KR20220149841A - 표시 장치 - Google Patents

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박주찬
김선호
박옥경
박향아
이선희
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치는 제1 표시 영역, 상기 제1 표시 영역에 인접하는 제2 표시 영역, 적어도 일부가 상기 제2 표시 영역에 위치하는 구동부, 상기 제1 표시 영역에 위치하는 복수의 제1 발광 소자, 상기 제2 표시 영역에 위치하며, 상기 제1 표시 영역에 인접하는 경계부 발광 소자 및 상기 구동부와 중첩하는 구동부 발광 소자를 포함하는 복수의 제2 발광 소자, 그리고 상기 제2 표시 영역에 위치하며, 상기 경계부 발광 소자와 전기적으로 연결된 카피 발광 소자 및 더미 발광 소자를 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로, 구동부 위에도 발광 소자를 배치한 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 영상이 표시되는 표시 영역과 표시 영역 주변의 영상이 표시되지 않는 주변 영역을 포함할 수 있다. 표시 영역에는 화소들이 배치되고, 화소들의 조합에 의해 영상을 표시할 수 있다. 각 화소에 대응하는 화소 영역에는 트랜지스터, 커패시터 등과 같은 다양한 소자와 이들 소자에 신호들을 공급할 수 있는 배선들이 위치할 수 있다. 주변 영역에는 화소에 인가되는 신호들을 생성하는 구동부(게이트 구동부, 데이터 구동부, 타이밍 제어부 등)가 위치할 수 있다.
표시 장치의 주변 영역을 줄이면 표시 장치의 화면 비율(screen-to-body ratio)을 증가시킬 수 있다. 화면 비율은 표시 장치의 기술 수준을 반영함과 동시에, 소비자가 제품을 선택하는데 있어서 중요하게 작용할 수 있다. 표시 품질(화질)을 높이기 위해 고속 구동(예컨대, 120㎐ 이상의 주사율)이 유리할 수 있으나, 이를 위해서는 구동부가 차지하는 영역이 증가하여 주변 영역을 줄이기 어려울 수 있다.
실시예들은 증가한 화면 비율을 가진 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 표시 영역, 상기 제1 표시 영역에 인접하는 제2 표시 영역, 적어도 일부가 상기 제2 표시 영역에 위치하는 구동부, 상기 제1 표시 영역에 위치하는 복수의 제1 발광 소자, 상기 제2 표시 영역에 위치하며, 상기 제1 표시 영역에 인접하는 경계부 발광 소자 및 상기 구동부와 중첩하는 구동부 발광 소자를 포함하는 복수의 제2 발광 소자, 그리고 상기 제2 표시 영역에 위치하며, 상기 경계부 발광 소자와 전기적으로 연결된 카피 발광 소자 및 더미 발광 소자를 포함한다.
상기 경계부 발광 소자 및 카피 발광 소자는 발광층을 포함할 수 있고, 상기 더미 발광 소자는 발광층을 포함하지 않을 수 있다.
상기 경계부 발광 소자, 카피 발광 소자 및 상기 더미 발광 소자는 각각 서로 중첩하는 제1 전극 및 제2 전극을 포함할 수 있다. 상기 경계부 발광 소자, 카피 발광 소자 및 상기 더미 발광 소자의 제1 전극들은 서로 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 경계부 발광 소자, 카피 발광 소자 및 상기 더미 발광 소자의 제2 전극들은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 경계부 발광 소자, 카피 발광 소자 및 상기 더미 발광 소자는 각각 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 제1 공통층 및 제2 공통층을 포함할 수 있다. 상기 경계부 발광 소자 및 상기 카피 발광 소자의 상기 제1 공통층과 상기 제2 공통층 사이에 상기 발광층이 위치할 수 있고, 상기 더미 발광 소자의 상기 제1 공통층과 상기 제2 공통층이 접할 수 있다.
상기 경계부 발광 소자, 상기 카피 발광 소자 및 상기 더미 발광 소자는 상기 복수의 제1 발광 소자와 상기 구동부 발광 소자 사이에 위치할 수 있다.
상기 경계부 발광 소자와 상기 카피 발광 소자는 동일한 색을 표시할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 제1 표시 영역에 위치하며 상기 복수의 제1 발광 소자와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 제1 화소 회로부, 그리고 상기 제1 표시 영역에 위치하며 상기 복수의 제2 발광 소자와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 제2 화소 회로부를 더 포함할 수 있다. 상기 카피 발광 소자 및 상기 더미 발광 소자는 자신과 전기적으로 연결된 제2 화소 회로부와 중첩하지 않을 수 있다.
상기 경계부 발광 소자는 자신과 전기적으로 연결된 제2 화소 회로부와 중첩하지 않을 수 있다.
상기 구동부 발광 소자는 자신과 전기적으로 연결된 제2 화소 회로부와 중첩하지 않을 수 있다.
상기 경계부 발광 소자는 상기 복수의 제1 발광 소자 중 동일한 색을 표시하는 제1 발광 소자와 크기가 동일할 수 있다.
상기 경계부 발광 소자는 상기 구동부 발광 소자보다 크기가 작을 수 있다.
상기 카피 발광 소자는 상기 경계부 발광 소자와 크기가 동일할 수 있다.
상기 복수의 제2 발광 소자는 행렬로 배열될 수 있고, 상기 카피 발광 소자는 상기 경계부 발광 소자와 동일 행에 배열될 수 있고, 상기 더미 발광 소자는 상기 경계부 발광 소자와 다른 행에 배열될 수 있다.
상기 더미 발광 소자는 상기 경계부 발광 소자가 표시하는 색과 다른 색을 표시하는 2개의 제2 발광 소자 사이에 위치할 수 있다.
상기 경계부 발광 소자는 청색 또는 적색을 표시할 수 있고, 상기 다른 색을 표시하는 2개의 제2 발광 소자는 녹색을 표시할 수 있다.
상기 제1 표시 영역은 모서리가 둥근 코너부를 포함할 수 있고, 상기 경계부 발광 소자는 상기 코너부에 인접할 수 있다.
상기 복수의 제2 발광 소자는 복수의 카피 발광 소자와 전기적으로 연결된 제2 발광 소자를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 표시 영역, 상기 제1 표시 영역에 인접하는 제2 표시 영역, 상기 제1 표시 영역에 위치하는 복수의 제1 발광 소자, 상기 제2 표시 영역에 위치하는 복수의 제2 발광 소자, 상기 제2 표시 영역에 위치하며, 상기 복수의 제2 발광 소자 중 하나와 전기적으로 연결된 더미 발광 소자, 그리고 적어도 일부가 상기 제2 표시 영역에 위치하는 구동부를 포함한다.
상기 더미 발광 소자는 서로 중첩하는 제1 전극 및 제2 전극을 포함할 수 있고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 발광층을 포함하지 않을 수 있다.
상기 복수의 제2 발광 소자 중 상기 더미 발광 소자와 연결된 제2 발광 소자는 상기 복수의 제2 발광 소자 중 상기 구동부와 중첩하는 제2 발광 소자보다 크기가 작을 수 있고 상기 제1 발광 소자와 크기가 동일할 수 있다.
실시예들에 따르면, 증가한 화면 비율을 가지면서 표시 품질을 유지하거나 개선할 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다. 또한, 실시예들에 따르면, 명세서 전반에 걸쳐 인식될 수 있는 유리한 효과가 있다.
도 1은 일 실시예에 의한 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 A-A'선을 따라 취한 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치에서 화소 회로부들과 발광 소자들 간의 연결 관계를 도시하는 평면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치에서 발광 소자들의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치에서 발광 소자들의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 6은 일 실시예에 의한 표시 장치에서 제1 화소 회로부 및 제1 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 의한 표시 장치에서 제2 화소 회로부 및 제2 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 의한 표시 장치에서 제2 화소 회로부, 경계부 발광 소자, 카피 발광 소자 및 더미 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소의 등가 회로도이다.
첨부한 도면을 참고하여 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 구성이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 구성이 다른 구성 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 구성이 없는 것을 뜻한다.
명세서에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다는 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
명세서에서, "연결"된다는 둘 이상의 구성요소가 직접적으로 연결되는 경우만을 의미하는 것이 아니고, 둘 이상의 구성요소가 다른 구성요소를 통하여 간접적으로 연결되는 경우, 물리적으로 연결되는 경우나 전기적으로 연결되는 경우뿐만 아니라, 위치나 기능에 따라 상이한 명칭으로 지칭되었으나 실질적으로 일체인 각 부분이 서로 연결되는 경우를 포함할 수 있다.
도면에서, 방향을 나타내는데 부호 "x", "y" 및 "z"가 사용되고, 여기서 "x"는 제1 방향이고, "y"는 제1 방향과 수직인 제2 방향이고, "z"는 제1 방향 및 제2 방향과 수직인 제3 방향이다. 제1 방향(x), 제2 방향(y) 및 제3 방향(z)은 각각 표시 장치의 가로 방향, 세로 방향 및 두께 방향에 대응할 수 있다.
명세서에서 특별한 언급이 없으면 "중첩"은 평면도에서 중첩을 의미하고, 제3 방향(z)으로 중첩을 의미한다.
도 1은 일 실시예에 의한 표시 장치의 개략적인 평면도이고, 도 2는 A-A'선을 따라 취한 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 표시 장치(1)는 기판(110) 및 기판(110) 위에 위치하는 발광 소자들(ED1, ED2)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다. 기판(110)의 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)은 표시 장치(1)의 표시 영역 및 주변 영역에 대응할 수 있다.
표시 영역(DA)은 영상을 표시하는 화면에 대응할 수 있다. 표시 영역(DA)은 대략 사각형일 수 있고, 코너부가 둥글 수 있다. 표시 영역(DA)의 형상은 다양하게 변경될 수 있다.
표시 영역(DA)은 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)을 포함할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)은 표시 영역(DA)의 대부분을 차지할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)은 제1 표시 영역(DA1)에 인접할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)은 제1 표시 영역(DA1)의 양측에 위치할 수 있다. 도시된 것과 달리, 제2 표시 영역(DA2)은 제1 표시 영역(DA1)을 둘러쌀 수도 있다.
주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 주변 영역(PA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로서, 표시 장치의 외곽부에 위치할 수 있다. 주변 영역(PA)에는 표시 영역(DA)에 인가되는 각종 신호들을 생성 및/또는 전달하기 위한 회로들 및 신호선들이 배치될 수 있다.
발광 소자들(ED1, ED2)은 표시 영역(DA)에 위치할 수 있다. 발광 소자들(ED1, ED2)에는 신호선들(DL, GL, VL1)이 전기적으로 연결될 수 있다. 각각의 발광 소자(ED1, ED2)는 화소에 대응할 수 있고, 적색, 녹색 또는 청색의 광을 방출할 수 있다. 표시 영역(DA)은 발광 소자들(ED1, ED2)에서 방출되는 광의 조합을 통해 소정의 영상을 제공할 수 있다.
발광 소자들(ED1, ED2)은 제1 발광 소자들(ED1) 및 제2 발광 소자들(ED2)을 포함할 수 있다. 제1 발광 소자들(ED1)은 제1 표시 영역(DA1)에 위치할 수 있고, 제2 발광 소자들(ED2)은 제2 표시 영역(DA2)에 위치할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)에서 제1 발광 소자들(ED1)은 제1 방향(x) 및 제2 방향(y)을 따라 배치될 수 있고, 제2 표시 영역(DA2)에서 제2 발광 소자들(ED2)은 제1 방향(x) 및 제2 방향(y)을 따라 배치될 수 있다. 제1 발광 소자(ED1)의 크기와 제2 발광 소자(ED2)의 크기는 동일하거나 상이할 수 있다. 예컨대, 제2 발광 소자(ED2)는 제1 발광 소자(ED1)보다 클 수 있다. 본 명세서에서 제1 발광 소자(ED1)와 제2 발광 소자(ED2) 간의 크기 비교는 동일한 색을 표시하는 발광 소자들을 비교한 것이다. 본 명세서에서 발광 소자의 크기는 발광 소자의 면적을 의미할 수 있고, 크기와 면적은 혼용될 수 있다. 단위 면적당 제1 발광 소자(ED1)의 개수와 단위 면적당 제2 발광 소자(ED2)의 개수는 동일하거나 상이할 수 있다. 예컨대, 단위 면적당 제2 발광 소자(ED2)의 개수는 단위 면적당 제1 발광 소자(ED1)의 개수보다 적을 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)의 해상도와 제2 표시 영역(DA2)의 해상도는 동일하거나 상이할 수 있다. 예컨대, 제1 표시 영역(DA1)의 해상도가 제2 표시 영역(DA2)의 해상도보다 높을 수 있다. 제1 발광 소자들(ED1) 및 제2 발광 소자들(ED2)의 배치, 크기, 해상도 등은 다양하게 변경될 수 있다.
표시 장치(1)는 기판(110) 위에 위치하는 화소 회로부들(PC1, PC2)을 더 포함할 수 있다. 화소 회로부들(PC1, PC2)은 제1 화소 회로부들(PC1) 및 제2 화소 회로부들(PC2)을 포함할 수 있다. 제1 화소 회로부들(PC1)은 제1 표시 영역(DA1)에 위치할 수 있고, 제2 화소 회로부들(PC2)은 제2 표시 영역(DA2)에 위치할 수 있다. 제1 화소 회로부들(PC1)은 제1 발광 소자들(ED1)과 연결될 수 있고, 제2 화소 회로부들(PC2)은 제2 발광 소자들(ED2)과 연결될 수 있다. 하나의 제1 화소 회로부(PC1)는 하나의 제1 발광 소자(ED1)와 연결될 수 있고, 하나의 제2 화소 회로부(PC2)는 하나의 제2 발광 소자(ED2)와 연결될 수 있다.
하나의 제1 화소 회로부(PC1)의 면적과 하나의 제2 화소 회로부(PC2)의 면적은 상이할 수 있다. 예컨대, 제1 화소 회로부(PC1)와 제2 화소 회로부(PC2)는 길이가 동일하고 폭이 상이할 수 있다. 제1 화소 회로부(PC1)와 제2 화소 회로부(PC2)는 폭이 동일하고 길이가 상이할 수 있다. 제1 화소 회로부(PC1)와 제2 화소 회로부(PC2)의 길이와 폭이 모두 상이할 수 있다. 제2 화소 회로부(PC2)의 면적은 제1 화소 회로부(PC1)보다 클 수 있다. 예컨대, 제2 화소 회로부(PC2)의 면적은 제1 화소 회로부(PC1)의 면적의 약 2배일 수 있다.
주변 영역(PA)에는 패드부(40)가 기판(110)의 한 가장자리를 따라 위치할 수 있다. 패드부(40)는 외부로부터 신호들을 전달받기 위한 패드들을 포함할 수 있다. 패드부(40)에는 연성 인쇄 회로막(도시되지 않음)이 접합(bonding)될 수 있고, 연성 인쇄 회로막의 패드들은 패드부(40)의 패드들에 전기적으로 연결될 수 있다.
표시 장치(1)는 발광 소자들(ED1, ED2)을 구동하기 위한 구동하기 위한 각종 신호를 생성 및/또는 처리하는 구동부를 포함할 수 있다. 구동부는 데이터선들(DL)을 통해 화소 회로부들(PC1, PC2)에 데이터 전압을 인가하는 데이터 구동부(data driver), 게이트선들(GL)을 통해 화소 회로부들(PC1, PC2)에 게이트 신호를 인가하는 게이트 구동부(gate driver)(20), 그리고 데이터 구동부 및 게이트 구동부(20)를 제어하는 신호 제어부(signal controller)를 포함할 수 있다.
게이트 구동부(20)는 기판(110)에 집적될 수 있고, 제1 표시 영역(DA1)의 양측(또는 일측)에 위치할 수 있다. 게이트 구동부(20)의 적어도 일부는 제2 표시 영역(DA2)에 위치할 수 있다. 한 예로, 게이트 구동부(20)의 일부는 제2 표시 영역(DA2)에 위치하고 나머지는 주변 영역(PA)에 위치할 수 있다. 예컨대, 게이트 구동부(20)는 스캔 신호 생성부, 반전 스캔 신호 생성부, 초기화 제어 신호 생성부, 바이패스 제어 신호 생성부 및/또는 발광 제어 신호 생성부를 포함할 수 있다.
데이터 구동부 및 신호 제어부는 집적회로 칩(구동 IC 칩이라고도 함)(30)으로 제공될 수 있고, 집적회로 칩(30)은 주변 영역(PA)에 실장될 수 있다. 집적회로 칩(30)은 연성 인쇄 회로막 등에 실장되어 패드부(40)에 전기적으로 연결될 수도 있다.
표시 장치(1)는 구동 전압 공급선(60) 및 공통 전압 공급선(70)을 포함할 수 있다. 구동 전압 공급선(60)은 주변 영역(PA)에서 패드부(40)와 표시 영역(DA) 사이에 위치할 수 있다. 구동 전압 공급선(60)은 구동 전압을 구동 전압선들(VL1)을 통해 화소 회로부들(PC1, PC2)에 제공할 수 있다. 공통 전압 공급선(70)은 주변 영역(PA)에 위치할 수 있고 표시 영역(DA)의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다. 공통 전압 공급선(70)은 발광 소자들(ED1, ED2)의 한 전극에 공통 전압을 제공할 수 있다.
발광 소자들(ED1, ED2) 및 화소 회로부들(PC1, PC2)의 배치에 대해 좀더 상세하게 설명한다.
제1 표시 영역(DA1)에는 제1 화소 회로부들(PC1) 및 제1 화소 회로부들(PC1)로부터 발광 전류를 전달받는 제1 발광 소자들(ED1)이 위치한다. 다시 말해, 제1 발광 소자들(ED1)에 의해 광이 방출되는 영역이 제1 표시 영역(DA1)이다. 제1 발광 소자(ED1)는 이와 전기적으로 연결되어 발광 전류를 제공하는 제1 화소 회로부(PC1)와 중첩할 수 있다.
이하, 하나의 제1 화소 회로부(PC1) 및 이로부터 발광 전류를 전달받는 하나의 제1 발광 소자(ED1)를 합하여 제1 표시 영역의 화소 또는 노멀 화소라고 한다. 제1 화소 회로부(PC1) 및 제1 발광 소자(ED1)는 각각 노멀 화소 회로부 및 노멀 발광 소자라고도 한다.
제2 표시 영역(DA2)에는 제2 화소 회로부들(PC2) 및 제1 화소 회로부들(PC2)로부터 발광 전류를 전달받는 제2 발광 소자들(ED2)이 위치한다. 다시 말해, 제2 발광 소자들(ED2)에 의해 광이 방출되는 영역이 제2 표시 영역(DA2)이다. 제2 발광 소자(ED2)는 이와 전기적으로 연결되어 발광 전류를 제공하는 제2 화소 회로부(PC2)와 중첩하거나 중첩하지 않을 수 있다.
제2 화소 회로부들(PC2)이 위치하는 제2-1 표시 영역(DA2-1)과 게이트 구동부(20)가 위치하는 제2-2 표시 영역(DA2-2)으로 나눌 수 있다. 제2-1 표시 영역(DA2-1) 및 제2-2 표시 영역(DA2-2)에는 제2 화소 회로부들(PC2)로부터 발광 전류를 전달받는 제2 발광 소자들(ED2)이 위치한다. 제2-1 표시 영역(DA2-1)에 위치하는 제2 발광 소자들(ED2)과 제2-2 표시 영역(DA2-2)에 위치하는 제2 발광 소자들(ED2)은 모두 제2-1 표시 영역(DA2-1)에 위치하는 제2 화소 회로부들(PC2)로부터 발광 전류를 전달받을 수 있다. 따라서 제2 화소 회로부들(PC2)은 제2-1 표시 영역(DA2-1)의 제2 발광 소자들(ED2)에 발광 전류를 전달하는 제2 화소 회로부들(PC2)과 제2-2 표시 영역(DA2-2)의 제2 발광 소자들(ED2)에 발광 전류를 전달하는 제2 화소 회로부들(PC2)을 포함할 수 있다.
이하, 하나의 제2 화소 회로부(PC2) 및 이로부터 발광 전류를 전달받는 하나의 제2 발광 소자(ED2)를 합하여 제2 표시 영역의 화소 또는 변형 화소라고 한다. 제2 화소 회로부(PC2) 및 제2 발광 소자(ED2)는 각각 변형 화소 회로부 및 변형 발광 소자라고도 한다. 제2-1 표시 영역(DA2-1)에 위치하는 제2 발광 소자(ED2)는 제2-1 발광 소자 또는 중간부 발광 소자라고 하고, 제2-2 표시 영역(DA2-2)에 위치하는 제2 발광 소자(ED2)는 제2-2 발광 소자 또는 구동부 발광 소자라고 한다.
통상적인 표시 장치에서는 화소 회로부들 위에 발광 소자들이 위치하고, 게이트 구동부 같은 구동부 위에는 발광 소자가 위치하지 않는다. 일 실시예에 따르면, 제2 발광 소자들(ED2) 중 일부가 게이트 구동부(20)와 중첩하는 영역에 배치됨으로써 표시 영역이 확장될 수 있고, 화면 비율이 증가할 수 있다. 한편, 제2 발광 소자들(ED2)은 게이트 구동부(20) 이외에 다른 구동부나 신호선들과 중첩할 수도 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치에서 화소 회로부들과 발광 소자들 간의 연결 관계를 도시하는 평면도이다.
제1 표시 영역(DA1)에서, 제1 화소 회로부들(PC1)은 행렬로 배치될 수 있고, 제1 발광 소자들(ED1)도 제1 방향(x) 및 제2 방향(y)을 따라 행렬로 배치될 수 있다. 제1 화소 회로부들(PC1)과 제1 발광 소자들(ED1)은 일대일로 대응할 수 있다. 제1 발광 소자(ED1)는 대응하는 제1 화소 회로부(PC1)와 전기적으로 연결되어 발광 전류를 전달받을 수 있다. 제1 발광 소자(ED1)는 대응하는 제1 화소 회로부(PC1)와 중첩할 수 있다.
각각의 제1 발광 소자(ED1)는 제1 색, 제2 색 및 제3 색 어느 한 색을 표시할 수 있다. 예컨대, 제1 발광 소자(ED1)는 적색(R), 녹색(G) 또는 청색(B)을 표시할 수 있다. 도시된 실시예에서, 홀수 행에는 청색(B)을 표시하는 제1 발광 소자(ED1), 녹색(G)을 표시하는 제1 발광 소자(ED1), 적색(R)을 표시하는 제1 발광 소자(ED1) 및 녹색(G)을 표시하는 제1 발광 소자(ED1)가 제1 방향(x)으로 반복하여 배치될 수 있다. 짝수 행에는 적색(R)을 표시하는 제1 발광 소자(ED1), 녹색(G)을 표시하는 제1 발광 소자(ED1), 청색(B)을 표시하는 제1 발광 소자(ED1) 및 녹색(G)을 표시하는 제1 발광 소자(ED1)가 제1 방향(x)으로 반복하여 배치될 수 있다.
제2 표시 영역(DA2)에서, 제2 발광 소자들(ED2)은 제1 방향(x) 및 제2 방향(y)을 따라 행렬로 배열될 수 있다. 제2 발광 소자들(ED2)은 제2 화소 회로부들(PC2)과 일대일로 대응할 수 있다. 제2 발광 소자(ED2)는 대응하는 제2 화소 회로부(PC2)와 전기적으로 연결되어 발광 전류를 전달받을 수 있다.
각각의 제2 발광 소자(ED2)는 제1 색, 제2 색 및 제3 색 중 어느 한 색을 표시할 수 있다. 예컨대, 제2 발광 소자(ED2)는 적색(R), 녹색(G) 또는 청색(B)을 표시할 수 있다. 도시된 실시예에서, 홀수 행에는 청색(B)을 표시하는 제2 발광 소자(ED2) 및 적색(R)을 표시하는 제2 발광 소자(ED2)가 제1 방향(x)으로 반복하여 배치될 수 있다. 짝수 행에는 녹색(G)을 표시하는 제2 발광 소자들(ED2)이 배치될 수 있다.
제2 발광 소자들(ED2)은 제2-1 발광 소자들(ED2-1)과 제2-2 발광 소자들(ED2-2)을 포함할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)은 제2-1 표시 영역(DA2-1)과 제2-1 표시 영역(DA2-1)을 포함할 수 있다. 제2-1 표시 영역(DA2-1)은 제1 표시 영역(DA)과 제2-2 표시 영역(DA2-2) 사이에 위치할 수 있다.
제2-1 표시 영역(DA2-1)에는 제2 화소 회로부들(PC2)이 위치할 수 있고, 제2-2 표시 영역(DA2-2)에는 게이트 구동부(20)가 위치할 수 있다. 제2 화소 회로부들(PC2)은 제2-1 표시 영역(DA2-1)에서 제1 방향(x) 및 제2 방향(y)을 따라 행렬로 배열될 수 있다. 제2-2 표시 영역(DA2-2)에는 게이트 구동부(20)를 구성하는 회로부들이 위치하기 때문에, 제2 화소 회로부들(PC2)은 제2-1 표시 영역(DA2-1)에만 위치할 수 있다.
제2-1 표시 영역(DA2-1)에는 제2 화소 회로부들(PC2) 중 일부로부터 발광 전류를 전달받는 제2-1 발광 소자들(ED2-1)이 위치할 수 있다. 제2-2 표시 영역(DA2-2)에는 제2 화소 회로부들(PC2) 중 일부로부터 발광 전류를 전달받는 제2-2 발광 소자들(ED2-2)이 위치할 수 있다. 이하, 제2-1 발광 소자들(ED2-1)에 발광 전류를 전달하는 제2 화소 회로부들(PC2)을 제2-1 화소 회로부들(PC2-1) 또는 중간부 발광 소자용 화소 회로부라고 하고, 제2-2 발광 소자들(ED2-2)에 발광 전류를 전달하는 제2 화소 회로부들(PC2)을 제2-2 화소 회로부들(PC2-2) 또는 구동부 발광 소자용 화소 회로부라고 한다. 제2-1 화소 회로부들(PC2-1)은 제2-2 화소 회로부들(PC2-2)보다 제1 표시 영역(DA)에 인접하게 위치할 수 있다.
제2-1 발광 소자들(ED2-1)은 대응하는 제2-1 화소 회로부들(PC2-1)과 중첩하거나 중첩하지 않을 수 있다. 도시된 실시예에서, 제1 표시 영역(DA1)에 인접하는 열에서 짝수 행에 위치하는 제2-1 발광 소자(ED2-1)는 대응하는 제2-1 화소 회로부(PC2-1)와 중첩하고, 나머지 제2-1 발광 소자들(ED2-1)은 대응하는 2-1 화소 회로부들(PC2-1)과 중첩하지 않는다. 나머지 제2-1 발광 소자들(ED2-1)은 대응하지 않는 (즉, 자신과 전기적으로 연결되지 않은) 제2-1 화소 회로부들(PC2-1)이나 제2-2 화소 회로부들(PC2-2)과 중첩할 수 있다. 제2-2 발광 소자들(ED2-2)은 대응하는 제2-2 화소 회로부들(PC2-2)과 중첩하지 않을 수 있다.
대응하는 제2 화소 회로부(PC2)와 중첩하지 않는 제2 발광 소자(ED2)는 구동 전류를 전달받기 위해 대응하는 제2 화소 회로부(PC2)와 연결선(CL1)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
제2-1 표시 영역(DA2-1)에 위치하는 제2 화소 회로부(PC2)의 면적은 제1 표시 영역(DA1)에 위치하는 제1 화소 회로부(PC1)의 면적의 약 2배 내지 약 4배일 수 있다. 도시된 실시예에서 제2 화소 회로부(PC2)의 면적은 제1 화소 회로부(PC1)의 면적의 약 2배다. 제2 화소 회로부(PC2)의 면적과 제1 화소 회로부(PC1)의 면적은 실질적으로 동일할 수도 있다.
제2 발광 소자(ED2)의 면적은 제1 발광 소자(ED1)의 면적보다 클 수 있고, 예컨대 약 1배 내지 약 2배일 수 있다. 제2 발광 소자(ED2)의 면적은 제1 발광 소자(ED1)의 면적과 실질적으로 동일할 수도 있다. 여기서 발광 소자들(ED1, ED2)의 면적은 광이 방출되는 영역의 면적을 의미할 수 있다. 제1 색을 표시하는 발광 소자는 제2 색 또는 제3 색을 표시하는 발광 소자와 면적이 다를 수 있기 때문이다. 예컨대, 청색(B) 또는 적색(R)을 표시하는 발광 소자는 녹색(G)을 표시하는 발광 소자보다 클 수 있다. 청색(B)을 표시하는 발광 소자는 적색(R)을 표시하는 발광 소자와 동일하거나 그보다 클 수 있다.
제2 발광 소자들(ED2)이 제2 화소 회로부들(PC2)이 위치하는 영역뿐만 아니라 게이트 구동부(20)가 위치하는 영역에까지 위치함으로써, 표시 영역(DA)을 확장할 수 있다. 다만, 제2 표시 영역(DA2)의 화소 밀도는 제1 표시 영역(DA1)의 화소 밀도보다 낮을 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)의 상대적으로 낮은 화소 밀도를 보상하기 위해 제2 발광 소자들(ED2)의 면적을 증가시켜 제2 발광 소자들(ED2)의 휘도를 높일 수 있다. 제2 발광 소자들(ED2)의 휘도를 높이기 위해서 제2 발광 소자들(ED2)에 더 많은 전류를 공급할 필요가 있고, 이를 위해 제2 화소 회로부(PC2)가 포함하는 스토리지 커패시터 같은 소자들을 더 크게 형성할 수 있다. 이에 따라, 제2 화소 회로부(PC2)의 면적이 제1 화소 회로부(PC1)의 면적보다 넓어질 수 있다. 제2 화소 회로부(PC2) 및 제2 발광 소자(ED2)의 면적은 다양하게 설정될 수 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치에서 발광 소자들의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 4는 표시 영역(DA)의 코너부에서 발광 소자들의 배치를 도시한다. 도 4에 도시되는 영역은 도 1에 도시된 표시 영역(DA)에서 우측 하단의 코너부에 해당할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)의 코너부는 가장자리가 둥글 수 있지만, 코너부의 가장자리는 화소 수준의 스케일에서는 계단형일 수 있다. 이에 따라 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2)의 경계가 계단형일 수 있다. 도 4에서 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2)의 경계가 점선으로 도시된다. 도면의 복잡화를 피하기 위해, 도 3에 도시된 제2 발광 소자(ED2)와 제2 화소 회로부(PC2)를 연결하는 연결선(CL1)은 도시하지 않는다.
발광 소자들(ED1, ED2)의 발광층은 미세 금속 마스크(fine metal mask)를 사용하는 증착 공정으로 형성될 수 있다. 전술한 바와 같이, 제2 표시 영역(DA2)에 위치하는 제2 발광 소자들(ED2)의 면적을 제1 표시 영역(DA1)에 위치하는 제1 발광 소자들(ED1)의 면적보다 크게 할 수 있지만, 코너부의 일부 영역에서는 미세 금속 마스크의 제작 공차로 인해, 크게 형성하는 것이 어려울 수 있다. 따라서 제2 발광 소자들(ED2) 중 일부, 예컨대 제1 표시 영역(DA1)의 코너부에 인접하는 제2 발광 소자(ED2)를 제1 발광 소자(ED1)와 동일한 크기로 형성할 수 있다. 이하, 제1 발광 소자(ED1)와 크기가 동일할 수 있는 제2 발광 소자(ED2)를 다른 제2 발광 소자들(ED2)과 구분하기 위해 경계부 발광 소자(BED)라고 한다. 경계부 발광 소자(BED)는 다른 제2 발광 소자들(ED2)보다 크기가 작을 수 있다.
다른 제2 발광 소자들(ED2)보다 크기가 줄어듦에 따른 휘도 저하를 보상하기 위해, 제2 표시 영역(DA2)에는 경계부 발광 소자(BED)와 전기적으로 연결된 카피 발광 소자(CED)가 경계부 발광 소자(BED) 부근에 배치될 수 있다. 카피 발광 소자(CED)의 제1 전극 및 제2 전극은 각각 경계부 발광 소자(BED)의 제1 전극 및 제2 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 카피 발광 소자(CED)의 제1 전극은 경계부 발광 소자(BED)의 제1 전극과 연결선(CL2)에 의해 연결될 수 있다. 카피 발광 소자(CED)는 경계부 발광 소자(BED)와 동일한 색의 광을 동시에 방출할 수 있다. 카피 발광 소자(CED)의 크기는 경계부 발광 소자(BED)의 크기와 동일할 수 있지만, 다를 수도 있다. 카피 발광 소자(CED)의 모양은 경계부 발광 소자(BED)의 모양과 동일할 수 있지만, 다를 수도 있다.
제1 색을 표시하는 경계부 발광 소자(EBD) 및 이와 연결된 카피 발광 소자(CED)는 행 방향인 제1 방향(x)을 따라 배열될 수 있다. 제1 색을 표시하는 경계부 발광 소자(EBD) 및 이와 연결된 카피 발광 소자(CED) 사이에는 제2 색을 표시하는 경계부 발광 소자(BED)가 위치할 수 있다. 도시된 실시예에서, 청색(B)을 표시하는 경계부 발광 소자(BED), 적색(R)을 표시하는 경계부 발광 소자(BED), 청색(B)을 표시하는 카피 발광 소자(CED), 그리고 적색(R)을 표시하는 카피 발광 소자(CED)가 같은 행에 제1 방향(x)으로 배열되어 있다. 이러한 배치는 설계에 따라 제1 방향(x)을 따라 반복될 수도 있다.
경계부 발광 소자(BED) 및 카피 발광 소자(CED)는 대응하는 제2 화소 회로부(PC2)로부터 발광 전류를 전달받을 수 있다. 제2 화소 회로부(PC2)로부터의 전류가 경계부 발광 소자(BED) 및 카피 발광 소자(CED)로 분배되더라도, 경계부 발광 소자(BED) 및 카피 발광 소자(CED)가 제1 발광 소자(ED1)와 같은 크기로 형성되므로 다른 제2 발광 소자들(ED2)보다 전류 밀도(current density)가 증가할 수 있다. 전류 밀도 증가는 경계부 발광 소자(BED) 및 카피 발광 소자(CED)의 휘도 증가를 초래할 수 있다.
전류 밀도를 줄이기 위해, 제2 표시 영역(DA2)에는 경계부 발광 소자(BED)와 전기적으로 연결된 더미 발광 소자(DED)가 배치될 수 있다. 더미 발광 소자(DED)의 제1 전극 및 제2 전극은 각각 경계부 발광 소자(BED)의 제1 전극 및 제2 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 더미 발광 소자(DED)의 제1 전극은 경계부 발광 소자(BED)의 제1 전극과 연결선(CL3)에 의해 연결될 수 있다.
더미 발광 소자(DED)는 제2 화소 회로부(PC2)로부터의 전류를 분배받지만 발광하지 않는 소자이다. 이를 위해 더미 발광 소자(DED)는 통상적인 발광 소자에서 발광층을 포함하지 않을 수 있다. 예컨대, 발광 소자들(ED1, ED2)은 제1 전극과 제2 전극 사이에 공통층들(예컨대, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 차단층, 정공 차단층, 전자 주입층 및/또는 전자 수송층)과 발광층이 위치하지만, 더미 발광 소자(DED)는 제1 전극과 제2 전극 사이에 공통층들만 위치하고 발광층은 위치하지 않을 수 있다. 더미 발광 소자(DED)는 발광층과 공통층들 중 일부를 포함하지 않을 수도 있다. 이와 같은 구조에 의해, 더미 발광 소자(DED)는 발광하지 않고, 전류를 분배받는 저항으로 기능할 수 있다.
더미 발광 소자(DED)는 경계부 발광 소자(BED)와 동일하거나 상이한 크기를 가질 수 있다. 예컨대, 더미 발광 소자(DED)는 경계부 발광 소자(BED)의 약 1배 내지 약 2배 사이의 크기를 가질 수 있다. 일 예로, 더미 발광 소자(DED)의 크기는 경계부 발광 소자(BED)의 크기의 약 1.3배일 수 있다. 더미 발광 소자(DED)의 크기는 제2 화소 회로부(PC2)의 출력 전류, 경계부 발광 소자(BED) 및 카피 발광 소자(CED)의 크기 등을 고려하여 전류 밀도를 조절할 수 있도록 설계될 수 있다.
더미 발광 소자(DED)는 제2 발광 소자들(ED2)의 배치를 고려하여 배치될 수 있다. 더미 발광 소자(DED)는 다른 행의 제2 발광 소자들(ED2) 사이에 위치할 수 있다. 예컨대, 경계부 발광 소자(BED)가 청색(B) 또는 적색(R)을 표시하는 경우, 대응하는 더미 발광 소자(DED)는 녹색(G)을 표시하는 제2 발광 소자들(ED2) 사이에 위치할 수 있다.
경계부 발광 소자(BED)는 대응하는 제2 화소 회로부(PC2)와 중첩하거나 중첩하지 않을 수 있다. 카피 발광 소자(CED) 및 더미 발광 소자(DED)는 대응하는 (즉, 전기적으로 연결된) 제2 화소 회로부(PC2)와 중첩하지 않을 수 있고, 다른 제2 발광 소자(ED2)와 전기적으로 연결된 제2 화소 회로부(PC2)와는 중첩할 수도 있다.
경계부 발광 소자(BED), 카피 발광 소자(CED) 및 더미 발광 소자(DED)는 게이트 구동부(20)와 중첩하지 않게 위치할 수 있다. 즉, 경계부 발광 소자(BED), 카피 발광 소자(CED) 및 더미 발광 소자(DED)는 제2-1 표시 영역(DA2-1)에 위치할 수 있다. 경계부 발광 소자(BED), 카피 발광 소자(CED) 및 더미 발광 소자(DED)는 제1 발광 소자들(ED1)과 제2-2 발광 소자들(ED2-2) 사이에 위치할 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치에서 발광 소자들의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 5는 제2 표시 영역(DA2)에서 4개의 발광 소자들이 전기적으로 연결되어 있는 예를 도시한다. 4개의 발광 소자들 중 하나는 전술한 경계부 발광 소자(BED)와 같은 제2 발광 소자(ED2)일 수 있고, 나머지 3개는 카피 발광 소자(CED)일 수 있다. 예컨대, 4개의 발광 소자들 중 가장 우측에 발광 소자가 제2 화소 회로부(PC2)와 연결선을 통해 연결된 제2 발광 소자(ED2)일 수 있고, 나머지 발광 소자들은 제2 발광 소자(ED2)와 연결된 카피 발광 소자들(CED)일 수 있다. 이와 같이 하나의 제2 발광 소자(ED2)에 복수의 카피 발광 소자(CED)가 연결될 수 있다. 하나의 제2 발광 소자(ED2)에 연결되는 카피 발광 소자(CED)의 개수는 4개보다 적거나 많을 수 있다. 카피 발광 소자(CED)의 크기는 대응하는 제2 발광 소자(ED2)의 크기와 동일할 수 있지만, 다를 수도 있다. 카피 발광 소자(CED) 중 하나 이상은 발광층이 없는 더미 발광 소자(DED)일 수 있다.
도 5에 도시된 제2 발광 소자(ED2)는 제1 발광 소자(ED1)와 크기가 동일할 수 있지만, 다를 수도 있다. 카피 발광 소자들(CED)은 대응하는 제2 발광 소자(ED2)와 크기가 동일할 수 있지만, 다를 수도 있다. 카피 발광 소자들(CED)은 크기가 서로 동일할 수 있지만, 다를 수도 있다.
이와 같이, 제2 표시 영역(DA2)의 발광 소자들을 형성하면 표시 영역(DA)의 형상에 대응하여 동일한 전류 밀도를 가지는 화소 구조를 제작할 수 있다. 또한, 코너부 등과 같이 필요에 따라 표시 영역(DA) 중 일부 영역에 더미 발광 소자들(DED)을 배치하여 전류 밀도를 조절하고 휘도를 조절할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2) 전체에 걸쳐 발광 소자들은 도시된 것과 같이 형성하면, 미세 메탈 마스크의 패턴을 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2)에서 실질적으로 동일하게 설계할 수 있다.
도 6은 일 실시예에 의한 표시 장치에서 제1 화소 회로부 및 제1 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 7은 일 실시예에 의한 표시 장치에서 제2 화소 회로부 및 제2 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 8은 일 실시예에 의한 표시 장치에서 제2 화소 회로부, 경계부 발광 소자, 카피 발광 소자 및 더미 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6, 도 7 및 도 8을 참고하면, 표시 장치는 기판(110) 및 그 위에 위치하는 층들 및 소자들을 포함할 수 있다.
기판(110)은 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 등의 폴리머층을 포함하는 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 기판(110)은 수분, 산소 등이 침투하는 것을 방지하는 배리어층을 포함할 수 있다. 예컨대, 기판(110)은 하나 이상의 폴리머층과 하나 이상의 배리어층을 포함할 수 있고, 폴리머층과 배리어층이 교대로 적층되어 있을 수 있다. 기판(110)은 유리 등을 포함하는 리지드(rigid) 기판일 수 있다.
기판(110) 위에는 버퍼층(120)이 위치할 수 있다. 버퍼층(120)은 반도체층의 형성 시 기판(110)으로부터 불순물을 차단하여 반도체층의 특성을 향상시키고, 기판(110)의 표면을 평탄화하여 반도체층의 응력을 완화할 수 있다. 버퍼층(120)은 규소 질화물(SiNx), 규소 산화물(SiOx), 규소 질산화물(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있고, 단일층 또는 다중층일 수 있다. 버퍼층(120)은 비정질 규소(Si)를 포함할 수도 있다.
버퍼층(120) 위에는 제1 화소 회로부(PC1)의 제1 반도체층(1130) 및 제2 화소 회로부(PC2)의 제2 반도체층(2130)을 포함하는 반도체층이 위치할 수 있다. 제1 반도체층(1130)은 제1 영역(1131), 채널 영역(1132) 및 제2 영역(1133)을 포함할 수 있고, 제2 반도체층(2130)은 제1 영역(2131), 채널 영역(2132) 및 제2 영역(2133)을 포함할 수 있다. 반도체층은 비정질 규소, 다결정 규소 및 산화물 반도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 일례로, 반도체층은 저온다결정규소(LTPS)를 포함하거나, 아연(Zn),　인듐(In), 갈륨(Ga) 및 주석(Sn) 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 반도체층(1130, 2130)에서 제1 영역(1131, 2131) 및 제2 영역(1133, 2133)은 도체화되어 있을 수 있다. 예컨대, 제1 영역(1131, 2131) 및 제2 영역(1133, 2133)에는 수소 등이 주입되어 있을 수 있다.
반도체층 위에는 게이트 절연층(140)이 위치할 수 있다. 게이트 절연층(140)은 규소 질화물, 규소 산화물, 규소 질산화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있고, 단일층 또는 다중층일 수 있다.
게이트 절연층(140) 위에는 제1 화소 회로부(PC1)의 게이트 전극(1151) 및 제2 화소 회로부(PC2)의 게이트 전극(2151)을 포함하는 게이트 도전층이 위치할 수 있다. 게이트 전극(1151)은 반도체층(1130)의 채널 영역(1132)과 중첩할 수 있고, 게이트 전극(2151)은 반도체층(2130)의 채널 영역(2132)과 중첩할 수 있다. 게이트 도전층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있고, 단일층 또는 다중층일 수 있다.
게이트 도전층 위에는 층간 절연층(160)이 위치할 수 있다. 층간 절연층(160)은 규소 질화물, 규소 산화물, 규소 질산화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있고, 단일층 또는 다중층일 수 있다.
층간 절연층(160) 위에는 제1 화소 회로부(PC1)의 제1 전극(1173) 및 제2 전극(1175), 그리고 제2 화소 회로부(PC2)의 제1 전극(2173) 및 제2 전극(2175)을 포함하는 데이터 도전층이 위치할 수 있다. 제1 전극(1173, 2173) 및 제2 전극(1175, 2175) 중 하나는 소스 전극이고 다른 하나는 드레인 전극일 수 있다. 제1 전극(1173) 및 제2 전극(1175)은 각각 층간 절연층(160)에 형성된 접촉 구멍들을 통해 반도체층(1130)의 제1 영역(1131) 및 제2 영역(1133)에 연결될 수 있다. 제1 전극(2173) 및 제2 전극(2175)은 각각 층간 절연층(160)에 형성된 접촉 구멍들을 통해 반도체층(2130)의 제1 영역(2131) 및 제2 영역(2133)에 연결될 수 있다. 데이터 도전층은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 등을 포함할 수 있고, 단일층 또는 다중층일 수 있다.
제1 화소 회로부(PC1)의 반도체층(1130), 게이트 전극(1151), 제1 전극(1173) 및 제2 전극(1175)은 트랜지스터를 구성할 수 있다. 제2 화소 회로부(PC2)의 반도체층(2130), 게이트 전극(2151), 제1 전극(2173) 및 제2 전극(2175)은 트랜지스터를 구성할 수 있다.
데이터 도전층 위에는 평탄화층(180)이 위치할 수 있다. 평탄화층(180)은 유기 절연층일 수 있다. 예컨대, 평탄화층(180)은 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리스티렌(polystyrene) 같은 일반 범용 고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자(예컨대, 폴리이미드), 실록산계 고분자 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 데이터 도전층과 평탄화층(180) 사이에는 규소 질화물, 규소 산화물, 규소 질산화물 등의 무기 절연 물질을 포함하는 패시베이션층(passivation layer)이 위치할 수 있다.
평탄화층(180) 위에는 제1 발광 소자(ED1)의 제1 전극(E11) 및 제2 발광 소자(ED2)의 제1 전극(E12)이 위치할 수 있다. 또한, 평탄화층(180) 위에는 경계부 발광 소자(BED)의 제1 전극(E12), 카피 발광 소자(CED)의 제1 전극(E13) 및 더미 발광 소자(DED)의 제1 전극(E14)이 위치할 수 있다.
제1 발광 소자(ED1)의 제1 전극(E11)은 평탄화층(180)에 형성된 접촉 구멍을 통해 제1 화소 회로부(PC1)의 제2 전극(1175)과 연결될 수 있다. 제2 발광 소자(ED2)의 제1 전극(E12)은 연결선(CL1)과 연결될 수 있고, 연결선(CL1)은 평탄화층(180)에 형성된 접촉 구멍을 통해 제2 화소 회로부(PC2)의 제2 전극(2175)과 연결될 수 있다. 연결선(CL1)은 제1 전극(E12)의 연장부일 수 있다. 연결선(CL1)은 제1 전극(E12)과 다른 층에 위치하는 도전체로 형성될 수도 있다. 제1 전극(E11, E12)이 전기적으로 연결되는 트랜지스터는 구동 트랜지스터(driving transistor)이거나 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결된 트랜지스터일 수 있다.
카피 발광 소자(CED)의 제1 전극(E13)은 연결선(CL2)과 연결될 수 있고, 연결선(CL2)은 경계부 발광 소자(BED)의 제1 전극(E12)과 연결될 수 있다. 더미 발광 소자(DED)의 제1 전극(E14)은 연결선(CL4)과 연결될 수 있고, 연결선(CL4)은 경계부 발광 소자(BED)의 제1 전극(E12)과 연결될 수 있다. 언결선(CL2)은 제1 전극(E13) 및/또는 제1 전극(E12)의 연장부일 수 있고, 언결선(CL3)은 제1 전극(E14) 및/또는 제1 전극(E12)의 연장부일 수 있다. 연결선들(CL2, CL3) 중 적어도 하나는 제1 전극(E12)과 다른 층에 위치하는 도전체로 형성될 수도 있다.
제1 전극들(E11, E12, E13, E14)은 화소 전극으로 불릴 수 있다. 제1 전극들(E11, E12, E13, E14)은 반사성 도전 물질 또는 반투과성 도전 물질로 형성될 수 있고, 투명한 도전 물질로 형성될 수도 있다. 제1 전극들(E11, E12, E13, E14)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 같은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 제1 전극들(E11, E12, E13, E14)은 리튬(Li), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au) 같은 금속 또는 금속 합금을 포함할 수 있다.
평탄화층(180) 및 제1 전극들(E11, E12, E13, E14) 위에는 제1 전극들(E11, E12, E13, E14)과 중첩하는 개구들(1351, 2351, 2352, 2353)을 가진 화소 정의층(350)이 위치할 수 있다. 화소 정의층(350)은 격벽으로 불릴 수 있다. 화소 정의층(350)은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌 같은 일반 범용 고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자(예컨대, 폴리이미드), 실록산계 고분자 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제1 전극들(E11, E12, E13, E14) 위에는 제1 공통층(L1)이 위치할 수 있다. 제1 공통층(L1)은 정공 주입층, 정공 수송층 및/또는 전자 차단층을 포함할 수 있다.
제1 공통층(L1) 위에는 제1 발광 소자(ED1)의 발광층(EL1) 및 제2 발광 소자(ED2)의 발광층(EL2)이 위치할 수 있다. 또한, 제1 공통층(L1) 위에는 경계부 발광 소자(BED)의 발광층(EL2) 및 카피 발광 소자(CED)의 발광층(EL3)이 위치할 수 있다. 하지만, 더미 발광 소자(DED)의 발광층은 위치하지 않는다. 발광층(EL1)은 제1 전극(E11)과 중첩할 수 있고, 발광층(EL2)은 제1 전극(E12)과 중첩할 수 있고, 발광층(EL3)은 제1 전극(E13)과 중첩할 수 있다. 서로 전기적으로 연결된 경계부 발광 소자(BED)의 발광층(EL2)과 카피 발광 소자(CED)의 발광층(EL3)은 동일 재료로 형성될 수 있고 동일 색의 광을 방출할 수 있다.
제1 공통층(L1) 위에는 발광층들(EL1, EL2, EL3)을 사이에 두고 제2 공통층(L2)이 위치할 수 있다. 제2 공통층(L2)은 정공 차단층, 전자 수송층 및/또는 전자 주입층을 포함할 수 있다. 더미 발광 소자(DED)는 발광층을 포함하지 않으므로, 더미 발광 소자(DED)에서 제2 공통층(L2)은 제1 공통층(L1)과 접할 수 있다. 제1 공통층(L1) 및 제2 공통층(L2)은 기판(110) 위에 전면적으로 형성될 수 있다. 제1 공통층(L1) 및 제2 공통층(L2)은 오픈 마스크를 사용하는 증착 공정으로 형성될 수 있고, 발광층들(EL1, EL2, EL3)은 미세 금속 마스크를 사용하는 증착 공정으로 형성될 수 있다.
제2 공통층(L2) 위에는 제1 발광 소자(ED1)의 제2 전극(E21) 및 제2 발광 소자(ED2)의 제2 전극(E22)이 위치할 수 있다. 또한, 제2 공통층(L2) 위에는 경계부 발광 소자(BED)의 제2 전극(E21), 카피 발광 소자(CED)의 제2 전극(E23) 및 더미 발광 소자(DED)의 제2 전극(E22)이 위치할 수 있다. 제2 전극들(E21, E22, E23, E24)은 공통 전극으로 불릴 수 있고, 일체로 형성될 수 있다. 제2 전극들(E21, E22, E23, E24)은 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag) 등의 일함수가 낮은 금속 또는 금속 합금으로 얇게 층을 형성함으로써 광 투과성을 가지도록 할 수 있다. 제2 전극들(E21, E22, E23, E24)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
제1 표시 영역(DA1)에서 서로 중첩하는 제1 전극(E11), 제1 공통층(L1), 발광층(EL1), 제2 공통층(L2) 및 제2 전극(E21)은 유기 발광 다이오드 같은 제1 발광 소자(ED1)를 이룬다. 제2 표시 영역(DA2)에서 서로 중첩하는 제1 전극(E12), 제1 공통층(L1), 발광층(EL2), 제2 공통층(L2) 및 제2 전극(E22)은 유기 발광 다이오드 같은 제2 발광 소자(ED2) 그리고 제2 발광 소자(ED2)에 속하는 경계부 발광 소자(BED)를 이룬다. 제1 발광 소자(ED1)는 전기적으로 연결된 제1 화소 회로부(PC1)와 중첩할 수 있다. 제2 발광 소자(ED2)는 전기적으로 연결된 제2 화소 회로부(PC2)와 중첩하지 않을 수 있다. 다만, 제1 표시 영역(DA1)에 인접하는 제2 발광 소자(ED2)는 전기적으로 연결된 제2 화소 회로부(PC2)와 중첩할 수도 있다.
제2 표시 영역(DA2)에서 서로 중첩하는 제1 전극(E13), 제1 공통층(L1), 발광층(EL3), 제2 공통층(L2) 및 제2 전극(E23)은 카피 발광 소자(CED)를 이룬다. 제2 표시 영역(DA2)에서 서로 중첩하는 제1 전극(E14), 제1 공통층(L1), 제2 공통층(L2) 및 제2 전극(E24)은 더미 발광 소자(DED)를 이룬다. 더미 발광 소자(DED)는 발광층을 포함하지 않으므로 발광하지 않고, 전류를 분배하는 저항으로 기능할 수 있다. 더미 발광 소자(DED)는 제1 공통층(L1) 또는 제2 공통층(L2)을 포함하지 않을 수도 있다. 제1 공통층(L1) 및/또는 제2 공통층(L2)이 다층일 경우 그 중 일부 층을 포함하지 않을 수도 있다.
카피 발광 소자(CED) 및 더미 발광 소자(DED)는 전기적으로 연결된 제2 화소 회로부(PC2)와 중첩하지 않을 수 있다.
제1 전극들(E11, E12, E13)은 발광 소자들(ED1, ED2, BED, CED)의 애노드(anode)일 수 있고, 제2 전극들(E21, E22, E23)은 발광 소자들(ED1, ED2, BED, CED)의 캐소드(cathode)일 수 있다.
제2 전극들(E21, E22, E23, E24)은 위에는 봉지층(encapsulation layer)(도시되지 않음)이 위치할 수 있다. 봉지층은 외부로부터 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 봉지층은 하나 이상의 무기층과 하나 이상의 유기층을 포함하는 박막 봉지층일 수 있다. 봉지층 위에는 터치를 감지하기 위한 터치 전극들을 포함하는 터치 센서층(도시되지 않음)이 위치할 수 있다. 터치 센서층 위에는 외광 반사를 줄이기 위한 반사 방지층(도시되지 않음)이 위치할 수 있다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소의 등가 회로도이다.
하나의 화소(PX)는 여러 신호선(GL1-GL5, DL, VL1-VL3)과 연결되어 있는 트랜지스터들(T1-T7), 스토리지 커패시터(CST), 부스트 커패시터(CBST), 그리고 발광 다이오드일 수 있는 발광 소자(ED)를 포함할 수 있다. 발광 소자(ED)는 전술한 제1 발광 소자(ED1) 또는 제2 발광 소자(ED2)일 수 있다. 전술한 제1 화소 회로부(PC1) 및 제2 화소 회로부(PC2)는 도 9에서 발광 소자(ED)를 제외한 화소 회로에 대응할 수 있다. 발광 소자(ED)는 전술한 경계부 발광 소자(BED)일 수 있고, 전술한 카피 발광 소자(CED) 및 더미 발광 소자(DED)는 발광 소자(ED)와 병렬로 연결될 수 있다.
신호선들(GL1-GL5, DL, VL1-VL3)은 게이트선들(GL1-GL5), 데이터선(DL) 및 전압선(VL1-VL3)을 포함할 수 있다. 게이트선들(GL1-GL5)은 게이트 구동부에 전기적으로 연결될 수 있고, 데이터선(DL)은 데이터 구동부에 전기적으로 연결될 수 있다. 게이트선들(GL1-GL5)은 스캔선(GL1), 반전 스캔선(GL2), 초기화 제어선(GL3), 바이패스 제어선(GL4), 그리고 발광 제어선(GL5)을 포함할 수 있다. 전압선들(VL1-VL3)은 구동 전압선(VL1), 초기화 전압선(VL2) 및 공통 전압선(VL3)을 포함할 수 있다. 구동 전압선(VL1), 초기화 전압선(VL2) 및 공통 전압선(VL3)은 각각 전압 생성부에 연결될 수 있다.
제2 내지 제7 트랜지스터(T2-T7)는 게이트선들(GL1-GL5)을 통해 각각의 게이트 신호를 인가받을 수 있다.
스캔선(GL1)은 스캔 신호(GW)를 제2 트랜지스터(T2)에 전달할 수 있다. 반전 스캔선(GL2)은 반전 스캔 신호(GC)를 제3 트랜지스터(T3)에 전달할 수 있다. 스캔 신호(GW)와 반전 스캔 신호(GC)는 극성이 반대일 수 있다. 예컨대, 스캔선(GL1)에 고전압이 인가될 때, 반전 스캔선(GL2)에 저전압이 인가될 수 있다.
초기화 제어선(GL3)은 초기화 제어 신호(GI)를 제4 트랜지스터(T4)에 전달할 수 있다. 바이패스 제어선(GL4)은 바이패스 신호(GB)를 제7 트랜지스터(T7)에 전달할 수 있다. 바이패스 제어선(GL4)은 제2 방향(y)으로 인접하는 화소(PX)와 연결되어 있는 스캔선(GL1)일 수 있다. 발광 제어선(GL5)은 발광 제어 신호(EM)를 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)에 전달할 수 있다.
데이터선(DL)은 데이터 전압(VDATA)을 전달할 수 있다. 구동 전압선(VL1)은 구동 전압(ELVDD)을 전달할 수 있고, 초기화 전압선(VL2)은 초기화 전압(VINT)을 전달할 수 있고, 공통 전압선(VL3)은 공통 전압(ELVSS)을 전달할 수 있다. 화소(PX)에 인가되는 데이터 전압(VDATA)의 크기에 따라서 발광 소자(ED)의 휘도를 조절할 수 있다. 구동 전압(ELVDD), 초기화 전압(VINT) 및 공통 전압(ELVSS)은 각각 소정의 레벨을 가진 직류 전압일 수 있다.
트랜지스터들(T1-T7)에 대해 설명하면, 구동 트랜지스터인 제1 트랜지스터(T1)는 p형 트랜지스터일 수 있고, 다결정 반도체를 포함할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 인가되는 데이터 전압(VDATA)에 따라서 발광 소자(ED)의 애노드 전극으로 출력되는 구동 전류의 크기를 조절하는 트랜지스터이다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 스토리지 커패시터(CST)의 제1 전극과 연결되어 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극은 제2 트랜지스터(T2)의 제2 전극과 연결되어 있고, 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동 전압선(VL1)과 연결되어 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극은 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 발광 소자(ED)의 애노드와 연결되어 있다.
스위칭 트랜지스터인 제2 트랜지스터(T2)는 p형 트랜지스터일 수 있고, 다결정 반도체를 포함할 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 스캔선(GL1)과 연결되어 있고, 부스트 커패시터(CBST)의 제1 전극과 연결되어 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 제1 전극은 데이터선(DL)과 연결되어 있고, 제2 트랜지스터(T2)의 제2 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극과 연결되어 있다. 스캔선(GL1)을 통해 전달되는 스캔 신호(GW)의 게이트 온 전압(저전압)에 의해 제2 트랜지스터(T2)가 켜지면, 데이터선(DL)을 통해 전달되는 데이터 전압(VDATA)이 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극으로 전달될 수 있다.
보상 트랜지스터인 제3 트랜지스터(T3)는 n형 트랜지스터일 수 있고, 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 게이트 전극을 전기적으로 연결할 수 있다. 그 결과 데이터 전압(VDATA)이 제1 트랜지스터(T1)를 거쳐 변화된 보상 전압이 스토리지 커패시터(CST)의 제1 전극에 전달될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 반전 스캔선(GL2)과 연결되어 있고, 제3 트랜지스터(T3)의 제1 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 연결되어 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 제2 전극은 스토리지 커패시터(CST)의 제1 전극, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극 및 부스트 커패시터(CBST)의 제2 전극과 연결되어 있다. 제3 트랜지스터(T3)가 반전 스캔선(GL2)을 통해 전달받은 반전 스캔 신호(GC)의 게이트 온 전압(고전압)에 의해 켜지면, 제3 트랜지스터(T3)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극을 연결한다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 인가된 전압은 스토리지 커패시터(CST)에 저장되고, 스토리지 커패시터(CST)는 한 프레임 동안 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극의 전압을 일정하게 유지시킬 수 있다.
초기화 트랜지스터인 제4 트랜지스터(T4)는 n형 트랜지스터일 수 있고, 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 초기화 제어선(GL3)과 연결되어 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극 및 스토리지 커패시터(CST)의 제1 전극을 초기화 전압(VINT)으로 초기화할 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 초기화 제어선(GL3)과 연결되어 있고, 제4 트랜지스터(T4)의 제1 전극은 초기화 전압선(VL2)과 연결되어 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 제2 전극은 스토리지 커패시터(CST)의 제1 전극, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극 및 부스트 커패시터(CBST)의 제2 전극에 연결되어 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 초기화 제어선(GL3)을 통해 전달받은 초기화 제어 신호(GI)의 게이트 온 전압(고전압)에 의해 켜지고, 초기화 전압(VINT)을 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극 및 스토리지 커패시터(CST)의 제1 전극에 전달할 수 있다.
동작 제어 트랜지스터인 제5 트랜지스터(T5)는 p형 트랜지스터일 수 있고, 다결정 반도체를 포함할 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 구동 전압(ELVDD)을 제1 트랜지스터(T1)에 전달할 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 발광 제어선(GL5)과 연결되어 있고, 제5 트랜지스터(T5)의 제1 전극은 구동 전압선(VL1)과 연결되어 있으며, 제5 트랜지스터(T5)의 제2 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극과 연결되어 있다. 발광 제어 트랜지스터인 제6 트랜지스터(T6)는 p형 트랜지스터일 수 있고, 다결정 반도체를 포함할 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)는 제1 트랜지스터(T1)에서 출력되는 구동 전류를 발광 소자(ED)로 전달할 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 발광 제어선(GL5)과 연결되어 있고, 제6 트랜지스터(T6)의 제1 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 연결되어 있고, 제6 트랜지스터(T6)의 제2 전극은 발광 소자(ED)의 애노드와 연결되어 있다.
바이패스 트랜지스터인 제7 트랜지스터(T7)는 p형 트랜지스터일 수 있고, 다결정 반도체를 포함할 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)는 발광 소자(ED)의 애노드를 초기화할 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 바이패스 제어선(GL4)과 연결되어 있고, 제7 트랜지스터(T7)의 제1 전극은 발광 소자(ED)의 애노드와 연결되어 있고, 제7 트랜지스터(T7)의 제2 전극은 초기화 전압선(VL2)과 연결되어 있다. 바이패스 신호(GB)의 게이트 온 전압(저전압)에 의해 제7 트랜지스터(T7)가 켜지면 초기화 전압(VINT)이 발광 소자(ED)의 애노드로 인가될 수 있다.
스토리지 커패시터(CST)의 제2 전극은 구동 전압선(VL1)과 연결되어 있다. 발광 소자(ED)의 캐소드는 공통 전압(ELVSS)을 전달하는 공통 전압선(VL3)과 연결되어 있다.
전술한 바와 같이, 제1 트랜지스터(T1)는 다결정 반도체를 포함할 수 있고, 제3 트랜지스터(T3) 및 제4 트랜지스터(T4)는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 제2 트랜지스터(T2), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6) 및 제7 트랜지스터(T7)는 다결정 반도체를 포함할 수 있다. 따라서 제1 트랜지스터(T1)는 높은 전자 이동도를 가질 수 있고, 제3 트랜지스터(T3) 및 제4 트랜지스터(T4)의 누설 전류를 줄일 수 있다. 이와 같이, 제3 트랜지스터(T3) 및 제4 트랜지스터(T4)가 제1 트랜지스터(T1)와 다른 반도체 물질을 포함하도록 함으로써 보다 안정적으로 구동할 수 있고, 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 제2 트랜지스터(T2), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6) 및 제7 트랜지스터(T7) 중 적어도 하나는 산화물 반도체를 포함할 수도 있다.
스캔선(GL1)에 고전압이 인가될 때 반전 스캔선(GL2)에 저전압이 인가될 수 있고, 스캔선(GL1)에 저전압이 인가될 때 반전 스캔선(GL2)에 고전압이 인가될 수 있다. 반전 스캔선(GL2)에 인가되는 반전 스캔 신호(GC)가 스캔선(GL1)에 인가되는 스캔 신호(GW)와 반전된 신호이므로, 데이터 전압이 기입된 후 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전압을 끌어내릴 수 있다. 반대로, 스캔 신호(GW)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전압을 끌어올릴 수 있다. 부스트 커패시터(CBST)가 스캔선(GL1)과 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극 사이에 위치함으로써, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전압을 안정화할 수 있다. 부스트 커패시터(CBST)는 반전 스캔 신호(GC)가 고전압으로 변경 시 또는 저전압으로 변경 시 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전압이 높아지는 것 또는 낮아지는 것을 보상할 수 있다.
도시된 실시예와 달리, 제3 트랜지스터(T3) 및 제4 트랜지스터(T4)도 다결정 반도체를 포함할 수 있고, p형 트랜지스터일 수 있다. 이 경우, 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)는 동일한 게이트 신호를 인가받을 수 있고, 화소(PX)는 부스트 커패시터(CBST)를 포함하지 않을 수 있다.
도시된 실시예에서 화소(PX)는 7개의 트랜지스터(T1-T7), 1개의 스토리지 커패시터(CST) 및 1개의 부스트 커패시터(CBST)를 포함하지만, 트랜지스터의 수와 커패시터의 수, 그리고 이들의 연결 관계는 다양하게 변경될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
1: 표시 장치 110: 기판
20: 게이트 구동부 30: 집적회로 칩
BED: 경계부 발광 소자 CED: 카피 발광 소자
CL1, CL2, CL3, CL4: 연결선 DA: 표시 영역
DA1: 제1 표시 영역 DA2: 제2 표시 영역
DED: 더미 발광 소자 E11, E12, E13, E14: 제1 전극
E21, E22, E23, E24: 제2 전극 ED1: 제1 발광 소자
ED2: 제2 발광 소자 EL1, EL2, EL3: 발광층
L1: 제1 공통층 L2: 제2 공통층
PA: 주변 영역 PC1: 제1 화소 회로부
PC2: 제2 화소 회로부

Claims (20)

  1. 제1 표시 영역,
    상기 제1 표시 영역에 인접하는 제2 표시 영역,
    적어도 일부가 상기 제2 표시 영역에 위치하는 구동부,
    상기 제1 표시 영역에 위치하는 복수의 제1 발광 소자,
    상기 제2 표시 영역에 위치하며, 상기 제1 표시 영역에 인접하는 경계부 발광 소자 및 상기 구동부와 중첩하는 구동부 발광 소자를 포함하는 복수의 제2 발광 소자, 그리고
    상기 제2 표시 영역에 위치하며, 상기 경계부 발광 소자와 전기적으로 연결된 카피 발광 소자 및 더미 발광 소자
    를 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 경계부 발광 소자 및 카피 발광 소자는 발광층을 포함하고, 상기 더미 발광 소자는 발광층을 포함하지 않는 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 경계부 발광 소자, 카피 발광 소자 및 상기 더미 발광 소자는 각각 서로 중첩하는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고,
    상기 경계부 발광 소자, 카피 발광 소자 및 상기 더미 발광 소자의 제1 전극들은 서로 전기적으로 연결되어 있고,
    상기 경계부 발광 소자, 카피 발광 소자 및 상기 더미 발광 소자의 제2 전극들은 서로 전기적으로 연결되어 있는 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 경계부 발광 소자, 카피 발광 소자 및 상기 더미 발광 소자는 각각 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 제1 공통층 및 제2 공통층을 포함하고,
    상기 경계부 발광 소자 및 상기 카피 발광 소자의 상기 제1 공통층과 상기 제2 공통층 사이에 상기 발광층이 위치하고,
    상기 더미 발광 소자의 상기 제1 공통층과 상기 제2 공통층이 접하는 표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 경계부 발광 소자, 상기 카피 발광 소자 및 상기 더미 발광 소자는 상기 복수의 제1 발광 소자와 상기 구동부 발광 소자 사이에 위치하는 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 경계부 발광 소자와 상기 카피 발광 소자는 동일한 색을 표시하는 표시 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 제1 표시 영역에 위치하며, 상기 복수의 제1 발광 소자와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 제1 화소 회로부, 그리고
    상기 제1 표시 영역에 위치하며, 상기 복수의 제2 발광 소자와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 제2 화소 회로부
    를 더 포함하며,
    상기 카피 발광 소자 및 상기 더미 발광 소자는 자신과 전기적으로 연결된 제2 화소 회로부와 중첩하지 않는 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 경계부 발광 소자는 자신과 전기적으로 연결된 제2 화소 회로부와 중첩하는 표시 장치.
  9. 제7항에서,
    상기 구동부 발광 소자는 자신과 전기적으로 연결된 제2 화소 회로부와 중첩하지 않는 표시 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 경계부 발광 소자는 상기 복수의 제1 발광 소자 중 동일한 색을 표시하는 제1 발광 소자와 크기가 동일한 표시 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 경계부 발광 소자는 상기 구동부 발광 소자보다 크기가 작은 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 카피 발광 소자는 상기 경계부 발광 소자와 크기가 동일한 표시 장치.
  13. 제1항에서,
    상기 복수의 제2 발광 소자는 행렬로 배열되어 있고,
    상기 카피 발광 소자는 상기 경계부 발광 소자와 동일 행에 배열되어 있고,
    상기 더미 발광 소자는 상기 경계부 발광 소자와 다른 행에 배열되어 있는 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 더미 발광 소자는 상기 경계부 발광 소자가 표시하는 색과 다른 색을 표시하는 2개의 제2 발광 소자 사이에 위치하는 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 경계부 발광 소자는 청색 또는 적색을 표시하고, 상기 다른 색을 표시하는 2개의 제2 발광 소자는 녹색을 표시하는 표시 장치.
  16. 제14항에서
    상기 제1 표시 영역은 모서리가 둥근 코너부를 포함하고,
    상기 경계부 발광 소자는 상기 코너부에 인접하는 표시 장치.
  17. 제1항에서
    상기 복수의 제2 발광 소자는 복수의 카피 발광 소자와 전기적으로 연결된 제2 발광 소자를 포함하는 표시 장치.
  18. 제1 표시 영역,
    상기 제1 표시 영역에 인접하는 제2 표시 영역,
    상기 제1 표시 영역에 위치하는 복수의 제1 발광 소자,
    상기 제2 표시 영역에 위치하는 복수의 제2 발광 소자,
    상기 제2 표시 영역에 위치하며, 상기 복수의 제2 발광 소자 중 하나와 전기적으로 연결된 더미 발광 소자, 그리고
    적어도 일부가 상기 제2 표시 영역에 위치하는 구동부
    를 포함하는 표시 장치.
  19. 제18항에서,
    상기 더미 발광 소자는 서로 중첩하는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 발광층을 포함하지 않는 표시 장치.
  20. 제18항에서,
    상기 복수의 제2 발광 소자 중 상기 더미 발광 소자와 연결된 제2 발광 소자는 상기 복수의 제2 발광 소자 중 상기 구동부와 중첩하는 제2 발광 소자보다 크기가 작고 상기 제1 발광 소자와 크기가 동일한 표시 장치.
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