KR20220137991A - 하전 입자 시스템에서 하이 스루풋 결함 검사를 위한 시스템 및 방법 - Google Patents

Abstract

하전 입자 빔 시스템에서 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 장치, 시스템, 및 방법이 개시된다. 몇몇 실시형태에서, 컨트롤러는 영역의 타입에 의해 웨이퍼의 스트라이프를 따라 복수의 영역을 분류하도록 - 스트라이프는 빔의 시야보다 더 크고, 복수의 영역의 분류는 제1 타입의 영역 및 제2 타입의 영역을 포함함 - ; 그리고 영역의 타입에 기초하여 스테이지의 속도를 제어하는 - 제1 타입의 영역은 제1 속도에서 스캐닝되고 제2 타입의 영역은 제2 속도에서 스캐닝됨 - 것에 의해 웨이퍼를 스캐닝하도록 구성되는 회로부를 포함할 수도 있다.

Description

하전 입자 시스템에서 하이 스루풋 결함 검사를 위한 시스템 및 방법

관련 출원에 대한 교차 참조

본 출원은 2020년 3월 12일자로 출원된, 그리고 참조에 의해 그 전체가 본원에 통합되는 미국 출원 제62/988,817호의 우선권을 주장한다.

분야

본원에서의 설명은 하전 입자 빔 시스템의 분야에 관한 것으로, 더 구체적으로는, 하이 스루풋 하전 입자 빔 검사 시스템에 관한 것이다.

집적 회로(integrated circuit; IC)의 제조 프로세스에서, 미완성 또는 완성된 회로 컴포넌트는, 그들이 설계에 따라 제조되고 결함이 없다는 것을 보장하기 위해 검사된다. 광학 현미경을 활용하는 검사 시스템은 통상적으로 수백 나노미터에 이르기까지의 분해능을 갖는다; 분해능은 광의 파장에 의해 제한된다. IC 컴포넌트의 물리적 사이즈가 100 나노미터 미만 또는 심지어 10 나노미터 미만에 이르기까지 계속 감소함에 따라, 광학 현미경을 활용하는 것들보다 더 높은 분해능에 대응하는 검사 시스템이 필요로 된다.

나노미터 미만에 이르기까지의 분해능에 대응하는, 주사 전자 현미경(scanning electron microscope; SEM) 또는 투과 전자 현미경(transmission electron microscope; TEM)과 같은 하전 입자(예를 들면, 전자) 빔 현미경은, 100 나노미터 미만인 피쳐 사이즈를 갖는 IC 컴포넌트를 검사하기 위한 실용적인 도구(tool)로서 역할을 한다. SEM을 통해, 단일의 1차 전자 빔(primary electron beam)의 전자 또는 복수의 1차 전자 빔의 전자가 검사 하에 있는 웨이퍼의 관심 위치에 집속될 수 있다. 1차 전자는 웨이퍼와 상호 작용하고 후방 산란될(backscattered) 수도 있거나 또는 웨이퍼로 하여금 2차(secondary) 전자를 방출하게 할 수도 있다. 후방 산란 전자 및 2차 전자를 포함하는 전자 빔의 강도는 웨이퍼의 내부 및/또는 외부 구조물의 속성(property)에 기초하여 변할 수도 있으며, 그에 의해, 웨이퍼가 결함을 갖는지의 여부를 나타낼 수도 있다.

본 개시의 실시형태는 하전 입자 빔 시스템에서 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 장치, 시스템, 및 방법을 제공한다. 몇몇 실시형태에서, 컨트롤러는 영역의 타입에 의해 웨이퍼의 스트라이프를 따라 복수의 영역을 분류하도록 - 스트라이프는 빔의 시야(field of view)보다 더 크고, 복수의 영역의 분류는 제1 타입의 영역 및 제2 타입의 영역을 포함함 - ; 그리고 영역의 타입에 기초하여 스테이지의 속도를 제어하는 - 제1 타입의 영역은 제1 속도에서 스캐닝되고 제2 타입의 영역은 제2 속도에서 스캐닝됨 - 것에 의해 웨이퍼를 스캐닝하도록 구성되는 회로부(circuitry)를 포함할 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 방법은 영역의 타입에 의해 웨이퍼의 스트라이프를 따라 복수의 영역을 분류하는 것 - 스트라이프는 빔의 시야보다 더 크고, 복수의 영역의 분류는 제1 타입의 영역 및 제2 타입의 영역을 포함함 - ; 및 영역의 타입에 기초하여 스테이지의 속도를 제어하는 - 제1 타입의 영역은 제1 속도에서 스캐닝되고 제2 타입의 영역은 제2 속도에서 스캐닝됨 - 것에 의해 웨이퍼를 스캐닝하는 것을 포함할 수도 있다.

도 1은, 본 개시의 실시형태와 부합하는, 예시적인 전자 빔 검사(electron beam inspection; EBI) 시스템을 예시하는 개략도이다.
도 2는, 본 개시의 실시형태와 부합하는, 도 1의 예시적인 하전 입자 빔 검사 시스템의 일부인 예시적인 다중 빔 시스템을 예시하는 개략도이다.
도 3은, 본 개시의 실시형태와 부합하는, 하전 입자 빔의 스캐닝 시퀀스의 예시이다.
도 4는, 본 개시의 실시형태와 부합하는, 하전 입자 빔을 사용하는 샘플의 검사의 개략도이다.
도 5는, 본 개시의 실시형태와 부합하는, 하전 입자 빔을 사용하는 샘플의 검사의 개략도이다.
도 6a 내지 도 6d는, 본 개시의 실시형태와 부합하는, 검사 동안 하전 입자 빔 및 관련된 빔 이동 패턴을 사용하는 샘플의 검사의 개략도이다.
도 7은, 본 개시의 실시형태와 부합하는, 하전 입자 빔 검사를 위한 예시적인 검사 데이터이다.
도 8은, 본 개시의 실시형태와 부합하는, 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하는 예시적인 방법을 예시하는 플로우차트이다.

이제, 예시적인 실시형태에 대한 참조가 상세하게 이루어질 것인데, 그 예는 첨부하는 도면에서 예시된다. 다음의 설명은 첨부의 도면을 참조하는데, 첨부의 도면에서, 달리 표현되지 않는 한, 상이한 도면에서의 동일한 번호는 동일한 또는 유사한 엘리먼트를 나타낸다. 예시적인 실시형태의 다음의 설명에서 기술되는 구현예는, 본 개시와 부합하는 모든 구현예를 나타내는 것은 아니다. 대신, 그들은 첨부된 청구범위에 언급되는 바와 같은 주제에 관련되는 양태와 부합하는 장치 및 방법의 예에 불과하다. 예를 들면, 비록 몇몇 실시형태가 전자 빔을 활용하는 맥락에서 설명되지만, 본 개시는 그렇게 제한되지는 않는다. 다른 타입의 하전 입자 빔이 유사하게 적용될 수도 있다. 더구나, 광학 이미징, 광검출, x 선 검출, 또는 등등과 같은 다른 이미징 시스템이 사용될 수도 있다.

전자 디바이스는 기판으로 지칭되는 실리콘의 단편(piece) 상에서 형성되는 회로로 구성된다. 많은 회로가 동일한 단편의 실리콘 상에서 함께 형성될 수도 있으며 집적 회로 또는 IC로 칭해진다. 이들 회로의 사이즈는, 더욱 많은 그들이 기판 상에서 적합될 수 있도록, 크게 감소되었다. 예를 들면, 스마트폰의 IC 칩은 섬네일만큼 작을 수 있지만, 여전히 20억 개 이상의 트랜지스터를 포함할 수도 있는데, 각각의 트랜지스터의 사이즈는 인간 머리카락 사이즈의 1/1000 미만이다.

이들 극도로 작은 IC를 만드는 것은 복잡하고, 시간 소모적이며, 값비싼 프로세스인데, 종종 수백 개의 개개의 단계를 수반한다. 심지어 하나의 단계에서의 에러도 완성된 IC를 쓸모없게 만드는 완성된 IC에서의 결함으로 귀결될 잠재성을 갖는다. 따라서, 제조 프로세스의 한 가지 목표는 그러한 결함을 방지하여 프로세스에서 제조되는 기능 IC의 수를 최대화하는 것, 즉 프로세스의 전체 수율을 향상시키는 것이다.

수율을 향상시키는 하나의 컴포넌트는, 칩 제조 프로세스가 충분한 수의 기능적 집적 회로를 생산하고 있다는 보장하기 위해, 칩 제조 프로세스를 모니터링하는 것이다. 프로세스를 모니터링하는 한 가지 방식은 칩 회로 구조물의 형성의 다양한 스테이지에서 그들을 검사하는 것이다. 검사는 주사 전자 현미경(scanning electron microscope; SEM)을 사용하여 실행될 수도 있다. 이들 극도로 작은 구조물을 이미지화하여, 사실상, 웨이퍼의 구조물의 "사진"을 찍기 위해, SEM이 사용될 수 있다. 이미지는, 구조물이 제대로 형성되었는지 및 또한 그것이 적절한 위치에서 형성되었는지를 결정하기 위해 사용될 수 있다. 구조물이 결함이 있는 경우, 그러면, 프로세스는 결함이 재발할 가능성이 더 적도록 조정될 수 있다.

SEM의 작동 원리는 카메라와 유사하다. 카메라는 사람들 또는 오브젝트로부터 반사되는 또는 방출되는 광의 밝기 및 컬러를 수신하여 기록하는 것에 의해 사진을 찍는다. SEM은 구조물로부터 반사되는 또는 방출되는 전자의 양 또는 에너지를 수신 및 기록하는 것에 의해 "사진"을 찍는다. 그러한 "사진"을 찍기 이전에, 전자 빔이 구조물 상으로 제공될 수도 있고, 전자가 구조물로부터 반사되거나 또는 방출("출사")될 때, SEM의 검출기는 그들 전자의 에너지 또는 양을 수신하고 기록하여 이미지를 생성할 수도 있다. 그러한 "사진"을 찍기 위해, 몇몇 SEM은 단일의 전자 빔("단일 빔 SEM"으로 지칭됨)을 사용하고, 한편 몇몇 SEM은 다수의 전자 빔("다중 빔 SEM"으로 지칭됨)을 사용하여 웨이퍼의 다수의 "사진"을 찍는다. 다수의 전자 빔을 사용하는 것에 의해, SEM은 이들 다수의 "사진"을 획득하기 위해 구조물 상으로 더 많은 전자 빔을 제공할 수도 있고, 결과적으로 구조물로부터 더 많은 전자가 빠져나가게 된다. 따라서, 검출기는 더 많은 출사 전자를 동시에 수신할 수도 있고, 더 높은 효율성 및 더 빠른 속도로 웨이퍼의 구조물의 이미지를 생성할 수도 있다.

그러나, 웨이퍼는 검사될 필요가 있는 영역 및 검사될 필요가 없는 영역을 포함할 수도 있다. 웨이퍼가 이들 영역 둘 모두를 포함하는 경우, 검사될 필요가 없는 영역을 스캐닝하면서 검사 시간은 낭비될 수도 있고, 그에 의해, 전체 웨이퍼 스루풋(이것은 이미징 시스템이 단위 시간에 검사 태스크를 얼마나 빨리 완수할 수 있는지를 나타냄)을 감소시킬 수도 있다. 또한, 검사될 필요가 있는 영역의 경우, 몇몇 영역은 다른 영역보다 스캐닝할 더 적은 피쳐를 가질 수도 있다.

종래의 시스템은, 그들이 웨이퍼 상의 몇몇 영역이 검사될 필요가 없을 수도 있다는 것 또는 웨이퍼의 몇몇 영역이 다른 영역보다 더 적은 피쳐를 갖는다는 것을 고려하지 않는다는 점에서, 비효율적인 스캐닝의 문제를 겪고 있다. 따라서, 이들 종래의 시스템은 최적보다 더 낮은 스루풋을 제공한다.

본 개시의 몇몇 실시형태는 검사될 필요가 없는 웨이퍼 상의 영역 또는 웨이퍼 상의 몇몇 영역이 다른 영역보다 더 적은 피쳐를 갖는다는 것을 고려하는 개선된 스캐닝 기술을 제공한다. 본 개시는, 다른 것들 중에서도, 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 방법 및 시스템을 설명한다. 몇몇 실시형태에서, 검사 시스템은 검사 동안 스테이지의 이동을 제어하기 위한 회로부를 포함하는 컨트롤러를 포함할 수도 있다. 검사 동안 스테이지는 계속 이동될 수도 있다. 스테이지의 속도는, 검사될 필요가 없는 웨이퍼의 영역을 이미징 시스템이 스캐닝할 때 가속되도록 조정될 수도 있다. 또한, 스테이지의 속도는 검사될 영역에서의 피쳐에 기초하여 조정될 수 있다. 예를 들면, 피쳐로 더 많이 빽빽하게 채워진 영역은 검사의 품질과 정확도를 증가시키기 위해 더 느린 스테이지 속도를 필요로 할 수도 있고, 한편 피쳐로 덜 빽빽하게 채워진 영역은 시스템이 스테이지 속도를 증가시키는 것을 허용할 수도 있다.

도면에서 컴포넌트의 상대적인 치수는 명확성을 위해 과장될 수도 있다. 도면의 다음의 설명 내에서, 동일한 또는 유사한 참조 번호는, 동일한 또는 유사한 컴포넌트 또는 엔티티를 가리키며, 개개의 실시형태와 관련한 차이점만이 설명된다.

본원에 사용될 때, 달리 구체적으로 언급되지 않는 한, 용어 "또는"은, 실행 불가능한 경우를 제외한, 모든 가능한 조합을 포괄한다. 예를 들면, 한 컴포넌트가 A 또는 B를 포함할 수도 있다는 것이 언급되는 경우, 그러면, 달리 구체적으로 언급되지 않거나 또는 실현 불가능하지 않는 한, 그 컴포넌트는 A, 또는 B, 또는 A 및 B를 포함할 수도 있다. 제2 예로서, 한 컴포넌트가 A, B, 또는 C를 포함할 수도 있다는 것이 언급되는 경우, 그러면, 달리 구체적으로 언급되지 않는 한 또는 실현 불가능하지 않는 한, 그 컴포넌트는 A, 또는 B, 또는 C, 또는 A 및 B, 또는 A 및 C, 또는 B 및 C, 또는 A 및 B 및 C를 포함할 수도 있다.

도 1은 본 개시의 실시형태와 부합하는 예시적인 전자 빔 검사(EBI) 시스템(100)을 예시한다. EBI 시스템(100)은 이미징을 위해 사용될 수도 있다. 도 1에서 도시되는 바와 같이, EBI 시스템(100)은 메인 챔버(101), 로드/락 챔버(load/lock chamber)(102), 전자 빔 도구(104), 및 기기 프론트 엔드 모듈(equipment front end module; EFEM)(106)을 포함한다. 전자 빔 도구(104)은 메인 챔버(101) 내에 위치된다. EFEM(106)은 제1 로딩 포트(106a) 및 제2 로딩 포트(106b)를 포함한다. EFEM(106)은 추가적인 로딩 포트(들)를 포함할 수도 있다. 제1 로딩 포트(106a) 및 제2 로딩 포트(106b)는, 검사될 웨이퍼(예를 들면, 반도체 웨이퍼 또는 다른 재료(들)로 제조되는 웨이퍼) 또는 샘플을 포함하는 웨이퍼 전방 개방 통합 포드(wafer front opening unified pod; FOUP)를 수용한다(웨이퍼 및 샘플은 상호 교환 가능하게 사용될 수도 있음). "로트(lot)"는 묶음(batch)으로서 프로세싱을 위해 로딩될 수도 있는 복수의 웨이퍼이다.

EFEM(106)에서의 하나 이상의 로봇 암(도시되지 않음)은 웨이퍼를 로드/락 챔버(102)로 이송할 수도 있다. 로드/락 챔버(102)는, 대기압 아래의 제1 압력에 도달하도록 로드/락 챔버(102) 내의 가스 분자를 제거하는 로드/락 진공 펌프 시스템(도시되지 않음)에 연결된다. 제1 압력에 도달한 이후, 하나 이상의 로봇 암(도시되지 않음)은 웨이퍼를 로드/락 챔버(102)로부터 메인 챔버(101)로 이송할 수도 있다. 메인 챔버(101)는, 제1 압력 아래의 제2 압력에 도달하도록 메인 챔버(101) 내의 가스 분자를 제거하는 메인 챔버 진공 펌프 시스템(도시되지 않음)에 연결된다. 제2 압력에 도달한 이후, 웨이퍼는 전자 빔 도구(104)에 의한 검사를 받게 된다. 전자 빔 도구(104)은 단일 빔 시스템 또는 다중 빔 시스템일 수도 있다.

컨트롤러(109)는 e 빔 도구(104)에 전자적으로 연결된다. 컨트롤러(109)는 EBI 시스템(100)의 다양한 제어를 실행하도록 구성되는 컴퓨터일 수도 있다. 컨트롤러(109)가 메인 챔버(101), 로드/락 챔버(102), 및 EFEM(106)을 포함하는 구조물의 외부에 있는 것으로 도 1에서 도시되어 있지만, 컨트롤러(109)는 구조물의 일부일 수도 있다는 것이 인식된다.

몇몇 실시형태에서, 컨트롤러(109)는 하나 이상의 프로세서(도시되지 않음)를 포함할 수도 있다. 프로세서는 정보를 조작하거나 또는 프로세싱할 수 있는 일반적인 또는 특정한 전자 디바이스일 수도 있다. 예를 들면, 프로세서는 임의의 수의 중앙 프로세싱 유닛(central processing unit)(또는 "CPU"), 그래픽 프로세싱 유닛(graphics processing unit)(또는 "GPU"), 광학 프로세서, 프로그래머블 로직 컨트롤러, 마이크로컨트롤러, 마이크로프로세서, 디지털 신호 프로세서, 지적 재산(intellectual property; IP) 코어, 프로그래머블 로직 어레이(Programmable Logic Array; PLA), 프로그래머블 어레이 로직(Programmable Array Logic; PAL), 일반 어레이 로직(Generic Array Logic; GAL), 복합 프로그래머블 로직 디바이스(Complex Programmable Logic Device; CPLD), 필드 프로그래머블 게이트 어레이(Field-Programmable Gate Array; FPGA), 시스템 온 칩(System On Chip; SoC), 주문형 집적 회로(Application-Specific Integrated Circuit; ASIC) 및 데이터 프로세싱이 가능한 임의의 타입의 회로의 임의의 조합을 포함할 수도 있다. 프로세서는 또한 네트워크를 통해 커플링되는 다수의 머신 또는 디바이스에 걸쳐 분산되는 하나 이상의 프로세서를 포함하는 가상 프로세서일 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 컨트롤러(109)는 하나 이상의 메모리(도시되지 않음)를 더 포함할 수도 있다. 메모리는 (예를 들면, 버스를 통해) 프로세서에 의해 액세스 가능한 코드 및 데이터를 저장할 수 있는 일반적인 또는 특정한 전자 디바이스일 수도 있다. 예를 들면, 메모리는 임의의 수의 랜덤 액세스 메모리(random-access memory; RAM), 리드 온리 메모리(read-only memory; ROM), 광학 디스크, 자기 디스크, 하드 드라이브, 솔리드 스테이트 드라이브, 플래시 드라이브, 보안 디지털(security digital; SD) 카드, 메모리 스틱, 컴팩트 플래시(compact flash; CF) 카드, 또는 임의의 타입의 스토리지 디바이스의 임의의 조합을 포함할 수도 있다. 코드는 오퍼레이팅 시스템(operating system; OS) 및 특정한 태스크를 위한 하나 이상의 애플리케이션 프로그램(또는 "앱")을 포함할 수도 있다. 메모리는 또한 네트워크를 통해 커플링되는 다수의 머신 또는 디바이스에 걸쳐 분산되는 하나 이상의 메모리를 포함하는 가상 메모리일 수도 있다.

이제, 본 개시의 실시형태와 부합하는, 도 1의 EBI 시스템(100)의 일부인 예시적인 전자 빔 도구(104)를 예시하는 개략도인 도 2에 대한 참조가 이루어진다. 전자 빔 도구(104)는 단일 빔 장치 또는 다중 빔 장치일 수도 있다.

도 2에서 도시되는 바와 같이, 전자 빔 도구(104)는 전동식 샘플 스테이지(motorized sample stage)(201), 및 검사될 웨이퍼(203)를 유지하기 위해 전동식 스테이지(201)에 의해 지지되는 웨이퍼 홀더(202)를 포함할 수도 있다. 전자 빔 도구(104)는 대물 렌즈 어셈블리(204), 전자 검출기(206)(이것은 전자 센서 표면(206a 및 206b)을 포함함), 대물 렌즈 어퍼쳐(208), 집광 렌즈(condenser lens)(210), 빔 제한 어퍼쳐(212), 건 어퍼쳐(gun aperture)(214), 애노드(216), 및 캐소드(218)를 더 포함한다. 대물 렌즈 어셈블리(204)는, 몇몇 실시형태에서, 폴 피스(pole piece; 204a), 제어 전극(204b), 편향기(204c), 및 여기 코일(exciting coil)(204d)을 포함하는 수정된 스윙 대물 지연 침지 렌즈(swing objective retarding immersion lens; SORIL)를 포함할 수도 있다. 전자 빔 도구(104)는 웨이퍼(203) 상의 재료를 특성 묘사하기 위해 에너지 분산형 X 선 분광계(energy dispersive X-ray spectrometer; EDS) 검출기(도시되지 않음)를 추가적으로 포함할 수도 있다.

1차 하전 입자 빔(220), 예를 들면, 전자 빔은 애노드(216)와 캐소드(218) 사이에 전압을 인가하는 것에 의해 캐소드(218)로부터 방출될 수도 있다. 1차 전자 빔(220)은 건 어퍼쳐(214) 및 빔 제한 어퍼쳐(212)를 통과하는데, 이들 둘 모두는 빔 제한 어퍼쳐(212) 아래에 있는 집광 렌즈(210)에 진입하는 전자 빔의 사이즈를 결정할 수도 있다. 집광 렌즈(210)는 대물 렌즈 어셈블리(204)에 진입하기 이전에 1차 전자 빔의 사이즈를 설정하기 위해 빔이 대물 렌즈 어퍼쳐(208)에 진입하기 이전에 1차 하전 입자 빔(220)을 집속한다. 편향기(204c)는 웨이퍼(203) 상에서의 빔 스캐닝을 용이하게 하기 위해 1차 전자 빔(220)을 편향시킨다. 예를 들면, 스캐닝 프로세스에서, 편향기(204c)는, 웨이퍼(203)의 상이한 부분에 대한 이미지 재구성을 위한 데이터를 제공하기 위해, 상이한 시점에 웨이퍼(203)의 상부 표면의 상이한 위치 상으로 1차 전자 빔(220)을 순차적으로 편향시키도록 제어될 수도 있다. 또한, 편향기(204c)는 또한, 상이한 시점에, 1차 전자 빔(220)을 특정한 위치에서 웨이퍼(203)의 상이한 면 상으로 편향시켜, 그 위치에서 웨이퍼 구조물의 스테레오 이미지 재구성을 위한 데이터를 제공하도록 제어될 수도 있다. 게다가, 몇몇 실시형태에서, 애노드(216) 및 캐소드(218)는 다수의 1차 전자 빔(220)을 생성하도록 구성될 수도 있고, 전자 빔 도구(104)는, 웨이퍼(203)의 상이한 부분에 대한 이미지 재구성을 위한 데이터를 제공하기 위해, 다수의 1차 전자 빔(220)을 웨이퍼의 상이한 부분/면에 동시에 투영하기 위한 복수의 편향기(204c)를 포함할 수도 있다.

여기 코일(204d) 및 폴 피스(204a)는, 폴 피스(204a)의 일단에서 시작하며 폴 피스(204a)의 타단에서 종료되는 자기장을 생성한다. 1차 전자 빔(220)에 의해 스캐닝되고 있는 웨이퍼(203)의 부분은 자기장에 침지될 수도 있고 전기적으로 대전될 수도 있는데, 이것은, 결국에는, 전기장을 생성한다. 전기장은, 1차 전자 빔(220)이 웨이퍼(203)와 충돌하기 이전에, 웨이퍼(203)의 표면 근처에서 충돌하는 1차 전자 빔(220)의 에너지를 감소시킨다. 폴 피스(204a)로부터 전기적으로 격리되어 있는 제어 전극(204b)은, 웨이퍼(203)의 마이크로 아칭(micro-arching)을 방지하기 위해 그리고 적절한 빔 포커스를 보장하기 위해, 웨이퍼(203) 상의 전기장을 제어한다.

1차 전자 빔(220)의 수신시 2차 전자 빔(222)이 웨이퍼(203)의 일부로부터 방출될 수도 있다. 2차 전자 빔(222)은 전자 검출기(206)의 센서 표면(206a 및 206b) 상에서 빔 스팟을 형성할 수도 있다. 전자 검출기(206)는 빔 스팟의 강도를 나타내는 신호(예를 들면, 전압, 전류, 등등)를 생성할 수 있고, 신호를 이미지 프로세싱 시스템(250)으로 제공할 수도 있다. 2차 전자 빔(222)의 강도, 및 결과적으로 나타나는 빔 스팟은, 웨이퍼(203)의 외부 및/또는 내부 구조물에 따라 변할 수도 있다. 또한, 상기에서 논의되는 바와 같이, 1차 전자 빔(220)은 웨이퍼의 상부 표면의 상이한 위치, 및/또는 특정한 위치에서 웨이퍼의 상이한 면 상으로 투영되어, 상이한 강도의 2차 전자 빔(222)(및 결과적으로 나타나는 빔 스팟)을 생성할 수도 있다. 따라서, 빔 스팟의 강도를 웨이퍼(203)의 위치와 매핑시키는 것에 의해, 프로세싱 시스템은 웨이퍼(203)의 내부 또는 외부 구조물을 반영하는 이미지를 재구성할 수도 있다.

상기에서 논의되는 바와 같이, 이미징 시스템(200)은 스테이지(201) 상의 웨이퍼(203)를 검사하기 위해 사용될 수도 있고, 전자 빔 도구(104)를 포함한다. 이미징 시스템(200)은, 이미지 획득기(260), 스토리지(270), 및 컨트롤러(109)를 포함하는 이미지 프로세싱 시스템(250)을 또한 포함할 수도 있다. 이미지 획득기(260)는 하나 이상의 프로세서를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 이미지 획득기(260)는 컴퓨터, 서버, 메인프레임 호스트, 단말, 퍼스널 컴퓨터, 임의의 종류의 모바일 컴퓨팅 디바이스, 및 등등, 또는 이들의 조합을 포함할 수도 있다. 이미지 획득기(260)는, 전기적 도체, 광섬유 케이블, 휴대용 저장 매체, IR, 블루투스, 인터넷, 무선 네트워크, 무선 라디오, 또는 이들의 조합과 같은 매체를 통해 전자 빔 도구(104)의 검출기(206)와 연결될 수도 있다. 이미지 획득기(260)는 검출기(206)로부터 신호를 수신할 수도 있고 이미지를 구성할 수도 있다. 따라서, 이미지 획득기(260)는 웨이퍼(203)의 이미지를 획득할 수도 있다. 이미지 획득기(260)는 다양한 사후 프로세싱(post-processing) 기능, 예컨대 윤곽을 생성하는 것, 획득된 이미지 상에서 지시자(indicator)를 중첩시키는 것, 및 등등을 또한 수행할 수도 있다. 이미지 획득기(260)는 획득된 이미지의 밝기 및 대비, 등등의 조정을 수행하도록 구성될 수도 있다. 스토리지(270)는, 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(random access memory; RAM), 다른 타입의 컴퓨터 판독 가능 메모리, 및 등등과 같은 저장 매체일 수도 있다. 스토리지(270)는 이미지 획득기(260)와 커플링될 수도 있고 스캐닝된 원시 이미지 데이터를 원본 이미지, 및 사후 프로세싱된 이미지로서 저장하기 위해 사용될 수도 있다. 이미지 획득기(260) 및 스토리지(270)는 컨트롤러(109)에 연결될 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 이미지 획득기(260), 스토리지(270), 및 컨트롤러(109)는 하나의 전자 제어 유닛으로서 함께 통합될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 이미지 획득기(260)는 검출기(206)로부터 수신되는 이미징 신호에 기초하여 샘플의 하나 이상의 이미지를 획득할 수도 있다. 이미징 신호는 하전 입자 이미징을 행하기 위한 스캐닝 동작에 대응할 수도 있다. 획득된 이미지는 복수의 이미징 영역을 포함하는 단일의 이미지일 수도 있다. 단일의 이미지는 스토리지(270)에 저장될 수도 있다. 단일의 이미지는 복수의 영역으로 분할될 수도 있는 원본 이미지일 수도 있다. 영역 각각은 웨이퍼(203)의 피쳐를 포함하는 하나의 이미징 영역을 포함할 수도 있다.

장치(104)가 하나의 전자 빔을 사용하는 것을 도 2가 도시하지만, 장치(104)는 두 개 이상의 수의 1차 전자 빔을 사용할 수도 있다는 것이 인식된다. 본 개시는 장치(104)에서 사용되는 1차 전자 빔의 수를 제한하지는 않는다.

본 개시의 실시형태는, 단일의 하전 입자 빔 이미징 시스템("단일 빔 시스템") 또는 상이한 스루풋 및 분해능 요건에 적응되는 다중 하전 입자 빔 이미징 시스템("다중 빔 시스템")을 사용하는 것에 의해, 상이한 스캔 모드에 대한 스루풋을 최적화하는 능력을 시스템에게 제공한다.

이제, 하전 입자 빔의 스캐닝 시퀀스의 예시인 도 3에 대한 참조가 이루어진다. 전자 빔 도구(예를 들면, 도 2의 전자 빔 도구(104))는 웨이퍼 샘플(300)에 걸쳐 전자 빔(302)을 스캐닝하는 연속 래스터에 의해 이미지를 생성할 수도 있다. 전동식 스테이지(예를 들면, 도 2의 전동식 스테이지(209))의 속도는, 웨이퍼 샘플을 유지하는 스테이지의 속도가 검사 동안 변할 수도 있도록 그리고 웨이퍼가 연속적으로 스캐닝될 수도 있도록 제어될 수도 있다. 도 3은 5×5 픽셀 이미지를 생성하기 위한 연속 래스터 스캐닝의 예시적인 시퀀스를 도시한다. 래스터 스캐닝에서, 전자 빔은 웨이퍼(300)에 걸친 픽셀(예를 들면, 픽셀(311, 312, 313, 314, 및 315))의 스트라이프(또는 라인) A를 스캐닝하기 위해 왼쪽에서부터 오른쪽으로(예를 들면, 픽셀(311)로부터 픽셀(315)로) 하나 이상의 레이트에서 수평으로 움직인다. 몇몇 실시형태에서, 전자 빔(302)은 전체 픽셀(예를 들면, 픽셀(311))을 스캐닝하기에 충분히 큰 사이즈(예를 들면, 직경)를 가질 수도 있다. 일단 전자 빔(302)이 스캐닝되고 있는 스트라이프(예를 들면, 스트라이프 A)의 마지막 픽셀(예를 들면, 픽셀(315))에 도달하면, 빔은 다음 번 스트라이프의 제1 픽셀(예를 들면, 스트라이프 B의 픽셀(321))로 빠르게 다시 이동하는데, 여기서 다음 번 행의 스캐닝이 시작될 수도 있다. 이들 단계는 스트라이프 B의 픽셀(321-325), 스트라이프 C의 픽셀(331-335), 스트라이프 D의 픽셀(341-345), 및 스트라이프 E의 픽셀(351-355)에 대해 반복될 수도 있다. 전후의(back and forth) 스캐닝에서, 항상 한 방향으로 스캐닝하는 것이 아니라, 몇몇 스트라이프는 한 방향으로 스캐닝될 수도 있고, 한편 다른 스트라이프는 제2 반대 방향으로 스캐닝될 수도 있다. 예를 들면, 픽셀(311-315)을 스캐닝한 이후, 전자 빔은 스트라이프 B와 정렬되도록 수직으로 조정될 수 있고, 빔은 그 다음 325-321을 스캐닝할 수도 있다. 전자 빔은 몇몇 스트라이프를 제1 방향에서 스캐닝할 수도 있고(예를 들면, 왼쪽에서 오른쪽으로 스캐닝되는 스트라이프 A, C 및 E), 다른 스트라이프를 제1 방향과는 반대인 제2 방향에서 스캐닝할 수도 있다(예를 들면, 오른쪽에서부터 왼쪽으로 스캐닝되는 스트라이프 C 및 D). 몇몇 실시형태에서, 전자 빔(302)은, 웨이퍼의 상이한 영역의 스캐닝이 시작될 수도 있는 상이한 위치로 재배치될 수도 있다. 몇몇 다른 실시형태에서, 다중 빔 도구를 사용하여 웨이퍼를 스캐닝하기 위해 다수의 빔이 사용될 수도 있다. 본 개시는 웨이퍼 상의 행 또는 픽셀의 수를 제한하지는 않는다. 다중 빔 장치를 사용한 연속 스캐닝에 대한 더 많은 정보는, 참조에 의해 그 전체가 통합되는 미국 특허 출원 번호 제62/850,461호에서 확인될 수 있다.

이제, 하전 입자 빔을 사용하여 샘플을 검사하는 것을 개략적으로 예시하는 도 4에 대한 참조가 이루어진다. 도 4가 래스터 스캔을 위한 몇몇 스캐닝 기술을 예시하지만, 유사한 스캐닝 기술이 전후의 스캔을 위해 활용될 수 있다는 것이 인식되어야 한다. 도 4에 의해 예시되는 실시형태에서, 1차 빔릿은 샘플(예를 들면, 도 2의 샘플(208)) 상에 프로브 스팟(410)을 생성한다. 도 4는 샘플에 대한 프로브 스팟(410)의 이동을 도시한다. 예시된 실시형태에서, 프로브 스팟(410)의 직경은 W이다. 그러나, 개시된 실시형태에서, 프로브 스팟의 직경은 반드시 동일하지는 않다. 몇몇 실시형태에서, 프로브 스팟(410)은 전체 검사 라인(예를 들면, 검사 라인(420A))을 스캐닝하기에 충분히 큰 사이즈(예를 들면, 직경(W))를 가질 수도 있다. 검사될 스트라이프(401 및 402)(예를 들면, 도 3의 스트라이프 A, B, C, D 또는 E; 도 5의 스트라이프(501 또는 502))는 형상이 직사각형이지만 그러나 반드시 그런 것은 아니다. 스트라이프(401)는 복수의 검사 라인(예를 들면, 검사 라인(420A) 및 검사 라인(421A))을 포함하는 복수의 영역(예를 들면, 도 5의 영역(521A, 523A, 525A, 521B, 523B, 또는 525B))을 포함할 수도 있고 스트라이프(402)는 스캐닝될 복수의 검사 라인(예를 들면, 검사 라인(420B))을 포함하는 복수의 영역을 포함할 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 하나 이상의 영역은 피쳐(예를 들면, 도 5의 피쳐(521, 523, 또는 525))를 갖는 검사 라인을 포함할 수도 있고, 한편, 다른 영역은 피쳐가 없는 검사 라인(예를 들면, 도 5의 영역(530A, 532A, 534A, 또는 523B))을 포함할 수도 있다. 샘플을 유지하는 전동식 스테이지(예를 들면, 도 2의 전동식 스테이지(209))의 속도(K)는 검사 시스템의 스루풋을 증가시키기 위해 피쳐가 없는 영역에서 증가하도록 제어될 수도 있다. 영역은 하나 이상의 검사 라인을 포함할 수 있다는 것이 인식된다. 설명의 용이성을 위해, 절대 기준 프레임에서 두 방향 x 및 y가 정의된다. x 및 y 방향은 상호 수직이다.

몇몇 실시형태에서, 프로브 스팟(410)의 움직임은 샘플의 움직임과 조정될 수도 있다. 예를 들면, 샘플에 대한 프로브 스팟(410)은, 도 4에서 도시되는 바와 같이, 시간 기간(t1) 동안 y 방향으로 이동하지 않고 y 방향으로 길이(L)만큼 이동할 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 프로브 스팟(410)의 속도는, 제1 검사 영역(예를 들면, 도 5의 영역(521A))에서의 전동식 스테이지의 속도(K)가 제2 검사(예를 들면, 도 5의 영역(523A))에서의 전동식 스테이지의 속도와는 상이할 수도 있도록, 전동식 스테이지의 속도를 조정하는 것에 의해 제어될 수도 있다. 복수의 검사 영역에 대한 전동식 스테이지의 속도는 검사 영역의 특성에 의존할 수도 있다. 예를 들면, 전동식 스테이지의 속도는, 다른 것들 중에서도 피쳐의 존재, 피쳐의 폭, 피쳐의 주기적 본질, 또는 하나 이상의 영역에서의 피쳐의 간격(예를 들면, 각각의 피쳐 사이의 거리)에 의존할 수도 있다.

다중 빔 시스템에서, 시간 기간 동안 복수의 프로브 스팟의 이동 방향은 상이할 수도 있다. 시간 기간 동안 프로브 스팟이 이동하는 길이는 상이할 수도 있다. 프로브 스팟은 서로에 대한 움직임을 가질 수도 있거나 또는 가지지 않을 수도 있다.

도 4에 의해 예시되는 실시형태에서, 시간 기간(t1) 동안, 검사 라인(420A)은 프로브 스팟(410)에 의해 검사될 수도 있다. 시간 기간(t1)의 끝에서, 프로브 스팟(410)은 검사 라인(420A)의 끝에서부터 검사 라인(421A)의 시작 지점까지 횡단할 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지는 피쳐가 없는 검사 라인을 스킵하도록 그리고 프로브 스팟(410)이 제1 검사 라인의 끝에서부터 다음 번 검사 라인의 시작 지점으로 이동하게끔 이동하도록 제어될 수도 있다. 예를 들면, 검사 라인(421A)이 하나 이상의 피쳐를 포함하지 않고 검사 라인(422A)이 하나 이상의 피쳐를 포함하는 경우, 그러면, 프로브 스팟(410)은 검사 라인(420A)의 끝에서부터 검사 라인(422A)의 시작 지점까지 횡단할 수도 있다.

시간 기간(t2)으로부터 tn까지, 프로브 스팟(410) 및 샘플은 시간 기간(t1) 동안과 동일한 양식으로 이동할 수도 있다. 이러한 방식으로, 스트라이프(401)는 t1으로부터 tn까지 검사된다. 몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지의 속도는, 웨이퍼 샘플을 유지하는 스테이지의 속도가 검사 동안 변할 수도 있도록 그리고 웨이퍼가 연속적으로 스캐닝될 수도 있도록 제어될 수도 있다. 게다가, 연속 스캔 동안, 빔은 몇몇 영역을 스킵할 수도 있고 그들 영역을 스캐닝하지 않을 수도 있다.

tn에서, 프로브 스팟(410)은 스트라이프(401)의 마지막 검사 라인의 끝에서부터 스트라이프(402)의 검사 라인(420B)의 시작 지점까지 횡단할 수도 있다. tn+1에서 시작하여, 프로브 스팟(410) 및 샘플은 스트라이프(401)에 대해 상기에서 설명되는 것과 동일한 양식으로 이동할 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지의 속도는, 웨이퍼 샘플을 유지하는 스테이지의 속도가 스트라이프(402)의 검사 동안 변할 수도 있도록 그리고 웨이퍼가 연속적으로 스캐닝될 수도 있도록 제어될 수도 있다. 프로브 스팟(410) 및 샘플은 검사 동안 전체 웨이퍼에 대해 스트라이프(401 및 402)에 대해 상기에서 설명되는 것과 동일한 방식으로 계속 이동할 수도 있다. 스트라이프(401)가 먼저 오른쪽에서부터 왼쪽으로 스캐닝되고, 그 다음, 스트라이프(402)의 오른쪽 끝으로 대각선 점프가 이루어지고, 그것이 동일한 오른쪽에서 왼쪽 방향으로 스캐닝되는 기술을 도 4가 예시하지만, 스트라이프(401)가 스캐닝된 이후, 스트라이프(402)는, 빔이 스트라이프(401)의 왼쪽 검사 라인으로부터 스트라이프(402)의 왼쪽 검사 라인으로 전이하여, 왼쪽에서부터 오른쪽으로 스캐닝될 수 있다는 것이 인식된다. 이러한 타입의 교대하는 전후의 스캔은 샘플의 스트라이프를 검사하기 위해 사용될 수 있다는 것이 추가로 인식된다.

검사 속도가 변하는 동안 샘플 및 편향기와 상호 작용하는 빔의 패턴(450)이 검사 동안 래스터 패턴일 수도 있도록, 컨트롤러(예를 들면, 도 1 및 도 2의 컨트롤러(109))에 통신 가능하게 커플링될 수도 있는 편향기(예를 들면, 도 2의 편향기(204C))는 검사 동안 빔을 편향시키도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 편향기는 방향 y에 대각선인 방향으로 빔을 편향시킬 수도 있는데, 방향 y는 방향 x에 수직이고 방향 x는 연속 스캔 검사 동안 전동식 스테이지가 이동하는 방향이다. 전동식 스테이지의 속도가 변하는 동안 프로브 스팟(410)이 샘플의 검사 라인을 따라 이동하는 방향 y에 대각선인 방향으로 빔을 연속적으로 편향시키는 편향기에 의해 검사 스루풋은 증가될 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 편향기는, 획득된 이미지가 왜곡되지 않도록, 전동식 스테이지의 변화하는 움직임을 보상하도록 상이한 포지션으로 스윙할 수도 있다. 프로브 스팟(410)이 방향 y에서 샘플의 검사 라인을 따라 이동하는 것으로 묘사되지만, 빔의 궤적은, 각각의 검사 라인을 따라 이동할 때, 방향 x로 이동하는 스테이지를 고려하기 위해 고정된 포지션(예를 들면, 지구)을 기준으로 약간 대각선일 수도 있다는 것이 인식되어야 한다.

본 개시는 실시형태를 도 4의 것들로 제한하지는 않는다. 예를 들면, 프로브 스팟, 스트라이프, 영역, 검사 라인의 수, 및 전동식 스테이지의 속도는 제한되지 않는다. 몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지의 속도는, 프로브 스팟의 속도가 상이한 영역 또는 검사 라인에 대해 조정될 수도 있도록 제어될 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 다중 빔 시스템이 스캐닝을 위해 사용될 수도 있다.

이제, 하전 입자 빔을 사용하여 샘플을 검사하는 것을 개략적으로 예시하는 도 5에 대한 참조가 이루어진다. 도 5에 의해 예시되는 실시형태에서, 1차 빔릿은 샘플(예를 들면, 도 2의 샘플(208)) 상에 프로브 스팟(510)을 생성한다. 몇몇 실시형태에서, 프로브 스팟(510)은, 전체 검사 라인(예를 들면, 도 4의 검사 라인(420A), 도 5의 검사 라인(520A 및 520B))을 스캐닝하기에 충분히 큰 사이즈(예를 들면, 도 4의 직경(W))를 가질 수도 있다. 도 5는 샘플에 대한 프로브 스팟(510)의 이동을 도시한다. 검사될 스트라이프(501 및 502)(예를 들면, 도 4의 스트라이프(401 또는 402))는 형상이 직사각형이지만 반드시 그런 것은 아니다. 스트라이프(501 및 502)는 스캐닝될 복수의 영역(521A, 523A, 525A, 및 521B, 523B, 525B)을 각각 포함할 수도 있다. 영역(521A, 523A, 및 525A)은 피쳐(521, 523, 525)를 포함할 수도 있는 하나 이상의 검사 라인을 포함할 수도 있다. 영역(521B, 523B, 및 525B)은 피쳐(521, 523, 및 525)를 포함할 수도 있는 하나 이상의 검사 라인을 포함할 수도 있다. 영역의 몇몇 검사 라인은 피쳐를 포함할 수도 있고, 한편, 다른 검사 라인은 어떤 피쳐도 포함하지 않을 수도 있다(예를 들면, 영역(523B)의 검사 라인). 피쳐는 EBI 시스템(예를 들면, 도 1의 EBI 시스템 100)에 의해 스캐닝될 샘플 상의 특정한 관심 영역(예를 들면, 디바이스 컴포넌트)일 수도 있다. 샘플을 유지하는 전동식 스테이지(예를 들면, 도 2의 전동식 스테이지(209))의 속도(K)는, 검사 시스템의 스루풋을 증가시키기 위해, 검사되지 않을 영역, 예컨대 검사 라인이 피쳐(예를 들면, 영역(523B))를 포함하지 않는 곳에서 증가하도록 제어될 수도 있다. 설명의 용이성을 위해, 절대 기준 프레임에서 두 방향 x 및 y가 정의된다. x 및 y 방향은 상호 수직이다.

몇몇 실시형태에서, 프로브 스팟(510)의 움직임은 샘플의 움직임과 조정될 수도 있다. 다중 빔 시스템에서, 시간 기간 동안 복수의 프로브 스팟의 이동 방향은 상이할 수도 있다. 시간 기간 동안 프로브 스팟이 이동하는 길이는 상이할 수도 있다. 프로브 스팟은 서로에 대한 움직임을 가질 수도 있거나 또는 가지지 않을 수도 있다.

도 5에 의해 예시되는 실시형태에서, 스트라이프(501)는 프로브 스팟(510)에 의해 검사된다. 스트라이프(501)의 영역(525A)의 마지막 검사 라인의 끝에 도달한 이후, 프로브 스팟(510)은 다음 번 스트라이프(502)의 검사 라인의 시작 지점으로 다시 횡단할 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지의 속도는, 웨이퍼 샘플을 유지하는 스테이지의 속도가 검사 동안 변할 수도 있도록 그리고 웨이퍼가 연속적으로 스캐닝될 수도 있도록 제어될 수도 있다.

본 개시는 실시형태를 도 5의 것으로 제한하지는 않는다. 예를 들면, 프로브 스팟, 스트라이프, 영역, 검사 라인의 수, 및 전동식 스테이지의 속도는 제한되지 않는다. 몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지의 속도는, 프로브 스팟의 속도가 각각의 영역(예를 들면, 영역(521A, 523A, 525A, 521B, 523B, 525B)) 내에서 조정될 수도 있도록 제어될 수도 있다. 예를 들면, 전동식 스테이지의 속도는 영역 내의 검사 라인 및 검사 라인이 피쳐를 포함하는지의 여부에 의존하여 상이한 영역에 대해 상이할 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 다중 빔 시스템이 스캐닝을 위해 사용될 수도 있다.

스트라이프(501 및 502)는 빔릿의 FOV보다 더 클 수도 있다. 스트라이프(501)는 피쳐(521, 523, 및 525)를 각각 갖는 검사 라인을 포함하는 영역(521A, 523A, 및 525A)을 포함할 수도 있다. 스트라이프(502)는 피쳐(521 및 525)를 갖는 라인을 포함하는 영역(521B 및 525B)을 포함할 수도 있다.

컨트롤러(예를 들면, 도 1 및 도 2의 컨트롤러(109))는 영역의 타입에 의해 스트라이프(501 및 502)를 따라 복수의 영역을 분류하도록 구성되는 회로부를 포함한다. 예를 들면, 영역(525A)은 제1 타입의 영역일 수도 있고, 영역(523A)은 제2 타입의 영역일 수도 있고, 영역(521A)은 제3 타입의 영역일 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 스트라이프(501) 상의 영역(521A, 523A, 및 525A)은 피쳐가 없는 검사 라인을 포함할 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 피쳐를 갖는 검사 라인이 하나의 타입의 영역일 수도 있고 피쳐가 없는 검사 라인이 다른 타입의 영역일 수도 있도록, 영역은 분류될 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 피쳐(523) 사이의 영역은 폭(w1)을 가질 수도 있고 제1 타입의 영역으로서 분류될 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 피쳐(523)는 폭(w2)을 가질 수도 있고 제2 타입의 영역으로서 분류될 수도 있다. 본 개시는 실시형태를 도 5의 것으로 제한하지는 않는다. 예를 들면, 검사 라인, 영역, 피쳐, 및 스트라이프의 수는 제한되지 않는다. 몇몇 실시형태에서, 검사 라인 중 임의의 것은 상이한 또는 동일한 타입의 영역일 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 회로부는 피쳐의 존재, 피쳐의 폭, 피쳐의 주기적 본직, 또는 피쳐의 간격(예를 들면, 각각의 피쳐 사이의 거리)에 기초하여 스트라이프를 따라 영역을 분류하도록 구성될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지(예를 들면, 도 2의 전동식 스테이지(209))의 속도는, 샘플을 유지하는 스테이지의 속도가 검사 동안 샘플 상의 영역의 타입에 기초하여 변할 수도 있도록 그리고 웨이퍼가 연속적으로 스캐닝될 수도 있도록 제어될 수도 있다. 예를 들면, 스트라이프(501) 상에서, 피쳐(525)를 갖는 하나 이상의 검사 라인을 포함하는 영역(535A)이 제1 타입의 영역으로서 분류될 수도 있고, 피쳐가 없는 하나 이상의 검사 라인을 포함하는 영역(534A)이 제2 타입의 영역의 영역으로서 분류될 수도 있고, 피쳐(523)를 갖는 하나 이상의 검사 라인을 포함하는 영역(533A)이 제3 타입의 영역으로서 분류될 수도 있고, 피쳐가 없는 하나 이상의 검사 라인을 포함하는 영역(532A)이 제4 타입의 영역일 수도 있고, 피쳐(521)를 갖는 하나 이상의 검사 라인을 포함하는 영역(531A)이 제5 타입의 영역으로서 분류될 수도 있고, 그리고 피쳐가 없는 하나 이상의 검사 라인을 포함하는 영역(530A)이 제6 타입의 영역으로서 분류될 수도 있도록, 영역은 분류될 수도 있다. 전동식 스테이지의 속도는, 검사 동안, 전동식 스테이지가 제1 타입의 영역에 대해 제1 속도, 제2 타입의 영역에 대해 제2 속도, 제3 타입의 영역에 대해 제3 속도, 제4 타입의 영역에 대해 제4 속도, 제5 타입의 영역에 대해 제5 속도, 그리고 제6 타입의 영역에 대해 제6 속도에서 이동하도록 제어될 수도 있다. 제1 속도는, 다른 것들 중에서도, 각각의 피쳐(525) 사이의 폭 또는 각각의 피쳐(525)의 폭에 기초하여 결정될 수도 있다. 제2 속도는, 다른 것들 중에서도, 영역(534A)의 폭에 기초하여 결정될 수도 있다. 제3 속도는, 다른 것들 중에서도, 각각의 피쳐(523) 사이의 폭 또는 각각의 피쳐(523)의 폭에 기초하여 결정될 수도 있다. 제4 속도는, 다른 것들 중에서도, 영역(532A)의 폭에 기초하여 결정될 수도 있다. 제5 속도는, 다른 것들 중에서도, 각각의 피쳐(521) 사이의 폭 또는 각각의 피쳐(521)의 폭에 기초하여 결정될 수도 있다. 제6 속도는, 다른 것들 중에서도, 영역(530A)의 폭에 기초하여 결정될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지의 속도는 관심 영역 또는 피쳐를 갖는 검사 라인 또는 영역에 대해서 보다 관심 영역 또는 피쳐를 갖지 않는 검사 라인 또는 영역에 대해서 더 빠를 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지의 속도는 검사 스루풋을 증가시키는 것 및 각각의 생성된 이미지를 획득하는 더 큰 정확도를 유지하는 것 둘 모두를 위해 검사되지 않을 더 짧은 영역에 대해서 보다 검사되지 않을 더 긴 영역에 대해서 더 빠를 수도 있다. 유사하게, 몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지의 속도는 검사 스루풋을 증가시키는 것 및 더 큰 정확도를 유지하는 것 둘 모두를 위해 더 짧은 폭을 갖는 피쳐에 대해서 보다 더 긴 폭을 갖는 피쳐에 대해서 더 낮을 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지의 속도는 피쳐 사이에서 더 짧은 폭을 갖는 검사 라인 또는 영역에 대해서 보다 피쳐 사이에서 더 긴 폭(예를 들면, w1)을 갖는 검사 라인 또는 영역에 대해서 더 빠를 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지의 속도는 영역의 분류, 픽셀 사이즈, FOV, 또는 시스템 데이터 레이트(예를 들면, 400 MHz, 100 MHz)에 기초하여 계산될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지는 프로브 스팟(510)이 스트라이프(501)를 따라 연속적으로 이동하고 스트라이프(502)를 횡단할 수도 있도록 연속적으로 이동할 수도 있다. 스트라이프(502)에 대해, 영역(525B)은 제1 타입의 영역으로서 분류될 수도 있고, 영역(523B)은 제2 타입의 영역으로서 분류될 수도 있고, 영역(521B)은 제3 타입의 영역으로서 분류될 수도 있다. 스트라이프(501)에 대해 설명되는 바와 같이, 전동식 스테이지의 속도는, 검사 동안, 전동식 스테이지가 제1 타입의 영역에 대해 제1 속도에서, 제2 타입의 영역에 대해 제2 속도에서, 그리고 제3 타입의 영역에 대해 제3 속도에서 이동하도록 제어될 수도 있다. 제1 속도는, 다른 것들 중에서도, 검사 라인(525)의 각각의 피쳐 사이의 폭 또는 검사 라인(525)의 각각의 피쳐의 폭에 기초하여 결정될 수도 있다. 제2 속도는, 다른 것들 중에서도, 영역(523B)의 폭에 기초하여 결정될 수도 있다. 제3 속도는, 다른 것들 중에서도, 검사 라인(521)의 각각의 피쳐 사이의 폭 또는 검사 라인(521)의 각각의 피쳐의 폭에 기초하여 결정될 수도 있다. 스트라이프(501)에 대해 설명되는 바와 같이, 전동식 스테이지의 속도는, 피쳐를 갖는 영역 또는 검사 라인보다, 피쳐를 갖지 않는 영역 또는 검사 라인에 대해 더 빠를 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지의 속도는 검사 스루풋을 증가시키는 것 및 각각의 생성된 이미지를 획득하는 더 큰 정확도를 유지하는 것 둘 모두를 위해 검사되지 않을 더 짧은 영역에 대해서 보다 검사되지 않을 더 긴 영역에 대해서 더 빠를 수도 있다. 유사하게, 몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지의 속도는 검사 스루풋을 증가시키는 것 및 더 큰 정확도를 유지하는 것 둘 모두를 위해 더 짧은 폭을 갖는 피쳐에 대해서 보다 더 긴 폭을 갖는 피쳐에 대해서 더 낮을 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지의 속도는 피쳐 사이에서 더 짧은 폭을 갖는 검사 라인 또는 영역에 대해서 보다 피쳐 사이에서 더 긴 폭을 갖는 검사 라인 또는 영역에 대해서 더 빠를 수도 있다. 임의의 실시형태에서, 빔릿은 검사 동안 샘플의 임의의 영역을 연속적으로 스캐닝할 수도 있다.

예를 들면, 그래프(500G)는 x 방향에서 웨이퍼 상의 프로브 스팟의 포지션의 함수로서 웨이퍼를 유지하는 스테이지의 속도를 묘사한다. 개시된 실시형태와 부합하는, 곡선(503G)은 종래의 검사 시스템에서의 스테이지의 일정한 속도를 묘사하고, 한편, 501G는 스트라이프(501)의 검사 동안의 스테이지의 속도를 묘사하고 곡선(502G)은 스트라이프(502)의 검사 동안의 스테이지의 속도를 묘사한다. 수평 축은 x 방향에서 웨이퍼 상의 프로브 스팟(510) 포지션일 수도 있고, 수직 축은 스테이지의 속도일 수도 있다. 곡선(501G)에 의해 도시되는 바와 같이, 스트라이프(501) 위에서의 스테이지의 속도는, 검사 영역(531A 및 535A) 위의 스트라이프(501) 위에서의 스테이지의 속도보다는, 영역(533A) 위에서 더 낮다. 예를 들면, 스트라이프(501)의 영역(531A) 위에서의 스테이지의 속도는, 피쳐를 포함하는 영역(531A)의 비율이 피쳐를 포함하는 영역(533A)의 비율보다 더 낮을 수도 있기 때문에 - 이것은 영역(531A)에 대해서 보다는, 영역(533A)을 검사할 때 더 낮은 스테이지 속도에 대한 가능한 필요성을 나타냄 - , 스트라이프(501)의 영역(533A)에 대해서 보다 더 높을 수도 있다. 예를 들면, 스트라이프(501)의 영역(535A) 위에서의 스테이지의 속도는, 피쳐를 포함하는 영역(535A)의 비율이 피쳐를 포함하는 영역(533A)의 비율보다 더 낮을 수도 있기 때문에, 스트라이프(501)의 영역(533A)에 대해서 보다 더 높을 수도 있다. 예를 들면, 스트라이프(501)의 영역(535A) 위에서의 스테이지의 속도는, 피쳐를 포함하는 영역(535A)의 비율이 피쳐를 포함하는 영역(531A)의 비율보다 더 높을 수도 있기 때문에 - 이것은 영역(535A)을 검사할 때 더 낮은 속도 스테이지에 대한 가능한 필요성을 나타냄 - , 스트라이프(501)의 영역(531A)에 대해서 보다 더 낮을 수도 있다.

유사하게, 곡선(502G)은, 영역(523B)이 피쳐를 포함하지 않기 때문에 - 이것은 영역(523B)이 주의 깊은 검사를 필요로 하지 않는다는 것을 나타냄 - , 스트라이프(502) 위에서의 스테이지 속도가 영역(525B)으로부터 영역(523B)으로 증가하고 영역(521B)에 대해 감소한다는 것을 나타낸다. 전체 검사 스루풋은, 종래의 시스템과 비교하여 검사 동안 스테이지의 전체 속도가 증가할 수도 있기 때문에, 증가될 수도 있다(예를 들면, 곡선 503G 참조).

몇몇 실시형태에서, 검사되지 않을 영역이 피쳐를 포함할 수도 있다(예를 들면, 그 영역에서 결함의 위험 레벨이 낮을 수도 있는데, 이것은 그 영역이 검사될 필요가 없다는 것을 나타냄).

이제, 검사 동안 하전 입자 빔 및 관련된 빔 이동 패턴을 사용하여 샘플을 검사하는 것을 개략적으로 예시하는 도 6a 내지 도 6d에 대한 참조가 이루어진다. 도 6a 내지 도 6d가, 연속 스캔 모드에서, 검사 라인(예를 들면, 620A-D)을 스캐닝하는 동안의 y 방향에서의 빔 스캐닝을 도시하고, 한편 빔이 샘플에 대해 y 방향으로 스캐닝할 것이지만, 그것은 또한 고정된 포지션(예를 들면, 지구)를 기준으로 대각선 방향으로 또한 움직일 것인데, 여기서 대각선의 x 성분은 샘플의 x 방향 이동을 보상하기 위한 것이다. 컨트롤러(예를 들면, 도 1 및 도 2의 컨트롤러(109))에 통신 가능하게 커플링될 수도 있는 편향기(예를 들면, 도 2의 편향기(204c))는, 검사 속도가 변하는 동안 검사 동안 샘플을 따라 빔의 속도가 변할 수도 있도록, 검사 동안 빔을 편향시키도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 프로브 스팟은 방향 y에서 검사 라인을 스캐닝할 수도 있고 편향기는 방향 y에 대해 대각선인 방향으로 빔을 편향시킬 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 편향기는, 획득된 이미지가 왜곡되지 않도록, 전동식 스테이지의 변화하는 움직임을 보상하도록 상이한 포지션으로 스윙할 수도 있다. 전동식 스테이지의 속도가 변하는 동안 프로브 스팟이 샘플을 따라 이동하는 방향 y에 대각선인 방향으로 빔을 연속적으로 편향시키는 편향기에 의해 검사 스루풋은 증가될 수도 있다. 프로브 스팟이 방향 y에서 샘플의 검사 라인을 따라 이동하는 것으로 묘사되지만, 빔의 궤적은, 방향 x로 이동하는 스테이지를 고려하기 위해, 고정된 포지션(예를 들면, 지구)에 대한 빔의 궤적은 약간 대각선일 수도 있다는 것이 인식되어야 한다.

제1 예에서, 도 6a는 웨이퍼의 검사 동안의 정상 속도(예를 들면, 1x)에서 이동하는 스테이지 및 그것의 관련된 빔 패턴 이동을 묘사한다. 빔 패턴(650A)은, 스테이지가 정상 속도에서 방향 x로 이동할 때, 각각의 검사 라인(620A)을 따르는 빔 패턴이 고정 기준에 대해 동일하게 유지될 수도 있다는 것을 도시한다. 예시는 근사치이며, 빔의 경로는 y 방향에서의 대각선 오프셋일 수도 있다는 것이 인식되어야 한다. 게다가, 대각선의 경로는 각각의 검사 라인 스캔에 대해 반복될 수도 있는데, 각각의 검사 라인 스캔에 대한 스캔 경로는 고정 기준(예를 들면, 지구)에 대해 동일하게 유지된다. 유사하게, 도 6b, 도 6c 및 도 6d 각각은 웨이퍼 검사 동안 정상 속도의 2 배, 3 배 및 4 배로 각각 이동하는 스테이지, 및 그들의 관련된 빔 패턴 이동을 묘사한다. 도 6b 내지 도 6d의 패턴(650B, 650C, 및 650D)에 의해 각각 도시되는 바와 같이, 방향 x에서 이동하는 스테이지의 속도가 증가함에 따라, 방향 y 또는 방향에서 각각의 검사 라인(620B-D)(예를 들면, 도 4의 검사 라인(420A), 도 5의 검사 라인(520A))을 스캐닝하는 빔의 속도가 증가할 수도 있도록, 편향기는 검사 동안 빔을 편향시키도록 구성될 수도 있다. 게다가, 방향 x를 따르는 웨이퍼 상의 빔의 포지션은 검사될 웨이퍼 상의 영역에 따라 변할 수도 있다. 예를 들면, 스테이지의 속도가 정상 속도의 4 배인 경우, 도 6d에서 도시되는 바와 같이, 빔 패턴(650D)은, 빔이 스테이지의 속도가 정상 속도의 2 배일 때보다는 각각의 검사 라인(620D) 사이의 방향 x 폭의 두 배를 이동할 수도 있다는 것을 나타낸다(예를 들면, 도 6b 참조).

이제, 하전 입자 빔 검사를 위한 예시적인 검사 데이터를 도시하는 도 7에 대한 참조가 이루어진다. 피쳐를 갖는 검사 영역 A는 정상 가속 계수(speedup factor)(1)(예를 들면, 정상 스테이지 속도)을 가질 수도 있는데, 여기서 검사 영역 레이트는 검사 영역 A의 면적을 검사 시간(t)으로 나누는 것에 의해 계산된다. 검사 영역 A의 경우, 가속 계수가 1(예를 들면, 정상 스테이지 속도)이기 때문에, 스루풋 이득은 제로일 것이다. 검사 영역 B는 50 %의 듀티 사이클을 가질 수도 있다. 예를 들면, 검사 영역 B의 스캔 라인의 절반은 검사될 피쳐를 포함할 수도 있고, 한편 검사 영역 B의 스캔 라인의 절반은 검사할 필요가 없을 수도 있는데, 영역 B의 검사될 면적이 영역 A의 검사될 면적 절반일 수도 있다는 것을 의미한다. 검사 영역 B의 가속 계수는 2(예를 들면, 정상 스테이지 속도의 2 배)일 수도 있는데, 그 이유는 영역 B의 절반이 검사되지 않을 것이기 때문이다. 몇몇 실시형태에서, 검사 영역 B의 검사 레이트는, 검사 영역 B의 절반만이 동일한 양의 시간(t) 동안 정상 스테이지 속도에서 스캐닝될 것이기 때문에, 검사 영역 A의 검사 레이트의 절반일 것이다. 2의 가속 계수는, 정상 시간(t)의 절반에서 영역 B의 절반이 스캐닝되기 때문에, 검사 영역 B의 검사 레이트를 A/t까지 증가시킬 수도 있다. 이 예에서, 스루풋 이득은, 영역 A와 비교하여 영역 B의 절반만이 검사될 수도 있기 때문에, 영역 B를 검사하는 동안의 스테이지 속도가 영역 A를 검사하는 동안의 스테이지 속도의 두 배이기 때문에, 2 배만큼 증가될 것이다. 본 개시는 도 7의 실시형태를 제한하지는 않는다. 예를 들면, 관리 영역의 수, 폭, 및 형상은 제한되지 않는다. 마찬가지로, 가속 계수도 제한되지 않는다.

도 8은 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하는 예시적인 방법(800)을 예시하는 플로우차트이다. 방법(800)은 EBI 시스템(예를 들면, EBI 시스템(100))에 의해 수행될 수도 있다. 컨트롤러(예를 들면, 도 1 및 도 2의 컨트롤러(109))는 방법(800)을 구현하도록 프로그래밍될 수도 있다. 예를 들면, 컨트롤러는 전자 빔 도구(예를 들면, 도 2의 전자 빔 도구(104))와 커플링되는 외부 컨트롤러 또는 내부 컨트롤러일 수도 있다. 방법(800)은 도 3 내지 도 7에서 도시되고 설명되는 바와 같은 동작 및 단계에 연결될 수도 있다.

단계(802)에서, EBI 시스템은 영역의 타입에 의해 웨이퍼의 스트라이프를 따라 복수의 영역을 분류할 수도 있는데, 스트라이프는 빔의 시야보다 더 크고, 복수의 영역의 분류는 검사될 피쳐를 갖는 제1 타입의 영역(예를 들면, 도 5의 영역(525B)), 검사될 필요가 없는 제2 타입의 영역(예를 들면, 도 5의 영역(523B)), 및 검사될 피쳐를 갖는 제3 타입의 영역(예를 들면, 도 5의 영역(521B))을 포함한다. 예를 들면, EBI 시스템의 컨트롤러는 영역의 타입에 의해 스트라이프(예를 들면, 도 5의 스트라이프(501 및 502))를 따라 복수의 영역을 분류하도록 구성되는 회로부를 포함할 수도 있다. EBI 시스템은, 제1 타입의 영역이 피쳐(예를 들면, 도 5의 피쳐(525))를 갖는 복수의 제1 검사 라인을 포함하고, 제2 타입의 영역이 검사될 필요가 없는 하나 이상의 제2 검사 라인(예를 들면, 도 5의 영역(523B))을 포함하고, 그리고 제3 타입의 영역이 피쳐(예를 들면, 도 5의 피쳐(521))를 갖는 복수의 제3 검사 라인을 포함한다는 것을 결정할 수도 있다. 이들 결정은 그들 영역에서의 피쳐의 존재, 피쳐의 폭, 피쳐의 주기적 본질, 피쳐의 간격(예를 들면, 각각의 피쳐 사이의 거리), 영역에서의 결함의 위험 레벨, 또는 이들의 조합에 기초할 수도 있다. 예를 들면, EBI 시스템은, 정상 검사 영역(예를 들면, 도 7의 검사 영역 A)의 면적의 절반인 검사 영역(예를 들면, 도 7의 검사 영역 B)이 제1 타입의 검사 영역일 수도 있다는 것을 결정할 수도 있다.

단계(804)에서, EBI 시스템은 영역의 타입에 기초하여 스테이지의 속도를 제어하는 것에 의해 스트라이프를 스캐닝할 수도 있는데, 여기서 제1 타입의 영역은 제1 속도에서 스캐닝되고, 제2 타입의 영역은 제2 속도에서 스캐닝되고, 제3 타입의 영역은 제3 속도에서 스캐닝된다. 예를 들면, 제1 타입의 영역에 대한 제1 속도는 복수의 제1 검사 라인의 각각의 제1 검사 라인의 각각의 피쳐 사이의 폭에 기초하여 그리고 복수의 제1 검사 라인의 각각의 제1 검사 라인의 각각의 피쳐의 폭에 기초하여 결정될 수도 있고, 제2 속도는 제2 타입의 영역의 폭 및 제2 영역에서의 피쳐의 부재에 기초하여 결정될 수도 있고, 제3 속도는 복수의 제3 검사 라인의 각각의 제3 검사 라인의 각각의 피쳐 사이의 폭에 기초하여 그리고 복수의 제3 검사 라인의 각각의 제3 검사 라인의 각각의 피쳐의 폭에 기초하여 결정될 수도 있다. 컨트롤러는 샘플(예를 들면, 도 2의 웨이퍼 샘플(208)) 상의 영역의 타입에 기초하여 스테이지(예를 들면, 도 2의 전동식 스테이지(209))의 속도를 제어하도록 구성되는 회로부를 포함할 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 전동식 스테이지의 속도는 검사 스루풋을 증가시키는 것 및 각각의 생성된 이미지를 획득하는 더 큰 정확도를 유지하는 것 둘 모두를 위해 더 짧은 폭을 갖는 피쳐가 없는 영역에 대해서 보다는 더 긴 폭을 갖는 피쳐가 없는 영역에 대해서 더 빠를 수도 있다. 유사하게, 전동식 스테이지의 속도는, 검사 스루풋을 증가시키는 것 및 더 큰 정확도를 유지하는 것 둘 모두를 위해 더 긴 피쳐를 갖는 영역에 대해서 보다 더 짧은 피쳐를 갖는 영역에 대해 더 빠를 수도 있다. 전동식 스테이지의 속도는, 각각의 피쳐 사이에서 더 짧은 폭을 갖는 영역에 대해서 보다 각각의 피쳐 사이에서 더 큰 폭을 갖는 영역에 대해 더 빠를 수도 있다. 예를 들면, 제2 속도는 제1 속도 및 제3 속도보다 더 빠를 수도 있다. 예를 들면, 제1 타입의 검사 영역(예를 들면, 도 7의 검사 영역 B)은, 제1 타입의 검사 영역이 정상 검사 영역(예를 들면, 도 7의 검사 영역 A)의 면적의 절반인 경우, 2의 가속 계수(예를 들면, 정상 스테이지 속도의 2 배)를 가질 수도 있다.

본 개시의 양태는 다음의 번호가 매겨진 조항에서 설명된다:

1. 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 시스템으로서, 시스템은 다음을 포함한다:

다음의 것을 하도록 구성되는 회로부를 포함하는 컨트롤러:

영역의 타입에 의해 웨이퍼의 스트라이프를 따라 복수의 영역을 분류하는 것 - 스트라이프는 빔의 시야보다 더 크고, 복수의 영역의 분류는 제1 타입의 영역 및 제2 타입의 영역을 포함함 - ; 및

영역의 타입에 기초하여 스테이지의 속도를 제어하는 것에 의해 웨이퍼를 스캐닝하는 것 - 제1 타입의 영역은 제1 속도에서 스캐닝되고 제2 타입의 영역은 제2 속도에서 스캐닝됨 - .

2. 조항 1의 시스템으로서, 컨트롤러에 통신 가능하게 커플링되며 웨이퍼와 상호 작용하는 빔과 관련되는 하전 입자의 검출에 기초하여 검출 데이터를 생성하도록 구성되는 편향기를 더 포함한다.

3. 조항 2의 시스템으로서, 편향기는 검사 동안 빔의 이동의 패턴이 일정하게 유지되게끔 빔을 편향시키도록 추가로 구성된다.

4. 조항 1-3 중 어느 하나의 시스템으로서, 스테이지의 속도를 제어하는 것은 연속 스캔 모드에서 스테이지를 동작시키는 것을 수반한다.

5. 조항 1-4 중 어느 하나의 시스템으로서, 컨트롤러는 영역의 타입에 의해 웨이퍼의 복수의 스트라이프 각각을 따라 복수의 영역을 분류하도록 추가로 구성되는 회로부를 포함하되, 각각의 스트라이프는 빔의 시야보다 더 크다.

6. 조항 1-5 중 어느 하나의 시스템으로서, 제1 및 제2 타입의 영역 각각은 복수의 검사 라인을 포함한다.

7. 조항 1 내지 6 중 어느 하나의 시스템으로서, 제1 타입의 영역은 제1 피쳐를 포함한다.

8. 조항 7의 시스템으로서, 제1 속도는 제1 타입의 영역에서의 제1 피쳐의 폭 또는 피쳐의 밀도에 기초하여 결정된다.

9. 조항 7-8 중 어느 하나의 시스템으로서, 제1 타입의 영역은 복수의 제1 피쳐를 포함하되, 제1 속도는 복수의 제1 피쳐의 각각의 피쳐 사이의 폭에 기초하여 결정된다.

10. 조항 7-9 중 어느 하나의 시스템으로서, 제2 타입의 영역은 제1 피쳐와는 상이한 제2 피쳐를 포함한다.

11. 조항 10의 시스템으로서, 제2 속도는 제2 피쳐의 폭에 기초하여 결정되되, 제2 피쳐의 폭은 제1 피쳐의 폭과는 상이하다.

12. 조항 11의 시스템으로서, 제1 속도 및 제2 속도의 비율은 제2 피쳐의 폭과 제1 피쳐의 폭의 비율과 실질적으로 유사하다.

13. 조항 7-12 중 어느 하나의 시스템으로서, 제2 타입의 영역은 복수의 제2 피쳐를 포함하고, 제2 속도는 복수의 제2 피쳐의 각각의 피쳐 사이의 폭에 기초하여 결정된다.

14. 조항 7-13 중 어느 하나의 시스템으로서, 복수의 영역의 분류는 제3 타입의 영역을 포함한다.

15. 조항 14의 시스템으로서, 제3 타입의 영역은 제1 타입의 영역과 제2 타입의 영역 사이에 있다.

16. 조항 14 또는 15 중 어느 하나의 시스템으로서, 제3 타입의 영역은 제1 및 제2 속도와는 상이한 제3 속도에서 스캐닝된다.

17. 조항 16의 시스템으로서, 제3 속도는 제3 타입의 영역에서 스캐닝될 피쳐의 부족에 기초하여 결정된다.

18. 조항 16 또는 17 중 어느 하나의 시스템으로서, 제3 속도는 제1 속도 및 제2 속도보다 더 빠르다.

19. 조항 1-5 중 어느 하나의 시스템으로서, 제1 속도는 제1 타입의 영역의 폭에 기초하여 결정된다.

20. 조항 1-5 또는 19 중 어느 하나의 시스템으로서, 제2 속도는 제2 타입의 영역의 폭에 기초하여 결정된다.

21. 조항 7-18 중 어느 하나의 시스템으로서, 제1 속도는 제1 피쳐를 포함하는 제1 타입의 영역의 비율에 기초하여 결정된다.

22. 조항 10-18 또는 21 중 어느 하나의 시스템으로서, 제2 속도는 제2 피쳐를 포함하는 제2 타입의 영역의 비율에 기초하여 결정된다.

23. 조항 14-18, 21 또는 22 중 어느 하나의 시스템으로서, 제3 속도는 제3 피쳐를 포함하는 제3 타입의 영역의 비율에 기초하여 결정된다.

24. 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 방법으로서, 방법은 다음의 것을 포함한다:

영역의 타입에 의해 웨이퍼의 스트라이프를 따라 복수의 영역을 분류하는 것 - 스트라이프는 빔의 시야보다 더 크고, 복수의 영역의 분류는 제1 타입의 영역 및 제2 타입의 영역을 포함함 - ; 및

영역의 타입에 기초하여 스테이지의 속도를 제어하는 - 제1 타입의 영역은 제1 속도에서 스캐닝되고 제2 타입의 영역은 제2 속도에서 스캐닝됨 - 것에 의해 웨이퍼를 스캐닝하는 것.

25. 조항 24의 방법으로서, 컨트롤러에 통신 가능하게 커플링되며 웨이퍼와 상호 작용하는 빔과 관련되는 하전 입자의 검출에 기초하여 검출 데이터를 생성하도록 구성되는 편향기를 더 포함한다.

26. 조항 25의 방법으로서, 편향기는 검사 동안 빔의 이동의 패턴이 일정하게 유지되게끔 빔을 편향시키도록 추가로 구성된다.

27. 조항 24-26 중 어느 하나의 방법으로서, 스테이지의 속도를 제어하는 것은 연속 스캔 모드에서 스테이지를 동작시키는 것을 수반한다.

28. 조항 24-27 중 어느 하나의 방법으로서, 영역의 타입에 의해 웨이퍼의 복수의 스트라이프 각각을 따라 복수의 영역을 분류하는 것을 더 포함하되, 각각의 스트라이프는 빔의 시야보다 더 크다.

29. 조항 24-28 중 어느 하나의 방법으로서, 제1 및 제2 타입의 영역 각각은 복수의 검사 라인을 포함한다.

30. 조항 24-29 중 어느 하나의 방법으로서, 제1 타입의 영역은 제1 피쳐를 포함한다.

31. 조항 30의 방법으로서, 제1 속도는 제1 타입의 영역에서의 제1 피쳐의 폭 또는 피쳐의 밀도에 기초하여 결정된다.

32. 조항 30-31 중 어느 하나의 방법으로서, 제1 타입의 영역은 복수의 제1 피쳐를 포함하되, 제1 속도는 복수의 제1 피쳐의 각각의 피쳐 사이의 폭에 기초하여 결정된다.

33. 조항 30-32 중 어느 하나의 방법으로서, 제2 타입의 영역은 제1 피쳐와는 상이한 제2 피쳐를 포함한다.

34. 조항 33의 방법으로서, 제2 속도는 제2 피쳐의 폭에 기초하여 결정되되, 제2 피쳐의 폭은 제1 피쳐의 폭과는 상이하다.

35. 조항 34의 시스템으로서, 제1 속도 및 제2 속도의 비율은 제2 피쳐의 폭과 제1 피쳐의 폭의 비율과 실질적으로 유사하다.

36. 조항 30-35 중 어느 하나의 방법으로서, 제2 타입의 영역은 복수의 제2 피쳐를 포함하고, 제2 속도는 복수의 제2 피쳐의 각각의 피쳐 사이의 폭에 기초하여 결정된다.

37. 조항 30-36 중 어느 하나의 방법으로서, 복수의 영역의 분류는 제3 타입의 영역을 포함한다.

38. 조항 37의 방법으로서, 제3 타입의 영역은 제1 타입의 영역과 제2 타입의 영역 사이에 있다.

39. 조항 37-38 중 어느 하나의 방법으로서, 제3 타입의 영역은 제1 및 제2 속도와는 상이한 제3 속도에서 스캐닝된다.

40. 조항 39의 방법으로서, 제3 속도는 제3 타입의 영역에서 스캐닝될 피쳐의 부족에 기초하여 결정된다.

41. 조항 39-40 중 어느 하나의 방법으로서, 제3 속도는 제1 속도 및 제2 속도보다 더 빠르다.

42. 조항 24-28 중 어느 하나의 방법으로서, 제1 속도는 제1 타입의 영역의 폭에 기초하여 결정된다.

43. 조항 24-28 또는 42 중 어느 하나의 방법으로서, 제2 속도는 제2 타입의 영역의 폭에 기초하여 결정된다.

44. 조항 30-41 중 어느 하나의 방법으로서, 제1 속도는 제1 피쳐를 포함하는 제1 타입의 영역의 비율에 기초하여 결정된다.

45. 조항 33-41 또는 44 중 어느 하나의 방법으로서, 제2 속도는 제2 피쳐를 포함하는 제2 타입의 영역의 비율에 기초하여 결정된다.

46. 조항 37-41, 44 또는 45 중 어느 하나의 방법으로서, 제3 속도는 제3 피쳐를 포함하는 제3 타입의 영역의 비율에 기초하여 결정된다.

프로세서(예를 들면, 도 1 및 도 2의 컨트롤러(109)의 프로세서)가 이미지 프로세싱, 데이터 프로세싱, 빔릿 스캐닝, 데이터베이스 관리, 그래픽 디스플레이, 하전 입자 빔 장치, 또는 다른 이미징 디바이스의 동작, 또는 등등을 실행하기 위한 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체가 제공될 수도 있다. 비일시적 매체의 일반적인 형태는, 예를 들면, 플로피 디스크, 플렉시블 디스크, 하드 디스크, 솔리드 스테이트 드라이브, 자기 테이프, 또는 임의의 다른 자기 데이터 저장 매체, CD-ROM, 임의의 다른 광학 데이터 저장 매체, 구멍의 패턴을 갖는 임의의 물리적 매체, RAM, PROM, 및 EPROM, FLASH-EPROM 또는 임의의 다른 플래시 메모리, NVRAM, 캐시, 레지스터, 임의의 다른 메모리 칩 또는 카트리지, 및 이들의 네트워크화된 버전을 포함한다.

본 개시의 실시형태는 상기에서 설명되고 첨부하는 도면에서 예시되는 정확한 구성으로 제한되지는 않으며, 그 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 수정 및 변경이 이루어질 수도 있다는 것이 인식될 것이다.

Claims (15)

1. 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 시스템으로서,
   회로부를 포함하는 컨트롤러를 포함하되, 상기 회로부는:
   영역의 타입에 의해 상기 웨이퍼의 스트라이프를 따라 복수의 영역을 분류하도록 - 상기 스트라이프는 상기 빔의 시야(field of view)보다 더 크고, 상기 복수의 영역의 상기 분류는 제1 타입의 영역 및 제2 타입의 영역을 포함함 - ; 그리고
   상기 영역의 타입에 기초하여 상기 스테이지의 속도를 제어하는 것에 의해 상기 웨이퍼를 스캐닝하도록 - 상기 제1 타입의 영역은 제1 속도에서 스캐닝되고 상기 제2 타입의 영역은 제2 속도에서 스캐닝됨 - 구성되는, 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 시스템.
2. 제1항에 있어서,
   상기 컨트롤러에 통신 가능하게 커플링되며 상기 웨이퍼와 상호 작용하는 상기 빔과 관련되는 하전 입자의 검출에 기초하여 검출 데이터를 생성하도록 구성되는 편향기를 더 포함하는, 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 시스템.
3. 제2항에 있어서,
   상기 편향기는 검사 동안 상기 빔의 이동의 패턴이 일정하게 유지되게끔 상기 빔을 편향시키도록 추가로 구성되는, 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 시스템.
4. 제1항에 있어서,
   상기 스테이지의 상기 속도를 제어하는 것은 연속 스캔 모드에서 상기 스테이지를 동작시키는 것을 수반하는, 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 시스템.
5. 제1항에 있어서,
   상기 컨트롤러는 상기 영역의 타입에 의해 상기 웨이퍼의 복수의 스트라이프 각각을 따라 복수의 영역을 분류하도록 추가로 구성되는 회로부를 포함하되, 각각의 스트라이프는 상기 빔의 시야보다 더 큰, 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 시스템.
6. 제1항에 있어서,
   상기 제1 및 제2 타입의 영역 각각은 복수의 검사 라인을 포함하는, 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 시스템.
7. 제1항에 있어서,
   상기 제1 타입의 영역은 제1 피쳐를 포함하는, 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 시스템.
8. 제7항에 있어서,
   상기 제1 속도는 상기 제1 타입의 영역에서의 상기 제1 피쳐의 폭 또는 피쳐의 밀도에 기초하여 결정되는, 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 시스템.
9. 제7항에 있어서,
   상기 제1 타입의 영역은 복수의 제1 피쳐를 포함하되, 상기 제1 속도는 상기 복수의 제1 피쳐의 각각의 피쳐 사이의 폭에 기초하여 결정되는, 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 시스템.
10. 제7항에 있어서,
    상기 제2 타입의 영역은 상기 제1 피쳐와는 상이한 제2 피쳐를 포함하는, 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 시스템.
11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 속도는 상기 제2 피쳐의 폭에 기초하여 결정되되, 상기 제2 피쳐의 상기 폭은 상기 제1 피쳐의 상기 폭과는 상이한, 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 시스템.
12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 속도 및 상기 제2 속도의 비율은 상기 제2 피쳐의 상기 폭과 상기 제1 피쳐의 상기 폭의 비율과 실질적으로 유사한, 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 시스템.
13. 제7항에 있어서,
    상기 제2 타입의 영역은 복수의 제2 피쳐를 포함하고, 상기 제2 속도는 상기 복수의 제2 피쳐의 각각의 피쳐 사이의 폭에 기초하여 결정되는, 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 시스템.
14. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 영역의 상기 분류는 제3 타입의 영역을 포함하는, 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 하전 입자 빔 시스템.
15. 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 방법으로서,
    영역의 타입에 의해 상기 웨이퍼의 스트라이프를 따라 복수의 영역을 분류하는 단계 - 상기 스트라이프는 상기 빔의 시야보다 더 크고, 상기 복수의 영역의 상기 분류는 제1 타입의 영역 및 제2 타입의 영역을 포함함 - ; 및
    상기 영역의 타입에 기초하여 상기 스테이지의 속도를 제어하는 것에 의해 상기 웨이퍼를 스캐닝하는 단계 - 상기 제1 타입의 영역은 제1 속도에서 스캐닝되고 상기 제2 타입의 영역은 제2 속도에서 스캐닝됨 - 를 포함하는, 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼를 검사하기 위한 빔을 생성하기 위한 방법.

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