KR20230003117A - 다중-신호 측정을 위해 의도된 오버레이 타겟을 위한 타겟 설계 프로세스 - Google Patents

다중-신호 측정을 위해 의도된 오버레이 타겟을 위한 타겟 설계 프로세스 Download PDF

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KR20230003117A
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이라 나오트
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케이엘에이 코포레이션
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Abstract

시뮬레이션 범위에 대한 경계 세트 또는/및 하나 이상의 계측 도구와 호환가능한 선택된 설계 유형에 대한 제1 후보 타겟 설계를 생성하는 것을 포함하는 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법, 시스템 및 컴퓨터 프로그램 제품이 개시된다. 시뮬레이션 범위의 경계 내에서 하나 이상의 계측 도구를 사용한 제1 타겟 설계의 측정이 하나 이상의 성능 메트릭을 생성하기 위해 둘 이상의 측정 설정에 대해 시뮬레이션된다. 측정을 시뮬레이션하는 것은 스택 프로파일에서 하나 이상의 층의 층 속성을 고려한다. 최적의 설계는 하나 이상의 선택 기준에 기초한 적어도 성능 메트릭으로부터 결정된 후, 전송되거나 저장된다.

Description

다중-신호 측정을 위해 의도된 오버레이 타겟을 위한 타겟 설계 프로세스
우선권 주장
본 출원은 2020년 4월 28일에 출원된 미국 가특허 출원 제63/016,981의 우선권을 주장하며, 그 전체 내용은 모든 목적을 위해 여기에 참조로 포함된다.
기술분야
본 개시의 양태는 회로 레이아웃의 계측에 관한 것이며, 특히 본 개시는 계측을 위한 타겟의 설계에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에는 기판 상에 피처(feature) 및 층을 정확하게 형성하기 위한 다수의 프로세스 단계가 필요하다. 디바이스가 기능하기 위해 각각의 층 또는 피처가 다른 피처에 대하여 정확한 위치에 있도록 보장하기 위해 각각의 프로세스 단계의 정확한 배치가 필요하다. 계측은 프로세스 단계를 위치시키고 정렬하는데 사용된다. 일부 유형의 계측에서는 프로세스를 위치시키고 정렬하기 위해 웨이퍼 상에 있는 피처의 크기, 형상 또는 두께와 같은 특성을 사용한다. 다른 유형의 계측은 그 층에서 생성된 테스트 패턴을 사용하여 각각의 후속 층을 위치시키고 정렬한다. 각각의 층 내의 그리고 층들 사이의 피처의 상대적 위치를 오버레이라고 한다. 일반적으로, 오버레이 계측은 층 내의 피처의 위치와 이전 층에 대한 피처의 의도된 위치 사이의 차이를 결정하는데 사용된다. 적절하게 형성된 층은 이전 층의 피처와 정렬된 피처를 갖지만 부적절하게 형성된 층은 이전 층에 대하여 오프셋되거나 잘못 형성될 수 있다.
오버레이 계측 측정은 상이한 측정 모드에서 수행될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 "측정 모드"라는 용어는 특정 유형의 측정 신호 또는 측정 신호 세트를 수집하고 분석하는 방법을 말한다. 여기에서 사용된 "측정 신호"라는 용어는 계측 도구에 의한 단일 수집 작업에 의해 수집된 정보의 조각을 말한다. 측정 신호의 비제한적 예는 정의된 조명 스펙트럼을 사용하여 특정 광학 설정에서 획득한 현미경 이미지이다. 당연히, 신호 유형은 신호를 수집하고 분석하는데 사용되는 계측 도구의 유형에 따른다. 본 명세서에서 사용되는 "계측 도구 유형"이라는 용어는 하나 이상의 주어진 측정 모드에서 동작하는 일반적인 종류 또는 유형의 계측 도구를 말한다.
산란측정, 광학 필드 이미지 또는 전자 빔 이미지와 같은 오버레이 계측을 위한 여러 상이한 측정 모드가 있다. 오버레이 계측 측정에는 일반적으로 두 유형의 문제가 있다. 첫번째 문제는 일시적인 진동과 같은 기기 정밀도 또는 랜덤 측정 이벤트로 인한 오류일 수 있는 랜덤 오류이다. 랜덤 오류는 많은 측정을 행하고 그 결과를 평균화하여 제거될 수 있다. 두번째 문제는 시스템 오류이다. 시스템 오류는 계측 도구의 편향, 기판 속성, 타겟 자체 특성의 편향, 또는 이들의 조합과 같은 프로세스 조건의 결과이다. 오류는 각각의 측정에 존재하기 때문에 시스템 오류는 평균화에 의해 제거될 수 없다. 이러한 오류를 감소시키기 위해 단일 계측 측정을 위한 정확한 타겟 설계 방법이 고안되었다. 현재의 계측 방법은 오버레이에 대한 단일 유형의 계측 측정에만 의존하고, 조건이 선택한 계측 시스템에 적합하지 않은 경우 새로운 타겟이 설계되고 상이한 계측 시스템이 사용되어야 한다. 현재, 각각의 계측 유형을 수용하기 위해 다수의 상이한 타겟이 사용되어야 한다. 현재로서는 다수의 계측 측정 유형에 대해 단일 타겟을 설계할 방법이 없다.
따라서, 다수의 상이한 측정 모드와 호환되는 단일 오버레이 타겟을 생성하는 방법에 대해 당업계의 요구가 있다.
본 발명의 교시는 첨부된 도면과 함께 다음의 상세한 설명을 고려함으로써 쉽게 이해될 수 있다:
도 1은 본 발명의 양태에 따라 둘 이상의 상이한 측정 모드 또는 도구 유형을 사용하는 오버레이 타겟 설계를 위한 방법을 도시하는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 양태에 따른 반도체 디바이스 제조의 맥락에서 최적의 오버레이 타겟 설계 프로세스를 도시하는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 최적의 오버레이 타겟 설계 양태를 결정하고 사용하도록 구성된 시스템을 도시하는 블록 시스템도이다.
다음의 상세한 설명은 예시를 위한 많은 특정 세부 사항을 포함하지만, 당업자는 다음 세부 사항에 대한 많은 변형 및 변경이 본 발명의 범위 내에 있음을 이해할 것이다. 따라서, 아래에 설명된 본 발명의 예시적인 실시예는 청구된 발명에 대한 일반성의 손실 없이 그리고 제한 없이 설명된다.
다음의 상세한 설명에서, 본 명세서의 일부를 형성하고 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이와 관련하여 "상단", "하단", "전면", "후면", "선행", "후행" 등과 같은 방향성 용어는 설명하고 있는 도면(들)의 방향을 참조하여 사용된다. 본 발명의 실시예의 컴포넌트는 다수의 상이한 방향으로 위치결정될 수 있기 때문에, 방향성 용어는 설명의 목적으로 사용되며 제한하는 것은 아니다. 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 다른 실시예가 이용될 수 있고 구조적 또는 논리적 변경이 이루어질 수 있음을 이해해야 한다. 따라서, 이하의 상세한 설명은 제한적인 의미로 받아들여져서는 안되며, 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위에 의해 정의된다.
명료함을 위해, 여기에 설명된 구현의 모든 일상적인 피처가 도시되고 설명되지는 않는다. 당업자는 이러한 구현의 개발에서 애플리케이션 및 비즈니스 관련 제약 준수와 같은 개발자의 특정 목표를 달성하기 위해 수많은 구현 관련 결정을 내려야 하며, 이들 특정 목표는 구현마다 그리고 개발자마다 변할 것임을 이해할 것이다. 더욱이, 그러한 개발 노력은 복잡하고 시간이 많이 소요될 수 있지만 그럼에도 불구하고 본 발명의 이점을 갖는 당업자에게는 엔지니어링의 일상적인 작업이 될 것임을 이해할 것이다.
도입
반도체 집적 회로(integrated circuit; IC) 제조는 회로를 반도체 재료로 집적하는 매우 복잡한 기술를 포함한다. 한 가지 기술은 포토 마스크 또는 레티클로부터 포토레지스트 층으로 IC 디바이스의 구조에 대응하는 패턴을 전사하기 위해 에칭 및 증착 프로세스의 조합을 사용하는 것을 포함하는 포토리소그래피를 포함한다. 포토레지스트는 패터닝된 마스크를 통해 전자기 방사선(예를 들어, 가시광선, 자외선 또는 X-선)을 레지스트에 투사하여 레지스트 층의 일부를 선택적으로 노출시키고 노출된 부분(포지티브 레지스트의 경우) 또는 노출되지 않은 부분(네거티브 레지스트의 경우)을 제거하기 위해 레지스트를 현상함으로써 패터닝된다. 그 후, 결과의 패터닝된 포토레지스트 층은 레지스트 아래에 놓인 재료를 선택적으로 에칭하거나 레지스트 패턴의 개구부를 통해 재료를 증착하는데 사용된다. 일반적인 포토마스크 또는 차광 마스크는 크롬과 같은 불투명 재료의 패턴 층을 지지하는 석영(유리) 기판으로 제조된다. 예를 들어, 차광 마스크의 한 유형은 위상 시프트 마스크 또는 PSM이다. 다른 유형의 마스크에는 임베디드 감쇠 위상 시프트 마스크(embedded attenuating phase shift mask; EAPSM) 및 교류 위상 시프트 마스크(alternating phase shift mask; APSM)와 같은 고급 위상 시프트 마스크가 포함된다.
전자기 에너지(X-레이 포함)에 대한 대안으로서 전자 빔과 같은 하전 입자 빔이 고해상도 리소그래피 레지스트 노광에 사용되었다. 특히, 전자 빔은 전자의 낮은 질량이 물리적 마스크를 제작하는데 드는 비용 없이 상대적으로 낮은 전력과 상대적으로 빠른 속도로 전자 빔을 비교적 정확하게 제어할 수 있게 하기 때문에 사용되어 왔다. 레지스트를 노출시키기 위해, 하전 입자 빔이 레지스트의 일부분을 가로질러 스캔되고 선택적으로 턴 온 및 오프되어 레지스트에 패턴을 "기록(write)"하며, 그 후 포토리소그래피 프로세스처럼 현상될 수 있다. 전자 빔 리소그래피의 장점은 패턴이 전자 형태로 저장될 수 있다는 것이다. 이는 특히 다층으로 구성된 디바이스에 많은 패턴이 필요한 경우 비용을 크게 절감할 수 있다.
일반적으로, 각 층에 대한 패턴은 디바이스 피처 및 계측 타겟 피처를 모두 포함할 수 있다. 디바이스 피처에는 최종 디바이스의 회로 요소를 구성하는 피처가 포함된다. 계측 타겟 피처는 스크라이브 라인과 같이 디바이스 피처에 사용되지 않는 패턴 부분에 통합되는 경우가 많다. 계측은 일반적으로 전자기 방사선(예를 들어, 적외선, 가시광선, 자외선) 또는 하전 입자(예를 들어, 전자 또는 이온)와 같은 일부 형태의 프로빙 방사선을 계측 타겟으로 향하게 하고 타겟에 의해 산란된 방사선을 검출하는 것을 포함한다.
이러한 타겟을 사용하는 중요한 유형의 측정은 오버레이로 알려져 있으며, 일반적으로 하나의 패터닝된 층이 위 또는 아래에 배치된 또다른 패터닝된 층에 그리고 동일한 층에 배치된 다른 패턴의 정렬에 대해 얼마나 정확하게 정렬되는지를 결정하는 것을 포함한다. 오버레이 측정을 위한 다양한 기술이 다양한 수준의 성공으로 개발 및 채택되었다. 일반적으로, 오버레이 측정은 반도체 기판 상에 형성된 층 스택의 하나 이상의 층으로 형성된 타겟으로 수행된다. 사용되는 타겟의 유형은 오버레이 계측에 사용되는 측정 모드에 따라 다르다. 본 발명은 웨이퍼 상에 패터닝되고 하나 이상의 측정 모드를 사용하여 오버레이를 결정하는데 적합한 구조의 유형을 지칭하기 위해 "타겟 유형"이라는 용어를 사용한다.
일부 오버레이 측정 모드에서 타겟의 이미지는 이미징 도구에 의해 캡처될 수 있으며 분석 알고리즘은 캡처된 이미지와 상이한 층에 형성된 타겟의 부분의 상대적인 변위를 계산한다. 오버레이 측정 중에 단일 오버레이 타겟으로부터 신호가 수집된다. 그러나, 타겟의 상이한 부분은 상이한 층에 형성될 수 있다. 예를 들어, 일반적으로 사용되는 오버레이 타겟 유형은 "박스 인 박스(Box-in-Box)" 타겟이며, 이는 웨이퍼의 연속한는 층에 있는 인접한 다이 사이의 스크라이브 라인에 내장된 한 쌍의 동심 사각형(또는 박스)을 포함한다. 오버레이 오류는 일반적으로 또다른 사각형에 대해 하나의 사각형의 위치를 비교하여 결정된다. 오버레이 타겟 패턴의 또다른 예는 "바 인 바(bar in bar)" 타겟이며, 이는 웨이퍼의 연속적인 층에 있는 복수의 평행한 바를 포함한다. 오버레이 타겟 유형의 또다른 예는 격자 타겟이다. 이 타겟 유형은 일반적으로 제1 주기적 테스트 구조 제2 주기적 테스트 구조를 포함한다. 제1 주기적 테스트 구조는 디바이스의 제1 층 상에 배치되고, 제2 주기적인 구조물은 제2 층이 제1 층 상에 배치될 때 제1 주기적 테스트 구조에 인접한 디바이스의 제2 층 상에 배치된다. 제1 주기적 테스트 구조와 제2 주기적 테스트 구조 사이에 발생할 수 있는 오프셋은 광학적으로, 미세 기계적으로, 또는 전자 빔으로 검출할 수 있다. 이러한 격자 타겟 유형(때때로 "AIM" 마크라고도 함)은 "박스" 유형 마크보다 더 조밀하고 견고하여 CMP의 정확을 견딜 수 있는 타겟 구조뿐만 아니라 더 많은 프로세스 정보를 수집할 수 있다. 이러한 마크의 사용은 예를 들어 Adel 등에 의해 일반적으로 양도된 미국 특허 제6,023,338호, 제6,921,916호 및 ㅈ제985,618호에 설명되어 있으며, 이들 3개 모두 모든 목적을 위해 참조로 여기에 포함된다.
일부 상황에서, 동일한 타겟이 상이한 계측 도구, 예를 들어 이미징 도구 및 산란 도구 또는 광학 도구 및 전자 빔 도구와 함께 사용될 수 있다. 본 발명의 양태는 동일한 타겟이 둘 이상의 상이한 계측 도구와 함께 사용되는 경우의 최적의 타겟 설계에 관한 것이다.
최적의 타겟 설계
본 발명의 일부 양태에 따르면, 타겟 설계 시스템은 스택 프로파일의 주어진 층 및 선택된 타겟 유형, 도구 유형 및 측정 모드에 대한 후보 타겟 설계의 세트를 결정할 수 있다. 그 후, 후보 타겟 설계는 설계 유형, 층 속성, 스택 프로파일 및 층 속성에 대한 변동 범위, 허용된 측정 설정의 타겟 설계 파라미터 범위를 고려하는 계측 시뮬레이션에 사용된다. 여기에서 사용된 "측정 설정"이라는 용어는 주어진 측정 모드에서 신호 수집 프로세스 동안 도구에서 조정될 수 있는 도구 파라미터를 말한다. 측정 설정의 예에는 광학 조명 파장 범위, 초점 설정, 편광, 전자 빔 에너지, 전자 빔 이미지 수집 센서 선택 등이 포함된다. 주어진 측정 모드에서 주어진 도구에 대한 각 측정 설정의 세트는 하나의 측정 신호를 정의한다.
각 후보 타겟 설계에 대해, 계측 시뮬레이션은 층 속성에서 각각의 가능한 변동에 대해 그리고 각각의 허용된 측정 설정에 대해 수집된 신호를 시뮬레이션하고 각각의 시뮬레이션 신호에 대한 성능 메트릭을 계산한다. 시뮬레이션은 예를 들어 시뮬레이션된 도구 설정 각각에 대해 하나씩, 각각의 후보 타겟 설계에 대해 상이한 성능 메트릭 세트를 생성한다. 시스템은 타겟 순위를 생성하고 출력할 후보 타겟 설계의 수를 결정하기 위해 타겟 성능 메트릭을 합산하기 위한 가중치 기능을 사용한다. 각각의 타겟 설계에 대해, 시스템은 성능 메트릭 및 연관된 가중 합계 중 최고 가중 합계를 제공하는 측정 설정(또는 설정 세트)을 식별한다. 그 후, 시스템은 성능 메트릭의 가중 합계에 따라 후보 타겟 설계의 순위화할 수 있다. 그 후, 시스템은 최고 순위의 타겟 설계(정확한 파라미터 값)을 출력할 수 있으며, 각각은 최고 메트릭 점수를 생성하는 연관된 도구 설정을 갖는다.
제한이 아닌 예로서, 전술한 설계 프로세스는 오버레이 계측 타겟의 설계에 적용될 수 있다. 오버레이 타겟 설계의 파라미터는 타겟 크기, 타겟 내의 라인의 폭 및 간격, 타겟이 가장 잘 수행되는 파장 등을 포함할 수 있다. 일부 구현에서 주어진 후보 오버레이 타겟 설계에 대한 시뮬레이션은 프로파일 스택의 상이한 층에 대한 것 또는 오버레이가 생산 수율에 중요한 층의 서브세트에 대한 것일 수 있다. 오버레이가 생산 수율에 중요하지 않거나 오버레이의 더 큰 오류가 허용될 수 있는 층의 경우 시뮬레이션는 건너뛸 수 있다. 추가적으로, 시뮬레이션은 측정에 영향을 미치는 중요한(significant) 층로 제한될 수 있다. 중요하지 않은 층, 즉 측정에 크게 영향을 미치지 않는 층에 대해서는 시뮬레이션을 건너뛸 수 있다. 제한이 아닌 예로서, 중요한 층은 트랜지스터 활성 영역 패터닝, 트랜지스터 게이트 패터닝, 비아 패터닝 또는 인터커넥트 패터닝을 포함하는 층을 포함할 수 있다. 에피택셜 층 및 기판은 일반적으로 중요한 층이 아니다(또는 층이 아니다).
일부 중요한 구현에서, 위에서 설명한 일반화된 타겟 설계 프로세스는 단일 도구 설정 세트 또는 다중 도구 설정 세트 중 하나를 사용하여 단일 측정 모드에서 단일 도구로 수행된 측정을 위한 오버레이 타겟을 설계하는데 사용될 수 있다. 대안적인 구현에서, 타겟 설계 프로세스는 다중 측정 모드에 있는 그리고/또는 다중 도구를 사용하는 측정에 사용되는 타겟의 설계를 위해 쉽게 적응될 수 있다.
도 1은 본 발명의 양태에 따른 오버레이 타겟 설계를 위한 방법(100)의 예를 도시한다. 방법(100)은 3개의 주요 단계: 타겟 설계 후보 선택(1), 측정 시뮬레이션(2) 및 성능 분석(3)을 포함한다.
입력 초기 단계(102)에서, 도구 유형 및 측정 모드가 시뮬레이션 시스템에 입력된다. 도구 및 측정 모드의 선택은 가능한 타겟 설계 유형을 제한할 수 있다. 일부 측정 모드는 단일 측정 신호가 필요할 수 있고 다른 측정 모드는 다중 측정 신호가 필요할 수 있기 때문에 측정 모드도 또한 시뮬레이션에 영향을 줄 수 있다. 일반적인 경우는 주어진 측정 모드에 대해 둘 이상의 설정에서 측정을 수행하는 단일 계측 도구와 관련된다. 다른 가능한 사용 사례에는 상이한 측정 모드에서 측정을 수행하는 하나 이상의 계측 도구가 포함될 수 있다. 하나 이상의 타겟 유형이 선택된 도구 및 측정 모드와 호환가능한 경우, 104에서 타겟 유형이 선택되어 시스템에 입력될 수 있다. 대안적으로, 타겟 설계 시스템은 단 하나의 타겟 유형이 선택한 도구 및 측정 모드와 호환가능한 경우 타겟 유형을 자동으로 결정할 수 있다. 대안적으로, 오버레이 타겟 설계 유형은 사용자 지정 설계 유형 또는 계측 도구 제조업체에 의해 지정된 설계 유형일 수 있다. 결정된 타겟 설계 유형은 계측 도구 또는 도구들에 의해 검출가능한 것으로 알려진 피처를 가질 수 있거나 검출 가능성이 아직 알려지지 않은 피처를 가질 수 있다. 타겟 설계 유형은 상대적인 라인 위치, 상대적인 형상, 상대적인 라인 길이 및 설계를 구성하는 상대적인 라인 수와 같은 설계의 2차원 레이아웃을 포함할 수 있다. 상대적인 위치, 상대적인 형상 및 상대적인 길이는 설계에서 다른 선에 대해 상대적이다. 오버레이 타겟 설계 유형은 예를 들어 제한 없이 계측 도구 또는 도구들과 호환가능한 설계 유형의 데이터베이스로부터 결정될 수 있다. 오버레이 타겟 유형은 사용하려는 계측 도구 또는 도구들과 호환가능한 것으로 알려진 설계 세트로부터 선택될 수 있다.
106에서 측정이 시뮬레이션되는 층의 속성이 입력된다. 그러한 층 속성의 예로는 예를 들어 시뮬레이션되고 있는 측정을 위한 스택의 각 층에 대한 층 스택, 재료 속성, 공칭 두께 등을 포함한다. 시뮬레이션 범위에 대한 경계는 108에 표시된 바와 같이 시스템으로 입력될 수 있다. 그러한 경계는 예를 들어, 하나 이상의 층 속성의 변동 범위, 타겟 설계-파라미터(크기, 라인-CD, 라인-피치 등)의 범위, 및 시뮬레이션 동안 검색하도록 허용된 측정 설정의 범위를 포함할 수 있다. 제한이 아닌 예로서, 주어진 층 속성, 타겟 설계 파라미터 또는 측정 설정에 대한 경계는 상한, 하한 및 증분 크기를 포함할 수 있다. 일부 구현에서, 리소그래피 레시피는 다양한 파라미터 및 경계를 결정하는데 유용한 경우 일부 구현에서 이 시점에서 지정될 수도 있다.
경계는 치수 사양, 예를 들어 절대적인 선 폭, 절대적인 선 길이, 절대적인 선 두께, 선 사이의 절대적인 간격 및 설계를 구성할 재료의 속성과 같은 타겟 설계 파라미터 이상의 범위에 대한 경계를 포함할 수 있다. 경계에는 각각의 지정된 치수 또는 재료 속성에 대한 공차가 포함될 수도 있다. 측정 설정 경계는 일반적으로 선택한 도구와 호환가능하도록 선택된다. 예를 들어, 제한 없이, 광학 오버레이의 측정 설정에는 조명 파장 및 편광, 광학 시스템 초점 오프셋, 조명 및 수집 조리개 설정 및 이미지 획득 방법이 포함될 수 있다. 특정 구현에서, 타겟 설계 파라미터 및 그 경계는 선택된 도구에 따라 선택될 수도 있다. 타겟이 둘 이상의 상이한 측정 모드 또는 계측 도구와 함께 사용하도록 의도된 구현에서, 계측 도구 또는 도구들은 예를 들어 선폭 해상도에 대해 상이한 범위와 같은 상이한 측정 파라미터 범위를 가질 수 있다. 이러한 경우, 측정 파라미터 범위의 중첩 부분과 일치하는 타겟 설계 파라미터가 선택될 수 있다. 결과의 설계가 고려되는 다른 계측 도구 또는 측정 모드 중 하나로 더 나은 측정 품질을 가질 경우 계측 도구 또는 측정 모드 중 하나에 대한 설계 파라미터 밖의 시뮬레이션 설계 파라미터가 선택될 수 있다.
110에 표시된 바와 같이, 계측 도구(또는 도구들), 측정 모드, 층 속성 및 경계의 선택으로부터 후보 타겟 설계 세트를 결정할 수 있다.
후보 타겟 설계가 결정되면 시뮬레이션 범위의 경계 내에서 타겟 설계의 측정을 시뮬레이션할 수 있다. 예를 들어, 112에 표시된 바와 같이, 각각의 후보 타겟에 대해 타겟 설계 시스템은 시뮬레이션 범위의 경계 내에서 스택 속성의 하나 이상의 가능한 변동 각각에 대해 그리고 허용된 측정 설정 각각에 대해 수집된 신호를 시뮬레이션한다. 타겟-설계 시스템은, 114에 나타낸 바와 같이, 시뮬레이션된 신호 각각에 대한 성능 메트릭을 계산한다.
성능 메트릭은 일반적으로 예를 들어 정확도, 정밀도 또는 견고성(robustness) 측면에서 측정 품질과 관련된다. 당업자가 일반적으로 이해하는 바와 같이, 측정의 정확도는 일반적으로 예를 들어 알려진 값의 일부 표준을 측정할 때 측정이 예상 값과 얼마나 근접하게 비교되는지를 의미한다. 일반적으로 이해되는 바와 같이, 측정의 정밀도는 일반적으로 반복성, 즉 동일한 측정 설정에서 동일한 도구를 사용하여 동일한 피처가 반복적으로 측정될 때 반복 측정이 서로 얼마나 가까운지를 의미한다. 일반적으로 이해되는 바와 같이, 견고성은 측정 설정의 편차에 대해 주어진 도구로 수행된 측정의 민감도를 의미한다.
시뮬레이션(112)은 층 속성(105), 도구 속성(107) 및 경계(109)를 가용한다. 층 속성(105)은, 제한 없이, 측정 시에 기판 상에 형성된 층의 순서, 기판을 구성하는 재료의 물리적 속성 및 스택 프로파일의 층 각각을 구성하는 재료 또는 재료들의 물리적 속성을 지정하는 스택 프로파일을 포함할 수 있다. 층 속성(105)은 막 또는 층 두께, 파장 종속 굴절률, 유전 상수 및 기판 두께를 포함할 수 있지만 이에 제한되지 않는다.
도구 속성(107)은 시뮬레이션되고 있는 측정에 사용되는 계측 도구 또는 도구들에 관련된 속성을 포함할 수 있다. 도구 특성(107)은 계측 도구 중 하나 이상을 특징짓는 계측 도구 설정 및 정보를 포함할 수 있다. 제한이 아닌 예로서, 측정 설정은 초점 거리, 개구수, 투과율, 반사율, 수차 계수, 프로브의 방사성 파장, 프로브의 방사 강도, 광학 편광(조명 또는 수집), 조명 공간 구조(조명 개구의 형상 및 크기), 조명 편광, 광학 시스템 초점 오프셋, 조명 및 수집 개구 설정 및 이미지 획득 방법, 검출기 내의 요소의 감광도, 또는 계측 도구 또는 도구들의 정확한 시뮬레이션에 필요한 기타 파라미터를 포함할 수 있다.
일반적인 명제로서, "도구 속성"이라는 용어에는 측정 설정, 즉, 예를 들어, 스위치를 설정하거나, 손잡이를 돌리거나, 또는 도구 조작 인터페이스 또는 프로그램으로부터의 프롬프트에 대한 응답으로 값을 입력함으로써 정상 작동 중에 도구 조작자가 값을 조정할 수 있는 도구 속성을 포함한다. "도구 속성"이라는 용어는 또한 도구 설정 이외의 도구 속성, 예를 들어 값이 다소 고정된 도구 제조업체에 의해 일반적으로 결정되는 속성을 포함한다. 도구 설정의 비제한적 예로서 조명 방사선의 파장과 같이 작업자가 선택할 수 있는 여러 설정이 있는 계측 도구를 고려한다. 이러한 경우, 조명 파장은 도구 설정의 예가 된다. 대안으로, 도구는 명시야 모드와 암시야 모드가 모두 있는 산란측정 도구와 같이 선택가능한 작동 모드를 가질 수 있다. 이 경우, 명시야 또는 암시야 동작 설정이 도구 설정의 예가 된다. 도구가 고정된 광학 속성, 예를 들어, 초점 거리, 개구수 등의 대물 렌즈를 사용하는 경우, 도구 설정과 반대되는 고정 값의 도구 속성의 예가 있을 수 있다.
스택 프로파일은, 제한 없이, 기판 상에 형성된 스택의 층 수, 각각의 층의 두께, 각각의 층의 재료 조성(예를 들어, 층이 산화물, 질화물, 금속, 반도체, 비정질, 결정질인지 등의 여부), 스택 내 층의 순서, 기판 상의 층 내의 디바이스 피처의 레이아웃에 관한 정보, 스택 내의 이전(즉, 하부) 층 상의 타겟 위치를 포함할 수 있다.
경계(109)는 프로세스 변동 범위, 예를 들어 제조 동안 재료의 물리적 특성의 변동을 포함할 수 있다. 임의의 제조 프로세스 동안, 재료의 생산은 이러한 가변성을 설명하기 위해 다수의 제어할 수 없는 요인에 의해 변하며, 프로세스 변동 범위는 시뮬레이션(112)에 포함된다. 프로세스 변동 범위에는 라인 폭, 길이, 높이, 제조 시 간격, 층 두께 변동 범위, 기판 또는 층의 굴절률 변동, 기판 또는 층의 유전 상수 변동과 같은 지정된 치수 및 재료 속성의 변동이 포함된다. 추가의 중요한 파라미터는 예를 들어 측벽 각도, 상부 표면 경사, 구조 비대칭을 포함하는 패터닝된 구조의 프로파일과 관련된 파라미터를 포함한다.
112에서의 시뮬레이션은 계측 도구, 타겟 설계, 기판 및 측정 시 기판 상에 형성된 임의의 층 사이의 상호작용을 수학적으로 결정한다. 시뮬레이션은 계측 도구에 의해 사용되는 프로빙 방사선(probing radiation), 타겟 설계과의 상호 작용을 통한 프로빙 방사선의 산란, 기판, 기판 상에 형성된 하나 이상의 층, 및 스택 프로파일의 층 상에 또는 내의 피처, 및 계측 도구의 임의의 수집 광학계 및/또는 검출기 컴포넌트와 산란된 방사선의 상호작용을 모델링할 수 있다. 시뮬레이션은 계측 도구 또는 도구들 각각과 함께 선택된 타겟 설계를 사용하여 측정을 수학적으로 근사화하기 위해 Maxwell의 방정식과 같은 알려진 수학적 요소 결정 방법을 사용할 수 있다. 베어(bare) 기판에서 시작하는 스택 프로파일에서 기판 상의 각각의 층에 대해 시뮬레이션을 실행할 수 있다. 시뮬레이션은 반복적으로 실행하여 기판 상에 형성된 각각의 층에 대한 시뮬레이션 결과를 구축할 수 있다. 일부 실시예에서, 생산 수율에 중요하지 않은 오버레이를 갖는 층은 시뮬레이션되지 않거나 더 큰 오차 허용 오차로 시뮬레이션될 수 있다. 스택 프로파일에서 기판 상의 하나 이상의 층의 시뮬레이션은 또한 타겟 설계의 일부를 형성하는 리소그래피 프로세스에서 사용되는 마스크뿐만 아니라, 디바이스 제조 동안 층에 형성될 수 있는 다른 피처의 시뮬레이션을 포함할 수 있다.
시뮬레이션에 대한 입력은 측정 동안 계측 도구 또는 도구들과 기판 상의 설계의 상호 작용의 최종 근사치를 생성하기 위해 방정식의 변수로 사용될 수 있다. 최종 근사값은 설계 유형, 설계 파라미터 및 설계를 위한 최적의 도구 설정뿐만 아니라 오버레이 타겟 설계의 분석과 관련된 정보를 포함하는 설계 결과를 결정하는데 사용될 수 있다. 오버레이 타겟 설계의 분석과 관련된 정보에는 신호 대 잡음비, 측정 설정 변경에 대한 견고성, 재료 속성 및 지정된 치수의 변화에 대한 민감도가 포함될 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 타겟 설계 유형 및 타겟 파라미터를 사용하여 기판의 각각의 층에 대해 시뮬레이션을 실행할 수 있다. 추가적으로, 도구 속성의 변경에 대한 설계의 견고성을 결정하기 위해 시뮬레이션 중에 도구 속성을 반복적으로 변경할 수 있다. 최적의 도구 설정은 도구 속성을 반복적으로 조정하는 동안 결정될 수 있다. 성능 메트릭은 각각의 설계 유형, 설계 파라미터 및 도구 설정 조합에 대해 계산된다. 조합 결과가 가장 높은 조합이 선택되고 해당 조합으로부터 최적의 도구 설정이 결정된다. 프로세스 변동 범위 및/또는 재료 속성은 재료의 변동에 대한 오버레이 타겟 설계의 민감도를 결정하기 위해 시뮬레이션 중에 반복적으로 변경될 수 있다.
시뮬레이션된 각각의 측정 설정에 대해 상이한 성능 메트릭 세트가 생성된다. 이러한 성능 메트릭을 분석하여 최상의 타겟 설계 또는 설계들을 결정한다. 제한이 아닌 예로서, 광학 현미경 도구를 사용한 오버레이 측정에 대한 성능 메트릭은 1) 최상의 초점에서의 오버레이 측정 정밀도, 2) 초점 편차, 조명 파장 또는 기타 측정 설정에 대한 오버레이 측정의 견고성, 및 3) 웨이퍼 상에 패터닝된 타겟에서 프로세스 유도 비대칭의 측정된 오버레이에 대한 효과를 포함할 수 있다. 2)와 관련하여, 측정 설정 변동에 따라 계산 정밀도가 변하고, 정밀도에 미치는 영향은 적을수록 좋다. 3)과 관련하여, 주어진 프로세싱된 유도된 비대칭에 대해, 측정된 오버레이의 시프트는 낮을수록 더 좋다. 당업자는 시뮬레이션(112)의 결과로부터 이러한 성능 메트릭을 결정할 수 있을 것이다. 당업자는 또한 이러한 교시에 기초하여 동일하거나 상이한 측정 모드에서 동일하거나 상이한 측정의 시뮬레이션을 위한 다른 성능 메트릭을 결정할 수 있을 것이다.
예로서, 각각의 성능 메트릭에 대한 가중치를 정의하고 타겟 순위를 생성하기 위해 결과적인 가중치 성능 메트릭을 합산하는 방법을 지정하는 입력 가중치 함수(117)에 따라 116에서 가중 합계를 계산함으로써 타겟 성능을 결정할 수 있다. 시스템은 또한 가중치 함수를 사용하여 출력할 순위화된 타겟 후보의 수를 결정할 수 있다. 예로서, 각각의 타겟 설계에 대해 시스템은 118에 표시된 바와 같이 메트릭의 최고 가중 합계 및 연관된 가중 합계를 제공하는 측정 설정(또는 설정 세트)을 결정한다. 그 후, 시스템은 120에 표시된 바와 같이, 예를 들어 "메트릭의 최고 가중 합계"에 의해 후보 타겟을 순위화할 수 있다. 그 후, 시스템은 최고 순위의 후보 타겟 설계(121)(관련 타겟 파라미터 값을 포함함) 및 메트릭의 최고 가중 합계를 생성한 연관된 측정 설정을 출력할 수 있다.
예로서, 제한 없이, 광학 현미경 도구를 사용하여 오버레이 측정을 시뮬레이션하는 것(112)을 고려한다. 가중 합계는 최상의 초점에서의 오버레이 측정 정밀도에 대응하는 항, 초점 편차, 조명 파장 편차 또는 다른 측정 설정의 편차 각각에 대한 오버레이 측정의 견고성에 대응하는 항, 및 웨이퍼 상에 패터닝된 타겟의 프로세스 유도 비대칭의 측정된 오버레이에 대한 영향에 대응하는 하나 이상의 항을 포함할 수 있다. 각각의 항에는 성능 메트릭과 대응하는 가중치의 곱이 포함될 수 있다. 각각의 항에 대한 가중치는 더 중요한 성능 메트릭에 더 높은 가중치가 할당된 대응하는 성능 메트릭의 상대적 중요도에 따라 할당될 수 있다. 가중 합계는 예를 들어 항의 단순 산술 합, 항의 제곱합, 항의 제곱합의 제곱근, 또는 항의 곱의 평균 제곱근, 예를 들어 n항의 곱의 n근 또는 이들 중 둘 이상의 조합일 수 있다.
순위화된 타겟 설계 결과는 메모리 및/또는 데이터베이스(110)에 저장될 수 있다. 타겟 설계 후보 선택, 측정 시뮬레이션 및 성능 분석은 추가 순위화된 후보 타겟 설계를 생성하기 위해 변경된 설계 유형 및/또는 변경된 설계 파라미터로 113 에 표시된 바와 같이, 상이한 도구 또는 측정 모드에 대해 선택적으로 반복될 수 있다. 추가 순위화된 후보 타겟 설계는 메모리 또는 데이터베이스(110)에 저장될 수 있다.
일부 구현에서, 순위화된 타겟 후보(121)는 최적의 오버레이 타겟 설계를 결정하기 위해 하나 이상의 선택 기준과 비교될 수 있다. 선택 기준에 가장 일치하거나 초과하는 타겟 설계가 최적의 설계으로 선택될 수 있다. 설계 선택 기준은 사용자에 의해 시스템에 제공될 수 있거나 계측 도구 또는 도구들에 의해 결정된 설계 선택 기준일 수 있다. 설계 선택 기준에는 신호 대 잡음비, 측정 설정 변경에 대한 견고성, 재료 변동에 대한 민감도 또는 둘 이상의 계측 도구를 사용하여 계측을 위한 타겟으로 설계의 전체 품질을 나타내는 기타 설계 메트릭이 포함될 수 있지만 제한되지 않는다.
대안적인 구현에서 각각의 후보 타겟 설계 결과는 시뮬레이션이 다른 후보 타겟 설계에 대해 수행되기 이전의 선택 기준과 비교될 수 있다. 후보 타겟 설계 의 성능 특성이 선택 기준을 충족하거나 초과하는 경우 시스템은 추가 설계를 위한 시뮬레이션을 앞당길 수 있다. 후보 타겟 설계가 선택 기준을 충족하지 않는 경우, 이는 저장될 수 있고 다른 설계에 대해 다른 시뮬레이션이 수행되고 상기 논의된 바와 같이 성능 특성이 집계되고 순위화될 수 있다. 또 다른 대안적인 구현에서, 후보 타겟 설계 중 어느 것도 선택 기준을 충족하거나 초과하지 않으면, 선택 기준에 가장 가까운 성능 특성을 갖는 후보 타겟 설계가 집계된 설계으로부터 선택될 수 있다.
순위화된 타겟 후보(121)는 설계 유형, 설계 파라미터, 최적의 도구 설정, 및 신호 대 잡음비, 측정 설정의 변화에 대한 견고성, 웨이퍼 프로세싱 조건의 변동에 대한 견고성, 재료의 변동에 대한 민감도를 포함할 수 있다. 이러한 정보는 예를 들어 전자 형태로 마스크 제조 시스템 또는 전자 빔 리소그래피 도구로 전송되거나 나중 사용을 위해 저장될 수 있다. 추가적으로, 순위화된 타겟 후보 정보(121)는 선택된 계측 도구 또는 도구들에 대한 최적의 측정 설정을 포함할 수 있다. 최적의 측정 설정은 계측 레시피의 일부로 각각의 계측 도구로 전송될 수 있다. 이전에 언급한 바와 같이, 단일 측정 모드에 대해 다중 측정 설정을 갖는 하나의 계측 도구 또는 그러한 도구 및/또는 측정 모드 각각에 대해 상이한 측정 설정을 갖는 측정 모드를 갖는 다중 측정 도구가 있을 수 있다.
프로세스 흐름 개요
도 2는 본 발명의 양태에 따른 반도체 디바이스 제조의 맥락에서 최적의 오버레이 타겟 설계 프로세스를 도시한다. 초기에 도시된 바와 같이, 계측 도구 또는 도구들은 반도체 디바이스 제조 프로세스(201)에서 사용하기 위해 선택된다. 계측 도구 또는 도구들은, 제한 없이, 광학 필드 이미지, 산란측정, 전자 빔 도구, 다중-설정 광학 필드 이미지, 다중-설정 산란측정, 또는 다중-설정 전자 빔 단독 또는 조합 중 어느 것일 수 있다. 다중-설정 계측 도구는 각 측정에 대해 상이한 도구 설정을 사용하여 다중 계측 측정을 수행한다. 다중-설정 계측 도구는 사용자가 계측 설정을 변경하지 않고 다중 설정에서 측정을 수행할 수 있는 계측 도구 또는 단일 설정에서 측정을 수행하고 사용자가 설정을 변경하고 다중 동작 모드가 있는 새로운 설정 또는 단일 계층 도구로 또다른 측정을 수행하는 계측 도구일 수 있다. 예를 들어, 제한 없이, 다중-설정 계측은 명시야 모드와 암시야 모드 모두에서 동작하는 산란계측 도구일 수 있다. 명시야 및 암시야 모드가 있는 산란측정 도구는 두 가지의 상이한 조명 모드 설정으로 동작한다. 명시야 모드에서, 입사 방사선은 넓은 범위의 입사각에서 샘플의 피처에 도달하여 정렬된 산란 입사 방사선과 분산된 산란 입사 방사선이 모두 피처를 떠나게 한다. 0차 회절 정렬 산란 입사 방사선은 산란 방사선으로부터 필터링되고 피처의 하나 이상의 임계 치수(CD)를 결정하는데 사용된다. 피처의 CD를 사용하여 0 이외의 회절 차수를 특징으로 하는 정렬된 산란 입사 방사선의 양을 결정하기 위한 모델이 생성된다. 암시야 모드에서, 입사 방사선은 매우 좁은 입사각 범위에서 샘플의 피처에 도달한다. 입사 방사선의 각도 응답을 모니터링함으로써 0 이외의 회절 차수 및/또는 확산 산란 방사선을 특징으로 하는 정렬된 산란 입사 방사선의 양을 직접 측정한다. 명시야 모드 및 암시야 모드를 모두 갖는 산란측정 도구에 대한 자세한 정보는 여기에 참조로 포함된 Zhuang 외의 미국 특허 8,045,179를 참조한다.
그 후, 계측 도구 또는 도구들(201)의 선택은 최적의 계측 타겟 설계 프로세스(202)에 대한 입력으로 사용된다. 설계 프로세스(202)에서, 다중-설정 계측 도구 또는 다수의 상이한 오버레이 계측 도구와 호환가능한 설계 유형에 기초한 제1 설계 유형 및 다중-설정 계측 도구 또는 다수의 상이한 오버레이 계측 도구의 설계 파라미터 범위에 기초한 제1 설계 파라미터 세트를 선택함으로써 제1 타겟 설계가 생성될 수 있다. 컴퓨터 프로그램은 측정을 위한 하나 이상의 성능 메트릭을 생성하기 위해 둘 이상의 측정 설정에 대해 시뮬레이션 범위의 경계 내에서 하나 이상의 계측 도구를 사용하여 하나 이상의 타겟 설계의 측정을 시뮬레이션하는 계측 시뮬레이션을 수행할 수 있다. 측정 시뮬레이션은 스택 프로파일에서 하나 이상의 층의 층 속성을 고려할 수 있다. 측정 시뮬레이션은 둘 이상의 측정 설정에 대해 타겟 설계와 프로빙 방사선의 상호작용을 고려할 수 있다. 계측 시뮬레이션은 주어진 계측 도구에 대한 상이한 측정 설정 세트에 대해 반복될 수 있고, 측정 설정 세트 및 각각의 후보 타겟 설정에 대해 얻어진 성능 메트릭은 최적의 도구 설정 및 타겟 설계를 결정하기 위해 비교될 수 있다.
최적의 타겟 설계는 상기 논의된 바와 같이 성능 메트릭의 기준 가중 합계로부터 결정될 수 있다. 대안적으로, 각각의 타겟 설계를 미리 결정된 선택 기준과 비교할 수 있다. 제1 후보 타겟 설계가 선택 기준을 충족하거나 초과하면 최적의 설계가 결정된 것이다. 제1 후보 타겟 설계가 선택 기준을 충족하거나 초과하지 않으면 측정 시뮬레이션은 하나 이상의 상이한 타겟 설계 및 호환가능한 측정 설정에 대해 반복적으로 반복될 수 있다. 구체적으로, 선택된 계측 도구 또는 다수의 상이한 계측 도구와 호환가능한 설계 유형, 및 도구 또는 도구들의 파라미터에 기초한 제2 설계 파라미터 세트에 기초하여 동일하거나 상이한 설계 유형에 대해 제2 타겟 설계가 생성될 수 있다. 제2 후보 타겟 설계는 제1 후보 타겟 설계와 상이한 설계 유형 또는 상이한 설계 파라미터를 특징으로 할 수 있다. 주어진 계측 도구에 대한 상이한 측정 설정 세트에 대해 계측 시뮬레이션이 반복될 수 있고, 결과의 성능 메트릭은 분석하여 최적의 도구 설정 및 타겟 설계를 결정하기 위해 분석될 수 있다.
상기 논의한 타겟 설계 프로세스의 결과는 최적의 설계 유형, 최적의 설계 파라미터, 및 계측 도구 또는 도구들 각각에 대한 도구 설정이다. 최적의 설계 유형 및 최적의 설계 파라미터는 선택된 최적의 설계가 기판 상의 또는 층(203) 내의 웨이퍼에 패터닝될 수 있는 웨이퍼 팹의 패터닝 도구로 전송될 수 있거나, 또는 나중 사용자를 위해 메모리 또는 스토리지에 저장될 수 있다. 그러한 패터닝은 마스크 패턴의 일부로서 최적의 설계를 사용하는 것, 그 패턴으로 마스크를 제조하는 것, 제조된 마스크로 포토리소그래피를 수행하는 것을 포함할 수 있다. 대안적으로, 패터닝은 하전 입자 빔(예를 들어, 전자 빔) 리소그래피 패턴의 일부로서 최적의 설계를 사용하는 것, 및 패턴으로 하전 입자 빔 리소그래피를 수행하는 것을 포함할 수 있다. 최적의 도구 설정은 계측 도구 스테이션(204)에 있는 계측 도구 또는 도구들에 최적의 도구 설정을 적용하는 계측 스테이션으로 전송된다. 최적의 타겟 설계를 사용하여 마스크로 웨이퍼를 패터닝한 후, 오버레이(205) 및 다음 층에 대한 정렬을 결정하기 위해 계측 도구 또는 도구들을 사용하여 타겟 설계의 계측 측정이 수행된다. 다중-설정 계측 도구를 사용하면 실제 층 간 오버레이(원하는 측정)와 오버레이 판독에 영향을 미칠 수 있는 시스템 편향 사이를 분별할 수 있는 이점을 제공한다. 예를 들어, 제한 없이, 패터닝된 층 중 하나의 비대칭이 결정되고 정정될 수 있다. 추가적으로, 본 발명은 2개의 상이한 측정 설정 또는 도구 각각에 대해 각각 최적화된 2개의 상이한 타겟을 갖는 것과 대조적으로, 둘 이상의 상이한 측정 설정 또는 도구에 대해 최적화된 단일 설계를 제공한다.
시스템
도 3은 본 발명의 최적의 오버레이 타겟 설계 양태를 결정하고 사용하도록 구성된 시스템(300)을 도시한다. 시스템(300)은 예를 들어, 단일-코어, 듀얼-코어, 쿼드-코어, 다중-코어, 프로세서-코프로세서, 셀 프로세서 등과 같은 잘 알려진 아키텍처에 따라 구성될 수 있는 하나 이상의 프로세서 유닛(303)을 포함할 수 있다. 시스템은 또한 하나 이상의 메모리 유닛(304)(예를 들어, 랜덤 액세스 메모리(random access memory; RAM), 동적 랜덤 액세스 메모리(dynamic random-access memory; DRAM), 판독 전용 메모리(read-only memory; ROM) 등)를 포함할 수 있다.
프로세서 유닛(303)은 하나 이상의 프로그램(317)을 실행할 수 있으며, 그 일부는 메모리(304)에 저장될 수 있고 프로세서(303)는 예를 들어 데이터 버스(305)를 통해 메모리에 액세스함으로써 메모리에 동작가능하게 커플링될 수 있다. 프로그램(317)은 도 1 및 도 2와 관련하여 전술한 바와 같이 둘 이상의 유형의 계측 디바이스(301, 302)에 대한 최적의 오버레이 타겟을 결정하도록 구성될 수 있다. 추가적으로, 메모리(304)는 설계 유형(309), 재료 속성(310), 도구 속성(308), 스택 프로파일(319), 프로세스 변동 범위(320), 선택 기준(321), 시뮬레이션 데이터(322), 후보 타겟 설계 시뮬레이션 결과(323)(예를 들어, 성능 기준), 및 측정 설정(324)과 같은 정보를 담을 수 있다. 추가적으로, 시뮬레이션 데이터, 타겟 설계 시뮬레이션 결과, 측정 설정, 프로세스 변동 범위, 선택 기준, 도구 특성, 설계 유형 및 설계 파라미터, 재료 속성 및 스택 프로파일이 대용량 저장소(315)에 데이터(318)로 유지될 수 있다. 데이터는 또한 네트워크 인터페이스(314)를 통해 시스템에 연결된 데이터베이스에 저장될 수도 있다.
시스템(300)은 또한 입력/출력(I/O)(307), 회로, 전원 공급기(P/S)(311), 클록(CLK)(312) 및 캐시(313)와 같은 잘 알려진 지원 회로를 포함할 수 있으며, 이는 예를 들어, 버스(305)를 통해 시스템의 다른 컴포넌트들과 통신할 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 네트워크 인터페이스(314)를 포함할 수 있다. 프로세서 유닛(303) 및 네트워크 인터페이스(314)는 퍼스널 영역 네트워크(personal area network)에 적합한 네트워크 프로토콜, 예를 들어 블루투스를 통해 PAN 또는 로컬 영역 네트워크(local area network; LAN)를 구현하도록 구성될 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 선택적으로 디스크 드라이브, CD-ROM 드라이브, 테이프 드라이브, 플래시 메모리 등과 같은 대용량 저장 디바이스(315)를 포함할 수 있고, 대용량 저장 디바이스는 프로그램 및/또는 데이터를 저장할 수 있다. 시스템은 또한 시스템과 사용자 사이의 상호작용을 용이하게 하는 사용자 인터페이스(316)를 포함할 수 있다. 사용자 인터페이스에는 모니터, 텔레비전 화면, 스피커, 헤드폰 또는 사용자에게 정보를 전달하는 기타 디바이스가 포함될 수 있다. 시스템은 또한 도시된 바와 같이 네트워크 인터페이스(314) 또는 I/O 포트 (307) 를 통해 계측 도구 또는 도구들과 통신할 수 있다. 계측 도구 또는 도구들은 광학 현미경 또는 광학 산란계와 같은 광학 도구(302) 및 전자 현미경과 같은 전자 빔 도구(301)를 포함할 수 있다. 계측 도구 또는 도구들(301, 302)은, 전술한 방법론에 의해 설계 및 선택되고 기판(326) 상에 그리고/또는 시스템(300)에 의해 생성된 최적의 오버레이 타겟 설계를 사용한 리소그래피 도구 또는 도구들에 의해 기판 상에 형성된 하나 이상의 층(327)에 패터닝된 최적의 오버레이 타겟(325)으로 오버레이 계측을 수행하도록 구성될 수 있다.
상기는 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 완전한 설명이지만, 다양한 대안, 수정 및 등가물을 사용하는 것이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위는 상기 설명을 참조하여 결정되지 않아야 하고, 대신에 첨부된 청구범위 및 그 등가물의 전체 범위를 참조하여 결정되어야 한다. 선호 여부에 관계없이 모든 피처는 선호 여부에 관계없이 다른 피처와 결합될 수 있다. 다음 청구범위에서 부정관사 "A" 또는 "An" 은 달리 명시적으로 언급되지 않는 한 관사 다음 항목의 하나 이상의 수량을 나타낸다. 첨부된 청구범위는 그러한 제한이 "수단"이라는 어구를 사용하여 주어진 청구항에서 명시적으로 인용되지 않는 한 수단 + 기능 제한을 포함하는 것으로 해석되지 않는다. 특정 기능을 수행하기 위한 "수단"을 명시적으로 언급하지 않는 청구항의 요소는 35 USC §112, ¶6에 명시된 대로 "수단" 또는 "단계" 절로 해석되지 않는다.

Claims (21)

  1. 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법에 있어서,
    시뮬레이션 범위에 대한 경계 세트 또는/및 하나 이상의 계측 도구와 호환가능한 선택된 설계 유형에 대한 제1 후보 타겟 설계를 생성하는 단계;
    측정을 위한 하나 이상의 성능 메트릭을 생성하기 위해 둘 이상의 측정 설정에 대해 상기 시뮬레이션 범위의 경계 내에서 상기 하나 이상의 계측 도구를 사용하여 상기 제1 타겟 설계의 측정을 시뮬레이션하는 단계 - 상기 측정을 시뮬레이션하는 것은 스택 프로파일에서 하나 이상의 층의 층 속성을 고려함 - ;
    선택 기준에 기초하여 상기 성능 메트릭으로부터 최적의 타겟 설계를 결정하는 단계;
    상기 최적의 타겟 설계를 전송하거나 저장하는 단계
    를 포함하는, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 측정에 대한 하나 이상의 성능 메트릭을 생성하기 위해 둘 이상의 측정 설정에 대해 상기 시뮬레이션 범위의 경계 내에서 상기 하나 이상의 계측 도구를 사용하여 제2 타겟 설계의 측정을 시뮬레이션하는 단계 - 상기 측정을 시뮬레이션하는 것은 스택 프로파일에서 하나 이상의 층의 층 속성을 고려함 -
    를 더 포함하는, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 시뮬레이션 범위의 경계는 하나 이상의 층 속성의 변동 범위를 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 시뮬레이션 범위의 경계는 타겟 설계 파라미터 이상의 범위에 대한 경계를 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    둘 이상의 측정 설정에 대해 상기 시뮬레이션 범위의 경계 내에서 상기 하나 이상의 계측 도구를 사용하여 상기 제1 타겟 설계의 측정을 시뮬레이션하는 것은, 상기 시뮬레이션 범위의 경계 내에서 스택 속성의 하나 이상의 가능한 변동 각각에 대해 그리고 둘 이상의 허용된 측정 설정 각각에 대해 후보 타겟 설계를 위한 상기 하나 이상의 계측 도구를 사용하여 수집된 신호를 시뮬레이션하는 것을 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 둘 이상의 측정 설정은 하나 이상의 오버레이 계측 도구에 대한 상이한 도구 설정을 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 둘 이상의 측정 설정은 둘 이상의 상이한 계측 측정 모드에 대한 설정을 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 둘 이상의 상이한 계측 모드는 둘 이상의 상이한 계측 도구에 대응하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 둘 이상의 상이한 계측 도구는 전자 빔 계측 도구 또는 광학 산란측정 계측 도구를 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 선택 기준에 기초하여 상기 성능 메트릭으로부터 상기 최적의 타겟 설계를 결정하는 것은, 성능 기준의 가중 합계를 계산하는 것 및 성능 메트릭의 최고 가중 합계를 제공하는 하나 이상의 측정 설정을 결정하는 것을 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 선택 기준에 기초하여 상기 성능 메트릭으로부터 상기 최적의 타겟 설계를 결정하는 것은, 상기 성능 메트릭의 가중 합계에 따라 하나 이상의 후보 타겟 설계를 순위화하는 것을 더 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 계측 도구를 사용하여 상기 제1 타겟 설계의 측정을 시뮬레이션하는 것은, 스택에서 중요한(significant) 층과 프로빙 방사선(probing radiation)의 상호작용을 모델링하는 것을 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 계측 도구를 사용하여 상기 제1 타겟 설계의 측정을 시뮬레이션하는 것은, 상기 스택 프로파일의 상기 제1 타겟 설계, 기판, 상기 기판 상에 형성된 하나 이상의 층, 및 하나 이상의 층 상의 또는 내의 하나 이상의 피처(feature)와 프로빙 방사선의 상호작용을 모델링하는 것을 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법.
  14. 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 시스템에 있어서,
    프로세서;
    상기 프로세서에 결합된 메모리;
    상기 프로세서 상에서 실행 시에, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법을 구현하는, 메모리에 내장된 비일시적 명령어
    를 포함하고,
    상기 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법은,
    시뮬레이션 범위에 대한 경계 세트 또는/및 하나 이상의 계측 도구와 호환가능한 선택된 설계 유형에 대한 제1 후보 타겟 설계를 생성하는 단계;
    측정을 위한 하나 이상의 성능 메트릭을 생성하기 위해 둘 이상의 측정 설정에 대해 상기 시뮬레이션 범위의 경계 내에서 상기 하나 이상의 계측 도구를 사용하여 상기 제1 타겟 설계의 측정을 시뮬레이션하는 단계 - 상기 측정을 시뮬레이션하는 것은 스택 프로파일에서 하나 이상의 층의 층 속성을 고려함 - ;
    선택 기준에 기초하여 상기 성능 메트릭으로부터 최적의 타겟 설계를 결정하는 단계;
    상기 최적의 타겟 설계를 전송하거나 저장하는 단계를 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 시스템.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법은, 상기 측정에 대한 하나 이상의 성능 메트릭을 생성하기 위해 둘 이상의 측정 설정에 대해 상기 시뮬레이션 범위의 경계 내에서 상기 하나 이상의 계측 도구를 사용하여 제2 타겟 설계의 측정을 시뮬레이션하는 단계 - 상기 측정을 시뮬레이션하는 것은 스택 프로파일에서 하나 이상의 층의 층 속성을 고려함 - 를 더 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 시스템.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 시뮬레이션 범위의 경계는 하나 이상의 층 속성의 변동 범위를 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 시스템.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 시뮬레이션 범위의 경계는 타겟 설계 파라미터 이상의 범위에 대한 경계를 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 시스템.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 둘 이상의 측정 설정은 둘 이상의 상이한 계측 측정 모드에 대한 설정을 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 시스템.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 프로세서에 결합된 데이터베이스
    를 더 포함하고,
    상기 데이터베이스는 설계 유형, 다중-설정 계측 도구 또는 다수의 상이한 오버레이 계측 도구에 대한 설계 파라미터 범위, 도구 속성 또는 재료 속성을 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 시스템.
  20. 제14항에 있어서,
    다중-설정 계측 도구 또는 다수의 상이한 오버레이 계측 도구, 및 계측 측정 동안 스택 프로파일 내의 기판 및 기판 상의 하나 이상의 층과 제1 설계의 상호 작용을 시뮬레이션하는 것은, 상기 스택 프로파일의 상기 제1 타겟 설계, 기판, 상기 기판 상에 형성된 하나 이상의 층, 및 하나 이상의 층 상의 또는 내의 하나 이상의 피처와 프로빙 방사선의 상호작용을 시뮬레이션하는 것을 포함하는 것인, 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 시스템.
  21. 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법을 위한, 컴퓨터 판독가능 매체에 내장된 비일시적 명령어들에 있어서,
    상기 계측 타겟 설계를 결정하기 위한 방법은,
    시뮬레이션 범위에 대한 경계 세트 또는/및 하나 이상의 계측 도구와 호환가능한 선택된 설계 유형에 대한 제1 후보 타겟 설계를 생성하는 단계;
    측정을 위한 하나 이상의 성능 메트릭을 생성하기 위해 둘 이상의 측정 설정에 대해 상기 시뮬레이션 범위의 경계 내에서 상기 하나 이상의 계측 도구를 사용하여 상기 제1 타겟 설계의 측정을 시뮬레이션하는 단계 - 상기 측정을 시뮬레이션하는 것은 스택 프로파일에서 하나 이상의 층의 층 속성을 고려함 - ;
    선택 기준에 기초하여 상기 성능 메트릭으로부터 최적의 타겟 설계를 결정하는 단계;
    상기 최적의 타겟 설계를 전송하거나 저장하는 단계를 포함하는 것인, 컴퓨터 판독가능 매체에 내장된 비일시적 명령어들.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220210525A1 (en) * 2020-12-24 2022-06-30 Applied Materials Israel Ltd. Prediction of electrical properties of a semiconductor specimen

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7068833B1 (en) 2000-08-30 2006-06-27 Kla-Tencor Corporation Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements
EP1744217B1 (en) * 2005-07-12 2012-03-14 ASML Netherlands B.V. Method of selecting a grid model for correcting grid deformations in a lithographic apparatus and lithographic assembly using the same
US7924408B2 (en) 2007-02-23 2011-04-12 Kla-Tencor Technologies Corporation Temperature effects on overlay accuracy
US7602491B2 (en) 2007-04-26 2009-10-13 Kla- Tencor Corporation Optical gain approach for enhancement of overlay and alignment systems performance
US8111376B2 (en) 2007-05-30 2012-02-07 Kla-Tencor Corporation Feedforward/feedback litho process control of stress and overlay
US9151712B1 (en) 2007-05-30 2015-10-06 Kla-Tencor Corporation Rule checking for metrology and inspection
US8245161B1 (en) 2007-08-16 2012-08-14 Kla-Tencor Corporation Verification of computer simulation of photolithographic process
US8214771B2 (en) 2009-01-08 2012-07-03 Kla-Tencor Corporation Scatterometry metrology target design optimization
US9329033B2 (en) 2012-09-05 2016-05-03 Kla-Tencor Corporation Method for estimating and correcting misregistration target inaccuracy
US9093458B2 (en) 2012-09-06 2015-07-28 Kla-Tencor Corporation Device correlated metrology (DCM) for OVL with embedded SEM structure overlay targets
WO2014062972A1 (en) * 2012-10-18 2014-04-24 Kla-Tencor Corporation Symmetric target design in scatterometry overlay metrology
KR102020021B1 (ko) 2013-03-04 2019-09-10 케이엘에이 코포레이션 계측 타겟의 식별, 디자인 및 검증
JP6567523B2 (ja) * 2013-12-30 2019-08-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジーターゲットの設計のための方法及び装置
JP6312834B2 (ja) 2013-12-30 2018-04-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジーターゲットの設計のための方法及び装置
EP3149544B1 (en) 2014-06-02 2018-10-10 ASML Netherlands B.V. Method of designing metrology targets, substrates having metrology targets, method of measuring overlay, and device manufacturing method
WO2018141503A1 (en) * 2017-02-02 2018-08-09 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus and associated computer product
EP3639166A4 (en) * 2017-06-06 2021-02-24 KLA-Tencor Corporation RETICLE OPTIMIZATION AND OPTIMAL TARGET DRAWING ALGORITHMS
EP3454123A1 (en) * 2017-09-06 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Metrology method and apparatus
EP3557327A1 (en) 2018-04-18 2019-10-23 ASML Netherlands B.V. Method of determining a value of a parameter of interest of a target formed by a patterning process

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