KR20220156758A - Adhesive tape, dicing die bonding film and method for producing semiconductor device - Google Patents

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KR20220156758A
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아키히로 후쿠이
도시마사 스기무라
마사토시 가쿠노
겐지 오니시
유타 기무라
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

Provided is an adhesive tape or the like used for an adhesive layer of a dicing die bonding film that includes the adhesive layer and a die bonding sheet laminated on the adhesive layer. The adhesive tape includes: an acrylic copolymer having, as monomer units, at least an aliphatic alkyl (meth)acrylate unit with an alkyl moiety having 12 or more carbon atoms, and a cross-linkable group containing (meth)acrylate unit in the molecule. The acrylic copolymer includes 10 or more to 85 or less mole% of the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit, and 15 or more to 35 or less mole% of the cross-linkable group containing (meth)acrylate unit. The dicing die bonding film has good pick-up performance.

Description

점착 테이프, 다이싱 다이 본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법{ADHESIVE TAPE, DICING DIE BONDING FILM AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE}Method for manufacturing adhesive tape, dicing die bond film and semiconductor device

본 발명은, 예를 들어 반도체 장치를 제조할 때에 사용되는 다이싱 다이 본드 필름 및 해당 다이싱 다이 본드 필름에 구비되는 점착 테이프에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 다이싱 다이 본드 필름을 사용하면서 반도체 장치를 제조하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to, for example, a dicing die-bonding film used when manufacturing a semiconductor device, and an adhesive tape with which the dicing die-bonding film is equipped. Further, the present invention relates to a semiconductor device manufacturing method for manufacturing a semiconductor device while using the above dicing die bond film.

종래, 반도체 장치의 제조에 있어서 사용되는 다이싱 다이 본드 필름이 알려져 있다. 이러한 종류의 다이싱 다이 본드 필름은, 예를 들어, 다이싱 테이프와, 해당 다이싱 테이프에 적층되고 또한 웨이퍼에 접착되는 다이 본드 시트를 구비한다. 다이싱 테이프는, 기재층과, 다이 본드 시트에 접하고 있는 점착 테이프(점착제층)를 갖는다. 이러한 종류의 다이싱 다이 본드 필름은, 반도체 장치의 제조에 있어서, 예를 들어 하기와 같이 사용된다.Conventionally, dicing die-bonding films used in the manufacture of semiconductor devices are known. This type of dicing die-bonding film includes, for example, a dicing tape and a die-bonding sheet laminated on the dicing tape and adhered to a wafer. The dicing tape has a substrate layer and an adhesive tape (adhesive layer) in contact with the die-bonding sheet. This type of dicing die bond film is used in the manufacture of semiconductor devices, for example, as follows.

반도체 장치를 제조하는 방법은, 일반적으로, 고집적의 전자 회로에 의해 웨이퍼의 편면측에 회로면을 형성하는 전공정과, 회로면이 형성된 웨이퍼로부터 칩을 잘라내서 조립을 행하는 후공정을 구비한다.A method of manufacturing a semiconductor device generally includes a pre-process of forming a circuit surface on one side of a wafer with highly integrated electronic circuits, and a post-process of cutting out chips from the wafer on which the circuit surface is formed and assembling them.

후공정은, 예를 들어, 웨이퍼를 작은 칩(다이)으로 할단하기 위한 취약 부위를 웨이퍼에 형성하는 다이싱 공정과, 웨이퍼의 회로면과는 반대측의 면을 다이 본드 시트에 첩부하여 다이싱 테이프에 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 취약 부위가 형성된 웨이퍼를 다이 본드 시트와 함께 할단하여 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 다이 본드 시트와 점착 테이프(점착제층) 사이에서 박리하여 다이 본드 시트가 첩부된 상태의 칩(다이)을 꺼내는 픽업 공정과, 다이 본드 시트가 첩부된 상태의 칩(다이)을 다이 본드 시트를 개재시켜 피착체에 접착시키는 다이 본드 공정과, 피착체에 접착한 다이 본드 시트를 열경화 처리하는 큐어링 공정을 갖는다. 반도체 장치는, 예를 들어 이들의 공정을 거쳐서 제조된다.The post-process includes, for example, a dicing step of forming a weak portion on the wafer for cutting the wafer into small chips (dies), and attaching the surface of the wafer on the opposite side to the circuit surface to a die bond sheet and using a dicing tape A mount process for fixing the wafer to the wafer, an expand process for splitting the wafer with a weak portion together with the die bond sheet to widen the gap between the chips, and a die bond sheet for separating the die bond sheet and the adhesive tape (adhesive layer). A pick-up step of taking out a chip (die) with a temporary bond attached thereto, a die bonding step of bonding a chip (die) with a die bond sheet attached to an adherend via a die bond sheet, and a die adhered to the adherend It has a curing process of heat-curing the bond sheet. A semiconductor device is manufactured through these processes, for example.

상기와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 예를 들어, 상기의 픽업 공정에 있어서, 칩과 함께 다이 본드 시트를 박리할 때의 박리성을 양호하게 하기 위해, 점착제층의 가열 전의 겔 분율과, 가열 후의 겔 분율을 각각 특정한 다이싱 다이 본드 필름이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1). In the semiconductor device manufacturing method as described above, for example, in the above pick-up step, in order to improve the peelability when peeling the die-bonding sheet together with the chip, the gel fraction of the pressure-sensitive adhesive layer before heating; A dicing die-bonding film in which the gel fraction after heating is specified, respectively, is known (for example, Patent Document 1).

상세하게는, 특허문헌 1에 기재된 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 점착제층이, 베이스 폴리머와 열 가교제를 포함하는 점착제 조성물에 의해 형성되고, 또한 해당 점착제층은, 가열 전의 겔 분율이 90중량％ 미만임과 함께, 가열 후의 겔 분율이 90중량％ 이상으로 변화하는 점착제층이다.In detail, in the dicing die-bonding film described in Patent Literature 1, the pressure-sensitive adhesive layer is formed of a pressure-sensitive adhesive composition containing a base polymer and a thermal crosslinking agent, and the gel fraction before heating is 90% by weight. It is an adhesive layer in which the gel fraction after heating changes to 90% by weight or more while being less than 90% by weight.

특허문헌 1에 기재된 다이싱 다이 본드 필름에 의하면, 경화된 점착제층으로부터 다이 본드 시트를 용이하게 박리할 수 있고, 다이 본드 시트와 함께 칩을 픽업할 수 있다.According to the dicing die-bonding film described in Patent Literature 1, the die-bonding sheet can be easily peeled off from the cured pressure-sensitive adhesive layer, and chips can be picked up together with the die-bonding sheet.

일본 특허 공개 제2009-135377호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-135377

그러나, 양호한 픽업성을 발휘할 수 있는 점착 테이프(점착제층) 및 해당 점착 테이프를 구비하는 다이싱 다이 본드 필름에 대해서는, 아직 충분히 검토되어 있다고는 말할 수 없다.However, it cannot be said that the adhesive tape (pressure-sensitive adhesive layer) capable of exhibiting good pick-up properties and the dicing die-bonding film provided with the adhesive tape have been sufficiently studied yet.

그래서, 본 발명은, 양호한 픽업성을 갖는 점착 테이프 및 해당 점착 테이프를 구비한 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 것을 과제로 한다. 또한, 본 발명은, 양호한 픽업성을 발휘할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.Then, this invention makes it a subject to provide the adhesive tape which has favorable pick-up property, and the dicing die-bonding film provided with this adhesive tape. Moreover, this invention makes it a subject to provide the manufacturing method of the semiconductor device which can exhibit favorable pick-up property.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 점착 테이프는, 점착제층과, 해당 점착제층에 겹쳐진 다이 본드 시트를 구비하는 다이싱 다이 본드 필름의 상기 점착제층으로서 사용되는 점착 테이프이며,In order to solve the above problems, the pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention is an adhesive tape used as the pressure-sensitive adhesive layer of a dicing die-bonding film having an pressure-sensitive adhesive layer and a die-bonding sheet superimposed on the pressure-sensitive adhesive layer,

상기 점착 테이프는, 모노머 단위로서 적어도, 알킬 부분의 탄소수가 12 이상인 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위와, 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 분자 중에 갖는 아크릴 공중합체를 포함하고,The adhesive tape includes, as monomer units, an acrylic copolymer having at least an aliphatic alkyl (meth)acrylate unit having 12 or more carbon atoms in the alkyl moiety and a crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit in the molecule,

상기 아크릴 공중합체는, 상기 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위를 10몰％ 이상 85몰％ 이하 포함하고, 또한, 상기 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 15몰％ 이상 35몰％ 이하 포함하는 것을 특징으로 한다.The acrylic copolymer contains 10 mol% or more and 85 mol% or less of the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit, and further contains 15 mol% or more and 35 mol% or less of the crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit. characterized by

본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름은, 상기의 점착 테이프로 구성된 점착제층과, 해당 점착제층에 겹쳐진 기재층을 갖는 다이싱 테이프와,The dicing die-bonding film according to the present invention includes a dicing tape having an adhesive layer composed of the above-mentioned adhesive tape and a substrate layer superimposed on the adhesive layer;

상기 다이싱 테이프의 상기 점착제층에 겹쳐진 다이 본드 시트를 구비하는 것을 특징으로 한다.It is characterized by providing a die bond sheet overlapping the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape.

또한, 본 발명에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 회로면이 형성된 웨이퍼를 칩으로 할단하는 할단 공정과,Further, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a cutting step of cutting a wafer having a circuit surface into chips;

상기의 다이싱 다이 본드 필름의 상기 점착 테이프에 첩부된 상기 다이 본드 시트를, 상기 칩과 함께 상기 점착 테이프로부터 박리하는 픽업 공정을 구비한다.A pickup step of peeling the die-bonding sheet attached to the adhesive tape of the dicing die-bonding film from the adhesive tape together with the chip is provided.

도 1은 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름을 두께 방향으로 절단한 단면도.
도 2a는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 스텔스 다이싱 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 2b는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 스텔스 다이싱 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 2c는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 스텔스 다이싱 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 2d는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 백그라인드 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3a는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3b는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4a는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4b는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4c는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 5a는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 5b는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 6은 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 픽업 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 7은 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 다이 본드 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 8은 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 와이어 본딩 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 9는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 밀봉 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 10은 반도체 칩 및 다이 본드 시트가 휜 상태의 일례를 나타내는 모식 단면도.
도 11은 점착제층의 단면을 전자 현미경 관찰했을 때의 관찰상의 일례(좌측이 모식도, 우측이 사진).
도 12는 점착제층의 단면을 전자 현미경 관찰했을 때의 관찰상의 다른 예(좌측이 모식도, 우측이 사진).1 is a cross-sectional view of a dicing die-bonding film of the present embodiment cut in a thickness direction.
Fig. 2A is a cross-sectional view schematically showing an aspect of a stealth dicing step in a method for manufacturing a semiconductor device.
Fig. 2B is a cross-sectional view schematically showing an aspect of a stealth dicing step in a semiconductor device manufacturing method.
Fig. 2C is a cross-sectional view schematically showing an aspect of a stealth dicing step in a method for manufacturing a semiconductor device.
Fig. 2D is a cross-sectional view schematically showing an aspect of a back-grind step in a method for manufacturing a semiconductor device.
Fig. 3A is a cross-sectional view schematically showing an aspect of a mount step in a method of manufacturing a semiconductor device.
Fig. 3B is a cross-sectional view schematically showing an aspect of a mount step in a method of manufacturing a semiconductor device.
Fig. 4A is a cross-sectional view schematically showing an aspect of an expand step at a low temperature in a method of manufacturing a semiconductor device.
Fig. 4B is a cross-sectional view schematically showing an aspect of an expand step at a low temperature in a method of manufacturing a semiconductor device.
Fig. 4C is a cross-sectional view schematically showing an aspect of an expand step at a low temperature in a method of manufacturing a semiconductor device.
Fig. 5A is a cross-sectional view schematically showing an aspect of an expand step at room temperature in a method for manufacturing a semiconductor device.
Fig. 5B is a cross-sectional view schematically showing an aspect of an expand step at room temperature in a method for manufacturing a semiconductor device.
Fig. 6 is a cross-sectional view schematically showing an aspect of a pick-up step in a semiconductor device manufacturing method.
Fig. 7 is a cross-sectional view schematically showing an aspect of a die bonding process in a method of manufacturing a semiconductor device.
Fig. 8 is a cross-sectional view schematically showing an aspect of a wire bonding step in a method of manufacturing a semiconductor device.
Fig. 9 is a cross-sectional view schematically showing an aspect of a sealing step in a semiconductor device manufacturing method.
Fig. 10 is a schematic cross-sectional view showing an example of a bent state of a semiconductor chip and a die bond sheet.
Fig. 11 is an example of an observation image when a cross section of an adhesive layer is observed with an electron microscope (the left side is a schematic diagram, and the right side is a photograph).
Fig. 12 is another example of an observation image when a cross section of an adhesive layer is observed with an electron microscope (a schematic diagram on the left and a photograph on the right).

이하, 본 발명에 관한 점착 테이프 및 해당 점착 테이프를 구비한 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 도면에 있어서의 도면은 모식도이며, 실물에 있어서의 종횡의 길이비와 반드시 동일한 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one Embodiment of the dicing die-bonding film provided with the adhesive tape concerning this invention and this adhesive tape is demonstrated, referring drawings. In addition, the drawing in drawing is a schematic diagram, and is not necessarily the same as the length ratio of length and width in the real thing.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 다이싱 테이프(20)와, 해당 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)(즉, 점착 테이프(후술))에 적층되고 또한 반도체 웨이퍼에 접착되는 다이 본드 시트(10)를 구비한다.As shown in FIG. 1 , the dicing die-bonding film 1 of the present embodiment includes a dicing tape 20 and an adhesive layer 22 of the dicing tape 20 (that is, an adhesive tape (described later). )) and bonded to the semiconductor wafer.

본 실시 형태의 점착 테이프, 다이싱 다이 본드 필름 및 후술하는 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 양호한 픽업성을 발휘할 수 있다.According to the adhesive tape of this embodiment, the dicing die-bonding film, and the manufacturing method of the semiconductor device mentioned later, favorable pick-up property can be exhibited.

본 실시 형태에 있어서, 점착 테이프는, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 사용되고 있다. 그 때문에, 이하, 점착 테이프의 상세한 설명은, 점착제층(22)의 설명에 의해 행한다.In this embodiment, the adhesive tape is used for the adhesive layer 22 of the dicing tape 20. Therefore, the detailed description of the adhesive tape is performed by the description of the adhesive layer 22 hereinafter.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)에서는, 사용될 때, 활성 에너지선(예를 들어 자외선)이 조사됨으로써, 점착제층(22)이 경화된다. 상세하게는, 한쪽 면에 반도체 웨이퍼가 접착된 다이 본드 시트(10)와, 해당 다이 본드 시트(10)의 다른 쪽 면에 접합된 점착제층(22)이 적층된 상태에서, 자외선 등이 적어도 점착제층(22)에 조사된다. 예를 들어, 기재층(21)이 배치되어 있는 쪽으로부터 자외선 등을 조사하여, 기재층(21)을 거친 자외선 등이 점착제층(22)에 도달한다. 자외선 등의 조사에 의해, 점착제층(22)이 경화된다.In the dicing die-bonding film 1 of the present embodiment, when used, the pressure-sensitive adhesive layer 22 is cured by being irradiated with active energy rays (eg, ultraviolet rays). Specifically, in a state where the die bond sheet 10 having a semiconductor wafer bonded to one side and the pressure sensitive adhesive layer 22 bonded to the other side of the die bond sheet 10 are stacked, at least ultraviolet rays or the like are applied to the adhesive. Layer 22 is irradiated. For example, ultraviolet rays or the like are irradiated from the side where the substrate layer 21 is disposed, and the ultraviolet rays or the like pass through the substrate layer 21 and reach the pressure-sensitive adhesive layer 22 . The pressure-sensitive adhesive layer 22 is cured by irradiation with ultraviolet rays or the like.

조사 후에 점착제층(22)이 경화됨으로써, 점착제층(22)의 점착력을 낮출 수 있으므로, 조사 후에 점착제층(22)으로부터 다이 본드 시트(10)(반도체 웨이퍼가 접착한 상태)를 비교적 용이하게 박리시킬 수 있다. 다이 본드 시트(10)는 반도체 장치의 제조에 있어서, 회로 기판 또는 반도체 칩 등의 피착체에 접착되는 것이 된다.Since the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 22 can be lowered by curing the pressure-sensitive adhesive layer 22 after irradiation, the die-bonding sheet 10 (state in which the semiconductor wafer is bonded) is relatively easily peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer 22 after irradiation. can make it The die bond sheet 10 is bonded to an adherend such as a circuit board or a semiconductor chip in the manufacture of a semiconductor device.

<다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프><Dicing tape of dicing die bond film>

상기의 다이싱 테이프(20)는, 통상 긴 시트이며, 사용될 때까지 권회된 상태로 보관된다. 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은 할단 처리되는 실리콘 웨이퍼보다도, 한층 더 큰 내경을 갖는 원환상의 프레임에 붙여져, 커트되어 사용된다.The above dicing tape 20 is usually a long sheet, and is stored in a rolled state until used. The dicing die-bonding film 1 of the present embodiment is applied to an annular frame having an inner diameter much larger than that of the silicon wafer to be cut, and then cut and used.

상기의 다이싱 테이프(20)는, 기재층(21)과, 해당 기재층(21)에 겹친 점착제층(22)(점착 테이프)을 구비한다. Said dicing tape 20 is equipped with the base material layer 21, and the adhesive layer 22 (adhesive tape) superimposed on the said base material layer 21.

본 실시 형태에 있어서, 점착제층(22)은, 예를 들어, 아크릴 공중합체와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제를 포함한다.In this embodiment, the adhesive layer 22 contains an acrylic copolymer, an isocyanate compound, and a polymerization initiator, for example.

점착제층(22)은, 5㎛ 이상 40㎛ 이하의 두께를 가져도 된다. 점착제층(22)의 형상 및 크기는, 통상 기재층(21)의 형상 및 크기와 동일하다.The pressure-sensitive adhesive layer 22 may have a thickness of 5 μm or more and 40 μm or less. The shape and size of the pressure-sensitive adhesive layer 22 are usually the same as those of the base layer 21 .

점착제층(22)은, 모노머 단위로서 적어도, 알킬 부분의 탄소수가 12 이상인 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위와, 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 분자 중에 갖는 아크릴 공중합체를 포함하고,The pressure-sensitive adhesive layer 22 includes, as monomer units, an acrylic copolymer having at least an aliphatic alkyl (meth)acrylate unit having 12 or more carbon atoms in the alkyl moiety and a crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit in the molecule,

아크릴 공중합체는, 상기 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위를 10몰％ 이상 85몰％ 이하 포함하고, 또한, 상기 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 15몰％ 이상 35몰％ 이하 포함한다.The acrylic copolymer contains 10 mol% or more and 85 mol% or less of the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit, and further contains 15 mol% or more and 35 mol% or less of the crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit.

또한, 본 명세서에 있어서 「(메트)아크릴레이트」라는 표기는, 메타크릴레이트(메타크릴산에스테르) 및 아크릴레이트(아크릴산에스테르) 중 적어도 한쪽을 나타낸다. 「(메트)아크릴」이라고 하는 용어도 마찬가지이다.In addition, in this specification, the notation "(meth)acrylate" shows at least one of methacrylate (methacrylic acid ester) and acrylate (acrylic acid ester). The term "(meth)acryl" is also the same.

상기의 아크릴 공중합체는, 분자 중에, 상기의 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위와, 상기의 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 적어도 모노머 단위로서 갖는다. 모노머 단위는, 아크릴 공중합체의 주쇄를 구성하는 단위이다. 환언하면, 모노머 단위는, 아크릴 공중합체를 중합하기 위해 사용한 모노머에서 유래되는 것이다. 상기의 아크릴 공중합체에 있어서의 각 측쇄는, 주쇄를 구성하는 각 모노머 단위에 포함된다.The above acrylic copolymer has, in its molecule, the above aliphatic alkyl (meth)acrylate unit and the above crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit as at least monomer units. The monomer unit is a unit constituting the main chain of the acrylic copolymer. In other words, the monomer unit is derived from the monomer used to polymerize the acrylic copolymer. Each side chain in the above acrylic copolymer is included in each monomer unit constituting the main chain.

상기의 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위는, 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 모노머에서 유래한다. 환언하면, 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 모노머가 중합 반응한 후의 분자 구조가, 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위이다. 「알킬」이라고 하는 표기는, (메트)아크릴산에 대하여 에스테르 결합한 탄화수소 부분을 나타낸다.The aliphatic alkyl (meth)acrylate unit is derived from an aliphatic alkyl (meth)acrylate monomer. In other words, the molecular structure after polymerization of the aliphatic alkyl (meth)acrylate monomer is an aliphatic alkyl (meth)acrylate unit. The notation "alkyl" represents a hydrocarbon moiety ester-bonded to (meth)acrylic acid.

지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위에 있어서의 알킬 부분(탄화수소)은 포화 탄화수소이어도 되고, 불포화 탄화수소이어도 된다.The alkyl moiety (hydrocarbon) in the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit may be a saturated hydrocarbon or an unsaturated hydrocarbon.

지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위에 있어서의 알킬 부분(탄화수소)은 직쇄상 탄화수소이어도 되고, 분지쇄상 탄화수소이어도 되고, 환상 구조를 포함하고 있어도 된다.The alkyl moiety (hydrocarbon) in the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit may be a straight-chain hydrocarbon or a branched-chain hydrocarbon, and may contain a cyclic structure.

지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위에 있어서의 알킬 부분(탄화수소)의 탄소수는, 22 이하이어도 되고, 18 이하이어도 되고, 14 이하이어도 된다.The number of carbon atoms of the alkyl moiety (hydrocarbon) in the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit may be 22 or less, 18 or less, or 14 or less.

상기의 아크릴 공중합체는, 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위로서 알킬 부분이 포화 탄화수소인 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위를 포함하는 것이 바람직하고, 알킬 부분이 포화 탄화수소이며 탄소수 10 이상 14 이하의 탄화수소인 지방족 포화 알킬(메트)아크릴레이트 단위를 포함하는 것이 보다 바람직하고, 알킬 부분이 직쇄상의 포화 탄화수소이며 탄소수 10 이상 14 이하의 탄화수소인 직쇄 지방족 포화 알킬(메트)아크릴레이트 단위를 포함하는 것이 보다 바람직하다.The above acrylic copolymer preferably includes an aliphatic alkyl (meth)acrylate unit in which the alkyl portion is a saturated hydrocarbon as the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit, and the alkyl portion is a saturated hydrocarbon and has 10 or more and 14 or less carbon atoms. It is more preferable to include a phosphorus saturated aliphatic alkyl (meth)acrylate unit, and it is more preferable to include a straight-chain saturated aliphatic alkyl (meth)acrylate unit in which the alkyl moiety is a straight-chain saturated hydrocarbon and has 10 or more and 14 or less carbon atoms. desirable.

지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위는, 벤젠환, 그리고, 에테르 결합(-CH2-O-CH2-), -OH기 및 -COOH기 등의 극성기의 모두 분자 중에 포함하지 않는 것이 바람직하다. 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위에 있어서, 알킬 부분은, C 및 H 이외의 원자를 포함하지 않고, 10 이상 18 이하의 탄소 원자로 구성된 포화 직쇄상 탄화수소 또는 포화 분지쇄상 탄화수소이어도 된다.In the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit, it is preferable that neither a benzene ring nor a polar group such as an ether bond (-CH 2 -O-CH 2 -), an -OH group, or a -COOH group is included in the molecule. In the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit, the alkyl moiety does not contain atoms other than C and H and may be a saturated straight-chain hydrocarbon or a saturated branched-chain hydrocarbon composed of 10 or more and 18 or less carbon atoms.

상기의 아크릴 공중합체가 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위를 포함함으로써, 보다 양호한 픽업성을 발휘할 수 있다.When the above acrylic copolymer contains an aliphatic alkyl (meth)acrylate unit, better pick-up properties can be exhibited.

상기의 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위의 알킬 부분(탄화수소 부분)의 구조로서는, 예를 들어, 탄소수 12 이상의 포화 직쇄상 알킬 구조를 들 수 있다.As a structure of the alkyl part (hydrocarbon part) of the said aliphatic alkyl (meth)acrylate unit, a C12 or more saturated linear alkyl structure is mentioned, for example.

구체적으로는, 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위로서는, 라우릴(메트)아크릴레이트, 미리스틸(메트)아크릴레이트, 팔미틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 베헤닐(메트)아크릴레이트 등의 각 단위를 들 수 있다.Specifically, as the aliphatic alkyl (meth) acrylate unit, lauryl (meth) acrylate, myristyl (meth) acrylate, palmityl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, behenyl (meth) ) Each unit, such as an acrylate, is mentioned.

또한, 상기의 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위의 알킬 부분(탄화수소 부분)은 포화 분지쇄상이어도 된다. 예를 들어, 이소스테아릴(메트)아크릴레이트 단위이어도 된다.In addition, the alkyl moiety (hydrocarbon moiety) of the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit may be a saturated branched chain. For example, an isostearyl (meth)acrylate unit may be used.

상기의 아크릴 공중합체는, 상술한 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위로서, 1종을 단독으로 포함해도 되고, 또는, 2종 이상을 포함해도 된다.Said acrylic copolymer may contain 1 type independently, or may contain 2 or more types as the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit mentioned above.

상기의 아크릴 공중합체는, 알킬 부분의 탄소수가 7 이상 11 이하인 포화 분지쇄상 알킬(메트)아크릴레이트 단위를 더 포함해도 된다. 이에 의해, 보다 양호한 픽업성을 발휘할 수 있다.The above acrylic copolymer may further contain a saturated branched chain alkyl (meth)acrylate unit having 7 or more and 11 or less carbon atoms in the alkyl moiety. Thereby, more favorable pick-up property can be exhibited.

상기의 포화 분지쇄상 알킬(메트)아크릴레이트 단위의 알킬 부분(탄화수소 부분)의 구조는, 포화 분지쇄상 알킬 구조이면 되고, iso 구조, sec 구조, neo 구조, 또는, tert 구조일 수 있다.The structure of the alkyl moiety (hydrocarbon moiety) of the saturated branched alkyl (meth)acrylate unit may be a saturated branched alkyl structure, and may be an iso structure, a sec structure, a neo structure, or a tert structure.

구체적으로는, 포화 분지쇄상 알킬(메트)아크릴레이트 단위로서는, 이소헵틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 이소노닐(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트의 각 단위 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 양호한 픽업성을 발휘할 수 있고, 게다가, 상술한 익스팬드 공정에서의, 소위 칩 부상을 억제할 수 있다는 점에서, 이소노닐(메트)아크릴레이트 단위 및 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트 단위 중 적어도 한쪽이 바람직하다.Specifically, as the saturated branched-chain alkyl (meth)acrylate unit, isoheptyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, isononyl (meth)acrylate, isodecyl (meth)acrylate, 2- Each unit of ethylhexyl (meth)acrylate, etc. are mentioned. Among these, an isononyl (meth)acrylate unit and a 2-ethylhexyl (meth)acrylate unit can exhibit good pick-up properties and can suppress so-called chip floating in the above-described expand process. At least one of these is preferred.

상기의 아크릴 공중합체는, 라우릴(메트)아크릴레이트 단위와, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트 단위 및 이소노닐(메트)아크릴레이트 단위의 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 보다 양호한 픽업성을 발휘할 수 있다.It is preferable that said acrylic copolymer contains at least one of a lauryl (meth)acrylate unit, a 2-ethylhexyl (meth)acrylate unit, and an isononyl (meth)acrylate unit. Thereby, more favorable pick-up property can be exhibited.

상기의 아크릴 공중합체에 함유되는 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위는, 우레탄화 반응에 의해 우레탄 결합을 형성할 수 있는 히드록시기, 또는, 라디칼 반응에 의해 중합할 수 있는 중합성기를 갖는다. 보다 상세하게는, 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위는, 미반응의 히드록시기, 또는, 중합성기로서의 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합의 어느 한쪽을 갖는다. 환언하면, 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위의 일부는, 미반응의 히드록시기를 갖고, 다른 일부(그 밖의 모두)는 히드록시기를 갖지 않고 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는다.The crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit contained in the acrylic copolymer has a hydroxyl group capable of forming a urethane bond by a urethanization reaction or a polymerizable group capable of polymerizing by a radical reaction. More specifically, the crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit has either an unreacted hydroxyl group or a radically polymerizable carbon-carbon double bond as a polymerizable group. In other words, a part of the crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit has an unreacted hydroxyl group, and the other part (all others) has no hydroxyl group and has a radically polymerizable carbon-carbon double bond.

상기의 아크릴 공중합체는, 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위로서, 탄소수 4 이하의 알킬 부분에 히드록시기가 결합된 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 갖는다. 점착제층(22)이 이소시아네이트 화합물을 포함하는 경우, 이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기와, 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위의 히드록시기가, 용이하게 반응할 수 있다.The above acrylic copolymer has, as a crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit, a hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit in which a hydroxyl group is bonded to an alkyl moiety having 4 or less carbon atoms. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 contains an isocyanate compound, the isocyanate group of the isocyanate compound and the hydroxyl group of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit can easily react.

히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 갖는 아크릴 공중합체와, 이소시아네이트 화합물을 점착제층(22)에 공존시켜 둠으로써, 점착제층(22)을 적절하게 경화시킬 수 있다. 그 때문에, 아크릴 공중합체가 충분히 겔화될 수 있다. 따라서, 점착제층(22)은 형상을 유지하면서 점착 성능을 발휘할 수 있다.By allowing the acrylic copolymer having a hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit and an isocyanate compound to coexist in the pressure-sensitive adhesive layer 22, the pressure-sensitive adhesive layer 22 can be appropriately cured. Therefore, the acrylic copolymer can be sufficiently gelled. Therefore, the adhesive layer 22 can exhibit adhesive performance while maintaining its shape.

본 실시 형태에 있어서, 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위는, 탄소수 2 이상 4 이하의 알킬 부분에 OH기가 결합된, 히드록시기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트 단위이다. 「C2 내지 C4 알킬」이라고 하는 표기는, (메트)아크릴산에 대하여 에스테르 결합한 탄화수소 부분 및 그 탄소수를 나타낸다. 환언하면, 히드록시기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴 모노머는, (메트)아크릴산과, 탄소수 2 이상 4 이하의 알코올(통상, 2가 알코올)이 에스테르 결합된 모노머를 나타낸다.In this embodiment, the hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit is a hydroxyl group-containing C2 to C4 alkyl (meth)acrylate unit in which an OH group is bonded to an alkyl moiety having 2 or more and 4 or less carbon atoms. The notation "C2 to C4 alkyl" shows the hydrocarbon moiety ester-bonded to (meth)acrylic acid and its carbon number. In other words, the hydroxy group-containing C2 to C4 alkyl (meth)acrylic monomer represents a monomer in which (meth)acrylic acid and an alcohol having 2 or more and 4 or less carbon atoms (usually a dihydric alcohol) are ester-bonded.

C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은, 통상, 포화 탄화수소이다. 예를 들어, C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은, 직쇄상 포화 탄화수소 또는 분지쇄상 포화 탄화수소이다. C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은, 산소(O)나 질소(N) 등을 함유하는 극성기를 포함하지 않는 것이 바람직하다.The hydrocarbon portion of the C2 to C4 alkyl is usually a saturated hydrocarbon. For example, the hydrocarbon moiety of C2 to C4 alkyl is a straight-chain saturated hydrocarbon or a branched-chain saturated hydrocarbon. It is preferable that the hydrocarbon moiety of C2 to C4 alkyl does not contain a polar group containing oxygen (O) or nitrogen (N).

히드록시기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트 단위로서는, 예를 들어, 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 히드록시 n-부틸(메트)아크릴레이트, 또는, 히드록시 iso-부틸(메트)아크릴레이트와 같은 히드록시부틸(메트)아크릴레이트의 각 단위를 들 수 있다. 또한, 히드록시기(-OH기)는 탄화수소 부분의 말단 탄소(C)에 결합하고 있어도 되고, 탄화수소 부분의 말단 이외의 탄소(C)에 결합하고 있어도 된다.Examples of the hydroxy group-containing C2 to C4 alkyl (meth)acrylate unit include hydroxyethyl (meth)acrylate, hydroxypropyl (meth)acrylate, hydroxy n-butyl (meth)acrylate, or hydroxyethyl (meth)acrylate. and each unit of hydroxybutyl (meth)acrylate such as oxyiso-butyl (meth)acrylate. In addition, the hydroxyl group (-OH group) may be bonded to the terminal carbon (C) of the hydrocarbon moiety, or may be bonded to carbon (C) other than the terminal of the hydrocarbon moiety.

본 실시 형태에 있어서, 상기의 아크릴 공중합체는, 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위로서, 측쇄에 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합(중합성 불포화 이중 결합)을 갖는 중합성 (메트)아크릴레이트 단위를 포함하는 것이 바람직하다.In the present embodiment, the above acrylic copolymer is a polymerizable (meth)acrylate having a radically polymerizable carbon-carbon double bond (polymerizable unsaturated double bond) in the side chain as a crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit. It is preferable to include units.

중합성 (메트)아크릴레이트 단위는, 구체적으로는, 상술한 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위에 있어서의 히드록시기에, 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴 모노머의 이소시아네이트기가 우레탄 결합된 분자 구조를 갖는다.Specifically, the polymerizable (meth)acrylate unit has a molecular structure in which an isocyanate group of an isocyanate group-containing (meth)acrylic monomer is bonded to a hydroxyl group in the above-described hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit through a urethane bond.

상기의 아크릴 공중합체가, 중합성 (메트)아크릴레이트 단위의 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함함으로써, 상술한 픽업 공정 전에, 점착제층(22)을 활성 에너지선(자외선 등)의 조사에 의해 보다 충분히 경화시킬 수 있다. 예를 들어, 자외선 등의 활성 에너지선의 조사에 의해, 광중합 개시제로부터 라디칼을 발생시키고, 이 라디칼의 작용에 의해, 아크릴 공중합체끼리를 가교 반응시킬 수 있다. 이에 의해, 조사 전에 있어서의 점착제층(22)의 점착력을, 조사 후에 저하시킬 수 있다. 그리고, 다이 본드 시트(10)를 점착제층(22)으로부터 양호하게 박리시킬 수 있다.Since the acrylic copolymer contains a radically polymerizable carbon-carbon double bond of a polymerizable (meth)acrylate unit, the pressure-sensitive adhesive layer 22 is irradiated with active energy rays (ultraviolet rays, etc.) before the above-described pick-up process. can be more fully cured by For example, radicals are generated from the photopolymerization initiator by irradiation with active energy rays such as ultraviolet rays, and acrylic copolymers can be crosslinked by the action of the radicals. Thereby, the adhesive force of the adhesive layer 22 before irradiation can be reduced after irradiation. And the die-bonding sheet 10 can be peeled favorably from the adhesive layer 22.

또한, 활성 에너지선으로서는, 자외선, 방사선, 전자선이 채용된다.In addition, as an active energy ray, an ultraviolet ray, radiation, and an electron beam are employ|adopted.

중합성 (메트)아크릴레이트 단위는, 아크릴 공중합체의 중합 반응 후에, 우레탄화 반응에 의해 조제될 수 있다. 예를 들어, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와, 히드록시기 함유 (메트)아크릴 모노머의 공중합 후에, 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위의 일부에 있어서의 히드록시기와, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를, 우레탄화 반응시킴으로써, 중합성 (메트)아크릴레이트 단위를 얻을 수 있다.The polymerizable (meth)acrylate unit can be prepared by a urethanization reaction after the polymerization reaction of the acrylic copolymer. For example, after copolymerization of an alkyl (meth)acrylate monomer and a hydroxyl group-containing (meth)acrylic monomer, the hydroxyl group in a part of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit and the isocyanate group of the isocyanate group-containing polymerizable monomer, By carrying out a urethanization reaction, a polymerizable (meth)acrylate unit can be obtained.

상기의 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴 모노머는, 분자 중에 이소시아네이트기를 1개 갖고 또한 (메트)아크릴로일기를 1개 갖는 것이 바람직하다. 이러한 모노머로서는, 예를 들어, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 들 수 있다.It is preferable that the said isocyanate group-containing (meth)acrylic monomer has one isocyanate group in a molecule|numerator and also has one (meth)acryloyl group. As such a monomer, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate is mentioned, for example.

본 실시 형태에 있어서, 상기의 아크릴 공중합체는, 상술한 모노머 단위 이외의 모노머 단위를 포함해도 된다. 예를 들어, (메트)아크릴로일모르폴린, N-비닐-2-피롤리돈, 또는, 아크릴로니트릴 등의 각 단위를 포함해도 된다.In this embodiment, said acrylic copolymer may also contain monomer units other than the above-mentioned monomer unit. For example, you may include each unit, such as (meth)acryloylmorpholine, N-vinyl- 2-pyrrolidone, or acrylonitrile.

점착제층(22)에 포함되는 아크릴 공중합체에 있어서, 상기의 각 단위(각 구성 단위)는 1H-NMR, 13C-NMR 등의 NMR 분석, 열분해 GC/MS 분석, 및, 적외 분광법 등에 의해 확인할 수 있다. 또한, 아크릴 공중합체에 있어서의 상기 단위의 몰 비율은, 통상, 아크릴 공중합체를 중합할 때의 배합량(투입량)으로부터 산출된다.In the acrylic copolymer included in the pressure-sensitive adhesive layer 22, each of the above units (each constituent unit) is determined by NMR analysis such as 1 H-NMR and 13 C-NMR, pyrolysis GC/MS analysis, and infrared spectroscopy. You can check. In addition, the molar ratio of the said unit in an acrylic copolymer is normally computed from the compounding quantity (charged amount) at the time of superposing|polymerizing an acrylic copolymer.

상기의 아크릴 공중합체는, 상술한 바와 같이, 모노머 단위 중, 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위를 10몰％ 이상 85몰％ 이하 포함한다. 상기의 아크릴 공중합체는, 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위를 15몰％ 이상 포함하는 것이 바람직하고, 30몰％ 이상 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기의 아크릴 공중합체는, 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위를 80몰％ 이하 포함하는 것이 바람직하고, 50몰％ 이하 포함하는 것이 보다 바람직하고, 40몰％ 이하 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 이에 의해, 다이 본드 시트(10)와, 경화하기 전의 점착제층(22)의 점착력을 보다 충분히 유지하여 칩 부상을 보다 충분히 억제할 수 있고, 게다가, 다이 본드 시트(10)와, 경화한 후의 점착제층(22)의 박리성을 보다 양호하게 할 수 있고, 보다 양호한 픽업성을 발휘할 수 있다.As mentioned above, the said acrylic copolymer contains 10 mol% or more and 85 mol% or less of an aliphatic alkyl (meth)acrylate unit among monomer units. It is preferable that the said acrylic copolymer contains 15 mol% or more of aliphatic alkyl (meth)acrylate units, and it is more preferable that it contains 30 mol% or more. In addition, the acrylic copolymer preferably contains 80 mol% or less of the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit, more preferably 50 mol% or less, and still more preferably 40 mol% or less. In this way, the adhesive force between the die-bonding sheet 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 before curing can be more sufficiently maintained to more sufficiently suppress chip injury, and furthermore, the die-bonding sheet 10 and the pressure-sensitive adhesive after curing The peelability of the layer 22 can be made more favorable, and more favorable pickup properties can be exhibited.

상기의 아크릴 공중합체는, 상술한 바와 같이, 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 모노머 단위 중, 15몰％ 이상 35몰％ 이하 포함한다. 환언하면, 분자 중에 히드록시기를 갖는 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위 및 중합성 (메트)아크릴레이트 단위의 합계량이 차지하는 비율은, 모노머 단위 중 15몰％ 이상 35몰％ 이하이다.As mentioned above, the said acrylic copolymer contains 15 mol% or more and 35 mol% or less of the crosslinkable group containing (meth)acrylate unit in monomer units. In other words, the ratio of the total amount of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit having a hydroxyl group and the polymerizable (meth)acrylate unit in the molecule is 15 mol% or more and 35 mol% or less in the monomer unit.

상기의 아크릴 공중합체는, 분자 중에 히드록시기를 갖는 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 15몰％ 이상 포함하는 것이 바람직하고, 20몰％ 이상 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기의 아크릴 공중합체는, 분자 중에 히드록시기를 갖는 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 35몰％ 이하 포함하는 것이 바람직하고, 30몰％ 이하 포함하는 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 다이 본드 시트(10)와, 경화하기 전의 점착제층(22)의 점착력을 보다 충분히 유지하여 칩 부상을 보다 충분히 억제할 수 있고, 게다가, 다이 본드 시트(10)와, 경화한 후의 점착제층(22)의 박리성을 보다 양호하게 할 수 있고, 보다 양호한 픽업성을 발휘할 수 있다.The acrylic copolymer preferably contains 15 mol% or more, and more preferably 20 mol% or more of a hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit having a hydroxyl group in the molecule. Further, the acrylic copolymer preferably contains 35 mol% or less, and more preferably 30 mol% or less, of a hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit having a hydroxyl group in the molecule. In this way, the adhesive force between the die-bonding sheet 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 before curing can be more sufficiently maintained to more sufficiently suppress chip injury, and furthermore, the die-bonding sheet 10 and the pressure-sensitive adhesive after curing The peelability of the layer 22 can be made more favorable, and more favorable pickup properties can be exhibited.

상기의 아크릴 공중합체는, 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 중합성 (메트)아크릴레이트 단위를, 모노머 단위 중, 5몰％ 이상 35몰％ 이하 포함하는 것이 바람직하고, 8몰％ 이상 31몰％ 이하 포함하는 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 보다 양호한 픽업성을 발휘할 수 있다.The above acrylic copolymer preferably contains, in the monomer units, 5 mol% or more and 35 mol% or less of a polymerizable (meth)acrylate unit having a radically polymerizable carbon-carbon double bond, and 8 mol% or more 31 It is more preferable to include mol% or less. Thereby, more favorable pick-up property can be exhibited.

상기의 아크릴 공중합체에서는, 모노머 단위 중, 알킬 부분의 탄소수가 7 이상 11 이하인 포화 분지쇄상 알킬(메트)아크릴레이트 단위가 차지하는 비율은, 20몰％ 이상 70몰％ 이하인 것이 바람직하고, 30몰％ 이상 60몰％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 양호한 픽업성을 발휘할 수 있고, 게다가, 소위 칩 부상을 보다 억제할 수 있다.In the above acrylic copolymer, the ratio of the saturated branched-chain alkyl (meth)acrylate unit having 7 or more and 11 or less carbon atoms in the alkyl moiety in the monomer units is preferably 20 mol% or more and 70 mol% or less, and is 30 mol% It is more preferable that it is more than 60 mol% or less. Thereby, good pick-up property can be exhibited, and also so-called chip floating can be more suppressed.

본 실시 형태에 있어서, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)이 더 포함할 수 있는 이소시아네이트 화합물은, 분자 중에 복수의 이소시아네이트기를 갖는다. 이소시아네이트 화합물이 분자 중에 복수의 이소시아네이트기를 가짐으로써, 점착제층(22)에 있어서의 아크릴 공중합체 사이의 가교 반응을 진행시킬 수 있다. 상세하게는, 이소시아네이트 화합물의 한쪽의 이소시아네이트기를 아크릴 공중합체의 히드록시기와 반응시키고, 다른 쪽의 이소시아네이트기를 다른 아크릴 공중합체의 히드록시기와 반응시킴으로써, 이소시아네이트 화합물을 개재시킨 가교 반응을 진행시킬 수 있다.In this embodiment, the isocyanate compound that the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 may further contain has a plurality of isocyanate groups in its molecule. When the isocyanate compound has a plurality of isocyanate groups in the molecule, the crosslinking reaction between the acrylic copolymers in the pressure-sensitive adhesive layer 22 can be promoted. Specifically, a crosslinking reaction via an isocyanate compound can be promoted by reacting one isocyanate group of an isocyanate compound with a hydroxyl group of an acrylic copolymer and reacting the other isocyanate group with a hydroxyl group of another acrylic copolymer.

또한, 이소시아네이트 화합물은, 우레탄화 반응 등을 거쳐서 합성된 화합물이어도 된다.In addition, the isocyanate compound may be a compound synthesized through a urethanization reaction or the like.

이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어, 지방족 디이소시아네이트, 지환족 디이소시아네이트, 또는, 방향지방족 디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트를 들 수 있다.As an isocyanate compound, diisocyanate, such as aliphatic diisocyanate, alicyclic diisocyanate, or aromatic aliphatic diisocyanate, is mentioned, for example.

또한, 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어, 디이소시아네이트의 이량체나 삼량체 등의 중합 폴리이소시아네이트, 폴리메틸렌폴리페닐렌폴리이소시아네이트를 들 수 있다.Moreover, as an isocyanate compound, polymeric polyisocyanate, such as a dimer and trimer of diisocyanate, and polymethylene polyphenylene polyisocyanate are mentioned, for example.

게다가, 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어, 상술한 이소시아네이트 화합물의 과잉량과, 활성 수소 함유 화합물을 반응시킨 폴리이소시아네이트를 들 수 있다. 활성 수소 함유 화합물로서는, 활성 수소 함유 저분자량 화합물, 활성 수소 함유 고분자량 화합물 등을 들 수 있다.Moreover, as an isocyanate compound, the polyisocyanate which made the excessive amount of the above-mentioned isocyanate compound and the active hydrogen containing compound reacted is mentioned, for example. Examples of active hydrogen-containing compounds include active hydrogen-containing low-molecular-weight compounds and active hydrogen-containing high-molecular-weight compounds.

또한, 이소시아네이트 화합물로서는, 알로파네이트화 폴리이소시아네이트, 뷰렛화 폴리이소시아네이트 등도 사용할 수 있다.Moreover, as an isocyanate compound, allophanate-ized polyisocyanate, buret-ized polyisocyanate, etc. can be used.

상기의 이소시아네이트 화합물은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Said isocyanate compound can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

상기의 이소시아네이트 화합물로서는, 방향족 디이소시아네이트와 활성 수소 함유 저분자량 화합물의 반응물이 바람직하다. 방향족 디이소시아네이트의 반응물은, 이소시아네이트기의 반응 속도가 비교적 늦으므로, 이러한 반응물을 포함하는 점착제층(22)은 과도하게 경화되어 버리는 것이 억제된다. 상기의 이소시아네이트 화합물로서는, 분자 중에 이소시아네이트기를 3개 이상 갖는 것이 바람직하다.As said isocyanate compound, the reaction product of aromatic diisocyanate and a low molecular-weight compound containing an active hydrogen is preferable. Since the reaction rate of an isocyanate group is relatively slow in the reaction product of aromatic diisocyanate, excessive hardening of the adhesive layer 22 containing such a reaction product is suppressed. As said isocyanate compound, what has 3 or more isocyanate groups in a molecule|numerator is preferable.

점착제층(22)에 포함되는 중합 개시제는, 가해진 열이나 광의 에너지에 의해 중합 반응을 개시할 수 있는 화합물이다. 점착제층(22)이 중합 개시제를 포함함으로써, 점착제층(22)에 열 에너지나 광 에너지를 부여했을 때, 아크릴 공중합체 사이에 있어서의 가교 반응을 진행시킬 수 있다. 상세하게는, 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 함유하는 중합성 (메트)아크릴레이트 단위를 갖는 아크릴 공중합체 사이에 있어서, 중합성기끼리의 중합 반응을 개시시켜서, 점착제층(22)을 경화시킬 수 있다. 이에 의해, 점착제층(22)의 점착력을 저하시키고, 픽업 공정에 있어서, 경화된 점착제층(22)으로부터 다이 본드 시트(10)를 용이하게 박리시킬 수 있다.The polymerization initiator contained in the pressure-sensitive adhesive layer 22 is a compound capable of initiating a polymerization reaction by applied heat or light energy. When heat energy or light energy is applied to the pressure-sensitive adhesive layer 22 because the pressure-sensitive adhesive layer 22 contains a polymerization initiator, a crosslinking reaction between acrylic copolymers can be promoted. Specifically, between an acrylic copolymer having a polymerizable (meth)acrylate unit containing a radically polymerizable carbon-carbon double bond, a polymerization reaction between polymerizable groups is initiated to cure the pressure-sensitive adhesive layer 22. can In this way, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 22 is reduced, and the die-bonding sheet 10 can be easily peeled off from the cured pressure-sensitive adhesive layer 22 in the pick-up step.

중합 개시제로서는, 예를 들어, 광중합 개시제 또는 열중합 개시제 등이 채용된다. 중합 개시제로서는, 일반적인 시판 제품을 사용할 수 있다.As a polymerization initiator, a photoinitiator or a thermal polymerization initiator etc. are employ|adopted, for example. As a polymerization initiator, a general commercial product can be used.

점착제층(22)은, 상술한 성분 이외의 그 밖의 성분을 더 포함할 수 있다. 그 밖의 성분으로서는, 예를 들어, 점착 부여제, 가소제, 충전제, 노화 방지제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 내열 안정제, 대전 방지제, 계면 활성제, 경박리화제 등을 들 수 있다. 그 밖의 성분의 종류 및 사용량은, 목적에 따라서, 적절하게 선택될 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 22 may further contain other components other than the components described above. Examples of other components include tackifiers, plasticizers, fillers, anti-aging agents, antioxidants, ultraviolet absorbers, light stabilizers, heat-resistant stabilizers, antistatic agents, surfactants, light release agents and the like. The type and usage amount of other components may be appropriately selected depending on the purpose.

점착제층(22)은 전자 현미경에 의해 단면을 관찰했을 때, 상분리 구조를 갖는다. 상세하게는, 점착제층(22)은 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 함유하는 제1상과, 제1상으로 분리하고 제1상보다도 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합의 함유량이 적은 제2상을 갖는다. 전자 현미경에 의해 단면을 관찰했을 때, 예를 들어, 제1상이 보다 진한 색으로 나타내지고, 제2상이 보다 연한 색으로 나타내어진다. 구체적으로는, 전자 현미경 관찰용의 샘플을 제작할 때, OsO4로 염색 처리를 실시하면, 오스뮴이 불포화 결합(이중 결합)과 반응하고, 반응한 부분이 보다 진해져서 보이게 된다. 따라서, 예를 들어 제1상이 보다 진한 색이 되고, 관찰상에 있어서 콘트라스트를 얻을 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 22 has a phase-separated structure when a cross section is observed with an electron microscope. Specifically, the pressure-sensitive adhesive layer 22 has a first phase containing radically polymerizable carbon-carbon double bonds, and a second phase separated into the first phase and containing less radically polymerizable carbon-carbon double bonds than the first phase. have a prize When a cross section is observed with an electron microscope, for example, the first phase appears in a darker color and the second phase appears in a lighter color. Specifically, when a sample for electron microscopic observation is produced, when dyeing treatment is performed with OsO 4 , osmium reacts with an unsaturated bond (double bond), and the reacted portion becomes darker and visible. Therefore, for example, the first image becomes a darker color, and contrast can be obtained in the observation image.

상기의 상분리 구조는, 예를 들어 도 11에 도시한 바와 같이, 제1상이, 연속되는 제2상 중에 분산한 해도 구조와 같은 구조이어도 된다. 또한, 상기의 상분리 구조는, 예를 들어 도 12에 도시한 바와 같이, 제1상 및 제2상이 각각 연속상이 되어 있는 공연속상 분리 구조와 같은 구조이어도 된다.As shown in FIG. 11, for example, the phase separation structure described above may be a structure such as a sea-island structure in which a first phase is dispersed in a continuous second phase. In addition, the above phase separation structure may be a structure such as a co-continuous phase separation structure in which the first phase and the second phase are respectively continuous phases, as shown in FIG. 12, for example.

하기의 측정 조건에서 점착제층(22)의 단면을 전자 현미경에 의해 관찰했을 때, 제1상이 차지하는 면적 비율이 50％ 이상인 것이 바람직하고, 60％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 이러한 면적 비율은, 100％ 이하이어도 되고, 90％ 이하이어도 된다.When a cross section of the pressure-sensitive adhesive layer 22 is observed with an electron microscope under the following measurement conditions, the ratio of the area occupied by the first phase is preferably 50% or more, and more preferably 60% or more. This area ratio may be 100% or less, or 90% or less.

(측정 조건)(Measuring conditions)

·점착제층으로부터의 측정 샘플의 제작 방법: 울트라 마이크로톰을 사용한 초박 절편법・Method for producing a measurement sample from the pressure-sensitive adhesive layer: ultra-thin sectioning method using an ultra-microtome

·관찰 배율: 12,000배・Observation magnification: 12,000 times

·관찰 면적: 적어도 9㎛2 (예를 들어 3㎛ 사방의 정사각형)・Observation area: at least 9 μm 2 (for example, a square of 3 μm square)

·측정 샘플의 염색 처리 방법: OsO4 및 RuO4 Dyeing treatment method of measurement sample: OsO 4 and RuO 4

·면적 비율의 산출 방법: 제품명「ImageJ」를 사용한 화상 해석・Area ratio calculation method: Image analysis using the product name “ImageJ”

또한, 상기와 같은 염색 처리를 거쳐서 제작된 측정 샘플의 관찰상에서는, 점착제층(22) 중의 불포화 결합(이중 결합)의 함유율의 영향에 의해, 흑색으로 보이는 부분 및 회색으로 보이는 부분이 공존되는 경우가 있다. 이 경우, 흑색으로 보이는 부분 및 회색으로 보이는 부분의 양쪽을 제1상으로 한다. 환언하면, 불포화 결합(이중 결합)의 함유율이 가장 낮은 부분이 제2상이며, 그 이외의 부분이 제1상이다.In addition, in the observation image of the measurement sample produced through the dyeing treatment as described above, due to the influence of the content of unsaturated bonds (double bonds) in the pressure-sensitive adhesive layer 22, there is a case where a portion appearing black and a portion appearing gray coexist. have. In this case, both the part that looks black and the part that looks gray are taken as the first phase. In other words, the part with the lowest unsaturated bond (double bond) content is the second phase, and the other part is the first phase.

본 실시 형태에 있어서, 점착제층(22)에 겹쳐진 기재층(21)은 단층 구조이어도 되고, 적층 구조를 가져도 된다.In this embodiment, the substrate layer 21 overlaid on the pressure-sensitive adhesive layer 22 may have a single-layer structure or may have a laminated structure.

기재층(21)의 각 층은, 예를 들어, 금속박, 종이나 천 등의 섬유 시트, 고무 시트, 수지 필름 등이다.Each layer of the substrate layer 21 is, for example, a metal foil, a fiber sheet such as paper or cloth, a rubber sheet, a resin film, or the like.

기재층(21)을 구성하는 섬유 시트로서는, 종이, 직포, 부직포 등을 들 수 있다.As the fibrous sheet constituting the substrate layer 21, paper, woven fabric, non-woven fabric, and the like are exemplified.

수지 필름의 재질로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 폴리올레핀; 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA), 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교대) 공중합체 등의 에틸렌의 공중합체; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르; 폴리아크릴레이트; 폴리염화비닐(PVC); 폴리우레탄; 폴리카르보네이트; 폴리페닐렌술피드(PPS); 지방족 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드(아라미드) 등의 폴리아미드; 폴리에테르에테르케톤(PEEK); 폴리이미드; 폴리에테르이미드; 폴리염화비닐리덴; ABS(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체); 셀룰로오스 또는 셀룰로오스 유도체; 실리콘 함유 고분자; 불소 함유 고분자 등을 들 수 있다. 이들은, 1종이 단독으로 또는 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.Examples of the material of the resin film include polyolefins such as polyethylene (PE), polypropylene (PP), and ethylene-propylene copolymers; Ethylene copolymers, such as an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), an ionomer resin, an ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, and an ethylene-(meth)acrylic acid ester (random, alternating) copolymer; polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and polybutylene terephthalate (PBT); polyacrylate; polyvinyl chloride (PVC); Polyurethane; polycarbonate; polyphenylene sulfide (PPS); polyamides such as aliphatic polyamides and wholly aromatic polyamides (aramids); polyetheretherketone (PEEK); polyimide; polyetherimide; polyvinylidene chloride; ABS (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer); cellulose or cellulose derivatives; silicone-containing polymers; A fluorine-containing polymer etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

기재층(21)은, 수지 필름 등의 고분자 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다.The substrate layer 21 is preferably made of a polymer material such as a resin film.

기재층(21)이 수지 필름을 갖는 경우, 수지 필름이 연신 처리 등을 실시되고, 신장률 등의 변형성이 제어되어 있어도 된다.When the base material layer 21 has a resin film, the resin film may be stretched or the like, and deformability such as elongation may be controlled.

기재층(21)의 표면에는, 점착제층(22)과의 밀착성을 높이기 위해, 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 표면 처리로서는, 예를 들어, 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 방법 또는 물리적 방법에 의한 산화 처리 등이 채용될 수 있다. 또한, 앵커 코팅제, 프라이머, 접착제 등의 코팅제에 의한 코팅 처리가 실시되어 있어도 된다.Surface treatment may be given to the surface of the base material layer 21 in order to improve adhesiveness with the adhesive layer 22. As the surface treatment, for example, chemical methods such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high-voltage electric shock exposure, ionizing radiation treatment, or oxidation treatment by physical methods or the like can be employed. In addition, coating treatment with a coating agent such as an anchor coating agent, a primer, or an adhesive may be performed.

기재층(21)은 단층이어도 되고, 복수의 층(예를 들어 3층)으로 구성되어 있어도 된다. 기재층(21)의 두께(총 두께)는 80㎛ 이상 150㎛ 이하이어도 된다.The substrate layer 21 may be a single layer or may be composed of a plurality of layers (for example, three layers). The thickness (total thickness) of the substrate layer 21 may be 80 μm or more and 150 μm or less.

기재층(21)의 배면측(점착제층(22)이 겹쳐 있지 않은 측)에는, 박리성을 부여하기 위해, 예를 들어, 실리콘계 수지나 불소계 수지 등의 이형제(박리제) 등에 의해 이형 처리가 실시되어 있어도 된다.To impart peelability to the back side of the substrate layer 21 (the side on which the pressure-sensitive adhesive layer 22 does not overlap), for example, release treatment is performed with a release agent (release agent) such as a silicone-based resin or a fluorine-based resin. it may be

기재층(21)은 배면측으로부터 자외선 등의 활성 에너지선을 점착제층(22)에 부여하는 것이 가능하게 되는 점에서, 광투과성(자외선 투과성)의 수지 필름 등인 것이 바람직하다.The substrate layer 21 is preferably a light-transmitting (ultraviolet-ray-transmitting) resin film or the like from the viewpoint of enabling application of active energy rays such as ultraviolet rays to the pressure-sensitive adhesive layer 22 from the back side.

상기의 다이싱 테이프(20)는 사용되기 전의 상태에 있어서, 점착제층(22)의 한쪽 면(점착제층(22)이 기재층(21)과 겹쳐 있지 않은 면)을 덮는 박리 시트를 구비해도 된다. 박리 시트는, 점착제층(22)을 보호하기 위해 사용되고, 점착제층(22)에 다이 본드 시트(10)를 첩부하기 전에 박리된다.The dicing tape 20 described above may be provided with a release sheet covering one surface of the pressure-sensitive adhesive layer 22 (the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer 22 does not overlap with the substrate layer 21) in a state before use. . The release sheet is used to protect the pressure-sensitive adhesive layer 22 and is peeled off before attaching the die-bonding sheet 10 to the pressure-sensitive adhesive layer 22 .

박리 시트로서는, 예를 들어, 실리콘계, 장쇄 알킬계, 불소계, 황화몰리브덴 등의 박리제에 의해 표면 처리된, 플라스틱 필름 또는 종이 등을 사용할 수 있다.As the release sheet, for example, a plastic film or paper surface-treated with a release agent such as silicone, long-chain alkyl, fluorine, or molybdenum sulfide can be used.

또한, 박리 시트는, 점착제층(22)을 지지하기 위한 지지재로서 이용할 수 있다. 특히, 박리 시트는, 기재층(21) 위에 점착제층(22)을 겹칠 때, 적합하게 사용된다. 상세하게는, 박리 시트와 점착제층(22)이 적층된 상태에서 점착제층(22)을 기재층(21)에 겹치고, 겹친 후에 박리 시트를 박리함(전사함)으로써, 기재층(21) 위에 점착제층(22)을 겹칠 수 있다.In addition, the peeling sheet can be used as a support material for supporting the pressure-sensitive adhesive layer 22 . In particular, the release sheet is preferably used when overlapping the pressure-sensitive adhesive layer 22 on the substrate layer 21 . In detail, in the state where the release sheet and the pressure-sensitive adhesive layer 22 are laminated, the pressure-sensitive adhesive layer 22 is superimposed on the substrate layer 21, and after the overlapping, the release sheet is peeled (transferred) on the substrate layer 21. The pressure-sensitive adhesive layer 22 may be overlapped.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은 사용되기 전의 상태에 있어서, 다이 본드 시트(10)의 한쪽 면(다이 본드 시트(10)가 점착제층(22)과 겹쳐 있지 않은 면)을 덮는 박리 시트를 구비해도 된다. 박리 시트는, 다이 본드 시트(10)를 보호하기 위해 사용되고, 다이 본드 시트(10)에 피착체(예를 들어 반도체 웨이퍼)를 첩부하기 직전에 박리된다.The dicing die-bonding film 1 of the present embodiment covers one side of the die-bonding sheet 10 (the side where the die-bonding sheet 10 does not overlap with the pressure-sensitive adhesive layer 22) in a state before use. You may provide a peeling sheet. The release sheet is used to protect the die-bonding sheet 10, and is peeled immediately before attaching an adherend (for example, a semiconductor wafer) to the die-bonding sheet 10.

이 박리 시트는, 다이 본드 시트(10)를 지지하기 위한 지지재로서 이용할 수 있다. 박리 시트는, 점착제층(22)에 다이 본드 시트(10)를 겹칠 때, 적합하게 사용된다. 상세하게는, 박리 시트와 다이 본드 시트(10)가 적층된 상태에서 다이 본드 시트(10)를 점착제층(22)에 겹치고, 겹친 후에 박리 시트를 박리함(전사함)으로써, 점착제층(22)에 다이 본드 시트(10)를 겹칠 수 있다.This release sheet can be used as a support material for supporting the die-bonding sheet 10 . The release sheet is suitably used when the die-bonding sheet 10 is stacked on the pressure-sensitive adhesive layer 22 . Specifically, the die-bonding sheet 10 is overlaid on the pressure-sensitive adhesive layer 22 in a state where the release sheet and the die-bonding sheet 10 are laminated, and after the overlapping, the release sheet is peeled off (transferred) to form the pressure-sensitive adhesive layer 22 ), the die bond sheet 10 may be overlapped.

<다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 시트><Die bond sheet of dicing die bond film>

다이 본드 시트(10)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 상술한 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 겹쳐져 있다.As shown in FIG. 1 , the die bond sheet 10 overlaps the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 described above.

점착제층(22)과 다이 본드 시트(10) 사이의 박리력에 대해서, 점착제층(22)이 활성 에너지선에 의해 경화되기 전의 박리력(A)과 경화된 후의 박리력(B)이 하기 식(1)을 충족하는 것이 바람직하고, 하기 식(2)를 충족하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 하기의 (A)/(B)의 수치는, 25.0 이하이어도 된다.Regarding the peel force between the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the die-bonding sheet 10, the peel force before the pressure-sensitive adhesive layer 22 is cured by active energy rays (A) and the peel force after hardening (B) are expressed by the following formula. It is preferable to satisfy (1), and it is more preferable to satisfy the following formula (2). In addition, the numerical value of (A)/(B) below may be 25.0 or less.

(A)/(B)>7.0 식(1)(A)/(B)>7.0 Equation (1)

(A)/(B)>8.0 식(2)(A)/(B)>8.0 Equation (2)

상기의 식(1)이 충족됨으로써, 보다 양호한 픽업성을 발휘할 수 있다. 또한, 경화된 후의 박리력(B)을 측정하기 위해서는, 점착제층(22)을 충분히 경화시킨 후에 상기의 박리력을 측정한다. 예를 들어, 고압 수은 램프(60mW/㎠)를 사용하여 기재층 측으로부터 적어도 강도 150mJ/㎠의 활성 에너지선을 조사하여 점착제층을 경화시킨다.When the above formula (1) is satisfied, better pickup properties can be exhibited. In addition, in order to measure peeling force (B) after hardening, after fully hardening the adhesive layer 22, the said peeling force is measured. For example, an active energy ray having an intensity of at least 150 mJ/cm 2 is irradiated from the substrate layer side using a high-pressure mercury lamp (60 mW/cm 2 ) to cure the pressure-sensitive adhesive layer.

점착제층(22)과 다이 본드 시트(10) 사이의 박리력은, 점착제층(22)이 활성 에너지선에 의해 경화되기 전에 있어서(즉, 상기 (A)의 값), 0.30[N/20㎜] 이상이어도 되고, 0.50[N/20㎜] 이상이어도 된다. (A)의 값은, 2.50[N/20㎜] 이하이어도 되고, 1.90[N/20㎜] 미만이어도 되고, 1.80[N/20㎜] 이하이어도 된다. 이에 의해, 소위 칩 부상을 보다 충분히 억제할 수 있다.The peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the die-bonding sheet 10 is 0.30 [N/20 mm] before the pressure-sensitive adhesive layer 22 is cured by active energy rays (ie, the value of (A) above). ] or more, or 0.50 [N/20 mm] or more. The value of (A) may be 2.50 [N/20 mm] or less, may be less than 1.90 [N/20 mm], or may be 1.80 [N/20 mm] or less. Thereby, so-called chip floating can be more sufficiently suppressed.

점착제층(22)과 다이 본드 시트(10) 사이의 박리력은, 점착제층(22)이 활성 에너지선에 의해 경화된 후에 있어서(즉, 상기 (B)의 값), 0.03[N/20㎜] 이상이어도 되고, 0.06[N/20㎜] 이상이어도 되고, 0.07[N/20㎜] 이상이어도 된다. (A)의 값은, 0.10[N/20㎜] 이하이어도 되고, 0.09[N/20㎜] 미만이어도 되고, 0.08[N/20㎜] 이하이어도 된다. 이에 의해, 보다 양호한 픽업성을 발휘할 수 있다.The peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the die-bonding sheet 10 is 0.03 [N/20 mm] after the pressure-sensitive adhesive layer 22 is cured by active energy rays (that is, the value of (B) above). ] or more, 0.06 [N/20 mm] or more, or 0.07 [N/20 mm] or more. The value of (A) may be 0.10 [N/20 mm] or less, may be less than 0.09 [N/20 mm], or may be 0.08 [N/20 mm] or less. Thereby, more favorable pick-up property can be exhibited.

상기의 (A)의 수치는, 예를 들어, 점착제층(22) 중의 상기 아크릴 공중합체에 있어서의 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합의 함유 비율을 높임으로써, 더 크게 할 수 있다. 또한, 예를 들어, 상술한 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위의 상기 아크릴 모두 중합체 중에 있어서의 함유 비율을 높임으로써, 상기의 (A)의 수치를 보다 크게 할 수 있다.The numerical value of (A) above can be made larger by, for example, increasing the content ratio of radically polymerizable carbon-carbon double bonds in the acrylic copolymer in the pressure-sensitive adhesive layer 22 . Further, for example, by increasing the content ratio of all of the acryls of the above-described hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit in the polymer, the numerical value of (A) above can be further increased.

상기의 (B)의 수치는, 예를 들어, 점착제층(22) 중의 상기 아크릴 공중합체에 있어서의 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합의 함유 비율을 높임으로써, 더 작게 할 수 있다. 또한, 상술한 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위의 상기 아크릴 모두 중합체 중에 있어서의 함유 비율을 높임으로써, 상기의 (B)의 수치를 보다 작게 할 수 있다.The numerical value of said (B) can be made smaller, for example by increasing the content rate of the radically polymerizable carbon-carbon double bond in the said acrylic copolymer in the adhesive layer 22. Moreover, the numerical value of said (B) can be made smaller by raising the content rate in the polymer of the said acryl of the above-mentioned aliphatic alkyl (meth)acrylate unit.

상기와 같이 하여 (A) 및 (B)를 바꿈으로써, 상기의 (A)/(B)의 값을 조정할 수 있다.By changing (A) and (B) as described above, the value of (A)/(B) described above can be adjusted.

다이 본드 시트(10)는 열경화 처리에 의해 가교 반응을 일으키는 가교성기를 분자 중에 갖는 가교성기 함유 아크릴 폴리머를 포함한다. 이러한 가교성기 함유 아크릴 폴리머는, (메트)아크릴산에스테르 모노머가 적어도 중합된 고분자 화합물이다.The die bond sheet 10 includes an acrylic polymer containing a crosslinkable group having a crosslinkable group in its molecule that causes a crosslinking reaction by heat curing. Such a crosslinkable group-containing acrylic polymer is a high molecular compound in which at least a (meth)acrylic acid ester monomer is polymerized.

상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머는, 통상 측쇄에 상기의 가교성기를 갖는다. 상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머는, 측쇄의 말단에 상기의 가교성기를 가져도 된다. 또한, 상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머는, 주쇄의 양단 중 적어도 한쪽에 상기의 가교성기를 가져도 된다.The above crosslinkable group-containing acrylic polymer usually has the above crosslinkable group in its side chain. The above crosslinkable group-containing acrylic polymer may have the above crosslinkable group at the terminal of the side chain. In addition, the above crosslinkable group-containing acrylic polymer may have the above crosslinkable group on at least one of both ends of the main chain.

상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머가 분자 중에 갖는 가교성기는, 열경화 처리에 의해 가교 반응을 일으키는 관능기라면, 특별히 한정되지 않는다.The crosslinkable group in the molecule of the above crosslinkable group-containing acrylic polymer is not particularly limited as long as it is a functional group that causes a crosslinking reaction by thermal curing.

가교성기로서는, 예를 들어, 히드록시기 또는 카르복시기 등을 들 수 있다. 이들의 가교성기는, 에폭시기 또는 이소시아네이트기와 가교 반응을 일으킬 수 있다. 예를 들어, 히드록시기 또는 카르복시기의 적어도 한쪽을 분자 중에 갖는 상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머는, 에폭시기 또는 이소시아네이트기를 분자 중에 갖는 화합물(예를 들어, 후술하는 에폭시 수지 등) 사이에서 가교 반응을 일으킬 수 있다.As a crosslinkable group, a hydroxyl group or a carboxy group etc. are mentioned, for example. These crosslinkable groups can cause a crosslinking reaction with an epoxy group or an isocyanate group. For example, the crosslinkable group-containing acrylic polymer having at least one of a hydroxyl group or a carboxy group in its molecule can cause a crosslinking reaction between compounds having an epoxy group or an isocyanate group in its molecule (e.g., an epoxy resin described later). .

또한, 가교성기로서는, 예를 들어, 에폭시기 또는 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들의 가교성기는, 히드록시기나 카르복시기와 가교 반응을 일으킬 수 있다. 예를 들어, 에폭시기 또는 이소시아네이트기의 적어도 한쪽을 분자 중에 갖는 상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머는, 히드록시기 또는 카르복시기의 적어도 한쪽을 분자 중에 갖는 화합물(예를 들어, 후술하는 페놀 수지 등) 사이에서 가교 반응을 일으킬 수 있다.Moreover, as a crosslinkable group, an epoxy group or an isocyanate group etc. are mentioned, for example. These crosslinkable groups can cause a crosslinking reaction with a hydroxy group or a carboxy group. For example, the above crosslinkable group-containing acrylic polymer having at least one of an epoxy group or an isocyanate group in a molecule undergoes a crosslinking reaction between a compound having at least one of a hydroxy group or a carboxy group in a molecule (for example, a phenol resin described later) can cause

본 실시 형태에 있어서, 다이 본드 시트(10)에 포함되는 가교성기 함유 아크릴 폴리머는, 카르복시기 또는 에폭시기의 적어도 한쪽을 가교성기로서 함유하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 다이 본드 시트(10)를 보다 양호하게 피착체에 접착시킬 수 있다.In this embodiment, it is preferable that the crosslinkable group-containing acrylic polymer contained in the die-bonding sheet 10 contains at least one of a carboxy group or an epoxy group as a crosslinkable group. Thereby, the die-bonding sheet 10 can be more favorably adhered to the adherend.

또한, 다이 본드 시트(10)에는, 경화(이후에 상세히 기술) 후의 피착체로의 접착성을 보다 충분히 발휘하기 위해, 경화 후에 비교적 높은 응집력을 갖는 성능이 요구된다. 경화 후의 응집력을 높이기 위해서는, 다이 본드 시트(10)에 포함되는 유기 성분끼리가 충분히 가교 반응하여, 다이 본드 시트(10)가 충분히 경화될 필요가 있다. 충분히 경화를 진행시키기 위해, 가교성기 함유 아크릴 폴리머는, 에폭시기(글리시딜기) 또는 카르복시기 등의 비교적 반응성이 높은 관능기를 갖는 것이 바람직하다.In addition, the die-bonding sheet 10 is required to have a relatively high cohesive force after curing in order to more fully exhibit adhesiveness to an adherend after curing (described in detail later). In order to increase the cohesive force after curing, it is necessary that the organic components included in the die-bonding sheet 10 undergo a sufficient cross-linking reaction with each other so that the die-bonding sheet 10 is sufficiently cured. In order to sufficiently advance curing, the crosslinkable group-containing acrylic polymer preferably has a relatively highly reactive functional group such as an epoxy group (glycidyl group) or a carboxy group.

상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머에 있어서, 가교성기 함유 모노머의 구성 단위가 차지하는 비율은, 0.1질량％ 이상 60.0질량％ 이하이어도 되고, 0.5질량％ 이상 40.0질량％ 이하이어도 되고, 보다 바람직하게는 1.0질량％ 이상 30.0질량％ 이하이어도 되고, 더욱 바람직하게는 3.0질량％ 이상 20.0질량％ 이하이어도 된다.In the above crosslinkable group-containing acrylic polymer, the ratio occupied by the structural unit of the crosslinkable group-containing monomer may be 0.1% by mass or more and 60.0% by mass or less, may be 0.5% by mass or more and 40.0% by mass or less, more preferably 1.0% by mass. % or more and 30.0 mass % or less may be sufficient, More preferably, it may be 3.0 mass % or more and 20.0 mass % or less.

상기의 비율이 0.1질량％ 이상임으로써, 다이 본드 시트(10)가 열경화 처리될 때의 경화를 보다 충분히 진행시킬 수 있다. 한편, 상기의 비율이 60.0질량％ 이하임으로써, 가교성기 함유 아크릴 폴리머의 가교 반응성을 적절하게 억제하여 경시 안정성을 높일 수 있다.When the above ratio is 0.1% by mass or more, curing when the die-bonding sheet 10 is thermally cured can be more sufficiently advanced. On the other hand, when the above ratio is 60.0% by mass or less, the crosslinking reactivity of the crosslinkable group-containing acrylic polymer can be appropriately suppressed and the stability over time can be improved.

상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머가 히드록시기 또는 카르복시기를 가교성기로서 분자 중에 갖는 경우, 가교성기 함유 아크릴 폴리머에 있어서, 가교성기 함유 모노머의 구성 단위가 차지하는 비율은, 0.1질량％ 이상 20.0질량％ 이하이어도 되고, 0.5질량％ 이상 10.0질량％ 이하이어도 되고, 보다 바람직하게는 0.8질량％ 이상 15.0질량％ 이하이어도 되고, 더욱 바람직하게는 1.0질량％ 이상 10.0질량％ 이하이어도 된다.When the crosslinkable group-containing acrylic polymer has a hydroxyl group or a carboxy group as a crosslinkable group in the molecule, the crosslinkable group-containing acrylic polymer may have a proportion of structural units of the crosslinkable group-containing monomer that is 0.1% by mass or more and 20.0% by mass or less. , 0.5 mass % or more and 10.0 mass % or less may be sufficient, More preferably, 0.8 mass % or more and 15.0 mass % or less may be sufficient, Even more preferably, 1.0 mass % or more and 10.0 mass % or less may be sufficient.

상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머가 에폭시기를 가교성기로서 분자 중에 갖는 경우, 가교성기 함유 아크릴 폴리머에 차지하는, 에폭시기를 함유하는 구성 단위의 비율은, 5질량％ 이상 60질량％ 이하이어도 되고, 6질량％ 이상 40질량％ 이하이어도 되고, 보다 바람직하게는 7질량％ 이상 20질량％ 이하이어도 된다.When the above crosslinkable group-containing acrylic polymer has an epoxy group as a crosslinkable group in the molecule, the ratio of the constituent units containing an epoxy group to the crosslinkable group-containing acrylic polymer may be 5% by mass or more and 60% by mass or less, or 6% by mass. It may be more than 40 mass % or less, and more preferably 7 mass % or more and 20 mass % or less may be sufficient.

또한, 구성 단위란, 가교성기 함유 아크릴 폴리머를 얻을(중합할) 때의 모노머(예를 들어 2-에틸헥실아크릴레이트, 히드록시에틸아크릴레이트 등)가 중합된 후의 각 모노머 유래의 구조이다. 이하 마찬가지이다.In addition, a structural unit is a structure derived from each monomer after polymerization of monomers (for example, 2-ethylhexyl acrylate, hydroxyethyl acrylate, etc.) at the time of obtaining (polymerizing) the crosslinkable group-containing acrylic polymer. Same below.

본 실시 형태의 다이 본드 시트(10)는, 1종의 가교성기 함유 아크릴 폴리머를 포함해도 되고, 또는, 복수종(예를 들어 2종)의 가교성기 함유 아크릴 폴리머를 포함해도 된다.The die-bonding sheet 10 of this embodiment may contain one type of crosslinkable group-containing acrylic polymer, or may contain a plurality of types (for example, two types) of crosslinkable group-containing acrylic polymer.

예를 들어, 다이 본드 시트(10)가 2종의 가교성기 함유 아크릴 폴리머를 포함하는 경우, 2종의 가교성기 함유 아크릴 폴리머 중 한쪽의 가교성기와, 다른 쪽의 가교성기는, 서로 가교 반응한다. 구체적으로는, 히드록시기 또는 카르복시기의 적어도 한쪽을 가교성기로서 분자 중에 갖는 가교성기 함유 아크릴 폴리머와, 에폭시기 또는 이소시아네이트기의 적어도 한쪽을 가교성기로서 분자 중에 갖는 가교성기 함유 아크릴 폴리머는, 서로 가교 반응할 수 있다.For example, when the die-bonding sheet 10 contains two types of crosslinkable group-containing acrylic polymers, one crosslinkable group and the other crosslinkable group of the two types of crosslinkable group-containing acrylic polymers undergo a crosslinking reaction with each other. . Specifically, an acrylic polymer containing a crosslinkable group having at least one of a hydroxyl group or a carboxyl group in the molecule as a crosslinkable group and an acrylic polymer containing a crosslinkable group having at least one of an epoxy group or an isocyanate group in the molecule as a crosslinkable group can crosslink each other. have.

상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머는, 예를 들어 라디칼 중합 개시제를 사용한 일반적인 중합 방법에 의해 합성할 수 있다.The above crosslinkable group-containing acrylic polymer can be synthesized by a general polymerization method using a radical polymerization initiator, for example.

상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머는, 분자 중의 구성 단위 중, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머의 구성 단위를 질량 비율로 가장 많이 포함하는 것이 바람직하다. 당해 알킬(메트)아크릴레이트 모노머로서는, 예를 들어, 알킬기(탄화수소기)의 탄소수가 1 이상 18 이하인 C1 내지 C18 알킬(메트)아크릴레이트 모노머를 들 수 있다.It is preferable that the crosslinkable group-containing acrylic polymer contains the most structural units of an alkyl (meth)acrylate monomer in terms of mass ratio among the structural units in the molecule. As the said alkyl (meth)acrylate monomer, the C1-C18 alkyl (meth)acrylate monomer whose carbon number of an alkyl group (hydrocarbon group) is 1 or more and 18 or less is mentioned, for example.

알킬(메트)아크릴레이트 모노머로서는, 예를 들어, 포화 직쇄상 알킬(메트)아크릴레이트 모노머, 포화 분지쇄상 알킬(메트)아크릴레이트 모노머 등을 들 수 있다.As an alkyl (meth)acrylate monomer, a saturated linear alkyl (meth)acrylate monomer, a saturated branched chain alkyl (meth)acrylate monomer, etc. are mentioned, for example.

포화 직쇄상 알킬(메트)아크릴레이트 모노머로서는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, n-헵틸(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, n-노닐(메트)아크릴레이트, n-데실(메트)아크릴레이트, 트리데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 미리스틸(메트)아크릴레이트, 팔미틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 직쇄상 알킬기 부분의 탄소수는, 2 이상 8 이하인 것이 바람직하다.As the saturated linear alkyl (meth)acrylate monomer, methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, n-heptyl (meth) Acrylate, n-octyl(meth)acrylate, n-nonyl(meth)acrylate, n-decyl(meth)acrylate, tridecyl(meth)acrylate, lauryl(meth)acrylate, myristyl(meth)acrylate ) acrylate, palmityl (meth)acrylate, stearyl (meth)acrylate, and the like. Moreover, it is preferable that carbon number of a linear alkyl group part is 2 or more and 8 or less.

포화 분지쇄상 알킬(메트)아크릴레이트 모노머로서는, 이소헵틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 이소노닐(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 알킬기 부분은, iso 구조, sec 구조, neo 구조, 또는, tert 구조의 어느 것을 가져도 된다.As the saturated branched-chain alkyl (meth)acrylate monomer, isoheptyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, isononyl (meth)acrylate, isodecyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, ) Acrylate etc. are mentioned. In addition, the alkyl group portion may have any of an iso structure, a sec structure, a neo structure, or a tert structure.

상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머는, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와 공중합 가능한 가교성기 함유 모노머에서 유래되는 구성 단위를 포함한다.The above crosslinkable group-containing acrylic polymer contains a structural unit derived from a crosslinkable group-containing monomer copolymerizable with an alkyl (meth)acrylate monomer.

본 실시 형태에 있어서, 상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머는, 적어도 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와 가교성기 함유 모노머가 공중합한 아크릴 폴리머이다. 환언하면, 상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머는, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머의 구성 단위와, 가교성기 함유 모노머의 구성 단위가 랜덤한 순서로 연결된 구성을 갖는다.In this embodiment, the crosslinkable group-containing acrylic polymer is an acrylic polymer obtained by copolymerization of at least an alkyl (meth)acrylate monomer and a crosslinkable group-containing monomer. In other words, the crosslinkable group-containing acrylic polymer has a configuration in which structural units of an alkyl (meth)acrylate monomer and structural units of a crosslinkable group-containing monomer are connected in random order.

상기 가교성기 함유 모노머로서는, 예를 들어, 카르복시기 함유 (메트)아크릴 모노머, 산무수물(메트)아크릴 모노머, 히드록시기(수산기) 함유 (메트)아크릴 모노머, 에폭시기(글리시딜기) 함유 (메트)아크릴 모노머, 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴 모노머, 술폰산기 함유 (메트)아크릴 모노머, 인산기 함유 (메트)아크릴 모노머, 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등의 관능기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 또한, 상기 가교성기 함유 모노머는, 분자 중에 에테르기 또는 에스테르기 등을 가져도 된다.Examples of the crosslinkable group-containing monomer include a carboxyl group-containing (meth)acrylic monomer, an acid anhydride (meth)acrylic monomer, a hydroxyl group (hydroxyl group)-containing (meth)acrylic monomer, and an epoxy group (glycidyl group)-containing (meth)acrylic monomer. , isocyanate group-containing (meth)acrylic monomers, sulfonic acid group-containing (meth)acrylic monomers, phosphoric acid group-containing (meth)acrylic monomers, functional group-containing monomers such as acrylamide and acrylonitrile. In addition, the crosslinkable group-containing monomer may have an ether group or an ester group or the like in the molecule.

상기 가교성기 함유 아크릴 폴리머는, 바람직하게는,The crosslinkable group-containing acrylic polymer is preferably,

카르복시기 함유 (메트)아크릴 모노머, 히드록시기 함유 (메트)아크릴 모노머, 에폭시기 함유 (메트)아크릴 모노머 및 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴 모노머로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종의 가교성기 함유 모노머와,At least one crosslinkable group-containing monomer selected from the group consisting of a (meth)acrylic monomer containing a carboxy group, a (meth)acrylic monomer containing a hydroxyl group, a (meth)acrylic monomer containing an epoxy group, and a (meth)acrylic monomer containing an isocyanate group;

알킬(메트)아크릴레이트(특히, 알킬 부분의 탄소수가 8 이하인 알킬(메트)아크릴레이트)와의 공중합체이다.It is a copolymer with an alkyl (meth)acrylate (particularly, an alkyl (meth)acrylate having 8 or less carbon atoms in the alkyl moiety).

카르복시기 함유 (메트)아크릴 모노머로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산, 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)숙시네이트 모노머 등을 들 수 있다. 또한, 카르복시기는, 모노머 구조의 말단 부분에 배치되어 있어도 되고, 말단 부분 이외의 탄화수소에 결합하고 있어도 된다.As a (meth)acrylic monomer containing a carboxy group, (meth)acrylic acid, a mono(2-(meth)acryloyloxyethyl) succinate monomer, etc. are mentioned, for example. In addition, the carboxy group may be arranged at the terminal portion of the monomer structure, or may be bonded to hydrocarbons other than the terminal portion.

히드록시기 함유 (메트)아크릴 모노머로서는, 예를 들어, 히드록시에틸(메트)아크릴레이트 모노머, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트 모노머, 히드록시부틸(메트)아크릴레이트 모노머 등을 들 수 있다. 또한, 히드록시기는, 모노머 구조의 말단 부분에 배치되어 있어도 되고, 말단 부분 이외의 탄화수소에 결합하고 있어도 된다.As a hydroxyl group-containing (meth)acrylic monomer, a hydroxyethyl (meth)acrylate monomer, a hydroxypropyl (meth)acrylate monomer, a hydroxybutyl (meth)acrylate monomer, etc. are mentioned, for example. In addition, the hydroxyl group may be arranged at the terminal portion of the monomer structure, or may be bonded to hydrocarbons other than the terminal portion.

에폭시기 함유 (메트)아크릴 모노머로서는, 예를 들어, 글리시딜(메트)아크릴레이트 모노머, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 또한, 에폭시기는, 모노머 구조의 말단 부분에 배치되어 있어도 되고, 말단 부분 이외의 탄화수소에 결합하고 있어도 된다.As an epoxy group-containing (meth)acryl monomer, a glycidyl (meth)acrylate monomer, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate glycidyl ether, etc. are mentioned, for example. In addition, the epoxy group may be arranged at the terminal portion of the monomer structure, or may be bonded to hydrocarbons other than the terminal portion.

이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴 모노머로서는, 예를 들어, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 2-(2-메타크릴로일옥시에틸옥시)에틸이소시아네이트 등을 들 수 있다.Examples of the isocyanate group-containing (meth)acrylic monomer include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, 1,1-(bisacryloyloxymethyl)ethyl isocyanate, 2-acryloyloxyethyl isocyanate, and 2- (2-methacryloyloxyethyloxy) ethyl isocyanate etc. are mentioned.

다이 본드 시트(10)는, 상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머 이외의 성분을 포함해도 된다. 예를 들어, 다이 본드 시트(10)는 열경화성 수지, 또는, 상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머 이외의 열가소성 수지의 적어도 한쪽을 더 포함해도 된다.The die bond sheet 10 may also contain components other than the above crosslinkable group-containing acrylic polymer. For example, the die-bonding sheet 10 may further contain at least one of a thermosetting resin or a thermoplastic resin other than the crosslinkable group-containing acrylic polymer described above.

열경화성 수지로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지로서는, 1종만 또는 2종 이상이 채용된다.As a thermosetting resin, an epoxy resin, a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, a polyurethane resin, a silicone resin, a thermosetting polyimide resin etc. are mentioned, for example. As said thermosetting resin, only 1 type or 2 or more types are employ|adopted.

상기 에폭시 수지로서는, 예를 들어, 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀 노볼락형, 오르토크레졸 노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 또는 글리시딜아민형의 각 에폭시 수지를 들 수 있다.Examples of the epoxy resin include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, and phenol novolak. type, orthocresol novolac type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type or glycidylamine type epoxy resin.

페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있다. 페놀 수지로서는, 예를 들어, 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시 스티렌 등의 폴리옥시 스티렌 등을 들 수 있다.Phenol resins can act as curing agents for epoxy resins. As a phenol resin, polyoxy styrene, such as a novolak-type phenol resin, a resol-type phenol resin, and polyparaoxy styrene, etc. are mentioned, for example.

노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들어, 페놀 노볼락 수지, 페놀 아르알킬 수지, 크레졸 노볼락 수지, tert-부틸 페놀 노볼락 수지, 노닐 페놀 노볼락 수지 등을 들 수 있다.Examples of the novolak-type phenol resin include phenol novolak resins, phenol aralkyl resins, cresol novolak resins, tert-butyl phenol novolac resins, and nonyl phenol novolac resins.

페놀 수지의 수산기 당량[g/eq]은, 예를 들어, 90 이상 220 이하이어도 된다.The hydroxyl equivalent [g/eq] of the phenol resin may be, for example, 90 or more and 220 or less.

상기 페놀 수지로서는, 1종만 또는 2종 이상이 채용된다.As said phenol resin, only 1 type or 2 or more types are employ|adopted.

본 실시 형태에 있어서, 다이 본드 시트(10)는, 서로 가교 반응하는, 상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머와 열경화성 수지를 포함해도 된다. 또한, 다이 본드 시트(10)는, 서로 가교 반응하는 복수종의 가교성기 함유 아크릴 폴리머를 포함해도 된다.In this embodiment, the die-bonding sheet 10 may also contain the above-described crosslinkable group-containing acrylic polymer and thermosetting resin, which undergo a crosslinking reaction with each other. In addition, the die-bonding sheet 10 may also contain a plurality of types of crosslinkable group-containing acrylic polymers that crosslink with each other.

예를 들어, 다이 본드 시트(10)는 카르복시기 함유 아크릴 폴리머, 또는 히드록시기 함유 아크릴 폴리머를 가교성기 함유 아크릴 폴리머로서 포함하고, 또한, 에폭시 수지를 열경화성 수지로서 포함해도 된다. 이에 의해, 가교성기 함유 아크릴 폴리머의 카르복시기 또는 히드록시기와, 에폭시 수지의 에폭시기가 가교 반응하여 다이 본드 시트(10)를 충분히 경화시킬 수 있다.For example, the die bond sheet 10 may contain a carboxyl group-containing acrylic polymer or a hydroxyl group-containing acrylic polymer as a crosslinkable group-containing acrylic polymer, and may also contain an epoxy resin as a thermosetting resin. As a result, the die-bonding sheet 10 can be sufficiently cured by a cross-linking reaction between the carboxy group or hydroxy group of the cross-linkable group-containing acrylic polymer and the epoxy group of the epoxy resin.

다이 본드 시트(10)에 포함될 수 있는, 상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머 이외의 열가소성 수지로서는, 예를 들어, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-폴리아미드 수지나 6,6-폴리아미드 수지 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 가교성 관능기를 분자 중에 포함하지 않는 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다.Examples of thermoplastic resins other than the above crosslinkable group-containing acrylic polymers that can be included in the die bond sheet 10 include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-acrylic acid. Copolymers, ethylene-acrylic acid ester copolymers, polybutadiene resins, polycarbonate resins, thermoplastic polyimide resins, polyamide resins such as 6-polyamide resins and 6,6-polyamide resins, phenoxy resins, crosslinkable An acrylic resin that does not contain a functional group in its molecule, a saturated polyester resin such as PET or PBT, a polyamideimide resin, a fluororesin, and the like are exemplified.

상기 열가소성 수지로서는, 1종만 또는 2종 이상이 채용된다.As said thermoplastic resin, only 1 type or 2 or more types are employ|adopted.

다이 본드 시트(10)의 총 질량에 대한, 상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머의 함유 비율은, 바람직하게는 8질량부 이상 100질량부 이하이고, 보다 바람직하게는 30질량부 이상이며, 더욱 바람직하게는 40질량부 이상이다.The content ratio of the crosslinkable group-containing acrylic polymer to the total mass of the die-bonding sheet 10 is preferably 8 parts by mass or more and 100 parts by mass or less, more preferably 30 parts by mass or more, still more preferably is 40 parts by mass or more.

다이 본드 시트(10)에 있어서, 필러를 제외하는 유기 성분(예를 들어, 상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머, 열경화성 수지, 경화 촉매 등, 실란 커플링제, 염료)의 100질량부에 대하여, 상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머의 함유 비율은, 바람직하게는 15질량부 이상 100질량부 이하이고, 보다 바람직하게는 40질량부 이상 98질량부 이하이고, 더욱 바람직하게는 60질량부 이상이다. 또한, 다이 본드 시트(10)에 있어서의 열경화성 수지의 함유율을 변화시킴으로써, 다이 본드 시트(10)의 탄성이나 점성을 조정할 수 있다.In the die bond sheet 10, with respect to 100 parts by mass of the organic components (eg, the above crosslinkable group-containing acrylic polymer, thermosetting resin, curing catalyst, etc., silane coupling agent, dye) excluding the filler, The content ratio of the crosslinkable group-containing acrylic polymer is preferably 15 parts by mass or more and 100 parts by mass or less, more preferably 40 parts by mass or more and 98 parts by mass or less, still more preferably 60 parts by mass or more. In addition, the elasticity and viscosity of the die-bonding sheet 10 can be adjusted by changing the content of the thermosetting resin in the die-bonding sheet 10 .

한편, 상기 유기 성분의 100질량부에 대하여, 열경화성 수지의 함유 비율은, 40질량부 이하이어도 되고, 10질량부 이하이어도 된다.On the other hand, the content ratio of the thermosetting resin to 100 parts by mass of the organic component may be 40 parts by mass or less, and may be 10 parts by mass or less.

다이 본드 시트(10)는 필러를 함유해도 되고, 함유하지 않아도 된다. 다이 본드 시트(10)에 있어서의 필러의 양을 바꿈으로써, 다이 본드 시트(10)의 탄성 및 점성을 보다 용이하게 조정할 수 있다. 또한, 다이 본드 시트(10)의 도전성, 열전도성, 탄성률 등의 물성을 조정할 수 있다.The die bond sheet 10 may or may not contain a filler. By changing the amount of the filler in the die-bonding sheet 10, the elasticity and viscosity of the die-bonding sheet 10 can be more easily adjusted. In addition, the physical properties of the die bond sheet 10, such as conductivity, thermal conductivity, and modulus of elasticity, can be adjusted.

필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있다. 필러로서는, 무기 필러가 바람직하다.As a filler, an inorganic filler and an organic filler are mentioned. As a filler, an inorganic filler is preferable.

무기 필러로서는, 예를 들어, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화붕소, 결정질 실리카나 비정질 실리카와 같은 실리카 등을 포함하는 필러를 들 수 있다. 또한, 무기 필러의 재질로서는, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 금속 단체나, 합금 등을 들 수 있다. 붕산알루미늄 위스커, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등의 필러이어도 된다. 필러의 형상은, 구상, 침상, 플레이크상 등의 각종 형상이어도 된다. 필러로서는, 상기의 1종만 또는 2종 이상이 채용된다.Examples of the inorganic filler include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, and silica such as crystalline silica and amorphous silica. Fillers containing Moreover, as a material of an inorganic filler, simple metals, alloys, etc., such as aluminum, gold, silver, copper, and nickel, are mentioned. A filler such as aluminum borate whisker, amorphous carbon black, or graphite may be used. The shape of the filler may be various shapes such as spherical shape, acicular shape, and flake shape. As a filler, only said 1 type or 2 or more types is employ|adopted.

다이 본드 시트(10)가 필러를 포함하는 경우, 상기 필러의 함유율은, 다이 본드 시트(10)의 총 질량의 50질량％ 이하이어도 되고, 40질량％ 이하이어도 되고, 30질량％ 이하이어도 된다. 또한, 상기 필러의 함유율은, 예를 들어 5질량％ 이상이어도 된다.When the die-bonding sheet 10 contains a filler, the content of the filler may be 50% by mass or less, 40% by mass or less, or 30% by mass or less of the total mass of the die-bonding sheet 10. Moreover, the content rate of the said filler may be 5 mass % or more, for example.

다이 본드 시트(10)는, 필요에 따라서 다른 성분을 포함해도 된다. 상기 그 밖의 성분으로서는, 예를 들어, 경화 촉매, 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제, 염료 등을 들 수 있다.The die bond sheet 10 may also contain other components as needed. As said other component, a curing catalyst, a flame retardant, a silane coupling agent, an ion trapping agent, dye etc. are mentioned, for example.

난연제로서는, 예를 들어, 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화 에폭시 수지 등을 들 수 있다.As a flame retardant, antimony trioxide, antimony pentoxide, a brominated epoxy resin, etc. are mentioned, for example.

실란 커플링제로서는, 예를 들어, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다.Examples of the silane coupling agent include β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane. can

이온 트랩제로서는, 예를 들어, 히드로탈사이트류, 수산화비스무트, 벤조트리아졸 등을 들 수 있다.Examples of the ion trap agent include hydrotalcites, bismuth hydroxide, and benzotriazole.

상기 다른 첨가제로서는, 1종만 또는 2종 이상이 채용된다.As said other additive, only 1 type or 2 or more types are employ|adopted.

다이 본드 시트(10)는, 탄성 및 점성을 조정하기 쉽다고 하는 점에서, 바람직하게는 상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머, 열경화성 수지 및 필러를 포함한다.The die-bonding sheet 10 preferably contains the above-described crosslinkable group-containing acrylic polymer, thermosetting resin, and filler from the viewpoint of being easy to adjust elasticity and viscosity.

다이 본드 시트(10)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 이러한 두께는, 3㎛ 이상 150㎛ 이하이어도 되고, 5㎛ 이상 100㎛ 이하이어도 된다. 또한, 다이 본드 시트(10)가 적층체인 경우, 상기의 두께는, 적층체의 총 두께이다.The thickness of the die-bonding sheet 10 is not particularly limited, but is, for example, 1 μm or more and 200 μm or less. This thickness may be 3 μm or more and 150 μm or less, or 5 μm or more and 100 μm or less. In the case where the die-bonding sheet 10 is a laminate, the above thickness is the total thickness of the laminate.

다이 본드 시트(10)는, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 단층 구조를 가져도 된다. 본 명세서에 있어서, 단층이란, 동일한 조성물로 형성된 층만을 갖는 것이다. 동일한 조성물로 형성된 층이 복수 적층된 형태도 단층이다.The die-bonding sheet 10 may have a single-layer structure, for example, as shown in FIG. 1 . In this specification, a single layer has only the layer formed with the same composition. A form in which a plurality of layers formed of the same composition are laminated is also a single layer.

한편, 다이 본드 시트(10)는, 예를 들어, 2종 이상의 다른 조성물로 각각 형성된 층이 적층된 다층 구조를 가져도 된다. 다이 본드 시트(10)가 다층 구조를 갖는 경우, 다이 본드 시트(10)를 구성하는 적어도 1층이, 상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머를 포함하고, 필요에 따라서 열경화성 수지를 더 포함하고 있으면 된다.On the other hand, the die-bonding sheet 10 may have a multilayer structure in which layers each formed of two or more types of different compositions are laminated, for example. When the die-bonding sheet 10 has a multilayer structure, at least one layer constituting the die-bonding sheet 10 may contain the crosslinkable group-containing acrylic polymer described above and, if necessary, further contain a thermosetting resin.

계속해서, 본 실시 형태의 다이 본드 시트(10) 및 다이싱 다이 본드 필름(1)의 제조 방법에 대해서 설명한다.Subsequently, the manufacturing method of the die-bonding sheet 10 and the dicing die-bonding film 1 of this embodiment is demonstrated.

<다이싱 다이 본드 필름의 제조 방법><Method for producing dicing die bond film>

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)의 제조 방법은,The manufacturing method of the dicing die-bonding film 1 of this embodiment,

다이 본드 시트(10)를 제작하는 공정과,A process of producing the die bond sheet 10;

다이싱 테이프(20)를 제작하는 공정과,A process of producing the dicing tape 20;

제조된 다이 본드 시트(10)와 다이싱 테이프(20)를 중첩하는 공정을 구비한다.A process of overlapping the manufactured die bond sheet 10 and the dicing tape 20 is provided.

<다이 본드 시트를 제작하는 공정><Process of producing die bond sheet>

다이 본드 시트(10)를 제작하는 공정은,The process of producing the die bond sheet 10,

다이 본드 시트(10)를 형성하기 위한 수지 조성물을 조제하는 수지 조성물 조제 공정과,A resin composition preparation step of preparing a resin composition for forming the die bond sheet 10;

수지 조성물로부터 다이 본드 시트(10)를 형성하는 다이 본드 시트 형성 공정을 갖는다.It has a die-bonding sheet forming step of forming the die-bonding sheet 10 from the resin composition.

수지 조성물 조제 공정에서는, 예를 들어, 상기의 가교성기 함유 아크릴 폴리머와, 에폭시 수지, 에폭시 수지의 경화 촉매, 페놀 수지 또는 용매의 어느 것을 혼합하여, 각 수지를 용매에 용해시킴으로써 수지 조성물을 조제한다. 용매의 양을 변화시킴으로써, 조성물의 점도를 조정할 수 있다. 또한, 이들의 수지로서는, 시판되고 있는 제품을 사용할 수 있다.In the resin composition preparation step, a resin composition is prepared by, for example, mixing the above crosslinkable group-containing acrylic polymer with an epoxy resin, a curing catalyst for an epoxy resin, a phenol resin, or a solvent, and dissolving each resin in a solvent . By varying the amount of solvent, the viscosity of the composition can be adjusted. In addition, as these resins, commercially available products can be used.

다이 본드 시트 형성 공정에서는, 예를 들어, 상기와 같이 조제한 수지 조성물을, 박리 시트에 도포한다. 도포 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등의 일반적인 도포 방법이 채용된다. 다음에, 필요에 따라서, 탈용매 처리나 경화 처리 등에 의해, 도포한 조성물을 고화시켜서, 다이 본드 시트(10)를 형성한다.In the die-bonding sheet formation step, the resin composition prepared as described above is applied to a release sheet, for example. It does not specifically limit as a coating method, For example, general coating methods, such as roll coating, screen coating, and gravure coating, are employ|adopted. Next, if necessary, the applied composition is solidified by desolvation treatment, curing treatment, or the like, and the die-bonding sheet 10 is formed.

<다이싱 테이프를 제작하는 공정><Process of manufacturing dicing tape>

다이싱 테이프를 제작하는 공정은,The process of producing a dicing tape,

아크릴 공중합체를 합성하는 합성 공정과,A synthesis process for synthesizing an acrylic copolymer;

상술한 아크릴 공중합체와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제와, 용매와, 목적에 따라서 적절히 추가하는 그 밖의 성분을 포함하는 점착제 조성물로부터 용매를 휘발시켜서 점착제층(22)을 제작하는 점착제층 제작 공정과,A pressure-sensitive adhesive layer manufacturing step of preparing the pressure-sensitive adhesive layer 22 by evaporating the solvent from the pressure-sensitive adhesive composition containing the above-described acrylic copolymer, an isocyanate compound, a polymerization initiator, a solvent, and other components appropriately added according to the purpose; ,

기재층(21)을 제작하는 기재층 제작 공정과,A substrate layer manufacturing process for producing the substrate layer 21;

점착제층(22)과 기재층(21)을 접합함으로써, 기재층(21)과 점착제층(22)을 적층시키는 적층 공정을 구비한다.A lamination step of laminating the base material layer 21 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 is provided by bonding the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the base layer 21 together.

합성 공정에서는, 예를 들어, 상술한 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와, 히드록시기 함유 (메트)아크릴 모노머를 라디칼 중합시킴으로써, 아크릴 공중합체 중간체를 합성한다.In the synthetic step, for example, an acrylic copolymer intermediate is synthesized by radically polymerizing the above-described aliphatic alkyl (meth)acrylate monomer and a hydroxyl group-containing (meth)acrylic monomer.

라디칼 중합은, 일반적인 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들어, 상기의 각 모노머를 용매에 용해시켜서 가열하면서 교반하고, 중합 개시제를 첨가함으로써, 아크릴 공중합체 중간체를 합성할 수 있다. 아크릴 공중합체의 분자량을 조정하기 위해, 연쇄 이동제의 존재 하에서 중합을 행해도 된다.Radical polymerization can be performed by a general method. For example, an acrylic copolymer intermediate can be synthesized by dissolving each of the above monomers in a solvent, stirring while heating, and adding a polymerization initiator. In order to adjust the molecular weight of the acrylic copolymer, polymerization may be performed in the presence of a chain transfer agent.

다음에, 아크릴 공중합체 중간체에 포함되는, 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위의 일부 히드록시기와, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를, 우레탄화 반응에 의해 결합시킨다. 이에 의해, 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위의 일부가, 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 함유하는 중합성 (메트)아크릴레이트 단위가 된다.Next, a partial hydroxyl group of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit contained in the acrylic copolymer intermediate and the isocyanate group of the isocyanate group-containing polymerizable monomer are bonded by a urethanization reaction. As a result, a part of the hydroxy group-containing (meth)acrylate unit becomes a polymerizable (meth)acrylate unit containing a radically polymerizable carbon-carbon double bond.

우레탄화 반응은, 일반적인 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들어, 용매 및 우레탄화 촉매의 존재 하에서, 가열하면서 아크릴 공중합체 중간체와 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머를 교반한다. 이에 의해, 아크릴 공중합체 중간체의 히드록시기 일부에, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를 우레탄 결합시킬 수 있다.The urethanization reaction can be performed by a general method. For example, the acrylic copolymer intermediate and the isocyanate group-containing polymerizable monomer are stirred while heating in the presence of a solvent and a urethanization catalyst. As a result, the isocyanate group of the isocyanate group-containing polymerizable monomer can be urethane-bonded to a part of the hydroxy group of the acrylic copolymer intermediate.

점착제층 제작 공정에서는, 예를 들어, 아크릴 공중합체와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제를 용매에 용해시켜서, 점착제 조성물을 조제한다. 용매의 양을 변화시킴으로써, 조성물의 점도를 조정할 수 있다. 다음에, 점착제 조성물을 박리 시트에 도포한다. 도포 방법으로서는, 예를 들어, 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등의 일반적인 도포 방법이 채용된다. 도포한 조성물에, 탈용매 처리나 고화 처리 등을 실시함으로써, 도포한 점착제 조성물을 고화시켜서, 점착제층(22)을 제작한다.In the pressure-sensitive adhesive layer preparation step, for example, an acrylic copolymer, an isocyanate compound, and a polymerization initiator are dissolved in a solvent to prepare an adhesive composition. By varying the amount of solvent, the viscosity of the composition can be adjusted. Next, the pressure-sensitive adhesive composition is applied to the release sheet. As a coating method, general coating methods, such as roll coating, screen coating, and gravure coating, are employ|adopted, for example. The applied composition is subjected to desolvation treatment or solidification treatment to solidify the applied pressure-sensitive adhesive composition to form the pressure-sensitive adhesive layer 22 .

기재층 제작 공정에서는, 일반적인 방법에 의해 제막하여 기재층을 제작할 수 있다. 제막하는 방법으로서는, 예를 들어, 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 드라이 라미네이트법 등을 들 수 있다. 공압출 성형법을 채용해도 된다. 또한, 기재층(21)으로서, 시판되고 있는 필름 등을 사용해도 된다.In the substrate layer preparation step, a substrate layer can be produced by forming a film by a general method. Examples of the film forming method include a calender film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, and a dry lamination method. A coextrusion molding method may be employed. In addition, as the substrate layer 21, you may use a commercially available film or the like.

적층 공정에서는, 박리 시트에 겹친 상태의 점착제층(22)과 기재층(21)을 겹쳐서 적층시킨다. 또한, 박리 시트는, 사용 전까지 점착제층(22)에 겹친 상태이어도 된다. In the lamination process, the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the substrate layer 21 in a state of being overlapped on a release sheet are overlapped and laminated. In addition, the peeling sheet may be in a state overlapped with the pressure-sensitive adhesive layer 22 before use.

또한, 가교제와 아크릴 공중합체의 반응을 촉진하기 위해, 또한, 가교제와 기재층(21)의 표면 부분의 반응을 촉진하기 위해, 적층 공정 후에, 50℃ 환경 하에서, 48시간의 에이징 처리 공정을 실시해도 된다.In addition, in order to promote the reaction between the crosslinking agent and the acrylic copolymer, and also to promote the reaction between the crosslinking agent and the surface portion of the substrate layer 21, an aging treatment process for 48 hours is performed in a 50°C environment after the lamination process. can also

이들 공정에 의해, 다이싱 테이프(20)를 제조할 수 있다.The dicing tape 20 can be manufactured by these processes.

<다이 본드 시트(10)와 다이싱 테이프(20)를 중첩하는 공정><Process of overlapping die bond sheet 10 and dicing tape 20>

다이 본드 시트(10)와 다이싱 테이프(20)를 중첩하는 공정에서는, 상기와 같이 제조한 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 다이 본드 시트(10)를 첩부한다.In the step of overlapping the die-bonding sheet 10 and the dicing tape 20, the die-bonding sheet 10 is affixed to the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 manufactured as described above.

이러한 첩부에서는, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22) 및 다이 본드 시트(10)로부터 각각 박리 시트를 박리하고, 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22)이 직접 접촉하도록, 양자를 접합한다. 예를 들어, 압착함으로써 접합할 수 있다. 접합할 때의 온도는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 30℃ 이상 50℃ 이하이고, 바람직하게는 35℃ 이상 45℃ 이하이다. 접합할 때의 선압은, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.1kgf/㎝ 이상 20kgf/㎝ 이하이고, 보다 바람직하게는 1kgf/㎝ 이상 10kgf/㎝ 이하이다.In such sticking, the release sheet is peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 and the die-bonding sheet 10, respectively, and the die-bonding sheet 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 are in direct contact. join For example, it can join by crimping. The temperature at the time of bonding is not particularly limited, and is, for example, 30°C or more and 50°C or less, and preferably 35°C or more and 45°C or less. The linear pressure at the time of bonding is not particularly limited, but is preferably 0.1 kgf/cm or more and 20 kgf/cm or less, and more preferably 1 kgf/cm or more and 10 kgf/cm or less.

상술한 공정을 거쳐, 상기와 같이 제조된 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 예를 들어, 반도체 장치(반도체 집적 회로)를 제조하기 위한 보조 용구로서 사용된다. 이하, 반도체 장치의 제조 방법(다이싱 다이 본드 필름의 사용 방법)에 대해서 설명한다.Through the above steps, the dicing die bond film 1 manufactured as described above is used as an auxiliary tool for manufacturing a semiconductor device (semiconductor integrated circuit), for example. Hereinafter, a method of manufacturing a semiconductor device (method of using a dicing die-bonding film) will be described.

<반도체 장치의 제조 방법(반도체 장치를 제조할 때의 다이싱 다이 본드 필름의 사용 방법)><Method of manufacturing semiconductor device (method of using dicing die bonding film when manufacturing semiconductor device)>

반도체 장치의 제조 방법에서는, 일반적으로, 회로면이 형성된 반도체 웨이퍼로부터 칩을 잘라내서 조립을 행한다. 이때, 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름이 제조 보조 용구로서 사용된다.BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] In a method of manufacturing a semiconductor device, chips are generally cut out from a semiconductor wafer on which a circuit surface is formed and assembled. At this time, the dicing die bonding film of this embodiment is used as a manufacturing auxiliary tool.

본 실시 형태의 반도체 장치의 제조 방법은,The manufacturing method of the semiconductor device of the present embodiment,

회로면이 형성된 웨이퍼(반도체 웨이퍼)를 칩으로 할단하는 할단 공정과,A cutting step of cutting a wafer (semiconductor wafer) on which a circuit surface is formed into chips;

상술한 다이싱 다이 본드 필름의 상기 점착제층(점착 테이프)에 첩부된 상기 다이 본드 시트를, 상기 칩과 함께 상기 점착제층(점착 테이프)으로부터 박리하는 픽업 공정을 구비한다.A pick-up step of peeling the die-bonding sheet attached to the pressure-sensitive adhesive layer (adhesive tape) of the above-described dicing die-bonding film from the pressure-sensitive adhesive layer (adhesive tape) together with the chip is provided.

본 실시 형태의 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 할단 공정은, 예를 들어, 백그라인드 테이프를 첩부한 반도체 웨이퍼의 내부에 레이저광에 의해 취약 부분을 형성하고, 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(다이)에 가공하는 준비를 행하는 스텔스 다이싱 공정과, 백그라인드 테이프가 첩부된 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 하는 백그라인드 공정과, 두께가 얇아진 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이 본드 시트(10)에 첩부하여, 다이싱 테이프(20)에 반도체 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 다이싱 테이프(20)를 연장시킴으로써 반도체 웨이퍼를 할단하여 칩(다이)을 제작하고, 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정을 갖는다.In the semiconductor device manufacturing method of the present embodiment, in the cutting step, for example, a weak portion is formed inside a semiconductor wafer to which a back grind tape is attached by means of a laser beam, and the semiconductor wafer is cut into chips ( A stealth dicing process for preparing a die), a back-grind process for grinding a semiconductor wafer to which a back-grind tape is attached to thin the thickness, and one surface of the thinned semiconductor wafer (for example, a circuit surface A mounting step of attaching the opposite side) to the die bond sheet 10 and fixing the semiconductor wafer to the dicing tape 20, and extending the dicing tape 20 to cut the semiconductor wafer and cut the chip (die) fabrication, and has an expand process to widen the gap between chips.

픽업 공정에서는, 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22) 사이를 박리하여 다이 본드 시트(10)가 첩부된 상태에서 반도체 칩(다이)을 꺼낸다.In the pick-up process, the semiconductor chip (die) is taken out in a state where the die-bonding sheet 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 are peeled off and the die-bonding sheet 10 is attached.

본 실시 형태의 반도체 장치의 제조 방법은, 또한, 반도체 칩(다이)에 첩부된 다이 본드 시트(10)를 피착체에 접착시키는 다이 본드 공정과, 피착체에 접착한 다이 본드 시트(10)를 경화시키는 큐어링 공정과, 반도체 칩(다이)에 있어서의 전자 회로의 전극과 피착체를 와이어에 의해 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정과, 피착체 상의 반도체 칩(다이) 및 와이어를 열경화성 수지에 의해 밀봉하는 밀봉 공정을 갖는다.The semiconductor device manufacturing method of the present embodiment further includes a die bonding step of adhering the die bonding sheet 10 attached to a semiconductor chip (die) to an adherend, and the die bonding sheet 10 adhered to the adherend. A curing step of curing, a wire bonding step of electrically connecting an electrode of an electronic circuit in a semiconductor chip (die) and an adherend with a wire, and a semiconductor chip (die) and wire on the adherend by using a thermosetting resin. It has a sealing process to seal.

스텔스 다이싱 공정은, 소위 SDBG(Stealth Dicing Before Grinding) 프로세스에 있어서의 공정이다. 스텔스 다이싱 공정에서는, 도 2a 내지 도 2c에 도시한 바와 같이, 회로면이 형성된 웨이퍼를 칩(다이)으로 할단하기 위한 취약 부분을 반도체 웨이퍼 W의 내부에 형성한다. 상세하게는, 반도체 웨이퍼 W의 회로면에 백그라인드 테이프 G를 첩부한다(도 2a 참조). 백그라인드 테이프 G를 첩부한 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께가 될 때까지 연삭 패드 K에 의한 연삭 가공(프레 백그라인드 가공)을 실시한다(도 2b 참조). 두께가 얇아진 반도체 웨이퍼 W에 레이저광을 쏘임으로써 반도체 웨이퍼 W의 내부에 취약 부분을 형성한다(도 2c 참조).The stealth dicing process is a process in a so-called SDBG (Stealth Dicing Before Grinding) process. In the stealth dicing process, as shown in FIGS. 2A to 2C , a weak portion for cutting the wafer on which circuit surfaces are formed into chips (dies) is formed inside the semiconductor wafer W. In detail, the back grind tape G is affixed to the circuit surface of the semiconductor wafer W (refer to FIG. 2A). With the back grinding tape G attached, grinding processing (pre-back grinding processing) is performed by the grinding pad K until the semiconductor wafer W has a predetermined thickness (see FIG. 2B ). A weakened portion is formed inside the semiconductor wafer W by radiating a laser beam to the semiconductor wafer W having a reduced thickness (see FIG. 2C).

스텔스 다이싱 공정을 대신하여, 하프컷 공정을 실시해도 된다. 하프컷 공정은, 소위 DBG(Dicing Before Grinding) 프로세스에 있어서의 공정이다.A half-cutting process may be performed instead of the stealth dicing process. The half-cut process is a process in a so-called DBG (Dicing Before Grinding) process.

하프컷 공정에서는, 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(다이)에 가공하기 위해 반도체 웨이퍼에 홈을 형성하고 나서 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 한다.In the half-cutting process, in order to process the semiconductor wafer into chips (dies) by cutting, grooves are formed in the semiconductor wafer, and then the semiconductor wafer is ground to make it thinner.

구체적으로는, 하프컷 공정에서는, 회로면이 형성된 웨이퍼를 칩(다이)으로 할단하기 위한 하프컷 가공을 실시한다. 보다 구체적으로는, 반도체 웨이퍼의 회로면과는 반대측의 면에, 웨이퍼 가공용 테이프를 첩부한다. 또한, 웨이퍼 가공용 테이프에 다이싱 링을 설치한다. 웨이퍼 가공용 테이프를 첩부한 상태에서, 분할용의 홈을 형성한다. 홈을 형성한 면에 백그라인드 테이프를 첩부하는 한편, 처음에 첩부한 웨이퍼 가공용 테이프를 박리한다.Specifically, in the half-cutting process, a half-cutting process is performed to cut the wafer on which circuit surfaces are formed into chips (dies). More specifically, the tape for a wafer process is affixed to the surface on the opposite side to the circuit surface of a semiconductor wafer. Further, a dicing ring is installed on the tape for wafer processing. In the state where the tape for wafer processing is attached, grooves for division are formed. While a back grind tape is affixed on the surface in which the groove was formed, the tape for a wafer process affixed first is peeled off.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름은, 상기한 바와 같이, 반도체 웨이퍼를 할단하여 반도체 칩을 제조하기 위한 SDBG(Stealth Dicing Before Grinding) 프로세스 또는 DBG(Dicing Before Grinding) 프로세스에서 사용되는 것이 바람직하다.As described above, the dicing die bond film of the present embodiment is preferably used in a Stealth Dicing Before Grinding (SDBG) process or a Dicing Before Grinding (DBG) process for producing semiconductor chips by cutting a semiconductor wafer.

백그라인드 공정에서는, 도 2d에 도시한 바와 같이, 백그라인드 테이프 G를 첩부한 상태의 반도체 웨이퍼 W에 대하여 또한 연삭 가공을 실시하고, 이후의 할단 처리에 의해 제작되는 칩(다이)의 두께가 될 때까지 반도체 웨이퍼 W의 두께를 얇게 한다. 예를 들어, 상기 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼 W가 개별화되지 않도록 소정의 두께가 될 때까지 연삭 가공을 실시해도 된다. 이렇게 연삭 가공을 실시하면, 이후의 익스팬드 공정(특히 저온 익스팬드 공정)에 의해, 반도체 웨이퍼 W를 칩으로 할단함과 동시에 다이 본드 시트(10)도 할단하게 된다. 한편, 상기 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼 W가 개별화될 때까지 연삭 가공을 실시해도 된다. 이렇게 연삭 가공을 실시하면, 이후의 익스팬드 공정(특히 저온 익스팬드 공정)에 있어서, 예를 들어, 인접하는 칩끼리의 간격을 넓힘과 동시에 다이 본드 시트(10)를 할단하게 된다.In the back grinding process, as shown in FIG. 2D, grinding processing is further performed on the semiconductor wafer W with the back grinding tape G attached, and the thickness of the chip (die) produced by the subsequent cutting process becomes The thickness of the semiconductor wafer W is thinned until For example, a grinding process may be performed until the semiconductor wafer W subjected to the half-cutting process becomes a predetermined thickness so as not to be individualized. When the grinding process is performed in this way, the semiconductor wafer W is cut into chips and the die-bonding sheet 10 is also cut by the subsequent expand step (particularly, the low-temperature expand step). On the other hand, you may perform grinding processing until the said half-cut processed semiconductor wafer W is individualized. When the grinding process is performed in this way, the die-bonding sheet 10 is cut at the same time as the space between adjacent chips is widened, for example, in the subsequent expand process (particularly the low-temperature expand process).

마운트 공정에서는, 도 3a 내지 도 3b에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W를 다이싱 테이프(20)에 고정한다. 상세하게는, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 다이싱 링 R을 설치하면서, 노출된 다이 본드 시트(10)의 면에, 상기와 같은 절삭 가공에 의해 두께가 얇아진 반도체 웨이퍼 W를 첩부한다(도 3a 참조). 계속해서, 반도체 웨이퍼 W로부터 백그라인드 테이프 G를 박리한다(도 3b 참조).In the mounting process, the semiconductor wafer W is fixed to the dicing tape 20 as shown in FIGS. 3A to 3B . Specifically, while the dicing ring R is provided on the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20, the exposed surface of the die-bonding sheet 10 is cut into a thin semiconductor wafer W by the above cutting process. is attached (see Fig. 3a). Then, the back grind tape G is peeled off from the semiconductor wafer W (refer to FIG. 3B).

익스팬드 공정 전에, 예를 들어 레이저광의 조사에 의해 다이 본드 시트(10)를 할단해도 된다. 구체적으로는, 상기의 절삭 가공에 의해 반도체 웨이퍼 W를 개별화하는 경우, 반도체 웨이퍼가 개별화되어 이루어지는 칩에 겹치면서 아직 할단되어 있지 않은 다이 본드 시트(10)를 레이저광의 조사에 의해 절단해도 된다. 그 후, 익스팬드 공정에 의해, 인접하는 칩끼리의 간격을 넓혀도 된다.Before the expanding process, the die-bonding sheet 10 may be cut by, for example, irradiation with a laser beam. Specifically, in the case of individualizing the semiconductor wafer W by the above-described cutting process, the die-bonding sheet 10 that has not yet been cut may be cut by irradiation of a laser beam while overlapping the chip formed by the individualization of the semiconductor wafer. Thereafter, the space between adjacent chips may be widened by an expand process.

익스팬드 공정에서는, 도 4a 내지 도 4c에 도시한 바와 같이, 할단에 의해 제작된 반도체 칩(다이) X끼리의 간격을 넓힌다. 상세하게는, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 다이싱 링 R을 설치한 후, 익스팬드 장치의 보유 지지구 H에 고정한다(도 4a 참조). 익스팬드 장치가 구비하는 밀어올림 부재 U를, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 하측으로부터 밀어올림으로써, 다이싱 다이 본드 필름(1)을 면 방향으로 확장하도록 확대한다(도 4b 참조). 이에 의해, 특정한 온도 조건에 있어서 반도체 웨이퍼 W를 할단한다. 상기 온도 조건은, 예를 들어 -20 내지 0℃이며, 바람직하게는 -15 내지 0℃, 보다 바람직하게는 -10 내지 -5℃이다. 밀어올림 부재 U를 하강시킴으로써 익스팬드 상태를 해제한다(도 4c 참조 여기까지 저온 익스팬드 공정).In the expand step, as shown in Figs. 4A to 4C, the gap between semiconductor chips (dies) X produced by cutting is widened. Specifically, after attaching the dicing ring R to the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20, it is fixed to the holder H of the expander (see Fig. 4A). The dicing die-bonding film 1 is expanded so as to expand in the surface direction by pushing up the pushing member U provided in the expander from the lower side of the dicing die-bonding film 1 (see FIG. 4B ). In this way, the semiconductor wafer W is cut under specific temperature conditions. The temperature conditions are, for example, -20 to 0°C, preferably -15 to 0°C, and more preferably -10 to -5°C. By lowering the lifting member U, the expanded state is released (refer to FIG. 4C up to this low-temperature expand process).

또한, 익스팬드 공정에서는, 도 5a 내지 도 5b에 도시한 바와 같이, 더 높은 온도 조건 하(예를 들어 10℃ 내지 25℃)에서, 면적을 확장하도록 다이싱 테이프(20)를 연장시킨다. 이에 의해, 할단 후에 인접하는 반도체 칩 X를 필름면의 면 방향으로 분리하여, 또한 카프(간격)를 확장한다(상온 익스팬드 공정).Further, in the expand process, as shown in Figs. 5A and 5B, the dicing tape 20 is extended to expand the area under a higher temperature condition (for example, 10 °C to 25 °C). In this way, after cutting, adjacent semiconductor chips X are separated in the plane direction of the film plane, and the caph (interval) is further expanded (room temperature expand step).

또한, 상술한 DBG 프로세스를 실시하는 경우, 익스팬드 공정에 있어서, 저온에서 다이 본드 시트를 할단하는 방식을 채용해도 되고, 또는, 레이저로 다이 본드 시트를 커트하는 방식을 채용해도 된다. 레이저로 다이 본드 시트를 커트하는 경우에는, 다이 본드 시트를 커트한 후에 더 저온에서 익스팬드 공정을 행하는 경우가 있다.In the case of carrying out the DBG process described above, in the expand step, a method of cutting the die bond sheet at a low temperature may be employed, or a method of cutting the die bond sheet with a laser may be employed. When cutting a die-bonding sheet with a laser, after cutting a die-bonding sheet, an expand process may be performed at a lower temperature.

픽업 공정 전에, 예를 들어 기재층(21)에 겹친 점착제층(22)에, 기재층(21)측으로부터 자외선을 조사함으로써, 점착제층(22)에 경화 처리를 실시한다(경화 처리 공정).Before the pick-up step, the pressure-sensitive adhesive layer 22 is subjected to a hardening treatment, for example, by irradiating ultraviolet rays to the pressure-sensitive adhesive layer 22 overlapping the base material layer 21 from the base material layer 21 side (curing treatment step).

픽업 공정에서는, 도 6에 도시한 바와 같이, 다이 본드 시트(10)가 첩부된 상태의 반도체 칩 X를 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)으로부터 박리한다. 상세하게는, 핀 부재 P를 상승시켜서, 픽업 대상의 반도체 칩 X를, 다이싱 테이프(20)를 통해 밀어올린다. 밀어올려진 반도체 칩 X를 흡착 지그 J에 의해 보유 지지한다.In the pick-up process, as shown in FIG. 6 , the semiconductor chip X in a state where the die-bonding sheet 10 is attached is peeled from the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 . In detail, the pin member P is raised, and the semiconductor chip X to be picked up is pushed up through the dicing tape 20 . The pushed-up semiconductor chip X is held by the suction jig J.

상술한 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름을 사용함으로써, 픽업 공정에 있어서, 양호한 픽업성을 발휘할 수 있다.By using the dicing die-bonding film of the present embodiment described above, in the pick-up process, good pick-up properties can be exhibited.

다이 본드 공정에서는, 다이 본드 시트(10)가 첩부된 상태의 반도체 칩 X를 피착체 Z에 접착시킨다. 다이 본드 공정에서는, 예를 들어 도 7에 도시한 바와 같이, 다이 본드 시트(10)가 첩부된 상태의 반도체 칩 X를 복수회 적층해 가는 경우가 있다. 이와 같이, 칩 매립형의 반도체 장치(FOD [Film on Die]형 반도체 장치)를 제조할 때, 반도체 칩을 매립하기 위해 다이 본드 시트(10)가 사용되어도 된다.In the die bonding process, the semiconductor chip X with the die bonding sheet 10 attached thereto is bonded to the adherend Z. In the die bonding process, as shown in FIG. 7 , for example, the semiconductor chip X in a state where the die bonding sheet 10 is attached may be laminated a plurality of times. In this way, when manufacturing a chip-embedded semiconductor device (FOD [Film on Die] type semiconductor device), the die-bonding sheet 10 may be used to embed the semiconductor chip.

큐어링 공정에서는, 다이 본드 시트(10)에 포함되는 상술한 가교성기 함유 아크릴 폴리머에 있어서의 가교성기(예를 들어 에폭시기)의 반응 활성을 높여서 다이 본드 시트(10)의 경화를 진행시키기 위해, 예를 들어 100℃ 이상 180℃ 이하의 온도로 가열 처리를 행한다.In the curing step, in order to increase the reaction activity of the crosslinkable group (for example, epoxy group) in the above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer included in the die bond sheet 10, to advance the curing of the die bond sheet 10, For example, heat treatment is performed at a temperature of 100°C or more and 180°C or less.

와이어 본딩 공정에서는, 도 8에 도시한 바와 같이, 반도체 칩 X(다이)와 피착체 Z를 가열하면서, 와이어 L로 접속한다. 따라서, 다이 본드 시트(10)에 포함되는 상술한 가교성기 함유 아크릴 폴리머에 있어서의 가교성기가, 가열에 의해 다시 반응 활성을 갖게 되어, 다이 본드 시트(10)의 경화 반응이 진행될 수 있다.In the wire bonding process, as shown in FIG. 8 , the semiconductor chip X (die) and the adherend Z are connected with a wire L while being heated. Therefore, the crosslinkable group in the above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer included in the die bond sheet 10 becomes reactive again by heating, and the curing reaction of the die bond sheet 10 can proceed.

또한, 와이어 본딩 공정에서는, 다이 본드 시트(10)에 대하여 두께 방향으로 압축력을 가하는 경우가 있다.In the wire bonding step, a compressive force may be applied to the die-bonding sheet 10 in the thickness direction in some cases.

밀봉 공정에서는, 도 9에 도시한 바와 같이, 에폭시 수지 등의 열경화성 수지 M에 의해 반도체 칩 X(다이)와 다이 본드 시트(10)를 밀봉한다. 밀봉 공정에서는, 열경화성 수지 M의 경화 반응을 진행시키기 위해, 예를 들어 100℃ 이상 180℃ 이하의 온도로 가열 처리를 행한다.In the sealing step, as shown in FIG. 9 , the semiconductor chip X (die) and the die bonding sheet 10 are sealed with a thermosetting resin M such as an epoxy resin. In the sealing step, in order to advance the curing reaction of the thermosetting resin M, heat treatment is performed at a temperature of, for example, 100°C or more and 180°C or less.

또한, 근년의 반도체 산업에 있어서는, 집적화 기술이 새로운 진전에 수반하여, 보다 얇은 반도체 칩(예를 들어 20㎛ 이상 50㎛ 이하의 두께) 및 보다 얇은 다이 본드 시트(예를 들어 1㎛ 이상 40㎛ 이하, 바람직하게는 7㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이하의 두께)가 요망되고 있다.In addition, in the semiconductor industry in recent years, with the new development of integration technology, thinner semiconductor chips (for example, 20 μm or more and 50 μm or less) and thinner die-bonding sheets (for example, 1 μm or more and 40 μm or less) or less, preferably 7 μm or less, more preferably 5 μm or less) It is being desired.

이러한 얇은 반도체 칩의 한쪽의 표면에는, 전자 회로가 형성되어 있다. 얇은 반도체 칩의 한쪽 면에 전자 회로가 형성되어 있으면, 반도체 칩이 내부 응력에 견디지 못하고 약간 변형(휨 등)되고, 이 변형에 수반하여 다이 본드 시트에도 휨이 발생할 수 있다(도 10 참조).An electronic circuit is formed on one surface of such a thin semiconductor chip. If an electronic circuit is formed on one side of a thin semiconductor chip, the semiconductor chip cannot withstand the internal stress and is slightly deformed (warp, etc.), and with this deformation, warpage may also occur on the die bond sheet (see FIG. 10).

상술한 익스팬드 공정에서는, 특히 상온 익스팬드 공정에 있어서, 다이싱 테이프(20)를 면 방향으로 강한 힘으로 연장시키므로, 칩에 휨이 있으면, 다이싱 테이프(20)와 다이 본드 시트(10)가 박리되어, 소위 칩 부상 현상이 발생한다. 이 칩 부상을 억제하기 위해, 익스팬드 공정에서는, 다이싱 테이프(20)와 다이 본드 시트(10) 사이에 비교적 높은 점착력이 필요해진다.In the above-mentioned expand process, especially in the normal temperature expand process, the dicing tape 20 is extended with strong force in the plane direction, so if there is warpage in the chip, the dicing tape 20 and the die-bonding sheet 10 is peeled off, resulting in a so-called chip floating phenomenon. In order to suppress this chip floating, a relatively high adhesive force is required between the dicing tape 20 and the die-bonding sheet 10 in the expanding process.

한편, 픽업 공정에서는, 다이싱 테이프(20)로부터 다이 본드 시트(10)를 용이하게 박리할 수 있는 것(양호한 픽업성)이 요구된다. 이 상반되는 성능을 발휘시키기 위해, 예를 들어, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)이 활성 에너지선의 조사에 의해 경화될 수 있도록 다이싱 테이프(20)를 설계한다. 구체적으로는, 익스팬드 공정에서의 할단을 위한 저온 익스팬드 공정과, 칩-칩간 거리를 확보하기 위한 상온 익스팬드 공정은, 활성 에너지선을 조사하기 전에 있어서 점착제층(22)이 비교적 높은 점착력을 갖는 상태에서 실시한다. 한편, 픽업 공정 전에 점착제층(22)에 활성 에너지선을 조사하여, 점착제층(22)의 점착력을 낮춘다.On the other hand, in the pick-up step, it is required that the die-bonding sheet 10 can be easily peeled off from the dicing tape 20 (good pick-up properties). In order to exhibit this conflicting performance, the dicing tape 20 is designed so that the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 can be cured by irradiation with active energy rays, for example. Specifically, in the low-temperature expand process for cutting in the expand process and the room-temperature expand process for securing chip-to-chip distance, the pressure-sensitive adhesive layer 22 exhibits relatively high adhesive strength before irradiation with active energy rays. carried out in a state of On the other hand, by irradiating active energy rays to the pressure-sensitive adhesive layer 22 before the pick-up process, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 22 is lowered.

본 실시 형태에서는, 점착제층(22)에 포함되는 상기의 아크릴 공중합체가 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위로서 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 소정의 몰％로 포함하고 있다. 이와 같이, 경화 전의 점착제층(22)의 극성이 적절하게 높아지도록 점착제층(22)을 설계하고 있다. 이에 의해, 경화 전의 점착제층(22)과, 다이 본드 시트(10)의 점착성을 적절하게 높일 수 있고, 경화 전의 점착제층(22)과 다이 본드 시트(10)를 비교적 강하게 점착할 수 있다. 또한, 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위가 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 경우, 경화 후의 점착제층(22)으로부터 다이 본드 시트(10)를 보다 용이하게 박리할 수 있어, 보다 양호한 픽업성이 발휘된다.In this embodiment, the acrylic copolymer contained in the pressure-sensitive adhesive layer 22 contains a hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit at a predetermined mol% as a crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit. In this way, the pressure-sensitive adhesive layer 22 is designed so that the polarity of the pressure-sensitive adhesive layer 22 before curing becomes appropriately high. In this way, the adhesiveness between the pressure-sensitive adhesive layer 22 before curing and the die-bonding sheet 10 can be appropriately increased, and the pressure-sensitive adhesive layer 22 before hardening and the die-bonding sheet 10 can be relatively strongly adhered. In addition, when the crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit has a radically polymerizable carbon-carbon double bond, the die-bonding sheet 10 can be more easily peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer 22 after curing, resulting in better pick-up. gender is manifested.

또한, 본 실시 형태에서는, 점착제층(22)에 포함되는 상기의 아크릴 공중합체가 지방족 아크릴(메트)아크릴레이트 단위를 소정의 몰％로 포함하고 있다. 이에 의해, 활성 에너지선에 의해 경화한 후의 점착제층(22)의 극성이 낮아지도록 점착제층(22)을 설계하고 있다. 이에 의해, 활성 에너지선을 조사한 후에 있어서의 점착제층(22)과, 다이 본드 시트(10)의 점착성을 약화시킬 수 있고, 경화 후의 점착제층(22)은 다이 본드 시트(10)와의 박리성이 높아진다. 이와 같이, 본 실시 형태에 있어서, 활성 에너지선 조사에 의한 경화 후의 점착제층(22)은 비교적 극성이 낮아지므로, 비교적 극성이 높은 다이 본드 시트(10)와의 사이에 있어서의 계면 상호 작용이 작다. 따라서, 경화 후의 점착제층(22)으로부터 다이 본드 시트(10)가 용이하게 박리된다.In this embodiment, the acrylic copolymer contained in the pressure-sensitive adhesive layer 22 contains an aliphatic acrylic (meth)acrylate unit at a predetermined mol%. As a result, the pressure-sensitive adhesive layer 22 is designed so that the polarity of the pressure-sensitive adhesive layer 22 after curing with active energy rays becomes low. As a result, the adhesiveness between the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the die-bonding sheet 10 after being irradiated with active energy rays can be weakened, and the peelability of the pressure-sensitive adhesive layer 22 from the die-bonding sheet 10 after curing is reduced. It rises. Thus, in this embodiment, since the polarity of the pressure-sensitive adhesive layer 22 after curing by active energy ray irradiation is relatively low, the interfacial interaction between the die-bonding sheet 10 and the relatively high polarity is small. Therefore, the die-bonding sheet 10 is easily peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer 22 after curing.

본 실시 형태의 점착 테이프, 다이싱 다이 본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법은 상기 예시한 바와 같지만, 본 발명은, 상기 예시된 다이싱 다이 본드 필름 등에 한정되는 것은 아니다.Although the manufacturing method of the adhesive tape, the dicing die-bonding film, and the semiconductor device of this embodiment is as exemplified above, this invention is not limited to the dicing die-bonding film etc. which were illustrated above.

즉, 일반적인 다이싱 다이 본드 필름 또는 반도체 장치의 제조 방법 등에 있어서 사용되는 다양한 형태가, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 채용될 수 있다.That is, various forms used in general dicing die-bonding films or semiconductor device manufacturing methods, etc., can be employed within a range that does not impair the effects of the present invention.

본 명세서에 의해 개시되는 사항은, 이하의 것을 포함한다.Matters disclosed by this specification include the following.

(1)(One)

점착제층과, 해당 점착제층에 겹쳐진 다이 본드 시트를 구비하는 다이싱 다이 본드 필름의 상기 점착제층에 사용되는 점착 테이프이며,A pressure-sensitive adhesive tape used for the pressure-sensitive adhesive layer of a dicing die-bonding film having an pressure-sensitive adhesive layer and a die-bonding sheet superimposed on the pressure-sensitive adhesive layer,

상기 점착 테이프는, 모노머 단위로서 적어도, 알킬 부분의 탄소수가 12 이상인 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위와, 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 분자 중에 갖는 아크릴 공중합체를 포함하고,The adhesive tape includes, as monomer units, an acrylic copolymer having at least an aliphatic alkyl (meth)acrylate unit having 12 or more carbon atoms in the alkyl moiety and a crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit in the molecule,

상기 아크릴 공중합체는, 상기 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위를 10몰％ 이상 85몰％ 이하 포함하고, 또한, 상기 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 15몰％ 이상 35몰％ 이하 포함하는, 점착 테이프.The acrylic copolymer contains 10 mol% or more and 85 mol% or less of the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit, and further contains 15 mol% or more and 35 mol% or less of the crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit. , adhesive tape.

(2)(2)

상기 아크릴 공중합체에 있어서의 상기 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위 중 일부가, 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 상기 (1)에 기재된 점착 테이프.The adhesive tape according to (1) above, in which some of the crosslinkable group-containing (meth)acrylate units in the acrylic copolymer have radically polymerizable carbon-carbon double bonds.

(3)(3)

상기 아크릴 공중합체는, 상기 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 상기 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를, 전체 모노머 단위 중, 8몰％ 이상 31몰％ 이하 포함하는, 상기 (2)에 기재된 점착 테이프.The acrylic copolymer contains the crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit having the radically polymerizable carbon-carbon double bond in an amount of 8 mol% or more and 31 mol% or less, based on all monomer units, according to (2) above. The adhesive tape described.

(4)(4)

상기 아크릴 공중합체에 있어서, 전체 모노머 단위 중 상기 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위가 차지하는 비율은, 15몰％ 이상 40몰％ 이하인, 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 것에 기재된 점착 테이프.The adhesive tape according to any one of (1) to (3) above, wherein the ratio of the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit to all monomer units in the acrylic copolymer is 15 mol% or more and 40 mol% or less.

(5)(5)

전자 현미경에 의해 단면을 관찰했을 때, 상분리 구조를 갖는 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 것에 기재된 점착 테이프.The adhesive tape according to any one of (1) to (4) above, which has a phase-separated structure when a cross section is observed with an electron microscope.

(6)(6)

상기 아크릴 공중합체는, 상기 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위로서, 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위와, 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합(중합성 불포화 이중 결합)을 갖는 중합성 (메트)아크릴레이트 단위를 함유하고,The acrylic copolymer is a polymerizable (meth)acrylate unit having a hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit and a radically polymerizable carbon-carbon double bond (polymerizable unsaturated double bond) as the crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit. contains acrylate units;

또한 상기 아크릴 공중합체는, 상기 알킬(메트)아크릴레이트 단위로서, 알킬 부분의 탄소수가 8 이상 10 이하인 포화 분지쇄상 알킬(메트)아크릴레이트 단위와, 알킬 부분의 탄소수가 12 이상 14 이하인 포화 직쇄상 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위를 함유하는, 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 것에 기재된 점착 테이프.In addition, the acrylic copolymer includes, as the alkyl (meth)acrylate unit, a saturated branched-chain alkyl (meth)acrylate unit having 8 or more and 10 or less carbon atoms in the alkyl portion, and a saturated linear chain having 12 or more and 14 or less carbon atoms in the alkyl portion. The adhesive tape according to any one of (1) to (5) above, containing an aliphatic alkyl (meth)acrylate unit.

(7)(7)

상기 아크릴 공중합체에 있어서, 상기 중합성 (메트)아크릴레이트 단위의 함유 비율은, 상기 포화 분지쇄상 알킬(메트)아크릴레이트 단위 및 상기 포화 직쇄상 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위의 어느 함유 비율보다도 낮은, 상기 (6)에 기재된 점착 테이프.In the acrylic copolymer, the content ratio of the polymerizable (meth)acrylate unit is greater than any content ratio of the saturated branched-chain alkyl (meth)acrylate unit and the saturated linear aliphatic alkyl (meth)acrylate unit. Low, the adhesive tape as described in said (6).

(8)(8)

상기 아크릴 공중합체는, 상기 알킬(메트)아크릴레이트 단위로서, 알킬 부분의 탄소수가 7 이상 11 이하인 포화 분지쇄상 알킬(메트)아크릴레이트 단위와, 알킬 부분의 탄소수가 12 이상 14 이하인 포화 직쇄상 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위를 함유하고,The acrylic copolymer includes, as the alkyl (meth)acrylate unit, a saturated branched-chain alkyl (meth)acrylate unit having 7 or more and 11 or less carbon atoms in the alkyl portion, and a saturated linear aliphatic having 12 or more and 14 or less carbon atoms in the alkyl portion. contains an alkyl (meth)acrylate unit;

상기 아크릴 공중합체에 있어서, 상기 포화 직쇄상 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위에 대한, 상기 포화 분지쇄상 알킬(메트)아크릴레이트 단위의 몰 환산에서의 양비는, 1.0 이상 5.0 이하인, 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 것에 기재된 점착 테이프.In the acrylic copolymer, the amount ratio in terms of mole of the saturated branched-chain alkyl (meth)acrylate unit to the saturated linear aliphatic alkyl (meth)acrylate unit is 1.0 or more and 5.0 or less, as described in (1) above. The adhesive tape according to any one of to (7).

(9)(9)

상기 (1) 내지 (8) 중 어느 것에 기재된 점착 테이프로 구성된 점착제층과, 해당 점착제층에 겹쳐진 기재층을 갖는 다이싱 테이프와,A dicing tape having an adhesive layer composed of the adhesive tape according to any one of the above (1) to (8), and a substrate layer overlapping the adhesive layer;

상기 다이싱 테이프의 상기 점착제층에 겹쳐진 다이 본드 시트를 구비하는, 다이싱 다이 본드 필름.A dicing die bond film comprising a die bond sheet overlapping the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape.

(10)(10)

상기 점착제층과 상기 다이 본드 시트 사이의 박리력에 대해서, 상기 점착제층이 활성 에너지선에 의해 경화되기 전의 박리력(A)과 경화된 후의 박리력(B)이 하기 식(1)을 충족하는, 상기 (9)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.Regarding the peel force between the pressure-sensitive adhesive layer and the die-bonding sheet, the peel force before the pressure-sensitive adhesive layer is cured by active energy rays (A) and the peel force after hardening (B) satisfy the following formula (1) , The dicing die-bonding film described in the above (9).

(A)/(B)>7.0 식(1)(A)/(B)>7.0 Equation (1)

(11)(11)

상기 (A)/(B)가 하기 식(2)를 충족하는, 상기 (10)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to (10) above, wherein (A)/(B) satisfies the following formula (2).

(A)/(B)>8.0 식(2)(A)/(B)>8.0 Equation (2)

(12)(12)

반도체 장치의 제조 방법이며,A method for manufacturing a semiconductor device,

회로면이 형성된 웨이퍼(패턴 웨이퍼)를 칩으로 할단하는 할단 공정과,A cutting step of cutting a wafer (pattern wafer) on which a circuit surface is formed into chips;

상기 (9) 내지 (11)의 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름의 상기 점착 테이프에 첩부된 상기 다이 본드 시트를, 상기 칩과 함께 상기 점착 테이프로부터 박리하는 픽업 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법.A pick-up step of peeling the die-bonding sheet attached to the adhesive tape of the dicing die-bonding film according to any one of (9) to (11) above from the adhesive tape together with the chip Manufacturing of a semiconductor device comprising: Way.

[실시예][Example]

다음에 실험예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Next, the present invention will be explained in more detail by means of experimental examples, but the present invention is not limited thereto.

이하와 같이 하여, 다이싱 테이프를 제조하였다. 또한, 이 다이싱 테이프를 다이 본드 시트와 접합하여, 다이싱 다이 본드 필름을 제조하였다.A dicing tape was manufactured as follows. Further, this dicing tape was bonded to a die-bonding sheet to prepare a dicing die-bonding film.

<다이싱 테이프의 제작><Production of dicing tape>

(아크릴 공중합체의 원료 모노머)(raw material monomer of acrylic copolymer)

·2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA)2-hydroxyethyl acrylate (HEA)

·2-히드록시에틸메타크릴레이트(HEMA)2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA)

·4-히드록시부틸아크릴레이트(4HBA)4-hydroxybutyl acrylate (4HBA)

·에틸아크릴레이트(EA)·Ethyl acrylate (EA)

·2-에틸헥실아크릴레이트(2EHA)2-ethylhexyl acrylate (2EHA)

·이소노닐아크릴레이트(INA)·Isononyl acrylate (INA)

·라우릴아크릴레이트(LA)・Lauryl acrylate (LA)

·아크릴로일모르폴린(ACMO)Acryloylmorpholine (ACMO)

(실시예 1 내지 8)/(비교예 1 내지 4)(Examples 1 to 8) / (Comparative Examples 1 to 4)

냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 표 1에 나타내는 배합 조성이 되도록 각 원료를 넣었다. 모노머의 합계 100질량부에 대해, 아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 0.2중량부를 열중합 개시제로서 사용하였다. 전체 모노머의 농도가 소정 농도(예를 들어 35질량％)가 되도록 아세트산에틸을 반응 용매로서 첨가하였다. 질소 기류 중에서 62℃에서 소정 시간(예를 들어 6시간), 또한 75℃에서 소정 시간(예를 들어 2시간)의 중합 반응 처리를 행하고, 아크릴 공중합체의 중간체를 얻었다.Each raw material was put into a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen inlet tube, a thermometer, and a stirring device so as to have the compounding composition shown in Table 1. 0.2 parts by weight of azobisisobutyronitrile (AIBN) was used as a thermal polymerization initiator with respect to a total of 100 parts by weight of the monomers. Ethyl acetate was added as a reaction solvent so that the concentration of all monomers became a predetermined concentration (for example, 35% by mass). Polymerization reaction treatment was performed at 62°C for a predetermined period of time (eg, 6 hours) and at 75°C for a predetermined period of time (eg, 2 hours) in a nitrogen atmosphere to obtain an acrylic copolymer intermediate.

각 실시예 및 각 비교예에 있어서, 중합 시의 모노머 농도, 중합 시간은, 각각 표 2에 나타낸 바와 같다.In each Example and each Comparative Example, the monomer concentration and polymerization time during polymerization are as shown in Table 2, respectively.

상기와 같이 조제한 아크릴 공중합체의 중간체를 포함하는 액에, 중합 시에 배합한 모노머의 총량에 대하여, 표 1에 나타내는 몰 비율(표 1에 있어서 중합성기 함유 모노머 단위와 표시)이 되도록 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(이하, MOI라고도 말함)를 첨가하였다. 예를 들어, 실시예 1에서는, 중합 시에 배합한 모노머의 합계 100몰에 대하여, MOI가 14몰이 되도록 MOI를 첨가하였다. 또한, MOI 첨가량에 대하여 0.5질량％의 디라우르산디부틸주석을 반응 촉매로서 첨가하였다. 그 후, 공기 기류 중에서 50℃에서 12시간, 부가 반응 처리(우레탄화 반응 처리)를 행하고, 아크릴 공중합체를 얻었다.In the liquid containing the intermediate of the acrylic copolymer prepared as described above, 2-meta-mol ratio (shown with the polymerizable group-containing monomer unit in Table 1) shown in Table 1 is obtained with respect to the total amount of the monomers blended during polymerization. Chryloyloxyethyl isocyanate (hereinafter also referred to as MOI) was added. For example, in Example 1, the MOI was added so that the MOI was 14 mol with respect to the total of 100 mol of the monomers blended during polymerization. Further, 0.5% by mass of dibutyltin dilaurate relative to the MOI addition amount was added as a reaction catalyst. Thereafter, an addition reaction treatment (urethanization reaction treatment) was performed at 50°C in an air current for 12 hours to obtain an acrylic copolymer.

다음에, 아크릴 공중합체 100질량부에 대하여, 하기의 배합 성분을 첨가하여, 점착제 용액을 조제하였다.Next, an adhesive solution was prepared by adding the following ingredients to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.

·광중합 개시제: 아크릴 공중합체의 중간체 100질량부에 대하여 3질량부Photopolymerization initiator: 3 parts by mass based on 100 parts by mass of the intermediate of the acrylic copolymer

(제품명「Omnirad127D」, IGM사제)(Product name "Omnirad127D", manufactured by IGM)

·폴리이소시아네이트 화합물: 아크릴 공중합체의 중간체 100질량부에 대하여 0.8질량부Polyisocyanate compound: 0.8 parts by mass based on 100 parts by mass of the intermediate of the acrylic copolymer

(제품명「코로네이트 L」, 도소사제)(Product name "Coronate L", manufactured by Tosoh Corporation)

·산화 방지제: 아크릴 공중합체의 중간체 100질량부에 대하여 0.01질량부(제품명「Irganox1010」, BASF재팬사제)Antioxidant: 0.01 parts by mass based on 100 parts by mass of the intermediate of the acrylic copolymer (product name "Irganox 1010", manufactured by BASF Japan)

상기와 같이 조제한 점착제 용액을, 실리콘 처리를 실시한 PET 박리 라이너의 처리면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조하고, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다.The pressure-sensitive adhesive solution prepared as described above was applied onto the treated surface of a PET release liner treated with silicone, and heated and dried at 120° C. for 2 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm.

계속해서, 점착제층과, 기재층(폴리올레핀 필름(125㎛ 두께) 군제사제 제품명「팬 클리어 NED#125」)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하고, 다이싱 테이프를 제조하였다.Subsequently, the pressure-sensitive adhesive layer and the substrate layer (polyolefin film (125 μm thickness) manufactured by Gunze, product name “Pan Clear NED #125”) were bonded together, and stored at 50° C. for 24 hours to prepare a dicing tape.

<다이 본드 시트의 제작><Production of die bond sheet>

·아크릴 폴리머: 100질량부・Acrylic polymer: 100 parts by mass

(제품명「PARACRON KG-8001」, 질량 평균 분자량: 1,200,000, 유리 전이 온도 Tg: 9℃, 에폭시기 함유, 네가미 고교사제)(Product name "PARACRON KG-8001", mass average molecular weight: 1,200,000, glass transition temperature Tg: 9°C, containing epoxy group, manufactured by Negami Kogyo)

·페놀 수지: 3질량부Phenolic resin: 3 parts by mass

(제품명「MEHC-7851SS」, 23℃에서 고형, 메이와 가세이사제)(Product name "MEHC-7851SS", solidified at 23°C, manufactured by Maywa Kasei Co., Ltd.)

·실리카 필러: 10질량부・Silica filler: 10 parts by mass

(제품명「SE2050-MCV」, 평균 입자경 500㎚, 애드마텍스사제)(Product name "SE2050-MCV", average particle diameter 500 nm, manufactured by Admatechs)

상기의 각 원료를 소정량의 메틸에틸케톤에 첨가하여 혼합하고, 총 고형분 농도 12질량％의 접착제 조성물 용액을 조제하였다. 다음에, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 박리 라이너(세퍼레이터)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 접착제 조성물을 도포하고, 도막을 형성하였다. 이 도막에 대하여 130℃에서 2분간의 가열 건조를 실시하고, PET 박리 라이너(세퍼레이터) 상에 두께 10㎛의 다이 본드 시트를 제작하였다.Each of the above raw materials was added to and mixed with a predetermined amount of methyl ethyl ketone to prepare an adhesive composition solution having a total solid content concentration of 12% by mass. Next, the adhesive composition was applied using an applicator on the silicone release-treated surface of the PET release liner (separator) having the silicone release-treated surface, and a coating film was formed. Heat drying was performed on this coating film at 130°C for 2 minutes to prepare a die-bonding sheet having a thickness of 10 µm on a PET release liner (separator).

<다이싱 다이 본드 필름의 제조><Manufacture of dicing die bond film>

다이 본드 시트를 직경 330㎜의 원 형상으로 펀칭하고, 원 형상의 다이 본드 시트를 제작하였다. 실온에서, 라미네이터를 사용하여, 원 형상의 다이 본드 시트와, 다이싱 테이프를 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름을 제조하였다.The die bond sheet was punched into a circular shape with a diameter of 330 mm to prepare a circular die bond sheet. A dicing die-bonding film was produced by bonding a circular die-bonding sheet and a dicing tape together at room temperature using a laminator.

<점착제층 내부에 있어서의 상분리 구조의 관찰><Observation of phase separation structure inside the pressure-sensitive adhesive layer>

2개의 점착제층을 준비하고, 점착제층끼리를 접합하였다. 그 후, 울트라 마이크로톰을 사용한 초박 절편법에 의해, 동결 분위기 하(-100℃)에서, 약 100㎚ 두께로 박막화하였다. 또한, 점착제층을 두께 방향으로 절단한 단면에 대하여 상기의 초박 절편법을 행하였다.Two pressure-sensitive adhesive layers were prepared and the pressure-sensitive adhesive layers were bonded together. Thereafter, it was thinned to a thickness of about 100 nm in a freezing atmosphere (-100°C) by ultrathin sectioning using an ultra microtome. In addition, the above-described ultrathin sectioning method was performed on a cross section obtained by cutting the pressure-sensitive adhesive layer in the thickness direction.

계속해서, 박막화 샘플에 대하여, 중금속 염색(OsO4 및 RuO4)을 행하여, 염색 후의 박막화 샘플을 TEM에 의해 관찰하고, 사진 촬영하였다. 또한, 관찰 사진을 화상 해석하고, 제1상(중합성 이중 결합의 함유량이 보다 높고, 염색에 의해 보다 검게 되어 있는 상)의 면적 비율을 산출하였다. 또한, 회색으로 보이는 부분이 존재하는 경우, 검은 부분 및 회색의 부분 양쪽 총 면적을 제1상의 면적으로 하였다.Subsequently, the thin film sample was subjected to heavy metal staining (OsO 4 and RuO 4 ), and the thin film sample after staining was observed by TEM and photographed. Further, the observation photograph was subjected to image analysis, and the area ratio of the first phase (a phase having a higher polymerizable double bond content and becoming blacker due to dyeing) was calculated. In addition, when a gray-looking part existed, the total area of both the black part and the gray part was made into the area of the 1st phase.

[투과형 전자 현미경(TEM) 관찰 조건][Transmission Electron Microscope (TEM) Observation Conditions]

장치: Hitachi, HT7820Device: Hitachi, HT7820

가속 전압: 100kVAcceleration voltage: 100 kV

[면적 비율 산출 방법][Area Ratio Calculation Method]

화상 해석 소프트웨어: 제품명「ImageJ」Image analysis software: product name「ImageJ」

사진 배율: 관찰 배율 12,000배Photo magnification: 12,000x observation magnification

관찰상에 있어서 해석을 실시한 면적: 13㎛2 Area analyzed on the observation image: 13 µm 2

상기와 같이 점착제층을 관찰한 결과, 적어도 실시예의 점착제층은, 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같은 상분리 구조를 갖는 것이 확인되었다.As a result of observing the pressure-sensitive adhesive layer as described above, it was confirmed that the pressure-sensitive adhesive layer of at least the examples had a phase-separated structure as shown in FIGS. 11 and 12 .

<다이싱 다이 본드 필름의 물성 측정><Measurement of physical properties of dicing die bond film>

각 실시예 및 각 비교예의 다이싱 다이 본드 필름에 대해서, 이하와 같이 하여 각 물성을 측정하였다.About the dicing die-bonding films of each Example and each Comparative Example, each physical property was measured as follows.

[점착제층과 다이 본드 시트 사이의 박리력(점착력)][Peel force between pressure-sensitive adhesive layer and die bond sheet (adhesive force)]

자외선 조사 전(경화 전)과, 자외선 조사 후(경화 후)에 있어서의, 상기의 박리력(점착력)의 측정 방법의 상세는, 이하와 같다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 경화 전의 박리력(점착력)과, 경화 후의 박리력(점착력)의 비도 표 1에 나타낸다.Details of the method for measuring the peel force (adhesive force) before ultraviolet irradiation (before curing) and after ultraviolet irradiation (after curing) are as follows. Table 1 shows the measurement results. Table 1 also shows the ratio of the peeling force (adhesive force) before curing and the peeling force (adhesive force) after curing.

[점착제층과 다이 본드 시트 사이의 박리력(자외선 조사 후)][Peel force between pressure-sensitive adhesive layer and die-bonding sheet (after UV irradiation)]

T형 박리 시험에 의해 박리력을 측정하였다. 측정용 샘플을 이하와 같이 하여 제작하였다.The peel force was measured by the T-shaped peel test. A sample for measurement was produced as follows.

다이 본드 시트로부터 PET 박리 라이너(세퍼레이터)를 박리하여, 다이 본드 시트의 한쪽 면을 노출시켰다. 노출된 면에, 배접 테이프(제품명「ELP BT315」닛토덴코사제)를 접합하였다. 닛토 세이키사제의 고압 수은 램프(제품명「UM-810」60mW/㎠)를 사용하여, 기재층측으로부터 강도 150mJ/㎠의 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 폭 50㎜×길이 120㎜의 치수가 되도록 점착제층을 잘라내어, 측정용 샘플로 하였다. 제작한 측정용 샘플에 대해서, 인장 시험기(예를 들어, 제품명「AUTOGRAPH AGX-V」, 시마즈 세이사쿠쇼사제)를 사용하여, T형 박리 시험을 실시하였다. 시험 조건은, 온도 25℃, 인장 속도 300㎜/분이었다.The PET release liner (separator) was peeled from the die-bonding sheet to expose one side of the die-bonding sheet. A backing tape (product name "ELP BT315" manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) was bonded to the exposed surface. Using a high-pressure mercury lamp (product name "UM-810" 60 mW/cm 2 ) manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd., an ultraviolet ray having an intensity of 150 mJ/cm 2 was irradiated from the substrate layer side to cure the pressure-sensitive adhesive layer. Then, the adhesive layer was cut out so that it might become a dimension of 50 mm in width x 120 mm in length, and it was set as the sample for a measurement. About the produced measurement sample, the T-shaped peeling test was done using the tensile tester (For example, product name "AUTOGRAPH AGX-V", made by Shimadzu Corporation). The test conditions were a temperature of 25°C and a tensile speed of 300 mm/min.

[점착제층과 다이 본드 시트 사이의 박리력(자외선 조사 전)][Peel force between pressure-sensitive adhesive layer and die-bonding sheet (before UV irradiation)]

자외선을 조사하고 있지 않은 경화 전의 점착제층에 대하여 측정한 점, 또한, 폭 20㎜×길이 120㎜의 치수가 되도록 점착제층을 잘라낸 점 이외는, 상기의 방법과 마찬가지로 하여 박리력을 측정하였다.Peeling force was measured in the same manner as described above, except that the pressure-sensitive adhesive layer was measured before curing without irradiation with ultraviolet rays and that the pressure-sensitive adhesive layer was cut to a size of 20 mm in width x 120 mm in length.

각 실시예 및 각 비교예에 있어서의 다이 본드 시트의 조성 및 물성을 표 1에 나타낸다. 표 1에 있어서, "OH기 함유 모노머 단위"의 몰％ 및 "중합성기 함유 모노머 단위"의 몰％는, 아크릴 공중합체에 있어서의 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위의 몰％ 및 중합성 (메트)아크릴레이트 단위의 몰％를 각각 나타낸다. 또한, 상기 MOI의 이소시아네이트기와, 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위의 히드록시기는, 거의 100％의 반응 효율로 우레탄화 반응하기 때문에, 상기의 몰％는, 아크릴 공중합체를 합성했을 때의 배합량을 기초로 하여 각각 산출할 수 있다.Table 1 shows the composition and physical properties of the die-bonding sheets in each Example and each Comparative Example. In Table 1, the mol% of the "OH group-containing monomer unit" and the mol% of the "polymerizable group-containing monomer unit" are the mol% of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit and the polymerizable (meth)acrylate unit in the acrylic copolymer. ) The mol% of the acrylate unit is respectively shown. In addition, since the isocyanate group of the above MOI and the hydroxyl group of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit undergo a urethanization reaction with a reaction efficiency of almost 100%, the above mol% is based on the compounding amount at the time of synthesizing the acrylic copolymer , respectively, can be calculated.

Figure pat00001
Figure pat00001

Figure pat00002
Figure pat00002

이하와 같이 하여, 상기와 같이 제조한 다이싱 다이 본드 필름의 성능을 평가하였다.The performance of the dicing die-bonding film prepared as described above was evaluated as follows.

<성능 평가(픽업 시험에 의한 픽업성)><Performance evaluation (pick-up performance by pick-up test)>

할단된 상태의 다이 본드 시트 구비 반도체 칩에 대해서, 픽업성을 평가하였다. 할단된 상태의 다이 본드 시트 구비 반도체 칩을 이하와 같이 하여 얻었다.The pick-up property was evaluated for the semiconductor chip with the die-bonding sheet in the cut state. A semiconductor chip with a die bond sheet in a cut state was obtained as follows.

구체적으로는, 하프컷 가공에 의해 분할용의 홈(10㎜×10㎜)을 형성한 12인치의 베어 웨이퍼(직경 300㎜, 두께 55㎛)의, 분할용의 홈이 형성된 면에, 백그라인드 테이프를 첩부하였다. 그 후, 백 그라인더(DISCO사제, 형식 DGP8760)를 사용하여, 상기 12인치의 베어 웨이퍼의 면(상기 백그라인드 테이프를 첩부한 측과 반대측의 면)을 깊이 25㎛까지 연삭하였다. 이에 의해, 백그라운드된 베어 웨이퍼를 얻었다. 백그라인드된 베어 웨이퍼의 백그라인드 테이프의 첩부면과 반대측에, 각 예의 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 시트를 첩부하였다. 이와 같이 하여, 다이싱 다이 본드 필름 구비 베어 웨이퍼를 얻었다. 이 다이싱 다이 본드 필름 구비 베어 웨이퍼를, 익스팬드 공정에 의해 할단하였다. 또한, 익스팬드 공정은, 상기 백그라인드 테이프를 베어 웨이퍼로부터 박리한 상태에서, 다이 세퍼레이트 장치(상품명「다이 세퍼레이터 DDS2300, 디스코사제」를 사용하여 실시하였다. 또한, 익스팬드 공정에서는, 쿨 익스팬드를 행한 후, 상온 익스팬드를 행하였다.Specifically, back grinding was performed on the surface on which the grooves for division were formed of a 12-inch bare wafer (diameter: 300 mm, thickness: 55 µm) in which grooves for division (10 mm × 10 mm) were formed by half-cutting. Tape was applied. Thereafter, the surface of the 12-inch bare wafer (surface opposite to the side to which the back grind tape was applied) was ground to a depth of 25 μm using a back grinder (manufactured by DISCO, Model DGP8760). In this way, a background bare wafer was obtained. The die-bonding sheet of the dicing die-bonding film of each example was affixed on the side opposite to the sticking surface of the back-grind tape of the back-grinded bare wafer. In this way, a bare wafer with a dicing die bond film was obtained. This bare wafer with a dicing die-bonding film was cut by the expand process. The expand process was carried out using a die separator (trade name: “Die Separator DDS2300, manufactured by Disco”) in a state where the back grind tape was separated from the bare wafer. In the expand process, cool expand was performed. After performing, room temperature expand was performed.

쿨 익스팬드는, 이하와 같이 하여 실시하였다. 구체적으로는, 베어 웨이퍼에 첩부한 다이싱 다이 본드 필름의 점착제층 상의 프레임 접착 영역에, 직경 12인치의 SUS제 링 프레임(디스코사제)을 실온에서 첩부하였다. 그 후, SUS제 링 프레임이 첩부된 베어 웨이퍼를, 다이 세퍼레이트 장치에 장착하였다. 해당 다이 세퍼레이트 장치의 쿨 익스팬드 유닛에서, 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 익스팬드함으로써, 쿨 익스팬드를 행하였다. 이때의 조건은, 익스팬드 온도 -15℃, 익스팬드 속도 100㎜/초, 익스팬드량 7㎜로 하였다. 또한, 쿨 익스팬드 후에 있어서, 반도체 웨이퍼는, 복수의 반도체 칩에 개편화(개별화)되었다. 또한, 다이 본드 시트도 반도체 칩 상당 사이즈로 개편화되었다. 따라서, 복수의 다이 본드 시트 구비 반도체 칩을 얻었다.Cool expand was performed as follows. Specifically, a ring frame made of SUS (manufactured by Disco) having a diameter of 12 inches was affixed at room temperature to the frame bonding area on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing die-bonding film affixed to the bare wafer. After that, the bare wafer to which the ring frame made of SUS was attached was mounted on a die separator. Cool expand was performed by expanding the dicing tape of the dicing die bonding film in the cool expand unit of the die separator device. The conditions at this time were an expand temperature of -15°C, an expand speed of 100 mm/sec, and an expand amount of 7 mm. In addition, after the cool expand, the semiconductor wafer was divided (individualized) into a plurality of semiconductor chips. In addition, the die bond sheet has also been fragmented into a size corresponding to a semiconductor chip. Thus, a plurality of semiconductor chips with die bonding sheets were obtained.

상온 익스팬드는, 쿨 익스팬드 후에, 이하와 같이 하여 실시하였다. 상술한 다이 세퍼레이트 장치의 상온 익스팬드 유닛을 사용하여, 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 익스팬드함으로써, 상온 익스팬드를 행하였다. 이때의 조건은, 익스팬드 온도 23±2℃, 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드량 10㎜로 하였다. 상온 익스팬드 후의 다이싱 테이프에 대하여, 온도 200℃, 시간 20초의 조건에서 가열 수축 처리를 실시하였다.Room-temperature expand was performed as follows after cool expand. Room-temperature expansion was performed by expanding the dicing tape of the dicing die-bonding film using the room-temperature expand unit of the die-separating device described above. The conditions at this time were an expand temperature of 23±2° C., an expand speed of 1 mm/sec, and an expand amount of 10 mm. The dicing tape after normal temperature expansion was subjected to heat shrinkage treatment under conditions of a temperature of 200°C and a time of 20 seconds.

다이싱 테이프를 가열 수축시킨 후, 픽업 기구를 갖는 장치(제품명「다이 본더 SPA-300」, 신카와사제)를 사용하여, 개편화된 다이 본드 시트 구비 반도체 칩의 픽업 시험을 실시하였다. 이러한 픽업 시험에 있어서, 핀 부재에 의한 밀어올림 속도를 1㎜/초로 하고, 밀어올림량을 2000㎛로 하였다. 또한, 픽업 시험은, 점착제층을 경화시킨 후에 행했다. 경화 처리는, 다이 세퍼레이트 장치에 내장되어 있는 자외선 조사 유닛(고압 수은 램프, 70mW/㎠)을 사용하여, 기재층측으로부터 1000mJ/㎠의 자외선을 조사함으로써 행하였다.After heat-shrinking the dicing tape, a pick-up test was conducted on the individualized semiconductor chips with die-bonding sheets using a device having a pick-up mechanism (product name: "Die Bonder SPA-300", manufactured by Shinkawa Co., Ltd.). In this pickup test, the pushing speed by the pin member was 1 mm/sec, and the pushing amount was 2000 µm. In addition, the pick-up test was performed after curing the pressure-sensitive adhesive layer. The curing treatment was performed by irradiating ultraviolet rays of 1000 mJ/cm 2 from the substrate layer side using an ultraviolet irradiation unit (high pressure mercury lamp, 70 mW/cm 2 ) incorporated in the die separator.

픽업 시험은, 5개의 다이 본드 시트 구비 반도체 칩에 대해서 실시하였다. 픽업성의 평가 기준은, 이하와 같음.The pick-up test was performed on five semiconductor chips with die-bonding sheets. The evaluation criteria of pickup properties are as follows.

◎ (좋다):◎ (Good):

5개의 다이 본드 시트 구비 반도체 칩의 모두를 픽업할 수 있다.All of the five semiconductor chips with die bonding sheets can be picked up.

○: (약간 좋다)○: (slightly good)

5개의 다이 본드 시트 구비 반도체 칩 중 3개 또는 4개를 픽업할 수 있다.Three or four of the five semiconductor chips with die bond sheets can be picked up.

×(나쁘다):× (bad):

5개의 다이 본드 시트 구비 반도체 칩 중 3개 이상을 픽업할 수 없다.Three or more of the five semiconductor chips with die bond sheets could not be picked up.

<칩 보유 지지 성능 평가(칩 부상 현상의 억제 성능의 평가)><Evaluation of chip holding performance (evaluation of suppression performance of chip floating phenomenon)>

상기와 같이 하여 제조한 각 실시예 및 각 비교예의 다이싱 다이 본드 필름에, 온도 50 내지 80℃에서 가열하면서, 직경 300㎜의 베어 웨이퍼(「휨 웨이퍼」 이하에 상세히 기술) 및 다이싱 링을 첩부하였다.To the dicing die bond films of each Example and each Comparative Example prepared as described above, while heating at a temperature of 50 to 80 ° C., a bare wafer with a diameter of 300 mm (described in detail below “bending wafer”) and a dicing ring attached.

다음에, 다이 세퍼레이터 DDS230(디스코사제)을 사용하여, 반도체 웨이퍼 및 다이 본드 시트의 할단을 행하고, 할단 후의 칩 부상에 대하여 평가하였다. 베어 웨이퍼는, 길이 10㎜×폭 10㎜×두께 0.055㎜의 크기의 베어 칩으로 할단한 후, 두께 0.030㎜까지 연삭하였다.Next, the semiconductor wafer and the die-bonding sheet were cut using a die separator DDS230 (manufactured by Disco Co.), and chip injury after the cutting was evaluated. The bare wafer was cut into bare chips having a size of 10 mm in length x 10 mm in width x 0.055 mm in thickness, and then ground to a thickness of 0.030 mm.

또한, 베어 웨이퍼로서는, 칩 부상 현상을 보다 일으키기 쉽게 하기 위해, 이하와 같이 하여 제작한 「휨 웨이퍼」를 사용하였다.In addition, as the bare wafer, in order to more easily cause the chip injury phenomenon, a "bent wafer" produced as follows was used.

[휨 웨이퍼의 제작][Production of warped wafer]

휨 웨이퍼의 제작에 있어서, 먼저, 하기 (a) 내지 (f)를 메틸에틸케톤에 용해시키고, 고형분 농도 20질량％의 휨 조정 조성물을 얻었다.In preparation of the warp wafer, first, the following (a) to (f) were dissolved in methyl ethyl ketone to obtain a warp control composition having a solid content concentration of 20% by mass.

(a) 아크릴 수지(나가세 켐텍스사제, 제품명「SG-70L」): 5질량부(a) Acrylic resin (manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd., product name "SG-70L"): 5 parts by mass

(b) 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸사제, 제품명「JER828」): 5질량부(b) Epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name "JER828"): 5 parts by mass

(c) 페놀 수지(메이와 가세이사제, 제품명「LDR8210」): 14질량부(c) Phenol resin (manufactured by Maywa Kasei Co., Ltd., product name "LDR8210"): 14 parts by mass

(d) 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸사제, 제품명「MEH-8005」): 2질량부(d) Epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name "MEH-8005"): 2 parts by mass

(e) 구상 실리카(애드마텍스사제, 상품명「SO-25R」): 53질량부(e) Spherical silica (manufactured by Admatechs, trade name "SO-25R"): 53 parts by mass

(f) 인계 촉매(TPP-K): 1질량부(f) Phosphorus catalyst (TPP-K): 1 part by mass

다음에, 애플리케이터를 사용하여, 상기 휨 조정 조성물을, 박리 라이너된 PET계 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 처리면 상에, 두께 25㎛로 도포하였다. 130℃에서 2분간 건조 처리하여 상기 휨 조정 조성물로부터 용매를 제거하였다. 이와 같이 하여, 상기 박리 라이너 상에 휨 조정층이 적층된 휨 조정 시트를 얻었다.Next, using an applicator, the warpage control composition was applied to a thickness of 25 μm on the silicone-treated surface of a PET-based separator (50 μm thick) with release liner. A drying treatment was performed at 130° C. for 2 minutes to remove the solvent from the warpage control composition. In this way, a warpage control sheet in which a warpage control layer was laminated on the release liner was obtained.

계속해서, 라미네이터(MCK사제, 형식 MRK-600)를 사용하여, 상기 휨 조정 시트에 있어서의 상기 박리 라이너가 적층되어 있지 않은 측에, 60℃, 0.1㎫, 10㎜/s의 조건에서 베어 웨이퍼를 첩부하였다. 그 후, 오븐에 넣어서 175℃에서 1시간 가열하여 상기 휨 조정층에 있어서의 수지를 열경화시켰다. 이에 의해, 상기 휨 조정층이 수축하는 것에 수반하여 휜 베어 웨이퍼를 얻었다.Subsequently, using a laminator (manufactured by MCK, model MRK-600), a bare wafer was placed on the side of the warpage control sheet on which the release liner was not laminated under the conditions of 60° C., 0.1 MPa, and 10 mm/s. was attached. After that, it was placed in an oven, heated at 175°C for 1 hour, and the resin in the warpage control layer was thermally cured. As a result, a bare wafer was obtained that warped along with contraction of the warpage control layer.

상기 휨 조정층을 수축시킨 후, 휜 베어 웨이퍼에 있어서의 상기 휨 조정층이 적층되어 있지 않은 측에 웨이퍼 가공용 테이프(닛토덴코사제, 제품명「V-12SR2」)를 첩부하였다. 그 후, 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 통해, 휜 베어 웨이퍼에 다이싱 링을 고정하였다. 또한, 휜 베어 웨이퍼로부터 상기 휨 조정층을 제거하였다.After shrinking the warpage control layer, a tape for wafer processing (manufactured by Nitto Denko, product name "V-12SR2") was attached to the side of the warped bare wafer on which the warpage control layer was not laminated. Thereafter, the dicing ring was fixed to the bent bare wafer through the wafer processing tape. Further, the warpage control layer was removed from the warped bare wafer.

다이싱 장치(DISCO사제, 형 번호 6361)를 사용하여, 휜 베어 웨이퍼에 있어서의 상기 휨 조정층을 제거한 면(이하, 한쪽 면이라고 함)의 전체에, 표면으로부터 100㎛의 깊이의 홈을 격자상(홈의 폭 20㎛)으로 형성하였다.Using a dicing device (manufactured by DISCO, Model No. 6361), grooves with a depth of 100 μm from the surface were formed on the entire surface (hereinafter referred to as one side) of the warp control layer in the warped bare wafer. It was formed into a phase (groove width 20 μm).

다음에, 휜 베어 웨이퍼의 한쪽 면에 백그라인드 테이프를 접합하고, 휜 베어 웨이퍼의 다른 쪽 면(상기 한쪽 면과 반대측의 면)으로부터 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 제거하였다.Next, a back grind tape was bonded to one side of the bent bare wafer, and the tape for wafer processing was removed from the other side (surface opposite to the one side) of the bent bare wafer.

계속해서, 백 그라인더(DISCO사제, 형식 DGP8760)를 사용하여, 휜 베어 웨이퍼의 두께가 30㎛(0.030㎜)가 되도록, 휜 베어 웨이퍼를 다른 쪽 면측으로부터 연삭하였다. 이와 같이 하여 얻은 웨이퍼를, 휨 웨이퍼로 하였다.Subsequently, the bent bare wafer was ground from the other surface side using a back grinder (manufactured by DISCO, model DGP8760) so that the thickness of the bent bare wafer was 30 µm (0.030 mm). The wafer thus obtained was used as a warped wafer.

[보유 지지성(칩 부상 억제)의 평가 방법][Evaluation method for retention (inhibition of chip injury)]

먼저, 쿨 익스팬더 유닛에서, 익스팬드 온도 -15℃, 익스팬드 속도 200㎜/초, 익스팬드량 11㎜의 조건에서, 베어 웨이퍼 및 다이 본드 시트를 할단하여, 다이 본드 시트 구비 반도체 칩을 얻었다.First, in a cool expander unit, the bare wafer and the die bond sheet were cut under conditions of an expand temperature of -15°C, an expand speed of 200 mm/sec, and an expand amount of 11 mm to obtain a semiconductor chip with a die bond sheet.

다음에, 실온, 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드량 7㎜의 조건에서 익스팬드 공정을 행하였다. 그리고, 익스팬드 상태를 유지한 상태로, 히트 온도 200℃, 풍량 40L/min, 히트 거리 20㎜, 로테이션 스피드 3°/sec의 조건에서, 베어 웨이퍼의 외주연과의 경계 부분의 다이싱 다이 본드 필름을 열 수축시켰다.Next, the expand step was performed under conditions of room temperature, expand speed of 1 mm/sec, and expand amount of 7 mm. Then, while maintaining the expanded state, under conditions of a heat temperature of 200 ° C., an air volume of 40 L / min, a heat distance of 20 mm, and a rotation speed of 3 ° / sec, dicing die bond at the boundary with the outer periphery of the bare wafer The film was heat shrunk.

계속해서, 다이싱 다이 본드 필름에 다이싱 링을 보유 지지시킨 상태로, 다이 본드 시트 구비 반도체 칩을, 다이싱 테이프측(기재층된 폴리올레핀 필름측)으로부터 관찰하였다. 그리고, 다이 본드 시트로의 반도체 칩의 접촉율을 산출함으로써, 보유 지지성을 평가하였다.Subsequently, the semiconductor chip with the die-bonding sheet was observed from the dicing tape side (substrate layered polyolefin film side) in a state where the dicing ring was held on the dicing die-bonding film. And the holding|maintenance was evaluated by calculating the contact rate of the semiconductor chip to a die-bonding sheet.

구체적으로는, 제품명「VHX-6000」(키엔스사제)을 사용하여, 다이싱 테이프측으로부터 현미경 사진을 촬영하였다. 그 후, 화상 해석 소프트웨어(제품명「ImageJ」)를 사용하여, 촬상한 현미경 사진을 화상 해석하였다. 또한, 다이 본드 시트로부터 반도체 칩이 떠 있지 않은 부분의 면적을 계측하였다. 또한, 반도체 칩의 크기로부터 반도체 칩의 면적을 산출하였다.Specifically, a photomicrograph was taken from the dicing tape side using a product name "VHX-6000" (manufactured by Keyence Corporation). Thereafter, image analysis was performed on the captured photomicrograph using image analysis software (product name "ImageJ"). In addition, the area of the portion where the semiconductor chip did not float was measured from the die bond sheet. In addition, the area of the semiconductor chip was calculated from the size of the semiconductor chip.

그리고, 이 반도체 칩의 면적과, 반도체 칩이 떠 있지 않은 부분의 상기의 면적으로부터, 다이 본드 시트에의 반도체 칩의 접촉율을 산출하였다. 그 접촉율의 값을 기초로 하고, 이하의 평가 기준에 기초하여, 보유 지지성 성능을 평가하였다.Then, the contact ratio of the semiconductor chip to the die bonding sheet was calculated from the area of the semiconductor chip and the above area of the portion where the semiconductor chip was not floating. Based on the value of the contact ratio, the retention performance was evaluated based on the following evaluation criteria.

○: 접촉율이 70％ 이상이다○: The contact rate is 70% or more

△: 접촉율이 60％ 이상 70％ 미만이다△: The contact rate is 60% or more and less than 70%

×: 접촉율이 60％ 미만이다x: The contact rate is less than 60%

상기의 평가 결과로부터 파악되도록, 실시예의 다이싱 다이 본드 필름은, 비교예의 다이싱 다이 본드 필름에 비해, 픽업성의 점에서 양호하였다.As understood from the above evaluation results, the dicing die-bonding films of Examples were better than the dicing die-bonding films of Comparative Examples in terms of pick-up properties.

실시예의 다이싱 다이 본드 필름의 점착제층(점착 테이프)은 모노머 단위로서 적어도, 알킬 부분의 탄소수가 12 이상인 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위와, 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 분자 중에 갖는 아크릴 공중합체를 포함하고,The pressure-sensitive adhesive layer (pressure-sensitive adhesive tape) of the dicing die-bonding film of the examples has at least an aliphatic alkyl (meth)acrylate unit having 12 or more carbon atoms in the alkyl moiety and a crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit in the molecule as monomer units. Including an acrylic copolymer,

상기 아크릴 공중합체는, 상기 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위를 10몰％ 이상 85몰％ 이하 포함하고, 또한, 상기 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 15몰％ 이상 35몰％ 이하 포함한다.The acrylic copolymer contains 10 mol% or more and 85 mol% or less of the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit, and further contains 15 mol% or more and 35 mol% or less of the crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit. .

또한, 상기 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위는, 탄소수 4 이하의 알킬 부분에 히드록시기가 결합된 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위와, 측쇄에 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합(중합성 불포화 이중 결합)을 갖는 중합성 (메트)아크릴레이트 단위를 포함한다.In addition, the crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit includes a hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit in which a hydroxyl group is bonded to an alkyl moiety having 4 or less carbon atoms, and a radical polymerizable carbon-carbon double bond (polymerizable unsaturated double bond) in the side chain. linkages) with polymerizable (meth)acrylate units.

이와 같은 구성을 갖는 실시예의 다이싱 다이 본드 필름을, 반도체 장치의 제조에 있어서 사용함으로써, 반도체 장치를 효율적으로 제조할 수 있다. 반도체 장치의 제조에 있어서, 익스팬드 공정에서는, 상술한 칩 부상 현상을 억제하기 위해, 점착제층과 다이 본드 시트 사이의 점착력이 비교적 큰 것이 요구된다. 한편, 픽업 공정 전에, 예를 들어, 점착제층에 자외선 등의 활성 에너지선을 조사함으로써, 점착제층에 경화 처리를 실시한 후에는, 경화된 점착제층으로부터 다이 본드 시트가 용이하게 박리되는 필요(양호한 픽업성의 발휘)가 있다. 이러한 상반되는 성능을 발휘시키기 위해, 점착제층은 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위와, 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위로서의 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트 단위 및 중합성 (메트)아크릴레이트 단위를 상기와 같은 몰％로 분자 중에 갖는 아크릴 공중합체를 포함한다.A semiconductor device can be efficiently manufactured by using the dicing die-bonding film of Example having such a structure in manufacturing a semiconductor device. In the manufacture of semiconductor devices, in the expand process, relatively high adhesive force between the pressure-sensitive adhesive layer and the die-bonding sheet is required in order to suppress the above-mentioned chip floating phenomenon. On the other hand, prior to the pick-up step, for example, after curing the pressure-sensitive adhesive layer by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with active energy rays such as ultraviolet rays, it is necessary that the die-bonding sheet be easily peeled off from the hardened pressure-sensitive adhesive layer (good pickup There is a display of sexuality). In order to exhibit these conflicting performances, the pressure-sensitive adhesive layer includes an aliphatic alkyl (meth)acrylate unit, a hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit and a polymerizable (meth)acrylate unit as a crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit. It includes an acrylic copolymer having in the molecule in the same mol% as above.

아크릴 공중합체가 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 상기의 몰％로 포함함으로써, 경화 전의 점착제층 점착력이 너무 저하되지 않고 양호하며, 아크릴 공중합체가 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위를 상기의 몰％로 포함함으로써, 경화 후의 점착제층의 점착력을 적절하게 저하시킬 수 있다.When the acrylic copolymer contains the crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit in the above mol%, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer before curing is not excessively reduced and is good, and the acrylic copolymer contains the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit as described above. By including in mol%, the adhesive force of the adhesive layer after hardening can be reduced suitably.

본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 예를 들어, 반도체 장치(반도체 집적 회로)를 제조할 때의 보조 용구로서, 적합하게 사용된다.The dicing die-bonding film of the present invention is suitably used as an auxiliary tool when manufacturing a semiconductor device (semiconductor integrated circuit), for example.

1: 다이싱 다이 본드 필름
10: 다이 본드 시트
20: 다이싱 테이프
21: 기재층
22: 점착제층(점착 테이프)1: dicing die bond film
10: die bond sheet
20: dicing tape
21: base layer
22: adhesive layer (adhesive tape)

Claims (9)

점착제층과, 해당 점착제층에 겹쳐진 다이 본드 시트를 구비하는 다이싱 다이 본드 필름의 상기 점착제층으로서 사용되는 점착 테이프이며,
상기 점착 테이프는, 모노머 단위로서 적어도, 알킬 부분의 탄소수가 12 이상인 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위와, 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 분자 중에 갖는 아크릴 공중합체를 포함하고,
상기 아크릴 공중합체는, 상기 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위를 10몰％ 이상 85몰％ 이하 포함하고, 또한, 상기 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를 15몰％ 이상 35몰％ 이하 포함하는, 점착 테이프.A pressure-sensitive adhesive tape used as the pressure-sensitive adhesive layer of a dicing die-bonding film having an pressure-sensitive adhesive layer and a die-bonding sheet superimposed on the pressure-sensitive adhesive layer,
The adhesive tape includes, as monomer units, an acrylic copolymer having at least an aliphatic alkyl (meth)acrylate unit having 12 or more carbon atoms in the alkyl moiety and a crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit in the molecule,
The acrylic copolymer contains 10 mol% or more and 85 mol% or less of the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit, and further contains 15 mol% or more and 35 mol% or less of the crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit. , adhesive tape. 제1항에 있어서,
상기 아크릴 공중합체에 있어서의 상기 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위 중 일부가, 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는, 점착 테이프.According to claim 1,
The adhesive tape in which some of the crosslinkable group-containing (meth)acrylate units in the acrylic copolymer have radically polymerizable carbon-carbon double bonds. 제2항에 있어서,
상기 아크릴 공중합체는, 상기 라디칼 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 상기 가교성기 함유 (메트)아크릴레이트 단위를, 상기 모노머 단위 중, 8몰％ 이상 31몰％ 이하 포함하는, 점착 테이프.According to claim 2,
The said acrylic copolymer contains the said crosslinkable group containing (meth)acrylate unit which has the said radically polymerizable carbon-carbon double bond, in the said monomer unit, 8 mol% or more and 31 mol% or less, The adhesive tape. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 아크릴 공중합체에 있어서, 상기 모노머 단위 중 상기 지방족 알킬(메트)아크릴레이트 단위가 차지하는 비율은, 15몰％ 이상 40몰％ 이하인, 점착 테이프.According to claim 1 or 2,
In the acrylic copolymer, the proportion of the aliphatic alkyl (meth)acrylate unit in the monomer unit is 15 mol% or more and 40 mol% or less, the adhesive tape. 제1항 또는 제2항에 있어서,
전자 현미경에 의해 단면을 관찰했을 때, 상분리 구조를 갖는, 점착 테이프.According to claim 1 or 2,
An adhesive tape having a phase-separated structure when observed in a cross section with an electron microscope. 제1항 또는 제2항에 기재된 점착 테이프로 구성된 점착제층과, 해당 점착제층에 겹쳐진 기재층을 갖는 다이싱 테이프와,
상기 다이싱 테이프의 상기 점착제층에 겹쳐진 다이 본드 시트를 구비하는, 다이싱 다이 본드 필름.A pressure-sensitive adhesive layer composed of the pressure-sensitive adhesive tape according to claim 1 or 2, and a dicing tape having a substrate layer superimposed on the pressure-sensitive adhesive layer;
A dicing die bond film comprising a die bond sheet overlapping the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape. 제6항에 있어서,
상기 점착제층과 상기 다이 본드 시트 사이의 박리력에 대해서, 상기 점착제층이 활성 에너지선에 의해 경화되기 전의 박리력(A)과 경화된 후의 박리력(B)이 하기 식(1)을 충족하는, 다이싱 다이 본드 필름.
(A)/(B)>7.0 식(1)According to claim 6,
Regarding the peel force between the pressure-sensitive adhesive layer and the die-bonding sheet, the peel force before the pressure-sensitive adhesive layer is cured by active energy rays (A) and the peel force after hardening (B) satisfy the following formula (1) , dicing die bond film.
(A)/(B)>7.0 Equation (1) 제7항에 있어서,
상기 (A)/(B)가 하기 식(2)를 충족하는, 다이싱 다이 본드 필름.
(A)/(B)>8.0 식(2)According to claim 7,
A dicing die bond film in which the above (A)/(B) satisfies the following formula (2).
(A)/(B)>8.0 Equation (2) 반도체 장치의 제조 방법이며,
회로면이 형성된 웨이퍼를 칩으로 할단하는 할단 공정과,
제6항에 기재된 다이싱 다이 본드 필름의 상기 점착 테이프에 첩부된 상기 다이 본드 시트를, 상기 칩과 함께 상기 점착 테이프로부터 박리하는 픽업 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법.
A method for manufacturing a semiconductor device,
A cutting step of cutting the wafer on which the circuit surface is formed into chips;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising a pick-up step of peeling the die-bonding sheet attached to the adhesive tape of the dicing die-bonding film according to claim 6 from the adhesive tape together with the chip.
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