KR20230014899A - 인터페이스 장치 및 이를 이용한 인터페이스 장치 구동 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 인터페이스 장치는 전자 장치 및 상기 전자 장치와 통신하는 입력 장치를 포함하고, 상기 전자 장치는 표시층 및 상기 표시층 아래에 배치되고, 상기 입력 장치에 제1 구동 신호를 송신하며, 상기 입력 장치에 의한 입력을 감지하는 감지층을 포함하고, 상기 입력 장치는 상기 제1 구동 신호를 근거로 제1 자기장이 생성되는 공진 회로부, 상기 공진 회로부를 제어하는 제어부, 및 상기 제어부에 전원을 제공하는 전원부를 포함하고, 상기 공진 회로부에는 상기 전원에 의해 제2 자기장이 생성되고, 상기 감지층은 제2 자기장을 근거로 상기 입력을 감지할 수 있다.
Description
본 발명은 신뢰성이 향상된 인터페이스 장치 및 이를 이용한 인터페이스 장치 구동 방법에 관한 것이다.
텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 내비게이션, 게임기 등과 같은 멀티미디어 전자 장치들은 영상을 표시하기 위한 전자 장치를 구비한다. 전자 장치들은 버튼, 키보드, 마우스 등의 통상적인 입력 방식 외에 사용자가 손쉽게 정보 혹은 명령을 직관적이고 편리하게 입력할 수 있도록 해주는 터치 기반의 입력 방식을 제공할 수 있는 센서층을 구비할 수 있다.
센서층은 사용자의 신체를 이용한 터치나 압력을 감지할 수 있다. 한편 필기구를 이용한 정보 입력이 익숙한 사용자 또는 특정 응용 프로그램(예를 들면, 스케치 또는 드로잉을 위한 응용 프로그램)을 위한 세밀한 터치 입력을 위한 펜의 사용 요구가 증가하고 있다.
본 발명은 신뢰성이 향상된 인터페이스 장치 및 이를 이용한 인터페이스 장치 구동 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 인터페이스 장치는 전자 장치 및 상기 전자 장치와 통신하는 입력 장치를 포함하고, 상기 전자 장치는 표시층 및 상기 표시층 아래에 배치되고, 상기 입력 장치에 제1 구동 신호를 송신하며, 상기 입력 장치에 의한 입력을 감지하는 감지층을 포함하고, 상기 입력 장치는 상기 제1 구동 신호를 근거로 제1 자기장이 생성되는 공진 회로부, 상기 공진 회로부를 제어하는 제어부, 및, 상기 제어부에 전원을 제공하는 전원부를 포함하고, 상기 공진 회로부에는 상기 전원에 의해 제2 자기장이 생성되고, 상기 감지층은 제2 자기장을 근거로 상기 입력을 감지할 수 있다.
상기 제어부는 상기 공진 회로부에 상기 전원을 근거로 생성된 제2 구동 신호를 송신하는 구동 제어부 및 상기 공진 회로부를 방전시키는 방전 제어부를 포함할 수 있다.
상기 제어부는 개시 신호를 수신하고, 상기 공진 회로부와 연결된 레벨 쉬프터(level shifter), 상기 레벨 쉬프터와 연결되고, 상기 개시 신호를 수신하면 카운팅을 개시하는 카운터, 상기 카운터 및 상기 레벨 쉬프터와 연결되고, 상기 제2 구동 신호를 생성하는 펄스 생성부, 및 상기 레벨 쉬프터, 상기 카운터, 및 상기 펄스 생성부를 연결하는 논리 소자를 포함할 수 있다.
상기 제어부는 상기 제2 구동 신호의 위상 및 주파수를 변화시키고 상기 펄스 생성부와 연결된 펄스 조절부를 더 포함할 수 있다.
상기 제어부는 상기 제2 구동 신호의 펄스의 개수를 변화시키고 카운터와 연결된 카운팅부를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 자기장은 상기 제2 구동 신호를 근거로 생성될 수 있다.
상기 공진 회로부는 상기 제1 구동 신호 및 상기 제2 구동 신호에 의한 전류의 흐름을 전기장으로 저장하는 제1 커패시터 및 상기 제1 커패시터와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 구동 신호 및 상기 제2 구동 신호에 의한 전류의 흐름을 자기장으로 저장하는 제1 인덕터를 포함할 수 있다.
상기 입력 장치는 상기 공진 회로부 및 상기 구동 제어부 사이에 전기적으로 연결된 제2 커패시터를 더 포함할 수 있다.
상기 입력 장치는 상기 공진 회로부 및 상기 구동 제어부 사이에 전기적으로 연결된 제2 인덕터를 더 포함할 수 있다.
상기 감지층으로부터 상기 제1 구동 신호가 제공되는 경우 상기 제2 인덕터는 상기 공진 회로부와 전기적으로 연결되고, 상기 구동 제어부로부터 상기 제2 구동 신호가 제공되는 경우 상기 제2 인덕터는 상기 공진 회로부와 전기적으로 절연될 수 있다.
상기 제1 커패시터는 상기 구동 제어부 및 상기 제1 인덕터 사이에 직렬 연결될 수 있다.
상기 제2 커패시터는 가변 커패시터일 수 있다.
상기 감지층은 디지타이저를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 인터페이스 장치 구동 방법은 제어부 및 공진 회로부를 포함하는 입력 장치 및 전자 장치를 제공하는 단계, 상기 전자 장치가 제1 구동 신호를 상기 입력 장치에 송신하는 단계, 상기 공진 회로부가 상기 제1 구동 신호에 의해 충전되는 단계, 상기 입력 장치가 제2 구동 신호를 생성하는 단계, 상기 공진 회로부가 상기 제2 구동 신호에 의해 충전되는 단계, 및 상기 전자 장치가 상기 공진 회로부에 충전된 상기 제2 구동 신호를 근거로 상기 입력 장치에 의한 입력을 감지하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제2 구동 신호를 생성하는 단계는 카운팅을 개시하는 단계, 펄스를 생성하는 단계, 및 상기 카운팅이 한계값에 도달하는 경우 상기 카운팅을 중지하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 공진 회로부가 방전되는 단계를 더 포함하고, 상기 공진 회로부가 방전되는 단계는 상기 전자 장치가 상기 입력을 감지하는 단계 이후에 진행될 수 있다.
상기 공진 회로부가 방전되는 단계는 상기 카운팅을 중지하는 단계 이후에 진행될 수 있다.
상기 공진 회로부가 제1 구동 신호에 의해 충전되는 단계는 상기 공진 회로부가 제1 주파수로 공진되는 단계를 포함하고, 상기 공진 회로부가 제2 구동 신호에 의해 충전되는 단계는 상기 공진 회로부가 상기 제1 주파수와 상이한 제2 주파수로 공진되는 단계를 포함할 수 있다.
트리거 신호가 소정의 레벨에 도달하면 상기 제어부가 동작하는 단계를 더 포함하고, 상기 트리거 신호는 상기 공진 회로부의 충전을 근거로 레벨이 변화할 수 있다.
상기 제어부가 동작하는 단계는 상기 공진 회로부가 제1 구동 신호에 의해 충전되는 단계 및 상기 제2 구동 신호를 생성하는 단계 사이에 진행될 수 있다.
상술된 바에 따르면, 공진 회로는 감지층의 제1 구동 신호에 의해 충전될 수 있다. 입력 장치는 충전된 공진 회로부를 근거로 전자 장치와 통신할 수 있다. 전자 장치 및 입력 장치는 동기화를 위한 통신 시간이 불요할 수 있다. 즉, 전자 장치 및 입력 장치 사이의 통신 시간이 감소될 수 있다. 인터페이스 장치는 높은 리포트 레이트(report rate)를 가질 수 있다. 따라서, 인터페이스 장치는 충분한 리포트 레이트를 확보할 수 있다.
본 발명에 따르면, 입력 장치는 트리거 신호가 소정의 레벨에 도달하면 구동 제어부는 전원을 근거로 제2 구동 신호를 생성할 수 있다. 즉, 공진 회로부는 제1 구동 신호에 의해 충분히 충전되지 않더라도 제2 구동 신호를 통해 충전될 수 있다. 감지층의 제1 구동 신호를 제공하는 시간이 단축될 수 있다. 인터페이스 장치는 높은 리포트 레이트(report rate)를 가질 수 있다. 따라서, 인터페이스 장치는 충분한 리포트 레이트를 확보할 수 있다. 또한, 전자 장치의 전력 소모가 감소될 수 있다.
본 발명에 따르면, 공진 회로부는 제2 구동 신호에 의해 충전될 수 있다. 제2 구동 신호는 전원부로부터 제공된 전원을 근거로 생성될 수 있다. 입력 장치에 의한 입력의 출력이 전원이 공급됨에 따라 일정하게 유지될 수 있다. 따라서, 입력 장치에 대한 전자 장치의 감도가 향상될 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 인터페이스 장치의 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 인터페이스 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부분의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지층의 구성을 간략히 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치의 블록도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 인터페이스 장치의 구동 방법을 도시한 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 신호를 도시한 것이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부의 동작을 도시한 흐름도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이다.
도 15a 및 도 15b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것들이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 인터페이스 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부분의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지층의 구성을 간략히 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치의 블록도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 인터페이스 장치의 구동 방법을 도시한 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 신호를 도시한 것이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부의 동작을 도시한 흐름도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이다.
도 15a 및 도 15b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것들이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 인터페이스 장치의 사시도이다.
도 1a를 참조하면, 인터페이스 장치(10000)는 전자 장치(1000) 및 입력 장치(2000)를 포함할 수 있다. 전자 장치(1000)는 입력 장치(2000)에 의한 입력을 감지할 수 있다. 이에 대해서는 후술된다.
전자 장치(1000)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(1000)는 휴대폰, 태블릿, 자동차 내비게이션, 게임기, 또는 웨어러블 장치일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 도 1a에서는 전자 장치(1000)가 휴대폰인 것을 예시적으로 도시하였다.
전자 장치(1000)는 액티브 영역(1000A)을 통해 영상을 표시할 수 있다. 액티브 영역(1000A)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 면을 포함할 수 있다. 전자 장치(1000)의 두께 방향은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)과 교차하는 제3 방향(DR3)과 나란할 수 있다. 따라서, 전자 장치(1000)를 구성하는 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)을 기준으로 정의될 수 있다.
전자 장치(1000)는 외부에서 인가되는 입력들을 감지할 수 있다. 외부 입력은 사용자의 입력일 수 있다. 사용자의 입력은 사용자 신체의 일부, 입력 장치(2000), 광, 열, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함할 수 있다. 도 1a에서는 입력 장치(2000)을 예시적으로 도시하였다. 전자 장치(1000)는 전자 장치(1000) 내부에서 발생된 자기장과 입력 장치(2000) 사이에 발생하는 전자기 유도에 의한 공명(Electro Magnetic Resonance, EMR)에 의해 외부 입력을 감지할 수 있다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 인터페이스 장치의 사시도이다. 도 1b를 설명함에 있어서 도 1a를 통해 설명된 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 1b를 참조하면, 인터페이스 장치(10000-1)는 전자 장치(1000-1) 및 입력 장치(2000)를 포함할 수 있다.
전자 장치(1000-1)는 폴더블 전자 장치일 수 있다. 전자 장치(1000-1)에는 제1 방향(DR1)을 따라 순차적으로 배열된 제1 비폴딩 영역(1000NF1), 폴딩 영역(1000F), 및 제2 비폴딩 영역(1000NF2)이 정의될 수 있다. 즉, 폴딩 영역(1000F)은 제1 비폴딩 영역(1000NF1) 및 제2 비폴딩 영역(1000NF2) 사이에 정의될 수 있다.
도 1b에서는 하나의 폴딩 영역(1000F)과 제1 및 제2 비폴딩 영역(1000NF1, 1000NF2)이 도시되었으나, 폴딩 영역(1000F)과 제1 및 제2 비폴딩 영역(1000NF1, 1000NF2)의 개수는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 전자 장치(1000-1)는 2개보다 많은 복수의 비폴딩 영역들 및 비폴딩 영역들 사이에 배치된 폴딩 영역들을 포함할 수도 있다.
전자 장치(1000-1)는 액티브 영역(1000A-1)을 통해 영상을 표시할 수 있다.
전자 장치(1000-1)가 폴딩되면, 제1 비폴딩 영역(1000NF1)의 표시면 및 제2 비폴딩 영역(1000NF2)의 표시면은 서로 마주할 수 있다. 따라서, 전자 장치(1000-1)가 완전히 폴딩된 상태에서 액티브 영역(1000A-1)은 외부에 노출되지 않을 수 있다. 이는 인폴딩으로 지칭될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 전자 장치(1000-1)가 폴딩되면, 제1 비폴딩 영역(1000NF1)의 표시면 및 제2 비폴딩 영역(1000NF2)의 표시면은 서로 대향할 수 있다. 따라서, 폴딩된 상태에서 액티브 영역(1000A-1)은 외부에 노출될 수 있다. 이는 아웃폴딩으로 지칭될 수 있다. 또는, 전자 장치(1000-1)는 인폴딩 및 아웃폴딩이 모두 가능할 수 있다. 예를 들어, 하나의 폴딩 영역(1000F)이 인폴딩 및 아웃폴딩될 수 있다. 또는, 전자 장치(1000-1)는 복수의 폴딩 영역들을 포함하고, 그 중 일부는 인폴딩, 다른 일부는 아웃 폴딩될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2를 참조하면, 전자 장치(1000)는 윈도우(WP), 접착층들(OCA1, OCA2), 반사 방지층(RPP), 센서층(200), 표시층(100), 쿠션층(CSH), 감지층(300), 신호 차폐층(FR), 방열 시트(GP), 및 커버층(CU)을 포함할 수 있다.
윈도우(WP)는 전자 장치(1000)의 외관을 구성할 수 있다. 윈도우(WP)는 외부 충격으로부터 전자 장치(1000)의 내부 구성들을 보호하며, 실질적으로 전자 장치(1000)의 액티브 영역(1000A)을 제공하는 구성일 수 있다. 예를 들어, 윈도우(WP)는 유리 기판, 사파이어 기판, 또는 플라스틱 필름을 포함할 수 있다. 윈도우(WP)는 다층 또는 단층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 윈도우(WP)는 접착제로 결합된 복수 개의 플라스틱 필름의 적층 구조를 가지거나, 접착제로 결합된 유리 기판과 플라스틱 필름의 적층 구조를 가질 수 있다.
제1 접착층(OCA1)은 윈도우(WP)의 아래에 배치될 수 있다. 제1 접착층(OCA1)에 의해 윈도우(WP) 및 반사 방지층(RPP)이 결합될 수 있다. 제1 접착층(OCA1)은 통상의 접착제 또는 점착제를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 접착층(OCA1)은 광학투명접착필름(Optically Clear Adhesive film), 광학투명접착수지(Optically Clear Resin), 또는 감압접착필름(Pressure Sensitive Adhesive film)일 수 있다.
반사 방지층(RPP)은 윈도우(WP)의 아래에 배치될 수 있다. 반사 방지층(RPP)은 윈도우(WP)의 위로부터 입사되는 자연광(또는 태양광)의 반사율을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지층(RPP)은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있고, 
/2 위상지연자 및/또는 
/4 위상지연자를 포함할 수 있다. 편광자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입은 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입은 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다. 위상지연자 및 편광자는 보호필름을 더 포함할 수 있다. 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer) 자체 또는 보호필름이 반사 방지층(RPP)의 베이스층으로 정의될 수 있다.
제2 접착층(OCA2)은 반사 방지층(RPP)의 아래에 배치될 수 있다. 제2 접착층(OCA2)에 의해 반사 방지층(RPP) 및 센서층(200)이 결합될 수 있다. 제2 접착층(OCA2)은 제1 접착층(OCA1)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
센서층(200)은 외부 입력의 좌표 정보를 획득할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층(200)은 표시층(100)의 일면에 직접 배치될 수 있다. 예를 들어, 센서층(200)은 온 셀(On-Cell) 방식으로 표시층(100)과 일체화될 수 있다. 센서층(200)은 표시층(100)과 연속 공정에 의해 제조될 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니며 센서층(200)은 별도의 공정에 의해 제조되어, 표시층(100)에 접착될 수 있다. 센서층(200)은 터치 패널을 포함할 수 있다.
표시층(100)은 센서층(200) 아래에 배치될 수 있다. 표시층(100)은 영상을 실질적으로 생성하는 구성일 수 있다. 표시층(100)은 발광형 표시층일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 표시층(100)은 유기 발광 표시층, 퀀텀닷 표시층, 마이크로 엘이디 표시층, 또는 나노 엘이디 표시층을 포함할 수 있다. 표시층(100)은 베이스층(110), 회로층(120), 발광 소자층(130), 및 봉지층(140)을 포함할 수 있다. 이에 대해서는 후술된다.
쿠션층(CSH)은 표시층(100)의 아래에 배치될 수 있다. 쿠션층(CSH)은 외부에서 가해지는 압력을 완화시키는 기능을 가질 수 있다. 쿠션층(CSH)은 스펀지, 발포 폼, 또는 우레탄 수지 등을 포함할 수 있다.
감지층(300)은 쿠션층(CSH) 아래에 배치될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 본 발명의 일 실시예에 따른 감지층(300)의 배치 관계는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 감지층(300)은 표시층(100) 위에 배치될 수도 있다. 이 경우, 감지층(300)은 투명한 물질을 포함하는 복수의 코일들을 포함할 수 있다.
감지층(300)은 센서층(200)이 감지하는 외부 입력과 상이한 외부 입력을 감지할 수 있다. 예를 들어, 감지층(300)은 입력 장치(2000, 도 1a 참조)에 의해 전달된 신호를 감지할 수 있다. 즉, 본 실시예에서 외부 입력의 형태에 따라 감지하는 센서의 위치가 다를 수 있다. 감지층(300)은 전자기 유도에 의한 공명(Electro Magnetic Resonance, EMR)을 이용한 방식으로 구동될 수 있다. 감지층(300)은 액티브 영역(1000A, 도 1a 참조)에 인가되는 입력 장치(2000, 도 1a 참조)의 위치나 세기를 감지할 수 있다.
전자기 공명(EMR) 방식은 입력 장치(2000, 도 1a 참조) 내부에 구성된 공진 회로에서 자계를 발생시키고, 진동하는 자계는 감지층(300) 각각에 포함된 복수의 코일들에 신호를 유도하고, 코일들에 유도된 신호를 통해 입력 장치(2000, 도 1a 참조)의 위치를 검출할 수 있다. 감지층(300)은 디지타이저를 포함할 수 있다.
신호 차폐층(FR)은 감지층(300) 아래에 배치될 수 있다. 신호 차폐층(FR)은 신호 간섭을 방지할 수 있다. 신호 차폐층(FP)은 산화철을 포함하는 자성체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 신호 차폐층(FP)은 페라이트(Ferrite)를 포함할 수 있다.
방열 시트(GP)는 신호 차폐층(FR) 아래에 배치될 수 있다. 방열 시트(GP)는 표시층(100) 및 감지층(300)에서 발생하는 열의 방출을 유도할 수 있다. 예를 들어, 방열 시트(GP)는 그라파이트(graphite) 시트를 포함할 수 있다.
커버층(CU)은 방열 시트(GP) 아래에 배치될 수 있다. 커버층(CU)은 도전성을 가질 수 있다. 예를 들어 커버층(CU)은 구리(Cu)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 커버층(CU)은 구리 테이프(Cu tape)일 수 있다. 다만, 특별히 이에 제한되지는 않는다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부분의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시층(100)은 베이스층(110), 회로층(120), 발광 소자층(130), 및 봉지층(140)을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 회로층(120)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(110)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(110)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
베이스층(110)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스층(110)은 제1 합성 수지층, 상기 제1 합성 수지층 위에 배치된 실리콘 옥사이드(SiOx)층, 상기 실리콘 옥사이드층 위에 배치된 아몰퍼스 실리콘(a-Si)층, 및 상기 아몰퍼스 실리콘층 위에 배치된 제2 합성 수지층을 포함할 수 있다. 상기 실리콘 옥사이드층 및 상기 아몰퍼스 실리콘층은 베이스 배리어층이라 지칭될 수 있다.
상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 아크릴(acrylate)계 수지, 메타크릴(methacrylate)계 수지, 폴리아이소프렌(polyisoprene)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 셀룰로오스(cellulose)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 및 페릴렌(perylene)계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 "~~" 계 수지는 "~~" 의 작용기를 포함하는 것을 의미한다.
베이스층(110)의 상면에 적어도 하나의 무기층이 형성된다. 무기층은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기층은 다층으로 형성될 수 있다. 다층의 무기층들은 배리어층 및/또는 버퍼층을 구성할 수 있다. 본 실시예에서 표시층(100)은 버퍼층(BFL)을 포함하는 것으로 도시되었다.
버퍼층(BFL)은 베이스층(110)과 반도체 패턴 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다. 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 및 실리콘옥시나이트라이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드층과 실리콘나이트라이드층이 교대로 적층된 구조를 포함할 수 있다.
반도체 패턴은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 반도체 패턴은 비정질실리콘, 저온다결정실리콘, 또는 산화물반도체를 포함할 수도 있다.
도 3은 일부의 반도체 패턴을 도시한 것일 뿐이고, 다른 영역에 반도체 패턴이 더 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 화소들에 걸쳐 특정한 규칙으로 배열될 수 있다. 반도체 패턴은 도핑 여부에 따라 전기적 성질이 다를 수 있다. 반도체 패턴은 전도율이 높은 제1 영역과 전도율이 낮은 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함하고, N타입의 트랜지스터는 N형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함할 수 있다. 제2 영역은 비-도핑 영역이거나, 제1 영역 대비 낮은 농도로 도핑된 영역일 수 있다.
제1 영역의 전도성은 제2 영역의 전도성보다 크고, 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 할 수 있다. 제2 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브 영역에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브 영역일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 영역 또는 드레인 영역일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결 전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.
화소들 각각은 7개의 트랜지스터들, 하나의 커패시터, 및 발광 소자를 포함하는 등가회로를 가질 수 있으며, 화소의 등가회로도는 다양한 형태로 변형될 수 있다. 도 5에서는 화소에 포함되는 하나의 트랜지스터(100PC) 및 발광 소자(100PE)를 예시적으로 도시하였다.
트랜지스터(100PC)의 소스 영역(SC), 액티브 영역(AL), 및 드레인 영역(DR)이 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스 영역(SC) 및 드레인 영역(DR)은 단면 상에서 액티브 영역(AL)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다. 도 5에는 반도체 패턴으로부터 형성된 연결 신호 배선(SCL)의 일부분을 도시하였다. 별도로 도시하지 않았으나, 연결 신호 배선(SCL)은 평면 상에서 트랜지스터(100PC)의 드레인 영역(DR)에 연결될 수 있다.
제1 절연층(10)은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 화소들에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(10)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로층(120)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
트랜지스터(100PC)의 게이트(GT)는 제1 절연층(10) 위에 배치된다. 게이트(GT)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(GT)는 액티브 영역(AL)에 중첩한다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(GT)는 마스크로 기능할 수 있다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 위에 배치되며, 게이트(GT)를 커버할 수 있다. 제2 절연층(20)은 화소들에 공통으로 중첩할 수 있다. 제2 절연층(20)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제2 절연층(20)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 및 실리콘옥시나이트라이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 절연층(20)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 위에 배치될 수 있다. 제3 절연층(30)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 절연층(30)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1, 제2, 및 제3 절연층(10, 20, 30)을 관통하는 컨택홀(CNT-1)을 통해 연결 신호 배선(SCL)에 접속될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제4 절연층(40)은 단층의 실리콘 옥사이드층일 수 있다. 제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 위에 배치될 수 있다. 제5 절연층(50)은 유기층일 수 있다.
제2 연결 전극(CNE2)은 제5 절연층(50) 위에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50)을 관통하는 컨택홀(CNT-2)을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 접속될 수 있다.
제6 절연층(60)은 제5 절연층(50) 위에 배치되며, 제2 연결 전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제6 절연층(60)은 유기층일 수 있다.
발광 소자층(130)은 회로층(120) 위에 배치될 수 있다. 발광 소자층(130)은 발광 소자(100PE)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자층(130)은 유기 발광 물질, 퀀텀닷, 퀀텀 로드, 마이크로 엘이디, 또는 나노 엘이디를 포함할 수 있다. 이하에서, 발광 소자(100PE)가 유기 발광 소자인 것을 예로 들어 설명하나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
발광 소자(100PE)는 제1 전극(AE), 발광층(EL), 및 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.
제1 전극(AE)은 제6 절연층(60) 위에 배치될 수 있다. 제1 전극(AE)은 제6 절연층(60)을 관통하는 컨택홀(CNT-3)을 통해 제2 연결 전극(CNE2)에 접속될 수 있다.
화소 정의막(70)은 제6 절연층(60) 위에 배치되며, 제1 전극(AE)의 일부분을 커버할 수 있다. 화소 정의막(70)에는 개구부(70-OP)가 정의된다. 화소 정의막(70)의 개구부(70-OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다.
액티브 영역(1000A, 도 1a 참조)은 발광 영역(PXA)과 발광 영역(PXA)에 인접한 비발광 영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 비발광 영역(NPXA)은 발광 영역(PXA)을 에워쌀 수 있다. 본 실시예에서 발광 영역(PXA)은 개구부(70-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일부 영역에 대응하게 정의되었다.
발광층(EL)은 제1 전극(AE) 위에 배치될 수 있다. 발광층(EL)은 개구부(70-OP)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EL)은 화소들 각각에 분리되어 형성될 수 있다. 발광층(EL)이 화소들 각각에 분리되어 형성된 경우, 발광층들(EL) 각각은 청색, 적색, 및 녹색 중 적어도 하나의 색의 광을 발광할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 발광층(EL)은 화소들에 연결되어 공통으로 제공될 수도 있다. 이 경우, 발광층(EL)은 청색 광을 제공하거나, 백색 광을 제공할 수도 있다.
제2 전극(CE)은 발광층(EL) 위에 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 일체의 형상을 갖고, 복수 개의 화소들에 공통적으로 배치될 수 있다.
도시되지 않았으나, 제1 전극(AE)과 발광층(EL) 사이에는 정공 제어층이 배치될 수 있다. 정공 제어층은 발광 영역(PXA)과 비발광 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EL)과 제2 전극(CE) 사이에는 전자 제어층이 배치될 수 있다. 전자 제어층은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층과 전자 제어층은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다.
봉지층(140)은 발광 소자층(130) 위에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 순차적으로 적층된 무기층, 유기층, 및 무기층을 포함할 수 있으나, 봉지층(140)을 구성하는 층들이 이에 제한되는 것은 아니다.
무기층들은 수분 및 산소로부터 발광 소자층(130)을 보호하고, 유기층은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(130)을 보호할 수 있다. 무기층들은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
센서층(200)은 베이스층(201), 제1 도전층(202), 감지 절연층(203), 제2 도전층(204), 및 커버 절연층(205)을 포함할 수 있다.
베이스층(201)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 무기층일 수 있다. 또는 베이스층(201)은 에폭시 수지, 아크릴 수지, 또는 이미드 계열 수지를 포함하는 유기층일 수도 있다. 베이스층(201)은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 도전층(202) 및 제2 도전층(204) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 산화아연(zinc oxide, ZnO), 또는 인듐아연주석산화물(indium zinc tin oxide, IZTO) 등과 같은 투명한 전도성산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
다층구조의 도전층은 금속층들을 포함할 수 있다. 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
감지 절연층(203) 및 커버 절연층(205) 중 적어도 어느 하나는 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
감지 절연층(203) 및 커버 절연층(205) 중 적어도 어느 하나는 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지층의 구성을 간략히 도시한 평면도이다.
도 4를 참조하면, 감지층(300)은 복수의 제1 코일들(311) 및 복수의 제2 코일들(312)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 코일들(311)은 구동 코일들로 지칭될 수 있고, 복수의 제2 코일들(312)은 감지 코일들로 지칭될 수 있다.
복수의 제1 코일들(311) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장될 수 있다. 복수의 제1 코일들(311)은 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되어 배열될 수 있다. 복수의 제2 코일들(312) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다. 복수의 제2 코일들(312)은 제1 방향(DR1)으로 서로 이격되어 배열될 수 있다.
입력 장치(2000, 도 1a 참조)를 감지하기 위해 복수의 제1 코일들(311)의 제1 단자들(311t)로 교류 신호가 순차적으로 제공될 수 있다. 복수의 제1 코일들(311)은 폐곡선 형태로 형성될 수 있다. 복수의 제1 코일들(311)에 전류가 흐르면, 복수의 제1 코일들(311) 및 복수의 제2 코일들(312) 사이에 자기력선이 유도될 수 있다. 복수의 제2 코일들(312)은 입력 장치(2000, 도 1a 참조)에서 방출된 유도 전자기력을 감지한 신호를 복수의 제2 코일들(312)의 제2 단자들(312t)로 출력할 수 있다.
도 4에서는 감지층(300)의 구성을 예시적으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 복수의 제1 코일들(311) 및 복수의 제2 코일들(312)의 배열관계는 도 4에 도시되 것에 제한되지 않으며 다양하게 변형될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치의 블록도이다.
도 5를 참조하면, 입력 장치(2000)는 하우징(PNH), 펜 팁(PNT), 공진 회로부(PN100), 제어부(PN200), 및 전원부(PN300)를 포함할 수 있다.
하우징(PNH)은 펜 형상을 가질 수 있다. 하우징(PNH)의 내부에는 수용 공간이 형성될 수 있다. 하우징(PNH) 내부에 정의된 수용 공간에는 공진 회로부(PN100), 제어부(PN200), 및 전원부(PN300)이 수용될 수 있다.
펜 팁(PNT)은 하우징(PNH)의 단부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 펜 팁(PNT)의 일부분은 하우징(PNH)의 외부로 노출되고, 펜 팁(PNT)의 나머지 부분은 하우징(PNH) 내부에 삽입될 수 있다.
공진 회로부(PN100)는 신호(또는 검출신호, Tx 신호 또는 송신 신호)를 생성하는 구성일 수 있다. 공진 회로부(PN100)는 특정 용도 집적 회로 또는 오실레이터를 포함할 수 있다. 공진 회로부(PN100)는 소정의 값을 갖는 주파수의 교류 신호를 출력할 수 있다.
공진 회로부(PN100)에는 전자 장치(1000)로부터 제1 구동 신호(S1, 도 8 참조)에 의해 제1 유도 전류가 생성되고, 상기 제1 유도 전류에 의해 공진하여 제1 자기장이 생성될 수 있다.
제어부(PN200)는 공진 회로부(PN100)를 제어할 수 있다. 제어부(PN200)는 전원부(PN300)의 전원을 근거로 제2 구동 신호(S2, 도 8 참조)를 생성할 수 있다.
공진 회로부(PN100)에는 제어부(PN200)로부터 제2 구동 신호(S2, 도 8 참조)에 의해 제2 유도 전류가 생성되고, 상기 제2 유도 전류에 의해 공진하여 제2 자기장이 생성될 수 있다. 감지층(300, 도 2 참조)은 상기 제2 자기장을 근거로 입력 장치(2000)에 의한 입력을 감지할 수 있다.
전원부(PN300)는 제어부(PN200)에 전원을 공급할 수 있다. 전원부(PN300)는 배터리 또는 고용량 커패시터를 포함할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 인터페이스 장치의 구동 방법을 도시한 흐름도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이며, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 신호를 도시한 것이다. 도 6 내지 도 8을 설명함에 있어서, 도 5를 통해 설명된 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 6 내지 도 8을 참조하면, 공진 회로부(PN100)는 제1 커패시터(C1) 및 제1 인덕터(L1)를 포함할 수 있다. 제1 커패시터(C1)는 제1 구동 신호(S1) 또는 제2 구동 신호(S2)에 의한 전류의 흐름을 전기장으로 저장할 수 있다. 제1 인덕터(L1)는 제1 커패시터(C1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 인덕터(L1)는 제1 커패시터(C1)와 병렬 연결될 수 있다. 제1 인덕터(L1)는 제1 구동 신호(S1) 또는 제2 구동 신호(S2)에 의한 전류의 흐름을 자기장으로 저장할 수 있다.
전자 장치(1000, 도 1a 참조)의 감지층(300, 도 2 참조)은 제1 구동 신호(S1)를 입력 장치(2000)에 송신할 수 있다(S100).
공진 회로부(PN100)는 제1 구동 신호(S1)에 의해 충전될 수 있다(S200). 공진 회로부(PN100)는 제1 구동 신호(S1)를 근거로 제1 자기장이 생성될 수 있다.
본 발명과 달리, 공진 회로부(PN100)가 제1 구동 신호(S1)에 의해 충전되는 단계를 제공하지 않는 경우, 입력 장치는 별도의 통신부를 구비할 수 있다. 상기 통신부는 감지층(300, 도 2 참조) 또는 센서층(200, 도 2 참조)과 동기화하기 위한 신호를 주고 받을 수 있다. 전자 장치 및 상기 입력 장치는 동기화를 위한 통신 시간이 요구될 수 있다. 다만, 본 발명에 따르면, 공진 회로부(PN100)는 감지층(300, 도 2 참조)의 제1 구동 신호(S1)에 의해 충전될 수 있다. 입력 장치(2000)는 충전된 공진 회로부(PN100)를 근거로 전자 장치(1000, 도 1a 참조)와 통신할 수 있다. 전자 장치(1000, 도 1a 참조) 및 입력 장치(2000)는 동기화를 위한 통신 시간이 불요할 수 있다. 즉, 전자 장치(1000, 도 1a 참조) 및 입력 장치(2000) 사이의 통신 시간이 감소될 수 있다. 인터페이스 장치(10000, 도 1a 참조)는 높은 리포트 레이트(report rate)를 가질 수 있다. 따라서, 인터페이스 장치(10000, 도 1a 참조)는 충분한 리포트 레이트를 확보할 수 있다.
입력 장치(2000)는 정류 회로(PN400)를 더 포함할 수 있다. 정류 회로(PN400)는 정류 다이오드(Dt) 및 정류 커패시터(Ct)를 포함할 수 있다. 정류 다이오드(Dt)는 공진 회로부(PN100)의 공진으로 승압된 전압을 정류할 수 있다. 상기 정류된 전압은 정류 커패시터(Ct)에 누적될 수 있다. 상기 누적된 전압은 트리거 신호(Str)로 지칭될 수 있다. 즉, 트리거 신호(Str)는 공진 회로부(PN100)의 충전을 근거로 레벨이 변화될 수 있다.
공진 회로부(PN100)가 충전됨에 따라 트리거 신호(Str)의 전위는 상승될 수 있다. 트리거 신호(Str)가 소정의 레벨에 도달하면 제어부(PN200)가 동작할 수 있다.
제어부(PN200, 도 5 참조)는 구동 제어부(PN210) 및 방전 제어부(PN220)를 포함할 수 있다.
구동 제어부(PN210)는 전원을 근거로 제2 구동 신호(S2)를 생성할 수 있다(S300). 구동 제어부(PN210)는 공진 회로부(PN100)에 제2 구동 신호(S2)를 송신할 수 있다.
공진 회로부(PN100)는 제2 구동 신호(S2)에 의해 충전될 수 있다(S400). 공진 회로부(PN100)는 제2 구동 신호(S2)를 근거로 제2 자기장이 생성될 수 있다.
전자 장치(1000, 도 1a 참조)는 공진 회로부(PN100)에 충전된 제2 구동 신호(S2)를 근거로 입력 장치(2000)에 의한 입력(S3)을 감지할 수 있다(S500).
본 발명과 달리, 공진 회로부(PN100)가 제2 구동 신호(S2)에 의해 충전되는 단계를 제공하지 않는 경우, 공진 회로부(PN100)가 충분히 충전되기 위해 제1 구동 신호(S1)에 의해 충전되는 시간이 증가할 수 있다. 감지층(300, 도 2 참조)은 제1 구동 신호(S1)를 지속적으로 제공하고, 전자 장치(1000, 도 1a 참조)의 전력 소모가 증가할 수 있다. 다만, 본 발명에 따르면, 입력 장치(2000)는 트리거 신호(Str)가 소정의 레벨에 도달하면 구동 제어부(PN210)는 전원을 근거로 제2 구동 신호(S2)를 생성할 수 있다. 즉, 공진 회로부(PN100)는 제1 구동 신호(S1)에 의해 충분히 충전되지 않더라도 제2 구동 신호(S2)를 통해 충전될 수 있다. 감지층(300, 도 2 참조)의 제1 구동 신호(S1)를 제공하는 시간이 단축될 수 있다. 인터페이스 장치(10000, 도 1a 참조)는 높은 리포트 레이트(report rate)를 가질 수 있다. 따라서, 인터페이스 장치(10000, 도 1a 참조)는 충분한 리포트 레이트를 확보할 수 있다. 또한, 전자 장치(1000, 도 1a 참조)의 전력 소모가 감소될 수 있다.
또한, 본 발명과 달리, 전자 장치(1000, 도 1a 참조)가 공진 회로부(PN100)에 충전된 용량을 근거로 입력 장치에 의한 입력을 감지하는 경우, 감지하는 시간이 지날수록 충전된 용량이 소모되어 입력의 출력이 감소되고, 입력 장치에 대한 전자 장치의 감도가 감소될 수 있다. 하지만, 본 발명에 따르면, 공진 회로부(PN100)는 제2 구동 신호(S2)에 의해 충전될 수 있다. 제2 구동 신호(S2)는 전원부(PN300)로부터 제공된 전원을 근거로 생성될 수 있다. 입력 장치(2000)에 의한 입력의 출력이 전원이 공급됨에 따라 일정하게 유지될 수 있다. 따라서, 입력 장치(2000)에 대한 전자 장치(1000, 도 1a 참조)의 감도가 향상될 수 있다.
방전 제어부(PN220)는 트리거 신호(Str)를 방전시킬 수 있다. 방전된 트리거 신호(Str)를 근거로 구동 제어부(PN210)는 제2 구동 신호(S2)의 생성을 종료할 수 있다. 방전 제어부(PN220)는 제1 방전 스위치(St)를 제어하여 트리거 신호(Str)가 방전되도록 할 수 있다.
방전 제어부(PN220)는 공진 회로부(PN100)를 방전시킬 수 있다. 방전 제어부(PN220)에 의해 공진 회로부(PN100)는 제1 구동 신호(S1)에 의한 충전을 대기할 수 있다. 방전 제어부(PN220)는 제2 방전 스위치(Sr)를 제어하여 공진 회로부(PN100)가 방전되도록 할 수 있다.
방전 제어부(PN220)는 트리거 신호(Str) 및 공진 회로부(PN100)를 방전시켜 감지층(300, 도 2 참조)의 다음 제1 구동 신호(S1)를 수신하기 위한 준비를 할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부의 동작을 도시한 흐름도이다. 도 9를 설명함에 있어서, 도 7을 통해 설명된 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 입력 장치(2000-1)는 공진 회로부(PN100), 제어부(PN200), 전원부(PN300), 및 정류 회로(PN400)를 포함할 수 있다. 제어부(PN200)는 레벨 쉬프터(LS), 카운터(CT), 펄스 생성부(PG), 및 논리 소자(AG)를 포함할 수 있다.
레벨 쉬프터(LS)는 개시 신호를 수신할 수 있다(S310). 레벨 쉬프터(LS)는 공진 회로부(PN100)와 전기적으로 연결될 수 있다. 레벨 쉬프터(LS)는 공진 회로부(PN100)로부터의 입력 신호를 제어부(PN200)에서 처리할 수 있는 전압 레벨을 갖는 신호로 변환할 수 있다.
카운터(CT)는 레벨 쉬프터(LS)와 연결될 수 있다. 카운터(CT)는 상기 개시 신호를 수신하면 카운팅을 개시할 수 있다(S320).
펄스 생성부(PG)는 카운터(CT) 및 펄스 생성부(PG)와 연결될 수 있다. 펄스 생성부(PG)는 복수의 펄스들을 생성할 수 있다(S330). 복수의 펄스들은 제2 구동 신호(S2, 도 8 참조)를 구성할 수 있다.
논리 소자(AG)는 레벨 쉬프터(LS), 카운터(CT), 및 펄스 생성부(PG)를 연결할 수 있다. 논리 소자(AG)는 논리곱 소자(AND gate), 부정논리곱 소자(NAND gate), 및 부정 소자(NOT gate)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 레벨 쉬프터(LS) 출력 및 부정논리곱 소자의 출력은 논리곱 소자의 입력으로 제공되어 상기 논리곱 소자의 출력은 펄스 생성부(PG)에 연결될 수 있다. 카운터(CT)의 출력 및 한계값(LF)은 부정논리곱 소자의 입력으로 제공되어 부정 소자의 입력에 출력될 수 있다.
레벨 쉬프터(LS), 카운터(CT), 펄스 생성부(PG), 상기 논리곱 소자, 및 상기 부정논리곱 소자는 구동 제어부(PN210)를 구성할 수 있다. 카운터(CT), 상기 부정논리곱 소자, 및 상기 부정 소자는 방전 제어부(PN220)를 구성할 수 있다.
카운터(CT)의 상기 카운팅이 한계값(LF)에 도달한 경우, 상기 카운팅을 중지할 수 있다(S340). 상기 카운팅이 중지되면 펄스 생성부(PG)는 펄스 생성을 중지할 수 있다. 즉, 제2 구동 신호(S2, 도 8 참조)가 종료될 수 있다.
상기 카운팅이 중지된 경우, 제어부(PN200)는 공진 회로부(PN100)를 방전시킬 수 있다(S600).
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이다. 도 11을 설명함에 있어서, 도 7을 통해 설명된 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 8 및 도 11을 참조하면, 입력 장치(2000-2)는 공진 회로부(PN100), 구동 제어부(PN210), 방전 제어부(PN220), 전원부(PN300), 정류 회로(PN400), 및 제2 커패시터(C2)를 포함할 수 있다.
제2 커패시터(C2)는 공진 회로부(PN100) 및 구동 제어부(PN210) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2 커패시터(C2)는 공진 회로부(PN100) 및 구동 제어부(PN210) 사이에 직렬 연결될 수 있다.
본 발명에 따르면, 제2 커패시터(C2)에 의해 제2 자기장에 의해 공진 회로부(PN100) 및 제2 커패시터(C2)에 생성되는 전압은 제2 구동 신호(S2)의 전압보다 승압될 수 있다. 입력 장치(2000-3)의 입력(S3)에 대한 전자 장치(1000, 도 1a 참조)의 센싱 감도가 향상될 수 있다. 따라서, 신뢰성이 향상된 인터페이스 장치(10000, 도 1a 참조)를 제공할 수 있다.
공진 회로부(PN100)가 제1 구동 신호(S1)에 의해 충전될 때, 공진 회로부(PN100)는 제1 주파수로 공진될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 주파수는 수식 1을 만족할 수 있다.
[수식 1]
공진 회로부(PN100)가 제2 구동 신호(S2)에 의해 충전될 때, 공진 회로부(PN100) 및 제2 커패시터(C2)는 상기 제1 주파수와 상이한 제2 주파수로 공진될 수 있다. 상기 제2 주파수는 상기 제1 주파수보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 주파수는 수식 2를 만족할 수 있다.
[수식 2]
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이다. 도 12를 설명함에 있어서, 도 11을 통해 설명된 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 8 및 도 12를 참조하면, 입력 장치(2000-3)는 공진 회로부(PN100), 구동 제어부(PN210), 방전 제어부(PN220), 전원부(PN300), 정류 회로(PN400), 제2 커패시터(C2), 및 제2 인덕터(L2)를 포함할 수 있다.
제2 인덕터(L2)는 공진 회로부(PN100) 및 구동 제어부(PN210) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2 인덕터(L2)는 제1 인덕터(L1)와 직렬 연결될 수 있다.
본 발명에 따르면, 제2 커패시터(C2)에 의해 제2 자기장에 의해 공진 회로부(PN100) 및 제2 커패시터(C2)에 생성되는 전압은 제2 구동 신호(S2)의 전압보다 승압될 수 있다. 입력 장치(2000-3)의 입력(S3)에 대한 전자 장치(1000, 도 1a 참조)의 센싱 감도가 향상될 수 있다. 따라서, 신뢰성이 향상된 인터페이스 장치(10000, 도 1a 참조)를 제공할 수 있다.
감지층(300, 도 2 참조)으로부터 제1 구동 신호(S1)가 제공되는 경우, 제2 인덕터(L2)는 공진 회로부(PN100)와 전기적으로 연결될 수 있다. 공진 회로부(PN100)가 제1 구동 신호(S1)에 의해 충전될 때, 공진 회로부(PN100) 및 제2 인덕터(L2)는 제3 주파수로 공진될 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 주파수는 수식 3을 만족할 수 있다.
[수식 3]
구동 제어부(PN210)로부터 제2 구동 신호(S2)가 제공되는 경우, 제2 인덕터(L2)는 공진 회로부(PN100)와 전기적으로 절연될 수 있다. 예를 들어, 제2 인덕터(L2)와 병렬 연결된 스위치는 구동 제어부(PN210)로부터 제2 구동 신호(S2)가 제공되는 경우 온(on) 상태가 되어 공진 회로부(PN100)와 제2 인덕터(L2)가 전기적으로 연결되지 않도록 제어할 수 있다.
공진 회로부(PN100)가 제2 구동 신호(S2)에 의해 충전될 때, 공진 회로부(PN100) 및 제2 커패시터(C2)는 제4 주파수로 공진될 수 있다. 예를 들어, 상기 제4 주파수는 수식 4를 만족할 수 있다.
[수식 4]
상기 제3 주파수 및 상기 제4 주파수는 동일한 값을 가질 수 있다. 즉, 제2 인덕터(L2) 및 제2 커패시터(C2) 각각의 값은 ((L1+L2)*C1)과 (L1*(C1+C2))의 값들이 동일하도록 정의될 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이다. 도 13을 설명함에 있어서, 도 7을 통해 설명된 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 8 및 도 13을 참조하면, 입력 장치(2000-4)는 공진 회로부(PN100-1), 구동 제어부(PN210), 방전 제어부(PN220), 전원부(PN300), 및 정류 회로(PN400)를 포함할 수 있다.
공진 회로부(PN100-1)는 제1 커패시터(C1-1) 및 제1 인덕터(L1-1)를 포함할 수 있다. 제1 커패시터(C1-1)는 제1 구동 신호(S1) 또는 제2 구동 신호(S2)에 의한 전류의 흐름을 전기장으로 저장할 수 있다. 제1 인덕터(L1-1)는 제1 커패시터(C1-1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 커패시터(C1)는 구동 제어부(PN210) 및 제1 인덕터(L1-1) 사이에 직렬 연결될 수 있다. 제1 인덕터(L1-1)는 제1 구동 신호(S1) 또는 제2 구동 신호(S2)에 의한 전류의 흐름을 자기장으로 저장할 수 있다.
펄스 생성부(PG, 도 9 참조)가 펄스 생성을 중지하였을 때 펄스 생성부(PG, 도 9 참조)의 출력은 그라운드 전극에 연결될 수 있다.
공진 회로부(PN100)가 제1 구동 신호(S1)에 의해 충전될 때, 공진되는 주파수는 공진 회로부(PN100)가 제2 구동 신호(S2)에 의해 충전될 때, 공진되는 주파수와 동일할 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것이다. 도 14 를 설명함에 있어서, 도 13을 통해 설명된 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 8 및 도 14를 참조하면, 입력 장치(2000-5)는 공진 회로부(PN100-2), 구동 제어부(PN210-1), 방전 제어부(PN220), 전원부(PN300), 및 정류 회로(PN400)를 포함할 수 있다.
공진 회로부(PN100-2)는 제1 커패시터(C1-2) 및 제1 인덕터(L1-1)를 포함할 수 있다. 제1 커패시터(C1-2)는 가변 커패시터일 수 있다.
구동 제어부(PN210-1)는 커패시턴스 제어부(CC)를 더 포함할 수 있다. 커패시턴스 제어부(CC)는 제1 커패시터(C1-2)의 커패시턴스를 조절할 수 있다.
커패시턴스 제어부(CC)에 의해 입력 장치(2000-5)에 의한 입력(S3)의 공진 주파수가 가변될 수 있다. 전자 장치(1000, 도 1a 참조)는 가변된 공진 주파수를 근거로 입력(S3)으로부터 정보를 추출할 수 있다.
예를 들어, 입력 장치(2000-5)는 버튼을 더 포함할 수 있고, 상기 정보는 상기 버튼의 조작에 대한 정보를 포함할 수 있다. 상기 버튼은 입력 장치(2000-5)를 사용하는 사용자에 의해 조작될 수 있다. 상기 정보에 의해 입력 장치(2000-5)는 펜 입력 모드, 우측 클릭 모드, 또는 지우개 모드 등으로 전환될 수 있다.
또는 상기 정보는 필압에 대한 정보를 포함할 수 있다. 커패시턴스 제어부(CC)는 펜 팁(PNT, 도 4 참조)에 적용되는 압력을 감지하여 공진 주파수를 가변시킬 수 있다.
도 15a 및 도 15b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치를 도시한 것들이다. 도 15a 및 도 15b를 설명함에 있어서, 도 9를 통해 설명된 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 8 및 도 15a를 참조하면, 입력 장치(2000-6)는 공진 회로부(PN100), 제어부(PN200-1), 전원부(PN300), 및 정류 회로(PN400)를 포함할 수 있다.
제어부(PN200-1)는 펄스 조절부(PC)를 더 포함할 수 있다. 펄스 조절부(PC)는 펄스 생성부(PG)와 연결될 수 있다. 펄스 조절부(PC)는 제2 구동 신호(S2)의 위상 및 주파수를 변화시킬 수 있다.
공진 회로부(PN100)는 제2 구동 신호(S2)에 의해 충전될 수 있다. 공진 회로부(PN100)는 제2 구동 신호(S2)를 근거로 제2 자기장이 생성될 수 있다. 전자 장치(1000, 도 1a 참조)는 공진 회로부(PN100)에 충전된 제2 구동 신호(S2)를 근거로 입력 장치(2000-5)에 의한 입력(S3)을 감지할 수 있다.
전자 장치(1000, 도 1a 참조)는 지연된 위상을 근거로 입력(S3)으로부터 정보를 추출할 수 있다.
도 8 및 도 15b를 참조하면, 입력 장치(2000-7)는 공진 회로부(PN100), 제어부(PN200-2), 전원부(PN300), 및 정류 회로(PN400)를 포함할 수 있다.
제어부(PN200-2)는 카운팅부(CI)를 더 포함할 수 있다. 카운팅부(CI)는 카운터(CT)와 연결될 수 있다. 카운팅부(CI)는 제2 구동 신호(S2)의 펄스의 개수를 변화시킬 수 있다.
공진 회로부(PN100)는 제2 구동 신호(S2)에 의해 충전될 수 있다. 공진 회로부(PN100)는 제2 구동 신호(S2)를 근거로 제2 자기장이 생성될 수 있다. 전자 장치(1000, 도 1a 참조)는 공진 회로부(PN100)에 충전된 제2 구동 신호(S2)를 근거로 입력 장치(2000-6)에 의한 입력(S3)을 감지할 수 있다.
전자 장치(1000, 도 1a 참조)는 제2 구동 신호(S2)의 펄스의 개수를 근거로 입력(S3)으로부터 정보를 추출할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
10000: 인터페이스 장치
1000: 전자 장치
2000: 입력 장치 100: 표시층
300: 감지층 PN100: 공진 회로부
PN200: 제어부 PN300: 전원부
2000: 입력 장치 100: 표시층
300: 감지층 PN100: 공진 회로부
PN200: 제어부 PN300: 전원부
Claims (20)
- 전자 장치 및 상기 전자 장치와 통신하는 입력 장치를 포함하고,
상기 전자 장치는,
표시층; 및
상기 표시층 아래에 배치되고, 상기 입력 장치에 제1 구동 신호를 송신하며, 상기 입력 장치에 의한 입력을 감지하는 감지층을 포함하고,
상기 입력 장치는,
상기 제1 구동 신호를 근거로 제1 자기장이 생성되는 공진 회로부;
상기 공진 회로부를 제어하는 제어부; 및
상기 제어부에 전원을 제공하는 전원부를 포함하고,
상기 공진 회로부에는 상기 전원에 의해 제2 자기장이 생성되고,
상기 감지층은 제2 자기장을 근거로 상기 입력을 감지하는 인터페이스 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 공진 회로부에 상기 전원을 근거로 생성된 제2 구동 신호를 송신하는 구동 제어부; 및
상기 공진 회로부를 방전시키는 방전 제어부를 포함하는 인터페이스 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 제어부는,
개시 신호를 수신하고, 상기 공진 회로부와 연결된 레벨 쉬프터(level shifter);
상기 레벨 쉬프터와 연결되고, 상기 개시 신호를 수신하면 카운팅을 개시하는 카운터;
상기 카운터 및 상기 레벨 쉬프터와 연결되고, 상기 제2 구동 신호를 생성하는 펄스 생성부; 및
상기 레벨 쉬프터, 상기 카운터, 및 상기 펄스 생성부를 연결하는 논리 소자를 포함하는 인터페이스 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 제2 구동 신호의 위상 및 주파수를 변화시키고 상기 펄스 생성부와 연결된 펄스 조절부를 더 포함하는 인터페이스 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 제2 구동 신호의 펄스의 개수를 변화시키고 카운터와 연결된 카운팅부를 더 포함하는 인터페이스 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 제2 자기장은 상기 제2 구동 신호를 근거로 생성되는 인터페이스 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 공진 회로부는,
상기 제1 구동 신호 및 상기 제2 구동 신호에 의한 전류의 흐름을 전기장으로 저장하는 제1 커패시터; 및
상기 제1 커패시터와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 구동 신호 및 상기 제2 구동 신호에 의한 전류의 흐름을 자기장으로 저장하는 제1 인덕터를 포함하는 인터페이스 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 입력 장치는 상기 공진 회로부 및 상기 구동 제어부 사이에 전기적으로 연결된 제2 커패시터를 더 포함하는 인터페이스 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 입력 장치는 상기 공진 회로부 및 상기 구동 제어부 사이에 전기적으로 연결된 제2 인덕터를 더 포함하는 인터페이스 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 감지층으로부터 상기 제1 구동 신호가 제공되는 경우 상기 제2 인덕터는 상기 공진 회로부와 전기적으로 연결되고,
상기 구동 제어부로부터 상기 제2 구동 신호가 제공되는 경우 상기 제2 인덕터는 상기 공진 회로부와 전기적으로 절연되는 인터페이스 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 제1 커패시터는 상기 구동 제어부 및 상기 제1 인덕터 사이에 직렬 연결되는 인터페이스 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 제2 커패시터는 가변 커패시터인 인터페이스 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 감지층은 디지타이저를 포함하는 인터페이스 장치. - 제어부 및 공진 회로부를 포함하는 입력 장치 및 전자 장치를 제공하는 단계;
상기 전자 장치가 제1 구동 신호를 상기 입력 장치에 송신하는 단계;
상기 공진 회로부가 상기 제1 구동 신호에 의해 충전되는 단계;
상기 입력 장치가 제2 구동 신호를 생성하는 단계;
상기 공진 회로부가 상기 제2 구동 신호에 의해 충전되는 단계; 및
상기 전자 장치가 상기 공진 회로부에 충전된 상기 제2 구동 신호를 근거로 상기 입력 장치에 의한 입력을 감지하는 단계를 포함하는 인터페이스 장치 구동 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 제2 구동 신호를 생성하는 단계는,
카운팅을 개시하는 단계;
펄스를 생성하는 단계; 및
상기 카운팅이 한계값에 도달하는 경우 상기 카운팅을 중지하는 단계를 포함하는 인터페이스 장치 구동 방법. - 제15 항에 있어서,
상기 공진 회로부가 방전되는 단계를 더 포함하고,
상기 공진 회로부가 방전되는 단계는 상기 전자 장치가 상기 입력을 감지하는 단계 이후에 진행되는 인터페이스 장치 구동 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 공진 회로부가 방전되는 단계는 상기 카운팅을 중지하는 단계 이후에 진행되는 인터페이스 장치 구동 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 공진 회로부가 제1 구동 신호에 의해 충전되는 단계는 상기 공진 회로부가 제1 주파수로 공진되는 단계를 포함하고,
상기 공진 회로부가 제2 구동 신호에 의해 충전되는 단계는 상기 공진 회로부가 상기 제1 주파수와 상이한 제2 주파수로 공진되는 단계를 포함하는 인터페이스 장치 구동 방법. - 제14 항에 있어서.
트리거 신호가 소정의 레벨에 도달하면 상기 제어부가 동작하는 단계를 더 포함하고,
상기 트리거 신호는 상기 공진 회로부의 충전을 근거로 레벨이 변화하는 인터페이스 장치 구동 방법. - 제19 항에 있어서,
상기 제어부가 동작하는 단계는 상기 공진 회로부가 제1 구동 신호에 의해 충전되는 단계 및 상기 제2 구동 신호를 생성하는 단계 사이에 진행되는 인터페이스 장치 구동 방법.
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