KR20230019061A - 혼합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자, 유기 일렉트로루미네센스 소자의 제조 방법 및 전자 기기 - Google Patents

혼합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자, 유기 일렉트로루미네센스 소자의 제조 방법 및 전자 기기 Download PDF

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마사토 나카무라
유키 나카노
히로아키 이토이
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이데미쓰 고산 가부시키가이샤
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Abstract

일반식 (10)으로 표시되는 제1 화합물과 일반식 (20)으로 표시되는 제2 화합물을 함유하는 혼합물이고, 제1 화합물과 제2 화합물은 서로 다른 구조이다. 일반식 (10) 및 일반식 (20)에 있어서, L12는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기 등이고, Ar12는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고, L11, L21 및 L22는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기 등이고, Ar11, Ar21 및 Ar22는 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고, R11∼R18 및 R21∼R28은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기이다.
Figure pct00112

Description

혼합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자, 유기 일렉트로루미네센스 소자의 제조 방법 및 전자 기기
본 발명은 혼합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자, 유기 일렉트로루미네센스 소자의 제조 방법 및 전자 기기에 관한 것이다.
유기 일렉트로루미네센스 소자(이하, 「유기 EL 소자」라고 하는 경우가 있음)에 전압을 인가하면, 양극으로부터 정공이 발광층에 주입되고, 또한 음극으로부터 전자가 발광층에 주입된다. 그리고, 발광층에 있어서, 주입된 정공과 전자가 재결합하여 여기자가 형성된다. 이때, 전자 스핀의 통계 규칙에 따라, 일중항 여기자가 25%의 비율로 생성되고, 삼중항 여기자가 75%의 비율로 생성된다.
유기 EL 소자는 휴대전화 및 텔레비전 등의 풀컬러 디스플레이에 응용되고 있다. 유기 EL 소자의 성능 향상을 도모하기 위해서, 유기 EL 소자에 이용하는 화합물에 관해서 다양한 검토가 이루어지고 있다. 유기 EL 소자의 성능으로서는 예컨대 휘도, 발광 파장, 색도, 발광 효율, 구동 전압 및 수명을 들 수 있다.
또한, 유기 EL 소자가 포함하는 유기층의 성막 방법에 관해서도 검토되고 있다. 예컨대 특허문헌 1에는, 적어도 1종의 유기 발광 호스트 재료와 적어도 1종의 발광성 유기 도펀트 재료를 포함하는 증착 가능한 균질 고체 혼합물을 증착하여 유기 발광 디바이스에 있어서의 층을 형성하는 것을 포함하는 증착 방법이 기재되어 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허공개 2002-25770호 공보
유기 EL 소자에 있어서의 유기층의 성막 방법으로서는 증착법 및 스퍼터링법 등의 건식 성막법이 사용되고 있다. 그런데, 건식 성막법으로 유기층을 성막할 때에, 성막 대상 기판 등의 지지체뿐만 아니라, 성막 장치 내에 부피가 큰 부착막이 형성되는 경우가 있다. 이와 같이, 유기층을 구성하는 유기 화합물의 종류에 따라서는, 성막 장치 내에 부피가 큰 부착막이 형성되는 경우가 있다. 부피가 큰 부착막이 성막 장치 내에 형성되면, 기화한 유기 재료가 기판 등의 지지체로 향하는 경로가 좁아지거나 막하거나 하여, 원하는 영역에 유기 화합물을 선택적으로 부착시키기가 어렵게 된다. 그 때문에, 성막 장치 내에 부피가 큰 부착막이 형성된 경우에는, 성막을 정지하고서 부착막을 제거할 필요가 있어, 유기 EL 소자의 생산 효율이 떨어진다.
본 발명은, 유기 EL 소자의 유기층을 건식 성막법으로 형성할 때에, 부피가 큰 부착막의 형성을 억제할 수 있는 혼합물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, 성능을 유지할 수 있으면서 또한 제조 효율이 높은 유기 일렉트로루미네센스 소자를 제공하는 것도 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, 당해 유기 일렉트로루미네센스 소자를 탑재한 전자 기기를 제공하는 것도 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, 당해 혼합물을 이용하여 유기 일렉트로루미네센스 소자를 제조하는 유기 일렉트로루미네센스 소자의 제조 방법을 제공하는 것도 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 혼합물이며, 제1 화합물과 제2 화합물을 함유하고, 상기 제1 화합물은 하기 일반식 (10)으로 표시되고, 상기 제2 화합물은 하기 일반식 (20)으로 표시되고, 단, 상기 제1 화합물과 상기 제2 화합물은 서로 다른 구조인 혼합물이 제공된다.
[화 1]
Figure pct00001
(상기 일반식 (10) 및 상기 일반식 (20)에 있어서,
L12는,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 2가의 복소환기이고,
Ar12는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고,
L11, L21 및 L22는, 각각 독립적으로
단일 결합,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 2가의 복소환기이고,
Ar11, Ar21 및 Ar22는 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고,
R11∼R18 및 R21∼R28은, 각각 독립적으로
수소 원자,
치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 할로알킬기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알케닐기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알키닐기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
-Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기,
-O-(R904)로 표시되는 기,
-S-(R905)로 표시되는 기,
-N(R906)(R907)로 표시되는 기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 7∼50의 아랄킬기,
-C(=O)R801로 표시되는 기,
-COOR802로 표시되는 기,
할로겐 원자,
시아노기,
니트로기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기이다.)
본 발명의 일 양태에 의하면, 혼합물이며, 제1 화합물과 제2 화합물을 함유하고, 상기 제1 화합물은 하기 일반식 (20)으로 표시되고, 상기 제2 화합물은 하기 일반식 (30)으로 표시되고, 단, 상기 제1 화합물과 상기 제2 화합물은 서로 다른 구조인 혼합물이 제공된다.
[화 2]
Figure pct00002
(상기 일반식 (20) 및 상기 일반식 (30)에 있어서,
L21, L22, L31 및 L32는, 각각 독립적으로
단일 결합,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 2가의 복소환기이고,
Ar21, Ar22, Ar31 및 Ar32는, 각각 독립적으로
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고,
R21∼R28 및 R31∼R38은, 각각 독립적으로
수소 원자,
치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 할로알킬기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알케닐기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알키닐기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
-Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기,
-O-(R904)로 표시되는 기,
-S-(R905)로 표시되는 기,
-N(R906)(R907)로 표시되는 기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 7∼50의 아랄킬기,
-C(=O)R801로 표시되는 기,
-COOR802로 표시되는 기,
할로겐 원자,
시아노기,
니트로기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기이고,
단, R22, R23, R26, R27, R32, R33, R36 및 R37은 치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기가 아니다.)
본 발명의 일 양태에 의하면, 혼합물이며, 제1 화합물과 제2 화합물을 함유하고, 상기 제1 화합물은 하기 일반식 (20)으로 표시되고, 상기 제2 화합물은 하기 일반식 (40)으로 표시되고, 단, 상기 제1 화합물과 상기 제2 화합물은 서로 다른 구조이고, 상기 혼합물 중, 상기 제1 화합물 및 상기 제2 화합물의 합계 질량 MT과 상기 제1 화합물의 질량 M1이 하기 수식(수학식 2)의 관계를 만족하는 혼합물이 제공된다.
50<(M1/MT)×100<100 … (수학식 2)
[화 3]
Figure pct00003
(상기 일반식 (20) 및 상기 일반식 (40)에 있어서,
L21, L22, L41 및 L42는, 각각 독립적으로
단일 결합,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 2가의 복소환기이고,
Ar21, Ar22, Ar41 및 Ar42는 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고,
R21∼R28 및 R41∼R48은, 각각 독립적으로
수소 원자,
치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 할로알킬기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알케닐기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알키닐기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
-Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기,
-O-(R904)로 표시되는 기,
-S-(R905)로 표시되는 기,
-N(R906)(R907)로 표시되는 기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 7∼50의 아랄킬기,
-C(=O)R801로 표시되는 기,
-COOR802로 표시되는 기,
할로겐 원자,
시아노기,
니트로기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기이다.)
(상기 제1 화합물 및 상기 제2 화합물 중, R901, R902, R903, R904, R905, R906, R907, R801 및 R802는, 각각 독립적으로
수소 원자,
치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기이고,
R901이 복수 존재하는 경우, 복수의 R901은 서로 동일하거나 또는 다르고,
R902가 복수 존재하는 경우, 복수의 R902는 서로 동일하거나 또는 다르고,
R903이 복수 존재하는 경우, 복수의 R903은 서로 동일하거나 또는 다르고,
R904가 복수 존재하는 경우, 복수의 R904는 서로 동일하거나 또는 다르고,
R905가 복수 존재하는 경우, 복수의 R905는 서로 동일하거나 또는 다르고,
R906이 복수 존재하는 경우, 복수의 R906은 서로 동일하거나 또는 다르고,
R907이 복수 존재하는 경우, 복수의 R907은 서로 동일하거나 또는 다르고,
R801이 복수 존재하는 경우, 복수의 R801은 서로 동일하거나 또는 다르고,
R802가 복수 존재하는 경우, 복수의 R802는 서로 동일하거나 또는 다르다.)
본 발명의 일 양태에 의하면, 양극과, 음극과, 상기 양극 및 상기 음극의 사이에 배치되며, 전술한 본 발명의 일 양태에 따른 혼합물을 동일 층에 포함하는 유기층을 갖는 유기 일렉트로루미네센스 소자가 제공된다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 양극과, 음극과, 상기 양극 및 상기 음극의 사이에 배치되며, 전술한 본 발명의 일 양태에 따른 혼합물을 동일 증착원으로부터 증착하여 성막된 유기층을 갖는 유기 일렉트로루미네센스 소자가 제공된다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 전술한 본 발명의 일 양태에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자를 탑재한 전자 기기가 제공된다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 상기 제1 화합물과 상기 제2 화합물을 혼합하여 전술한 본 발명의 일 양태에 따른 혼합물을 준비하는 공정과, 상기 혼합물을 동일 증착원에 도입하는 공정과, 상기 증착원을 가열하여 상기 혼합물을 기판에 성막하는 공정을 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 유기 EL 소자의 유기층을 건식 성막법으로 형성할 때에, 부피가 큰 부착막의 형성을 억제할 수 있는 혼합물을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 의하면, 성능을 유지할 수 있으며 또한 제조 효율이 높은 유기 EL 소자를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 의하면, 본 발명의 일 양태에 따른 유기 EL 소자를 탑재한 전자 기기를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 의하면, 본 발명의 일 양태에 따른 혼합물을 이용하여 유기 EL 소자를 제조하는 유기 EL 소자의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 일렉트로루미네센스 소자의 일례의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 2a는 실시예 1에 따른 혼합물을 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 100배)이다.
도 2b는 실시예 1에 따른 혼합물을 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 500배)이다.
도 3a는 실시예 2에 따른 혼합물을 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 100배)이다.
도 3b는 실시예 2에 따른 혼합물을 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 500배)이다.
도 4a는 실시예 3에 따른 혼합물을 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 100배)이다.
도 4b는 실시예 3에 따른 혼합물을 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 500배)이다.
도 5a는 실시예 4에 따른 혼합물을 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 100배)이다.
도 5b는 실시예 4에 따른 혼합물을 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 500배)이다.
도 6a는 실시예 5에 따른 혼합물을 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 100배)이다.
도 6b는 실시예 5에 따른 혼합물을 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 500배)이다.
도 7a는 비교예 1에 따른 시료를 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 100배)이다.
도 7b는 비교예 1에 따른 시료를 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 500배)이다.
도 8a는 비교예 2에 따른 시료를 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 100배)이다.
도 8b는 비교예 2에 따른 시료를 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 500배)이다.
[정의]
본 명세서에 있어서, 수소 원자란, 중성자수가 상이한 동위체, 즉, 경수소(protium), 중수소(deuterium) 및 삼중수소(tritium)를 포함한다.
본 명세서에 있어서, 화학 구조식 중, 「R」 등의 기호나 중수소 원자를 나타내는 「D」가 명시되어 있지 않은 결합 가능 위치에는, 수소 원자, 즉, 경수소 원자, 중수소 원자 또는 삼중 수소 원자가 결합되어 있는 것으로 한다.
본 명세서에 있어서, 고리 형성 탄소수란, 원자가 환상으로 결합한 구조의 화합물(예컨대, 단환 화합물, 축합환 화합물, 가교 화합물, 탄소환 화합물 및 복소환 화합물)의 당해 고리 자체를 구성하는 원자 중의 탄소 원자의 수를 나타낸다. 당해 고리가 치환기에 의해 치환되는 경우, 치환기에 포함되는 탄소는 고리 형성 탄소수에는 포함하지 않는다. 이하에 기재된 「고리 형성 탄소수」에 관해서는 별도 기재가 없는 한 동일한 것으로 한다. 예컨대 벤젠환은 고리 형성 탄소수가 6이고, 나프탈렌환은 고리 형성 탄소수가 10이며, 피리딘환은 고리 형성 탄소수 5이고, 푸란환은 고리 형성 탄소수 4이다. 또한, 예컨대 9,9-디페닐플루오레닐기의 고리 형성 탄소수는 13이고, 9,9'-스피로비플루오레닐기의 고리 형성 탄소수는 25이다.
또한, 벤젠환에 치환기로서, 예컨대 알킬기가 치환되어 있는 경우, 이 알킬기의 탄소수는 벤젠환의 고리 형성 탄소수에 포함시키지 않는다. 그 때문에, 알킬기가 치환되어 있는 벤젠환의 고리 형성 탄소수는 6이다. 또한, 나프탈렌환에 치환기로서, 예컨대 알킬기가 치환되어 있는 경우, 당해 알킬기의 탄소수는 나프탈렌환의 고리 형성 탄소수에 포함시키지 않는다. 그 때문에, 알킬기가 치환되어 있는 나프탈렌환의 고리 형성 탄소수는 10이다.
본 명세서에 있어서, 고리 형성 원자수란, 원자가 환상으로 결합한 구조(예컨대, 단환, 축합환 및 환집합)의 화합물(예컨대, 단환 화합물, 축합환 화합물, 가교 화합물, 탄소환 화합물 및 복소환 화합물)의 당해 고리 자체를 구성하는 원자의 수를 나타낸다. 고리를 구성하지 않는 원자(예컨대 고리를 구성하는 원자의 결합을 종단(終端)하는 수소 원자)나, 당해 고리가 치환기에 의해 치환되는 경우의 치환기에 포함되는 원자는 고리 형성 원자수에는 포함하지 않는다. 이하에 기재된 「고리 형성 원자수」에 관해서는 별도 기재가 없는 한 동일한 것으로 한다. 예컨대 피리딘환의 고리 형성 원자수는 6이고, 퀴나졸린환의 고리 형성 원자수는 10이며, 푸란환의 고리 형성 원자수는 5이다. 예컨대 피리딘환에 결합되어 있는 수소 원자 또는 치환기를 구성하는 원자의 수는 피리딘환 형성 원자수의 수에 포함시키지 않는다. 그 때문에, 수소 원자 또는 치환기가 결합되어 있는 피리딘환의 고리 형성 원자수는 6이다. 또한, 예컨대 퀴나졸린환의 탄소 원자에 결합되어 있는 수소 원자 또는 치환기를 구성하는 원자에 관해서는 퀴나졸린환의 고리 형성 원자수의 수에 포함시키지 않는다. 그 때문에, 수소 원자 또는 치환기가 결합되어 있는 퀴나졸린환의 고리 형성 원자수는 10이다.
본 명세서에 있어서, 「치환 혹은 무치환의 탄소수 XX∼YY의 ZZ기」라고 하는 표현에 있어서의 「탄소수 XX∼YY」는, ZZ기가 무치환인 경우의 탄소수를 나타내고, 치환되어 있는 경우의 치환기의 탄소수를 포함시키지 않는다. 여기서, 「YY」는 「XX」보다 크며, 「XX」는 1 이상의 정수를 의미하고, 「YY」는 2 이상의 정수를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 「치환 혹은 무치환의 원자수 XX∼YY의 ZZ기」라고 하는 표현에 있어서의 「원자수 XX∼YY」는, ZZ기가 무치환인 경우의 원자수를 나타내며, 치환되어 있는 경우의 치환기의 원자수를 포함시키지 않는다. 여기서, 「YY」는 「XX」보다 크며, 「XX」는 1 이상의 정수를 의미하고, 「YY」는 2 이상의 정수를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 무치환의 ZZ기란 「치환 혹은 무치환의 ZZ기」가 「무치환의 ZZ기」인 경우를 나타내고, 치환의 ZZ기란 「치환 혹은 무치환의 ZZ기」가 「치환의 ZZ기」인 경우를 나타낸다.
본 명세서에 있어서, 「치환 혹은 무치환의 ZZ기」라고 하는 경우에 있어서의 「무치환」이란, ZZ기에 있어서의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있지 않음을 의미한다. 「무치환의 ZZ기」에 있어서의 수소 원자는 경수소 원자, 중수소 원자 또는 삼중수소 원자이다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「치환 혹은 무치환의 ZZ기」라고 하는 경우에 있어서의 「치환」이란, ZZ기에 있어서의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있음을 의미한다. 「AA기로 치환된 BB기」라고 하는 경우에 있어서의 「치환」도 마찬가지로 BB기에 있어서의 하나 이상의 수소 원자가 AA기로 치환되어 있음을 의미한다.
「본 명세서에 기재된 치환기」
이하, 본 명세서에 기재된 치환기에 대해서 설명한다.
본 명세서에 기재된 「무치환의 아릴기」의 고리 형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 6∼50이고, 바람직하게는 6∼30, 보다 바람직하게는 6∼18이다.
본 명세서에 기재된 「무치환의 복소환기」의 고리 형성 원자수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 5∼50이고, 바람직하게는 5∼30, 보다 바람직하게는 5∼18이다.
본 명세서에 기재된 「무치환의 알킬기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 1∼50이며, 바람직하게는 1∼20, 보다 바람직하게는 1∼6이다.
본 명세서에 기재된 「무치환의 알케닐기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 2∼50이며, 바람직하게는 2∼20, 보다 바람직하게는 2∼6이다.
본 명세서에 기재된 「무치환의 알키닐기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 2∼50이며, 바람직하게는 2∼20, 보다 바람직하게는 2∼6이다.
본 명세서에 기재된 「무치환의 시클로알킬기」의 고리 형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 3∼50이며, 바람직하게는 3∼20, 보다 바람직하게는 3∼6이다.
본 명세서에 기재된 「무치환의 아릴렌기」의 고리 형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 6∼50이며, 바람직하게는 6∼30, 보다 바람직하게는 6∼18이다.
본 명세서에 기재된 「무치환의 2가의 복소환기」의 고리 형성 원자수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 5∼50이며, 바람직하게는 5∼30, 보다 바람직하게는 5∼18이다.
본 명세서에 기재된 「무치환의 알킬렌기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 1∼50이며, 바람직하게는 1∼20, 보다 바람직하게는 1∼6이다.
·「치환 혹은 무치환의 아릴기」
본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 아릴기」의 구체예(구체예군 G1)로서는, 이하의 무치환의 아릴기(구체예군 G1A) 및 치환의 아릴기(구체예군 G1B) 등을 들 수 있다. (여기서, 무치환의 아릴기란 「치환 혹은 무치환의 아릴기」가 「무치환의 아릴기」인 경우를 가리키고, 치환의 아릴기란 「치환 혹은 무치환의 아릴기」가 「치환의 아릴기」인 경우를 가리킨다.). 본 명세서에 있어서, 단순히 「아릴기」라고 하는 경우는 「무치환의 아릴기」와 「치환의 아릴기」 양쪽 모두를 포함한다.
「치환의 아릴기」는 「무치환의 아릴기」의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환의 아릴기」로서는, 예컨대 하기 구체예군 G1A의 「무치환의 아릴기」의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기 및 하기 구체예군 G1B의 치환의 아릴기의 예 등을 들 수 있다. 또한, 여기에 열거한 「무치환의 아릴기」의 예 및 「치환의 아릴기」의 예는 일례에 불과하며, 본 명세서에 기재된 「치환의 아릴기」에는, 하기 구체예군 G1B의 「치환의 아릴기」에 있어서의 아릴기 자체의 탄소 원자에 결합하는 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기 및 하기 구체예군 G1B의 「치환의 아릴기」에 있어서의 치환기의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기도 포함된다.
·무치환의 아릴기(구체예군 G1A):
페닐기,
p-비페닐기,
m-비페닐기,
o-비페닐기,
p-터페닐-4-일기,
p-터페닐-3-일기,
p-터페닐-2-일기,
m-터페닐-4-일기,
m-터페닐-3-일기,
m-터페닐-2-일기,
o-터페닐-4-일기,
o-터페닐-3-일기,
o-터페닐-2-일기,
1-나프틸기,
2-나프틸기,
안트릴기,
벤조안트릴기,
페난트릴기,
벤조페난트릴기,
페날레닐기,
피레닐기,
크리세닐기,
벤조크리세닐기,
트리페닐레닐기,
벤조트리페닐레닐기,
테트라세닐기,
펜타세닐기,
플루오레닐기,
9,9'-스피로비플루오레닐기,
벤조플루오레닐기,
디벤조플루오레닐기,
플루오란테닐기,
벤조플루오란테닐기,
페릴레닐기, 및
하기 일반식 (TEMP-1)∼(TEMP-15)로 표시되는 고리 구조에서 하나의 수소 원자를 제거함으로써 유도되는 1가의 아릴기.
[화 4]
Figure pct00004
[화 5]
Figure pct00005
·치환의 아릴기(구체예군 G1B):
o-톨릴기,
m-톨릴기,
p-톨릴기,
파라-크실릴기,
메타-크실릴기,
오르토-크실릴기,
파라-이소프로필페닐기,
메타-이소프로필페닐기,
오르토-이소프로필페닐기,
파라-t-부틸페닐기,
메타-t-부틸페닐기,
오르토-t-부틸페닐기,
3,4,5-트리메틸페닐기,
9,9-디메틸플루오레닐기,
9,9-디페닐플루오레닐기
9,9-비스(4-메틸페닐)플루오레닐기,
9,9-비스(4-이소프로필페닐)플루오레닐기,
9,9-비스(4-t-부틸페닐)플루오레닐기,
시아노페닐기,
트리페닐실릴페닐기,
트리메틸실릴페닐기,
페닐나프틸기,
나프틸페닐기, 및
상기 일반식 (TEMP-1)∼(TEMP-15)로 표시되는 고리 구조로부터 유도되는 1가의 기의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기.
·「치환 혹은 무치환의 복소환기」
본 명세서에 기재된 「복소환기」는 고리 형성 원자에 헤테로 원자를 적어도 하나 포함하는 환상의 기이다. 헤테로 원자의 구체예로서는 질소 원자, 산소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자 및 붕소 원자를 들 수 있다.
본 명세서에 기재된 「복소환기」는 단환의 기이거나 또는 축합환의 기이다.
본 명세서에 기재된 「복소환기」는 방향족 복소환기이거나 또는 비방향족 복소환기이다.
본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 복소환기」의 구체예(구체예군 G2)로서는, 이하의 무치환의 복소환기(구체예군 G2A) 및 치환의 복소환기(구체예군 G2B) 등을 들 수 있다. (여기서, 무치환의 복소환기란 「치환 혹은 무치환의 복소환기」가 「무치환의 복소환기」인 경우를 가리키고, 치환의 복소환기란 「치환 혹은 무치환의 복소환기」가 「치환의 복소환기」인 경우를 가리킨다.). 본 명세서에 있어서, 단순히 「복소환기」라고 하는 경우는 「무치환의 복소환기」와 「치환의 복소환기」 양쪽 모두를 포함한다.
「치환의 복소환기」는 「무치환의 복소환기」의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환의 복소환기」의 구체예는, 하기 구체예군 G2A의 「무치환의 복소환기」의 수소 원자가 치환된 기 및 하기 구체예군 G2B의 치환의 복소환기의 예 등을 들 수 있다. 또한, 여기에 열거한 「무치환의 복소환기」의 예나 「치환의 복소환기」의 예는 일례에 불과하며, 본 명세서에 기재된 「치환의 복소환기」에는, 구체예군 G2B의 「치환의 복소환기」에 있어서의 복소환기 자체의 고리 형성 원자에 결합하는 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기 및 구체예군 G2B의 「치환의 복소환기」에 있어서의 치환기의 수소 원자가 치환기로 더 치환된기도 포함된다.
구체예군 G2A는, 예컨대 이하의 질소 원자를 포함하는 무치환의 복소환기(구체예군 G2A1), 산소 원자를 포함하는 무치환의 복소환기(구체예군 G2A2), 황 원자를 포함하는 무치환의 복소환기(구체예군 G2A3) 및 하기 일반식 (TEMP-16)∼(TEMP-33)으로 표시되는 고리 구조에서 하나의 수소 원자를 제거함으로써 유도되는 1가의 복소환기(구체예군 G2A4)를 포함한다.
구체예군 G2B는, 예컨대 이하의 질소 원자를 포함하는 치환의 복소환기(구체예군 G2B1), 산소 원자를 포함하는 치환의 복소환기(구체예군 G2B2), 황 원자를 포함하는 치환의 복소환기(구체예군 G2B3) 및 하기 일반식 (TEMP-16)∼(TEMP-33)으로 표시되는 고리 구조로부터 유도되는 1가의 복소환기 중 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기(구체예군 G2B4)를 포함한다.
·질소 원자를 포함하는 무치환의 복소환기(구체예군 G2A1):
피롤릴기,
이미다졸릴기,
피라졸릴기,
트리아졸릴기,
테트라졸릴기,
옥사졸릴기,
이소옥사졸릴기,
옥사디아졸릴기,
티아졸릴기,
이소티아졸릴기,
티아디아졸릴기,
피리딜기,
피리다지닐기,
피리미디닐기,
피라지닐기,
트리아지닐기,
인돌릴기,
이소인돌릴기,
인돌리지닐기,
퀴놀리지닐기,
퀴놀릴기,
이소퀴놀릴기,
신놀릴기,
프탈라지닐기,
퀴나졸리닐기,
퀴녹살리닐기,
벤조이미다졸릴기,
인다졸릴기,
페난트롤리닐기,
페난트리디닐기,
아크리디닐기,
페나지닐기,
카르바졸릴기,
벤조카르바졸릴기,
모르폴리노기,
페녹사지닐기,
페노티아지닐기,
아자카르바졸릴기, 및 디아자카르바졸릴기.
·산소 원자를 포함하는 무치환의 복소환기(구체예군 G2A2):
푸릴기,
옥사졸릴기,
이소옥사졸릴기,
옥사디아졸릴기,
크산테닐기,
벤조푸라닐기,
이소벤조푸라닐기,
디벤조푸라닐기,
나프토벤조푸라닐기,
벤조옥사졸릴기,
벤조이소옥사졸릴기,
페녹사지닐기,
모르폴리노기,
디나프토푸라닐기,
아자디벤조푸라닐기,
디아자디벤조푸라닐기,
아자나프토벤조푸라닐기, 및
디아자나프토벤조푸라닐기.
·황 원자를 포함하는 무치환의 복소환기(구체예군 G2A3):
티에닐기,
티아졸릴기,
이소티아졸릴기,
티아디아졸릴기,
벤조티오페닐기(벤조티에닐기),
이소벤조티오페닐기(이소벤조티에닐기),
디벤조티오페닐기(디벤조티에닐기),
나프토벤조티오페닐기(나프토벤조티에닐기),
벤조티아졸릴기,
벤조이소티아졸릴기,
페노티아지닐기,
디나프토티오페닐기(디나프토티에닐기),
아자디벤조티오페닐기(아자디벤조티에닐기),
디아자디벤조티오페닐기(디아자디벤조티에닐기),
아자나프토벤조티오페닐기(아자나프토벤조티에닐기), 및
디아자나프토벤조티오페닐기(디아자나프토벤조티에닐기).
·하기 일반식 (TEMP-16)∼(TEMP-33)으로 표시되는 고리 구조에서 하나의 수소 원자를 제거함으로써 유도되는 1가의 복소환기(구체예군 G2A4):
[화 6]
Figure pct00006
[화 7]
Figure pct00007
상기 일반식 (TEMP-16)∼(TEMP-33)에 있어서, XA 및 YA는 각각 독립적으로 산소 원자, 황 원자, NH 또는 CH2이다. 단, XA 및 YA 중 적어도 하나는 산소 원자, 황 원자 또는 NH이다.
상기 일반식 (TEMP-16)∼(TEMP-33)에 있어서, XA 및 YA 중 적어도 어느 하나가 NH 또는 CH2인 경우, 상기 일반식 (TEMP-16)∼(TEMP-33)으로 표시되는 고리 구조로부터 유도되는 1가의 복소환기에는, 이들 NH 또는 CH2로부터 하나의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 1가의 기가 포함된다.
·질소 원자를 포함하는 치환의 복소환기(구체예군 G2B1):
(9-페닐)카르바졸릴기,
(9-비페닐릴)카르바졸릴기,
(9-페닐)페닐카르바졸릴기,
(9-나프틸)카르바졸릴기,
디페닐카르바졸-9-일기,
페닐카르바졸-9-일기,
메틸벤조이미다졸릴기,
에틸벤조이미다졸릴기,
페닐트리아지닐기,
비페닐릴트리아지닐기,
디페닐트리아지닐기,
페닐퀴나졸리닐기, 및 비페닐릴퀴나졸리닐기.
·산소 원자를 포함하는 치환의 복소환기(구체예군 G2B2):
페닐디벤조푸라닐기,
메틸디벤조푸라닐기,
t-부틸디벤조푸라닐기, 및
스피로[9H-크산텐-9,9'-[9H]플루오렌]의 1가의 잔기.
·황 원자를 포함하는 치환의 복소환기(구체예군 G2B3):
페닐디벤조티오페닐기,
메틸디벤조티오페닐기,
t-부틸디벤조티오페닐기, 및
스피로[9H-티오크산텐-9,9'-[9H]플루오렌]의 1가의 잔기.
·상기 일반식 (TEMP-16)∼(TEMP-33)으로 표시되는 고리 구조로부터 유도되는 1가의 복소환기의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기(구체예군 G2B4):
상기 「1가의 복소환기의 하나 이상의 수소 원자」란, 상기 1가의 복소환기의 고리 형성 탄소 원자에 결합되어 있는 수소 원자, XA 및 YA 중 적어도 어느 하나가 NH인 경우의 질소 원자에 결합되어 있는 수소 원자, 그리고 XA 및 YA 중 한쪽이 CH2인 경우의 메틸렌기의 수소 원자로부터 선택되는 하나 이상의 수소 원자를 의미한다.
·「치환 혹은 무치환의 알킬기」
본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 알킬기」의 구체예(구체예군 G3)로서는, 이하의 무치환의 알킬기(구체예군 G3A) 및 치환의 알킬기(구체예군 G3B)를 들 수 있다. (여기서, 무치환의 알킬기란 「치환 혹은 무치환의 알킬기」가 「무치환의 알킬기」인 경우를 가리키고, 치환의 알킬기란 「치환 혹은 무치환의 알킬기」가 「치환의 알킬기」인 경우를 가리킨다.). 이하, 단순히 「알킬기」라고 하는 경우는 「무치환의 알킬기」와 「치환의 알킬기」 양쪽 모두를 포함한다.
「치환의 알킬기」는 「무치환의 알킬기」에 있어서의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환의 알킬기」의 구체예로서는, 하기의 「무치환의 알킬기」(구체예군 G3A)에 있어서의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기 및 치환의 알킬기(구체예군 G3B)의 예 등을 들 수 있다. 본 명세서에 있어서, 「무치환의 알킬기」에 있어서의 알킬기는 쇄상 알킬기를 의미한다. 그 때문에, 「무치환의 알킬기」는 직쇄인 「무치환의 알킬기」 및 분기상인 「무치환의 알킬기」가 포함된다. 또한, 여기에 열거한 「무치환의 알킬기」의 예나 「치환의 알킬기」의 예는 일례에 불과하며, 본 명세서에 기재된 「치환의 알킬기」에는, 구체예군 G3B의 「치환의 알킬기」에 있어서의 알킬기 자체의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기 및 구체예군 G3B의 「치환의 알킬기」에 있어서의 치환기의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기도 포함된다.
·무치환의 알킬기(구체예군 G3A):
메틸기,
에틸기,
n-프로필기,
이소프로필기,
n-부틸기,
이소부틸기,
s-부틸기, 및
t-부틸기.
·치환의 알킬기(구체예군 G3B):
헵타플루오로프로필기(이성체를 포함함),
펜타플루오로에틸기,
2,2,2-트리플루오로에틸기, 및
트리플루오로메틸기.
·「치환 혹은 무치환의 알케닐기」
본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 알케닐기」의 구체예(구체예군 G4)로서는, 이하의 무치환의 알케닐기(구체예군 G4A) 및 치환의 알케닐기(구체예군 G4B) 등을 들 수 있다. (여기서, 무치환의 알케닐기란 「치환 혹은 무치환의 알케닐기」가 「무치환의 알케닐기」인 경우를 가리키고, 「치환의 알케닐기」란 「치환 혹은 무치환의 알케닐기」가 「치환의 알케닐기」인 경우를 가리킨다.). 본 명세서에 있어서, 단순히 「알케닐기」라고 하는 경우는, 「무치환의 알케닐기」와 「치환의 알케닐기」 양쪽 모두를 포함한다.
「치환의 알케닐기」는 「무치환의 알케닐기」에 있어서의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환의 알케닐기」의 구체예로서는, 하기의 「무치환의 알케닐기」(구체예군 G4A)가 치환기를 갖는 기 및 치환의 알케닐기(구체예군 G4B)의 예 등을 들 수 있다. 또한, 여기에 열거한 「무치환의 알케닐기」의 예나 「치환의 알케닐기」의 예는 일례에 불과하며, 본 명세서에 기재된 「치환의 알케닐기」에는, 구체예군 G4B의 「치환의 알케닐기」에 있어서의 알케닐기 자체의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기 및 구체예군 G4B의 「치환의 알케닐기」에 있어서의 치환기의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기도 포함된다.
·무치환의 알케닐기(구체예군 G4A):
비닐기,
알릴기,
1-부테닐기,
2-부테닐기, 및
3-부테닐기.
·치환의 알케닐기(구체예군 G4B):
1,3-부탄디에닐기,
1-메틸비닐기,
1-메틸알릴기,
1,1-디메틸알릴기,
2-메틸알릴기, 및
1,2-디메틸알릴기.
·「치환 혹은 무치환의 알키닐기」
본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 알키닐기」의 구체예(구체예군 G5)로서는, 이하의 무치환의 알키닐기(구체예군 G5A) 등을 들 수 있다. (여기서, 무치환의 알키닐기란 「치환 혹은 무치환의 알키닐기」가 「무치환의 알키닐기」인 경우를 가리킨다.). 이하, 단순히 「알키닐기」라고 하는 경우는, 「무치환의 알키닐기」와 「치환의 알키닐기」 양쪽 모두를 포함한다.
「치환의 알키닐기」는 「무치환의 알키닐기」에 있어서의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환의 알키닐기」의 구체예로서는, 하기의 「무치환의 알키닐기」(구체예군 G5A)에 있어서의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기 등을 들 수 있다.
·무치환의 알키닐기(구체예군 G5A):
에티닐기.
·「치환 혹은 무치환의 시클로알킬기」
본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 시클로알킬기」의 구체예(구체예군 G6)로서는, 이하의 무치환의 시클로알킬기(구체예군 G6A) 및 치환의 시클로알킬기(구체예군 G6B) 등을 들 수 있다. (여기서, 무치환의 시클로알킬기란 「치환 혹은 무치환의 시클로알킬기」가 「무치환의 시클로알킬기」인 경우를 가리키고, 치환의 시클로알킬기란 「치환 혹은 무치환의 시클로알킬기」가 「치환의 시클로알킬기」인 경우를 가리킨다.). 본 명세서에 있어서, 단순히 「시클로알킬기」라고 하는 경우는, 「무치환의 시클로알킬기」와 「치환의 시클로알킬기」 양쪽 모두를 포함한다.
「치환의 시클로알킬기」는 「무치환의 시클로알킬기」에 있어서의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환의 시클로알킬기」의 구체예로서는, 하기의 「무치환의 시클로알킬기」(구체예군 G6A)에 있어서의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기 및 치환의 시클로알킬기(구체예군 G6B)의 예 등을 들 수 있다. 또한, 여기에 열거한 「무치환의 시클로알킬기」의 예나 「치환의 시클로알킬기」의 예는 일례에 불과하며, 본 명세서에 기재된 「치환의 시클로알킬기」에는, 구체예군 G6B의 「치환의 시클로알킬기」에 있어서의 시클로알킬기 자체의 탄소 원자에 결합하는 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기 및 구체예군 G6B의 「치환의 시클로알킬기」에 있어서의 치환기의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기도 포함된다.
·무치환의 시클로알킬기(구체예군 G6A):
시클로프로필기,
시클로부틸기,
시클로펜틸기,
시클로헥실기,
1-아다만틸기,
2-아다만틸기,
1-노르보르닐기, 및
2-노르보르닐기.
·치환의 시클로알킬기(구체예군 G6B):
4-메틸시클로헥실기.
·「-Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기」
본 명세서에 기재된 -Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기의 구체예(구체예군 G7)로서는,
-Si(G1)(G1)(G1),
-Si(G1)(G2)(G2),
-Si(G1)(G1)(G2),
-Si(G2)(G2)(G2),
-Si(G3)(G3)(G3), 및
-Si(G6)(G6)(G6)
을 들 수 있다. 여기서,
G1은 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 무치환의 아릴기」이다.
G2는 구체예군 G2에 기재된 「치환 혹은 무치환의 복소환기」이다.
G3은 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 무치환의 알킬기」이다.
G6은 구체예군 G6에 기재된 「치환 혹은 무치환의 시클로알킬기」이다.
-Si(G1)(G1)(G1)에 있어서의 복수의 G1은 서로 동일하거나 또는 다르다.
-Si(G1)(G2)(G2)에 있어서의 복수의 G2는 서로 동일하거나 또는 다르다.
-Si(G1)(G1)(G2)에 있어서의 복수의 G1은 서로 동일하거나 또는 다르다.
-Si(G2)(G2)(G2)에 있어서의 복수의 G2는 서로 동일하거나 또는 다르다.
-Si(G3)(G3)(G3)에 있어서의 복수의 G3은 서로 동일하거나 또는 다르다.
-Si(G6)(G6)(G6)에 있어서의 복수의 G6은 서로 동일하거나 또는 다르다.
·「-O-(R904)로 표시되는 기」
본 명세서에 기재된 -O-(R904)로 표시되는 기의 구체예(구체예군 G8)로서는,
-O(G1),
-O(G2),
-O(G3), 및
-O(G6)
을 들 수 있다.
여기서,
G1은 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 무치환의 아릴기」이다.
G2는 구체예군 G2에 기재된 「치환 혹은 무치환의 복소환기」이다.
G3은 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 무치환의 알킬기」이다.
G6은 구체예군 G6에 기재된 「치환 혹은 무치환의 시클로알킬기」이다.
·「-S-(R905)로 표시되는 기」
본 명세서에 기재된 -S-(R905)로 표시되는 기의 구체예(구체예군 G9)로서는,
-S(G1),
-S(G2),
-S(G3), 및
-S(G6)
을 들 수 있다.
여기서,
G1은 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 무치환의 아릴기」이다.
G2는 구체예군 G2에 기재된 「치환 혹은 무치환의 복소환기」이다.
G3은 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 무치환의 알킬기」이다.
G6은 구체예군 G6에 기재된 「치환 혹은 무치환의 시클로알킬기」이다.
·「-N(R906)(R907)로 표시되는 기」
본 명세서에 기재된 -N(R906)(R907)로 표시되는 기의 구체예(구체예군 G10)로서는,
-N(G1)(G1),
-N(G2)(G2),
-N(G1)(G2),
-N(G3)(G3), 및
-N(G6)(G6)
을 들 수 있다.
여기서,
G1은 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 무치환의 아릴기」이다.
G2는 구체예군 G2에 기재된 「치환 혹은 무치환의 복소환기」이다.
G3은 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 무치환의 알킬기」이다.
G6은 구체예군 G6에 기재된 「치환 혹은 무치환의 시클로알킬기」이다.
-N(G1)(G1)에 있어서의 복수의 G1은 서로 동일하거나 또는 다르다.
-N(G2)(G2)에 있어서의 복수의 G2는 서로 동일하거나 또는 다르다.
-N(G3)(G3)에 있어서의 복수의 G3은 서로 동일하거나 또는 다르다.
-N(G6)(G6)에 있어서의 복수의 G6은 서로 동일하거나 또는 다르다.
·「할로겐 원자」
본 명세서에 기재된 「할로겐 원자」의 구체예(구체예군 G11)로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자 등을 들 수 있다.
·「치환 혹은 무치환의 플루오로알킬기」
본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 플루오로알킬기」는, 「치환 혹은 무치환의 알킬기」에 있어서의 알킬기를 구성하는 탄소 원자에 결합되어 있는 적어도 하나의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 기를 의미하며, 「치환 혹은 무치환의 알킬기」에 있어서의 알킬기를 구성하는 탄소 원자에 결합되어 있는 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 기(퍼플루오로기)도 포함한다. 「무치환의 플루오로알킬기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 1∼50이며, 바람직하게는 1∼30이고, 보다 바람직하게는 1∼18이다. 「치환의 플루오로알킬기」는 「플루오로알킬기」의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 또한, 본 명세서에 기재된 「치환의 플루오로알킬기」에는, 「치환의 플루오로알킬기」에 있어서의 알킬쇄의 탄소 원자에 결합하는 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기 및 「치환의 플루오로알킬기」에 있어서의 치환기의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기도 포함된다. 「무치환의 플루오로알킬기」의 구체예로서는, 상기 「알킬기」(구체예군 G3)에 있어서의 하나 이상의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 기의 예 등을 들 수 있다.
·「치환 혹은 무치환의 할로알킬기」
본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 할로알킬기」는, 「치환 혹은 무치환의 알킬기」에 있어서의 알킬기를 구성하는 탄소 원자에 결합되어 있는 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 기를 의미하며, 「치환 혹은 무치환의 알킬기」에 있어서의 알킬기를 구성하는 탄소 원자에 결합되어 있는 모든 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 기도 포함한다. 「무치환의 할로알킬기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 1∼50이며, 바람직하게는 1∼30이고, 보다 바람직하게는 1∼18이다. 「치환의 할로알킬기」는 「할로알킬기」의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 또한, 본 명세서에 기재된 「치환의 할로알킬기」에는, 「치환의 할로알킬기」에 있어서의 알킬쇄의 탄소 원자에 결합하는 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기 및 「치환의 할로알킬기」에 있어서의 치환기의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기도 포함된다. 「무치환의 할로알킬기」의 구체예로서는, 상기 「알킬기」(구체예군 G3)에 있어서의 하나 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 기의 예 등을 들 수 있다. 할로알킬기를 할로겐화알킬기라고 부르는 경우가 있다.
·「치환 혹은 무치환의 알콕시기」
본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 알콕시기」의 구체예로서는, -O(G3)으로 표시되는 기이며, 여기서 G3은 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 무치환의 알킬기」이다. 「무치환의 알콕시기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 1∼50이며, 바람직하게는 1∼30이고, 보다 바람직하게는 1∼18이다.
·「치환 혹은 무치환의 알킬티오기」
본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 알킬티오기」의 구체예로서는, -S(G3)으로 표시되는 기이며, 여기서 G3은 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 무치환의 알킬기」이다. 「무치환의 알킬티오기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 1∼50이며, 바람직하게는 1∼30이고, 보다 바람직하게는 1∼18이다.
·「치환 혹은 무치환의 아릴옥시기」
본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 아릴옥시기」의 구체예로서는, -O(G1)로 표시되는 기이며, 여기서 G1은 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 무치환의 아릴기」이다. 「무치환의 아릴옥시기」의 고리 형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 6∼50이며, 바람직하게는 6∼30이고, 보다 바람직하게는 6∼18이다.
·「치환 혹은 무치환의 아릴티오기」
본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 아릴티오기」의 구체예로서는, -S(G1)로 표시되는 기이며, 여기서 G1은 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 무치환의 아릴기」이다. 「무치환의 아릴티오기」의 고리 형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 6∼50이며, 바람직하게는 6∼30이고, 보다 바람직하게는 6∼18이다.
·「치환 혹은 무치환의 트리알킬실릴기」
본 명세서에 기재된 「트리알킬실릴기」의 구체예로서는, -Si(G3)(G3)(G3)으로 표시되는 기이며, 여기서 G3은 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 무치환의 알킬기」이다. -Si(G3)(G3)(G3)에 있어서의 복수의 G3은 서로 동일하거나 또는 다르다. 「트리알킬실릴기」의 각 알킬기의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 1∼50이며, 바람직하게는 1∼20이고, 보다 바람직하게는 1∼6이다.
·「치환 혹은 무치환의 아랄킬기」
본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 아랄킬기」의 구체예로서는, -(G3)-(G1)로 표시되는 기이며, 여기서 G3은 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 무치환의 알킬기」이고, G1은 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 무치환의 아릴기」이다. 따라서, 「아랄킬기」는 「알킬기」의 수소 원자가 치환기로서의 「아릴기」로 치환된 기이며, 「치환의 알킬기」의 일 양태이다. 「무치환의 아랄킬기」는 「무치환의 아릴기」가 치환한 「무치환의 알킬기」이고, 「무치환의 아랄킬기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한 7∼50이며, 바람직하게는 7∼30이고, 보다 바람직하게는 7∼18이다.
「치환 혹은 무치환의 아랄킬기」의 구체예로서는, 벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐이소프로필기, 2-페닐이소프로필기, 페닐-t-부틸기, α-나프틸메틸기, 1-α-나프틸에틸기, 2-α-나프틸에틸기, 1-α-나프틸이소프로필기, 2-α-나프틸이소프로필기, β-나프틸메틸기, 1-β-나프틸에틸기, 2-β-나프틸에틸기, 1-β-나프틸이소프로필기, 및 2-β-나프틸이소프로필기 등을 들 수 있다.
본 명세서에 기재된 치환 혹은 무치환의 아릴기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 페닐기, p-비페닐기, m-비페닐기, o-비페닐기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-터페닐-4-일기, o-터페닐-3-일기, o-터페닐-2-일기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 피레닐기, 크리세닐기, 트리페닐레닐기, 플루오레닐기, 9,9'-스피로비플루오레닐기, 9,9-디메틸플루오레닐기, 및 9,9-디페닐플루오레닐기 등이다.
본 명세서에 기재된 치환 혹은 무치환의 복소환기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 피리딜기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 퀴나졸리닐기, 벤조이미다졸릴기, 페난트롤리닐기, 카르바졸릴기(1-카르바졸릴기, 2-카르바졸릴기, 3-카르바졸릴기, 4-카르바졸릴기 또는 9-카르바졸릴기), 벤조카르바졸릴기, 아자카르바졸릴기, 디아자카르바졸릴기, 디벤조푸라닐기, 나프토벤조푸라닐기, 아자디벤조푸라닐기, 디아자디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 나프토벤조티오페닐기, 아자디벤조티오페닐기, 디아자디벤조티오페닐기, (9-페닐)카르바졸릴기((9-페닐)카르바졸-1-일기, (9-페닐)카르바졸-2-일기, (9-페닐)카르바졸-3-일기 또는 (9-페닐)카르바졸-4-일기), (9-비페닐릴)카르바졸릴기, (9-페닐)페닐카르바졸릴기, 디페닐카르바졸-9-일기, 페닐카르바졸-9-일기, 페닐트리아지닐기, 비페닐릴트리아지닐기, 디페닐트리아지닐기, 페닐디벤조푸라닐기, 및 페닐디벤조티오페닐기 등이다.
본 명세서에 있어서, 카르바졸릴기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 구체적으로는 이하의 어느 하나의 기이다.
[화 8]
Figure pct00008
본 명세서에 있어서, (9-페닐)카르바졸릴기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 구체적으로는 이하의 어느 하나의 기이다.
[화 9]
Figure pct00009
상기 일반식 (TEMP-Cz1)∼(TEMP-Cz9) 중, *는 결합 위치를 나타낸다.
본 명세서에 있어서, 디벤조푸라닐기, 및 디벤조티오페닐기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 구체적으로는 이하의 어느 하나의 기이다.
[화 10]
Figure pct00010
상기 일반식 (TEMP-34)∼(TEMP-41) 중, *는 결합 위치를 나타낸다.
본 명세서에 기재된 치환 혹은 무치환의 알킬기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기 및 t-부틸기 등이다.
·「치환 혹은 무치환의 아릴렌기」
본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 아릴렌기」는, 별도 기재가 없는 한, 상기 「치환 혹은 무치환의 아릴기」로부터 아릴환 상의 하나의 수소 원자를 제거함으로써 유도되는 2가의 기이다. 「치환 혹은 무치환의 아릴렌기」의 구체예(구체예군 G12)로서는, 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 무치환의 아릴기」로부터 아릴환 상의 하나의 수소 원자를 제거함으로써 유도되는 2가의 기 등을 들 수 있다.
·「치환 혹은 무치환의 2가의 복소환기」
본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 2가의 복소환기」는, 별도 기재가 없는 한, 상기 「치환 혹은 무치환의 복소환기」로부터 복소환 상의 하나의 수소 원자를 제거함으로써 유도되는 2가의 기이다. 「치환 혹은 무치환의 2가의 복소환기」의 구체예(구체예군 G13)로서는, 구체예군 G2에 기재된 「치환 혹은 무치환의 복소환기」로부터 복소환 상의 하나의 수소 원자를 제거함으로써 유도되는 2가의 기 등을 들 수 있다.
·「치환 혹은 무치환의 알킬렌기」
본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 알킬렌기」는, 별도 기재가 없는 한, 상기 「치환 혹은 무치환의 알킬기」로부터 알킬쇄 상의 하나의 수소 원자를 제거함으로써 유도되는 2가의 기이다. 「치환 혹은 무치환의 알킬렌기」의 구체예(구체예군 G14)로서는, 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 무치환의 알킬기」로부터 알킬쇄 상의 하나의 수소 원자를 제거함으로써 유도되는 2가의 기 등을 들 수 있다.
본 명세서에 기재된 치환 혹은 무치환의 아릴렌기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 하기 일반식 (TEMP-42)∼(TEMP-68) 중 어느 하나의 기이다.
[화 11]
Figure pct00011
[화 12]
Figure pct00012
상기 일반식 (TEMP-42)∼(TEMP-52) 중, Q1∼Q10은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기이다.
상기 일반식 (TEMP-42)∼(TEMP-52) 중, *는 결합 위치를 나타낸다.
[화 13]
Figure pct00013
상기 일반식 (TEMP-53)∼(TEMP-62) 중, Q1∼Q10은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기이다.
식 Q9 및 Q10은 단일 결합을 통해 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다.
상기 일반식 (TEMP-53)∼(TEMP-62) 중, *는 결합 위치를 나타낸다.
[화 14]
Figure pct00014
상기 일반식 (TEMP-63)∼(TEMP-68) 중, Q1∼Q8은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기이다.
상기 일반식 (TEMP-63)∼(TEMP-68) 중, *는 결합 위치를 나타낸다.
본 명세서에 기재된 치환 혹은 무치환의 2가의 복소환기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 하기 일반식 (TEMP-69)∼(TEMP-102) 중 어느 하나의 기이다.
[화 15]
Figure pct00015
[화 16]
Figure pct00016
[화 17]
Figure pct00017
상기 일반식 (TEMP-69)∼(TEMP-82) 중, Q1∼Q9는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기이다.
[화 18]
Figure pct00018
[화 19]
Figure pct00019
[화 20]
Figure pct00020
[화 21]
Figure pct00021
상기 일반식 (TEMP-83)∼(TEMP-102) 중, Q1∼Q8은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기이다.
이상이 「본 명세서에 기재된 치환기」에 대한 설명이다.
·「결합하여 고리를 형성하는 경우」
본 명세서에 있어서, 「인접한 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이 서로 결합하여 치환 혹은 무치환의 단환을 형성하거나, 서로 결합하여 치환 혹은 무치환의 축합환을 형성하거나, 또는 서로 결합하지 않고」라고 하는 경우는, 「인접한 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이 서로 결합하여 치환 혹은 무치환의 단환을 형성하는」 경우와, 「인접한 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이 서로 결합하여 치환 혹은 무치환의 축합환을 형성하는」 경우와, 「인접한 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이 서로 결합하지 않는」 경우를 의미한다.
본 명세서에 있어서의 「인접한 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이 서로 결합하여 치환 혹은 무치환의 단환을 형성하는」 경우 및 「인접한 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이 서로 결합하여 치환 혹은 무치환의 축합환을 형성하는」 경우(이하, 이들 경우를 통합하여 「결합하여 고리를 형성하는 경우」라고 부르는 경우가 있음)에 대해서 이하에 설명한다. 모골격(母骨格)이 안트라센환인 하기 일반식 (TEMP-103)으로 표시되는 안트라센 화합물의 경우를 예로 들어 설명한다.
[화 22]
Figure pct00022
예컨대 R921∼R930 중의 「인접한 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이 서로 결합하여 고리를 형성하는」 경우에 있어서, 1조가 되는 인접한 2개로 이루어지는 조는, R921과 R922의 조, R922와 R923의 조, R923과 R924의 조, R924와 R930의 조, R930과 R925의 조, R925와 R926의 조, R926과 R927의 조, R927과 R928의 조, R928과 R929의 조, 그리고 R929와 R921의 조이다.
상기 「1조 이상」이란, 상기 인접한 2개 이상으로 이루어지는 조의 2조 이상이 동시에 고리를 형성하여도 좋다는 것을 의미한다. 예컨대 R921과 R922가 서로 결합하여 고리 QA를 형성하고, 동시에 R925와 R926이 서로 결합하여 고리 QB를 형성한 경우는, 상기 일반식 (TEMP-103)으로 표시되는 안트라센 화합물은 하기 일반식 (TEMP-104)로 표시된다.
[화 23]
Figure pct00023
「인접한 2개 이상으로 이루어지는 조」가 고리를 형성하는 경우란, 전술한 예와 같이 인접한 「2개」로 이루어지는 조가 결합하는 경우뿐만 아니라, 인접한 「3개 이상」으로 이루어지는 조가 결합하는 경우도 포함한다. 예컨대 R921과 R922가 서로 결합하여 고리 QA를 형성하며 또한 R922와 R923이 서로 결합하여 고리 QC를 형성하고, 서로 인접한 3개(R921, R922 및 R923)로 이루어지는 조가 서로 결합하여 고리를 형성하여, 안트라센 모골격에 축합하는 경우를 의미하며, 이 경우, 상기 일반식 (TEMP-103)으로 표시되는 안트라센 화합물은 하기 일반식 (TEMP-105)로 표시된다. 하기 일반식 (TEMP-105)에 있어서, 고리 QA및 고리 QC는 R922를 공유한다.
[화 24]
Figure pct00024
형성되는 「단환 」 또는 「축합환」은, 형성된 고리만의 구조로서, 포화 고리라도 좋고 불포화 고리라도 좋다. 「인접한 2개로 이루어지는 조의 1조」가 「단환」 또는 「축합환」을 형성하는 경우라도, 당해 「단환」 또는 「축합환」은 포화 고리 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다. 예컨대 상기 일반식 (TEMP-104)에 있어서 형성된 고리 QA 및 고리 QB는 각각 「단환 」 또는 「축합환」이다. 또한, 상기 일반식 (TEMP-105)에 있어서 형성된 고리 QA 및 고리 QC는 「축합환」이다. 상기 일반식 (TEMP-105)의 고리 QA와 고리 QC는 고리 QA와 고리 QC가 축합함으로써 축합환으로 되어 있다. 상기 일반식 (TMEP-104)의 고리 QA가 벤젠환이면, 고리 QA는 단환이다. 상기 일반식 (TMEP-104)의 고리 QA가 나프탈렌환이면, 고리 QA는 축합환이다.
「불포화 고리」란, 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환을 의미한다. 「포화 고리」란, 지방족 탄화수소환 또는 비방향족 복소환을 의미한다.
방향족 탄화수소환의 구체예로서는, 구체예군 G1에 있어서 구체예로서 든 기가 수소 원자에 의해 종단된 구조를 들 수 있다.
방향족 복소환의 구체예로서는, 구체예군 G2에 있어서 구체예로서 든 방향족 복소환기가 수소 원자에 의해 종단된 구조를 들 수 있다.
지방족 탄화수소환의 구체예로서는, 구체예군 G6에 있어서 구체예로서 든 기가 수소 원자에 의해 종단된 구조를 들 수 있다.
「고리를 형성한다」란, 모골격의 복수의 원자만 혹은 모골격의 복수의 원자와 추가로 1 이상의 임의의 원소로 고리를 형성하는 것을 의미한다. 예컨대 상기 일반식 (TEMP-104)에 나타내는, R921과 R922가 서로 결합하여 형성된 고리 QA는, R921이 결합하는 안트라센 골격의 탄소 원자와, R922가 결합하는 안트라센 골격의 탄소 원자와, 1 이상의 임의의 원소로 형성하는 고리를 의미한다. 구체예로서는, R921과 R922로 고리 QA를 형성하는 경우에 있어서, R921이 결합하는 안트라센 골격의 탄소 원자와, R922가 결합하는 안트라센 골격의 탄소 원자와, 4개의 탄소 원자로 단환의 불포화 고리를 형성하는 경우, R921과 R922로 형성하는 고리는 벤젠환이다.
여기서, 「임의의 원소」는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소 및 황 원소로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소이다. 임의의 원소에 있어서(예컨대, 탄소 원소 또는 질소 원소의 경우), 고리를 형성하지 않는 결합은, 수소 원자 등으로 종단되어도 좋고, 후술하는 「임의의 치환기」로 치환되어도 좋다. 탄소 원소 이외의 임의의 원소를 포함하는 경우, 형성되는 고리는 복소환이다.
단환 또는 축합환을 구성하는 「1 이상의 임의의 원소」는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 2개 이상 15개 이하이며, 보다 바람직하게는 3개 이상 12개 이하이고, 더욱 바람직하게는 3개 이상 5개 이하이다.
본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 「단환」 및 「축합환」 중, 바람직하게는 「단환」이다.
본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 「포화 고리」 및 「불포화 고리」 중, 바람직하게는 「불포화 고리」이다.
본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 「단환」은 바람직하게는 벤젠환이다.
본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 「불포화 고리」는 바람직하게는 벤젠환이다.
「인접한 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상」이 「서로 결합하여 치환 혹은 무치환의 단환을 형성하는」 경우, 또는 「서로 결합하여 치환 혹은 무치환의 축합환을 형성하는」 경우, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 인접한 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 모골격의 복수의 원자와, 1개 이상 15개 이하의 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소 및 황 원소로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소로 이루어지는 치환 혹은 무치환의 「불포화 고리」를 형성한다.
상기한 「단환」 또는 「축합환」이 치환기를 갖는 경우의 치환기는 예컨대 후술하는 「임의의 치환기」이다. 상기한 「단환」 또는 「축합환」이 치환기를 갖는 경우의 치환기의 구체예는, 상술한 「본 명세서에 기재된 치환기」의 항에서 설명한 치환기이다.
상기한 「포화 고리」 또는 「불포화 고리」가 치환기를 갖는 경우의 치환기는 예컨대 후술하는 「임의의 치환기」이다. 상기한 「단환」 또는 「축합환」이 치환기를 갖는 경우의 치환기의 구체예는, 상술한 「본 명세서에 기재된 치환기」의 항에서 설명한 치환기이다.
이상이 「인접한 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이 서로 결합하여 치환 혹은 무치환의 단환을 형성하는」 경우, 및 「인접한 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이 서로 결합하여 치환 혹은 무치환의 축합환을 형성하는」 경우(「결합하여 고리를 형성하는 경우」)에 대한 설명이다.
·「치환 혹은 무치환의」라고 하는 경우의 치환기
본 명세서에 있어서의 일 실시형태에서는, 상기 「치환 혹은 무치환의」라고 하는 경우의 치환기(본 명세서에 있어서 「임의의 치환기」라고 부르는 경우가 있음)는, 예컨대
무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
무치환의 탄소수 2∼50의 알케닐기,
무치환의 탄소수 2∼50의 알키닐기,
무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
-Si(R901)(R902)(R903),
-O-(R904),
-S-(R905),
-N(R906)(R907),
할로겐 원자, 시아노기, 니트로기,
무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 및
무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기
로 이루어진 군에서 선택되는 기 등이고,
여기서, R901∼R907은 각각 독립적으로
수소 원자,
치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기이다.
R901이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R901은 서로 동일하거나 또는 다르고,
R902가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R902는 서로 동일하거나 또는 다르고,
R903이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R903은 서로 동일하거나 또는 다르고,
R904가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R904는 서로 동일하거나 또는 다르고,
R905가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R905는 서로 동일하거나 또는 다르고,
R906이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R906은 서로 동일하거나 또는 다르고,
R907이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R907은 서로 동일하거나 또는 다르다.
일 실시형태에서는, 상기 「치환 혹은 무치환의」라고 하는 경우의 치환기는,
탄소수 1∼50의 알킬기,
고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 및
고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기
로 이루어진 군에서 선택되는 기이다.
일 실시형태에서는, 상기 「치환 혹은 무치환의」라고 하는 경우의 치환기는,
탄소수 1∼18의 알킬기,
고리 형성 탄소수 6∼18의 아릴기, 및
고리 형성 원자수 5∼18의 복소환기
로 이루어진 군에서 선택되는 기이다.
상기 임의의 치환기의 각 기의 구체예는 상술한 「본 명세서에 기재된 치환기」의 항에서 설명한 치환기의 구체예이다.
본 명세서에 있어서 별도 기재가 없는 한, 인접한 임의의 치환기들이 「포화 고리」 또는 「불포화 고리」를 형성하여도 좋고, 바람직하게는 치환 혹은 무치환의 포화 5원환, 치환 혹은 무치환의 포화 6원환, 치환 혹은 무치환의 불포화 5원환, 또는 치환 혹은 무치환의 불포화 6원환을 형성하고, 보다 바람직하게는 벤젠환을 형성한다.
본 명세서에 있어서 별도 기재가 없는 한, 임의의 치환기는 치환기를 더 갖더라도 좋다. 임의의 치환기가 더 갖는 치환기로서는 상기 임의의 치환기와 동일하다.
본 명세서에 있어서 「AA∼BB」를 이용하여 표시되는 수치 범위는, 「AA∼BB」 앞에 기재되는 수치 AA를 하한값으로서, 「AA∼BB」 뒤에 기재되는 수치 BB를 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.
〔제1 실시형태〕
본 실시형태에 따른 혼합물은 2종 이상의 화합물이 혼합된 혼합물이다. 본 실시형태에 따른 혼합물은 적어도 제1 화합물 및 제2 화합물을 함유한다. 본 실시형태에 따른 혼합물이 함유하는 2종 이상의 화합물은 서로 다른 구조를 갖는 화합물이다. 본 명세서에 있어서, 본 실시형태에 따른 혼합물이 함유하는 2종 이상의 화합물들이 수소 원자의 종류(경수소, 중수소 및 삼중수소)만 상이한 경우는 서로 다른 구조가 아니다.
본 실시형태에 따른 혼합물이 함유하는 2종 이상의 화합물은, 하기 일반식 (10)으로 표시되는 화합물, 일반식 (20)으로 표시되는 화합물, 일반식 (30)으로 표시되는 화합물 및 일반식 (40)으로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 2종 이상의 화합물이다.
본 실시형태에 따른 혼합물은 예컨대 이하의 제1, 제2 또는 제3 양태에 따른 혼합물인 것이 바람직하다.
(제1 양태에 따른 혼합물)
제1 양태에 따른 혼합물은, 제1 화합물로서 하기 일반식 (10)으로 표시되는 화합물을 함유하고, 제2 화합물로서 하기 일반식 (20)으로 표시되는 화합물을 함유하고, 단, 제1 화합물과 제2 화합물은 서로 다른 구조이다.
[화 25]
Figure pct00025
(상기 일반식 (10) 및 상기 일반식 (20)에 있어서,
L12는,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 2가의 복소환기이고,
Ar12는, 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고,
L11, L21 및 L22는, 각각 독립적으로
단일 결합,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 2가의 복소환기이고,
Ar11, Ar21 및 Ar22는 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고,
R11∼R18 및 R21∼R28은, 각각 독립적으로
수소 원자,
치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 할로알킬기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알케닐기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알키닐기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
-Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기,
-O-(R904)로 표시되는 기,
-S-(R905)로 표시되는 기,
-N(R906)(R907)로 표시되는 기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 7∼50의 아랄킬기,
-C(=O)R801로 표시되는 기,
-COOR802로 표시되는 기,
할로겐 원자,
시아노기,
니트로기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기이다.)
본 실시형태에 있어서, 제1 화합물 및 제2 화합물 중, R901, R902, R903, R904, R905, R906, R907, R801 및 R802는, 각각 독립적으로
수소 원자,
치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기이고,
R901이 복수 존재하는 경우, 복수의 R901은 서로 동일하거나 또는 다르고,
R902가 복수 존재하는 경우, 복수의 R902는 서로 동일하거나 또는 다르고,
R903이 복수 존재하는 경우, 복수의 R903은 서로 동일하거나 또는 다르고,
R904가 복수 존재하는 경우, 복수의 R904는 서로 동일하거나 또는 다르고,
R905가 복수 존재하는 경우, 복수의 R905는 서로 동일하거나 또는 다르고,
R906이 복수 존재하는 경우, 복수의 R906은 서로 동일이거나 또는 다르고,
R907이 복수 존재하는 경우, 복수의 R907은 서로 동일하거나 또는 다르고,
R801이 복수 존재하는 경우, 복수의 R801은 서로 동일하거나 또는 다르고,
R802가 복수 존재하는 경우, 복수의 R802는 서로 동일하거나 또는 다르다.
제1 양태에 따른 혼합물에 있어서, L12는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기인 것이 바람직하다.
제1 양태에 따른 혼합물에 있어서, 제1 화합물이 하기 일반식 (11)로 표시되는 것이 바람직하다.
[화 26]
Figure pct00026
(상기 일반식 (11)에 있어서, R11∼R18, L11 및 Ar11은 각각 상기 일반식 (10)에 있어서의 R11∼R18, L11 및 Ar11과 동의이다.)
제1 양태에 따른 혼합물에 있어서, L11은 단일 결합 또는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기인 것이 바람직하다.
제1 양태에 따른 혼합물에 있어서, Ar11은 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼18의 아릴기인 것이 바람직하다.
제1 양태에 따른 혼합물에 있어서, R11∼R18은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기, 또는 -Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기인 것이 바람직하다.
제1 양태에 따른 혼합물에 있어서, R11∼R18은 수소 원자인 것이 바람직하다.
제1 양태에 따른 혼합물에 있어서, R21∼R28은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 할로알킬기, 치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알케닐기, 치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알키닐기, 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기, -Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기, -O-(R904)로 표시되는 기, -S-(R905)로 표시되는 기, -N(R906)(R907)로 표시되는 기, 치환 혹은 무치환의 탄소수 7∼50의 아랄킬기, -C(=O)R801로 표시되는 기, -COOR802로 표시되는 기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기인 것이 바람직하다.
제1 양태에 따른 혼합물에 있어서, R21∼R28은 수소 원자인 것이 바람직하다.
제1 양태에 따른 혼합물에 있어서, L21 및 L22는 각각 독립적으로 단일 결합 또는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기이고, Ar21 및 Ar22는 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼18의 아릴기인 것이 바람직하다.
제1 양태에 따른 혼합물에 있어서, L21은 치환 혹은 무치환의 페닐렌기이고, Ar21은 치환 혹은 무치환의 나프틸기인 것이 바람직하다.
제1 양태에 따른 혼합물에 있어서, 제2 화합물이 하기 일반식 (21)로 표시되는 것이 바람직하다.
[화 27]
Figure pct00027
(상기 일반식 (21)에 있어서, R21∼R28, L22 및 Ar22는 각각 상기 일반식 (20)에 있어서의 R21∼R28, L22 및 Ar22와 동의이다.)
제1 양태에 따른 혼합물 중, 제1 화합물 및 제2 화합물의 합계 질량 MT과 제1 화합물의 질량 M1이 하기 수식(수학식 1)의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
50≤(M1/MT)×100<100 … (수학식 1)
(제2 양태에 따른 혼합물)
제2 양태에 따른 혼합물은, 제1 화합물로서 하기 일반식 (20)으로 표시되는 화합물을 함유하고, 제2 화합물로서 하기 일반식 (30)으로 표시되는 화합물을 함유하며, 단, 상기 제1 화합물과 상기 제2 화합물은 서로 다른 구조이다.
[화 28]
Figure pct00028
(상기 일반식 (20) 및 상기 일반식 (30)에 있어서,
L21, L22, L31 및 L32는, 각각 독립적으로
단일 결합,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 2가의 복소환기이고,
Ar21, Ar22, Ar31 및 Ar32는 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고,
R21∼R28 및 R31∼R38은, 각각 독립적으로
수소 원자,
치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 할로알킬기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알케닐기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알키닐기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
-Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기,
-O-(R904)로 표시되는 기,
-S-(R905)로 표시되는 기,
-N(R906)(R907)로 표시되는 기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 7∼50의 아랄킬기,
-C(=O)R801로 표시되는 기,
-COOR802로 표시되는 기,
할로겐 원자,
시아노기,
니트로기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기이고,
단, R22, R23, R26, R27, R32, R33, R36 및 R37은 치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기가 아니다.)
제2 양태에 따른 혼합물에 있어서, R31∼R38은 수소 원자인 것이 바람직하다.
제2 양태에 따른 혼합물에 있어서, L31 및 L32는 각각 독립적으로 단일 결합 또는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기인 것이 바람직하다.
제2 양태에 따른 혼합물에 있어서, L31은 치환 혹은 무치환의 페닐렌기이며, 또한 Ar31은 치환 혹은 무치환의 나프틸기인 것이 바람직하다.
제2 양태에 따른 혼합물에 있어서, 제2 화합물이 하기 일반식 (31)로 표시되는 것이 바람직하다.
[화 29]
Figure pct00029
(상기 일반식 (31)에 있어서, R31, R34, R35, R38, L32 및 Ar32는 각각 상기 일반식 (30)에 있어서의 R31, R34, R35, R38, L32 및 Ar32와 동의이다.)
제2 양태에 따른 혼합물 중, 제1 화합물 및 제2 화합물의 합계 질량 MT과 제1 화합물의 질량 M1이 하기 수식(수학식 1)의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
50≤(M1/MT)×100<100 … (수학식 1)
상기 일반식 (20)으로 표시되는 제1 화합물 및 상기 일반식 (30)으로 표시되는 제2 화합물을 함유하는 제2 양태에 따른 혼합물은 전기 여기에 대하여 안정적이다. 그 때문에, 제2 양태에 따른 혼합물을 이용하여 제조한 유기 EL 소자는 구동 중에 열화하기 어렵다.
(제3 양태에 따른 혼합물)
제3 양태에 따른 혼합물은, 제1 화합물로서 하기 일반식 (20)으로 표시되는 화합물을 함유하고, 제2 화합물로서 하기 일반식 (40)으로 표시되는 화합물을 함유하며, 단, 상기 제1 화합물과 상기 제2 화합물은 서로 다른 구조이다.
제3 양태에 따른 혼합물 중, 제1 화합물 및 제2 화합물의 합계 질량 MT과 상기 제1 화합물의 질량 M1이 하기 수식(수학식 2)의 관계를 만족한다.
50<(M1/MT)×100<100 … (수학식 2)
[화 30]
Figure pct00030
(상기 일반식 (20) 및 상기 일반식 (40)에 있어서,
L21, L22, L41 및 L42는, 각각 독립적으로
단일 결합,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 2가의 복소환기이고,
Ar21, Ar22, Ar41 및 Ar42는, 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고,
R21∼R28 및 R41∼R48은, 각각 독립적으로
수소 원자,
치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 할로알킬기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알케닐기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알키닐기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
-Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기,
-O-(R904)로 표시되는 기,
-S-(R905)로 표시되는 기,
-N(R906)(R907)로 표시되는 기,
치환 혹은 무치환의 탄소수 7∼50의 아랄킬기,
-C(=O)R801로 표시되는 기,
-COOR802로 표시되는 기,
할로겐 원자,
시아노기,
니트로기,
치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기이다.)
제3 양태에 따른 혼합물에 있어서, R41∼R48은 수소 원자인 것이 바람직하다.
제3 양태에 따른 혼합물에 있어서, L41 및 L42는 각각 독립적으로 단일 결합 또는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기이고, Ar41 및 Ar42는 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼18의 아릴기인 것이 바람직하다.
제3 양태에 따른 혼합물에 있어서, L41은 치환 혹은 무치환의 페닐렌기이고, Ar41은 치환 혹은 무치환의 나프틸기인 것이 바람직하다.
제3 양태에 따른 혼합물에 있어서, 제2 화합물이 하기 일반식 (41)로 표시되는 것이 바람직하다.
[화 31]
Figure pct00031
(상기 일반식 (41)에 있어서, R41∼R48, L42 및 Ar42는 각각 상기 일반식 (40)에 있어서의 R41∼R48, L42 및 Ar42와 동의이다.)
제2 양태 및 제3 양태의 혼합물의 적어도 어느 하나에 따른 혼합물에 있어서, L22는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기이고, Ar22는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼18의 아릴기인 것이 바람직하다.
제2 양태 및 제3 양태의 혼합물의 적어도 어느 하나에 따른 혼합물에 있어서, 제1 화합물이 하기 일반식 (22)로 표시되는 것이 바람직하다.
[화 32]
Figure pct00032
(상기 일반식 (22)에 있어서, R21∼R28, L21 및 Ar21은 각각 상기 일반식 (20)에 있어서의 R21∼R28, L21 및 Ar21과 동의이다.)
제2 양태 및 제3 양태의 혼합물의 적어도 어느 하나에 따른 혼합물에 있어서, L21은 단일 결합 또는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기인 것이 바람직하다.
제2 양태 및 제3 양태의 혼합물의 적어도 어느 하나에 따른 혼합물에 있어서, Ar21은 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼18의 아릴기인 것이 바람직하다.
제2 양태 및 제3 양태의 혼합물의 적어도 어느 하나에 따른 혼합물에 있어서, R21∼R28은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기, 또는 -Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기인 것도 바람직하다.
제2 양태 및 제3 양태의 혼합물의 적어도 어느 하나에 따른 혼합물에 있어서, R21∼R28은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 할로알킬기, 치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알케닐기, 치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알키닐기, 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기, -Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기, -O-(R904)로 표시되는 기, -S-(R905)로 표시되는 기, -N(R906)(R907)로 표시되는 기, 치환 혹은 무치환의 탄소수 7∼50의 아랄킬기, -C(=O)R801로 표시되는 기, -COOR802로 표시되는 기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기인 것도 바람직하다.
제2 양태 및 제3 양태의 혼합물의 적어도 어느 하나에 따른 혼합물에 있어서, R21∼R28은 수소 원자인 것이 바람직하다.
본 실시형태에 따른 혼합물 중, 제1 화합물 및 제2 화합물의 합계 질량 MT과 제1 화합물의 질량 M1이 하기 수식(수학식 3)의 관계를 만족하는 것이 바람직하고, 하기 수식(수학식 4)의 관계를 만족하는 것이 보다 바람직하고, 하기 수식(수학식 4A)의 관계를 만족하는 것이 더욱 바람직하고, 하기 수식(수학식 5)의 관계를 만족하는 것이 보다 더욱 바람직하다.
60≤(M1/MT)×100<100 … (수학식 3)
70≤(M1/MT)×100<100 … (수학식 4)
70≤(M1/MT)×100<98 … (수학식 4A)
70≤(M1/MT)×100≤90 … (수학식 5)
본 실시형태에 따른 혼합물의 제1 화합물 및 제2 화합물에 있어서, 「치환 혹은 무치환」이라고 기재된 기는 모두 「무치환」의 기인 것이 바람직하다.
본 실시형태에 따른 혼합물의 형태는 특별히 한정되지 않는다. 본 실시형태에 따른 혼합물의 형태로는 예컨대 고체, 분말, 용액, 막 및 층 등을 들 수 있다. 본 실시형태에 따른 혼합물은, 분말의 제1 화합물과 분말의 제2 화합물이 혼합된, 분말상의 혼합물인 것도 바람직하다. 본 실시형태에 따른 혼합물이 고체인 것도 바람직하고, 제1 화합물 및 제2 화합물을 용융시켜 혼합한 후, 냉각 고화시킨 고체상의 혼합물인 것도 바람직하다. 본 실시형태에 따른 혼합물이 고체인 경우, 본 실시형태에 따른 혼합물은 분말의 제1 화합물과 분말의 제2 화합물을 이용하여 성형된 펠릿형의 혼합물이라도 좋다.
본 실시형태에 따른 혼합물은 막 또는 층이 아닌 것이 바람직하다.
본 실시형태에 따른 혼합물에 의하면 폐색 현상이 억제되는 것을 알아냈다.
본 실시형태에 따른 제1 화합물을 진공증착법 등의 건식 성막법으로 성막하였으면, 시간이 경과함에 따라 증착 속도의 저하 또는 증착 속도의 변동이 생기기 쉬운 경향이 있었다. 이것은, 본 실시형태에 따른 제1 화합물은, 진공 증착 등의 성막 중에 방착판(防着板) 및 도가니 단부 등에 부착되어 결정 성장하기 쉽고, 결정 성장하여 형성된 제1 화합물의 부피가 큰 막이 증착원으로부터의 기화 빔을 폐색하기 때문이라고 생각된다.
그래서, 본 발명자들이 예의 검토한 결과, 제1 화합물에 제2 화합물을 소정의 조건으로 혼합함으로써 폐색 현상이 억제되는 것을 알아냈다. 제2 화합물을 제1 화합물에 혼합함으로써, 제1 화합물 단체를 성막할 때에 일어나기 쉬운 결정 성장이 억제되어, 부피가 큰 부착물의 발생을 억제할 수 있었다고 생각된다. 제2 화합물이 제1 화합물과 다른 결정 형태를 갖는 화합물이라면, 제1 화합물에 소량의 제2 화합물을 혼합함으로써, 각각의 결정 성장이 저해되어, 부피가 큰 부착물의 발생을 억제할 수 있다고 생각된다.
본 실시형태에 따른 혼합물에 의하면, 유기 EL 소자의 유기층을 건식 성막법으로 형성할 때에, 부피가 큰 부착막의 형성을 억제할 수 있다.
(제1 화합물 및 제2 화합물의 제조 방법)
본 실시형태에 따른 제1 화합물 및 제2 화합물은 공지된 방법에 의해 제조할 수 있고, 또는 당해 방법에 따라 목적물에 맞춘 기지의 대체 반응 및 원료를 이용함으로써 제조할 수 있다.
(제1 화합물 및 제2 화합물의 구체예)
본 실시형태에 따른 제1 화합물 및 제2 화합물의 구체예로서는 이하의 화합물을 들 수 있다. 본 실시형태에 따른 혼합물의 구체예는, 전술한 제1, 제2 및 제3 양태에 따른 혼합물의 조건에 합치하도록, 이하의 화합물군에서 선택한 제1 화합물 및 제2 화합물을 함유한다. 단, 본 발명은 이들 구체예에 한정되지 않는다.
[화 33]
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[화 34]
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[화 35]
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[화 36]
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[화 37]
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[화 38]
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[화 39]
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[화 40]
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[화 41]
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[화 42]
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[화 43]
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[화 44]
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[화 45]
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[화 46]
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[화 47]
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[화 48]
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[화 49]
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[화 50]
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[화 51]
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[화 52]
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[화 53]
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[화 54]
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[화 55]
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혼합물의 구체예를 표 1∼표 40에 나타낸다. 표에는, 본 명세서에서 예시한 화합물 H-1∼H-225로 이루어지는 군에서 선택되는 서로 다른 2개의 화합물을 조합하여 함유하는 혼합물에 관해서 번호 1∼22500이 부여되어 있다. 예컨대 번호 1의 혼합물을 혼합물 1이라고 부른다.
표에서의 행에 기재된 화합물 및 열에 기재된 화합물에 의해서 혼합물이 함유하는 화합물의 조합이 특정된다. 예컨대 표 1에서, 행에 기재된 화합물 H-1 및 열에 기재된 화합물 H-2를 함유하는 혼합물의 번호는 1이며, 또한 행에 기재된 화합물 H-10 및 열에 기재된 화합물 H-5를 함유하는 혼합물의 번호는 895이고, 그 밖의 혼합물에 있어서의 화합물의 조합에 관해서도 같은 식으로 특정된다. 표 1∼표 40에는, 혼합물 1∼22500 각각이 함유하는 화합물의 조합에 관해서 기재되어 있다.
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〔제2 실시형태〕
(유기 일렉트로루미네센스 소자)
본 발명의 제2 실시형태에 따른 유기 EL 소자에 관해서 설명한다.
본 실시형태에 따른 유기 EL 소자는 양극 및 음극의 양 전극 사이에 유기층을 구비한다. 이 유기층은 유기 화합물로 구성되는 층을 적어도 하나 포함한다. 혹은 이 유기층은 유기 화합물로 구성되는 복수의 층이 적층되어 이루어진다. 유기층은 무기 화합물을 더 포함하고 있어도 좋다. 본 실시형태에 따른 유기 EL 소자의 유기층은 제1 실시형태에 따른 혼합물을 함유한다.
본 실시형태에 따른 유기 EL 소자는 예컨대 이하의 제1 또는 제2 양태에 따른 유기 EL 소자인 것이 바람직하다.
(제1 양태에 따른 유기 EL 소자)
제1 양태에 따른 유기 EL 소자는, 양극과, 음극과, 양극 및 음극의 사이에 배치되며, 제1 실시형태에 따른 혼합물을 동일 층에 포함하는 유기층을 갖는다.
동일 층에 포함한다는 것은, 유기 EL 소자가 복수의 유기층을 갖는 경우, 복수의 유기층 중 하나의 동일한 층 중에 제1 실시형태에 따른 혼합물을 함유하고 있다는 것을 의미한다. 예컨대 제1 유기층이 제1 화합물을 함유하고, 당해 제1 유기층에 직접 또는 다른 유기층을 통해 접하는 제2 유기층이 제2 화합물을 함유하는 경우는, 혼합물을 구성하는 제1 화합물 및 제2 화합물이 하나의 동일한 층 내에 포함되어 있지 않기 때문에, 동일 층에 포함하는 경우에 해당하지 않는다.
제1 양태에 따른 유기 EL 소자가 제1 양태에 따른 혼합물을 함유하는 경우, 제2 화합물은, L21이 치환 혹은 무치환의 페닐렌기이고, Ar21이 치환 혹은 무치환의 나프틸기인 경우의 화합물인 것이 바람직하다.
제1 양태에 따른 유기 EL 소자가 제1 양태에 따른 혼합물을 함유하는 경우, 제2 화합물이 상기 일반식 (21)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
(제2 양태에 따른 유기 EL 소자)
제2 양태에 따른 유기 EL 소자는, 양극과, 음극과, 양극 및 음극의 사이에 배치되며, 제1 실시형태에 따른 혼합물을 동일 증착원으로부터 증착하여 성막된 유기층을 갖는다.
증착원은 예컨대 제1 실시형태에 따른 혼합물을 수용할 수 있는 도가니 등이다.
도 1에 본 실시형태에 따른 유기 EL 소자의 일례의 개략 구성을 도시한다.
유기 EL 소자(1)는 투광성의 기판(2)과 양극(3)과 음극(4)과 양극(3) 및 음극(4)의 사이에 배치된 유기층(10)을 포함한다. 유기층(10)은 양극(3) 측에서부터 순차로 정공 주입층(6), 정공 수송층(7), 발광층(5), 전자 수송층(8) 및 전자 주입층(9)이 이 순서로 적층되어 구성된다.
본 발명은 도 1에 도시하는 유기 EL 소자의 구성에 한정되지 않는다.
본 실시형태에 따른 유기 EL 소자의 구성에 관해서 추가로 설명한다. 이하, 부호의 기재는 생략하는 경우가 있다.
(발광층)
본 실시형태의 유기 EL 소자에 있어서, 유기층 중 적어도 1층은 발광층이다. 유기층은, 예컨대 하나의 발광층으로 구성되어 있어도 좋고, 유기 EL 소자에 채용될 수 있는 층을 포함하고 있어도 좋다. 유기 EL 소자에 채용될 수 있는 층으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 및 장벽층으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 층을 들 수 있다.
본 실시형태의 유기 EL 소자는 동일한 발광층에 제1 실시형태에 따른 혼합물을 함유하는 것이 바람직하다.
(발광층의 게스트 재료)
발광층은 발광성이 높은 물질을 포함하는 층이며, 다양한 재료를 이용할 수 있다. 예컨대 발광성이 높은 물질로서는, 형광을 발광하는 형광성 화합물 또는 인광을 발광하는 인광성 화합물을 이용할 수 있다. 형광성 화합물은 일중항 여기 상태로부터 발광 가능한 화합물이고, 인광성 화합물은 삼중항 여기 상태로부터 발광 가능한 화합물이다.
게스트 재료는 도펀트 재료, 에미터 또는 발광 재료라고 부르는 경우도 있다.
발광층에 이용할 수 있는 청색계의 형광 발광 재료로서, 피렌 유도체, 스티릴아민 유도체, 크리센 유도체, 플루오란텐 유도체, 플루오렌 유도체, 디아민 유도체, 트리아릴아민 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, N,N'-비스[4-(9H-카르바졸-9-일)페닐]-N,N'-디페닐스틸벤-4,4'-디아민(약칭: YGA2S), 4-(9H-카르바졸-9-일)-4'-(10-페닐-9-안트릴)트리페닐아민(약칭: YGAPA), 4-(10-페닐-9-안트릴)-4'-(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)트리페닐아민(약칭: PCBAPA) 등을 들 수 있다.
발광층에 이용할 수 있는 녹색계의 형광 발광 재료로서 방향족 아민 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는 N-(9,10-디페닐-2-안트릴)-N,9-디페닐-9H-카르바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), N-[9,10-비스(1,1'-비페닐-2-일)-2-안트릴]-N,9-디페닐-9H-카르바졸-3-아민(약칭: 2PCABPhA), N-(9,10-디페닐-2-안트릴)-N,N',N'-트리페닐-1,4-페닐렌디아민(약칭: 2DPAPA), N-[9,10-비스(1,1'-비페닐-2-일)-2-안트릴]-N,N',N'-트리페닐-1,4-페닐렌디아민(약칭: 2DPABPhA), N-[9,10-비스(1,1'-비페닐-2-일)]-N-[4-(9H-카르바졸-9-일)페닐]-N-페닐안트라센-2-아민(약칭: 2YGABPhA), N,N,9-트리페닐안트라센-9-아민(약칭: DPhAPhA) 등을 들 수 있다.
발광층에 이용할 수 있는 적색계의 형광 발광 재료로서, 테트라센 유도체, 디아민 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는 N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)테트라센-5,11-디아민(약칭: p-mPhTD), 7,14-디페닐-N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)아세나프토[1,2-a]플루오란텐-3,10-디아민(약칭: p-mPhAFD) 등을 들 수 있다.
발광층에 이용할 수 있는 청색계의 인광 발광 재료로서, 이리듐 착체, 오스뮴 착체, 백금 착체 등의 금속 착체가 사용된다. 구체적으로는, 비스[2-(4',6'-디플루오로페닐)피리디나토-N,C2']이리듐(III)테트라키스(1-피라졸릴)보레이트(약칭: FIr6), 비스[2-(4',6'-디플루오로페닐)피리디나토-N,C2']이리듐(III)피콜리네이트(약칭: FIrpic), 비스[2-(3',5'비스트리플루오로메틸페닐)피리디나토-N,C2']이리듐(III)피콜리네이트(약칭: Ir(CF3ppy)2(pic)), 비스[2-(4',6'-디플루오로페닐)피리디나토-N,C2']이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: FIracac) 등을 들 수 있다.
발광층에 이용할 수 있는 녹색계의 인광 발광 재료로서 이리듐 착체 등이 사용된다. 트리스(2-페닐피리디나토-N,C2')이리듐(III)(약칭: Ir(ppy)3), 비스(2-페닐피리디나토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(ppy)2(acac)), 비스(1,2-디페닐-1H-벤조이미다졸라토)이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(pbi)2(acac)), 비스(벤조[h]퀴놀리나토)이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(bzq)2(acac)) 등을 들 수 있다.
발광층에 이용할 수 있는 적색계 인광 발광 재료로서, 이리듐 착체, 백금 착체, 테르븀 착체, 유로피움 착체 등의 금속 착체가 사용된다. 구체적으로는, 비스[2-(2'-벤조[4,5-α]티에닐)피리디나토-N,C3']이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(btp)2(acac)), 비스(1-페닐이소퀴놀리나토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(piq)2(acac)), (아세틸아세토나토)비스[2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살리나토]이리듐(III)(약칭: Ir(Fdpq)2(acac)), 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르피린백금(II)(약칭: PtOEP) 등의 유기 금속 착체를 들 수 있다.
또한, 트리스(아세틸아세토나토)(모노페난트롤린)테르븀(III)(약칭: Tb(acac)3(Phen)), 트리스(1,3-디페닐-1,3-프로판디오나토)(모노페난트롤린)유로피움(III)(약칭: Eu(DBM)3(Phen)), 트리스[1-(2-테노일)-3,3,3-트리플루오로아세토나토](모노페난트롤린)유로피움(III)(약칭: Eu(TTA)3(Phen)) 등의 희토류 금속 착체는 희토류 금속 이온으로부터의 발광(다른 다중도 사이의 전자 천이)이기 때문에, 인광성 화합물로서 이용할 수 있다.
(발광층의 호스트 재료)
발광층으로서는, 상술한 발광성이 높은 물질(게스트 재료)을 다른 물질(호스트 재료)에 분산시킨 구성으로 하여도 좋다. 호스트 재료는 매트릭스 재료라고 부르는 경우도 있다. 발광성이 높은 물질을 분산시키기 위한 물질로서는, 각종의 것을 이용할 수 있으며, 발광성이 높은 물질보다도 최저 공궤도 준위(LUMO 준위)가 높고, 최고 피점유 궤도 준위(HOMO 준위)가 낮은 물질을 이용하는 것이 바람직하다.
발광성이 높은 물질을 분산시키기 위한 물질(호스트 재료)로서는, 1) 알루미늄 착체, 베릴륨 착체 혹은 아연 착체 등의 금속 착체, 2) 옥사디아졸 유도체, 벤조이미다졸 유도체 혹은 페난트롤린 유도체 등의 복소환 화합물, 4) 카르바졸 유도체, 안트라센 유도체, 페난트렌 유도체, 피렌 유도체 혹은 크리센 유도체 등의 축합 방향족 화합물, 3) 트리아릴아민 유도체 혹은 축합 다환 방향족 아민 유도체 등의 방향족 아민 화합물이 사용된다. 구체적으로는, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)(약칭: Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)(약칭: Almq3), 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨(II)(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(4-페닐페놀라토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀라토)아연(II)(약칭: Znq), 비스[2-(2-벤조옥사졸릴)페놀라토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 비스[2-(2-벤조티아졸릴)페놀라토]아연(II)(약칭: ZnBTZ) 등의 금속 착체, 2-(4-비페닐릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-(4-tert-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(약칭: TAZ), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠트리일)트리스(1-페닐-1H-벤조이미다졸)(약칭: TPBI), 바소페난트롤린(약칭: BPhen), 바소큐프로인(약칭: BCP) 등의 복소환 화합물이나, 9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸(약칭: CzPA), 3,6-디페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸(약칭: DPCzPA), 9,10-비스(3,5-디페닐페닐)안트라센(약칭: DPPA), 9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 2-tert-부틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 9,9'-비안트릴(약칭: BANT), 9,9'-(스틸벤-3,3'-디일)디페난트렌(약칭: DPNS), 9,9'-(스틸벤-4,4'-디일)디페난트렌(약칭: DPNS2), 3,3',3''-(벤젠-1,3,5-트리일)트리피렌(약칭: TPB3), 9,10-디페닐안트라센(약칭: DPAnth), 6,12-디메톡시-5,11-디페닐크리센 등의 축합 방향족 화합물, N,N-디페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸-3-아민(약칭: CzA1PA), 4-(10-페닐-9-안트릴)트리페닐아민(약칭: DPhPA), N,9-디페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸-3-아민(약칭: PCAPA), N,9-디페닐-N-{4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]페닐}-9H-카르바졸-3-아민(약칭: PCAPBA), N-(9,10-디페닐-2-안트릴)-N,9-디페닐-9H-카르바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), NPB(또는 α-NPD), TPD, DFLDPBi, BSPB 등의 방향족 아민 화합물 등을 이용할 수 있다. 또한, 발광성이 높은 물질(게스트 재료)을 분산시키기 위한 물질(호스트 재료)은 복수 종류를 이용할 수 있다.
구체적으로, 금속 착체로서는, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)(약칭: Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)(약칭: Almq3), 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨(II)(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(4-페닐페놀라토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀라토)아연(II)(약칭: Znq), 비스[2-(2-벤조옥사졸릴)페놀라토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 비스[2-(2-벤조티아졸릴)페놀라토]아연(II)(약칭: ZnBTZ) 등을 들 수 있다.
복소환 화합물로서는, 2-(4-비페닐릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-(4-tert-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(약칭: TAZ), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠트리일)트리스(1-페닐-1H-벤조이미다졸)(약칭: TPBI), 바소페난트롤린(약칭: BPhen), 바소큐프로인(약칭: BCP) 등을 들 수 있다.
축합 방향족 화합물로서는, 9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸(약칭: CzPA), 3,6-디페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸(약칭: DPCzPA), 9,10-비스(3,5-디페닐페닐)안트라센(약칭: DPPA), 9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 2-tert-부틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 9,9'-비안트릴(약칭: BANT), 9,9'-(스틸벤-3,3'-디일)디페난트렌(약칭: DPNS), 9,9'-(스틸벤-4,4'-디일)디페난트렌(약칭: DPNS2), 3,3',3''-(벤젠-1,3,5-트리일)트리피렌(약칭: TPB3), 9,10-디페닐안트라센(약칭: DPAnth), 6,12-디메톡시-5,11-디페닐크리센 등을 들 수 있다.
방향족 아민 화합물로서는, N,N-디페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸-3-아민(약칭: CzA1PA), 4-(10-페닐-9-안트릴)트리페닐아민(약칭: DPhPA), N,9-디페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸-3-아민(약칭: PCAPA), N,9-디페닐-N-{4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]페닐}-9H-카르바졸-3-아민(약칭: PCAPBA), N-(9,10-디페닐-2-안트릴)-N,9-디페닐-9H-카르바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), NPB(또는 α-NPD), TPD, DFLDPBi, BSPB 등을 들 수 있다.
본 명세서에 있어서 「호스트 재료」란 예컨대 「층의 50 질량% 이상」 포함되는 재료이다. 따라서, 발광층은 예컨대 호스트 재료를 발광층의 전체 질량의 50 질량% 이상 함유한다. 유기 EL 소자가 복수의 발광층을 갖는 경우, 예컨대 복수의 발광층은 각각 각 발광층의 전체 질량의 50 질량% 이상 호스트 재료를 함유한다. 또한, 예컨대 「호스트 재료」는 발광층의 60 질량% 이상, 발광층의 70 질량% 이상, 발광층의 80 질량% 이상, 발광층의 90 질량% 이상 또는 발광층의 95 질량% 이상 포함되어 있어도 좋다. 또한, 예컨대 「호스트 재료」는 발광층의 99 질량% 이하 포함되어 있어도 좋다.
발광층이 호스트 재료와 도펀트 재료를 함유하는 경우, 호스트 재료 및 도펀트 재료의 합계 함유율의 상한은 100 질량%이다.
본 실시형태에 따른 유기 EL 소자가 동일한 발광층에 제1 실시형태에 따른 혼합물을 함유하는 경우, 제1 화합물 및 제2 화합물의 적어도 어느 하나가 호스트재료인 것이 바람직하고, 제1 화합물 및 제2 화합물 양쪽이 호스트 재료인 것이 바람직하다. 발광층이 호스트 재료로서 복수의 화합물을 함유하는 경우, 호스트 재료로서의 복수의 화합물의 합계량이 「층의 50 질량% 이상」이다.
(기판)
기판은 유기 EL 소자의 지지체로서 이용된다. 기판으로서는 예컨대 유리, 석영 및 플라스틱 등을 이용할 수 있다. 또한, 가요성 기판을 이용하여도 좋다. 가요성 기판이란, 접어 구부릴 수 있는(플렉시블) 기판을 말하며, 예컨대 플라스틱 기판 등을 들 수 있다. 플라스틱 기판을 형성하는 재료로서는, 예컨대 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르술폰, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리불화비닐, 폴리염화비닐, 폴리이미드 및 폴리에틸렌나프탈레이트 등을 들 수 있다. 또한, 무기 증착 필름을 이용할 수도 있다.
(양극)
기판 상에 형성되는 양극에는, 일함수가 큰(구체적으로는 4.0 eV 이상) 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물 등을 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예컨대 산화인듐-산화주석(ITO: Indium Tin Oxide), 규소 혹은 산화규소를 함유한 산화인듐-산화주석, 산화인듐-산화아연, 산화텅스텐 및 산화아연을 함유한 산화인듐, 그래핀 등을 들 수 있다. 이 밖에 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 철(Fe), 코발트(Co), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 티탄(Ti) 또는 금속 재료의 질화물(예컨대, 질화티탄) 등을 들 수 있다.
이들 재료는 통상 스퍼터링법에 의해 성막된다. 예컨대 산화인듐-산화아연은 산화인듐에 대하여 1 질량% 이상 10 질량% 이하의 산화아연을 가한 타겟을 이용함으로써, 스퍼터링법으로 형성할 수 있다. 또한, 예컨대 산화텅스텐 및 산화아연을 함유한 산화인듐은, 산화인듐에 대하여 산화텅스텐을 0.5 질량% 이상 5 질량% 이하, 산화아연을 0.1 질량% 이상 1 질량% 이하 함유한 타겟을 이용함으로써, 스퍼터링법으로 형성할 수 있다. 기타, 진공증착법, 도포법, 잉크젯법, 스핀코트법 등에 의해 제작하여도 좋다.
양극 상에 형성되는 EL층 중, 양극에 접하여 형성되는 정공 주입층은, 양극의 일함수와 관계없이 정공(홀) 주입이 용이한 복합 재료를 이용하여 형성되기 때문에, 전극 재료로서 가능한 재료(예컨대, 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물, 기타, 원소주기표의 제1족 또는 제2족에 속하는 원소도 포함함)를 이용할 수 있다.
일함수가 작은 재료인, 원소주기표의 제1족 또는 제2족에 속하는 원소, 즉 리튬(Li)이나 세슘(Cs) 등의 알칼리 금속, 그리고 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 등의 알칼리 토류 금속 및 이들을 포함하는 합금(예컨대, MgAg, AlLi), 유로피움(Eu), 이테르븀(Yb) 등의 희토류 금속 및 이들을 포함하는 합금 등을 이용할 수도 있다. 또한, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속 및 이들을 포함하는 합금을 이용하여 양극을 형성하는 경우에는, 진공증착법이나 스퍼터링법을 이용할 수 있다. 또한, 은 페이스트 등을 이용하는 경우에는 도포법이나 잉크젯법 등을 이용할 수 있다.
(음극)
음극에는, 일함수가 작은(구체적으로는 3.8 eV 이하) 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물 등을 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 음극 재료의 구체예로서는, 원소주기표의 제1족 또는 제2족에 속하는 원소, 즉 리튬(Li)이나 세슘(Cs) 등의 알칼리 금속, 그리고 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 등의 알칼리 토류 금속 및 이들을 포함하는 합금(예컨대, MgAg, AlLi), 유로피움(Eu), 이테르븀(Yb) 등의 희토류 금속 및 이들을 포함하는 합금 등을 들 수 있다.
또한, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 이들을 포함하는 합금을 이용하여 음극을 형성하는 경우에는 진공증착법이나 스퍼터링법을 이용할 수 있다. 또한, 은 페이스트 등을 이용하는 경우에는 도포법이나 잉크젯법 등을 이용할 수 있다.
또한, 전자 주입층을 형성함으로써, 일함수의 대소에 상관없이 Al, Ag, ITO, 그래핀, 규소 혹은 산화규소를 함유한 산화인듐-산화주석 등 다양한 도전성 재료를 이용하여 음극을 형성할 수 있다. 이들 도전성 재료는 스퍼터링법이나 잉크젯법, 스핀코트법 등을 이용하여 성막할 수 있다.
(정공 주입층)
정공 주입층은 정공 주입성이 높은 물질을 포함하는 층이면 된다. 정공 주입성이 높은 물질로서는, 몰리브덴 산화물, 티탄 산화물, 바나듐 산화물, 레늄 산화물, 루테늄 산화물, 크롬 산화물, 지르코늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈 산화물, 은 산화물, 텅스텐 산화물, 망간 산화물 등을 이용할 수 있다.
또한, 유기 EL 소자 내의 정공 주입층이 복수의 화합물을 포함하는 경우, 이들 화합물의 정량은 비행시간형 이차이온 질량 분석법(TOF-SIMS)을 이용하여 정량할 수 있다.
정공 주입층에 포함되는 복수의 화합물 각각에 관해서, 단일체의 막에 있어서의 TOF-SIMS의 분자 이온의 시그널 강도를 측정하고, 유기 EL 소자 중의 정공 주입층을 스퍼터링 건에 의해 노출시켜, TOF-SIMS에 있어서의 분자 이온의 시그널 강도와 비교함으로써, 질량비를 산출할 수 있다.
또한, 정공 주입성이 높은 물질로서는, 저분자의 유기 화합물인 4,4',4''-트리스(N,N-디페닐아미노)트리페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트리페닐아민(약칭: MTDATA), 4,4'-비스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: DPAB), 4,4'-비스(N-{4-[N'-(3-메틸페닐)-N'-페닐아미노]페닐}-N-페닐아미노)비페닐(약칭: DNTPD), 1,3,5-트리스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]벤젠(약칭: DPA3B), 3-[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCA1), 3,6-비스[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCA2), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카르바졸-3-일)아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCN1) 등의 방향족 아민 화합물 등이나 디피라지노[2,3-f:20,30-h]퀴녹살린-2,3,6,7,10,11-헥사카르보니트릴(HAT-CN)도 들 수 있다.
또한, 정공 주입성이 높은 물질로서는 고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등)을 이용할 수도 있다. 예컨대 폴리(N-비닐카르바졸)(약칭: PVK), 폴리(4-비닐트리페닐아민)(약칭: PVTPA), 폴리[N-(4-{N'-[4-(4-디페닐아미노)페닐]페닐-N'-페닐아미노}페닐)메타크릴아미드](약칭: PTPDMA), 폴리[N,N'-비스(4-부틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘](약칭: Poly-TPD) 등의 고분자 화합물을 들 수 있다. 또한, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(스티렌술폰산)(PEDOT/PSS), 폴리아닐린/폴리(스티렌술폰산)(PAni/PSS) 등의 산을 첨가한 고분자 화합물을 이용할 수도 있다.
(정공 수송층)
정공 수송층은 정공 수송성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 정공 수송층에는 방향족 아민 화합물, 카르바졸 유도체, 안트라센 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: NPB)이나 N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민(약칭: TPD), 4-페닐-4'-(9-페닐플루오렌-9-일)트리페닐아민(약칭: BAFLP), 4,4'-비스[N-(9,9-디메틸플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: DFLDPBi), 4,4',4''-트리스(N,N-디페닐아미노)트리페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트리페닐아민(약칭: MTDATA), 4,4'-비스[N-(스피로-9,9'-비플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: BSPB) 등의 방향족 아민 화합물 등을 이용할 수 있다. 여기서 말한 물질은 주로 10-6 ㎠/(V·s) 이상의 정공 이동도를 갖는 물질이다.
정공 수송층에는, CBP, 9-[4-(N-카르바졸릴)]페닐-10-페닐안트라센(CzPA), 9-페닐-3-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸(PCzPA)과 같은 카르바졸 유도체나, t-BuDNA, DNA, DPAnth와 같은 안트라센 유도체를 이용하여도 좋다. 폴리(N-비닐카르바졸)(약칭: PVK)이나 폴리(4-비닐트리페닐아민)(약칭: PVTPA) 등의 고분자 화합물을 이용할 수도 있다.
단, 전자보다도 정공의 수송성이 높은 물질이라면 이들 이외의 것을 이용하여도 좋다. 또한, 정공 수송성이 높은 물질을 포함하는 층은, 단층인 것뿐만 아니라, 상기 물질을 포함하는 층이 2층 이상 적층된 것으로 하여도 좋다.
(전자 수송층)
전자 수송층은 전자 수송성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 전자 수송층에는, 1) 알루미늄 착체, 베릴륨 착체, 아연 착체 등의 금속 착체, 2) 이미다졸 유도체, 벤조이미다졸 유도체, 아진 유도체, 카르바졸 유도체, 페난트롤린 유도체 등의 복소 방향족 화합물, 3) 고분자 화합물을 사용할 수 있다. 구체적으로는 저분자의 유기 화합물로서, Alq, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(약칭: Almq3), 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨(약칭: BeBq2), BAlq, Znq, ZnPBO, ZnBTZ 등의 금속 착체 등을 이용할 수 있다. 또한, 금속 착체 이외에도, 2-(4-비페닐릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(ptert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 3-(4-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4-비페닐릴)-1,2,4-트리아졸(약칭: TAZ), 3-(4-tert-부틸페닐)-4-(4-에틸페닐)-5-(4-비페닐릴)-1,2,4-트리아졸(약칭: p-EtTAZ), 바소페난트롤린(약칭: BPhen), 바소큐프로인(약칭: BCP), 4,4'-비스(5-메틸벤조옥사졸-2-일)스틸벤(약칭: BzOs) 등의 복소 방향족 화합물도 이용할 수 있다. 본 실시양태에서는 벤조이미다졸 화합물을 적합하게 이용할 수 있다. 여기서 말한 물질은 주로 10-6 ㎠/(V·s) 이상의 전자 이동도를 갖는 물질이다. 또한, 정공 수송성보다도 전자 수송성이 높은 물질이라면, 상기한 것 이외의 물질을 전자 수송층으로서 이용하여도 좋다. 또한, 전자 수송층은, 단층으로 구성되어 있어도 좋고, 상기 물질을 포함하는 층이 2층 이상 적층되어 구성되어 있어도 좋다.
또한, 전자 수송층에는 고분자 화합물을 이용할 수도 있다. 예컨대 폴리[(9,9-디헥실플루오렌-2,7-디일)-co-(피리딘-3,5-디일)](약칭: PF-Py), 폴리[(9,9-디옥틸플루오렌-2,7-디일)-co-(2,2'-비피리딘-6,6'-디일)](약칭: PF-BPy) 등을 이용할 수 있다.
(전자 주입층)
전자 주입층은 전자 주입성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 전자 주입층에는, 리튬(Li), 세슘(Cs), 칼슘(Ca), 불화리튬(LiF), 불화세슘(CsF), 불화칼슘(CaF2), 리튬산화물(LiOx) 등과 같은 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속 또는 이들의 화합물을 이용할 수 있다. 기타, 전자 수송성을 갖는 물질에 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속 또는 이들의 화합물을 함유시킨 것, 구체적으로는 Alq 중에 마그네슘(Mg)을 함유시킨 것 등을 이용하여도 좋다. 또한, 이 경우에는 음극으로부터의 전자 주입을 보다 효율적으로 행할 수 있다.
혹은, 전자 주입층에 유기 화합물과 전자 공여체(도너)를 혼합하여 이루어지는 복합 재료를 이용하여도 좋다. 이러한 복합 재료는, 전자 공여체에 의해서 유기 화합물에 전자가 발생하기 때문에, 전자 주입성 및 전자 수송성이 우수하다. 이 경우, 유기 화합물로서는, 발생한 전자의 수송성이 우수한 재료인 것이 바람직하고, 구체적으로는 예컨대 상술한 전자 수송층을 구성하는 물질(금속 착체나 복소 방향족 화합물 등)을 이용할 수 있다. 전자 공여체로서는 유기 화합물에 대하여 전자 공여성을 보이는 물질이면 된다. 구체적으로는 알칼리 금속이나 알칼리 토류 금속이나 희토류 금속이 바람직하고, 리튬, 세슘, 마그네슘, 칼슘, 에르븀, 이테르븀 등을 들 수 있다. 또한, 알칼리 금속 산화물이나 알칼리 토류 금속 산화물이 바람직하고, 리튬 산화물, 칼슘 산화물, 바륨 산화물 등을 들 수 있다. 또한, 산화마그네슘과 같은 루이스 염기를 이용할 수도 있다. 또한, 테트라티아풀발렌(약칭: TTF) 등의 유기 화합물을 이용할 수도 있다.
(층 형성 방법)
본 실시형태의 유기 EL 소자의 각 층 중, 제1 실시형태에 따른 혼합물을 이용하여 성막하는 유기층은, 진공증착법, 스퍼터링법, 플라즈마법 및 이온플레이팅법 등의 건식 성막법으로 형성한다.
그 밖의 층의 형성 방법은, 위에서 특별히 언급한 것 이외에는 제한되지 않지만, 전술한 건식 성막법, 또는 스핀코팅법, 디핑법, 플로우코팅법 및 잉크젯법 등의 습식 성막법 등의 공지된 방법을 채용할 수 있다.
본 실시형태의 유기 EL 소자의 제조 방법은, 예컨대 제1 실시형태에서 설명한 제1 화합물과 제2 화합물을 혼합하여 제1 실시형태에 따른 혼합물을 준비하는 공정과, 상기 혼합물을 동일 증착원에 도입하는 공정과, 상기 증착원을 가열하여 상기 혼합물을 기판에 성막하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 제1 실시형태에 따른 혼합물을 기판에 성막하는 공정은, 기판에 직접하는 성막하거나, 또는 미리 기판에 성막된 다른 유기층 등 위에 성막한다.
(막 두께)
본 실시형태의 유기 EL 소자의 각 유기층의 막 두께는 위에서 특별히 언급한 경우를 제외하고 한정되지 않는다. 일반적으로 막 두께가 지나치게 얇으면 핀홀 등의 결함이 생기기 쉽고, 막 두께가 지나치게 두꺼우면 높은 인가 전압이 필요하게 되어 효율이 나빠지기 때문에, 통상 유기 EL 소자의 각 유기층의 막 두께는 수 nm에서 1 ㎛의 범위가 바람직하다.
본 실시형태에 의하면, 부피가 큰 부착막의 형성을 억제할 수 있는 제1 실시형태에 따른 혼합물을 이용하기 때문에, 유기 EL 소자의 제조 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 실시형태에 따른 유기 EL 소자는, 제1 화합물을 단체로 이용하여 성막한 유기층을 구비한 유기 EL 소자와 비교하여, 동등한 소자 성능을 유지할 수 있다.
〔제3 실시형태〕
(전자 기기)
본 실시형태에 따른 전자 기기는 상술한 실시형태의 어느 한 유기 EL 소자를 탑재하고 있다. 전자 기기로서는 예컨대 표시 장치 및 발광 장치 등을 들 수 있다. 표시 장치로서는 예컨대 표시 부품(예컨대 유기 EL 패널 모듈 등), 텔레비전, 휴대전화, 태블릿 및 퍼스널 컴퓨터 등을 들 수 있다. 발광 장치로서는 예컨대 조명 및 차량용 등기구 등을 들 수 있다.
〔실시형태의 변형〕
또한, 본 발명은 상술한 실시형태에 한정되지 않으며, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서의 변경, 개량 등은 본 발명에 포함된다.
예컨대 상기 실시형태에 따른 혼합물은, 제1 화합물 및 제2 화합물 이외에, 화합물을 더 포함하고 있어도 좋다.
예컨대 발광층은 1층에 한정되지 않고, 복수의 발광층이 적층되어 있어도 좋다. 유기 EL 소자가 복수의 유기층을 갖는 경우, 적어도 하나의 유기층이 제1 화합물 및 제2 화합물을 포함하고, 제2 실시형태에서 설명한 조건을 만족하면 된다.
또한, 유기 EL 소자가 복수의 발광층을 갖는 경우, 이들 발광층이 서로 인접하여 형성되어 있어도 좋고, 중간층을 통해 복수의 발광 유닛이 적층된, 소위 탠덤형의 유기 EL 소자라도 좋다.
또한, 예컨대 발광층의 양극측 및 음극측의 적어도 한쪽에 장벽층을 인접시켜 형성하여도 좋다. 장벽층은 발광층에 접하여 배치되며, 정공, 전자 및 여기자의 적어도 어느 하나를 저지하는 것이 바람직하다.
예컨대 발광층의 음극측에서 접하여 장벽층이 배치된 경우, 상기 장벽층은, 전자를 수송하며 또한 정공이 상기 장벽층보다도 음극측의 층(예컨대 전자 수송층)에 도달하는 것을 저지한다. 유기 EL 소자가 전자 수송층을 포함하는 경우는, 발광층과 전자 수송층의 사이에 상기 장벽층을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 발광층의 양극측에서 접하여 장벽층이 배치된 경우, 상기 장벽층은, 정공을 수송하며 또한 전자가 상기 장벽층보다도 양극측의 층(예컨대 정공 수송층)에 도달하는 것을 저지한다. 유기 EL 소자가 정공 수송층을 포함하는 경우는, 발광층과 정공 수송층의 사이에 상기 장벽층을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 여기 에너지가 발광층으로부터 그 주변층으로 새어나가지 않도록 장벽층을 발광층에 인접시켜 형성하여도 좋다. 발광층에서 생성된 여기자가 상기 장벽층보다도 전극측의 층(예컨대, 전자 수송층 및 정공 수송층 등)으로 이동하는 것을 저지한다.
발광층과 장벽층은 접합되어 있는 것이 바람직하다.
기타, 본 발명의 실시에 있어서의 구체적인 구조 및 형상 등은 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서 다른 구조 등으로 하여도 좋다.
실시예
이하, 본 발명에 따른 실시예를 설명한다. 본 발명은 이들 실시예에 의해서 하등 한정되지 않는다.
<화합물>
실시예 1∼5, 11A, 12A 및 13A에 따른 혼합물 및 실시예 6∼13에 따른 유기 EL 소자의 제조에 이용한 상기 제1 화합물의 구조를 이하에 나타낸다.
[화 56]
Figure pct00096
실시예 1∼5, 11A, 12A 및 13A에 따른 혼합물 및 실시예 6∼13에 따른 유기 EL 소자의 제조에 이용한 상기 제2 화합물의 구조를 이하에 나타낸다.
[화 57]
Figure pct00097
[화 58]
Figure pct00098
참고예 1에 따른 혼합물에 이용한 화합물의 구조를 이하에 나타낸다.
[화 59]
Figure pct00099
실시예 6∼13 및 비교예 3∼4에 따른 유기 EL 소자의 제조에 이용한 다른 화합물의 구조를 이하에 나타낸다.
[화 60]
Figure pct00100
[화 61]
Figure pct00101
[화 62]
Figure pct00102
<유기층의 성막 및 단면 SEM 관찰>
(실시예 1)
·재료의 단일막 성막
실시예 1에 따른 혼합물을 이용하여 다음과 같은 식으로 유기층을 성막했다.
우선, 제1 화합물로서의 화합물 BH-A를 198 mg 및 제2 화합물로서의 화합물 BH-B를 2 mg 혼합하여, 실시예 1에 따른 혼합물을 조제했다. 실시예 1에 따른 혼합물은 (M1/MT)×100=99 질량%이고, 상기 수식(수학식 1)을 만족하고 있었다.
이어서, 기재로서, 표면을 UV 세정한 유리 기판을 준비했다.
이어서, 도가니에 실시예 1에 따른 혼합물을 200 mg 넣었다.
진공 증착 장치를 이용하여 실시예 1에 따른 혼합물을 기재의 세정 처리면 측에 성막했다.
성막한 유기층의 단면을 SEM(주사형 전자현미경)으로 관찰했다.
도 2a에는 실시예 1에 따른 혼합물을 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 100배)가, 도 2b에는 상기 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 500배)가 도시되어 있다.
·SEM 관찰
위에서 제작한 유기층의 단면을 주사형 전자현미경(SEM)(모델 번호: 히타치하이테크놀로지즈 제조 SU8220, 관찰 가속 전압 1 kV)에 의해 관찰했다.
(실시예 2∼3)
실시예 2∼3에 따른 혼합물은, 각각 제1 화합물의 질량 M1 및 제2 화합물의 질량 M2을 표 41에 나타내는 것과 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 같은 식으로 하여 조제했다. 실시예 2∼3의 혼합물은 모두 상기 수식(수학식 1)을 만족했다.
조제한 혼합물을 이용하여, 진공 증착 장치로 실시예 1과 같은 성막 조건으로 유기층을 성막했다.
도 3a에는 실시예 2에 따른 혼합물을 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 100배)가, 도 3b에는 상기 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 500배)가 도시되어 있다.
도 4a에는 실시예 3에 따른 혼합물을 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 100배)가, 도 4b에는 상기 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 500배)가 도시되어 있다.
(실시예 4∼5)
실시예 4∼5에 따른 혼합물은, 각각 제2 화합물을 표 41에 나타내는 화합물 BH-C로 변경하고, 제1 화합물의 질량 M1 및 제2 화합물의 질량 M2을 표 41에 나타내는 것과 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 같은 식으로 하여 조제했다. 실시예 4∼5의 혼합물은 모두 상기 수식(수학식 1)을 만족했다.
조제한 혼합물을 이용하여, 진공 증착 장치로 실시예 1과 같은 성막 조건으로 유기층을 성막했다.
도 5a에는 실시예 4에 따른 혼합물을 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 100배)가, 도 5b에는 상기 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 500배)가 도시되어 있다.
도 6a에는 실시예 5에 따른 혼합물을 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 100배)가, 도 6b에는 상기 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 500배)가 도시되어 있다.
(실시예 11A)
실시예 11A에 따른 혼합물은, 제1 화합물을 표 41에 나타내는 화합물 BH-D로 변경하고, 제2 화합물을 표 41에 나타내는 화합물 BH-C로 변경하고, 제1 화합물의 질량 M1 및 제2 화합물의 질량 M2을 표 41에 나타내는 것과 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 같은 식으로 하여 조제했다. 실시예 11A에 따른 혼합물은 상기 수식(수학식 1)을 만족했다.
(실시예 12A)
실시예 12A에 따른 혼합물은, 제2 화합물을 표 41에 나타내는 화합물 BH-E로 변경하고, 제1 화합물의 질량 M1 및 제2 화합물의 질량 M2을 표 41에 나타내는 것과 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 같은 식으로 하여 조제했다. 실시예 12A에 따른 혼합물은 상기 수식(수학식 1)을 만족했다.
(실시예 13A)
실시예 13A에 따른 혼합물은, 제2 화합물을 표 41에 나타내는 화합물 BH-F로 변경하고, 제1 화합물의 질량 M1 및 제2 화합물의 질량 M2을 표 41에 나타내는 것과 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 같은 식으로 하여 조제했다. 실시예 13A에 따른 혼합물은 상기 수식(수학식 1)을 만족했다.
(참고예 1)
참고예 1에 따른 혼합물은, 제2 화합물을 화합물 BH-R로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 같은 식으로 하여 조제했다. 참고예 1에 따른 혼합물은 상기 수식(수학식 1)을 만족했다.
실시예 11A, 12A, 13A 및 참고예 1에서 조제한 혼합물을 이용하여, 진공 증착 장치로 실시예 1과 같은 성막 조건으로 유기층을 성막했다. 성막한 유기층의 단면을 SEM으로 관찰했다.
(비교예 1)
비교예 1에 따른 시료로서, 혼합물이 아니라, 화합물 BH-A만을 포함하는 시료를 준비했다. 비교예 1에 따른 시료를 이용하여, 진공 증착 장치로 실시예 1과 같은 성막 조건으로 유기층을 성막했다. 도 7a에는 비교예 1에 따른 시료를 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 100배)가, 도 7b에는 상기 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 500배)가 도시되어 있다.
(비교예 2)
비교예 2에 따른 시료로서, 혼합물이 아니라, 화합물 BH-C만을 포함하는 시료를 준비했다. 비교예 2에 따른 시료를 이용하여, 진공 증착 장치로 실시예 1과 같은 성막 조건으로 유기층을 성막했다. 도 8a에는 비교예 2에 따른 시료를 이용하여 성막한 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 100배)가, 도 8b에는 상기 유기층의 단면 SEM 이미지(배율 500배)가 도시되어 있다.
비교예 1에 따른 시료를 이용하여 성막한 유기층은, 화합물 BH-A의 단독 재료에 의해 성막한 결과, 비교예 1의 단면 SEM 이미지가 보여주는 것과 같이, 기재 상에 부피가 크게 결정 성장하고 있었다. 비교예 1에 대하여, 실시예 1∼5에 따른 혼합물을 이용하여 성막하면, 실시예 1∼5 각각의 단면 SEM 이미지가 보여주는 것과 같이, 치밀하고 부피 커짐이 억제된 유기층이 성막된 것이 확인되었다. 실시예 11A, 12A, 13A 및 참고예 1에 따른 혼합물을 이용하여 성막하면, 치밀하고 부피 커짐이 억제된 유기층이 성막된 것이 확인되었다.
<유기 일렉트로루미네센스 소자의 제작>
유기 일렉트로루미네센스 소자를 이하와 같이 제작하여 평가했다.
(실시예 6)
25 mm×75 mm×1.1 mm 두께의 ITO 투명 전극(양극) 구비 유리 기판(지오마테크 가부시키가이샤 제조)을 이소프로필알코올 내에서 5분간 초음파 세정을 행한 후, UV 오존 세정을 1분간 행했다. ITO의 막 두께는 130 nm로 했다.
세정 후의 투명 전극 라인 구비 상기 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하고, 우선 투명 전극 라인이 형성되어 있는 측의 면 위에 투명 전극을 덮도록 하여 화합물 HT-1과 화합물 HA를 공증착하여, 막 두께 10 nm의 정공 주입층을 형성했다. 정공 주입층에 있어서의 화합물 HT-1의 농도를 97 질량%로 하고, 화합물 HA의 농도를 3 질량%로 했다.
이어서, 정공 주입층 상에 화합물 HT-1을 증착하여, 막 두께 80 nm의 제1 정공 수송층을 형성했다.
이어서, 이 제1 정공 수송층 상에 화합물 HT-2를 증착하여, 막 두께 10 nm의 제2 정공 수송층을 형성했다.
이어서, 이 제2 정공 수송층 상에 실시예 1에 따른 혼합물(화합물 BH-A와 화합물 BH-B의 혼합물)과 화합물 BD-1을 공증착하여, 막 두께 20 nm의 발광층을 형성했다. 발광층에 있어서의 화합물 BH-A 및 화합물 BH-B의 합계 농도를 99 질량%로 하고, 화합물 BD-1의 농도를 1 질량%로 했다.
이어서, 이 발광층 상에 화합물 ET-1을 증착하여, 막 두께 10 nm의 제1 전자 수송층을 형성했다.
이어서, 이 제1 전자 수송층 상에 화합물 ET-2를 증착하여, 막 두께 20 nm의 제2 전자 수송층을 형성했다.
이어서, 이 제2 전자 수송층 상에 불화리튬(LiF)을 증착하여, 막 두께 1 nm의 전자 주입층을 형성했다.
그리고, 이 전자 주입층 상에 금속 알루미늄(Al)을 증착하여, 막 두께 80 nm의 금속 Al 음극을 형성했다.
이상과 같이 하여 보텀 에미션 타입의 유기 EL 소자를 제작했다.
실시예 6의 유기 EL 소자의 소자 구성을 약식으로 나타내면 다음과 같다.
ITO(130) / HT-1:HA(10,97%:3%) / HT-1(80) / HT-2(10) / BH-A, BH-B:BD-1(20,99%:1%) / ET-1(10) / ET-2(20) / LiF(1) / Al(80)
또한, 괄호 안의 숫자는 막 두께(단위: nm)를 나타낸다.
마찬가지로 괄호 안에서 퍼센트 표시된 숫자는, 예컨대 HT-1:HA(10,97%:3%)의 경우, 정공 주입층에 있어서의 화합물 HT-1 및 화합물 HA의 비율(질량%)이 HT-1:HA = 97 질량%:3 질량%임을 나타낸다. 또한, BH-A, BH-B:BD-1(20, 99%:1%)에 있어서의 퍼센트 표시된 숫자는, 발광층에 있어서의, 화합물 BH-A 및 화합물 BH-B의 합계와 화합물 BD-1의 비율(질량%)이 (BH-A 및 BH-B):BD-1 = 99 질량%:1 질량%임을 나타낸다. 이하, 같은 식의 표기로 한다.
(실시예 7∼13)
실시예 7∼13에 따른 유기 EL 소자는, 각각 발광층의 형성에 이용한 혼합물을 표 41에 나타내는 혼합물로 변경한 것 이외에는, 실시예 6에 따른 유기 EL 소자와 같은 식으로 제작했다.
(비교예 3∼4)
비교예 3∼4에 따른 유기 EL 소자는, 각각 발광층의 형성에 이용한 혼합물을 표 41에 나타내는 혼합물로 변경한 것 이외에는, 실시예 6에 따른 유기 EL 소자와 같은 식으로 제작했다.
<유기 EL 소자의 평가>
실시예 6∼13 및 비교예 3∼4에서 제작한 유기 EL 소자에 관해서 이하의 평가를 행했다. 평가 결과를 표 41에 나타낸다.
·외부 양자 효율 EQE
전류 밀도가 10 mA/㎠가 되도록 소자에 전압을 인가했을 때의 분광 방사 휘도 스펙트럼을 분광 방사 휘도계 CS-2000(코니카미놀타가부시키가이샤 제조)으로 계측했다. 얻어진 분광 방사 휘도 스펙트럼으로부터 램버시안 방사를 행했다고 가정하여 외부 양자 효율 EQE(단위: %)을 산출했다.
·수명(LT95)
전류 밀도가 50 mA/㎠가 되도록 소자에 전압을 인가하고, 분광 방사 휘도계 CS-200(코니카미놀타가부시키가이샤 제조)을 이용하여, 초기 휘도에 대하여 휘도가 95%가 될 때까지의 시간(단위: h)을 측정했다.
본 명세서에 있어서, 초기 휘도에 대하여 휘도가 95%가 될 때까지의 시간을 「수명(LT95)」으로 나타내는 경우가 있다.
·폐색
폐색에 관해서는, 상기 <유기층의 성막 및 단면 SEM 관찰>에서 유리 기판 상에 단일막을 성막한 상태에서의 측정 결과에 기초하여, 다음과 같이 판정했다.
A: SEM 화상에서 부피 커짐이 억제된 치밀한 후막(厚膜)이 관측되었다.
B: SEM 화상에서 약간 부피가 큰 후막이 관측되었다.
C: SEM 화상에서 부피가 큰 후막이 관측되었다.
D: SEM 화상에서 매우 부피가 큰 후막이 관측되었다.
Figure pct00103
실시예 6∼13에 따른 유기 EL 소자에 의하면, 제1 화합물에 대하여 제2 화합물을 첨가한 혼합물을 이용하여 발광층을 성막한 경우라도, 비교예 3 및 비교예 4에 따른 유기 EL 소자와 동등한 소자 성능을 발휘했다.
전술한 실시예 1∼5, 11A, 12A 및 13A에서의 검증 결과에도 입각해 보면, 상기 실시형태에 따른 제1 화합물 및 제2 화합물을 함유하는 혼합물을 이용하여 건식 성막법으로 유기층을 성막함으로써, 부피가 큰 부착막의 형성을 억제할 수 있고, 제조 효율의 저하 및 소자 성능의 대폭적인 저하를 초래하는 일 없이 유기 EL 소자를 제조할 수 있다는 것을 알 수 있었다.
1 … 유기 EL 소자, 2 … 기판, 3 … 양극, 4 … 음극, 5 … 발광층, 6 … 정공 주입층, 7 … 정공 수송층, 8 … 전자 수송층, 9 … 전자 주입층.

Claims (38)

  1. 혼합물로서,
    제1 화합물과 제2 화합물을 함유하고,
    상기 제1 화합물은 하기 일반식 (10)으로 표시되고,
    상기 제2 화합물은 하기 일반식 (20)으로 표시되고,
    단, 상기 제1 화합물과 상기 제2 화합물은 서로 다른 구조인 혼합물.
    [화 1]
    Figure pct00104

    (상기 일반식 (10) 및 상기 일반식 (20)에 있어서,
    L12는,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 2가의 복소환기이고,
    Ar12는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고,
    L11, L21 및 L22는, 각각 독립적으로
    단일 결합,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 2가의 복소환기이고,
    Ar11, Ar21 및 Ar22는 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고,
    R11∼R18 및 R21∼R28은, 각각 독립적으로
    수소 원자,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 할로알킬기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알케닐기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알키닐기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
    -Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기,
    -O-(R904)로 표시되는 기,
    -S-(R905)로 표시되는 기,
    -N(R906)(R907)로 표시되는 기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 7∼50의 아랄킬기,
    -C(=O)R801로 표시되는 기,
    -COOR802로 표시되는 기,
    할로겐 원자,
    시아노기,
    니트로기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기이다.)
    (상기 제1 화합물 및 상기 제2 화합물 중, R901, R902, R903, R904, R905, R906, R907, R801 및 R802는, 각각 독립적으로
    수소 원자,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기이고,
    R901이 복수 존재하는 경우, 복수의 R901은 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R902가 복수 존재하는 경우, 복수의 R902는 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R903이 복수 존재하는 경우, 복수의 R903은 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R904가 복수 존재하는 경우, 복수의 R904는 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R905가 복수 존재하는 경우, 복수의 R905는 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R906이 복수 존재하는 경우, 복수의 R906은 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R907이 복수 존재하는 경우, 복수의 R907은 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R801이 복수 존재하는 경우, 복수의 R801은 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R802가 복수 존재하는 경우, 복수의 R802는 서로 동일하거나 또는 다르다.)
  2. 제1항에 있어서, L12는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기인 혼합물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 화합물이 하기 일반식 (11)로 표시되는 혼합물.
    [화 2]
    Figure pct00105

    (상기 일반식 (11)에 있어서, R11∼R18, L11 및 Ar11은 각각 상기 일반식 (10)에 있어서의 R11∼R18, L11 및 Ar11과 동의이다.)
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, L11은 단일 결합 또는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기인 혼합물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, Ar11은 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼18의 아릴기인 혼합물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, R11∼R18은, 각각 독립적으로
    수소 원자,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기, 또는
    -Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기인 혼합물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, R11∼R18은 수소 원자인 혼합물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, R21∼R28은, 각각 독립적으로
    수소 원자,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 할로알킬기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알케닐기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알키닐기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
    -Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기,
    -O-(R904)로 표시되는 기,
    -S-(R905)로 표시되는 기,
    -N(R906)(R907)로 표시되는 기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 7∼50의 아랄킬기,
    -C(=O)R801로 표시되는 기,
    -COOR802로 표시되는 기,
    할로겐 원자,
    시아노기,
    니트로기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기인 혼합물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, R21∼R28은 수소 원자인 혼합물.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, L21 및 L22는, 각각 독립적으로
    단일 결합, 또는
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기이고,
    Ar21 및 Ar22는 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼18의 아릴기인 혼합물.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 혼합물 중, 상기 제1 화합물 및 상기 제2 화합물의 합계 질량 MT과 상기 제1 화합물의 질량 M1이 하기 수식(수학식 1)의 관계를 만족하는 혼합물.
    50≤(M1/MT)×100<100 … (수학식 1)
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    L21은 치환 혹은 무치환의 페닐렌기이고,
    Ar21은 치환 혹은 무치환의 나프틸기인 혼합물.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 화합물이 하기 일반식 (21)로 표시되는 혼합물.
    [화 3]
    Figure pct00106

    (상기 일반식 (21)에 있어서, R21∼R28, L22 및 Ar22는 각각 상기 일반식 (20)에 있어서의 R21∼R28, L22 및 Ar22와 동의이다.)
  14. 혼합물로서,
    제1 화합물과 제2 화합물을 함유하고,
    상기 제1 화합물은 하기 일반식 (20)으로 표시되고,
    상기 제2 화합물은 하기 일반식 (30)으로 표시되고,
    단, 상기 제1 화합물과 상기 제2 화합물은 서로 다른 구조인 혼합물.
    [화 4]
    Figure pct00107

    (상기 일반식 (20) 및 상기 일반식 (30)에 있어서,
    L21, L22, L31 및 L32는, 각각 독립적으로
    단일 결합,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 2가의 복소환기이고,
    Ar21, Ar22, Ar31 및 Ar32는 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고,
    R21∼R28 및 R31∼R38은, 각각 독립적으로
    수소 원자,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 할로알킬기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알케닐기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알키닐기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
    -Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기,
    -O-(R904)로 표시되는 기,
    -S-(R905)로 표시되는 기,
    -N(R906)(R907)로 표시되는 기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 7∼50의 아랄킬기,
    -C(=O)R801로 표시되는 기,
    -COOR802로 표시되는 기,
    할로겐 원자,
    시아노기,
    니트로기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기이고,
    단, R22, R23, R26, R27, R32, R33, R36 및 R37은 치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기가 아니다.)
    (상기 제1 화합물 및 상기 제2 화합물 중, R901, R902, R903, R904, R905, R906, R907, R801 및 R802는, 각각 독립적으로
    수소 원자,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기이고,
    R901이 복수 존재하는 경우, 복수의 R901은 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R902가 복수 존재하는 경우, 복수의 R902는 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R903이 복수 존재하는 경우, 복수의 R903은 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R904가 복수 존재하는 경우, 복수의 R904는 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R905가 복수 존재하는 경우, 복수의 R905는 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R906이 복수 존재하는 경우, 복수의 R906은 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R907이 복수 존재하는 경우, 복수의 R907은 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R801이 복수 존재하는 경우, 복수의 R801은 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R802가 복수 존재하는 경우, 복수의 R802는 서로 동일하거나 또는 다르다.)
  15. 제14항에 있어서, R31∼R38은 수소 원자인 혼합물.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서, L31 및 L32는, 각각 독립적으로
    단일 결합, 또는
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기인 혼합물.
  17. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, L31은 치환 혹은 무치환의 페닐렌기이며, 또한 Ar31은 치환 혹은 무치환의 나프틸기인 혼합물.
  18. 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 화합물이 하기 일반식 (31)로 표시되는 혼합물.
    [화 5]
    Figure pct00108

    (상기 일반식 (31)에 있어서, R31, R34, R35, R38, L32 및 Ar32는 각각 상기 일반식 (30)에 있어서의 R31, R34, R35, R38, L32 및 Ar32와 동의이다.)
  19. 제14항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 혼합물 중, 상기 제1 화합물 및 상기 제2 화합물의 합계 질량 MT과 상기 제1 화합물의 질량 M1이 하기 수식(수학식 1)의 관계를 만족하는 혼합물.
    50≤(M1/MT)×100<100 … (수학식 1)
  20. 혼합물로서,
    제1 화합물과 제2 화합물을 함유하고,
    상기 제1 화합물은 하기 일반식 (20)으로 표시되고,
    상기 제2 화합물은 하기 일반식 (40)으로 표시되고,
    단, 상기 제1 화합물과 상기 제2 화합물은 서로 다른 구조이고,
    상기 혼합물 중, 상기 제1 화합물 및 상기 제2 화합물의 합계 질량 MT과 상기 제1 화합물의 질량 M1이 하기 수식(수학식 2)의 관계를 만족하는 혼합물.
    50<(M1/MT)×100<100 … (수학식 2)
    [화 6]
    Figure pct00109

    (상기 일반식 (20) 및 상기 일반식 (40)에 있어서,
    L21, L22, L41 및 L42는, 각각 독립적으로
    단일 결합,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 2가의 복소환기이고,
    Ar21, Ar22, Ar41 및 Ar42는 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고,
    R21∼R28 및 R41∼R48은, 각각 독립적으로
    수소 원자,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 할로알킬기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알케닐기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알키닐기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
    -Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기,
    -O-(R904)로 표시되는 기,
    -S-(R905)로 표시되는 기,
    -N(R906)(R907)로 표시되는 기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 7∼50의 아랄킬기,
    -C(=O)R801로 표시되는 기,
    -COOR802로 표시되는 기,
    할로겐 원자,
    시아노기,
    니트로기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기이다.)
    (상기 제1 화합물 및 상기 제2 화합물 중, R901, R902, R903, R904, R905, R906, R907, R801 및 R802는, 각각 독립적으로
    수소 원자,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기이고,
    R901이 복수 존재하는 경우, 복수의 R901은 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R902가 복수 존재하는 경우, 복수의 R902는 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R903이 복수 존재하는 경우, 복수의 R903은 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R904가 복수 존재하는 경우, 복수의 R904는 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R905가 복수 존재하는 경우, 복수의 R905는 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R906이 복수 존재하는 경우, 복수의 R906은 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R907이 복수 존재하는 경우, 복수의 R907은 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R801이 복수 존재하는 경우, 복수의 R801은 서로 동일하거나 또는 다르고,
    R802가 복수 존재하는 경우, 복수의 R802는 서로 동일하거나 또는 다르다.)
  21. 제20항에 있어서, R41∼R48은 수소 원자인 혼합물.
  22. 제20항 또는 제21항에 있어서, L41 및 L42는, 각각 독립적으로
    단일 결합, 또는
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기이고,
    Ar41 및 Ar42는 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼18의 아릴기인 혼합물.
  23. 제20항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
    L41은 치환 혹은 무치환의 페닐렌기이고,
    Ar41은 치환 혹은 무치환의 나프틸기인 혼합물.
  24. 제20항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 화합물이 하기 일반식 (41)로 표시되는 혼합물.
    [화 7]
    Figure pct00110

    (상기 일반식 (41)에 있어서, R41∼R48, L42 및 Ar42는 각각 상기 일반식 (40)에 있어서의 R41∼R48, L42 및 Ar42와 동의이다.)
  25. 제14항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,
    L22는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기이고,
    Ar22는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼18의 아릴기인 혼합물.
  26. 제14항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 화합물이 하기 일반식 (22)로 표시되는 혼합물.
    [화 8]
    Figure pct00111

    (상기 일반식 (22)에 있어서, R21∼R28, L21 및 Ar21은 각각 상기 일반식 (20)에 있어서의 R21∼R28, L21 및 Ar21과 동의이다.)
  27. 제14항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, L21은 단일 결합 또는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기인 혼합물.
  28. 제14항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, Ar21은 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼18의 아릴기인 혼합물.
  29. 제14항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, R21∼R28은, 각각 독립적으로
    수소 원자,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기, 또는
    -Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기인 혼합물.
  30. 제14항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, R21∼R28은, 각각 독립적으로
    수소 원자,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 할로알킬기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알케닐기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 2∼50의 알키닐기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기,
    -Si(R901)(R902)(R903)으로 표시되는 기,
    -O-(R904)로 표시되는 기,
    -S-(R905)로 표시되는 기,
    -N(R906)(R907)로 표시되는 기,
    치환 혹은 무치환의 탄소수 7∼50의 아랄킬기,
    -C(=O)R801로 표시되는 기,
    -COOR802로 표시되는 기,
    할로겐 원자,
    시아노기,
    니트로기,
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는
    치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 복소환기인 혼합물.
  31. 제14항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서, R21∼R28은 수소 원자인 혼합물.
  32. 제1항 내지 제31항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 혼합물 중, 상기 제1 화합물 및 상기 제2 화합물의 합계 질량 MT과 상기 제1 화합물의 질량 M1이 하기 수식(수학식 3)의 관계를 만족하는 혼합물.
    60≤(M1/MT)×100<100 … (수학식 3)
  33. 제1항 내지 제32항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 화합물 및 상기 제2 화합물에 있어서, 「치환 혹은 무치환」이라고 기재된 기는 모두 「무치환」의 기인 혼합물.
  34. 제1항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 혼합물은 막 또는 층이 아닌 혼합물.
  35. 양극과,
    음극과,
    상기 양극 및 상기 음극의 사이에 배치되며, 제12항 또는 제13항에 기재한 혼합물을 동일 층에 포함하는 유기층을 갖는 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  36. 양극과,
    음극과,
    상기 양극 및 상기 음극의 사이에 배치되며, 제1항 내지 제34항 중 어느 한 항에 기재한 혼합물을 동일 증착원으로부터 증착하여 성막된 유기층을 갖는 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  37. 제35항 또는 제36항에 기재한 유기 일렉트로루미네센스 소자를 탑재한 전자 기기.
  38. 상기 제1 화합물과 상기 제2 화합물을 혼합하여, 제1항 내지 제34항 중 어느 한 항에 기재한 혼합물을 준비하는 공정과,
    상기 혼합물을 동일 증착원에 도입하는 공정과,
    상기 증착원을 가열하여 상기 혼합물을 기판에 성막하는 공정을 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자의 제조 방법.
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