KR20230011236A - Preheating processing method of component, and substrate processing apparatus - Google Patents

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요시키 구마가이
가즈히로 다케베
요시히로 사토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

Provided is a technology that properly preheats a component disposed on a stage and thus improves uniformity of processing for a substrate. A preheating processing method of a component includes preheating of a component that can come in contact and also relatively move with respect to the stage on which the substrate of a substrate processing apparatus is disposed. The preheating processing method of a component includes: a process of determining a position of the component at a preheating position not coming in contact with the stage to preheat the component by radiant heat from the stage; and a process of allowing the component preheated in the component preheating process to come in contact with the stage. Accordingly, the present invention can properly preheat a component and thus improve uniformity of processing for a substrate.

Description

부품의 예열 처리 방법 및 기판 처리 장치{PREHEATING PROCESSING METHOD OF COMPONENT, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Preheat treatment method and substrate processing device for components

본 개시는, 부품의 예열 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다. The present disclosure relates to a method for preheating a component and a substrate processing apparatus.

특허문헌 1에는, 기판 받침대(스테이지)에 기판을 배치하기 전에, 스테이지로부터 목표 온도있는 상태로 기판의 상하면을 가열함으로써, 기판의 열왜곡에 의한 변형을 억제하는 기판 가열 장치(기판 처리 장치)가 개시되어 있다. Patent Literature 1 discloses a substrate heating device (substrate processing device) that suppresses deformation due to thermal distortion of a substrate by heating the upper and lower surfaces of the substrate from the stage to a target temperature before placing the substrate on a substrate support (stage). has been initiated.

또한, 기판 처리 장치의 하나인 성막 장치는, 기판의 둘레 가장자리의 성막을 억제하기 위해, 상기 기판의 둘레 가장자리에 프레임형의 부품(프레임 부재)을 배치하는 경우가 있다. 프레임 부재는, 스테이지에 대하여 상대 이동 가능하게 설치되고, 기판 처리시에 스테이지에 접촉하여 기판의 둘레 가장자리를 덮는다. Further, in a film forming apparatus, which is one of the substrate processing apparatuses, a frame-shaped part (frame member) may be disposed on the circumferential edge of the substrate in order to suppress film formation on the circumferential edge of the substrate. The frame member is installed so as to be relatively movable with respect to the stage, and contacts the stage to cover the circumferential edge of the substrate during substrate processing.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 평5-160046호 공보Patent Document 1: Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-160046

본 개시는, 스테이지에 배치되는 부품을 적절하게 예열하여, 기판에 대한 처리의 균일성을 높일 수 있는 기술을 제공한다. The present disclosure provides a technique capable of increasing the uniformity of processing of a substrate by appropriately preheating a component placed on a stage.

본 개시의 일양태에 의하면, 기판 처리 장치의 기판이 배치된 스테이지에 대하여 접촉 가능하고 또한 상대 이동 가능한 부품의 예열 처리 방법으로서, 상기 스테이지에 대하여 비접촉이 되는 예열 위치에 상기 부품을 위치 결정하여, 상기 스테이지로부터의 방사열에 의해 상기 부품을 예열하는 공정과, 상기 부품을 예열하는 공정에서 예열한 상기 부품을 상기 스테이지에 접촉시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법이 제공된다. According to one aspect of the present disclosure, a method for preheating treatment of a component capable of contacting and relatively movable with respect to a stage on which a substrate is arranged in a substrate processing apparatus, by positioning the component at a preheating position that is non-contacting with respect to the stage, There is provided a component preheating treatment method comprising a step of preheating the component by radiant heat from the stage, and a step of bringing the component preheated in the step of preheating the component into contact with the stage.

일양태에 의하면, 스테이지에 배치되는 부품을 적절하게 예열하여, 기판에 대한 처리의 균일성을 높일 수 있다. According to one aspect, it is possible to increase the uniformity of processing on a substrate by appropriately preheating the components placed on the stage.

도 1은 일실시형태에 관한 기판 처리 장치의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 2는 기판 처리 장치의 스테이지와 프레임 부재를 도시하는 도면이다.
도 3은 예열 위치에 프레임 부재를 배치한 상태를 도시하는 단면도이다.
도 4는 예열 처리 방법을 실시하는 제어부의 기능 블록을 도시하는 블록도이다.
도 5는 표시 장치에 표시되는 프레임 부재 화면 정보를 예시하는 도면이다.
도 6은 예열 무효를 감시할 때의 위치 정보 영역 및 예열 정보를 예시하는 도면이다.
도 7은 프레임 부재의 예열 처리 방법을 도시하는 플로우차트이다.
도 8은 기판 처리 루틴을 도시하는 플로우차트이다.1 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
2 is a diagram showing a stage and a frame member of the substrate processing apparatus.
3 is a cross-sectional view showing a state in which a frame member is disposed at a preheating position.
4 is a block diagram showing functional blocks of a control unit that performs a preheating treatment method.
5 is a diagram illustrating frame member screen information displayed on a display device.
6 is a diagram illustrating a location information area and preheating information when preheating invalidity is monitored.
7 is a flowchart showing a method of preheating treatment of a frame member.
8 is a flowchart showing a substrate processing routine.

이하, 도면을 참조하여 본 개시를 실시하기 위한 형태에 관해 설명한다. 각 도면에서, 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 붙이고 중복 설명을 생략하는 경우가 있다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form for implementing this disclosure is demonstrated with reference to drawings. In each drawing, the same code|symbol is given to the same component part, and redundant description may be abbreviate|omitted.

도 1은, 일실시형태에 관한 기판 처리 장치(1)의 일례를 도시하는 단면도이다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 일실시형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, FPD용 기판(이하, 단순히 기판(W)이라고 함)에 대하여 각종 기판 처리를 행하는 유도 결합 플라즈마(Inductive Coupled Plasma : ICP)의 처리 장치이다. 1 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment. As shown in FIG. 1 , a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment performs various types of substrate processing on a substrate for FPD (hereinafter simply referred to as a substrate W) (Inductively Coupled Plasma: ICP) processing unit.

기판 처리가 행해지는 FPD는, 예컨대, 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display : LCD), 일렉트로 루미네센스(Electro Luminescence : EL), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP) 등을 들 수 있다. 이 경우, 기판(W)의 재료로는, 유리 또는 합성 수지 등이 적용된다. 기판(W)은, 표면에 회로가 패터닝된 것, 혹은 회로를 구비하지 않는 지지 기판 등을 포함할 수 있다. 기판(W)의 평면 치수는, 긴 변이 1800 mm∼3400 mm 정도의 범위이고, 짧은 변이 1500 mm∼3000 mm 정도의 범위인 것이 좋다. 또한, 기판(W)의 두께는, 0.2 mm∼4.0 mm 정도의 범위인 것이 좋다. 기판 처리 장치(1)가 행하는 기판 처리로는, CVD(Chemical Vapor Deposition)법을 이용한 성막 처리나 에칭 처리 등을 들 수 있다. 이하에서는, 성막 처리를 행하는 기판 처리 장치(1)에 관해 설명한다. Examples of the FPD on which substrate processing is performed include a liquid crystal display (LCD), an electro luminescence (EL), and a plasma display panel (PDP). In this case, as the material of the substrate W, glass or synthetic resin or the like is applied. The substrate W may include a substrate having a circuit patterned on its surface, or a support substrate having no circuits. It is preferable that the planar dimension of the substrate W is in the range of about 1800 mm to 3400 mm on the long side and about 1500 mm to 3000 mm on the short side. Further, the thickness of the substrate W is preferably within a range of about 0.2 mm to 4.0 mm. Examples of the substrate processing performed by the substrate processing apparatus 1 include film formation processing and etching processing using a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Hereinafter, the substrate processing apparatus 1 that performs the film forming process will be described.

기판 처리 장치(1)는, 직방체형의 상자형의 처리 용기(10)를 구비한다. 처리 용기(10)는, 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속에 의해 형성된다. 또, 처리 용기(10)는, 기판(W)의 형상에 따라서 적절한 형상으로 형성되면 되고, 예컨대, 기판(W)이 원판이나 타원판인 경우에, 처리 용기(10)는 원통형이나 타원통형 등으로 형성되는 것이 바람직하다. The substrate processing apparatus 1 includes a processing container 10 in the shape of a rectangular parallelepiped box. The processing container 10 is made of metal such as aluminum or aluminum alloy. In addition, the processing container 10 may be formed in an appropriate shape according to the shape of the substrate W. For example, when the substrate W is a disk or an elliptical plate, the processing container 10 may be cylindrical, elliptical, or the like. It is preferable to form.

처리 용기(10)는, 연직 방향의 소정 위치에, 상기 처리 용기(10)의 내측으로 돌출된 직사각형의 지지 프레임(11)을 구비하고, 이 지지 프레임(11)에 의해 유전체판(12)을 수평 방향으로 지지하고 있다. 처리 용기(10)는, 유전체판(12)을 사이에 두고 상부 챔버(13)와 하부 챔버(14)로 나뉘어져 있다. 상부 챔버(13)는 안테나실(13a)을 내측에 형성하고 있다. 하부 챔버(14)는, 기판(W)이 배치됨과 더불어, 기판 처리를 행하는 처리 공간(14a)을 내측에 형성하고 있다. The processing vessel 10 has a rectangular support frame 11 projecting inwardly of the processing vessel 10 at a predetermined position in the vertical direction, and the dielectric plate 12 is supported by the support frame 11. supported in a horizontal direction. The processing container 10 is divided into an upper chamber 13 and a lower chamber 14 with a dielectric plate 12 therebetween. The upper chamber 13 forms an antenna chamber 13a inside. In the lower chamber 14, a processing space 14a in which a substrate W is disposed and a substrate processing is performed is formed inside.

하부 챔버(14)의 측벽(15)은, 게이트 밸브(16)에 의해 개폐되는 반입 출입구(17)를 구비한다. 기판 처리 장치(1)는, 게이트 밸브(16)의 개방시에, 도시하지 않은 반송 장치에 의해, 반입 출입구(17)를 통해 기판(W)의 반입 반출을 행한다. The side wall 15 of the lower chamber 14 has an intake port 17 opened and closed by a gate valve 16 . When the gate valve 16 is opened, the substrate processing apparatus 1 carries in and carries out the substrates W through the transfer port 17 by a transfer device (not shown).

또한, 하부 챔버(14)의 측벽(15)은 접지선(18)을 통해 접지(접지 전위에 접속)되어 있다. 하부 챔버(14)의 사방의 측벽(15)은, 무단형으로 둘러싸는 시일 홈(19)을 상단에 갖는다. 시일 홈(19)에 O링 등의 시일 부재(20)가 배치되는 것에 의해, 지지 프레임(11) 및 하부 챔버(14)는, 처리 공간(14a)을 기밀하게 시일하고 있다. Further, the side wall 15 of the lower chamber 14 is grounded (connected to ground potential) via a ground wire 18 . The four side walls 15 of the lower chamber 14 have an endlessly surrounding seal groove 19 at the upper end. By disposing a sealing member 20 such as an O-ring in the seal groove 19, the support frame 11 and the lower chamber 14 airtightly seal the processing space 14a.

지지 프레임(11)은, 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속에 의해 형성되어 있다. 또한, 유전체판(12)은, 알루미나(Al2O3) 등의 세라믹스나 석영에 의해 형성되어 있다. The support frame 11 is made of metal such as aluminum or aluminum alloy. In addition, the dielectric plate 12 is formed of ceramics such as alumina (Al 2 O 3 ) or quartz.

지지 프레임(11)의 내측에는, 상기 지지 프레임(11)에 연결되고, 처리 공간(14a)에 가스를 토출하는 샤워 헤드(21)가 설치되어 있다. 유전체판(12)은 샤워 헤드(21)의 상면에 지지되어 있다. 샤워 헤드(21)는, 알루미늄 등의 금속에 의해 형성되고, 양극 산화에 의한 표면 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 샤워 헤드(21)의 내부에는, 수평 방향을 따라서 가스 유로(21a)가 형성되어 있다. 또한, 샤워 헤드(21)는, 가스 유로(21a)와 샤워 헤드(21)의 하면(처리 공간(14a))을 연통하는 복수의 가스 토출 구멍(21b)을 갖는다. Inside the support frame 11, a shower head 21 connected to the support frame 11 and discharging gas into the processing space 14a is installed. The dielectric plate 12 is supported on the upper surface of the shower head 21 . The shower head 21 is preferably made of a metal such as aluminum and subjected to surface treatment by anodic oxidation. Inside the shower head 21, a gas flow path 21a is formed along the horizontal direction. In addition, the shower head 21 has a plurality of gas discharge holes 21b communicating the gas passage 21a and the lower surface of the shower head 21 (processing space 14a).

샤워 헤드(21)의 상면에는, 가스 유로(21a)에 연통하는 가스 도입관(22)이 접속되어 있다. 가스 도입관(22)은, 상부 챔버(13) 내에서 상방향으로 연장되어 상기 상부 챔버(13)를 기밀하게 관통하고, 처리 용기(10)의 외부에 설치된 가스 공급부(23)에 접속되어 있다. A gas introduction pipe 22 communicating with the gas flow path 21a is connected to the upper surface of the shower head 21 . The gas inlet pipe 22 extends upward in the upper chamber 13, passes through the upper chamber 13 airtightly, and is connected to a gas supply unit 23 provided outside the processing container 10. .

가스 공급부(23)는, 가스 도입관(22)에 결합되는 가스 공급관(24)을 가짐과 더불어, 가스 공급관(24)의 상류로부터 하류로 갈수록 순서대로, 가스 공급원(25), 매스플로우 컨트롤러(26) 및 개폐 밸브(27)를 구비한다. 기판 처리에 있어서, 가스는, 가스 공급원(25)으로부터 공급되고, 매스플로우 컨트롤러(26)에 의해 유량이 제어됨과 더불어, 개폐 밸브(27)에 의해 공급 타이밍이 제어된다. 이 가스는, 가스 공급관(24)으로부터 가스 도입관(22)을 통과하여 가스 유로(21a)에 유입되고, 각 가스 토출 구멍(21b)을 통과하여 처리 공간(14a)에 샤워형으로 방출된다. The gas supply unit 23 has a gas supply pipe 24 coupled to the gas introduction pipe 22, and sequentially from upstream to downstream of the gas supply pipe 24, a gas supply source 25, a mass flow controller ( 26) and an on-off valve 27. In substrate processing, gas is supplied from the gas supply source 25, and the flow rate is controlled by the mass flow controller 26, and the supply timing is controlled by the on-off valve 27. This gas flows from the gas supply pipe 24 through the gas inlet pipe 22 into the gas passage 21a, passes through each gas discharge hole 21b, and is discharged to the processing space 14a in the form of a shower.

안테나실(13a)을 형성하는 상부 챔버(13) 내에는 고주파 안테나(28)가 설치되어 있다. 고주파 안테나(28)는, 구리 등의 도전성의 금속으로 형성되는 안테나선을, 고리형 혹은 소용돌이형으로 배선하여 형성된다. 혹은, 고주파 안테나(28)는 고리형의 안테나선을 다중으로 설치한 것이어도 좋다. 고주파 안테나(28)의 단자에는, 상부 챔버(13) 내에서 상방향으로 연장된 급전 부재(29)가 접속되어 있다. A high-frequency antenna 28 is installed in the upper chamber 13 forming the antenna chamber 13a. The high-frequency antenna 28 is formed by wiring an antenna wire formed of a conductive metal such as copper in a ring shape or spiral shape. Alternatively, the high-frequency antenna 28 may be formed by providing multiple annular antenna wires. A power supply member 29 extending upward in the upper chamber 13 is connected to the terminal of the high frequency antenna 28 .

급전 부재(29)는, 처리 용기(10)의 외부로 돌출된 상단을 가지며, 이 상단에 급전선(30)이 접속되어 있다. 급전선(30)은, 임피던스 정합을 행하는 정합기(31)를 통해 고주파 전원(32)에 접속되어 있다. 고주파 전원(32)은, 기판 처리에 따른 주파수(예컨대 13.56 MHz)의 고주파 전력을 고주파 안테나(28)에 인가한다. 이것에 의해, 고주파 안테나(28)는 하부 챔버(14) 내에 유도 전계를 형성한다. 기판 처리 장치(1)는, 하부 챔버(14) 내에 형성한 유도 전계에 의해, 샤워 헤드(21)로부터 처리 공간(14a)에 공급한 가스를 플라즈마화하고, 플라즈마 중의 프리커서를 기판(W)에 제공한다. The power supply member 29 has an upper end protruding out of the processing container 10 , and a power supply line 30 is connected to the upper end. The power supply line 30 is connected to the high frequency power supply 32 via a matching device 31 that performs impedance matching. The high frequency power supply 32 applies high frequency power to the high frequency antenna 28 at a frequency corresponding to the substrate processing (for example, 13.56 MHz). By this, the high frequency antenna 28 forms an induction electric field in the lower chamber 14. The substrate processing apparatus 1 converts the gas supplied from the shower head 21 to the processing space 14a into plasma by an induction electric field formed in the lower chamber 14, and converts the precursor in the plasma to the substrate W. provided to

또한, 하부 챔버(14)의 바닥벽(33)에는 복수의 배기구(33a)가 형성되어 있고, 각 배기구(33a)에는 가스의 배기부(34)가 설치되어 있다. 배기부(34)는, 가스 배기관(35)을 가짐과 더불어, 이 가스 배기관(35)에 배기 기구(37)를 구비한다. 배기 기구(37)는, 가스 배기관(35)의 상류로부터 하류로 갈수록 순서대로, 개폐 밸브(36) 및 진공 펌프(38)를 구비한다. 진공 펌프(38)는, 터보 분자 펌프 등을 적용할 수 있고, 기판 처리시에 하부 챔버(14) 내를, 미리 설정된 진공도까지 진공 배기한다. In addition, a plurality of exhaust ports 33a are formed in the bottom wall 33 of the lower chamber 14, and a gas exhaust unit 34 is provided in each exhaust port 33a. The exhaust unit 34 includes a gas exhaust pipe 35 and an exhaust mechanism 37 in the gas exhaust pipe 35 . The exhaust mechanism 37 is provided with an on-off valve 36 and a vacuum pump 38 sequentially from the upstream to the downstream of the gas exhaust pipe 35 . The vacuum pump 38 can be a turbo molecular pump or the like, and evacuates the inside of the lower chamber 14 to a preset vacuum level during substrate processing.

그리고, 처리 용기(10)는, 반입 출입구(17)로부터 반입된 기판(W)이 배치된 스테이지(40)(배치대)를 하부 챔버(14) 내에 구비한다. Further, the processing container 10 includes a stage 40 (placement table) in the lower chamber 14 on which the substrate W carried in from the carrying in port 17 is placed.

스테이지(40)는, 스테이지 본체(41), 절연 부재(42), 복수의 리프트핀(43) 및 복수의 리프트핀 승강 기구(44)를 갖는다. 하부 챔버(14)에 반입된 기판(W)은, 각 리프트핀 승강 기구(44)에 의해 상승된 각 리프트핀(43)에 전달되어, 각 리프트핀(43)을 하강시킴으로써 스테이지 본체(41) 상에 배치된다. The stage 40 has a stage main body 41, an insulating member 42, a plurality of lift pins 43, and a plurality of lift pin elevating mechanisms 44. The substrate W carried into the lower chamber 14 is transferred to each lift pin 43 raised by each lift pin elevating mechanism 44, and each lift pin 43 is lowered, thereby moving the stage main body 41 placed on top

스테이지 본체(41)는, 평면시에서 장방형상으로 형성되고, 기판(W)과 동일한 정도의 평면 치수의 배치면(411)을 갖는다. 예컨대, 배치면(411)의 평면 치수는, 긴 변이 1800 mm∼3400 mm 정도의 범위이고, 짧은 변이 1500 mm∼3000 mm 정도의 범위인 것이 좋다. 스테이지 본체(41)는, 배치면(411)보다 낮은 단차면(412)을 배치면(411)의 외측에 갖는다. 단차면(412)은, 스테이지 본체(41)의 외연 전체 둘레를 둘러싸고 있고, 후기의 프레임 부재(50)를 지지한다. 또한, 스테이지 본체(41)는, 배치면(411)과 단차면(412) 사이에, 연직 방향으로 대략 평행한 측둘레면(413)을 갖는다. The stage main body 41 is formed in a rectangular shape in plan view, and has a placement surface 411 having the same planar dimensions as the substrate W. For example, the planar dimension of the placement surface 411 is preferably in the range of about 1800 mm to 3400 mm on the long side and about 1500 mm to 3000 mm on the short side. The stage body 41 has a step surface 412 lower than the placement surface 411 outside the placement surface 411 . The stepped surface 412 surrounds the entire outer periphery of the stage main body 41 and supports the frame member 50 of the later stage. Further, the stage main body 41 has a side circumferential surface 413 substantially parallel in the vertical direction between the placement surface 411 and the stepped surface 412 .

스테이지 본체(41)는, 알루미늄이나 알루미늄 합금 등에 의해 형성되고, 저항체인 히터선(45)을 내부에 구비한다. 히터선(45)은, 배치면(411) 전체를 균일하게 승온시키도록 배선되어 있다. 또한, 히터선(45)은, 단차면(412)의 하측 위치에도 설치되어, 단차면(412)의 온도를 배치면(411)의 온도와 동일하게 하는 구성인 것이 바람직하다. 히터선(45)은, 텅스텐, 몰리브덴, 니켈이나 크롬, 혹은 이들 금속의 어느 1종과 알루미나 또는 티탄 등과의 화합물로 형성된다. The stage main body 41 is formed of aluminum, aluminum alloy, etc., and has a heater wire 45, which is a resistor, inside. The heater wires 45 are wired so as to uniformly heat up the entire placement surface 411 . In addition, it is preferable that the heater wire 45 is provided also at a lower position of the stepped surface 412 and has a structure in which the temperature of the stepped surface 412 is the same as that of the placement surface 411 . The heater wire 45 is formed of tungsten, molybdenum, nickel, chromium, or a compound of any one of these metals and alumina or titanium.

히터선(45)은, 히터 구동부(46)에 접속되고, 히터 구동부(46)의 전력 공급에 기초하여 승온한다. 히터 구동부(46)는, 기판 처리 장치(1)의 제어부(70)에 접속되고, 제어부(70)의 온도 지령에 따른 전력을 출력한다. 예컨대, 기판 처리 장치(1)는, 기판 처리(성막 처리)를 행할 때에, 스테이지(40)의 배치면(411)을 300℃ 정도로 가열하여 그 온도 상태를 유지한다. 이 스테이지 본체(41)에 의해, 배치면(411)에 배치된 기판(W)도 300℃로 가열된다. 또, 기판 처리 장치(1)는, 히터선(45) 대신에, 사행한 유로(도시하지 않음)를 스테이지 본체(41)의 내부에 구비하고, 온도 조절 매체를 유로에 유통시키는 것에 의해, 가열 및 냉각을 포함하는 온도 조절을 행해도 좋다. The heater wire 45 is connected to the heater drive unit 46, and is heated based on the power supply of the heater drive unit 46. The heater drive unit 46 is connected to the control unit 70 of the substrate processing apparatus 1 and outputs electric power according to the temperature command of the control unit 70 . For example, when substrate processing (film formation processing) is performed, the substrate processing apparatus 1 heats the placement surface 411 of the stage 40 to about 300°C and maintains the temperature. By this stage main body 41, the substrate W placed on the placement surface 411 is also heated to 300°C. In addition, in the substrate processing apparatus 1, instead of the heater wire 45, a meandering flow path (not shown) is provided inside the stage body 41, and a temperature control medium is circulated through the flow path for heating. And you may perform temperature control including cooling.

스테이지 본체(41)에는 열전대 등의 온도 센서(47)가 설치되어 있고, 온도 센서(47)는 스테이지 본체(41)의 측정 온도를 제어부(70)에 수시로 송신한다. 제어부(70)는, 송신된 측정 온도에 기초하여 스테이지 본체(41)의 온도를 목표 온도로 조정한다. The stage body 41 is provided with a temperature sensor 47 such as a thermocouple, and the temperature sensor 47 transmits the measured temperature of the stage body 41 to the controller 70 at any time. The controller 70 adjusts the temperature of the stage main body 41 to a target temperature based on the transmitted measured temperature.

절연 부재(42)는, 절연 재료에 의해 형성되고, 하부 챔버(14)의 바닥벽(33)의 복수 개소에 설치된다. 절연 부재(42)는, 바닥벽(33)에 대하여 스테이지 본체(41)를 약간 띄운 상태로 스테이지 본체(41)를 고정 및 지지하고 있다. The insulating member 42 is formed of an insulating material and is installed at a plurality of locations on the bottom wall 33 of the lower chamber 14 . The insulating member 42 fixes and supports the stage main body 41 with the stage main body 41 slightly floating relative to the bottom wall 33 .

그리고, 기판 처리 장치(1)는, 스테이지(40)의 주위에, 스테이지(40)에 접촉 가능하고 또한 상대 이동 가능한 부품인 프레임 부재(50)와, 스테이지(40)에 대하여 프레임 부재(50)를 연직 방향(높이 방향)에 승강시키는 프레임 부재 승강부(60)와, 를 구비한다. 도 2는, 기판 처리 장치(1)의 스테이지(40)와 프레임 부재(50)를 도시하는 도이며, (a)는 사시도이며, (b)는 스테이지(40)의 단차면(412)에 프레임 부재(50)가 접촉한 상태를 도시하는 단면도이다. Then, the substrate processing apparatus 1 includes, around the stage 40, a frame member 50 that is a part capable of contacting the stage 40 and relatively movable, and a frame member 50 with respect to the stage 40. A frame member elevating unit 60 for moving up and down in the vertical direction (height direction) is provided. 2 is a diagram showing the stage 40 and the frame member 50 of the substrate processing apparatus 1, (a) is a perspective view, (b) is a frame on the stepped surface 412 of the stage 40 It is a cross-sectional view showing a state in which the member 50 is in contact.

도 2에 도시하는 바와 같이, 프레임 부재(50)는, 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)의 상측을 비접촉으로 덮는 것에 의해, 프리커서에 의한 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)의 성막, 기판(W)의 이면에 프리커서가 돌아 들어가는 것 등을 방지하는 부품이다. 프레임 부재(50)는 섀도우 링이라고도 불린다. 프레임 부재(50)는, 평면시에서, 스테이지(40)의 단차면(412)에 중복되는 장방형상으로 형성되어 있다. 또, 프레임 부재(50)는, 기판(W)의 외형에 따라서 적절한 형상으로 형성되면 되고, 정방형, 원형 등이어도 좋다. As shown in FIG. 2 , the frame member 50 covers the upper side of the peripheral edge wp of the substrate W in a non-contact manner, thereby forming a film on the peripheral edge wp of the substrate W by a precursor. , It is a component that prevents the precursor from entering the back surface of the substrate W. The frame member 50 is also called a shadow ring. The frame member 50 is formed in a rectangular shape overlapping the stepped surface 412 of the stage 40 in plan view. Further, the frame member 50 may be formed in an appropriate shape according to the outer shape of the substrate W, and may be square or circular.

프레임 부재(50)는, 알루미늄이나 그 합금, 알루미나 등의 세라믹스, 유리 등의 재료를 적용하는 것이 바람직하고, 그 중에서도, 가급적 경량이며, 탄성(가요성)과 강성을 갖춘 알루미늄 혹은 그 합금에 의해 형성되는 것이 좋다. 알루미늄 혹은 그 합금인 경우, 프레임 부재(50)는, 부식 대책이나 플라즈마 내성의 향상을 위해 알루마이트 처리되거나, 또는 이트리아 등의 용사막을 갖는 것이 바람직하다. For the frame member 50, it is preferable to use a material such as aluminum or an alloy thereof, ceramics such as alumina, or glass. It is good to be formed. In the case of aluminum or an alloy thereof, the frame member 50 is preferably anodized or has a thermal sprayed coating such as yttria for corrosion protection and plasma resistance improvement.

프레임 부재(50)는, 프레임의 외측을 둘러싸는 외주부(51)와, 외주부(51)의 내측면(512)의 상부로부터 내측으로 돌출된 차양부(52)를 갖는다. 또한, 프레임 부재(50)는, 긴 변과 짧은 변이 교차하는 모서리부의 차양부(52) 상면에, 상기 차양부(52)끼리의 연결을 보강하는 보강부(53)를 구비한다. 본 실시형태에 있어서, 외주부(51)와 차양부(52)는 동일한 재료에 의해 일체 성형되어 있다. 또, 외주부(51)와 차양부(52)는, 별개의 재료에 의해 형성되어도 좋고, 또한 프레임 부재(50)는, 보강부(53)를 구비하지 않는 구성이어도 좋다. The frame member 50 has an outer peripheral portion 51 surrounding the outside of the frame, and a visor portion 52 protruding inward from an upper portion of an inner surface 512 of the outer peripheral portion 51 . In addition, the frame member 50 has a reinforcing portion 53 for reinforcing the connection between the visor portions 52 on the upper surface of the visor portion 52 of the corner portion where the long side and the short side intersect. In this embodiment, the outer peripheral portion 51 and the flange portion 52 are integrally molded with the same material. Also, the outer peripheral portion 51 and the visor portion 52 may be formed of different materials, and the frame member 50 may have a configuration without the reinforcing portion 53 .

도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이, 외주부(51)는, 프레임 부재 승강부(60)에 의해 도 1의 상태로부터 하방향으로 이동했을 때에, 스테이지 본체(41)의 단차면(412)에 접촉하여, 상기 단차면(412)에 지지된다. 단차면(412)에 의한 외주부(51)의 지지 상태로, 차양부(52)는, 배치면(411)에 배치된 기판(W)보다 상방향으로 이격된 위치(기판(W)에 대하여 비접촉)에 배치된다. 차양부(52)는, 연직 방향을 따라서 기판(W)의 외주측 전체 둘레에 걸쳐 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)에 중복됨으로써 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)의 성막을 차단한다. As shown in (b) of FIG. 2 , when the outer peripheral portion 51 moves downward from the state shown in FIG. 1 by the frame member lifting portion 60, the stepped surface 412 of the stage body 41 In contact with, it is supported on the stepped surface 412. In a state where the outer circumferential portion 51 is supported by the step surface 412, the visor portion 52 is spaced upward from the substrate W disposed on the placement surface 411 (non-contact with respect to the substrate W). ) is placed in The visor portion 52 overlaps the circumferential edge wp of the substrate W over the entire circumference of the outer peripheral side of the substrate W along the vertical direction, thereby blocking film formation on the circumferential edge wp of the substrate W. .

외주부(51)의 두께 T1은, 스테이지 본체(41)의 배치면(411)과 단차면(412)의 간격(D)보다 두껍다. 본체부의 두께 T1은, 프레임 부재(50)(기판(W))의 사이즈에 따라 달라지지만, 예컨대, 프레임 부재(50)의 긴 변이 3000 mm 이상인 경우는, 20 mm 이상으로 설정되는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 프레임 부재(50)의 강성이 높아지고, 프레임 부재 승강부(60)에 의해 프레임 부재(50)를 직선적으로 지지하는 것이 가능해진다. The thickness T1 of the outer peripheral portion 51 is greater than the distance D between the placement surface 411 and the stepped surface 412 of the stage main body 41 . The thickness T1 of the body portion varies depending on the size of the frame member 50 (substrate W), but is preferably set to 20 mm or more when the long side of the frame member 50 is 3000 mm or more, for example. As a result, the rigidity of the frame member 50 is increased, and it becomes possible to linearly support the frame member 50 by the frame member elevating portion 60 .

외주부(51)의 하면(511)은, 단차면(412)에 대하여 면접촉하기 위해, 평탄형으로 형성되어 있다. 외주부(51)의 내측면(512)은, 단차면(412)의 지지 상태로, 배치면(411)과 단차면(412) 사이의 측둘레면(413)에 대하여 비접촉으로 대향한다. 반대로, 외주부(51)의 외측면(513)은, 단차면(412)의 지지 상태로, 단차면(412)보다 수평 방향 외측으로 돌출되어 있다. 프레임 부재 승강부(60)는, 이 외주부(51)의 돌출 부분의 하면(511)을 지지한다. 또한, 외주부(51)의 상면(514)은, 수평 방향을 따라서 평탄형으로 형성되고, 내측면(512)과의 경계에서 차양부(52)의 상면에 매끄럽게 연속해 있다. The lower surface 511 of the outer circumferential portion 51 is formed flat to make surface contact with the stepped surface 412 . The inner surface 512 of the outer circumferential portion 51 opposes the side circumferential surface 413 between the placement surface 411 and the stepped surface 412 in a non-contact state in a supported state of the stepped surface 412 . Conversely, the outer surface 513 of the outer peripheral portion 51 protrudes outward from the stepped surface 412 in the horizontal direction in a supported state of the stepped surface 412 . The frame member elevating portion 60 supports the lower surface 511 of the projecting portion of the outer peripheral portion 51 . In addition, the upper surface 514 of the outer peripheral portion 51 is formed in a flat shape along the horizontal direction, and continues smoothly with the upper surface of the visor portion 52 at the boundary with the inner surface 512 .

차양부(52)는, 외주부(51)의 두께 T1에 대하여 충분히 얇게 형성되고, 외주부(51)로부터 프레임 부재(50)의 내측을 향해 짧게 돌출되어 있다. 외주부(51)의 두께 T1에 대한 차양부(52)의 두께 T2(외주부(51)에 이어지는 근본 부분의 두께)의 비는, 예컨대 1/10∼1/3 정도의 범위인 것이 좋다. 또한, 외주부(51)에 대한 차양부(52)의 돌출량은, 배치면(411)과 외주부(51)의 상대 거리에 따라서도 달라지지만, 예컨대, 20 mm∼50 mm 정도의 범위로 설정되는 것이 바람직하다. The visor portion 52 is formed thin enough with respect to the thickness T1 of the outer peripheral portion 51 and protrudes short from the outer peripheral portion 51 toward the inside of the frame member 50 . It is preferable that the ratio of the thickness T2 (thickness of the root portion continuing to the outer circumferential portion 51) of the rim portion 52 to the thickness T1 of the outer peripheral portion 51 is in the range of about 1/10 to 1/3, for example. In addition, the amount of protrusion of the visor portion 52 with respect to the outer circumferential portion 51 varies depending on the relative distance between the placement surface 411 and the outer circumferential portion 51, but is set in the range of, for example, about 20 mm to 50 mm. it is desirable

차양부(52)의 상면(521)의 내연(523)측은, 프레임 부재(50)가 단차면(412)에 배치되었을 때에 수평 방향 내측을 향해 서서히 하측으로 경사진 경사면으로 되어 있다. 한편, 차양부(52)의 하면(522)은, 프레임 부재(50)가 단차면(412)에 배치되었을 때에 외주부(51)의 내측면(512)으로부터 수평 방향을 따르는 평탄형으로 형성되어, 내연(523)에 이르고 있다. 차양부(52)의 하면(522)은, 단차면(412)에 의한 외주부(51)의 지지 상태로, 배치면(411)에 대하여, 기판(W)의 두께에 소정의 여유 높이분을 더한 클리어런스(C)로 이격되어 있다. 클리어런스(C)는, 예컨대, 0.3 mm∼5 mm 정도로 설정되는 것이 좋다. 이와 같이, 프레임 부재(50)는, 클리어런스(C)를 갖고(비접촉으로) 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)를 차양부(52)로 덮는 것에 의해, 기판(W)에 대한 차양부(52)의 간섭을 회피하면서, 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)로 프리커서가 향하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. The inner edge 523 side of the upper surface 521 of the visor portion 52 is an inclined surface that gradually inclines downward toward the inner side in the horizontal direction when the frame member 50 is disposed on the stepped surface 412 . On the other hand, the lower surface 522 of the visor portion 52 is formed in a flat shape along the horizontal direction from the inner surface 512 of the outer peripheral portion 51 when the frame member 50 is disposed on the stepped surface 412, The internal combustion (523) is reached. The lower surface 522 of the visor portion 52 is in a state where the outer circumferential portion 51 is supported by the stepped surface 412, with respect to the mounting surface 411, the thickness of the substrate W plus a predetermined margin height. They are spaced apart by a clearance (C). The clearance C is preferably set to, for example, about 0.3 mm to 5 mm. In this way, the frame member 50 has a clearance C (non-contact) and covers the circumferential edge wp of the substrate W with the visor portion 52, thereby forming a visor portion (with respect to the substrate W) ( While avoiding the interference of 52), it is possible to effectively suppress the precursor from moving toward the circumferential edge wp of the substrate W.

도 1로 되돌아가, 프레임 부재 승강부(60)는, 프레임 부재(50)의 외주부(51)의 하면을 지지하는 단위 승강 기구(61)를 복수 구비하고, 제어부(70)의 제어하에, 각 단위 승강 기구(61)를 서로 연동하여 동작시킨다. 이것에 의해, 프레임 부재 승강부(60)는, 프레임 부재(50)를 수평 방향으로 지지한 상태로, 상기 프레임 부재(50)를 연직 방향(높이 방향)으로 승강시킨다. 예컨대, 프레임 부재 승강부(60)는, 프레임 부재(50)의 한쪽의 긴 변에 있어서 소정 간격을 둔 2개소와, 프레임 부재(50)의 다른쪽의 긴 변에 있어서 소정 간격을 둔 2개소를 지지하기 위해, 합계 4개의 단위 승강 기구(61)를 갖는다. Returning to FIG. 1 , the frame member elevating unit 60 includes a plurality of unit elevating mechanisms 61 for supporting the lower surface of the outer circumferential portion 51 of the frame member 50, and under the control of the control unit 70, each The unit lifting mechanisms 61 are operated in conjunction with each other. Thereby, the frame member lifting part 60 raises and lowers the frame member 50 in the vertical direction (height direction) while the frame member 50 is supported in the horizontal direction. For example, the frame member elevating portion 60 has two places at a predetermined interval on one long side of the frame member 50 and two places at a predetermined interval on the other long side of the frame member 50. In order to support it, it has a total of four unit lifting mechanisms 61.

각 단위 승강 기구(61)는, 프레임 부재(50)에 이탈 가능하게 접촉하는 지주(62)(가동부)와, 지주(62)의 승강을 가이드하는 가이드통(63)과, 지주(62)를 승강시키는 기구 본체(64)를 갖는다. Each unit lifting mechanism 61 includes a support column 62 (movable part) that comes into contact with the frame member 50 in a detachable manner, a guide cylinder 63 that guides the elevation of the support column 62, and a support column 62. It has a mechanism body 64 for lifting.

지주(62)는, 프레임 부재(50)의 외주부(51)의 하면에 대하여 접촉하는 지지반(65)을 상단에 갖는다. 지지반(65)은, 프레임 부재(50)에 접촉하는 상면이 평탄형으로 형성된 원반형을 나타내고 있다. 지지반(65)은, 기구 본체(64)에 의해, 배치면(411)보다 높고, 샤워 헤드(21)에 근접한 상한 위치(반입 반출 대기 위치)와, 단차면(412)보다 낮고, 바닥벽(33)에 근접한 하한 위치(기준 위치)의 사이를 승강한다. 지지반(65)은, 단차면(412)보다 높은 위치를 변위할 때, 프레임 부재(50)의 외주부(51)를 지지하는 한편, 단차면(412)보다 낮은 위치를 변위할 때에, 단차면(412)에 지지된 프레임 부재(50)로부터 이격된다. 가이드통(63)은, 바닥벽(33)에 형성된 개공(33b)에 고정되고, 축심측의 내벽에 있어서 지주(62)의 승강을 가이드한다. The post 62 has a support plate 65 at its upper end that contacts the lower surface of the outer peripheral portion 51 of the frame member 50 . The support plate 65 has a disk shape in which an upper surface in contact with the frame member 50 is formed in a flat shape. The support plate 65 is higher than the placement surface 411 and lower than the upper limit position (carrying in/out waiting position) close to the shower head 21 and lower than the step surface 412 by the appliance body 64, and the bottom wall It moves up and down between the lower limit position (reference position) close to (33). The support plate 65 supports the outer circumferential portion 51 of the frame member 50 when displaced to a position higher than the stepped surface 412, and when displaced to a position lower than the stepped surface 412, the stepped surface It is spaced from the frame member 50 supported on 412. The guide tube 63 is fixed to an opening 33b formed in the bottom wall 33, and guides the elevation of the support column 62 in the inner wall on the axis side.

기구 본체(64)는, 지주(62)를 승강 가능한 여러가지 기구(실린더 기구, 볼나사 기구, 모터와 랙에 의한 기구 등)를 적용할 수 있다. 예컨대, 기구 본체(64)로서 실린더 기구를 적용한 경우는, 유압 실린더나 에어 실린더에 의해 로드인 지주(62)를 슬라이드시킨다. 기구 본체(64)로서 볼나사 기구를 적용한 경우는, 모터의 구동에 의해 볼나사를 회전시키고, 볼나사에 설치된 너트에 연결된 지주(62)를 슬라이드시킨다. 기구 본체(64)로서 모터와 랙에 의한 기구를 적용한 경우는, 모터의 구동에 의해 랙으로 이루어진 지주(62)를 슬라이드시킨다. For the mechanism main body 64, various mechanisms (such as a cylinder mechanism, a ball screw mechanism, a mechanism using a motor and a rack, etc.) capable of moving the support column 62 up and down can be applied. For example, when a cylinder mechanism is applied as the mechanism main body 64, the support column 62 which is a rod is slid by a hydraulic cylinder or an air cylinder. When a ball screw mechanism is applied as the mechanism body 64, the drive of the motor rotates the ball screw and slides the post 62 connected to the nut attached to the ball screw. When a mechanism using a motor and a rack is applied as the mechanism main body 64, the prop 62 made of the rack is slid by driving the motor.

프레임 부재 승강부(60)는, 각 기구 본체(64)와 배전 구동부(66)를 전기적으로 접속하고 있다. 배전 구동부(66)는, 제어부(70)로부터의 지령 신호에 따른 전력 펄스를 각 기구 본체(64)에 공급함으로써, 각 기구 본체(64)를 동작(연동)시킨다. 또한, 배전 구동부(66)는, 각 기구 본체(64)에 공급하는 전력 펄스를 감시함으로써, 프레임 부재(50)(각 지지반(65))의 높이 위치를 인식하고, 인식 결과에 기초하여 프레임 부재(50)를 목표 위치로 이동시킨다. The frame member elevating unit 60 electrically connects each mechanism body 64 and the power distribution driving unit 66 . The power distribution drive unit 66 supplies each mechanism body 64 with an electric power pulse in response to a command signal from the control unit 70, thereby operating (interlocking) each mechanism body 64. In addition, the power distribution drive unit 66 recognizes the height position of the frame member 50 (each support plate 65) by monitoring the power pulse supplied to each mechanism body 64, and the frame member 50 (each support plate 65) is recognized based on the recognition result. The member 50 is moved to the target position.

기판 처리 장치(1)의 제어부(70)는, 1 이상의 프로세서(71), 메모리(72), 도시하지 않은 입출력 인터페이스 및 전자 회로를 갖는 제어용 컴퓨터이다. 또한, 제어부(70)는, 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나 마우스 등의 입력 장치, 기판 처리 장치(1)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등의 표시 장치, 및 프린터 등의 출력 장치와 같은 사용자 인터페이스를 갖고 있다(모두 도시하지 않음). The control unit 70 of the substrate processing apparatus 1 is a control computer having one or more processors 71, a memory 72, an input/output interface (not shown) and an electronic circuit. In addition, the control unit 70 includes an input device such as a keyboard or a mouse that performs command input operations, etc., a display device that visualizes and displays the operation status of the substrate processing apparatus 1, and an output device such as a printer. They have the same user interface (all not shown).

제어부(70)는, 기판 처리 장치(1)의 각 구성부(예컨대, 고주파 전원(32), 가스 공급부(23), 배기부(34), 리프트핀 승강 기구(44), 히터 구동부(46), 프레임 부재 승강부(60) 등)의 동작을 제어하여 기판 처리를 행한다. 1 이상의 프로세서(71)는, CPU, ASIC, FPGA, 복수의 디스크리트 반도체로 이루어진 회로 등 중 하나 또는 복수를 조합한 것이다. 메모리(72)는, 불휘발성 메모리 및 휘발성 메모리를 포함하며, 제어부(70)의 기억부를 형성하고 있다. 또, 메모리(72)의 일부는, 1 이상의 프로세서(71)에 내장되어 있어도 좋다. The control unit 70 includes components of the substrate processing apparatus 1 (eg, the high frequency power supply 32, the gas supply unit 23, the exhaust unit 34, the lift pin lifting mechanism 44, and the heater driving unit 46). , the frame member elevating unit 60, etc.) is controlled to process the substrate. One or more processors 71 are one or a combination of a plurality of CPUs, ASICs, FPGAs, circuits made of a plurality of discrete semiconductors, and the like. The memory 72 includes a non-volatile memory and a volatile memory, and forms a storage unit of the control unit 70 . In addition, part of the memory 72 may be incorporated in one or more processors 71.

프로세서(71)는, 메모리(72)에 저장된 프로그램 및 레시피(프로세스 레시피)에 따라서 미리 설정된 처리를 실행한다. 레시피에는, 프로세스 조건에 대한 기판 처리 장치(1)의 제어 내용이 설정되어 있다. 제어 내용에는, 예컨대, 가스 유량이나 처리 용기(10) 내의 압력, 처리 용기(10) 내의 온도나 스테이지 본체(41)의 온도, 프로세스 시간 등이 포함된다. 또, 레시피 등은, CD-ROM, DVD, 메모리카드 등의 컴퓨터에 의한 판독이 가능한 기억 매체에 수용된 상태로 제어부(70)에 셋팅되고, 독출되는 형태이어도 좋다. Processor 71 executes preset processing according to programs and recipes (process recipes) stored in memory 72 . Control contents of the substrate processing apparatus 1 for process conditions are set in the recipe. Control contents include, for example, the gas flow rate, the pressure within the processing vessel 10, the temperature within the processing vessel 10, the temperature of the stage main body 41, and the process time. Further, the recipe or the like may be stored in a storage medium readable by a computer such as a CD-ROM, DVD, or memory card, and set in the controller 70 and read out.

도 3은, 예열 위치(HP)에 프레임 부재(50)를 배치한 상태를 도시하는 단면도이다. 이하, 도 2 및 도 3을 참조하여, 스테이지(40)의 열에 의한 프레임 부재(50)의 영향에 관해 설명한다. 3 is a cross-sectional view showing a state in which the frame member 50 is disposed at the preheating position HP. Hereinafter, with reference to FIGS. 2 and 3 , the effect of the heat of the stage 40 on the frame member 50 will be described.

기판 처리 장치(1)의 부품인 프레임 부재(50)는, 스테이지(40)로부터의 열의 영향을 받는다. 예컨대, 히터선(45)에 의해 스테이지 본체(41)가 가열되는 한편, 스테이지 본체(41)와 상대적으로 프레임 부재(50)의 온도가 낮은 상태인 경우, 프레임 부재(50)(외주부(51) 및 차양부(52))는, 스테이지(40)로부터 열의 영향을 받아 수평 방향 외측으로 신장하도록 변형된다. 이것에 의해, 스테이지 본체(41)와 상대적으로 온도가 낮고, 온도차가 큰 프레임 부재(50)에 의해 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)를 차폐한 차폐 영역과, 스테이지 본체와의 온도차가 없는 프레임 부재(50)에 의해 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)를 차폐한 차폐 영역에서는, 차폐 영역이 불균일해진다. 가령, 스테이지(40) 상에서 프레임 부재(50)의 온도 변화에 의해 변형이 생기면, 차폐 영역의 변화에 의해, 성막이 불균일해지는 등 기판 처리의 정밀도가 저하하게 된다. The frame member 50 , which is a component of the substrate processing apparatus 1 , is affected by heat from the stage 40 . For example, when the stage main body 41 is heated by the heater wire 45 and the temperature of the stage main body 41 and the frame member 50 is relatively low, the frame member 50 (outer peripheral portion 51) And the visor portion 52 is deformed to extend outward in the horizontal direction under the influence of heat from the stage 40 . As a result, there is no temperature difference between the stage body 41 and the shielded area in which the circumferential edge wp of the substrate W is shielded by the frame member 50 having a relatively low temperature and a large temperature difference from the stage body 41. In the shielded area where the circumferential edge wp of the substrate W is shielded by the frame member 50, the shielded area becomes non-uniform. For example, if deformation occurs due to a temperature change of the frame member 50 on the stage 40, the accuracy of substrate processing decreases, such as non-uniform film formation due to a change in the shielding area.

또한 가령, 스테이지(40)에 프레임 부재(50)를 접촉한 상태로 프레임 부재(50)가 변형되면, 스테이지(40)와 프레임 부재(50)의 재질의 차이에 따라서는 스테이지(40)와 프레임 부재(50)의 사이에 마찰이 생긴다. 이 마찰에 의해, 스테이지(40) 또는 프레임 부재(50)에 손상이나 요철 등이 생기면, 기판(W)에 대한 차양부(52)의 상대 위치(예컨대, 클리어런스(C))가 변화하여 기판 처리에 영향을 미칠 가능성이 있다. 또한 경우에 따라서는, 차양부(52)가 기판(W)에 접촉하는 요인도 된다. 프레임 부재(50)측에 히터를 배치하는 것도 고려되지만, 프레임 부재(50)가 스테이지(40)에 접촉하고, 지지반(65)이 단차면(412)보다 낮은 위치를 변위할 때에, 지지반(65)은 프레임 부재(50)로부터 이격되는 구조이므로, 프레임 부재(50)측에 히터를 부착하기 어려운 구조이다. In addition, for example, if the frame member 50 is deformed while the frame member 50 is in contact with the stage 40, depending on the difference in material between the stage 40 and the frame member 50, the stage 40 and the frame Friction occurs between members 50 . When the stage 40 or the frame member 50 is damaged or uneven due to this friction, the position of the raised portion 52 relative to the substrate W is changed (e.g., the clearance C) to process the substrate. is likely to affect In some cases, it is also a factor that the visor portion 52 comes into contact with the substrate W. Arranging the heater on the side of the frame member 50 is also considered, but when the frame member 50 comes into contact with the stage 40 and the support plate 65 displaces a position lower than the stepped surface 412, the support plate Since 65 is a structure spaced apart from the frame member 50, it is a structure in which it is difficult to attach a heater to the frame member 50 side.

따라서, 본 실시형태에 관한 제어부(70)는, 기판 처리 장치(1)의 성막전에, 스테이지(40)에 대하여 프레임 부재(50)를 비접촉으로 또한 근접한 예열 위치(HP)에 위치 결정하여, 스테이지(40)의 방사열에 의해 프레임 부재(50)를 예열하는 예열 처리 방법을 실시한다. 예열된 프레임 부재(50)는, 스테이지(40)에 접촉하기 전에, 수평 방향 외측으로의 변형이 재촉됨으로써, 스테이지(40)와의 접촉후의 변형이 회피된다. Therefore, the control unit 70 according to the present embodiment positions the frame member 50 to the preheating position HP in a non-contact manner and close to the stage 40 before film formation of the substrate processing apparatus 1, A preheating treatment method of preheating the frame member 50 by radiant heat of (40) is performed. The preheated frame member 50 is accelerated to outwardly deform in the horizontal direction before contacting the stage 40, so that deformation after contact with the stage 40 is avoided.

이하, 이 예열 처리 방법을 실시하는 제어부(70)의 기능부에 관해, 도 4를 참조하여 설명해 간다. 도 4는, 예열 처리 방법을 실시하는 제어부(70)의 기능 블록을 도시하는 블록도이다. Hereinafter, functional units of the control unit 70 that implements this preheating treatment method will be described with reference to FIG. 4 . 4 is a block diagram showing functional blocks of the control unit 70 that performs the preheating treatment method.

제어부(70)는, 스테이지 온도 조절부(80), 이니셜 제어부(81), 예열 조건 판정부(82), 예열 실행부(83), 예열 무효 감시부(84), 인터록부(85), 기판 처리 판정부(86) 및 기판 처리 제어부(87)를 갖는다. The control unit 70 includes a stage temperature control unit 80, an initial control unit 81, a preheating condition determining unit 82, a preheating execution unit 83, a preheating invalidity monitoring unit 84, an interlock unit 85, a substrate It has a processing judgment unit 86 and a substrate processing control unit 87.

스테이지 온도 조절부(80)는, 사용자나 레시피에 있어서 설정된 스테이지(40)의 목표 온도에 기초하여, 스테이지(40)의 온도 조정을 행한다. 이 때, 스테이지 온도 조절부(80)는, 온도 센서(47)로부터 취득한 측정 온도에 기초하여, 스테이지(40)의 온도를 목표 온도에 맞추도록 히터 구동부(46)의 전력 공급을 조정한다. The stage temperature controller 80 adjusts the temperature of the stage 40 based on the target temperature of the stage 40 set by the user or a recipe. At this time, the stage temperature controller 80 adjusts power supply of the heater driver 46 so as to match the temperature of the stage 40 to the target temperature based on the measured temperature obtained from the temperature sensor 47 .

이니셜 제어부(81)는, 기판 처리 장치(1)의 기판 처리전의 각 구성의 이니셜 동작을 행하는 기능부이다. 이니셜 제어부(81)는, 프레임 부재(50) 및 프레임 부재 승강부(60)의 이니셜 동작에 있어서, 각 단위 승강 기구(61)의 기구 본체(64)를 구동시켜 하한 위치(기준 위치)에 지주(62)를 하강시키고, 기준 위치에 대한 지지반(65)의 높이 위치를 맞춘다(제로점 교정한다). The initial control unit 81 is a functional unit that performs an initial operation of each component of the substrate processing apparatus 1 before substrate processing. In the initial operation of the frame member 50 and the frame member elevating unit 60, the initial control unit 81 drives the mechanism main body 64 of each unit elevating mechanism 61 to prop it to the lower limit position (standard position). 62 is lowered, and the height position of the support board 65 with respect to the standard position is aligned (zero point calibration).

또, 하한 위치에 지주(62)가 도달한 제로점 교정후, 이니셜 제어부(81)는, 프레임 부재(50)를 즉시 상승시키는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 프레임 부재 승강부(60)의 이니셜 동작시에는, 프레임 부재 승강부(60)의 하강에 따라 프레임 부재(50)가 단차면(412)에 접촉하지만, 이 이니셜 동작의 실시 시간은 매우 작아진다. 예컨대 접촉후부터 3초 정도후에, 이니셜 제어부(81)는, 프레임 부재 승강부(60)를 동작시켜 지주(62)를 상승시킴으로써, 프레임 부재(50)를 단차면(412)으로부터 부상시킨다. 이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 이니셜 제어시에 있어서, 스테이지 본체(41)와, 이 스테이지 본체(41)와 온도차가 있는 프레임 부재(50)가 접촉하고 있는 동안에, 프레임 부재(50)의 변형을 억제할 수 있다. Further, it is preferable that the initial control unit 81 immediately raises the frame member 50 after zero point calibration at which the post 62 has reached the lower limit position. Accordingly, at the time of the initial operation of the frame member elevation unit 60, the frame member 50 contacts the stepped surface 412 as the frame member elevation unit 60 descends, but the execution time of this initial operation is become very small For example, about 3 seconds after the contact, the initial control unit 81 operates the frame member elevating unit 60 to raise the support column 62 to lift the frame member 50 from the stepped surface 412 . As a result, in the substrate processing apparatus 1, at the time of initial control, while the stage main body 41 and the frame member 50 having a temperature difference between the stage main body 41 and the frame member 50 are in contact, the frame member 50 ) can be suppressed.

이니셜 제어부(81)는, 제로점 교정후에 다른 구성이 이니셜 동작을 실행하고 있는 한가운데는, 프레임 부재(50)를 단차면(412)에 접촉시키지 않으면, 프레임 부재(50)를 어떤 높이 위치에 배치하고 있어도 좋다. 혹은, 이니셜 제어부(81)는, 다른 구성의 이니셜 동작시간에, 예열 위치(HP)(도 3 참조)에 프레임 부재(50)를 배치하여 대기시켜도 좋다. 이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 예열 처리의 시간을 단축화할 수 있다. 또, 제어부(70)는, 이니셜 동작의 마지막에 제로점 교정을 행함으로써, 제로점 교정후에 예열 실행부(83)의 동작(프레임 부재(50)의 예열)으로 즉시 이행해도 좋다. The initial control unit 81 arranges the frame member 50 at a certain height if the frame member 50 is not brought into contact with the stepped surface 412 while other components are performing the initial operation after zero point calibration. You can do it. Alternatively, the initial control unit 81 may arrange the frame member 50 at the preheating position HP (see Fig. 3) and wait for the initial operation time of another configuration. As a result, the substrate processing apparatus 1 can shorten the preheating time. Further, the control unit 70 may immediately transfer to the operation of the preheating unit 83 (preheating of the frame member 50) after the zero point calibration by performing the zero point calibration at the end of the initial operation.

예열 조건 판정부(82)는, 프레임 부재(50)의 예열을 행하는지 아닌지를 판정한다. 예컨대, 제어부(70)는, 프레임 부재(50)의 예열 처리 방법을 실시하기 위한 프레임 부재 화면 정보(90)를 제어부(70)의 표시 장치에 출력하고, 사용자의 수동 조작에 기초하여 프레임 부재(50)의 예열을 실시한다. The preheating condition determination unit 82 determines whether preheating of the frame member 50 is performed or not. For example, the control unit 70 outputs the frame member screen information 90 for performing the preheating treatment method of the frame member 50 to the display device of the control unit 70, and based on the user's manual operation, the frame member ( 50) is preheated.

도 5는, 표시 장치에 표시되는 프레임 부재 화면 정보(90)를 예시하는 도면이다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 프레임 부재 화면 정보(90)는, 기판 처리시의 프레임 부재(50)의 동작 설정의 버튼(91)과, 반입 반출 대기 위치를 설정하기 위한 버튼(92)과, 프레임 부재(50)의 각종 위치를 지정하기 위한 버튼(93)과, 예열을 수동으로 실시하기 위한 버튼(94)을 갖는다. 제어부(70)는, 프레임 부재(50)의 위치를 지정하기 위한 버튼(93)이 조작되면, 예열 위치(HP) 등의 설정 화면 정보(도시하지 않음)를 표시한다. 또한, 예열을 수동으로 실시하기 위한 버튼(94)이 조작되면, 제어부(70)는, 후기의 예열 실행부(83)의 제어하에 프레임 부재(50)의 예열을 행한다. 5 is a diagram illustrating frame member screen information 90 displayed on a display device. As shown in Fig. 5, the frame member screen information 90 includes a button 91 for setting the operation of the frame member 50 during substrate processing, a button 92 for setting a carry-in/out standby position, It has a button 93 for designating various positions of the frame member 50 and a button 94 for manually performing preheating. When the button 93 for specifying the position of the frame member 50 is operated, the controller 70 displays setting screen information (not shown) such as the preheating position HP. Further, when the button 94 for manually performing preheating is operated, the controller 70 preheats the frame member 50 under the control of the preheating execution unit 83 later.

도 4로 되돌아가, 예열 조건 판정부(82)는, 프레임 부재(50)의 예열을 행할 때의 복수의 예열 조건을 미리 보유하고 있고, 복수의 예열 조건의 어느 것이 성립한 경우에 프레임 부재(50)의 예열을 자동적으로 실시하고, 복수의 예열 조건 모두가 성립하지 않는 경우에 프레임 부재(50)의 예열을 실시하지 않는다. 예컨대, 복수의 예열 조건으로는 이하의 [a]∼[c]를 들 수 있다. Returning to FIG. 4 , the preheating condition determination unit 82 holds a plurality of preheating conditions for preheating the frame member 50 in advance, and when one of the plurality of preheating conditions is satisfied, the frame member ( The preheating of 50) is automatically performed, and the preheating of the frame member 50 is not performed when all of the plurality of preheating conditions are not satisfied. For example, the following [a] - [c] are mentioned as some preheating conditions.

[a] 기판 처리 장치(1)의 동작 개시시(기동시) 또는 동작 재개시에 따라 이니셜 동작을 실시했다. [a] The initial operation was performed at the time of starting the operation of the substrate processing apparatus 1 (at the time of startup) or at the time of restarting the operation.

[b] 사용자 조작, 기판 처리 장치(1)의 동작 또는 이상 발생 등의 이벤트에 기초하여, 스테이지(40)의 온도가 변경되었다. [b] The temperature of the stage 40 is changed based on events such as user operation, operation of the substrate processing apparatus 1, or occurrence of an abnormality.

[c] 프레임 부재(50)의 예열 무효를 인식했다(스테이터스 레지스터의 예열 무효 플래그(F2)가 1이 되었다). [c] The preheating invalidity of the frame member 50 was recognized (the preheating invalid flag F2 of the status register became 1).

또한, 예열 실행부(83)는, 단차면(412)에 대하여 프레임 부재(50)를 상대 이동시켜, 설정된 예열 위치(HP)에 프레임 부재(50)를 위치 결정한다(도 3도 참조). 예열 위치(HP)는, 프레임 부재(50)가 변형되더라도 스테이지(40)에 간섭하지 않는 위치이며, 또한 프레임 부재(50)가 스테이지(40)의 방사열을 양호하게 받는 것이 가능한 위치이다. 스테이지 본체(41)의 단차면(412)에 대한 예열 위치(HP)의 이격 거리(X)는, 배치면(411)과 단차면(412)의 간격(D)보다 짧다. 예열 위치(HP)의 실제 이격 거리(X)는, 실험이나 시뮬레이션 등에 의해 미리 설정되는 것이 바람직하고, 예컨대, 0.3 mm∼3 mm 정도의 범위로 설정되는 것이 바람직하다. 혹은 상기와 같이, 예열 위치(HP)의 이격 거리(X)는, 설정 화면 정보를 통해 사용자에 의해 설정되어도 좋다. Further, the preheating unit 83 relatively moves the frame member 50 with respect to the stepped surface 412 to position the frame member 50 at the set preheating position HP (see also FIG. 3 ). The preheating position HP is a position where the frame member 50 does not interfere with the stage 40 even if it is deformed, and is a position where the frame member 50 can receive radiant heat from the stage 40 satisfactorily. The separation distance X of the preheating position HP with respect to the stepped surface 412 of the stage body 41 is shorter than the distance D between the placement surface 411 and the stepped surface 412 . The actual separation distance X of the preheating position HP is preferably set in advance through experiments or simulations, and is preferably set in a range of about 0.3 mm to 3 mm, for example. Alternatively, as described above, the separation distance X of the preheating position HP may be set by the user through setting screen information.

예열 실행부(83)는, 스테이지(40)의 온도에 따라 예열 위치(HP)를 자동적으로 변화시키는 구성으로 할 수도 있다. 예컨대, 예열 실행부(83)는, 스테이지(40)의 온도와 예열 위치(HP)를 대응시킨 맵 정보(도시하지 않음)를 보유하고, 온도 센서(47)가 측정한 스테이지(40)의 온도와 맵 정보를 참조하여 예열 위치(HP)를 설정한다. 즉, 스테이지(40)의 온도가 높은 경우에는, 단차면(412)에 대하여 제1 거리만큼 이격된 예열 위치(HP)로 하는 한편, 스테이지(40)의 온도가 낮은 경우에는, 단차면(412)에 대하여 제1 거리보다 짧은 제2 거리만큼 이격된 예열 위치(HP)로 변화시킨다. The preheating unit 83 may be configured to automatically change the preheating position HP according to the temperature of the stage 40 . For example, the preheating unit 83 holds map information (not shown) in which the temperature of the stage 40 corresponds to the preheating position HP, and the temperature of the stage 40 measured by the temperature sensor 47 The preheating position (HP) is set by referring to and map information. That is, when the temperature of the stage 40 is high, the preheating position HP is set apart from the stepped surface 412 by the first distance, while when the temperature of the stage 40 is low, the stepped surface 412 ) to the preheating position HP spaced apart by a second distance shorter than the first distance.

예열 실행부(83)는, 예열 조건 판정부(82)에 의한 예열 조건의 성립(예컨대, 이니셜 동작 종료의 정보)을 수신하는 것에 의해 자동적으로 동작을 시작하여, 프레임 부재 승강부(60)를 동작시켜 프레임 부재(50)를 예열 위치(HP)에 배치한다. 이 때, 제어부(70)는, 프레임 부재 승강부(60)의 동작 상태를 취득함으로써, 프레임 부재(50)의 현재의 높이 위치를 모니터링하고 있다. 그리고, 제어부(70)는, 도 5에 도시하는 프레임 부재 화면 정보(90)에서의 위치 정보 영역(95)에, 지지반(65)의 위치 및 단차면(412)에 대한 프레임 부재(50)의 위치를 표시한다. 또 도 5 중에서, 위치 정보 영역(95)의 축위치란(951)은, 기준 위치에 대한 지지반(65)의 상대 거리이며, 위치 정보 영역(95)의 프레임 부재 위치란(952)은, 단차면(412)에 대한 프레임 부재(50)의 상대 거리이다. The preheating execution unit 83 automatically starts an operation by receiving the preheating condition satisfied by the preheating condition determining unit 82 (eg, information on the end of the initial operation), and moves the frame member lifting unit 60. operation to place the frame member 50 at the preheating position HP. At this time, the control unit 70 monitors the current height position of the frame member 50 by acquiring the operating state of the frame member elevating unit 60 . Then, the control unit 70 sets the position of the support plate 65 and the frame member 50 relative to the stepped surface 412 in the position information area 95 in the frame member screen information 90 shown in FIG. 5 . indicate the location of 5, the axis position column 951 of the position information area 95 is the relative distance of the support plate 65 to the standard position, and the frame member position column 952 of the position information area 95 is, is the relative distance of the frame member 50 to the stepped surface 412.

프레임 부재(50)를 예열 위치(HP)에 배치한 후에, 예열 실행부(83)는, 프레임 부재(50)를 충분히 승온할 수 있는 예열 완료 시간에 도달할 때까지, 예열 위치(HP)에 프레임 부재(50)를 대기시킨다. 예열 완료 시간은, 스테이지(40)의 온도나 예열 위치(HP)에 따라서도 달라지지만, 예컨대 3초∼60초 정도로 설정되는 것이 바람직하다. 예열 완료 시간은, 스테이지(40)의 온도나 예열 위치(HP)에 따라서 자동적으로 변경되어도 좋다. 예컨대, 예열 실행부(83)는, 스테이지(40)의 온도와 예열 위치(HP)를 예열 완료 시간으로 관련지은 맵 정보(도시하지 않음)를 보유하고, 맵 정보를 참조하여 예열 완료 시간을 설정하고, 예열 완료 시간까지의 계시를 행한다. After the frame member 50 is placed at the preheating position HP, the preheating unit 83 maintains the frame member 50 at the preheating position HP until the preheating completion time at which the temperature of the frame member 50 can be sufficiently raised is reached. The frame member 50 is put on standby. The preheating completion time varies depending on the temperature of the stage 40 and the preheating position HP, but is preferably set to, for example, about 3 to 60 seconds. The preheating completion time may be automatically changed according to the temperature of the stage 40 or the preheating position HP. For example, the preheating unit 83 holds map information (not shown) relating the preheating completion time to the temperature of the stage 40 and the preheating position HP, and sets the preheating completion time by referring to the map information. and time-measurement is performed until the preheating completion time.

또한, 예열 실행부(83)는, 프레임 부재(50)의 예열중에, 프레임 부재(50)의 상태 정보를 나타내는 스테이터스 레지스터의 예열 미완료 플래그(F1)를 기동시키는(예열 미완료 플래그(F1)를 0으로부터 1로 한다) 한편, 프레임 부재(50)의 예열 완료후에, 예열 미완료 플래그(F1)를 1로부터 0으로 한다. 또한 예열중에, 예열 실행부(83)는, 예열 상태(경과 시간)를 모니터링하여, 예컨대, 도 5에 도시하는 프레임 부재 화면 정보(90)에서의 예열 정보 영역(96)에 경과 시간을 표시한다. 예열 정보 영역(96)은, 실행중(예열 미완료), 예열 완료, 예열 미실행 등의 현재의 스테이터스를 표시하는 상태란(961), 프레임 부재(50)의 예열의 경과 시간을 나타내는 예열 시간란(962), 프레임 부재(50)의 온도 저하의 경과 시간을 나타내는 냉각 시간란(963) 등을 포함한다. In addition, during preheating of the frame member 50, the preheating unit 83 activates the preheating incomplete flag F1 of the status register indicating state information of the frame member 50 (set the preheating incomplete flag F1 to 0). On the other hand, after completion of preheating of the frame member 50, the preheating incomplete flag F1 is set from 1 to 0. During preheating, the preheating unit 83 monitors the preheating state (elapsed time), and displays the elapsed time in the preheating information area 96 of the frame member screen information 90 shown in FIG. 5, for example. . The preheating information area 96 includes a status column 961 displaying current status such as running (preheating not completed), preheating completed, or preheating not executed, and a preheating time column indicating the elapsed time of preheating of the frame member 50 ( 962), a cooling time column 963 indicating the elapsed time of the temperature decrease of the frame member 50, and the like.

또, 기판 처리 장치(1)는, 프레임 부재(50)의 온도를 검출하는 검출부(도시하지 않음)를 구비하고, 검출부의 검출 온도에 기초하여 프레임 부재(50)의 예열의 실시 판정, 종료 판정 등을 행해도 좋다. 또한, 제어부(70)는, 기판 처리 장치(1)의 동작시(생산 운용중)에, 스테이지(40)로의 기판(W)의 반송이 이루어지지 않은 경우에, 예열 위치(HP)에 배치한 프레임 부재(50)에 관해서는 예열 완료 시간이 지나더라도 예열 위치(HP)에 대기시킨 채로 하는 것이 바람직하다. 즉, 예열 미완료 플래그(F1)가 0이라도 예열 위치(HP)에 프레임 부재(50)를 배치해 둔다. 이것에 의해, 예열이 완료한 후에, 프레임 부재(50)의 온도가 부주의하게 내려가는 것을 억제할 수 있다. In addition, the substrate processing apparatus 1 is provided with a detection unit (not shown) that detects the temperature of the frame member 50, and based on the temperature detected by the detection unit, it is determined whether the preheating of the frame member 50 is performed or terminated. etc. In addition, when the substrate W is not transported to the stage 40 during operation of the substrate processing apparatus 1 (during production operation), the controller 70 is disposed at the preheating position HP. Regarding the frame member 50, it is preferable to keep it on standby at the preheating position HP even after the preheating completion time has elapsed. That is, even if the preheating incomplete flag F1 is 0, the frame member 50 is disposed at the preheating position HP. This makes it possible to suppress an inadvertent drop in temperature of the frame member 50 after preheating is completed.

예열 무효 감시부(84)는, 기판 처리 장치(1)의 동작시에, 일단 예열한 프레임 부재(50)의 온도가 저하된 상태가 되는 예열 무효를 감시한다. 예열 무효 감시부(84)는, 예컨대, 배전 구동부(66) 등으로부터 프레임 부재(50)의 높이 위치(연직 방향 위치)를 취득하고, 스테이지(40)에 대하여 예열 위치(HP)보다 높고 프레임 부재(50)의 온도 저하가 생기는 위치(예컨대, 반입 반출 대기 위치 등)에 프레임 부재(50)가 위치하고 있는 시간을 계측한다. The preheating invalidation monitoring unit 84 monitors preheating invalidation in which the temperature of the once preheated frame member 50 is reduced during operation of the substrate processing apparatus 1 . The preheating invalidation monitoring unit 84 acquires the height position (vertical position) of the frame member 50 from, for example, the power distribution drive unit 66 or the like, and is higher than the preheating position HP with respect to the stage 40 of the frame member. The time at which the frame member 50 is located at the position where the temperature drop of (50) occurs (for example, the carry-in/out stand-by position) is measured.

도 6은, 예열 무효를 감시할 때의 위치 정보 영역 및 예열 정보를 예시하는 도면이다. 도 6에 도시하는 위치 정보 영역(95)에서는, 프레임 부재 위치란(952)의 프레임 부재 위치란(952)이 큰 값이 되어 있고, 프레임 부재(50)의 온도 저하가 생기는 위치인 것을 나타내고 있다. 또한, 도 6에 도시하는 예열 정보 영역(96)의 냉각 시간란(963)에서는, 예열 무효의 시간을 계측하고 있는 것을 나타내고 있다. 6 is a diagram illustrating a location information area and preheating information when preheating invalidity is monitored. In the position information area 95 shown in FIG. 6, the frame member position column 952 of the frame member position column 952 has a large value, indicating that the temperature of the frame member 50 is lowered. . In addition, in the cooling time column 963 of the preheating information area 96 shown in FIG. 6, it is shown that the preheating invalid time is measured.

예열 무효 감시부(84)는, 미리 설정되어 있는 예열 무효 시간보다 경과 시간이 길어진 것을 인식하면, 프레임 부재(50)의 온도가 저하되었다, 즉 프레임 부재(50)의 예열이 무효가 되었다고 판정한다. 예열 무효 시간은, 처리 공간(14a) 내의 온도(스테이지(40)의 온도)에 따라서도 달라지지만, 예컨대 3분 이상의 값으로 설정된다. 또, 예열 무효 시간은, 처리 용기(10) 내 또는 스테이지(40)의 온도에 따라서 자동적으로 변경해도 좋다. 예열 무효 감시부(84)는, 프레임 부재(50)의 예열이 무효가 되었다고 판정한 경우에, 예열 무효 플래그(F2)를 기동시킨다(예열 무효 플래그(F2)를 0으로부터 1로 한다). When the preheating invalidation monitoring unit 84 recognizes that the elapsed time has become longer than the preset preheating invalidation time, it determines that the temperature of the frame member 50 has decreased, that is, the preheating of the frame member 50 has become invalid. . The preheating invalid time also varies depending on the temperature in the processing space 14a (the temperature of the stage 40), but is set to a value of 3 minutes or more, for example. In addition, the preheating invalid time may be automatically changed according to the temperature in the processing vessel 10 or the stage 40 . When the preheating invalidation monitoring unit 84 determines that the preheating of the frame member 50 has become invalid, the preheating invalidation flag F2 is activated (the preheating invalidation flag F2 is set from 0 to 1).

제어부(70)는, 예열 무효 플래그(F2)를 1로 한 경우에, 예열 정보 영역(96)의 상태란(961)에 있어서, 예열 완료의 스테이터스 표시를, 예열 미실행의 스테이터스 표시로 전환한다. 그리고, 제어부(70)는, 예열 실행부(83)를 다시 동작시킴으로써 프레임 부재(50)의 재예열을 행한다. 예컨대, 제어부(70)는, 기판(W)의 반입 반출을 실시하지 않은 타이밍에, 예열 실행부(83)의 제어하에, 프레임 부재 승강부(60)를 동작시켜 프레임 부재(50)를 예열 위치(HP)에 배치한다. 그리고, 예열 무효 감시부(84)는, 예열 실행부(83)가 예열을 시작하면, 예열 무효 플래그(F2)를 1로부터 0으로 한다. 한편, 예열 실행부(83)는 예열 미완료 플래그(F1)를 0으로부터 1로 한다. When the preheating invalid flag F2 is set to 1, the control unit 70 switches the status display of preheating completion to the status display of non-preheating in the status column 961 of the preheating information area 96. . Then, the controller 70 re-heats the frame member 50 by operating the preheating unit 83 again. For example, the controller 70 moves the frame member 50 to the preheating position by operating the frame member lifting unit 60 under the control of the preheating unit 83 at a timing when the substrate W is not carried in or out. (HP). Then, the preheating invalidation monitoring unit 84 sets the preheating invalidation flag F2 from 1 to 0 when the preheating execution unit 83 starts preheating. Meanwhile, the preheating unit 83 sets the preheating incomplete flag F1 from 0 to 1.

도 4로 되돌아가, 제어부(70)의 인터록부(85)는, 예열 미완료 플래그(F1) 또는 예열 무효 플래그(F2)가 1이 되어 있는 경우(예열 미완료, 예열 무효 등)에, 예열시 인터록을 실시한다. 예컨대, 예열시 인터록에 있어서, 인터록부(85)는, 이니셜 동작 이외에, 프레임 부재(50)가 스테이지(40)의 단차면(412)에 접촉하는 것을 금지한다. 일례로서, 인터록부(85)는, 소프트웨어 상에서 예열 실행부(83)이외의 기능부의 동작을 정지하는 것에 의해, 단차면(412)에 대한 프레임 부재(50)의 접촉을 금지한다. 혹은, 인터록부(85)는, 개재 부재 등을 프레임 부재(50)에 접촉시켜 단차면(412)에 대한 프레임 부재(50)의 접촉을 기계적으로 차단해도 좋다. Returning to FIG. 4 , the interlock unit 85 of the control unit 70 interlocks during preheating when the preheating incomplete flag F1 or the preheating invalid flag F2 is set to 1 (preheating incomplete, preheating invalid, etc.). carry out For example, in the interlock during preheating, the interlock unit 85 prohibits the frame member 50 from contacting the stepped surface 412 of the stage 40 other than the initial operation. As an example, the interlock unit 85 prohibits contact of the frame member 50 to the stepped surface 412 by stopping the operation of functional units other than the preheating unit 83 on software. Alternatively, the interlock portion 85 may mechanically block contact of the frame member 50 with the stepped surface 412 by bringing an intervening member or the like into contact with the frame member 50 .

또한, 인터록부(85)는, 예열 미완료 플래그(F1) 또는 예열 무효 플래그(F2)가 1이 되어 있는 경우에, 기판 처리(레시피의 실행)를 금지한다. 예컨대, 기판 처리의 금지에 있어서, 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)의 반입의 금지, 처리 용기(10) 내로의 가스의 공급 금지, 고주파 전원(32)의 조작 금지 등을 행한다. Further, the interlock unit 85 prohibits substrate processing (recipe execution) when the preheating incomplete flag F1 or the preheating invalid flag F2 is set to 1. For example, in prohibition of substrate processing, the substrate processing apparatus 1 prohibits carrying in of the substrate W, prohibits supply of gas into the processing chamber 10, prohibits operation of the high frequency power supply 32, and the like.

또한, 인터록부(85)는, 스테이지(40)에 프레임 부재(50)를 접촉시키고 있는 상태에서, 스테이지(40)의 온도 변경을 금지하는 접촉시 인터록을 행하는 것이 좋다. 스테이지의 온도 변경이란, 히터선(45)의 가열을 정지하는 것, 처리 용기(10) 내를 진공으로 하는 것 등을 들 수 있다. 이것에 의해, 스테이지(40)의 단차면(412)으로부터 프레임 부재(50)에 받는 온도 변화에 의해, 프레임 부재(50)가 단차면(412)에 접촉한 채로 변형되는 것을 회피할 수 있다. In addition, it is preferable that the interlock unit 85 performs a contact interlock that prohibits temperature change of the stage 40 in a state where the frame member 50 is brought into contact with the stage 40 . Examples of the temperature change of the stage include stopping the heating of the heater wire 45 and vacuuming the inside of the processing container 10 . This avoids deformation of the frame member 50 in contact with the stepped surface 412 due to a temperature change applied to the frame member 50 from the stepped surface 412 of the stage 40 .

또, 제어부(70)는, 스테이지(40)의 온도 변경이 필요한 경우에, 단차면(412)으로부터 프레임 부재(50)를 부상시키는 밀어내기 동작을 행하고, 그 후에 스테이지(40)의 온도 변경을 실시해도 좋다. 이 밀어내기 동작에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 스테이지(40)와 프레임 부재(50)의 마찰을 확실하게 회피하면서, 스테이지(40)의 온도 변경을 원활하게 행할 수 있다. In addition, when the temperature of the stage 40 needs to be changed, the controller 70 performs a pushing operation to lift the frame member 50 from the stepped surface 412, and then changes the temperature of the stage 40. may be carried out By this pushing operation, the substrate processing apparatus 1 can smoothly change the temperature of the stage 40 while reliably avoiding friction between the stage 40 and the frame member 50 .

제어부(70)의 기판 처리 판정부(86)는, 기판 처리의 실시 조건의 성립 또는 비성립을 판정하여, 기판 처리의 실시를 판정한다. 예컨대, 기판 처리 판정부(86)는, 인터록부(85)가 인터록을 행하지 않은(예열 미완료 플래그(F1)가 0 및 예열 무효 플래그(F2)가 0인) 것을, 기판 처리의 실시 조건으로 한다. 또한, 다른 기판 처리의 실시 조건으로는, 레시피 상에서 기판 처리가 실시로 되어 있는 것, 반송 장치가 반송하는 기판(W)이 준비되어 있는 것, 이상 등의 이벤트가 발생하지 않은 것 등을 들 수 있다. The substrate processing determination unit 86 of the control unit 70 determines whether the substrate processing execution conditions are met or not, and determines the execution of the substrate processing. For example, the substrate processing determining unit 86 sets the substrate processing execution condition to that the interlocking unit 85 does not interlock (the preheating incomplete flag F1 is 0 and the preheating invalid flag F2 is 0). . In addition, other substrate processing execution conditions include that the substrate processing is performed according to the recipe, that the substrate W to be transported by the transfer device is ready, and that no abnormal events have occurred. there is.

제어부(70)의 기판 처리 제어부(87)는, 기판 처리 판정부(86)에 의해 실시 조건이 성립한 경우에, 기판 처리 장치(1)의 각 구성을 제어하여 기판 처리를 실시한다. 구체적으로는, 기판 처리 제어부(87)는, 예열한 프레임 부재(50)를 상승시켜 반입 반출 대기 위치에 배치하고, 배치면(411)에 기판(W)을 반입한 후, 프레임 부재(50)를 하강시켜 스테이지(40)의 단차면(412)에 접촉시킨다. 그리고, 기판 처리 제어부(87)는, 처리 용기(10) 내를 미리 설정한 진공 분위기로 하고, 처리 공간(14a)에 가스를 공급하여 플라즈마화하는 것에 의해, 플라즈마 중의 프리커서를 기판(W)에 제공하는 실제의 기판 처리를 행한다. 이 기판 처리에는, CVD법을 이용한 성막 처리나 에칭 처리 등이 포함된다. The substrate processing control unit 87 of the control unit 70 performs substrate processing by controlling each component of the substrate processing apparatus 1 when the execution conditions are satisfied by the substrate processing determining unit 86 . Specifically, the substrate processing control unit 87 lifts the preheated frame member 50 and places it in a carry-in/out standby position, carries the substrate W onto the placement surface 411, and then moves the frame member 50 is lowered to contact the stepped surface 412 of the stage 40. Then, the substrate processing control unit 87 sets the inside of the processing chamber 10 to a preset vacuum atmosphere and supplies a gas to the processing space 14a to convert the precursors in the plasma into a plasma. Actual substrate processing is performed. This substrate process includes a film formation process using a CVD method, an etching process, and the like.

일실시형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 기본적으로는 이상과 같이 형성되는 것이며, 이하 그 동작에 관해 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한다. 도 7은, 프레임 부재(50)의 예열 처리 방법을 도시하는 플로우차트이다. 도 8은, 기판 처리 루틴을 도시하는 플로우차트이다. The substrate processing apparatus 1 according to one embodiment is basically formed as described above, and its operation will be described below with reference to FIGS. 7 and 8 . 7 is a flowchart showing a method of preheating the frame member 50. As shown in FIG. 8 is a flowchart showing a substrate processing routine.

기판 처리 장치(1)는, 동작시(예컨대, 기동시 또는 운전중)에, 프레임 부재(50)를 예열하는 예열 처리 방법을 실시한다. 예열 처리 방법의 실시에 있어서, 제어부(70)의 스테이지 온도 조절부(80)는, 사용자나 레시피에 있어서 설정된 스테이지(40)의 목표 온도가 되도록, 히터 구동부(46)를 제어하여 스테이지(40)의 온도를 조정한다(단계 S1). The substrate processing apparatus 1 performs a preheating treatment method of preheating the frame member 50 during operation (eg, startup or operation). In the implementation of the preheating treatment method, the stage temperature controller 80 of the control unit 70 controls the heater driver 46 so that the target temperature of the stage 40 set by the user or recipe is reached, so that the stage 40 Adjust the temperature of (step S1).

또한, 제어부(70)의 이니셜 제어부(81)는, 기판 처리 장치(1)의 각 구성의 이니셜 동작을 제어한다(단계 S2). 프레임 부재 승강부(60)의 이니셜 동작에 있어서, 이니셜 제어부(81)는, 각 단위 승강 기구(61)의 지주(62)를 하한 위치까지 하강시키는 것에 의해, 지지반(65)의 제로 위치를 맞춘다. 또, 기판 처리 장치(1)는, 이니셜 동작의 제어(단계 S2)와, 스테이지(40)의 온도의 조정(단계 S1)을 동일한 타이밍에 행해도 좋다. Further, the initial control unit 81 of the control unit 70 controls the initial operation of each component of the substrate processing apparatus 1 (step S2). In the initial operation of the frame member lifting unit 60, the initial control unit 81 moves the support plate 65 to the zero position by lowering the support 62 of each unit lifting mechanism 61 to the lower limit position. match Further, the substrate processing apparatus 1 may perform control of the initial operation (step S2) and adjustment of the temperature of the stage 40 (step S1) at the same timing.

그리고, 제어부(70)의 예열 조건 판정부(82)는, 프레임 부재(50)의 예열을 행하는 상기 예열 조건을 확인하여, 예열 조건이 성립하는지 아닌지를 판정한다(단계 S3). 단계 S3에서, 예열 조건이 성립하지 않은 경우(단계 S3 : 아니오), 단계 S4∼S9를 뛰어넘어 단계 S10으로 진행하고, 프레임 부재(50)의 예열을 실시하지 않는다. Then, the preheating condition determination unit 82 of the control unit 70 checks the preheating conditions for preheating the frame member 50, and determines whether or not the preheating conditions are met (step S3). In step S3, if the preheating condition is not satisfied (step S3: No), step S4 to step S9 are skipped and the process proceeds to step S10, and preheating of the frame member 50 is not performed.

단계 S3에서 예열 조건이 성립한 경우(단계 S3 : 예), 제어부(70)의 예열 실행부(83)는, 예열 미완료 플래그(F1)를 1로 한다(단계 S4). 인터록부(85)는, 예열 미완료 플래그(F1)가 1인 것을 인식하면, 예열시 인터록을 행한다. 인터록부(85)는, 예열시 인터록에 있어서, 상기와 같이 동작의 제한으로서, 스테이지(40)에 대한 프레임 부재(50)의 접촉을 금지하는 것, 기판(W)의 처리를 금지하는 것 등의 인터록을 행한다(단계 S5). When the preheating condition is met in step S3 (step S3: YES), the preheating execution unit 83 of the control unit 70 sets the preheating incomplete flag F1 to 1 (step S4). When the interlock unit 85 recognizes that the preheating incomplete flag F1 is 1, it interlocks during preheating. In the interlock during preheating, the interlock unit 85 restricts the operation as described above, prohibiting contact of the frame member 50 with the stage 40, prohibiting processing of the substrate W, and the like. is interlocked (step S5).

또한, 예열 실행부(83)는, 프레임 부재 승강부(60)의 동작을 제어하여, 스테이지(40)의 단차면(412)으로부터 이격된 예열 위치(HP)에 프레임 부재(50)를 배치한다(단계 S6). In addition, the preheating unit 83 controls the operation of the frame member lifting unit 60 to place the frame member 50 at the preheating position HP away from the stepped surface 412 of the stage 40. (Step S6).

그리고, 예열 실행부(83)는, 예열 위치(HP)에 프레임 부재(50)를 배치한 상태를 유지함으로써, 스테이지(40)의 방열을 프레임 부재(50)에 급열시킴으로써 프레임 부재(50)를 예열한다(단계 S7). Then, the preheating unit 83 rapidly dissipates heat from the stage 40 to the frame member 50 by maintaining the state in which the frame member 50 is disposed at the preheating position HP, thereby preheating the frame member 50. Preheat (step S7).

이 단계 S7의 실시중에, 예열 실행부(83)는, 예열 위치(HP)에 프레임 부재(50)를 배치한 시점부터 계시를 행하여, 예열 위치(HP)에서의 대기 시간이 예열 완료 시간에 도달했는지 아닌지를 판정한다(단계 S8). 그리고, 대기 시간이 예열 완료 시간에 도달하지 않은 경우(단계 S8 : 아니오), 예열 실행부(83)는, 단계 S7로 되돌아 프레임 부재(50)의 예열을 계속한다. 한편, 대기 시간이 예열 완료 시간에 도달한 경우(단계 S8 : 예), 예열 실행부(83)는, 스테이지(40)와 프레임 부재(50)의 온도차가 없어졌다고 인식하고, 예열 미완료 플래그(F1)를 0으로 되돌려 예열을 완료한다(단계 S9). 이 예열 미완료 플래그(F1)가 0이 되는 것에 기초하여, 인터록부(85)는, 프레임 부재(50)가 단차면(412)에 접촉하는 동작 및 기판 처리의 인터록을 해제한다. During the implementation of this step S7, the preheating unit 83 counts from the time point at which the frame member 50 is placed at the preheating position HP, so that the waiting time at the preheating position HP reaches the preheating completion time. It is determined whether or not it has been done (step S8). Then, if the waiting time has not reached the preheating completion time (Step S8: No), the preheating unit 83 returns to Step S7 and continues preheating of the frame member 50. On the other hand, when the waiting time reaches the preheating completion time (step S8: YES), the preheating unit 83 recognizes that the temperature difference between the stage 40 and the frame member 50 has disappeared, and sets a preheating incomplete flag F1 ) is returned to 0 to complete the preheating (step S9). Based on the preheating incomplete flag F1 becoming 0, the interlock unit 85 cancels the interlock between the operation of the frame member 50 contacting the stepped surface 412 and the substrate processing.

예열 완료후, 제어부(70)의 기판 처리 판정부(86)는, 레시피, 반송 장치에 대한 기판(W)의 셋팅 상태, 트러블의 상태 등을 확인하여, 기판 처리로 이행하는지 아닌지를 판정한다(단계 S10). 기판 처리로 이행하지 않는 경우(단계 S10 : 아니오), 제어부(70)는, 예열 위치(HP)에서의 프레임 부재(50)의 대기를 계속하고(단계 S11), 단계 S10으로 되돌아간다. After completion of preheating, the substrate processing judging unit 86 of the control unit 70 checks the recipe, the setting state of the substrate W with respect to the transfer device, the trouble state, and the like, and determines whether or not to proceed to the substrate processing ( Step S10). When not transferring to the substrate process (Step S10: No), the controller 70 continues waiting for the frame member 50 at the preheating position HP (Step S11) and returns to Step S10.

한편, 기판 처리로 이행하는 경우(단계 S10 : 아니오), 제어부(70)의 기판 처리 제어부(87)는, 상기 기판 처리의 동작(기판 처리 루틴)을 행한다(단계 S12). On the other hand, in the case of shifting to substrate processing (step S10: No), the substrate processing control unit 87 of the control unit 70 performs the substrate processing operation (substrate processing routine) (step S12).

도 8에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 제어부(87)는, 기판 처리 루틴에 있어서, 우선 프레임 부재 승강부(60)의 동작을 제어하여 프레임 부재(50)를 반입 반출 대기 위치에 배치한다(단계 S21). 이 상태에서, 기판 처리 제어부(87)는, 반송 장치와 연동하여, 처리 용기(10) 내로의 기판(W)의 반입, 및 스테이지(40)의 배치면(411)으로의 기판(W)의 배치를 행한다(단계 S22). As shown in FIG. 8 , in the substrate processing routine, the substrate processing control unit 87 first controls the operation of the frame member elevating unit 60 to place the frame member 50 in the carry-in/out standby position (step S21). In this state, the substrate processing control unit 87 interlocks with the transfer device to transfer the substrate W into the processing container 10 and transfer the substrate W to the placement surface 411 of the stage 40. Placement is performed (step S22).

그 후, 기판 처리 제어부(87)는, 프레임 부재 승강부(60)의 동작을 제어하여, 스테이지(40) 및 기판(W)에 대하여 프레임 부재(50)를 하강시키고, 프레임 부재(50)의 외주부(51)의 하면(511)을 스테이지(40)의 단차면(412)에 접촉시킨다(단계 S23). 이것에 의해, 프레임 부재(50)의 차양부(52)는, 기판(W)에 대하여 비접촉의 상태로, 기판(W)의 가장자리부의 상측을 덮는다. After that, the substrate processing control unit 87 controls the operation of the frame member lifting unit 60 to lower the frame member 50 with respect to the stage 40 and the substrate W, The lower surface 511 of the outer peripheral portion 51 is brought into contact with the stepped surface 412 of the stage 40 (step S23). In this way, the edge portion 52 of the frame member 50 covers the upper side of the edge portion of the substrate W in a non-contact state.

그 후, 기판 처리 제어부(87)는, 처리 용기(10) 내를 미리 설정한 진공 분위기로 하고, 처리 공간(14a)에 가스를 공급하여 플라즈마화하는 것에 의해, 플라즈마 중의 프리커서를 기판(W)에 제공하는 실제의 기판 처리를 행한다(단계 S24). Thereafter, the substrate processing control unit 87 sets the inside of the processing chamber 10 to a preset vacuum atmosphere and supplies a gas to the processing space 14a to convert the precursor in the plasma into a plasma. ), an actual substrate processing is performed (step S24).

또한, 기판 처리 제어부(87)는, 기판 처리후에, 프레임 부재 승강부(60)를 동작하여 프레임 부재(50)를 반입 반출 대기 위치로 상승시키고(단계 S25), 처리한 기판(W)을 처리 용기(10)로부터 반출한다(단계 S26). 그리고, 기판 처리 판정부(86)는, 기판 처리를 더 계속할지 아닐지를 판정하여(단계 S27), 기판 처리의 완료를 판정하면(단계 S27 : 아니오), 처리 플로우를 종료한다. 한편, 기판 처리를 계속하는 경우(단계 S27 : 예), 기판 처리 판정부(86)는, 처리 용기(10) 내에 기판(W)을 반송 가능한지 아닌지에 관해 판정한다(단계 S28). 기판(W)이 반송 가능한 경우(단계 S28 : 예), 기판 처리 제어부(87)는, 프레임 부재(50)를 반입 반출 대기 위치에 배치한 채로, 단계 S22로 되돌아가, 상기 기판(W)의 반입으로부터 이하 동일한 동작을 반복한다. 배치면(411)에 대한 기판(W)의 반출 및 반입을 행하는 동작의 시간은, 프레임 부재(50)의 온도가 크게 저하될수록 긴 시간은 아니며(예열 무효 시간보다 짧은 시간이며), 예컨대 수십초∼2분 정도이다. Further, after the substrate processing, the substrate processing control unit 87 operates the frame member lifting unit 60 to raise the frame member 50 to the carry-in/out standby position (step S25), and processes the processed substrate W. It is carried out from the container 10 (step S26). Then, the substrate processing judging unit 86 determines whether or not to continue the substrate processing (step S27), and when it is determined that the substrate processing is completed (step S27: No), the processing flow ends. On the other hand, when substrate processing continues (step S27 : YES), the substrate processing judging unit 86 determines whether or not the substrate W can be transported into the processing container 10 (step S28 ). If the substrate W can be transported (step S28: YES), the substrate processing control unit 87 returns to step S22 while placing the frame member 50 in the carry-in/out standby position, From importing, the same operation is repeated below. The operation time for carrying out and carrying in the substrate W to the placement surface 411 is not a long time (a time shorter than the preheating invalid time) as the temperature of the frame member 50 is greatly reduced, and is, for example, several tens of seconds. It is about 2 minutes.

한편, 기판(W)의 반송을 바로 할 수 없는 경우(단계 S28 : 아니오), 예열 무효 감시부(84)에 의해 계시를 행하여, 예열 무효 시간보다 계측 시간이 길어졌는지 아닌지를 판정한다(단계 S29). 예열 무효 시간보다 계측 시간이 짧은 경우(단계 S29 : 아니오), 단계 S28로 되돌아가, 기판(W)의 반송의 감시를 반복한다. 그리고, 예열 무효 시간보다 계측 시간이 길어진 경우(단계 S29 : 예), 예열 무효 감시부(84)는, 예열이 무효가 되었다고 판정하고, 예열 무효 플래그(F2)를 1로 한다(단계 S30). On the other hand, if the substrate W cannot be transported immediately (Step S28: No), the preheating invalidation monitoring unit 84 determines whether or not the measurement time has become longer than the preheating invalidation time (Step S29 ). If the measurement time is shorter than the preheating invalid time (Step S29: No), the process returns to Step S28, and the monitoring of conveyance of the substrate W is repeated. Then, when the measured time becomes longer than the preheating invalid time (step S29: YES), the preheating invalidation monitoring unit 84 determines that the preheating is invalidated, and sets the preheating invalidation flag F2 to 1 (step S30).

예열 무효 플래그(F2)가 1인 경우에, 단계 S3의 예열 조건이 성립하게 된다. 이 때문에, 제어부(70)의 예열 실행부(83)는, 단계 S4 이후의 처리 플로우를 다시 실시한다. 단계 S4로 되돌아간 경우에, 제어부(70)는 예열 무효 플래그를 0으로 하는 한편, 예열 미완료 플래그를 1로 한다. 또, 처리 용기(10) 내에 기판(W)의 반송이 불가능한 경우에, 제어부(70)는, 예열 무효 시간을 기다리지 않고, 프레임 부재(50)를 예열 위치(HP)로 이동시켜 대기시킴으로써 프레임 부재(50)의 예열을 행해도 좋다. 이것에 의해, 프레임 부재(50)의 온도 저하를 양호하게 억제할 수 있다. 그리고, 제어부(70)는, 기판(W)의 반송이 가능해진 경우에, 예열 위치(HP)의 프레임 부재(50)를 반입 반출 대기 위치로 다시 상승시킨다. When the preheating invalid flag F2 is 1, the preheating condition of step S3 is satisfied. For this reason, the preheating unit 83 of the control unit 70 executes the processing flow from step S4 onwards again. When returning to step S4, the controller 70 sets the preheating invalid flag to 0 while setting the preheating incomplete flag to 1. In addition, when the substrate W cannot be conveyed within the processing container 10, the control unit 70 moves the frame member 50 to the preheating position HP and waits for the frame member 50 without waiting for the preheating invalid time. Preheating of (50) may be performed. In this way, the decrease in temperature of the frame member 50 can be favorably suppressed. Then, the controller 70 raises the frame member 50 at the preheating position HP to the carry-in/out stand-by position again when the substrate W can be transported.

이상과 같이, 부품의 예열 처리 방법 및 기판 처리 장치(1)는, 스테이지(40)에 대하여 접촉 가능하고 또한 상대 이동 가능한 부품인 프레임 부재(50)를 적절하게 예열하는 것이 가능해진다. 그리고, 부품의 예열 처리 방법 및 기판 처리 장치(1)는, 프레임 부재(50)의 예열에 의해, 온도 변화에 따르는 프레임 부재(50)의 변형을 먼저 재촉해 놓음으로써, 스테이지(40)에 프레임 부재(50)를 접촉시킨 상태로, 프레임 부재(50)를 변형시키지 않도록 할 수 있다. 이 때문에, 프레임 부재(50)는, 스테이지(40) 상의 기판(W)과의 상대 위치가 안정되어, 기판(W)에 대한 처리의 균일성을 높일 수 있다. As described above, the component preheating treatment method and the substrate processing apparatus 1 make it possible to appropriately preheat the frame member 50 , which is a component that can come into contact with the stage 40 and is relatively movable. Then, in the component preheating treatment method and substrate processing apparatus 1, by preheating the frame member 50, the deformation of the frame member 50 accompanying the temperature change is first accelerated, so that the frame member 50 is placed on the stage 40. It is possible to prevent the frame member 50 from being deformed while the member 50 is brought into contact with it. For this reason, the relative position of the frame member 50 with the substrate W on the stage 40 is stable, and the uniformity of processing with respect to the substrate W can be improved.

또한, 부품을 예열하는 공정에서는, 미리 설정된 예열 완료 시간이 경과될 때까지 예열 위치(HP)에 부품(프레임 부재(50))을 대기시킨다. 이것에 의해, 부품의 예열 처리 방법은, 예열 처리에 있어서, 스테이지(40)와의 온도차가 충분히 없어질 때까지 프레임 부재(50)의 온도를 조정할 수 있다. Further, in the step of preheating the component, the component (frame member 50) is made to stand by at the preheating position HP until a preset preheating completion time elapses. Accordingly, in the preheating treatment method for components, the temperature of the frame member 50 can be adjusted until the temperature difference with the stage 40 is sufficiently eliminated.

또한, 부품을 예열하는 공정후에, 예열 위치(HP)보다 스테이지(40)로부터 이격된 위치에 부품(프레임 부재(50))이 위치하는 시간을 계측하고, 계측 시간이 예열 무효 시간을 경과했는지 아닌지를 판정하는 공정을 가지며, 계측 시간이 예열 무효 시간을 경과한 경우에, 부품의 예열을 무효라고 인식하여, 부품을 예열하는 공정을 다시 실시한다. 이것에 의해, 부품의 예열 처리 방법은, 부품의 예열을 일단 행한 경우에도, 필요에 따라서 부품의 재예열을 간단하게 행할 수 있다. In addition, after the process of preheating the parts, the time the part (frame member 50) is positioned at a position farther from the stage 40 than the preheating position HP is measured, and whether or not the measured time has passed the preheating invalid time. In the case where the measured time has passed the preheating invalid time, preheating of the component is recognized as invalid, and the preheating of the component is performed again. In this way, in the component preheating treatment method, even when the component is once preheated, the component can be easily reheated as needed.

또한, 기판 처리 장치(1)는, 부품(프레임 부재(50))을 이탈 가능하게 지지하는 가동부(지지반(65))를 승강시킴으로써 부품을 승강시키는 부품 승강부(프레임 부재 승강부(60))를 구비하고, 부품을 예열하는 공정전에, 가동부를 하강시켜 스테이지(40)에 부품을 접촉시킴으로써 부품을 가동부로부터 이탈시켜, 가동부를 기준 위치에 맞추는 이니셜 동작을 행한다. 이것에 의해, 부품의 예열 처리 방법은, 프레임 부재(50)가 승강했을 때의 부품의 위치를 정밀하게 제어하는 것이 가능해져, 부품을 한층 더 적절하게 예열할 수 있다. In addition, the substrate processing apparatus 1 includes a component elevating portion (frame member elevating portion 60) that elevates the component by elevating a movable part (support plate 65) that supports the component (frame member 50) so as to be detachable. ), and prior to the process of preheating the component, the movable portion is lowered and the component is brought into contact with the stage 40 to release the component from the movable portion and perform an initial operation to adjust the movable portion to a reference position. This makes it possible to precisely control the position of the parts when the frame member 50 moves up and down in the method for preheating the parts, so that the parts can be more appropriately preheated.

또한, 스테이지(40)는, 부품(프레임 부재(50))이 접촉하는 접촉면(단차면(412))을 가지며, 예열 위치(HP)는, 접촉면에 대하여 0.3 mm∼3 mm의 범위로 설정된다. 이것에 의해, 부품의 예열 처리 방법은, 예열 위치(HP)에 위치 결정한 부품의 온도를 효율적으로 조정할 수 있다. In addition, the stage 40 has a contact surface (step difference surface 412) with which parts (frame member 50) come into contact, and the preheating position HP is set in the range of 0.3 mm to 3 mm with respect to the contact surface. . Thereby, in the component preheating treatment method, the temperature of the component positioned at the preheating position HP can be efficiently adjusted.

또한, 부품을 예열하는 공정의 실시중에, 기판 처리 장치(1)의 동작의 제한을 행하는 예열시 인터록 공정을 갖는다. 이것에 의해, 부품의 예열 처리 방법은, 예열 공정을 보다 안전하게 행할 수 있다. In addition, during the execution of the process of preheating the component, a preheating interlock process for limiting the operation of the substrate processing apparatus 1 is provided. As a result, in the preheating treatment method for parts, the preheating step can be performed more safely.

또한, 예열시 인터록은, 동작의 제한으로서, 스테이지(40)에 대한 부품(프레임 부재(50))의 접촉을 금지한다. 이것에 의해, 부품의 예열 처리 방법은, 예열이 완료되지 않은 부품이 스테이지(40)에 접촉하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. In addition, the interlock during preheating prohibits contact of a component (frame member 50) with the stage 40 as an operation limitation. In this way, in the preheating treatment method for parts, it is possible to reliably prevent parts that have not been preheated from contacting the stage 40 .

또한, 예열시 인터록은, 동작의 제한으로서, 기판(W)의 처리를 금지한다. 이것에 의해, 부품(프레임 부재(50))의 예열 처리 방법은, 예열이 완료되지 않은 부품이 있는 경우에, 기판(W)의 처리를 행하지 않고 끝나, 스테이지(40)나 기판(W)에 대한 부품의 마찰 등을 회피할 수 있다. In addition, the interlock during preheating prohibits processing of the substrate W as an operation restriction. In this way, the method for preheating treatment of components (frame member 50) ends without processing the substrate W when there is a component for which preheating has not been completed, so that the stage 40 or the substrate W It is possible to avoid friction of parts against the

또한, 부품(프레임 부재(50))을 스테이지에 접촉시키는 실시중에, 스테이지(40)의 온도 변경을 금지하는 접촉시 인터록을 행한다. 이것에 의해, 부품의 예열 처리 방법은, 스테이지(40)의 온도 변경에 따라 스테이지(40)에 접촉하고 있는 부품이 변형되는 것을 억제하는 것이 가능해진다. Further, during the implementation of bringing the component (frame member 50) into contact with the stage, a contact interlock is performed to prohibit the temperature change of the stage 40. Accordingly, in the method for preheating the components, it is possible to suppress the deformation of the components in contact with the stage 40 due to a change in the temperature of the stage 40 .

또한, 부품은, 스테이지(40)에 접촉한 상태로, 스테이지(40)에 배치된 기판(W)의 둘레 가장자리(wp)의 상측을 덮는 차양부(52)를 갖는 프레임 부재(50)이다. 이것에 의해, 부품의 예열 처리 방법은, 예열후의 프레임 부재(50)의 차양부(52)에 의해 기판(W)의 둘레 가장자리를 안정적으로 덮을 수 있다. Further, the component is a frame member 50 having a visor 52 covering the upper side of the circumferential edge wp of the substrate W placed on the stage 40 in a state of being in contact with the stage 40 . In this way, in the preheating treatment method for components, the edge portion 52 of the frame member 50 after preheating can stably cover the circumferential edge of the substrate W.

또한, 본 개시의 일양태는, 기판(W)이 배치된 스테이지(40)와, 스테이지(40)에 대하여 접촉 가능하고 또한 상대 이동 가능한 부품(프레임 부재(50))을 갖는 기판 처리 장치(1)로서, 부품의 이동을 제어하는 제어부(70)를 가지며, 제어부(70)는, 스테이지(40)에 대하여 비접촉이 되는 예열 위치(HP)에 부품을 위치 결정하여, 스테이지(40)로부터의 방사열에 의해 부품을 예열하고, 예열한 부품을 스테이지(40)에 접촉시킨다. 이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 부품을 적절하게 예열하여, 기판(W)에 대한 처리의 균일성을 높일 수 있다. In addition, one aspect of the present disclosure is a substrate processing apparatus 1 having a stage 40 on which a substrate W is placed, and a component (frame member 50) that can contact and relatively move with respect to the stage 40. ), and has a control unit 70 that controls the movement of the parts, and the control unit 70 positions the parts at the preheating position HP where they are non-contact with the stage 40, thereby radiating heat from the stage 40. The components are preheated by this, and the preheated components are brought into contact with the stage 40 . In this way, the substrate processing apparatus 1 can appropriately preheat the component and improve the uniformity of the processing of the substrate W.

이번에 개시된 실시형태에 관한 프레임 부재(50)의 예열 처리 방법 및 기판 처리 장치(1)는, 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니다. 실시형태는, 첨부한 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고 여러가지 형태로 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 다른 구성도 취할 수 있고, 또한, 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다. The preheat treatment method of the frame member 50 and the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment disclosed this time are examples in all respects, and are not restrictive. The embodiments can be modified and improved in various forms without departing from the scope of the appended claims and their gist. The matters described in the above plurality of embodiments can also take other configurations within a range that is not contradictory, and can be combined within a range that is not contradictory.

본 개시의 기판 처리 장치(1)는, ALD(Atomic Layer Deposition) 장치, CCP(Capacitively Coupled Plasma), ICP(Inductively Coupled Plasma), RLSA(Radial Line Slot Antenna), ECR(Electron Cyclotron Resonance Plasma), HWP(Helicon Wave Plasma)의 어느 타입의 장치에서도 적용 가능하다.The substrate processing apparatus 1 of the present disclosure includes an atomic layer deposition (ALD) apparatus, a capacitively coupled plasma (CCP), an inductively coupled plasma (ICP), a radial line slot antenna (RLSA), an electron cyclotron resonance plasma (ECR), and a HWP (Helicon Wave Plasma) can be applied to any type of device.

Claims (11)

기판 처리 장치의 기판이 배치된 스테이지에 대하여 접촉 가능하고 또한 상대 이동 가능한 부품의 예열 처리 방법으로서,
상기 스테이지에 대하여 비접촉이 되는 예열 위치에 상기 부품을 위치 결정하여, 상기 스테이지로부터의 방사열에 의해 상기 부품을 예열하는 공정과,
상기 부품을 예열하는 공정에서 예열한 상기 부품을 상기 스테이지에 접촉시키는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. A preheating treatment method for a component capable of contacting and relatively movable with respect to a stage on which a substrate is placed in a substrate processing apparatus, comprising:
a step of positioning the component at a preheating position where it is not in contact with the stage and preheating the component by radiant heat from the stage;
Step of bringing the preheated part into contact with the stage in the step of preheating the part
A method for preheating a part comprising a. 제1항에 있어서,
상기 부품을 예열하는 공정에서는, 미리 설정된 예열 완료 시간이 경과될 때까지 상기 예열 위치에 상기 부품을 대기시키는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. According to claim 1,
In the step of preheating the part, the part is kept at the preheating position until a preset preheating completion time elapses. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 부품을 예열하는 공정후에, 상기 예열 위치보다 상기 스테이지로부터 이격된 위치에 상기 부품이 위치하는 시간을 계측하고, 계측 시간이 예열 무효 시간을 경과했는지 아닌지를 판정하는 공정을 포함하며,
상기 계측 시간이 상기 예열 무효 시간을 경과한 경우에, 상기 부품의 예열을 무효라고 인식하여, 상기 부품을 예열하는 공정을 다시 실시하는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. According to claim 1 or 2,
After the step of preheating the part, measuring a time when the part is located at a position farther from the stage than the preheating position, and determining whether or not the measured time has passed a preheating invalid time;
The component preheating treatment method characterized by recognizing that the preheating of the component is invalid and re-performing the step of preheating the component when the measurement time has passed the preheating invalid time. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 부품을 이탈 가능하게 지지하는 가동부를 승강시킴으로써 상기 부품을 승강시키는 부품 승강부를 포함하고,
상기 부품을 예열하는 공정전에, 상기 가동부를 하강시켜 상기 스테이지에 상기 부품을 접촉시킴으로써 상기 부품을 상기 가동부로부터 이탈시켜, 상기 가동부를 기준 위치에 맞추는 이니셜 동작을 행하는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. According to any one of claims 1 to 3,
The substrate processing apparatus includes a component elevating portion that elevates the component by elevating a movable portion that detachably supports the component,
Before the step of preheating the part, an initial operation of lowering the movable part and bringing the part into contact with the stage to release the part from the movable part and aligning the movable part to a reference position is performed. . 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 스테이지는, 상기 부품이 접촉하는 접촉면을 가지며,
상기 예열 위치는, 상기 접촉면에 대하여 0.3 mm∼3 mm의 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. According to any one of claims 1 to 4,
The stage has a contact surface with which the parts come into contact,
The preheating position is set in a range of 0.3 mm to 3 mm with respect to the contact surface. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부품을 예열하는 공정의 실시중에, 상기 기판 처리 장치의 동작을 제한하는 예열시 인터록을 행하는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. According to any one of claims 1 to 5,
A method for preheating a component, wherein an interlock during preheating to limit an operation of the substrate processing apparatus is performed during the step of preheating the component. 제6항에 있어서,
상기 예열시 인터록은, 상기 동작의 제한으로서, 상기 스테이지에 대한 상기 부품의 접촉을 금지하는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. According to claim 6,
The interlock during preheating, as limiting the operation, prohibits the component from contacting the stage. 제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 예열시 인터록은, 상기 동작의 제한으로서, 상기 기판의 처리를 금지하는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. According to claim 6 or 7,
The interlock during preheating, as a limitation of the operation, prohibits processing of the substrate. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부품을 상기 스테이지에 접촉시키는 공정의 실시중에, 상기 스테이지의 온도 변경을 금지하는 접촉시 인터록을 행하는 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법. According to any one of claims 1 to 8,
A method for preheating a component, characterized in that, during the step of bringing the component into contact with the stage, an interlock upon contact for prohibiting temperature change of the stage is performed. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부품은, 상기 스테이지에 접촉한 상태로, 상기 스테이지에 배치된 상기 기판의 둘레 가장자리의 상측을 덮는 차양부를 갖는 프레임 부재인 것을 특징으로 하는 부품의 예열 처리 방법.According to any one of claims 1 to 9,
The component preheating method of claim 1 , wherein the component is a frame member having a visor covering an upper side of a circumferential edge of the substrate placed on the stage while in contact with the stage. 기판이 배치된 스테이지와, 상기 스테이지에 대하여 접촉 가능하고 또한 상대 이동 가능한 부품을 갖는 기판 처리 장치로서,
상기 부품의 이동을 제어하는 제어부를 가지며,
상기 제어부는,
상기 스테이지에 대하여 비접촉이 되는 예열 위치에 상기 부품을 위치 결정하여, 상기 스테이지로부터의 방사열에 의해 상기 부품을 예열하고,
예열한 상기 부품을 상기 스테이지에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus having a stage on which a substrate is placed, and parts capable of contacting and relatively movable with respect to the stage, comprising:
Has a control unit for controlling the movement of the part,
The control unit,
positioning the component at a preheating position where it does not come into contact with the stage, and preheating the component by radiant heat from the stage;
A substrate processing apparatus characterized in that the preheated component is brought into contact with the stage.
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