JP6118689B2 - Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer readable storage medium storing substrate liquid processing program - Google Patents
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Description
本発明は、複数枚の基板で形成したロットを処理槽に貯留した処理液で液処理する基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するものである。 The present invention relates to a substrate liquid processing apparatus, a substrate liquid processing method, and a computer-readable storage medium storing a substrate liquid processing program, in which a lot formed of a plurality of substrates is processed with a processing liquid stored in a processing tank. is there.
従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する際には、基板液処理装置を用いて半導体ウエハや液晶基板などの基板に対してエッチング液や洗浄液等の処理液を用いてエッチングや洗浄等の処理を施す。 Conventionally, when manufacturing semiconductor components, flat panel displays, etc., etching, cleaning, etc. using a processing liquid such as an etching liquid or a cleaning liquid for a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate using a substrate liquid processing apparatus. Apply the process.
この基板液処理装置は、処理液を貯留した処理槽に複数枚の基板で形成したロットを浸漬させて、1ロット分の基板を一括して液処理する。処理液としては、たとえばエッチングを行う場合、リン酸を純水で所定濃度に希釈したリン酸水溶液が用いられる。また、処理液の能力(エッチングレート)が処理液中のシリコン濃度に依存するため、基板を良好に処理するには処理液中のシリコン濃度を一定濃度範囲内に保持する必要がある。 In this substrate liquid processing apparatus, a lot formed of a plurality of substrates is immersed in a processing tank in which a processing liquid is stored, and the substrates for one lot are collectively subjected to liquid processing. As the processing solution, for example, when etching is performed, a phosphoric acid aqueous solution in which phosphoric acid is diluted with pure water to a predetermined concentration is used. Further, since the capability (etching rate) of the processing solution depends on the silicon concentration in the processing solution, it is necessary to keep the silicon concentration in the processing solution within a certain concentration range in order to process the substrate satisfactorily.
基板液処理装置は、基板の処理を繰返し行うと、処理液中のシリコン濃度が増加し、処理液の能力が変化してしまい、基板の処理を良好に行えなくなる。そのため、基板液処理装置では、シリコン濃度が所定濃度以上に増加した場合に、処理槽の処理液を全て新しい処理液に交換する。その際に、交換後の処理液中のシリコン濃度が予め決められた濃度以上であり、決められた濃度範囲内となるように調整する。このシリコン濃度の調整は、シリコンからなる基板の表面にシリコン窒化膜を形成したダミーの基板を用い、複数枚のダミーの基板でダミーロットを形成し、ダミーロットを処理槽に浸漬させる(たとえば、特許文献1参照。)。 When the substrate liquid processing apparatus repeatedly processes the substrate, the silicon concentration in the processing liquid increases, the capacity of the processing liquid changes, and the substrate cannot be processed satisfactorily. Therefore, in the substrate liquid processing apparatus, when the silicon concentration increases to a predetermined concentration or higher, all the processing liquid in the processing tank is replaced with a new processing liquid. At that time, adjustment is made so that the silicon concentration in the processing solution after replacement is equal to or higher than a predetermined concentration and falls within a predetermined concentration range. The silicon concentration is adjusted by using a dummy substrate in which a silicon nitride film is formed on the surface of a substrate made of silicon, forming a dummy lot with a plurality of dummy substrates, and immersing the dummy lot in a processing bath (for example, (See Patent Document 1).
上記従来の基板液処理装置では、製品となる複数枚の基板で形成した製品ロットの処理が終了した後に、処理槽の処理液を新しい処理液に交換し、その後、複数枚のダミーの基板でダミーロットを形成し、そのダミーロットを処理槽に搬送して交換後の処理液に浸漬させシリコン濃度を調整していた。そして、ダミーロットの処理が終了した後に、再び製品ロットの処理(製品ロットの形成や製品ロットの搬送など)を開始していた。 In the above conventional substrate liquid processing apparatus, after the processing of the product lot formed with a plurality of substrates as products is completed, the processing liquid in the processing tank is replaced with a new processing liquid, and then a plurality of dummy substrates are used. A dummy lot was formed, and the dummy lot was transferred to a treatment tank and immersed in the treatment solution after replacement to adjust the silicon concentration. Then, after the processing of the dummy lot is finished, the processing of the product lot (formation of the product lot, conveyance of the product lot, etc.) is started again.
そのため、従来の基板液処理装置では、製品ロットの処理が行われない時間(処理液の交換やダミーロットを用いたシリコン濃度の調整に要する時間)が長くなってしまい、製品ロットの処理効率が低下していた。 For this reason, in the conventional substrate liquid processing apparatus, the time during which the product lot is not processed (the time required for changing the processing liquid or adjusting the silicon concentration using the dummy lot) becomes long, and the processing efficiency of the product lot is increased. It was falling.
そこで、本発明では、複数枚の基板で形成したロットを処理槽に貯留した処理液で液処理する基板液処理装置において、複数枚の基板を収容したキャリアの搬入及び搬出を行うキャリア搬入出部と、前記キャリア搬入出部から受取った複数枚の基板からロットを形成するロット形成部と、前記ロット形成部で形成したロットを載置するロット載置部と、前記ロット載置部に載置されたロットを処理槽に搬送するロット搬送部と、前記ロット搬送部で搬送されたロットを処理槽に貯留した処理液に浸漬させてロットを形成する複数枚の基板を一括して液処理するロット処理部と、前記キャリア搬入出部、ロット形成部、ロット搬送部、ロット処理部とを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記処理槽の処理液を交換した後に製品とはならない複数枚のダミーの基板で形成したダミーロットを前記ロット処理部で処理することで処理液のシリコン濃度の調整を行い、前記処理槽の処理液を交換する際に、処理液の交換を開始する交換開始時間を決定し、前記交換開始時間から処理液の交換を終了する交換終了予定時間を求めるとともに、ダミーロットを形成してロット載置部に載置するのに要するダミーロット形成時間と前記交換終了予定時間からダミーロットの形成を開始するダミーロット形成開始時間を求めて、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部に載置させることにした。 Therefore, in the present invention, in a substrate liquid processing apparatus for processing a lot formed of a plurality of substrates with a processing solution stored in a processing tank, a carrier loading / unloading unit that loads and unloads a carrier containing a plurality of substrates. A lot forming unit for forming a lot from a plurality of substrates received from the carrier loading / unloading unit, a lot mounting unit for mounting a lot formed by the lot forming unit, and a mounting unit on the lot mounting unit A lot transfer unit that transfers the lots to the processing tank, and a plurality of substrates that form a lot by immersing the lots transferred in the lot transfer unit in a processing solution stored in the processing tanks are collectively processed. A lot processing unit, and a control unit that controls the carrier carry-in / out unit, the lot forming unit, the lot transport unit, and the lot processing unit, and the control unit replaces the processing liquid in the processing tank with the product. Goodbye When processing the dummy lot formed with multiple dummy substrates, the silicon concentration of the processing solution is adjusted by the lot processing unit, and the replacement of the processing solution is started when the processing solution in the processing tank is replaced Determining a replacement start time to be determined, obtaining a replacement end scheduled time for ending the replacement of the processing liquid from the replacement start time, and forming a dummy lot and placing the dummy lot on the lot mounting portion; and The dummy lot formation start time for starting the formation of the dummy lot is obtained from the scheduled replacement end time, and at least when the replacement of the treatment liquid is completed, the dummy lot is placed on the lot placement unit.
また、前記制御部は、前記交換終了予定時間から前記ダミーロットを前記処理槽から排出した後に前記ロット搬送部で製品ロットを前記処理槽に搬送できる製品ロット搬送可能予定時間を求め、製品ロットを形成してロット載置部に載置するのに要する製品ロット形成時間と前記製品ロット搬送可能予定時間から製品ロットの形成を開始する製品ロット形成開始時間を求めて、少なくとも前記処理槽から前記ダミーロットを排出した時に製品ロットをロット載置部に載置させることにした。
Further, the control unit obtains a product lot transportable scheduled time during which the product lot can be transported to the processing tank by the lot transport unit after discharging the dummy lot from the processing tank from the replacement end scheduled time, The product lot formation start time for starting the formation of the product lot from the product lot formation time required to form and place on the lot placement unit and the product lot transportable scheduled time is obtained, and at least the dummy from the processing tank When the lot was discharged, the product lot was placed on the lot placement section.
また、前記制御部は、前記キャリアに水平姿勢で収容された基板を垂直姿勢に姿勢変更して前記ロット載置部に載置させ、垂直姿勢のまま基板を前記ロット搬送部で搬送させるとともに前記ロット処理部で処理させることにした。 In addition, the control unit changes the posture of the substrate accommodated in the carrier in a horizontal posture to a vertical posture and places the substrate on the lot placement unit, conveys the substrate in the vertical posture in the lot transportation unit, and I decided to make it processed in the lot processing part.
また、本発明では、複数枚の基板で形成したロットを処理槽に貯留した処理液で液処理する基板液処理方法において、前記処理槽の処理液を交換した後に製品とはならない複数枚のダミーの基板で形成したダミーロットを前記処理槽で処理することで処理液のシリコン濃度の調整を行い、前記処理槽の処理液を交換する際に、処理液の交換を開始する交換開始時間を決定し、前記交換開始時間から処理液の交換を終了する交換終了予定時間を求めるとともに、ダミーロットを形成してロット載置部に載置するのに要するダミーロット形成時間と前記交換終了予定時間からダミーロットの形成を開始するダミーロット形成開始時間を求めて、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部に載置することにした。 Further, in the present invention, in a substrate liquid processing method for processing a lot formed of a plurality of substrates with a processing liquid stored in a processing tank, a plurality of dummy sheets that do not become products after the processing liquid in the processing tank is replaced. The silicon concentration of the processing liquid is adjusted by processing the dummy lot formed with the substrate in the processing tank, and when replacing the processing liquid in the processing tank, the replacement start time for starting the replacement of the processing liquid is determined. The replacement end scheduled time for ending the replacement of the processing liquid is obtained from the replacement start time, and the dummy lot forming time required for forming the dummy lot and placing it on the lot mounting portion is determined from the replacement end scheduled time. The dummy lot formation start time for starting the formation of the dummy lot is obtained, and at least when the replacement of the processing liquid is completed, the dummy lot is placed on the lot placement unit.
また、前記交換終了予定時間から前記ダミーロットを前記処理槽から排出した後に前記ロット搬送部で製品ロットを前記処理槽に搬送できる製品ロット搬送可能予定時間を求め、製品ロットを形成してロット載置部に載置するのに要する製品ロット形成時間と前記製品ロット搬送可能予定時間から製品ロットの形成を開始する製品ロット形成開始時間を求めて、少なくとも前記処理槽から前記ダミーロットを排出した時に製品ロットをロット載置部に載置することにした。 Further, after the dummy lot is discharged from the processing tank from the scheduled completion time of the replacement, a product lot transportable scheduled time in which the product lot can be transported to the processing tank by the lot transport unit is obtained, and the product lot is formed and mounted on the lot. When a product lot formation start time for starting the formation of a product lot is determined from the product lot formation time required to be placed on the mounting section and the product lot transportable scheduled time, and at least when the dummy lot is discharged from the processing tank We decided to place the product lot on the lot placement section.
また、前記キャリアに水平姿勢で収容された基板を垂直姿勢に姿勢変更して前記ロット載置部に載置し、垂直姿勢のまま基板を搬送するとともに処理することにした。 Further, the substrate accommodated in the carrier in a horizontal posture is changed to a vertical posture and placed on the lot placement unit, and the substrate is transported and processed in the vertical posture.
また、本発明では、複数枚の基板で形成したロットを処理槽に貯留した処理液で液処理させる基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、前記処理槽の処理液を交換した後に製品とはならない複数枚のダミーの基板で形成したダミーロットを前記処理槽で処理することで処理液のシリコン濃度の調整を行わせ、前記処理槽の処理液を交換する際に、処理液の交換を開始する交換開始時間を決定し、前記交換開始時間から処理液の交換を終了する交換終了予定時間を求めるとともに、ダミーロットを形成してロット載置部に載置するのに要するダミーロット形成時間と前記交換終了予定時間からダミーロットの形成を開始するダミーロット形成開始時間を求めて、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部に載置させることにした。 Further, in the present invention, in the computer-readable storage medium storing the substrate liquid processing program for processing the lot formed of a plurality of substrates with the processing liquid stored in the processing tank, the processing liquid in the processing tank is replaced. When processing the dummy lot formed with a plurality of dummy substrates that will not become products later in the processing tank, the silicon concentration of the processing liquid is adjusted, and when the processing liquid in the processing tank is replaced, the processing liquid A replacement start time for starting the replacement of the liquid, and determining a replacement end scheduled time for ending the replacement of the processing solution from the replacement start time, and forming a dummy lot and placing it on the lot mounting portion The dummy lot formation start time for starting the formation of the dummy lot is obtained from the lot formation time and the scheduled replacement end time, and at least when the replacement of the processing liquid is completed. It was to be placed on the Rotto lot placement portion.
本発明では、製品ロットの処理が行われない時間(処理液の交換やダミーロットを用いたシリコン濃度の調整に要する時間)を短くすることができ、製品ロットの処理効率を向上させることができる。 In the present invention, the time during which the product lot is not processed (the time required for changing the processing solution and adjusting the silicon concentration using the dummy lot) can be shortened, and the processing efficiency of the product lot can be improved. .
以下に、本発明に係る基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, specific configurations of a substrate liquid processing apparatus, a substrate liquid processing method, and a substrate liquid processing program according to the present invention will be described with reference to the drawings.
図1に示すように、基板液処理装置1は、キャリア搬入出部2、ロット形成部3、ロット載置部4、ロット搬送部5、ロット処理部6、制御部7を有する。
As shown in FIG. 1, the substrate liquid processing apparatus 1 includes a carrier carry-in /
キャリア搬入出部2は、複数枚(たとえば、25枚)の基板8を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア9の搬入及び搬出を行う。
The carrier loading / unloading
このキャリア搬入出部2には、複数個のキャリア9を載置するキャリアステージ10と、キャリア9の搬送を行うキャリア搬送機構11と、キャリア9を一時的に保管するキャリアストック12,13と、キャリア9を載置するキャリア載置台14とが設けられている。ここで、キャリアストック12は、製品となる基板8を処理前又は処理後に一時的に保管する。また、キャリアストック13は、製品とはならないダミーの基板8(処理液のシリコン濃度の調整を行うためにシリコン基板の表面にシリコン窒化膜を形成した基板8)を一時的に保管する。
The carrier loading /
そして、キャリア搬入出部2は、外部からキャリアステージ10に搬入されたキャリア9をキャリア搬送機構11を用いてキャリアストック12,13やキャリア載置台14に搬送する。また、キャリア搬入出部2は、キャリア載置台14に載置されたキャリア9をキャリア搬送機構11を用いてキャリアストック12,13やキャリアステージ10に搬送する。キャリアステージ10に搬送されたキャリア9は、外部へ搬出される。
Then, the carrier carry-in / out
ロット形成部3は、1又は複数のキャリア9に収容された基板8を組合せて同時に処理される複数枚(たとえば、50枚)の基板8からなるロットを形成する。
The
このロット形成部3には、複数枚の基板8を搬送する基板搬送機構15が設けられている。なお、基板搬送機構15は、基板8の搬送途中で基板8の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢及び垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。
The
そして、ロット形成部3は、キャリア載置台14に載置されたキャリア9から基板搬送機構15を用いて基板8をロット載置部4に搬送し、ロット載置部4でロットを形成する。また、ロット形成部3は、ロット載置部4に載置されたロットを基板搬送機構15でキャリア載置台14に載置されたキャリア9へ搬送する。なお、基板搬送機構15は、複数枚の基板8を支持するための基板支持部として、処理前(ロット搬送部5で搬送される前)の基板8を支持する処理前基板支持部と、処理後(ロット搬送部5で搬送された後)の基板8を支持する処理後基板支持部の2種類を有している。これにより、処理前の基板8等に付着したパーティクル等が処理後の基板8等に転着するのを防止する。
Then, the
ロット載置部4は、ロット搬送部5によってロット形成部3とロット処理部6との間で搬送されるロットを一時的に載置(待機)する。
The
このロット載置部4には、処理前(ロット搬送部5で搬送される前)のロットを載置する搬入側ロット載置台17と、処理後(ロット搬送部5で搬送された後)のロットを載置する搬出側ロット載置台18とが設けられている。搬入側ロット載置台17及び搬出側ロット載置台18には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて載置される。
The
そして、ロット載置部4では、ロット形成部3で形成したロットが搬入側ロット載置台17に載置され、そのロットがロット搬送部5を介してロット処理部6に搬入される。また、ロット載置部4では、ロット処理部6からロット搬送部5を介して搬出されたロットが搬出側ロット載置台18に載置され、そのロットがロット形成部3に搬送される。
In the
ロット搬送部5は、ロット載置部4とロット処理部6との間やロット処理部6の内部間でロットの搬送を行う。
The
このロット搬送部5には、ロットの搬送を行うロット搬送機構19が設けられている。ロット搬送機構19は、ロット載置部4とロット処理部6に沿わせて配置したレール20と、複数枚の基板8を保持しながらレール20に沿って移動する移動体21とで構成する。移動体21には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板8を保持する基板保持体22が進退自在に設けられている。
The
そして、ロット搬送部5は、搬入側ロット載置台17に載置されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットをロット処理部6に受渡す。また、ロット搬送部5は、ロット処理部6で処理されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットを搬出側ロット載置台18に受渡す。さらに、ロット搬送部5は、ロット搬送機構19を用いてロット処理部6の内部においてロットの搬送を行う。
Then, the
ロット処理部6は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板8を1ロットとしてエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行う。
The
このロット処理部6には、基板8の乾燥処理を行う乾燥処理装置23と、基板保持体22の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置24と、基板8の洗浄処理を行う洗浄処理装置25と、基板8のエッチング処理を行う2台のエッチング処理装置26とが並べて設けられている。
The
乾燥処理装置23は、処理槽27に基板昇降機構28を昇降自在に設けている。処理槽27には、基板8の乾燥を行うIPA(イソプロピルアルコール)等の乾燥用の処理ガスが供給される。基板昇降機構28には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置23は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構28で受取り、基板昇降機構28でそのロットを昇降させることでロットを処理槽27の乾燥用の処理液に浸漬させて基板8の乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置23は、基板昇降機構28からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。
The drying
基板保持体洗浄処理装置24は、処理槽29に洗浄用の処理液及び乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構19の基板保持体22に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体22の洗浄処理を行う。
The substrate holder
洗浄処理装置25は、洗浄用の処理槽30とリンス用の処理槽31とを有し、各処理槽30,31に基板昇降機構32,33を昇降自在に設けている。洗浄用の処理槽30には、基板8の洗浄を行うSC−1等の洗浄用の処理液が貯留される。リンス用の処理槽31には、基板8のリンスを行う純水等のリンス用の処理液が貯留される。基板昇降機構32,33には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて保持される。洗浄処理装置25は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構32で受取り、基板昇降機構32でそのロットを昇降させることでロットを処理槽30の洗浄用の処理液に浸漬させて基板8の洗浄処理を行う。その後、洗浄処理装置25は、基板昇降機構32からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。また、洗浄処理装置25は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構33で受取り、基板昇降機構33でそのロットを昇降させることでロットを処理槽31のリンス用の処理液に浸漬させて基板8のリンス処理を行う。その後、洗浄処理装置25は、基板昇降機構33からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。
The cleaning
エッチング処理装置26は、エッチング用の処理槽34とリンス用の処理槽35とを有し、各処理槽34,35に基板昇降機構36,37を昇降自在に設けている。エッチング用の処理槽34には、基板8のエッチングを行うリン酸水溶液等のエッチング用の処理液が貯留される。リンス用の処理槽35には、基板8のリンスを行う純水等のリンス用の処理液が貯留される。基板昇降機構36,37には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて保持される。エッチング処理装置26は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構36で受取り、基板昇降機構36でそのロットを昇降させることでロットを処理槽34のエッチング用の処理液に浸漬させて基板8のエッチング処理を行う。その後、エッチング処理装置26は、基板昇降機構36からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。また、エッチング処理装置26は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構37で受取り、基板昇降機構37でそのロットを昇降させることでロットを処理槽35のリンス用の処理液に浸漬させて基板8のリンス処理を行う。その後、エッチング処理装置26は、基板昇降機構37からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。
The
このエッチング処理装置26には、図2に示すように、エッチング用の処理槽34に処理液を供給する処理液供給機構38と、処理槽34から処理液を排出する処理液排出機構39と、処理液中のシリコンの濃度を検出するシリコン濃度センサ40とが設けられている。処理液供給機構38は、処理槽34の底部にノズル41を設け、ノズル41に処理液供給源42を流量調整器43を介して接続している。処理液排出機構39は、処理槽34の底部に排液口44を形成し、排液口44を開閉器45を介して外部のドレインに接続している。
As shown in FIG. 2, the
そして、エッチング処理装置26は、処理液排出機構39によって処理槽34の内部に貯留されていた処理液を外部に全量排出し、その後、処理液供給機構38によって処理槽34の内部に処理液を供給することで、処理槽34に貯留される処理液を全量交換することができる。
Then, the
制御部7は、基板液処理装置1の各部(キャリア搬入出部2、ロット形成部3、ロット載置部4、ロット搬送部5、ロット処理部6など)の動作を制御する。
The control unit 7 controls the operation of each unit of the substrate liquid processing apparatus 1 (such as the carrier carry-in / out
この制御部7は、たとえばコンピュータであり、制御装置46と記憶装置47を備える。記憶装置47には、基板液処理装置1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置46は、記憶装置47に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板液処理装置1の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、その記憶媒体から記憶装置47にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
The control unit 7 is a computer, for example, and includes a
基板液処理装置1は、以上に説明したように構成しており、制御部7によって制御される。 The substrate liquid processing apparatus 1 is configured as described above, and is controlled by the control unit 7.
基板液処理装置1は、通常の使用時には、図3に示す基板液処理プログラム(製品ロットの処理)に従って、製品となる複数枚の基板8で形成した製品ロットに対して各種の処理を施す。
In normal use, the substrate liquid processing apparatus 1 performs various processes on a product lot formed of a plurality of
その場合、まず、基板液処理装置1は、製品ロットの形成を行う(製品ロット形成ステップS1)。この製品ロット形成工程では、制御部7は、キャリア搬入出部2とロット形成部3とを協働させて製品となる複数枚の基板8で製品ロットを形成させ、その後、製品ロットをロット形成部3からロット載置部4に搬送させ、製品ロットを搬入側ロット載置台17に載置させる。この製品ロット形成工程では、2個のキャリア9に水平姿勢で収容されていた基板8を2回に分けて基板搬送機構15で水平姿勢から垂直姿勢に姿勢変更して搬入側ロット載置台17に搬送するとともに、搬送された基板8を搬入側ロット載置台17で組合せて製品ロットを形成する。或いは、1個のキャリア9に収容された基板8を基板搬送機構15で水平姿勢から垂直姿勢に姿勢変更して搬入側ロット載置台17に載置する。なお、キャリア9は、キャリアステージ10に載置されている場合もあり、また、キャリアストック12に保管されている場合もある。
In that case, first, the substrate liquid processing apparatus 1 forms a product lot (product lot forming step S1). In this product lot forming process, the control unit 7 causes the carrier carry-in / out
次に、基板液処理装置1は、製品ロットをロット載置部4からロット処理部6に搬入する(製品ロット搬入ステップS2)。この製品ロット搬入工程では、制御部7は、ロット搬送機構19を制御して、搬入側ロット載置台17に載置された製品ロットをエッチング処理装置26の基板昇降機構36に搬送させる。
Next, the substrate liquid processing apparatus 1 carries the product lot from the
次に、基板液処理装置1は、製品ロットを形成する基板8をエッチング処理する(エッチング処理ステップS3)。このエッチング処理工程では、制御部7は、エッチング処理装置26の基板昇降機構36を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽34に貯留したエッチング用の処理液に製品ロットを浸漬させる。
Next, the substrate liquid processing apparatus 1 performs an etching process on the
次に、基板液処理装置1は、製品ロットをエッチング処理装置26の処理槽34,35の間で搬送する(槽間搬送ステップS4)。この槽間搬送工程では、制御部7は、ロット搬送機構19を制御して、エッチング用の処理槽34の基板昇降機構36で保持された製品ロットをリンス用の処理槽35の基板昇降機構37に搬送させる。
Next, the substrate solution processing apparatus 1 transfers the product lot between the processing
次に、基板液処理装置1は、製品ロットを形成する基板8をリンス処理する(リンス処理ステップS5)。このリンス処理工程では、制御部7は、エッチング処理装置26の基板昇降機構37を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽35に貯留したリンス用の処理液に製品ロットを浸漬させる。
Next, the substrate liquid processing apparatus 1 rinses the
次に、基板液処理装置1は、製品ロットをエッチング処理装置26と洗浄処理装置25との間で搬送する(装置間搬送ステップS6)。この装置間搬送工程では、制御部7は、ロット搬送機構19を制御して、エッチング処理装置26の基板昇降機構37で保持された製品ロットを洗浄処理装置25の基板昇降機構32に搬送させる。
Next, the substrate solution processing apparatus 1 transfers the product lot between the
次に、基板液処理装置1は、製品ロットを形成する基板8を洗浄処理する(洗浄処理ステップS7)。この洗浄処理工程では、制御部7は、洗浄処理装置25の基板昇降機構32を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽30に貯留した洗浄用の処理液に製品ロットを浸漬させる。
Next, the substrate liquid processing apparatus 1 cleans the
次に、基板液処理装置1は、製品ロットを洗浄処理装置25の処理槽30,31の間で搬送する(槽間搬送ステップS8)。この槽間搬送工程では、制御部7は、ロット搬送機構19を制御して、洗浄用の処理槽30の基板昇降機構32で保持された製品ロットをリンス用の処理槽31の基板昇降機構33に搬送させる。
Next, the substrate liquid processing apparatus 1 transports the product lot between the processing
次に、基板液処理装置1は、製品ロットを形成する基板8をリンス処理する(リンス処理ステップS9)。このリンス処理工程では、制御部7は、洗浄処理装置25の基板昇降機構33を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽31に貯留したリンス用の処理液に製品ロットを浸漬させる。
Next, the substrate liquid processing apparatus 1 rinses the
次に、基板液処理装置1は、製品ロットを洗浄処理装置25と乾燥処理装置23との間で搬送する(装置間搬送ステップS10)。この装置間搬送工程では、制御部7は、ロット搬送機構19を制御して、洗浄処理装置25の基板昇降機構33で保持された製品ロットを乾燥処理装置23の基板昇降機構28に搬送させる。
Next, the substrate liquid processing apparatus 1 transfers the product lot between the cleaning
次に、基板液処理装置1は、製品ロットを形成する基板8を乾燥処理する(乾燥処理ステップS11)。この乾燥処理工程では、制御部7は、乾燥処理装置23の基板昇降機構28を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽27にて乾燥用の処理ガスを製品ロットに供給する。
Next, the substrate liquid processing apparatus 1 performs a drying process on the
次に、基板液処理装置1は、製品ロットをロット処理部6からロット載置部4に搬出する(製品ロット搬出ステップS12)。この製品ロット搬出工程では、制御部7は、ロット搬送機構19を制御して、乾燥処理装置23の基板昇降機構28で保持された製品ロットを搬出側ロット載置台18に載置させる。
Next, the substrate solution processing apparatus 1 carries the product lot from the
その後、基板液処理装置1は、製品ロットを形成する基板8をキャリア9に収容する(キャリア収容ステップS13)。このキャリア収容工程では、制御部7は、キャリア搬入出部2とロット形成部3とを協働させて製品ロットを形成する基板8をキャリア9に収容させる。このキャリア収容工程では、搬出側ロット載置台18に載置された製品ロットを基板搬送機構15で垂直姿勢から水平姿勢に姿勢変更して2個のキャリア9に2回に分けて搬送する。或いは、搬出側ロット載置台18に載置された製品ロットを基板搬送機構15で垂直姿勢から水平姿勢に姿勢変更して1個のキャリア9に搬送する。なお、キャリア9は、キャリアステージ10に載置されている場合もあり、また、キャリアストック12に保管されている場合もある。
Thereafter, the substrate liquid processing apparatus 1 accommodates the
以上に説明した通常の使用時において、エッチング用の処理液を交換する必要が生じた場合、基板液処理装置1は、図4に示す基板液処理プログラム(処理液の交換)に従って、処理液の交換を行う。なお、たとえば、エッチング処理装置26のシリコン濃度センサ40で処理槽34に貯留された処理液(リン酸水溶液)のシリコン濃度が予め決められた範囲外となった場合や、処理槽34に貯留された処理液(リン酸水溶液)で処理した製品ロットの回数や基板8の枚数が予め決められた値以上となった場合などに処理液の交換が必要と判断する。
When it is necessary to replace the etching processing liquid during normal use as described above, the substrate liquid processing apparatus 1 performs processing liquid replacement according to the substrate liquid processing program (exchange of processing liquid) shown in FIG. Exchange. For example, when the silicon concentration of the processing liquid (phosphoric acid aqueous solution) stored in the
その場合、基板液処理装置1は、処理槽34に貯留されている処理液の排出を開始する(処理液排出開始ステップS21)。この処理液排出開始工程では、制御部7は、処理液排出機構39の開閉器45を開放させて、処理液を処理槽34から外部のドレインに排出させる。
In that case, the substrate liquid processing apparatus 1 starts discharging the processing liquid stored in the processing tank 34 (processing liquid discharge start step S21). In this processing liquid discharge start step, the control unit 7 opens the
次に、基板液処理装置1は、処理液の排出を終了する(処理液排出終了ステップS22)。この処理液排出終了工程では、制御部7は、処理液排出開始ステップS21から一定時間経過後に、或いは、図示しないセンサで処理槽34の内部に処理液が残留しないことを検出した後に、開閉器45を閉塞させて、処理液の排出を終了させる。
Next, the substrate liquid processing apparatus 1 ends the discharge of the processing liquid (processing liquid discharge end step S22). In this processing liquid discharge ending step, the controller 7 switches the switch after a predetermined time has elapsed from the processing liquid discharge start step S21 or after detecting that the processing liquid does not remain in the
次に、基板液処理装置1は、新規の処理液の供給を開始する(処理液供給開始ステップS23)。この処理液供給開始工程では、制御部7は、処理液供給機構38の流量調整器43を開放させて、処理液供給源42から新規の処理液(所定濃度範囲内のリン酸水溶液)を処理槽34に供給させる。
Next, the substrate liquid processing apparatus 1 starts supplying a new processing liquid (processing liquid supply start step S23). In this processing liquid supply start step, the control unit 7 opens the
その後、基板液処理装置1は、新規の処理液の供給を終了する(処理液供給終了ステップS24)。この処理液供給終了工程では、制御部7は、処理液供給開始ステップS23から一定時間経過後に、或いは、図示しないセンサで処理槽34の内部に所定量の処理液が貯留されたことを検出した後に、流量調整器43を閉塞させて、処理液の供給を終了させる。
Thereafter, the substrate liquid processing apparatus 1 ends the supply of the new processing liquid (processing liquid supply end step S24). In this processing liquid supply end step, the control unit 7 detects that a predetermined amount of processing liquid has been stored in the
以上に説明した処理液の交換を行う際に、基板液処理装置1は、図5に示す基板液処理プログラム(ダミーロットの処理)に従って、製品とはならない複数枚の基板8で形成したダミーロットを用いて処理液中のシリコンの濃度を調整する。なお、後述するように、このシリコン濃度調整工程は、前述した処理液交換工程と平行して実行される。
When replacing the processing liquid described above, the substrate liquid processing apparatus 1 performs a dummy lot formed with a plurality of
その場合、まず、基板液処理装置1は、ダミーロットの形成を行う(ダミーロット形成ステップS31)。このダミーロット形成工程では、制御部7は、キャリア搬入出部2とロット形成部3とを協働させて製品とはならない複数枚のダミー基板8(処理液のシリコン濃度の調整を行うためにシリコン基板の表面にシリコン窒化膜を形成した基板8)でダミーロットを形成させ、その後、ダミーロットをロット形成部3からロット載置部4に搬送させ、ダミーロットを搬入側ロット載置台17に載置させる。このダミーロット形成工程では、キャリアストック13に保管されたキャリア9に収容されたダミーの基板8を基板搬送機構15で水平姿勢から垂直姿勢に姿勢変更して搬入側ロット載置台17に載置する。
In that case, first, the substrate liquid processing apparatus 1 forms a dummy lot (dummy lot forming step S31). In this dummy lot forming process, the control unit 7 cooperates the carrier carry-in / out
次に、基板液処理装置1は、ダミーロットをロット載置部4からロット処理部6に搬入する(ダミーロット搬入ステップS32)。このダミーロット搬入工程では、制御部7は、ロット搬送機構19を制御して、搬入側ロット載置台17に載置されたダミーロットをエッチング処理装置26の基板昇降機構36に搬送させる。
Next, the substrate solution processing apparatus 1 carries the dummy lot from the
次に、基板液処理装置1は、ダミーロットを形成する基板8をエッチング処理装置26の処理槽34に浸漬する(ダミーロット浸漬ステップS33)。このダミーロット浸漬工程では、制御部7は、エッチング処理装置26の基板昇降機構36を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽34に貯留したエッチング用の処理液にダミーロットを浸漬させる。
Next, the substrate liquid processing apparatus 1 immerses the
次に、基板液処理装置1は、ダミーロットをエッチング処理装置26の処理槽34,35の間で搬送する(槽間搬送ステップS34)。この槽間搬送工程では、制御部7は、ロット搬送機構19を制御して、エッチング用の処理槽34の基板昇降機構36で保持されたダミーロットをリンス用の処理槽35の基板昇降機構37に搬送させる。
Next, the substrate liquid processing apparatus 1 transfers the dummy lot between the processing
次に、基板液処理装置1は、ダミーロットを形成する基板8をリンス処理する(リンス処理ステップS35)。このリンス処理工程では、制御部7は、エッチング処理装置26の基板昇降機構37を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽35に貯留したリンス用の処理液にダミーロットを浸漬させる。
Next, the substrate liquid processing apparatus 1 rinses the
次に、基板液処理装置1は、ダミーロットをエッチング処理装置26と乾燥処理装置23との間で搬送する(装置間搬送ステップS36)。この装置間搬送工程では、制御部7は、ロット搬送機構19を制御して、エッチング処理装置26の基板昇降機構37で保持されたダミーロットを乾燥処理装置23の基板昇降機構28に搬送させる。
Next, the substrate solution processing apparatus 1 transfers the dummy lot between the
次に、基板液処理装置1は、ダミーロットを形成する基板8を乾燥処理する(乾燥処理ステップS37)。この乾燥処理工程では、制御部7は、乾燥処理装置23の基板昇降機構28を降下させるとともに所定時間経過後に上昇させて、処理槽27にて乾燥用の処理ガスをダミーロットに供給する。
Next, the substrate liquid processing apparatus 1 performs a drying process on the
次に、基板液処理装置1は、ダミーロットをロット処理部6からロット載置部4に搬出する(ダミーロット搬出ステップS38)。このダミーロット搬出工程では、制御部7は、ロット搬送機構19を制御して、乾燥処理装置23の基板昇降機構28で保持されたダミーロットを搬出側ロット載置台18に載置させる。
Next, the substrate liquid processing apparatus 1 carries out the dummy lot from the
その後、基板液処理装置1は、ダミーロットを形成する基板8をキャリアストック13に保管されたキャリア9に収容する(キャリア収容ステップS39)。このキャリア収容工程では、制御部7は、キャリア搬入出部2とロット形成部3とを協働させてダミーロットを形成する基板8をキャリア9に収容させる。このキャリア収容工程では、搬出側ロット載置台18に載置されたダミーロットを基板搬送機構15で垂直姿勢から水平姿勢に姿勢変更してキャリア9に搬送する。
Thereafter, the substrate liquid processing apparatus 1 accommodates the
以上に説明した処理液交換工程やシリコン濃度調整工程を行う際に、基板液処理装置1は、図6に示す基板液処理プログラム(ロット形成開始時間の設定)に従って、処理液交換工程やシリコン濃度調整工程を行う時間(タイミング)を設定する(図7参照。)。 When performing the processing liquid exchange process and the silicon concentration adjustment process described above, the substrate liquid processing apparatus 1 performs the processing liquid replacement process and the silicon concentration according to the substrate liquid processing program (setting of the lot formation start time) shown in FIG. The time (timing) for performing the adjustment process is set (see FIG. 7).
その場合、まず、制御部7は、処理液の交換を開始する時間を決定する(交換開始時間決定ステップS41)。その際には、例えば、処理槽34に貯留された処理液(リン酸水溶液)で処理した製品ロットの回数や基板8の枚数が予め決められた所定値以上となった場合などに処理液の交換が必要と判断され、基板液処理装置1の各部の稼働状況を考慮して処理液の交換を開始するのに適した時間を交換開始時間に決定する。
In that case, first, the control unit 7 determines the time for starting the replacement of the processing liquid (exchange start time determining step S41). In this case, for example, when the number of product lots processed with the processing liquid (phosphoric acid aqueous solution) stored in the
次に、制御部7は、処理液の交換が終了する予定の時間を算出する(交換終了予定時間算出ステップS42)。その際には、図7に示すように、交換開始時間決定ステップS41で決定した交換開始時間に、処理液交換工程(S21〜S24)を実行するのに要する時間(処理液交換時間)を加えて、交換終了予定時間を算出する。 Next, the control unit 7 calculates a time at which the replacement of the processing liquid is scheduled to be completed (calculated replacement end time calculating step S42). In that case, as shown in FIG. 7, the time required to execute the processing liquid replacement steps (S21 to S24) (processing liquid replacement time) is added to the replacement start time determined in the replacement start time determination step S41. To calculate the scheduled replacement end time.
次に、制御部7は、ダミーロットの形成を開始する時間を算出する(ダミーロット形成開始時間算出ステップS43)。その際には、図7に示すように、交換終了予定時間算出ステップS42で算出した交換終了予定時間から、ダミーロット形成ステップS31を実行するのに要する時間(ダミーロット形成時間)を引いて、ダミーロット形成開始時間を算出する。ここで、ダミーロット形成時間は、ダミーロットを形成するキャリアの数を考慮してダミーロットの形成に要する実際的な時間を算出する。また、交換終了予定時間からダミーロット形成時間を単に引いた時間をダミーロット形成開始時間としてもよく、交換終了予定時間からダミーロット形成時間と予め設定したマージン(時間)とを引いた時間をダミーロット形成開始時間としてもよい。 Next, the control unit 7 calculates the time for starting the formation of the dummy lot (dummy lot formation start time calculating step S43). In that case, as shown in FIG. 7, the time required to execute the dummy lot forming step S31 (dummy lot forming time) is subtracted from the scheduled replacement end time calculated in the planned replacement end time calculating step S42. The dummy lot formation start time is calculated. Here, the dummy lot formation time is calculated as an actual time required for forming the dummy lot in consideration of the number of carriers forming the dummy lot. Alternatively, the dummy lot formation start time may be simply subtracted from the planned replacement end time, and the dummy lot formation start time may be used as the dummy lot formation start time minus a preset margin (time). It may be the lot formation start time.
そして、制御部7は、図7に示すように、交換開始時間決定ステップS41で決定した交換開始時間になった場合に、図4に示した基板液処理プログラム(処理液の交換)を実行して処理液交換工程を行わせるとともに、ダミーロット形成開始時間算出ステップS43で算出したダミーロット形成開始時間になった場合に、図5に示した基板液処理プログラム(ダミーロットの処理)を実行してシリコン濃度調整工程を行わせる。 Then, as shown in FIG. 7, the control unit 7 executes the substrate liquid processing program (replacement of processing liquid) shown in FIG. 4 when the replacement start time determined in the replacement start time determination step S41 is reached. Then, when the dummy lot formation start time calculated in the dummy lot formation start time calculation step S43 is reached, the substrate liquid processing program (dummy lot processing) shown in FIG. 5 is executed. Then, the silicon concentration adjustment process is performed.
このように、基板液処理装置1は、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部4に載置させておき、処理液の交換が終了した後に直ちにロット載置部4からダミーロットをロット処理部6に搬入させて処理槽34に浸漬させる。ダミーロットを形成し、処理槽の近辺でダミーロットを待機させているので、処理液の交換後すぐに投入することができることで、基板液処理装置1では、製品ロットの処理が行われない時間(処理液の交換やダミーロットを用いたシリコン濃度の調整に要する時間)を短くすることができ、製品ロットの処理効率を向上させることができる。
As described above, the substrate liquid processing apparatus 1 places the dummy lot on the
上記基板液処理装置1では、図6に示す基板液処理プログラム(ロット形成開始時間の設定)に従って、シリコン濃度調整工程後に通常の製品ロットの処理を行う時間(タイミング)も設定する(図8参照。)。 In the substrate liquid processing apparatus 1, the time (timing) for processing a normal product lot after the silicon concentration adjustment process is also set according to the substrate liquid processing program (setting of the lot formation start time) shown in FIG. 6 (see FIG. 8). .)
その場合、制御部7は、製品ロットを処理槽34に搬送できる時間を算出する(製品ロット搬送可能予定時間算出ステップS44)。その際には、図8に示すように、交換終了予定時間算出ステップS42で算出した交換終了予定時間に、ダミーロット搬入ステップS32とダミーロット浸漬ステップS33と槽間搬送ステップS34とを実行するのに要する時間(ダミーロット処理時間)を加えて、製品ロット搬送可能予定時間を算出する。ここで、ダミーロット処理時間は、基板液処理装置1の各部のダミーロットを搬送する距離、速度など稼働状況を考慮してダミーロットの処理(ダミーロット搬入、ダミーロット浸漬、槽間搬送)に要する実際的な時間を算出する。 In that case, the control unit 7 calculates a time during which the product lot can be transported to the processing tank 34 (product lot transportable scheduled time calculating step S44). At that time, as shown in FIG. 8, the dummy lot carry-in step S32, the dummy lot immersion step S33, and the inter-vessel conveyance step S34 are executed at the exchange completion scheduled time calculated in the replacement completion scheduled time calculation step S42. The time required for the product lot (dummy lot processing time) is added to calculate the estimated product lot transportable time. Here, the dummy lot processing time is set for dummy lot processing (dummy lot loading, dummy lot immersion, tank-to-vessel transfer) in consideration of operating conditions such as the distance and speed at which each part of the substrate liquid processing apparatus 1 is transported. Calculate the actual time required.
次に、制御部7は、製品ロットの形成を開始する時間を算出する(製品ロット形成開始時間算出ステップS45)。その際には、図8に示すように、製品ロット搬送可能予定時間算出ステップS44で算出した製品ロット搬送可能予定時間から、製品ロット形成ステップS1を実行するのに要する時間(製品ロット形成時間)を引いて、製品ロット形成開始時間を算出する。ここで、製品ロット形成時間は、製品ロットを形成するキャリアの数を考慮して製品ロットの形成に要する実際的な時間を算出する。また、製品ロット搬送可能予定時間から製品ロット形成時間を単に引いた時間を製品ロット形成開始時間としてもよく、製品ロット搬送可能予定時間から製品ロット形成時間と予め設定したマージン(時間)とを引いた時間を製品ロット形成開始時間としてもよい。 Next, the control unit 7 calculates the time for starting the formation of the product lot (product lot formation start time calculating step S45). In that case, as shown in FIG. 8, the time required to execute the product lot formation step S1 from the planned product lot transferable time calculated in the product lot transferable scheduled time calculation step S44 (product lot formation time) To calculate the product lot formation start time. Here, as the product lot formation time, the actual time required for forming the product lot is calculated in consideration of the number of carriers forming the product lot. Alternatively, the product lot formation start time may be the time obtained by simply subtracting the product lot formation time from the product lot transfer scheduled time, and the product lot formation time and a preset margin (time) are subtracted from the product lot transfer scheduled time. This time may be the product lot formation start time.
そして、制御部7は、図8に示すように、ダミーロット形成開始時間算出ステップS43で算出したダミーロット形成開始時間になった場合に、図5に示した基板液処理プログラム(ダミーロットの処理)を実行してシリコン濃度調整工程を行わせるとともに、製品ロット形成開始時間算出ステップS45で選出した製品ロット形成開始時間になった場合に、図3に示した基板液処理プログラム(製品ロットの処理)を実行して製品ロットの処理を行わせる。 Then, as shown in FIG. 8, when the dummy lot formation start time calculated in the dummy lot formation start time calculation step S43 is reached, the control unit 7 performs the substrate liquid processing program (dummy lot processing shown in FIG. ) To perform the silicon concentration adjustment process, and when the product lot formation start time selected in the product lot formation start time calculation step S45 is reached, the substrate liquid processing program (product lot processing) shown in FIG. ) To process the product lot.
このように、基板液処理装置1は、少なくとも処理槽34からダミーロットを排出した時に製品ロットをロット載置部4に載置させておき、処理槽34からダミーロットを排出した後に直ちにロット載置部4から製品ロットをロット処理部6に搬入させて処理槽34に浸漬させる。これにより、基板液処理装置1では、製品ロットの処理が行われない時間を短くすることができ、製品ロットの処理効率を向上させることができる。
As described above, the substrate liquid processing apparatus 1 places the product lot on the
図8に示す動作では、ダミーロットを処理槽34から排出した場合に製品ロットを処理槽34に搬送できるものとしているが、処理槽34にダミーロットを浸漬した後に処理液のシリコン濃度をシリコン濃度センサ40で検出して予め決められた濃度範囲内となっているか確認する場合には、図9に示すように、シリコン濃度センサ40でのシリコン濃度の測定が終了した場合に製品ロットを処理槽34に搬送できるものとすることもできる。なお、基板液処理装置1は、シリコン濃度測定中もダミーロットの槽間搬送等の処理を継続して行ってもよい。
In the operation shown in FIG. 8, when the dummy lot is discharged from the
その場合、製品ロット搬送可能予定時間算出ステップS44では、図9に示すように、交換終了予定時間算出ステップS42で決定した交換終了予定時間に、ダミーロット搬入とダミーロット浸漬とシリコン濃度測定を行うのに要する時間(ダミーロット処理時間)を加えて、製品ロット搬送可能予定時間を算出する。ここで、ダミーロット処理時間は、基板液処理装置1の各部のダミーロットを搬送する距離、速度など稼働状況を考慮してダミーロットの処理(ダミーロット搬入、ダミーロット浸漬、シリコン濃度測定)に要する実際的な時間を算出する。 In that case, in the product lot transfer scheduled time calculation step S44, as shown in FIG. 9, the dummy lot carry-in, dummy lot immersion, and silicon concentration measurement are performed at the replacement end scheduled time determined in the replacement end scheduled time calculation step S42. The time required for the product lot (dummy lot processing time) is added to calculate the estimated product lot transportable time. Here, the dummy lot processing time is used for dummy lot processing (dummy lot carry-in, dummy lot immersion, silicon concentration measurement) in consideration of operating conditions such as the distance and speed at which each part of the substrate liquid processing apparatus 1 is transported. Calculate the actual time required.
なお、シリコン濃度センサ40の検出した濃度が予め決められた濃度範囲外の場合には、搬入側ロット載置台17に載置された製品ロットを基板搬送機構15で2回に分けてキャリア9に搬送する。このとき、通常、搬出側ロット載置台18から基板搬送機構15でキャリア9に搬送する場合は処理後基板支持部で基板8を支持するが、処理前の基板8を搬入側ロット載置台17からキャリア9へ搬送する場合には処理前基板支持部で基板8を支持して搬送する。これにより処理前の基板8に付着したパーティクル等が処理後基板支持部に付着し、その後、処理後の基板8等に転着するのを防止することができる。
If the concentration detected by the silicon concentration sensor 40 is outside the predetermined concentration range, the product lot placed on the carry-in lot placement table 17 is divided into two times by the
本実施例のロット載置部4には、処理前(ロット搬送部5で搬送される前)のロットを載置する搬入側ロット載置台17と、処理後(ロット搬送部5で搬送された後)のロットを載置する搬出側ロット載置台18とが設けられているが、製品ロットがロット処理部6で処理が行われる時間および処理槽34で処理液の交換が行なわれる時間によっては、ダミーロットが搬入側ロット載置台17に載置され、製品ロットがロット処理部6から搬出側ロット載置第18へ搬出されることで、製品ロットを搬出側ロット載置台18に載置した後に搬入側ロット載置17に載置されたダミーロットを処理槽34に直ちに搬送することができ、製品ロットの処理が行われない時間を短くすることができ、製品ロットの処理効率を向上させることができる。
In the
以上に説明したように、上記基板液処理装置1及び上記基板液処理装置1で用いられる基板液処理方法並びに基板液処理プログラムでは、処理槽34の処理液を交換した後に製品とはならないダミーの基板8で形成したダミーロットを処理槽34で処理することで処理液のシリコン濃度の調整を行う。その際に、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部4に載置する。また、少なくとも処理槽34からダミーロットを排出した時に製品ロットをロット載置部4に載置する。製品ロットやダミーロットは、水平姿勢から垂直姿勢に姿勢変更してロット載置部4に載置する。その後、製品ロットやダミーロットを垂直姿勢のまま搬送して処理する。これにより、製品ロットの処理が行われない時間(処理液の交換やダミーロットを用いたシリコン濃度の調整などに要する時間)を短くすることができ、製品ロットの処理効率を向上させることができる。
As described above, in the substrate liquid processing apparatus 1 and the substrate liquid processing method and the substrate liquid processing program used in the substrate liquid processing apparatus 1, a dummy that does not become a product after the processing liquid in the
1 基板液処理装置
2 キャリア搬入出部
3 ロット形成部
4 ロット載置部
5 ロット搬送部
6 ロット処理部
7 制御部
8 基板
9 キャリア
26 エッチング処理装置
34 処理槽
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate
Claims (7)
複数枚の基板を収容したキャリアの搬入及び搬出を行うキャリア搬入出部と、
前記キャリア搬入出部から受取った複数枚の基板からロットを形成するロット形成部と、
前記ロット形成部で形成したロットを載置するロット載置部と、
前記ロット載置部に載置されたロットを処理槽に搬送するロット搬送部と、
前記ロット搬送部で搬送されたロットを処理槽に貯留した処理液に浸漬させてロットを形成する複数枚の基板を一括して液処理するロット処理部と、
前記キャリア搬入出部、ロット形成部、ロット搬送部、ロット処理部とを制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記処理槽の処理液を交換した後に製品とはならない複数枚のダミーの基板で形成したダミーロットを前記ロット処理部で処理することで処理液のシリコン濃度の調整を行い、
前記処理槽の処理液を交換する際に、処理液の交換を開始する交換開始時間を決定し、前記交換開始時間から処理液の交換を終了する交換終了予定時間を求めるとともに、ダミーロットを形成してロット載置部に載置するのに要するダミーロット形成時間と前記交換終了予定時間からダミーロットの形成を開始するダミーロット形成開始時間を求めて、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部に載置させることを特徴とする基板液処理装置。 In a substrate liquid processing apparatus that performs liquid processing with a processing liquid stored in a processing tank on a lot formed of a plurality of substrates,
A carrier loading / unloading section for loading and unloading a carrier containing a plurality of substrates;
A lot forming unit for forming a lot from a plurality of substrates received from the carrier loading / unloading unit;
A lot placement unit for placing a lot formed by the lot formation unit;
A lot transport unit for transporting a lot placed on the lot placement unit to a processing tank;
A lot processing unit that batch-processes a plurality of substrates forming a lot by immersing the lot transported in the lot transport unit in a processing solution stored in a processing tank;
A control unit for controlling the carrier carry-in / out unit, the lot forming unit, the lot conveying unit, and the lot processing unit;
Have
The control unit adjusts the silicon concentration of the processing liquid by processing a dummy lot formed of a plurality of dummy substrates that are not products after replacing the processing liquid in the processing tank by the lot processing unit,
When exchanging the treatment liquid in the treatment tank, the exchange start time for starting the exchange of the treatment liquid is determined, and the replacement end scheduled time for ending the exchange of the treatment liquid is determined from the exchange start time, and a dummy lot is formed. The dummy lot formation start time for starting dummy lot formation is determined from the dummy lot formation time required for placement on the lot placement section and the scheduled replacement completion time, and at least when the replacement of the processing liquid is completed. A substrate liquid processing apparatus, wherein a lot is placed on a lot placement section.
前記処理槽の処理液を交換した後に製品とはならない複数枚のダミーの基板で形成したダミーロットを前記処理槽で処理することで処理液のシリコン濃度の調整を行い、
前記処理槽の処理液を交換する際に、処理液の交換を開始する交換開始時間を決定し、前記交換開始時間から処理液の交換を終了する交換終了予定時間を求めるとともに、ダミーロットを形成してロット載置部に載置するのに要するダミーロット形成時間と前記交換終了予定時間からダミーロットの形成を開始するダミーロット形成開始時間を求めて、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部に載置することを特徴とする基板液処理方法。 In the substrate liquid processing method for liquid processing with a processing liquid stored in a processing tank for a lot formed of a plurality of substrates,
Adjust the silicon concentration of the processing liquid by processing in the processing tank a dummy lot formed with a plurality of dummy substrates that are not products after replacing the processing liquid in the processing tank,
When exchanging the treatment liquid in the treatment tank, the exchange start time for starting the exchange of the treatment liquid is determined, and the replacement end scheduled time for ending the exchange of the treatment liquid is determined from the exchange start time, and a dummy lot is formed. The dummy lot formation start time for starting dummy lot formation is determined from the dummy lot formation time required for placement on the lot placement section and the scheduled replacement completion time, and at least when the replacement of the processing liquid is completed. A substrate liquid processing method comprising placing a lot on a lot placement unit.
前記処理槽の処理液を交換した後に製品とはならない複数枚のダミーの基板で形成したダミーロットを前記処理槽で処理することで処理液のシリコン濃度の調整を行わせ、
前記処理槽の処理液を交換する際に、処理液の交換を開始する交換開始時間を決定し、前記交換開始時間から処理液の交換を終了する交換終了予定時間を求めるとともに、ダミーロットを形成してロット載置部に載置するのに要するダミーロット形成時間と前記交換終了予定時間からダミーロットの形成を開始するダミーロット形成開始時間を求めて、少なくとも処理液の交換が終了する時にダミーロットをロット載置部に載置させることを特徴とする基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
In a computer-readable storage medium storing a substrate liquid processing program for processing a lot formed with a plurality of substrates with a processing liquid stored in a processing tank,
After processing the treatment liquid in the treatment tank, the silicon concentration of the treatment liquid is adjusted by processing in the treatment tank a dummy lot formed with a plurality of dummy substrates that are not products.
When exchanging the treatment liquid in the treatment tank, the exchange start time for starting the exchange of the treatment liquid is determined, and the replacement end scheduled time for ending the exchange of the treatment liquid is determined from the exchange start time, and a dummy lot is formed. The dummy lot formation start time for starting dummy lot formation is determined from the dummy lot formation time required for placement on the lot placement section and the scheduled replacement completion time, and at least when the replacement of the processing liquid is completed. A computer-readable storage medium storing a substrate liquid processing program, wherein a lot is placed on a lot placement unit.
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