KR20220161731A - 척 시스템 - Google Patents

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Abstract

척 시스템이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 척 시스템은, 피식각물과 맞닿은 채로 지지하도록 적어도 2개 이상의 서로 다른 구경을 가지는 흡기 홀이 형성된 지지부; 및 상기 지지부의 가장자리 둘레면을 따라 하향 경사진 낙하 유도부를 포함할 수 있다.

Description

척 시스템{CHUCK SYSTEM}
본 발명은 척 시스템에 관련된 것으로, 보다 상세하게는 배면의 오염을 방지 가능한 척 시스템에 관한 것이다.
정보화의 발달로, 표시 장치는 다양한 분야에서 폭넓게 사용되고 있다. 표시 장치는 발광 방식에 따라 액정 표시 장치(LCD, liquid crystal display)와 유기 발광 표시 장치(OLED, organic light emitting diode display), 플라즈마 표시 장치(PDP, plasma display panel), 퀀텀닷 발광 표시 장치(QLED, quantum dot light emitting diode display), 마이크로 LED 표시 장치(Micro LED display) 등이 있다.
표시 장치는 더 얇고 더 가볍게 휴대성을 높이면서 대면적의 영상 구현을 필요로 한다. 표시 장치의 일 구성인 글라스의 박막화 및 중량 감소도 또 하나의 기술 과제이다. 이러한 글라스를 일정한 두께로 만들거나 일부 영역을 제거하는데 식각 공정이 활용되고 있다.
종래 방식의 식각 장치는, 피식각물을 척에 지지시킨 채로 식각제를 분사해 피식각물의 일면을 제거하는 방식으로 식각 공정을 진행하였다. 식각액 처리 과정 상 박막인 피식각물의 배면으로 식각액이 침투되어 피식각물 하부에 놓이는 배관 등의 부품에 부식을 초래하고 잦은 교체를 유발하는 문제점이 있었다.
또한 종래 방식의 식각 시스템은, 피식각물 배면의 식각제 침투로 인한 피식각물의 오염, 불량을 초래하고 배면에 잔존하는 식각액을 제거하기 위해 세정 공정을 추가로 필요로 해 식각에 소요되는 공정 시간과 비용을 증가시키는 문제점이 있었다.
나아가 종래 방식의 식각 공정 상, 피식각물의 각 영역마다 동일한 지지 세기로 지지할 경우, 특히 피식각물의 가장자리에서 들뜸 현상이 발생해 피식각물 영역별 식각 편차가 발생하는 문제점도 있었다.
한국등록공보 제10-1914298호(공고일자: 2018.12.31.)
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 피식각물 배면으로의 식각제 유입을 막을 수 있는 척 시스템을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 척 시스템을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 척 시스템은, 피식각물과 맞닿은 채로 지지하도록 적어도 2개 이상의 서로 다른 구경을 가지는 흡기 홀이 형성된 지지부; 및 상기 지지부의 가장자리 둘레면을 따라 하향 경사진 낙하 유도부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 지지부는, 제1 흡기 홀이 형성된 제1 영역; 및 상기 제1 영역의 가장자리 둘레를 따라 제2 흡기 홀이 형성된 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 흡기 홀은 상기 제1 흡기 홀에 비해 큰 직경을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 지지부는, 진공 발생부와 상기 제1 흡기 홀, 상기 제2 흡기 홀 사이에 개재되고, 상기 제1 흡기 홀 및 상기 제2 흡기 홀과 연통된 흡기 유동로를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 낙하 유도부는, 배기 홀이 형성된 제1 경사 영역; 및 상기 제1 경사 영역의 가장자리 둘레를 따라 하향 경사져 유체의 낙하를 유도하는 제2 경사 영역을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 낙하 유도부는, 기체 공급부와 상기 배기 홀 사이에 개재되고, 상기 배기 홀과 연통된 배기 유동로를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 낙하 유도부는, 상기 제1 경사 영역과 상기 제2 영역 사이에 구비되어, 상기 피식각물의 들뜸을 방지하는 단턱을 더 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 척 시스템을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 척 시스템은, 피식각물과 맞닿은 채로 지지하도록 적어도 2개 이상의 서로 다른 구경을 가지는 흡기 홀이 형성된 지지부; 및 상기 지지부의 가장자리 둘레면을 따라 하향 경사진 낙하 유도부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 지지부는, 제1 흡기 홀이 형성된 제1 영역; 및 상기 제1 영역의 가장자리 둘레를 따라 제2 흡기 홀이 형성된 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 흡기 홀은 상기 제1 흡기 홀에 비해 큰 직경을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 지지부는, 진공 발생부와 상기 제1 흡기 홀, 상기 제2 흡기 홀 사이에 개재되고, 상기 제1 흡기 홀 및 상기 제2 흡기 홀과 연통된 흡기 유동로를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 낙하 유도부는, 배기 홀이 형성된 제1 경사 영역; 및 상기 제1 경사 영역의 가장자리 둘레를 따라 하향 경사져 유체의 낙하를 유도하는 제2 경사 영역을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 낙하 유도부는, 기체 공급부와 상기 배기 홀 사이에 개재되고, 상기 배기 홀과 연통된 배기 유동로를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 낙하 유도부는, 상기 제1 경사 영역과 상기 제2 영역 사이에 구비되어, 상기 피식각물의 들뜸을 방지하는 단턱을 더 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 척 시스템을 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1에서 단면 A를 보여주는 정단면도이다.
도 3은 도 2에서 B의 확대도이다.
도 4(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 공정을, 도 4(b)는 건조 공정을 모식적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4(a)의 일부 확대도이다.
도 6은 도 4(b)의 일부 확대도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 형상 및 크기는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서 어느 한 실시예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시예는 그것의 상보적인 실시예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
설명의 편의를 위하여 제1 방향은 직교 좌표계의 X축을 지칭하고, 제2 방향은 직교 좌표계의 Y축을 지칭하며, 제3 방향은 직교 좌표계의 Z축을 지칭하기로 한다. 이때 제1 방향은 제2 방향 및 제3 방향과 서로 직교한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 척 시스템(10)을 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1에서 단면 A를 보여주는 정단면도이고, 도 3은 도 2에서 B의 확대도이고, 도 4(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 공정을, 도 4(b)는 건조 공정을 모식적으로 보여주는 도면이고, 도 5는 도 4(a)의 일부 확대도이며, 도 6은 도 4(b)의 일부 확대도이다.
이하에서는 본 발명의 구성과 작동관계를 도 1 내지 도 6을 통해 살펴보기로 한다.
도 1 내지 도 6을 참조하면 본 발명의 일 실시예에 따른 척 시스템(10)은, 일련의 공정 상에서 피식각물(S)을 지지 고정할 수 있다. 일 실시예에 따르면 척 시스템(10)은, 식각 공정(P1)과 세정 공정(P2), 건조 공정(P3)을 위하여 피식각물(S)을 지지하여 각 공정 영역 간에 위치 이동시킬 수 있다. 척 시스템(10)은, 지지부(100)와 낙하 유도부(200)를 포함할 수 있다.
피식각물(S)은, 식각 처리를 필요로 하는 표시 장치용 글라스 등의 강성 기판이거나 가요성 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다시 도 2와 도 3, 도 5, 도 6을 참조하면 지지부(100)는, 피식각물(S)과 맞닿은 채로 피식각물(S)을 지지할 수 있다. 지지부(100)에는, 흡기 홀(111, 121)이 형성될 수 있다. 흡기 홀(111, 121)은, 적어도 2개 이상의 서로 다른 구경을 가질 수 있다. 지지부(100)는, 피식각물(S)을 지지하기 위하여 정전기적 인력에 의한 정전 방식 또는 진공 흡기 방식에 의한 진공 방식을 선택적 또는 동시에 구현할 수 있다.
지지부(100)는, 제1 영역(110)과 제2 영역(120)을 포함하고 나아가 흡기 유동로(130)를 더 포함할 수 있다. 지지부(100)는, 제1 영역(110)과 제2 영역(120)에서 서로 다른 흡입 세기로 피식각물(S)을 지지할 수 있다.
제1 영역(110)에는, 제1 흡기 홀(111)이 형성될 수 있다. 제1 영역(110)에는 상대적으로 작은 직경의 제1 흡기 홀(111)을 형성함으로써 피식각물(S)에 약한 지지력으로 피식각물(S)을 지지할 수 있다.
제1 흡기 홀(111)은, 피식각물(S)의 두께를 기준으로 4 내지 5배의 차이를 가질 수 있다. 일 실시예에 따르면 피식각물(S)이 70μm의 두께를 가질 때, 제1 흡기 홀(111)은 0.3mm의 직경을 가질 수 있다.
제2 영역(120)은, 제1 영역(110)의 가장자리 둘레를 따라 구비될 수 있다. 제2 영역(120)에는, 제2 흡기 홀(121)이 형성될 수 있다.
제2 흡기 홀(121)은, 제1 흡기 홀(111)에 비해 큰 직경을 가질 수 있다. 보다 구체적으로 제2 흡기 홀(121)은, 제1 흡기 홀(111)보다 5 내지 8배로 큰 직경을 가질 수 있다. 또한 제2 흡기 홀(121)은, 피식각물(S)의 두께를 기준으로 280 내지 300배의 차이를 가질 수 있다. 일 실시예에 따르면 피식각물(S)이 7μm의 두께를 가질 때, 제2 흡기 홀(121)은 2mm의 직경을 가질 수 있다.
제2 흡기 홀(121)이 제1 흡기 홀(111)보다 강한 흡입력으로 피식각물(S)을 지지함으로써, 낙하 유도부(200) 인접 영역인 피식각물(S)의 가장자리 영역에서의 들뜸을 방지하고, 안정적인 지지력을 피식각물(S)에 제공할 수 있다.
흡기 유동로(130)는, 제1 흡기 홀(111)과 제2 흡기 홀(121) 간, 진공압 세기의 불균일을 해소할 수 있다. 흡기 유동로(130)는, 진공 발생부(미도시)와 제1 흡기 홀(111), 제2 흡기 홀(121) 사이에 개재될 수 있다. 즉 흡기 유동로(130)는, 진공 발생부(미도시)에 의해 발생한 흡기력을 제1 흡기 홀(1110)과 제2 흡기 홀(121)에 일정하게 부여해, 흡기력의 균일화(uniformity)를 도모할 수 있다. 이에 따라 흡기 유동로(130)는, 제1 흡기 홀(111)과 제2 흡기 홀(121)을 연통시킬 수 있다. 흡기 유동로(130)는, 지지부(100)에 해당하는 영역의 저면부에 마련될 수 있다.
다시 도 2 내지 도 6을 참조하면 낙하 유도부(200)는, 식각 공정(P1)과 세정 공정(P2), 건조 공정(P3) 중, 식각제(E)와 세정제, 건식 청정 공기(CDA)의 낙하 경로를 제공해 식각제(E)와 세정제, 건식 청정 공기(CDA)가 피식각물(S)의 특정 영역에서 정체되는 것을 방지할 수 있다.
낙하 유도부(200)는, 지지 부(100)의 가장자리 둘레면을 따라 하향 경사진 경사면을 가질 수 있다. 낙하 유도부(200)는, 제1 경사 영역(210)과 제2 경사 영역(220)을 포함하고, 배기 유동로(230)와 단턱(240, 250)을 더 포함할 수 있다.
제1 경사 영역(210)은, 제1 흡기 홀(111) 및 제2 흡기 홀(121)과 나란하나 반대 방향의 기체 흐름을 피식각물(E)에 제공해, 식각제(E)와 세정제, 건식 청정 공기(CDA)의 유동시 피식각물(E) 배면으로의 유입을 차단할 수 있다. 제1 경사 영역(210)에는, 배기 홀(211)이 형성될 수 있다.
배기 홀(211)은, 피식각물(S)을 향해 기체를 유입시킴으로써, 식각 공정(P1) 상 식각제(E)가 피식각물(S)의 배면으로 침투되는 것을 막을 수 있다.
배기 홀(211)은, 건조 공정(P3) 상 건식 청정 공기(CDA)의 흐름과 반대 방향으로 기체 흐름을 제공해, 제1 경사 영역(210)에서의 건식 청정 공기(CDA)의 세기를 상쇄해 피식각물의 가장자리 배면에서 건조 청정 공기(CDA)에 의한 피식각물의 진동 등 손상 발생을 최소화할 수 있다.
즉, 배기 홀(211)에서 배기되는 기체는, 건식 청정 공기(CDA)와 나란하되 반대 방향의 흐름을 가지고, 건식 청정 공기(CDA)의 유동 세기와 같거나 상응한 기체 유동 세기로 조절되어, 피식각물(S)의 가장자리 영역에서 건식 청정 공기(CDA)에 의한 진동 발생을 방지할 수 있다.
제2 경사 영역(220)은, 하향 경사진 구조로 형성됨으로써 식각제(E)와 세정제, 건식 청정 공기(CDA)의 유동을 가이드할 수 있다. 제2 경사 영역(220)은, 제1 경사 영역(210)의 가장자리 둘레를 따라 구비될 수 있다. 제2 경사 영역(220)은, 하향 경사져 식각제(E) 또는 건조 청정 공기(CDA)의 낙하를 유도할 수 있다.
배기 유동로(230)는, 기체 공급부(미도시)와 배기 홀(210) 사이에 개재될 수 있다. 배기 유동로(230)는, 복수 개의 배기 홀(210)에 비해 상대적으로 적은 수량으로 기체 공급부(미도시)가 마련됨에 따라 배기 홀(210)마다 기체 흐름이 불균일을 최소화해, 서로 다른 배기 홀 간의 배기력을 균일하게 조절할 수 있다.
배기되는 기체는, 기체 공급부(미도시)와 배기 유동로(230), 배기 홀(211)을 거쳐 피식각물(S)의 배면 가장자리 영역을 타고 흐를 수 있다.
단턱(240, 250)이 구비되어, 배기 홀(210)과 제2 경사 영역(200), 피식각물(S) 사이 이격 거리를 확보할 수 있다. 단턱(240, 250)은, 피식각물(E)의 들뜸을 방지할 수 있다. 단턱(240)은, 제1 경사 영역(210)과 제2 영역(120) 사이에 구비될 수 있다. 단턱(250)은, 제1 경사 영역(210)과 제2 경사 영역(220) 사이에 구비될 수 있다.
식각 공정(P1)에서의 식각제(E)와 건조 공정(P3)에서 건식 청정 공기(CDA)는, 피식각물(S)의 일면에 분사된 후, 피식각물(S)의 가장자리와 제2 경사 영역(220)을 따라 낙하 유도되어 유동될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
10 : 척 시스템
100 : 지지부 110 : 제1 영역
111 : 제1 흡기 홀 120 : 제2 영역
121 : 제2 흡기 홀 130 : 흡기 유동로
200 : 식각제 낙하 유도부 210 : 제1 경사 영역
211 : 배기 홀 220 : 제2 경사 영역
230 : 배기 유동로 240 : 단턱
S : 피식각물
E : 식각제
CDA : 건식 청정 공기

Claims (6)

  1. 피식각물과 맞닿은 채로 지지하도록 적어도 2개 이상의 서로 다른 구경을 가지는 흡기 홀이 형성된 지지부; 및
    상기 지지부의 가장자리 둘레면을 따라 하향 경사진 낙하 유도부를 포함하는, 척 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지부는,
    제1 흡기 홀이 형성된 제1 영역; 및
    상기 제1 영역의 가장자리 둘레를 따라 제2 흡기 홀이 형성된 제2 영역을 포함하고,
    상기 제2 흡기 홀은 상기 제1 흡기 홀에 비해 큰 직경을 가지는, 척 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 지지부는,
    진공 발생부와 상기 제1 흡기 홀, 상기 제2 흡기 홀 사이에 개재되고, 상기 제1 흡기 홀 및 상기 제2 흡기 홀과 연통된 흡기 유동로를 더 포함하는, 척 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 낙하 유도부는,
    배기 홀이 형성된 제1 경사 영역; 및
    상기 제1 경사 영역의 가장자리 둘레를 따라 하향 경사져 유체의 낙하를 유도하는 제2 경사 영역을 포함하는, 척 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 낙하 유도부는,
    기체 공급부와 상기 배기 홀 사이에 개재되고, 상기 배기 홀과 연통된 배기 유동로를 더 포함하는, 척 시스템.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 낙하 유도부는,
    상기 제1 경사 영역과 상기 제2 영역 사이에 구비되어, 상기 피식각물의 들뜸을 방지하는 단턱을 더 포함하는, 척 시스템.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20000032053A (ko) * 1998-11-12 2000-06-05 윤종용 반도체 현상설비의 나이프에지링과 이너컵 및 웨이퍼 오염 방지장치
KR101914298B1 (ko) 2011-11-04 2018-12-31 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이용 글라스 윈도우 가공 장치 및 방법
KR20210049447A (ko) * 2019-10-25 2021-05-06 (주)에스티아이 기판 지지 기구와 이를 이용한 기판 이송 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000032053A (ko) * 1998-11-12 2000-06-05 윤종용 반도체 현상설비의 나이프에지링과 이너컵 및 웨이퍼 오염 방지장치
KR101914298B1 (ko) 2011-11-04 2018-12-31 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이용 글라스 윈도우 가공 장치 및 방법
KR20210049447A (ko) * 2019-10-25 2021-05-06 (주)에스티아이 기판 지지 기구와 이를 이용한 기판 이송 방법

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