KR20220153384A - 밀리미터파 대역 신호 및 전력 전송을 위한 배선 구조 - Google Patents
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Abstract
다양한 실시예에 따른 전자 장치에 포함된 배선 구조는 밀리미터파 신호 전송 및 전력을 전달하는 파워 및 전송 선로(power and transmission line)로서, 파워 및 전송 선로는, DC(direct current) 신호의 마이너스 배선과 연결되는 제1 도전층, 상기 제1 도전층 위에 적층되는 제1 유전층, 상기 제1 유전층 위에 적층되며, AC(alternating current) 신호의 그라운드로 접지되는 제2 도전층, 상기 제2 도전층 위에 적층되는 제2 유전층, 및 상기 제2 유전층 위에 적층되며, AC 신호의 입출력 포트와 DC신호의 플러스 배선과 연결되는 제3 도전층을 포함하는 적층 구조로 형성되고, 상기 제3 도전층은, 상기 밀리미터파 신호를 전송하는 도파관이 형성된 도파관 영역, 상기 도파관 영역의 양단으로부터 제1 방향으로 연장되며, 밀리미터파 신호 전송 라인의 일부를 형성하는 트랜지션 영역 및 상기 도파관 영역의 제2 방향으로 연장되며, DC 신호와AC 신호 사이의 차단을 위한 분리(isolation) 영역을 포함할 수 있다.
Description
다양한 실시 예들은 밀리미터파 대역 신호 및 전력 전송을 위한 배선 구조에 관한 것이다.
차세대 통신 시스템은 서로 다른 요구사항을 가진 다양한 서비스를 하나의 시스템에서 동작할 수 있도록 다양한 구조적인 개선이 요구되고 있다. 5G 통신 시스템을 지원하는 전자 장치는 RF 신호, 밀리미터파(mmwave) 신호(예: AC(alternating current) 신호)와 같이 다중 대역의 신호뿐만 아니라, 내구 구성들에 대해 전력(예: DC(direct current) 신호)를 공급하기 위한 구조가 필요하다.
5G 통신 시스템을 구현하고 있는 전자 장치는 초고주파 대역(예: 30GHz~300GHz) 신호를 전달하는 신호 전송 라인(예: transmission line)과 전력 전송 라인(예: power line)을 포함하는 배선 구조가 요구될 수 있다.
그러나, 밀리미터 웨이브(mmwave) 신호에 대한 전송 손실(loss)을 억제하기 위해서는 신호 전송 라인의 폭을 얇게 구현해야 하는 반면에, 전력 공급을 위해서는 넓은 폭 또는 멀티레이어(multi layer)로 구현하여 전력을 공급해야 하는 구조적인 문제가 있을 수 있다. 이로 인해, 신호 전송 라인과 전력 전송 라인의 성능 향상을 위해서는 전송 라인과 별도로 파워 라인 구현할 경우, 전자 장치의 소형화에 어려움이 있을 수 있다.
다양한 실시 예들은 밀리미터파 신호 대역 신호에 대한 전송 손실을 개선하면서 동시에, 보다 안정적으로 전력 전송이 가능한 배선 구조를 제공할 수 있다.
다양한 실시예에 따른 전자 장치에 포함된 배선 구조는 밀리미터파 신호 전송 및 전력을 전달하는 파워 및 전송 선로(power and transmission line)로서, 파워 및 전송 선로는, DC(direct current) 신호의 마이너스 배선과 연결되는 제1 도전층, 상기 제1 도전층 위에 적층되는 제1 유전층, 상기 제1 유전층 위에 적층되며, AC(alternating current) 신호의 그라운드로 접지되는 제2 도전층, 상기 제2 도전층 위에 적층되는 제2 유전층, 및 상기 제2 유전층 위에 적층되며, AC 신호의 입출력 포트와 DC신호의 플러스 배선과 연결되는 제3 도전층을 포함하는 적층 구조로 형성되고, 상기 제3 도전층은, 상기 밀리미터파 신호를 전송하는 도파관이 형성된 도파관 영역, 상기 도파관 영역의 양단으로부터 제1 방향으로 연장되며, 밀리미터파 신호 전송 라인의 일부를 형성하는 트랜지션 영역 및 상기 도파관 영역의 제2 방향으로 연장되며, DC 신호와 AC 신호 사이의 차단을 위한 분리(isolation) 영역을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따른 전자 장치에 포함된 배선 구조는, 밀리미터파 신호 전송 및 전력을 전달하는 파워 및 전송 선로(power and transmission line)로서, DC 신호의 그라운드로 연결되는 그라운드 패널 및 상기 그라운드 패널과 유전층을 사이에 두고 격리되며, AC 신호의 입출력단과 DC 신호의 플러스 배선과 연결되는 기판 집적 도파관 선로를 포함하는 멀티레이어를 포함하고, 상기 기판 집적 도파관 선로는, 상기 밀리미터파 대역의 신호를 전달하는 도파관이 형성된 도파관 영역, 상기 도파관 영역의 양단으로부터 제1 방향으로 연장되며, 밀리미터파 대역의 신호를 변환시키는 트랜지션 영역 및 상기 도파관 영역의 제2 방향에서 연장되며, DC 신호와AC 신호 사이의 차단을 위한 분리(isolation) 영역을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기판 직접형 도파관의 적층 구조에 DC 신호의 그라운드면으로 활용될 도전층을 추가로 적층한 배선 구조로 구현함으로써, 밀리미터파 대역의 신호 전송 라인으로 이용하면서, 동시에 전력 전송 라인으로 이용할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 밀리미터파 대역용 배선 구조는, 밀리미터파 입출력단에서 DC 신호 유입을 차단하는 ac 캐패시터를 배치하고, 기판 직접형 도파관의 적층 구조의 적어도 일부에 AC 신호 유입을 차단하는 비아홀 집단을 배치함으로써, AC 신호와 DC 신호 분리를 통해 밀리미터파 신호 전송과 동시에 전력 전송이 가능할 수 있다. 또한, 밀리미터파 전송 라인 구조와 별도로 구현하는 전력 전송 구조를 위한 금속과 층수를 감소됨으로써, 배선 구조 또는 케이블의 소형화가 가능할 수 있다.
도 1은 다양한 실시 예들에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 다양한 실시 예들에 따른, 레거시 네트워크 통신 및 5G 네트워크 통신을 지원하기 위한 전자 장치의 블록도이다.
도 3은 도 2를 참조하여 설명된 제 3 안테나 모듈(246)의 구조의 일 실시 예를 도시한다.
도 4a 및 도 4b는 일 실시 예에 따른 밀리미터파 대역용 배선 구조를 도시한다.
도 5a 및 도 5b는 제3 도전층 및 제2 도전층의의 평면도를 도시한다.
도 6은 일 실시 예에 따른 밀리미터파 대역용 배선 구조의 구성을 나타낸다.
도 7은 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 배선 구조의 성능을 테스트한 결과를 나타낸다.
도 8 은 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 배선 구조의 성능을 테스트한 결과들을 나타낸다.
도 2는 다양한 실시 예들에 따른, 레거시 네트워크 통신 및 5G 네트워크 통신을 지원하기 위한 전자 장치의 블록도이다.
도 3은 도 2를 참조하여 설명된 제 3 안테나 모듈(246)의 구조의 일 실시 예를 도시한다.
도 4a 및 도 4b는 일 실시 예에 따른 밀리미터파 대역용 배선 구조를 도시한다.
도 5a 및 도 5b는 제3 도전층 및 제2 도전층의의 평면도를 도시한다.
도 6은 일 실시 예에 따른 밀리미터파 대역용 배선 구조의 구성을 나타낸다.
도 7은 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 배선 구조의 성능을 테스트한 결과를 나타낸다.
도 8 은 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 배선 구조의 성능을 테스트한 결과들을 나타낸다.
본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시 예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
도 1 은 다양한 실시 예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다.
도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102,104, 또는108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
도 2는 다양한 실시 예들에 따른, 레거시 네트워크 통신 및 5G 네트워크 통신을 지원하기 위한 전자 장치(101)의 블록도(200)이다.
도 2를 참조하면, 전자 장치(101)는 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212), 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214), 제 1 radio frequency integrated circuit(RFIC)(222), 제 2 RFIC(224), 제 3 RFIC(226), 제 4 RFIC(228), 제 1 radio frequency front end(RFFE)(232), 제 2 RFFE(234), 제 1 안테나 모듈(242), 제 2 안테나 모듈(244), 및 안테나(248)를 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는 프로세서(120) 및 메모리(130)를 더 포함할 수 있다. 네트워크(199)는 제 1 네트워크(292)와 제 2 네트워크(294)를 포함할 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 도 1에 기재된 부품들 중 적어도 하나의 부품을 더 포함할 수 있고, 네트워크(199)는 적어도 하나의 다른 네트워크를 더 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212), 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214), 제 1 RFIC(222), 제 2 RFIC(224), 제 4 RFIC(228), 제 1 RFFE(232), 및 제 2 RFFE(234)는 무선 통신 모듈(192)의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 제 4 RFIC(228)는 생략되거나, 제 3 RFIC(226)의 일부로서 포함될 수 있다.
제 1 커뮤니케이션 프로세서(212)는 제 1 네트워크(292)와의 무선 통신에 사용될 대역의 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 레거시 네트워크 통신을 지원할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 제 1 네트워크는 2세대(2G), 3G, 4G, 또는 long term evolution(LTE) 네트워크를 포함하는 레거시 네트워크일 수 있다. 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 제 2 네트워크(294)와의 무선 통신에 사용될 대역 중 지정된 대역(예: 약 6GHz ~ 약 60GHz)에 대응하는 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 5G 네크워크 통신을 지원할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 제 2 네트워크(294)는 3GPP에서 정의하는 5G 네트워크일 수 있다. 추가적으로, 일 실시 예에 따르면, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 제 2 네트워크(294)와의 무선 통신에 사용될 대역 중 다른 지정된 대역(예: 약 6GHz 이하)에 대응하는 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 5G 네크워크 통신을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212)와 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 단일(single) 칩 또는 단일 패키지 내에 구현될 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 프로세서(120), 보조 프로세서(123), 또는 통신 모듈(190)과 단일 칩 또는 단일 패키지 내에 형성될 수 있다.
제 1 RFIC(222)는, 송신 시에, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212)에 의해 생성된 기저대역(baseband) 신호를 제 1 네트워크(292)(예: 레거시 네트워크)에 사용되는 약 700MHz 내지 약 3GHz의 라디오 주파수(RF) 신호로 변환할 수 있다. 수신 시에는, RF 신호가 안테나(예: 제 1 안테나 모듈(242))를 통해 제 1 네트워크(292)(예: 레거시 네트워크)로부터 획득되고, RFFE(예: 제 1 RFFE(232))를 통해 전처리(preprocess)될 수 있다. 제 1 RFIC(222)는 전처리된 RF 신호를 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212)에 의해 처리될 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다.
제 2 RFIC(224)는, 송신 시에, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 생성된 기저대역 신호를 제 2 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)에 사용되는 Sub6 대역(예: 약 6GHz 이하)의 RF 신호(이하, 5G Sub6 RF 신호)로 변환할 수 있다. 수신 시에는, 5G Sub6 RF 신호가 안테나(예: 제 2 안테나 모듈(244))를 통해 제 2 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)로부터 획득되고, RFFE(예: 제 2 RFFE(234))를 통해 전처리될 수 있다. 제 2 RFIC(224)는 전처리된 5G Sub6 RF 신호를 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214) 중 대응하는 커뮤니케이션 프로세서에 의해 처리될 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다.
제 3 RFIC(226)는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 생성된 기저대역 신호를 제 2 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)에서 사용될 5G Above6 대역(예: 약 6GHz ~ 약 60GHz)의 RF 신호(이하, 5G Above6 RF 신호)로 변환할 수 있다. 수신 시에는, 5G Above6 RF 신호가 안테나(예: 안테나(248))를 통해 제 2 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)로부터 획득되고 제 3 RFFE(236)를 통해 전처리될 수 있다. 제 3 RFIC(226)는 전처리된 5G Above6 RF 신호를 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 처리될 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 3 RFFE(236)는 제 3 RFIC(226)의 일부로서 형성될 수 있다.
전자 장치(101)는, 일 실시 예에 따르면, 제 3 RFIC(226)와 별개로 또는 적어도 그 일부로서, 제 4 RFIC(228)를 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 4 RFIC(228)는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 생성된 기저대역 신호를 중간(intermediate) 주파수 대역(예: 약 9GHz ~ 약 11GHz)의 RF 신호(이하, IF 신호)로 변환한 뒤, 상기 IF 신호를 제 3 RFIC(226)로 전달할 수 있다. 제 3 RFIC(226)는 IF 신호를 5G Above6 RF 신호로 변환할 수 있다. 수신 시에, 5G Above6 RF 신호가 안테나(예: 안테나(248))를 통해 제 2 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)로부터 수신되고 제 3 RFIC(226)에 의해 IF 신호로 변환될 수 있다. 제 4 RFIC(228)는 IF 신호를 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)가 처리할 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제 1 RFIC(222)와 제 2 RFIC(224)는 단일 칩 또는 단일 패키지의 적어도 일부로 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 RFFE(232)와 제 2 RFFE(234)는 단일 칩 또는 단일 패키지의 적어도 일부로 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 안테나 모듈(242) 또는 제 2 안테나 모듈(244)중 적어도 하나의 안테나 모듈은 생략되거나 다른 안테나 모듈과 결합되어 대응하는 복수의 대역들의 RF 신호들을 처리할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제 3 RFIC(226)와 안테나(248)는 동일한 서브스트레이트에 배치되어 제 3 안테나 모듈(246)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 무선 통신 모듈(192) 또는 프로세서(120)가 제 1 서브스트레이트(예: main PCB)에 배치될 수 있다. 이런 경우, 제 1 서브스트레이트와 별도의 제 2 서브스트레이트(예: sub PCB)의 일부 영역(예: 하면)에 제 3 RFIC(226)가, 다른 일부 영역(예: 상면)에 안테나(248)가 배치되어, 제 3 안테나 모듈(246)이 형성될 수 있다. 제 3 RFIC(226)와 안테나(248)를 동일한 서브스트레이트에 배치함으로써 그 사이의 전송 선로의 길이를 줄이는 것이 가능하다. 이는, 예를 들면, 5G 네트워크 통신에 사용되는 고주파 대역(예: 약 6GHz ~ 약 60GHz)의 신호가 전송 선로에 의해 손실(예: 감쇄)되는 것을 줄일 수 있다. 이로 인해, 전자 장치(101)는 제 2 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)와의 통신의 품질 또는 속도를 향상시킬 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 안테나(248)는 빔포밍에 사용될 수 있는 복수개의 안테나 엘레멘트들을 포함하는 안테나 어레이로 형성될 수 있다. 이런 경우, 제 3 RFIC(226)는, 예를 들면, 제 3 RFFE(236)의 일부로서, 복수개의 안테나 엘레멘트들에 대응하는 복수개의 위상 변환기(phase shifter)(238)들을 포함할 수 있다. 송신 시에, 복수개의 위상 변환기(238)들 각각은 대응하는 안테나 엘레멘트를 통해 전자 장치(101)의 외부(예: 5G 네트워크의 베이스 스테이션)로 송신될 5G Above6 RF 신호의 위상을 변환할 수 있다. 수신 시에, 복수개의 위상 변환기(238)들 각각은 대응하는 안테나 엘레멘트를 통해 상기 외부로부터 수신된 5G Above6 RF 신호의 위상을 동일한 또는 실질적으로 동일한 위상으로 변환할 수 있다. 이것은 전자 장치(101)와 상기 외부 간의 빔포밍을 통한 송신 또는 수신을 가능하게 한다.
제 2 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)는 제 1 네트워크(292)(예: 레거시 네트워크)와 독립적으로 운영되거나(예: stand-alone(SA)), 연결되어 운영될 수 있다(예: non-stand alone(NSA)). 예를 들면, 5G 네트워크에는 액세스 네트워크(예: 5G radio access network(RAN) 또는 next generation RAN(NG RAN))만 있고, 코어 네트워크(예: next generation core(NGC))는 없을 수 있다. 이런 경우, 전자 장치(101)는 5G 네트워크의 액세스 네트워크에 액세스한 후, 레거시 네트워크의 코어 네트워크(예: evolved packed core(EPC))의 제어 하에 외부 네트워크(예: 인터넷)에 액세스할 수 있다. 레거시 네트워크와 통신을 위한 프로토콜 정보(예: LTE 프로토콜 정보) 또는 5G 네트워크와 통신을 위한 프로토콜 정보(예: New Radio(NR) 프로토콜 정보)는 메모리(230)에 저장되어, 다른 부품(예: 프로세서(120), 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212), 또는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214))에 의해 액세스될 수 있다.
도 3은, 예를 들어, 도 2를 참조하여 설명된 제 3 안테나 모듈(246)의 구조의 일 실시 예를 도시한다. 도 3의 a는 상기 제 3 안테나 모듈(246)을 일측에서 바라본 사시도이고, b는 상기 제 3 안테나 모듈(246)을 다른 측에서 바라본 사시도이다. c는 상기 제 3 안테나 모듈(246)의 A-A'에 대한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 일 실시 예에 따르면, 제 3 안테나 모듈(246)은 제 1 인쇄 회로 기판(310), 안테나 어레이(330), RFIC(radio frequency integrate circuit)(352), PMIC(power manage integrate circuit)(354), 모듈 인터페이스(미도시)를 포함할 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 제 3 안테나 모듈(246)은 차폐 부재(390)를 더 포함할 수 있다. 다른 실시 예들에서는, 상기 언급된 부품들 중 적어도 하나가 생략되거나, 상기 부품들 중 적어도 두 개가 일체로 형성될 수도 있다.
제 1 인쇄 회로 기판(310)은 복수의 도전성 레이어들, 및 상기 도전성 레이어들과 교번하여 적층된 복수의 비도전성 레이어들을 포함할 수 있다. 상기 제 1 인쇄 회로 기판(310)은, 상기 도전성 레이어에 형성된 배선들 및 도전성 비아들을 이용하여 제 1 인쇄 회로 기판(310) 및/또는 외부에 배치된 다양한 전자 부품들 간 전기적 연결을 제공할 수 있다.
안테나 어레이(330)(예를 들어, 도 2의 248)는, 방향성 빔을 형성하도록 배치된 복수의 안테나 엘리먼트들(332, 334, 336, 또는 338)을 포함할 수 있다. 상기 안테나 엘리먼트들은, 도시된 바와 같이 제 1 인쇄 회로 기판(310)의 제 1 면(310a)에 형성될 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 안테나 어레이(330)는 제 1 인쇄 회로 기판(310)의 내부에 형성될 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 안테나 어레이(330)는, 동일 또는 상이한 형상 또는 종류의 복수의 안테나 어레이들(예: 다이폴 안테나 어레이, 및/또는 패치 안테나 어레이)을 포함할 수 있다.
RFIC(352)(예를 들어, 도 2의 226)는, 상기 안테나 어레이와 이격된, 제 1 인쇄 회로 기판(310)의 다른 영역(예: 상기 제 1 면(310a)의 반대쪽인 제 2 면(310b))에 배치될 수 있다. 상기 RFIC는, 안테나 어레이(330)를 통해 송/수신되는, 선택된 주파수 대역의 신호를 처리할 수 있도록 구성된다. 일 실시 예에 따르면, RFIC(352)는, 송신 시에, 커뮤니케이션 프로세서(예: 도 2의 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)) 로부터 획득된 기저대역 신호를 지정된 대역의 RF 신호로 변환할 수 있다. 상기 RFIC(352)는, 수신 시에, 안테나 어레이(330)를 통해 수신된 RF 신호를, 기저대역 신호로 변환하여 커뮤니케이션 프로세서에 전달할 수 있다.
다른 실시 예에 따르면, RFIC(352)는, 송신 시에, IFIC(intermediate frequency integrate circuit)(예를 들어, 도 2의 제4 RFIC(228))로부터 획득된 IF 신호(예: 약 9GHz ~ 약 11GHz)를 선택된 대역의 RF 신호로 업 컨버트(up convert) 할 수 있다. 상기 RFIC(352)는, 수신 시에, 안테나 어레이(352)를 통해 획득된 RF 신호를 다운 컨버트(down convert)하여 IF 신호로 변환하여 상기 IFIC에 전달할 수 있다.
PMIC(354)는, 상기 안테나 어레이(330)와 이격된, 제 1 인쇄 회로 기판(310)의 다른 일부 영역(예: 상기 제 2 면(310b))에 배치될 수 있다. PMIC(354)는 메인 인쇄 회로 기판(예: 도 4의 제 2 인쇄 회로 기판(430))으로부터 전압을 공급받아서, 안테나 모듈 상의 다양한 부품(예를 들어, RFIC(352))에 필요한 전원을 제공할 수 있다.
차폐 부재(390)는 RFIC(352) 또는 PMIC(354) 중 적어도 하나를 전자기적으로 차폐하도록 상기 제 1 인쇄 회로 기판(310)의 일부(예를 들어, 상기 제 2 면(310b))에 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 차폐 부재(390)는 쉴드캔을 포함할 수 있다.
도시되지 않았으나, 다양한 실시 예들에서, 제 3 안테나 모듈(246)은, 모듈 인터페이스를 통해 다른 인쇄 회로 기판(예: 도 4의 제 2 인쇄 회로 기판(430))과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 모듈 인터페이스는, 연결 부재, 예를 들어, 동축 케이블 커넥터, board to board 커넥터, 인터포저, 또는 FPCB(flexible printed circuit board)를 포함할 수 있다. 상기 연결 부재를 통하여, 상기 안테나 모듈의 RFIC(352) 및/또는 PMIC(354)가 상기 메인 인쇄 회로 기판(예: 도 4의 제 2 인쇄 회로 기판(430))과 전기적으로 연결될 수 있다.
다양한 실시 예들에 있어서, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))는 단일의 제 3 안테나 모듈(246)을 포함하거나, 또는 복수개의 제 3 안테나 모듈(246)을 포함할 수 있다.
이하, 전자 장치(101)의 연결 부재 예를 들어, 인터커넥션 케이블의 배선 구조를 설명하기로 한다.
도 4a 및 도 4b는 일 실시 예에 따른 밀리미터파 대역용 배선 구조를 도시한다. 도 4a 는 배선 구조(410)의 상면을 제1 방향(①)에서 바라본 도면이며, 도 4b는4a의 A-A' 의 단면을 도시한 도면일 수 있다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 다양한 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 안테나 어레이(예: 도 3의 안테나 어레이(330)))와, 전자 장치의 구성 요소(또는 전자 부품)를 연결하는 인터커넥션(interconnection) 배선 구조(또는 배선 케이블)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 배선 구조(410)는, 밀리미터파 대역의 신호 전송 및 전력 전송 선로(power and transmission line)를 포함할 수 있다. 배선 구조(410)는 직류 전원 공급 및 밀리미터파 대역(millimetre wave band, EHF(extremely high Frequency))(예: mmwave)의 신호 전송이 가능하도록 유전층과 도전층들이 교대로 적층된 멀티 레이어를 포함할 수 있다.
일 예로서, 배선 구조(410)는, 제1 도전층(420), 제1 도전층(420) 위에 제2 방향(②)으로 순차 적층된 제1 유전층(430), 제2 도전층(440), 제2 유전층(450) 및 제3 도전층(460)을 포함할 수 있다.
배선 구조(410)에 있어서, 제2 도전층(440)와 제3 도전층(460) 사이의 적층 영역은 밀리미터파 대역의 신호 전송 선로(transmission line)로 이용하며, 동시에 전력 전송 선로(power line)의 플러스(+) 배선으로 이용할 수 있다. 배선 구조(410)의 제1 도전층(420)은 전력 전송 선로의 마이너스(-) 배선으로 이용함으로써, 배선 구조(410)는 전력 공급과 동시에 밀리미터파 대역의 신호 전송이 가능한 구조를 형성할 수 있다.
제1 도전층(420)은 DC(direct current) 신호의 입출력단과 연결되며, 전력 전송의 그라운드(ground)면으로 동작할 수 있다. 예를 들어, 제1 도전층(420)의 제3 방향(③)에 위치한 일단(예: 전력 입력단)(4201)은 전력 공급원(예: 도 3의PMIC(354))의 마이너스(-) 배선과 연결되고, 제1 도전층(420)의 제4 방향(④)에 위치한 타단(예: 전력 출력단)(4202)은 전력이 공급될 전자 장치의 구성 요소(또는 전자 부품)와 연결될 수 있다.
제2 도전층(440) 및 제3 도전층(460)은, 제1 부분(4610)에서 밀리미터 대역 신호(예: AC(alternating current) 신호)의 입출력단과 연결되고 동시에, 제2 부분(4611)에서 DC(direct current) 신호의 입출력단과 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 부분(4610)에서 제3 도전층(460)은 제3 방향(③)에 위치한 일단(4601)이 신호 소스(source)(예: mmwave in)와 연결되고, 제4방향(④)에 위치한 타단(4602)이 신호 출력부(예: mmwave out)와 연결될 수 있다.
제2 부분(4611)에서 제3 도전층(460)은 제3 방향(③)에 위치한 일단 일단(예: 전력 입력단)(4603)이 전력 공급원의 플러스(+) 배선과 연결되고, 제4 방향(④)에 위치한 타단(예: 전력 출력단)(4604)이 전자 장치의 구성 요소(또는 전자 부품)와 연결될 수 있다.
제2 도전층(440)은 AC 신호의 그라운드(ground)면으로 동작할 수 있다. 제2 도전층(440)의 제3 방향에 위치한 일단(예: 신호 입력단)(4401) 및 제4방향(④)에 위치한 타단(4402)은 신호 전송 라인에 접지(또는 그라운드에 연결)될 수 있다. 제2 도전층(440)은 제3 도전층(460)과 함께 전력 전송 선로로 이용될 수 있다.
배선 구조(410)는 전력 전송 시 제1 도전층(420)이 그라운드면으로 동작하면서, 제2 도전층(440) 및 제3 도전층(460)의 면적을 이용하여 보다 많은 전력을 입력단(예: 4603)으로부터 출력단(4604)으로 전달할 수 있다. 동시에, 배선 구조(410)은 밀리미터파 대역의 신호 전송 시 제2 도전층(440)이 그라운드 면으로 동작하면서, 제2 도전층(440) 및 제3 도전층(460) 사이의 형성된 도파관(waveguide)을 통해 입력단(예: 4601,4401)으로부터 입력된 밀리미터파 대역의 신호를 타단(예: 4602,4402)으로 전달할 수 있다. 신호 전송 및 전력 전송은 제4 방향(④)으로 전달될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 도전층(440), 제2 유전층(450) 및 제3 도전층(460)의 적층 구조는 기판 직접형 도파관(SIW(substrate integrated waveguide)) 구조로 형성할 수 있다. 제2 유전층(450)은 연성 회로 기판(FPCB: flexible printed circuit board)일 수 있으나, 다른 적합한 유전체 기판을 포함할 수 있다. 제2 도전층(440) 및 제3 도전층(460)은 제2 유전층(450)을 사이에 두고 설정된 간격(w)으로 이격된 두 개의 전도성 비아홀 라인(via hole line)(470a, 470b)을 포함할 수 있다. 배선 구조(410)는, 두 개의 비아홀 라인(via hole line)(470a, 470b)을 통해 구형 도파관(rectangular waveguide)을 형성할 수 있다. 비아홀 라인들(470a, 470b)은 밀리미터파 대역의 신호를 공진으로 통해 제2 방향(②)으로 따라 전달하도록 설계될 수 있다. 비아홀 사이의 거리(a), 비아홀 라인의 간격(w), 제2 유전층(450)의 두께(h), 비아홀의 반지름(r)은 밀리미터 대역의 신호 전송 특성에 따라 따라 달라질 수 있다.
다른 예를 들어, 제2 도전층(440), 제2 유전층(450) 및 제3 도전층(460)은 공간 기판 집적 도파관(hollow substrate integrated waveguide(HSIW))구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않으며, 멀티 레이어로 구현 가능한 다른 도파관 구조가 형성될 수도 있다.
일 실시 예에 따르면, 배선 구조(410)는, 제2 도전층(440) 및 제3 도전층(460)을 이용하여 밀리미터파 대역의 신호(예: AC 신호)를 전송함과 동시에 전력 신호(예: DC 신호)를 전달할 수 있다. 배선 구조(410)는 전력 전송 선로 또는 신호 전송 선로의 입출력 양단에 AC 신호와 DC 신호 분리를 위한 분리(isolation) 구조를 더 포함할 수 있다.
일 예를 들어, 분리 구조는 제2 도전층(440) 및 제3 도전층(460)과 연결된 AC 신호의 입출력단에 배치되는 DC 차단 회로(예: AC capacitors)(490)를 포함할 수 있다. AC 캐패시터는 DC 신호가 신호 전송 선로로 유입되는 것을 방지하기 위한 필터로서, DC 신호는 차단하고 AC 신호는 패스(pass)할 수 있다.
다른 예를 들어, 분리 구조는 제3 도전층(460)에 전력 전송 라인으로 AC신호의 유입을 차단하는 비아홀 집단(480)이 배치된 분리(isolation) 영역(예: 도 5의 분리 영역(530))을 포함할 수 있다. 분리 영역은 제3 도전층 (460) 및 제2 도전층(440)의 제2 부분(4611)에 형성될 수 있다. 어떤 예에 따르면, 분리 구조는, 제2 도전층(440) 및 제3 도전층(460)과 연결된 DC 신호의 입출력단에 배치되는 AC 차단 회로(미도시)를 더 포함할 수도 있다.
배선 구조(210)는 직접 기판 도파관이 형성된 신호 전송 라인의 도전층들(예: 제2 도전층(440) 및 제3 도전층(460))을 전력 전송 라인으로 이용하되, 전력 전송의 그라운드로 이용되는 제1 도전층(420) 및 AC 신호와 DC 신호를 분리하는 분리 구조(예: 분리 영역, DC 차단 회로, AC 차단 회로)을 추가로 구현함으로서, 밀리미터파 대역의 신호 전송의 손실을 개선하면서, 넓은 폭과 복수의 도전층들을 통해 높은 전력을 전송할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 배선 구조(210)는 밀리미터파 대역의 신호 전송 선로를 기판 집적형 도파관(SIW(substrate integrated waveguide)) 구조로 구현하되, 다른 구성요소들 또는 전송 선로(예: 도파관)와의 연결에서 오는 구조적 불연속을 해결하기 위해 트랜지션(transition) 영역(예: 도 5의 트랜지션 영역(520))을 포함할 수 있다. 이하, 트랜지션(transition) 영역과 분리(isolation) 영역에 대해 상세히 설명하기로 한다
도 5a 및 도 5b는 제3 도전층 및 제2 도전층의의 평면도를 도시한다. 도 5a 는 도 4b 제3 도전층의 평면도이며, 도 5b는 도 4b 제2 도전층의 평면도를 도시한다
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 일 실시 예에 따르면 배선 구조(410)에 포함된 제3 도전층(460)은 제1 부분(4610)에서 도파관 영역(520), 도파관 영역(520)의 양단에서 제3 방향(③및 제4 방향(④으로 연장되는 트랜지션(transition) 영역(530,540)을 포함하고, 제2 부분(4611)에서 도파관 영역(520)의 다른 일부로부터 제1 방향(①으로 연장되는 분리(isolation) 영역(550)을 포함할 수 있다.
도파관 영역(520)은, 설정된 간격(w)으로 이격된 두 개의 전도성 비아홀 라인(via hole line)(470a, 470b)이 평행하게 배치될 수 있다. 배선 구조(410)는 비아홀 라인을 통해 구형 도파관이 형성될 수 있다.
트랜지션 영역(520,530)은 50(Ω)의 임피던스값으로 매칭하는 입출력선로(Input, ouptput Line)(521)와, 입출력선로에서 경로 변환을 위한 변환 선로(Transformer Line) (522)를 포함할 수 있다. 입출력 선로 (521) 및 변환 선로 (522)는 마이크로 스트립(mircostrip), 스트립(strip), 슬롯(slot) 선로 구조를 포함할 수 있다.
일 예로, 변환 선로(522)는 제3 도전층(460)의 도파관 영역(510)의 양단으로부터 연장하되, 일정 간격을 두고 이격된 3개의 변환 선로(522)로 배치되고 어느 하나의 변환 선로에서 연장된 하나의 입출력 선로(521)가 배치될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
배선 구조(410)는 도파관 영역(510)은 SIW 구조로 형성하되, 도파관 영역(510)과 연결되는 변환 선로(521)와 입출력선로(522)를 형성함으로써, 밀리미터파 대역 전소에 대한 신호 손실을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 신호 소스로부터 입력단을 통해 전달된 밀리미터파 대역의 신호는 입출력 선로(521)를 통과하면서 50옴(Ωohm) 임피던스로 매칭되어 출력될 수 있다. 변환 선로(522)는 임피던스 매칭된 신호와 도파관을 통해 전송되는 신호 사이의 신호를 변환하며, 전송 중단이 있는 경우, 신호 흐름을 동일한 방향으로 유지하기 위한 전이(transition)가 이루어질 수 있다.
분리 영역(530)은 신호 전송선로로 전달되는 신호(예: mmwave) 의 주파수 대역보다 더 높은 차단 주파수를 가지도록 구현된 비아홀 집단(480)을 포함할 수 있다. 분리 영역(530)에 배치된 비아홀 집단(531)은 기판 집적 도파관을 통해 전달되는 밀리미터파 대역의 신호(다시 말해, AC 신호)를 차단하는 필터 역할을 하며, AC 신호와 DC 신호가 커플링되는 것을 방지할 수 있다.
제2 도전층(440)은 도 5b에 도시된 바와 같이 제3 도전층(460)보다 상대적으로 넓은 큰 면적으로 형성될 수 있다. 제2 도전층(440)은 제3 도전층(460)과 마찬가지로 제1 부분(4610)에 두 개의 전도성 비아홀 라인(via hole line)(470a, 470b)이 평행하게 배치되고, 제2 부분(4611)에, 비아홀 집단(480)이 배치될 수 있다.
도 6은 일 실시 예에 따른 밀리미터파 대역용 배선 구조의 구성을 나타낸다.
도 6을 참조하면, 일 실시 예에 따르면 밀리미터파 대역용 배선 구조(예: 도 4의 410) 또는 배선 케이블은, 밀리미터파 대역의 신호 전송 선로 및 전력 전송 선로로서 이용되는 기판 집적 도파관 선로(611)와, 전력 전송의 DC 그라운드 패널 (612)을 포함하는 멀티 레이어(610), 선로 입력단에 배치되는 제1 신호 분리부(620), 선로출력단에 배치되는 제2 신호 분리부(630)를 포함할 수 있다.
제1 신호 분리부(620) 및 제2 신호 분리부(630)는 신호 전송 선로에서 DC 신호의 유입을 차단하는 DC 차단 회로(621,631) 및 전력 선송 선로에서 AC신호의 유입을 차단하는 AC 차단 회로(622,632)를 포함할 수 있다. DC 차단 회로(621,631)는 기판 집적 도파관 선로(611)로 이용되는 도전층들(예: 도 4의 제2 도전층(440), 제3 도전층(460))과 연결될 수 있다. AC 차단 회로(622,632)의 일부는 기판 집적 도파관 선로(611)로 이용되는 도전층들(예: 도 4의 제2 도전층(440), 제3 도전층(460))과 연결되고 다른 일부는 DC그라운드 패널(612)과 연결될 수 있다. DC 차단 회로(621,631)는 AC 캐패시터를 포함할 수 있으며, 이에 한정하는 것은 아니다.
어떤 실시예에 따르면, AC 차단 회로(622,632)는 DC 신호는 패스하고 AC 신호를 차단하는 회로로 구현될 수 있으나, 비아홀 집단을 통해 AC 신호를 필터링하도록 구현할 수도 있다.
다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))에 포함된 배선 구조(예: 도 4a/4b의 배선 구조(410))는, 밀리미터파 신호 전송 및 전력을 전달하는 파워 및 전송 선로(power and transmission line)로서, 파워 및 전송 선로는, DC(direct current) 신호의 마이너스 배선과 연결되는 제1 도전층(420), 상기 제1 도전층(420) 위에 적층되는 제1 유전층(430), 상기 제1 유전층(430) 위에 적층되며, AC(alternating current) 신호의 그라운드로 접지되는 제2 도전층(440), 상기 제2 도전층(440) 위에 적층되는 제2 유전층(450), 및 상기 제2 유전층(450) 위에 적층되며, AC 신호의 입출력 포트와 DC신호의 플러스 배선과 연결되는 제3 도전층(460)을 포함하는 적층 구조로 형성되고, 상기 제3 도전층(460)은, 상기 밀리미터파 신호를 전송하는 도파관이 형성된 도파관 영역(520), 상기 도파관 영역(520)의 양단으로부터 제1 방향으로 연장되며, 밀리미터파 신호 전송 라인의 일부를 형성하는 트랜지션 영역(530,540)) 및 상기 도파관 영역의 제2 방향으로 연장되며, DC 신호와AC 신호 사이의 차단을 위한 분리(isolation) 영역(550)을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제2 유전층은 연성 회로 기판을 포함하고, 상기 도파관은 상기 제2 유전층을 사이에 두고 상기 제2 도전층 및 제3 도전층에 두 개의 전도성 비아홀 라인이 배치되는 기판 집적 도파관(substrate integrated waveguide)으로 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제2 도전층 및 제3 도전층과 밀리미터파 신호의 전송 라인과 연결되는 입출력단에 DC 신호는 차단하고, AC 신호를 패스하는 AC 캐패시터들이 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 트랜지션 영역은, 상기 도파관 영역의 양단으로부터 연장하되, 일정 간격을 두고 이격되는 적어도 복수의 변환 선로 및 복수의 변환 선로 중 적어도 하나의 선로로부터 연장되며, 50(Ω)의 임피던스값으로 매칭하는 입출력선로;를 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 변환 선로 및 입출력 선로는 마이크로 스트립(mircostrip), 스트립(strip), 슬롯(slot) 선로 구조 중 적어도 하나로 구현될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 분리 영역은, 밀리미터파 대역의 주파수 보다 더 높은 차단 주파수를 가지도록 배치된 비아홀 집단을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제3 도전층과 DC 신호의 플러스 배선과 연결되는 입출력단에 AC 신호는 차단하고 DC 신호를 패스하는 분리 회로를 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))에 포함된 배선 구조에 있어서, 밀리미터파 신호 전송 및 전력을 전달하는 파워 및 전송 선로(power and transmission line)로서, DC 신호의 그라운드로 연결되는 그라운드 패널(612); 및 상기 그라운드 패널과 유전층을 사이에 두고 격리되며, AC 신호의 입출력단과 DC 신호의 플러스 배선과 연결되는 기판 집적 도파관 선로(611)를 포함하는 멀티레이어(610)를 포함하고, 상기 기판 집적 도파관 선로는, 상기 밀리미터파 대역의 신호를 전달하는 도파관이 형성된 도파관 영역(520), 상기 도파관 영역의 양단으로부터 제1 방향으로 연장되며, 밀리미터파 대역의 신호를 변환시키는 트랜지션 영역(530,540) 및 상기 도파관 영역의 제2 방향에서 연장되며, DC 신호와AC 신호 사이의 차단을 위한 분리(isolation) 영역(550)을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 기판 집적 도파관 선로는, 연성 회로 기판의 제3 방향으로 배치된 상부 도전층 및 상기 연성 회로 기판의 제4 방향으로 배치된 하부 도전층에 두 개의 전도성 비아홀 라인이 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 밀리미터파 신호의 전송 입출력단에 DC신호는 차단하고 AC신호를 패스하는 DC차단 회로를 더 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 트랜지션 영역은, 상기 도파관 영역의 양단으로부터 연장하되, 일정 간격을 두고 이격되는 적어도 복수의 변환 선로 및 상기 복수의 변환 선로 중 적어도 하나의 선로로부터 연장되며, 50(Ω)의 임피던스값으로 매칭하는 입출력선로를 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 변환 선로 및 입출력 선로는 마이크로 스트립(mircostrip), 스트립(strip), 슬롯(slot) 선로 구조 중 적어도 하나로 구현될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 분리 영역은, 밀리미터파 대역의 주파수 보다 더 높은 차단 주파수를 가지도록 배치된 비아홀 집단을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 상부도전층과 DC신호의 플러스 배선과 연결되는 입출력단에 AC 신호는 차단하고 DC 신호를 패스하는 AC 차단 회로를 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 밀리미터파 대역은 37 ~45 GHz 대역의 신호를 포함할 수 있다.
도 7은 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 배선 구조의 성능을 테스트한 결과를 나타낸다.
다양한 실시 예에 따른 밀리미터파 대역용 배선 구조의 입력단과 출력단에서의 신호를 측정한 결과, 도 7에 도시된 바와 같은 AC 신호와 DC 신호와의 분리 특성을 확인할 수 있다. 도 7의 가로축은 주파수이고 세로축은 신호 크기일 수 있다. 신호 S11은 입력 반사 특성을 나타내며, 신호 S21은 순방향 전송 특성을 나타낼 수 있다. 입력 반사 특성은, 0 크기에 도달할수록 노이즈가 없는 신호일 수 있다. 신호 S11을 보면, 24GHz 부터 0크기에 도달하여 전송 특성이 우수한 것을 확인할 수 있다. 순방향 전송 특성은 마이너스 크기로 떨어질수록 AC 신호 및 DC 신호 간의 격리가 향상된 신호일 수 있다. 신호 S21을 보면, 37.5 GHz 대역에서 전송 특성이 우수한 것을 확인할 수 있다.
도 8 은 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 배선 구조의 성능을 테스트한 결과들을 나타낸다.
다양한 실시 예에 따른 밀리미터파 대역용 배선 구조는 다양한 위치에서 반사 특성을 측정한 결과, 도 8에 도시된 바와 같이, AC 신호와 DC 신호와의 분리 특성을 확인할 수 있다. 도 8의 8001와 8003은 도 4의 제3 도전층(460)의 신호 입력단(예: 4601)과 전력 전송의 입력단(예: 4603)에서 측정한 반사 특성 결과를 나타내며, 8002및 8004는 제3 도전층(460)의 신호 입력단(예: 4601)과 전력 전송의 출력단(예:”4604)에서 측정한 반사 특성 결과를 나타낸다. 테스트 결과, 밀리미터파 대역용 배선 구조는 밀리미터파 대역의 신호 손실이 적으면서도 DC 신호와 의 분리 (isolation) 특성이 우수한 것을 확인할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
101: 전자 장치
120: 프로세서
410: 배선 구조
420: 제1 도전층
440: 제2 도전층
460: 제3 도전층
120: 프로세서
410: 배선 구조
420: 제1 도전층
440: 제2 도전층
460: 제3 도전층
Claims (15)
- 전자 장치에 포함된 배선 구조에 있어서,
밀리미터파 신호 전송 및 전력을 전달하는 파워 및 전송 선로(power and transmission line)로서, 파워 및 전송 선로는,
DC(direct current) 신호의 마이너스 배선과 연결되는 제1 도전층,
상기 제1 도전층 위에 적층되는 제1 유전층;
상기 제1 유전층 위에 적층되며, AC(alternating current) 신호의 그라운드로 접지되는 제2 도전층,
상기 제2 도전층 위에 적층되는 제2 유전층, 및
상기 제2 유전층 위에 적층되며, 상기 AC 신호의 입출력 포트와 상기 DC 신호의 플러스 배선과 연결되는 제3 도전층을 포함하는 적층 구조로 형성되고,
상기 제3 도전층은,
상기 밀리미터파 신호를 전송하는 도파관이 형성된 도파관 영역;
상기 도파관 영역의 양단으로부터 제1 방향으로 연장되며, 밀리미터파 신호 전송 라인의 일부를 형성하는 트랜지션 영역; 및
상기 도파관 영역의 제2 방향으로 연장되며, 상기 DC 신호와 상기 AC 신호 간 차단을 위한 분리(isolation) 영역을 포함하는 배선 구조. - 제1항에 있어서,
상기 제2 유전층은 연성 회로 기판을 포함하고,
상기 도파관은 상기 제2 유전층을 사이에 두고 상기 제2 도전층 및 제3 도전층에 두 개의 전도성 비아홀 라인이 배치되는 기판 집적 도파관(substrate integrated waveguide)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 배선 구조. - 제2항에 있어서,
상기 제2 도전층 및 제3 도전층과 밀리미터파 신호의 전송 라인과 연결되는 입출력단에 상기 DC신호는 차단하고 상기 AC 신호를 패스하도록 구현된 AC 캐패시터들이 배치되는 배선 구조. - 제1항에 있어서,
상기 트랜지션 영역은,
상기 도파관 영역의 양단으로부터 연장하되, 일정 간격을 두고 이격되는 적어도 복수의 변환 선로; 및
복수의 변환 선로 중 적어도 하나의 선로로부터 연장되며, 50(Ω)의 임피던스값으로 매칭하는 입출력선로를 더 포함하는 배선 구조. - 제4항에 있어서,
상기 변환 선로 및 입출력 선로는 마이크로 스트립(mircostrip), 스트립(strip), 슬롯(slot) 선로 구조 중 적어도 하나로 구현되는 배선 구조. - 제1항에 있어서,
상기 분리 영역은,
밀리미터파 대역의 주파수 보다 더 높은 차단 주파수를 가지도록 배치된 비아홀 집단을 포함하는 배선 구조. - 제6항에 있어서,
상기 제3 도전층과 상기 DC 신호의 플러스 배선과 연결되는 입출력단에 상기 AC 신호는 차단하고 상기 DC 신호를 패스하도록 구현된 분리 회로를 더 포함하는 배선 구조. - 전자 장치에 포함된 배선 구조에 있어서,
밀리미터파 신호 전송 및 전력을 전달하는 파워 및 전송 선로(power and transmission line)로서,
DC 신호의 그라운드로 연결되는 그라운드 패널; 및
상기 그라운드 패널과 유전층을 사이에 두고 격리되며, AC 신호의 입출력단과 상기 DC 신호의 플러스 배선과 연결되는 기판 집적 도파관 선로를 포함하는 멀티레이어를 포함하고,
상기 기판 집적 도파관 선로는,
밀리미터파 대역의 신호를 전달하는 도파관이 형성된 도파관 영역;
상기 도파관 영역의 양단으로부터 제1 방향으로 연장되며, 상기 밀리미터파 대역의 신호를 변환시키는 트랜지션 영역; 및
상기 도파관 영역의 제2 방향에서 연장되며, 상기 DC 신호와 상기 AC 신호 사이의 차단을 위한 분리(isolation) 영역을 포함하는 배선 구조. - 제8항에 있어서,
상기 기판 집적 도파관 선로는,
연성 회로 기판의 제3 방향으로 배치된 상부 도전층 및 상기 연성 회로 기판의 제4 방향으로 배치된 하부 도전층에 두 개의 전도성 비아홀 라인이 배치된 배선 구조. - 제8항에 있어서,
밀리미터파 신호의 전송 입출력단에 DC 신호는 차단하고 AC 신호를 패스하도록 구현된 DC 차단 회로를 더 배치하는 배선 구조. - 제8항에 있어서,
상기 트랜지션 영역은,
상기 도파관 영역의 양단으로부터 연장하되, 일정 간격을 두고 이격되는 적어도 복수의 변환 선로; 및
상기 복수의 변환 선로 중 적어도 하나의 선로로부터 연장되며, 50(Ω)의 임피던스값으로 매칭하는 입출력선로를 더 포함하는 배선 구조. - 제11항에 있어서,
상기 변환 선로 및 입출력 선로는 마이크로 스트립(mircostrip), 스트립(strip), 슬롯(slot) 선로 구조 중 적어도 하나로 구현되는 배선 구조. - 제8항에 있어서,
상기 분리 영역은,
상기 밀리미터파 대역의 주파수 보다 더 높은 차단 주파수를 가지도록 배치된 비아홀 집단을 포함하는 배선 구조. - 제9항에 있어서,
상기 상부도전층과 상기 DC 신호의 플러스 배선과 연결되는 입출력단에 AC 신호는 차단하고 DC 신호를 패스하도록 구현된 AC 차단 회로를 더 포함하는 배선 구조. - 제8항에 있어서,
상기 밀리미터파 대역은 37 ~45 GHz 대역의 신호를 포함하는 배선 구조.
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