KR20230005760A - Cmp 폴리싱 패드 - Google Patents

Cmp 폴리싱 패드 Download PDF

Info

Publication number
KR20230005760A
KR20230005760A KR1020220077398A KR20220077398A KR20230005760A KR 20230005760 A KR20230005760 A KR 20230005760A KR 1020220077398 A KR1020220077398 A KR 1020220077398A KR 20220077398 A KR20220077398 A KR 20220077398A KR 20230005760 A KR20230005760 A KR 20230005760A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
chlorine
trace element
polishing layer
polishing pad
Prior art date
Application number
KR1020220077398A
Other languages
English (en)
Inventor
치안 바이니안
엠. 알던 도나
시모치 매튜
치오 난-룽
정 성-환
Original Assignee
롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 filed Critical 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드
Publication of KR20230005760A publication Critical patent/KR20230005760A/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B24B37/245—Pads with fixed abrasives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
    • B24D3/30—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds for close-grained structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
    • B24D3/32—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds for porous or cellular structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/08—Processes
    • C08G18/10—Prepolymer processes involving reaction of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen in a first reaction step
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/30—Low-molecular-weight compounds
    • C08G18/32—Polyhydroxy compounds; Polyamines; Hydroxyamines
    • C08G18/3225—Polyamines
    • C08G18/3237—Polyamines aromatic
    • C08G18/324—Polyamines aromatic containing only one aromatic ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/30—Low-molecular-weight compounds
    • C08G18/38—Low-molecular-weight compounds having heteroatoms other than oxygen
    • C08G18/3855—Low-molecular-weight compounds having heteroatoms other than oxygen having sulfur
    • C08G18/3857—Low-molecular-weight compounds having heteroatoms other than oxygen having sulfur having nitrogen in addition to sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/18—Homopolymers or copolymers of nitriles
    • C08L33/20—Homopolymers or copolymers of acrylonitrile
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L75/00—Compositions of polyureas or polyurethanes; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L75/04—Polyurethanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

폴리싱 패드는 이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체와 염소-부재 방향족 폴리아민 경화제의 반응 생성물을 포함하는 중합체 매트릭스 및 염소-부재 미량 원소를 포함하는 폴리싱 층을 갖는다. 미량 원소는 팽창된 중공 미량 원소일 수 있다. 미량 원소는 비중이 0.01 내지 0.2로 측정될 수 있다. 미량 원소는 부피 평균 입자 크기가 1 내지 120 마이크로미터 또는 15 내지 30 마이크로미터일 수 있다. 폴리싱 층은 염소 부재이다.

Description

CMP 폴리싱 패드{CMP POLISHING PAD}
일반적으로, 본 발명은 특히 마이크로 전자 기술의 제조에서 산화규소 함유 기판의 폴리싱을 포함하는, 기판의 화학적 기계적 폴리싱을 위한 폴리싱 패드에 관한 것이다.
집적 회로 및 기타 전자 디바이스의 제작에서, 도체, 반도체 및 유전체 재료의 다중 층은 반도체 웨이퍼의 표면 상에 증착되고 그로부터 부분적으로 또는 선택적으로 제거된다. 도체, 반도체 및 유전체 재료의 얇은 층은 다수의 증착 기술을 사용하여 증착될 수 있다. 또한, 다마신 공정에서, 트렌치 및 비아의 패터닝된 에칭에 의해 생성된 함몰부 영역을 충전하기 위해서, 재료가 증착된다. 충전은 컨포멀하기 때문에, 이는 불규칙한 표면 토포그래피(topography)를 초래할 수 있다. 또한, 충전 부족(underfilling)을 피하기 위해 과잉 재료가 증착될 수 있다. 따라서, 함몰부 바깥쪽 재료는 제거될 필요가 있다. 최신 웨이퍼 공정의 일반적인 증착 기술은 특히, 스퍼터링으로도 알려진 물리 기상 증착(PVD), 화학 기상 증착(CVD), 플라스마-강화 화학 기상 증착(PECVD) 및 전기화학 증착(ECD)을 포함한다. 일반적인 제거 기술은 습식 및 건식 에칭; 특히 등방성 및 이방성 에칭을 포함한다.
재료가 순차적으로 증착되고 제거됨에 따라, 기판의 토포그래피가 불균일해지거나 비-평면적이 될 수 있다. 후속 반도체 공정(예를 들어, 포토리소그래피, 금속 배선 공정 등)은 편평한 표면을 갖는 웨이퍼를 필요로 하므로, 웨이퍼는 평탄화될 필요가 있다. 평탄화는 원하지 않는 표면 토포그래피 및 표면 결함, 예컨대 거친 표면, 응집된 재료, 결정 격자 손상, 스크래치, 및 오염된 층 또는 재료를 제거하는 데 유용하다.
화학적 기계적 폴리싱(CMP)으로도 지칭되는 화학적 기계적 평탄화는, 반도체 웨이퍼와 같은 공작물을 평탄화 또는 폴리싱하기 위해서 그리고 다마신 공정, 프론트 엔드 라인(FEOL) 공정 또는 백 엔드 라인(BEOL) 공정에서 과잉 재료를 제거하기 위해서 사용되는 일반적인 기술이다. 통상적인 CMP에서, 웨이퍼 캐리어 또는 폴리싱 헤드가 캐리어 조립체에 장착된다. 폴리싱 헤드는 웨이퍼를 파지하여 웨이퍼를 CMP 장치 내의 테이블 또는 압반에 장착된 폴리싱 패드의 폴리싱 표면과 접촉하도록 위치시킨다. 캐리어 조립체는 웨이퍼와 폴리싱 패드 사이에 제어 가능한 압력을 제공한다. 동시에, 슬러리 또는 다른 폴리싱 매체가 폴리싱 패드 상에 분배되고 웨이퍼와 폴리싱 층 사이의 간극으로 흡인된다. 폴리싱을 수행하기 위해, 폴리싱 패드와 웨이퍼는 전형적으로 서로에 대해 회전한다. 폴리싱 패드가 웨이퍼 아래에서 회전됨에 따라, 웨이퍼는 전형적으로 환형 폴리싱 트랙 또는 폴리싱 영역을 횡단하고, 웨이퍼의 표면은 폴리싱 층과 직접 대면한다. 웨이퍼 표면은 폴리싱 표면과 표면 상의 폴리싱 매체(예를 들어, 슬러리)의 화학적 및 기계적 작용에 의해, 폴리싱되고 평면으로 만들어진다.
이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체와 염소-부재 방향족 폴리아민 경화제의 반응 생성물을 포함하는 중합체 매트릭스 및 중합체 매트릭스 내에 분포된 염소-부재 미량 원소를 포함하는 폴리싱 층을 갖는 화학적 기계적 폴리싱에 유용한 폴리싱 패드가 본원에 개시되어 있다. 미량 원소는 중공 미량 원소(예를 들어, 팽창된 미량 원소)일 수 있다. 미량 원소는 비중이 0.01 내지 0.2일 수 있다. 미량 원소는 부피 평균 입자 크기가 1 내지 120 마이크로미터 또는 15 내지 30 마이크로미터일 수 있다. 중공 미량 원소는 평균 벽 두께가 30 내지 300 나노미터일 수 있다. 폴리싱 층은 염소 부재이다.
본원에 개시된 폴리싱 패드는 이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체와 염소-부재 방향족 폴리아민 경화제의 반응 생성물을 포함하는 중합체 매트릭스 및 염소-부재 미량 원소를 포함한다.
"염소-부재"는 화합물(예를 들어, 경화제)과 관련되는 경우 경화제로서 사용되는 화합물(들)이 화학식에 염소 원자를 포함하지 않음을 의미한다.
"염소-부재"는 조성물, 물품 또는 구성성분과 관련되는 경우 염소가 조성물에서 검출될 수 없음을 의미한다. 바람직하게는, 전체 폴리싱 층은 구성성분(예를 들어, 미량 원소 또는 폴리싱 층)이 에너지-분산형 X-선 분광법(EDS) 또는 ASTM D7359-18에서 제시한 연소 이온 크로마토그래피(CIC)에 의해 결정되는 염소 함량을 폴리싱 층의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 미만 가짐을 의미한다. 가장 바람직하게는, 전체 폴리싱 층은 구성성분(예를 들어, 미량 원소 또는 폴리싱 층)이 ASTM D7359-18에서 제시한 연소 이온 크로마토그래피(CIC)에 의해 결정되는 염소 함량을 폴리싱 층의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 미만 가짐을 의미한다. CIC는 염소 농도를 측정하는 보다 정확한 방법을 대표한다.
"부피 평균 입자 크기"는 D50 또는 D(v, 0.5) 입자 크기를 의미한다. 이는 누적 분포에서 50%에서의 입자 직경의 값이다. 예를 들어, D50=15 마이크로미터인 경우, 샘플 중 입자의 50%는 15 마이크로미터보다 크고, 50%는 15 마이크로미터보다 작다. 입자 크기 및 분포는 레이저 회절(예를 들어, Malvern으로부터의 Mastersizer™ 기구를 사용함)에 의해 결정될 수 있다.
본원에 개시된 폴리싱 패드는 놀랍게도 염소 함유 미량 원소를 갖고/갖거나 염소 함유 경화제로부터 형성된 중합체 매트릭스를 갖는 유사한 패드와 비교하여 개선된 제거율(예를 들어, 산화규소 함유 기판, 특히 테트라오르쏘에틸실리케이트(TEOS)를 기반으로 하는 것의 제거율)을 산출한다. 또한, 패드는 염소 부재의 이점을 갖는다.
폴리싱 층은 염소 부재인 중합체 매트릭스를 포함한다. 중합체 매트릭스는 이소시아네이트 말단화된 우레탄과 염소 부재 경화제의 반응일 수 있다.
이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체는, 2 내지 15 중량%, 5 내지 13 중량%, 6 내지 12 중량%, 7 내지 11 중량%, 또는 8 내지 10 중량%의 미반응성 이소시아네이트(NCO)기를 가질 수 있다. 예비중합체는 폴리이소시아네이트(예를 들어, 디이소시아네이트)와 폴리올의 반응에 의해 형성될 수 있다. 적합한 폴리이소시아네이트의 예에는 2,4-톨루엔 디이소시아네이트; 2,6-톨루엔 디이소시아네이트; 4,4'-디페닐메탄 디이소시아네이트; 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트; 톨리딘 디이소시아네이트; 파라-페닐렌 디이소시아네이트; 자일릴렌 디이소시아네이트; 이소포론 디이소시아네이트; 헥사메틸렌 디이소시아네이트; 4,4'-디시클로헥실메탄 디이소시아네이트; 시클로헥산디이소시아네이트; 및 이들의 혼합물이 포함된다. 다작용성 이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체를 형성하기 위해 사용되는 폴리올은, 디올, 폴리올, 폴리올 디올, 이들의 공중합체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 예를 들어, 예비중합체 폴리올은 폴리에테르 폴리올(예를 들어, 폴리(옥시테트라메틸렌)글리콜, 폴리(옥시프로필렌)글리콜 및 이들의 혼합물); 폴리카보네이트 폴리올; 폴리에스테르 폴리올; 폴리카프로락톤 폴리올; 이들의 혼합물; 및 이들과, 에틸렌 글리콜, 1,2-프로필렌 글리콜, 1,3-프로필렌 글리콜, 1,2-부탄디올, 1,3-부탄디올, 2-메틸-1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 네오펜틸 글리콜, 1,5-펜탄디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 디에틸렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜 및 트리프로필렌 글리콜로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 저 분자량 폴리올과의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 폴리이소시아네이트 및 폴리올은 염소 부재일 수 있다.
경화제는 염소 부재 방향족 디아민일 수 있다. 예를 들어, 경화제는 하기 화학식을 가질 수 있다:
Figure pat00001
식 중, R1 및 R3 또는 R1 및 R4는 아민기(즉, -NH2) 또는 1 내지 5개의 탄소 원자를 갖는 알킬 아민기, 바람직하게는 아민기이고, R2, R5, R6, 및 아민 함유 기가 아닌 R3 또는 R4 중 어느 하나는 H, 1 내지 4개, 바람직하게는 1 내지 2개의 탄소 원자의 -L-알킬기(여기서, L은 직접 결합 또는 연결기, 바람직하게는 O 또는 S, 가장 바람직하게는 S임)로부터 각각의 경우에 독립적으로 선택된다.
경화제의 예에는 디에틸 톨루엔 디아민(DETDA), 디메틸 티오-톨루엔 디아민(DMTDA) 또는 이들의 조합이 포함된다.
예비중합체에 대해 사용되는 경화제의 양은 예비중합체와 경화제의 총 중량을 기준으로 5 내지 40 중량%일 수 있다. 경화제의 양은 경화제 및 예비중합체에서 이용가능한 작용기에 따라 달라질 수 있다. 경화는 승온에서 일어날 수 있다. 예를 들어, 경화는 적어도 50℃, 또는 적어도 80℃, 또는 적어도 100℃ 및 150℃ 이하 또는 120℃ 이하의 온도에서 일어날 수 있다. 중공 중합체성 미량 원소가 사용되는 경우, 경화 온도는 바람직하게는 미량 원소의 벽의 중합체의 유리 전이 온도 미만이다. 경화는, 예를 들어 1 내지 20시간, 또는 5 내지 18시간, 또는 10 내지 16시간의 기간에 걸쳐 일어나 경화된 벌크 폴리싱 층 재료가 제조된다.
예비중합체 및 경화제는 미량 원소와 함께 혼합된 후 경화될 수 있다.
미량 원소는 중공 미량 원소 또는 중공 미소구체일 수 있다. 미량 원소는 팽창된 중합체성 미소구체일 수 있다. 미량 원소는 비중이 0.01 내지 0.2, 0.02 내지 0.15, 0.05 내지 0.1, 또는 0.070 내지 0.096일 수 있다. 비중은, 예를 들어 중합체 매트릭스에 미량 원소를 분포시키기 전에 기체 밀도측정법에 의해 결정될 수 있다. 비중병은 알려진 부피를 갖는 2개의 챔버, 즉 하나의 셀 챔버 및 하나의 팽창 챔버를 갖는다. 미리 칭량된 샘플을 셀 챔버에 넣고, 팽창 챔버로의 밸브를 닫고, 셀 챔버 내의 압력을 공기에 의해 약 5 psi로 설정한다. 셀 챔버 내의 압력이 평형화될 때, 팽창 챔버로의 밸브를 열어, 셀 챔버 및 팽창 챔버 둘 모두에서 새로운 평형 압력에 도달한다. 이어서, 이들 2개의 상이한 조건하에 기체 법칙을 사용하여 샘플의 비중병 부피를 계산할 수 있다. 밀도는 부피로 나눈 중량인 한편, 비중은 4℃에서 물의 밀도로 나눈 밀도이다.
미량 원소는 부피 평균 입자 크기가 레이저 회절에 의해 결정될 때 1 내지 120 마이크로미터, 5 내지 80 마이크로미터, 15 내지 40 마이크로미터, 또는 15 내지 30 마이크로미터일 수 있다. 중공 미량 원소는 벽 두께가 30 내지 300 나노미터, 또는 50 내지 200 나노미터일 수 있다. 벽 두께는, 예를 들어 중합체 매트릭스 내의 중공 미량 원소의 단면을 전자 현미경으로 스캐닝하여 결정될 수 있다. 중합체성 미량 원소는 공단량체와 함께 아크릴로니트릴 공중합체를 포함하는 쉘을 포함할 수 있다. 공단량체는 다른 에틸렌성 불포화 단량체, 예컨대 아크릴레이트(예를 들어, 부틸 아크릴레이트), 메타크릴레이트(예를 들어, 메틸 메타크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트), 아크릴산, 메타크릴산, 비닐 방향족 단량체(예를 들어, 스티렌, 디비닐 벤진), 비닐 아세테이트, 또는 치환된 아크릴로니트릴(예를 들어, 메타크릴로니트릴)일 수 있다.
폴리싱 층 중의 중합체 매트릭스 내에 분포된 미량 원소의 양은 폴리싱 층의 총 부피를 기준으로 5 내지 50 부피%, 10 내지 45 부피%, 10 내지 40 부피%, 또는 10 내지 35 부피%일 수 있다.
미량 원소는 경화 전에 예비중합체 및 경화제와 혼합될 수 있다.
폴리싱 층은 ASTM D1622(2014)에 따라 측정될 때 0.4 내지 1.15 g/cm3, 또는 0.7 내지 1.0 g/cm3의 밀도를 가질 수 있다.
폴리싱 층은 ASTM D2240(2015)에 따라 측정될 때 28 내지 75의 쇼어(Shore) D 경도를 가질 수 있다.
폴리싱 층은 20 내지 150 mil, 30 내지 125 mil, 40 내지 120 mil, 또는 50 내지 100 mil(0.5 내지 4 mm, 0.7 내지 3 mm, 1 내지 3 mm, 또는 1.3 내지 2.5 mm)의 평균 두께를 가질 수 있다.
폴리싱 층은 염소 부재이다. 전체 폴리싱 패드는 염소 부재일 수 있다.
본 발명의 폴리싱 패드는 선택적으로 폴리싱 층과 인터페이싱하는 적어도 하나의 추가 층을 추가로 포함한다. 예를 들어, 폴리싱 패드는 폴리싱 층에 접착된 압축성 베이스 층을 추가로 포함할 수 있다. 압축성 베이스 층은 폴리싱되는 기판의 표면에 대한 폴리싱 층의 부합성(conformance)을 개선시킬 수 있다. (하위 층 또는 베이스 층으로도 지칭되는) 베이스 패드가 폴리싱 부분 아래에서 사용될 수 있다. 베이스 패드는 단일 층일 수 있거나, 하나 초과의 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 폴리싱 층은 기계식 파스너(fastener)를 통해서 또는 접착제에 의해 베이스 패드에 부착될 수 있다. 베이스 층은 적어도 0.5 mm 또는 적어도 1 mm의 두께를 가질 수 있다. 베이스 층은 5 mm 이하, 3 mm 이하, 또는 2 mm 이하의 두께를 가질 수 있다.
베이스 패드 또는 베이스 층은, 폴리싱 패드를 위한 베이스 층으로 사용하기 위해 알려진 임의의 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 이는 중합체, 중합체들의 블렌드, 또는 중합체성 재료와 다른 재료, 예컨대 세라믹, 유리, 금속 또는 석재의 복합재를 포함할 수 있다. 중합체 및 중합체 복합재는, 폴리싱 부분을 형성할 수 있는 재료와의 양립성으로 인해서, 하나 초과의 층이 있는 경우에, 구체적으로 상단 층에 대한 베이스 패드로서 사용될 수 있다. 그러한 복합재의 예에는 카본 또는 무기 충전제로 충전된 중합체, 및 중합체로 함침된, 예를 들어 유리 또는 탄소 섬유의 섬유질 매트가 포함된다. 패드의 베이스는 다음 특성 중 하나 이상을 갖는 재료로 만들어질 수 있다: 예를 들어 ASTM D412-16에 의해서 결정되는 바와 같은, 적어도 2 MPa, 적어도 2.5 MPa, 적어도 5 MPa, 적어도 10 MPa, 또는 적어도 50 MPa, 최대 900 MPa, 최대 700 MPa, 최대 600 MPa, 최대 500 MPa, 최대 400 MPa, 최대 300 MPa, 또는 최대 200 MPa 범위의 영률(Young's modulus); 예를 들어 ASTM E132에 의해서 결정되는 바와 같은, 적어도 0.05, 적어도 0.08, 또는 적어도 0.1, 최대 0.6 또는 최대 0.5의 푸아송비(Poisson's ratio); 적어도 0.4 또는 적어도 0.5 그램/세제곱센티미터(g/cm3), 최대 1.7 g/cm3, 최대 1.5 g/cm3 또는 최대 1.3 g/cm3의 밀도.
베이스 패드 또는 폴리싱 부분에서 사용될 수 있는 그러한 중합체성 재료의 예에는, 폴리카보네이트, 폴리설폰, 나일론, 에폭시 수지, 폴리에테르, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 아크릴 중합체, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐 플루오라이드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부타디엔, 폴리에틸렌 이민, 폴리우레탄, 폴리에테르 설폰, 폴리아미드, 폴리에테르 이미드, 폴리케톤, 에폭시, 실리콘, 이들의 공중합체(예컨대, 폴리에테르-폴리에스테르 공중합체), 또는 이들의 조합 또는 블렌드가 포함된다. 중합체는 폴리우레탄일 수 있다. 폴리우레탄은 단독으로 사용될 수 있거나, 예를 들어 유리 또는 탄소 섬유의 섬유질 매트 및 카본 또는 무기 충전제를 위한 매트릭스일 수 있다.
최종 형태의 본 발명의 폴리싱 패드는 그의 상부 표면에 하나 이상의 치수의 텍스처의 혼입을 포함할 수 있다. 이는 그의 크기에 의해 마크로텍스처 또는 마이크로텍스처로 분류될 수 있다. 수력학적 반응 및/또는 슬러리 수송을 제어하도록 CMP에 이용되는 일반적인 유형의 마크로텍스처는 제한 없이, 환형, 방사형, 및 크로스-해칭과 같은 다수의 구성 및 설계의 홈을 포함한다. 이들은 기계 가공 공정을 통해 얇은 균일한 시트로 형성될 수 있거나, 정형(net shape) 성형 공정을 통해 패드 표면 상에 직접 형성될 수 있다. 일반적인 유형의 마이크로텍스처는 폴리싱이 일어나는 기판 웨이퍼와의 접촉점인 표면 요철의 집단을 생성하는 더 미세한 스케일의 특징부이다. 일반적인 유형의 마이크로텍스처에는, 제한 없이, 사용 전, 사용 동안 또는 사용 후 중 어느 하나에, 다이아몬드와 같은 경질 입자의 어레이를 이용한 연마(흔히 패드 컨디셔닝으로 지칭됨)에 의해 형성된 텍스처, 및 패드 제작 공정 동안 형성된 마이크로텍스처가 포함된다.
본 발명의 폴리싱 패드는 화학적 기계적 폴리싱 기계의 압반과 인터페이싱되기에 적합할 수 있다. 폴리싱 패드는 폴리싱 기계의 압반에 부착될 수 있다. 폴리싱 패드는 감압 접착제 및 진공 중 적어도 하나를 사용하여 압반에 부착될 수 있다.
본 발명의 폴리싱 패드는 사용되는 패드 중합체의 특성과 양립성인 다양한 공정에 의해 제조될 수 있다. 이는 전술된 바와 같은 성분들을 혼합하는 단계 및 몰드 내에 캐스팅하고, 어닐링하고, 원하는 두께의 시트로 슬라이싱하는 단계를 포함한다. 대안적으로, 이는 더 정밀한 정형 형태로 제조될 수 있다. 제조 공정은 다음을 포함한다: 1. 열경화성 사출 성형(보통 "반응 사출 성형" 또는 "RIM"으로 지칭됨), 2. 열가소성 또는 열경화성 사출 블로우 성형, 3. 압축 성형, 또는 4. 유동성 재료를 배치하고 응고시켜 패드의 마크로텍스처 또는 마이크로텍스처의 적어도 일부를 생성하는 임의의 유사한-유형의 공정. 폴리싱 패드를 성형하는 예에서, 1. 유동성 재료는 구조체 또는 기판 내에 또는 상에 가압되고, 2. 구조체 또는 기판은 재료가 응고될 때 재료에 표면 텍스처를 부여할 수 있고, 3. 그 후에 구조체 또는 기판은 응고된 재료로부터 분리된다.
본원에 개시된 패드는 폴리싱 방법에 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 방법은 압반 또는 캐리어 조립체를 갖는 화학적 기계적 폴리싱 장치를 제공하는 단계; 폴리싱될 적어도 하나의 기판을 제공하는 단계; 본원에서 개시된 바와 같은 화학적 기계적 폴리싱 패드를 제공하는 단계; 화학적 기계적 폴리싱 패드를 압반 상에 설치하는 단계; 선택적으로, 화학적 기계적 폴리싱 패드의 폴리싱 부분과 기판 사이의 계면에서, 폴리싱 매체(예를 들어, 연마재 함유 슬러리 및/또는 연마재를 함유하지 않는 반응 액체 조성물)를 제공하는 단계; 폴리싱 패드의 폴리싱 부분과 기판 사이에서 동적인 접촉을 생성하는 단계로서, 적어도 일부의 재료가 기판으로부터 제거되는, 단계를 포함할 수 있다. 캐리어 조립체는 폴리싱되는 기판(예를 들어, 웨이퍼)과 폴리싱 패드 사이에 제어 가능한 압력을 제공할 수 있다. 폴리싱 매체가 폴리싱 패드 상에 분배될 수 있고, 웨이퍼와 폴리싱 층 사이의 간극으로 흡입될 수 있다. 폴리싱 매체는 물, pH 조정제, 및 선택적으로, 그러나 이에 한정되지 않고, 연마재 입자, 산화제, 억제제, 살생물제, 가용성 중합체 및 염 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 연마재 입자는 산화물, 금속, 세라믹 또는 다른 적절한 경질 재료일 수 있다. 전형적인 연마재 입자는 콜로이드성 실리카, 건식 실리카, 세리아 및 알루미나이다. 폴리싱 패드와 기판은 서로에 대해 회전될 수 있다. 폴리싱 패드가 기판 아래에서 회전됨에 따라, 기판은 전형적으로 환형 폴리싱 트랙 또는 폴리싱 영역을 휩쓸고 지나갈 수 있으며, 웨이퍼의 표면은 폴리싱 패드의 폴리싱 부분과 직접 대면한다. 웨이퍼 표면은 폴리싱 층과 표면 상의 폴리싱 매체의 화학적 및 기계적 작용에 의해, 폴리싱되고 평면으로 만들어진다. 선택적으로, 폴리싱 패드의 폴리싱 표면은, 폴리싱을 시작하기 전에 연마재 컨디셔너로 컨디셔닝될 수 있다.
선택적으로, 패드는 종점 검출을 위한 윈도우를 포함할 수 있다. 그러한 예에서, 본 발명의 방법, 제공된 화학적 기계적 폴리싱 장치는 신호원(예를 들어, 광원) 및 신호 검출기(예를 들어, 광센서(바람직하게는, 다중센서 분광기))를 추가로 포함할 수 있다. 그러한 예에서, 본 방법은 추가로 윈도우를 통해서 신호(예를 들어, 광원으로부터의 광)를 투과시키는 것 그리고 센서(예를 들어, 광센서)에 입사되는, 종점 검출 윈도우를 통해서 다시 기판의 표면으로부터 반사된 신호(예를 들어, 광)를 분석하는 것에 의해서 폴리싱 종점을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 기판은, 구리 또는 텅스텐을 함유하는 것과 같은, 금속 또는 금속 배선된 표면을 가질 수 있다. 기판은 자기 기판, 광학 기판 및 반도체 기판일 수 있다.
실시예
패드 생성
(a) 상업적으로 입수가능한 이소시아네이트 말단화된 예비중합체(이는, 예를 들어 51℃로 예열될 수 있고, 톨루엔 디이소시아네이트, TDI와 폴리에테르 기반 폴리올의 반응 생성물임), (b) 경화제 및 (c) 중합체 미소구체의 제어된 혼합에 의해 캐스팅된 폴리우레탄 케이크를 제조한다. 경화제가 4,4'-메틸렌비스(2-클로로르아닐린)(MbOCA)인 경우, 이를 116℃로 예열할 수 있다. 경화제가 디메틸 티오-톨루엔 디아민(DMTDA)인 경우, 이를 46℃로 예열할 수 있다. 혼합 헤드를 빠져나온 후, 조합물을 대략 8 cm(3 인치)의 총 주입 두께를 제공하도록 3분에 걸쳐 86.4 cm(34 인치) 직경 원형 몰드로 분배하였다. 분배된 조합물을 15분 동안 겔화되게 한 후 경화 오븐 안의 몰드에 넣는다. 이어서 하기 사이클을 사용하여 몰드를 경화 오븐에서 경화시킨다: 오븐 설정점 온도를 주변 온도로부터 104℃로 30분 상승시킨 후, 104℃의 오븐 설정점 온도로 15.5시간 동안 유지한다.
중합체 미소구체의 로딩을, 0.8 g/cm3의 유사한 폴리싱 층 밀도를 목표로 또는 폴리싱 층 부분의 총 부피를 기준으로 32 부피%로 제어한다. 폴리싱 층에 대한 구성성분은 하기 표에 기재되어 있다.
Figure pat00002
폴리싱 층은 약 2 mm 두께이고, 홈을 제공하도록 기계 가공한다. 반응성 핫 멜트 접착제를 사용하여 폴리싱 층을 발포 서브-패드에 부착한다.
패드 시험
60 부의 연마재 및 240 부의 첨가제로 예비혼합된 첨가제 패키지를 갖는 세리아 연마재 기반 슬러리를 사용하여 패드를 시험한다. 패드의 컨디셔닝 후, 압반에 대해 분당 145 회전수로 그리고 헤드에 대해 분당 133 회전수로 3.3 psi(0.023 MPa)의 하향력 및 60초의 폴리싱 시간에서 폴리싱을 수행한다. 더미(dummy) 및 TEOS 유도된 산화규소 모니터 웨이퍼를 실행한다.
제1 시험의 경우, 실시예 1 및 2에 따른 패드를 비교 실시예 1과 비교하였고, 결과는 하기 표에 나타낸 바와 같다. 염소 부재 미소구체를 갖는 패드는 놀랍게도 염소 함유 미소구체를 갖는 패드보다 더 우수한 TEOS 유도된 산화규소 제거를 나타내었다.
Figure pat00003
제2 시험의 경우, 염소 부재 경화제, 즉 디메틸 티오-톨루엔 디아민을 갖는 실시예 1에 따른 패드를 경화제로서 4,4'-메틸렌비스(2-클로로아닐린)(MBOCA)을 대신 사용하는 패드와 비교하였다. 놀랍게도, 폴리싱 결과는 실시예 1이 비교 실시예 2(염소-부재 중합체 미소구체를 갖지만, 염소-함유 경화제를 가짐)에 비해 42% 제거율 개선 및 26% 결함 감소로, 개선된 TEOS 제거율을 전달함을 나타내었다.
Figure pat00004
이러한 개시내용은 이하의 양태를 추가로 포함한다:
양태 1: 이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체와 염소-부재 방향족 폴리아민 경화제의 반응 생성물을 포함하는 중합체 매트릭스 및 중합체 매트릭스 내에 분포되고, 0.01 내지 0.2, 바람직하게는 0.02 내지 0.15, 보다 바람직하게는 0.05 내지 0.1, 보다 더 바람직하게는 0.070 내지 0.096의 비중을 갖는 염소-부재 미량 원소를 포함하는 폴리싱 층을 갖는 화학적 기계적 폴리싱에 유용한 폴리싱 패드.
양태 2: 양태 1에 있어서, 미량 원소는 부피 평균 입자 크기가 1 내지 120 마이크로미터, 바람직하게는 5 내지 80 마이크로미터, 보다 바람직하게는 15 내지 40 마이크로미터, 가장 바람직하게는 15 내지 30 마이크로미터인, 폴리싱 패드.
양태 3: 양태 1 또는 2에 있어서, 폴리싱 층은 에너지-분산형 X-선 분광법 또는 ASTM D7359-18에서 제시한 연소 이온 크로마토그래피(CIC)에 의해 결정되는 염소 함량이 폴리싱 층의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 미만인, 폴리싱 패드.
양태 4: 양태 1 또는 2에 있어서, 폴리싱 패드는 에너지-분산형 X-선 분광법 또는 ASTM D7359-18에서 제시한 연소 이온 크로마토그래피(CIC)에 의해 결정되는 염소 함량이 폴리싱 패드의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 미만인, 폴리싱 패드.
양태 5: 이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체와 염소-부재 방향족 폴리아민 경화제의 반응 생성물을 포함하는 중합체 매트릭스 및 중합체 매트릭스 내에 분포된 염소-부재 미량 원소를 포함하는 폴리싱 층을 갖고, 폴리싱 층은 ASTM D7359-18에서 제시한 연소 이온 크로마토그래피(CIC)에 의해 결정되는 염소 함량이 폴리싱 층의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 미만인, 화학적 기계적 폴리싱에 유용한 폴리싱 패드.
양태 6: 상기 양태들 중 임의의 한 양태에 있어서, 경화제는 방향족 디아민인, 폴리싱 패드.
양태 7: 상기 양태들 중 임의의 한 양태에 있어서, 경화제는 하기 화학식의 화합물을 포함하는, 폴리싱 패드:
Figure pat00005
식 중, R1 및 R3 또는 R1 및 R4는 아민기(즉, -NH2) 또는 1 내지 5개의 탄소 원자를 갖는 알킬 아민기, 바람직하게는 아민기이고, R2, R5, R6, 및 아민 함유 기가 아닌 R3 또는 R4 중 어느 하나는 H, 1 내지 4개, 바람직하게는 1 내지 2개의 탄소 원자의 -L-알킬기(여기서, L은 직접 결합 또는 연결기, 바람직하게는 O 또는 S, 가장 바람직하게는 S임)로부터 각각의 경우에 독립적으로 선택된다.
양태 8: 상기 양태들 중 임의의 한 양태에 있어서, 경화제는 디에틸 톨루엔 디아민(DETDA), 디메틸 티오-톨루엔 디아민(DMTDA) 또는 이들의 조합을 포함하는, 폴리싱 패드.
양태 9: 상기 양태들 중 임의의 한 양태에 있어서, 미량 원소는 아크릴로니트릴 공중합체를 포함하는 쉘을 갖는, 폴리싱 패드.
양태 10: 상기 양태들 중 임의의 한 양태에 있어서, 폴리싱 층은 폴리싱 층의 총 부피를 기준으로 5 내지 50 부피%, 바람직하게는 10 내지 45 부피%, 보다 바람직하게는 10 내지 40 부피%, 가장 바람직하게는 10 내지 35 부피%의 양으로 미량 원소를 포함하는, 폴리싱 패드.
양태 11: 상기 양태들 중 임의의 한 양태에 있어서, 미량 원소는 벽 두께가 30 내지 300 나노미터, 바람직하게는 50 내지 200 나노미터인, 폴리싱 패드.
양태 12: 기판을 제공하는 단계, 양태 1 내지 11 중 임의의 하나의 폴리싱 패드를 제공하는 단계, 폴리싱 패드와 기판 사이에 슬러리를 제공하는 단계, 기판을 패드 및 슬러리로 폴리싱하는 단계를 포함하는, 방법.
조성물, 방법 및 물품은, 본원에 개시된 임의의 적절한 재료, 단계 또는 구성성분을 대안적으로 포함할 수 있거나, 이로 구성될 수 있거나, 본질적으로 이로 구성될 수 있다. 조성물, 방법 및 물품의 기능 또는 목적의 달성에 달리 필요하지 않는 임의의 재료(또는 종), 단계 또는 구성성분이 없거나 실질적으로 없도록, 조성물, 방법 및 물품이 추가적으로 또는 대안적으로 안출될 수 있다.
본원에서 개시된 모든 범위는 종료점을 포함하고, 종료점들은 서로 독립적으로 조합될 수 있다(예를 들어, "최대 25 중량%, 또는 보다 구체적으로, 5 중량% 내지 20 중량%"의 범위는, "5 중량% 내지 25 중량%" 등의 범위의 종료점 및 모든 중간 값을 포함한다). 또한, 상술된 상한 및 하한은 범위를 형성하도록 조합될 수 있다(예를 들어, "적어도 1 또는 적어도 2 중량%" 및 "최대 10 또는 5 중량%"는 "1 내지 10 중량%", 또는 "1 내지 5 중량%" 또는 "2 내지 10 중량%" 또는 "2 내지 5 중량%"의 범위로 조합될 수 있다). "조합물"은 블렌드, 혼합물, 합금, 반응 생성물 등을 포함한다. "제1", "제2" 등의 용어는 임의의 순서, 수량, 또는 중요도를 의미하는 것이 아니라, 오히려 하나의 요소를 다른 요소와 구별하기 위해 사용된다. "하나(a)" 및 "일(an)" 및 "상기(the)"라는 용어는 수량의 제한을 의미하지 않으며, 본원에 달리 명시되지 않거나 문맥상 명확하게 모순되지 않는 한, 단수형 및 복수형 둘 모두를 포괄하는 것으로 해석되어야 한다. "또는"은 달리 명확하게 상술되지 않는 한, "및/또는"을 의미한다. "일부 실시 형태", "일 실시 형태" 등에 대한 본 명세서에 걸친 언급은, 실시 형태와 관련하여 설명된 구체적인 요소가 본원에 설명된 적어도 하나의 실시 형태에 포함되고, 다른 실시 형태에 존재할 수 있거나 존재하지 않을 수 있음을 의미한다. 또한, 설명된 요소는 다양한 실시 형태에서 임의의 적합한 방식으로 조합될 수 있음을 이해해야 한다. "이의 조합"은 개방적인 것이며, 선택적으로, 열거되지 않은 유사한 또는 동일한 구성성분 또는 특성과 함께, 열거된 구성성분 또는 특성 중 적어도 하나를 포함하는 임의의 조합을 포함한다.
본원에 달리 명시되지 않는 한, 모든 시험 표준은, 본 출원의 출원일, 또는 우선권이 주장되는 경우, 시험 표준이 언급된 최초 우선권 출원의 출원일에 유효한 가장 최근의 표준이다.

Claims (10)

  1. 화학적 기계적 폴리싱에 유용한 폴리싱 패드로서,
    이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체와 염소-부재 방향족 폴리아민 경화제의 반응 생성물을 포함하는 중합체 매트릭스, 및
    상기 중합체 매트릭스 내에 분포되고 비중이 0.01 내지 0.2인 염소-부재 미량 원소
    를 포함하는 폴리싱 층을 갖는, 폴리싱 패드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 폴리싱 층은 에너지-분산형 X-선 분광법에 의해 결정되는 염소 함량이 폴리싱 층의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 미만인, 폴리싱 패드.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 경화제는 방향족 디아민인, 폴리싱 패드.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 방향족 디아민은 하기 화학식을 갖는, 폴리싱 패드:
    Figure pat00006

    (식 중, R1 및 R3 또는 R1 및 R4 중 어느 하나는 아민기 또는 1 내지 5개의 탄소 원자를 갖는 알킬 아민기이고, R2, R5, R6, 및 아민 함유 기를 함유하지 않는 R3 또는 R4 중 어느 하나는 H, 1 내지 4개의 탄소 원자의 -L-알킬기(여기서, L은 직접 결합 또는 O 또는 S로부터 선택되는 연결기임)로부터 각각의 경우에 독립적으로 선택됨).
  5. 제1항에 있어서,
    상기 경화제는 디에틸 톨루엔 디아민(DETDA), 디메틸 티오-톨루엔 디아민(DMTDA) 또는 이들의 조합을 포함하는, 폴리싱 패드.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 미량 원소는 아크릴로니트릴 공중합체를 포함하는 쉘을 갖는, 폴리싱 패드.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 폴리싱 층은 상기 폴리싱 층 부분의 총 부피를 기준으로 5 내지 50 부피%의 양으로 상기 미량 원소를 포함하는, 폴리싱 패드.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 미량 원소는 부피 평균 입자 크기가 1 내지 120 마이크로미터인, 폴리싱 패드.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 미량 원소는 벽 두께가 30 내지 300 나노미터인, 폴리싱 패드.
  10. 이소시아네이트 말단화된 우레탄 예비중합체와 염소-부재 방향족 폴리아민 경화제의 반응 생성물을 포함하는 중합체 매트릭스 및 상기 중합체 매트릭스 내에 분포된 염소-부재 미량 원소를 포함하는 폴리싱 층을 갖고, 상기 폴리싱 층은 ASTM D7359-18에서 제시한 연소 이온 크로마토그래피(CIC)에 의해 결정되는 염소 함량이 상기 폴리싱 층의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 미만이고, 상기 염소-부재 미량 원소는 부피 평균 입자 크기가 15 내지 30 마이크로미터이고 평균 쉘 벽 두께가 30 내지 300 나노미터인, 화학적 기계적 폴리싱에 유용한 폴리싱 패드.
KR1020220077398A 2021-07-01 2022-06-24 Cmp 폴리싱 패드 KR20230005760A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/365,046 2021-07-01
US17/365,046 US20230015668A1 (en) 2021-07-01 2021-07-01 Cmp polishing pad

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230005760A true KR20230005760A (ko) 2023-01-10

Family

ID=84492799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220077398A KR20230005760A (ko) 2021-07-01 2022-06-24 Cmp 폴리싱 패드

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20230015668A1 (ko)
JP (1) JP2023008827A (ko)
KR (1) KR20230005760A (ko)
CN (1) CN115555987A (ko)
DE (1) DE102022114532A1 (ko)
FR (1) FR3124754A1 (ko)
TW (1) TW202319480A (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102654223B1 (ko) * 2023-02-06 2024-04-04 에스케이엔펄스 주식회사 연마패드, 이로부터 수득된 열분해유 및 이의 제조방법
US20240342857A1 (en) * 2023-04-14 2024-10-17 Sk Enpulse Co., Ltd. Polishing pad with adjusted content of chlorine and process for preparing semiconductor device using the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY114512A (en) * 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US8894732B2 (en) * 2012-05-11 2014-11-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Hollow polymeric-alkaline earth metal oxide composite
MX2018002102A (es) * 2015-08-21 2018-06-15 Bayer Cropscience Ag Concentrados en suspension aceitosa con baja separacion gravimetrica y baja viscosidad.

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023008827A (ja) 2023-01-19
DE102022114532A1 (de) 2023-01-05
TW202319480A (zh) 2023-05-16
CN115555987A (zh) 2023-01-03
US20240091901A1 (en) 2024-03-21
US20230015668A1 (en) 2023-01-19
FR3124754A1 (fr) 2023-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6655848B2 (ja) 化学機械平坦化用の研磨パッド
KR101630464B1 (ko) 다관능성 연마 패드
TWI753007B (zh) 高平坦化效率化學機械拋光墊及製備方法
TWI385050B (zh) 用於ｃｍｐ之特製拋光墊及其製造方法及其用途
US6582283B2 (en) Polishing pads for chemical mechanical planarization
KR20230005760A (ko) Cmp 폴리싱 패드
KR102513538B1 (ko) 화학적 기계적 연마 패드 복합체 연마층 제형
TWI846748B (zh) 化學機械拋光墊及拋光方法
US20100035529A1 (en) Chemical mechanical polishing pad
CN107695869B (zh) 制备用于化学机械抛光垫的复合抛光层的方法
JP6113331B2 (ja) 研磨パッド及びその製造方法
JP6849389B2 (ja) ケミカルメカニカルポリッシング方法
KR101546694B1 (ko) 고공극율 초연마 수지 제품들 및 그 제조 방법
KR102590761B1 (ko) 화학적 기계적 연마 패드
TW201518038A (zh) 軟且可修整化學機械硏磨墊堆疊體
TWI842767B (zh) 用於拋光襯底的具有正ζ電勢之化學機械拋光墊
TWI804893B (zh) 研磨墊、製備該研磨墊之方法及使用該研磨墊以製備半導體裝置之方法
TW202328257A (zh) 可壓縮非網狀聚脲拋光墊
TW202135982A (zh) 帶有具有設計的開放空隙空間的突起結構之cmp拋光墊
KR20170001621A (ko) 화학 기계적 연마 패드 및 그 제조 방법
KR20220136256A (ko) 속도가 향상된 cmp 폴리싱 패드
TW202135981A (zh) 具有在支撐件上的拋光元件之cmp拋光墊
TW202045610A (zh) 薄膜氟聚合物複合cmp拋光墊
TW202405062A (zh) 用於化學機械拋光之複合墊
TW202100714A (zh) 陽離子氟聚合物複合拋光墊