KR20220163976A - 절삭 인서트, 그 용도 및 가공 방법 - Google Patents

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Abstract

기준 평면(100)과 V자형 피어싱 영역(1, 101, 102, 103, 104)을 갖는, 공작물(1000)의 회전축(1001)에 대해 방사상 피어싱(radial piercing)에 의해 공작물(1000)에 V자형 프로파일(1002)을 생성하도록 설계된 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205)로서, V자형 피어싱 영역(1, 101, 102, 103, 104)은 특히 기준 평면(100)에 포함되는 2개의 절삭날들(3, 4), 경사면(7) 및 경사면(7)에 있는 복수의 세장형 칩-안내 함몰부(8, 8', 8'', 80, 80', 80'')로서 상기 칩 안내 함몰부 각각은 기준 평면(100)에 포함되는 함몰부 연장 축(10)에 평행하게 연장되는 복수의 세장형 칩-안내 함몰부를 가지는 한편, 종래 기술과 비교하여 개선된 칩 형성을 갖는 절삭 인서트를 명시하기 위하여, 함몰부 연장 축들(10)은 각각 0°내지 45°범위의 함몰부 칩 안내 각도(12)로 연장되는 것이 제안된다.

Description

절삭 인서트, 그 용도 및 가공 방법
본 발명은 기준 평면(reference plane)과 V자형 피어싱(천공) 영역(piercing region)을 갖는 공작물(workpiece)의 회전축에 대한 방사상 피어싱(천공)(radial piercing)에 의해 공작물에 V자형 프로파일을 생성하도록 설계된 절삭 인서트(cutting insert)에 관한 것으로, V자형 피어싱 영역은 기준 평면에 포함되고 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 서로를 향해 V자형 방식으로 수렴하는 두 개의 절삭날들(cutting edges), 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 절삭날들 사이에서 측정될 수 있으며 20°내지 60°범위에 놓이는 절삭날 각도(cutting edge angle), 기준 평면에 포함되고 그에 대해 절삭날들이 서로에 대해 거울 대칭으로 형성되는 대칭축, 경사면(rake face), 경사면에 있는 복수의 세장형 칩-안내 함몰부(elongate chip-guiding depressions)로서, 상기 칩 안내 함몰부 각각은 기준 평면 아래에 놓이는 낮은 지점을 가지며 각각은 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 기준 평면에 포함된 함몰부 연장 축에 평행하게 연장되는 복수의 세장형 칩-안내 함몰부, 및 그를 통해 두 절삭날들이 서로 연결되는 절삭 모서리(cutting corner)를 갖는다.
본 발명은 또한 이러한 절삭 인서트의 사용에 관한 것이다.
마지막으로, 본 발명은 이러한 절삭 인서트가 제공되는 가공 방법(machining method)에 관한 것이다.
처음에 언급된 유형의 절삭 인서트는 특히 절삭 인서트가 공작물 회전 축에 대해 공작물 내로 반경 방향으로 피어싱됨에 의해 공작물로부터 V-벨트 풀리를 생산하는 데 사용된다. 이 피어싱(piercing)에 의해 절삭 인서트 또는 공작물이 공작물 회전축을 중심으로 회전하는 경우, 공작물에 V자형 주변 그루브(groove)(홈)이 생성되고, 이 그루브에는 이러한 방식으로 형성된 V-벨트 풀리를 구동하기 위한 V 벨트가 맞물릴 수 있다.
그러나 피어싱은 관례적으로 긴 칩, 예를 들어 긴 얽힌 칩을 생성한다. 이는 긴 칩이 공작물이나 절삭 인서트에 자주 감기기 때문에 문제가 된다. 피어싱 중 공정 오작동 및 절삭 인서트 손상이 결과적으로 발생한다. 또한 긴 칩을 자주 수동으로 제거해야 한다. 이것은 일반적으로 기계 가동 중지 시간으로 이어지며 이것은 생산성을 감소시킨다. 결과적으로 긴 칩의 형성을 피해야 한다.
따라서 EP 1 454 690 A1에 따른 절삭 인서트는 칩 브레이킹(chip breaking)을 촉진하기 위해 절삭날을 따라 연장되는 함몰부(depression)를 갖는 경사면(rake surface)을 갖는다.
그러나 이렇게 형성된 경사면은 연성 재료(ductile material)를 피어싱(piercing)할 때 충분한 칩 브레이킹(chip breaking)을 제공하지 않는 것으로 나타났다.
따라서, 본 발명의 목적은 각각의 경우에 절삭 인서트, 절삭 인서트의 용도 및 각각의 경우에 선행 기술과 비교하여 개선된 칩 형성(chip formation)을 갖는 가공 방법을 특정하는 것이다.
상기 목적은 청구항 제1항에 따른 절삭 인서트에 의해 달성된다. 청구항 제1항에 따른 절삭 인서트의 유리한 발전형태들은 청구항 제1항에 종속된 청구항들로부터 수집될 수 있다.
공작물의 회전축에 대한 방사상 피어싱(천공)(radial piercing)에 의해 공작물에 V자형 프로파일을 생성하도록 설계된 절삭 인서트는 기준 평면과 V자형 피어싱(천공) 영역(piercing region)을 가지며, V자형 피어싱 영역은 기준 평면에 포함되고 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 서로를 향해 V자형 방식으로 수렴하는 두 개의 절삭날들(cutting edges), 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 절삭날들 사이에서 측정될 수 있으며 20°내지 60°범위에 놓이는 절삭날 각도(cutting edge angle), 기준 평면에 포함되고 그에 대해 절삭날들이 서로에 대해 거울 대칭으로 형성되는 대칭축, 경사면(rake face), 경사면에 있는 복수의 세장형 칩-안내 함몰부로서 상기 칩 안내 함몰부 각각은 기준 평면 아래에 놓이는 낮은 지점을 가지며 각각은 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 기준 평면에 포함된 함몰부 연장 축에 평행하게 연장되는 복수의 세장형 칩-안내 함몰부, 및 그를 통해 두 절삭날들이 서로 연결되는 절삭 모서리(cutting corner)를 가지며, 여기서 함몰부 연장 축은 각각 0°내지 45°범위의 함몰부 칩 안내 각도(depression chip-guiding angle)로 연장되며, 여기서 함몰부 칩 안내 각도는 각각의 경우 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 함몰부 연장 축과 대칭축 사이의 절삭 모서리의 측면에서 측정될 수 있다. 이러한 절삭 인서트의 장점은 칩의 각각의 칩 안내 함몰부로의 슬라이딩이 칩의 종축을 따라 칩에 비드(beads)가 생성되도록 하는 방식으로 소성적으로 수행되는 칩 형성을 위해 칩 안내 함몰부가 사용된다는 점이며, 비드는 칩의 강성(stiffening)으로 이어지며, 따라서 칩이 종래 기술에 비해 더 쉽게 부서질 수(파단될 수) 있다. 함몰부 칩 안내 각도가 0°내지 45°범위를 벗어나는 경우 이러한 긍정적인 효과가 더 이상 발생하지 않는 것으로 나타났다.
함몰부 칩 안내 각도가 0°인 경우 칩 안내 함몰부는 각각 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 대칭축에 평행하게 연장된다. 함몰부 칩 안내 각도가 0°초과 내지 45°범위에 있는 경우 칩 안내 함몰부는 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 대칭축에 대해 비스듬히 연장된다.
각각의 경우 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 함몰부 연장 축과 대칭축 사이의 절삭 모서리의 측면에서 함몰부 칩 안내 각도를 측정할 수 있다는 사실은 함몰부 칩 안내 각도의 한쪽 연장부(부분)는 칩 안내 함몰부 영역에서 함몰부 연장 축의 일부이고, 함몰부 칩 안내 각도의 다른 쪽 연장부(부분)는 각 경우 절삭 모서리의 측면에서 대칭축의 일부이다는 것을 의미한다.
본 개시내용의 의미 내에서, 두 개의 절삭날들(cutting edges)은 각각 직선형, 볼록형 또는 오목형일 수 있으며, 여기서 이들은 각각의 경우 대칭축에 대해 서로에 대해 거울 대칭으로 형성된다.
절삭 모서리(cutting corner)는 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 점 모양이거나 선형일 수 있다. 선형인 경우 예를 들어 원형, 타원형 또는 다각형일 수 있다.
본 개시내용의 의미 내에서, 기준 평면은 절삭날이 포함되는 가상의 평면이다.
V 자형이라는 용어는 문자 V의 모양을 의미하며 V의 측면은 직선형, 볼록형 또는 오목형일 수 있고 V의 끝은 점 모양 또는 선형일 수 있다. 선형인 경우 예를 들어 원형, 타원형 또는 다각형일 수 있다.
절삭 인서트의 발전형태에 따르면 함몰부 칩 안내 각도는 10°내지 40°범위에 있다. 이 좁은 범위는 훨씬 더 짧은 칩 브레이킹(chip breaking)으로 이어진다. 이와 관련하여 10°내지 20°범위에서 추가 개선이 발생한다. 12°내지 18°범위가 가장 바람직하다.
절삭 인서트의 발전형태에 따르면, 함몰부 연장 축들(depression axes of extent) 중 적어도 2개는 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 대칭축에 대해 거울 대칭으로 배열된다. 그 결과, 각각의 경우에 2개의 절삭 모서리 각각에 대해 적어도 하나의 칩 안내 함몰부(chip-guiding depression)가 제공되고, 따라서 통상적으로 대칭인 절삭 조건이 피어싱에서 고려된다.
절삭 인서트의 발전형태에 따르면 칩 안내 함몰부는 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 각각 함몰부 연장 축에 평행하게 측정된 최대 길이를 가지며 각각 함몰부 연장 축에 수직으로 측정된 최대 폭을 가지며, 길이와 폭 사이의 비율은 각 경우에 1.1 내지 20 범위에 있다. 따라서 칩 안내 함몰부가 세장형 플루트(홈)로 설계되며 이것은 상응하게 칩을 측방향으로 및 칩 배출 방향으로 안내할 수 있기 때문에 이점이 있다. 1.1 내지 10의 범위가 이 효과에 특히 쉽게 적합한 것으로 나타났다. 3 내지 8의 범위가 가장 바람직하다.
절삭 인서트의 발전형태에 따르면, 절삭 모서리는 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 선형이고 대칭축에 수직인 기준 평면에서 측정된 최대 절삭 모서리 폭을 가지며, 여기서, 기준 평면에 수직인 시야 방향으로, 칩 안내 함몰부는 절삭 모서리와 대칭축의 교차점으로부터, 대칭축에 평행하게 측정되는, 최소 거리를 유지하며, 상기 최소 거리는 절삭 모서리 폭보다 1 내지 3배 더 크다. 상기 최소 거리를 유지하는 칩 안내 함몰부에 의해, 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 칩 안내 함몰부와 절삭 모서리 사이에 상이한 형상의 칩 안내 함몰부가 제공될 수 있다. 이것은 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 정의된 이러한 절삭 모서리 영역에서 V자형 피어싱 영역의 나머지 영역과 비교하여 피어싱 중에 다른 절삭 조건들이 우세하며, 따라서 그에 적응된 칩 형성이 실현될 수 있기 때문에 유리하다.
절삭 인서트의 발전형태에 따르면, 경사면은 각각 기준 평면 위로 연장되고 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 칩 안내 함몰부와 교대로 교번 배열되는 복수의 칩 안내 융기부를 갖는다. 이러한 배열로 인해, 칩 안내 융기부는 칩이 각각의 칩 안내 함몰부로부터 나올 때 측방향으로 벗어나는 칩에 대항하여 작용하는 개선된 칩 안내를 제공한다. 이러한 수단을 통해 칩은 브레이킹(파단)될 때까지 더 큰 반경으로 위쪽으로 구부러질 수 있다.
절삭 인서트의 발전형태에 따르면, 칩 안내 융기부는 세장형이며 각각은 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 기준 평면에 포함된 융기부 연장 축에 평행하게 연장되며, 여기서 융기부 연장 축은 0°내지 45°범위의 융기부 칩 안내 각도로 연장되며, 여기서 융기부 칩 안내 각도는 각각의 경우 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 융기부 연장 축과 대칭축 사이의 절삭 모서리 측면에서 측정될 수 있다. 0°내지 45°범위의 융기부 칩 안내 각도로 인해 칩이 절삭날과 공작물에서 더 멀리 안내되기 때문에 칩 안내가 훨씬 더 개선되는 것으로 나타났다. 융기부 칩 안내 각도는 함몰부 칩 안내 각도와 유사하게 측정된다. 융기부 칩 안내 각도는 바람직하게는 0°내지 45°범위, 더욱 더 바람직하게는 10°내지 20°범위, 가장 바람직하게는 12°내지 18°범위의 더 좁은 범위에 놓인다.
절삭 인서트의 발전형태에 따르면, 칩 안내 융기부와 칩 안내 함몰부는 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 교대로 교번 배열되며, 칩 안내 함몰부들 중 하나의 함몰부 칩 안내 각도는 융기부 칩 안내 각도들 중 하나와 차이를 가지며, 상기 융기부 칩 안내 각도는 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 칩 안내 함몰부를 바로 뒤따르는 칩 안내 융기부에 속하며, 그 차이는 0°내지 15°범위에 놓인다. 이 발전형태에 따르면 칩 브레이킹이 훨씬 더 촉진되고 칩 안내 함몰부에서 나올 때 배출되는 칩이 대칭축 방향으로 절삭 모서리에서 멀어지게 안내되는 것으로 나타났다. 이 효과는 0°내지 15°까지의 좁은 범위에서 강화된다. 이 효과는 0°이상에서 15°까지의 좁은 범위에서 강화된다.
절삭 인서트의 발전형태에 따르면, 절삭날 각도는 35°내지 45°범위에 놓인다. 이것은 V자형 프로파일의 생산에 특히 편리한데, 왜냐하면 V자형 프로파일이 V의 측면들 사이에 이 범위의 절삭날 각도와 동일한 개방 각도를 가지며, 그 결과, 개구부 각도는 먼저 충분히 작은 크기를 가지며 이것은 V 벨트의 측방향 안내에 유리하고 두 번째로 V자형 프로파일 내에서 V 벨트에 대해 충분히 큰 접촉면을 가져오며, 이것은 V 벨트에서 공작물로 마찰력을 전달하기 위해 유리하기 때문이다. 이 효과는 38°내지 42°의 좁은 범위에서 강화된다.
절삭 인서트의 발전형태에 따르면, 칩 안내 함몰부들 중 적어도 하나는 연마되지 않은 소결 표면을 가지고 있다. 이러한 표면은 연마된 표면에 비해 품질이 향상되고 치수 공차가 작아서 훨씬 더 정밀한 칩 형성이 가능하다. 연마되지 않은 소결 표면은 예를 들어 후속적으로 소결되는 분말상 출발 물질을 압축함으로써 얻을 수 있다. 연마되지 않은 소결 표면은 단단한 재료 층으로 코팅될 수도 있어 절삭 인서트의 마모가 줄어든다.
경사면의 표면은 또한 연마되지 않은 소결된 표면을 갖는 적어도 하나의 칩 안내 함몰부의 외부에서 연마되지 않고 소결될 수 있다. 이것은 품질을 향상시키며 및/또는 경사면의 치수 공차를 줄인다.
각 절삭날은 경사면을 각 플랭크(flank)에 연결한다. 플랭크 중 적어도 하나, 바람직하게는 양쪽 플랭크는 연마되지 않은 소결 표면을 갖는다. 이것은 품질을 향상시키며 및/또는 플랭크의 치수 공차를 줄인다.
이 시점에서 적어도 하나의 절삭날, 바람직하게는 양쪽 절삭날이 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 절삭날 또는 두 개의 절삭날로부터 이격된 칩 안내 함몰부에 의해 중단되지 않은(연속된) 프로파일을 갖는 것이 특히 유리하다고 명시되어 있다. 이러한 조치는 절삭날의 안정성을 향상시킨다. 각각의 칩 안내 함몰부와 절삭날 사이의 거리는 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 절삭날에 수직으로 측정된 각각의 경우에 예를 들어 0.01 mm 내지 0.1 mm, 바람직하게는 0.01 mm 내지 0.08 mm 범위일 수 있다.
절삭 인서트의 발전형태에 따르면, 절삭 인서트는 적어도 하나의 제2 V자형 피어싱 영역을 갖고, 제2 V자형 피어싱 영역은 기준 평면에 포함되고 기준 평면에 수직인 시야 방향으로 서로를 향해 V자형 방식으로 수렴하는 2개의 절삭날을 가지며, 제2 V자형 피어싱 영역의 2개의 절삭날은 대칭축에 수직인 제1 V자형 피어싱 영역의 2개의 절삭날 바로 다음에 배열된다. 이 절삭 인서트는 유리한데 그 이유는 V-리브가 있는 벨트에 필요한 적어도 2개의 V자형 프로파일이 상기 절삭 인서트에 의한 반경 방향 피어싱 운동(radial piercing movement)에 의해 공작물에 생성되기 때문이다. 제2 피어싱 영역은 통상적으로 제1 V자형 피어싱 영역의 절삭 모서리와 유사하게 설계된 절삭 모서리를 갖는다. 제2 피어싱 영역은 바람직하게는 제1 피어싱 영역과 유사하게 설계되고, 따라서 제1 피어싱 영역의 유리한 칩 형성은 또한 제2 피어싱 영역의 경사면 내부 및/또는 경사면 상에 제공된다.
3개, 4개, 5개, 6개, 7개, 8개, 9개, 10개 또는 그 이상의 V자형 피어싱 영역이 제공되는 것을 생각할 수 있으며 또한 가능하며, 여기서 상기 피어싱 영역은 각각 제1 또는 제2 V자형 피어싱 영역과 같이 설계되며 대칭축에 수직인 각각의 이전 피어싱 영역 바로 다음에 배열된다. 이것은 V자형 풀리가 2개 이상의 그루브로 생산되도록 의도되기 때문에 유리하다.
상기 목적은 또한 제1항 또는 제1항에 종속된 청구항 중 하나에 따른 절삭 인서트를 공작물의 회전축에 대해 공작물을 반경 방향으로 피어싱(천공)하는 데 사용함으로써 제12항 또는 제12항에 종속된 청구항 중 하나에 따른 용도에 의해 달성되며, 절삭 인서트 또는 공작물은 공작물 회전축을 중심으로 회전한다. 이러한 사용의 장점은 선택적인 칩 안내 융기부와 상호 작용하는 칩 안내 함몰부로 인해 절삭 인서트가 긴 칩, 특히 얽힌 칩의 형성을 저지(방지)한다는 것이다.
절삭 인서트 용도의 발전형태에 따르면, 절삭 인서트와 공작물은 반경 방향 피어싱 동안 공작물 회전 축에 대해 축 방향으로 서로에 대해 정지되어 있다. 따라서, 반경 방향 피어싱 동안 공작물 회전축에 대해 축 방향으로 절삭 인서트와 공작물 사이에 상대 이동이 발생하지 않는다. 그 배열 및 치수로 인해, 칩 안내 함몰부 및 선택적인 칩 안내 융기부는 이러한 반경 방향 피어싱 동안 절삭날 및 공작물로부터 떨어져서 칩을 안내하고 비드를 형성하는 데 특히 쉽게 적합하다.
상기 목적은 또한 제14항 또는 제14항에 종속된 청구항 중 하나에 따른 기계가공 방법에 의해 달성된다.
공작물에 V자형 프로파일을 생성하기 위한 기계 가공 방법(machining method)에서는, 다음의 단계들: a) 공작물에 공작물 회전축을 제공하는 단계, b) 제1항 또는 제1항에 종속된 청구항 중 하나에 따른 절삭 인서트를 제공하는 단계, c) 공작물 회전축을 중심으로 공작물 또는 절삭 인서트를 회전시키는 단계, d) 공작물 회전축에 대해 공작물과 절삭 인서트를 서로를 향해 반경방향으로 이동시켜 절삭 인서트의 절삭 모서리가 우선 공작물을 피어싱하는 단계, e) 단계 d)에서 서로를 향해 계속 이동하여 2개의 절삭날이 적어도 부분적으로 공작물을 피어싱하는 단계가 수행된다. 이 방법의 장점은 절삭 인서트가 선택적인 칩 안내 융기부와 상호 작용하는 칩 안내 함몰부로 인해 긴 칩, 특히 얽힌 칩의 형성을 저지(방지)한다는 것이다.
상기 방법의 발전형태에 따르면, 단계 e)에서 절삭 인서트와 공작물은 공작물 회전축에 대해 축 방향으로 서로에 대해 정지해 있다. 따라서, 반경방향 피어싱 동안 공작물 회전축에 대해 축 방향으로 절삭 인서트와 공작물 사이에 상대적인 이동이 없다. 그 배열 및 치수로 인해, 칩 안내 함몰부 및 선택적으로 제공된 칩 안내 융기부는 이러한 반경 방향 피어싱 동안 공작물의 절삭날로부터 떨어져서 칩을 안내하고 비드를 형성하는 데 특히 용이하게 적합한 것으로 나타났다.
본 발명은 각각의 경우에 절삭 인서트, 절삭 인서트의 용도 및 각각의 경우에 선행 기술과 비교하여 개선된 칩 형성을 갖는 가공 방법을 특정한다.
본 발명의 추가 이점 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 예시적인 실시예의 하기 설명에 기초하여 나타난다.
도면에서:
도 1은 기준 평면에 수직인 시야 방향에서 V자형 피어싱 영역의 구역에서 제1 실시예에 따른 절삭 인서트의 전방 부분의 개략도를 도시하며;
도 2는 기준 평면에 수직인 시야 방향에서 V자형 피어싱 영역의 구역에서 제2 실시예에 따른 절삭 인서트의 전방 부분의 개략도를 도시하며;
도 3는 기준 평면에 수직인 시야 방향에서 V자형 피어싱 영역의 구역에서 제3 실시예에 따른 절삭 인서트의 전방 부분의 개략도를 도시하며;
도 4는 기준 평면에 수직인 시야 방향에서 V자형 피어싱 영역의 구역에서 제4 실시예에 따른 절삭 인서트의 전방 부분의 개략도를 도시하며;
도 5는 기준 평면에 수직인 시야 방향에서 V자형 피어싱 영역의 구역에서 제5 실시예에 따른 절삭 인서트의 전방 부분의 개략도를 도시하며;
도 6은 융기부 연장축의 예시로서 도시된 단부 위치를 갖는 도 4로부터의 예시를 도시하며;
도 7은 피어싱 영역을 연결하는 샤프트의 평면도에서 2개의 상호 대향하는 V자형 피어싱 영역들을 갖는 제5 실시예에 따른 완전한 절삭 인서트의 개략도를 도시하며;
도 8은 플랭크의 측면에 시야 방향에서 두 개의 V자형 피어싱 영역들 중 하나의 영역에서 제5 실시예에 따른 절삭 인서트의 전방 부분의 개략도를 도시하며;
도 9는 제5 실시예에 따른 절삭 인서트로 수행되는 피어싱 방법의 개략도를 도시하며;
도 10은 제6 실시예에 따른 절삭 인서트로 수행되는 피어싱 방법의 개략도를 도시하며;
도 11은 본 개시에 따른 칩 안내 함몰부가 없는 절삭 인서트로 생성된 칩을 도시하며;
도 12는 제5 실시예에 따른 절삭 인서트로 생성된 칩을 도시한다.
제1 실시예에 따른 섹션으로 도시된 절삭 인서트(2)의 도 1에 도시된 V자형 피어싱 영역(piercing region)(1)은 도 1의 도면의 평면과 일치하는 기준 평면(reference plane)(100)을 갖는다. 도 1에서 선택되는 시야 방향은 기준 평면(100)에 수직이다. 피어싱 영역(1)의 2개의 직선형 절삭날(3, 4)은 기준 평면(100)에 포함된다. 절삭날(3, 4)은 서로를 향해 V자 형태로 수렴되며, 기준 평면(100)에 포함된 대칭축(11)에 대해 서로 거울 대칭으로 형성되며, 기준 평면(100)에서 절삭날 각도(9)를 둘러싼다. 절삭날 각도(9)는 예를 들어 40°이다.
절삭날(3, 4)은 기준 평면(100)에 포함된 둥근 절삭 모서리(5)를 통해 서로 연결된다. 피딩(이송) 방향(6)은 통상적으로 금속 공작물의 회전 축에 대해 방사상으로 배향된다. 절삭 모서리(5)를 갖는 절삭 인서트(2)가 먼저 회전축을 중심으로 회전하는 공작물에 피딩(이송) 방향(6)에 평행하게 공작물에 반경 방향으로 피어싱되며 절삭날(3 및 4)이 공정에서 공작물을 뚫고 들어가는 경우, 피어싱 영역(1)의 V자형 프로파일을 따라 설계된 프로파일, 즉 40°의 개방 각도를 갖는 V자형 프로파일이 결과적으로 공작물에서 생성된다.
이러한 방사형 피어싱 동안 칩이 생성된다. 칩은 피어싱 영역(1)의 경사면(7)을 따라 배출된다. 경사면(7)은 기준 평면(100)에서 절삭날(3, 4)과 절삭 모서리(5)에 의해 경계가 정해진다. 경사면(7)은 각각이 절삭날 부근에서 낮은 지점을 갖는 물방울 모양의 칩 안내 함몰부(8)를 갖는다(이와 관련하여 낮은 지점이 도시된 도 5 참조). 낮은 지점은, 기준 평면(100)에 수직인, 도 1에서 선택된 시야 방향에 대해 기준 평면(100) 아래에 놓여 있다. 칩은 각각 칩 안내 함몰부(8)로 이동한다(들어간다). 칩은 각각의 낮은 지점에서 압축되며, 따라서 칩은 기준 평면(100) 밖으로 위로 굴러간다. 칩이 구르면서 칩이 파단된다(break).
칩 안내 함몰부(8)의 형태 및 방향은 배출 칩에 비드가 새겨지는(형성되는)(impressed) 효과에 유리하게 작용한다. 비드는 접는 지점과 미리 결정된 브레이킹 포인트(breaking points)로서 작용하여 칩의 롤링 및 브레이킹(rolling and breaking of the chips)을 용이하게 한다.
칩 안내 함몰부(8)는 각각 기준 평면(100)에 포함된 함몰부 연장 축(10)에 평행하게 연장된다. 함몰부 연장 축들(10)은 각각 대칭축(11)과 함몰부 칩 안내 각도(12)를 포함(형성)하며, 상기 함몰부 칩 안내 각도는 절삭 모서리(5)의 측면에서 측정될 수 있고 기준 평면(100)에 포함된다. 함몰부 칩 안내 각도(12)는 예를 들어 각각의 경우에 15°이다.
칩 안내 함몰부(8)는 각각 함몰부 연장 축(10)에 평행하게 측정한 최대 길이(13)와 함몰부 연장 축(10)에 수직으로 측정한 최대 폭(14)을 갖는다. 최대 길이(13)와 최대 폭 사이의 비율 각각의 경우 5.4이다.
칩 안내 함몰부(8)의 선택된 세장형 형상(elongate shape)은 절삭날(3, 4) 및 절삭 모서리(5)로부터 정지 표면으로 칩 안내에 유리한 것으로 나타났으며, 이것은 도 7을 참조로 더욱 상세히 논의될 것이다.
절삭 모서리(5)는 절삭날(3 및 4)로의 전이부에서 대칭축(11)에 수직으로 기준 평면(100)에서 측정된 최대 폭(15)을 갖는다. 대칭축(11)과 절삭 모서리(5)의, 기준 평면(100)에 포함된, 교차 지점(5a)으로부터, 경사면(7)의 전방 영역(16)은 기준 평면(100)에 수직인 도 1로부터 선택된 시야 방향으로 전방 2개의 칩 안내 함몰부(8)까지 연장된다. 영역(16)은 대칭축(11)에 평행한 기준 평면(100)에서 측정된 최대 길이(17)를 갖는다. 최대 길이(17)와 최대 폭(15) 사이의 비는 예들 들면 2.3이다.
이러한 형상 영역(16)은 영역(16)에 추가의 칩 안내 함몰부(8)가 제공될 수 있는 효과로 절삭 인서트(2)의 설계에 유리한 것으로 나타났으며, 상기 칩 안내 함몰부는 도 1에 예시된 칩 안내 함몰부(8)와 비교하여 상이한 함몰부 칩 안내 각도 및/또는 형상을 가질 수 있다. 이것은 영역(16)에서의 칩 형성 조건이 그 외부의 칩 형성 조건과 다르기 때문이다.
기준 평면(100)에 수직인, 도 1에서 선택된, 시야 방향으로, 칩 안내 함몰부(8)는 절삭날(3, 4)에서의 칩 형성 조건이 일반적으로 대칭축(11)에 대해 서로 대칭이기 때문에 대칭축(11)에 대해 서로 거울 대칭으로 쌍으로 형성된다. 따라서 함몰부 연장 축(10)은 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향에서 대칭축(11)에 대해 마찬가지로 대칭이다.
제2 실시예에 따른 섹션으로 예시된 절삭 인서트(201)의, 도 2에 도시된, V자형 피어싱 영역(101)은 피어싱 영역(1)과 유사하게 설계되지만, 경사면(7)의 전방 영역(16)에는 3개의 추가 칩 안내 함몰부들(8' 및 8'')가 있고 이들은 다른 칩 안내 함몰부(8)와 유사하게 작용하지만 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향에서 각각은 대칭축(11)에 평행한 기준 평면(100)에 각각 포함되어 있는 함몰부 연장 축들(명확성을 위해 도시되지 않음)에서 연장되며, 즉 각각은 0°의 함몰부 칩 안내 각도를 갖는다는 차이점을 갖는다. 0°의 함몰부 칩 안내 각도는 경사면(7) 위로 칩을 배출할 때 비드를 형성하는 영역(16)에서 최적인 것으로 나타났다. 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향으로 절삭날(3)의 측면에 배치된 전면 칩 안내 함몰부(8')는 대칭축(11)에 대하여 절삭날(4)의 측면에 배치된 전면 칩 안내 함몰부(8')에 대해 거울 대칭으로 배열되고 형성된다. 전면 칩 안내 함몰부(8")의 중앙은 대칭축(11)에 대해 거울 대칭이고 칩 안내 함몰부(8') 각각보다 길고 상기 방향에 평행하다.
전면 칩 안내 함몰부(8' 및 8")와 관련하여 다른 칩 안내 함몰부(8)와 유사하게 측정된 최대 길이는 각각의 경우에 최대 길이(13)보다 더 작으며, 다른 칩 안내 함몰부(8)와 유사하게 측정된 최대 폭(14)은 각각의 경우에 더 작다. 따라서 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향에서 3개의 전면 칩 안내 함몰부(8")의 중앙은 최대 폭에 대한 최대 길이에 대해 7.5의 비율을 갖는다. 각각의 경우 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향에서 절삭날(3)의 측면 및 절삭날(4)의 측면에 배열된 2개의 다른 전방 칩 안내 함몰부(8')는 각각의 경우 유사한 치수 비율 5.8을 갖는다. 이러한 방식으로 형성된 칩 안내 함몰부(8', 8")는 대칭축(11)에 평행한 절삭날(5)로부터 멀어지는 칩 안내에 유리한 영향을 미치며, 따라서 이것은 대칭축(11)에 평행하게 발생한다.
제3 실시예에 따른 섹션으로 예시된 절삭 인서트(202)의, 도 3에 도시된, V자형 피어싱 영역(102)은 함몰부 연장 축들(10)이 각각 0°의 함몰부 칩 안내 각도(12)를 갖는다는, 즉 함몰부 연장 축들(10)이 기준 평면(100)에서 대칭축(11)에 평행하게 이어진다는 차이점을 제외하고는 피어싱 영역(101)과 유사하게 설계된다. 0°의 이러한 함몰부 칩 안내 각도(12)에서도 칩에 비드(beads)가 형성되는 것으로 나타났다. 전면 영역(16)은 또한 칩 안내 함몰부(8' 및 8'') 없이 형성될 수 있다.
제4 실시예에 따른 섹션으로 예시된 절삭 인서트(203)의, 도 4에 도시된, V자형 피어싱 영역(103)은 함몰부 연장 축들(10)이 각각 40°의 함몰부 칩 안내 각도(12)를 갖는다는 차이점을 제외하고는 피어싱 영역(101)과 유사하게 설계된다. 40°의 이러한 함몰부 칩 안내 각도(12)에서도 칩에 비드가 형성되는 것으로 나타났다. 피어싱 영역의 구역(16)은 또한 칩 안내 함몰부(8' 및 8'') 없이 형성될 수 있다.
제5 실시예에 따른 섹션으로 예시된 절삭 인서트(204)의, 도 5에 도시된, V자형 피어싱 영역(104)은 피어싱 영역(101)과 유사하게 설계되지만 경사면(7)의 설계와 관련하여 차이점이 있다.
피어싱 영역(104)의 경사면(7)은 칩 안내 함몰부(8)와 유사하게 작용하는 칩 안내 함몰부(80)를 가지며, 각각의 함몰부 연장 축(10)은 절삭 모서리(5)의 측면의 기준 평명(100)에서 대칭축(11)과 함몰부 칩 안내 각도(12)에 걸쳐 있다. 칩 안내 함몰부(80)의 함몰부 칩 안내 각도(12)는 도 2의 칩 안내 함몰부(8)의 경우에서와 같이 각 경우에 15°이다. 각 경우에서 칩 안내 함몰부(80) 각각은 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향으로 기준 평면(100) 아래에 있는 낮은 지점(81)을 갖는다. 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향에서, 낮은 지점(81)은 절삭날(3 또는 4)로부터, 각 함몰부 연장 축(10)에 평행하게 측정된, 거리에서 각각 떨어져 있으며, 상기 거리는 도 1에서 길이(13)에 유사하게 측정된 각각의 칩 안내 함몰부(80)의 최대 길이의 25%이며; 도 1 내지 도 4에 따른 칩 안내 함몰부(8)의 낮은 지점들은 유사하게 배열된다. 따라서 칩 형성은 실질적으로 절삭날 부근에서 발생한다.
피어싱 영역(101)의 경사면(7)과 대조적으로, 피어싱 영역(104)의 경사면(7)은 각각 기준 평면(100) 위로 각각의 높은 지점(91)까지 연장되고 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향으로 각각의 절삭날(3 또는 4)에서 쐐기형 방식으로 수렴하는 리브형 칩 안내 융기부(90)를 추가로 갖는다. 기준 평면(100)은 결과적으로 높은 지점(91)과 낮은 지점(81) 사이에 위치된다. 칩 안내 융기부 각각은 절삭날(3, 4)을 따라 칩 안내 함몰부(80)와 교대로 교번 배열되고, 따라서 각 칩 안내 함몰부(80)는 두 개의 칩 안내 융기부(90) 사이에 배열된다. 이러한 방식으로 배열된 칩 안내 융기부(90)는 칩이 칩 안내 함몰부(80)로부터 나올 때 칩이 측면으로 이탈하지 않도록 한다.
칩 안내 융기부(90)는 각 경우에 기준 평면(100)에 포함되고 각각의 경우에 대칭 축(11)과 절삭 모서리(5)의 측면에서 융기부 칩 안내 각도(93)를 둘러싸는(형성하는) 융기부 연장 축(92)에 평행하게 칩 안내 함몰부(80)와 유사하게 연장되며, 각각의 경우에 상기 융기부 칩 안내 각도는 바로 인접한 칩 안내 함몰부(80)의 함몰부 칩 안내 각도(12)보다 작다. 이러한 차이는 칩이 칩 안내 함몰부(80)로부터 나올 때 더 작은 칩으로의 칩 브레이킹(chip breaking)을 촉진시키는 것으로 나타났다. 따라서, 융기부 칩 안내 각도(93)는 각각의 경우에 12°이다. 절삭날(3 또는 4)을 따른 방향으로 칩 안내 융기부(90)를 바로 뒤따르는 칩 안내 함몰부들(80) 중 하나의 함몰부 칩 안내 각도(12)와 상기 칩 안내 융기부(90)의 융기부 칩 안내 각도(93) 사이의 차이는 결과적으로 각 경우 3°이다.
2개의 전면 칩 안내 함몰부(80')는 칩 안내 함몰부(8')와 유사하게 형성된다. 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향으로 2개의 칩 안내 함몰부들(80') 사이에 배열된 칩 안내 함몰부(80'')는 칩 안내 함몰부(80)와 유사하게 형성되며, 차이점은 칩 안내 함몰부(80'')가 대칭축(11)으로 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향으로 안쪽으로 좁아지며, 이것은 이 영역에서 칩 브레이킹을 촉진한다는 점이다.
칩 안내 함몰부(80, 80', 80")와 칩 안내 융기부(90)는 각각의 경우에 면처리되어 있는(faceted) 것이 도 5의 프로파일 라인을 참조하여 볼 수 있으며, 이것은 절삭 인서트(204)의 분말상 블랭크를 직접 가압하고 후속 소결함으로써 얻을 수 있다. 경사면(7)은 여기서는 연마되지 않는다.
융기부 연장 축(92)의 예시된 단부 위치들을 따라, 융기부 칩 안내 각도(93)는 0°(대칭 축(11)에 평행) 내지 31°의 범위에 있을 수 있다는 것을 도 6에서 볼 수 있으며; 그러나, 0°내지 40°의 융기부 칩 안내 각도(93)의 대안적인 범위를 생각할 수 있고 또한 가능하다. 비슷한 방식으로, 도 1 내지 도 4는 함몰부 칩 안내 각도(12)가 각각의 경우에 0°내지 40°, 0°내지 15° 및 15°내지 40°의 범위에 있을 수 있다는 것을 전체 관점에서 보여준다. 융기부 칩 안내 각도(93)가 함몰부 칩 안내 각도(12)보다 작은 경우, 각각의 개시된 융기부 칩 안내 각도(93)의 범위(0°내지 31°, 31°내지 40°및 0°내지 40°)는 각각 개시된 함몰부 칩 안내 각도(12) 범위(0 내지 40°, 0 내지 15°및 15°내지 40°) 중 하나와 결합될 수 있다. 도시된 바와 같이, 칩 브레이킹(chip breaking)이 이러한 조합에 의해 촉진된다.
도 7은 완전한(전체) 절삭 인서트(204)를 평면도로 도시한다. 절삭 인서트(204)는 샤프트(240)를 가지며 이를 통해 절삭 인서트(204)가 공구 홀더에 클램핑될 수 있다. 절삭 인서트(204)는 피어싱 영역(104)을 두 번, 특히 샤프트(240)의 대칭축(241)에 대해 서로 정반대로 그리고 등거리로 샤프트(240)의 대향 단부에서 갖는다. 결과적으로, 하나 또는 다른 피어싱 영역(104)은 절삭 인서트(204)가 도 7의 도면의 평면에 수직인 회전축을 중심으로 180°회전됨에 의해 피어싱에 사용될 수 있다.
절삭 인서트(204)는 절삭날(3, 4)의 측면에 정지면(242)을 갖는다는 것을 또한 도 7에서 볼 수 있다. 칩 안내 함몰부(80) 및 칩 안내 융기부(90)는 칩이 정지면(242)을 향해 안내되는 방식으로 배향된다. 이러한 방식으로 구현된 안내로 인해 칩이 정지면(242)과 충돌하면 칩 브레이킹이 추가로 촉진된다. 따라서 칩 안내(chip guidance)는 칩 브레이킹(chip breaking)에도 기여한다.
피어싱 영역(104)의 플랭크(측면)(70)의 기준 평면(100)에 평행한 시야 방향으로, 도 8에 도시된 측면도에서, 칩 안내 융기부(90)가 기준 평면(100) 위로 연장되고 이러한 방식으로 칩이 측방향으로 이탈하는 것(breaking out)을 방지한다는 것을 특히 쉽게 알 수 있다.
도 9a 내지 도 9c는 공작물(1000)에 피어싱하는 동안 피어싱 영역(104)의 구역의 섹션에서 절삭 인서트(204)를 도시한다. 따라서 도 9a는 상기 피어싱 영역이 공작물(1000)의 회전축(1001)의 방향(6)으로 공작물(1000) 상으로 수직으로(방사상으로) 이동되는 동안 한 위치에 있는 피어싱 영역(104)을 도시한다. 도 9a 내지 도 9c에서는 공작물(1000)은 회전축(1001)을 중심으로 회전하지만; 또한 공작물(1000)이 정지 상태에 있고 천공 영역(104) 및 이에 따라 절삭 인서트(204)가 공작물 회전 축(1001)을 중심으로 회전되는 것도 생각할 수 있고 가능하다. 도 9b는 피어싱 영역(104)이 공작물(1001)을 피어싱하는 동안의 피어싱 영역(104)을 도시한다. 도 9c는 피어싱 영역(104)이 상기 방향(6)과 반대 방향으로 공작물(1000) 밖으로 이동된 후의 피어싱 영역(104)을 도시한다. 도 9c에서 볼 수 있는 바와 같이, 공작물(1001)의 피어싱은 V자형 프로파일(1002)을 생성하고; 이것은 또한 공작물(1000)이 도 9b에 따른 피어싱 위치 동안 회전축(1001)에 대해 완전한(전체) 회전을 수행했기 때문에 회전축(1001)에 대해 원주방향인 V자형 그루브(1002)로 지칭될 수 있다. 공작물(1000)에 의해, 도 9c에서 V-벨트 풀리가 제공되며, 여기에 단면이 V 프로파일(1002)을 따르는 V 벨트가 맞물릴 수 있다.
도 10a 내지 도 10c는 도 9a 내지 도 9c와 유사하게 공작물(1000)을 피어싱하는 동안 4중 피어싱 영역(104) 구역의 섹션에서 제6 실시예에 따른 절삭 인서트(205)를 도시한다. 개별 피어싱 영역(104)은 도 5와 관련하여 기준 평면(100)에서 대칭 축(11)에 수직으로 서로 옆에 배열되며, 따라서, 도 10a 내지 도 10c에 따른 피어싱 작업에 의해, V자형 프로파일(1002) 중 4개는 피어싱 작업에 의해 공작물(1000)에 생성된다.
도 9a 내지 도 9c 및 도 10a 내지 도 10c에 따라 피어싱하는 동안, 공작물(1000)은 통상적으로 각각의 도면 평면에서 방향(6)에 수직으로 포함된 축방향 이송 방향(feeding direction)에 대해 절삭 인서트(204 또는 205)와 관련하여 정지되어 있다. 대안적으로, 이 방향으로 V자형 프로파일을 넓히기 위해 각각의 경우에 이러한 축 방향으로 상대적인 이동이 발생하는 것을 생각할 수 있고 또한 가능하다.
절삭 인서트(204)의 작용 및 이에 따른 피어싱 영역(104)의 작용은 도 11과 도 12의 비교로부터 알 수 있다. 도 11에 따르면. 도 9a 내지 9c와 유사하게 방사상 피어싱 동안, 본 발명의 개시의 의미 내에서 칩 안내 함몰부 및 칩 안내 융기부가 없는 종래의 절삭 인서트를 사용하면, 비교적 긴 얽힌 칩이 형성된다. 결과적으로 더 짧은 칩을 형성하기 위한 칩 브레이킹이 발생하지 않는다. 대조적으로, 절삭 인서트(204)가 도 9a 내지 도 9c와 유사하게 사용되는 경우, 칩 안내 함몰부(80) 및 칩 안내 융기부(90)로 인해 요망되는 짧은 칩 형성이 발생되는 것을 도 12에서 볼 수 있다.

Claims (15)

  1. 기준 평면(100)과 V자형 피어싱 영역(1, 101, 102, 103, 104)을 갖는, 공작물(1000)의 회전축(1001)에 대해 방사상 피어싱(radial piercing)에 의해 공작물(1000)에 V자형 프로파일(1002)을 생성하도록 설계된 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205)로서, V자형 피어싱 영역(1, 101, 102, 103, 104)은 기준 평면(100)에 포함되고 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향으로 서로를 향해 V자형 방식으로 수렴하는 두 개의 절삭날들(3, 4), 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향으로 절삭날들 사이에서 측정될 수 있으며 20°내지 60°범위에 놓이는 절삭날 각도(9), 기준 평면(100)에 포함되고 그에 대해 절삭날들(3, 4)이 서로에 대해 거울 대칭으로 형성되는 대칭축(11), 경사면(7), 경사면(7)에 있는 복수의 세장형 칩-안내 함몰부(8, 8', 8'', 80, 80', 80'')로서 상기 칩 안내 함몰부 각각은 기준 평면(100) 아래에 놓이는 낮은 지점(81)을 가지며 각각은 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향으로 기준 평면(100)에 포함된 함몰부 연장 축(10)에 평행하게 연장되는 복수의 세장형 칩-안내 함몰부, 및 그를 통해 두 절삭날들(3, 4)이 서로 연결되는 절삭 모서리(5)를 가지는, 절삭 인서트에 있어서,
    함몰부 연장 축(10)은 각각 0°내지 45°범위의 함몰부 칩 안내 각도(12)로 연장되며, 함몰부 칩 안내 각도(12)는 각각의 경우 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향으로 함몰부 연장 축(10)과 대칭축(11) 사이의 절삭 모서리(5)의 측면에서 측정될 수 있는 것을 특징으로 하는 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205).
  2. 제1항에 있어서,
    함몰부 칩 안내 각도(12)가 10°내지 40°범위에 있는 것을 특징으로 하는 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205).
  3. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    함몰부 연장 축들(10) 중 적어도 2개가 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향에서 대칭 축(11)에 대해 거울 대칭으로 배열되는 것을 특징으로 하는 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205).
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    칩 안내 함몰부(8, 8', 8'', 80, 80', 80'')는 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향에서 각각 함몰부 연장 축(10)에 평행하게 측정된 최대 길이(13)를 가지며 각각은 함몰부 연장 축(10)에 수직으로 측정된 최대 폭(14)을 가지며, 길이(13)와 폭(14) 사이의 비는 각 경우에 1.1 내지 20의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205).
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    절삭 모서리(5)는 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향으로 선형이고 대칭축(11)에 수직인 기준 평면(100)에서 측정된 최대 절삭 모서리 폭(15)을 가지며, 여기서 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향에서 칩 안내 함몰부(8, 8', 8'', 80, 80', 80'')는 절삭 모서리(5)와 대칭축(11)의 교차점(5a)에서 대칭 축(11)에 평행하게 측정된 최소 거리(17)를 유지하며, 상기 최소 거리는 절삭 모서리 폭(15)보다 1 내지 3배 더 큰 것을 특징으로 하는 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205).
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    경사면(7)은 각각 기준 평면(100) 위로 연장되고 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향으로 칩 안내 함몰부(8, 8', 8'', 80, 80', 80'')와 교대로 교번 배열되는 복수의 칩 안내 융기부(90)를 갖는 것을 특징으로 하는 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205).
  7. 제6항에 있어서,
    칩 안내 융기부들(90)은 세장형이고 각각 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향으로 기준 평면(100)에 포함된 융기부 연장 축(92)에 평행하게 연장되며, 융기부 연장 축들(92)은 각각 0°내지 45°범위의 융기부 칩 안내 각도(93)로 연장되고, 여기서 융기부 칩 안내 각도(93)는 각각의 경우에 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향에서 융기부 연장 축(92)과 대칭 축(11) 사이의 절삭 모서리(5)의 측면에서 측정될 수 있는 것을 특징으로 하는 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205).
  8. 제7항에 있어서,
    칩 안내 융기부(90) 및 칩 안내 함몰부(8, 8', 8'', 80 , 80', 80'')는 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향으로 교대로 교번 배열되며, 여기서 칩 안내 함몰부(8, 8', 8'', 80, 80', 80'') 중 하나의 함몰부 칩 안내 각도(12)는 융기부 칩 안내 각도(93) 중 하나와 차이를 가지며, 상기 융기부 칩 안내 각도(93)는 칩 안내 융기부(90)에 속하며 상기 칩 안내 융기부는 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향으로 칩 안내 함몰부(8, 8', 8'', 80, 80', 80'')를 바로 뒤따르며, 차이는 0°내지 15°범위에 놓이는 것을 특징으로 하는 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205).
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    절삭날 각도(9)는 35°내지 45°의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205).
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    칩 안내 함몰부(8, 8', 8'', 80, 80', 80'') 중 적어도 하나는 연마되지 않은 소결 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205).
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205)가 적어도 하나의 제2 V자형 피어싱 영역(1, 102, 103, 104)을 가지며, 상기 제2 V자형 피어싱 영역(1, 102, 103, 104)은 기준 평면(100)에 포함되며 기준 평면(100)에 수직인 시야 방향으로 서로를 향해 V자형 방식으로 수렴하는 2개의 절삭날(3, 4)을 가지며, 제2 V자형 피어싱 영역(1, 101, 102, 103, 104)의 2개의 절삭날(3, 4)은 대칭축(11)에 수직인 제1 V자형 피어싱 영역(1, 101, 102, 103, 104)의 2개의 절삭날(3, 4) 바로 다음에 배열되는 것을 특징으로 하는 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205).
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205)의 용도로서, 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205)가 공작물(1000)의 공작물 회전축(1001)에 대해 공작물(1000)의 반경방향 피어싱에 사용되며, 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205) 또는 공작물(1000)이 공작물 회전 축(1001)을 중심으로 회전하는 것을 특징으로 하는 절삭 인서트의 용도.
  13. 제12항에 있어서,
    절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205)와 공작물(1000)이 반경방향 피어싱 동안 공작물 회전 축(1001)에 대해 축 방향으로 서로에 대해 정지되어 있는 것을 특징으로 하는 절삭 인서트의 용도.
  14. 공작물(1000)에 V자형 프로파일(1002)을 생성하기 위한 가공 방법으로서, 다음 단계들: a) 공작물(1000)에 공작물 회전축(1001)을 제공하는 단계, b) 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205)를 제공하는 단계, c) 공작물(1000) 또는 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205)를 공작물 회전 축을 중심으로 회전시키는 단계, d) 공작물 회전 축(1001)에 대해 공작물(1000)과 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205)를 서로를 향해 반경 방향으로 이동시켜 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205)의 절삭 모서리(5)가 우선 공작물(1000)을 피어싱하는 단계, e) 단계 d)에서 서로를 향해 계속 이동하여 2개의 절삭날(3, 4)이 적어도 부분적으로 공작물(1000)을 뚫고 들어가는 단계가 수행되는 것을 특징으로 하는 공작물에 V자형 프로파일을 생성하기 위한 가공 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    단계 e)에서 절삭 인서트(2, 201, 202, 203, 204, 205)와 공작물(1000)은 공작물 회전 축(1001)에 대해 축 방향으로 서로에 대해 정지되어 있는 것인 가공 방법.
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