KR20220163849A - 기판 배치 유닛 - Google Patents
기판 배치 유닛 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220163849A KR20220163849A KR1020220003713A KR20220003713A KR20220163849A KR 20220163849 A KR20220163849 A KR 20220163849A KR 1020220003713 A KR1020220003713 A KR 1020220003713A KR 20220003713 A KR20220003713 A KR 20220003713A KR 20220163849 A KR20220163849 A KR 20220163849A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- block
- opposing plate
- blocks
- hole
- placement unit
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 24
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
본 발명의 일 실시예는 기판을 향하도록 대향면을 갖는 대향 플레이트, 상기 대향 플레이트의 대향면의 반대면에 상기 대향 플레이트보다 작게 형성된 복수의 블록을 갖는 블록부 및 상기 블록부 및 상기 대향 플레이트에 대응되도록 형성된 하나 이상의 관통홀을 포함하는 기판 배치 유닛을 개시한다.
Description
본 발명은 기판 배치 유닛에 관한 것이다.
기술 발전에 따라 다양한 전기, 전자 소자들이 제조 및 사용되고 있고, 이러한 전자 소자들을 형성 시 다양하고 정밀한 공정이 이용된다.
예를들면 기판 또는 웨이퍼와 같은 피처리재를 기체 또는 플라즈마로 처리하는 반도체 공정이 이용되고 있다.
이러한 반도체 공정에는 피처리재에 대응된 기판 배치 유닛을 포함한 장치가 사용된다.
한편, 공정에 필요한 정밀도가 향상됨에 따라 기판 배치 유닛의 정밀한 설계 및 배기 특성을 향상하는데 한계가 있다.
본 발명은 기판 관련 취급을 위한 부재의 배치 특성을 용이하게 향상하고 공정 중 배기 특성을 향상할 수 있는 기판 배치 유닛을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 기판을 향하도록 대향면을 갖는 대향 플레이트, 상기 대향 플레이트의 대향면의 반대면에 상기 대향 플레이트보다 작게 형성된 복수의 블록을 갖는 블록부 및 상기 블록부 및 상기 대향 플레이트에 대응되도록 형성된 하나 이상의 관통홀을 포함하고, 상기 복수의 블록 중 적어도 일 블록은, 상기 대향 플레이트의 중심을 향하는 방향으로 갈수록 폭이 줄어드는 형태를 갖도록 형성된 것을 포함하는, 기판 배치 유닛을 개시한다.
본 실시예에 있어서 상기 관통홀을 통해 핀 부재 또는 클램프 부재가 상기 블록부 및 상기 대향 플레이트에 대응되도록 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 복수의 블록 중 하나는 다른 블록들과 상이한 형태를 갖는 중간 블록이고, 상기 다른 블록들은 상기 대향 플레이트의 하면의 중심점을 기준으로 대칭되도록 배치되고, 상기 중간 블록은 상기 다른 블록 중 서로 인접한 두개의 블록 사이에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 다른 블록은 서로 동일한 간격으로 배치되고, 상기 중간 블록과 상기 서로 인접한 두개의 블록 사이의 거리 각각은 동일하거나 유사할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 대향 플레이트와 이격되고 상기 블록부와 연결되도록 형성된 배리어부를 더 포함하고, 상기 블록부는 상기 배리어부에 형성된 내측 개구와 미중첩되도록 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 복수 개의 블록 중 서로 이웃한 블록들 사이를 연결하는 가상의 호의 길이의 합은, 상기 내측 개구의 둘레의 값과 동일하거나 그보다 큰 값을 가질 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명에 관한 기판 배치 유닛은 배기 특성을 용이하게 향상할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 배치 유닛을 도시한 개략적인 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 배치 유닛을 일 방향에서 본 예시적인 사시도이다.
도 3은 도 2의 B 방향에서 본 저면도이다.
도 4는 도 2의 T 방향에서 본 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 배치 유닛 하부의 배기를 설명하기 위한 예시적인 저면도이다.
도 6은 도 2의 기판 배치 유닛과 배기 유로를 설명하기 위한 부분적 사시도이다.
도 7은 도 6의 B 방향에서 본 개략적인 저면도이다.
도 2는 도 1의 기판 배치 유닛을 일 방향에서 본 예시적인 사시도이다.
도 3은 도 2의 B 방향에서 본 저면도이다.
도 4는 도 2의 T 방향에서 본 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 배치 유닛 하부의 배기를 설명하기 위한 예시적인 저면도이다.
도 6은 도 2의 기판 배치 유닛과 배기 유로를 설명하기 위한 부분적 사시도이다.
도 7은 도 6의 B 방향에서 본 개략적인 저면도이다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면 부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 배치 유닛을 도시한 개략적인 도면이다.
본 실시예의 기판 배치 유닛(100)은 대향 플레이트(110), 블록부(120) 및 관통홀(130)을 포함할 수 있다.
본원 발명에 기재된 기판 배치 유닛(100)은 다양한 용도에 사용될 수 있다. 하나 이상의 기체, 이온 또는 플라즈마를 유입하여 기판(SUB)에 대한 반도체 공정을 위한 용도로 사용될 수 있다. 예를들면 기판(SUB)에 대한 식각 공정, 세정 공정, 에싱 공정, 증착 공정 또는 이온 주입 공정 등 다양한 분야에 적용될 수 있다.
대향 플레이트(110)는 기판(SUB)을 향하는 대향면(111)을 포함할 수 있다. 여기서 기판(SUB)은 다양한 재료의 기판, 웨이퍼 등 피처리재를 포함하는 것일 수 있다.
예를들면 대향면(111)과 기판(SUB)의 사이에 척(CHK)이 배치되고, 척(CHK)을 통하여 기판(SUB)이 지지될 수 있다. 구체적 예로서 대향 플레이트(110)의 대향면(111)이 척(CHK)을 지지하고, 척(CHK)이 기판(SUB)을 지지할 수 있다.
선택적 실시예로서 하나 이상의 기판(SUB)이 배치된 트레이가 척(CHK)에 배치될 수도 있다.
대향 플레이트(110)는 다양한 소재로 형성될 수 있고, 예를들면 강건한 소재로서 금속 재질로 형성될 수 있고, 구체적 예로서 대향 플레이트(110)는 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
블록부(120)는 대향 플레이트(110)의 대향면(111)의 반대면에 형성될 수 있고, 예를들면 대향 플레이트(110)와 접촉하면서 연결된 형태를 가질 수 있다.
블록부(120)는 적어도 대향 플레이트(110)보다 작게 형성될 수 있고, 예를들면 블록부(120)는 대향 플레이트(110)보다 작은 폭을 갖도록 형성될 수 있다. 일 예로서 기판(SUB)의 평면의 일 방향을 기준으로 대향 플레이트(110) 및 블록부(120)는 폭을 가질 수 있고, 블록부(120)의 폭은 대향 플레이트(110)의 폭보다 작을 수 있다.
선택적 실시예로서 블록부(120)는 서로 이격된 복수 개로 구비된 형태를 가질 수 있다. 예를들면 블록부(120)는 서로 이격된 제1 블록(121) 및 제2 블록(122)을 포함할 수 있고, 구체적 예로서 제1 블록(121) 및 제2 블록(122)은 대향 플레이트(110)의 저면에 서로 이격되어 형성될 수 있다. 일 예로서 대향 플레이트(110)의 저면의 중심점을 포함한 영역을 사이에 두고 제1 블록(121) 및 제2 블록(122)은 그 주변에 배치될 수 있다.
블록부(120)는 다양한 소재로 형성될 수 있고, 예를들면 강건한 소재로서 금속 재질로 형성될 수 있다. 또한, 일 예로서 블록부(120)는 대향 플레이트(110)와 동일한 재질로 형성될 수도 있고, 구체적 예로서 블록부(120)는 대향 플레이트(110)와 일체로 형성될 수도 있다. 이를 통하여 대향 플레이트(110)가 척(CHK)을 지지 시에, 블록부(120), 예를들면 복수 개의 블록을 포함하는 블록부(120)가 대향 플레이트(110)가 받는 척(CHK)의 하중을 분산하여 대향 플레이트(110)의 변형 또는 파손 등을 감소할 수 있다.
관통홀(130)은 블록부(120)를 관통하도록 형성되고, 대향 플레이트(110)에도 연장되도록 형성되고, 예를들면 대향면(111)에까지 이르도록 형성될 수 있다. 이를 통하여 하나 이상의 부재, 예를들면 복수의 핀 부재(PNU) 또는 클램프 부재(CLU) 가 관통홀(130)을 통하여 블록부(120) 및 대향 플레이트(110)에 대응되도록 배치될 수 있고, 필요 시 상승 및 하강 운동을 수행할 수도 있다. 핀 부재(PNU)는 기판(SUB)을 지지한 채 상승 및 하강 운동할 수 있고, 예를들면 핀 부재(PNU)는 기판(SUB)의 반입 또는 반출 시 기판(SUB)을 척(CHK)으로부터 이격 또는 척(CHK)과 가깝도록 이동하는 리프트 핀 형태일 수 있다.
클램프 부재(CLU)는 기판(SUB)을 지지 또는 척(CHK)에 고정하는 것으로서 다양한 형태로 배치될 수 있다.
선택적 실시예로서 관통홀(130)은 복수 개로 형성될 수 있다. 예를들면 관통홀(130)은 서로 구별되고 이격되도록 형성된 제1 관통홀(131) 및 제2 관통홀(132)을 포함할 수 있다. 또한, 구체적 예로서 블록부(120)의 제1 블록(121) 및 제2 블록(122)의 각각에 제1 관통홀(131) 및 제2 관통홀(132)이 형성될 수 있다. 선택적 실시예로서 제1 관통홀(131)에는 핀 부재(PNU)가 대응될 수 있고, 제2 관통홀(132)에는 클램프 부재(CLU)가 대응될 수 있다.
선택적 실시예로서 블록부(120)와 인접한 영역, 예를들면 대향 플레이트(110)의 저면을 향하고 블록부(120)의 제1 블록(121)과 제2 블록(122)의 사이로 정의되는 공간은 기류 영역(AEV)을 포함할 수 있다.
예를들면 기판 배치 유닛(100)이 사용되는 장치를 이용한 하나 이상의 공정 중에 대향 플레이트(110) 상의 척(CHK)에 배치될 기판(SUB)의 처리를 이용한 기체 또는 플라즈마가 유입될 때, 이러한 기체 또는 플라즈마는 기판(SUB)의 처리 중에 또는 처리 후에 기류 영역(AEV)으로 이동될 수 있다. 구체적 예로서 대향 플레이트(110)의 가장자리와 인접한 공간을 통하여 대향 플레이트(110)의 하부로 유입되고, 기류 영역(AEV)으로 이동될 수 있다.
선택적 실시예로서 대향 플레이트(110)의 가장자리와 인접한 공간에 배기를 위한 배기 유로(EV)가 형성될 수 있다. 예를들면 배기 유로(EV)를 통하여 하부를 향하도록 배기의 방향이 형성될 수 있다. 또한, 구체적 예로서 이러한 대향 플레이트(110)의 가장자리와 인접한 영역에서 배기 유로(EV)를 통하여 배기되는 기류는 적어도 일 영역에서 기류 영역(AEV)과 연결될 수 있다.
선택적 실시예로서 대향 플레이트(110)의 가장자리의 주변에 측벽부(SW)가 배치되고, 측벽부(SW)와 대향 플레이트(110)의 사이에 배플 부재(BF)가 위치할 수 있다. 측벽부(SW)는 대향 플레이트(110)의 전체의 두께 또는 높이를 지나치도록 길게 연장된 형태로서 예를들면 기판 배치 유닛(100)이 적용되는 다양한 장치의 측면 하우징을 포함할 수 있다.
배플 부재(BF)는 대향 플레이트(110)와 측벽부(SW)의 사이에 형성되고, 예를들면 대향 플레이트(110) 및 측벽부(SW)와 연결되도록 형성될 수 있다. 배플 부재(BF)는 복수의 슬릿을 포함하도록 형성되어 배기를 위한 배기 유로(EV)에 대응될 수 있다(구체적 예로서 도 5 참고).
또한, 선택적 실시예로서 대향 플레이트(110)의 저면의 기류 영역(AEV)은 그 하부, 예를들면 대향 플레이트(110)로부터 멀어지는 방향으로 형성된 배기 유로(EV)와 연결되도록 형성될 수 있다.
구체적 예로서 대향 플레이트(110)과 이격되고 블록부(120)와 연결되도록 배리어부(190)가 형성될 수 있고, 배리어부(190)로 정의되는 영역, 예를들면 배리어부(190)의 내측 개구(190H)로 정의되는 영역이 배기 유로(EV)와 중첩될 수 있고, 이러한 배기 유로(EV)를 통하여 배리어부(190)의 하부로 배기의 흐름이 이어질 수 있다.
배리어부(190)는 다양한 형태를 가질 수 있는데, 일 예로서 블록부(120)의 제1 블록(121) 및 제2 블록(122)과 각각 연결되도록 형성된 플레이트와 유사한 형태를 가질 수 있고, 제1 블록(121) 및 제2 블록(122)과 대응되지 않는 적어도 일 영역에 개구가 형성된 구조를 가질 수 있다.
구체적 예로서 배리어부(190)는 내측 개구(190H)를 갖는 플레이트와 유사한 형태를 가질 수 있고, 측벽부(SW)로부터 연장된 구조를 가질 수도 있다. 또한, 일 예로서 배리어부(190)는 속이 빈 링과 유사한 형태를 가질 수 있다.
배리어부(190)의 내측 개구(190H)를 통하여 기류 영역(AEV)는 하부의 배기 유로(EV)와 연결될 수 있고, 도 1에 도시한 화살표 방향과 같이 하방으로 배기가 용이하게 진행될 수 있다.
선택적 실시예로서 관통홀(130)의 제1 관통홀(131) 및 제2 관통홀(132)은 배리어부(190)에 대응되고, 구체적 예로서 배리어부(190)를 관통하도록 형성될 수 있다. 이를 통하여 배기 유로(EV)의 간섭을 피하면서 기판(SUB)의 처리를 위해 필요한 부재(예를들면 핀 부재(PNU), 클램프 부재(CLU), 유로 또는 전원 공급 부재(RFE))를 배리어부(190)의 하부를 포함한 공간에 배치할 수 있고, 예를들면 수직형 구조를 용이하게 구현할 수 있다.
본 실시예의 대향 플레이트(110)의 하부, 예를들면 기판(SUB)을 향하는 대향면(111)의 반대면에 블록부(120)가 연결되도록 형성될 수 있고, 이러한 블록부(120)에 관통홀(130)이 형성되고 관통홀(130)이 대향 플레이트(110)의 대향면(111)에까지 연장될 수 있어서 기판(SUB)의 처리 또는 취급을 위한 다양한 부재를 대향 플레이트(110)에 용이하게 배치할 수 있고, 기판 배치 유닛(100)의 공간상의 활용도 및 컴팩트 설계 자유도를 향상할 수 있다.
또한, 대향 플레이트(110)의 하부에 블록부(120)가 복수의 블록, 예를들면 제1 블록(121) 및 제2 블록(122)을 이격되도록 배치하고, 이러한 이격된 공간에 기류 영역(AEV)이 대응되어 배기의 원활한 진행 특성을 향상할 수 있다. 구체적 예로서, 대향 플레이트(110)의 가장자리와 인접한 공간에 배치된 배플 부재(BF)를 통하여 배기 유로(EV)가 하방으로 형성되고, 배기 유로(EV)를 통한 배기의 흐름은 기류 영역(AEV)과 연결되어 용이하게 배기 특성이 향상될 수 있다. 또한, 선택적 실시예로서 대향 플레이트(110)의 하부에 대향 플레이트(110)와 이격되고 블록부(120)와 연결되는 배리어부(190)가 배치되고, 배리어부(190)로 정의되는 내측의 공간이 기류 영역(AEV)과 중첩되도록 형성되어 기류 영역(AEV)으로부터 배리어부(190)의 하부의 배기 유로(EV)를 통한 배기의 효율을 향상할 수 있다.
또한, 배기의 흐름을 볼 때 대향 플레이트(110)의 가장자리와 인접한 공간으로부터 기류 영역(AEV), 그리고 배리어부(190)의 하부 배기 유로(EV)로의 흐름이 진행되어 배기의 불균일성을 용이하게 감소 또는 방지할 수 있다.
또한, 관통홀(130)을 블록부(120)에 대응하도록 형성 시 배리어부(190)에도 대응되도록 형성, 예를들면 배리어부(190), 블록부(120) 및 대향 플레이트(110)를 관통하면서 연장되도록 관통홀(130)이 형성될 수 있다. 또한, 관통홀(130)은 배기를 위한 영역(예를들면 배기 유로(EV) 또는 기류 영역(AEV))에 대응되지 않도록 형성될 수 있다. 이를 통하여 기판(SUB)의 처리를 위한 다양한 부재를 배기 특성에 영향을 주지 않으면서 배치할 수 있어 배기를 위한 영역을 용이하게 확보하면서 대향 플레이트(110)에 기판(SUB) 처리를 위한 다양한 부재를 용이하게 배치 또는 적용할 수 있다.
도 2는 도 1의 기판 배치 유닛을 일 방향에서 본 예시적인 사시도이다.
도 3은 도 2의 B 방향에서 본 저면도이고, 도 4는 도 2의 T 방향에서 본 평면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면 대향 플레이트(110)는 곡선의 가장자리를 갖는 판형으로 형성될 수 있고, 예를들면 원형과 유사한 가장자리를 가질 수 있다.
블록부(120)는 복수 개의 블록을 포함하고, 예를들면 제1 블록(121), 제2 블록(122), 제3 블록(123) 및 중간 블록(124)을 포함할 수 있다.
제1 블록(121)은 대향 플레이트(110)의 하면에 연결되고, 예를들면 대향 플레이트(110)와 일체화된 구조를 가질 수 있다. 선택적 실시예로서 제1 블록(121)의 측면의 적어도 일 영역은 대향 플레이트(110)의 측면으로부터 연장된 구조를 가질 수도 있다. 구체적 예로서 제1 블록(121)의 외측면의 일 영역은 대향 플레이트(110)의 가장자리와 유사한 원호의 일부에 대응될 수 있다.
제1 블록(121)은 대향 플레이트(110)의 두께 방향(예를들면 도 2의 Y축 방향)을 기준으로 두께를 가질 수 있는데, 예를들면 대향 플레이트(110)보다 두껍게 형성될 수 있고, 이를 통하여 대향 플레이트(110)의 하부의 기류 영역(AEV)의 충분한 공간 확보를 용이하게 할 수 있다.
제1 블록(121)의 폭은 다양하게 결정될 수 있다. 예를들면 대향 플레이트(110)의 가장자리를 따라가는 방향을 기준으로 제1 블록(121)은 폭을 가질 수 있다.
일 예로서 제1 블록(121)은 적어도 일 영역에서 폭이 변하도록 형성될 수 있고, 구체적 예로서 대향 플레이트(110)의 중심을 향하는 방향으로 갈수록 폭이 줄어드는 형태를 가질 수 있다(구체적 예로서 도 3 참고). 이를 통하여 제1 블록(121)과 인접한 블록들(122, 124)간의 기류 영역(AEV)의 면적을 효과적으로 확보하고, 또한 중심에 대응하는 영역에서도 기류 영역(AEV)의 면적을 충분히 확보할 수 있어, 배기 특성을 향상할 수 있다. 구체적 예로서 제1 블록(121)은 부채꼴의 일 영역에 대응하는 형태를 포함할 수 있다.
제2 블록(122) 및 제3 블록(123)은 제1 블록(121)과 이격되도록 형성될 수 있고, 예를들면 대향 플레이트(110)의 가장자리를 둘러싸는 방향, 구체적 예로서 대향 플레이트(110)의 원주 방향을 따라 이격되도록 배열된 형태를 가질 수 있다.
선택적 실시예로서 제2 블록(122) 및 제3 블록(123)은 제1 블록(121)과 각각 동일한 거리를 두고 배치될 수 있고, 이를 통하여 대향 플레이트(110)에 대한 안정적 지지를 용이하게 향상할 수 있다. 또한, 일 예로서 대향 플레이트(110)의 하면의 중심점을 기준으로 제1 블록(121), 제2 블록(122) 및 제3 블록(123)은 대칭되도록 배치될 수 있다.
제2 블록(122) 및 제3 블록(123)의 구성 또는 형태는 제1 블록(121)과 동일하거나 유사한 변형 적용 가능 수준이므로 더 구체적 설명은 생략한다.
선택적 실시예로서 제1 블록(121), 제2 블록(122) 및 제3 블록(123)과 이격되도록 중간 블록(124)이 배치될 수 있고, 예를들면 제1 블록(121)과 제3 블록(123)의 사이에 배치될 수 있다.
중간 블록(124)은 제1 블록(121), 제2 블록(122) 및 제3 블록(123)과 상이한 형태를 가질 수 있고, 예를들면 작은 크기를 가질 수 있다.
구체적 예로서 중간 블록(124)의 폭은 제1 블록(121), 제2 블록(122) 및 제3 블록(123)의 각각의 폭보다 작을 수 있다. 즉, 대향 플레이트(110)의 가장자리를 따라가는 방향, 구체적 예로서 대향 플레이트(110)의 원주 방향을 기준으로 중간 블록(124)의 폭은 제1 블록(121), 제2 블록(122) 및 제3 블록(123)의 각각의 폭보다 작을 수 있다. 이를 통하여 제1 블록(121), 제2 블록(122) 및 제3 블록(123)의 배치 및 이와 인접한 영역에서의 배기의 흐름에 대한 영향을 감소하면서 다양한 부재(예를들면 전원 공급 부재, 구체적예로서 도 5의 RFE)를 중간 블록(124)에 구별하여 배치할 수 있다.
관통홀(130)은 제1 블록(121)에 대응된 복수의 관통홀을 포함할 수 있고, 예를들면 제1 관통홀(131), 제2 관통홀(132) 및 제3 관통홀(133)을 포함할 수 있다. 구체적 예로서 제1 관통홀(131) 및 제3 관통홀(133)은 제2 관통홀(132)보다 대향 플레이트(110)의 중심점에 가까운 영역에 배치될 수 있다.
제1 관통홀(131), 제2 관통홀(132) 및 제3 관통홀(133)은 다양한 부재를 위하여 형성된 것일 수 있다. 제1 관통홀(131)은 핀 부재(PNU)와 같은 리프트 핀 형태에 대응하고, 제2 관통홀(132)은 클램프 부재(CLU)에 대응하는 형태로 형성될 수 있다.
선택적 실시예로서 제3 관통홀(133)은 유체 유로에 대응될 수 있고, 일 예로서 척(CHK)의 온도를 제어하기 위한 유체(예를들면 액체 또는 기체)가 이동하는 통로일 수 있고, 제3 관통홀(133)을 통하여 유체가 척(CHK)에 도달 또는 공급될 수 있다.
선택적 실시예로서 서로 이격된 두 개의 제3 관통홀(133)의 각각은 유체 유로에 대응되도록 형성될 수 있다. 제1 관통홀(131)은 서로 이격된 두 개의 제3 관통홀(133)의 사이에 배치될 수 있고, 핀 부재(PNU)에 대응된 형태를 가질 수 있다. 제2 관통홀(132)은 클램프 부재(CLU)에 대응된 형태를 가질 수 있다.
관통홀(130)은 제2 블록(122)에 대응된 복수의 관통홀을 포함할 수 있는데, 예를들면 제1 블록(121)에 대응된 것과 동일하거나 이를 유사한 범위 내에서 변형 가능하므로 구체적 설명은 생략한다.
관통홀(130)은 제3 블록(123)에 대응된 복수의 관통홀을 포함할 수 있는데, 예를들면 제1 관통홀(131), 제2 관통홀(132) 및 제4 관통홀(134)을 포함할 수 있다. 일 예로서 제4 관통홀(134)는 하나 이상의 기체를 위한 유로에 대응된 형태를 가질 수 있고, 구체적 예로서 헬륨 등과 같은 불활성 기체 유로에 대응된 형태를 가질 수 있다. 제4 관통홀(134)을 통하여 하나 이상의 기체가 척(CHK)에 도달 또는 공급될 수 있다.
도시하지 않았으나, 제4 관통홀(134)이 제1 블록(121) 또는 제2 블록(122)에 배치될 수도 있다. 또한, 제3 블록(123)에도 제3 관통홀(133)이 형성될 수도 있다.
또한, 이러한 경우 외에도 제1 관통홀(131), 제2 관통홀(132), 제3 관통홀(133) 및 제4 관통홀(134)은 다양한 조건과 용도를 위한 부재에 대응되도록 제1 블록(121), 제2 블록(122) 및 제3 블록(123)에 다양한 방법으로 형성될 수 있다.
또한, 제3 관통홀(133) 중 일부를 통해 유체가 척(CHK)에 공급되어 순환되고, 순환된 유체는 제3 관통홀(133) 중 다른 일부를 통해 척(CHK)으로부터 배출될 수도 있다.
중간 블록(124)에는 적어도 한 개의 제5 관통홀(135)이 형성될 수 있다. 제5 관통홀(135)은 전원 공급 부재(구체적 예로서 도 5의 RFE)에 대응되도록 형성될 수 있다. 일 예로 전원 공급 부재(RFE)는 전원, 구체적 예로서 RF 전원을 척(CHK)에 인가하거나 이를 제어하도록 형성될 수 있다.
전원 공급 부재(RFE)를 상대적으로 작은 중간 블록(124)에 제5 관통홀(135)을 관통하도록 배치하여 전원 인가를 위한 구조를 인접한 다른 부재들과의 간섭을 감소하면서 안정적으로 구현할 수 있다. 또한, 유체 유로 또는 기체 유로와 구별되는 영역에 전원 공급 부재(RFE)를 배치할 수 있어 유체 공급 및 전원 인가 시 상호 간섭을 통한 불량 발생을 감소하거나 방지할 수 있다. 나아가, 이러한 각각의 부재를 위한 구성을 모두 대향 플레이트(110)에 대응 및 중첩된 위치를 갖도록 하여 기판 배치 유닛(100)의 설계 자유도를 높이고 공간 효율성을 향상할 수 있다.
대향 플레이트(110)의 하면의 영역 중 기류 영역(AEV)은 블록부(120)의 제1 블록(121), 제2 블록(122), 제3 블록(123) 및 중간 블록(124)의 사이로 정의되는 영역을 포함할 수 있다.
예를들면 기류 영역(AEV)은 적어도 제1 블록(121)과 제2 블록(122)의 사이의 영역, 제2 블록(122)과 제3 블록(123)의 사이의 영역, 제3 블록(123)과 중간 블록(124)의 사이의 영역 및 중간 블록(124)과 제1 블록(121)의 사이의 영역을 포함할 수 있고, 추가적으로 제1 블록(121), 제2 블록(122), 제3 블록(123) 및 중간 블록(124)으로 둘러싸이는 영역을 포함할 수 있다.
이를 통하여 기류 영역(AEV)은 효과적인 배기 특성을 위한 공간으로 사용될 수 있고, 예를들면 대향 플레이트(110)의 가장자리와 인접한 영역으로부터 용이하게 배기되는 기류의 흐름을 원활하게 할 수 있다. 또한, 선택적 실시예로서 대향 플레이트(110)의 가장자리를 따라가는 방향을 기준으로 복수 개의 제1 블록(121), 제2 블록(122), 제3 블록(123) 및 중간 블록(124)을 서로 이격되도록 배치하여 배기 효율을 향상할 수 있다. 또한, 구체적 예로서 제1 블록(121), 제2 블록(122), 제3 블록(123)을 서로 동일한 간격(예를들면 대칭되는 위치)에 배치하고, 이들 중 서로 인접한 두 개(예를들면 제1 블록(121)과 제3 블록(123))의 사이에 중간 블록(124)을 배치하여 여러 방향으로 균일한 배기 특성의 향상을 증대할 수 있다.
일 예로서 대향 플레이트(110)는 척(CHK)을 지지하고, 척(CHK)을 통하여 기판(SUB)을 지지 또는 고정할 수 있고, 척(CHK)을 다양하게 운용하기 위한 여러가지 부재 또는 유체 등을 기류 영역(AEV)의 주변 및 기류 영역(AEV)을 사이에 두고 블록부(120)에 배치할 수 있어 대향 플레이트(110)를 통한 기판(SUB) 처리 운용 능력 및 다양성을 향상하면서 배기 효율 및 배기 균형 특성을 향상할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 배치 유닛 하부의 배기를 설명하기 위한 예시적인 저면도이다.
도 5 및 전술한 도 1을 참조하면 배플 부재(BF)를 통하여 배기 유로(EV)는 하방으로 진행하여 대향 플레이트(110)의 하부의 기류 영역(AEV)에 대응되어 배기 유로(EV)가 연속적인 흐름으로 진행될 수 있다.
이 때, 예를들면 전원 공급 부재(RFE)가 대응되는 중간 블록(124)과 제1 블록(121) 사이의 배기 유로(EV) 및 중간 블록(124)과 제3 블록(123) 사이의 배기 유로(EV)는 동일하거나 유사한 형태를 가질 수 있다. 구체적 예로서 중간 블록(124)과 제1 블록(121) 사이의 거리(A14)는 중간 블록(124)과 제3 블록(123) 사이의 거리(A34)와 동일하거나 유사할 수 있다. 이를 통하여 전원 공급 부재(RFE)를 통한 대향 플레이트(110) 상의 척(CHK)에 전원 인가 시 균형 있는 전원 인가 특성을 향상할 수 있고, 제1 블록(121), 제2 블록(122) 및 제3 블록(123)과 함께 중간 블록(124)을 배치 시에도 배기 불균일을 감소할 수 있다.
또한, 선택적 실시예로서 제1 블록(121)과 제2 블록(122) 사이의 거리(A12), 제2 블록(122)과 제3 블록(123) 사이의 거리(A23) 및 제1 블록(121)과 제3 블록(123) 사이의 거리(A13)는 배기 유로(EV)의 형성 영역으로서 복수의 이격된 영역을 통하여 대향 플레이트(110)의 저면에서 국부적이고 비정상적 배기 발생을 감소하거나 방지할 수 있다.
도 6은 도 2의 기판 배치 유닛과 배기 유로를 설명하기 위한 부분적 사시도이고, 도 7은 도 6의 B 방향에서 본 개략적인 저면도이다. 설명의 편의를 위하여 도 7에 제1 블록(121), 제2 블록(122) 및 제3 블록(123)과 함께 중간 블록(124)이 배치되는 위치를 점선으로 간략하게 표시하였다.
도 6 및 도 7을 참조하면 기판 배치 유닛(100)는 제1 블록(121), 제2 블록(122), 제3 블록(123) 및 중간 블록(124)과 연결된 배리어부(190)를 포함하고, 예를들면 제1 블록(121), 제2 블록(122), 제3 블록(123) 및 중간 블록(124)은 배리어부(190)의 내측 개구(190H)의 주변에 배치될 수 있다. 구체적 예로서 제1 블록(121), 제2 블록(122), 제3 블록(123) 및 중간 블록(124)은 내측 개구(190H)와 미중첩되도록 형성될 수 있고, 이를 통하여 배기 유로(EV)에서의 간섭을 감소하여 배기 특성을 향상할 수 있다.
선택적 실시예로서 제1 블록(121)과 제2 블록(122)의 사이의 가상의 호의 길이(RH1), 제2 블록(122)과 제3 블록(123)의 사이의 가상의 호의 길이(RH2), 제3 블록(123)과 중간 블록(124)의 사이의 가상의 호의 길이(RH3) 및 중간 블록(124)과 제1 블록(121)의 사이의 가상의 호의 길이(RH4)를 정의할 수 있다. 이러한 호들의 길이(RH1, RH2, RH3, RH4)의 합은 배기 유로(EV)가 지나가는 영역인 내측 개구(190H)의 둘레의 길이(예를들면 원주의 길이)와 동일하거나 그보다 큰 값을 가질 수 있다.
이러한 구조를 통하여 배플 부재(BF)를 통하여 하방으로 대향 플레이트(110)의 저면의 기류 영역(AEV)에 대응되고 배기 유로(EV)와 연결되는 면적을 증가하여 블록부(120)를 통한 다양한 부재, 유체 또는 전원 공급 부재(RFE)의 배치 효율성을 유지하면서 배기 능력을 향상할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
실시예에서 설명하는 특정 실행들은 일 실시예들로서, 어떠한 방법으로도 실시 예의 범위를 한정하는 것은 아니다. 또한, "필수적인", "중요하게" 등과 같이 구체적인 언급이 없다면 본 발명의 적용을 위하여 반드시 필요한 구성 요소가 아닐 수 있다.
실시예의 명세서(특히 특허청구범위에서)에서 "상기"의 용어 및 이와 유사한 지시 용어의 사용은 단수 및 복수 모두에 해당하는 것일 수 있다. 또한, 실시 예에서 범위(range)를 기재한 경우 상기 범위에 속하는 개별적인 값을 적용한 발명을 포함하는 것으로서(이에 반하는 기재가 없다면), 상세한 설명에 상기 범위를 구성하는 각 개별적인 값을 기재한 것과 같다. 마지막으로, 실시 예에 따른 방법을 구성하는 단계들에 대하여 명백하게 순서를 기재하거나 반하는 기재가 없다면, 상기 단계들은 적당한 순서로 행해질 수 있다. 반드시 상기 단계들의 기재 순서에 따라 실시 예들이 한정되는 것은 아니다. 실시 예에서 모든 예들 또는 예시적인 용어(예들 들어, 등등)의 사용은 단순히 실시 예를 상세히 설명하기 위한 것으로서 특허청구범위에 의해 한정되지 않는 이상 상기 예들 또는 예시적인 용어로 인해 실시 예의 범위가 한정되는 것은 아니다. 또한, 통상의 기술자는 다양한 수정, 조합 및 변경이 부가된 특허청구범위 또는 그 균등물의 범주 내에서 설계 조건 및 팩터에 따라 구성될 수 있음을 알 수 있다.
100: 기판 배치 유닛
110: 대향 플레이트
111: 대향면 120: 블록부
121: 제1 블록 122: 제2 블록
123: 제3 블록 124: 중간 블록
130: 관통홀 131: 제1 관통홀
132: 제2 관통홀 133: 제3 관통홀
134: 제4 관통홀 135: 제5 관통홀
190: 배리어부 AEV: 기류 영역
EV: 배기 유로 SW: 측벽부
BF: 배플 부재 RFE: 전원 공급 부재
PNU: 핀 부재 CLU: 클램프 부재
SUB: 기판 CHK: 척
111: 대향면 120: 블록부
121: 제1 블록 122: 제2 블록
123: 제3 블록 124: 중간 블록
130: 관통홀 131: 제1 관통홀
132: 제2 관통홀 133: 제3 관통홀
134: 제4 관통홀 135: 제5 관통홀
190: 배리어부 AEV: 기류 영역
EV: 배기 유로 SW: 측벽부
BF: 배플 부재 RFE: 전원 공급 부재
PNU: 핀 부재 CLU: 클램프 부재
SUB: 기판 CHK: 척
Claims (6)
- 기판을 향하도록 대향면을 갖는 대향 플레이트;
상기 대향 플레이트의 대향면의 반대면에 상기 대향 플레이트보다 작게 형성된 복수의 블록을 갖는 블록부; 및
상기 블록부 및 상기 대향 플레이트에 대응되도록 형성된 하나 이상의 관통홀을 포함하고,
상기 복수의 블록 중 적어도 일 블록은,
상기 대향 플레이트의 중심을 향하는 방향으로 갈수록 폭이 줄어드는 형태를 갖도록 형성된 것을 포함하는,
기판 배치 유닛. - 제1 항에 있어서,
상기 관통홀을 통해 핀 부재 또는 클램프 부재가 상기 블록부 및 상기 대향 플레이트에 대응되도록 배치되는,
기판 배치 유닛. - 제1 항에 있어서,
상기 복수의 블록 중 하나는 다른 블록들과 상이한 형태를 갖는 중간 블록이고,
상기 다른 블록들은 상기 대향 플레이트의 하면의 중심점을 기준으로 대칭되도록 배치되고,
상기 중간 블록은 상기 다른 블록 중 서로 인접한 두개의 블록 사이에 배치되는,
기판 배치 유닛. - 제3 항에 있어서,
상기 다른 블록은 서로 동일한 간격으로 배치되고,
상기 중간 블록과 상기 서로 인접한 두개의 블록 사이의 거리 각각은 동일하거나 유사한,
기판 배치 유닛. - 제1 항에 있어서,
상기 대향 플레이트와 이격되고 상기 블록부와 연결되도록 형성된 배리어부를 더 포함하고,
상기 블록부는 상기 배리어부에 형성된 내측 개구와 미중첩되도록 형성되는,
기판 배치 유닛. - 제5 항에 있어서,
상기 복수 개의 블록 중 서로 이웃한 블록들 사이를 연결하는 가상의 호의 길이의 합은, 상기 내측 개구의 둘레의 값과 동일하거나 그보다 큰 값을 갖는,
기판 배치 유닛.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220003713A KR102497494B1 (ko) | 2021-06-03 | 2022-01-11 | 기판 배치 유닛 |
TW111110428A TWI802328B (zh) | 2021-06-03 | 2022-03-21 | 基板配置單元 |
CN202210325492.6A CN115440560A (zh) | 2021-06-03 | 2022-03-29 | 基板配置单元 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210072034A KR102461496B1 (ko) | 2021-06-03 | 2021-06-03 | 기판 배치 유닛 |
KR1020220003713A KR102497494B1 (ko) | 2021-06-03 | 2022-01-11 | 기판 배치 유닛 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210072034A Division KR102461496B1 (ko) | 2021-06-03 | 2021-06-03 | 기판 배치 유닛 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220163849A true KR20220163849A (ko) | 2022-12-12 |
KR102497494B1 KR102497494B1 (ko) | 2023-02-08 |
Family
ID=84240958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220003713A KR102497494B1 (ko) | 2021-06-03 | 2022-01-11 | 기판 배치 유닛 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102497494B1 (ko) |
CN (1) | CN115440560A (ko) |
TW (1) | TWI802328B (ko) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6733593B1 (en) * | 1999-01-18 | 2004-05-11 | Tokyo Electron Limited | Film forming device |
KR100534209B1 (ko) * | 2003-07-29 | 2005-12-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비 |
KR100843107B1 (ko) * | 2007-01-31 | 2008-07-03 | 주식회사 아이피에스 | 진공처리장치 |
KR101000094B1 (ko) * | 2007-08-08 | 2010-12-09 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 기판 증착장치 |
KR20120069754A (ko) * | 2009-09-30 | 2012-06-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101987577B1 (ko) * | 2018-01-24 | 2019-06-10 | 주식회사 기가레인 | 승강하는 유도부와 연동하는 배기조절부를 포함하는 기판 처리 장치 |
-
2022
- 2022-01-11 KR KR1020220003713A patent/KR102497494B1/ko active IP Right Grant
- 2022-03-21 TW TW111110428A patent/TWI802328B/zh active
- 2022-03-29 CN CN202210325492.6A patent/CN115440560A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6733593B1 (en) * | 1999-01-18 | 2004-05-11 | Tokyo Electron Limited | Film forming device |
KR100534209B1 (ko) * | 2003-07-29 | 2005-12-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비 |
KR100843107B1 (ko) * | 2007-01-31 | 2008-07-03 | 주식회사 아이피에스 | 진공처리장치 |
KR101000094B1 (ko) * | 2007-08-08 | 2010-12-09 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 기판 증착장치 |
KR20120069754A (ko) * | 2009-09-30 | 2012-06-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI802328B (zh) | 2023-05-11 |
TW202249169A (zh) | 2022-12-16 |
CN115440560A (zh) | 2022-12-06 |
KR102497494B1 (ko) | 2023-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4739820B2 (ja) | プラズマ処理中のアーク減少方法及び装置 | |
US6960887B2 (en) | Method and apparatus for tuning a plasma reactor chamber | |
US11443975B2 (en) | Planar substrate edge contact with open volume equalization pathways and side containment | |
KR20220087415A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링 | |
JP2013526778A (ja) | 限定プロセス容積pecvdチャンバ | |
JP7441900B2 (ja) | 正確な温度及び流量制御を備えたマルチステーションチャンバリッド | |
KR20090117395A (ko) | 플라즈마 반응장치 | |
KR20220129045A (ko) | 웨이퍼 에지 가스를 배기하기 위한 플로우 경로들을 갖는 배제 링 | |
JP4703749B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR102497494B1 (ko) | 기판 배치 유닛 | |
KR102461496B1 (ko) | 기판 배치 유닛 | |
JPH11297789A (ja) | 処理装置 | |
KR101015389B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102340104B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
WO2003104525A1 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
US20060011297A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
KR20210039526A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
CN211605123U (zh) | 一种静电吸盘 | |
JP2020113574A (ja) | ウエハ搬送用トレイ | |
TWI794060B (zh) | 升降驅動組件 | |
KR102371435B1 (ko) | 샤워 헤드 | |
KR102695344B1 (ko) | 정밀 온도 및 유동 제어를 갖는 다중 스테이션 챔버 덮개 | |
JP5795172B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
KR100264208B1 (ko) | 반도체 제조장비의 식각장치 | |
KR20240105492A (ko) | 멀티-스테이션 반도체 프로세싱 챔버를 세정하기 위한 장치들 및 기법들 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right |