KR20220156947A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

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하야토 타노우에
요헤이 야마시타
야스타카 미조모토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

표면막이 적층되어 형성된 제 1 기판과, 제 2 기판이 접합된 중합 기판의 처리 방법으로서, 제거 대상인 상기 제 1 기판을 상기 제 2 기판으로부터 박리하는 것과, 상기 제 1 기판의 박리에 의해 노출된, 상기 제 2 기판의 주연부에 남는 상기 표면막의 노출 표면에 대하여 레이저 광을 조사하여, 적어도 상기 제 2 기판의 주연부에 있어서의 상기 표면막의 표층을 제거 또는 개질하는 것을 포함한다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
본 개시는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 웨이퍼의 연삭 방법이 개시되어 있다. 이러한 웨이퍼의 연삭 방법은, 웨이퍼의 일방의 면측으로부터 외주연보다 정해진 양 내측의 위치에서 외주연을 따라 레이저 광선을 조사하여, 웨이퍼의 외주부를 제거하는 공정과, 외주부가 제거된 웨이퍼의 피연삭면을 연삭하여 정해진 마무리 두께로 형성하는 공정을 포함한다.
일본특허공개공보 2006-108532호 일본특허공개공보 2006-212646호
본 개시에 따른 기술은, 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판에 있어서, 제 2 기판으로부터의 제 1 기판의 제거에 의해 노출된 제 2 기판의 주연부에 있어서의 파티클 등의 비산을 적절하게 억제한다.
본 개시의 일태양은, 표면막이 적층되어 형성된 제 1 기판과, 제 2 기판이 접합된 중합 기판의 처리 방법으로서, 제거 대상인 상기 제 1 기판을 상기 제 2 기판으로부터 박리하는 것과, 상기 제 1 기판의 박리에 의해 노출된, 상기 제 2 기판의 주연부에 남는 상기 표면막의 노출 표면에 대하여 레이저 광을 조사하여, 적어도 상기 제 2 기판의 주연부에 있어서의 상기 표면막의 표층을 제거 또는 개질하는 것을 포함한다.
본 개시에 따르면, 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판에 있어서, 제 2 기판으로부터의 제 1 기판의 제거에 의해 노출된 제 2 기판의 주연부에 있어서의 파티클 등의 비산을 적절하게 억제할 수 있다.
도 1은 웨이퍼 처리 시스템에서 처리되는 중합 웨이퍼의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 2는 웨이퍼 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리의 주요 공정을 나타내는 설명도이다.
도 4는 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다.
도 5은 제 1 웨이퍼의 이면에 형성된 레이저 투과 저해막의 모습을 나타내는 설명도이다.
도 6은 제 1 웨이퍼의 내부에 형성된 주연 개질층의 모습을 나타내는 설명도이다.
도 7은 중합 웨이퍼에 잔류하는 파티클 및 엣지 보이드의 모습을 나타내는 설명도이다.
도 8은 본 실시 형태에 따른 파티클 억제 처리의 모습을 나타내는 설명도이다.
도 9는 본 실시 형태에 따른 파티클 억제 처리의 모습을 나타내는 설명도이다.
도 10은 본 개시 내용에 따른 기술의 다른 적용예를 나타내는 설명이다.
도 11은 본 실시 형태에 따른 파티클 억제 처리의 모습을 나타내는 설명도이다.
최근, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 표면에 복수의 전자 회로 등의 디바이스가 형성된 반도체 기판(이하, '웨이퍼'라 함)끼리가 접합된 중합 웨이퍼에 있어서, 당해 중합 웨이퍼를 형성하는 제 1 웨이퍼를 박화하는 것, 및 당해 제 1 웨이퍼에 형성된 디바이스를, 당해 중합 웨이퍼를 형성하는 제 2 웨이퍼에 전사하는 것이 행해지고 있다.
그런데, 통상, 웨이퍼의 주연부는 면취 가공이 되어 있지만, 상술한 바와 같이 중합 웨이퍼에 있어서 박화 처리 및 전사 처리를 행하면, 박화 후의 제 1 웨이퍼 및 전사 후의 중합 웨이퍼의 주연부가 날카롭게 뾰족한 형상(이른바 나이프 엣지 형상)이 되는 경우가 있다. 그러면, 이들 웨이퍼의 주연부에서 치핑이 발생하여, 웨이퍼가 손상을 입을 우려가 있다. 이 때문에, 박화 처리 및 전사 처리를 행하기 전에는, 미리, 이와 같이 웨이퍼의 주연부에 나이프 엣지 형상이 형성되는 것을 억제하기 위한 처리를 행할 필요가 있다.
상술한 특허 문헌 1에 기재된 연삭 방법은, 박화 처리에 의해 웨이퍼에 나이프 엣지 형상이 형성되는 것을 억제하는 방법의 일례로서, 박화 처리 전의 웨이퍼의 주연부를 제거, 이른바 엣지트림을 행하기 위한 연삭 방법이다. 그러나 특허 문헌 1에 기재된 방법으로 웨이퍼의 엣지트림을 행하는 경우, 엣지트림 후의 노출된 웨이퍼의 표면에 파티클 또는 잔막이 잔류하는 경우가 있었다. 그리고, 이와 같이 웨이퍼의 표면에 잔류한 파티클 또는 잔막은, 반송 중 또는 후공정에 있어서 낙하, 비산함으로써, 장치 또는 풉, 또는 다른 웨이퍼를 오염시킬 우려가 있다. 따라서, 종래의 엣지트림 방법에는 개선의 여지가 있다.
본 개시에 따른 기술은, 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판에 있어서, 제 2 기판으로부터의 제 1 기판의 제거에 의해 노출된 제 2 기판의 주연부에 있어서의 파티클 등의 비산을 적절하게 억제한다. 이하, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치로서의 웨이퍼 처리 시스템, 및 기판 처리 방법으로서의 웨이퍼 처리 방법에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 요소에 있어서는, 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
본 실시 형태에 따른 후술하는 웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이 제 1 기판으로서의 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 기판으로서의 제 2 웨이퍼(W2)가 접합된 중합 기판으로서의 중합 웨이퍼(T)에 대하여 처리를 행한다. 그리고 웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)를 제거한다. 이하, 제 1 웨이퍼(W1)에 있어서, 제 2 웨이퍼(W2)에 접합되는 측의 면을 표면(W1a)이라 하고, 표면(W1a)과 반대측의 면을 이면(W1b)이라 한다. 마찬가지로, 제 2 웨이퍼(W2)에 있어서, 제 1 웨이퍼(W1)에 접합되는 측의 면을 표면(W2a)이라 하고, 표면(W2a)과 반대측의 면을 이면(W2b)이라 한다. 또한, 제 1 웨이퍼(W1)에 있어서, 제거 대상으로서의 주연부(We)보다 직경 방향 내측의 영역을 중앙부(Wc)라 한다.
제 1 웨이퍼(W1)는, 예를 들면 실리콘 기판 등의 반도체 웨이퍼로서, 표면(W1a)에 복수의 디바이스를 포함하는 디바이스층(D1)이 형성되어 있다. 또한, 디바이스층(D1)에는 접합용 막(F1)이 더 형성되고, 당해 접합용 막(F1)을 개재하여 제 2 웨이퍼(W2)와 접합되어 있다. 접합용 막(F1)으로서는, 예를 들면 산화막(SiO2막, TEOS막), SiC막, SiCN막 또는 접착제 등을 들 수 있다. 또한, 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)는 면취 가공이 되어 있고, 주연부(We)의 단면은 그 선단을 향해 두께가 작아지고 있다. 또한, 주연부(We)는 후술하는 엣지트림에 있어서 제거되는 부분이며, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W1)의 외단부로부터 직경 방향으로 0.5 mm ~ 3 mm의 범위이다. 또한, 제 1 웨이퍼(W1)와 디바이스층(D1)과의 계면에는, 주연부(We)의 제거에 있어 중합 웨이퍼(T)의 내부에 조사되는 레이저 광을 흡수할 수 있는 레이저 흡수층(도시하지 않음)이 더 형성되어 있어도 된다. 또한, 디바이스층(D1)에 형성된 접합용 막(F1)을 레이저 흡수층으로서 이용해도 된다.
제 2 웨이퍼(W2)는, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W1)와 동일한 구성을 가지고 있으며, 표면(W2a)에는 디바이스층(D2) 및 접합용 막(F2)이 형성되고, 주연부는 면취 가공이 되어 있다. 또한, 제 2 웨이퍼(W2)는 디바이스층(D2)이 형성된 디바이스 웨이퍼일 필요는 없으며, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W1)를 지지하는 지지 웨이퍼여도 된다. 이러한 경우, 제 2 웨이퍼(W2)는 제 1 웨이퍼(W1)의 디바이스층(D1)을 보호하는 보호재로서 기능한다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 제 1 웨이퍼(W1) 및 제 2 웨이퍼(W2)에 형성된 디바이스층(D1, D2), 및 접합용 막(F1, F2)의 각각을 '표면막'이라 호칭하는 경우가 있다. 환언하면, 본 실시 형태에 따른 제 1 웨이퍼(W1) 및 제 2 웨이퍼(W2)에는, 복수의 표면막이 적층되어 형성되어 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이 웨이퍼 처리 시스템(1)은, 반입반출 블록(G1), 반송 블록(G2) 및 처리 블록(G3)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다. 반입반출 블록(G1), 반송 블록(G2) 및 처리 블록(G3)은 X축 부방향측으로부터 이 순으로 배열되어 배치되어 있다.
반입반출 블록(G1)은, 예를 들면 외부와의 사이에서 복수의 중합 웨이퍼(T)를 수용 가능한 카세트(C)가 반입반출된다. 반입반출 블록(G1)에는, 카세트 배치대(10)가 마련되어 있다. 도시의 예에서는, 카세트 배치대(10)에는 복수, 예를 들면 3 개의 카세트(C)를 Y축 방향으로 일렬로 배치 가능하게 되어 있다. 또한, 카세트 배치대(10)에 배치되는 카세트(C)의 개수는 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의로 결정할 수 있다.
반송 블록(G2)에는, 카세트 배치대(10)의 X축 정방향측에 있어서, 당해 카세트 배치대(10)에 인접하여 웨이퍼 반송 장치(20)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(20)는, Y축 방향으로 연신하는 반송로(21) 상을 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송 장치(20)는, 중합 웨이퍼(T)를 유지하여 반송하는, 예를 들면 2 개의 반송 암(22, 22)을 가지고 있다. 각 반송 암(22)은 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 반송 암(22)의 구성은 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의의 구성을 취할 수 있다. 그리고, 웨이퍼 반송 장치(20)는, 카세트 배치대(10)의 카세트(C), 및 후술하는 트랜지션 장치(30)에 대하여, 중합 웨이퍼(T)를 반송 가능하게 구성되어 있다.
반송 블록(G2)에는, 웨이퍼 반송 장치(20)의 X축 정방향측에 있어서, 당해 웨이퍼 반송 장치(20)에 인접하여, 중합 웨이퍼(T)를 전달하기 위한 트랜지션 장치(30)가 마련되어 있다.
처리 블록(G3)은 웨이퍼 반송 장치(40), 제거부로서의 주연 제거 장치(50), 세정 장치(60), 내부 개질 장치(70), 제 2 레이저 조사부 및 산화막 제거부로서의 계면 개질 장치(80) 및 제 1 레이저 조사부로서의 막 처리 장치(90)를 가지고 있다.
웨이퍼 반송 장치(40)는, X축 방향으로 연신하는 반송로(41) 상을 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송 장치(40)는, 중합 웨이퍼(T)를 유지하여 반송하는, 예를 들면 2 개의 반송 암(42, 42)을 가지고 있다. 각 반송 암(42)은 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 반송 암(42)의 구성은 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의의 구성을 취할 수 있다. 그리고, 웨이퍼 반송 장치(40)는 트랜지션 장치(30), 주연 제거 장치(50), 세정 장치(60), 내부 개질 장치(70), 계면 개질 장치(80) 및 막 처리 장치(90)에 대하여, 중합 웨이퍼(T)를 반송 가능하게 구성되어 있다.
주연 제거 장치(50)는, 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)의 제거, 즉 엣지트림 처리를 행한다. 세정 장치(60)는, 중합 웨이퍼(T)를 세정한다. 내부 개질 장치(70)는, 제 1 웨이퍼(W1)의 내부에 레이저 광(내부용 레이저 광, 예를 들면 YAG 레이저)을 조사하여, 주연부(We)의 박리의 기점이 되는 주연 개질층(M1), 및 주연부(We)의 소편화의 기점이 되는 분할 개질층(M2)을 형성한다. 계면 개질 장치(80)는, 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)의 계면에 레이저 광(계면용 레이저 광, 예를 들면 CO2 레이저)을 조사하여, 후술하는 미접합 영역(Ae)을 형성한다. 막 처리 장치(90)는, 엣지트림 처리에 의한 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 있어서의 노출 표면(표면막)에 대하여 레이저 광(막 처리용 레이저 광, 예를 들면 CO2 레이저)을 조사하여, 노출 표면에 부착한 파티클의 비산을 억제한다.
이상의 웨이퍼 처리 시스템(1)에는, 제어부로서의 제어 장치(100)가 마련되어 있다. 제어 장치(100)는 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 중합 웨이퍼(T)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 장치 및 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 웨이퍼 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한 상기 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로서, 당해 기억 매체(H)로부터 제어 장치(100)에 인스톨된 것이어도 된다.
이어서, 이상과 같이 구성된 웨이퍼 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼 처리에 대하여 설명한다. 또한 본 실시 형태에서는, 웨이퍼 처리 시스템(1)의 외부의 접합 장치(도시하지 않음)에 있어서, 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)가 접합되어, 미리 중합 웨이퍼(T)가 형성되어 있다.
먼저, 복수의 중합 웨이퍼(T)를 수납한 카세트(C)가, 반입반출 블록(G1)의 카세트 배치대(10)에 배치된다. 다음으로, 웨이퍼 반송 장치(20)에 의해 카세트(C) 내의 중합 웨이퍼(T)가 취출된다. 카세트(C)로부터 취출된 중합 웨이퍼(T)는, 트랜지션 장치(30)를 개재하여 웨이퍼 반송 장치(40)로 전달된 후, 계면 개질 장치(80)로 반송된다. 계면 개질 장치(80)에서는, 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 중합 웨이퍼(T)(제 1 웨이퍼(W1))를 회전시키면서 제 1 웨이퍼(W1)와 디바이스층(D1)의 계면(보다 구체적으로 당해 계면에 형성된 상술한 레이저 흡수층)에 레이저 광(예를 들면 8.9 μm ~ 11 μm의 파장을 가지는 CO2 레이저)을 조사하여, 미접합 영역(Ae)을 형성한다(도 4의 단계(S1)).
미접합 영역(Ae)에 있어서는 제 1 웨이퍼(W1)와 디바이스층(D1)의 계면이 개질 또는 박리되어, 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)의 접합 강도가 저하 또는 없어진다. 이에 의해 제 1 웨이퍼(W1)와 디바이스층(D1)의 계면에는, 환상의 미접합 영역(Ae)과, 당해 미접합 영역(Ae)의 직경 방향 내측에 있어서, 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)가 접합된 접합 영역(Ac)이 형성된다. 후술하는 엣지트림에 있어서는, 제거 대상인 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)가 제거되는데, 이와 같이 미접합 영역(Ae)이 존재함으로써, 이러한 주연부(We)의 제거를 적절하게 행할 수 있다.
또한, 제 1 웨이퍼(W1)의 이면(W1b)에는, 도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 대기와의 접촉 등에 의해, 산화막(예를 들면 SiO2막)이 레이저 투과 저해막(Ox)으로서 자연 형성되어 있는 경우, 또는 웨이퍼의 휨 내성 또는 에칭 내성을 향상시키기 위한 산화막(예를 들면 SiO2막) 또는 질화막(예를 들면 Si3N4막)이 레이저 투과 저해막(Ox)으로서 의도적으로 형성되어 있는 경우가 있다. 상기 단계(S1)에 있어서는, 제 1 웨이퍼(W1)의 이면(W1b)측으로부터 레이저 광의 조사를 행하여 미접합 영역(Ae)을 형성하는데, 이와 같이 이면(W1b)에 레이저 투과 저해막(Ox)이 형성되어 있는 경우, 미접합 영역(Ae)을 적절하게 형성할 수 없는 경우가 있다. 구체적으로, 중합 웨이퍼(T)에 대하여 조사된 레이저 광이, 레이저 투과 저해막(Ox)에 흡수, 반사되어 버리기 때문에, 적절하게 미접합 영역(Ae)의 형성 위치인 제 1 웨이퍼(W1)와 디바이스층(D1)의 계면에 레이저 광을 조사할 수 없다.
따라서 본 실시 형태에 있어서는, 미접합 영역(Ae)의 형성(단계(S1))에 앞서, 제 1 웨이퍼(W1)의 이면(W1b)에 형성된 레이저 투과 저해막(Ox)의 제거를 행해도 된다(도 4의 단계(S0)). 레이저 투과 저해막(Ox)은 임의의 방법에 의해 제거할 수 있다. 예를 들면, 계면 개질 장치(80)에 있어서 레이저 광(CO2 레이저)을 조사함으로써 레이저 투과 저해막(Ox)을 제거해도 된다. 또한 예를 들면, 계면 개질 장치(80)의 외부에, 예를 들면 세정 장치(60)와 적층되어 저해막 제거부로서의 저해막 제거 장치(도시하지 않음)를 마련하고, 당해 저해막 제거 장치에 있어서 레이저 투과 저해막(Ox)의 제거를 행해도 된다. 저해막 제거 장치에 있어서의 레이저 투과 저해막(Ox)의 제거 방법으로서는, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W1)의 이면(W1b)에 대한 웨트 에칭, 연삭, 연마 등의 처리를, 단독 또는 조합하여 행할 수 있다. 또한, 예를 들면 세정 장치(60)의 내부에 웨트 에칭, 연삭, 연마 등의 처리를 행하기 위한 기구를 마련해도 된다.
또한, 레이저 투과 저해막(Ox)의 제거는, 제 1 웨이퍼(W1)의 이면(W1b)의 전면에서 행해져도 되고, 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이, 적어도 레이저 광의 조사 위치인 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)에만 있어서 행해져도 된다. 단, 이와 같이 주연부(We)에만 있어서 레이저 투과 저해막(Ox)의 제거를 행하는 편이, 이면(W1b)의 전면에서 레이저 투과 저해막(Ox)의 제거를 행하는 경우와 비교해 처리 시간의 단축, 및 자원(사용하는 약액량 및 레이저 광의 조사량)의 절약이 되어, 코스트를 저감, 및 에너지 절약화를 할 수 있다.
미접합 영역(Ae)이 형성된 중합 웨이퍼(T)는, 다음으로, 웨이퍼 반송 장치(40)에 의해 내부 개질 장치(70)로 반송된다. 내부 개질 장치(70)에서는, 도 3의 (b) 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 제 1 웨이퍼(W1)의 내부에 주연 개질층(M1) 및 분할 개질층(M2)을 형성한다(도 4의 단계(S2)). 주연 개질층(M1)은, 후술하는 엣지트림에 있어서 주연부(We)를 제거할 시의 기점이 되는 것이다. 분할 개질층(M2)은, 제거되는 주연부(We)의 소편화의 기점이 되는 것이다. 또한 이후의 설명에 이용하는 도면에 있어서는, 도시가 복잡해지는 것을 회피하기 위하여, 분할 개질층(M2)의 도시를 생략하는 경우가 있다.
여기서 주연 개질층(M1)의 형성 위치는, 단계(S1)에서 형성된 미접합 영역(Ae)의 내측 가장자리보다 약간 직경 방향 내측으로 결정된다. 주연 개질층(M1)은, 접합 영역(Ac)과 미접합 영역(Ae)의 경계(이하, 단순히 '경계'라 함)와 겹치는 위치에 형성되는 것이 이상이지만, 예를 들면 가공 오차 등에 의해 직경 방향으로 어긋나 형성되는 경우가 있다. 그리고, 이에 의해 주연 개질층(M1)이 경계로부터 직경 방향 외측으로 떨어진 위치, 즉 미접합 영역(Ae)에 형성되면, 주연부(We)가 제거된 후에 제 2 웨이퍼(W2)에 대하여 제 1 웨이퍼(W1)가 뜬 상태가 되어 버리는 경우가 있다. 이 점, 주연 개질층(M1)을 경계보다 직경 방향 내측에 형성하도록 제어함으로써, 예를 들면 가공 오차에 의해 형성 위치가 어긋났다 하더라도, 경계와 겹치는 위치, 또는 경계보다 직경 방향 외측이라도 당해 경계에 근접한 위치에 주연 개질층(M1)을 형성할 수 있고, 경계로부터 직경 방향 외측으로 떨어진 위치에 주연 개질층(M1)이 형성되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 제 1 웨이퍼(W1)의 내부에 형성된 주연 개질층(M1)으로부터는, 도 3의 (b)에 나타낸 바와 같이, 제 1 웨이퍼(W1)의 두께 방향으로 크랙(C1)이 신전한다. 크랙(C1)의 하단부는, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W1)의 표면(W1a)에 도달시킨다.
제 1 웨이퍼(W1)의 내부에 주연 개질층(M1) 및 분할 개질층(M2)이 형성된 중합 웨이퍼(T)는, 다음으로, 웨이퍼 반송 장치(40)에 의해 주연 제거 장치(50)로 반송된다. 주연 제거 장치(50)에서는, 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이, 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)의 제거, 즉 엣지트림 처리가 행해진다(도 4의 단계(S3)). 이 때, 주연부(We)는, 주연 개질층(M1) 및 크랙(C1)을 기점으로 하여 제 1 웨이퍼(W1)의 중앙부(Wc)로부터 박리되고, 또한 미접합 영역(Ae)을 기점으로 하여 디바이스층(D1)(제 2 웨이퍼(W2))으로부터 박리된다. 또한 이 때, 제거되는 주연부(We)는 분할 개질층(M2) 및 크랙(C2)을 기점으로 하여 소편화된다.
주연부(We)의 제거에 있어서는, 중합 웨이퍼(T)를 형성하는 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)와의 계면에, 예를 들면 쐐기 형상으로 이루어지는 브레이드를 삽입해도 된다. 또한 예를 들면, 에어 블로우 또는 워터 제트를 분사하여, 당해 주연부(We)를 가압하여 제거해도 된다. 이와 같이, 엣지트림에 있어서는 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)에 대하여 충격을 가함으로써, 주연부(We)가 주연 개질층(M1) 및 크랙(C1)을 기점으로 적절하게 박리된다. 또한, 상술한 바와 같이, 미접합 영역(Ae)에 의해 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)의 접합 강도가 저하되어 있기 때문에, 주연부(We)가 적절하게 제거된다.
제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)가 제거된 중합 웨이퍼(T)는, 다음으로, 웨이퍼 반송 장치(40)에 의해 막 처리 장치(90)로 반송된다. 막 처리 장치(90)에서는, 도 3의 (d)에 나타내는 바와 같이, 주연부(We)가 제거된 후의 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 있어서의 파티클의 비산을 억제하기 위한 처리(이하, '막 처리'라 하는 경우가 있음)가 행해진다(도 4의 단계(S4)).
주연부(We)의 제거 후의 제 2 웨이퍼(W2)의 표면, 구체적으로, 제 1 웨이퍼(W1)의 제거에 의해 노출된 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 남는 표면막의 노출면(Fe)에는, 도 7에 나타내는 바와 같이 잔막 또는 파티클(P)(이하, '파티클 등'이라 함)이 잔류하고 있다. 이 파티클 등은, 중합 웨이퍼(T)의 반송 중 또는 프로세스 중에 박리, 낙하 또는 비산함으로써, 웨이퍼 처리 시스템(1)의 내부, 카세트(C)의 내부 또는 다른 중합 웨이퍼(T)를 오염시키는 원인이 될 수 있다.
또한, 주연부(We)의 제거 후의 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)의 접합 계면에는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)의 접합 시에 있어서 형성된 엣지 보이드(V)(공기층)가 잔류하고 있는 경우가 있다. 이 엣지 보이드(V)는, 후공정에 있어서의 중합 웨이퍼(T)의 가열 또는 냉각, 가압 또는 감압의 영향으로 파열됨으로써, 파티클 등의 발생 원인이 될 수 있다.
따라서 본 발명자들이 예의 검토를 행한 바, 이 주연부(We)의 제거 후에 있어서의 파티클 등의 비산을 억제하기 위한 방법으로서, 하기의 2 개의 방법을 지견했다.
1 번째의 방법은, 파티클 등의 발생원이 될 수 있는 노출면(Fe)을 제거하는 방법이다. 즉, 예를 들면 노출면(Fe)에 대하여 레이저 광(예를 들면 CO2 레이저)을 조사하여, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이 적어도 파티클 등이 잔류하는 표면막의 표층을 제거한다.
또한 예를 들면, 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)의 접합 계면에 엣지 보이드(V)가 형성되어 있는 경우에는, 당해 접합 계면에 레이저 광을 조사하여, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이 제 1 웨이퍼(W1)의 표면막(디바이스층(D1) 및 접합용 막(F1))을 제거해도 된다.
또한 예를 들면, 노출면(Fe)에 대하여 레이저 광(예를 들면 CO2 레이저)을 조사하여, 도 8의 (c)에 나타내는 바와 같이 주연부(We)의 제거 후의 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 남는 모든 표면막(디바이스층(D1, D2) 및 접합용 막(F1, F2))을 제거해도 된다.
이러한 경우, 레이저 광의 조사에 의해 제거되는 표면막과 함께, 노출면(Fe)의 표면에 잔류하고 있던 파티클 등이 제거되기 때문에, 이 파티클 등이 박리, 낙하 또는 비산하는 것이 억제된다.
또한, 이와 같이 표면막을 제거하여 도 8의 (b)에 나타낸 바와 같이 엣지 보이드(V)(접합 계면)를 노출시킴으로써, 엣지 보이드(V)의 형성부에 축적되어 있던 공기가 해방되어, 당해 엣지 보이드(V)의 파열이 억제된다.
또한, 도 8의 (c)에 나타낸 바와 같이 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 남는 표면막을 모두 제거함으로써, 후공정에 있어서, 당해 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부로부터 파티클(P) 등이 박리, 낙하 또는 비산하는 것이 없어진다.
2 번째의 방법은, 파티클 등의 발생원이 될 수 있는 노출면(Fe)을 개질하는 방법이다. 즉, 예를 들면 노출면(Fe)에 대하여 레이저 광(예를 들면 CO2 레이저)을 조사하여, 도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이 적어도 파티클 등이 잔류하는 표면막의 표층을 용융시키고, 또한 당해 용융 부분을 고착시킨다(이하, 이 표면막의 '용융', 및 '고착'을 합쳐 '표면막의 개질'이라고 함).
또한 예를 들면, 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)의 접합 계면에 엣지 보이드(V)가 형성되어 있는 경우에는, 제 1 웨이퍼(W1)의 표면막의 내부에 레이저 광을 조사하여, 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이 제 1 웨이퍼(W1)의 표면막(디바이스층(D1), 및 접합용 막(F1))을 일체로 개질해도 된다. 환언하면, 주연부(We)의 제거 후에 제 2 웨이퍼(W2)에 잔류하는 디바이스층(D1), 및 접합용 막(F1)의 노출 부분을 레이저 광의 조사에 의해 용융시킨 후, 용융된 디바이스층(D1), 및 접합용 막(F1)을 일체의 고착물로서 형성해도 된다.
또한 예를 들면, 노출면(Fe)에 대하여 레이저 광(예를 들면 CO2 레이저)을 조사하여, 도 9의 (c)에 나타내는 바와 같이 주연부(We)의 제거 후의 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 남는 모든 표면막(디바이스층(D1, D2) 및 접합용 막(F1, F2))을 일체로 개질해도 된다. 환언하면, 주연부(We)의 제거 후에 제 2 웨이퍼(W2)에 잔류하는 디바이스층(D1, D2) 및 접합용 막(F1, F2)의 노출 부분을 레이저 광의 조사에 의해 용융시킨 후, 용융된 디바이스층(D1, D2) 및 접합용 막(F1, F2)을 일체의 고착물로서 형성해도 된다.
이러한 경우, 레이저 광의 조사에 의해 용융되는 표면막과 함께, 노출면(Fe)의 표면에 잔류하고 있던 파티클 등이 고착하기 때문에, 환언하면, 표면막과 파티클 등이 일체의 고착물로서 형성되기 때문에, 이 파티클 등의 비산이 억제된다.
또한, 도 9의 (b)에 나타낸 바와 같이 제 1 웨이퍼(W1)의 표면막을 일체로 개질함으로써, 이 표면막의 개질에 따른 과정에 있어서 엣지 보이드(V)에 축적된 공기가 외부로 해방되고, 이에 의해 당해 엣지 보이드(V)의 파열을 억제할 수 있다.
또한, 도 9의 (c)에 나타낸 바와 같이 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 남는 모든 표면막을 일체로 개질함으로써, 후공정에 있어서, 당해 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부로부터 파티클(P) 등이 박리, 낙하 또는 비산하는 것이 없어진다.
노출면(Fe)에 있어서의 표면막의 제거, 또는 개질이 행해진 중합 웨이퍼(T)는, 다음으로, 웨이퍼 반송 장치(40)에 의해 세정 장치(60)로 반송된다. 세정 장치(60)에서는, 주연부(We)를 제거하고, 막 처리가 행해진 후의 제 1 웨이퍼(W1)의 이면(W1b), 및 노출 부분이 세정된다(도 4의 단계(S5)). 또한 세정 장치(60)에서는, 제 1 웨이퍼(W1)의 이면(W1b)과 함께, 제 2 웨이퍼(W2)의 이면(W2b)이 세정되어도 된다.
이 후, 모든 웨이퍼 처리가 실시된 중합 웨이퍼(T)는, 트랜지션 장치(30)를 개재하여 웨이퍼 반송 장치(20)에 의해 카세트 배치대(10)의 카세트(C)로 반송된다. 이렇게 하여, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 일련의 웨이퍼 처리가 종료된다.
이상의 실시 형태에 의하면, 주연부(We)의 제거 후에 노출 부분의 적어도 표층을, 레이저 광의 조사에 의해 제거 또는 개질함으로써, 적절하게 파티클 등의 비산을 억제할 수 있다. 또한 이 때, 노출면(Fe)으로부터 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)의 접합 계면까지를 일체로 제거 또는 개질함으로써, 엣지 보이드(V)에 축적된 공기를 해방할 수 있어, 당해 엣지 보이드(V)에 기인하는 파티클의 발생도 적절하게 억제할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에 있어서는 엣지트림에 앞서, 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)의 접합 강도를 저하시키는 미접합 영역(Ae)을 형성하고 있다. 이에 의해, 주연부(We)는 제 2 웨이퍼(W2)로부터 용이하게 박리되기 때문에, 박리 계면(노출면(Fe))에 파티클 등이 잔류하는 것이 억제된다. 즉, 주연부(We)의 제거 후에 있어서의 파티클 등의 비산이 더 적절하게 억제된다.
또한, 미접합 영역(Ae)의 형성에 앞서, 제 1 웨이퍼(W1)의 이면(W1b)에 형성된 레이저 투과 저해막(Ox)의 제거가 행해지기 때문에, 미접합 영역(Ae)의 형성을 적절하게 행할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에 있어서는 미접합 영역(Ae)의 형성을 계면 개질 장치(80)로, 노출면(Fe)의 막 처리를 막 처리 장치(90)로 각각 행했지만, 이들 미접합 영역(Ae)의 형성 및 막 처리가 모두 레이저 광(CO2 레이저)의 조사에 의해 행해지는 경우, 미접합 영역(Ae)의 형성 및 막 처리를 동일한 장치 내에서 행하도록 구성할 수 있다. 구체적으로, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)가 제거된 후의 중합 웨이퍼(T)를, 웨이퍼 반송 장치(40)에 의해 주연 제거 장치(50)로부터 계면 개질 장치(80)로 재차 반입하여, 당해 계면 개질 장치(80)에 있어서 막 처리를 행하도록 해도 된다.
또한, 이상의 실시 형태에 있어서는, 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)가 접합된 중합 웨이퍼(T)에 있어서, 제 2 웨이퍼(W2)로부터 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)를 박리함으로써 노출된, 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 남는 표면막을 처리하는 경우를 예로 설명을 행했지만, 본 개시 내용에 따른 기술의 적용예는 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제 1 웨이퍼(W1)의 전면을 제 2 웨이퍼(W2)로부터 박리하여, 제 1 웨이퍼(W1)에 형성된 디바이스층(D1)을 제 2 웨이퍼(W2)에 전사하는 경우에 있어서도, 본 개시 내용에 따른 기술을 적용할 수 있다.
구체적으로, 제 2 웨이퍼(W2)에 대한 디바이스층(D1)의 전사에 있어서는, 도 10의 (a)에 나타내는 바와 같이 제 1 웨이퍼(W1)와 디바이스층(D1)의 계면 전면에 형성된 미접합 영역(Ae)을 기점으로 하여 제 1 웨이퍼(W1)의 박리를 행한다. 그러나, 이 때, 미접합 영역(Ae)의 형성 계면에 있어서 예를 들면 접합용 막(F1)이 제 2 웨이퍼(W2)에 대하여 뜬 상태가 되어, 도 10의 (b)에 나타내는 바와 같이 나이프 엣지 형상(K)을 형성하는 경우가 있다. 그리고, 이와 같이 제 1 웨이퍼(W1)의 제거 후의 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 있어서 나이프 엣지 형상(K)이 형성된 경우, 당해 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에서 치핑이 발생하여, 제 1 웨이퍼(W1)의 박리 후에 있어서의 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 파티클이 부착할 우려가 있다.
따라서, 이와 같이 디바이스층(D1)의 전사 후의 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 있어서 상기 실시 형태에 나타낸 막 처리를 행함으로써, 당해 나이프 엣지 형상(K)에 기인하는 파티클 등의 비산을 억제할 수 있다. 즉, 도 10의 (c)에 나타내는 바와 같이 제 1 웨이퍼(W1)의 박리에 의해 나이프 엣지 형상(K)이 형성된 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 레이저 광을 조사하고, 이에 의해 당해 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 남는 표면막(나이프 엣지 형상(K))의 제거 또는 개질을 행하여, 바람직하게는 접합용 막(F1)과 접합용 막(F2)의 간극를 없앰으로써, 적절하게 파티클 등의 비산을 억제할 수 있다.
또한 도 10의 (b)에 나타낸 바와 같이, 제 1 웨이퍼(W1)를 제 2 웨이퍼(W2)의 미접합 개소(예를 들면 주연부에 있어서의 면취 가공이 된 개소)에 있어서는 적절하게 미접합 영역(Ae)이 형성되지 않고, 박리 후의 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부 또는 표면에 잔류막(K2)이 남을 가능성이 있다. 그리고, 이와 같이 제 1 웨이퍼(W1)에 잔류막(K2)이 남은 경우, 역시 파티클을 발생시키는 원인이 될 우려가 있다. 따라서 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서는, 이와 같이 박리 후의 제 1 웨이퍼(W1)에 남은 잔류막(K2)을 제거하기 위한 처리, 예를 들면 웨트 에칭 등이 더 행해져도 된다.
또한, 도 9의 (c)에 나타낸 바와 같이, 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 남는 모든 표면막을 레이저 광(예를 들면 CO2 레이저)의 조사에 의해 제거하는 경우, 환언하면, 표면막을 제거하여 제 2 웨이퍼(W2)의 표면(W2a)을 노출시키는 경우, 당해 레이저 광의 조사에 의해 제 2 웨이퍼(W2)의 표면(W2a)의 평탄도가 악화될(표면 상태가 거칠게 될) 우려가 있다. 이와 같이 표면(W2a)의 평탄도가 악화된 경우, 후공정에 있어서의 웨이퍼 처리를 적절하게 실행할 수 없게 될 우려, 구체적으로, 예를 들면 표면(W2a)에 대한 막의 형성을 적절하게 실행할 수 없게 될 우려가 있다.
따라서 본 실시 형태에 있어서는, 제 2 웨이퍼(W2)의 표면(W2a)에 남는 표면막(접합용 막(F1, F2) 및 디바이스층(D1, D2))의 제거에 있어서의 레이저 광의 조사 조건을 제어하여, 표면막 제거 후의 표면(W2a)에 미세 주기 구조를 형성한다. 미세 주기 구조는 예를 들면 나노 스케일 이하의 요철(凹凸)에 의해 구성되는 표면 구조(예를 들면 특허 문헌 2를 참조)로서, 이와 같이 미세 주기 구조를 형성함으로써, 표면(W2a)의 평탄도를 개선할 수 있다.
따라서 이하, 제 1 웨이퍼(W)의 주연부(We)의 제거 후에 있어서, 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 남는 모든 표면막을 제거하고, 또한, 이들 표면막의 제거 후에 노출되는 제 2 웨이퍼(W)a의 표면(W2a)에 미세 주기 구조를 형성하기 위한 방법에 대하여 설명한다.
제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 남는 표면막의 완전 제거에 있어서는, 주연부(We)의 제거 후의 표면막의 노출면(Fe)에 대하여 레이저 광(예를 들면 펨토초 레이저 또는 피코초 레이저 등의 초단 펄스 레이저)을 조사하여, 도 11에 나타내는 바와 같이 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 남는 모든 표면막(디바이스층(D1, D2) 및 접합용 막(F1, F2))을 완전하게 제거한다.
또한 이 때, 조사되는 레이저 광의 작용에 의해 제 2 웨이퍼(W2)의 표면(W2a)의 평탄도가 악화되는 것을 억제하기 위하여, 당해 레이저 광의 조사 조건을, 표면(W2a)에 미세 주기 구조(Fp)(도 11을 참조)를 형성할 수 있는 조사 조건으로 제어한다. 구체적으로, 표면막에 조사하는 레이저 광의 플루언스(Fluence : 에너지 밀도) 및 오버랩(Over Rap : 펄스 레이저 조사 영역의 중첩)을 원하는 조건으로 조정한다.
그리고, 이러한 조사 조건으로 제 2 웨이퍼(W2)의 표면(W2a)에 레이저 광을 더 조사함으로써, 표면막의 제거 후의 당해 표면(W2a)에 미세 주기 구조(Fp)를 형성한다.
이와 같이, 본 실시 형태에 있어서는, 미세 주기 구조(Fp)를 형성할 수 있는 원하는 조건으로 표면(W2a)에 레이저 광을 조사함으로써 표면(W2a)의 평탄도의 악화를 억제한다.
또한, 표면(W2a)에 대한 미세 주기 구조(Fp)의 형성에 있어서의 레이저 광의 조사 조건(플루언스 및 오버랩)은, 상술한 바와 같이 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 남는 표면막의 제거에 있어서의 레이저 광의 조사 조건과 동일해도 된다. 환언하면, 레이저 조사 조건을 도중에 변경하지 않고, 일관하여 표면막의 제거, 및 미세 주기 구조(Fp)의 형성이 행해져도 된다.
그러나 레이저 광의 조사 조건은 이에 한정되지 않으며, 표면막의 제거와 미세 주기 구조(Fp)의 형성에 있어서, 각각 상이한 조사 조건이 설정되어도 된다.
구체적으로, 예를 들면, 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 남는 표면막의 제거에 있어서는, 당해 표면막의 제거에 따른 시간을 단축할 수 있는 조사 조건, 환언하면, 레이저 광의 조사 시에 있어서의 표면막의 제거 체적이 커지는 처리 조건으로 레이저 광을 조사해도 된다. 이러한 경우, 당해 조사 조건은, 예를 들면 표면(W2a)에 미세 주기 구조(Fp)를 형성할 수 없는 조건이어도 된다.
그리고, 예를 들면 표면막을 대략 제거한 후, 표면(W2a)에 남는 잔막을 제거하고, 또한 표면(W2a)의 표면 처리(미세 주기 구조(Fp)의 형성)를 행함에 있어, 미세 주기 구조(Fp)를 형성할 수 있는 조사 조건으로 조정을 행해도 된다.
환언하면, 표면막의 제거와 미세 주기 구조(Fp)의 형성의 각각에 있어서, 레이저 광의 플루언스 및 오버랩을 원하는 조건이 되도록 변경하고, 이에 의해 레이저 처리 전체의 처리 시간을 단축하도록 해도 된다.
또한, 도시의 예에 있어서는 표면막(디바이스층(D1, D2) 및 접합용 막(F1, F2))이 제거된 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부의 전면에 미세 주기 구조(Fp)를 형성했지만, 미세 주기 구조(Fp)의 형성 범위는 이에 한정되지 않는다. 예를 들면 웨이퍼 처리 등의 목적에 따라, 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부의 일부에만 미세 주기 구조(Fp)가 형성되어도 된다.
또한, 이상의 실시 형태에 있어서는, 예를 들면 도 3에 나타낸 바와 같이 제 1 웨이퍼(W1)와 디바이스층(D1)의 계면에 있어서 미접합 영역(Ae)을 형성하고, 또한 당해 계면에 있어서 주연부(We)의 제거(엣지트림)를 행했지만, 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)의 제거 계면은 당해 계면에 한정되는 것은 아니다. 즉, 예를 들면 디바이스층(D1)과 접합용 막(F1)의 계면 또는 디바이스층(D2)과 접합용 막(F2)의 계면에 미접합 영역(Ae)을 형성하고, 미접합 영역(Ae)이 형성된 당해 계면에 있어서 주연부(We)의 제거(엣지트림)를 행해도 된다.
이러한 경우라도, 주연부(We)의 제거 후의 노출면(Fe)에 대하여 레이저 광의 조사를 행함으로써, 도 8 및 도 9에 나타낸 바와 같이 파티클 등의 비산을 억제할 수 있다.
또한, 이와 같이 제 1 웨이퍼(W1)와 디바이스층(D1)의 계면보다 제 2 웨이퍼(W2)측에 위치하는 계면에 있어서 주연부(We)의 제거를 행함으로써, 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 남는 표면막의 두께가 작아진다. 환언하면, 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 남는 표면막의 체적이 작아지기 때문에, 상술한 바와 같이 당해 표면막을 완전 제거할 시에 있어서, 표면막의 제거 체적이 감소하여, 당해 표면막의 제거에 따른 스루풋을 향상시킬 수 있다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는 첨부한 청구의 범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
D1 : 디바이스층
D2 : 디바이스층
F1 : 접합용 막
F2 : 접합용 막
Fe : 노출면
T : 중합 웨이퍼
W1 : 제 1 웨이퍼
W2 : 제 2 웨이퍼
We : 주연부

Claims (18)

  1. 표면막이 적층되어 형성된 제 1 기판과, 제 2 기판이 접합된 중합 기판의 처리 방법으로서,
    제거 대상인 상기 제 1 기판을 상기 제 2 기판으로부터 박리하는 것과,
    상기 제 1 기판의 박리에 의해 노출된, 상기 제 2 기판의 주연부에 남는 상기 표면막의 노출 표면에 대하여 레이저 광을 조사하여, 적어도 상기 제 2 기판의 주연부에 있어서의 상기 표면막의 표층을 제거 또는 개질하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판의 박리에 있어서는, 적어도 상기 제 1 기판의 주연부를 상기 제 2 기판으로부터 박리하는, 기판 처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 표면막의 제거 또는 개질에 있어서는, 상기 노출 표면으로부터 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 접합 계면까지의 상기 표면막을 제거 또는 개질하는, 기판 처리 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 표면막의 제거 또는 개질에 있어서는, 상기 제 2 기판의 주연부에 남는 상기 표면막을 모두 제거하여, 상기 제 2 기판의 표면을 노출시키는, 기판 처리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 표면막의 제거에 있어서, 상기 레이저 광을 펄스 형상으로 조사하여,
    상기 레이저 광의 에너지 밀도, 및 레이저 조사 영역의 중첩을 제어하는, 기판 처리 방법.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 레이저 광은 초단 펄스 레이저 광인, 기판 처리 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 기판의 주연부에 남는 상기 표면막의 제거에 있어,
    상기 표면막에 레이저 광을 조사하여, 상기 표면막을 제거하는 것과,
    상기 표면막의 제거 후의 상기 제 2 기판의 표면에 레이저 광을 조사하여, 상기 표면막의 잔막을 제거하고, 또한 상기 제 2 기판의 표면에 미세 주기 구조를 형성하는 것을 순차 행하는, 기판 처리 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주연부의 제거에 앞서,
    상기 제 1 기판의 이면에 형성된 상기 레이저 광의 저해막을 제거하는 것과,
    상기 중합 기판의 내부에 레이저 광을 조사하여, 상기 주연부에 있어서의 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 접합 강도를 저하시키는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 저해막의 제거를, 상기 제 1 기판에 있어서의 상기 주연부와 대응하는 위치에 있어서 행하는, 기판 처리 방법.
  10. 표면막이 적층되어 형성된 제 1 기판과, 제 2 기판이 접합된 중합 기판을 처리하는 장치로서,
    제거 대상인 상기 제 1 기판을 상기 제 2 기판으로부터 박리하는 제거부와,
    상기 제 1 기판의 박리에 의해 노출된, 상기 제 2 기판의 주연부에 남는 상기 표면막의 노출 표면에 대하여 레이저 광을 조사하는 제 1 레이저 조사부와,
    상기 제거부 및 상기 제 1 레이저 조사부의 동작을 제어하는 제어부
    를 가지고,
    상기 제어부는,
    상기 레이저 광의 조사에 의해, 적어도 상기 주연부의 제거에 의해 노출된, 상기 제 2 기판의 주연부에 있어서의 상기 표면막의 표층을 제거 또는 개질하도록, 상기 제 1 레이저 조사부의 동작을 제어하는, 기판 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제어부는, 적어도 상기 제 1 기판의 주연부를 상기 제 2 기판으로부터 박리하도록 상기 제거부의 동작을 제어하는, 기판 처리 장치.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 레이저 광의 조사에 의해, 상기 노출 표면으로부터 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 접합 계면까지의 상기 표면막을 제거 또는 개질하도록, 상기 제 1 레이저 조사부의 동작을 제어하는, 기판 처리 장치.
  13. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 레이저 광의 조사에 의해, 상기 제 2 기판의 주연부에 남는 상기 표면막을 모두 제거하여, 상기 제 2 기판의 표면을 노출시키도록, 상기 제 1 레이저 조사부의 동작을 제어하는, 기판 처리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 표면막의 제거에 있어, 상기 레이저 광을 펄스 형상으로 조사하여, 상기 레이저 광의 에너지 밀도, 및 레이저 조사 영역의 중첩을 제어하도록, 상기 제 1 레이저 조사부의 동작을 제어하는 기판 처리 장치.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 레이저 광은 초단 펄스 레이저 광인, 기판 처리 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제 2 기판의 주연부에 남는 상기 표면막의 제거에 있어,
    상기 표면막에 레이저 광을 조사하여, 상기 표면막을 제거하고,
    상기 표면막의 제거 후의 상기 제 2 기판의 표면에 레이저 광을 조사하여, 상기 표면막의 잔막을 제거하고, 또한 상기 제 2 기판의 표면에 미세 주기 구조를 형성하도록, 상기 제 1 레이저 조사부의 동작을 제어하는, 기판 처리 장치.
  17. 제 10 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 기판의 이면에 형성된 상기 레이저 광의 저해막을 제거하는 저해막 제거부와,
    상기 중합 기판의 내부에 레이저 광을 조사하여, 상기 주연부에 있어서의 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 접합 강도를 저하시키는 제 2 레이저 조사부를 가지는, 기판 처리 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제 1 기판에 있어서의 주연부와 대응하는 위치에 있어서 상기 저해막을 제거하도록, 상기 저해막 제거부의 동작을 제어하는, 기판 처리 장치.
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