CN115280462A - 用于带电粒子系统中的高吞吐量缺陷检查的系统和方法 - Google Patents
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Abstract
公开了一种用于生成射束的设备、系统和方法,该射束用于检查被定位在带电粒子束系统中的工作台上的晶片。一些实施例中,控制器包括被配置为执行以下操作的电路系统:通过区域的类型对沿着晶片的条带的多个区域进行分类,该条带大于射束的视场,其中多个区域的分类包括第一类型的区域和第二类型的区域;以及通过基于区域的类型控制工作台的速度来扫描晶片,其中第一类型的区域以第一速度被扫描,并且第二类型的区域以第二速度被扫描。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年3月12日提交的美国申请62/988,817的优先权,该美国申请通过引用被整体并入本文中。
技术领域
本文中的描述涉及带电粒子束系统的领域,更具体地涉及高吞吐量带电粒子束检查系统。
背景技术
在集成电路(IC)的制造过程中,检查未完成或完成的电路组件以确保其根据设计而制造且无缺陷。利用光学显微镜的检查系统通常具有低至几百纳米的分辨率;并且分辨率受到光波长的限制。由于IC组件的物理尺寸持续减小到亚100纳米或甚至亚10纳米,因此需要比利用光学显微镜的检查系统具有更高分辨率的检查系统。
带电粒子(例如,电子)束显微镜(诸如扫描电子显微镜(SEM)或透射电子显微镜(TEM))能够达到小于纳米的分辨率,用作检查具有亚100纳米的特征尺寸的IC组件的可行工具。利用SEM,单个初级电子束的电子或多个初级电子束的电子可以被聚焦在检查下的掩模的感兴趣位置。初级电子与掩模相互作用,并且可以是背散射的或者可以使掩模发射次级电子。包括背散射电子和次级电子的电子束的强度可以基于晶片的内部和外部结构的特性而变化,并且由此可以指示晶片是否具有缺陷。
发明内容
本公开的实施例提供了用于生成射束的设备、系统和方法,该射束用于检查被定位在带电粒子束系统中的工作台上的晶片。在一些实施例中,控制器可以包括被配置为执行以下操作的电路系统:通过区域的类型对沿着晶片的条带的多个区域进行分类,该条带大于射束的视场,其中多个区域的分类包括第一类型的区域和第二类型的区域;以及通过基于区域的类型控制工作台的速度来扫描晶片,其中第一类型的区域以第一速度被扫描,并且第二类型的区域以第二速度被扫描。
在一些实施例中,一种方法可以包括:通过区域的类型对沿着晶片的条带的多个区域进行分类,该条带大于射束的视场,其中多个区域的分类包括第一类型的区域和第二类型的区域;以及通过基于区域的类型控制工作台的速度来扫描晶片,其中第一类型的区域以第一速度被扫描,并且第二类型的区域以第二速度被扫描。
附图说明
图1是图示了根据本公开的实施例的示例性电子束检查(EBI)系统的示意图。
图2是图示了根据本公开的实施例的作为图1的示例性带电粒子束检查系统的部分的示例性多束系统的示意图。
图3是根据本公开的实施例的带电粒子束的扫描顺序的图示。
图4是根据本公开的实施例的使用带电粒子束检查样品的示意图。
图5是根据本公开的实施例的使用带电粒子束检查样品的示意图。
图6A至图6D是根据本公开的实施例的在检查期间使用带电粒子束和相关联的束移动图案来检查样品的示意图。
图7是根据本公开的实施例的用于带电粒子束检查的示例性检查数据。
图8是图示了根据本公开的实施例的生成用于检查晶片的射束的示例性方法的流程图。
具体实施方式
现在将详细参考示例性实施例,其示例在附图中示出。以下描述参考附图,其中不同附图中的相同数字表示相同或相似的元件,除非另有说明。在示例性实施例的以下描述中阐述的实现不表示与本公开一致的所有实现。反而,它们仅仅是根据与所附权利要求中所述的主题相关的方面的设备和方法的示例。例如,尽管一些实施例在利用电子束的上下文中进行描述,但是本公开不限于此。可以类似地应用其他类型的带电粒子束。此外,可以使用其他成像系统,诸如光学成像、光电检测、x射线检测等。
电子器件由在被称为衬底的硅片上形成的电路构成。许多电路可以被一起形成在同一硅片上,并且被称为集成电路或IC。这些电路的尺寸已经显著减小,使得更多电路可以安装在衬底上。例如,智能电话中的IC芯片可以小至拇指指甲并且还可以包括超过20亿个晶体管,每个晶体管的尺寸小于人头发的尺寸的1/1000。
制造这些极小的IC是复杂、耗时且昂贵的过程,通常涉及数百个单独的步骤。即使在一个步骤中的错误也有可能导致完成的IC中的缺陷,使其无用。因此,制造过程的一个目标是避免这种缺陷,以使在过程中制造的功能IC的数目最大化,即提高工艺的总产率。
提高产率的一个组件是监测芯片制造过程以确保其生产足够数目的功能集成电路。监测该过程的一种方式是在芯片电路结构形成的各个阶段检查芯片电路结构。可以使用扫描电子显微镜(SEM)进行检查。SEM可以用于对这些极小的结构进行成像,实际上,拍摄晶片的结构的“照片”。该图像可以用于确定该结构是否被正确地形成以及它是否被形成在正确的位置。如果该结构是有缺陷的,则可以调整该过程,使得缺陷不太可能再次出现。
SEM的工作原理类似于相机。相机通过接收和记录从人或物体反射或发射的光的亮度和颜色来拍照。SEM通过接收和记录从结构反射或发射的电子的能量或数量来拍摄“照片”。在拍摄这种“照片”之前,电子束可以被提供到该结构上,并且当电子从该结构被反射或发射(“离开”)时,SEM的检测器可以接收并记录这些电子的能量或数量以生成图像。为了拍摄这种“照片”,一些SEM使用单个电子束(称为“单束SEM”),而一些SEM使用多个电子束(称为“多束SEM”)来拍摄晶片的多个“照片”。通过使用多个电子束,SEM可以提供更多的电子束到该结构上以获得这些多个“照片”,导致更多的电子从该结构射出。因此,检测器可以同时接收更多的出射电子,并以更高的效率和更快的速度生成晶片结构的图像。
然而,晶片可以包括需要检查的区域和不需要检查的区域。当晶片包括这两个区域时,扫描不需要被检查的区域可能浪费检查时间,从而降低总的晶片吞吐量(这指示成像系统在单位时间内可以多快地完成检查任务)。此外,对于需要检查的区域,一些区域可能具有比其它区域更少的扫描特征。
常规系统的扫描效率低,因为它们没有考虑晶片上的一些区域可能不需要检查,或者晶片上的一些区域比其它区域具有较少的特征。因此,这些常规系统提供了小于最佳的吞吐量。
本公开的一些实施例提供了改进的扫描技术,该改进的扫描技术考虑了晶片上不需要检查的区域或者晶片上的一些区域比其它区域具有更少的特征。本公开描述了用于生成射束的方法和系统等,该射束用于检查被定位在工作台上的晶片。在一些实施例中,该检查系统可以包括控制器,该控制器包括用于在检查期间控制工作台的移动的电路系统。在检查期间,工作台可以连续移动。当成像系统正在扫描晶片的不需要检查的区域时,工作台的速度可以被调整以加速。此外,工作台的速度可以基于待检查区域中的特征来调整。例如,特征较多的区域可能需要较慢的工作台速度以提高检查的质量和精度,而特征较少的区域可能允许系统提高工作台速度。
为了清楚起见,附图中的组件的相对大小可能被放大。在以下附图描述中,相同或相似的附图标记表示相同或相似的组件或实体,并且仅描述关于各个实施例的区别。
如本文中所使用的,除非另外特别说明,否则术语“或”涵盖所有可能的组合,除非不可行。例如,如果说明组件可以包括A或B,则除非另外特别说明或不可行,该组件可以包括A、或B、或A和B。作为第二示例,如果说明组件可以包括A、B或C,则除非另外特别说明或不可行,组件可以包括A、或B、或C、或A和B、或A和C、或B和C、或A和B和C。
图1图示了根据本公开的一些实施例的示例性电子束检查(EBI)系统100。EBI系统100可以用于成像。如图1所示,EBI系统100包括主室101、装载/锁定室102、电子束工具104和设备前端模块(EFEM)106。电子束工具104位于主室101内。EFEM 106包括第一装载口106a和第二装载口106b。EFEM 106可以包括附加的(多个)装载口。第一装载口106a和第二装载口106b接收晶片前开式整合舱(front opening unified pods,FOUP),该晶片前开式整合舱包含晶片(半导体晶片或由(多个)其它材料制成的晶片)或待检查的样品(晶片和样品可以被互换使用)。“批(lot)”是可以被装载以用于作为批次处理的多个晶片。
EFEM 106中的一个或多个机械臂(未示出)可以将晶片传送到装载/锁定室102。装载/锁定室102被连接到装载/锁定真空泵系统(未示出),装载/锁定真空泵系统去除装载/锁定室102中的气体分子以达到低于大气压力的第一压力。在达到第一压力之后,一个或多个机械臂(未示出)可以将晶片从装载/锁定室102传送到主室101。主室101被连接到主室真空泵系统(未示出),主室真空泵系统去除主室101中的气体分子以达到低于第一压力的第二压力。在达到第二压力之后,通过电子束工具104对晶片进行检查。电子束工具104可以是单束系统或多束系统。
控制器109与电子束工具104电连接。控制器109可以是被配置为执行对EBI系统100的各种控制的计算机。尽管控制器109在图1中被示出为在包括主室101、装载/锁定室102和EFEM 106的结构的外部,但是应当理解,控制器109可以是该结构的一部分。
在一些实施例中,控制器109可以包括一个或多个处理器(未示出)。处理器可以是能够操纵或处理信息的通用或专用电子设备。例如,处理器可以包括任何数目的中央处理单元(或“CPU”)、图形处理单元(或“GPU”)、光处理器、可编程逻辑控制器、微控制器、微处理器、数字信号处理器、知识产权(IP)核心、可编程逻辑阵列(PLA)、可编程阵列逻辑(PAL)、通用阵列逻辑(GAL)、复杂可编程逻辑器件(CPLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、片上系统(SoC)、专用集成电路(ASIC)以及能够数据处理的任何类型电路的任意组合。处理器还可以是虚拟处理器,该虚拟处理器包括跨经由网络耦合的多个机器或设备而分布的一个或多个处理器。
在一些实施例中,控制器109可以还包括一个或多个存储器(未示出)。存储器可以是能够存储可由处理器(例如,经由总线)访问的代码和数据的通用或专用电子设备。例如,存储器可以包括任何数目的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、光盘、磁盘、硬盘驱动器、固态驱动器、闪存驱动器、安全数字(SD)卡、记忆棒、紧凑闪存(CF)卡或任何类型的存储设备的任意组合。代码可以包括操作系统(OS)和用于特定任务的一个或多个应用程序(或“app”)。存储器还可以是虚拟存储器,该虚拟存储器包括跨经由网络被耦合的多个机器或设备而分布的一个或多个存储器。
现在参考图2,图2是图示了根据本公开的实施例的示例性电子束工具104的示意图,该电子束工具104是图1的EBI系统100的部分。电子束工具104可以是单束设备或多束设备。
如图2所示,电子束工具104包括机动化的样品台201、以及由机动化的样品台201支撑以保持待检查的晶片203的晶片保持器202。电子束工具104还包括物镜组装件204、电子检测器206(其包括电子传感器表面206a和206b)、物镜孔径208、聚束透镜210、束限制孔径212、枪孔径214、阳极216以及阴极218。在一些实施例中,物镜组装件204可以包括经修改的摆动物镜减速浸没透镜(swing objective retarding immersion lens,SORIL),该SORIL包括极片204a、控制电极204b、偏转器204c和激励线圈204d。电子束工具104可以另外包括能量色散X射线光谱仪(EDS)检测器(未示出)以表征晶片203上的材料。
通过在阳极216和阴极218之间施加电压,初级带电粒子束220(例如,电子束)可以从阴极218发射。初级电子束220通过枪孔径214和束限制孔径212,枪孔径214和束限制孔径212可以确定进入聚束透镜210的电子束的尺寸,聚束透镜210位于束限制孔径212的下面。聚束透镜210在射束进入物镜孔径208之前使初级带电粒子束220聚焦,以在进入物镜组装件204之前设置初级电子束的尺寸。偏转器204c对初级电子束220进行偏转,以便于在晶片203上进行束扫描。例如,在扫描过程中,偏转器204c可以被控制以在不同的时间点下将初级电子束220循序地偏转到晶片203的顶表面的不同位置上,以提供用于针对晶片203的不同部分的图像重建的数据。此外,偏转器204c也可以被控制以在特定位置、在不同的时间点下将初级电子束220偏转到晶片203的不同侧上,以提供用于在该位置的晶片结构的立体图像重建的数据。另外,在一些实施例中,阳极216和阴极218可以被配置为生成多个初级电子束220,并且电子束工具104可以包括多个偏转器204c以将多个初级电子束220同时投射到晶片的不同部分/侧,以提供用于针对晶片203的不同部分的图像重建的数据。
激励线圈204d和极片204a生成在极片204a的一端开始并在极片204a的另一端终止的磁场。晶片203中被初级电子束220扫描的部分可以被浸没在磁场中并且可以被充电,这转而创建电场。电场在初级电子束220与晶片203碰撞之前降低了其在晶片203的表面附近的撞击能量。与极片204a电隔离的控制电极204b控制晶片203上的电场,以防止晶片203的微拱并确保适当的束聚焦。
一旦接收到初级电子束220,就可以从晶片203的该部分发射次级电子束222。次级电子束222可以在电子检测器206的传感器表面206a和206b上形成束斑。电子检测器206可以生成表示束斑强度的信号(例如,电压,电流等),并且将该信号提供给图像处理系统250。次级电子束222的强度和所得到的束斑可以根据晶片203的外部或内部结构而变化。此外,如上所述,初级电子束220可以被投射到晶片的顶表面的不同位置或晶片在特定位置处的不同侧上,以生成不同强度的次级电子束222(以及所得到的束斑)。因此,通过将束斑的强度与晶片203的位置映射,处理系统可以重建反映晶片203的内部或表面结构的图像。
如上所述,成像系统200可以用于检查工作台201上的晶片203,并且包括电子束工具104。成像系统200还可以包括图像处理系统250,图像处理系统250包括图像获取器260、存储装置270和控制器109。图像获取器260可以包括一个或多个处理器。例如,图像获取器260可以包括计算机、服务器、大型机主机、终端、个人计算机、任何种类的移动计算设备等、或它们的组合。图像获取器260可以通过诸如电导体、光纤电缆、便携式存储介质、IR、蓝牙、互联网、无线网络、无线电或它们的组合的介质与电子束工具104的检测器206连接。图像获取器260可以从检测器206接收信号并且可以构建图像。因此,图像获取器260可以获取晶片203的图像。图像获取器260还可以执行各种后处理功能,诸如生成轮廓,在所获取的图像上叠加指示符等。图像获取器260可以被配置为执行对所获取的图像的亮度和对比度等的调整。存储装置270可以是诸如硬盘、随机存取存储器(RAM)、其它类型的计算机可读存储器等的存储介质。存储装置270可以与图像获取器260耦合,并且可以用于将经扫描的原始图像数据保存为初始图像并且保存后处理的图像。图像获取器260和存储装置270可以被连接到控制器109。在一些实施例中,图像获取器260、存储装置270和控制器109可以被集成在一起作为一个控制单元。
在一些实施例中,图像获取器260可以基于从检测器206接收到的成像信号来获取样品的一个或多个图像。成像信号可以与用于进行带电粒子成像的扫描操作相对应。所获取的图像可以是包括多个成像区的单个图像。单个图像可以被存储在存储装置270中。单个图像可以是可以被划分为多个区域的初始图像。区域中的每个区域可以包括包含晶片203的特征的一个成像区。
尽管图2示出了设备104使用一个电子束,但是应当理解,设备104可以使用两个或更多数目的初级电子束。本公开不限制在设备104中使用的初级电子束的数目。
本公开的实施例提供了一种系统,该系统能够通过使用单带电粒子束成像系统(“单束系统”)或多带电粒子束成像系统(“多束系统”)来优化针对不同扫描模式的吞吐量,从而适应不同的吞吐量和分辨率要求。
现在参考图3,图3示出了带电粒子束的扫描顺序。电子束工具(例如,图2的电子束工具104)可以通过在晶片样品300上连续光栅扫描电子束302来生成图像。机动化工作台(例如,图2的机动化工作台209)的速度可以被控制,使得保持晶片样品的工作台的速度可以在检查期间变化,并且使得晶片可以被连续地扫描。图3示出了用于生成5×5像素图像的连续光栅扫描的示例性顺序。在光栅扫描中,电子束以一个或多个速率从左到右(例如,从像素311到像素315)水平移动,以跨晶片300扫描像素(例如,像素311、312、313、314和315)的条带(或线)A。在一些实施例中,电子束302可以具有大到足以扫描整个像素(例如,像素311)的尺寸(例如,直径)。一旦电子束302到达正被扫描的条带(例如,条带A)的最后像素(例如,像素315),则射束快速移回到下一条带的第一像素(例如,条带B的像素321),其中下一行的扫描可以开始。可以针对条带B的像素321至325、条带C的像素331至335、条带D的像素341至345和条带E的像素351至355重复这些步骤。在来回扫描中,不是总是在一个方向上扫描,一些条带可以在一个方向上被扫描,而其它条带可以在第二相反方向上被扫描。例如,在扫描像素311至315之后,电子束可以被垂直地调整以与条带B对准,然后射束可以扫描325至321。电子束可以在第一方向上扫描一些条带(例如,从左到右扫描的条带A、C和E),并且可以在与第一方向相反的第二方向上扫描其它条带(例如,从右到左扫描的条带C和D)。在一些实施例中,电子束302可以被重新定位到不同的位置,在这些位置处可以开始扫描晶片的不同区域。在一些其它实施例中,多个射束可以被用来使用多束工具扫描晶片。本公开不限制晶片上的行或像素的数目。关于使用多束设备的连续扫描的更多信息可以在美国专利申请No.62/850,461中找到,其全部内容通过引用并入本文。
现在参考图4,图4示意性地图示了使用带电粒子束检查样品。虽然图4图示了用于光栅扫描的一些扫描技术,但是应理解,类似的扫描技术可以用于来回扫描。在图4所示的实施例中,初级子束在样品(例如,图2的样品208)上生成探测斑410。图4示出了探测斑410相对于样品的移动。在所示实施例中,探测斑410的直径是W。然而,在所公开的实施例中,探测斑的直径不必相同。在一些实施例中,探测斑410可以具有大到足以扫描整个检查线(例如,检查线420A)的尺寸(例如,直径W)。待检查的条带401和402(例如,图3的条带A、B、C、D或E;图5的条带501或502)的形状是矩形的,但不一定如此。条带401可以包括多个区域(例如,图5的区域521A、523A、525A、521B、523B或525B),该多个区域包括多个检查线(例如,检查线420A和检查线421A),并且条带402可以包括多个区域,该多个区域包括待扫描的多个检查线(例如,检查线420B)。在一些实施例中,一个或多个区域可以包括具有特征(例如,图5的特征521、523或525)的检查线,而其它区域可以包括不具有特征的检查线(例如,图5的区域530A、532A、534A或523B)。保持样品的机动化工作台(例如,图2的机动化工作台209)的速度K可以被控制以在没有特征的区域中增加,从而增加检查系统的吞吐量。应理解,区域可以包括一个或多个检查线。为了便于说明,在绝对参考系中定义了两个方向x和y。x和y方向相互垂直。
在一些实施例中,探测斑410的移动可以与样品的移动协调。例如,如图4所示,在时间段t1期间,探测斑410相对于样品可以在y方向上移动长度L而不在y方向上移动。在一些实施例中,探测斑410的速度可以通过调整机动化工作台的速度来控制,使得机动化工作台在第一检查区域(例如,图5的区域521A)中的速度K可以不同于机动化工作台在第二检查(例如,图5的区域523A)中的速度。用于多个检查区域的机动化工作台的速度可以取决于检查区域的特性。例如,机动化工作台的速度可以取决于特征在一个或多个区域中的存在、宽度、周期性性质或间隔(例如,每个特征之间的距离)等。
在多束系统中,多个探测斑在时间段期间的移动方向可以不同。探测斑在时间段期间移动的长度可以不同。探测斑可以具有或不具有相对于彼此的移动。
在图4所示的实施例中,在时间段t1期间,检查线420A可以由探测斑410检查。在时间段t1结束时,探测斑410可以从检查线420A的末端穿到检查线421A的起始点。在一些实施例中,可以控制机动化工作台以跳过没有特征的检查线并移动,使得探测斑410从第一检查线的末端移动到下一检查线的起始点。例如,如果检查线421A不包括一个或多个特征而检查线422A包括一个或多个特征,则探测斑410可以从检查线420A的末端穿到检查线422A的起始点。
从时间段t2到tn,探测斑410和样品可以以与时间段t1期间相同的方式移动。这样,从t1到tn检查条带401。在一些实施例中,可以控制机动化工作台的速度,使得保持晶片样品的工作台的速度在检查期间可以变化,并且使得可以连续扫描晶片。此外,在连续扫描期间,射束可以跳过一些区域而不扫描那些区域。
在tn,探测斑410可以从条带401的最后检查线的末端穿到条带402的检查线420B的起始点。在tn+1处开始,探测斑410和样品可以以与上面针对条带401所描述的相同的方式移动。在一些实施例中,可以控制机动化工作台的速度,使得保持晶片样品的工作台的速度可以在条带402的检查期间变化,并且使得可以连续扫描晶片。在检查期间,对于整个晶片,探测斑410和样品可以以与上面针对条带401和402所描述的相同的方式继续移动。虽然图4示出了一种技术,其中首先从右到左扫描条带401,然后对条带402的右端进行对角线跳跃,并且在相同的从右到左的方向上对其进行扫描,但是应理解,在扫描条带401之后,可以从左到右扫描条带402,其中射束从条带401的左检查线过渡到条带402的左检查线。还应理解,这种类型的交替来回扫描可以用于检查样品的条带。
偏转器(例如,图2的偏转器204C)可以被通信地耦合到控制器(例如,图1至图2的控制器109),其可以被配置为在检查期间使射束偏转以使得在检查期间在检查速度变化的同时与偏转器和样品相互作用的射束的图案450可以是光栅图案。例如,偏转器可以在与方向y成对角线的方向上使射束偏转,方向y垂直于方向x,方向x是在连续扫描检查期间机动化工作台移动的方向。通过偏转器在与方向y成对角线的方向上连续地使射束偏转,可以增加检测吞吐量,在机动化工作台的速度变化的同时,探测斑410在方向y上沿着样品的检查线移动。在一些实施例中,偏转器可以摆动到不同的位置以补偿机动化工作台的变化移动,使得所获取的图像不失真。尽管探测斑410被描绘为在方向y上沿着样品的检查线移动,但应理解,当射束沿着每个检查线移动时,其轨迹可以相对于固定位置(例如,地面)稍微偏斜,以考虑在方向x上移动的平台。
本公开不将实施例限于图4的实施例。例如,探测斑、条带、区域、检查线的数目和机动化工作台的速度不受限制。在一些实施例中,可以控制机动化工作台的速度,使得可以针对不同区域或检查线调整探斑测的速度。在一些实施例中,多束系统可以用于扫描。
现在参考图5,图5示意性地图示了使用带电粒子束检查样品。在图5所示的实施例中,初级子束在样品(例如图2的样品208)上生成探测斑510。在一些实施例中,探测斑510可以具有大到足以扫描整个检查线(例如,图4的检查线420A,图5的检查线520A和520B)的尺寸(例如,图4的直径W)。图5示出了探测斑510相对于样品的移动。待检查的条带501和502(例如,图4的条带401或402)的形状是矩形的,但不一定如此。条带501和502可以分别包括要被扫描的多个区域521A、523A、525A和521B、523B、525B。区域521A、523A和525A可以包括一个或多个检查线,该一个或多个检查线可以包括特征521、523、525。区域521B、523B和525B可以包括一个或多个检查线,该一个或多个检查线可以包括特征521、523和525。区域中的一些检查线可以包括特征,而其它检查线可以不包括任何特征(例如,区域523B的检查线)。特征可以是待由EBI系统(例如,图1的EBI系统100)扫描的样品上的特别感兴趣区域(例如,装置组件)。保持样品的机动化工作台(例如,图2的机动化工作台209)的速度K可以被控制以在将不被检查的区域(诸如其中检查线不包括特征的区域(例如,区域523B))中增加,从而增加检查系统的吞吐量。为了便于说明,在绝对参考系中定义了两个方向x和y。x和y方向相互垂直。
在一些实施例中,探测斑510的移动可以与样品的移动协调。在多束系统中,多个探测斑在时间段期间的移动方向可以不同。探测斑在时间段期间移动的长度可以不同。探测斑可以具有或不具有相对于彼此的移动。
在图5所示的实施例中,条带501由探测斑510检查。在到达条带501中的区域525A的最后检查线的末端之后,探测斑510可以穿回到下一条带502的检查线的起始点。
在一些实施例中,可以控制机动化工作台的速度,使得保持晶片样品的工作台的速度在检查期间可以变化,并且使得可以连续扫描晶片。
本公开不将实施例限于图5的实施例。例如,探测斑、条带、区域、检查线的数目和机动化工作台的速度不受限制。在一些实施例中,可以控制机动化工作台的速度,使得可以在每个区域(例如,区域521A、523A、525A、521B、523B、525B)内调整探测斑的速度。例如,根据该区域内的检查线和检查线是否包括特征,对于不同的区域,机动化工作台的速度可以不同。在一些实施例中,多束系统可以用于扫描。
条带501和502可以大于子束的FOV。条带501可以包括区域521A、523A和525A,区域521A、523A和525A分别包括具有特征521、523和525的检查线。条带502可以包括区域521B和525B,区域521B和525B包括具有特征521和525的线。
控制器(例如,图1至图2的控制器109)包括被配置为执行以下操作的电路系统:通过区域的类型对沿着条带501和502的多个区域进行分类。例如,区域525A可以是第一类型的区域,区域523A可以是第二类型的区域,并且区域521A可以是第三类型的区域。在一些实施例中,条带501上的区域521A、523A和525A可以包括没有特征的检查线。在一些实施例中,可以对区域进行分类,使得具有特征的检查线可以是一种类型的区域,而不具有特征的检查线可以是另一种类型的区域。在一些实施例中,特征523之间的区域可以具有宽度w1并且被分类为第一类型的区域。在一些实施例中,特征523可以具有宽度w2并且被分类为第二类型的区域。本公开不限制图5的实施例。例如,检查线、区域、特征和条带的数目不受限制。在一些实施例中,检查线中的任何检查线可以是不同或相同类型的区域。在一些实施例中,电路系统可以被配置为:基于特征的存在、特征的宽度、特征的周期性性质或特征的间隔(例如,每个特征之间的距离),对沿着条带的区域进行分类。
在一些实施例中,可以控制机动化工作台(例如,图2的机动化工作台209)的速度,使得保持样品的工作台的速度可以在检查期间基于样品上的区域的类型而变化,并且使得可以连续扫描晶片。例如,在条带501上,可以对区域进行分类,使得:包括具有特征525的一个或多个检查线的区域535A可以被分类为第一类型的区域,包括不具有特征的一个或多个检查线的区域534A可以被分类为第二类型的区域,包括具有特征523的一个或多个检查线的区域533A可以被分类为第三类型的区域,包括不具有特征的一个或多个检查线的区域532A可以是第四类型的区域,包括具有特征521的一个或多个检查线的区域531A可以被分类为第五类型的区域,并且包括不具有特征的一个或多个检查线的区域530A可以被分类为第六类型的区域。可以控制机动化工作台的速度,使得在检查期间机动化工作台:以用于第一类型的区域的第一速度移动,以用于第二类型的区域的第二速度移动,以用于第三类型的区域的第三速度移动,以用于第四类型的区域的第四速度移动,以用于第五类型的区域的第五速度移动,以及以用于第六类型的区域的第六速度移动。第一速度可以是基于每个特征525之间的宽度或每个特征525的宽度等来确定。第二速度可以是基于区域534A的宽度等来确定的。第三速度可以是基于每个特征523之间的宽度或每个特征523的宽度等来确定的。第四速度可以是基于区域532A的宽度等来确定的。第五速度可以是基于每个特征521之间的宽度或每个特征521的宽度等来确定的。第六速度可以是基于区域530A的宽度等来确定的。
在一些实施例中,针对不具有感兴趣的特征或区的区域或检查线,与针对具有感兴趣的特征或区的区域或检查线相比,机动化工作台的速度可以更大。在一些实施例中,针对较长的将不被检查的区域,与针对较短的将不被检查的区域相比,机动化工作台的速度可以更大,以既增加检查吞吐量又维持获得每个生成的图像的较高的准确度。类似地,在一些实施例中,针对具有较长宽度的特征,与针对具有较短宽度的特征相比,机动化工作台的速度可以更低,以既增加检查吞吐量又保持较高的准确度。在一些实施例中,针对特征之间具有较长宽度(例如,w1)的区域或检查线,与针对特征之间具有较短宽度的区域或检查线相比,机动化工作台的速度可以更大。
在一些实施例中,机动化工作台的速度可以基于这些区域的分类、像素尺寸、FOV或系统数据速率(例如,400MHz,100MHz)来计算。
在一些实施例中,机动化工作台可以连续地移动,使得探测斑510可以沿着条带501连续地移动并且穿到条带502。对于条带502,区域525B可以被分类为第一类型的区域,区域523B可以被分类为第二类型的区域,并且区域521B可以被分类为第三类型的区域。如针对条带501所描述的,可以控制机动化工作台的速度,使得在检查期间机动化工作台:以用于第一类型的区域的第一速度移动,以用于第二类型的区域的第二速度移动,以及以用于第三类型的区域的第三速度移动。第一速度可以是基于检查线525的每个特征之间的宽度或检查线525的每个特征的宽度等来确定的。第二速度可以是基于区域523B的宽度来确定的。第三速度可以是基于检查线521的每个特征之间的宽度或检查线521的每个特征的宽度来确定的。如针对条带501所描述的,针对不具有特征的区域或检查线,与针具有特征的区域或检查线相比,机动化工作台的速度可以更大。在一些实施例中,针对较长的将不被检查的区域,与针对较短的将不被检查的区域相比,机动化工作台的速度可以更大,以既增加检查吞吐量又维持获得每个生成的图像的较高的准确度。类似地,在一些实施例中,针对具有较长宽度的特征,与针对具有较短宽度的特征相比,机动化工作台的速度可以更低,以既增加检查吞吐量又维持较高的准确度。在一些实施例中,针对在特征之间具有较长宽度的区域或检查线,与针对在特征之间具有较短宽度的区域或检查线相比,机动化工作台的速度可以更大。在任何实施例中,子束可以在检查期间连续扫描样品的任何区域。
例如,曲线图500G描述了保持晶片的工作台的速度作为晶片上的探测斑在x方向上的位置的函数。与所公开的实施例一致,曲线503G描绘了常规检查系统中的工作台的恒定速度,同时501G描绘了工作台在条带501的检查期间的速度,并且曲线502G描绘了工作台在条带502的检查期间的速度。水平轴可以是晶片上的探测斑510在x方向上的位置,并且垂直轴可以是工作台的速度。如曲线501G所示,与工作台在条带501上在检查区域531A和535A上的速度相比,工作台在条带501上的速度在区域533A上更低。例如,与针对条带501的区域533A相比,工作台在条带501的区域531A上的速度可以更高,因为包含特征的区域531A的比例可能比包含特征的区域533A的比例低,指示在检查区域533A时可能需要比针对区域531A更低的工作台速度。类似地,与针对条带501的区域533A相比,工作台在条带501的区域535A上的速度可以更高,因为包含特征的区域535A的比例可以比包含特征的区域533A的比例低。与针对条带501的区域531A相比,工作台在条带501的区域535A上的速度可以更低,因为包含特征的区域535A的比例可能高于包含特征的区域531A的比例,指示在检查区域535A时可能需要较低速度的工作台。
类似地,曲线502G示出了工作台在条带502上的速度从区域525B增加到区域523B并且针对区域521B减小,因为区域523B不包括特征,指示区域523B不需要仔细检查。与常规系统相比,由于工作台的整体速度可以在检查期间增加,可以增加整体检查吞吐量(参见例如曲线503G)。
在一些实施例中,将不被检查的区域可以包括特征(例如,该区域中的缺陷的风险水平可以是低的,指示该区域不需要被检查)。
现在参考图6A至图6D,图6A至图6D示意性地图示了在检查期间使用带电粒子束和相关联的束移动图案来检查样品。虽然图6A至图6D示出了在扫描检查线(例如620A-D)的同时以连续扫描模式在y方向上的束扫描,但是在射束将相对于样品在y方向上扫描的同时,其也将相对于固定位置(例如地面)在对角线方向上移动,其中对角线的x分量用于补偿样品的x方向移动。可以被通信地耦合到控制器(例如,图1至图2的控制器109)的偏转器(例如,图2的偏转器204c)可以被配置为:在检查期间使射束偏转,使得射束的速度在检查期间可以沿着样品变化,同时检查速度变化。例如,探测斑可以在方向y上扫描检查线,并且偏转器可以在与方向y成对角线的方向上使射束偏转。在一些实施例中,偏转器可以摆动到不同的位置以补偿机动化工作台的变化移动,使得所获取的图像不失真。通过偏转器在与方向y成对角线的方向上连续地使射束偏转来增加检查吞吐量,在机动化工作台的速度变化的同时,探测斑在方向y上沿着样品移动。虽然探测斑被描绘为在方向y上沿着样品的检查线移动,但应理解,射束相对于固定位置(例如,地面)的轨迹可以稍微偏斜以考虑在方向x上移动的工作台。
在第一示例中,图6A描绘了在晶片检查期间以正常速度(例如,1x)移动的工作台及其相关联的射束图案移动。射束图案650A示出了:当工作台以正常速度在方向x上移动时,沿着每个检查线620A的射束图案可以相对于静止参考保持相同。应理解,图示是近似的,并且射束的路径可以是在y方向上的对角偏移。此外,可以针对每次检查线扫描重复对角线的路径,其中针对每次检查线扫描的扫描路径相对于静止参考(例如,地面)保持相同。类似地,图6B、图6C和图6D分别描绘了以正常速度的2x、3x和4x移动的工作台及其在晶片检查期间的相关联的射束图案移动。如图6B至图6D的图案650B、650C和650D分别所示,偏转器可以被配置为:在检查期间使射束偏转,使得扫描每个检查线620B-D(例如,图4的检查线420A,图5的检查线520A)的射束在方向y或该方向上的速度可以随着工作台在方向x上移动的速度的增加而增加。此外,射束在晶片上沿方向x的位置可以根据待检查的晶片上的区域而变化。例如,当工作台的速度是正常速度的4倍时,如图6D所示,射束图案650D示出了:与当工作台的速度是正常速度的2倍时(参见例如图6B)相比,射束可以在每个检查线620D之间行进方向x上的宽度的两倍。
现在参考图7,图7示出了带电粒子束检查的示例性检查数据。具有特征的检查区A可以具有正常加速因子1(例如,正常工作台速度),其中检查区速率通过检查区域A的面积除以检查时间t来计算。对于检查区域A,吞吐量增益将为零,因为加速因子是1(例如,正常工作台速度)。检查区域B可以具有50%的占空比。例如,检查区域B的扫描线的一半可以包括待检查的特征,而检查区域B的扫描线的一半可以不需要被检查,这意味着区域B的待检查区域可以是区域A的待检查区域的一半。检查区域B的加速因子可以是2(例如,正常工作台速度的2x),因为区域B的一半将不被检查。在一些实施例中,检查区域B的检查速率将是检查区域A的检查速率的一半,因为对于相同的时间量t,仅检查区域B的一半将以正常工作台速度被扫描。加速因子2可以将检查区域B的检查速率增加到A/t,因为在正常时间t的一半中扫描区域B的一半。在该示例中,吞吐量增益将增加因子2,因为检查区域B时的工作台速度将是检查区域A时的工作台速度的两倍,因为与区域A相比,仅区域B的一半可以被检查。本公开不限制图7的实施例。例如,在意区的数目、宽度和形状不受限制。类似地,加速因子不受限制。
图8是图示了生成用于检查被定位在工作台上的晶片的射束的示例性方法800的流程图。方法800可以由EBI系统(例如,EBI系统100)执行。控制器(例如,图1至图2的控制器109)可以被编程以实现方法800。例如,控制器可以是与电子束工具(例如,图2的电子束工具104)耦合的内部控制器或外部控制器。方法800可以被连接到如图3至图7所示和所述的操作和步骤。
在步骤802,EBI系统可以通过区域的类型对沿着晶片的条带的多个区域进行分类,该条带大于射束的视场,其中多个区域的分类包括具有待检查特征的第一类型的区域(例如,图5的区域525B)、不需要检查的第二类型的区域(例如,图5的区域523B)、以及具有待检查特征的第三类型的区域(例如,图5的区域521B)。例如,EBI系统的控制器可以包括被配置为执行以下操作的电路系统:通过区域的类型对沿着条带(例如,图5的条带501和502)的多个区域进行分类。EBI系统可以确定第一类型的区域包括具有特征(例如,图5的特征525)的多个第一检查线、第二类型的区域包括不需要检查的一个或多个第二检查线(例如,图5的区域523B)、以及第三类型的区域包括具有特征(例如,图5的特征521)的多个第三检查线。这些确定可以是基于特征在这些区域中的存在、特征的宽度、特征的周期性性质、特征的间隔(例如,每个特征之间的距离)、区域中的缺陷的风险水平、或它们的组合。例如,EBI系统可以确定作为正常检查区域(例如,图7的检查区域A)的一半区域的检查区域(例如,图7的检查区域B)可以是第一类型的检查区域。
在步骤804,EBI系统可以通过基于区域的类型控制工作台的速度来扫描条带,其中以第一速度扫描第一类型的区域,以第二速度扫描第二类型的区域,并且以第三速度扫描第三类型的区域。例如,针对第一类型的区域的第一速度可以是基于多个第一检查线中的每个第一检查线的每个特征之间的宽度并基于多个第一检查线中的每个第一检查线的每个特征的宽度来确定的,第二速度可以是基于第二类型的区域的宽度和第二区域中不存在特征来确定的,第三速度可以是基于多个第三检查线的每个第三检查线的每个特征之间的宽度并基于多个第三检查线的每个第三检查线的每个特征的宽度来确定的。该控制器可以包括被配置为执行以下操作的电路系统:基于样品(例如,图2的晶片样品208)上的区域的类型来控制工作台(例如,图2的机动化工作台209)的速度。在一些实施例中,针对具有较长宽度的没有特征的区域,与针对具有较短宽度的没有特征的区域相比,机动化工作台的速度可以更大,以既增加检查吞吐量又维持获得每个生成的图像的较高的准确度。类似地,针对具有较短特征的区域,与针对具有较长特征的区域相比,机动化工作台的速度可以更大,以既增加检查吞吐量又维持较高的准确度。针对在每个特征之间具有较长宽度的区域,与针对在每个特征之间具有较短宽度的区域相比,机动化工作台的速度可以更大。例如,第二速度可以大于第一速度和第三速度。例如,如果第一类型的检查区域是正常检查区域(例如,图7的检查区域A)的面积的一半,则第一类型的检查区域(例如,图7的检查区域B)可以具有加速因子2(例如,正常工作台速度的2x)。
本公开的方面在以下编号的条款中阐述:
1.一种带电粒子束系统,该带电粒子束系统用于生成射束,该射束用于检查被定位在工作台上的晶片,系统包括:
控制器,包括被配置为执行以下操作的电路系统:
通过区域的类型对沿着晶片的条带的多个区域进行分类,条带大于射束的视场,其中多个区域的分类包括第一类型的区域和第二类型的区域;以及
通过基于区域的类型控制工作台的速度来扫描晶片,其中第一类型的区域以第一速度被扫描,第二类型的区域以第二速度被扫描。
2.如条款1的系统,还包括偏转器,该偏转器被通信地耦合到控制器,并且该偏转器被配置为:基于对与和晶片相互作用的射束相关联的带电粒子的检测,产生检测数据。
3.如条款2的系统,其中偏转器还被配置为:使射束偏转,使得射束的移动的图案在检查期间保持恒定。
4.如条款1至3中任一项的系统,其中控制工作台的速度包括:以连续扫描模式操作工作台。
5.如条款1至4中任一项的系统,控制器包括还被配置为执行以下操作的电路系统:通过区域的类型对沿着晶片的多个条带中的每个条带的多个区域进行分类,每个条带大于射束的视场。
6.如条款1至5中任一项的系统,其中第一类型的区域和第二类型的区域各自包括多个检查线。
7.如条款1至6中任一项的系统,其中第一类型的区域包括第一特征。
8.如条款7的系统,其中第一速度是基于第一特征的宽度或第一类型的区域中的特征的密度来确定的。
9.如条款7至8中任一项的系统,其中第一类型的区域包括多个第一特征,其中第一速度是基于多个第一特征中的每个特征之间的宽度来确定的。
10.如条款7至9中任一项的系统,其中第二类型的区域包括不同于第一特征的第二特征。
11.如条款10的系统,其中第二速度是基于第二特征的宽度来确定的,其中第二特征的宽度不同于第一特征的宽度。
12.如条款11的系统,其中第一速度与第二速度的比率基本上类似于第二特征的宽度与第一特征的宽度的比率。
13.如条款7至12中任一项的系统,其中第二类型的区域包括多个第二特征,并且其中第二速度是基于多个第二特征中的每个特征之间的宽度来确定的。
14.如条款7至13中任一项的系统,其中多个区域的分类包括第三类型的区域。
15.如条款14的系统,其中第三类型的区域在第一类型的区域和第二类型的区域之间。
16.如条款14或15中任一项的系统,其中第三类型的区域是以与第一速度和第二速度不同的第三速度被扫描的。
17.如条款16的系统,其中第三速度是基于要被扫描的特征在第三类型的区域中的缺少来确定的。
18.如条款16或17中任一项的系统,其中第三速度大于第一速度和第二速度。
19.如条款1至5中任一项的系统,其中第一速度是基于第一类型的区域的宽度来确定的。
20.如条款1至5或19中任一项的系统,其中第二速度是基于第二类型的区域的宽度来确定的。
21.如条款7至18中任一项的系统,其中第一速度是基于包括第一特征的第一类型的区域的比例来确定的。
22.如条款10至18或21中任一项的系统,其中第二速度是基于包括第二特征的第二类型的区域的比例来确定的。
23.如条款14至18、21或22中任一项的系统,其中第三速度是基于包括第三特征的第三类型的区域的比例来确定的。
24.一种用于生成射束的方法,该射束用于检查被定位在工作台上的晶片,该方法包括:
通过区域的类型对沿着晶片的条带的多个区域进行分类,该条带大于射束的视场,其中多个区域的分类包括第一类型的区域和第二类型的区域;以及
通过基于区域的类型控制工作台的速度来扫描晶片,其中第一类型的区域以第一速度被扫描,并且第二类型的区域以第二速度被扫描。
25.如条款24的方法,还包括偏转器,该偏转器被通信地耦合到控制器,并且该偏转器被配置为:基于对与和晶片相互作用的射束相关联的带电粒子的检测,产生检测数据。
26.如条款25的方法,其中偏转器还被配置为:使射束偏转,使得射束的移动的图案在检查期间保持恒定。
27.如条款24至26中任一项的方法,其中控制工作台的速度包括:以连续扫描模式操作工作台。
28.如条款24至27中任一项的方法,还包括:通过区域的类型对沿着晶片的多个条带中的每个条带的多个区域进行分类,每个条带大于射束的视场。
29.如条款24至28中任一项的方法,其中第一类型的区域和第二类型的区域各自包括多个检查线。
30.如条款24至29中任一项的方法,其中第一类型的区域包括第一特征。
31.如条款30的方法,其中第一速度是基于第一特征的宽度或第一类型的区域中的特征的密度来确定的。
32.如条款30至31中任一项的方法,其中第一类型的区域包括多个第一特征,其中第一速度是基于多个第一特征中的每个特征之间的宽度来确定的。
33.如条款30至32中任一项的方法,其中第二类型的区域包括不同于第一特征的第二特征。
34.如条款33的方法,其中第二速度是基于第二特征的宽度来确定的,其中第二特征的宽度不同于第一特征的宽度。
35.如条款34的系统,其中第一速度与第二速度的比率基本上类似于第二特征的宽度与第一特征的宽度的比率。
36.如条款30至35中任一项的方法,其中第二类型的区域包括多个第二特征,并且其中第二速度是基于多个第二特征中的每个特征之间的宽度来确定的。
37.如条款30至36中任一项的方法,其中多个区域的分类包括第三类型的区域。
38.如条款37的方法,其中第三类型的区域在第一类型的区域和第二类型的区域之间。
39.如条款37至38中任一项的方法,其中第三类型的区域是以与第一速度和第二速度不同的第三速度被扫描的。
40.如条款39的方法,其中第三速度是基于要被扫描的特征在第三类型的区域中的缺少来确定的。
41.如条款39至40中任一项的方法,其中第三速度大于第一速度和第二速度。
42.如条款24至28中任一项的方法,其中第一速度是基于第一类型的区域的宽度来确定的。
43.如条款24至28或42中任一项的方法,其中第二速度是基于第二类型的区域的宽度来确定的。
44.如条款30至41中任一项的方法,其中第一速度是基于包括第一特征的第一类型的区域的比例来确定的。
45.如条款33至41或44中任一项的方法,其中第二速度是基于包括第二特征的第二类型的区域的比例来确定的。
46如条款37至41,44或45中任一项的方法,其中第三速度是基于包括第三特征的第三类型的区域的比例来确定的。
可以提供一种非瞬态计算机可读介质,其存储用于处理器(例如,图1至图2的控制器109的处理器)的指令,以执行图像处理、数据处理、子束扫描、数据库管理、图形显示、带电粒子束设备的操作、或另一成像装置等。非瞬态介质的常见形式包括例如软盘、柔性盘、硬盘、固态驱动器、磁带或任何其他磁性数据存储介质、CD-ROM、任何其它光学数据存储介质、具有孔图案的任何物理介质、RAM、PROM和EPROM、FLASH-EPROM或任何其它闪存、NVRAM、高速缓存、寄存器、任何其它存储器芯片或盒、以及它们的联网版本。
应理解,本公开的实施例不限于上面已描述且在附图中图示的确切构造,并且可以在不脱离本公开的范围的情况下作出各种修改和改变。
Claims (15)
1.一种带电粒子束系统,所述带电粒子束系统用于生成射束,所述射束用于检查被定位在工作台上的晶片,所述系统包括:
控制器,包括被配置为执行以下操作的电路系统:
通过区域的类型对沿着所述晶片的条带的多个区域进行分类,所述条带大于所述射束的视场,其中所述多个区域的分类包括第一类型的区域和第二类型的区域;以及
通过基于所述区域的类型控制所述工作台的速度来扫描所述晶片,其中所述第一类型的区域以第一速度被扫描,所述第二类型的区域以第二速度被扫描。
2.根据权利要求1所述的系统,还包括偏转器,所述偏转器被通信地耦合到所述控制器,并且所述偏转器被配置为:基于对与和所述晶片相互作用的所述射束相关联的带电粒子的检测,产生检测数据。
3.根据权利要求2所述的系统,其中所述偏转器还被配置为:使所述射束偏转,使得所述射束的移动的图案在检查期间保持恒定。
4.根据权利要求1所述的系统,其中控制所述工作台的所述速度包括:以连续扫描模式操作所述工作台。
5.根据权利要求1所述的系统,所述控制器包括还被配置为执行以下操作的电路系统:通过区域的类型对沿着所述晶片的多个条带中的每个条带的多个区域进行分类,每个条带大于所述射束的视场。
6.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一类型的区域和所述第二类型的区域各自包括多个检查线。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一类型的区域包括第一特征。
8.根据权利要求7所述的系统,其中所述第一速度是基于所述第一特征的宽度或所述第一类型的区域中的特征的密度来确定的。
9.根据权利要求7所述的系统,其中所述第一类型的区域包括多个第一特征,其中所述第一速度是基于所述多个第一特征中的每个特征之间的宽度来确定的。
10.根据权利要求7所述的系统,其中所述第二类型的区域包括不同于所述第一特征的第二特征。
11.根据权利要求10所述的系统,其中所述第二速度是基于所述第二特征的宽度来确定的,其中所述第二特征的宽度不同于所述第一特征的宽度。
12.根据权利要求11所述的系统,其中所述第一速度与所述第二速度的比率基本上类似于所述第二特征的宽度与所述第一特征的宽度的比率。
13.根据权利要求7所述的系统,其中所述第二类型的区域包括多个第二特征,并且其中所述第二速度是基于所述多个第二特征中的每个特征之间的宽度来确定的。
14.根据权利要求7所述的系统,其中所述多个区域的分类包括第三类型的区域。
15.一种用于生成射束的方法,所述射束用于检查被定位在工作台上的晶片,所述方法包括:
通过区域的类型对沿着所述晶片的条带的多个区域进行分类,所述条带大于所述射束的视场,其中所述多个区域的分类包括第一类型的区域和第二类型的区域;以及
通过基于所述区域的类型控制所述工作台的速度来扫描所述晶片,其中所述第一类型的区域以第一速度被扫描,并且所述第二类型的区域以第二速度被扫描。
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