KR20220136186A - 반도체 장치, 표시장치, 광전변환 장치, 전자기기, 조명 장치, 이동체, 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

반도체 장치는, 투광판과, 유효화소영역 및 주변영역을 구비하는 반도체 디바이스를 구비한다. 제1접합 부재는, 상기 주변영역과 상기 투광판과의 사이에 배치된다. 제2접합 부재는, 상기 유효화소영역과 상기 투광판과의 사이에 배치된다. 상기 제1접합 부재와 상기 제2접합 부재는 제1계면을 통해 서로 접하여 있다. 상기 제2접합 부재는 수지로 구성되어 있다. 상기 제2접합 부재는, 제1부분과, 상기 제1부분과 상기 제1접합 부재와의 사이에 배치되어 상기 제1계면을 통해 상기 제1접합 부재와 접하여 있는 제2부분을 구비한다. 상기 제2부분의 경화율은, 상기 제1부분의 경화율보다도 낮다.

Description

반도체 장치, 표시장치, 광전변환 장치, 전자기기, 조명 장치, 이동체, 및 반도체 장치의 제조 방법{SEMICONDUCTOR APPARATUS, DISPLAY APPARATUS, PHOTOELECTRIC CONVERSION APPARATUS, ELECTRONIC DEVICE, ILLUMINATION APPARATUS, MOVING OBJECT, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR APPARATUS}

본 발명은, 반도체 장치, 표시장치, 광전변환 장치, 전자기기, 조명 장치, 이동체, 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

기능 소자가 형성된 소자기판을 가지고, 표시 또는 촬상을 행하는 반도체 장치에서는, 외적 응력에 의한 기능 소자의 손상을 막기 위해서, 소자기판에 대하여 대향하도록 배치된 투광판이 사용된다.

PCT일역 특허공개 제2020-537814호 공보(이후, PTL 1)에는, 상부에 ＯＬＥＤ디바이스가 형성된 소자기판인 ＴＦＴ기판을, 투광판인 패키지 커버와 접합시키는 패키지 방법이 기재되어 있다. PTL 1에서는, 우선, 소자기판의 주변영역에 프레임 씰을 도포해서 소자기판과 투광판을 함께 접합시키고, 소자기판, 투광판 및 프레임 씰로 둘러싸여진 공간내에 ＵＶ경화성의 밀봉 재료를 충전한다. 그 후, 투광판을 통해 밀봉 재료에 광(ＵＶ)을 조사 함으로써, 밀봉 재료를 경화시킨다.

PTL 1의 경우와 같이 소자기판과 투광판을 프레임 씰을 통해서 함께 접합한 후에 밀봉 재료를 충전해서 경화시키면, 프레임 씰과 밀봉 재료가 서로 접하여 있는 구조가 얻어진다.

이러한 경우에, 온도변화에 의한 열팽창이나, 습도에 의한 팽윤으로 인해 내부응력이 증가되었을 때 등에, 투광판의 접합 신뢰성이 저하할 수 있다고 하는 과제가 있다.

본 발명은, 투광판의 접합 신뢰성을 향상시킨다.

본 발명의 일 측면에서는 반도체 장치를 제공한다. 이 반도체 장치는, 복수의 유효화소를 가지는 유효화소영역과, 상기 유효화소영역의 주변의 주변영역을, 가지는 반도체 디바이스와, 상기 반도체 디바이스의 주면(principal surface)에 대한 평면에서 보아 상기 유효화소영역 및 상기 주변영역에 겹치도록 배치된 투광판과, 상기 주변영역과 상기 투광판과의 사이에 배치되어, 상기 반도체 디바이스와 상기 투광판을 접합하는 제1접합 부재와, 상기 유효화소영역과 상기 투광판과의 사이에 배치되어, 상기 반도체 디바이스와 상기 투광판을 접합하는 제2접합 부재를 구비한다. 상기 제1접합 부재와 상기 제2접합 부재는 제1계면을 통해서 접하여 있다. 상기 제2접합 부재는, 수지로 구성되어 있다. 상기 제2접합 부재는, 제1부분과, 상기 제1부분과 상기 제1접합 부재와의 사이에 배치되어, 상기 제1계면을 통해 상기 제1접합 부재와 서로 접하여 있는 제2부분을, 구비한다. 상기 제2부분의 경화율은, 상기 제1부분의 경화율보다도 낮다.

본 발명의 추가의 특징들은, 첨부도면을 참조하여 이하의 예시적 실시 형태들의 설명으로부터 명백해질 것이다.

도1은 제1의 실시 형태에 따른 반도체 장치를 구비한 모듈의 단면도다.
도2a는 제1의 실시 형태에 따른 반도체 장치의 단면도다.
도2b는 제1의 실시 형태에 따른 반도체 장치의 모식 평면도다.
도3은 기능 소자의 일례를 나타내는 단면도다.
도4a 내지 4f는 제1의 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하는 모식도다.
도5a는 제2의 실시 형태에 따른 반도체 장치의 단면도다.
도5b는 제2의 실시 형태에 따른 반도체 장치의 모식 평면도다.
도6a 내지 6f는 제1의 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하는 모식도다.
도7은 제3의 실시 형태에 따른 반도체 장치의 모식 평면도다.
도8은 표시장치의 일례를 나타내는 모식도다.
도9a는 광전변환 장치의 일례를 나타내는 모식도다.
도9b는 전자기기의 일례를 나타내는 모식도다.
도10a는 표시장치의 일례를 나타내는 모식도다.
도10b는 접기 가능한 표시장치의 일례를 나타내는 모식도다.
도11a는 조명 장치의 일례를 나타내는 모식도다.
도11b는 차량용 등도구를 장착한 자동차의 일례를 나타내는 모식도다.
도12a는 웨어러블 디바이스의 일례를 나타내는 모식도다.
도12b는 웨어러블 디바이스에 촬상 장치가 장착된 형태의 일례를 나타내는 모식도다.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태를 설명한다. 이하의 설명 및 도면에 있어서, 복수의 도면에 걸쳐 공통의 구성에 대해서는 공통의 참조부호를 할당한다. 그 때문에, 복수의 도면을 참조하여 공통의 구성요소를 설명하고, 공통의 참조부호를 갖는 구성요소에 대해서는 필요에 따라 반복하여 설명하지 않는다.

본 명세서에 있어서, "위", "아래" 등의 배치를 나타내는 어구는, 구성요소간의 위치 관계를, 도면을 참조하여 설명하기 위해서, 편의상 사용하고 있다. 구성요소간의 위치 관계는, 필요에 따라 그 구성요소를 묘사하는 방향에 따라 변경된다. 따라서, 명세서에서 설명한 어구에 한정되지 않고, 상황에 따라서 적절히 대체될 수도 있다. "위"와 "아래"의 어구는, 구성요소간의 위치 관계가 바로 위쪽 또는 바로 아래, 직접 접하고 있는 것에 한정하는 것이 아니다. 예를 들면, "부재A상의 부재B"의 표현이면, 부재A 위에 부재B가 직접 접해서 형성되어 있을 필요는 없고, 부재A와 부재B와의 사이에 다른 구성요소가 설치되는 구성을 제외하지 않는다.

제1의 실시 형태

도1은, 제1의 실시 형태에 따른 반도체 장치 200을 구비한 모듈 400의 단면도다. 모듈 400은, 반도체 장치 200과, 플렉시블 배선판 300과, 프레임 부재 320과, 커버 플레이트 340을 구비한다.

반도체 장치 200은, 반도체 디바이스 100과, 반도체 디바이스 100에 대향하도록 배치된 투광판 90을 구비한다. 반도체 디바이스 100과 투광판 90은, 접합 부재 80에 의해 접합되어 있다.

플렉시블 배선판 300은, 반도체 장치 200의 외부접속 단자 41에 접속되고, 외부장치로부터 전력이나 신호를 입력하거나, 외부장치에 전력이나 신호를 출력하거나 하기 위해서 사용된 배선 부재다. 외부접속 단자 41과 플렉시블 배선판 300과의 전기적인 접속부는, 땜납과 이방성 도전막(AＣＦ)등의 도전부재 310에 의해 구성된다.

프레임 부재 320은, 커버 플레이트 340을 보유하는 보유 부재이며, 반도체 장치 200에 고정되어 있다. 따라서, 커버 플레이트 340과 투광판 90과의 사이에는, 프레임 부재 320으로 둘러싸여진 공간 330이 배치된다.

본 실시 형태의 반도체 장치 200은 표시장치 혹은 촬상 장치다. 반도체 디바이스 100은 표시 디바이스 혹은 촬상 디바이스다. 모듈 400은 표시 모듈 혹은 촬상 모듈이다.

도2a는, 제1의 실시 형태에 따른 반도체 장치 200의 단면도다. 도2b는 제1의 실시 형태에 따른 반도체 장치 200의 모식 평면도다. 도2a는, 반도체 장치 200의 단면도다. 도2b는, 반도체 디바이스 100의 주면상의 반도체 장치 200의 평면도다. 도2a는, 도2b의 선IIＡ-IIA를 따라 자른 반도체 장치 200의 단면도다. 이하, 평면에서 보아 본 실시 형태를 설명할 때에 있어서, "내측"의 어구는 반도체 디바이스 100 혹은 대향기판의 중심측을 나타내고, "외측"의 어구는 반도체 디바이스 100 혹은 투광판 90의 단부(edge)측을 나타낸다.

도2a에 나타낸 바와 같이, 반도체 디바이스 100은, 기판 101과, 그 기판 101의 일 주면 102측에 유효화소영역 110과, 유효화소영역 110의 주변의 주변영역 120을 구비한다. 본 실시 형태에서는, 주변영역 120은 반도체 디바이스 100의 주면에 대한 평면에서 보아 유효화소영역 110을 둘러싸도록 배치되어 있다. 도2a에서는, 반도체 디바이스 100은, 외부접속 단자 41이 설치된 단자영역 130을 더욱 가진다. 본 실시 형태에 있어서는, 주변영역 120은, 단자영역 130을 제외하고 유효화소영역 110의 주변의 영역이다.

반도체 디바이스 100은, 기판 101 위에 배치된 기능 소자 103과, 기능 소자 103 위에 배치된 광학부재인 칼라 필터층 104를 구비한다. 다시 말해, 반도체 디바이스 100은, 유효화소영역 110에 있어서 투광판 90측(투광판측)에 배치된 광학부재를 가진다. 기능 소자 103은, 반도체 디바이스 100이 발광 디바이스이면 발광 소자다. 기능 소자 103은, 반도체 디바이스 100이 표시 디바이스이면 표시 소자다. 기능 소자 103은, 반도체 디바이스 100이 촬상 장치이면 광전변환 소자 혹은 촬상 소자다. 기능 소자 103의 적어도 일부는, 기판 101의 내부에 형성되어 있어도 좋다. 예를 들면, 기능 소자 103이 트랜지스터를 구비하는 경우, 이 트랜지스터는 기판 101의 내부에 형성된 ＭＯＳ트랜지스터이어도 좋다. 기판 101은 반도체 기판이어도 좋고, 예를 들면, 실리콘 기판이어도 좋다. 표시 소자는, ＥＬ소자이어도 좋고, 액정소자이어도 좋으며, 또는 반사 소자이어도 좋다.

유효화소영역 110에는 복수의 유효화소가 배치되고, 유효화소영역 110은 반도체 디바이스 100이 표시 디바이스일 경우에는 표시 영역으로서 기능하고, 반도체 디바이스 100이 촬상 디바이스일 경우에는 촬상 영역으로서 기능한다. 유효화소영역 110은 직사각형 형상이며, 유효화소영역 110의 대각길이는, 예를 들면 5mm∼50mm이다.

주변영역 120에는 주변회로나 배선이 배치된다. 반도체 디바이스 100이 표시 디바이스일 경우, 상기 주변회로는, 유효화소를 구동하기 위한 구동회로와, 유효화소에 입력된 신호를 처리하는 디지털 아날로그 변환 회로(ＤＡＣ)등의 처리 회로를 구비한다. 반도체 디바이스 100이 촬상 디바이스일 경우, 주변회로는, 유효화소를 구동하기 위한 구동회로와, 유효화소로부터 출력된 신호를 처리하는 아날로그 디지털 변환 회로(ＡＤＣ) 등의 처리 회로를 구비한다. 주변영역 120은, 유효화소로서 기능하지 않는, 더미 화소, 기준화소, 테스트 화소 및 모니터 화소 등의 비유효화소를 구비할 수 있다.

다음에, 도3을 참조하여 기능 소자 103의 일례를 설명한다. 본 실시 형태에서는, 기능 소자 103은, 도3에 나타낸 유기발광 소자다. 유효화소영역 110에는, 복수의 화소ＰＸ가 평면에서 보아 이차원적으로 배열되어 있다. 각 화소ＰＸ는, 복수의 부화소ＳＰ로 구성된다. 이 부화소ＳＰ는 그 발광에 따라, 빨강 부화소ＳＰＲ, 초록 부화소ＳＰＧ 및 파랑 부화소ＳＰＢ로 분류될 수 있다. 발광 색은, 발광층으로부터 발광된 광의 파장으로 구별되어도 좋거나, 발광층으로부터 발광된 광이 칼라 필터층 104에 의한 선택적 투과 또는 색 변환을 경과해서 출사된 광의 파장으로 구별되어도 좋다.

기능 소자 103은, 트랜지스터 1031과, 층간절연층 1032와, 제1전극인 애노드 1033과, 제1전극의 단부를 덮는 절연층 1034와, 제1전극과 절연층 1034를 덮는 유기 화합물층 1035와, 제2전극인 캐소드 1036을 구비한다. 기능 소자 103 위에는 칼라 필터층 104가 배치되어 있고, 기능 소자 103과 칼라 필터층 104와의 사이에는 보호층 105가 형성되어 있다.

트랜지스터 1031은, 반도체 기판인 기판 101의 주면 102 위에 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 기판 101은 실리콘으로 구성되고, 트랜지스터 1031은 ＭＯＳ트랜지스터다. 트랜지스터 1031은 ＴＦＴ이어도 좋다.

층간절연층 1032는, 전기 절연층이며, 산화 실리콘이나 질화 실리콘등으로 구성될 수도 있다. 층간절연층 1032에는, 트랜지스터 1031에 전기적으로 접속된 콘택트 플러그가 배치되어 있다. 콘택트 플러그로서는 텅스텐 등으로 구성된 도전부재가 매립되어 있다. 층간절연층 1032의 내부에는, 콘택트 플러그를 통해 트랜지스터 1031과 전기적으로 접속된 배선 구조가 설치된다. 이 배선 구조는, 복수의 배선이 절연 부재를 통해 적층된 다층배선 구조이어도 좋다. 배선 구조로서는 알루미늄이나 구리 등의 금속부재를 사용할 수도 있고, 층간절연층 1032을 구성하는 절연 부재에의 금속확산을 저감하기 위해서, 배선 구조와 절연 부재와의 계면에 Ｔｉ, Ｔａ, ＴｉＮ, ＴａＮ등의 배리어 메탈을 설치해도 좋다. 층간절연층 1032의 내부에는, 용량소자가 더욱 설치되어도 좋다. 화소구동회로는, 트랜지스터 1032, 용량소자, 배선 구조 등으로 구성된다.

제1전극인 애노드 1033은, 층간절연층 1032 위에 배치되어 있고, 콘택트 홀을 통해 트랜지스터 1031과 전기적으로 접속되어 있다. 애노드 1033은 부화소ＳＰ마다 분리해서 개별로 설치된다.

애노드 1033의 구성요소 재료는, 일 함수가 될 수 있는 한 큰 것일 수 있다. 예를 들면, 금, 백금, 은, 구리, 니켈, 팔라듐, 코발트, 셀레늄, 바나듐, 텅스텐 등의 금속단체나, 이 금속단체들의 하나 또는 일부를 함유하는 혼합물, 혹은 이 금속단체들의 일부의 조합으로 이루어진 합금, 또는, 산화 주석, 산화 아연, 산화 인듐, 산화 인듐 주석(ＩＴＯ) 및 산화 인듐 아연 등의 금속산화물을, 상기 구성요소 재료로서 사용하여도 좋다. 상기 애노드 1033의 구성요소 재료로서, 폴리아닐린, 폴리피롤 및 폴리티오펜 등의 도전성 폴리머를 사용하여도 좋다.

이 전극물질들의 1종류를 단독으로 사용해도 좋거나, 2종류이상을 병용하여 사용해도 좋다. 상기 애노드 1033 각각은, 일층으로 구성되어도 좋거나, 복수의 층으로 구성되어도 좋다.

상기 애노드 1033을 반사 전극으로서 사용하는 경우에, 예를 들면 크롬, 알루미늄, 은, 티타늄, 텅스텐, 몰리브덴, 이 재료들의 일부의 합금이나, 이 재료들의 일부의 적층체 등을 사용하여도 좋다. 위의 재료를 사용하여, 전극으로서의 역할을 하지 않는 반사막으로서 기능하여도 좋다. 투명전극으로서 상기 애노드 1033을 사용할 경우에는, 산화 인듐 주석(ＩＴＯ), 산화 인듐 아연(ＩＺＯ)등의 산화물 투명 도전층, 또는 다른 도전층을 사용하여도 되지만, 그 재료는 이에 한정되지 않는다. 전극의 형성에는, 포토리소그래피 기술을 사용할 수도 있다.

절연층 1034는, 뱅크 또는 화소분리막이라고도 불린다. 이 절연층 1034는, 상기 제1전극의 단부를 덮고 있고, 제1전극의 각각을 둘러싸도록 배치되어 있다. 애노드 1033의 상면 중 절연층 1034가 배치되지 않고 있는 부분이, 유기 화합물층 1035와 접하여, 발광 영역이 된다. 바꾸어 말하면, 발광 영역은, 절연층 1034에 의해 획정되어 있다.

유기 화합물층 1035는, 정공주입층 10351, 정공수송층 10352, 발광층 10353, 전자수송층 10354 및 전자주입층 10355를 가진다. 유기 화합물층 1035의 구성은 한정되지 않는다. 유기 화합물층 1035는, 이 층들이외의 층을 더욱 구비하여도 좋거나, 발광층 10353이외의 적어도 1개의 층을 구비할 필요는 없다. 유기 화합물층 1035를 구성하는 각 층은 복수의 층으로 구성되어도 좋거나, 발광층 10353은 제1발광층과 제2발광층을 구비해도 좋다.

제2전극인 캐소드 1036은, 유기 화합물층 1035 위에 배치되어 있다.

캐소드 1036의 구성요소 재료로서는 일 함수가 작은 것일 수 있다. 캐소드 1036의 구성요소 재료의 예로서는, 리튬 등의 알칼리 금속, 칼슘 등의 알칼리 토류 금속, 알루미늄, 티타늄, 망간, 은, 납, 크롬 등의 금속단체, 및 이 금속단체들의 하나 또는 일부를 함유하는 혼합물이 있다. 혹은, 이 금속단체들의 일부의 조합으로 이루어진 합금을, 캐소드 1036의 구성요소 재료로서 사용하여도 좋다. 예를 들면, 캐소드 1036의 구성요소 재료의 예로서, 마그네슘-은, 알루미늄-리튬, 알루미늄-마그네슘, 은-구리, 아연-은 등을 사용하여도 좋다.

산화 인듐 주석(ＩＴＯ)등의 금속산화물을, 캐소드 1036의 구성요소 재료로서 사용하여도 좋다. 이 전극물질들의 1종류를 단독으로 사용해도 좋거나, 2종류이상을 병용해서 사용해도 좋다. 상기 캐소드 1036은, 단일층으로 구성되어도 좋거나, 다층으로 구성되어도 좋다. 그 중에서, 은을 사용할 수 있고, 한층 더, 은의 응집을 저감하는 데 은합금을 사용할 수 있다. 은의 응집을 저감하면, 합금의 비율은 문제가 되지 않는다. 예를 들면, 은 대 다른 금속의 비율은, 1 대 1, 3 대 1 등이어도 좋다.

캐소드 1036은 ＩＴＯ등으로 이루어진 산화물 도전층을 사용해서 탑 에미션 소자로서 이루어져도 좋거나, 알루미늄(Ａｌ) 등으로 이루어진 반사 전극을 사용해서 보텀 에미션 소자로서 이루어져도 좋다. 이 캐소드 1036의 배치는 한정되지 않는다. 캐소드 1036의 형성 방법은 한정되지 않는다. 직류 및 교류 스퍼터링법 등을 사용하면, 막의 커버리지가 좋고, 저항을 감소시키기 쉬워서, 보다 바람직하다.

보호층 105는, 유기 화합물층 1034에 수분이 침투하는 것을 저감한다. 보호층 105는, 일층으로서 나타내어져 있지만, 복수층이어도 좋다. 층마다 무기화합물층 또는 유기 화합물층이 설치되어도 좋다. 예를 들면, 캐소드 1036을 형성후에 진공을 깨지 않고 다른 쳄버에 반송하고, ＣＶＤ법으로 두께 2μm의 질화 실리콘막을 형성함으로써, 상기 보호층 105를 설치하여도 좋다. ＣＶＤ법으로 증착 후에, 원자퇴적법(ＡＬＤ법)을 사용하여 보호층을 설치해도 좋다.

ＡＬＤ법에 의해 형성된 막의 재료는, 한정되지 않고, 질화 실리콘, 산화 실리콘, 산화 알루미늄 등이어도 좋다. ＡＬＤ법으로 형성한 막의 위에, 한층 더 ＣＶＤ법으로 질화 실리콘을 형성해도 좋다. ＡＬＤ법에 의해 형성된 막의 막 두께는, ＣＶＤ법에 의해 형성된 막의 막 두께미만이어도 좋다. 구체적으로는, ＡＬＤ법에 의해 형성된 막의 막 두께는, ＣＶＤ법에 의해 형성된 막의 막 두께의 50%이하, 더욱이, 10%이하이어도 좋다.

보호층 105 위에는, 평탄화층이 설치되어도 좋다. 이 평탄화층은, 하부층의 요철을 저감할 목적으로 설치된다. 평탄화층은, 그 목적을 제한하지 않고 수지재료층이라고 불리는 경우도 있다. 평탄화층은, 유기 화합물로 구성되어도 좋고, 저분자 화합물 또는 고분자 화합물이어도 좋다. 평탄화층은, 고분자 화합물일 수 있다.

평탄화층은, 칼라 필터층 104의 상부측 및 하부측에 설치되어도 좋고, 그 층들의 구성요소 재료는 동일해도 달라도 좋다. 구체적으로는, 평탄화층은, 폴리비닐칼바졸 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에스테르 수지, ＡＢＳ수지, 아크릴수지, 폴리이미드 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 요소수지 등이어도 좋다.

본 실시 형태에 있어서, 반도체 디바이스 100은, 기판 101의 주면 102측에 배치된 칼라 필터층 104를 구비한다. 칼라 필터층 104는, 적어도, 유효화소영역 110 위에 배치되어 있다.

칼라 필터층 104의 유효화소영역 110 위에 배치된 부분은, 복수의 칼라 필터가 어레이형으로 배치되도록 구성된다. 칼라 필터층 104는, 적색 칼라 필터 104R, 녹색 칼라 필터 104G 및 청색 칼라 필터 104B를 구비하지만, 이것에 한정되지 않고, 다른 색, 이를테면 시안, 마젠타 및 옐로우 등의 칼라 필터를 구비해도 좋다. 각각의 색의 칼라 필터의 배열은, 스트라이프 배열, 델타 배열, 베이어(Bayer) 배열 등이며, 본 실시 형태에서는 델타 배열이다.

칼라 필터층 104는, 상기 주변영역 120 위에 배치된 부분을 구비해도 좋다. 이때, 칼라 필터층 104의 주변영역 120 위에 배치된 부분은, 단색의 칼라 필터가 연장하는 부분인 단색부를 구비한다. 더욱이, 칼라 필터층 104의 주변영역 120 위에 배치된 부분은, 복수의 색의 칼라 필터가 어레이형으로 배치된 부분인 복색부를 구비해도 좋다. 여기서, 단색부에 있어서의 단색의 칼라 필터의 폭은, 칼라 필터층 104 중 유효화소영역 110 위에 배치된 부분에 있어서의 단색의 칼라 필터의 폭(즉, 1부화소의 폭)보다도 크다. 단색부에 있어서의 단색의 칼라 필터의 폭은, 복색부에 있어서의 단색의 칼라 필터의 폭보다도 크다. 단색부에 있어서의 단색의 칼라 필터의 색으로서는, 칼라 필터층 104에 구비된 복수색의 칼라 필터 중, 가시 광 영역에 있어서의 흡수 파장이 최단인 것을 사용할 수 있다. 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 시안, 마젠타 및 옐로우 중에서는 청색 필터를 단색부에 사용할 수 있다.

투광판 90은, 투광성을 가지는 판형부재다. 투광판 90은, 반도체 디바이스 100의 일 주면 102측과 대향하도록 배치되어, 반도체 디바이스 100을 보호하는 기능을 가진다. 투광판 90의 재질은, 한정되지 않고, 유리나 경질 수지이어도 좋다.

다음에, 본 실시 형태의 1개의 특징인 접합 부재 80에 대해서 설명한다. 도2a에 나타낸 바와 같이, 접합 부재 80은, 제1접합 부재 81과 제2접합 부재 82를 구비한다.

제1접합 부재 81은, 주변영역 120 위에 설치되고, 주변영역 120과 투광판 90과의 사이에 배치된다. 여기에서, 제1접합 부재 81은, 유효화소영역 110을 둘러싸도록 주변영역 120 위에 배치되어 있다. 제1접합 부재 81은, 직사각형 프레임 형상을 가지고 있다. 제1접합 부재 81은, 유효화소영역 110을 연속해서 둘러싸고 있어도 좋거나, 유효화소영역 110과 투광판 90에 의해 둘러싸여진 공간이 외부와 연통하는 개구부를 부분적으로 가지고 있어도 좋다. 평면에서 보아 제1접합 부재 81의 형상은 한정되지 않는다. 제1접합 부재 81의 형상은, 본 실시 형태와 같이 다각형의 프레임 형상이어도 좋고, 원 또는 타원의 프레임 형상이어도 좋고, 또는 어떠한 코너도 없이 폐곡선형의 프레임 형상이어도 좋다.

제1접합 부재 81의 재질은 한정되지 않고, 수지가 제1접합 부재 81에 사용될 수 있다. 제1접합 부재 81을 구성하는 수지는, 한정되지 않는다. 그 수지로서는, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 실리콘 수지 등을 사용해도 좋고, 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 제1접합 부재 81은, 수지 비즈나 실리카 비즈 등의 스페이서를 더욱 함유하고 있어도 좋다. 제1접합 부재 81은, 제2접합 부재 82보다도 투습성(수분투과율)이 낮은 재질로 구성될 수 있다. 따라서, 고습환경하에서도, 제2접합 부재 82에 수분이 침입하는 것으로 인해 제2접합 부재 82가 팽윤한 결과로 내부응력이 상승하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 투광판 90의 접합 신뢰성을 향상시킨다.

제2접합 부재 82는, 적어도 유효화소영역 110 위에 설치되고, 유효화소영역 110과 투광판 90과의 사이에 배치된다. 여기에서, 제2접합 부재 82는, 주변영역 120 위에서, 유효화소영역 110 위의 영역과 제1접합 부재 81과의 사이의 영역에도 설치된다. 더욱이, 제2접합 부재 82의 외측 단부와 제1접합 부재 81의 내측 단부는 서로 접하여 있다. 다시 말해, 제2접합 부재 82는, 유효화소영역 110으로부터 주변영역 120까지, 2개의 영역 사이의 경계를 가로질러 배치되어 있다. 제2접합 부재 82는, 주변영역 120 위에 제1접합 부재 81과 접하여 있다. 제1접합 부재 81과 제2접합 부재 82와의 사이의 계면을 계면S1이라고 하면, 제1접합 부재 81과 제2접합 부재 82는 계면S1을 통해 서로 접하여 있는 것으로서 간주된다.

제2접합 부재 82는 수지로 구성된다. 제1접합 부재 81을 구성하는 수지는 한정되지 않는다. 그 수지로서는, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 실리콘 수지등을 사용하여도 좋고, 아크릴 수지를 사용할 수 있다. 제2접합 부재 82를 구성하는 수지로서는, 적어도 가시 광 영역 파장에 있어서의 광의 투과성이 높은 수지를 사용할 수 있다. 또한, 투광판 90과의 계면에 있어서의 반사나 굴절을 저감하기 위해서, 투광판 90과의 굴절률의 차이가 작은 재료를 사용할 수 있다. 투광판 90으로서 유리(굴절률 1.5)를 사용할 경우에는, 제2접합 부재 82의 굴절률은, 1.4∼1.6이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.45∼1.55이다.

제1접합 부재 81이 수지로 구성될 경우에는, 제1접합 부재 81을 구성하는 수지와 제2접합 부재 82를 구성하는 수지는, 같은 조성의 수지이어도 좋거나, 상이한 조성의 수지이어도 좋다. 제1접합 부재 81과 제2접합 부재 82는 상이한 조성의 수지로 구성될 수 있다. 바꾸어 말하면, 제1접합 부재 81은 제1수지로 구성되고, 제2접합 부재 82는 제2수지로 구성될 수 있다. 상술한 바와 같이, 제2접합 부재 82에는 광투과율 등의 광학적인 특성이 요구되고, 제1접합 부재 81에는 강도나 저투습성 등의 특성이 요구된다. 이 때문에, 각각의 부재에 적합한 조성의 수지는, 그 부재에 사용될 수 있다. 제1접합 부재 81과 제2접합 부재 82가 같은 조성의 수지로 구성될 경우에도, 제1접합 부재 81과 제2접합 부재 82의 형성의 방법에 따라, 제1접합 부재 81과 제2접합 부재 82와의 사이에 계면S1이 형성된다. 후술하듯이, 이것은, 예를 들면, 경화성 수지를 경화시켜서 제1접합 부재 81을 형성한 후에, 제1접합 부재 81의 내측에 경화성 수지를 충전하고, 충전된 경화성 수지를 경화시켜서 제2접합 부재 82를 형성하는 경우다.

제2접합 부재 82는, 적어도 유효화소영역 110 위에 배치된 제1부분 82a와, 제1부분 82a의 주변의 주변영역 120 위에 배치된 제2부분 82b를 가진다. 여기에서는, 제2부분 82b가, 계면S1을 통해 제1접합 부재 81과 접하여 있다.

제1부분 82a와 제2부분 82b는, 같은 종류의 수지로 각각 구성되어 있지만, 제2부분 82b를 구성하는 수지는, 제1부분 82a를 구성하는 수지보다도 경화율이 낮다. 이에 따라, 제2부분 82b는 제1부분 82a보다도 탄성율이 낮다.

일반적으로, 접합 부재 80의 열팽창 계수는, 투광판 90의 열팽창 계수 또는 반도체 디바이스 100의 열팽창 계수와 다르다. 예를 들면, 접합 부재 80이 수지로 구성되는 경우에는, 접합 부재 80은, 투광판 90 및 반도체 디바이스 100의 주 재료로서 사용된 유리나 실리콘보다도 1자리 또는 2자리 큰 열팽창 계수를 가진다. 접합 부재 80이 투광판 90 및 반도체 디바이스 100의 각각보다도 큰 열팽창 계수, 혹은 작은 열팽창 계수를 가지면, 접합 부재 80과, 투광판 90 및 반도체 디바이스 100의 각각에서, 온도에 의한 체적변화가 다르게 된다. 예를 들면, 접합 부재 80이 투광판 90 및 반도체 디바이스 100의 각각보다도 큰 열팽창 계수를 가질 경우에는, 온도변화의 경우에, 접합 부재 80이 투광판 90 및 반도체 디바이스 100의 각각보다도 크게 체적이 변화되게 된다. 이 결과, 접합 부재 80의 내부응력이 상승한다. 접합 부재 80의 내부응력이 상승하면, 제1접합 부재 81과 제2접합 부재 82와의 사이의 계면S1 또는 다른 부분에 있어서 균열이나 파손이 생기기 쉬워져, 접합 신뢰성이 바람직하지 않게 저하한다. 이것은, 제1접합 부재 81과 제2접합 부재 82와의 조성의 차이, 또는 그 밖의 요인으로부터, 제1접합 부재 81과 제2접합 부재 82의 열팽창 계수가 상이한 경우에 현저할 것이다.

한편, 본 실시 형태에서는, 제2접합 부재 82가, 제1부분 82a와, 제1부분 82a보다도 경화율이 낮은 제2부분 82b를 가진다. 제2부분 82b는 계면S1을 통해 제1접합 부재 81과 접하여 있다. 이에 따라, 접합 부재 80의 내부응력이 상승할 때도, 경화율이 낮고 탄성율이 낮은 제2부분 82b에 의해, 계면S1에 가해진 응력이 완화된다.

이렇게, 제2부분 82b가 응력완충부로서 기능하기 때문에, 계면S1에 있어서의 균열이나 파손의 발생이 감소된다. 이 결과, 투광판 90의 접합 신뢰성을 향상시킨다.

제2부분 82b는 제1부분 82a보다도 경화율이 낮은 부분이면, 그 경화율은 한정되지 않는다. 제1부분 82a의 경화율이 1인 경우, 제2부분 82b의 경화율은, 0.95이하이어도 좋고, 0.9이하이어도 좋거나, 0.8이하이어도 좋다. 제1부분 82a와 제2부분 82b 각각의 경화율은, ＦＴ-ＩＲ에 의해 비닐기와 아크릴기 등의 중합성 관능기의 피크 강도에 근거해서 산출될 수 있다.

도2a에 나타낸 바와 같이, 투광판 90은 저투과율층 6을 가지고 있어도 좋다. 저투과율층 6은, 제2접합 부재 82를 경화시키기 위해서 조사된 광의 투과율이, 투광판 90보다도 낮은 층이다. 저투과율층 6은, 반도체 디바이스 100의 주면에 대한 평면에서 보아, 유효화소영역 110과는 겹치지 않고 주변영역 120과 겹치도록 배치되어 있다.

상세히 후술하지만, 본 실시 형태에서는 자외선(ＵＶ)을 조사해서 제2접합 부재 82를 경화시키기 때문에, 저투과율층 6은, 자외선의 투과율이 투광판 90보다도 낮은 층이다. 보다 구체적으로는, 본 실시 형태에 있어서의 저투과율층 6은, 파장 365ｎｍ의 광의 투과율이 투광판 90보다도 낮은 층이다. 저투과율층 6은 차광층 혹은 광흡수층이어도 좋다. 제2접합 부재 82를 경화시키기 위해서 조사하는 광이 가시 광이면, 저투과율층 6은, 가시 광 영역 파장의 광의 투과율이 투광판 90의 투과율보다도 낮은 층이어도 좋다. 자외선(ＵＶ)으로 제2접합 부재 82를 경화시키는 경우이어도, 저투과율층 6은 자외선의 투과율이 투광판 90보다도 낮은 층이어도 좋고, 저투과율층 6은 가시 광 영역 파장의 광의 투과율이 투광판 90보다도 낮은 층이어도 좋다. 저투과율층 6이 가시 광 영역 파장의 광의 투과율이 낮은 층인 경우, 투광판 90의 표면에서의 광의 반사를 감소시킬 수 있다.

이에 따라, 반도체 장치 200의 표시와 촬상의 품질을 향상시킨다.

바꾸어 말하면, 투광판 90은, 저투과율층 6을 가질 때, 저투과율층 6이 배치되지 않고 있는 제1영역과, 저투과율층 6이 배치된 제2영역을 가지고 있다고도 간주된다. 제2영역은, 제2접합 부재 82를 경화시키기 위해서 조사하는 광의 투과율이, 제1영역보다도 낮은 영역이다. 반도체 디바이스 100의 주면에 대한 평면에서 보아, 상기 제1영역은 유효화소영역 110과 겹치도록 배치되어 있고, 제2영역은 주변영역 120과 겹치도록 배치되어 있다.

저투과율층 6은, 도2a에 나타낸 바와 같이, 투광판 90의 반도체 디바이스 100과 대향하는 면과는 반대측의 면 위에 배치될 수 있다. 저투과율층 6은, 도2b에 나타낸 바와 같이, 반도체 디바이스 100의 주면에 대한 평면에서 보아 유효화소영역 110을 둘러싸도록 배치되어 있다. 제2접합 부재 82의 제1부분 82a는 제2접합 부재 82 중, 유효화소영역 110 위에 배치되어 있는 부분이어도 좋다. 제2부분 82b는 제2접합 부재 82 중, 저투과율층 6 밑에 배치되어 있는 부분이어도 좋다. 반도체 디바이스 100의 주면에 대한 평면에서 보아, 저투과율층 6의 내측 단부는, 제2접합 부재 82의 제2부분 82b의 내측 단부와 일치할 수 있다. 반도체 디바이스 100의 주면에 대한 평면에서 보아, 계면S1은, 저투과율층 6과 중첩할 수 있다. 후술하는 것 같이, 반도체 디바이스 100 위에 도포된 제2접합 부재 82를 형성하기 위한 조성물에 대하여 저투과율층 6 및 투광판 90을 통해 광조사 함으로써, 제1부분 82a와 제2부분 82b를 쉽게 형성할 수 있다.

도2b에 나타낸 바와 같이, 제2부분 82b는, 칼라 필터층 104의 단부를 덮도록 배치되어 있다. 칼라 필터층 104의 단부에 있어서, 반도체 디바이스 100의 표면에는 단차부가 있다. 상술한 바와 같이, 일반적으로, 접합 부재 80의 열팽창 계수는 투광판 90의 열팽창 계수 및 반도체 디바이스 100의 열팽창 계수와 상이하기 때문에, 온도변화로 인해 접합 부재 80의 내부응력이 상승한다. 접합 부재 80의 내부응력이 상승하는 경우에는, 이러한 단차부를 덮는 부분에 있어서 응력이 집중하기 쉽고, 균열이나 파손이 생기기 쉬워져, 접합 신뢰성이 저하하게 된다. 그러므로, 본 실시 형태에서는 이렇게 응력이 생기기 쉬운 단차부에, 경화율이 낮고 탄성율이 낮은 제2부분 82b를 배치하고 있다. 제2부분 82b는, 제1부분 82a등을 구비하는 상기 접합 부재 80의 다른 부분보다도 탄성율이 낮기 때문에, 응력집중에 의한 균열이나 파손의 발생을 감소시킨다. 이 결과, 접합 신뢰성을 향상시킨다.

또한, 본 실시 형태에서는 칼라 필터층 104가 특히 큰 단차부를 생기게 하므로 칼라 필터층 104의 단부를 제2부분 82b로 덮고 있지만, 그 구성은 이것에 한정되지 않는다. 하나의 단면에 있어서, 유효화소영역 110의 외측 단부로부터 제1접합 부재 81의 내측 단부까지 가장 큰 레벨차를 가지는 단차부를 덮도록, 제2부분 82b를 배치할 수 있다. 예를 들면, 칼라 필터층 104 위에 광학부재인 마이크로렌즈 어레이층이 배치되고, 마이크로렌즈 어레이층의 단부에 있어서도 단차부가 형성되는 구성에 있어서는, 마이크로렌즈 어레이층의 단부를 덮도록, 제2부분 82b를 배치할 수 있다.

반도체 장치의 제조 방법

다음에, 도4a 내지 4f를 참조하여 본 실시 형태에 따른 반도체 장치 200의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도4a 내지 4f는, 제1의 실시 형태에 따른 반도체 장치 200의 제조 방법을 설명하는 모식도다.

도4a에 나타낸 바와 같이, 기판 101의 적어도 유효화소영역 110 위에 기능 소자 103과 칼라 필터층 104를 형성한다. 여기에서, 기능 소자 103은 유효화소영역 110 위뿐만 아니라 주변영역 120의 일부 위에도 형성된다. 그러나, 그 구성은 이것에 한정되지 않는다. 기능 소자 103의 적어도 일부는, 주변영역 120의 전역에 걸쳐 형성되어 있어도 좋다. 본 실시 형태에 있어서는, 기능 소자 103을 구성하는 층간절연층 1032가, 주변영역 120의 전역에 걸쳐 형성되어 있다. 또한, 보호층 105도 주변영역 120의 전역에 걸쳐 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 층간절연층 1032 및 보호층 105는, 기판 101의 일 주면 102에 대한 평면에서 보아 유기 화합물층 1035 외측으로 연장하도록 설치된다. 따라서, 유기 화합물층 1035에의 수분의 침입을 효과적으로 막아서, 기능 소자 103의 수명이 연장하게 된다.

그 다음에, 도4b에 나타낸 바와 같이, 기판 101의 주변영역 120 위에 제1접합 부재 81을 형성한다(제1접합 부재 형성단계). 본 실시 형태에서는, 제1접합 부재 81은 수지로 구성되고, 제1접합 부재 81을 형성하기 위한 제1경화성 조성물은 디스펜스법, 스크린 인쇄법 및 플렉소그래픽 인쇄법 등의 수법에 의해 도포 및 형성된다. 제1경화성 조성물을 도포한 후에, ＵＶ조사나 가열을 행하는 것으로 제1경화성 조성물을 경화시켜서, 제1접합 부재 81이 형성하게 된다. 본 단계에서는, 제1접합 부재 81을 경화시킬 필요는 없다. 후술하듯이 제2접합 부재 82를 경화시키는 단계에서 동시에 제1접합 부재 81을 경화시켜도 좋다. 혹은, 본 단계에서는 제1접합 부재 81을 부분적으로 혹은 약간 경화시켜도 좋고, 제2접합 부재 82를 경화시키는 단계에 있어서 제1접합 부재 81을 더욱 경화시켜도 좋다.

그 후, 도4c에 나타낸 바와 같이, 기판 100의 일 주면 102의 제1접합 부재 81로 구획되되 유효화소영역 110을 구비하는 영역에, 수지로 구성된 제2접합 부재 82를 형성하기 위한 조성물인 제2경화성 조성물 82c가 도포된다. 제2경화성 조성물 82c는, 광경화성 조성물이다. 제2경화성 조성물 82c는, 디스펜스법에 의해 적당량이 도포된다. 여기에서, 적당량은, (후술의) 투광판 90을 접합시키는 단계에 있어서 제1접합 부재 81의 내측 단부 근방까지 제2경화성 조성물 82c가 젖어 확산되고, 또 제1접합 부재 81의 외측에 제2경화성 조성물 82c가 비어져 나오지 않는 정도의 분량이다.

그 다음에, 도4d에 나타낸 바와 같이, 기판 101의 일 주면 102와 대향하도록, 투광판 90을 접합한다(접합 단계). 투광판 90을 접합함으로써, 기판 101 위에 도포된 제2경화성 조성물 82c를 눌러 확산시키고, 제1접합 부재 81과 반도체 디바이스 101과 투광판 90에 의해 둘러싸여진 공간내가 제2경화성 조성물 82c에 의해 충전된다. 기판 101과 투광판 90을 서로 접합하는 단계는, 제2경화성 조성물 82c의 내부에 이물이나 기포가 혼입하는 것을 방지하기 위해서, 진공 혹은 저압 환경에서 행해질 수 있다.

그 후, 도4e에 나타낸 바와 같이, 투광판 90 위에 저투과율층 6을 형성한다. 저투과율층 6은 투광판 90 위에 도포 형성되어도 좋거나, 도포된 후에 패터닝 해서 형성되어도 좋다. 혹은, 패터닝된 저투과율층 6을 투광판 90 위에 접합해서 형성해도 좋다. 여기에서, 투광판 90을 기판 101에 접합한 후에 저투과율층 6을 형성했지만, 그 구성은 이것에 한정되지 않는다. 저투과율층 6이 미리 형성된 투광판 90을 기판 101에 접합하여도 좋다. 저투과율층 6은, 기판 101의 일 주면 102에 대한 평면에서 보아 제1접합 부재 81의 내측 단부를 덮도록 형성된다. 바꾸어 말하면, 저투과율층 6은, 기판 101의 일 주면 102에 대한 평면에서 보아 제1접합 부재 81과 제2경화성 조성물 82c와의 사이의 계면을 덮도록 형성된다. 투광판 90내에서, 저투과율층 6과 겹치는 영역이 제1영역이고, 저투과율층 6과 겹치지 않는 영역이 제2영역이다.

그 다음에, 투광판 90의 기판 101과는 반대측의 면으로부터, 저투과율층 6을 통해 자외선(ＵＶ선)을 조사한다(광조사 단계). 여기에서는, 기판 101의 일 주면 102에 법선방향으로, ＵＶ선을 조사한다. 이때, 제2경화성 조성물 82c 중 저투과율층 6과 겹치는 부분에 조사된 광은, 저투과율층 6과 겹치지 않는 부분에 조사된 광보다 적거나 약하다. 다시 말해, 제2경화성 조성물 82c 중 제2영역과 겹치는 부분에 조사된 광은, 제1영역과 겹치는 부분에 조사된 광보다 적거나 약하다.

이에 따라, 제2경화성 조성물 82c 중 저투과율층 6에 의해 덮어져 있었던 부분은, 덮어져 있지 않았던 부분보다 경화율이 낮다.

본 실시 형태에 따른 광조사 단계에서는, 상술한 바와 같이, 투광판 90의 제1영역이 유효화소영역 110과 겹치고, 투광판 90의 제2영역이 제1접합 부재 81과 제2경화성 조성물 82c와의 사이의 계면과 겹친 상태로, 제2경화성 조성물 82c에의 광조사가 행해진다. 이 결과, 도4f에 나타낸 바와 같이, 제2경화성 조성물 82c를 경화해서 얻어진 제2접합 부재 82는, 경화율이 상이한 제1부분 82a와 제2부분 82b를 구비한다. 제2부분 82b는, 제1부분 82a보다도 경화율이 낮고 탄성율이 낮은 부분이다. 탄성율이 낮은 부분인 제2부분 82b는, 제1접합 부재 81과 제2접합 부재 82와의 사이의 계면S1을 구성한다. 이 구성에 의해, 상술한 바와 같이, 계면S1에 있어서의 균열이나 파손의 발생이 감소되어서, 투광판 90의 접합 신뢰성이 향상하게 된다.

제2의 실시 형태

도5a는, 제2의 실시 형태에 따른 반도체 장치 201의 단면도다. 도5b는, 제2의 실시 형태에 따른 반도체 장치 201의 모식 평면도다. 도5a는, 반도체 장치 201의 단면도다. 도5b는, 반도체 디바이스 100의 주면의 반도체 장치 201의 평면도다. 도5a는, 도5b의 선VA-VA를 따라 자른 반도체 장치 201의 단면도다. 이하, 제1의 실시 형태와 공통인 부분에 대해서는 설명을 반복하지 않는다.

제2의 실시 형태에 따른 반도체 장치 201은, 제1접합 부재 81 및 제2접합 부재 82의 배치 및 형성 방법에 있어서, 제1접합 부재에 따른 반도체 장치 200과 상이하다. 제1의 실시 형태에서는, 제1접합 부재 81이, 유효화소영역 110의 주위를 끝없이 둘러싸도록 배치되어 있다. 한편, 본 실시 형태에서는, 도5b에 나타낸 바와 같이, 파선으로 표시된 제1접합 부재 81이 개구부 81ＯＰ를 가지고 있다. 개구부 81ＯＰ는, 반도체 디바이스 100, 투광판 90 및 제1접합 부재 81로 둘러싸여진 공간이 외부공간과 연통하는 부분이다. 저투과율층 6은, 기판 101의 일 주면 102에 대한 평면에서 보아, 개구부 81ＯＰ를 부분적으로 덮도록 설치된다.

개구부 81ＯＰ에는 제2접합 부재 81이 배치되어 있고, 개구부 81ＯＰ 중 유효화소영역 110에 가까운 부분에 제2접합 부재 81의 제2부분 82b가 배치되고, 유효화소영역 110으로부터 먼 부분에 제2접합 부재 81의 제3부분 82d가 배치되어 있다. 제2부분 82b는, 제3부분 82b보다도 경화율이 낮은 부분이다.

본 실시 형태의 경우와 같이 제1접합 부재 81이 개구부 81ＯＰ를 가질 경우, 개구부 81ＯＰ는 수분의 침입 경로가 될 수 있기 때문에, 개구부 81ＯＰ에는 투습성이 보다 낮은 접합 부재를 배치할 수 있다. 그러므로, 본 실시 형태의 경우와 같이, 개구부 81ＯＰ에는, 경화율이 높은 제3부분 82d를 배치할 수 있다. 그러나, 온도변화에 의해 제2접합 부재 82 중 유효화소영역 110 위에 배치된 부분의 내부응력이 상승하면, 제1접합 부재 81에 의해 둘러싸여 있지 않은 부분, 즉, 개구부 81ＯＰ에 응력이 집중하기 쉬워진다.

그 결과, 개구부 81ＯＰ에 배치된 제3부분 82d에 응력이 집중하여서, 균열이나 파손이 생기기 쉬워진다. 한편, 본 실시 형태에서는, 개구부 81ＯＰ의 내부이며, 제3부분 82d와 유효화소영역 110과의 사이에, 제3부분 82d보다도 경화율이 낮은 제2부분 82b를 배치하고 있다. 이렇게, 경화율이 낮고 탄성율이 낮은 제2부분 82b를 배치함으로써, 제3부분 82d에 가해진 응력이 완화된다. 이렇게, 제2부분 82b가 응력완충부로서 기능하기 때문에, 개구부 81ＯＰ에 있어서의 균열이나 파손의 발생이 감소된다. 이 결과, 투광판 90의 접합 신뢰성을 향상시킨다.

반도체 장치의 제조 방법

다음에, 도6a 내지 6f를 참조하여 제2의 실시 형태에 따른 반도체 장치 201의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도6a 내지 6f는, 제2의 실시 형태에 따른 반도체 장치 201의 제조 방법을 설명하는 모식도다. 제1의 실시 형태와 공통인 부분에 대해서는 설명을 간략화한다.

도6a에 나타낸 바와 같이, 기판 101의 적어도 유효화소영역 110 위에 기능 소자 103과 칼라 필터층 104를 형성한다.

그 다음에, 도6b에 나타낸 바와 같이, 기판 101의 주변영역 120 위에 제1접합 부재 81을 형성한다. 이때, 제1접합 부재 81은 유효화소영역 110의 외부에 개구부 81ＯＰ를 가지도록 형성된다(제1접합 부재 형성단계).

그 다음에, 도6c에 나타낸 바와 같이, 기판 101의 일 주면 102와 대향하도록, 투광판 90을 접합한다(접합 단계). 기판 101에 투광판 90을 접합한 후에, 제1접합 부재 81을 더욱 경화시켜도 좋다.

그 후, 도6d에 나타낸 바와 같이, 개구부 81ＯＰ로부터 제2경화성 조성물 82c를 주입하고, 상기 반도체 디바이스 100, 상기 투광판 90 및 상기 제1접합 부재 81에 의해 형성된 공간과 상기 개구부 81ＯＰ내에 제2경화성 조성물 82c를 충전한다.

그 다음에, 도6e에 나타낸 바와 같이, 투광판 90 위에 저투과율층 6을 형성한다. 저투과율층 6은, 기판 101의 일 주면 102에 대한 평면에서 보아, 제1접합 부재 81의 내측 단부를 덮도록 형성된다. 제1접합 부재 81의 개구부 81ＯＰ에 있어서는, 저투과율층 6은 개구부 81ＯＰ 중 적어도 일부를 덮도록 형성된다. 여기에서, 저투과율층 6은 개구부 81ＯＰ 중 유효화소영역 110에 가까운 측을 부분적으로 덮도록 형성된다. 투광판 90에 있어서, 저투과율층 6과 겹치는 영역이 제1영역이고, 저투과율층 6과 겹치지 않는 영역이 제2영역이다.

그 다음에, 투광판 90의 기판 101과는 반대측의 면으로부터, 저투과율층 6을 통해 자외선(ＵＶ선)을 조사한다(광조사 단계). 여기에서, 기판 101의 일 주면 102에 법선방향으로, ＵＶ선을 조사한다. 이때, 제2경화성 조성물 82c 중 저투과율층 6과 겹치는 부분에 조사된 광은, 저투과율층 6과 겹치지 않는 부분에 조사된 광보다 적거나 약하다. 다시 말해, 제2경화성 조성물 82c 중 제2영역과 겹치는 부분에 조사된 광은, 제1영역과 겹치는 부분에 조사된 광보다 적거나 약하다. 이에 따라, 제2경화성 조성물 82c 중 저투과율층 6에 의해 덮어져 있었던 부분은, 덮어져 있지 않았던 부분보다 경화율이 낮다.

이 결과, 도6f 및 도5b에 나타낸 바와 같이, 제2경화성 조성물 82c를 경화해서 얻어진 제2접합 부재 82는, 경화율이 상이한 제1부분 82a, 제2부분 82b 및 제3부분 82d를 구비한다. 제2부분 82b는, 제1부분 82a 및 제3부분 82d보다도 경화율이 낮고 탄성율이 낮은 부분이다. 제1부분 82a와 제3부분 82d의 경화율은 동일해도 좋거나, 제3부분 82d의 경화율은 제1부분 82a의 경화율보다도 높아도 좋다. 탄성율이 보다 낮은 부분인 제2부분 82b는, 제1접합 부재 81과 제2접합 부재 82와의 사이의 계면S1을 구성한다. 추가로, 탄성율이 낮은 부분인 제2부분 82b는, 개구부 81ＯＰ의 유효화소영역 110에 가까운 부분에 배치된다. 이 구성에 의해, 상술한 바와 같이, 계면S1이나 개구부 81ＯＰ에 있어서의 균열이나 파손의 발생이 감소되어서, 투광판 90의 접합 신뢰성이 향상하게 된다.

제3의 실시 형태

도7은, 제3의 실시 형태에 따른 반도체 장치 202의 모식 평면도다. 이하, 제2의 실시 형태와 공통인 부분에 대해서는 설명을 반복하지 않는다.

제2의 실시 형태에서는, 기판 101의 일 주면 102에 대한 평면에서 보아 유효화소영역 110을 둘러싸도록 프레임형의 저투과율층 6을 배치하고 있었다. 한편, 본 실시 형태에서는, 도7에 나타낸 바와 같이, 저투과율층 6을 부분적으로 배치하고 있다. 구체적으로는, 평면에서 보아, 제1접합 부재 81의 내측 단부의 4개의 코너를 덮도록, 4개의 저투과율층 6을 배치하고 있다. 이 4개의 저투과율층 6은, 칼라 필터층 104의 4개의 코너를 각각 덮고 있어도 좋다. 또한, 평면에서 보아, 제1접합 부재 81의 개구부 81ＯＰ의 유효화소영역 110에 가까운 부분을 덮도록, 1개의 저투과율층 6을 배치하고 있다. 그 때문에, 5개의 저투과율층 6의 각각의 아래에, 경화율이 낮은 제2부분 82b가 형성된다.

이렇게, 본 실시 형태에서는, 제1의 접합 부재 81의 코너에 각각 접하여 있는 부분에, 경화율이 각각 낮은 제2부분 82b를 각각 배치하고 있다. 또한, 개구부 81ＯＰ의 유효화소영역 110에 가까운 부분에, 경화율이 낮은 제2부분 82b를 배치하고 있다. 제2접합 부재 82내에서, 제1의 접합 부재 81의 코너와 각각 접하는 부분 및 개구부 81ＯＰ의 내부에 배치된 부분은, 온도변화 등에 의해 제2접합 부재 82의 내부응력이 상승할 때에, 응력이 집중하기 쉬운 부분이다. 본 실시 형태에서는 이러한 부분에 각기 경화율이 낮고 탄성율이 낮은 제2부분 82b를 배치하고 있다. 이에 따라, 응력이 집중하기 쉽고 균열이나 파손이 발생하기 쉬운 부분에 있어서의, 균열이나 파손의 발생이 감소된다. 이 결과, 투광판 90의 접합 신뢰성을 향상시킨다.

그 밖의 실시 형태

도8은, 본 실시 형태에 따른 표시장치 1000의 일례를 나타내는 모식도다. 표시장치 1000은, 상부 커버 1001과 하부 커버 1009와의 사이에, 터치패널 1003, 표시패널 1005, 프레임 1006, 회로 기판 1007 및 배터리 1008을 구비하여도 좋다. 표시패널 1005로서, 예를 들면 제1∼제3의 실시 형태에 따른 반도체 장치 200∼202 중 어느 하나를 사용하여도 좋다.

터치패널 1003에는, 플렉시블 프린트 회로(ＦＰＣ) 1002가 접속되어 있다. 표시패널 1005에는, 플렉시블 프린트 회로(ＦＰＣ) 1004가 접속되어 있다. 회로 기판 1007에는, 트랜지스터가 프린트 되어 있다. 배터리 1008은, 표시장치 1000이 휴대 기기가 아닐 경우 설치될 필요는 없고, 표시장치 1000이 휴대 기기일 경우에도 다른 위치에 설치되어도 좋다.

본 실시 형태에 따른 표시장치 1000은, 복수의 렌즈를 가지는 광학부와, 해당 광학부를 통과한 광을 수광하는 촬상 소자를, 구비하는 광전변환 장치의 표시부에 사용되어도 좋다.

광전변환 장치는, 촬상 소자가 취득한 정보를 표시하는 표시부를 구비하여도 좋다. 광전변환 장치는 촬상 소자가 취득한 정보를 사용해서 정보를 취득하고, 표시부는 해당 정보와 상이한 정보를 표시하여도 좋다. 표시부는, 광전변환 장치의 외부에 노출한 표시부이어도, 파인더내에 배치된 표시부이어도 좋다. 광전변환 장치는, 디지털 카메라 또는 디지털 비디오카메라이어도 좋다.

도9a는, 본 실시 형태에 따른 광전변환 장치의 일례를 나타내는 모식도다. 광전변환 장치 1100은, 뷰파인더 1101, 배면 디스플레이 1102, 조작부 1103 및 하우징 1104를 구비하여도 좋다. 뷰파인더 1101은, 제1∼제3의 실시 형태에 따른 반도체 장치 200∼202 중 어느 하나를 구비하여도 좋다. 뷰파인더 1101은, 본 실시 형태에서 나타낸 표시장치 1000이어도 좋다. 이 경우, 표시장치는, 촬상하는 화상만 표시하는 것에 한정되지 않고, 환경정보, 촬상 지시 등을 표시해도 좋다. 환경정보는, 외광의 강도, 외광의 방향, 피사체가 움직이는 속도, 피사체가 차폐물에 의해 차폐될 가능성 등을 구비하여도 좋다.

광전변환 장치 1100은, (도시되지 않은) 광학부를 구비한다. 광학부는 복수의 렌즈를 가지고, 하우징 1104 내에 수용된 촬상 소자에 결상한다. 복수의 렌즈는, 그 렌즈의 상대 위치를 조정함으로써, 초점을 조정 가능하다. 이 조작을 자동으로 행할 수 있다.

본 실시 형태에 따른 표시장치는, 휴대 단말의 표시부에 사용되어도 좋다. 이 경우에, 표시장치는, 표시 기능과 조작 기능을 가져도 좋다. 휴대 단말은, 스마트 폰 등의 휴대전화, 타블렛, 헤드 마운트 디스플레이 등이어도 좋다.

도9b는, 본 실시 형태에 따른 전자기기의 일례를 나타내는 모식도다. 전자기기 1200은, 표시부 1201과, 조작부 1202와, 하우징 1203을 구비한다. 표시부 1201은, 제1∼제3의 실시 형태에 따른 반도체 장치 200∼202 중 어느 하나를 구비하여도 좋다. 하우징 1203에는, 회로, 해당 회로를 가지는 프린트 기판, 배터리 및 통신부를 가져도 좋다. 조작부 1202는, 버튼이어도 좋거나, 터치패널 방식의 반응부이어도 좋다. 조작부는, 지문을 인식해서 록의 해제 등을 행하는, 생체인식부이어도 좋다. 통신부를 구비하는 전자기기는, 통신 기기로서 간주되어도 좋다.

도10a 및 도10b는, 본 실시 형태에 따른 표시장치의 예들을 나타내는 모식도다. 도10a는, 텔레비전 모니터나 ＰＣ모니터 등의 표시장치다. 표시장치 1300은, 액자 1301과 표시부 1302를 구비한다. 표시부 1302는, 제1∼제3의 실시 형태에 따른 반도체 장치 200∼202 중 어느 하나를 구비하여도 좋다.

표시장치 1300은, 상기 액자 1301과 표시부 1302를 지지하는 토대 1303을 구비한다. 토대 1303은, 도10a의 형태에 한정되지 않는다. 액자 1301의 하변이 토대를 겸해도 좋다.

액자 1301 및 표시부 1302는, 구부러져도 좋다. 그 곡률반경은, 5000mm이상 6000mm이하이어도 좋다.

도10b는 본 실시 형태에 따른 표시장치의 다른 예를 나타내는 모식도다. 도10b의 표시장치 1310은, 접기 가능하도록 구성되어 있고, 소위 폴더블 표시장치다. 표시장치 1310은, 제1표시부 1311, 제2표시부 1312, 하우징 1313 및 굴곡점 1314를 구비한다. 제1표시부 1311과 제2표시부 1312의 각각은, 제1∼제3의 실시 형태에 따른 반도체 장치 200∼202 중 어느 하나를 구비하여도 좋다.

제1표시부 1311과 제2표시부 1312는, 이음매 없는 1매의 표시장치로 구성되어도 좋다. 제1표시부 1311과 제2표시부 1312는, 굴곡점에서 분리되어도 좋다.

제1표시부 1311과 제2표시부 1312는 각각 상이한 화상을 표시해도 좋거나, 제1 및 제2표시부 1311, 1312는 하나의 화상을 표시해도 좋다.

도11a는, 본 실시 형태에 따른 조명 장치의 일례를 나타내는 모식도다. 조명 장치 1400은, 하우징 1401과, 광원 1402와, 회로 기판 1403과, 광학 필름 1404와, 광확산부 1405를 구비하여도 좋다. 광원 1402는, 제1∼제3의 실시 형태에 따른 반도체 장치 200∼202 중 어느 하나를 구비하여도 좋다. 광학 필름 1404는, 광원 1402의 연색성을 향상시키는 필터이어도 좋다. 광확산부 1405는, 조명 등을 위한 광원으로부터의 광을 효과적으로 확산하여, 넓은 범위에 광을 보낼 수 있다. 광학 필름 1404와 광확산부 1405는, 조명의 광출사측에 설치되어도 좋다. 필요에 따라서, 최외부에 커버를 설치해도 좋다.

조명 장치는, 예를 들면 실내를 조명하는 장치다. 조명 장치는 백색, 주백색, 그 밖의 청색부터 적색까지의 색 중 어느 하나로 발광하여도 좋다. 조명 장치는, 그 색들 중 어느 하나의 광을 변조하는 조광 회로를 구비하여도 좋다.

조명 장치는 제1∼제3의 실시 형태에 따른 반도체 장치 200∼202 중 어느 하나와, 그것에 접속된 전원회로를 구비하여도 좋다. 전원회로는, 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 회로다. 화이트는 색온도가 4200K이고, 주백색은 색온도가 5000K이다. 조명 장치는 칼라 필터를 구비하여도 좋다.

본 실시 형태에 따른 조명 장치는, 방열부를 구비하여도 좋다. 방열부는, 이 장치내의 열을 장치 밖으로 방출하는 것이며, 비열이 높은 금속, 액체 실리콘 등으로 구성되어도 된다.

도11b는, 본 실시 형태에 따른 이동체의 일례인 자동차의 모식도다. 해당 자동차는 등도구의 일례인 테일 램프를 구비한다. 자동차 1500은, 테일 램프 1501을 구비하고, 브레이크 조작 등을 행했을 때에, 테일 램프 1501을 점등하도록 구성되어도 좋다.

테일 램프 1501은, 제1∼제3의 실시 형태에 따른 반도체 장치 200∼202 중 어느 하나를 구비하여도 좋다. 테일 램프 1501은, 발광 소자를 보호하는 보호 부재를 구비하여도 좋다. 보호 부재는, 어느 정도 높은 강도를 가지고 폴리카보네이트 등으로 구성되면, 어떠한 재료로 구성되어도 좋다. 폴리카보네이트에, 푸란 디카르복실산 유도체, 아크릴로니트릴 유도체 등을 섞어도 좋다.

자동차 1500은, 차체 1503과, 이 차체 1503에 고정된 창문 1502를 구비하여도 좋다. 자동차 1500의 전후를 확인하기 위한 창문이외의 창문 1502는, 각각 투명한 디스플레이이어도 좋다. 해당 투명한 디스플레이는, 제1∼제3의 실시 형태에 따른 반도체 장치 200∼202 중 어느 하나를 구비하여도 좋다. 이 경우, 반도체 장치 600의 전극 등의 구성요소 재료는 투명한 부재로 구성된다.

본 실시 형태에 따른 이동체는, 선박, 항공기, 드론 등이어도 좋다. 이동체는, 기체와 해당 기체에 설치된 등도구를 구비하여도 좋다. 등도구는, 기체의 위치를 알리기 위한 발광을 해도 좋다. 등도구는 제1∼제3의 실시 형태에 따른 반도체 장치 200∼202 중 어느 하나를 구비하여도 좋다.

도12a 및 12b를 참조하여, 상술한 각 실시 형태의 표시장치의 적용 예에 대해서 설명한다. 표시장치는, 예를 들면 스마트 글래스, ＨＭＤ 및 스마트 콘택트와 같은 웨어러블 디바이스로서 장착가능한 시스템에 적용할 수 있다. 이러한 적용 예에 사용된 촬상 표시장치는, 가시 광을 광전변환가능한 촬상 장치와, 가시 광을 발광가능한 표시장치를 구비한다.

도12a는, 1개의 적용 예에 따른 안경 1600(스마트 글래스)을 나타낸다. 안경 1600의 렌즈 1601의 표면측에, ＣＭＯＳ센서와 ＳＰＡＤ와 같은 촬상 장치 1602가 설치된다. 렌즈 1601의 이면측에는 표시장치가 설치되어 있고, 이 표시장치는 제1∼제3의 실시 형태에 따른 반도체 장치 200∼202 중 어느 하나를 구비하여도 좋다.

안경 1600은, 제어장치 1603을 더욱 구비한다. 제어장치 1603은, 촬상 장치 1602와 어느 하나의 실시 형태의 표시장치에 전력을 공급하는 전원으로서 기능한다. 제어장치 1603은, 촬상 장치 1602와 표시장치의 동작을 제어한다. 렌즈 1601에는, 촬상 장치 1602에 광을 집광하기 위한 광학계가 형성되어 있다.

도12b는, 1개의 적용 예에 따른 안경 1610(스마트 글래스)을 나타낸다. 안경 1610은 제어장치 1612와, 상기 촬상 장치 1602에 상당하는 촬상 장치를 구비하고, 상기 표시장치는 상기 제어장치 1612에 설치된다. 표시장치는 제1∼제3의 실시 형태에 따른 반도체 장치 200∼202 중 어느 하나를 구비하여도 좋다. 렌즈 1611에는, 제어장치 1612내의 촬상 장치와, 표시장치로부터의 발광을 투영하기 위한 광학계가 형성되어 있고, 렌즈 1611에는 화상이 투영된다. 제어장치 1612는, 촬상 장치 및 표시장치에 전력을 공급하는 전원으로서 기능함과 아울러, 촬상 장치 및 표시장치의 동작도 제어한다.

제어장치는, 장착자의 시선을 검지하는 시선검지부를 구비하여도 좋다. 그 시선은 적외선을 사용하여 검지해도 좋다. 적외발광부는, 표시 화상을 주시하고 있는 유저의 눈에 적외광을 방출한다. 방출되고 눈으로부터 반사된 적외광은, 수광소자를 구비하는 촬상부에 의해 검출된다. 따라서, 눈의 촬상 화상이 얻어진다. 평면에서 보아 적외발광부로부터 표시부로의 광을 저감하는 저감기를 설치하여, 화상품위의 저하를 저감한다.

적외광의 촬상에 의해 얻어진 눈의 촬상 화상으로부터 표시 화상을 향하는 유저의 시선을 검출한다. 눈의 촬상 화상을 사용한 시선검출에는 선택된 공지된 기술을 적용해도 좋다. 일례로서, 각막에서의 조사 광의 반사에 의한 푸르키니에(Purkinje) 화상에 근거한 시선검출 방법을 사용하여도 좋다.

보다 구체적으로는, 동공 각막 반사법에 근거하는 시선검출 처리가 행해진다. 동공 각막 반사법을 사용하여서, 눈의 촬상 화상에 포함된 동공화상과 푸르키니에 화상에 따라, 눈의 방향(회전 각도)을 가리키는 시선 벡터가 산출된다. 따라서, 유저의 시선이 검출된다.

본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시장치는, 수광소자를 가지는 촬상 장치를 구비하여도 좋고, 촬상 장치로부터의 유저의 시선정보에 따라 상기 표시장치의 표시 화상을 제어해도 좋다.

구체적으로는, 표시장치는, 시선정보에 따라, 유저가 주시하는 제1 시야영역과, 제1 시야영역이외의 제2 시야영역을 결정한다. 제1 시야영역 및 제2 시야영역은 표시장치의 제어장치에 의해 결정되어도 좋거나, 외부의 제어장치에 의해 결정된 제1 시야영역 및 제2 시야영역이 수신되어도 좋다. 표시장치의 표시 영역에 있어서, 제1 시야영역의 표시 해상도를 제2 시야영역의 표시 해상도보다도 높게 제어해도 좋다. 달리 말하면, 제2 시야영역의 해상도를 제1 시야영역의 해상도보다도 낮게 해도 좋다.

표시 영역은 제1 표시 영역과, 제1 표시 영역과는 상이한 제2 표시 영역을 구비하고, 우선도가 보다 높은 영역은 제1 표시 영역과 제2 표시 영역 중에서 시선정보에 따라 결정된다. 제1 시야영역과 제2 시야영역은 표시장치 제어장치가 결정해도 좋거나, 외부의 제어장치가 결정한 제1 시야영역과 제2 시야영역이 수신되어도 좋다. 우선도가 보다 높은 영역의 해상도를, 우선도가 보다 높은 영역이외의 영역의 해상도보다도 높게 제어해도 좋다. 달리 말하면, 우선도가 상대적으로 낮은 영역의 해상도를 저하시켜도 좋다.

제1 시야영역이나 우선도가 보다 높은 영역의 결정에는, ＡＩ를 사용해도 좋다. ＡＩ는, 눈의 화상과 해당 화상의 눈이 실제로 보는 중인 해당 방향과를 교사 데이터로서 사용함으로써, 눈의 화상으로부터 시선의 각도와, 시선 앞에 목적물까지의 거리를 추정하도록 구성된 모델이어도 좋다. 표시장치 또는 촬상 장치, 또는 외부장치는, ＡＩ프로그램을 구비하여도 좋다. 외부장치가 ＡＩ프로그램을 구비하는 경우, ＡＩ프로그램은 통신을 통해 표시장치에 전송된다.

시선 검지에 따라 표시 제어할 경우, 그것은 외부를 촬상하는 촬상 장치를 더욱 구비하는 스마트 글래스에 적절하게 적용된다. 스마트 글래스는, 촬상한 외부정보를 실시간으로 표시할 수 있다.

본 발명에 의하면, 투광판의 접합 신뢰성을 향상시킨다.

본 발명을 예시적 실시 형태들을 참조하여 기재하였지만, 본 발명은 상기 개시된 예시적 실시 형태들에 한정되지 않는다는 것을 알 것이다. 아래의 청구항의 범위는, 모든 수정 및, 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 폭 넓게 해석해야 한다.

Claims (20)

1. 복수의 유효화소를 가지는 유효화소영역과, 상기 유효화소영역의 주변의 주변영역을, 가지는 반도체 디바이스;
   상기 반도체 디바이스의 주면에 대한 평면에서 보아 상기 유효화소영역 및 상기 주변영역에 겹치도록 배치된 투광판;
   상기 주변영역과 상기 투광판과의 사이에 배치되어, 상기 반도체 디바이스와 상기 투광판을 접합하는 제1접합 부재; 및
   상기 유효화소영역과 상기 투광판과의 사이에 배치되어, 상기 반도체 디바이스와 상기 투광판을 접합하는 제2접합 부재를 포함하고,
   상기 제1접합 부재와 상기 제2접합 부재는 제1계면을 통해 서로 접하여 있고,
   상기 제2접합 부재는 수지로 구성되어 있고,
   상기 제2접합 부재는, 제1부분과, 상기 제1부분과 상기 제1접합 부재와의 사이에 배치되어 상기 제1계면을 통해 상기 제1접합 부재와 접하여 있는 제2부분을 구비하고,
   상기 제2부분의 경화율은, 상기 제1부분의 경화율보다도 낮은, 반도체 장치.
   
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 제1계면은, 상기 반도체 디바이스의 상기 주면에 대한 평면에서 보아 상기 주변영역과 겹치고 있는, 반도체 장치.
   
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 제1접합 부재는 수지로 구성되어 있는, 반도체 장치.
   
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 제1접합 부재는 제1수지로 구성되고, 상기 제2접합 부재는 상기 제1수지와는 상이한 제2수지로 구성되어 있는, 반도체 장치.
   
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 제1접합 부재는, 상기 반도체 디바이스의 주면에 대한 평면에서 보아 복수의 코너를 가지는 다각형의 프레임 형상을 가지고 있고,
   상기 제2부분은, 상기 제1접합 부재의 상기 복수의 코너 중 적어도 1개와 접하여 있는, 반도체 장치.
   
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 제1접합 부재는, 상기 반도체 디바이스의 주면에 대한 평면에서 보아 4개의 코너를 가지는 직사각형의 프레임 형상을 가지고 있고,
   상기 제2부분은, 상기 제1접합 부재의 상기 4개의 코너와 접하여 있는, 반도체 장치.
   
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 반도체 디바이스는, 상기 유효화소영역에 있어서 상기 투광판측에 광학부재를 구비하고,
   상기 광학부재의 단부는 상기 주변영역에 배치되어 있고,
   상기 제2부분은 상기 광학부재의 단부를 덮고 있는, 반도체 장치.
   
8. 제 7 항에 있어서,
   상기 광학부재는 칼라 필터층인, 반도체 장치.
   
9. 제 7 항에 있어서,
   상기 광학부재는 마이크로렌즈 어레이층인, 반도체 장치.
   
10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1접합 부재는, 상기 반도체 디바이스의 주면에 대한 평면에서 보아 개구부를 가지는 프레임 형상을 가지고,
    상기 제2접합 부재는, 상기 개구부에 배치된 제3부분을 가지고,
    상기 제3부분의 경화율이, 상기 제1부분의 경화율보다도 낮은, 반도체 장치.
    
11. 제 1 항에 있어서,
    상기 투광판은, 제1영역과, 파장 365ｎｍ의 광의 투과율이 상기 제1영역보다도 작은 제2영역을, 가지고,
    상기 제1영역은, 상기 반도체 디바이스의 주면에 대한 평면에서 보아 상기 유효화소영역과 겹치고,
    상기 제2영역은, 상기 반도체 디바이스의 주면에 대한 평면에서 보아 상기 제1계면과 겹치는, 반도체 장치.
    
12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제2영역은, 상기 반도체 디바이스의 주면에 대한 평면에서 보아 상기 유효화소영역을 둘러싸고 있는, 반도체 장치.
    
13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2부분은, 상기 반도체 디바이스의 주면에 대한 평면에서 보아 상기 제1부분을 둘러싸고 있는, 반도체 장치.
    
14. 복수의 유효화소를 가지는 유효화소영역과, 상기 유효화소영역의 주변의 주변영역을 가지는, 반도체 디바이스;
    상기 반도체 디바이스의 주면에 대한 평면에서 보아, 상기 유효화소영역 및 상기 주변영역에 겹치도록 배치된 투광판;
    상기 주변영역과 상기 투광판과의 사이에 배치되어, 상기 반도체 디바이스와 상기 투광판을 접합하는 제1접합 부재; 및
    상기 유효화소영역과 상기 투광판과의 사이에 배치되어, 상기 반도체 디바이스와 상기 투광판을 접합하는 제2접합 부재를 포함하고,
    상기 제1접합 부재와 상기 제2접합 부재가 제1계면을 통해서 서로 접하여 있고,
    상기 반도체 디바이스는, 상기 유효화소영역에 있어서 상기 투광판측에 광학부재를 구비하고,
    상기 광학부재의 단부는 상기 주변영역에 배치되어 있고,
    상기 제2접합 부재는 수지로 구성되어 있고,
    상기 제2접합 부재는, 제1부분과, 상기 제1부분과 상기 제1접합 부재와의 사이에 배치되어 상기 광학부재의 상기 단부를 덮는 제2부분을, 구비하고,
    상기 제2부분의 경화율이 상기 제1부분의 경화율보다도 낮은, 반도체 장치.
    
15. 청구항 1 내지 14 중 어느 한 항에 따른 반도체 장치를 포함하는 표시장치로서,
    상기 복수의 유효화소의 적어도 1개는, 유기발광 소자와, 상기 유기발광 소자에 접속된 트랜지스터를 구비하는, 표시장치.
    
16. 복수의 렌즈를 가지는 광학부;
    상기 광학부를 통과한 광을 수광하는 촬상 소자; 및
    상기 촬상 소자가 촬상한 화상을 표시하는 표시부를 포함하고,
    상기 표시부는 청구항 1 내지 14 중 어느 한 항에 따른 반도체 장치를 구비하고,
    상기 복수의 유효화소의 적어도 1개는 유기발광 소자를 구비하는, 광전변환 장치.
    
17. 청구항 1 내지 14 중 어느 한 항에 따른 반도체 장치를 구비하는 표시부;
    상기 표시부가 설치된 하우징; 및
    상기 하우징에 설치되어, 외부원과 통신하는 통신부를 포함하고,
    상기 복수의 유효화소의 적어도 1개는 유기발광 소자를 구비하는, 전자기기.
    
18. 청구항 1 내지 14 중 어느 한 항에 따른 반도체 장치를 구비하는 광원; 및
    상기 광원으로부터 방출된 광을 투과하는 광확산부 또는 광학 필름을 포함하고,
    상기 복수의 유효화소의 적어도 1개는 유기발광 소자를 구비하는, 조명 장치.
    
19. 청구항 1 내지 14 중 어느 한 항에 따른 반도체 장치를 구비하는 등도구; 및
    상기 등도구가 설치된 기체를 포함하고,
    상기 복수의 유효화소의 적어도 1개는 유기발광 소자를 구비하는, 이동체.
    
20. 복수의 유효화소를 가지는 유효화소영역과, 상기 유효화소영역의 주변의 주변영역을 가지는, 반도체 디바이스의, 상기 주변영역 위에 제1접합 부재를 형성하는 제1접합 부재 형성 단계;
    상기 반도체 디바이스의 상기 제1접합 부재가 형성된 측의 면에, 상기 제1접합 부재에 의해 투광판을 접합시키는 접합 단계; 및
    상기 투광판, 상기 반도체 디바이스 및 상기 제1접합 부재에 의해 둘러싸여진 공간내에 충전된 경화성 조성물에 대하여 상기 투광판을 통해 광을 조사 함으로써, 상기 경화성 조성물을 경화시켜서 제2접합 부재를 형성하는 광조사 단계를 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기 투광판은, 제1영역과, 상기 광조사 단계에 있어서 조사하는 광의 투과율이 상기 제1영역보다도 낮은 제2영역을, 가지고 있고,
    상기 광조사 단계는, 상기 반도체 디바이스의 주면에 대한 평면에서 보아, 상기 제1영역이 상기 유효화소영역과 겹치고 상기 제2영역이 상기 경화성 조성물과 상기 접합 부재가 서로 접하여 있는 계면과 겹친 상태로, 상기 광을 조사하는, 반도체 장치의 제조 방법.

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