람직한 실시형태의 후속하는 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용을 정독하면 더 분명하게 드러날 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 제1 실시 예의 전자 장치의 제1 예의 제조 방법의 몇몇 단계들의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 제2 실시 예의 전자 장치의 제2 예의 제조 방법의 몇몇 단계들의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 제3 실시 예의 전자 장치의 제3 예의 제조 방법의 몇몇 단계들의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 제4 실시 예의 전자 장치의 제4 예의 제조 방법의 몇몇 단계들의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 제5 실시 예의 전자 장치의 제5 예의 제조 방법의 몇몇 단계들의 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 제6 실시 예의 전자 장치의 제6 예의 제조 방법의 몇몇 단계들의 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 예시적인 전자 장치의 개략적인 평면도이다.
첨부된 도 1 내지 도 7과 이하의 설명에서, 기능적으로 동일하거나 유사한 엘리먼트들은 동일한 참조 번호에 의해서 식별된다. 또한, 이해를 쉽게 하기 위하여 도면을 더 명료하게 하려고 상이한 엘리먼트들은 스케일에 맞춰서 표현되지 않는다. 더욱이, 상이한 실시형태 및 변형예는 서로를 배제하지 않으며, 그 반대로 서로 결합될 수 있다.
다음의 설명에서, 그렇지 않다고 표시되지 않는 한 "실질적으로", "약", "일반적으로" 및 "-의 범위에 속하는"이라는 용어는 "10% 내에 있음"을 의미한다.
도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명은 우선 발광용 전자 장치(10)에 관한 것이다. 그러나, 이 전자 장치(10)는 물리 량(physical quantity)을 포착(capturing)하거나 방출(emitting)하기 위해 구분없이 적용될 수 있다. "포착"이라는 용어는 유사하게 "측정(measurement)"을 의미한다. 포착되는 물리 량은 압력, 압력 파, 음파, 습도 레벨, 온도, 전자기장, 가시 또는 비 가시 광 복사선, 전류 또는 심지어 전위차일 수도 있다. 방출되는 물리 량은 포착 또는 측정되는 것과 동일한 성질을 갖거나 다른 성질을 가질 수 있다.
전자 장치(10)는 먼저 하부 지지체(11)를 포함한다. 하부 지지체(11)는 예를 들어 전기적으로 절연되고 적어도 하나의 유리판에 의해 형성된다. 하부 지지체(11)는 또한 전기 전도성이고 적어도 하나의 금속판에 의해 형성될 수도 있다. 하부 지지체(11)는 또한 서로 절연되며 하부 지지체(11)의 표면 또는 내부에 형성되는 전기 전도성 트랙들을 포함할 수도 있다. 하부 지지체(11)는 결정질(crystalline) 또는 비결정질(non-crystalline) 물질로 형성될 수 있으며, 트랜지스터 또는 메모리와 같은, 능동(active) 또는 수동(passive) 컴포넌트를 포함할 수도 있다. 하부 지지체(11)는 예를 들어 광 디스플레이 스크린(light display screen)용 지지체를 구성할 수 있다.
전자 장치(10)는 또한 서로 전기적으로 절연되고 하부 지지체(11)의 지지면 상에 적어도 부분적으로 형성된 하부 전기 전도성 엘리먼트(12)를 포함한다. 하부 전도성 엘리먼트(12)는 적응형 또는 비적응형 포토리소그래피(photolithography) 및/또는 에칭(etching)에 의해서 뿐만 아니라, 진공 증착(vacuum deposition) 방법에 의해, 또는, 예를 들어 구리, 알루미늄, 은, 금, 티타늄, 팔라듐, 니켈, 또는 예를 들어 이들 금속으로 형성된 합금, 또는 예를 들어 전술한 금속들로부터 선택된 상이한 금속들의 상이한 층을 갖는 다층과 같은, 금속의 습식 공정(wet process)에 의해 형성될 수 있다.
전자 장치(10)는 하부 지지체(11)에 대해 가로로 배향된 가로 방향(transverse direction)으로 고려되는 두께(H)를 갖는 복수의 능동 엘리먼트(13)를 더 포함한다. 능동 엘리먼트의 두께(H)는 0.5㎛에서 200㎛ 사이에 포함될 수 있다. 예를 들어, 능동 엘리먼트(13)는 능동 엘리먼트(13)를 하부 지지체(11) 쪽으로 전사(transfer)하기 전, 하부 지지체(11)와 별개인 외부 지지체 상에서 얻어진다. 이는 능동 엘리먼트(13)가 하부 지지체(11)를 손상시킬 수 있는 500℃ 이상의 고온과 같은 특정한 형성 조건을 매우 자주 필요로 하기 때문에 유리하다.
능동 엘리먼트(13)는 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12)와 전기적으로 연결되는 하단부(13a)를 포함한다. "전기적으로 연결된"이라는 용어는 "직접적인 물리적 접촉에 의해 연결된"을 의미하거나, 또는 예를 들어 금속 입자 또는 탄소 나노튜브를 함유하는 접착제나, 심지어 압력 또는 온도 감응성 접착제와 같은 "하나 이상의 전도성 엘리먼트를 통한 간접 접촉에 의해 연결된"을 의미한다.
능동 엘리먼트(13)는 또한 가로 방향으로 하단부(13a)에 대해 하부 지지체(11)와 반대측에 배치된 상단부(13b)를 포함한다. 하단부(13a) 및 상단부(13b)는 하부 전도성 엘리먼트(12) 및/또는 후술하는 상부 전기 전도성 엘리먼트(14)와의 접촉을 조성하는 하나 또는 여러 개의 전기 전도성 전극을 포함할 수 있다. 따라서, 각 능동 엘리먼트(13)의 상단부(13b)는 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)에 전기적으로 연결된다. 일 예에서, 능동 엘리먼트(13)의 상단부(13b)는, 각각이 상이한 상부 전도성 엘리먼트(14)에 연결되는, 두 개의 전극을 포함한다.
각 능동 엘리먼트(13)는 활성 파트(active part)에 외부 파라미터가 인가되는 때에 상태를 변경할 수 있는 활성 파트를 포함한다. 외부 파라미터는, 예를 들어 압력, 압력 파, 음파, 습도 레벨, 온도, 전자기장, 가시 또는 비 가시 광 복사선, 전류, 또는 전위차이다. 각 능동 엘리먼트(13)는, 능동 엘리먼트(13)를 둘러싸고 측면으로 연장되는 적어도 하나의 측벽(13c)을 두께(H)를 따라 외부에 확정한다.
전자 장치(10)는 또한 서로 전기적으로 절연되는 상부 전기 전도성 엘리먼트(14)를 포함한다. 각 상부 전도성 엘리먼트(14)는 적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 상단부(13b)에 전기적으로 연결된다. "전기적으로 연결된"이라는 용어는 "직접적인 물리적 접촉에 의해 연결된" 또는 "하나 또는 여러 중간 전도성 엘리먼트를 통한 간접적인 접촉에 의해 연결된"을 의미한다.
전자 장치(10)는 제1 전기 절연 엘리먼트(16)를 더 포함하고, 이는 하부 지지체(11)의 지지면 상에 나란히 배치된 적어도 두 개의 인접한 능동 엘리먼트(13)의 측벽(13c)의 적어도 일부 사이에 배치된다. 따라서, 제1 전기 절연 엘리먼트(16)는 제1 전기 절연 엘리먼트(16)에 의해 분리된 측벽들(13c)이 서로 전기적으로 절연되는 것을 가능하게 한다. 도 1, 도 3, 도 5 및 도 7에 도시된 예에서는, 제1 전기 절연 엘리먼트(16)가 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)와 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12) 사이에 더 배치되어, 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)와 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12)가 서로 전기적으로 절연된다.
능동 엘리먼트들(13) 중 하나의 하단부(13a)와 하부 전도체들(12) 중 하나 사이의 전기적인 접촉이 생성되도록 열, 압력, 광 또는 전기장에 감응하는 광(photonic) 접착제 또는 전도성 접착제가 사용될 수 있다. 일 예에서, 능동 엘리먼트(13)의 하단부(13a)는, 체결 압력(fastening pressure)의 인가로 인해, 능동 엘리먼트(13)의 하단부(13a)와 하부 전기 전도체(12) 사이의 전기적인 연결이 확립되도록 하부 전도성 엘리먼트(12)에 고정될 수 있는 적어도 일부를 확정하는 적어도 하나의 금속 체결 엘리먼트를 포함한다. 금속 체결장치(fastener)의 예로는 팁(tip), 마이크로튜브(microtube), 또는 구리로 만들어진 마이크로필러(micropillar)도 있다 다른 예에서, 능동 엘리먼트(13)의 하단부(13a)는 은(silver)을 함유하는 입자들을 포함하는 접착제를 통해 하부 전도성 엘리먼트(12)에 전기적으로 연결된다.
도 1, 도 3 및 도 5에 도시된 예에서, 능동 엘리먼트(13)는 제1 전기 절연 엘리먼트(16)의 형성 전에 하부 전도성 엘리먼트(12)에 연결된다.
도 2, 도 4 및 도 6에 도시된 예에서, 제1 전기 절연 엘리먼트(16)는 전기 절연 물질(16b)로 코팅된, 예를 들어 은 또는 니켈-금 합금(Ni-Au) 기반의, 금속 입자들(16a)의 세트를 포함한다. 이 세트는, 제1 전기 절연 엘리먼트(16)가 수축 압력(collapsing pressure)을 받지 않고 금속 입자(16a)의 대부분이 서로 접촉하지 않는 전기 절연인 제1 상태와 금속 입자(16a)의 대부분이 가로 방향으로 가해지는 수축 압력의 영향 하에 전기적으로 접촉하는 이방성(anisotropic) 전기 전도성인 제2 상태 사이에서 변화할 수 있도록 구성된다. 이방성 전기 전도성인 제2 상태에서, 금속 입자들(16a)은 서로 접촉하도록 함께 모여 전기적인 접촉을 형성하고, 제1 전기 절연 엘리먼트(16)의 나머지 부분은 금속 입자(16a)가 전혀 없는 전기 절연 물질(16b)로 형성된다.
도 2, 도 4 및 도 6에 도시된 예에서, 제1 전기 절연 엘리먼트(16)는 적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 하단부(13a)와, 이 능동 엘리먼트(13)의 하단부(13a)와 연결된 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12) 사이에 배치된 콘택트부(contact portion)에도 형성된다. 이에 따라, 능동 엘리먼트(13)의 하단부(13a)는, 제1 전기 절연 엘리먼트(16)가 전기 절연인 제1 상태에서 방향성(directional) 전기 전도성인 제2 상태로 진행하여, 하부 전도성 엘리먼트(12)와 전기 접촉하게 된다. 이는 능동 엘리먼트(13) 및/또는 하부 지지체(11)에 의한 콘택트부 상에 화살표로 굵게 표시된 수축 압력의 인가에 의해 가능해진다. 수축 압력의 인가는 능동 엘리먼트(13) 및/또는 하부 지지체(11)에 대한 전기 본딩 장치(electrical bonding device)의 동작에 기인한다. 이에 따라, 콘택트부에 위치하는 제1 전기 절연 엘리먼트(16)의 금속 입자들(16a)의 전부 또는 일부가 능동 엘리먼트(13)의 하단부(13a)와 하부 전도성 엘리먼트(12) 사이의 전기적 연결을 제공한다. 유리하게는, 동시에, 이렇게 금속 입자들(16a)과 분리된 전기 절연 물질(16b)이 능동 엘리먼트(13)의 측벽(13c)을 둘러싸 하부 전도성 엘리먼트(12)와 상부 전도성 엘리먼트(14) 사이의 전기적인 절연 뿐만 아니라, 능동 엘리먼트들(13) 서로 간에 적어도 측면에서의 전기적 절연을 가능하게 한다.
전기 절연 물질(16b)은 수지(resin), 산화물(oxide) 또는 폴리머(polymer)일 수 있다.
도 1 내지 도 6에 도시된 예에서, 전기 절연 엘리먼트(16)는, 최종적으로 능동 엘리먼트(13)의 상단부(13b)가 절연체에 의해 덮이지 않고, 이로 인해 상부 전도성 엘리먼트(14)의 전기 접촉의 복구(recovering)가 용이하도록, 스핀 코팅(spin coating) 또는 라미네이션(lamination) 후에 화학적-기계적 연마(polishing)를 거칠 수 있다.
전자 장치(10)의 일 실시예에 따르면, 적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)는 이 능동 엘리먼트(13)의 활성 파트와 관련된 적어도 하나의 파라미터에 영향을 줄 수 있는 제어 장치(19)를 포함한다. 따라서 제어 장치(19)는 CMOS 및/또는 바이폴라 및/또는 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 타입 기술, 또는 Gan(갈륨과 질소의 혼합물) 또는 실리콘 상의 Gan과 같은 임의의 다른 기술의 적어도 하나의 트랜지스터를 포함할 수 있다. 이는 또한 메모리 또는 수동 컴포넌트를 포함할 수 있다. 이는 예를 들어 하부 전도성 엘리먼트(12) 및/또는 상부 전도성 엘리먼트(14)로부터 오는 전압 또는 전류에 의해 전력이 공급된다.
전자 장치(10)의 일 실시예에 따르면, 적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 활성 파트는 발광 파트를 포함한다. 발광 파트는 활성 파트에 인가되는 외부 파라미터가 상부 전도성 엘리먼트(14) 및 하부 전도성 엘리먼트(12) 중 적어도 하나로부터 직접적으로 또는 간접적으로 기인한 전류 또는 전압인 경우, 적어도 하나의 광 복사선 또는 전자기 복사선을 방출할 수 있도록 구성된다. 따라서, 제어 장치(19)가 구비되는 경우, 예를 들어 발광 파트에 의해 방출될 수 있는 광 복사선에 관한 적어도 하나의 방출 파라미터를 변조하는 것을 가능하게 할 수 있다. 예를 들어, 방출 파라미터는 광 세기, 광 방출 각도 또는 방출된 색상이 될 수 있다.
일 예에서, 제어 장치(19)는 광학적으로 전송되는 정보에 감응한다. 따라서 제어 장치(19)는 포토다이오드를 일체화 하여, 일체화된 포토다이오드에서 수신된 정보에 따라, 그것이 연결된 능동 엘리먼트(13)에 의해 방출되는 광 강도를 변조할 수 있다.
일 예에서, 적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 발광 파트는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함한다. 이 발광 다이오드는 마이크로미터의, 또는 심지어 나노미터의 치수를 갖는 와이어 형상일 수 있고, 전술한 가로 방향에 전체적으로 평행한 주 연장 축(main axis of extension)을 갖는다. 발광 다이오드는 또한 마이크로미터 높이를 갖는 2차원 타입일 수도 있다. 일 예에서, 적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 발광 파트의 적어도 두 개의 발광 다이오드는 상이한 파장을 갖는 적어도 두 개의 광 복사선을 방출할 수 있다. 다른 예에서, 적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 발광 파트의 적어도 하나의 발광 다이오드는, 대응하는 발광 다이오드에 의해 방출된 광 복사선을 변환할 수 있는 광발광(photoluminescent) 물질에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸여 있다.
도 1 내지 도 7에 도시된 전자 장치(10)의 일 실시예에 따르면, 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)는, 한편으로는, 광 능동 엘리먼트(13)의 발광 파트와 직접적인 물리적 전기 접촉, 또는 전도성 엘리먼트를 통한 간접적인 접촉에 의해 투명 전기 전도체(14a)로 형성되고, 다른 한편으로는 투명 전기 전도체(14a)와 전기적으로 접촉하는 금속 전기 전도체(14b)로 형성된다. 투명 전기 전도체(14a)는 유리하게는 방출 파트에 의해 방출될 수 있는 광 또는 전자기 복사선에 대해 투명한 특성을 갖는다.
도 5, 도 6 및 도 7에 도시된 일 예에서, 상부 전도성 엘리먼트(14)의 금속 전기 전도성 물질(14b)은, 적어도 가로 방향으로는, 능동 엘리먼트(13)의 방출 파트를 덮지 않도록 배치된다. 이에 따라 디스플레이 스크린은 제어 장치(19)와 연결되거나 연결되지 않은 발광 다이오드로 제조될 수 있으며, 외부 기판 상에 형성된 후, 전사되어 하부 전도성 엘리먼트(12) 및 상부 전도성 엘리먼트(14)에 전기적으로 연결되고, 상이한 엘리먼트들 사이의 전기적인 절연은 제1 전기 절연 엘리먼트(16)에 의해 제공된다.
다른 실시예에서, 적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 활성 파트는 외부 파라미터가 활성 파트에 적용될 경우 상태를 변경하도록 구성된 외부 파라미터를 측정하기 위한 장치를 포함한다. 일 예에서, 적어도 하나의 측정 장치는 센서, 트랜스듀서(transducer), 포토다이오드(photodiode), PMUT(Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducers") 또는 CMUT(Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducers") 타입으로부터 선택된 전기 컴포넌트이다.
따라서, 이 실시예의 일 예에서, 제어 장치(19)는 활성 파트의 측정 장치의 상태 변화를 판정하고, 이러한 판정을 나타내는 출력 신호를 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)와 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12) 사이에서 전달할 수 있다. 이와 같이 구성된 능동 엘리먼트(13)는 외부 파라미터에 해당하는 외부 물리 량이 음파, 압력 파 또는 압력인 경우, 이러한 외부 파라미터를 포착 또는 측정할 수 있다. 이에 따라 전압 및/또는 전류가 생성될 수 있다. 이와 같이 초음파 이미저(imager)는 외부 기판 상에 형성된 트랜스듀서 및 초음파 센서로 제조된 후, 전사되어 하부 전도성 엘리먼트(12) 및 상부 전도성 엘리먼트(14)에 전기적으로 연결되며, 상이한 엘리먼트들 사이의 전기 절연이 제1 전기 절연 엘리먼트(16)에 의해 제공된다.
도 3, 도 4, 도 5 및 도 6에 도시된 전자 장치(10)의 다른 실시예에서는, 제2 전기 절연 엘리먼트(17)에 의해 서로 분리되는 서로 인접한 능동 엘리먼트들(13), 및/또는 제2 전기 절연 엘리먼트(17)에 의해 서로 분리되는 상부 전도성 엘리먼트(14) 및 하부 전도성 엘리먼트(12)를 전기적으로 절연시키도록, 제1 전기 절연 엘리먼트(16)와 구별되는 제2 전기 절연 엘리먼트(17)가 하부 지지체(11)의 지지면 상에 나란히 배치된 적어도 두 개의 인접한 능동 엘리먼트들(13) 사이 그리고 상부 전도성 엘리먼트(14)와 하부 전도성 엘리먼트(12) 사이에 배치된다.
도 5 및 도 6에 도시된 일 예에서, 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)의 금속 전기 전도체(14b)는 제2 전기 절연 엘리먼트(17)와 투명 전기 전도체(14a) 사이에 배치된다.
일 예에서, 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)는 능동 엘리먼트(13)의 상단부(13b)의 레벨에 배치된 국부(local portion)를 확정하고, 상부 전기 엘리먼트(14)의 국부는 적어도 부분적으로 적응형 리소그래피(adaptive lithography)에 의해 형성된다.
이러한 전자 장치(10)의 이점은 능동 엘리먼트(13)의 높이(H)에 상응하는 토포그래피(topography)가 약 10 마이크로미터 범위에 있더라도, 하부 및 상부 전기 접점들이 견고하고 경제적인 방식으로 전기적으로 절연된다는 점이다.
이러한 전자 장치(10)의 이점은 또한 하부 및 상기 전기 접점들에 상이한 토포그래피 레벨에서 전력을 공급할 수 있다는 점에서 기인하며, 이는 단락을 제한한다.
이러한 전자 장치(10)의 또 다른 이점은 그 구현이 높은 온도와 압력을 필요로 하지 않는 기술로 수행될 수 있다는 것이다. 이러한 기술은 예를 들어 상업용 실리콘 디스크(silicon disc)보다 더 큰 표면에도 적용하기에 적합한다. 이는 초음파 스캔을 사용하는 초음파 이미징 장치와 같이 많은 센서를 포함하는 대규모 광 디스플레이 장치 또는 물리 량 포착 장치를 만드는 데 유리한다.
이러한 전자 장치(10)의 추가적인 이점은 상부 전기 접점과의 전기적인 접촉의 복구가 용이하다는 것이다.
이러한 전자 장치(10)의 또 다른 이점은 전압 손실이 감소하기 때문에 상부 레벨에서의 접촉 복구의 전기적 효율이 향상된다는 것이다.
본 발명은 또한 물리 량을 포착 또는 방출하기 위한 전자 장치(10)를 제조하는 방법에 관한 것이다.
이 방법은 도 1 내지 도 6에 도시되며, 다음 단계들을 포함한다:
E1) 서로 전기적으로 절연되고 하부 지지체(11)의 지지면 상에 적어도 부분적으로 형성된 하부 전도성 엘리먼트(12)를 포함하는 하부 지지체(11)를 제공하는 단계;
E2) 하부 지지체(11)에 대해 가로로 배향된 가로 방향으로 고려된 두께(H)를 갖고 각각이 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12)에 전기적으로 연결될 수 있는 하단부(13a), 하단부(13a)에 대해 가로 방향으로 하부 지지체(11)의 반대측에 배치되는 상단부(13b) 및 활성 파트를 포함하는 복수의 능동 엘리먼트(13)를 제공하는 단계 -활성 파트는 활성 파트에 대해 외부의 외부 파라미터가 활성 파트에 인가되는 때에 상태를 변경할 수 있고, E2) 단계에서 제공되는 각 능동 엘리먼트(13)는, 적어도 하단부(13a) 및 상단부(13b)를 둘러싸고 측면으로 연장되는 적어도 하나의 측벽(13c)을 두께(H)를 따라, 외부에 확정함 -;
E3) 제1 전기 절연 엘리먼트(16)에 의해 분리된 측벽들(13c)이 서로 전기적으로 절연되도록, 하부 지지체(11)의 지지면 상에 나란히 배치된 적어도 두 개의 인접한 능동 엘리먼트(13)의 적어도 하나의 측벽(13c)의 적어도 일부 사이에 배치되는 적어도 하나의 제1 전기 절연 엘리먼트(16)를 형성하는 단계;
E4) 형성된 상부 전도성 엘리먼트들(14) 중 적어도 하나에 각 능동 엘리먼트(13)의 상단부(13b)가 전기적으로 연결되도록, 서로 전기적으로 절연된 상부 전도성 엘리먼트들(14)을 형성하는 단계.
이 제조 방법에서는, E2) 및 E3) 단계들 중 하나의 종료 시에, 적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 하단부(13a)가 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12)에 전기적으로 연결된다. 따라서, 도 1에 도시된 경우에서, 능동 엘리먼트(13)는 능동 엘리먼트(13)의 측벽들(13c)의 전부 또는 일부가 제1 전기 절연 엘리먼트(16)에 의해 둘러싸이기 전에 형성되어 하부 전도성 엘리먼트(12)에 연결된다. 다른 경우에는, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 전기 절연 엘리먼트(16)가 특히 하부 전도성 엘리먼트(12) 상에 먼저 증착 된다. 그런 다음 능동 엘리먼트(13)가 형성되고, 예를 들어 후술하는 바와 같이 제1 전기 절연 엘리먼트(16)를 통해, 또는 능동 엘리먼트(13)가 하부 전도성 엘리먼트에 연결되기 전 제1 절연 엘리먼트(16)의 리세스(recess)를 통해 능동 엘리먼트(13)가 하부 전도성 엘리먼트(12)에 연결된다.
이 제조 방법에서는, E4) 단계의 종료 시에, 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)와 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12) 사이에 제1 전기 절연 엘리먼트(16)가 더 배치되어 제1 전기 절연 엘리먼트(16)에 의해 분리된 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14) 및 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12)가 서로 전기적으로 절연된다. 이는 예를 들어 전기 전도성 엘리먼트(14)의 형성 동안 전도성 엘리먼트들의 상이한 레벨 사이에서 단락을 제한하는 것을 가능하게 한다.
제조 방법의 특정 비한정적 구현형태에서, 능동 엘리먼트(13)의 상단부(13b) 레벨에서의 접촉을 개선하기 위해 E3) 단계 이후에 평탄화(planarization) 단계가 수행될 수 있다. 평탄화 단계는 예를 들어 화학적-기계적 연마 장치의 동작에 의해 또는 반응성 이온 기반 건식 에칭으로도 수행될 수 있다.
다른 특정 비한정적 구현에 따르면, E2) 단계에서 제공되는 능동 엘리먼트(13)는, E2) 단계 동안에 구현되는 하부 지지체(11)를 향한 능동 엘리먼트(13)의 전사 이전에, 하부 지지체(11)와는 다른 외부 지지체에 상에서 획득된다. 이는 예를 들어 취약성이 덜하고, 높은 온도를 견딜 수 있는 외부 기판 상에 능동 엘리먼트(13)를 형성한 다음에 이들을 하부 지지체로 전사하는 것을 가능하게 한다. 이 하부 지지체(11)는 예를 들어 높은 온도에 견디지 못하거나 너무 넓어서 능동 엘리먼트(13)의 형성을 허용하는 기판과 양립할 수 없다.
도 2, 도 4 및 도 6에 도시된 특정 비한정적 구현형태에 따르면, E3) 단계에서 형성된 제1 전기 절연 엘리먼트(16)는, 제1 전기 절연 엘리먼트(16)가,
- 제1 전기 절연 엘리먼트(16)가 수축 압력을 받지 않고 대부분의 금속 입자(16a)가 서로 접촉하지 않는 전기 절연인 제1 상태,
- 및 대부분의 금속 입자(16a)가 수축 압력의 영향 하에 전기적으로 접촉하는 방향성 전기 전도성인 제2 상태 사이에서 변할 수 있도록 구성된, 전기 절연 물질(16b)로 코팅된 금속 입자들(16a)의 세트를 포함한다.
E3) 단계는 적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 하단부(13a)와 이 능동 엘리먼트(13)의 하단부(13a)에 연결될 수 있는 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12) 사이에 배치된 콘택트부에 제1 전기 절연 엘리먼트(16)를 형성하는 단계로 구성된 E31) 단계를 포함한다; 그런 다음 E2) 단계는 또한 능동 엘리먼트(13)와 하부 지지체(11)의 상대적인 움직임에 의해 콘택트부 상에 수축 압력을 인가하는 단계로 구성된 E21) 단계를 포함한다.
상대적인 움직임은 능동 엘리먼트(13) 및 하부 지지체(11)로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 엘리먼트에 대한 전기 본딩 장치의 동작으로부터 기인하여, 콘택트부에 위치하는 제1 전기 절연 엘리먼트(16)의 금속 입자들(16a)의 전부 또는 일부가 방향성 전기 전도성인 제2 상태가 되도록 함으로써 능동 엘리먼트(13)의 하단부(13a)와 하부 전도성 엘리먼트(12) 사이의 전기적 연결을 보장한다.
이 방법의 이점은 능동 엘리먼트(13)의 아래에서만 접촉이 형성된다는 점이다. 이는 기생 용접(parasitic weld)이 능동 엘리먼트(13)의 측벽과 접촉하여 단락을 일으키는 것을 방지한다.
이 제조 방법의 이점은 높은 온도 및 압력을 필요로 하지 않는 기술로 구현할 수 있다는 점이다. 이들 기술은 또한 넓은 표면에 적용하기에 적합하며, 이는 예를 들어 상업용 실리콘 디스크보다 큰 치수의 광 디스플레이 장치 또는 이미징 장치를 생산하는 데 유리한다.

Claims (24)

  1. 물리 량을 포착 또는 방출하기 위한 전자 장치(10)로서,
    - 하부 지지체(11);
    - 서로 전기적으로 절연되고 상기 하부 지지체(11)의 지지면 상에 적어도 부분적으로 형성되는 하부 전도성 엘리먼트들(12);
    - 상기 하부 지지체(11)에 대해 가로로 배향된 가로 방향으로 고려되는 두께(H)를 갖고, 각각이 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12)에 전기적으로 연결되는 하단부(13a) 및 상기 하단부(13a)에 대해 상기 가로 방향으로 상기 하부 지지체(11)와 반대측에 배치되는 상단부(13b)를 포함하는 복수의 능동 엘리먼트(13) - 각 능동 엘리먼트(13)는 활성 파트를 포함하고, 상기 활성 파트는 활성 파트에 대해 외부의 외부 파라미터가 상기 활성 파트에 인가되는 때에 상태를 변경할 수 있음 -;
    - 서로 전기적으로 절연된 상부 전도성 엘리먼트들(14)을 포함하고,
    각 능동 엘리먼트(13)의 상단부(13b)는 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)에 전기적으로 연결되고, 각 능동 엘리먼트(13)는 상기 능동 엘리먼트(13)를 둘러싸고 측면으로 연장되는 적어도 하나의 측벽(13c)을 상기 두께(H)를 따라 외부에 확정하며;
    적어도 하나의 제1 전기 절연 엘리먼트(16)가 상기 하부 지지체(11)의 상기 지지면 상에 나란히 배치된 적어도 두 개의 인접한 능동 엘리먼트들(13)의 적어도 하나의 측벽(13c)의 적어도 일부 사이에 배치되어 상기 제1 전기 절연 엘리먼트(16)에 의해 분리되는 상기 측벽들(13c)이 서로 전기적으로 절연되고;
    상기 제1 전기 절연 엘리먼트(16)가 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)와 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12) 사이에 배치되어, 상기 제1 전기 절연 엘리먼트(16)에 의해 분리되는 상기 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)와 상기 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12)가 서로 전기적으로 절연되는, 전자 장치(10).
  2. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)는, 상기 능동 엘리먼트(13)의 상기 활성 파트와 연관된 적어도 하나의 파라미터에 영향을 줄 수 있는 제어 장치(19)를 포함하는, 전자 장치(10).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 상기 활성 파트는, 상기 활성 파트에 인가되는 상기 외부 파라미터가 상기 상부 전도성 엘리먼트들(14) 및 상기 하부 전도성 엘리먼트들(12) 중 적어도 하나로부터 기인한 전기량인 경우, 적어도 하나의 광 복사선(light radiation)을 방출할 수 있는 발광 파트를 포함하는, 전자 장치(10).
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제어 장치(19)는 상기 발광 파트에 의해 방출될 수 있는 상기 광 복사선에 관한 적어도 하나의 방출 파라미터를 변조할 수 있는, 전자 장치(10).
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제어 장치(19)는 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는, 전자 장치(10).
  6. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)는, 한편으로는 상기 능동 엘리먼트(13)의 상기 발광 파트와 전기적으로 접촉하고 상기 발광 파트에 의해 방출될 수 있는 상기 광 복사선에 대해 투명 특성을 갖는 투명 전기 전도체(14a)에 의해 형성되고, 다른 한편으로는 상기 투명 전기 전도체(14a)와 전기적으로 접촉하는 금속 전기 전도체(14b)에 의해 형성되는, 전자 장치(10).
  7. 제6항에 있어서,
    상기 상부 전도성 엘리먼트들(14)의 상기 금속 전기 전도체(14b)는, 적어도 상기 가로 방향으로는, 상기 능동 엘리먼트들(13)의 상기 방출 파트를 덮지 않도록 배치되는, 전자 장치(10).
  8. 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 상기 발광 파트는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하는, 전자 장치(10).
  9. 제8항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 마이크로미터 치수를 갖고, 주 연장 축이 상기 가로 방향에 전체적으로 평행한 와이어 형상인, 전자 장치(10).
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 상기 발광 파트의 적어도 두 개의 발광 다이오드는, 상이한 파장을 갖는 적어도 두 개의 광 복사 선을 방출할 수 있는, 전자 장치(10).
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 상기 발광 파트의 적어도 하나의 발광 다이오드는, 대응하는 발광 다이오드에 의해 방출된 상기 광 복사선을 변환할 수 있는 광발광 물질(photoluminescent material)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸이는, 전자 장치(10).
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 상기 활성 파트는, 상기 활성 파트에 상기 외부 파라미터가 인가되는 때에 상태를 변경하도록 구성된 상기 외부 파라미터를 측정하기 위한 장치를 포함하는, 전자 장치(10).
  13. 제12항에 있어서, 제2항에 종속적일 때,
    상기 제어 장치(19)는 상기 활성 파트의 상기 측정 장치의 상태 변화를 판정하고, 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)와 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12) 사이에서 이러한 판정을 나타내는 출력 신호를 전달하는, 전자 장치(10).
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    적어도 하나의 측정 장치는, 센서 및 트랜스듀서(transduce)로부터 선택된 전기 컴포넌트인, 전자 장치(10).
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 능동 엘리먼트들(13)은 상기 하부 지지체(11)를 향한 상기 능동 엘리먼트들(13)의 전사(transfer) 이전에 상기 하부 지지체(11)와 별개의 외부 지지체 상에서 획득되는, 전자 장치(10).
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 전기 절연 엘리먼트(16)는 전기 절연 물질(16b)로 코팅된 금속 입자들(16a)의 세트를 포함하고, 상기 전기 절연 물질(16b)은 상기 제1 전기 절연 엘리먼트(16)가 수축 압력을 받지 않고 상기 금속 입자들(16a)의 대부분이 서로 접촉하지 않는 전기 절연인 제1 상태와, 상기 가로 방향으로 가해지는 수축 압력의 영향으로 상기 금속 입자들(16a)의 대부분이 전기적으로 접촉하는 이방성 전기 전도성인 제2 상태 사이에서 변할 수 있도록 구성되는, 전자 장치(10).
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 전기 절연 엘리먼트(16)는, 적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 상기 하단부(13a)와 이 능동 엘리먼트(13)의 상기 하단부(13a)와 연결되는 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12) 사이에 배치되는 콘택트부에 배치되고;
    특히 상기 능동 엘리먼트(13) 및 상기 하부 지지체(11)를 포함하는 그룹으로부터 취해진 적어도 하나의 엘리먼트에 대한 전기 본딩 장치(electrical bonding device)의 동작에 기인하여, 상기 콘택트부에 대해 상기 능동 엘리먼트(13) 및/또는 상기 하부 지지체(11)에 의한 상기 수축 압력이 인가되어, 상기 제1 전기 절연 엘리먼트(16)가 전기 절연인 제1 상태에서 방향성 전기 전도성인 제2 상태로 진행하여, 상기 능동 엘리먼트(13)의 상기 하단부(13a)가 상기 하부 전도성 엘리먼트(12)와 전기적으로 접촉하게 됨으로써, 상기 콘택트부 내에 위치하는 상기 제1 전기 절연 엘리먼트(16)의 상기 금속 입자들(16a)의 전부 또는 일부가 상기 능동 엘리먼트(13)의 상기 하단부(13a)와 상기 하부 전도성 엘리먼트(12) 사이의 전기적인 연결을 제공하는, 전자 장치(10).
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 전기 절연 엘리먼트(16)와 별개인 제2 전기 절연 엘리먼트(17)가, 상기 하부 지지체(11)의 상기 지지면 상에 나란히 배치된 적어도 두 개의 인접한 능동 엘리먼트들(13) 사이에, 그리고 상기 상부 전도성 엘리먼트들(14)과 상기 하부 전도성 엘리먼트들(12) 사이에 배치되어,
    - 상기 제2 전기 절연 엘리먼트(17)에 의해 서로 분리되는 상기 인접한 능동 엘리먼트들(13)로 이루어진 제1 그룹;
    - 상기 제2 전기 절연 엘리먼트(17)에 의해 서로 분리되는 상기 상부 전도성 엘리먼트들(14) 및 상기 하부 전도성 엘리먼트들(12)로 이루어진 제2 그룹;
    중 적어도 하나의 구성원들이 서로 전기적으로 절연하도록 하는, 전자 장치(10).
  19. 제6항 및 제18항에 있어서,
    적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)의 상기 금속 전기 전도체(14b)는 상기 제2 전기 절연 엘리먼트(17)와 상기 투명 전기 전도체(14a) 사이에 배치되는, 전자 장치(10).
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)는 그것이 연결된 상기 능동 엘리먼트(13)의 상기 상단부(13b)의 레벨에 배치되는 국부를 확정하고, 상기 상부 전기 엘리먼트(14)의 상기 국부는 적어도 부분적으로 적응형 리소그래피(adaptive lithography)에 의해 형성되는, 전자 장치(10).
  21. 제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 외부 파라미터는, 음파, 광 복사선, 전자기 복사선, 전류, 전위차 및 압력파로 구성된 그룹에 포함되는, 전자 장치(10).
  22. 물리 량을 포착하거나 방출하는 전자 장치(10)를 제조하는 방법으로서,
    E1) 서로 전기적으로 절연되고 하부 지지체(11)의 지지면 상에 적어도 부분적으로 형성된 하부 전도성 엘리먼트들(12)을 포함하는 하부 지지체(11)를 제공하는 단계;
    E2) 상기 하부 지지체(11)에 대해 가로로 배향된 가로 방향으로 고려된 두께(H)를 갖고 각각이 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12)에 전기적으로 연결될 수 있는 하단부(13a), 상기 하단부(13a)에 대해 상기 가로 방향으로 상기 하부 지지체(11)의 반대측에 배치되는 상단부(13b) 및 활성 파트를 포함하는 복수의 능동 엘리먼트(13)를 제공하는 단계 - 상기 활성 파트는 활성 파트에 대해 외부의 외부 파라미터가 상기 활성 파트에 인가되는 때에 상태를 변경할 수 있고, E2) 단계에서 제공되는 각 능동 엘리먼트(13)는, 적어도 상기 하단부(13a) 및 상기 상단부(13b)를 둘러싸고 측면으로 연장되는 적어도 하나의 측벽(13c)을 상기 두께(H)를 따라, 외부에 확정함 -;
    E3) 상기 하부 지지체(11)의 상기 지지면 상에 나란히 배치된 적어도 두 개의 인접한 능동 엘리먼트(13)의 상기 적어도 하나의 측벽(13c)의 적어도 일부 사이에 배치되는 적어도 하나의 제1 전기 절연 엘리먼트(16)를 형성하여, 상기 제1 전기 절연 엘리먼트(16)에 의해 분리되는 상기 측벽들(13c)이 서로 전기적으로 절연되는 단계 - E2) 및 E3) 단계들 중 하나의 종료 시에 제조 방법은, 적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 상기 하단부(13a)가 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12)에 전기적으로 연결됨 -;
    E4) 서로 전기적으로 절연된 상부 전도성 엘리먼트들(14)을 형성하여, 상기 형성된 상부 전도성 엘리먼트들(14) 중 적어도 하나에 각 능동 엘리먼트(13)의 상기 상단부(13b)가 전기적으로 연결되도록 하는 단계;를 포함하며,
    E4) 단계의 종료 시에 제조 방법은, 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14)와 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12) 사이에 상기 제1 전기 절연성 엘리먼트(16)가 더 배치되어, 상기 제1 전기 절연 엘리먼트(16)에 의해 분리되는 상기 적어도 하나의 상부 전도성 엘리먼트(14) 및 상기 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12)가 서로 전기적으로 절연되는, 제조 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    E2) 단계에서 제공되는 상기 능동 엘리먼트들(13)은, E2) 단계 동안 구현되는 상기 하부 지지체(11)를 향한 상기 능동 엘리먼트(13)의 전사 이전에, 상기 하부 지지체(11)와는 다른 외부 지지체 상에서 획득되는, 제조 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 제1 전기 절연 엘리먼트(16)는 전기 절연 물질(16b)로 코팅된 금속 입자들(16a)의 세트를 포함하고, 상기 전기 절연 물질(16b)은 상기 제1 전기 절연 엘리먼트(16)가 수축 압력을 받지 않고 상기 금속 입자들(16a)의 대부분이 서로 접촉하지 않는 전기 절연인 제1 상태와, 수축 압력의 영향으로 상기 금속 입자들(16a)의 대부분이 전기적으로 접촉하는 이방성 전기 전도성인 제2 상태 사이에서 변할 수 있도록 구성되며,
    E3) 단계는 적어도 하나의 능동 엘리먼트(13)의 상기 하단부(13a)와 이 능동 엘리먼트(13)의 상기 하단부(13a)에 연결될 수 있는 적어도 하나의 하부 전도성 엘리먼트(12)의 사이에 배치된 콘택트부에 상기 제1 전기 절연 엘리먼트(16)를 형성하는 단계로 구성된 E31) 단계를 포함하고;
    상기 방법은, 상기 콘택트부에 위치하는 상기 제1 전기 절연 엘리먼트(16)의 상기 금속 입자들(16a)의 전부 또는 일부가 상기 능동 엘리먼트(13)의 상기 하단부(13a)와 상기 하부 전도성 엘리먼트(12) 사이의 전기적인 연결을 제공하는 방향성 전기 전도성인 제2 상태가 되도록, 상기 능동 엘리먼트(13)와 상기 하부 지지체(11) 사이의 상대적인 움직임에 의해 상기 콘택트부 상에 상기 수축 압력을 인가하는 단계로 구성된 E21) 단계를 포함하고, 상기 상대적인 움직임은 상기 능동 엘리먼트(13) 및 상기 하부 지지체(11)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 엘리먼트에 대한 전기 본딩 장치의 동작으로부터 기인하는, 제조 방법.
KR1020227046356A 2020-06-03 2021-05-31 물리 량을 포착 또는 방출하기 위한 전자 장치 및 그 제조 방법 KR20230021028A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FRFR2005799 2020-06-03
FR2005799A FR3111236A1 (fr) 2020-06-03 2020-06-03 Dispositif électronique pour capture ou émission d’une grandeur physique et procédé de fabrication
PCT/FR2021/050977 WO2021245343A1 (fr) 2020-06-03 2021-05-31 Dispositif électronique pour capture ou émission d'une grandeur physique et procédé de fabrication

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230021028A true KR20230021028A (ko) 2023-02-13

Family

ID=72178791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227046356A KR20230021028A (ko) 2020-06-03 2021-05-31 물리 량을 포착 또는 방출하기 위한 전자 장치 및 그 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP4162527A1 (ko)
JP (1) JP2023527903A (ko)
KR (1) KR20230021028A (ko)
CN (1) CN116114076A (ko)
FR (1) FR3111236A1 (ko)
TW (1) TW202218100A (ko)
WO (1) WO2021245343A1 (ko)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014140796A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Cooledge Lighting, Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
FR3031238B1 (fr) * 2014-12-30 2016-12-30 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
FR3083045B1 (fr) * 2018-06-26 2020-07-31 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023527903A (ja) 2023-06-30
CN116114076A (zh) 2023-05-12
EP4162527A1 (fr) 2023-04-12
WO2021245343A1 (fr) 2021-12-09
TW202218100A (zh) 2022-05-01
FR3111236A1 (fr) 2021-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6770637B2 (ja) 製造方法、及び、光電子デバイスのアレイ
US9035401B2 (en) Physical quantity detection device and physical quantity detector
US8481342B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device and semiconductor composite device
TW200411723A (en) Three-dimensional integrated CMOS-MENS device and process for making the same
US20050242413A1 (en) Capacitive dynamic quantity sensor and semiconductor device
JP2015515609A (ja) カテーテルダイおよびその製造方法
US9618404B2 (en) Transducer and measurement apparatus
US20110083786A1 (en) Adaptive chuck for planar bonding between substrates
CN104701452A (zh) 电容式微加工超声换能器及其制造方法
US20110139987A1 (en) Sensor head for an x-ray detector and x-ray detector containing said sensor head
US20220141565A1 (en) Acoustic transducer and manufacturing method thereof
KR102070851B1 (ko) 나노로드 구조를 이용한 초음파 지문센서의 제조방법
US11230471B2 (en) Micro-transfer-printed compound sensor device
JP2002107382A (ja) 半導体装置およびその製造方法、並びに電流センサ
WO2010147000A1 (ja) 積層配線基板
JP2012178547A (ja) ナノ物体を外部電気システムに接続する素子、及びその素子を作る方法
CN108065961B (zh) 超声波换能器器件、超声波探测器以及超声波装置
JP2000111577A (ja) 探針カ―ド
KR20230021028A (ko) 물리 량을 포착 또는 방출하기 위한 전자 장치 및 그 제조 방법
JP3678526B2 (ja) 半導体装置
KR20080023398A (ko) 실리콘 나노와이어를 이용한 힘 센서 및 그의 제조방법
JP5529577B2 (ja) 電気機械変換装置及びその作製方法
US20230354714A1 (en) Micromechanical component, sound transducer device, and method for producing a micromechanical component
US20070115609A1 (en) Capacitive pressure sensor and method of manufacturing the same
TWI387333B (zh) 電子轟擊影像感測器陣列裝置，其影像感測器陣列及製造其影像感測器陣列之方法