JP2018148245A - Device and method for controlling etching process with phosphoric acid aqueous solution, and computer-readable storage medium that stores program for etching substrate with phosphoric acid aqueous solution - Google Patents
Device and method for controlling etching process with phosphoric acid aqueous solution, and computer-readable storage medium that stores program for etching substrate with phosphoric acid aqueous solution Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018148245A JP2018148245A JP2018126626A JP2018126626A JP2018148245A JP 2018148245 A JP2018148245 A JP 2018148245A JP 2018126626 A JP2018126626 A JP 2018126626A JP 2018126626 A JP2018126626 A JP 2018126626A JP 2018148245 A JP2018148245 A JP 2018148245A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- solution
- etching
- phosphoric acid
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 174
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 120
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 113
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 60
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 39
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 291
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 82
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 81
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims 12
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 claims 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 30
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 16
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 101100165186 Caenorhabditis elegans bath-34 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、基板を処理するエッチング液中のシリコン濃度を計測する処理制御装置及び処理制御方法並びに処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するものである。 The present invention relates to a processing control apparatus and a processing control method for measuring a silicon concentration in an etching solution for processing a substrate, and a computer-readable storage medium storing a processing program.
半導体部品やフラットパネルディスプレイなどの製造には、半導体ウエハや液晶基板などの基板に対してエッチング液(処理液)でエッチング処理する基板液処理装置が用いられている。 In the manufacture of semiconductor components, flat panel displays, etc., a substrate liquid processing apparatus is used that performs an etching process on a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate with an etching liquid (processing liquid).
従来の基板液処理装置は、基板を処理するための処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に処理液を供給する処理液供給部と、処理液貯留部で貯留した処理液を循環させて処理液の加熱等を行う処理液循環部とを有している。 A conventional substrate liquid processing apparatus includes a processing liquid storage unit that stores a processing liquid for processing a substrate, a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the processing liquid storage unit, and a processing liquid stored in the processing liquid storage unit. And a processing liquid circulation section for heating the processing liquid and the like.
そして、基板液処理装置は、処理液貯留部に貯留した処理液に複数枚の基板を浸漬させて基板を処理液で液処理する(たとえば、特許文献1参照。)。 Then, the substrate liquid processing apparatus immerses a plurality of substrates in the processing liquid stored in the processing liquid storage unit, and liquid-processes the substrate with the processing liquid (see, for example, Patent Document 1).
ところが、上記従来の基板液処理装置では、処理液で基板を繰返し処理すると、基板の処理によって処理液に含有される不純物等の濃度が増加してしまい、基板を良好に処理することができなくなる。たとえば、基板をリン酸水溶液(エッチング液)でエッチング処理する場合には、処理液の能力(エッチングレート)が処理液中のシリコン濃度に依存するために処理液中のシリコン濃度を一定範囲内に保持する必要があるが、基板の処理を繰り返すことでエッチング液中のシリコン濃度が増加し、処理液の能力が低下して基板を良好にエッチング処理することができなくなる。 However, in the conventional substrate liquid processing apparatus, when the substrate is repeatedly processed with the processing liquid, the concentration of impurities and the like contained in the processing liquid increases due to the processing of the substrate, and the substrate cannot be processed satisfactorily. . For example, when the substrate is etched with a phosphoric acid aqueous solution (etching solution), the silicon concentration in the processing solution falls within a certain range because the processing solution capability (etching rate) depends on the silicon concentration in the processing solution. Although it is necessary to hold the substrate, the silicon concentration in the etching solution is increased by repeating the processing of the substrate, the ability of the processing solution is lowered, and the substrate cannot be satisfactorily etched.
そこで、本発明では、基板を処理槽でエッチング処理するエッチング液を処理液循環部で循環し、所定のタイミングで濃度センサでシリコン濃度を計測し、処理液排出部からエッチング液を排出するとともに、処理液供給部からリン酸水溶液を前記処理槽に供給し、前記リン酸水溶液を加熱して前記エッチング液とすることにした。 Therefore, in the present invention, the etching liquid for etching the substrate in the processing tank is circulated in the processing liquid circulation unit, the silicon concentration is measured with a concentration sensor at a predetermined timing, and the etching liquid is discharged from the processing liquid discharge unit. The phosphoric acid aqueous solution was supplied from the treatment liquid supply unit to the treatment tank, and the phosphoric acid aqueous solution was heated to form the etching solution.
本発明では、前記濃度センサで計測した前記エッチング液のシリコン濃度が所定濃度範囲となるまで前記処理液供給部からリン酸水溶液を供給するとともに前記処理液排出部から前記エッチング液を排出することにしてもよい。 In the present invention, the phosphoric acid aqueous solution is supplied from the processing solution supply unit and the etching solution is discharged from the processing solution discharge unit until the silicon concentration of the etching solution measured by the concentration sensor falls within a predetermined concentration range. May be.
また、前記処理液排出部からのエッチング液の排出量と前記処理液供給部からのリン酸水溶液の供給量とシリコン濃度との関係を予め求めておき、シリコン濃度が所定濃度範囲となるように所定量のエッチング液を排出するとともに所定量のリン酸水溶液を供給することにしてもよい。 Further, a relationship between the etching solution discharge amount from the processing solution discharge unit, the phosphoric acid aqueous solution supply amount from the processing solution supply unit and the silicon concentration is obtained in advance so that the silicon concentration falls within a predetermined concentration range. A predetermined amount of etching solution may be discharged and a predetermined amount of phosphoric acid aqueous solution may be supplied.
また、前記濃度センサでシリコン濃度を複数回計測してシリコン濃度の上昇率を求め、シリコン濃度が所定濃度範囲を超えると判断した場合に、シリコン濃度が所定濃度範囲を超えないように前記エッチング液の排出量と前記リン酸水溶液の供給量を補正することにしてもよい。 In addition, when the silicon concentration is measured by the concentration sensor a plurality of times to determine the rate of increase of the silicon concentration and the silicon concentration is determined to exceed the predetermined concentration range, the etching solution is set so that the silicon concentration does not exceed the predetermined concentration range. The discharge amount and the supply amount of the phosphoric acid aqueous solution may be corrected.
また、ダミーのシリコンウエハを前記エッチング液に浸漬させてシリコン濃度を所定濃度とすることにしてもよい。 Alternatively, a dummy silicon wafer may be immersed in the etching solution to set the silicon concentration to a predetermined concentration.
また、シリコン濃度が所定濃度範囲内でない場合に、前記処理槽への前記基板の搬入を中断することにしてもよい。 Further, when the silicon concentration is not within the predetermined concentration range, the loading of the substrate into the processing tank may be interrupted.
さらに、前記処理液供給部から前記エッチング液よりも低い濃度のリン酸水溶液を供給させ、ヒーターで加熱して前記エッチング液とすることにしてもよい。 Furthermore, a phosphoric acid aqueous solution having a lower concentration than the etching solution may be supplied from the processing solution supply unit, and heated with a heater to obtain the etching solution.
本発明では、基板を良好にエッチング処理することができる。 In the present invention, the substrate can be satisfactorily etched.
以下に、本発明に係る基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, specific configurations of a substrate liquid processing apparatus, a substrate liquid processing method, and a substrate liquid processing program according to the present invention will be described with reference to the drawings.
図1に示すように、基板液処理装置1は、キャリア搬入出部2、ロット形成部3、ロット載置部4、ロット搬送部5、ロット処理部6、制御部7を有する。
As shown in FIG. 1, the substrate liquid processing apparatus 1 includes a carrier carry-in /
キャリア搬入出部2は、複数枚(たとえば、25枚)の基板(シリコンウエハ)8を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア9の搬入及び搬出を行う。
The carrier loading / unloading
このキャリア搬入出部2には、複数個のキャリア9を載置するキャリアステージ10と、キャリア9の搬送を行うキャリア搬送機構11と、キャリア9を一時的に保管するキャリアストック12,13と、キャリア9を載置するキャリア載置台14とが設けられている。ここで、キャリアストック12は、製品となる基板8をロット処理部6で処理する前に一時的に保管する。また、キャリアストック13は、製品となる基板8をロット処理部6で処理した後に一時的に保管する。
The carrier loading /
そして、キャリア搬入出部2は、外部からキャリアステージ10に搬入されたキャリア9をキャリア搬送機構11を用いてキャリアストック12やキャリア載置台14に搬送する。また、キャリア搬入出部2は、キャリア載置台14に載置されたキャリア9をキャリア搬送機構11を用いてキャリアストック13やキャリアステージ10に搬送する。キャリアステージ10に搬送されたキャリア9は、外部へ搬出される。
Then, the carrier loading /
ロット形成部3は、1又は複数のキャリア9に収容された基板8を組合せて同時に処理される複数枚(たとえば、50枚)の基板8からなるロットを形成する。
The
このロット形成部3には、複数枚の基板8を搬送する基板搬送機構15が設けられている。なお、基板搬送機構15は、基板8の搬送途中で基板8の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢及び垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。
The
そして、ロット形成部3は、キャリア載置台14に載置されたキャリア9から基板搬送機構15を用いて基板8をロット載置部4に搬送し、ロット載置部4でロットを形成する。また、ロット形成部3は、ロット載置部4に載置されたロットを基板搬送機構15でキャリア載置台14に載置されたキャリア9へ搬送する。なお、基板搬送機構15は、複数枚の基板8を支持するための基板支持部として、処理前(ロット搬送部5で搬送される前)の基板8を支持する処理前基板支持部と、処理後(ロット搬送部5で搬送された後)の基板8を支持する処理後基板支持部の2種類を有している。これにより、処理前の基板8等に付着したパーティクル等が処理後の基板8等に転着するのを防止する。
The
ロット載置部4は、ロット搬送部5によってロット形成部3とロット処理部6との間で搬送されるロットをロット載置台16で一時的に載置(待機)する。
The
このロット載置部4には、処理前(ロット搬送部5で搬送される前)のロットを載置する搬入側ロット載置台17と、処理後(ロット搬送部5で搬送された後)のロットを載置する搬出側ロット載置台18とが設けられている。搬入側ロット載置台17及び搬出側ロット載置台18には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて載置される。
The
そして、ロット載置部4では、ロット形成部3で形成したロットが搬入側ロット載置台17に載置され、そのロットがロット搬送部5を介してロット処理部6に搬入される。また、ロット載置部4では、ロット処理部6からロット搬送部5を介して搬出されたロットが搬出側ロット載置台18に載置され、そのロットがロット形成部3に搬送される。
In the
ロット搬送部5は、ロット載置部4とロット処理部6との間やロット処理部6の内部間でロットの搬送を行う。
The
このロット搬送部5には、ロットの搬送を行うロット搬送機構19が設けられている。ロット搬送機構19は、ロット載置部4とロット処理部6に沿わせて配置したレール20と、複数枚の基板8を保持しながらレール20に沿って移動する移動体21とで構成する。移動体21には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板8を保持する基板保持体22が進退自在に設けられている。
The
そして、ロット搬送部5は、搬入側ロット載置台17に載置されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットをロット処理部6に受渡す。また、ロット搬送部5は、ロット処理部6で処理されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットを搬出側ロット載置台18に受渡す。さらに、ロット搬送部5は、ロット搬送機構19を用いてロット処理部6の内部においてロットの搬送を行う。
Then, the
ロット処理部6は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板8を1ロットとしてエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行う。
The
このロット処理部6には、基板8の乾燥処理を行う乾燥処理装置23と、基板保持体22の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置24と、基板8の洗浄処理を行う洗浄処理装置25と、基板8のエッチング処理を行う2台のエッチング処理装置26とが並べて設けられている。
The
乾燥処理装置23は、処理槽27に基板昇降機構28を昇降自在に設けている。処理槽27には、乾燥用の処理ガス(IPA(イソプロピルアルコール)等)が供給される。基板昇降機構28には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置23は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構28で受取り、基板昇降機構28でそのロットを昇降させることで、処理槽27に供給した乾燥用の処理ガスで基板8の乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置23は、基板昇降機構28からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。
In the
基板保持体洗浄処理装置24は、処理槽29に洗浄用の処理液及び乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構19の基板保持体22に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体22の洗浄処理を行う。
The substrate holder
洗浄処理装置25は、洗浄用の処理槽30とリンス用の処理槽31とを有し、各処理槽30,31に基板昇降機構32,33を昇降自在に設けている。洗浄用の処理槽30には、洗浄用の処理液(SC−1等)が貯留される。リンス用の処理槽31には、リンス用の処理液(純水等)が貯留される。
The cleaning
エッチング処理装置26は、エッチング用の処理槽34とリンス用の処理槽35とを有し、各処理槽34,35に基板昇降機構36,37を昇降自在に設けている。エッチング用の処理槽34には、エッチング用の処理液(リン酸水溶液)が貯留される。リンス用の処理槽35には、リンス用の処理液(純水等)が貯留される。
The
これら洗浄処理装置25とエッチング処理装置26は、同様の構成となっている。エッチング処理装置26について説明すると、基板昇降機構36,37には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて保持される。エッチング処理装置26は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構36で受取り、基板昇降機構36でそのロットを昇降させることでロットを処理槽34のエッチング用の処理液に浸漬させて基板8のエッチング処理を行う。その後、エッチング処理装置26は、基板昇降機構36からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。また、エッチング処理装置26は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構37で受取り、基板昇降機構37でそのロットを昇降させることでロットを処理槽35のリンス用の処理液に浸漬させて基板8のリンス処理を行う。その後、エッチング処理装置26は、基板昇降機構37からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。
The
このエッチング処理装置26では、所定濃度の薬剤(リン酸)の水溶液(88.3重量%のリン酸水溶液)を処理液(エッチング液)として用いて基板8を液処理(エッチング処理)する。
In this
エッチング処理装置26は、図2に示すように、所定濃度のリン酸水溶液(88.3重量%のリン酸水溶液)からなる処理液を貯留するとともに基板8を処理するための処理液貯留部38と、処理液貯留部38に処理液を供給するための処理液供給部39と、処理液貯留部38に貯留された処理液を循環させるための処理液循環部40と、処理液貯留部38から処理液を排出する処理液排出部41とを有する。
As shown in FIG. 2, the
処理液貯留部38は、上部を開放させた処理槽34の上部周囲に上部を開放させた外槽42を形成し、処理槽34と外槽42に処理液を貯留する。処理槽34では、基板8を基板昇降機構36によって浸漬させることで液処理する処理液を貯留する。外槽42では、処理槽34からオーバーフローした処理液を貯留するとともに、処理液循環部40によって処理槽34に処理液を供給する。
The processing
処理液供給部39は、処理液貯留部38に処理液とは異なる濃度(処理液よりも低い濃度)の薬剤(リン酸)の水溶液(85重量%のリン酸水溶液)を供給するための水溶液供給部43と、処理液貯留部38に水(純水)を供給するための水供給部44とで構成されている。
The treatment
水溶液供給部43は、所定濃度(85重量%)及び所定温度(25℃)のリン酸水溶液を供給するための水溶液供給源45を処理液貯留部38の外槽42に流量調整器46を介して接続する。流量調整器46は、制御部7に接続されており、制御部7で開閉制御及び流量制御される。
The aqueous
水供給部44は、所定温度(25℃)の純水を供給するための水供給源47を処理液貯留部38の外槽42に流量調整器48を介して接続する。流量調整器48は、制御部7に接続されており、制御部7で開閉制御及び流量制御される。
The
処理液循環部40は、処理液貯留部38の外槽42の底部と処理槽34の底部との間に循環流路49を形成する。循環流路49には、ポンプ50、ヒーター51、フィルター52が順に設けられている。ポンプ50及びヒーター51は、制御部7に接続されており、制御部7で駆動制御される。そして、処理液循環部40は、ポンプ50を駆動させることで外槽42から処理槽34に処理液を循環させる。その際に、ヒーター51で処理液を所定温度(165℃)に加熱する。
The processing
処理液排出部41は、処理液貯留部38から処理液を排出する第1の処理液排出部53と、処理液循環部40から処理液を排出する第2の処理液排出部54とで構成されている。
The processing
第1の処理液排出部53は、処理液貯留部38の処理槽34の底部に外部の排液管と連通する排出流路55を接続し、排出流路55に開閉弁56を設けている。開閉弁56は、制御部7に接続されており、制御部7で開閉制御される。
The first treatment
第2の処理液排出部54は、処理液循環部40の循環流路49の中途部(ヒーター51とフィルター52の間)に外部の排液管と連通する排出流路57を接続し、排出流路57に開閉弁58を設けている。さらに、排出流路57の中途部(開閉弁58の下流側)に外部の排液管と連通するバイパス流路59を接続し、バイパス流路59に開閉弁60と処理液中のシリコン濃度を計測するための濃度センサ61を順に設けている。開閉弁58,60は、制御部7に接続されており、制御部7で開閉制御される。濃度センサ61は、制御部7に接続されており、制御部7によって処理液中のシリコン濃度が計測される。
The second treatment
このように、基板液処理装置1では、濃度センサ61を処理液循環部40から分岐した第2の処理液排出部54に設けているために、処理液循環部40から処理液を排出する時だけ濃度センサ61に処理液が接液するようにしている。これにより、基板液処理装置1では、処理液によって濃度センサ61が浸食されたり処理液に含有された不純物が濃度センサ61に付着することによって濃度センサ61が故障や誤作動してしまうのを防止することができる。また、基板液処理装置1では、濃度センサ61から析出等した塵が処理液に混入することで基板8にパーティクルが付着して基板8を良好に液処理できなくなるのを防止することができる。
As described above, in the substrate liquid processing apparatus 1, since the
ここで、濃度センサ61は、図2及び図3(a)に示すように排出流路57から分岐したバイパス流路59に設けた場合に限られず、図3(b)に示すように循環流路49から分岐したバイパス流路62に設けてもよく、図3(c)に示すように排出流路57に設けてもよい。濃度センサ61を排出流路57に設けた場合には、処理液貯留部38で貯留される処理液の一部(処理液循環部40から排出される処理液)だけが濃度センサ61に接液することになり、濃度センサ61をバイパス流路59,62に設けた場合には、さらに処理液循環部40から排出される処理液の一部(バイパス流路59,62から排出される処理液)だけが濃度センサ61に接液することになる。そのため、濃度センサ61をバイパス流路59,62に設けることで、濃度センサ61に処理液が接液する時間(頻度)をより一層短く(少なく)することができる。
Here, the
エッチング処理装置26は、水溶液供給部43によって所定濃度(85重量%)及び所定温度(25℃)のリン酸水溶液を処理液貯留部38に供給し、処理液循環部40によって所定濃度(88.3重量%)及び所定温度(165℃)になるように加熱して処理液を生成し、処理液を処理液貯留部38に貯留する。また、エッチング処理装置26は、加熱によって蒸発する水の量に相応する量の純水を水供給部44によって処理液貯留部38に供給する。これにより、エッチング処理装置26は、処理液貯留部38の処理槽34に所定濃度(88.3重量%)及び所定温度(165℃)の処理液を貯留し、その処理液に基板昇降機構36によって基板8を浸漬させることで、基板8をエッチング処理する。
The
また、エッチング処理装置26は、処理液排出部41によって処理液貯留部38の処理液の一部(又は全部)を排出するとともに、処理液供給部39によって新規に処理液(水溶液又は/及び純水)を供給して、処理液貯留部38に貯留する処理液を適宜更新(交換)する。
Further, the
制御部7は、基板液処理装置1の各部(キャリア搬入出部2、ロット形成部3、ロット載置部4、ロット搬送部5、ロット処理部6など)の動作を制御する。
The
この制御部7は、たとえばコンピュータであり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体63を備える。記憶媒体63には、基板液処理装置1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部7は、記憶媒体63に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板液処理装置1の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体63に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部7の記憶媒体63にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体63としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
The
基板液処理装置1は、以上に説明したように構成しており、制御部7で各部(キャリア搬入出部2、ロット形成部3、ロット載置部4、ロット搬送部5、ロット処理部6など)の動作を制御することで、基板8を処理する。
The substrate liquid processing apparatus 1 is configured as described above, and the
この基板液処理装置1で基板8をエッチング処理する場合、記憶媒体63に記憶された基板液処理プログラムに従って制御部7でエッチング処理装置26などを以下に説明するように制御する(図4参照。)。
When etching the
まず、基板液処理装置1は、基板8のエッチング処理を開始する前に処理液貯留部38に貯留する処理液を交換する(処理液交換工程)。
First, the substrate liquid processing apparatus 1 replaces the processing liquid stored in the processing
この処理液交換工程において、制御部7は、処理液供給部39によって処理液貯留部38に処理液を供給させるとともに、処理液循環部40によって処理液を循環させながら加熱させて、所定濃度(88.3重量%)及び所定温度(165℃)の処理液を生成させる。その後、制御部7は、基板昇降機構36によってダミーのシリコンウエハを処理液に所定時間浸漬させて、処理液中のシリコン濃度が所定濃度となるようにする。この処理液交換工程において、制御部7は、処理液循環部40によって処理液を循環させ、所定のタイミングで開閉弁58を開放させて処理液を処理液循環部40から第2の処理液排出部54を介して排液させる。そして、制御部7は、所定のタイミング(たとえば、処理液交換工程の終了直前)開閉弁60を開放させて濃度センサ61で処理液中のシリコン濃度を計測させる。制御部7は、濃度センサ61で計測したシリコン濃度が所定濃度範囲内でない場合には警報し処理を中断する。なお、処理液交換工程では、処理液を処理液循環部40で常時循環させてもよく、また、断続的に循環させてもよく、また、たとえば、ダミーのシリコンウエハを処理液に所定時間浸漬させ、シリコンウエハを浸漬させた直後はしばらく循環を停止させ、所定のタイミングから循環させてもよい。
In this processing liquid exchange step, the
ここでは、予めシリコンウエハの浸漬時間とシリコン濃度との関係を調べておき、ダミーのシリコンウエハを処理液に所定時間浸漬させることでシリコン濃度が所定濃度範囲となるようにしているが、濃度センサ61に所定のタイミングでシリコン濃度を計測させ、シリコン濃度が所定濃度範囲となるまでダミーのシリコンウエハを処理液に浸漬させるように制御してもよい。なお、開閉弁60を開放させて濃度センサ61で計測させるタイミングは、開閉弁58を開放させて処理液を排出させるタイミングよりも頻度を少なくしたほうが、濃度センサ61に処理液が接液する時間(頻度)をより一層短く(少なく)することができる。
Here, the relationship between the immersion time of the silicon wafer and the silicon concentration is examined in advance, and the silicon concentration falls within a predetermined concentration range by immersing the dummy silicon wafer in the processing liquid for a predetermined time. It may be controlled such that the silicon concentration is measured at a predetermined timing in 61 and the dummy silicon wafer is immersed in the processing solution until the silicon concentration falls within a predetermined concentration range. It should be noted that the timing for measuring the
濃度センサ61で計測したシリコン濃度が所定濃度範囲内になった後に、基板液処理装置1は、基板8のエッチング処理を行う(基板液処理工程)。
After the silicon concentration measured by the
この基板液処理工程では、基板8を処理槽34に搬入する基板搬入工程と、処理槽34で基板8を処理する基板処理工程と、処理槽34から基板8を搬出する基板搬出工程とを行う。
In this substrate liquid processing step, a substrate carry-in step for carrying the
基板搬入工程では、基板昇降機構36を処理槽34の内部から上昇させた後に、同時に処理する1ロット分の基板8をロット搬送機構19から基板昇降機構36へと搬送させ、その後、基板8を保持した基板昇降機構36を処理槽34の内部へと降下させる。これにより、処理槽34に貯留された処理液に基板8が浸漬される。
In the substrate carrying-in process, after the
基板処理工程では、処理槽34の内部で基板昇降機構36を降下させた状態のまま所定時間保持させる。これにより、基板8が処理液に所定時間浸漬され、基板8がエッチング処理される。
In the substrate processing step, the
基板搬出工程では、基板8を保持した基板昇降機構36を処理槽34の内部から上昇させた後に、同時に処理した1ロット分の基板8を基板昇降機構36からロット搬送機構19へと搬送させる。
In the substrate unloading step, the
この基板液処理工程において、基板8が処理液でエッチング処理されると、処理液に含有されるシリコンの濃度が徐々に増加する。処理液の能力(エッチングレート)が処理液中のシリコン濃度に依存するために処理液中のシリコン濃度を一定濃度範囲内に保持する必要がある。そのため、制御部7は、基板8のエッチング処理中にポンプ50を駆動させて処理液循環部40で処理液を循環させ、所定のタイミングから断続的に開閉弁58を開放させて処理液の一部を処理液循環部40から第2の処理液排出部54を介して排出させるとともに、処理液供給部39から新たな処理液を供給させる。そして、制御部7は、所定のタイミング(たとえば、基板液処理工程の開始直後や終了直前)で開閉弁60を開放させて濃度センサ61で処理液中のシリコン濃度を計測させる。制御部7は、濃度センサ61で計測したシリコン濃度が所定濃度範囲内でない場合には警報し処理を中断する。なお、基板液処理工程では、処理液を処理液循環部40で断続的に循環させてもよく、また、常時循環させてもよい。
In this substrate liquid processing step, when the
ここでは、予め基板8のエッチング時間とエッチング処理中の処理液の排出量と新規の処理液の供給量とシリコン濃度との関係を調べておき、基板8のエッチング処理中に所定量の処理液を排出するとともに、所定量の処理液を新たに供給することでシリコン濃度が所定濃度範囲となるようにしているが、濃度センサ61に所定のタイミングでシリコン濃度を計測させ、シリコン濃度が所定濃度以上となった場合に基板液処理工程を終了するように制御してもよい。なお、ここでも開閉弁60を開放させて濃度センサ61で計測させるタイミングは、開閉弁58を開放させて処理液を排出させるタイミングよりも頻度を少なくしたほうが、濃度センサ61に処理液が接液する時間(頻度)をより一層短く(少なく)することができる。
Here, the relationship between the etching time of the
基板液処理装置1は、基板搬入工程と基板処理工程と基板搬出工程とを所定回数繰り返して行った後に、処理液のシリコン濃度が所定範囲内となるように調整する(調整工程)。 The substrate liquid processing apparatus 1 adjusts the silicon concentration of the processing liquid to be within a predetermined range after the substrate carry-in process, the substrate processing process, and the substrate carry-out process are repeated a predetermined number of times (adjustment process).
この調整工程において、制御部7は、処理液供給部39によって処理液貯留部38に処理液を供給させるとともに、処理液循環部40によって処理液を循環させながら加熱させて、所定濃度(88.3重量%)及び所定温度(165℃)の処理液を生成させるとともに、処理液中のシリコン濃度が所定濃度となるように調整する。この調整工程において、制御部7は、処理液循環部40によって処理液を循環させ、所定のタイミングから断続的に開閉弁58を開放させて処理液を処理液循環部40から第2の処理液排出部54を介して排液させるとともに、処理液供給部39から新たな処理液を供給させる。そして、制御部7は、所定のタイミング(たとえば、調整工程の終了直前)で開閉弁60を開放させて濃度センサ61で処理液中のシリコン濃度を計測させる。制御部7は、濃度センサ61で計測したシリコン濃度が所定濃度範囲内でない場合には警報し、処理槽34への基板8の搬入を中断する。なお、調整工程では、処理液を処理液循環部40で常時循環させてもよく、また、断続的に循環させてもよく、また、しばらく循環を停止させ、所定のタイミングから循環させてもよい。
In this adjustment step, the
ここでは、処理液の排出量と新規の処理液の供給量とシリコン濃度との関係を調べておき、所定量の処理液の排出し、所定量の処理液を新たに供給することでシリコン濃度が所定濃度範囲となるようにしているが、濃度センサ61に所定のタイミングでシリコン濃度を計測させ、シリコン濃度が所定濃度範囲となるまで処理液を排出し、新規の処理液を供給するように制御してもよい。なお、開閉弁60を開放させて濃度センサ61で計測させるタイミングは、開閉弁58を開放させて処理液を排出させるタイミングよりも頻度を少なくしたほうが、濃度センサ61に処理液が接液する時間(頻度)をより一層短く(少なく)することができる。
Here, the relationship between the discharge amount of the treatment liquid, the supply amount of the new treatment liquid, and the silicon concentration is examined, and the silicon concentration is obtained by discharging a predetermined amount of the treatment liquid and newly supplying a predetermined amount of the treatment liquid. The
以上に説明したように、上記基板液処理装置1では、処理液貯留部38に貯留した基板8を処理するための処理液を処理液循環部40で循環し、循環する処理液を処理液循環部40の途中で分岐した第2の処理液排出部54から排出し、排出する処理液中のシリコン濃度を第2の処理液排出部54に設けた濃度センサ61で計測する。
As described above, in the substrate liquid processing apparatus 1, the processing liquid for processing the
これにより、上記基板液処理装置1では、濃度センサ61が処理液に接液する時間を短くすることができ、濃度センサ61の故障や誤作動等の発生を防止することができるとともに、濃度センサ61から析出等した塵が基板8にパーティクルとなって付着するのを防止することができ、基板8を良好に液処理することができる。
As a result, in the substrate liquid processing apparatus 1, it is possible to shorten the time during which the
なお、その他の実施形態として、図4に示した実施形態では、基板液処理工程および調整工程において、処理液中のシリコン濃度を一定濃度範囲内に保持するため、制御部7は、基板8のエッチング処理中にポンプ50を駆動させて処理液循環部40で処理液を循環させ、所定のタイミングから断続的に開閉弁58を開放させて処理液の一部を処理液循環部40から第2の処理液排出部54を介して排出させるとともに、処理液供給部39から新たな処理液を供給しているが、これに限られることはなく、図5に示すように所定のタイミングから所定時間で連続的に開閉弁58を開放させて処理液の一部を処理液循環部40から第2の処理液排出部54を介して排出させるとともに、処理液供給部39から新たな処理液を供給するようにしてもよい。
As another embodiment, in the embodiment shown in FIG. 4, in the substrate liquid processing step and the adjustment step, the
また、基板液処理工程において、基板液処理工程の開始からたとえば工程の途中まで連続的に処理液を排出するとともに、処理液を供給するようにし、その後は処理液の排出も供給も行なわないようにしてもよく、また、基板液処理工程の開始からたとえば処理の途中まで処理液の排出も供給も行なわないようにし、途中から終了まで連続的に処理液を排出するとともに、処理液を供給するようにしてもよい。 Further, in the substrate liquid processing step, the processing liquid is continuously discharged from the start of the substrate liquid processing step to the middle of the process, for example, and the processing liquid is supplied, and thereafter the processing liquid is neither discharged nor supplied. Alternatively, the processing liquid is not discharged or supplied from the start of the substrate liquid processing step to the middle of the processing, for example, and the processing liquid is continuously discharged from the middle to the end and the processing liquid is supplied. You may do it.
また、その他の実施形態として、開閉弁60を開放させて濃度センサ61で計測させるタイミングは、開閉弁58を開放させて処理液を排出させている間の所定のタイミング(たとえば、基板液処理工程の開始直後や終了直前)とすることで、濃度センサ61に処理液が接液する時間(頻度)をより一層短く(少なく)することができる。
In another embodiment, the timing at which the on-off
また、その他の実施形態として、たとえば、排出する処理液中のシリコン濃度を第2の処理液排出部54に設けた濃度センサ61で複数回計測した値を基に、基板液処理工程において、複数の計測値からシリコン濃度の上昇率を求め、基板8を処理する間にシリコン濃度が所定濃度範囲を超えると想定されると判断した場合は、シリコン濃度が所定濃度範囲を超えないよう処理液を排出する排出量および新規の処理液の供給する供給量を補正してもよい。
As another embodiment, for example, in the substrate liquid processing step, a plurality of silicon concentrations in the processing liquid to be discharged are measured based on a value measured a plurality of times by the
また、その他の実施形態として、濃度センサ61に処理液が接液する時間(頻度)をより一層短く(少なく)するために、第2の処理液排出部54に設けた濃度センサ61に処理液を通液しない間は、処理液が残留しないように、たとえば、濃度センサ61に不活性ガスまたは純水を供給し、処理液を除去するようにしてもよい。
Further, as another embodiment, in order to further shorten (less) the time (frequency) that the processing liquid contacts the
1 基板液処理装置
7 制御部
8 基板
38 処理液貯留部
39 処理液供給部
40 処理液循環部
41 処理液排出部
61 濃度センサ
1 Substrate
38 Treatment liquid reservoir
39 Treatment liquid supply unit
40 Treatment liquid circulation section
41 Treatment liquid discharge part
61 Concentration sensor
Claims (18)
前記処理槽にリン酸水溶液を供給する処理液供給部と、
前記処理槽の内部のエッチング液を循環させる処理液循環部と、
前記エッチング液を排出させる処理液排出部と、
前記エッチング液中のシリコン濃度を計測する濃度センサと、
前記濃度センサが接続され、前記処理液供給部と処理液循環部と処理液排出部とを制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記処理液循環部でエッチング液を循環させ、所定のタイミングで前記濃度センサでシリコン濃度を計測させ、前記処理液排出部からエッチング液を排出させるとともに、前記処理液供給部からリン酸水溶液を前記処理槽に供給させることを特徴とするリン酸水溶液を用いたエッチング処理制御装置。 A treatment tank for etching the substrate with an etching solution obtained by heating an aqueous phosphoric acid solution;
A treatment liquid supply unit for supplying a phosphoric acid aqueous solution to the treatment tank;
A processing liquid circulation section for circulating the etching liquid inside the processing tank;
A treatment liquid discharge section for discharging the etching liquid;
A concentration sensor for measuring the silicon concentration in the etching solution;
A controller that is connected to the concentration sensor and controls the processing liquid supply unit, the processing liquid circulation unit, and the processing liquid discharge unit;
Have
The control unit circulates the etching solution in the processing solution circulation unit, causes the concentration sensor to measure the silicon concentration at a predetermined timing, discharges the etching solution from the processing solution discharge unit, and from the processing solution supply unit. An etching process control apparatus using a phosphoric acid aqueous solution, wherein a phosphoric acid aqueous solution is supplied to the treatment tank.
前記処理槽にリン酸水溶液を供給する処理液供給部と、
前記処理槽の内部のエッチング液を循環させる処理液循環部と、
前記エッチング液を排出させる処理液排出部と、
前記エッチング液中のシリコン濃度を計測する濃度センサと、
を有するエッチング処理装置を用いて、前記基板をリン酸水溶液でエッチング処理させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
前記処理液循環部でエッチング液を循環し、所定のタイミングで前記濃度センサでシリコン濃度を計測し、前記処理液排出部からエッチング液を排出するとともに、前記処理液供給部からリン酸水溶液を前記処理槽に供給することを特徴とする基板をリン酸水溶液でエッチング処理させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。 A treatment tank for etching the substrate with an etching solution obtained by heating an aqueous phosphoric acid solution;
A treatment liquid supply unit for supplying a phosphoric acid aqueous solution to the treatment tank;
A processing liquid circulation section for circulating the etching liquid inside the processing tank;
A treatment liquid discharge section for discharging the etching liquid;
A concentration sensor for measuring the silicon concentration in the etching solution;
In a computer-readable storage medium storing a program for etching the substrate with a phosphoric acid aqueous solution using an etching processing apparatus having:
The etching solution is circulated in the processing solution circulation unit, the silicon concentration is measured by the concentration sensor at a predetermined timing, the etching solution is discharged from the processing solution discharge unit, and the phosphoric acid aqueous solution is supplied from the processing solution supply unit. A computer-readable storage medium storing a program for etching a substrate with a phosphoric acid aqueous solution, which is supplied to a processing tank.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018126626A JP6516908B2 (en) | 2018-07-03 | 2018-07-03 | Etching processing control apparatus using phosphoric acid aqueous solution, etching processing control method using phosphoric acid aqueous solution, and computer readable storage medium storing program for etching substrate with phosphoric acid aqueous solution |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018126626A JP6516908B2 (en) | 2018-07-03 | 2018-07-03 | Etching processing control apparatus using phosphoric acid aqueous solution, etching processing control method using phosphoric acid aqueous solution, and computer readable storage medium storing program for etching substrate with phosphoric acid aqueous solution |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015016198A Division JP6370233B2 (en) | 2015-01-30 | 2015-01-30 | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer readable storage medium storing substrate liquid processing program |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018148245A true JP2018148245A (en) | 2018-09-20 |
JP6516908B2 JP6516908B2 (en) | 2019-05-22 |
Family
ID=63592400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018126626A Active JP6516908B2 (en) | 2018-07-03 | 2018-07-03 | Etching processing control apparatus using phosphoric acid aqueous solution, etching processing control method using phosphoric acid aqueous solution, and computer readable storage medium storing program for etching substrate with phosphoric acid aqueous solution |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6516908B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112017997A (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-01 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001023952A (en) * | 1999-03-30 | 2001-01-26 | Tokyo Electron Ltd | Etching method and device |
JP2008305851A (en) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Toshiba Corp | Semiconductor manufacturing apparatus and method |
JP2009260245A (en) * | 2008-03-25 | 2009-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
JP2013206946A (en) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
JP2013232593A (en) * | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Tokyo Electron Ltd | Etching method, etching device, and storage medium |
WO2014151862A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Tel Fsi, Inc | System for providing heated etching solution |
-
2018
- 2018-07-03 JP JP2018126626A patent/JP6516908B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001023952A (en) * | 1999-03-30 | 2001-01-26 | Tokyo Electron Ltd | Etching method and device |
JP2008305851A (en) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Toshiba Corp | Semiconductor manufacturing apparatus and method |
JP2009260245A (en) * | 2008-03-25 | 2009-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
JP2013206946A (en) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
JP2013232593A (en) * | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Tokyo Electron Ltd | Etching method, etching device, and storage medium |
WO2014151862A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Tel Fsi, Inc | System for providing heated etching solution |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112017997A (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-01 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method |
KR20200138022A (en) | 2019-05-31 | 2020-12-09 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing apparatus, substrate processing system and substrate processing method |
KR102341676B1 (en) | 2019-05-31 | 2021-12-20 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing apparatus, substrate processing system and substrate processing method |
CN112017997B (en) * | 2019-05-31 | 2024-03-22 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6516908B2 (en) | 2019-05-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6370233B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer readable storage medium storing substrate liquid processing program | |
JP6118739B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer readable recording medium recording substrate liquid processing program | |
JP6434367B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer readable storage medium storing substrate liquid processing program | |
JP6732546B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and storage medium | |
JP6294256B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer readable storage medium storing substrate liquid processing program | |
JP6118689B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer readable storage medium storing substrate liquid processing program | |
CN108885988B (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program | |
JP6326387B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer readable storage medium storing substrate liquid processing program | |
JP6441198B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer readable storage medium storing substrate liquid processing program | |
JP6552687B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer readable storage medium storing substrate liquid processing program | |
JP6548787B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer readable storage medium storing substrate liquid processing program | |
JP6516908B2 (en) | Etching processing control apparatus using phosphoric acid aqueous solution, etching processing control method using phosphoric acid aqueous solution, and computer readable storage medium storing program for etching substrate with phosphoric acid aqueous solution | |
JP6632684B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program | |
JP2019029417A (en) | Substrate liquid processing method, substrate liquid processing apparatus, and storage medium | |
CN110010459B (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180703 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190307 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190319 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190416 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6516908 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |