KR20220157420A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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KR20220157420A
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KR1020227035782A
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다츠야 나가마츠
다카오 이나다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

실시 형태에 관한 기판 처리 장치는, 기판 처리조와, 제1 순환 라인과, 제2 순환 라인을 구비한다. 기판 처리조에서는, 기판이 처리액에 침지됨으로써 기판의 처리가 행해진다. 제1 순환 라인은, 기판 처리조에 접속되며, 기판 처리조로부터 배출된 처리액을 기판 처리조에 유입시킨다. 제2 순환 라인은, 제1 순환 라인에 접속되며, 기판 처리조로부터 배출된 처리액을 제1 순환 라인에 합류시킨다. 제1 순환 라인은, 처리액을 압송하는 제1 송액부와, 처리액을 가열하는 가열부와, 처리액 중의 이물을 제거하는 필터를 구비한다. 제2 순환 라인은, 처리액을 압송하는 제2 송액부를 구비한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a substrate processing tank, a first circulation line, and a second circulation line. In the substrate treatment tank, the substrate is treated by being immersed in the treatment liquid. The first circulation line is connected to the substrate treatment tank and introduces the treatment liquid discharged from the substrate treatment tank into the substrate treatment tank. The second circulation line is connected to the first circulation line, and the processing liquid discharged from the substrate processing tank joins the first circulation line. The first circulation line includes a first liquid feeding unit for pressure-feeding the treatment liquid, a heating unit for heating the treatment liquid, and a filter for removing foreign substances in the treatment liquid. The second circulation line includes a second liquid delivery unit for pressure-feeding the treatment liquid.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법Substrate processing apparatus and substrate processing method

개시의 실시 형태는, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.An embodiment of the disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

종래, 특허문헌 1에는, 기판 처리조에 처리액을 순환시켜, 기판 처리조에 침지된 기판에 처리를 행하는 기판 처리 장치가 개시되어 있다.Conventionally, Patent Literature 1 discloses a substrate processing apparatus that circulates a processing liquid through a substrate processing tank to perform processing on a substrate immersed in the substrate processing tank.

일본 특허 공개 제2018-133558호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2018-133558

본 개시는, 기판 처리조의 온도 균일성을 향상시킬 수 있는 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technique capable of improving temperature uniformity of a substrate treatment bath.

실시 형태의 일 양태에 관한 기판 처리 장치는, 기판 처리조와, 제1 순환 라인과, 제2 순환 라인을 구비한다. 기판 처리조에서는, 기판이 처리액에 침지됨으로써 기판의 처리가 행해진다. 제1 순환 라인은, 기판 처리조에 접속되며, 기판 처리조로부터 배출된 처리액을 기판 처리조에 유입시킨다. 제2 순환 라인은, 제1 순환 라인에 접속되며, 기판 처리조로부터 배출된 처리액을 제1 순환 라인에 합류시킨다. 제1 순환 라인은, 처리액을 압송하는 제1 송액부와, 처리액을 가열하는 가열부와, 처리액 중의 이물을 제거하는 필터를 구비한다. 제2 순환 라인은, 처리액을 압송하는 제2 송액부를 구비한다.A substrate processing apparatus according to one aspect of the embodiment includes a substrate processing tank, a first circulation line, and a second circulation line. In the substrate treatment tank, the substrate is treated by being immersed in the treatment liquid. The first circulation line is connected to the substrate treatment tank and introduces the treatment liquid discharged from the substrate treatment tank into the substrate treatment tank. The second circulation line is connected to the first circulation line, and the processing liquid discharged from the substrate processing tank joins the first circulation line. The first circulation line includes a first liquid feeding unit for pressure-feeding the treatment liquid, a heating unit for heating the treatment liquid, and a filter for removing foreign substances in the treatment liquid. The second circulation line includes a second liquid delivery unit for pressure-feeding the treatment liquid.

실시 형태의 일 양태에 의하면, 기판 처리조의 온도 균일성을 향상시킬 수 있다.According to one aspect of the embodiment, the temperature uniformity of the substrate treatment tank can be improved.

도 1은 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 평면도이다.
도 2는 실시 형태에 관한 에칭용의 처리조의 구성을 도시하는 개략 블록도이다.
도 3은 실시 형태에 관한 제어 장치의 일부를 설명하는 블록도이다.
도 4는 실시 형태에 관한 유량 조정 처리에 있어서의 에칭액의 온도 변화를 도시하는 도면이다.
도 5는 실시 형태에 관한 유량 조정 처리를 설명하는 흐름도이다.
도 6은 실시 형태의 변형예에 관한 에칭용의 처리조의 구성을 도시하는 개략 블록도이다.
도 7은 실시 형태의 변형예에 관한 에칭용의 처리조의 구성을 도시하는 개략 블록도이다.1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
Fig. 2 is a schematic block diagram showing the configuration of a processing tank for etching according to an embodiment.
3 is a block diagram illustrating a part of the control device according to the embodiment.
4 is a diagram showing temperature changes of the etchant in the flow rate adjustment process according to the embodiment.
5 is a flowchart illustrating flow rate adjustment processing according to the embodiment.
Fig. 6 is a schematic block diagram showing the configuration of a treatment tank for etching according to a modified example of the embodiment.
Fig. 7 is a schematic block diagram showing the configuration of a processing tank for etching according to a modified example of the embodiment.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원의 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 기재하는 실시 형태에 의해 개시되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus and a substrate processing method disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, the substrate processing apparatus and substrate processing method disclosed by the embodiment described below are not limited.

도 1에 도시한 바와 같이, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 캐리어 반입출부(2)와, 로트 형성부(3)와, 로트 적재부(4)와, 로트 반송부(5)와, 로트 처리부(6)와, 제어 장치(100)를 갖는다. 도 1은 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)의 개략 평면도이다. 여기에서는, 수평 방향에 직교하는 방향을 상하 방향으로서 설명한다.As shown in FIG. 1 , the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment includes a carrier loading/unloading unit 2, a lot forming unit 3, a lot loading unit 4, and a lot transfer unit 5 and a lot processing unit 6 and a control device 100. 1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment. Here, the direction orthogonal to the horizontal direction is described as the vertical direction.

캐리어 반입출부(2)는, 복수매(예를 들어, 25매)의 기판(실리콘 웨이퍼)(8)을 수평 자세로 상하로 배열하여 수용한 캐리어(9)의 반입, 및 반출을 행한다.The carrier loading/unloading unit 2 carries in/out of the carriers 9 having a plurality of (for example, 25) substrates (silicon wafers) 8 vertically arranged in a horizontal position.

캐리어 반입출부(2)에는, 복수개의 캐리어(9)를 적재하는 캐리어 스테이지(10)와, 캐리어(9)의 반송을 행하는 캐리어 반송 기구(11)와, 캐리어(9)를 일시적으로 보관하는 캐리어 스톡(12, 13)과, 캐리어(9)를 적재하는 캐리어 적재대(14)가 마련되어 있다.In the carrier carry-in/out section 2, a carrier stage 10 for loading a plurality of carriers 9, a carrier transport mechanism 11 for transporting the carriers 9, and a carrier for temporarily storing the carriers 9 A carrier loading stand 14 for loading the stocks 12 and 13 and the carrier 9 is provided.

캐리어 반입출부(2)는, 외부로부터 캐리어 스테이지(10)에 반입된 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 사용하여 캐리어 스톡(12)이나, 캐리어 적재대(14)로 반송한다. 즉, 캐리어 반입출부(2)는, 로트 처리부(6)에서 처리하기 전의 복수매의 기판(8)을 수용하는 캐리어(9)를, 캐리어 스톡(12)이나, 캐리어 적재대(14)로 반송한다.The carrier carry-in/out unit 2 conveys the carrier 9 carried into the carrier stage 10 from the outside to the carrier stock 12 or the carrier mounting table 14 using the carrier transport mechanism 11 . That is, the carrier loading and unloading unit 2 conveys the carrier 9 accommodating the plurality of substrates 8 before being processed in the lot processing unit 6 to the carrier stock 12 or the carrier mounting table 14 do.

캐리어 스톡(12)은, 로트 처리부(6)에서 처리하기 전의 복수매의 기판(8)을 수용하는 캐리어(9)를, 일시적으로 보관한다.The carrier stock 12 temporarily stores the carrier 9 accommodating the plurality of substrates 8 before processing in the lot processing unit 6 .

캐리어 적재대(14)로 반송되며, 로트 처리부(6)에서 처리하기 전의 복수매의 기판(8)을 수용하는 캐리어(9)로부터는, 후술하는 기판 반송 기구(15)에 의해 복수매의 기판(8)이 반출된다.From the carrier 9 that accommodates the plurality of substrates 8 transported to the carrier mounting table 14 and before being processed in the lot processing unit 6, a plurality of substrates are transported by a substrate transport mechanism 15 described later. (8) is exported.

또한, 캐리어 적재대(14)에 적재되며, 기판(8)을 수용하고 있지 않은 캐리어(9)에는, 기판 반송 기구(15)로부터, 로트 처리부(6)에서 처리한 후의 복수매의 기판(8)이 반입된다.In addition, the carrier 9 loaded on the carrier mounting table 14 and not accommodating the substrate 8 includes a plurality of substrates 8 after being processed by the lot processing unit 6 from the substrate conveying mechanism 15 ) is imported.

캐리어 반입출부(2)는, 캐리어 적재대(14)에 적재되며, 로트 처리부(6)에서 처리한 후의 복수매의 기판(8)을 수용하는 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 사용하여 캐리어 스톡(13)이나, 캐리어 스테이지(10)로 반송한다.The carrier loading/unloading unit 2 carries the carriers 9 loaded on the carrier mounting table 14 and containing the plurality of substrates 8 processed in the lot processing unit 6 by the carrier transport mechanism 11. It is conveyed to the carrier stock 13 or the carrier stage 10 using it.

캐리어 스테이지(10)로 반송된 캐리어(9)는, 외부로 반출된다.The carrier 9 transported to the carrier stage 10 is carried outside.

로트 형성부(3)에는, 복수매(예를 들어, 25매)의 기판(8)을 반송하는 기판 반송 기구(15)가 마련되어 있다. 로트 형성부(3)는, 기판 반송 기구(15)에 의한 복수매(예를 들어, 25매)의 기판(8)의 반송을 2회 행하여, 복수매(예를 들어, 50매)의 기판(8)으로 이루어지는 로트를 형성한다.The lot forming unit 3 is provided with a substrate conveying mechanism 15 for conveying a plurality of (for example, 25) substrates 8 . The lot forming unit 3 transports a plurality of (eg, 25) substrates 8 by the substrate conveying mechanism 15 twice, thereby forming a plurality of (eg, 50) substrates. A lot consisting of (8) is formed.

로트 반송부(5)는, 로트 적재부(4)와 로트 처리부(6) 사이나, 로트 처리부(6)의 내부 사이에서 로트의 반송을 행한다.The lot transfer unit 5 transports lots between the lot loading unit 4 and the lot processing unit 6 or between the inside of the lot processing unit 6 .

로트 반송부(5)에는, 로트의 반송을 행하는 로트 반송 기구(19)가 마련되어 있다. 로트 반송 기구(19)는, 로트 적재부(4)와 로트 처리부(6)를 따르게 하여 배치한 레일(20)과, 기판 보유 지지체(22)에 의해 로트를 보유 지지하면서 레일(20)을 따라서 이동하는 이동체(21)를 갖는다.The lot conveyance unit 5 is provided with a lot conveyance mechanism 19 that conveys the lot. The lot conveying mechanism 19 moves along the rails 20 while holding the lot by the rails 20 arranged along the lot loading section 4 and the lot processing section 6, and the substrate holding body 22. It has a moving body 21 that moves.

로트 처리부(6)는, 수직 자세로 전후로 배열된 복수매의 기판(8)으로 형성된 로트에 에칭이나, 세정이나, 건조 등의 처리를 행한다.The lot processing unit 6 performs processing such as etching, cleaning, and drying on a lot formed of a plurality of substrates 8 arranged in a vertical position back and forth.

로트 처리부(6)에는, 2대의 에칭 처리 장치(23)와, 세정 처리 장치(24)와, 기판 보유 지지체 세정 처리 장치(25)와, 건조 처리 장치(26)가 나란히 마련되어 있다. 에칭 처리 장치(23)는, 로트에 에칭 처리를 행한다. 세정 처리 장치(24)는, 로트의 세정 처리를 행한다. 기판 보유 지지체 세정 처리 장치(25)는, 기판 보유 지지체(22)의 세정 처리를 행한다. 건조 처리 장치(26)는, 로트의 건조 처리를 행한다. 또한, 에칭 처리 장치(23)의 대수는, 2대에 한정되는 것은 아니고, 1대여도 되고, 3대 이상이어도 된다.In the lot processing unit 6, two etching processing devices 23, a cleaning processing device 24, a substrate holder cleaning processing device 25, and a drying processing device 26 are provided side by side. The etching processing apparatus 23 performs etching processing on the lot. The cleaning processing device 24 performs lot cleaning processing. The substrate holder cleaning processing device 25 performs cleaning processing of the substrate holder 22 . The drying processing device 26 performs drying processing of the lot. In addition, the number of etching processing apparatuses 23 is not limited to two, and may be one or three or more.

에칭 처리 장치(23)는, 에칭용의 처리조(27)와, 린스용의 처리조(28)와, 기판 승강 기구(29, 30)를 갖는다.The etching processing apparatus 23 includes a processing bath 27 for etching, a processing bath 28 for rinsing, and substrate elevating mechanisms 29 and 30 .

에칭용의 처리조(27)에는, 에칭용의 처리액(이하, 「에칭액」이라 함)이 저류되며, 에칭 처리가 행해진다. 린스용의 처리조(28)에는, 린스용의 처리액(순수 등)이 저류되며, 린스 처리가 행해진다. 또한, 에칭용의 처리조(27)의 상세에 대해서는 후술한다.In the processing tank 27 for etching, a processing liquid for etching (hereinafter, referred to as “etching liquid”) is stored, and an etching process is performed. In the rinsing treatment tank 28, a rinsing treatment liquid (pure water, etc.) is stored, and a rinsing treatment is performed. Details of the processing tank 27 for etching will be described later.

기판 승강 기구(29, 30)에는, 로트를 형성하는 복수매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 보유 지지된다.In the substrate elevating mechanisms 29 and 30, a plurality of substrates 8 forming a lot are arranged in a vertical position forward and backward and held.

세정 처리 장치(24)는, 세정용의 처리조(31)와, 린스용의 처리조(32)와, 기판 승강 기구(33, 34)를 갖는다.The cleaning treatment device 24 includes a treatment tank 31 for cleaning, a treatment tank 32 for rinsing, and substrate elevating mechanisms 33 and 34 .

세정용의 처리조(31)에는, 세정용의 처리액(SC-1 등)이 저류된다. 린스용의 처리조(32)에는, 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다. 기판 승강 기구(33, 34)에는, 1로트분의 복수매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 보유 지지된다.In the cleaning treatment tank 31, a cleaning treatment liquid (SC-1 or the like) is stored. In the rinsing treatment tank 32, a rinsing treatment liquid (pure water or the like) is stored. In the substrate elevating mechanisms 33 and 34, a plurality of substrates 8 for one lot are arranged in a vertical position forward and backward and held.

건조 처리 장치(26)는, 처리조(35)와, 처리조(35)에 대하여 승강하는 기판 승강 기구(36)를 갖는다.The dry processing apparatus 26 includes a treatment tank 35 and a substrate lifting mechanism 36 that moves up and down with respect to the treatment tank 35 .

처리조(35)에는, 건조용의 처리 가스(IPA(이소프로필알코올) 등)가 공급된다. 기판 승강 기구(36)에는, 1로트분의 복수매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 보유 지지된다.A processing gas for drying (such as IPA (isopropyl alcohol)) is supplied to the processing tank 35 . In the substrate elevating mechanism 36, a plurality of substrates 8 for one lot are arranged in a vertical position forward and backward and held.

건조 처리 장치(26)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 보유 지지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(36)로 수취하고, 수취한 로트를 기판 승강 기구(36)로 강하시켜 처리조(35)에 반입하고, 처리조(35)에 공급한 건조용의 처리 가스로 로트의 건조 처리를 행한다. 그리고, 건조 처리 장치(26)는, 기판 승강 기구(36)로 로트를 상승시키고, 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 보유 지지체(22)에, 건조 처리를 행한 로트를 전달한다.The dry processing apparatus 26 receives the lot from the substrate holding body 22 of the lot transport mechanism 19 by the substrate lifting mechanism 36, and lowers the received lot by the substrate lifting mechanism 36 to transfer the lot to the processing tank ( 35), and the lot is dried with the processing gas supplied to the processing tank 35 for drying. Then, the drying processing device 26 lifts the lot with the substrate lifting mechanism 36 and transfers the dried lot from the substrate lifting mechanism 36 to the substrate holding body 22 of the lot transport mechanism 19. convey

기판 보유 지지체 세정 처리 장치(25)는, 처리조(37)를 갖고, 처리조(37)에 세정용의 처리액, 및 건조 가스를 공급한다. 기판 보유 지지체 세정 처리 장치(25)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 보유 지지체(22)에 세정용의 처리액을 공급한 후, 건조 가스를 공급함으로써 기판 보유 지지체(22)의 세정 처리를 행한다.The substrate holder cleaning treatment device 25 has a treatment tank 37 and supplies a treatment liquid for cleaning and a drying gas to the treatment tank 37 . The substrate holder cleaning treatment device 25 supplies a cleaning treatment liquid to the substrate holders 22 of the lot conveyance mechanism 19 and then supplies a drying gas to perform a cleaning treatment of the substrate holders 22. do

다음에, 에칭용의 처리조(27)에 대하여, 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 실시 형태에 관한 에칭용의 처리조(27)의 구성을 도시하는 개략 블록도이다. 도 2에 도시한 처리조(27)에서는, 에칭 처리에서 사용하는 에칭액(처리액)으로서, 인산(H3PO4) 수용액이 사용된다. 또한, 여기에서 나타내는 에칭 처리는, 일례이며, 에칭액이 인산 수용액에 한정되는 것은 아니다.Next, the treatment bath 27 for etching will be described with reference to FIG. 2 . Fig. 2 is a schematic block diagram showing the configuration of a processing tank 27 for etching according to the embodiment. In the treatment tank 27 shown in Fig. 2, an aqueous solution of phosphoric acid (H3PO4) is used as an etching solution (treatment solution) used in the etching treatment. Note that the etching treatment shown here is an example, and the etching solution is not limited to an aqueous phosphoric acid solution.

에칭용의 처리조(27)는, 내조(43)와, 외조(44)를 갖는다. 처리조(27)에는, 인산 수용액 및 순수(DIW)가 각 공급원(도시하지 않음)으로부터 공급되어, 에칭액의 인산 농도가 조정된다.The processing tank 27 for etching has an inner tank 43 and an outer tank 44 . A phosphoric acid aqueous solution and pure water (DIW) are supplied to the treatment tank 27 from respective supply sources (not shown), and the phosphoric acid concentration of the etching solution is adjusted.

내조(43)는, 상부가 개방되어, 에칭액이 상부 부근까지 공급된다. 내조(43)에서는, 기판 승강 기구(29)에 의해 로트(복수매의 기판(8))가 에칭액에 침지되어, 기판(8)에 에칭 처리가 행해진다. 즉, 처리조(27)(기판 처리조의 일례)는, 기판(8)이 침지됨으로써 기판(8)의 처리를 행한다.The inner tub 43 has an open top, and an etchant is supplied to near the top. In the inner tub 43, a lot (a plurality of substrates 8) is immersed in an etchant by means of the substrate elevating mechanism 29, and the substrates 8 are etched. That is, the processing tank 27 (an example of a substrate processing tank) processes the substrate 8 by immersing the substrate 8 therein.

내조(43)에는, 내조(43) 내의 에칭액의 온도를 검출하는 온도 센서(48)가 마련된다. 온도 센서(48)(제2 온도 센서의 일례)는, 내조(43)(기판 처리조의 일례)의 상부에 마련되어, 내조(43)의 에칭액(처리액의 일례)의 온도를 검출한다. 구체적으로는, 온도 센서(48)는, 내조(43)의 상부에 있어서의 에칭액의 온도를 검출한다. 이하에서는, 온도 센서(48)에 의해 검출되는 에칭액의 온도를 「조내 온도」라 칭하는 경우가 있다.The inner tub 43 is provided with a temperature sensor 48 that detects the temperature of the etchant in the inner tub 43 . The temperature sensor 48 (an example of a second temperature sensor) is provided above the inner tub 43 (an example of a substrate processing tank) and detects the temperature of the etching liquid (an example of a processing liquid) in the inner bath 43 . Specifically, the temperature sensor 48 detects the temperature of the etchant at the top of the inner tub 43 . Below, the temperature of the etching liquid detected by the temperature sensor 48 may be called "temperature in a tank".

외조(44)는, 내조(43)의 상부 주위에 마련됨과 함께 상부가 개방된다. 외조(44)에는, 내조(43)로부터 오버플로한 에칭액이 유입된다.The outer tub 44 is provided around the top of the inner tub 43 and has an open top. The etchant overflowing from the inner tank 43 flows into the outer tank 44 .

외조(44)와 내조(43)는 제1 순환 라인(50)에 의해 접속된다. 제1 순환 라인(50)의 일단은, 외조(44)에 접속되고, 제1 순환 라인(50)의 타단은, 내조(43) 내에 설치된 처리액 공급 노즐(46)에 접속된다.The outer tank 44 and the inner tank 43 are connected by a first circulation line 50. One end of the first circulation line 50 is connected to the outer tub 44 , and the other end of the first circulation line 50 is connected to the processing liquid supply nozzle 46 installed in the inner tub 43 .

처리액 공급 노즐(46)은, 내조(43)의 하부에 마련되며, 내조(43)의 하방측으로부터 에칭액을 토출한다. 처리액 공급 노즐(46)은, 복수 마련된다.The processing liquid supply nozzle 46 is provided below the inner tub 43 and discharges the etching liquid from the lower side of the inner tub 43 . A plurality of processing liquid supply nozzles 46 are provided.

제1 순환 라인(50)은, 처리조(27)(기판 처리조의 일례)에 에칭액(처리액의 일례)을 유입시키는 복수의 분기 라인(50a)을 구비한다. 분기 라인(50a)은, 처리액 공급 노즐(46)의 수에 맞추어 마련된다. 분기 라인(50a)은, 처리액 공급 노즐(46)에 접속된다. 또한, 도 2에 있어서는, 처리액 공급 노즐(46), 및 분기 라인(50a)을 3개 기재하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.The first circulation line 50 includes a plurality of branch lines 50a through which an etching liquid (an example of a processing liquid) flows into the processing bath 27 (an example of a substrate processing bath). Branch lines 50a are provided according to the number of processing liquid supply nozzles 46 . The branch line 50a is connected to the processing liquid supply nozzle 46 . In addition, although FIG. 2 describes the process liquid supply nozzle 46 and three branch lines 50a, it is not limited to this.

제1 순환 라인(50)은, 처리조(27)(기판 처리조의 일례)에 접속되어, 처리조(27)로부터 배출된 에칭액(처리액의 일례)을 처리조(27)에 유입시킨다. 제1 순환 라인(50)에는, 외조(44)측으로부터 순서대로 펌프(51), 히터(52), 필터(53), 접속부(54), 믹서(55), 및 온도 센서(56)가 마련된다. 즉, 제1 순환 라인(50)에는, 제1 순환 라인(50)에 있어서의 에칭액의 흐름 방향에 있어서, 상류측으로부터 하류측에 걸쳐, 펌프(51), 히터(52), 필터(53), 접속부(54), 믹서(55), 및 온도 센서(56)가 마련된다.The first circulation line 50 is connected to the treatment tank 27 (an example of a substrate treatment tank) and causes the etching liquid (an example of the treatment liquid) discharged from the treatment tank 27 to flow into the treatment tank 27 . In the first circulation line 50, a pump 51, a heater 52, a filter 53, a connector 54, a mixer 55, and a temperature sensor 56 are provided in order from the outer tank 44 side. do. That is, in the first circulation line 50, in the flow direction of the etchant in the first circulation line 50, from the upstream side to the downstream side, the pump 51, the heater 52, and the filter 53 , a connecting portion 54, a mixer 55, and a temperature sensor 56 are provided.

펌프(51)(제1 송액부의 일례)는, 제1 순환 라인(50)에 있어서 에칭액(처리액의 일례)을 압송한다. 펌프(51)를 구동시킴으로써, 에칭액은, 외조(44)로부터 제1 순환 라인(50)을 거쳐 내조(43) 내로 보내진다. 또한, 에칭액은, 내조(43)로부터 오버플로함으로써, 다시 외조(44)로 유출된다. 이와 같이 하여, 에칭액이 순환된다. 또한, 펌프(51)에 의한 에칭액의 압송은, 기판(8)의 에칭 처리를 행하고 있는 동안 행해진다.The pump 51 (an example of the first liquid feeding unit) pumps the etching liquid (an example of the processing liquid) in the first circulation line 50 . By driving the pump 51, the etchant is sent from the outer tank 44 into the inner tank 43 via the first circulation line 50. Further, the etching solution flows out into the outer tank 44 again by overflowing from the inner tank 43 . In this way, the etchant is circulated. In addition, the pump 51 pressurizes the etchant while the substrate 8 is being etched.

히터(52)(가열부의 일례)는, 에칭액(처리액의 일례)을 가열한다. 구체적으로는, 히터(52)는, 내조(43)에 공급되는 에칭액을, 에칭 처리에 적합한 온도로 가열한다. 히터(52)는, 제어 장치(100)(도 1 참조)로부터의 신호에 기초하여 출력, 즉 에칭액의 가열량이 제어된다. 히터(52)는, 예를 들어 시즈 히터이다.The heater 52 (an example of a heating unit) heats an etchant (an example of a processing liquid). Specifically, the heater 52 heats the etchant supplied to the inner tub 43 to a temperature suitable for the etching process. The heater 52 is output based on a signal from the control device 100 (see FIG. 1 ), that is, the heating amount of the etchant is controlled. The heater 52 is, for example, a sheath heater.

필터(53)는, 에칭액(처리액의 일례) 중의 이물을 제거한다. 접속부(54)에서는, 제2 순환 라인(60)이 접속된다. 믹서(55)(교반부의 일례)는, 접속부(54)보다도 하류측의 제1 순환 라인(50)에 마련되며, 에칭액(처리액의 일례)을 교반한다. 믹서(55)는, 제1 순환 라인(50)을 흐르는 에칭액을 교반한다. 구체적으로는, 믹서(55)는, 제1 순환 라인(50)을 흐르는 에칭액과, 제2 순환 라인(60)으로부터 유입된 에칭액을 교반하여, 에칭액의 온도를 균일하게 한다.The filter 53 removes foreign substances in the etchant (an example of the treatment liquid). At the connecting portion 54, the second circulation line 60 is connected. The mixer 55 (an example of the stirring unit) is provided in the first circulation line 50 on the downstream side of the connecting unit 54 and stirs the etching liquid (an example of the processing liquid). The mixer 55 stirs the etchant flowing through the first circulation line 50 . Specifically, the mixer 55 stirs the etchant flowing through the first circulation line 50 and the etchant flowing in from the second circulation line 60 to make the temperature of the etchant uniform.

온도 센서(56)(제1 온도 센서의 일례)는, 접속부(54)보다도 하류측의 제1 순환 라인(50)에 마련되며, 제1 순환 라인(50)을 흐르는 에칭액(처리액의 일례)의 온도를 검출한다. 온도 센서(56)는, 제2 순환 라인(60)으로부터 합류한 에칭액이 혼입된 에칭액의 온도를 계측한다. 온도 센서(56)는, 내조(43) 부근에 마련된다. 즉, 온도 센서(56)는, 내조(43)에 유입되는 에칭액의 온도를 계측한다. 이하에서는, 온도 센서(56)에 의해 검출되는 에칭액의 온도를 「유입 온도」라 칭하는 경우가 있다. 온도 센서(56)는, 히터(52)로부터 토출되는 에칭액의 온도, 즉 히터(52)의 출구의 에칭액의 온도를 검출해도 된다.The temperature sensor 56 (an example of the first temperature sensor) is provided in the first circulation line 50 on the downstream side of the connecting portion 54, and an etching liquid (an example of the processing liquid) flowing through the first circulation line 50. detect the temperature of The temperature sensor 56 measures the temperature of the etchant mixed with the etchant joined from the second circulation line 60 . The temperature sensor 56 is provided near the inner tub 43 . That is, the temperature sensor 56 measures the temperature of the etchant flowing into the inner tub 43 . Below, the temperature of the etchant detected by the temperature sensor 56 may be referred to as "inflow temperature". The temperature sensor 56 may detect the temperature of the etchant discharged from the heater 52, that is, the temperature of the etchant at the outlet of the heater 52.

또한, 제1 순환 라인(50)에는, 배출 라인(도시하지 않음)이 접속된다. 배출 라인은, 에칭 처리에서 사용된 에칭액의 전부, 또는 일부를 교체할 때 사용되며, 에칭액을 배출한다.Further, a discharge line (not shown) is connected to the first circulation line 50 . The discharge line is used when replacing all or part of the etchant used in the etching process, and discharges the etchant.

제2 순환 라인(60)은, 제1 순환 라인(50)에 접속되어, 처리조(27)(기판 처리조의 일례)로부터 배출된 에칭액을 제1 순환 라인(50)에 합류시킨다. 제2 순환 라인(60)의 일단은, 외조(44)에 접속되고, 제2 순환 라인(60)의 타단은, 제1 순환 라인(50)의 접속부(54)에 접속된다. 즉, 제2 순환 라인(60)은, 제1 순환 라인(50)에 마련된 펌프(51), 히터(52), 및 필터(53)를 바이패스하여, 제1 순환 라인(50)에 접속된다. 환언하면, 제2 순환 라인(60)은, 제1 순환 라인(50)에 있어서의 에칭액(처리액의 일례)의 흐름 방향에 있어서, 펌프(51)(제1 송액부의 일례), 및 히터(52)(가열부의 일례)보다도 하류측의 접속부(54)에 접속된다.The second circulation line 60 is connected to the first circulation line 50 so that the etchant discharged from the treatment tank 27 (an example of a substrate treatment tank) joins the first circulation line 50 . One end of the second circulation line 60 is connected to the outer tank 44, and the other end of the second circulation line 60 is connected to the connecting portion 54 of the first circulation line 50. That is, the second circulation line 60 is connected to the first circulation line 50 by bypassing the pump 51, the heater 52, and the filter 53 provided in the first circulation line 50. . In other words, in the flow direction of the etching liquid (an example of the processing liquid) in the second circulation line 60 in the first circulation line 50, the pump 51 (an example of the first liquid supply unit) and the heater ( 52) (an example of a heating part) and is connected to a downstream connecting part 54.

제2 순환 라인(60)은, 에칭액(처리액의 일례)을 압송하는 펌프(61)를 구비한다. 제2 순환 라인(60)에는, 제1 순환 라인(50)에 마련된 히터(52) 등이 마련되어 있지 않다. 그 때문에, 제2 순환 라인(60)은, 제1 순환 라인(50)보다도, 에칭액을 압송할 때의 압력 손실이 작다.The second circulation line 60 includes a pump 61 that pumps an etching liquid (an example of a processing liquid). The heater 52 or the like provided in the first circulation line 50 is not provided in the second circulation line 60 . Therefore, the second circulation line 60 has a smaller pressure loss than the first circulation line 50 at the time of pressurizing the etchant.

다음에, 실시 형태에 관한 제어 장치(100)에 대하여 설명한다. 제어 장치(100)는, 기판 처리 장치(1)의 각 부(캐리어 반입출부(2), 로트 형성부(3), 로트 적재부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6))의 동작을 제어한다. 제어 장치(100)는, 스위치 등으로부터의 신호에 기초하여, 기판 처리 장치(1)의 각 부의 동작을 제어한다.Next, the control device 100 according to the embodiment will be described. The control device 100 includes each unit of the substrate processing apparatus 1 (carrier loading/unloading unit 2, lot forming unit 3, lot loading unit 4, lot transfer unit 5, lot processing unit 6) ) to control the operation of The control device 100 controls the operation of each part of the substrate processing apparatus 1 based on a signal from a switch or the like.

여기서, 실시 형태의 제어 장치(100)에 있어서 에칭 처리를 실행하는 기능의 일부에 대하여 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 실시 형태에 관한 제어 장치(100)의 일부를 설명하는 블록도이다.Here, a part of the function of performing the etching process in the control device 100 of the embodiment will be described with reference to FIG. 3 . 3 is a block diagram illustrating a part of the control device 100 according to the embodiment.

제어 장치(100)는, 제어부(110)와, 기억부(120)를 구비한다. 제어부(110)는, 취득부(111)와, 산출부(112)와, 판정부(113)와, 지시부(114)를 구비한다.The control device 100 includes a control unit 110 and a storage unit 120 . The control unit 110 includes an acquisition unit 111, a calculation unit 112, a determination unit 113, and an instruction unit 114.

제어부(110)는, 예를 들어 CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), HDD(Hard Disk Drive), 입출력 포트 등을 갖는 컴퓨터나 각종 회로를 포함한다.The controller 110 includes, for example, a computer having a central processing unit (CPU), a read only memory (ROM), a random access memory (RAM), a hard disk drive (HDD), an input/output port, or various circuits.

컴퓨터의 CPU는, 예를 들어 ROM에 기억된 프로그램을 RAM에 읽어내어 실행함으로써, 제어부(110)의 취득부(111)와, 산출부(112), 판정부(113), 지시부(114)로서 기능한다. 그때, RAM은, CPU의 워크 에어리어로서 사용된다. 또한, RAM은, 에칭 처리에 의해 얻어진 데이터 등을 일시적으로 기억할 수 있다.The CPU of the computer reads, for example, a program stored in ROM into RAM and executes the program as the acquisition unit 111, the calculation unit 112, the determination unit 113, and the instruction unit 114 of the control unit 110. function At that time, the RAM is used as a work area of the CPU. Also, the RAM can temporarily store data and the like obtained by the etching process.

또한, 제어부(110)의 적어도 어느 일부 또는 전부를 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)나 FPGA(Field Programmable Gate Array) 등의 하드웨어로 구성할 수도 있다.In addition, at least a part or all of the controller 110 may be configured with hardware such as an Application Specific Integrated Circuit (ASIC) or a Field Programmable Gate Array (FPGA).

또한, 기억부(120)는, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체이다. 기억부(120)에는, 기판 처리 장치(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다.Also, the storage unit 120 is a computer-readable storage medium. The storage unit 120 stores programs for controlling various processes executed in the substrate processing apparatus 1 .

제어 장치(100)는, 기억부(120)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 장치(1)의 동작을 제어한다. 또한, 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억부(120)에 기억되어 있던 것이며, 다른 기억 매체로부터 제어 장치(100)의 기억부(120)에 인스톨된 것이어도 된다.The control device 100 controls the operation of the substrate processing device 1 by reading and executing a program stored in the storage unit 120 . In addition, the program was stored in the computer-readable storage unit 120, and may be installed in the storage unit 120 of the control device 100 from another storage medium.

컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억부(120)로서는, 예를 들어 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네트 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.Examples of the computer-readable storage unit 120 include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.

취득부(111)는, 각 온도 센서(48, 56)로부터 신호를 취득한다. 산출부(112)는, 제1 온도차, 및 제2 온도차를 산출한다.Acquisition unit 111 acquires signals from respective temperature sensors 48 and 56 . The calculator 112 calculates the first temperature difference and the second temperature difference.

제1 온도차는, 온도 센서(56)에 의해 검출된 온도와, 온도 센서(48)에 의해 검출된 온도의 차이다. 즉, 제1 온도차는, 유입 온도와, 조내 온도의 차이다.The first temperature difference is the difference between the temperature detected by the temperature sensor 56 and the temperature detected by the temperature sensor 48 . That is, the first temperature difference is the difference between the inlet temperature and the tank temperature.

제2 온도차는, 유입 온도와, 내조(43)에 유입되는 에칭액의 원하는 온도의 차이다. 원하는 온도는, 미리 설정된 온도이며, 조내 온도의 설정 온도이다.The second temperature difference is the difference between the inflow temperature and the desired temperature of the etchant flowing into the inner tank 43 . The desired temperature is a preset temperature and is a preset temperature of the vessel temperature.

판정부(113)는, 제1 온도차가 미리 설정된 제1 역치보다도 큰지 여부를 판정한다. 판정부(113)는, 제2 온도차가 미리 설정된 제2 역치보다도 큰지 여부를 판정한다. 제2 역치는, 제1 역치보다도 작다. 제1 역치는, 예를 들어 3℃이다. 제2 역치는, 예를 들어 2℃이다.The determination part 113 determines whether the 1st temperature difference is larger than the 1st threshold set in advance. The determination part 113 determines whether the 2nd temperature difference is larger than the 2nd threshold set in advance. The second threshold is smaller than the first threshold. The first threshold is, for example, 3°C. The second threshold is, for example, 2°C.

판정부(113)는, 기판(8)에 대한 처리가 종료되었는지 여부를 판정한다. 예를 들어, 판정부(113)는, 기판(8)을 내조(43)에 침지시킨 후에, 미리 설정된 처리 시간이 경과하였는지 여부를 판정한다. 판정부(113)는, 기판(8)을 내조(43)에 침지시킨 후에, 처리 시간이 경과한 경우에, 기판(8)에 대한 처리가 종료되었다고 판정한다.The determination unit 113 determines whether the processing of the substrate 8 has ended. For example, the determination unit 113 determines whether a preset processing time has elapsed after the substrate 8 is immersed in the inner tub 43 . When the processing time has elapsed after the substrate 8 is immersed in the inner tub 43, the determination unit 113 determines that the processing of the substrate 8 has ended.

지시부(114)는, 제1 순환 라인(50)에 마련된 펌프(51)의 유량을 미리 설정된 일정 유량으로 하는 지시 신호를 생성한다.The instruction unit 114 generates an instruction signal that makes the flow rate of the pump 51 provided in the first circulation line 50 a predetermined constant flow rate.

지시부(114)는, 제1 온도차가 제1 역치보다도 큰 경우에는, 제2 순환 라인(60)에 마련된 펌프(61)의 유량을 제1 유량 제어에 의해 조정하는 지시 신호를 생성한다. 구체적으로는, 지시부(114)는, 제1 온도차가 제1 역치 이하가 되도록, 제1 온도차에 기초하여 펌프(61)의 유량을 조정하는 지시 신호를 생성한다. 예를 들어, 지시부(114)는, 펌프(61)를 작동시켜 제2 순환 라인(60)으로부터 에칭액을 압송하는 유량을 증가시키는 지시 신호를 생성한다.The instruction unit 114 generates an instruction signal for adjusting the flow rate of the pump 61 provided in the second circulation line 60 by the first flow rate control when the first temperature difference is larger than the first threshold value. Specifically, the instruction unit 114 generates an instruction signal for adjusting the flow rate of the pump 61 based on the first temperature difference so that the first temperature difference becomes equal to or less than the first threshold value. For example, the instruction unit 114 operates the pump 61 to generate an instruction signal to increase the flow rate of the etchant from the second circulation line 60 .

지시부(114)는, 제1 온도차가 제1 역치 이하이며, 또한 제2 온도차가 제2 역치보다도 큰 경우에는, 제2 순환 라인(60)에 마련된 펌프(61)의 유량을 제2 유량 제어에 의해 조정하는 지시 신호를 생성한다. 구체적으로는, 지시부(114)는, 제2 온도차가 제2 역치 이하가 되도록, 제2 온도차에 기초하여 펌프(61)의 유량을 조정하는 지시 신호를 생성한다. 예를 들어, 지시부(114)는, 펌프(61)를 작동시켜, 제1 유량 제어에 있어서의 유량보다도 적은 유량을 제2 순환 라인(60)으로부터 제1 순환 라인(50)을 향하여 압송하는 지시 신호를 생성한다.The instruction unit 114 sets the flow rate of the pump 61 provided in the second circulation line 60 to the second flow rate control when the first temperature difference is equal to or less than the first threshold value and the second temperature difference is greater than the second threshold value. generates an indication signal that is controlled by Specifically, the instruction unit 114 generates an instruction signal for adjusting the flow rate of the pump 61 based on the second temperature difference so that the second temperature difference becomes equal to or less than the second threshold value. For example, the instruction unit 114 operates the pump 61 to direct a flow rate smaller than the flow rate in the first flow control from the second circulation line 60 toward the first circulation line 50. generate a signal

지시부(114)는, 제2 온도차가 제2 역치 이하인 경우에는, 제2 순환 라인(60)에 마련된 펌프(61)의 유량을 안정 제어에 의해 조정하는 지시 신호를 생성한다. 구체적으로는, 지시부(114)는, 온도 센서(56)에 의해 검출된 유입 온도가 원하는 온도가 되도록, 유입 온도에 기초하여 제2 순환 라인(60)에 마련된 펌프(61)의 유량을 제어하는 지시 신호를 생성한다. 예를 들어, 지시부(114)는, 펌프(61)의 동작을 정지시켜, 제2 순환 라인(60)으로부터의 압송을 정지시키는 지시 신호를 생성한다.The instruction unit 114 generates an instruction signal for adjusting the flow rate of the pump 61 provided in the second circulation line 60 by stable control when the second temperature difference is equal to or less than the second threshold value. Specifically, the indicator 114 controls the flow rate of the pump 61 provided in the second circulation line 60 based on the inflow temperature so that the inflow temperature detected by the temperature sensor 56 becomes a desired temperature. Generates an instruction signal. For example, the instruction unit 114 stops the operation of the pump 61, and generates an instruction signal for stopping the pumping from the second circulation line 60.

지시부(114)는, 생성한 지시 신호를 펌프(51, 61)에 출력한다. 이에 의해, 제1 순환 라인(50)에 마련된 펌프(51)는, 일정 유량에 의해 에칭액을 압송한다. 또한, 제2 순환 라인(60)에 마련된 펌프(61)는, 각 제어에 의해 설정된 유량에 의해 에칭액을 압송한다.The instruction unit 114 outputs the generated instruction signal to the pumps 51 and 61 . Thereby, the pump 51 provided in the 1st circulation line 50 pumps the etchant by a constant flow rate. Moreover, the pump 61 provided in the 2nd circulation line 60 pumps etching liquid by the flow rate set by each control.

이와 같이, 제어 장치(100)는, 펌프(51)(제1 송액부의 일례), 및 펌프(61)(제2 송액부의 일례)를 제어한다. 제어 장치(100)는, 유입 온도(온도 센서(56)에 의해 검출된 온도의 일례)에 기초하여, 펌프(61)(제2 송액부의 일례)에 의해 압송되는 에칭액(처리액의 일례)의 유량을 제어한다.In this way, the control device 100 controls the pump 51 (an example of the first liquid delivery unit) and the pump 61 (an example of the second liquid delivery unit). The control device 100 determines the temperature of the etchant (an example of the processing liquid) pumped by the pump 61 (an example of the second liquid feeding unit) based on the inflow temperature (an example of the temperature detected by the temperature sensor 56). control the flow.

에칭 처리에서는, 제2 순환 라인(60)에 있어서의 에칭액의 유량이 조정되어, 처리액 공급 노즐(46)로부터 내조(43)에 유입되는 에칭액의 유량이 조정된다. 제1 순환 라인(50)을 흐르는 에칭액과, 제2 순환 라인(60)을 흐르는 에칭액은, 접속부(54)에 의해 합류한다. 그 때문에, 제2 순환 라인(60)에 있어서의 에칭액의 유량이 조정됨으로써, 접속부(54)보다도 하류의 에칭액의 온도가 조정된다.In the etching process, the flow rate of the etchant in the second circulation line 60 is adjusted, and the flow rate of the etchant flowing from the process liquid supply nozzle 46 into the inner tank 43 is adjusted. The etchant flowing through the first circulation line 50 and the etchant flowing through the second circulation line 60 are joined by the connecting portion 54 . Therefore, by adjusting the flow rate of the etchant in the second circulation line 60, the temperature of the etchant downstream of the connecting portion 54 is adjusted.

여기서, 실시 형태에 관한 유량 조정 처리를 실행한 경우의 에칭액의 온도 변화에 대하여, 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 실시 형태에 관한 유량 조정 처리에 있어서의 에칭액의 온도 변화를 도시하는 도면이다. 도 4에서는, 조내 온도를 실선으로 나타낸다. 또한, 도 4에서는, 유입 온도를 일점쇄선으로 나타낸다.Here, the temperature change of the etchant at the time of performing the flow rate adjustment process according to the embodiment will be described with reference to FIG. 4 . 4 is a diagram showing temperature changes of the etchant in the flow rate adjustment process according to the embodiment. In Fig. 4, the temperature in the tank is indicated by a solid line. In addition, in FIG. 4, inlet temperature is shown by the one-dotted chain line.

시간 t0에 있어서, 내조(43)에 기판(8)이 침지된다. 기판(8)의 온도는, 내조(43)의 에칭액의 온도보다도 낮기 때문에, 기판(8)이 침지됨으로써, 조내 온도가 낮아진다. 또한, 제1 순환 라인(50)을 흐르는 에칭액의 온도도 낮아진다. 제1 순환 라인(50)에는 히터(52)가 마련되어, 에칭액이 가열되기 때문에, 유입 온도의 온도 저하는, 조내 온도의 온도 저하보다도 작다. 그 때문에, 유입 온도와 조내 온도의 차인 제1 온도차는, 제1 역치보다도 커진다.At time t0, the substrate 8 is immersed in the inner tub 43. Since the temperature of the substrate 8 is lower than the temperature of the etchant in the inner tank 43, the temperature in the tank lowers when the substrate 8 is immersed. In addition, the temperature of the etchant flowing through the first circulation line 50 is also lowered. Since the heater 52 is provided in the 1st circulation line 50 and the etchant is heated, the temperature drop of inlet temperature is smaller than the temperature drop of the tank inside temperature. Therefore, the first temperature difference, which is the difference between the inlet temperature and the temperature inside the tank, is larger than the first threshold value.

그 때문에, 제2 순환 라인(60)에 마련된 펌프(61)는, 제1 유량 제어에 의해 제어된다. 제2 순환 라인(60)에 마련된 펌프(61)의 유량은, 제1 온도차에 기초한 제1 유량 제어에 의해 조정되고, 제1 순환 라인(50)에 마련된 히터(52)에 의해 가열된 에칭액에, 제2 순환 라인(60)을 흐르는 에칭액이 합류한다. 제2 순환 라인(60)을 흐르는 에칭액이 제1 순환 라인(50)을 흐르는 에칭액에 합류함으로써, 내조(43)의 에칭액과의 온도차가 억제된 에칭액이 처리액 공급 노즐(46)로부터 내조(43)에 유입된다.Therefore, the pump 61 provided in the second circulation line 60 is controlled by the first flow rate control. The flow rate of the pump 61 provided in the second circulation line 60 is adjusted by the first flow rate control based on the first temperature difference, and the etchant heated by the heater 52 provided in the first circulation line 50 , the etchant flowing through the second circulation line 60 joins. When the etchant flowing through the second circulation line 60 joins the etchant flowing through the first circulation line 50, the temperature difference between the etchant and the etchant in the inner tub 43 is suppressed, and the etchant flows from the treatment solution supply nozzle 46 to the inner tub 43. ) is introduced into

즉, 기판 처리 장치(1)는, 제1 순환 라인(50)에 마련된 히터(52)에 의해 에칭액을 가열하면서, 내조(43)의 에칭액과의 온도차가 억제된 에칭액을 처리액 공급 노즐(46)로부터 내조(43)에 유입시킨다. 그 때문에, 내조(43)에 있어서의 에칭액에서 온도차가 발생하는 것이 억제되어, 에칭액의 온도 균일성이 향상된다.That is, in the substrate processing apparatus 1, while heating the etchant with the heater 52 provided in the first circulation line 50, the etchant in which the temperature difference between the temperature difference with the etchant in the inner tub 43 is suppressed is supplied to the treatment liquid supply nozzle 46 ) into the inner tank 43. Therefore, generation of a temperature difference in the etchant in the inner tank 43 is suppressed, and the temperature uniformity of the etchant is improved.

또한, 히터 등이 마련되어 있지 않은 제2 순환 라인(60)에 의해, 내조(43)에 유입되는 에칭액의 유량이 증가된다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 압력 손실의 증가를 억제하면서, 내조(43)에 유입되는 에칭액의 유량을 증가시킨다. 그 때문에, 내조(43)에 있어서의 에칭액의 교반성이 향상되어, 에칭액의 온도 균일성이 향상된다.In addition, the flow rate of the etchant flowing into the inner tub 43 is increased by the second circulation line 60 without a heater or the like. Therefore, the substrate processing apparatus 1 increases the flow rate of the etchant flowing into the inner tank 43 while suppressing an increase in pressure loss. Therefore, the agitation of the etchant in the inner tank 43 is improved, and the temperature uniformity of the etchant is improved.

히터(52)에 의해 가열된 에칭액이 내조(43)에 유입됨으로써, 내조(43)의 에칭액의 온도가 높아져, 제1 온도차가 작아진다.When the etchant heated by the heater 52 flows into the inner tub 43, the temperature of the etchant in the inner tub 43 rises and the first temperature difference decreases.

시간 t1에 있어서, 제1 온도차가 제1 역치 이하로 되면, 제2 순환 라인(60)에 마련된 펌프(61)의 유량이 제2 유량 제어에 의해 조정된다. 여기에서는, 제2 온도차가 제2 역치 이하로 되도록, 제2 온도차에 기초하여 제2 순환 라인(60)에 마련된 펌프(61)의 유량이 조정된다.In time t1, when the 1st temperature difference becomes below a 1st threshold value, the flow rate of the pump 61 provided in the 2nd circulation line 60 is adjusted by the 2nd flow rate control. Here, the flow rate of the pump 61 provided in the second circulation line 60 is adjusted based on the second temperature difference so that the second temperature difference becomes equal to or less than the second threshold value.

이에 의해, 압력 손실의 증가를 억제하면서, 내조(43)에 유입되는 에칭액의 유량이 조정되어, 조내 온도가 원하는 온도에 가까워진다.As a result, while suppressing an increase in pressure loss, the flow rate of the etchant flowing into the inner tank 43 is adjusted, and the temperature in the tank approaches a desired temperature.

시간 t2에 있어서, 제2 온도차가 제2 역치 이하로 되면, 유입 온도가 일정해지도록, 제2 순환 라인(60)에 마련된 펌프(61)의 유량이, 유입 온도에 기초한 안정 제어에 의해 조정된다. 이에 의해, 내조(43)의 에칭액의 온도가, 원하는 온도에 서서히 수렴된다.At time t2, when the second temperature difference becomes equal to or less than the second threshold value, the flow rate of the pump 61 provided in the second circulation line 60 is adjusted by stable control based on the inlet temperature so that the inflow temperature becomes constant. . As a result, the temperature of the etchant in the inner tub 43 gradually converges to a desired temperature.

다음에, 실시 형태에 관한 유량 조정 처리에 대하여 도 5의 흐름도를 참조하여 설명한다. 도 5는 실시 형태에 관한 유량 조정 처리를 설명하는 흐름도이다.Next, flow rate adjustment processing according to the embodiment will be described with reference to a flowchart in FIG. 5 . 5 is a flowchart illustrating flow rate adjustment processing according to the embodiment.

제어 장치(100)는, 기판 승강 기구(29)에 의해 기판(8)을 내조(43)에 침지시킨다(S100).The control device 100 immerses the substrate 8 in the inner tub 43 by the substrate lifting mechanism 29 (S100).

제어 장치(100)는, 제1 온도차가 제1 역치보다도 큰지 여부를 판정한다(S101). 제어 장치(100)는, 제1 온도차가 제1 역치보다도 큰 경우에는(S101: "예"), 제1 유량 제어에 의해 펌프(61)를 제어하여, 제2 순환 라인(60)에 있어서의 에칭액의 유량을 조정한다(S102). 즉, 제어 장치(100)는, 온도 센서(56)(제1 온도 센서의 일례)에 의해 검출된 온도와, 온도 센서(48)(제2 온도 센서의 일례)에 의해 검출된 온도의 제1 온도차가, 미리 설정된 제1 역치보다도 큰 경우에는, 제1 온도차가 제1 역치 이하가 되도록, 펌프(61)(제2 송액부의 일례)에 의해 압송되는 에칭액(처리액의 일례)의 유량을 제어한다.The control device 100 determines whether or not the first temperature difference is larger than the first threshold (S101). The control device 100 controls the pump 61 by the first flow rate control when the first temperature difference is greater than the first threshold value (S101: "Yes"), and in the second circulation line 60 The flow rate of the etchant is adjusted (S102). That is, the control device 100 determines the temperature detected by the temperature sensor 56 (an example of a first temperature sensor) and the temperature detected by the temperature sensor 48 (an example of a second temperature sensor) at a first temperature. When the temperature difference is larger than the preset first threshold value, the flow rate of the etchant (an example of the processing liquid) that is pumped by the pump 61 (an example of the second liquid feeding unit) is controlled so that the first temperature difference is equal to or less than the first threshold value. do.

제어 장치(100)는, 제1 온도차가 제1 역치 이하인 경우에는(S101: "아니오"), 제2 온도차가 제2 역치보다도 큰지 여부를 판정한다(S103). 제어 장치(100)는, 제2 온도차가 제2 역치보다도 큰 경우에는(S103: "예"), 제2 유량 제어에 의해 펌프(61)를 제어하여, 제2 순환 라인(60)에 있어서의 에칭액의 유량을 조정한다(S104). 즉, 제어 장치(100)는, 온도 센서(56)(제1 온도 센서의 일례)에 의해 검출된 온도와, 원하는 온도(미리 설정된 처리액의 설정 온도)의 제2 온도차가, 제2 역치보다도 큰 경우에는, 제2 온도차가 제2 역치 이하가 되도록, 펌프(61)(제2 송액부의 일례)에 의해 압송되는 에칭액(처리액의 일례)의 유량을 제어한다.The control apparatus 100 determines whether the 2nd temperature difference is greater than a 2nd threshold value, when a 1st temperature difference is below a 1st threshold value (S101: "No") (S103). When the second temperature difference is greater than the second threshold (S103: Yes), the control device 100 controls the pump 61 by the second flow rate control, and in the second circulation line 60 The flow rate of the etchant is adjusted (S104). That is, the control device 100 determines that the second temperature difference between the temperature detected by the temperature sensor 56 (an example of the first temperature sensor) and the desired temperature (preset temperature of the processing liquid) is greater than the second threshold value. When it is large, the flow rate of the etching liquid (an example of the treatment liquid) that is pumped by the pump 61 (an example of the second liquid supply unit) is controlled so that the second temperature difference is equal to or less than the second threshold.

제어 장치(100)는, 제2 온도차가 제2 역치 이하인 경우에는(S103: "아니오"), 안정 제어에 의해 펌프(61)를 제어하여, 제2 순환 라인(60)에 있어서의 에칭액의 유량을 조정한다(S105). 구체적으로는, 제어 장치(100)는, 유입 온도가 원하는 온도가 되도록, 유입 온도에 기초하여 제2 순환 라인(60)에 있어서의 에칭액의 유량을 조정한다.When the 2nd temperature difference is below a 2nd threshold value (S103: "No"), the control apparatus 100 controls the pump 61 by stable control, and the flow rate of the etchant in the 2nd circulation line 60 Adjust (S105). Specifically, the control device 100 adjusts the flow rate of the etchant in the second circulation line 60 based on the inflow temperature so that the inflow temperature becomes a desired temperature.

제어 장치(100)는, 제1 온도차가 제1 역치보다도 큰지 여부를 판정한다(S106). 제어 장치(100)는, 제1 온도차가 제1 역치보다도 큰 경우에는(S106: "예"), 제1 유량 제어에 의해 펌프(61)를 제어하여, 제2 순환 라인(60)에 있어서의 에칭액의 유량을 조정한다(S102).The control device 100 determines whether or not the first temperature difference is larger than the first threshold value (S106). When the first temperature difference is greater than the first threshold value (S106: Yes), the control device 100 controls the pump 61 by the first flow rate control, and in the second circulation line 60 The flow rate of the etchant is adjusted (S102).

제어 장치(100)는, 제1 온도차가 제1 역치 이하인 경우에는(S106: "아니오"), 에칭 처리를 종료할지 여부를 판정하고(S107), 에칭 처리를 종료하는 경우에는(S107: "예"), 금회의 처리를 종료한다. 제어 장치(100)는, 에칭 처리를 종료하지 않는 경우에는(S107: "아니오"), 스텝 S105로 되돌아가, 상기 처리를 반복한다.The control device 100 determines whether or not to end the etching process when the first temperature difference is equal to or less than the first threshold value (S106: "No"), and determines whether to end the etching process (S107: "Yes"). "), ending the processing of this time. The control device 100 returns to step S105 and repeats the said process, when it does not complete|finish the etching process (S107: "No").

다음에, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)의 효과에 대하여 설명한다.Next, effects of the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment will be described.

기판 처리 장치(1)는, 처리조(27)(기판 처리조의 일례)와, 제1 순환 라인(50)과, 제2 순환 라인(60)을 구비한다. 처리조(27)에서는, 기판(8)이 에칭액(처리액의 일례)에 침지됨으로써 기판(8)의 처리가 행해진다. 제1 순환 라인(50)은, 처리조(27)에 접속되어, 처리조(27)로부터 배출된 에칭액을 처리조(27)에 유입시킨다. 제2 순환 라인(60)은, 제1 순환 라인(50)에 접속되어, 처리조(27)로부터 배출된 에칭액을 제1 순환 라인(50)에 합류시킨다. 제1 순환 라인(50)은, 에칭액을 압송하는 펌프(51)(제1 송액부의 일례)와, 에칭액을 가열하는 히터(52)(가열부의 일례)와, 에칭액 중의 이물을 제거하는 필터(53)를 구비한다. 제2 순환 라인(60)은, 에칭액을 압송하는 펌프(61)(제2 송액부의 일례)를 구비한다.The substrate processing apparatus 1 includes a processing tank 27 (an example of a substrate processing tank), a first circulation line 50 and a second circulation line 60 . In the treatment tank 27, the substrate 8 is processed by being immersed in an etchant (an example of the treatment solution). The first circulation line 50 is connected to the treatment tank 27 and allows the etchant discharged from the treatment tank 27 to flow into the treatment tank 27 . The second circulation line 60 is connected to the first circulation line 50 so that the etchant discharged from the treatment tank 27 joins the first circulation line 50 . The first circulation line 50 includes a pump 51 (an example of a first liquid feeding unit) for pressure-feeding the etchant, a heater 52 (an example of a heating unit) for heating the etchant, and a filter 53 for removing foreign substances in the etchant. ) is provided. The 2nd circulation line 60 is equipped with the pump 61 (an example of a 2nd liquid feeding part) which pumps etchant.

이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 제2 순환 라인(60)에 의해 압송되는 에칭액을, 제1 순환 라인(50)을 흐르는 에칭액에 합류시켜, 처리조(27)에 유입시킬 수 있다. 그 때문에, 예를 들어 기판 처리 장치(1)는, 기판(8)이 처리조(27)에 침지된 직후에 처리조(27)의 에칭액의 온도가 낮아진 경우에, 조내 온도와 유입 온도의 제1 온도차가 커지는 것을 억제할 수 있다.Accordingly, the substrate processing apparatus 1 can make the etchant pumped by the second circulation line 60 join the etchant flowing through the first circulation line 50 and flow into the treatment tank 27 . Therefore, for example, when the temperature of the etching solution in the treatment tank 27 is lowered immediately after the substrate 8 is immersed in the treatment tank 27, the substrate processing apparatus 1 controls the temperature inside the tank and the inlet temperature. 1 The increase in temperature difference can be suppressed.

기판 처리 장치(1)는, 히터(52)에 의한 에칭액의 가열량을 저감시키지 않고, 제1 온도차가 커지는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 처리조(27)에 있어서의 에칭액의 온도 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 처리액 공급 노즐(46)로부터 토출되는 에칭액의 유속을 빠르게 할 수 있어, 내조(43)에 있어서의 에칭액의 교반성을 향상시켜, 내조(43)에 있어서의 에칭액의 온도 균일성을 향상시킬 수 있다.The substrate processing apparatus 1 can suppress an increase in the first temperature difference without reducing the heating amount of the etchant by the heater 52 . Therefore, the substrate processing apparatus 1 can improve the temperature uniformity of the etchant in the processing tank 27 . In addition, the substrate processing apparatus 1 can speed up the flow rate of the etchant discharged from the processing liquid supply nozzle 46, thereby improving the agitation of the etchant in the inner bath 43. The temperature uniformity of the etching solution can be improved.

또한, 제2 순환 라인(60)은, 제1 순환 라인(50)에 있어서의 에칭액(처리액의 일례)의 흐름 방향에 있어서, 펌프(51)(제1 송액부의 일례), 및 히터(52)(가열부의 일례)보다도 하류측의 접속부(54)에 접속된다.Further, the second circulation line 60 includes a pump 51 (an example of a first liquid supply unit) and a heater 52 in the flow direction of the etching liquid (an example of the processing liquid) in the first circulation line 50. ) (an example of a heating unit).

이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 소형의 펌프(61)를 사용하여 제2 순환 라인(60)을 흐르는 에칭액을 제1 순환 라인(50)에 합류시킬 수 있다.Accordingly, the substrate processing apparatus 1 can make the etchant flowing through the second circulation line 60 join the first circulation line 50 using the small pump 61 .

또한, 기판 처리 장치(1)는, 접속부(54)보다도 하류측의 제1 순환 라인(50)에 마련되며, 에칭액(처리액의 일례)을 교반하는 믹서(55)(교반부의 일례)를 구비한다.In addition, the substrate processing apparatus 1 is provided in the first circulation line 50 on the downstream side of the connecting portion 54 and includes a mixer 55 (an example of the stirring portion) for stirring the etching liquid (an example of the processing liquid). do.

이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 제2 순환 라인(60)의 에칭액이 합류한 후의 제1 순환 라인(50)의 에칭액을 교반하여, 에칭액의 온도 균일성을 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 예를 들어 온도 센서(56)에 의해 검출되는 에칭액의 온도를 정확하게 검출할 수 있다.Accordingly, the substrate processing apparatus 1 can stir the etchant of the first circulation line 50 after the etchant of the second circulation line 60 joins, thereby improving the temperature uniformity of the etchant. Therefore, the temperature of the etchant detected by the temperature sensor 56 can be accurately detected, for example.

또한, 기판 처리 장치(1)는, 온도 센서(48, 56)를 구비한다. 온도 센서(56)(제1 온도 센서의 일례)는, 접속부(54)보다도 하류측의 제1 순환 라인(50)에 마련되며, 에칭액(처리액의 일례)의 온도를 검출한다. 온도 센서(48)(제2 온도 센서의 일례)는, 내조(43)(기판 처리조의 일례)의 상부에 마련되며, 내조(43)의 에칭액(처리액의 일례)의 온도를 검출한다.In addition, the substrate processing apparatus 1 includes temperature sensors 48 and 56 . The temperature sensor 56 (an example of the first temperature sensor) is provided in the first circulation line 50 on the downstream side of the connecting portion 54 and detects the temperature of the etching liquid (an example of the processing liquid). The temperature sensor 48 (an example of a second temperature sensor) is provided above the inner tub 43 (an example of a substrate processing tank) and detects the temperature of the etching liquid (an example of a processing liquid) in the inner bath 43 .

이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 내조(43)에 있어서의 에칭액의 온도차를 정확하게 검출할 수 있다.Thereby, the substrate processing apparatus 1 can accurately detect the temperature difference of the etchant in the inner tub 43 .

또한, 기판 처리 장치(1)는, 제어 장치(100)를 구비한다. 제어 장치(100)는, 펌프(51)(제1 송액부의 일례), 및 펌프(61)(제2 송액부의 일례)를 제어한다. 제어 장치(100)는, 온도 센서(56)(제1 온도 센서의 일례)에 의해 검출된 온도에 기초하여, 펌프(61)에 의해 압송되는 에칭액(처리액의 일례)의 유량을 제어한다.In addition, the substrate processing apparatus 1 includes a control device 100 . The control device 100 controls the pump 51 (an example of a first liquid delivery unit) and the pump 61 (an example of a second liquid delivery unit). The control device 100 controls the flow rate of the etching liquid (an example of the processing liquid) pumped by the pump 61 based on the temperature detected by the temperature sensor 56 (an example of the first temperature sensor).

이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 제2 순환 라인(60)에서 압송되는 에칭액의 유량을 조정함으로써, 처리액 공급 노즐(46)로부터 내조(43)에 유입되는 에칭액의 온도를 조정할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 처리액 공급 노즐(46)로부터 내조(43)에 유입되는 에칭액의 온도의 조정을 용이하게 행할 수 있다.Accordingly, the substrate processing apparatus 1 can adjust the temperature of the etchant flowing from the processing liquid supply nozzle 46 into the inner tank 43 by adjusting the flow rate of the etchant pumped through the second circulation line 60 . . Therefore, the substrate processing apparatus 1 can easily adjust the temperature of the etching liquid flowing into the inner tank 43 from the processing liquid supply nozzle 46 .

또한, 제어 장치(100)는, 유입 온도(제1 온도 센서에 의해 검출된 온도의 일례)와, 조내 온도(제2 온도 센서에 의해 검출된 온도의 일례)의 제1 온도차가, 미리 설정된 제1 역치보다도 큰 경우에는, 제1 온도차가 제1 역치 이하가 되도록, 펌프(61)(제2 송액부의 일례)에 의해 압송되는 에칭액(처리액의 일례)의 유량을 제어한다.In addition, the control device 100 determines that the first temperature difference between the inlet temperature (an example of the temperature detected by the first temperature sensor) and the temperature in the tank (an example of the temperature detected by the second temperature sensor) is set in advance. When it is greater than 1 threshold value, the flow rate of the etchant (an example of the processing liquid) pumped by the pump 61 (an example of the second liquid supply unit) is controlled so that the first temperature difference is equal to or less than the first threshold value.

이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 내조(43)에 있어서의 에칭액의 온도차가 커지는 것을 억제하여, 내조(43)에 있어서의 에칭액의 온도 균일성을 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 기판(8)에 대한 에칭양의 변동을 저감할 수 있다.As a result, the substrate processing apparatus 1 can suppress an increase in the temperature difference of the etching solution in the inner tub 43 and improve the temperature uniformity of the etching solution in the inner tub 43 . Therefore, the substrate processing apparatus 1 can reduce the variation of the etching amount with respect to the substrate 8 .

또한, 제어 장치(100)는, 유입 온도(제1 온도 센서에 의해 검출된 온도의 일례)와, 원하는 온도(미리 설정된 처리액의 설정 온도의 일례)의 제2 온도차가, 제2 역치보다도 큰 경우에는, 제2 온도차가 제2 역치 이하가 되도록, 펌프(61)(제2 송액부의 일례)에 의해 압송되는 에칭액(처리액의 일례)의 유량을 제어한다.In addition, the control device 100 determines that the second temperature difference between the inflow temperature (an example of the temperature detected by the first temperature sensor) and the desired temperature (an example of the preset temperature of the treatment liquid) is greater than the second threshold value. In this case, the flow rate of the etchant (an example of the processing liquid) pumped by the pump 61 (an example of the second liquid feeding unit) is controlled so that the second temperature difference is equal to or less than the second threshold.

이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 처리액 공급 노즐(46)에 의해 내조(43)에 유입되는 에칭액의 온도를, 유입 온도에 기초하여 원하는 온도로 할 수 있다.Accordingly, the substrate processing apparatus 1 can set the temperature of the etching liquid flowing into the inner tank 43 through the processing liquid supply nozzle 46 to a desired temperature based on the inflow temperature.

다음에, 변형예에 관한 기판 처리 장치(1)에 대하여 설명한다.Next, a substrate processing apparatus 1 according to a modified example will be described.

변형예에 관한 기판 처리 장치(1)는, 제2 순환 라인(60)으로부터 분기되는 바이패스 라인(62)을 갖는다. 바이패스 라인(62)은, 접속부(54)를 바이패스하여, 제1 순환 라인(50)의 분기 라인(50a) 중 일부의 분기 라인(50a)에 접속한다. 예를 들어, 바이패스 라인(62)은, 도 6에 도시한 바와 같이, 분기 라인(50a) 중, 기판(8)의 하단과 마주보는 위치에 마련된 분기 라인(50a)에 접속한다. 도 6은 실시 형태의 변형예에 관한 에칭용의 처리조(27)의 구성을 도시하는 개략 블록도이다.The substrate processing apparatus 1 according to the modified example has a bypass line 62 branching from the second circulation line 60 . The bypass line 62 bypasses the connecting portion 54 and connects to some of the branch lines 50a of the branch lines 50a of the first circulation line 50 . For example, as shown in FIG. 6 , the bypass line 62 is connected to the branch line 50a provided at a position facing the lower end of the substrate 8 among the branch lines 50a. Fig. 6 is a schematic block diagram showing the configuration of a processing tank 27 for etching according to a modified example of the embodiment.

또한, 바이패스 라인(62)은, 복수의 분기 라인(50a)에 접속되어도 된다. 또한, 바이패스 라인(62)에는, 유량을 조정하기 위한 밸브나, 오리피스 등이 마련되어도 된다.Also, the bypass line 62 may be connected to a plurality of branch lines 50a. In addition, the bypass line 62 may be provided with a valve for adjusting the flow rate, an orifice, and the like.

이에 의해, 변형예에 관한 기판 처리 장치(1)는, 기판(8)의 위치에 따른 처리액 공급 노즐(46)로부터 토출되는 에칭액의 유량, 및 에칭액의 온도를 조정할 수 있다. 그 때문에, 변형예에 관한 기판 처리 장치(1)는, 기판(8)에 대한 에칭액의 온도 균일성을 향상시킬 수 있다.Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the modified example, the flow rate of the etchant discharged from the processing liquid supply nozzle 46 and the temperature of the etchant can be adjusted according to the position of the substrate 8 . Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the modified example can improve the temperature uniformity of the etching solution with respect to the substrate 8 .

또한, 변형예에 관한 기판 처리 장치(1)는, 에칭 처리에 있어서, 제1 순환 라인(50)에 마련된 펌프(51)에 의해 에칭액의 유량을 조정해도 된다.Further, in the substrate processing apparatus 1 according to the modified example, in the etching process, the flow rate of the etchant may be adjusted by the pump 51 provided in the first circulation line 50 .

또한, 변형예에 관한 기판 처리 장치(1)는, 제2 순환 라인(60)의 일단을 제1 순환 라인(50)에 접속해도 된다. 즉, 변형예에 관한 기판 처리 장치(1)는, 제2 순환 라인(60)의 양단을 제1 순환 라인(50)에 접속하고, 제1 순환 라인(50)의 펌프(51)나, 히터(52)를 바이패스하도록 접속해도 된다.In addition, in the substrate processing apparatus 1 according to the modified example, one end of the second circulation line 60 may be connected to the first circulation line 50 . That is, in the substrate processing apparatus 1 according to the modified example, both ends of the second circulation line 60 are connected to the first circulation line 50, and the pump 51 or the heater of the first circulation line 50 is connected. It may be connected so that 52 is bypassed.

또한, 변형예에 관한 기판 처리 장치(1)는, 도 7에 도시한 바와 같이, 제2 순환 라인(60)에 에칭액의 이물을 제거하는 필터(63)를 마련해도 된다. 도 7은 실시 형태의 변형예에 관한 에칭용의 처리조(27)의 구성을 도시하는 개략 블록도이다. 또한, 변형예에 관한 기판 처리 장치(1)는, 접속부(54)보다도 하류측의 제1 순환 라인(50)에 필터(53)를 마련해도 된다.Further, in the substrate processing apparatus 1 according to the modified example, as shown in FIG. 7 , a filter 63 for removing foreign substances from the etchant may be provided in the second circulation line 60 . Fig. 7 is a schematic block diagram showing the configuration of a processing tank 27 for etching according to a modified example of the embodiment. Further, in the substrate processing apparatus 1 according to the modified example, the filter 53 may be provided in the first circulation line 50 on the downstream side of the connecting portion 54 .

이에 의해, 변형예에 관한 기판 처리 장치(1)는, 내조(43)로 되돌려지는 에칭액에 이물이 포함되는 것을 억제할 수 있다.As a result, the substrate processing apparatus 1 according to the modified example can suppress the inclusion of foreign substances in the etchant returned to the inner tank 43 .

또한, 변형예에 관한 기판 처리 장치(1)는, 접속부(54)보다도 하류측에 필터(53)를 마련해도 된다. 이에 의해, 변형예에 관한 기판 처리 장치(1)는, 1개의 필터에 의해 에칭액 중의 불순물을 제거할 수 있다.Further, in the substrate processing apparatus 1 according to the modified example, the filter 53 may be provided on the downstream side of the connecting portion 54 . As a result, the substrate processing apparatus 1 according to the modified example can remove impurities in the etchant using one filter.

또한, 상기 변형예에 관한 기판 처리 장치(1)를 적절히 조합할 수 있다. 예를 들어, 변형예에 관한 기판 처리 장치(1)는, 제2 순환 라인(60)에 필터(53)를 마련하고, 제2 순환 라인(60)에 바이패스 라인(62)을 마련해도 된다.In addition, the substrate processing apparatus 1 according to the above modified example can be appropriately combined. For example, in the substrate processing apparatus 1 according to the modified example, the filter 53 may be provided in the second circulation line 60 and the bypass line 62 may be provided in the second circulation line 60. .

또한, 금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실로, 상기한 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.In addition, it should be thought that embodiment disclosed this time is an illustration and restrictive in all respects. Indeed, the above embodiments may be implemented in various forms. In addition, the said embodiment may be abbreviate|omitted, substituted, and changed in various forms, without deviating from the appended claim and its meaning.

1: 기판 처리 장치
27: 처리조(기판 처리조)
43: 내조
44: 외조
46: 처리액 공급 노즐
48: 온도 센서(제2 온도 센서)
50: 제1 순환 라인
50a: 분기 라인
51: 펌프(제1 송액부)
52: 히터(가열부)
53: 필터
54: 접속부
55: 믹서(교반부)
56: 온도 센서(제1 온도 센서)
60: 제2 순환 라인
61: 펌프(제2 송액부)
63: 필터
100: 제어 장치
110: 제어부1: substrate processing device
27: treatment tank (substrate treatment tank)
43: housekeeper
44: Outlaw
46: treatment liquid supply nozzle
48: temperature sensor (second temperature sensor)
50: first circulation line
50a: branch line
51: pump (first liquid delivery unit)
52: heater (heating part)
53: filter
54: connection part
55: mixer (stirring part)
56: temperature sensor (first temperature sensor)
60: second circulation line
61: pump (second liquid delivery unit)
63: filter
100: control device
110: control unit

Claims (10)

기판이 처리액에 침지됨으로써 상기 기판의 처리가 행해지는 기판 처리조와,
상기 기판 처리조에 접속되며, 상기 기판 처리조로부터 배출된 상기 처리액을 상기 기판 처리조에 유입시키는 제1 순환 라인과,
상기 제1 순환 라인에 접속되며, 상기 기판 처리조로부터 배출된 상기 처리액을 상기 제1 순환 라인에 합류시키는 제2 순환 라인
을 구비하고,
상기 제1 순환 라인은,
상기 처리액을 압송하는 제1 송액부와,
상기 처리액을 가열하는 가열부와,
상기 처리액 중의 이물을 제거하는 필터를 구비하고,
상기 제2 순환 라인은,
상기 처리액을 압송하는 제2 송액부를 구비하는, 기판 처리 장치.A substrate treatment tank in which the substrate is treated by being immersed in the treatment liquid;
a first circulation line connected to the substrate treatment tank and introducing the treatment liquid discharged from the substrate treatment tank into the substrate treatment tank;
A second circulation line connected to the first circulation line and joining the treatment liquid discharged from the substrate treatment tank to the first circulation line.
to provide,
The first circulation line,
a first liquid sending unit for pressure-feeding the treatment liquid;
a heating unit for heating the treatment liquid;
A filter for removing foreign substances in the treatment liquid is provided;
The second circulation line,
A substrate processing apparatus comprising a second liquid feeding unit for pressure-feeding the processing liquid. 제1항에 있어서,
상기 제2 순환 라인은, 상기 제1 순환 라인에 있어서의 상기 처리액의 흐름 방향에 있어서, 상기 제1 송액부, 및 상기 가열부보다도 하류측의 접속부에 접속되는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the second circulation line is connected to a connection portion downstream of the first liquid feeding part and the heating part in the flow direction of the processing liquid in the first circulation line. 제2항에 있어서,
상기 접속부보다도 상기 하류측의 상기 제1 순환 라인에 마련되며, 상기 처리액을 교반하는 교반부를 구비하는, 기판 처리 장치.According to claim 2,
A substrate processing apparatus comprising: an agitator provided in the first circulation line on the downstream side of the connection unit and configured to agitate the processing liquid. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 제1 순환 라인은,
상기 기판 처리조에 상기 처리액을 유입시키는 복수의 분기 라인을 구비하고,
상기 제2 순환 라인은,
상기 접속부를 바이패스하여, 상기 복수의 분기 라인 중 일부의 분기 라인에 접속하는 바이패스 라인을 구비하는, 기판 처리 장치.According to claim 2 or 3,
The first circulation line,
A plurality of branch lines for introducing the treatment liquid into the substrate treatment tank;
The second circulation line,
A substrate processing apparatus comprising a bypass line that bypasses the connecting portion and is connected to some branch lines of the plurality of branch lines. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 순환 라인은,
상기 처리액 중의 이물을 제거하는 필터를 구비하는, 기판 처리 장치.According to any one of claims 2 to 4,
The second circulation line,
A substrate processing apparatus comprising a filter for removing foreign matter in the processing liquid. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접속부보다도 상기 하류측의 상기 제1 순환 라인에 마련되며, 상기 처리액의 온도를 검출하는 제1 온도 센서와,
상기 기판 처리조의 상부에 마련되며, 상기 기판 처리조의 상기 처리액의 온도를 검출하는 제2 온도 센서를 구비하는, 기판 처리 장치.According to any one of claims 2 to 5,
a first temperature sensor provided in the first circulation line on the downstream side of the connection part and detecting a temperature of the processing liquid;
A substrate processing apparatus comprising: a second temperature sensor provided above the substrate processing bath and detecting a temperature of the processing liquid in the substrate processing bath. 제6항에 있어서,
상기 제1 송액부, 및 상기 제2 송액부를 제어하는 제어 장치를 구비하고,
상기 제어 장치는, 상기 제1 온도 센서에 의해 검출된 온도에 기초하여, 상기 제2 송액부에 의해 압송되는 상기 처리액의 유량을 제어하는, 기판 처리 장치.According to claim 6,
a control device for controlling the first liquid sending unit and the second liquid sending unit;
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the control device controls a flow rate of the processing liquid pumped by the second liquid feeding unit based on the temperature detected by the first temperature sensor. 제7항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 제1 온도 센서에 의해 검출된 온도와, 상기 제2 온도 센서에 의해 검출된 온도의 제1 온도차가, 미리 설정된 제1 역치보다도 큰 경우에는, 상기 제1 온도차가 상기 제1 역치 이하가 되도록, 상기 제2 송액부에 의해 압송되는 상기 처리액의 유량을 제어하는, 기판 처리 장치.According to claim 7,
The control device determines that, when a first temperature difference between a temperature detected by the first temperature sensor and a temperature detected by the second temperature sensor is greater than a preset first threshold value, the first temperature difference is determined by the first temperature difference. A substrate processing apparatus that controls the flow rate of the processing liquid pumped by the second liquid feeding unit so as to be equal to or less than 1 threshold value. 제8항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 제1 온도 센서에 의해 검출된 온도와, 미리 설정된 상기 처리액의 설정 온도의 제2 온도차가, 상기 제1 역치보다도 작은 제2 역치보다도 큰 경우에는, 상기 제2 온도차가 상기 제2 역치 이하가 되도록, 상기 제2 송액부에 의해 압송되는 상기 처리액의 유량을 제어하는, 기판 처리 장치.According to claim 8,
The control device may, when a second temperature difference between the temperature detected by the first temperature sensor and a preset temperature of the processing liquid is greater than a second threshold value smaller than the first threshold value, the second temperature difference A substrate processing apparatus that controls a flow rate of the processing liquid pumped by the second liquid feeding unit so as to be equal to or less than the second threshold value. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법이며,
상기 제1 온도 센서에 의해 온도를 검출하는 공정과,
상기 제1 온도 센서에 의해 검출된 온도에 기초하여, 상기 제2 송액부에 의해 송액되는 상기 처리액의 유량을 제어하는 공정
을 갖는, 기판 처리 방법.A substrate processing method in the substrate processing apparatus according to any one of claims 7 to 9,
a step of detecting a temperature by the first temperature sensor;
Controlling the flow rate of the processing liquid supplied by the second liquid feeding unit based on the temperature detected by the first temperature sensor
Having, a substrate processing method.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3366449B2 (en) * 1994-07-29 2003-01-14 ローム株式会社 Etching equipment
JP2007207786A (en) * 2006-01-30 2007-08-16 Ses Co Ltd Substrate treatment method and substrate treatment system
JP5599754B2 (en) * 2010-05-31 2014-10-01 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and recording medium on which a computer program for executing the substrate processing method is recorded
JP6732546B2 (en) * 2016-06-09 2020-07-29 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and storage medium

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018133558A (en) 2017-02-15 2018-08-23 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing apparatus

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