KR20230011236A - Preheating processing method of component, and substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 개시는, 부품의 예열 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다. The present disclosure relates to a method for preheating a component and a substrate processing apparatus.
특허문헌 1에는, 기판 받침대(스테이지)에 기판을 배치하기 전에, 스테이지로부터 목표 온도있는 상태로 기판의 상하면을 가열함으로써, 기판의 열왜곡에 의한 변형을 억제하는 기판 가열 장치(기판 처리 장치)가 개시되어 있다.
또한, 기판 처리 장치의 하나인 성막 장치는, 기판의 둘레 가장자리의 성막을 억제하기 위해, 상기 기판의 둘레 가장자리에 프레임형의 부품(프레임 부재)을 배치하는 경우가 있다. 프레임 부재는, 스테이지에 대하여 상대 이동 가능하게 설치되고, 기판 처리시에 스테이지에 접촉하여 기판의 둘레 가장자리를 덮는다. Further, in a film forming apparatus, which is one of the substrate processing apparatuses, a frame-shaped part (frame member) may be disposed on the circumferential edge of the substrate in order to suppress film formation on the circumferential edge of the substrate. The frame member is installed so as to be relatively movable with respect to the stage, and contacts the stage to cover the circumferential edge of the substrate during substrate processing.
본 개시는, 스테이지에 배치되는 부품을 적절하게 예열하여, 기판에 대한 처리의 균일성을 높일 수 있는 기술을 제공한다. The present disclosure provides a technique capable of increasing the uniformity of processing of a substrate by appropriately preheating a component placed on a stage.
본 개시의 일양태에 의하면, 기판 처리 장치의 기판이 배치된 스테이지에 대하여 접촉 가능하고 또한 상대 이동 가능한 부품의 예열 처리 방법으로서, 상기 스테이지에 대하여 비접촉이 되는 예열 위치에 상기 부품을 위치 결정하여, 상기 스테이지로부터의 방사열에 의해 상기 부품을 예열하는 공정과, 상기 부품을 예열하는 공정에서 예열한 상기 부품을 상기 스테이지에 접촉시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법이 제공된다. According to one aspect of the present disclosure, a method for preheating treatment of a component capable of contacting and relatively movable with respect to a stage on which a substrate is arranged in a substrate processing apparatus, by positioning the component at a preheating position that is non-contacting with respect to the stage, There is provided a component preheating treatment method comprising a step of preheating the component by radiant heat from the stage, and a step of bringing the component preheated in the step of preheating the component into contact with the stage.
일양태에 의하면, 스테이지에 배치되는 부품을 적절하게 예열하여, 기판에 대한 처리의 균일성을 높일 수 있다. According to one aspect, it is possible to increase the uniformity of processing on a substrate by appropriately preheating the components placed on the stage.
도 1은 일실시형태에 관한 기판 처리 장치의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 2는 기판 처리 장치의 스테이지와 프레임 부재를 도시하는 도면이다.
도 3은 예열 위치에 프레임 부재를 배치한 상태를 도시하는 단면도이다.
도 4는 예열 처리 방법을 실시하는 제어부의 기능 블록을 도시하는 블록도이다.
도 5는 표시 장치에 표시되는 프레임 부재 화면 정보를 예시하는 도면이다.
도 6은 예열 무효를 감시할 때의 위치 정보 영역 및 예열 정보를 예시하는 도면이다.
도 7은 프레임 부재의 예열 처리 방법을 도시하는 플로우차트이다.
도 8은 기판 처리 루틴을 도시하는 플로우차트이다.1 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
2 is a diagram showing a stage and a frame member of the substrate processing apparatus.
3 is a cross-sectional view showing a state in which a frame member is disposed at a preheating position.
4 is a block diagram showing functional blocks of a control unit that performs a preheating treatment method.
5 is a diagram illustrating frame member screen information displayed on a display device.
6 is a diagram illustrating a location information area and preheating information when preheating invalidity is monitored.
7 is a flowchart showing a method of preheating treatment of a frame member.
8 is a flowchart showing a substrate processing routine.
이하, 도면을 참조하여 본 개시를 실시하기 위한 형태에 관해 설명한다. 각 도면에서, 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 붙이고 중복 설명을 생략하는 경우가 있다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form for implementing this disclosure is demonstrated with reference to drawings. In each drawing, the same code|symbol is given to the same component part, and redundant description may be abbreviate|omitted.
도 1은, 일실시형태에 관한 기판 처리 장치(1)의 일례를 도시하는 단면도이다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 일실시형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, FPD용 기판(이하, 단순히 기판(W)이라고 함)에 대하여 각종 기판 처리를 행하는 유도 결합 플라즈마(Inductive Coupled Plasma : ICP)의 처리 장치이다. 1 is a cross-sectional view showing an example of a
기판 처리가 행해지는 FPD는, 예컨대, 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display : LCD), 일렉트로 루미네센스(Electro Luminescence : EL), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP) 등을 들 수 있다. 이 경우, 기판(W)의 재료로는, 유리 또는 합성 수지 등이 적용된다. 기판(W)은, 표면에 회로가 패터닝된 것, 혹은 회로를 구비하지 않는 지지 기판 등을 포함할 수 있다. 기판(W)의 평면 치수는, 긴 변이 1800 mm∼3400 mm 정도의 범위이고, 짧은 변이 1500 mm∼3000 mm 정도의 범위인 것이 좋다. 또한, 기판(W)의 두께는, 0.2 mm∼4.0 mm 정도의 범위인 것이 좋다. 기판 처리 장치(1)가 행하는 기판 처리로는, CVD(Chemical Vapor Deposition)법을 이용한 성막 처리나 에칭 처리 등을 들 수 있다. 이하에서는, 성막 처리를 행하는 기판 처리 장치(1)에 관해 설명한다. Examples of the FPD on which substrate processing is performed include a liquid crystal display (LCD), an electro luminescence (EL), and a plasma display panel (PDP). In this case, as the material of the substrate W, glass or synthetic resin or the like is applied. The substrate W may include a substrate having a circuit patterned on its surface, or a support substrate having no circuits. It is preferable that the planar dimension of the substrate W is in the range of about 1800 mm to 3400 mm on the long side and about 1500 mm to 3000 mm on the short side. Further, the thickness of the substrate W is preferably within a range of about 0.2 mm to 4.0 mm. Examples of the substrate processing performed by the
기판 처리 장치(1)는, 직방체형의 상자형의 처리 용기(10)를 구비한다. 처리 용기(10)는, 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속에 의해 형성된다. 또, 처리 용기(10)는, 기판(W)의 형상에 따라서 적절한 형상으로 형성되면 되고, 예컨대, 기판(W)이 원판이나 타원판인 경우에, 처리 용기(10)는 원통형이나 타원통형 등으로 형성되는 것이 바람직하다. The
처리 용기(10)는, 연직 방향의 소정 위치에, 상기 처리 용기(10)의 내측으로 돌출된 직사각형의 지지 프레임(11)을 구비하고, 이 지지 프레임(11)에 의해 유전체판(12)을 수평 방향으로 지지하고 있다. 처리 용기(10)는, 유전체판(12)을 사이에 두고 상부 챔버(13)와 하부 챔버(14)로 나뉘어져 있다. 상부 챔버(13)는 안테나실(13a)을 내측에 형성하고 있다. 하부 챔버(14)는, 기판(W)이 배치됨과 더불어, 기판 처리를 행하는 처리 공간(14a)을 내측에 형성하고 있다. The
하부 챔버(14)의 측벽(15)은, 게이트 밸브(16)에 의해 개폐되는 반입 출입구(17)를 구비한다. 기판 처리 장치(1)는, 게이트 밸브(16)의 개방시에, 도시하지 않은 반송 장치에 의해, 반입 출입구(17)를 통해 기판(W)의 반입 반출을 행한다. The
또한, 하부 챔버(14)의 측벽(15)은 접지선(18)을 통해 접지(접지 전위에 접속)되어 있다. 하부 챔버(14)의 사방의 측벽(15)은, 무단형으로 둘러싸는 시일 홈(19)을 상단에 갖는다. 시일 홈(19)에 O링 등의 시일 부재(20)가 배치되는 것에 의해, 지지 프레임(11) 및 하부 챔버(14)는, 처리 공간(14a)을 기밀하게 시일하고 있다. Further, the
지지 프레임(11)은, 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속에 의해 형성되어 있다. 또한, 유전체판(12)은, 알루미나(Al2O3) 등의 세라믹스나 석영에 의해 형성되어 있다. The
지지 프레임(11)의 내측에는, 상기 지지 프레임(11)에 연결되고, 처리 공간(14a)에 가스를 토출하는 샤워 헤드(21)가 설치되어 있다. 유전체판(12)은 샤워 헤드(21)의 상면에 지지되어 있다. 샤워 헤드(21)는, 알루미늄 등의 금속에 의해 형성되고, 양극 산화에 의한 표면 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 샤워 헤드(21)의 내부에는, 수평 방향을 따라서 가스 유로(21a)가 형성되어 있다. 또한, 샤워 헤드(21)는, 가스 유로(21a)와 샤워 헤드(21)의 하면(처리 공간(14a))을 연통하는 복수의 가스 토출 구멍(21b)을 갖는다. Inside the
샤워 헤드(21)의 상면에는, 가스 유로(21a)에 연통하는 가스 도입관(22)이 접속되어 있다. 가스 도입관(22)은, 상부 챔버(13) 내에서 상방향으로 연장되어 상기 상부 챔버(13)를 기밀하게 관통하고, 처리 용기(10)의 외부에 설치된 가스 공급부(23)에 접속되어 있다. A
가스 공급부(23)는, 가스 도입관(22)에 결합되는 가스 공급관(24)을 가짐과 더불어, 가스 공급관(24)의 상류로부터 하류로 갈수록 순서대로, 가스 공급원(25), 매스플로우 컨트롤러(26) 및 개폐 밸브(27)를 구비한다. 기판 처리에 있어서, 가스는, 가스 공급원(25)으로부터 공급되고, 매스플로우 컨트롤러(26)에 의해 유량이 제어됨과 더불어, 개폐 밸브(27)에 의해 공급 타이밍이 제어된다. 이 가스는, 가스 공급관(24)으로부터 가스 도입관(22)을 통과하여 가스 유로(21a)에 유입되고, 각 가스 토출 구멍(21b)을 통과하여 처리 공간(14a)에 샤워형으로 방출된다. The
안테나실(13a)을 형성하는 상부 챔버(13) 내에는 고주파 안테나(28)가 설치되어 있다. 고주파 안테나(28)는, 구리 등의 도전성의 금속으로 형성되는 안테나선을, 고리형 혹은 소용돌이형으로 배선하여 형성된다. 혹은, 고주파 안테나(28)는 고리형의 안테나선을 다중으로 설치한 것이어도 좋다. 고주파 안테나(28)의 단자에는, 상부 챔버(13) 내에서 상방향으로 연장된 급전 부재(29)가 접속되어 있다. A high-
급전 부재(29)는, 처리 용기(10)의 외부로 돌출된 상단을 가지며, 이 상단에 급전선(30)이 접속되어 있다. 급전선(30)은, 임피던스 정합을 행하는 정합기(31)를 통해 고주파 전원(32)에 접속되어 있다. 고주파 전원(32)은, 기판 처리에 따른 주파수(예컨대 13.56 MHz)의 고주파 전력을 고주파 안테나(28)에 인가한다. 이것에 의해, 고주파 안테나(28)는 하부 챔버(14) 내에 유도 전계를 형성한다. 기판 처리 장치(1)는, 하부 챔버(14) 내에 형성한 유도 전계에 의해, 샤워 헤드(21)로부터 처리 공간(14a)에 공급한 가스를 플라즈마화하고, 플라즈마 중의 프리커서를 기판(W)에 제공한다. The
또한, 하부 챔버(14)의 바닥벽(33)에는 복수의 배기구(33a)가 형성되어 있고, 각 배기구(33a)에는 가스의 배기부(34)가 설치되어 있다. 배기부(34)는, 가스 배기관(35)을 가짐과 더불어, 이 가스 배기관(35)에 배기 기구(37)를 구비한다. 배기 기구(37)는, 가스 배기관(35)의 상류로부터 하류로 갈수록 순서대로, 개폐 밸브(36) 및 진공 펌프(38)를 구비한다. 진공 펌프(38)는, 터보 분자 펌프 등을 적용할 수 있고, 기판 처리시에 하부 챔버(14) 내를, 미리 설정된 진공도까지 진공 배기한다. In addition, a plurality of
그리고, 처리 용기(10)는, 반입 출입구(17)로부터 반입된 기판(W)이 배치된 스테이지(40)(배치대)를 하부 챔버(14) 내에 구비한다. Further, the
스테이지(40)는, 스테이지 본체(41), 절연 부재(42), 복수의 리프트핀(43) 및 복수의 리프트핀 승강 기구(44)를 갖는다. 하부 챔버(14)에 반입된 기판(W)은, 각 리프트핀 승강 기구(44)에 의해 상승된 각 리프트핀(43)에 전달되어, 각 리프트핀(43)을 하강시킴으로써 스테이지 본체(41) 상에 배치된다. The
스테이지 본체(41)는, 평면시에서 장방형상으로 형성되고, 기판(W)과 동일한 정도의 평면 치수의 배치면(411)을 갖는다. 예컨대, 배치면(411)의 평면 치수는, 긴 변이 1800 mm∼3400 mm 정도의 범위이고, 짧은 변이 1500 mm∼3000 mm 정도의 범위인 것이 좋다. 스테이지 본체(41)는, 배치면(411)보다 낮은 단차면(412)을 배치면(411)의 외측에 갖는다. 단차면(412)은, 스테이지 본체(41)의 외연 전체 둘레를 둘러싸고 있고, 후기의 프레임 부재(50)를 지지한다. 또한, 스테이지 본체(41)는, 배치면(411)과 단차면(412) 사이에, 연직 방향으로 대략 평행한 측둘레면(413)을 갖는다. The stage
스테이지 본체(41)는, 알루미늄이나 알루미늄 합금 등에 의해 형성되고, 저항체인 히터선(45)을 내부에 구비한다. 히터선(45)은, 배치면(411) 전체를 균일하게 승온시키도록 배선되어 있다. 또한, 히터선(45)은, 단차면(412)의 하측 위치에도 설치되어, 단차면(412)의 온도를 배치면(411)의 온도와 동일하게 하는 구성인 것이 바람직하다. 히터선(45)은, 텅스텐, 몰리브덴, 니켈이나 크롬, 혹은 이들 금속의 어느 1종과 알루미나 또는 티탄 등과의 화합물로 형성된다. The stage
히터선(45)은, 히터 구동부(46)에 접속되고, 히터 구동부(46)의 전력 공급에 기초하여 승온한다. 히터 구동부(46)는, 기판 처리 장치(1)의 제어부(70)에 접속되고, 제어부(70)의 온도 지령에 따른 전력을 출력한다. 예컨대, 기판 처리 장치(1)는, 기판 처리(성막 처리)를 행할 때에, 스테이지(40)의 배치면(411)을 300℃ 정도로 가열하여 그 온도 상태를 유지한다. 이 스테이지 본체(41)에 의해, 배치면(411)에 배치된 기판(W)도 300℃로 가열된다. 또, 기판 처리 장치(1)는, 히터선(45) 대신에, 사행한 유로(도시하지 않음)를 스테이지 본체(41)의 내부에 구비하고, 온도 조절 매체를 유로에 유통시키는 것에 의해, 가열 및 냉각을 포함하는 온도 조절을 행해도 좋다. The
스테이지 본체(41)에는 열전대 등의 온도 센서(47)가 설치되어 있고, 온도 센서(47)는 스테이지 본체(41)의 측정 온도를 제어부(70)에 수시로 송신한다. 제어부(70)는, 송신된 측정 온도에 기초하여 스테이지 본체(41)의 온도를 목표 온도로 조정한다. The
절연 부재(42)는, 절연 재료에 의해 형성되고, 하부 챔버(14)의 바닥벽(33)의 복수 개소에 설치된다. 절연 부재(42)는, 바닥벽(33)에 대하여 스테이지 본체(41)를 약간 띄운 상태로 스테이지 본체(41)를 고정 및 지지하고 있다. The insulating
그리고, 기판 처리 장치(1)는, 스테이지(40)의 주위에, 스테이지(40)에 접촉 가능하고 또한 상대 이동 가능한 부품인 프레임 부재(50)와, 스테이지(40)에 대하여 프레임 부재(50)를 연직 방향(높이 방향)에 승강시키는 프레임 부재 승강부(60)와, 를 구비한다. 도 2는, 기판 처리 장치(1)의 스테이지(40)와 프레임 부재(50)를 도시하는 도이며, (a)는 사시도이며, (b)는 스테이지(40)의 단차면(412)에 프레임 부재(50)가 접촉한 상태를 도시하는 단면도이다. Then, the
도 2에 도시하는 바와 같이, 프레임 부재(50)는, 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)의 상측을 비접촉으로 덮는 것에 의해, 프리커서에 의한 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)의 성막, 기판(W)의 이면에 프리커서가 돌아 들어가는 것 등을 방지하는 부품이다. 프레임 부재(50)는 섀도우 링이라고도 불린다. 프레임 부재(50)는, 평면시에서, 스테이지(40)의 단차면(412)에 중복되는 장방형상으로 형성되어 있다. 또, 프레임 부재(50)는, 기판(W)의 외형에 따라서 적절한 형상으로 형성되면 되고, 정방형, 원형 등이어도 좋다. As shown in FIG. 2 , the
프레임 부재(50)는, 알루미늄이나 그 합금, 알루미나 등의 세라믹스, 유리 등의 재료를 적용하는 것이 바람직하고, 그 중에서도, 가급적 경량이며, 탄성(가요성)과 강성을 갖춘 알루미늄 혹은 그 합금에 의해 형성되는 것이 좋다. 알루미늄 혹은 그 합금인 경우, 프레임 부재(50)는, 부식 대책이나 플라즈마 내성의 향상을 위해 알루마이트 처리되거나, 또는 이트리아 등의 용사막을 갖는 것이 바람직하다. For the
프레임 부재(50)는, 프레임의 외측을 둘러싸는 외주부(51)와, 외주부(51)의 내측면(512)의 상부로부터 내측으로 돌출된 차양부(52)를 갖는다. 또한, 프레임 부재(50)는, 긴 변과 짧은 변이 교차하는 모서리부의 차양부(52) 상면에, 상기 차양부(52)끼리의 연결을 보강하는 보강부(53)를 구비한다. 본 실시형태에 있어서, 외주부(51)와 차양부(52)는 동일한 재료에 의해 일체 성형되어 있다. 또, 외주부(51)와 차양부(52)는, 별개의 재료에 의해 형성되어도 좋고, 또한 프레임 부재(50)는, 보강부(53)를 구비하지 않는 구성이어도 좋다. The
도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이, 외주부(51)는, 프레임 부재 승강부(60)에 의해 도 1의 상태로부터 하방향으로 이동했을 때에, 스테이지 본체(41)의 단차면(412)에 접촉하여, 상기 단차면(412)에 지지된다. 단차면(412)에 의한 외주부(51)의 지지 상태로, 차양부(52)는, 배치면(411)에 배치된 기판(W)보다 상방향으로 이격된 위치(기판(W)에 대하여 비접촉)에 배치된다. 차양부(52)는, 연직 방향을 따라서 기판(W)의 외주측 전체 둘레에 걸쳐 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)에 중복됨으로써 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)의 성막을 차단한다. As shown in (b) of FIG. 2 , when the outer
외주부(51)의 두께 T1은, 스테이지 본체(41)의 배치면(411)과 단차면(412)의 간격(D)보다 두껍다. 본체부의 두께 T1은, 프레임 부재(50)(기판(W))의 사이즈에 따라 달라지지만, 예컨대, 프레임 부재(50)의 긴 변이 3000 mm 이상인 경우는, 20 mm 이상으로 설정되는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 프레임 부재(50)의 강성이 높아지고, 프레임 부재 승강부(60)에 의해 프레임 부재(50)를 직선적으로 지지하는 것이 가능해진다. The thickness T1 of the outer
외주부(51)의 하면(511)은, 단차면(412)에 대하여 면접촉하기 위해, 평탄형으로 형성되어 있다. 외주부(51)의 내측면(512)은, 단차면(412)의 지지 상태로, 배치면(411)과 단차면(412) 사이의 측둘레면(413)에 대하여 비접촉으로 대향한다. 반대로, 외주부(51)의 외측면(513)은, 단차면(412)의 지지 상태로, 단차면(412)보다 수평 방향 외측으로 돌출되어 있다. 프레임 부재 승강부(60)는, 이 외주부(51)의 돌출 부분의 하면(511)을 지지한다. 또한, 외주부(51)의 상면(514)은, 수평 방향을 따라서 평탄형으로 형성되고, 내측면(512)과의 경계에서 차양부(52)의 상면에 매끄럽게 연속해 있다. The
차양부(52)는, 외주부(51)의 두께 T1에 대하여 충분히 얇게 형성되고, 외주부(51)로부터 프레임 부재(50)의 내측을 향해 짧게 돌출되어 있다. 외주부(51)의 두께 T1에 대한 차양부(52)의 두께 T2(외주부(51)에 이어지는 근본 부분의 두께)의 비는, 예컨대 1/10∼1/3 정도의 범위인 것이 좋다. 또한, 외주부(51)에 대한 차양부(52)의 돌출량은, 배치면(411)과 외주부(51)의 상대 거리에 따라서도 달라지지만, 예컨대, 20 mm∼50 mm 정도의 범위로 설정되는 것이 바람직하다. The
차양부(52)의 상면(521)의 내연(523)측은, 프레임 부재(50)가 단차면(412)에 배치되었을 때에 수평 방향 내측을 향해 서서히 하측으로 경사진 경사면으로 되어 있다. 한편, 차양부(52)의 하면(522)은, 프레임 부재(50)가 단차면(412)에 배치되었을 때에 외주부(51)의 내측면(512)으로부터 수평 방향을 따르는 평탄형으로 형성되어, 내연(523)에 이르고 있다. 차양부(52)의 하면(522)은, 단차면(412)에 의한 외주부(51)의 지지 상태로, 배치면(411)에 대하여, 기판(W)의 두께에 소정의 여유 높이분을 더한 클리어런스(C)로 이격되어 있다. 클리어런스(C)는, 예컨대, 0.3 mm∼5 mm 정도로 설정되는 것이 좋다. 이와 같이, 프레임 부재(50)는, 클리어런스(C)를 갖고(비접촉으로) 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)를 차양부(52)로 덮는 것에 의해, 기판(W)에 대한 차양부(52)의 간섭을 회피하면서, 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)로 프리커서가 향하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. The
도 1로 되돌아가, 프레임 부재 승강부(60)는, 프레임 부재(50)의 외주부(51)의 하면을 지지하는 단위 승강 기구(61)를 복수 구비하고, 제어부(70)의 제어하에, 각 단위 승강 기구(61)를 서로 연동하여 동작시킨다. 이것에 의해, 프레임 부재 승강부(60)는, 프레임 부재(50)를 수평 방향으로 지지한 상태로, 상기 프레임 부재(50)를 연직 방향(높이 방향)으로 승강시킨다. 예컨대, 프레임 부재 승강부(60)는, 프레임 부재(50)의 한쪽의 긴 변에 있어서 소정 간격을 둔 2개소와, 프레임 부재(50)의 다른쪽의 긴 변에 있어서 소정 간격을 둔 2개소를 지지하기 위해, 합계 4개의 단위 승강 기구(61)를 갖는다. Returning to FIG. 1 , the frame
각 단위 승강 기구(61)는, 프레임 부재(50)에 이탈 가능하게 접촉하는 지주(62)(가동부)와, 지주(62)의 승강을 가이드하는 가이드통(63)과, 지주(62)를 승강시키는 기구 본체(64)를 갖는다. Each
지주(62)는, 프레임 부재(50)의 외주부(51)의 하면에 대하여 접촉하는 지지반(65)을 상단에 갖는다. 지지반(65)은, 프레임 부재(50)에 접촉하는 상면이 평탄형으로 형성된 원반형을 나타내고 있다. 지지반(65)은, 기구 본체(64)에 의해, 배치면(411)보다 높고, 샤워 헤드(21)에 근접한 상한 위치(반입 반출 대기 위치)와, 단차면(412)보다 낮고, 바닥벽(33)에 근접한 하한 위치(기준 위치)의 사이를 승강한다. 지지반(65)은, 단차면(412)보다 높은 위치를 변위할 때, 프레임 부재(50)의 외주부(51)를 지지하는 한편, 단차면(412)보다 낮은 위치를 변위할 때에, 단차면(412)에 지지된 프레임 부재(50)로부터 이격된다. 가이드통(63)은, 바닥벽(33)에 형성된 개공(33b)에 고정되고, 축심측의 내벽에 있어서 지주(62)의 승강을 가이드한다. The
기구 본체(64)는, 지주(62)를 승강 가능한 여러가지 기구(실린더 기구, 볼나사 기구, 모터와 랙에 의한 기구 등)를 적용할 수 있다. 예컨대, 기구 본체(64)로서 실린더 기구를 적용한 경우는, 유압 실린더나 에어 실린더에 의해 로드인 지주(62)를 슬라이드시킨다. 기구 본체(64)로서 볼나사 기구를 적용한 경우는, 모터의 구동에 의해 볼나사를 회전시키고, 볼나사에 설치된 너트에 연결된 지주(62)를 슬라이드시킨다. 기구 본체(64)로서 모터와 랙에 의한 기구를 적용한 경우는, 모터의 구동에 의해 랙으로 이루어진 지주(62)를 슬라이드시킨다. For the mechanism
프레임 부재 승강부(60)는, 각 기구 본체(64)와 배전 구동부(66)를 전기적으로 접속하고 있다. 배전 구동부(66)는, 제어부(70)로부터의 지령 신호에 따른 전력 펄스를 각 기구 본체(64)에 공급함으로써, 각 기구 본체(64)를 동작(연동)시킨다. 또한, 배전 구동부(66)는, 각 기구 본체(64)에 공급하는 전력 펄스를 감시함으로써, 프레임 부재(50)(각 지지반(65))의 높이 위치를 인식하고, 인식 결과에 기초하여 프레임 부재(50)를 목표 위치로 이동시킨다. The frame
기판 처리 장치(1)의 제어부(70)는, 1 이상의 프로세서(71), 메모리(72), 도시하지 않은 입출력 인터페이스 및 전자 회로를 갖는 제어용 컴퓨터이다. 또한, 제어부(70)는, 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나 마우스 등의 입력 장치, 기판 처리 장치(1)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등의 표시 장치, 및 프린터 등의 출력 장치와 같은 사용자 인터페이스를 갖고 있다(모두 도시하지 않음). The
제어부(70)는, 기판 처리 장치(1)의 각 구성부(예컨대, 고주파 전원(32), 가스 공급부(23), 배기부(34), 리프트핀 승강 기구(44), 히터 구동부(46), 프레임 부재 승강부(60) 등)의 동작을 제어하여 기판 처리를 행한다. 1 이상의 프로세서(71)는, CPU, ASIC, FPGA, 복수의 디스크리트 반도체로 이루어진 회로 등 중 하나 또는 복수를 조합한 것이다. 메모리(72)는, 불휘발성 메모리 및 휘발성 메모리를 포함하며, 제어부(70)의 기억부를 형성하고 있다. 또, 메모리(72)의 일부는, 1 이상의 프로세서(71)에 내장되어 있어도 좋다. The
프로세서(71)는, 메모리(72)에 저장된 프로그램 및 레시피(프로세스 레시피)에 따라서 미리 설정된 처리를 실행한다. 레시피에는, 프로세스 조건에 대한 기판 처리 장치(1)의 제어 내용이 설정되어 있다. 제어 내용에는, 예컨대, 가스 유량이나 처리 용기(10) 내의 압력, 처리 용기(10) 내의 온도나 스테이지 본체(41)의 온도, 프로세스 시간 등이 포함된다. 또, 레시피 등은, CD-ROM, DVD, 메모리카드 등의 컴퓨터에 의한 판독이 가능한 기억 매체에 수용된 상태로 제어부(70)에 셋팅되고, 독출되는 형태이어도 좋다.
도 3은, 예열 위치(HP)에 프레임 부재(50)를 배치한 상태를 도시하는 단면도이다. 이하, 도 2 및 도 3을 참조하여, 스테이지(40)의 열에 의한 프레임 부재(50)의 영향에 관해 설명한다. 3 is a cross-sectional view showing a state in which the
기판 처리 장치(1)의 부품인 프레임 부재(50)는, 스테이지(40)로부터의 열의 영향을 받는다. 예컨대, 히터선(45)에 의해 스테이지 본체(41)가 가열되는 한편, 스테이지 본체(41)와 상대적으로 프레임 부재(50)의 온도가 낮은 상태인 경우, 프레임 부재(50)(외주부(51) 및 차양부(52))는, 스테이지(40)로부터 열의 영향을 받아 수평 방향 외측으로 신장하도록 변형된다. 이것에 의해, 스테이지 본체(41)와 상대적으로 온도가 낮고, 온도차가 큰 프레임 부재(50)에 의해 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)를 차폐한 차폐 영역과, 스테이지 본체와의 온도차가 없는 프레임 부재(50)에 의해 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)를 차폐한 차폐 영역에서는, 차폐 영역이 불균일해진다. 가령, 스테이지(40) 상에서 프레임 부재(50)의 온도 변화에 의해 변형이 생기면, 차폐 영역의 변화에 의해, 성막이 불균일해지는 등 기판 처리의 정밀도가 저하하게 된다. The
또한 가령, 스테이지(40)에 프레임 부재(50)를 접촉한 상태로 프레임 부재(50)가 변형되면, 스테이지(40)와 프레임 부재(50)의 재질의 차이에 따라서는 스테이지(40)와 프레임 부재(50)의 사이에 마찰이 생긴다. 이 마찰에 의해, 스테이지(40) 또는 프레임 부재(50)에 손상이나 요철 등이 생기면, 기판(W)에 대한 차양부(52)의 상대 위치(예컨대, 클리어런스(C))가 변화하여 기판 처리에 영향을 미칠 가능성이 있다. 또한 경우에 따라서는, 차양부(52)가 기판(W)에 접촉하는 요인도 된다. 프레임 부재(50)측에 히터를 배치하는 것도 고려되지만, 프레임 부재(50)가 스테이지(40)에 접촉하고, 지지반(65)이 단차면(412)보다 낮은 위치를 변위할 때에, 지지반(65)은 프레임 부재(50)로부터 이격되는 구조이므로, 프레임 부재(50)측에 히터를 부착하기 어려운 구조이다. In addition, for example, if the
따라서, 본 실시형태에 관한 제어부(70)는, 기판 처리 장치(1)의 성막전에, 스테이지(40)에 대하여 프레임 부재(50)를 비접촉으로 또한 근접한 예열 위치(HP)에 위치 결정하여, 스테이지(40)의 방사열에 의해 프레임 부재(50)를 예열하는 예열 처리 방법을 실시한다. 예열된 프레임 부재(50)는, 스테이지(40)에 접촉하기 전에, 수평 방향 외측으로의 변형이 재촉됨으로써, 스테이지(40)와의 접촉후의 변형이 회피된다. Therefore, the
이하, 이 예열 처리 방법을 실시하는 제어부(70)의 기능부에 관해, 도 4를 참조하여 설명해 간다. 도 4는, 예열 처리 방법을 실시하는 제어부(70)의 기능 블록을 도시하는 블록도이다. Hereinafter, functional units of the
제어부(70)는, 스테이지 온도 조절부(80), 이니셜 제어부(81), 예열 조건 판정부(82), 예열 실행부(83), 예열 무효 감시부(84), 인터록부(85), 기판 처리 판정부(86) 및 기판 처리 제어부(87)를 갖는다. The
스테이지 온도 조절부(80)는, 사용자나 레시피에 있어서 설정된 스테이지(40)의 목표 온도에 기초하여, 스테이지(40)의 온도 조정을 행한다. 이 때, 스테이지 온도 조절부(80)는, 온도 센서(47)로부터 취득한 측정 온도에 기초하여, 스테이지(40)의 온도를 목표 온도에 맞추도록 히터 구동부(46)의 전력 공급을 조정한다. The
이니셜 제어부(81)는, 기판 처리 장치(1)의 기판 처리전의 각 구성의 이니셜 동작을 행하는 기능부이다. 이니셜 제어부(81)는, 프레임 부재(50) 및 프레임 부재 승강부(60)의 이니셜 동작에 있어서, 각 단위 승강 기구(61)의 기구 본체(64)를 구동시켜 하한 위치(기준 위치)에 지주(62)를 하강시키고, 기준 위치에 대한 지지반(65)의 높이 위치를 맞춘다(제로점 교정한다). The
또, 하한 위치에 지주(62)가 도달한 제로점 교정후, 이니셜 제어부(81)는, 프레임 부재(50)를 즉시 상승시키는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 프레임 부재 승강부(60)의 이니셜 동작시에는, 프레임 부재 승강부(60)의 하강에 따라 프레임 부재(50)가 단차면(412)에 접촉하지만, 이 이니셜 동작의 실시 시간은 매우 작아진다. 예컨대 접촉후부터 3초 정도후에, 이니셜 제어부(81)는, 프레임 부재 승강부(60)를 동작시켜 지주(62)를 상승시킴으로써, 프레임 부재(50)를 단차면(412)으로부터 부상시킨다. 이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 이니셜 제어시에 있어서, 스테이지 본체(41)와, 이 스테이지 본체(41)와 온도차가 있는 프레임 부재(50)가 접촉하고 있는 동안에, 프레임 부재(50)의 변형을 억제할 수 있다. Further, it is preferable that the
이니셜 제어부(81)는, 제로점 교정후에 다른 구성이 이니셜 동작을 실행하고 있는 한가운데는, 프레임 부재(50)를 단차면(412)에 접촉시키지 않으면, 프레임 부재(50)를 어떤 높이 위치에 배치하고 있어도 좋다. 혹은, 이니셜 제어부(81)는, 다른 구성의 이니셜 동작시간에, 예열 위치(HP)(도 3 참조)에 프레임 부재(50)를 배치하여 대기시켜도 좋다. 이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 예열 처리의 시간을 단축화할 수 있다. 또, 제어부(70)는, 이니셜 동작의 마지막에 제로점 교정을 행함으로써, 제로점 교정후에 예열 실행부(83)의 동작(프레임 부재(50)의 예열)으로 즉시 이행해도 좋다. The
예열 조건 판정부(82)는, 프레임 부재(50)의 예열을 행하는지 아닌지를 판정한다. 예컨대, 제어부(70)는, 프레임 부재(50)의 예열 처리 방법을 실시하기 위한 프레임 부재 화면 정보(90)를 제어부(70)의 표시 장치에 출력하고, 사용자의 수동 조작에 기초하여 프레임 부재(50)의 예열을 실시한다. The preheating
도 5는, 표시 장치에 표시되는 프레임 부재 화면 정보(90)를 예시하는 도면이다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 프레임 부재 화면 정보(90)는, 기판 처리시의 프레임 부재(50)의 동작 설정의 버튼(91)과, 반입 반출 대기 위치를 설정하기 위한 버튼(92)과, 프레임 부재(50)의 각종 위치를 지정하기 위한 버튼(93)과, 예열을 수동으로 실시하기 위한 버튼(94)을 갖는다. 제어부(70)는, 프레임 부재(50)의 위치를 지정하기 위한 버튼(93)이 조작되면, 예열 위치(HP) 등의 설정 화면 정보(도시하지 않음)를 표시한다. 또한, 예열을 수동으로 실시하기 위한 버튼(94)이 조작되면, 제어부(70)는, 후기의 예열 실행부(83)의 제어하에 프레임 부재(50)의 예열을 행한다. 5 is a diagram illustrating frame
도 4로 되돌아가, 예열 조건 판정부(82)는, 프레임 부재(50)의 예열을 행할 때의 복수의 예열 조건을 미리 보유하고 있고, 복수의 예열 조건의 어느 것이 성립한 경우에 프레임 부재(50)의 예열을 자동적으로 실시하고, 복수의 예열 조건 모두가 성립하지 않는 경우에 프레임 부재(50)의 예열을 실시하지 않는다. 예컨대, 복수의 예열 조건으로는 이하의 [a]∼[c]를 들 수 있다. Returning to FIG. 4 , the preheating
[a] 기판 처리 장치(1)의 동작 개시시(기동시) 또는 동작 재개시에 따라 이니셜 동작을 실시했다. [a] The initial operation was performed at the time of starting the operation of the substrate processing apparatus 1 (at the time of startup) or at the time of restarting the operation.
[b] 사용자 조작, 기판 처리 장치(1)의 동작 또는 이상 발생 등의 이벤트에 기초하여, 스테이지(40)의 온도가 변경되었다. [b] The temperature of the
[c] 프레임 부재(50)의 예열 무효를 인식했다(스테이터스 레지스터의 예열 무효 플래그(F2)가 1이 되었다). [c] The preheating invalidity of the
또한, 예열 실행부(83)는, 단차면(412)에 대하여 프레임 부재(50)를 상대 이동시켜, 설정된 예열 위치(HP)에 프레임 부재(50)를 위치 결정한다(도 3도 참조). 예열 위치(HP)는, 프레임 부재(50)가 변형되더라도 스테이지(40)에 간섭하지 않는 위치이며, 또한 프레임 부재(50)가 스테이지(40)의 방사열을 양호하게 받는 것이 가능한 위치이다. 스테이지 본체(41)의 단차면(412)에 대한 예열 위치(HP)의 이격 거리(X)는, 배치면(411)과 단차면(412)의 간격(D)보다 짧다. 예열 위치(HP)의 실제 이격 거리(X)는, 실험이나 시뮬레이션 등에 의해 미리 설정되는 것이 바람직하고, 예컨대, 0.3 mm∼3 mm 정도의 범위로 설정되는 것이 바람직하다. 혹은 상기와 같이, 예열 위치(HP)의 이격 거리(X)는, 설정 화면 정보를 통해 사용자에 의해 설정되어도 좋다. Further, the preheating
예열 실행부(83)는, 스테이지(40)의 온도에 따라 예열 위치(HP)를 자동적으로 변화시키는 구성으로 할 수도 있다. 예컨대, 예열 실행부(83)는, 스테이지(40)의 온도와 예열 위치(HP)를 대응시킨 맵 정보(도시하지 않음)를 보유하고, 온도 센서(47)가 측정한 스테이지(40)의 온도와 맵 정보를 참조하여 예열 위치(HP)를 설정한다. 즉, 스테이지(40)의 온도가 높은 경우에는, 단차면(412)에 대하여 제1 거리만큼 이격된 예열 위치(HP)로 하는 한편, 스테이지(40)의 온도가 낮은 경우에는, 단차면(412)에 대하여 제1 거리보다 짧은 제2 거리만큼 이격된 예열 위치(HP)로 변화시킨다. The preheating
예열 실행부(83)는, 예열 조건 판정부(82)에 의한 예열 조건의 성립(예컨대, 이니셜 동작 종료의 정보)을 수신하는 것에 의해 자동적으로 동작을 시작하여, 프레임 부재 승강부(60)를 동작시켜 프레임 부재(50)를 예열 위치(HP)에 배치한다. 이 때, 제어부(70)는, 프레임 부재 승강부(60)의 동작 상태를 취득함으로써, 프레임 부재(50)의 현재의 높이 위치를 모니터링하고 있다. 그리고, 제어부(70)는, 도 5에 도시하는 프레임 부재 화면 정보(90)에서의 위치 정보 영역(95)에, 지지반(65)의 위치 및 단차면(412)에 대한 프레임 부재(50)의 위치를 표시한다. 또 도 5 중에서, 위치 정보 영역(95)의 축위치란(951)은, 기준 위치에 대한 지지반(65)의 상대 거리이며, 위치 정보 영역(95)의 프레임 부재 위치란(952)은, 단차면(412)에 대한 프레임 부재(50)의 상대 거리이다. The preheating
프레임 부재(50)를 예열 위치(HP)에 배치한 후에, 예열 실행부(83)는, 프레임 부재(50)를 충분히 승온할 수 있는 예열 완료 시간에 도달할 때까지, 예열 위치(HP)에 프레임 부재(50)를 대기시킨다. 예열 완료 시간은, 스테이지(40)의 온도나 예열 위치(HP)에 따라서도 달라지지만, 예컨대 3초∼60초 정도로 설정되는 것이 바람직하다. 예열 완료 시간은, 스테이지(40)의 온도나 예열 위치(HP)에 따라서 자동적으로 변경되어도 좋다. 예컨대, 예열 실행부(83)는, 스테이지(40)의 온도와 예열 위치(HP)를 예열 완료 시간으로 관련지은 맵 정보(도시하지 않음)를 보유하고, 맵 정보를 참조하여 예열 완료 시간을 설정하고, 예열 완료 시간까지의 계시를 행한다. After the
또한, 예열 실행부(83)는, 프레임 부재(50)의 예열중에, 프레임 부재(50)의 상태 정보를 나타내는 스테이터스 레지스터의 예열 미완료 플래그(F1)를 기동시키는(예열 미완료 플래그(F1)를 0으로부터 1로 한다) 한편, 프레임 부재(50)의 예열 완료후에, 예열 미완료 플래그(F1)를 1로부터 0으로 한다. 또한 예열중에, 예열 실행부(83)는, 예열 상태(경과 시간)를 모니터링하여, 예컨대, 도 5에 도시하는 프레임 부재 화면 정보(90)에서의 예열 정보 영역(96)에 경과 시간을 표시한다. 예열 정보 영역(96)은, 실행중(예열 미완료), 예열 완료, 예열 미실행 등의 현재의 스테이터스를 표시하는 상태란(961), 프레임 부재(50)의 예열의 경과 시간을 나타내는 예열 시간란(962), 프레임 부재(50)의 온도 저하의 경과 시간을 나타내는 냉각 시간란(963) 등을 포함한다. In addition, during preheating of the
또, 기판 처리 장치(1)는, 프레임 부재(50)의 온도를 검출하는 검출부(도시하지 않음)를 구비하고, 검출부의 검출 온도에 기초하여 프레임 부재(50)의 예열의 실시 판정, 종료 판정 등을 행해도 좋다. 또한, 제어부(70)는, 기판 처리 장치(1)의 동작시(생산 운용중)에, 스테이지(40)로의 기판(W)의 반송이 이루어지지 않은 경우에, 예열 위치(HP)에 배치한 프레임 부재(50)에 관해서는 예열 완료 시간이 지나더라도 예열 위치(HP)에 대기시킨 채로 하는 것이 바람직하다. 즉, 예열 미완료 플래그(F1)가 0이라도 예열 위치(HP)에 프레임 부재(50)를 배치해 둔다. 이것에 의해, 예열이 완료한 후에, 프레임 부재(50)의 온도가 부주의하게 내려가는 것을 억제할 수 있다. In addition, the
예열 무효 감시부(84)는, 기판 처리 장치(1)의 동작시에, 일단 예열한 프레임 부재(50)의 온도가 저하된 상태가 되는 예열 무효를 감시한다. 예열 무효 감시부(84)는, 예컨대, 배전 구동부(66) 등으로부터 프레임 부재(50)의 높이 위치(연직 방향 위치)를 취득하고, 스테이지(40)에 대하여 예열 위치(HP)보다 높고 프레임 부재(50)의 온도 저하가 생기는 위치(예컨대, 반입 반출 대기 위치 등)에 프레임 부재(50)가 위치하고 있는 시간을 계측한다. The preheating
도 6은, 예열 무효를 감시할 때의 위치 정보 영역 및 예열 정보를 예시하는 도면이다. 도 6에 도시하는 위치 정보 영역(95)에서는, 프레임 부재 위치란(952)의 프레임 부재 위치란(952)이 큰 값이 되어 있고, 프레임 부재(50)의 온도 저하가 생기는 위치인 것을 나타내고 있다. 또한, 도 6에 도시하는 예열 정보 영역(96)의 냉각 시간란(963)에서는, 예열 무효의 시간을 계측하고 있는 것을 나타내고 있다. 6 is a diagram illustrating a location information area and preheating information when preheating invalidity is monitored. In the
예열 무효 감시부(84)는, 미리 설정되어 있는 예열 무효 시간보다 경과 시간이 길어진 것을 인식하면, 프레임 부재(50)의 온도가 저하되었다, 즉 프레임 부재(50)의 예열이 무효가 되었다고 판정한다. 예열 무효 시간은, 처리 공간(14a) 내의 온도(스테이지(40)의 온도)에 따라서도 달라지지만, 예컨대 3분 이상의 값으로 설정된다. 또, 예열 무효 시간은, 처리 용기(10) 내 또는 스테이지(40)의 온도에 따라서 자동적으로 변경해도 좋다. 예열 무효 감시부(84)는, 프레임 부재(50)의 예열이 무효가 되었다고 판정한 경우에, 예열 무효 플래그(F2)를 기동시킨다(예열 무효 플래그(F2)를 0으로부터 1로 한다). When the preheating
제어부(70)는, 예열 무효 플래그(F2)를 1로 한 경우에, 예열 정보 영역(96)의 상태란(961)에 있어서, 예열 완료의 스테이터스 표시를, 예열 미실행의 스테이터스 표시로 전환한다. 그리고, 제어부(70)는, 예열 실행부(83)를 다시 동작시킴으로써 프레임 부재(50)의 재예열을 행한다. 예컨대, 제어부(70)는, 기판(W)의 반입 반출을 실시하지 않은 타이밍에, 예열 실행부(83)의 제어하에, 프레임 부재 승강부(60)를 동작시켜 프레임 부재(50)를 예열 위치(HP)에 배치한다. 그리고, 예열 무효 감시부(84)는, 예열 실행부(83)가 예열을 시작하면, 예열 무효 플래그(F2)를 1로부터 0으로 한다. 한편, 예열 실행부(83)는 예열 미완료 플래그(F1)를 0으로부터 1로 한다. When the preheating invalid flag F2 is set to 1, the
도 4로 되돌아가, 제어부(70)의 인터록부(85)는, 예열 미완료 플래그(F1) 또는 예열 무효 플래그(F2)가 1이 되어 있는 경우(예열 미완료, 예열 무효 등)에, 예열시 인터록을 실시한다. 예컨대, 예열시 인터록에 있어서, 인터록부(85)는, 이니셜 동작 이외에, 프레임 부재(50)가 스테이지(40)의 단차면(412)에 접촉하는 것을 금지한다. 일례로서, 인터록부(85)는, 소프트웨어 상에서 예열 실행부(83)이외의 기능부의 동작을 정지하는 것에 의해, 단차면(412)에 대한 프레임 부재(50)의 접촉을 금지한다. 혹은, 인터록부(85)는, 개재 부재 등을 프레임 부재(50)에 접촉시켜 단차면(412)에 대한 프레임 부재(50)의 접촉을 기계적으로 차단해도 좋다. Returning to FIG. 4 , the
또한, 인터록부(85)는, 예열 미완료 플래그(F1) 또는 예열 무효 플래그(F2)가 1이 되어 있는 경우에, 기판 처리(레시피의 실행)를 금지한다. 예컨대, 기판 처리의 금지에 있어서, 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)의 반입의 금지, 처리 용기(10) 내로의 가스의 공급 금지, 고주파 전원(32)의 조작 금지 등을 행한다. Further, the
또한, 인터록부(85)는, 스테이지(40)에 프레임 부재(50)를 접촉시키고 있는 상태에서, 스테이지(40)의 온도 변경을 금지하는 접촉시 인터록을 행하는 것이 좋다. 스테이지의 온도 변경이란, 히터선(45)의 가열을 정지하는 것, 처리 용기(10) 내를 진공으로 하는 것 등을 들 수 있다. 이것에 의해, 스테이지(40)의 단차면(412)으로부터 프레임 부재(50)에 받는 온도 변화에 의해, 프레임 부재(50)가 단차면(412)에 접촉한 채로 변형되는 것을 회피할 수 있다. In addition, it is preferable that the
또, 제어부(70)는, 스테이지(40)의 온도 변경이 필요한 경우에, 단차면(412)으로부터 프레임 부재(50)를 부상시키는 밀어내기 동작을 행하고, 그 후에 스테이지(40)의 온도 변경을 실시해도 좋다. 이 밀어내기 동작에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 스테이지(40)와 프레임 부재(50)의 마찰을 확실하게 회피하면서, 스테이지(40)의 온도 변경을 원활하게 행할 수 있다. In addition, when the temperature of the
제어부(70)의 기판 처리 판정부(86)는, 기판 처리의 실시 조건의 성립 또는 비성립을 판정하여, 기판 처리의 실시를 판정한다. 예컨대, 기판 처리 판정부(86)는, 인터록부(85)가 인터록을 행하지 않은(예열 미완료 플래그(F1)가 0 및 예열 무효 플래그(F2)가 0인) 것을, 기판 처리의 실시 조건으로 한다. 또한, 다른 기판 처리의 실시 조건으로는, 레시피 상에서 기판 처리가 실시로 되어 있는 것, 반송 장치가 반송하는 기판(W)이 준비되어 있는 것, 이상 등의 이벤트가 발생하지 않은 것 등을 들 수 있다. The substrate
제어부(70)의 기판 처리 제어부(87)는, 기판 처리 판정부(86)에 의해 실시 조건이 성립한 경우에, 기판 처리 장치(1)의 각 구성을 제어하여 기판 처리를 실시한다. 구체적으로는, 기판 처리 제어부(87)는, 예열한 프레임 부재(50)를 상승시켜 반입 반출 대기 위치에 배치하고, 배치면(411)에 기판(W)을 반입한 후, 프레임 부재(50)를 하강시켜 스테이지(40)의 단차면(412)에 접촉시킨다. 그리고, 기판 처리 제어부(87)는, 처리 용기(10) 내를 미리 설정한 진공 분위기로 하고, 처리 공간(14a)에 가스를 공급하여 플라즈마화하는 것에 의해, 플라즈마 중의 프리커서를 기판(W)에 제공하는 실제의 기판 처리를 행한다. 이 기판 처리에는, CVD법을 이용한 성막 처리나 에칭 처리 등이 포함된다. The substrate
일실시형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 기본적으로는 이상과 같이 형성되는 것이며, 이하 그 동작에 관해 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한다. 도 7은, 프레임 부재(50)의 예열 처리 방법을 도시하는 플로우차트이다. 도 8은, 기판 처리 루틴을 도시하는 플로우차트이다. The
기판 처리 장치(1)는, 동작시(예컨대, 기동시 또는 운전중)에, 프레임 부재(50)를 예열하는 예열 처리 방법을 실시한다. 예열 처리 방법의 실시에 있어서, 제어부(70)의 스테이지 온도 조절부(80)는, 사용자나 레시피에 있어서 설정된 스테이지(40)의 목표 온도가 되도록, 히터 구동부(46)를 제어하여 스테이지(40)의 온도를 조정한다(단계 S1). The
또한, 제어부(70)의 이니셜 제어부(81)는, 기판 처리 장치(1)의 각 구성의 이니셜 동작을 제어한다(단계 S2). 프레임 부재 승강부(60)의 이니셜 동작에 있어서, 이니셜 제어부(81)는, 각 단위 승강 기구(61)의 지주(62)를 하한 위치까지 하강시키는 것에 의해, 지지반(65)의 제로 위치를 맞춘다. 또, 기판 처리 장치(1)는, 이니셜 동작의 제어(단계 S2)와, 스테이지(40)의 온도의 조정(단계 S1)을 동일한 타이밍에 행해도 좋다. Further, the
그리고, 제어부(70)의 예열 조건 판정부(82)는, 프레임 부재(50)의 예열을 행하는 상기 예열 조건을 확인하여, 예열 조건이 성립하는지 아닌지를 판정한다(단계 S3). 단계 S3에서, 예열 조건이 성립하지 않은 경우(단계 S3 : 아니오), 단계 S4∼S9를 뛰어넘어 단계 S10으로 진행하고, 프레임 부재(50)의 예열을 실시하지 않는다. Then, the preheating
단계 S3에서 예열 조건이 성립한 경우(단계 S3 : 예), 제어부(70)의 예열 실행부(83)는, 예열 미완료 플래그(F1)를 1로 한다(단계 S4). 인터록부(85)는, 예열 미완료 플래그(F1)가 1인 것을 인식하면, 예열시 인터록을 행한다. 인터록부(85)는, 예열시 인터록에 있어서, 상기와 같이 동작의 제한으로서, 스테이지(40)에 대한 프레임 부재(50)의 접촉을 금지하는 것, 기판(W)의 처리를 금지하는 것 등의 인터록을 행한다(단계 S5). When the preheating condition is met in step S3 (step S3: YES), the preheating
또한, 예열 실행부(83)는, 프레임 부재 승강부(60)의 동작을 제어하여, 스테이지(40)의 단차면(412)으로부터 이격된 예열 위치(HP)에 프레임 부재(50)를 배치한다(단계 S6). In addition, the preheating
그리고, 예열 실행부(83)는, 예열 위치(HP)에 프레임 부재(50)를 배치한 상태를 유지함으로써, 스테이지(40)의 방열을 프레임 부재(50)에 급열시킴으로써 프레임 부재(50)를 예열한다(단계 S7). Then, the preheating
이 단계 S7의 실시중에, 예열 실행부(83)는, 예열 위치(HP)에 프레임 부재(50)를 배치한 시점부터 계시를 행하여, 예열 위치(HP)에서의 대기 시간이 예열 완료 시간에 도달했는지 아닌지를 판정한다(단계 S8). 그리고, 대기 시간이 예열 완료 시간에 도달하지 않은 경우(단계 S8 : 아니오), 예열 실행부(83)는, 단계 S7로 되돌아 프레임 부재(50)의 예열을 계속한다. 한편, 대기 시간이 예열 완료 시간에 도달한 경우(단계 S8 : 예), 예열 실행부(83)는, 스테이지(40)와 프레임 부재(50)의 온도차가 없어졌다고 인식하고, 예열 미완료 플래그(F1)를 0으로 되돌려 예열을 완료한다(단계 S9). 이 예열 미완료 플래그(F1)가 0이 되는 것에 기초하여, 인터록부(85)는, 프레임 부재(50)가 단차면(412)에 접촉하는 동작 및 기판 처리의 인터록을 해제한다. During the implementation of this step S7, the preheating
예열 완료후, 제어부(70)의 기판 처리 판정부(86)는, 레시피, 반송 장치에 대한 기판(W)의 셋팅 상태, 트러블의 상태 등을 확인하여, 기판 처리로 이행하는지 아닌지를 판정한다(단계 S10). 기판 처리로 이행하지 않는 경우(단계 S10 : 아니오), 제어부(70)는, 예열 위치(HP)에서의 프레임 부재(50)의 대기를 계속하고(단계 S11), 단계 S10으로 되돌아간다. After completion of preheating, the substrate
한편, 기판 처리로 이행하는 경우(단계 S10 : 아니오), 제어부(70)의 기판 처리 제어부(87)는, 상기 기판 처리의 동작(기판 처리 루틴)을 행한다(단계 S12). On the other hand, in the case of shifting to substrate processing (step S10: No), the substrate
도 8에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 제어부(87)는, 기판 처리 루틴에 있어서, 우선 프레임 부재 승강부(60)의 동작을 제어하여 프레임 부재(50)를 반입 반출 대기 위치에 배치한다(단계 S21). 이 상태에서, 기판 처리 제어부(87)는, 반송 장치와 연동하여, 처리 용기(10) 내로의 기판(W)의 반입, 및 스테이지(40)의 배치면(411)으로의 기판(W)의 배치를 행한다(단계 S22). As shown in FIG. 8 , in the substrate processing routine, the substrate
그 후, 기판 처리 제어부(87)는, 프레임 부재 승강부(60)의 동작을 제어하여, 스테이지(40) 및 기판(W)에 대하여 프레임 부재(50)를 하강시키고, 프레임 부재(50)의 외주부(51)의 하면(511)을 스테이지(40)의 단차면(412)에 접촉시킨다(단계 S23). 이것에 의해, 프레임 부재(50)의 차양부(52)는, 기판(W)에 대하여 비접촉의 상태로, 기판(W)의 가장자리부의 상측을 덮는다. After that, the substrate
그 후, 기판 처리 제어부(87)는, 처리 용기(10) 내를 미리 설정한 진공 분위기로 하고, 처리 공간(14a)에 가스를 공급하여 플라즈마화하는 것에 의해, 플라즈마 중의 프리커서를 기판(W)에 제공하는 실제의 기판 처리를 행한다(단계 S24). Thereafter, the substrate
또한, 기판 처리 제어부(87)는, 기판 처리후에, 프레임 부재 승강부(60)를 동작하여 프레임 부재(50)를 반입 반출 대기 위치로 상승시키고(단계 S25), 처리한 기판(W)을 처리 용기(10)로부터 반출한다(단계 S26). 그리고, 기판 처리 판정부(86)는, 기판 처리를 더 계속할지 아닐지를 판정하여(단계 S27), 기판 처리의 완료를 판정하면(단계 S27 : 아니오), 처리 플로우를 종료한다. 한편, 기판 처리를 계속하는 경우(단계 S27 : 예), 기판 처리 판정부(86)는, 처리 용기(10) 내에 기판(W)을 반송 가능한지 아닌지에 관해 판정한다(단계 S28). 기판(W)이 반송 가능한 경우(단계 S28 : 예), 기판 처리 제어부(87)는, 프레임 부재(50)를 반입 반출 대기 위치에 배치한 채로, 단계 S22로 되돌아가, 상기 기판(W)의 반입으로부터 이하 동일한 동작을 반복한다. 배치면(411)에 대한 기판(W)의 반출 및 반입을 행하는 동작의 시간은, 프레임 부재(50)의 온도가 크게 저하될수록 긴 시간은 아니며(예열 무효 시간보다 짧은 시간이며), 예컨대 수십초∼2분 정도이다. Further, after the substrate processing, the substrate
한편, 기판(W)의 반송을 바로 할 수 없는 경우(단계 S28 : 아니오), 예열 무효 감시부(84)에 의해 계시를 행하여, 예열 무효 시간보다 계측 시간이 길어졌는지 아닌지를 판정한다(단계 S29). 예열 무효 시간보다 계측 시간이 짧은 경우(단계 S29 : 아니오), 단계 S28로 되돌아가, 기판(W)의 반송의 감시를 반복한다. 그리고, 예열 무효 시간보다 계측 시간이 길어진 경우(단계 S29 : 예), 예열 무효 감시부(84)는, 예열이 무효가 되었다고 판정하고, 예열 무효 플래그(F2)를 1로 한다(단계 S30). On the other hand, if the substrate W cannot be transported immediately (Step S28: No), the preheating
예열 무효 플래그(F2)가 1인 경우에, 단계 S3의 예열 조건이 성립하게 된다. 이 때문에, 제어부(70)의 예열 실행부(83)는, 단계 S4 이후의 처리 플로우를 다시 실시한다. 단계 S4로 되돌아간 경우에, 제어부(70)는 예열 무효 플래그를 0으로 하는 한편, 예열 미완료 플래그를 1로 한다. 또, 처리 용기(10) 내에 기판(W)의 반송이 불가능한 경우에, 제어부(70)는, 예열 무효 시간을 기다리지 않고, 프레임 부재(50)를 예열 위치(HP)로 이동시켜 대기시킴으로써 프레임 부재(50)의 예열을 행해도 좋다. 이것에 의해, 프레임 부재(50)의 온도 저하를 양호하게 억제할 수 있다. 그리고, 제어부(70)는, 기판(W)의 반송이 가능해진 경우에, 예열 위치(HP)의 프레임 부재(50)를 반입 반출 대기 위치로 다시 상승시킨다. When the preheating invalid flag F2 is 1, the preheating condition of step S3 is satisfied. For this reason, the preheating
이상과 같이, 부품의 예열 처리 방법 및 기판 처리 장치(1)는, 스테이지(40)에 대하여 접촉 가능하고 또한 상대 이동 가능한 부품인 프레임 부재(50)를 적절하게 예열하는 것이 가능해진다. 그리고, 부품의 예열 처리 방법 및 기판 처리 장치(1)는, 프레임 부재(50)의 예열에 의해, 온도 변화에 따르는 프레임 부재(50)의 변형을 먼저 재촉해 놓음으로써, 스테이지(40)에 프레임 부재(50)를 접촉시킨 상태로, 프레임 부재(50)를 변형시키지 않도록 할 수 있다. 이 때문에, 프레임 부재(50)는, 스테이지(40) 상의 기판(W)과의 상대 위치가 안정되어, 기판(W)에 대한 처리의 균일성을 높일 수 있다. As described above, the component preheating treatment method and the
또한, 부품을 예열하는 공정에서는, 미리 설정된 예열 완료 시간이 경과될 때까지 예열 위치(HP)에 부품(프레임 부재(50))을 대기시킨다. 이것에 의해, 부품의 예열 처리 방법은, 예열 처리에 있어서, 스테이지(40)와의 온도차가 충분히 없어질 때까지 프레임 부재(50)의 온도를 조정할 수 있다. Further, in the step of preheating the component, the component (frame member 50) is made to stand by at the preheating position HP until a preset preheating completion time elapses. Accordingly, in the preheating treatment method for components, the temperature of the
또한, 부품을 예열하는 공정후에, 예열 위치(HP)보다 스테이지(40)로부터 이격된 위치에 부품(프레임 부재(50))이 위치하는 시간을 계측하고, 계측 시간이 예열 무효 시간을 경과했는지 아닌지를 판정하는 공정을 가지며, 계측 시간이 예열 무효 시간을 경과한 경우에, 부품의 예열을 무효라고 인식하여, 부품을 예열하는 공정을 다시 실시한다. 이것에 의해, 부품의 예열 처리 방법은, 부품의 예열을 일단 행한 경우에도, 필요에 따라서 부품의 재예열을 간단하게 행할 수 있다. In addition, after the process of preheating the parts, the time the part (frame member 50) is positioned at a position farther from the
또한, 기판 처리 장치(1)는, 부품(프레임 부재(50))을 이탈 가능하게 지지하는 가동부(지지반(65))를 승강시킴으로써 부품을 승강시키는 부품 승강부(프레임 부재 승강부(60))를 구비하고, 부품을 예열하는 공정전에, 가동부를 하강시켜 스테이지(40)에 부품을 접촉시킴으로써 부품을 가동부로부터 이탈시켜, 가동부를 기준 위치에 맞추는 이니셜 동작을 행한다. 이것에 의해, 부품의 예열 처리 방법은, 프레임 부재(50)가 승강했을 때의 부품의 위치를 정밀하게 제어하는 것이 가능해져, 부품을 한층 더 적절하게 예열할 수 있다. In addition, the
또한, 스테이지(40)는, 부품(프레임 부재(50))이 접촉하는 접촉면(단차면(412))을 가지며, 예열 위치(HP)는, 접촉면에 대하여 0.3 mm∼3 mm의 범위로 설정된다. 이것에 의해, 부품의 예열 처리 방법은, 예열 위치(HP)에 위치 결정한 부품의 온도를 효율적으로 조정할 수 있다. In addition, the
또한, 부품을 예열하는 공정의 실시중에, 기판 처리 장치(1)의 동작의 제한을 행하는 예열시 인터록 공정을 갖는다. 이것에 의해, 부품의 예열 처리 방법은, 예열 공정을 보다 안전하게 행할 수 있다. In addition, during the execution of the process of preheating the component, a preheating interlock process for limiting the operation of the
또한, 예열시 인터록은, 동작의 제한으로서, 스테이지(40)에 대한 부품(프레임 부재(50))의 접촉을 금지한다. 이것에 의해, 부품의 예열 처리 방법은, 예열이 완료되지 않은 부품이 스테이지(40)에 접촉하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. In addition, the interlock during preheating prohibits contact of a component (frame member 50) with the
또한, 예열시 인터록은, 동작의 제한으로서, 기판(W)의 처리를 금지한다. 이것에 의해, 부품(프레임 부재(50))의 예열 처리 방법은, 예열이 완료되지 않은 부품이 있는 경우에, 기판(W)의 처리를 행하지 않고 끝나, 스테이지(40)나 기판(W)에 대한 부품의 마찰 등을 회피할 수 있다. In addition, the interlock during preheating prohibits processing of the substrate W as an operation restriction. In this way, the method for preheating treatment of components (frame member 50) ends without processing the substrate W when there is a component for which preheating has not been completed, so that the
또한, 부품(프레임 부재(50))을 스테이지에 접촉시키는 실시중에, 스테이지(40)의 온도 변경을 금지하는 접촉시 인터록을 행한다. 이것에 의해, 부품의 예열 처리 방법은, 스테이지(40)의 온도 변경에 따라 스테이지(40)에 접촉하고 있는 부품이 변형되는 것을 억제하는 것이 가능해진다. Further, during the implementation of bringing the component (frame member 50) into contact with the stage, a contact interlock is performed to prohibit the temperature change of the
또한, 부품은, 스테이지(40)에 접촉한 상태로, 스테이지(40)에 배치된 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)의 상측을 덮는 차양부(52)를 갖는 프레임 부재(50)이다. 이것에 의해, 부품의 예열 처리 방법은, 예열후의 프레임 부재(50)의 차양부(52)에 의해 기판(W)의 둘레 가장자리를 안정적으로 덮을 수 있다. Further, the component is a
또한, 본 개시의 일양태는, 기판(W)이 배치된 스테이지(40)와, 스테이지(40)에 대하여 접촉 가능하고 또한 상대 이동 가능한 부품(프레임 부재(50))을 갖는 기판 처리 장치(1)로서, 부품의 이동을 제어하는 제어부(70)를 가지며, 제어부(70)는, 스테이지(40)에 대하여 비접촉이 되는 예열 위치(HP)에 부품을 위치 결정하여, 스테이지(40)로부터의 방사열에 의해 부품을 예열하고, 예열한 부품을 스테이지(40)에 접촉시킨다. 이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 부품을 적절하게 예열하여, 기판(W)에 대한 처리의 균일성을 높일 수 있다. In addition, one aspect of the present disclosure is a
이번에 개시된 실시형태에 관한 프레임 부재(50)의 예열 처리 방법 및 기판 처리 장치(1)는, 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니다. 실시형태는, 첨부한 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고 여러가지 형태로 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 다른 구성도 취할 수 있고, 또한, 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다. The preheat treatment method of the
본 개시의 기판 처리 장치(1)는, ALD(Atomic Layer Deposition) 장치, CCP(Capacitively Coupled Plasma), ICP(Inductively Coupled Plasma), RLSA(Radial Line Slot Antenna), ECR(Electron Cyclotron Resonance Plasma), HWP(Helicon Wave Plasma)의 어느 타입의 장치에서도 적용 가능하다.The
Claims (11)
상기 스테이지에 대하여 비접촉이 되는 예열 위치에 상기 부품을 위치 결정하여, 상기 스테이지로부터의 방사열에 의해 상기 부품을 예열하는 공정과,
상기 부품을 예열하는 공정에서 예열한 상기 부품을 상기 스테이지에 접촉시키는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. A preheating treatment method for a component capable of contacting and relatively movable with respect to a stage on which a substrate is placed in a substrate processing apparatus, comprising:
a step of positioning the component at a preheating position where it is not in contact with the stage and preheating the component by radiant heat from the stage;
Step of bringing the preheated part into contact with the stage in the step of preheating the part
A method for preheating a part comprising a.
상기 부품을 예열하는 공정에서는, 미리 설정된 예열 완료 시간이 경과될 때까지 상기 예열 위치에 상기 부품을 대기시키는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. According to claim 1,
In the step of preheating the part, the part is kept at the preheating position until a preset preheating completion time elapses.
상기 부품을 예열하는 공정후에, 상기 예열 위치보다 상기 스테이지로부터 이격된 위치에 상기 부품이 위치하는 시간을 계측하고, 계측 시간이 예열 무효 시간을 경과했는지 아닌지를 판정하는 공정을 포함하며,
상기 계측 시간이 상기 예열 무효 시간을 경과한 경우에, 상기 부품의 예열을 무효라고 인식하여, 상기 부품을 예열하는 공정을 다시 실시하는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. According to claim 1 or 2,
After the step of preheating the part, measuring a time when the part is located at a position farther from the stage than the preheating position, and determining whether or not the measured time has passed a preheating invalid time;
The component preheating treatment method characterized by recognizing that the preheating of the component is invalid and re-performing the step of preheating the component when the measurement time has passed the preheating invalid time.
상기 기판 처리 장치는, 상기 부품을 이탈 가능하게 지지하는 가동부를 승강시킴으로써 상기 부품을 승강시키는 부품 승강부를 포함하고,
상기 부품을 예열하는 공정전에, 상기 가동부를 하강시켜 상기 스테이지에 상기 부품을 접촉시킴으로써 상기 부품을 상기 가동부로부터 이탈시켜, 상기 가동부를 기준 위치에 맞추는 이니셜 동작을 행하는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. According to any one of claims 1 to 3,
The substrate processing apparatus includes a component elevating portion that elevates the component by elevating a movable portion that detachably supports the component,
Before the step of preheating the part, an initial operation of lowering the movable part and bringing the part into contact with the stage to release the part from the movable part and aligning the movable part to a reference position is performed. .
상기 스테이지는, 상기 부품이 접촉하는 접촉면을 가지며,
상기 예열 위치는, 상기 접촉면에 대하여 0.3 mm∼3 mm의 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. According to any one of claims 1 to 4,
The stage has a contact surface with which the parts come into contact,
The preheating position is set in a range of 0.3 mm to 3 mm with respect to the contact surface.
상기 부품을 예열하는 공정의 실시중에, 상기 기판 처리 장치의 동작을 제한하는 예열시 인터록을 행하는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. According to any one of claims 1 to 5,
A method for preheating a component, wherein an interlock during preheating to limit an operation of the substrate processing apparatus is performed during the step of preheating the component.
상기 예열시 인터록은, 상기 동작의 제한으로서, 상기 스테이지에 대한 상기 부품의 접촉을 금지하는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. According to claim 6,
The interlock during preheating, as limiting the operation, prohibits the component from contacting the stage.
상기 예열시 인터록은, 상기 동작의 제한으로서, 상기 기판의 처리를 금지하는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. According to claim 6 or 7,
The interlock during preheating, as a limitation of the operation, prohibits processing of the substrate.
상기 부품을 상기 스테이지에 접촉시키는 공정의 실시중에, 상기 스테이지의 온도 변경을 금지하는 접촉시 인터록을 행하는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. According to any one of claims 1 to 8,
A method for preheating a component, characterized in that, during the step of bringing the component into contact with the stage, an interlock upon contact for prohibiting temperature change of the stage is performed.
상기 부품은, 상기 스테이지에 접촉한 상태로, 상기 스테이지에 배치된 상기 기판의 둘레 가장자리의 상측을 덮는 차양부를 갖는 프레임 부재인 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법.According to any one of claims 1 to 9,
The component preheating method of claim 1 , wherein the component is a frame member having a visor covering an upper side of a circumferential edge of the substrate placed on the stage while in contact with the stage.
상기 부품의 이동을 제어하는 제어부를 가지며,
상기 제어부는,
상기 스테이지에 대하여 비접촉이 되는 예열 위치에 상기 부품을 위치 결정하여, 상기 스테이지로부터의 방사열에 의해 상기 부품을 예열하고,
예열한 상기 부품을 상기 스테이지에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus having a stage on which a substrate is placed, and parts capable of contacting and relatively movable with respect to the stage, comprising:
Has a control unit for controlling the movement of the part,
The control unit,
positioning the component at a preheating position where it does not come into contact with the stage, and preheating the component by radiant heat from the stage;
A substrate processing apparatus characterized in that the preheated component is brought into contact with the stage.
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