KR20220153666A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

기판 처리 방법은, 하기 (A) 내지 (C)를 갖는다. (A) 기판을 수평으로 보유 지지함과 함께 회전한 상태에서, 상기 기판의 하면 중앙에 대향 배치되는 복수의 노즐을 포함하는 노즐 유닛으로부터, 상기 기판의 하면에, 산성 또는 알칼리성의 제1 약액과, 순수를 이 순서로 공급한다. (B) 상기 기판을 수평으로 보유 지지함과 함께 회전하여, 상기 기판을 건조시킨다. (C) 상기 제1 약액의 공급 후, 상기 기판의 건조 전에, 상기 노즐 유닛의 하나의 상기 노즐로부터 순수를 토출하여, 상기 노즐 유닛의 모든 상기 노즐을 덮는 순수의 세정막을 상기 노즐 유닛 상에 형성한다.The substrate processing method has the following (A) to (C). (A) In a state in which the substrate is held horizontally and rotated, an acidic or alkaline first chemical is applied to the lower surface of the substrate from a nozzle unit including a plurality of nozzles arranged opposite to each other at the center of the lower surface of the substrate; , pure water is supplied in this order. (B) The board|substrate is dried by rotating while holding the said board|substrate horizontally. (C) After supplying the first liquid chemical and before drying the substrate, pure water is discharged from one nozzle of the nozzle unit to form a cleaning film of pure water covering all the nozzles of the nozzle unit on the nozzle unit. do.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치Substrate processing method and substrate processing apparatus

본 개시는, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

특허문헌 1에 기재된 액 처리 방법은, 기판을 수평으로 보유 지지함과 함께 회전한 상태에서, 기판의 하면에 약액과, 린스액을 이 순서로 공급한다. 기판의 하면 중앙의 바로 아래에는, 복수의 노즐을 포함하는 유체 공급관이 배치된다. 유체 공급관은, 기판을 수평으로 보유 지지하는 보유 지지부의 회전축의 내부에 삽입되어 있어, 회전축이 회전해도 회전하지 않도록 설치되어 있다. 유체 공급관은, 기판의 하면에, 약액과, 린스액과, 질소 가스 등을 공급한다.In the liquid processing method described in Patent Literature 1, a chemical liquid and a rinsing liquid are supplied to the lower surface of a substrate in this order while the substrate is held horizontally and rotated. Immediately below the center of the lower surface of the substrate, a fluid supply pipe including a plurality of nozzles is disposed. The fluid supply pipe is inserted into the inside of the rotating shaft of the holding unit that horizontally holds the substrate, and is provided so as not to rotate even when the rotating shaft rotates. The fluid supply pipe supplies a chemical solution, a rinsing solution, nitrogen gas, and the like to the lower surface of the substrate.

일본 특허 공개 제2014-130931호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-130931

본 개시의 일 양태는, 기판의 하면 중앙에 대향 배치되는 노즐 유닛을 세정하는 기술을 제공한다.One aspect of the present disclosure provides a technique of cleaning a nozzle unit disposed opposite to the center of a lower surface of a substrate.

본 개시의 일 양태에 관한 기판 처리 방법은, 하기 (A) 내지 (C)를 갖는다. (A) 기판을 수평으로 보유 지지함과 함께 회전한 상태에서, 상기 기판의 하면 중앙에 대향 배치되는 복수의 노즐을 포함하는 노즐 유닛으로부터, 상기 기판의 하면에, 산성 또는 알칼리성의 제1 약액과, 순수를 이 순서로 공급한다. (B) 상기 기판을 수평으로 보유 지지함과 함께 회전하여, 상기 기판을 건조시킨다. (C) 상기 제1 약액의 공급 후, 상기 기판의 건조 전에, 상기 노즐 유닛의 하나의 상기 노즐로부터 순수를 토출하여, 상기 노즐 유닛의 모든 상기 노즐을 덮는 순수의 세정막을 상기 노즐 유닛 상에 형성한다.A substrate processing method according to one aspect of the present disclosure has the following (A) to (C). (A) In a state in which the substrate is held horizontally and rotated, an acidic or alkaline first chemical is applied to the lower surface of the substrate from a nozzle unit including a plurality of nozzles arranged opposite to each other at the center of the lower surface of the substrate; , pure water is supplied in this order. (B) The board|substrate is dried by rotating while holding the said board|substrate horizontally. (C) After supplying the first liquid chemical and before drying the substrate, pure water is discharged from one nozzle of the nozzle unit to form a cleaning film of pure water covering all the nozzles of the nozzle unit on the nozzle unit. do.

본 개시의 일 양태에 의하면, 기판의 하면 중앙에 대향 배치되는 노즐 유닛을 세정할 수 있다.According to one aspect of the present disclosure, it is possible to clean nozzle units disposed opposite to each other in the center of the lower surface of the substrate.

도 1은 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치를 도시하는 단면도이다.
도 2는 일 실시 형태에 관한 기판 처리 방법을 도시하는 도면이다.
도 3은 도 2의 S101의 일례를 도시하는 도면이다.
도 4는 도 2의 S102의 일례를 도시하는 도면이다.
도 5는 도 2의 S103의 일례를 도시하는 도면이다.
도 6은 도 2의 S104의 일례를 도시하는 도면이다.
도 7은 도 2의 S105의 일례를 도시하는 도면이다.
도 8은 도 2의 S106의 일례를 도시하는 도면이다.
도 9는 도 2의 S107의 일례를 도시하는 도면이다.
도 10은 도 2의 S108의 일례를 도시하는 도면이다.
도 11은 변형예에 관한 기판 처리 방법을 도시하는 도면이다.
도 12는 도 11의 S106의 일례를 도시하는 도면이다.
도 13은 도 11의 S107의 일례를 도시하는 도면이다.
도 14는 배플 플레이트의 제1 예를 도시하는 평면도이다.
도 15는 도 14의 XV-XV선을 따른 단면도이며, 기판의 상면에 유기 용제가 공급된 상태를 도시하는 단면도이다.
도 16은 도 15의 배플 플레이트를 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 17은 배플 플레이트의 제2 예를 도시하는 단면도이다.
도 18은 배플 플레이트의 제3 예를 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment.
2 is a diagram illustrating a substrate processing method according to an embodiment.
FIG. 3 is a diagram showing an example of S101 in FIG. 2 .
FIG. 4 is a diagram showing an example of S102 in FIG. 2 .
FIG. 5 is a diagram showing an example of S103 in FIG. 2 .
FIG. 6 is a diagram showing an example of S104 in FIG. 2 .
FIG. 7 is a diagram showing an example of S105 in FIG. 2 .
FIG. 8 is a diagram showing an example of S106 in FIG. 2 .
FIG. 9 is a diagram showing an example of S107 in FIG. 2 .
FIG. 10 is a diagram showing an example of S108 in FIG. 2 .
11 is a diagram showing a substrate processing method according to a modified example.
FIG. 12 is a diagram showing an example of S106 in FIG. 11 .
FIG. 13 is a diagram showing an example of S107 in FIG. 11 .
14 is a plan view showing a first example of a baffle plate.
FIG. 15 is a cross-sectional view taken along the line XV-XV of FIG. 14, and is a cross-sectional view showing a state in which an organic solvent is supplied to the upper surface of the substrate.
16 is an enlarged cross-sectional view of the baffle plate of FIG. 15;
17 is a cross-sectional view showing a second example of a baffle plate.
18 is a sectional view showing a third example of a baffle plate.

이하, 본 개시의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일한 또는 대응하는 구성에는 동일한 부호를 붙이고, 설명을 생략하는 경우가 있다. 본 명세서에 있어서, X축 방향, Y축 방향, Z축 방향은 서로 수직인 방향이다. X축 방향 및 Y축 방향은 수평 방향, Z축 방향은 연직 방향이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this disclosure is described with reference to drawings. In addition, in each figure, the same code|symbol is attached|subjected to the same or corresponding structure, and description may be abbreviate|omitted. In the present specification, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction are directions perpendicular to each other. The X-axis direction and the Y-axis direction are horizontal directions, and the Z-axis direction is a vertical direction.

우선, 도 1을 참조하여, 기판 처리 장치(10)에 대하여 설명한다. 기판 처리 장치(10)는, 기판 W를 처리한다. 기판 W는, 예를 들어 실리콘 웨이퍼 또는 화합물 반도체 웨이퍼 등을 포함한다. 또한, 기판 W는, 유리 기판이어도 된다. 기판 처리 장치(10)는, 예를 들어 보유 지지부(20)와, 회전부(30)와, 제1 액 공급부(40)와, 제2 액 공급부(50)와, 노즐 유닛(60)과, 링(62)과, 홈통(63)과, 유체 공급 유닛(70)과, 컵(80)과, 제어부(90)를 구비한다.First, with reference to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 is demonstrated. The substrate processing apparatus 10 processes the substrate W. The substrate W includes, for example, a silicon wafer or a compound semiconductor wafer. In addition, the substrate W may be a glass substrate. The substrate processing apparatus 10 includes, for example, a holding part 20, a rotating part 30, a first liquid supply part 40, a second liquid supply part 50, a nozzle unit 60, and a ring. 62, a trough 63, a fluid supply unit 70, a cup 80, and a control unit 90.

보유 지지부(20)는, 기판 W를 수평으로 보유 지지한다. 기판 W는, 상면 Wa와, 하면 Wb를 포함한다. 보유 지지부(20)는, 기판 W의 하면 Wb와의 사이에 공간을 형성하는 베이스 플레이트(21)와, 기판 W의 주연을 파지하는 개폐 갈고리(22)를 갖는다. 베이스 플레이트(21)는 원반형이며, 수평으로 배치된다. 베이스 플레이트(21)의 중앙에는 구멍이 형성되고, 그 구멍에는 유체 공급 유닛(70)의 유체 공급축(71)이 배치된다. 개폐 갈고리(22)는, 베이스 플레이트(21)의 주연을 따라서 간격을 두고 복수 배치된다.The holding portion 20 holds the substrate W horizontally. The substrate W includes an upper surface Wa and a lower surface Wb. The holding portion 20 has a base plate 21 forming a space between the lower surface of the substrate W and Wb, and an opening/closing claw 22 holding the periphery of the substrate W. The base plate 21 is disk-shaped and is horizontally disposed. A hole is formed in the center of the base plate 21, and the fluid supply shaft 71 of the fluid supply unit 70 is disposed in the hole. A plurality of opening and closing claws 22 are arranged along the periphery of the base plate 21 at intervals.

회전부(30)는, 보유 지지부(20)를 회전시킨다. 회전부(30)는, 예를 들어 보유 지지부(20)의 베이스 플레이트(21)의 중앙으로부터 하방으로 연장되는 회전축(31)과, 회전축(31)을 회전시키는 회전 모터(32)와, 회전 모터(32)의 회전 구동력을 회전축(31)에 전달하는 벨트(33)를 포함한다. 회전축(31)은 통형이며, 회전축(31)의 내부에는 유체 공급축(71)이 배치된다. 유체 공급축(71)은, 고정되어 있어, 회전축(31)과 함께는 회전되지 않는다.The rotating part 30 rotates the holding part 20 . The rotary part 30 includes, for example, a rotary shaft 31 extending downward from the center of the base plate 21 of the holding part 20, a rotary motor 32 for rotating the rotary shaft 31, and a rotary motor ( 32) and a belt 33 that transmits the rotational driving force to the rotational shaft 31. The rotating shaft 31 is cylindrical, and the fluid supply shaft 71 is disposed inside the rotating shaft 31 . The fluid supply shaft 71 is fixed and does not rotate together with the rotation shaft 31 .

제1 액 공급부(40)는, 보유 지지부(20)에 보유 지지된 기판 W의 상면 Wa에 대하여, 액체를 공급한다. 제1 액 공급부(40)는, 예를 들어 액체를 토출하는 노즐(41)과, 노즐(41)을 기판 W의 직경 방향으로 이동시키는 이동 기구(42)와, 노즐(41)에 대하여 액체를 공급하는 공급 라인(43)을 갖는다. 노즐(41)은, 보유 지지부(20)의 상방에 마련되어, 하향으로 액체를 토출한다.The first liquid supply unit 40 supplies liquid to the upper surface Wa of the substrate W held by the holding unit 20 . The first liquid supply unit 40 includes, for example, a nozzle 41 for discharging liquid, a moving mechanism 42 for moving the nozzle 41 in the radial direction of the substrate W, and a liquid for the nozzle 41. It has a supply line 43 for supplying. The nozzle 41 is provided above the holding portion 20 and discharges liquid downward.

이동 기구(42)는, 예를 들어 노즐(41)을 보유 지지하는 선회 암(42a)과, 선회 암(42a)을 선회시키는 선회 기구(42b)를 갖는다. 선회 기구(42b)는, 선회 암(42a)을 승강시키는 기구를 겸해도 된다. 선회 암(42a)은, 수평으로 배치되고, 그 긴 변 방향 일단부에서 노즐(41)을 보유 지지하고, 그 긴 변 방향 타단부로부터 하방으로 연장되는 선회축을 중심으로 선회시켜진다. 또한, 이동 기구(42)는, 선회 암(42a)과 선회 기구(42b) 대신에, 가이드 레일과 직동 기구를 가져도 된다. 가이드 레일은 수평으로 배치되고, 직동 기구가 가이드 레일을 따라서 노즐(41)을 이동시킨다.The moving mechanism 42 has, for example, a swinging arm 42a holding the nozzle 41 and a swinging mechanism 42b turning the swinging arm 42a. The swinging mechanism 42b may serve as a mechanism for raising and lowering the swinging arm 42a. The swing arm 42a is disposed horizontally, holds the nozzle 41 at one end in the long side direction, and is pivoted around a pivot axis extending downward from the other end in the long side direction. In addition, the movement mechanism 42 may have a guide rail and a linear mechanism instead of the swing arm 42a and the swing mechanism 42b. The guide rail is arranged horizontally, and a linear mechanism moves the nozzle 41 along the guide rail.

공급 라인(43)은, 예를 들어 공통 라인(43a)과, 공통 라인(43a)에 접속되는 복수의 개별 라인(43b)을 포함한다. 개별 라인(43b)은, 액체의 종류마다 마련된다. 액체의 종류로서는, 예를 들어 제1 약액 L1과, 제2 약액 L2와, 순수 L3을 들 수 있다. 제1 약액 L1과 제2 약액 L2는, 한쪽이 산성이고, 다른 쪽이 알칼리성이다. 산성의 약액은, 예를 들어 DHF(희불산) 등이다. 알칼리성의 약액은, 예를 들어 SC1(과산화수소와 수산화암모늄을 포함하는 수용액) 등이다. 순수 L3은, 예를 들어 DIW(탈이온수)이다. 개별 라인(43b)의 도중에는, 액체의 유로를 개폐하는 개폐 밸브(45)와, 액체의 유량을 제어하는 유량 제어기(46)가 마련된다.The supply line 43 includes, for example, a common line 43a and a plurality of individual lines 43b connected to the common line 43a. Individual lines 43b are provided for each type of liquid. Examples of the type of liquid include first chemical liquid L1, second chemical liquid L2, and pure water L3. One of the first chemical solution L1 and the second chemical solution L2 is acidic and the other is alkaline. An acidic chemical solution is, for example, DHF (dilute hydrofluoric acid) or the like. The alkaline chemical solution is, for example, SC1 (aqueous solution containing hydrogen peroxide and ammonium hydroxide) or the like. Pure L3 is, for example, DIW (deionized water). In the middle of the individual line 43b, an on-off valve 45 for opening and closing the flow path of the liquid and a flow controller 46 for controlling the flow rate of the liquid are provided.

또한, 제1 약액 L1과, 제2 약액 L2와, 순수 L3은, 도 1에서는 1개의 노즐(41)로부터 토출되지만, 다른 노즐(41)로부터 토출되어도 된다. 노즐(41)의 수가 복수인 경우, 노즐(41)마다 공급 라인(43)이 마련된다.In addition, although the first chemical liquid L1, the second chemical liquid L2, and the pure water L3 are discharged from one nozzle 41 in FIG. 1, they may be discharged from different nozzles 41. When the number of nozzles 41 is plural, a supply line 43 is provided for each nozzle 41 .

제2 액 공급부(50)는, 제1 액 공급부(40)와 마찬가지로, 보유 지지부(20)에 보유 지지된 기판 W의 상면 Wa에 대하여, 액체를 공급한다. 제2 액 공급부(50)는, 예를 들어 액체를 토출하는 노즐(51)과, 노즐(51)을 기판 W의 직경 방향으로 이동시키는 이동 기구(52)와, 노즐(51)에 대하여 액체를 공급하는 공급 라인(53)을 갖는다. 노즐(51)은, 보유 지지부(20)의 상방에 마련되며, 하향으로 액체를 토출한다. 제2 액 공급부(50)의 노즐(51)과, 제1 액 공급부(40)의 노즐(41)은, 독립적으로 이동된다.Like the first liquid supply unit 40 , the second liquid supply unit 50 supplies liquid to the upper surface Wa of the substrate W held by the holding unit 20 . The second liquid supply unit 50 includes, for example, a nozzle 51 for discharging liquid, a moving mechanism 52 for moving the nozzle 51 in the radial direction of the substrate W, and a liquid for the nozzle 51. It has a supply line 53 to supply. The nozzle 51 is provided above the holding portion 20 and discharges liquid downward. The nozzle 51 of the second liquid supply unit 50 and the nozzle 41 of the first liquid supply unit 40 are moved independently.

이동 기구(52)는, 예를 들어 노즐(51)을 보유 지지하는 선회 암(52a)과, 선회 암(52a)을 선회시키는 선회 기구(52b)를 갖는다. 선회 기구(52b)는, 선회 암(52a)을 승강시키는 기구를 겸해도 된다. 선회 암(52a)은, 수평으로 배치되며, 그 긴 변 방향 일단부에서 노즐(51)을 보유 지지하고, 그 긴 변 방향 타단부로부터 하방으로 연장되는 선회축을 중심으로 선회시켜진다. 또한, 이동 기구(52)는, 선회 암(52a)과 선회 기구(52b) 대신에, 가이드 레일과 직동 기구를 가져도 된다. 가이드 레일은 수평으로 배치되며, 직동 기구가 가이드 레일을 따라서 노즐(51)을 이동시킨다.The moving mechanism 52 has, for example, a swinging arm 52a holding the nozzle 51 and a swinging mechanism 52b turning the swinging arm 52a. The swinging mechanism 52b may also serve as a mechanism for raising and lowering the swinging arm 52a. The swivel arm 52a is horizontally arranged, holds the nozzle 51 at one end in the longitudinal direction, and is pivoted around a pivot axis extending downward from the other end in the longitudinal direction. In addition, the movement mechanism 52 may have a guide rail and a linear mechanism instead of the swing arm 52a and the swing mechanism 52b. The guide rail is arranged horizontally, and a linear mechanism moves the nozzle 51 along the guide rail.

공급 라인(53)은, IPA 등의 유기 용제 L4를, 노즐(51)에 대하여 공급한다. 공급 라인(53)의 도중에는, 유기 용제 L4의 유로를 개폐하는 개폐 밸브(55)와, 유기 용제 L4의 유량을 제어하는 유량 제어기(56)가 마련된다.The supply line 53 supplies organic solvent L4 such as IPA to the nozzle 51 . In the middle of the supply line 53, an on-off valve 55 for opening and closing the flow path of the organic solvent L4 and a flow controller 56 for controlling the flow rate of the organic solvent L4 are provided.

유기 용제 L4는, 순수 L3에 비해, 낮은 표면 장력을 갖는 것이 사용된다. 기판 W의 상면 Wa의 액막을, 순수 L3의 액막으로부터 유기 용제 L4의 액막으로 치환한 후에, 기판 W를 건조시킬 수 있다. 기판 W의 건조 시에, 표면 장력에 의한 요철 패턴의 도괴를 억제할 수 있다.As the organic solvent L4, one having a lower surface tension than pure L3 is used. After the liquid film of Wa on the upper surface of the substrate W is replaced with the liquid film of the organic solvent L4 from the liquid film of pure L3, the substrate W can be dried. When the substrate W is dried, collapse of the concavo-convex pattern due to surface tension can be suppressed.

요철 패턴은, 기판 W의 상면 Wa에 미리 형성된다. 요철 패턴은, 기판 W의 하면 Wb에는 미리 형성되어 있지 않아도 된다. 따라서, 유기 용제 L4는, 기판 W의 상면 Wa에 공급되면 되고, 기판 W의 하면 Wb에는 공급되지 않아도 된다.The concavo-convex pattern is formed in advance on the upper surface Wa of the substrate W. The concavo-convex pattern does not have to be formed in advance on the lower surface Wb of the substrate W. Therefore, the organic solvent L4 only needs to be supplied to the upper surface Wa of the substrate W, and it is not necessary to supply it to the lower surface Wb of the substrate W.

본 실시 형태에서는, 후술하는 바와 같이, 기판 W의 상면 Wa의 액막을 순수 L3의 액막으로부터 유기 용제 L4의 액막으로 치환할 때, 액막이 도중에 끊어지지 않도록, 순수 L3의 공급 위치와 유기 용제 L4의 공급 위치를 독립적으로 이동시킨다. 구체적으로는, 유기 용제 L4의 공급 위치를 기판 W의 상면 Wa의 중심에 고정한 상태에서, 순수 L3의 공급 위치를 기판 W의 직경 방향 외측으로 이동시킨다. 그 때문에, 제2 액 공급부(50)와, 제1 액 공급부(40)는, 각각 마련된다.In this embodiment, as will be described later, when replacing the liquid film on the upper surface Wa of the substrate W with the liquid film of organic solvent L4 from the liquid film of pure L3, the pure water L3 supply position and the supply of organic solvent L4 so that the liquid film does not break on the way. position independently. Specifically, while the supply position of the organic solvent L4 is fixed at the center of the upper surface Wa of the substrate W, the supply position of the pure water L3 is moved outward in the radial direction of the substrate W. Therefore, the second liquid supply unit 50 and the first liquid supply unit 40 are respectively provided.

단, 기판 W의 요철 패턴의 치수 및 형상, 기판 W의 재질 등에 따라서는, 유기 용제 L4의 공급 위치를 기판 W의 상면 Wa의 중심에 고정한 상태에서, 순수 L3의 공급 위치를 기판 W의 직경 방향 외측으로 이동시키지 않아도 되는 경우가 있다. 이 경우, 제2 액 공급부(50)는 없어도 되고, 제1 액 공급부(40)의 노즐(41)이 유기 용제 L4를 토출해도 된다.However, depending on the size and shape of the concave-convex pattern of the substrate W, the material of the substrate W, etc., while the organic solvent L4 supply position is fixed to the center of the upper surface Wa of the substrate W, the supply position of pure L3 is set in the radial direction of the substrate W. There are cases in which it is not necessary to move it to the outside. In this case, the second liquid supply unit 50 may not be present, and the nozzle 41 of the first liquid supply unit 40 may discharge the organic solvent L4.

노즐 유닛(60)은, 도 6 등에 도시한 바와 같이, 보유 지지부(20)로 보유 지지된 기판 W의 하면 중앙에 대향 배치되는 복수의 노즐(61A, 61B, 61C)을 포함한다. 하면 중앙이란, 예를 들어 하면 중심으로부터 50㎜ 이내의 영역이다. 복수의 노즐(61A, 61B, 61C)은, 노즐 유닛(60)의 상면에 형성되며, 각각, 상방으로 유체를 토출한다. 노즐(61A)은, 예를 들어 제1 약액 L1과, 제2 약액 L2와, 순수 L3을 상방으로 토출한다. 노즐(61B)은, 예를 들어 순수 L3을 상방으로 토출한다. 노즐(61C)은, 예를 들어 N2 가스 등의 가스를 상방으로 토출한다.As shown in FIG. 6 and the like, the nozzle unit 60 includes a plurality of nozzles 61A, 61B, and 61C disposed opposite to each other at the center of the lower surface of the substrate W held by the holding portion 20 . The center of the lower surface is, for example, an area within 50 mm from the center of the lower surface. A plurality of nozzles 61A, 61B, and 61C are formed on the upper surface of the nozzle unit 60 and discharge fluid upward, respectively. The nozzle 61A discharges, for example, the first chemical liquid L1, the second chemical liquid L2, and the pure water L3 upward. Nozzle 61B discharges pure water L3 upwards, for example. Nozzle 61C discharges gas, such as N2 gas, upward , for example.

노즐 유닛(60)의 상면에는, 복수의 노즐(61A, 61B, 61C)을 둘러싸는 링(62)이 마련된다. 링(62)은, 노즐 유닛(60)의 상면의 주연으로부터 상방으로 돌출되며, 내부에 순수 L3을 저류한다. 링(62)은, 예를 들어 노즐 유닛(60)의 상면의 주연으로부터 연직 상방을 향할수록 기판 W의 직경 방향 외측으로 경사지는 경사부(62a)와, 경사부(62a)의 상단으로부터 바로 아래로 연장되는 연직부(62b)를 포함한다.On the upper surface of the nozzle unit 60, a ring 62 surrounding the plurality of nozzles 61A, 61B, and 61C is provided. The ring 62 protrudes upward from the periphery of the upper surface of the nozzle unit 60, and stores pure L3 therein. The ring 62 includes, for example, an inclined portion 62a that inclines outward in the radial direction of the substrate W as it goes vertically upward from the periphery of the upper surface of the nozzle unit 60, and immediately below the upper end of the inclined portion 62a. It includes a vertical portion (62b) extending to.

노즐 유닛(60)은, 링형의 홈통(63)의 내측에 배치된다. 홈통(63)은, 링(62)으로부터 오버플로한 순수 L3을 저류한다. 홈통(63)은, 노즐 유닛(60)을 둘러싸는 내벽(63a)과, 내벽(63a)의 외측에 배치되는 외벽(63b)과, 내벽(63a)과 외벽(63b) 사이에 형성되는 홈(63c)과, 홈(63c)의 바닥을 형성하는 저벽(63d)을 포함한다.The nozzle unit 60 is disposed inside the ring-shaped gutter 63 . The gutter 63 stores pure L3 overflowing from the ring 62. The gutter 63 includes an inner wall 63a surrounding the nozzle unit 60, an outer wall 63b disposed outside the inner wall 63a, and a groove formed between the inner wall 63a and the outer wall 63b ( 63c), and a bottom wall 63d forming the bottom of the groove 63c.

홈통(63)의 홈(63c)에는, 링(62)의 연직부(62b)의 하단이 삽입된다. 연직부(62b)를 따라서 흘러내리는 순수 L3은, 홈통(63)의 홈(63c)에 일시적으로 저류되고, 홈통(63)의 외벽(63b)으로부터 외측으로 오버플로된다. 순수 L3이 홈통(63)의 내벽(63a)으로부터 내측으로 오버플로하지 않도록, 홈통(63)의 내벽(63a)과 노즐 유닛(60) 사이에는 N2 가스 등의 가스가 공급된다.The lower end of the vertical portion 62b of the ring 62 is inserted into the groove 63c of the gutter 63. The pure water L3 flowing down along the vertical portion 62b is temporarily stored in the groove 63c of the gutter 63, and overflows outward from the outer wall 63b of the gutter 63. A gas such as N 2 gas is supplied between the inner wall 63a of the gutter 63 and the nozzle unit 60 so that pure water L3 does not overflow inward from the inner wall 63a of the gutter 63 .

도 1에 도시한 바와 같이, 유체 공급 유닛(70)은, 노즐 유닛(60)에 대하여, 제1 약액 L1과, 제2 약액 L2와, 순수 L3과, 가스를 공급한다. 유체 공급 유닛(70)은, 노즐 유닛(60)이 상단에 마련되는 유체 공급축(71)을 갖는다. 유체 공급축(71)은, 회전축(31)의 내부에 배치되어, 회전축(31)과 함께는 회전되지 않는다. 유체 공급축(71)에는, 복수의 노즐(61A, 61B, 61C)에 접속되는 복수의 공급 라인(72A, 72B, 72C)이 마련된다.As shown in FIG. 1 , the fluid supply unit 70 supplies the first chemical liquid L1 , the second chemical liquid L2 , the pure water L3 , and gas to the nozzle unit 60 . The fluid supply unit 70 has a fluid supply shaft 71 on which the nozzle unit 60 is provided at the upper end. The fluid supply shaft 71 is disposed inside the rotation shaft 31 and does not rotate together with the rotation shaft 31 . The fluid supply shaft 71 is provided with a plurality of supply lines 72A, 72B, and 72C connected to a plurality of nozzles 61A, 61B, and 61C.

공급 라인(72A)은, 노즐(61A)에 접속되어, 노즐(61A)에, 제1 약액 L1과, 제2 약액 L2와, 순수 L3을 공급한다. 공급 라인(72A)은, 예를 들어 공통 라인(72Aa)과, 공통 라인(72Aa)에 접속되는 복수의 개별 라인(72Ab)을 포함한다. 개별 라인(72Ab)은, 액체의 종류마다 마련된다. 개별 라인(72Ab)의 도중에는, 제1 약액 L1 등의 유로를 개폐하는 개폐 밸브(75A)와, 및 제1 약액 L1 등의 유량을 제어하는 유량 제어기(76A)가 마련된다.The supply line 72A is connected to the nozzle 61A, and supplies the first chemical liquid L1, the second chemical liquid L2, and the pure water L3 to the nozzle 61A. The supply line 72A includes, for example, a common line 72Aa and a plurality of individual lines 72Ab connected to the common line 72Aa. Individual lines 72Ab are provided for each type of liquid. In the middle of the individual line 72Ab, an opening/closing valve 75A for opening and closing the passage of the first chemical liquid L1 and the like and a flow controller 76A for controlling the flow rate of the first chemical liquid L1 and the like are provided.

마찬가지로, 공급 라인(72B)은, 노즐(61B)에 접속되어, 노즐(61B)에, 순수 L3을 공급한다. 공급 라인(72B)의 도중에는, 순수 L3의 유로를 개폐하는 개폐 밸브(75B)와, 순수 L3의 유량을 제어하는 유량 제어기(76B)와, 순수 L3의 온도를 조절하는 온도 조절기(77B)가 마련된다. 온도 조절기(77B)는, 예를 들어 순수 L3을 가열하는 히터를 포함한다. 또한, 공급 라인(72B)의 순수 L3의 공급원과, 공급 라인(72A)의 순수 L3의 공급원은, 도 1에서는 공통의 것이 1개 마련되지만, 각각의 것이 마련되어도 된다.Similarly, the supply line 72B is connected to the nozzle 61B and supplies the pure water L3 to the nozzle 61B. In the middle of the supply line 72B, an on-off valve 75B for opening and closing the flow path of the pure L3, a flow controller 76B for controlling the flow rate of the pure L3, and a temperature controller 77B for adjusting the temperature of the pure L3 are provided. do. The temperature controller 77B includes a heater for heating pure water L3, for example. In addition, although the supply source of the pure water L3 of the supply line 72B and the supply source of the pure water L3 of the supply line 72A are provided with one common thing in FIG. 1, each thing may be provided.

또한, 공급 라인(72C)은, 노즐(61C)에 접속되어, 노즐(61C)에, N2 가스 등의 가스를 공급한다. 공급 라인(72C)의 도중에는, 가스의 유로를 개폐하는 개폐 밸브(75C)와, 액체의 유량을 제어하는 유량 제어기(76C)가 마련된다.Moreover, 72 C of supply lines are connected to 61 C of nozzles, and supply gas, such as N2 gas, to 61 C of nozzles. In the middle of the supply line 72C, an on-off valve 75C for opening and closing the flow path of gas and a flow controller 76C for controlling the flow rate of liquid are provided.

컵(80)은, 기판 W에 대하여 공급된 각종 액체를 회수한다. 컵(80)은, 원통부(81)와, 바닥 덮개부(82)와, 경사부(83)를 포함한다. 원통부(81)는, 기판 W의 직경보다도 큰 내경을 갖고, 연직으로 배치된다. 바닥 덮개부(82)는, 원통부(81)의 하단의 개구를 폐색한다. 경사부(83)는, 원통부(81)의 상단 전체 둘레에 걸쳐 형성되며, 원통부(81)의 직경 방향 내측을 향할수록 상방으로 경사진다. 바닥 덮개부(82)에는, 컵(80)의 내부에 저류된 액체를 배출하는 배액관(84)과, 컵(80)의 내부에 저류된 기체를 배출하는 배기관(85)이 마련된다.The cup 80 collects various liquids supplied to the substrate W. The cup 80 includes a cylindrical portion 81, a bottom cover portion 82, and an inclined portion 83. The cylindrical portion 81 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W and is vertically arranged. The bottom cover portion 82 closes the opening at the lower end of the cylindrical portion 81 . The inclined portion 83 is formed over the entire circumference of the upper end of the cylindrical portion 81 and inclines upward toward the radially inner side of the cylindrical portion 81 . The bottom cover 82 is provided with a drain pipe 84 for discharging liquid stored inside the cup 80 and an exhaust pipe 85 for discharging gas stored inside the cup 80 .

제어부(90)는, 회전부(30)와, 제1 액 공급부(40)와, 제2 액 공급부(50)와, 유체 공급 유닛(70)을 제어한다. 제어부(90)는, 예를 들어 컴퓨터이며, CPU(Central Processing Unit)(91)와, 메모리 등의 기억 매체(92)를 구비한다. 기억 매체(92)에는, 기판 처리 장치(10)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(90)는, 기억 매체(92)에 기억된 프로그램을 CPU(91)에 실행시킴으로써, 기판 처리 장치(10)의 동작을 제어한다.The controller 90 controls the rotation unit 30, the first liquid supply unit 40, the second liquid supply unit 50, and the fluid supply unit 70. The control unit 90 is, for example, a computer, and includes a CPU (Central Processing Unit) 91 and a storage medium 92 such as a memory. The storage medium 92 stores programs that control various processes executed in the substrate processing apparatus 10 . The controller 90 controls the operation of the substrate processing apparatus 10 by causing the CPU 91 to execute a program stored in the storage medium 92 .

다음에, 도 2 등을 참조하여, 기판 처리 방법에 대하여 설명한다. 도 2 등에 도시한 각 스텝 S101 내지 S108은, 제어부(90)에 의한 제어 하에서 실시된다. 각 스텝 S101 내지 S108에서는, 기판 W는, 수평으로 보유 지지되고, 또한 연직의 회전축(31)을 중심으로 회전시켜진다. 또한, 각 스텝 S101 내지 S108에서는, 노즐 유닛(60)의 노즐(61C)이 가스를 계속해서 토출한다.Next, with reference to FIG. 2 and the like, a substrate processing method will be described. Steps S101 to S108 shown in FIG. 2 and the like are performed under the control of the control unit 90 . In each of steps S101 to S108, the substrate W is held horizontally and rotated around the vertical rotation axis 31. Moreover, in each step S101 - S108, the nozzle 61C of the nozzle unit 60 discharges gas continuously.

우선, 스텝 S101에서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 기판 W의 상면 Wa와 하면 Wb의 양쪽에, 제1 약액 L1을 공급한다. 제1 약액 L1은, 제1 액 공급부(40)의 노즐(41)로부터 기판 W의 상면 중앙에 공급되어, 원심력에 의해 상면 전체에 습윤 확산되어, 상면 전체를 처리한다. 또한, 제1 약액 L1은, 노즐 유닛(60)의 노즐(61A)로부터 기판 W의 하면 중앙에 공급되어, 원심력에 의해 하면 전체에 습윤 확산되어, 하면 전체를 처리한다.First, in step S101, as shown in FIG. 3 , the first chemical liquid L1 is supplied to both the upper surface Wa and the lower surface Wb of the substrate W. The first liquid chemical L1 is supplied from the nozzle 41 of the first liquid supply unit 40 to the center of the upper surface of the substrate W, and wets and spreads over the entire upper surface by centrifugal force to treat the entire upper surface. In addition, the first liquid chemical L1 is supplied to the center of the lower surface of the substrate W from the nozzle 61A of the nozzle unit 60, and wets and spreads over the entire lower surface by centrifugal force to treat the entire lower surface.

상기 스텝 S101에서는, 제1 약액 L1은, 기판 W의 하면 Wb와의 충돌에 의해 비산되어, 액적을 형성한다. 그 액적이, 노즐 유닛(60) 상에 부착된다.In step S101, the first chemical liquid L1 is scattered by collision with the lower surface Wb of the substrate W to form droplets. The droplet adheres on the nozzle unit 60 .

다음에, 스텝 S102에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 기판 W의 상면 Wa와 하면 Wb의 양쪽에 순수 L3을 공급하여, 상기 S101에서 형성된 제1 약액 L1의 액막을 순수 L3의 액막으로 치환한다. 순수 L3은, 제1 액 공급부(40)의 노즐(41)로부터 기판 W의 상면 중앙에 공급되어, 원심력에 의해 상면 전체에 습윤 확산되어, 상면 Wa에 남는 제1 약액 L1을 씻어버리고, 상면 Wa에 순수 L3의 액막을 형성한다. 또한, 순수 L3은, 노즐 유닛(60)의 노즐(61A)로부터 기판 W의 하면 중앙에 공급되어, 원심력에 의해 하면 전체에 습윤 확산되어, 하면 Wb에 남는 제1 약액 L1을 씻어버리고, 하면 Wb에 순수 L3의 액막을 형성한다.Next, in step S102, as shown in FIG. 4, pure L3 is supplied to both the upper surface Wa and the lower surface Wb of the substrate W, and the liquid film of the first chemical liquid L1 formed in the above S101 is replaced with a liquid film of pure L3. . The pure water L3 is supplied to the center of the upper surface of the substrate W from the nozzle 41 of the first liquid supply unit 40, and is wetted and spread over the entire upper surface by centrifugal force to wash away the first chemical liquid L1 remaining on the upper surface Wa, and the upper surface Wa to form a liquid film of pure L3. In addition, the pure water L3 is supplied from the nozzle 61A of the nozzle unit 60 to the center of the lower surface of the substrate W, and is wetted and spread over the entire lower surface by centrifugal force to wash away the first chemical liquid L1 remaining on the lower surface Wb, and to form a liquid film of pure L3.

다음에, 스텝 S103에서는, 도 5에 도시한 바와 같이, 기판 W의 상면 Wa와 하면 Wb의 양쪽에, 제2 약액 L2를 공급하여, 상기 S102에서 형성된 순수 L3의 액막을 제2 약액 L2의 액막으로 치환한다. 제2 약액 L2는, 제1 액 공급부(40)의 노즐(41)로부터 기판 W의 상면 중앙에 공급되어, 원심력에 의해 상면 전체에 습윤 확산되어, 상면 전체를 처리한다. 또한, 제2 약액 L2는, 노즐 유닛(60)의 노즐(61A)로부터 기판 W의 하면 중앙에 공급되어, 원심력에 의해 하면 전체에 습윤 확산되어, 하면 전체를 처리한다.Next, in step S103, as shown in FIG. 5, the second chemical liquid L2 is supplied to both the upper surface Wa and the lower surface Wb of the substrate W, so that the liquid film of pure L3 formed in the above S102 is formed as a liquid film of the second chemical liquid L2. Replace with The second liquid chemical L2 is supplied from the nozzle 41 of the first liquid supply unit 40 to the center of the upper surface of the substrate W, and wets and spreads over the entire upper surface by centrifugal force to treat the entire upper surface. In addition, the second liquid chemical L2 is supplied from the nozzle 61A of the nozzle unit 60 to the center of the lower surface of the substrate W, and wets and spreads over the entire lower surface by centrifugal force to treat the entire lower surface.

상기 스텝 S103에서는, 제2 약액 L2는, 기판 W의 하면 Wb와의 충돌에 의해 비산하여, 액적을 형성한다. 그 액적이, 노즐 유닛(60) 상에 부착된다. 그 결과, 노즐 유닛(60) 상에서, 제1 약액 L1과 제2 약액 L2의 중화 반응이 발생하여, 결정이 석출된다. 석출된 결정이, 파티클 P를 형성한다.In step S103, the second chemical liquid L2 is scattered by collision with the lower surface Wb of the substrate W to form droplets. The droplet adheres on the nozzle unit 60 . As a result, on the nozzle unit 60, a neutralization reaction between the first chemical liquid L1 and the second chemical liquid L2 occurs, and crystals are precipitated. The precipitated crystals form particles P.

다음에, 스텝 S104에서는, 도 6에 도시한 바와 같이, 기판 W의 상면 Wa와 하면 Wb의 양쪽에 순수 L3을 공급하고, 상기 S103에서 형성된 제2 약액 L2의 액막을 순수 L3의 액막으로 치환한다. 순수 L3은, 제1 액 공급부(40)의 노즐(41)로부터 기판 W의 상면 중앙에 공급되어, 원심력에 의해 상면 전체에 습윤 확산되어, 상면 Wa에 남는 제2 약액 L2를 씻어버리고, 상면 Wa에 순수 L3의 액막을 형성한다. 또한, 순수 L3은, 노즐 유닛(60)의 노즐(61A)로부터 기판 W의 하면 중앙에 공급되어, 원심력에 의해 하면 전체에 습윤 확산되어, 하면 Wb에 남는 제2 약액 L2를 씻어버리고, 하면 Wb에 순수 L3의 액막을 형성한다.Next, in step S104, as shown in FIG. 6, pure L3 is supplied to both the upper surface Wa and the lower surface Wb of the substrate W, and the liquid film of the second chemical liquid L2 formed in the above S103 is replaced with the liquid film of pure L3. . The pure water L3 is supplied to the center of the upper surface of the substrate W from the nozzle 41 of the first liquid supply unit 40, and is wetted and spread over the entire upper surface by centrifugal force to wash away the second chemical liquid L2 remaining on the upper surface Wa, and the upper surface Wa to form a liquid film of pure L3. In addition, the pure water L3 is supplied from the nozzle 61A of the nozzle unit 60 to the center of the lower surface of the substrate W, and is wetted and spread over the entire lower surface by centrifugal force to wash away the second chemical liquid L2 remaining on the lower surface Wb, and to form a liquid film of pure L3.

본 실시 형태에서는, 상기 스텝 S104에 있어서, 노즐 유닛(60)의 하나의 노즐(61B)이 순수 L3을 토출하여, 순수 L3의 세정막 F를 노즐 유닛(60) 상에 형성한다. 세정막 F는, 노즐 유닛(60)의 모든 노즐(61A, 61B, 61C)을 덮는다. 세정막 F는, 파티클 P도 덮어, 파티클 P를 용해하여 제거한다. 따라서, 노즐 유닛(60)을 세정할 수 있다.In the present embodiment, in step S104, one nozzle 61B of the nozzle unit 60 discharges the pure water L3 to form a cleaning film F of the pure water L3 on the nozzle unit 60. The cleaning film F covers all nozzles 61A, 61B, and 61C of the nozzle unit 60 . The cleaning film F also covers the particle P, dissolves and removes the particle P. Therefore, the nozzle unit 60 can be cleaned.

노즐 유닛(60)은, 기판 W의 하면 중앙에 대향 배치되며, 기판 W의 하면 Wb의 근방에 배치된다. 그 때문에, 노즐 유닛(60)의 상면에서 파티클 P가 발생하면, 발생한 파티클 P가 비산되어, 기판 W의 하면 중앙을 오염시킬 수 있다. 본 실시 형태에 따르면, 노즐 유닛(60)의 상면에 발생한 파티클 P를 제거할 수 있으므로, 기판 W의 청정도를 향상시킬 수 있다.The nozzle unit 60 is disposed opposite to the center of the lower surface of the substrate W, and is disposed near the lower surface Wb of the substrate W. Therefore, when particles P are generated on the upper surface of the nozzle unit 60, the generated particles P may scatter and contaminate the center of the lower surface of the substrate W. According to this embodiment, since the particles P generated on the upper surface of the nozzle unit 60 can be removed, the cleanliness of the substrate W can be improved.

노즐 유닛(60)의 상면에는, 복수의 노즐(61A, 61B, 61C)을 둘러싸는 링(62)이 마련된다. 링(62)은, 그 내부에 순수 L3을 저류한다. 순수 L3을 링(62)의 내부에 모을 수 있어, 세정막 F에 의해 노즐 유닛(60)의 모든 노즐(61A, 61B, 61C)을 확실하게 덮을 수 있다. 복수의 노즐(61A, 61B, 61C)의 높이가 달라, 단차가 형성되는 경우에, 링(62)은 특히 유효하다. 링(62)은, 모든 노즐(61A, 61B, 61C)보다도 상방으로 돌출된다. 또한, 순수 L3의 응집력을 이용하면, 링(62)이 없어도, 세정막 F의 형성은 가능하다.On the upper surface of the nozzle unit 60, a ring 62 surrounding the plurality of nozzles 61A, 61B, and 61C is provided. The ring 62 stores pure L3 therein. The pure water L3 can be collected inside the ring 62, and all the nozzles 61A, 61B, and 61C of the nozzle unit 60 can be reliably covered by the cleaning film F. The ring 62 is particularly effective when the heights of the plurality of nozzles 61A, 61B, and 61C are different to form a level difference. The ring 62 protrudes above all the nozzles 61A, 61B, and 61C. In addition, if the cohesive force of pure L3 is used, the formation of the cleaning film F is possible even without the ring 62 .

세정막 F의 형성 중에, 노즐(61B)이 순수 L3을 계속해서 토출하여, 순수 L3이 링(62)의 내부로부터 외부로 오버플로되어도 된다. 파티클 P로부터 순수 L3에 용출된 성분도, 순수 L3과 함께 링(62)의 내부로부터 외부로 흘러나온다. 그 때문에, 링(62)의 내부에 저류되는 세정막 F의 순수 농도를 높게 유지할 수 있어, 파티클 P의 용해 속도를 높게 유지할 수 있다.During formation of the cleaning film F, the nozzle 61B continuously discharges the pure water L3 so that the pure water L3 may overflow from the inside of the ring 62 to the outside. A component eluted from the particle P into the pure L3 also flows out from the inside of the ring 62 together with the pure L3. Therefore, the pure water concentration of the cleaning film F stored inside the ring 62 can be kept high, and the dissolution rate of the particles P can be kept high.

세정막 F는, 미리 온도 조절된 순수 L3으로 형성되어도 된다. 순수 L3은, 온도 조절기(77B)에 의해 온도 조절된 후, 노즐(61B)로부터 토출된다. 순수 L3의 온도는, 응고점보다도 높고, 또한 비점보다도 낮게 설정된다. 순수 L3의 온도는, 파티클 P를 효율적으로 용해할 수 있도록 조절되고, 바람직하게는 실온보다도 고온으로 조절된다. 온도 조절기(77B)로 순수 L3을 가열하면, 파티클 P를 효율적으로 용해할 수 있다.The cleaning film F may be formed of pure L3 temperature-controlled in advance. The pure water L3 is discharged from the nozzle 61B after being temperature-controlled by the temperature controller 77B. The temperature of the pure water L3 is set higher than the freezing point and lower than the boiling point. The temperature of the pure water L3 is adjusted so as to efficiently dissolve the particles P, and is preferably adjusted to a temperature higher than room temperature. When the pure water L3 is heated by the temperature controller 77B, the particles P can be efficiently dissolved.

세정막 F의 형성 중에, 세정막 F와, 기판 W의 하면 Wb를 이격하는 공간 S가 형성된다. 공간 S는, 세정막 F와, 기판 W의 하면 Wb에 형성되는 순수 L3의 액막 사이에 형성된다. 공간 S에 의해, 파티클 P가 노즐 유닛(60)의 상면으로부터 기판 W의 하면 Wb로 이동하는 것을 제한할 수 있다.During formation of the cleaning film F, a space S separating the cleaning film F and the lower surface Wb of the substrate W is formed. The space S is formed between the cleaning film F and the pure L3 liquid film formed on the lower surface Wb of the substrate W. The movement of the particles P from the upper surface of the nozzle unit 60 to the lower surface Wb of the substrate W can be restricted by the space S.

하나의 노즐(61A)은, 기판 W의 하면 Wb에 도달하도록 순수 L3을 토출하므로, 예를 들어 800ml/min 내지 1600ml/min, 바람직하게는 1000ml/min 내지 1400ml/min의 유량으로 순수 L3을 토출한다.Since one nozzle 61A discharges pure L3 so as to reach the lower surface Wb of the substrate W, it discharges pure L3 at a flow rate of, for example, 800 ml/min to 1600 ml/min, preferably 1000 ml/min to 1400 ml/min. do.

다른 노즐(61B)은, 기판 W의 하면 Wb에 도달하지 않도록 순수 L3을 토출하므로, 예를 들어 250ml/min 내지 500ml/min, 바람직하게는 300ml/min 내지 450ml/min의 유량으로 순수 L3을 토출한다.The other nozzle 61B discharges the pure L3 so as not to reach the lower surface Wb of the substrate W, so it discharges the pure L3 at a flow rate of, for example, 250 ml/min to 500 ml/min, preferably 300 ml/min to 450 ml/min. do.

노즐(61B)은, 노즐(61A)보다도 낮은 유량으로 순수 L3을 토출한다. 순수 L3은, 노즐(61B)로부터 토출된 후, 거의 위로 흐르지 않고 옆으로 흘러, 모든 노즐(61A, 61B, 61C)을 덮는다. 순수 L3의 액튐을 억제할 수 있다.The nozzle 61B discharges the pure water L3 at a lower flow rate than the nozzle 61A. After the pure water L3 is discharged from the nozzle 61B, it flows sideways rather than upwardly, covering all of the nozzles 61A, 61B, and 61C. Actuation of pure L3 can be suppressed.

하나의 노즐(61A)이 기판 W의 하면 Wb에 순수 L3을 공급하는 동안에, 다른 노즐(61B)이 노즐 유닛(60) 상에 세정막 F를 형성한다. 즉, 순수 L3이 기판 W의 하면 Wb에 남는 제2 약액 L2를 제거하는 동안에, 노즐 유닛(60)이 세정된다. 노즐 유닛(60)의 세정을 기판 W의 처리 중에 실시할 수 있어, 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.While one nozzle 61A supplies pure water L3 to the lower surface Wb of the substrate W, another nozzle 61B forms the cleaning film F on the nozzle unit 60 . That is, the nozzle unit 60 is cleaned while pure L3 removes the second chemical liquid L2 remaining on the lower surface Wb of the substrate W. The cleaning of the nozzle unit 60 can be performed during the processing of the substrate W, so that a decrease in throughput can be suppressed.

다음에, 스텝 S105에서는, 도 7에 도시한 바와 같이, 순수 L3의 액막을 유기 용제 L4의 액막으로 치환한다. 순수 L3의 공급 위치가 중심 위치 P0으로부터 제1 편심 위치 P1까지 이동되고, 유기 용제 L4가 제2 편심 위치 P2에 공급된다. 제2 편심 위치 P2와 제1 편심 위치 P1은, 중심 위치 P0을 사이에 둔 위치이다. 중심 위치 P0은, 기판 W의 상면 Wa의 중심이다.Next, in step S105, as shown in Fig. 7, the pure water L3 liquid film is replaced with the organic solvent L4 liquid film. The supply position of pure water L3 is moved from the center position P0 to the 1st eccentric position P1, and organic solvent L4 is supplied to the 2nd eccentric position P2. The 2nd eccentric position P2 and the 1st eccentric position P1 are positions which sandwiched the center position P0. The center position P0 is the center of the upper surface Wa of the substrate W.

그 후, 순수 L3의 공급 위치가, 제1 편심 위치 P1로부터, 중심 위치 P0과는 반대 방향(기판 W의 직경 방향 외측)을 향하여 이동시켜진다. 동시에, 유기 용제 L4의 공급 위치가, 제2 편심 위치 P2로부터 중심 위치 P0까지 이동시켜진다.After that, the supply position of pure L3 is moved from the first eccentric position P1 toward the direction opposite to the center position P0 (outside in the radial direction of the substrate W). At the same time, the supply position of the organic solvent L4 is moved from the second eccentric position P2 to the central position P0.

그 후, 유기 용제 L4의 공급 위치가 중심 위치 P0에 고정된 상태에서, 순수 L3의 공급 위치가 기판 W의 주연에 도달할 때까지 이동시켜진다. 유기 용제 L4가 중심 위치 P0으로부터 직경 방향 외측으로 퍼질 때, 유기 용제 L4의 전방에 순수 L3을 보급할 수 있어, 액막이 도중에 끊어지는 것을 억제할 수 있다.After that, with the organic solvent L4 supply position being fixed at the center position P0, the pure water L3 supply position is moved until it reaches the periphery of the substrate W. When the organic solvent L4 spreads outward in the radial direction from the central position P0, the pure water L3 can be replenished in front of the organic solvent L4, so that the liquid film can be prevented from being broken on the way.

본 실시 형태에서는, 상기 스텝 S105에 있어서, 세정막 F를 노즐 유닛(60)의 내부에 흡인하여, 세정막 F를 노즐 유닛(60) 상으로부터 제거한다. 세정막 F의 건조를 억제할 수 있어, 세정막 F의 잔사에 의한 파티클의 발생을 억제할 수 있다.In the present embodiment, in step S105, the cleaning film F is sucked into the nozzle unit 60, and the cleaning film F is removed from the nozzle unit 60. Drying of the cleaning film F can be suppressed, and generation of particles due to residues of the cleaning film F can be suppressed.

도 1에 도시한 바와 같이, 공급 라인(72A, 72B)에는, 배출 라인(72D)이 접속된다. 배출 라인(72D)의 도중에는, 유로를 개폐하는 개폐 밸브(75D)와, 유량을 제어하는 유량 제어기(76D)가 마련된다. 개폐 밸브(75D)가 유로를 개방하면, 세정막 F가 중력에 의해 노즐(61A, 61B)의 내부에 흡인된다.As shown in Fig. 1, a discharge line 72D is connected to the supply lines 72A and 72B. In the middle of the discharge line 72D, an on-off valve 75D for opening and closing the flow path and a flow controller 76D for controlling the flow rate are provided. When the opening/closing valve 75D opens the passage, the cleaning film F is sucked into the nozzles 61A and 61B by gravity.

다음에, 스텝 S106에서는, 도 8에 도시한 바와 같이, 기판 W의 상면 Wa에, 유기 용제 L4를 공급한다. 유기 용제 L4는, 제2 액 공급부(50)의 노즐(51)로부터 기판 W의 상면 중앙에 공급되어, 원심력에 의해 상면 전체에 습윤 확산되어, 상면 Wa에 남는 순수 L3을 씻어버리고, 상면 Wa에 유기 용제 L4의 액막을 형성한다.Next, in step S106, as shown in Fig. 8, the organic solvent L4 is supplied to the upper surface Wa of the substrate W. The organic solvent L4 is supplied to the center of the upper surface of the substrate W from the nozzle 51 of the second liquid supply unit 50, and is wetted and spread over the entire upper surface by centrifugal force to wash away the pure water L3 remaining on the upper surface Wa and to the upper surface Wa. A liquid film of organic solvent L4 is formed.

다음에, 스텝 S107에서는, 도 9에 도시한 바와 같이, 유기 용제 L4의 공급 위치가 기판 W의 상면 Wa의 중심으로부터 주연까지 이동된다. 유기 용제 L4의 액막의 중심에 개구가 형성되고, 그 개구가 기판 W의 상면 Wa의 중심으로부터 주연을 향하여 서서히 확대된다. 유기 용제 L4의 액막의 개구 테두리를 압박하기 위해, 개구 테두리를 향하여 N2 가스 등의 가스가 공급되어도 된다. 가스의 공급 위치는, 유기 용제 L4의 공급 위치에 추종하여 이동한다.Next, in step S107, as shown in Fig. 9, the supply position of the organic solvent L4 is moved from the center of the upper surface Wa of the substrate W to the periphery. An opening is formed in the center of the organic solvent L4 liquid film, and the opening gradually expands from the center of the upper surface Wa of the substrate W toward the periphery. In order to press the opening edge of the organic solvent L4 liquid film, a gas such as N 2 gas may be supplied toward the opening edge. The supply position of the gas moves following the supply position of the organic solvent L4.

마지막으로, 스텝 S108에서는, 도 10에 도시한 바와 같이, 기판 W를 수평으로 보유 지지함과 함께 회전하여, 기판 W를 건조시킨다.Finally, in step S108, as shown in Fig. 10, the substrate W is held horizontally and rotated to dry the substrate W.

다음에, 도 11 등을 참조하여, 변형예에 관한 기판 처리 방법에 대하여 설명한다. 상기 실시 형태에서는, 도 2에 도시한 바와 같이 기판 W의 상면 Wa와 하면 Wb의 양쪽에 순수 L3을 공급하는 스텝 S104에서, 노즐 유닛(60) 상에 세정막 F를 형성한다. 한편, 본 변형예에서는, 도 11에 도시한 바와 같이 기판 W의 상면 Wa에 유기 용제 L4를 공급하는 스텝 S106에서, 노즐 유닛(60) 상에 세정막 F를 형성한다. 이하, 상기 실시 형태와 본 변형예의 상위점을 주로 설명한다.Next, with reference to FIG. 11 and the like, a substrate processing method according to a modified example will be described. In the above embodiment, as shown in FIG. 2 , a cleaning film F is formed on the nozzle unit 60 in step S104 of supplying pure water L3 to both the upper surface Wa and the lower surface Wb of the substrate W. On the other hand, in this modified example, as shown in FIG. 11 , a cleaning film F is formed on the nozzle unit 60 in step S106 of supplying the organic solvent L4 to the upper surface Wa of the substrate W. Hereinafter, differences between the above embodiment and this modified example will be mainly described.

스텝 S106에서는, 도 12에 도시한 바와 같이, 기판 W의 상면 Wa에, 유기 용제 L4를 공급한다. 유기 용제 L4는, 제2 액 공급부(50)의 노즐(51)로부터 기판 W의 상면 중앙에 공급되어, 원심력에 의해 상면 전체에 습윤 확산되어, 상면 Wa에 남는 순수 L3을 씻어버리고, 상면 Wa에 유기 용제 L4의 액막을 형성한다.In step S106, as shown in FIG. 12, the organic solvent L4 is supplied to the upper surface Wa of the substrate W. The organic solvent L4 is supplied to the center of the upper surface of the substrate W from the nozzle 51 of the second liquid supply unit 50, and is wetted and spread over the entire upper surface by centrifugal force to wash away the pure water L3 remaining on the upper surface Wa and to the upper surface Wa. A liquid film of organic solvent L4 is formed.

본 변형예에서는, 상기 스텝 S106에 있어서, 노즐 유닛(60)의 하나의 노즐(61B)이 순수 L3을 토출하여, 순수 L3의 세정막 F를 노즐 유닛(60) 상에 형성한다. 세정막 F는 상기 실시 형태와 마찬가지로 형성되므로, 본 변형예에 있어서도 상기 실시 형태와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 노즐 유닛(60)의 세정을 기판 W의 처리 중에 실시할 수 있어, 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.In this modification, in step S106, one nozzle 61B of the nozzle unit 60 discharges the pure water L3 to form a cleaning film F of the pure water L3 on the nozzle unit 60. Since the cleaning film F is formed in the same way as in the above embodiment, the same effect as in the above embodiment can be obtained in this modified example. In addition, cleaning of the nozzle unit 60 can be performed during processing of the substrate W, so that a decrease in throughput can be suppressed.

다음에, 스텝 S107에서는, 도 13에 도시한 바와 같이, 유기 용제 L4의 공급 위치가 기판 W의 상면 Wa의 중심으로부터 주연까지 이동된다. 유기 용제 L4의 액막의 중심에 개구가 형성되고, 그 개구가 기판 W의 상면 Wa의 중심으로부터 주연을 향하여 서서히 확대된다. 유기 용제 L4의 액막의 개구 테두리를 압박하기 위해, 개구 테두리를 향하여 N2 가스 등의 가스가 공급되어도 된다. 가스의 공급 위치는, 유기 용제 L4의 공급 위치에 추종하여 이동한다.Next, in step S107, as shown in FIG. 13, the supply position of the organic solvent L4 is moved from the center of the upper surface Wa of the substrate W to the periphery. An opening is formed in the center of the organic solvent L4 liquid film, and the opening gradually expands from the center of the upper surface Wa of the substrate W toward the periphery. In order to press the opening edge of the organic solvent L4 liquid film, a gas such as N 2 gas may be supplied toward the opening edge. The supply position of the gas moves following the supply position of the organic solvent L4.

본 변형예에서는, 상기 스텝 S107에 있어서, 세정막 F를 노즐 유닛(60)의 내부에 흡인하여, 세정막 F를 노즐 유닛(60) 상으로부터 제거한다. 세정막 F의 건조를 억제할 수 있어, 세정막 F의 잔사에 의한 파티클의 발생을 억제할 수 있다.In this modification, in step S107, the cleaning film F is sucked into the nozzle unit 60, and the cleaning film F is removed from the nozzle unit 60. Drying of the cleaning film F can be suppressed, and generation of particles due to residues of the cleaning film F can be suppressed.

다음에, 도 14 내지 도 16을 참조하여, 배플 플레이트(64)의 제1 예에 대하여 설명한다. 기판 처리 장치(10)는, 배플 플레이트(64)를 구비한다. 도 14에 도시한 바와 같이, 배플 플레이트(64)는, 세정막 F를 형성하는 노즐(61B)보다도 상방에 설치된다. 노즐(61B)은, 순수 L3을 토출하여, 순수 L3의 세정막 F를 노즐 유닛(60) 상에 형성한다. 세정막 F는, 노즐 유닛(60)의 모든 노즐(61A, 61B, 61C)을 덮는다.Next, referring to Figs. 14 to 16, a first example of the baffle plate 64 will be described. The substrate processing apparatus 10 includes a baffle plate 64 . As shown in Fig. 14, the baffle plate 64 is installed above the nozzle 61B forming the cleaning film F. The nozzle 61B discharges pure water L3 to form a cleaning film F of pure water L3 on the nozzle unit 60 . The cleaning film F covers all nozzles 61A, 61B, and 61C of the nozzle unit 60 .

노즐 유닛(60)의 상면에는, 복수의 노즐(61A, 61B, 61C)을 둘러싸는 링(62)이 마련된다. 링(62)은, 노즐 유닛(60)의 상면의 주연으로부터 상방으로 돌출되며, 내부에 순수 L3을 저류한다. 링(62)은, 예를 들어 노즐 유닛(60)의 상면의 주연으로부터 연직 상방을 향할수록 기판 W의 직경 방향 외측으로 경사지는 제1 경사부(62a)와, 제1 경사부(62a)의 상단으로부터 연직 하방을 향할수록 기판 W의 직경 방향 외측으로 경사지는 제2 경사부(62b)를 포함한다.On the upper surface of the nozzle unit 60, a ring 62 surrounding the plurality of nozzles 61A, 61B, and 61C is provided. The ring 62 protrudes upward from the periphery of the upper surface of the nozzle unit 60, and stores pure L3 therein. The ring 62 includes, for example, a first inclination portion 62a that inclines outward in the radial direction of the substrate W as it goes vertically upward from the periphery of the upper surface of the nozzle unit 60, and the first inclination portion 62a. It includes a second inclined portion 62b that inclines outward in the radial direction of the substrate W as it goes vertically downward from the upper end.

링(62)은, 노즐 유닛(60)의 외주면을 둘러싸는 원통부(62c)를 더 포함한다. 원통부(62c)의 하단에는, 원통부(62c)의 내측으로 돌출되는 플랜지부(62d)가 마련된다. 노즐 유닛(60)의 외주면에는 단차가 형성되어 있고, 그 단차에 플랜지부(62d)가 맞닿게 된다. 한편, 원통부(62c)의 상단에는, 제1 경사부(62a)가 마련된다.The ring 62 further includes a cylindrical portion 62c surrounding the outer peripheral surface of the nozzle unit 60 . At the lower end of the cylindrical portion 62c, a flange portion 62d protruding inwardly of the cylindrical portion 62c is provided. A level difference is formed on the outer circumferential surface of the nozzle unit 60, and the flange portion 62d comes into contact with the level difference. On the other hand, a first inclined portion 62a is provided at the upper end of the cylindrical portion 62c.

노즐 유닛(60)은, 링형의 홈통(63)의 내측에 배치된다. 홈통(63)은, 링(62)으로부터 오버플로한 순수 L3을 저류한다. 홈통(63)은, 노즐 유닛(60)을 둘러싸는 내벽(63a)과, 내벽(63a)의 외측에 배치되는 외벽(63b)과, 내벽(63a)과 외벽(63b) 사이에 형성되는 홈(63c)과, 홈(63c)의 바닥을 형성하는 저벽(63d)을 포함한다. 순수 L3이 홈통(63)의 내벽(63a)으로부터 내측으로 오버플로하지 않도록, 홈통(63)의 내벽(63a)과 노즐 유닛(60) 사이에는 N2 가스 등의 가스가 공급된다.The nozzle unit 60 is disposed inside the ring-shaped gutter 63 . The gutter 63 stores pure L3 overflowing from the ring 62. The gutter 63 includes an inner wall 63a surrounding the nozzle unit 60, an outer wall 63b disposed outside the inner wall 63a, and a groove formed between the inner wall 63a and the outer wall 63b ( 63c), and a bottom wall 63d forming the bottom of the groove 63c. A gas such as N 2 gas is supplied between the inner wall 63a of the gutter 63 and the nozzle unit 60 so that pure water L3 does not overflow inward from the inner wall 63a of the gutter 63 .

도 15에 도시한 바와 같이, 배플 플레이트(64)는, 보유 지지부(20)로 보유 지지된 기판 W보다도 하방에 설치된다. 배플 플레이트(64)는, 예를 들어 링(62)에 걸쳐진다. 배플 플레이트(64)는, 노즐(61B)로부터 상향으로 토출된 순수 L3을 받아내어, 순수 L3의 방향을 상향으로부터 횡방향으로 방향 전환시킨다. 기판 W의 하면 Wb에 순수 L3이 부착되는 것을 억제할 수 있어, 기판 W의 하면 Wb에 부착되는 파티클의 수를 저감할 수 있다.As shown in FIG. 15 , the baffle plate 64 is provided below the substrate W held by the holding portion 20 . The baffle plate 64 spans the ring 62, for example. The baffle plate 64 receives the pure water L3 discharged upward from the nozzle 61B, and changes the direction of the pure water L3 from upward to the lateral direction. The adhesion of pure L3 to Wb on the lower surface of the substrate W can be suppressed, and the number of particles attached to Wb on the lower surface of the substrate W can be reduced.

노즐(61B)은, 예를 들어 기판 W의 상면 Wa에 유기 용제 L4를 공급하는 스텝 S106에서, 순수 L3을 토출한다. 배플 플레이트(64)는, 기판 W의 하면 Wb에 대한 순수 L3의 부착을 억제함으로써, 순수 L3의 부착에 기인하는 기판 W의 온도 변화를 억제한다. 그 결과, 기판 W의 하면 Wb에 부착되는 파티클의 수를 저감할 수 있다.The nozzle 61B discharges the pure water L3 in step S106 of supplying the organic solvent L4 to the upper surface Wa of the substrate W, for example. The baffle plate 64 suppresses the adhesion of the pure L3 to the lower surface Wb of the substrate W, thereby suppressing the temperature change of the substrate W resulting from the adhesion of the pure L3. As a result, the number of particles adhering to the lower surface Wb of the substrate W can be reduced.

또한, 노즐(61B)은, 기판 W의 상면 Wa에 유기 용제 L4를 공급하는 스텝 S106에서, 순수 L3을 토출함으로써, 컵(80)(도 1 참조)에 회수되는 유기 용제 L4를 순수 L3으로 희석한다. 순수 L3은, 링(62)의 내부에 저류된 후, 링(62)의 외부로 흘러넘쳐, 회전하는 베이스 플레이트(21) 상을 흐른다. 순수 L3은, 원심력에 의해 베이스 플레이트(21)의 직경 방향 외측으로 흘러, 베이스 플레이트(21)로부터 떨쳐내질 때 유기 용제 L4와 혼합되어, 유기 용제 L4를 희석한다.Further, the nozzle 61B dilutes the organic solvent L4 collected in the cup 80 (see FIG. 1 ) with the pure water L3 by discharging pure water L3 in step S106 of supplying the organic solvent L4 to the upper surface Wa of the substrate W. do. After the pure L3 is accumulated inside the ring 62, it overflows to the outside of the ring 62 and flows on the rotating base plate 21. The pure L3 flows outward in the radial direction of the base plate 21 by centrifugal force and is mixed with the organic solvent L4 as it is shaken off the base plate 21, thereby diluting the organic solvent L4.

유기 용제 L4는, 순수 L3에 의해 희석된 상태에서, 컵(80)에 회수되어, 컵(80)의 내부에 체류하지 않고, 배액관(84)을 통해 컵(80)의 외부로 배출된다. 그 때문에, 유기 용제 L4의 휘발을 억제할 수 있어, 배기 가스에 포함되는 유기 용제 L4의 농도를 저감할 수 있다. 이 효과는, 순수 L3의 토출량이 많을수록, 현저하게 얻어진다. 순수 L3의 토출량을 증대해도, 순수 L3의 기판 W에 대한 부착을 배플 플레이트(64)에 의해 억제할 수 있다.The organic solvent L4 is collected in the cup 80 in a diluted state with the pure L3, and is discharged to the outside of the cup 80 through the drain pipe 84 without remaining inside the cup 80 . Therefore, volatilization of the organic solvent L4 can be suppressed, and the concentration of the organic solvent L4 contained in the exhaust gas can be reduced. This effect is obtained more remarkably as the discharge amount of pure L3 increases. Even if the discharge amount of pure water L3 is increased, adhesion of pure water L3 to the substrate W can be suppressed by the baffle plate 64 .

도 15에 도시한 바와 같이, 배플 플레이트(64)는, 예를 들어 삼각 기둥형이며, 상방을 향하여 끝이 가늘어지는 형상의 한 쌍의 테이퍼면(64a, 64b)(도 16 참조)을 포함한다. 한 쌍의 테이퍼면(64a, 64b)은, 역V자형의 단면 형상을 갖는다. 순수 L3의 공급을 정지한 후에, 순수 L3을 중력에 의해 경사 하방으로 떨어뜨릴 수 있어, 순수 L3을 배플 플레이트(64) 상으로부터 제거할 수 있다. 또한, 노즐 유닛(60) 상에 남는 세정막 F는, 중력에 의해 노즐(61A, 61B)의 내부에 흡인된다. 세정막 F의 건조를 억제할 수 있어, 세정막 F의 잔사에 의한 파티클의 발생을 억제할 수 있다.As shown in Fig. 15, the baffle plate 64 is, for example, triangular, and includes a pair of tapered surfaces 64a and 64b (see Fig. 16) tapering upward. . The pair of tapered surfaces 64a and 64b have an inverted V-shaped cross-section. After stopping the supply of the pure L3, the pure L3 can be dropped obliquely downward by gravity, so that the pure L3 can be removed from the baffle plate 64 top. Further, the cleaning film F remaining on the nozzle unit 60 is sucked into the nozzles 61A and 61B by gravity. Drying of the cleaning film F can be suppressed, and generation of particles due to residues of the cleaning film F can be suppressed.

도 15에 도시한 바와 같이, 링(62)의 상단의 높이에 비해, 배플 플레이트(64)의 하면(64c)(도 16 참조)의 높이가 낮다. 배플 플레이트(64)에 의해 링(62)의 내부로 순수 L3을 되튀겨, 링(62)의 내부에 순수 L3을 확실하게 저류할 수 있다. 보다 바람직하게는, 링(62)의 상단의 높이에 비해, 배플 플레이트(64)의 상단(64d)(도 16 참조)의 높이가 낮다. 링(62)의 내부에 배플 플레이트(64)를 수용할 수 있어, 배플 플레이트(64)와 기판 W의 간섭을 억제할 수 있다.As shown in FIG. 15, the height of the lower surface 64c (see FIG. 16) of the baffle plate 64 is lower than the height of the upper end of the ring 62. The pure water L3 is bounced back into the inside of the ring 62 by the baffle plate 64, and the pure water L3 can be reliably stored in the inside of the ring 62. More preferably, the height of the upper end 64d (see Fig. 16) of the baffle plate 64 is lower than the height of the upper end of the ring 62. Since the baffle plate 64 can be accommodated inside the ring 62, interference between the baffle plate 64 and the substrate W can be suppressed.

배플 플레이트(64)의 하면(64c)은, 도 16에 도시한 바와 같이 평탄해도 되지만, 도 17에 도시한 바와 같이 노즐(61B)에 상대하는 원뿔형의 오목부(64e)를 포함해도 된다. 오목부(64e)에 의해 하향의 흐름을 형성할 수 있어, 링(62)의 내부에 순수 L3을 확실하게 저류할 수 있다.The lower surface 64c of the baffle plate 64 may be flat as shown in FIG. 16 or may include a conical concave portion 64e facing the nozzle 61B as shown in FIG. 17 . A downward flow can be formed by the concave portion 64e, and pure L3 can be reliably stored in the inside of the ring 62.

도 18에 도시한 바와 같이, 오목부(64e)로부터 테이퍼면(64a, 64b)까지 횡방향으로 배플 플레이트(64)를 관통하는 관통 구멍(64f, 64g)가 형성되어도 된다. 관통 구멍(64g, 64g)에 의해 횡방향의 흐름을 형성할 수 있어, 테이퍼면(64a, 64b)에 부착된 파티클을 흘러가게 할 수 있다.As shown in Fig. 18, through holes 64f and 64g passing through the baffle plate 64 in the transverse direction from the concave portion 64e to the tapered surfaces 64a and 64b may be formed. A flow in the transverse direction can be formed by the through holes 64g and 64g, so that the particles attached to the tapered surfaces 64a and 64b can flow.

이상, 본 개시에 관한 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치의 실시 형태 등에 대하여 설명하였지만, 본 개시는 상기 실시 형태 등에 한정되지는 않는다. 특허 청구 범위에 기재된 범주 내에 있어서, 각종 변경, 수정, 치환, 부가, 삭제, 및 조합이 가능하다. 그것들에 대해서도 당연히 본 개시의 기술적 범위에 속한다.In the above, the embodiments of the substrate processing method and the substrate processing apparatus according to the present disclosure have been described, but the present disclosure is not limited to the above embodiments and the like. Various changes, modifications, substitutions, additions, deletions, and combinations are possible within the scope described in the claims. They also naturally belong to the technical scope of the present disclosure.

예를 들어, 상기 실시 형태 및 상기 변형예에서는, 제1 약액 L1과 제2 약액 L2를 차례로 기판 W의 하면 Wb에 공급한 후에, 세정막 F의 형성을 행하지만, 본 개시의 기술은 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 제1 약액 L1의 공급과 제2 약액 L2의 공급 사이, 예를 들어 스텝 S102에서, 세정막 F의 형성을 행해도 된다.For example, in the above embodiment and the above modification, the first chemical liquid L1 and the second chemical liquid L2 are sequentially supplied to the lower surface Wb of the substrate W, and then the cleaning film F is formed. Not limited. For example, the cleaning film F may be formed between the supply of the first chemical liquid L1 and the supply of the second chemical liquid L2, for example, in step S102.

또한, 상기 실시 형태 및 상기 변형예에서는, 제1 약액 L1과 제2 약액 L2의 양쪽을 기판 W의 하면 Wb에 공급하지만, 제1 약액 L1만을 공급해도 된다. 노즐 유닛(60) 상에 부착된 제1 약액 L1의 액적을, 세정막 F로 제거할 수 있다. 제1 약액 L1의 액적이 건조되면, 잔사에 의해 파티클이 발생할 수 있다. 제1 약액 L1의 액적 건조 전에, 제1 약액 L1의 액적을 세정막 F로 제거하면, 파티클의 발생을 억제할 수 있다.In the above embodiment and the modified example, both the first chemical liquid L1 and the second chemical liquid L2 are supplied to the lower surface Wb of the substrate W, but only the first chemical liquid L1 may be supplied. The liquid droplets of the first chemical liquid L1 adhering on the nozzle unit 60 can be removed with the cleaning film F. When the droplets of the first chemical liquid L1 are dried, particles may be generated due to the residue. If the droplets of the first chemical solution L1 are removed with the cleaning film F before the droplets of the first chemical solution L1 are dried, the generation of particles can be suppressed.

본 출원은, 2020년 4월 10일에 일본 특허청에 출원된 특허 출원 제2020-071070호와, 2021년 2월 1일에 일본 특허청에 출원된 특허 출원 제2021-014519호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 특허 출원 제2020-071070호와 특허 출원 제2021-014519호의 전체 내용을 본 출원에 원용한다.This application claims priority based on Patent Application No. 2020-071070 filed with the Japan Patent Office on April 10, 2020, and Patent Application No. 2021-014519 filed with the Japan Patent Office on February 1, 2021 That is, the entire contents of Patent Application No. 2020-071070 and Patent Application No. 2021-014519 are incorporated into this application.

60: 노즐 유닛
61A: 노즐
61B: 노즐
F: 세정막
L1: 제1 약액
L2: 제2 약액
L3: 순수
W: 기판
Wa: 상면
Wb: 하면60: nozzle unit
61A: nozzle
61B: nozzle
F: cleaning membrane
L1: first chemical solution
L2: 2nd chemical solution
L3: pure
W: substrate
Wa: top
Wb: if

Claims (15)

기판을 수평으로 보유 지지함과 함께 회전한 상태에서, 상기 기판의 하면 중앙에 대향 배치되는 복수의 노즐을 포함하는 노즐 유닛으로부터, 상기 기판의 하면에, 산성 또는 알칼리성의 제1 약액과, 순수를 이 순서로 공급하는 것과,
상기 기판을 수평으로 보유 지지함과 함께 회전하여, 상기 기판을 건조시키는 것과,
상기 제1 약액의 공급 후, 상기 기판의 건조 전에, 상기 노즐 유닛의 하나의 상기 노즐로부터 순수를 토출하여, 상기 노즐 유닛의 모든 상기 노즐을 덮는 순수의 세정막을 상기 노즐 유닛 상에 형성하는 것을 갖는, 기판 처리 방법.In a state where the substrate is held horizontally and rotated, an acidic or alkaline first chemical solution and pure water are applied to the lower surface of the substrate from a nozzle unit including a plurality of nozzles arranged opposite to each other at the center of the lower surface of the substrate. supply in this order,
holding and holding the substrate horizontally and rotating it to dry the substrate;
After supplying the first liquid chemical and before drying the substrate, pure water is discharged from one nozzle of the nozzle unit to form a cleaning film of pure water covering all the nozzles of the nozzle unit on the nozzle unit. , Substrate processing method. 제1항에 있어서,
상기 세정막의 형성 중에, 상기 세정막과, 상기 기판의 상기 하면을 이격하는 공간이 형성되는, 기판 처리 방법.According to claim 1,
During formation of the cleaning film, a space spaced apart from the cleaning film and the lower surface of the substrate is formed. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 노즐 유닛의 하나의 상기 노즐이 상기 기판의 상기 하면에 순수를 공급하는 동안에, 상기 노즐 유닛의 다른 상기 노즐이 상기 세정막을 형성하는, 기판 처리 방법.According to claim 1 or 2,
The substrate processing method of claim 1 , wherein the other nozzle of the nozzle unit forms the cleaning film while one of the nozzles of the nozzle unit supplies pure water to the lower surface of the substrate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐 유닛의 모든 상기 노즐을 둘러싸는 링의 내부에 순수를 저류하여, 상기 세정막을 형성하는, 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 3,
The substrate processing method of claim 1 , wherein the cleaning film is formed by storing pure water inside a ring surrounding all the nozzles of the nozzle unit. 제4항에 있어서,
상기 세정막의 형성 중에, 상기 링의 내부로부터 외부로 순수를 오버플로시키는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.According to claim 4,
and overflowing pure water from the inside to the outside of the ring during formation of the cleaning film. 제5항에 있어서,
상기 세정막을 형성하는 상기 노즐로부터 상향으로 토출된 순수를, 상기 기판보다도 하방에 설치한 배플 플레이트로 받아내어, 상향으로부터 횡방향으로 방향 전환시키는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.According to claim 5,
and receiving the pure water discharged upward from the nozzle forming the cleaning film with a baffle plate provided below the substrate, and changing the direction from upward to a horizontal direction. 제6항에 있어서,
상기 배플 플레이트는, 상방을 향하여 끝이 가늘어지는 형상의 한 쌍의 테이퍼면을 포함하는, 기판 처리 방법.According to claim 6,
The substrate processing method of claim 1 , wherein the baffle plate includes a pair of tapered surfaces tapering upward. 제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 배플 플레이트는, 상기 세정막을 형성하는 상기 노즐에 상대하는 원뿔형의 오목부를 하면에 포함하는, 기판 처리 방법.According to claim 6 or 7,
The substrate processing method of claim 1 , wherein the baffle plate includes a conical concave portion on a lower surface facing the nozzle forming the cleaning film. 제6항에 있어서,
상기 배플 플레이트는, 상방을 향하여 끝이 가늘어지는 형상의 한 쌍의 테이퍼면을 포함하고, 상기 세정막을 형성하는 상기 노즐에 상대하는 원뿔형의 오목부를 하면에 포함하고,
상기 오목부로부터 상기 테이퍼면까지 횡방향으로 상기 배플 플레이트를 관통하는 관통 구멍이 형성되어 있는, 기판 처리 방법.According to claim 6,
The baffle plate includes a pair of tapered surfaces tapering upward and includes a conical concave portion on a lower surface facing the nozzle forming the cleaning film,
and a through hole penetrating the baffle plate in a transverse direction from the concave portion to the tapered surface is formed. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배플 플레이트의 하면의 높이는, 상기 링의 상단의 높이보다도 낮은, 기판 처리 방법.According to any one of claims 6 to 9,
The substrate processing method of claim 1 , wherein a height of a lower surface of the baffle plate is lower than a height of an upper end of the ring. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판의 건조 전에, 상기 노즐 유닛 상으로부터 상기 세정막을 제거하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 10,
and removing the cleaning film from on the nozzle unit prior to drying of the substrate. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세정막은, 미리 온도 조절된 순수로 형성되는, 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 11,
The cleaning film is formed of pre-temperature-controlled pure water, the substrate processing method. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐 유닛은, 상기 제1 약액과, 상기 제1 약액과는 다른 제2 약액을, 차례로 상기 기판의 상기 하면에 공급하고, 그 후에, 상기 세정막의 형성을 행하고,
상기 제1 약액과 상기 제2 약액은, 한쪽이 산성이고, 다른 쪽이 알칼리성인, 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 12,
the nozzle unit sequentially supplies the first chemical liquid and a second chemical liquid different from the first chemical liquid to the lower surface of the substrate, and thereafter forming the cleaning film;
The substrate processing method of claim 1 , wherein one of the first chemical and the second chemical is acidic and the other is alkaline. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판의 상면에, 상기 제1 약액과, 순수와, 유기 용제를 이 순서로 공급하는 것을 갖고,
상기 유기 용제의 공급 중에, 상기 세정막의 형성을 행하는, 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 13,
and supplying the first liquid chemical, pure water, and organic solvent in this order to the upper surface of the substrate,
The substrate processing method of forming the cleaning film while supplying the organic solvent. 기판을 수평으로 보유 지지하는 보유 지지부와,
상기 보유 지지부를 회전시키는 회전부와,
상기 보유 지지부에서 수평으로 보유 지지된 상기 기판의 하면 중앙에 대향 배치되는 복수의 노즐을 포함하는 노즐 유닛과,
상기 노즐 유닛에 대하여, 산성 또는 알칼리성의 제1 약액과, 순수를 공급하는 유체 공급 유닛과,
상기 회전부와 상기 유체 공급 유닛을 제어하는 제어부를 갖고,
상기 제어부는,
상기 기판을 수평으로 보유 지지함과 함께 회전한 상태에서, 상기 노즐 유닛으로부터 상기 기판의 하면에, 상기 제1 약액과 순수를 이 순서로 공급하는 것과,
상기 기판을 수평으로 보유 지지함과 함께 회전시켜, 상기 기판을 건조시키는 것과,
상기 제1 약액의 공급 후, 상기 기판의 건조 전에, 상기 노즐 유닛의 하나의 상기 노즐로부터 순수를 토출하여, 상기 노즐 유닛의 모든 상기 노즐을 덮는 순수의 세정막을 상기 노즐 유닛 상에 형성하는 것을 실시하는, 기판 처리 장치.a holding portion for horizontally holding the substrate;
a rotating part for rotating the holding part;
a nozzle unit including a plurality of nozzles opposed to each other at the center of the lower surface of the substrate held horizontally by the holding unit;
A fluid supply unit for supplying an acidic or alkaline first chemical solution and pure water to the nozzle unit;
A control unit for controlling the rotating unit and the fluid supply unit;
The control unit,
supplying the first liquid chemical and pure water from the nozzle unit to the lower surface of the substrate in this order while the substrate is held horizontally and rotated;
holding and rotating the substrate horizontally to dry the substrate;
After supplying the first liquid chemical and before drying the substrate, pure water is discharged from one nozzle of the nozzle unit to form a cleaning film of pure water covering all the nozzles of the nozzle unit on the nozzle unit. To do, the substrate processing apparatus.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024014291A1 (en) * 2022-07-12 2024-01-18 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method and substrate processing device
TWI836625B (en) * 2022-09-26 2024-03-21 南亞塑膠工業股份有限公司 Cleaning system for circuit board

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080036542A (en) * 2006-10-23 2008-04-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Cleaning apparatus, cleaning method and computer readable medium
JP2014130931A (en) 2012-12-28 2014-07-10 Tokyo Electron Ltd Substrate processing device and substrate processing method
KR20180034233A (en) * 2016-09-27 2018-04-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4357182B2 (en) * 2003-02-10 2009-11-04 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10553421B2 (en) * 2015-05-15 2020-02-04 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
JP6779769B2 (en) * 2016-12-07 2020-11-04 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment, substrate processing method and storage medium
JP7007869B2 (en) * 2017-11-14 2022-01-25 東京エレクトロン株式会社 Board processing equipment, board processing method and computer-readable recording medium

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080036542A (en) * 2006-10-23 2008-04-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Cleaning apparatus, cleaning method and computer readable medium
JP2014130931A (en) 2012-12-28 2014-07-10 Tokyo Electron Ltd Substrate processing device and substrate processing method
KR20180034233A (en) * 2016-09-27 2018-04-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing device

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