KR20220133590A - Organic light emitting display and method for manufacturing the same - Google Patents

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김봉식
최민영
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

The present invention relates to an organic light emitting display device to provide increased durability and reliability, and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an organic light emitting display device operated by a thin film transistor and a manufacturing method thereof. According to an embodiment of the present invention, the organic light emitting display device comprises: a substrate; a thin film transistor provided on the substrate; an organic light emitting unit provided on the thin film transistor; a first passivation layer provided on the organic light emitting part and formed by a chemical vapor deposition process; and a hydrogen blocking layer provided on at least one surface of the first passivation layer, containing silicon nitride, and formed by an atomic layer deposition process.

Description

유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Organic light emitting display device and manufacturing method thereof

본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 패시베이션층이 형성된 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an organic light emitting display device having a passivation layer formed thereon and a manufacturing method thereof.

유기 발광 표시 장치(OLED; Organic Light Emitting Display)는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치(LCD; Liquid Crystal Display)와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능한 장점이 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압으로 구동 가능하여 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 명암비(contrast ratio)가 우수하여, 차세대 디스플레이로서 활발하게 연구되고 있다.An organic light emitting display (OLED) is a self-emissive display device, and unlike a liquid crystal display (LCD), it does not require a separate light source, so it has the advantage of being lightweight and thin. In addition, the organic light emitting display device can be driven at a low voltage, so it is advantageous in terms of power consumption, and has excellent response speed, viewing angle, and contrast ratio, and thus is being actively studied as a next-generation display.

이와 같은 유기 발광 표시 장치에는 수분이나 물리적인 충격 및 제조 공정시 발생할 수 있는 이물 등과 같은 외부 환경으로부터 유기 발광부를 보호하기 위한 패시베이션층을 포함하는 봉지막이 형성된다.An encapsulation layer including a passivation layer for protecting the organic light emitting unit from external environments such as moisture, physical impact, and foreign substances that may occur during a manufacturing process is formed in the organic light emitting display device.

종래에는, 유기 발광 표시 장치의 패시베이션층으로 실리콘 산화막을 주로 사용하였다. 그러나, 패시베이션층으로 실리콘 산화막을 사용하는 경우, 실리콘 산화막이 대기 중의 수분과 반응하여 변성됨으로써 유기 발광부를 충분히 보호할 수 없는 문제점이 있었다. 또한, 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 패시베이션층으로 실리콘 질화막을 사용하는 방법이 제시되었다. 그러나, 이 경우 실리콘 질화막에 함유된 다량의 수소가 박막 트랜지스터로 침투하게 되어, 박막 트랜지스터의 누설 전류가 증가하고, 문턱 전압이 높아지는 등 전기적 특성이 저하되는 문제점이 있었다.Conventionally, a silicon oxide film is mainly used as a passivation layer of an organic light emitting diode display. However, when a silicon oxide film is used as the passivation layer, the silicon oxide film is denatured by reacting with moisture in the atmosphere, so that the organic light emitting part cannot be sufficiently protected. In addition, in order to solve this problem, a method of using a silicon nitride film as a passivation layer has been proposed. However, in this case, a large amount of hydrogen contained in the silicon nitride film penetrates into the thin film transistor, and thus there is a problem in that the leakage current of the thin film transistor increases, and electrical characteristics such as a high threshold voltage are deteriorated.

KRUS 10-2014-006413610-2014-0064136 AA

본 발명은 내구성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.The present invention provides an organic light emitting diode display capable of improving durability and reliability, and a method for manufacturing the same.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 기판; 상기 기판 상에 마련되는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 마련되는 유기 발광부; 상기 유기 발광부 상에 마련되며, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 공정으로 형성되는 제1 패시베이션층; 및 상기 제1 패시베이션층의 적어도 일면 상에 마련되고, 실리콘 질화물을 포함하며, 원자층 증착(atomic layer deposition) 공정으로 형성되는 수소 차단층;을 포함한다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes: a substrate; a thin film transistor provided on the substrate; an organic light emitting unit provided on the thin film transistor; a first passivation layer provided on the organic light emitting unit and formed by a chemical vapor deposition process; and a hydrogen blocking layer provided on at least one surface of the first passivation layer, including silicon nitride, and formed by an atomic layer deposition process.

상기 수소 차단층은, 상기 수소 차단층 전체에 대하여 20 at% 이하의 수소 함량을 가질 수 있다.The hydrogen blocking layer may have a hydrogen content of 20 at% or less with respect to the entire hydrogen blocking layer.

상기 수소 차단층은 상기 제1 패시베이션층보다 얇은 두께를 가질 수 있다.The hydrogen blocking layer may have a thickness smaller than that of the first passivation layer.

상기 제1 패시베이션층 상에 마련되는 파티클 커버층; 및 상기 파티클 커버층 상에 마련되는 제2 패시베이션층;을 더 포함하고, 상기 수소 차단층은, 상기 유기 발광부와 제1 패시베이션층 사이 및 상기 제1 패시베이션층과 파티클 커버층 사이 중 적어도 하나에 마련될 수 있다.a particle cover layer provided on the first passivation layer; and a second passivation layer provided on the particle cover layer, wherein the hydrogen blocking layer includes at least one of between the organic light emitting part and the first passivation layer and between the first passivation layer and the particle cover layer. can be provided.

상기 파티클 커버층은 유기물을 포함하고, 상기 제1 패시베이션층 및 제2 패시베이션층은 각각 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산화 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The particle cover layer may include an organic material, and the first passivation layer and the second passivation layer may include at least one of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride, respectively.

상기 수소 차단층은 상기 파티클 커버층 및 제2 패시베이션층보다 낮은 수소 함량을 가질 수 있다.The hydrogen blocking layer may have a hydrogen content lower than that of the particle cover layer and the second passivation layer.

상기 박막 트랜지스터는 산화물을 포함하는 활성층을 가질 수 있다.The thin film transistor may have an active layer including an oxide.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은, 박막 트랜지스터 상에 유기 발광부가 형성된 기판을 마련하는 단계; 원자층 증착(atomic layer deposition) 공정으로, 상기 유기 발광부를 덮도록 실리콘 질화물을 포함하는 수소 차단층을 형성하는 단계; 및 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 공정으로, 상기 수소 차단층 상에 제1 패시베이션층을 형성하는 단계;를 포함한다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a method of manufacturing an organic light emitting display device includes: providing a substrate on which an organic light emitting part is formed on a thin film transistor; forming a hydrogen blocking layer including silicon nitride to cover the organic light emitting part by an atomic layer deposition process; and forming a first passivation layer on the hydrogen blocking layer by a chemical vapor deposition process.

한편, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은, 박막 트랜지스터 상에 유기 발광부가 형성된 기판을 마련하는 단계; 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 공정으로, 상기 유기 발광부 상에 제1 패시베이션층을 형성하는 단계; 및 원자층 증착(atomic layer deposition) 공정으로, 상기 제1 패시베이션층 상에 실리콘 질화물을 포함하는 수소 차단층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.Meanwhile, according to an embodiment of the present invention, a method of manufacturing an organic light emitting display device includes: preparing a substrate having an organic light emitting unit formed thereon on a thin film transistor; forming a first passivation layer on the organic light emitting part by a chemical vapor deposition process; and forming a hydrogen blocking layer including silicon nitride on the first passivation layer by an atomic layer deposition process.

상기 수소 차단층을 형성하는 단계는, 상기 수소 차단층을 형성하기 위한 공정 공간에 실리콘을 함유하는 원료 가스를 공급하는 단계; 및 상기 공정 공간에 반응 가스를 공급하는 단계;를 포함하고, 상기 반응 가스를 공급하는 단계는, 상기 공정 공간에 전원을 인가하여, 상기 반응 가스를 활성화시키는 단계;를 포함할 수 있다.The forming of the hydrogen barrier layer may include: supplying a source gas containing silicon to a process space for forming the hydrogen barrier layer; and supplying a reaction gas to the process space, wherein the supplying of the reaction gas may include applying power to the process space to activate the reaction gas.

상기 원료 가스는 아미노계 실리콘 함유 가스 및 할라이드계 실리콘 함유 가스 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The source gas may include at least one of an amino-based silicon-containing gas and a halide-based silicon-containing gas.

상기 아미노계 실리콘 함유 가스는, 트리실릴아민(TSA; trisilylamine) 가스, 비스터셔리부틸아미노실란(BTBAS; bis(tertiary-butylamino)silane) 가스, 비스디메틸아미노실란(BDMAS; bis(dimethylamino)silane) 가스, 비스디에틸아미노실란(BDEAS; bis(diethylamino)silane) 가스, 디메틸아미노실란(DMAS; dimethylaminosilane) 가스, 디에틸아미노실란(DEAS; diethylamino silane) 가스, 디프로필아미노실란(DPAS; dipropylamino silane) 가스, 부틸아미노실란(BAS; butylaminosilane) 가스, 디이소프로필아미노실란(DIPAS; diisopropylaminosilane) 가스, 비스에틸메틸아미노실란(BEMAS; bis(ethylmethylamino)silane 가스 및 트리스디메틸아미노실란(TDMAS; tris(dimethylamino)silane) 가스 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The amino-based silicon-containing gas is a trisilylamine (TSA) gas, a bis(tertiary-butylamino)silane (BTBAS; bis(tertiary-butylamino)silane) gas, and a bisdimethylaminosilane (BDMAS; bis(dimethylamino)silane) gas. Gas, bisdiethylaminosilane (BDEAS; bis(diethylamino)silane) gas, dimethylaminosilane (DMAS) gas, diethylaminosilane (DEAS; diethylaminosilane) gas, dipropylaminosilane (DPAS; dipropylamino silane) Gas, butylaminosilane (BAS) gas, diisopropylaminosilane (DIPAS) gas, bisethylmethylaminosilane (BEMAS; bis(ethylmethylamino)silane gas, and trisdimethylaminosilane (TDMAS; tris(dimethylamino)) silane) gas.

상기 할라이드계 실리콘 함유 가스는, 모노클로로실란(MCS; monochlorosilane) 가스, 디클로로실란(DCS; dichlorosilane) 가스, 트리클로로실란(TCS; trichlorosilane) 가스, 테트라클로로실란(STC; tetrachlorosilane) 가스, 헥사클로로디실란(HCDS; hexachlorodisilane) 가스, 옥타클로로실란(OCTS; octachlorotrisilane) 가스 및 디이오도실란(diiodosilane) 가스 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The halide-based silicon-containing gas is, monochlorosilane (MCS) gas, dichlorosilane (DCS) gas, trichlorosilane (TCS; trichlorosilane) gas, tetrachlorosilane (STC; tetrachlorosilane) gas, hexachlorodi It may include at least one of a hexachlorodisilane (HCDS) gas, an octachlorotrisilane (OCTS) gas, and a diiodosilane gas.

상기 반응 가스는 질소 함유 가스 및 수소 함유 가스 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The reaction gas may include at least one of a nitrogen-containing gas and a hydrogen-containing gas.

상기 수소 차단층을 형성하는 단계는, 120℃ 이하의 온도에서 수행될 수 있다.The forming of the hydrogen barrier layer may be performed at a temperature of 120° C. or less.

본 발명의 실시 예에 의하면, 유기 발광부 상에 마련되는 제1 패시베이션층의 적어도 일면 상에 수소 차단층을 형성하여, 박막 트랜지스터로 수소가 침투하는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by forming a hydrogen blocking layer on at least one surface of the first passivation layer provided on the organic light emitting unit, it is possible to prevent hydrogen from penetrating into the thin film transistor.

또한, 실리콘 질화물을 포함하는 수소 차단층을 낮은 수소 함량을 가지도록 형성하여, 수소 차단층에서 박막 트랜지스터로 수소가 확산되는 것을 방지할 수 있다.In addition, by forming the hydrogen blocking layer including silicon nitride to have a low hydrogen content, diffusion of hydrogen from the hydrogen blocking layer to the thin film transistor can be prevented.

이에 의하여, 박막 트랜지스터의 누설 전류를 감소시키고, 문턱 전압을 낮출 수 있게 되어 박막 트랜지스터의 동작 특성을 향상시키고, 박막 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 내구성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Accordingly, it is possible to reduce the leakage current of the thin film transistor and lower the threshold voltage, thereby improving the operating characteristics of the thin film transistor, and improving durability and reliability of the organic light emitting diode display including the thin film transistor.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조를 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 도면.1 is a diagram illustrating a structure of an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention;
2 is a diagram illustrating a structure of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention.
3 is a diagram schematically illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention;
4 is a diagram schematically illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 발명의 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 발명을 상세하게 설명하기 위해 도면은 과장되어 도시될 수 있으며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only the embodiments of the present invention allow the disclosure of the present invention to be complete, and the scope of the invention to those of ordinary skill in the art It is provided to fully inform In order to explain the invention in detail, the drawings may be exaggerated, and like reference numerals refer to like elements in the drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조를 나타내는 도면이고, 도 2는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating the structure of an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram illustrating a structure of an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 상기 기판(110) 상에 마련되는 박막 트랜지스터(120), 상기 박막 트랜지스터(120) 상에 마련되는 유기 발광부(150), 상기 유기 발광부(150) 상에 마련되며, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 공정으로 형성되는 제1 패시베이션층(160) 및 상기 제1 패시베이션층(160)의 적어도 일면 상에 마련되고, 실리콘 질화물을 포함하며, 원자층 증착(atomic layer deposition) 공정으로 형성되는 수소 차단층(170)을 포함한다. 또한, 유기 발광 표시 장치(100)는 상기 제1 패시베이션층(160) 상에 마련되는 파티클 커버층(180) 및 상기 파티클 커버층(180) 상에 마련되는 제2 패시베이션층(190)을 더 포함할 수 있다.1 and 2 , the organic light emitting diode display 100 includes a substrate 110 , a thin film transistor 120 provided on the substrate 110 , and an organic light emitting unit provided on the thin film transistor 120 . (150), provided on the organic light emitting unit 150, a first passivation layer 160 formed by a chemical vapor deposition process, and provided on at least one surface of the first passivation layer 160 and includes a hydrogen blocking layer 170 formed by an atomic layer deposition process, including silicon nitride. In addition, the organic light emitting diode display 100 further includes a particle cover layer 180 provided on the first passivation layer 160 and a second passivation layer 190 provided on the particle cover layer 180 . can do.

여기서, 유기 발광 표시 장치(100)는 유기 발광부(150)로부터 발생되는 광이 박막 트랜지스터(120)가 형성된 기판(110)의 상측으로 방출되는 탑 에미션(top emission) 방식의 유기 발광 표시 장치(100)일 수 있다.Here, the organic light emitting diode display 100 is a top emission type organic light emitting display device in which light emitted from the organic light emitting unit 150 is emitted to the upper side of the substrate 110 on which the thin film transistor 120 is formed. (100).

기판(110)은 기판(110) 상에 형성되는 다양한 구조물들을 지지한다. 이와 같은 기판(110)은 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 가요성을 가지는 플렉시블(flexible) 기판을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 폴리이미드(PI; polyimide), 폴리에테르이미드(PEI; polyetherimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphtalate) 및 폴리아릴레이트(PAR; polyarylate) 등과 같이 내열성 및 내구성이 우수한 물질을 포함할 수 있다.The substrate 110 supports various structures formed on the substrate 110 . Such a substrate 110 may be made of an insulating material, and may include a flexible substrate having flexibility. For example, the substrate 110 may include polyimide (PI), polyetherimide (PEI), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), and polyethylene naphtalate. ) and a material having excellent heat resistance and durability, such as polyarylate (PAR).

기판(110) 상에는 박막 트랜지스터(120)가 마련된다. 이와 같은 박막 트랜지스터(120)는 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터(120)는 탑(top) 게이트 구조, 바텀(bottom) 게이트 구조 및 코플라나(bottom) 구조 등 다양한 구조를 가질 수 있으며, 도시되지는 않았으나 유기 발광 표시 장치(100)는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어지는 다양한 배선들을 포함할 수 있음은 물론이다.The thin film transistor 120 is provided on the substrate 110 . The thin film transistor 120 may include an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. The thin film transistor 120 may have various structures such as a top gate structure, a bottom gate structure, and a coplanar structure, and although not illustrated, the organic light emitting diode display 100 includes a gate electrode, a source Of course, various wirings made of the same material as the electrode and the drain electrode may be included.

여기서, 박막 트랜지스터(120)는 산화물을 포함하는 활성층을 가지는 산화물 박막 트랜지스터(oxide TFT)일 수 있다.Here, the thin film transistor 120 may be an oxide TFT having an active layer including an oxide.

종래의 박막 트랜지스터의 경우 비정질 실리콘(a-Si)을 박막 트랜지스터의 활성층으로 사용하였다. 비정질 실리콘의 경우 저온에서 박막 성장이 가능하여 절연성 기판의 변형을 최소화할 수 있으나, 비정질 실리콘은 전하의 이동도(mobility)가 매우 낮은 단점이 있다.In the case of a conventional thin film transistor, amorphous silicon (a-Si) was used as an active layer of the thin film transistor. In the case of amorphous silicon, it is possible to grow a thin film at a low temperature, so that deformation of the insulating substrate can be minimized. However, amorphous silicon has a disadvantage in that the mobility of charges is very low.

이에, 최근에는 산소 함량에 따라 전도성, 반도체성 및 저항성의 3가지 성질을 모두 구현할 수 있는 산화물, 예를 들어 금속 산화물을 박막 트랜지스터의 활성층으로 적용하고자 하는 시도가 활발히 이루어지고 있다. 그러나, 산화물을 포함하는 활성층을 가지는 산화물 박막 트랜지스터의 경우, 활성층 내로 수소가 침투하게 되면 누설 전류가 증가하고, 문턱 전압이 높아지게 되어, 전기적 특성이 저하되는 등 수소의 침투에 매우 취약한 문제점이 있었다.Accordingly, recently, attempts have been made to apply an oxide, for example, a metal oxide, which can implement all three properties of conductivity, semiconductivity, and resistance according to oxygen content, as an active layer of a thin film transistor. However, in the case of an oxide thin film transistor having an active layer including an oxide, when hydrogen penetrates into the active layer, the leakage current increases, the threshold voltage increases, and the electrical properties are deteriorated.

본 발명의 실시 예에서는 이와 같이 산화물 박막 트랜지스터에 의하여 구동되는 유기 발광 표시 장치에 있어서, 제1 패시베이션층(160)의 적어도 일면 상에 산화물 박막 트랜지스터의 활성층 내로 수소가 침투하는 것을 차단하기 위한 수소 차단층(170)을 형성하여, 유기 발광 표시 장치의 내구성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 이와 같은 수소 차단층(170)과 관련한 구체적인 내용에 대하여는 후술하기로 한다.In an embodiment of the present invention, in the organic light emitting diode display driven by the oxide thin film transistor as described above, hydrogen blocking is provided to block hydrogen from penetrating into the active layer of the oxide thin film transistor on at least one surface of the first passivation layer 160 . By forming the layer 170 , durability and reliability of the organic light emitting diode display may be improved. Specific details related to the hydrogen blocking layer 170 will be described later.

한편, 박막 트랜지스터(120) 상에는 소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 덮도록 절연층(130)이 마련될 수 있다. 절연층(130)은 박막 트랜지스터(120)를 수분이나 산소 등으로부터 보호하기 위하여 마련될 수 있으며, 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극 또는 드레인 전극의 일부를 노출시키도록 기판(110)의 전면에 형성될 수 있다. 또한, 절연층(130) 상에는 평탄화층(140)이 마련될 수 있다. 평탄화층(140)은 소스 전극 또는 드레인 전극의 일부를 노출시키는 컨택 홀을 가질 수 있다.Meanwhile, the insulating layer 130 may be provided on the thin film transistor 120 to cover the source electrode, the drain electrode, and the active layer. The insulating layer 130 may be provided to protect the thin film transistor 120 from moisture or oxygen, and is formed on the entire surface of the substrate 110 to expose a part of the source electrode or the drain electrode of the thin film transistor 120 . can be In addition, a planarization layer 140 may be provided on the insulating layer 130 . The planarization layer 140 may have a contact hole exposing a part of the source electrode or the drain electrode.

박막 트랜지스터(120) 상에는 유기 발광부(150)가 마련된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터(120) 상에 절연층(130) 및 평탄화층(140)이 마련되는 경우, 유기 발광부(150)는 평탄화층(140) 상에 마련될 수 있다. 이와 같은 유기 발광부(150)는 애노드층(152), 유기 발광층(154) 및 캐소드층(156)을 포함할 수 있다.The organic light emitting unit 150 is provided on the thin film transistor 120 . For example, when the insulating layer 130 and the planarization layer 140 are provided on the thin film transistor 120 , the organic light emitting unit 150 may be provided on the planarization layer 140 . The organic light emitting unit 150 may include an anode layer 152 , an organic light emitting layer 154 , and a cathode layer 156 .

애노드층(152)은, 예를 들어 평탄화층(140)의 컨택 홀을 통해 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 연결될 수 있다. 이와 같은 애노드층(152)의 양 측면에는 뱅크층(158)이 배치될 수 있으며, 뱅크층(158)은 테이퍼(taper) 형상을 가질 수 있다.The anode layer 152 may be connected to, for example, a source electrode or a drain electrode of the thin film transistor 120 through a contact hole of the planarization layer 140 . A bank layer 158 may be disposed on both sides of the anode layer 152 , and the bank layer 158 may have a tapered shape.

유기 발광층(154)는 광을 발생시키기 위한 층으로, 광을 발생시키기 위한 유기 발광 물질로 이루어질 수 있다. 여기서, 유기 발광층(154)은 복수의 색을 가지는 광을 각각 발생시키기 위한 복수의 유기 발광 물질층이 적층되어 이루어질 수 있다. 그러나, 유기 발광층(154)은 이에 제한되지 않고, 다양한 색의 광을 발생시킬 수 있는 다양한 물질로 이루어질 수 있다.The organic light emitting layer 154 is a layer for generating light, and may be made of an organic light emitting material for generating light. Here, the organic light emitting layer 154 may be formed by stacking a plurality of organic light emitting material layers for respectively emitting light having a plurality of colors. However, the organic emission layer 154 is not limited thereto, and may be made of various materials capable of emitting light of various colors.

유기 발광층(154) 상에는 캐소드층(156)이 마련된다. 유기 발광 표시 장치는 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치(100)일 수 있으므로, 캐소드층(156)은 매우 얇은 두께를 가지며 일함수가 낮은 금속성 물질 또는 투명 도전성 산화물(TCO; transparent conductive oxide)로 형성될 수 있다. 캐소드층(156)이 금속성 물질로 형성되는 경우, 캐소드층(156)은 수백 Å 이하의 두께로 형성될 수 있으며, 캐소드층(156)이 이러한 두께로 형성되는 경우 캐소드층(156)은 실질적으로 투명한 층이 될 수 있다.A cathode layer 156 is provided on the organic light emitting layer 154 . Since the organic light emitting diode display may be the top emission organic light emitting diode display 100 , the cathode layer 156 has a very thin thickness and is made of a low work function metallic material or transparent conductive oxide (TCO). can be formed. When the cathode layer 156 is formed of a metallic material, the cathode layer 156 may be formed to a thickness of several hundred Å or less, and when the cathode layer 156 is formed to such a thickness, the cathode layer 156 is substantially It can be a transparent layer.

캐소드층(156) 상에는 제1 패시베이션층(160)이 마련된다. 즉, 제1 패시베이션층(160)은 유기 발광부(150) 상에 유기 발광부(150)를 덮도록 마련될 수 있다. 이와 같은 제1 패시베이션층(160)은 외부로부터 침투할 수 있는 수분, 공기 또는 물리적 충격으로부터 유기 발광부(150)를 보호하는 역할을 한다.A first passivation layer 160 is provided on the cathode layer 156 . That is, the first passivation layer 160 may be provided on the organic light emitting unit 150 to cover the organic light emitting unit 150 . The first passivation layer 160 serves to protect the organic light emitting unit 150 from moisture, air, or physical impact that may penetrate from the outside.

제1 패시베이션층(160)은 실리콘 산화물(SiO), 실리콘 질화물(SiN) 및 실리콘 산화 질화물(SiON) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 패시베이션층(160)은 원료 가스와 반응 가스를 동시에 공급하는 화학 기상 증착(CVD; Chemical Vapor Deposition) 공정으로 1 내지 10000Å의 다양한 두께로 형성할 수 있다. 예를 들어, 하이드로(hydro)계 실리콘 함유 가스를 포함하는 원료 가스와, 아산화질소 가스(N2O)를 포함하는 반응 가스를 동시에 공급하여, 실리콘 산화물을 포함하는 제1 패시베이션층(160)을 형성할 수 있으며, 하이드로계 실리콘 함유 가스를 포함하는 원료 가스와, 암모니아 가스(NH3)를 포함하는 반응 가스를 동시에 공급하여, 실리콘 질화물을 포함하는 제1 패시베이션층(160)을 형성할 수 있으며, 하이드로계 실리콘 함유 가스를 포함하는 원료 가스와, 아산화질소 가스(N2O) 및 암모니아 가스(NH3)를 포함하는 반응 가스를 동시에 공급하여, 실리콘 산화 질화물을 포함하는 제1 패시베이션층(160)을 형성할 수 있다. 여기서, 하이드로계 실리콘 함유 가스는 실란 가스(SiH4)를 포함할 수 있다.The first passivation layer 160 may include at least one of silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiN), and silicon oxynitride (SiON). The first passivation layer 160 may be formed in various thicknesses of 1 to 10000 Å by a chemical vapor deposition (CVD) process in which a source gas and a reaction gas are simultaneously supplied. For example, the first passivation layer 160 including silicon oxide by supplying a raw material gas including a hydro-based silicon-containing gas and a reaction gas including nitrous oxide gas (N 2 O) at the same time The first passivation layer 160 including silicon nitride may be formed by supplying a raw material gas including a hydro-based silicon-containing gas and a reaction gas including ammonia gas (NH 3 ) at the same time. , The first passivation layer 160 containing silicon oxynitride by supplying a raw material gas containing a hydro-based silicon-containing gas and a reaction gas containing nitrous oxide gas (N 2 O) and ammonia gas (NH 3 ) at the same time ) can be formed. Here, the hydro-based silicon-containing gas may include a silane gas (SiH 4 ).

수소 차단층(170)은 박막 트랜지스터(120)로 수소가 침투하는 것을 방지하기 위하여, 제1 패시베이션층(160)의 적어도 일면 상에 마련된다. 여기서, 수소 차단층(170)은 도 1에 도시된 본 발명의 제1 실시 예에서와 같이 제1 패시베이션층(160)의 하측, 즉 유기 발광부(150)와 제1 패시베이션층(160) 사이에 마련되거나, 도 2에 도시된 본 발명의 제2 실시 예에서와 같이 제1 패시베이션층(160)의 상측, 즉 제1 패시베이션층(160)과 후술하는 파티클 커버층(180)(PCL; Particle Cover Layer) 사이에 마련될 수 있다. 도 1 및 도 2에서는 제1 패시베이션층(160)의 하면 또는 상면에 각각 수소 차단층(160)이 형성된 모습을 도시하였으나, 수소 차단층(160)은 제1 패시베이션층(160)의 하면과 상면에 각각 형성될 수도 있으며, 제1 패시베이션층(160)과 수소 차단층(170) 사이에는 추가적인 기능을 구현하기 위한 별도의 층이 더 마련될 수도 있음은 물론이다.The hydrogen blocking layer 170 is provided on at least one surface of the first passivation layer 160 to prevent hydrogen from penetrating into the thin film transistor 120 . Here, as in the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1 , the hydrogen blocking layer 170 is below the first passivation layer 160 , that is, between the organic light emitting part 150 and the first passivation layer 160 . or on the upper side of the first passivation layer 160, that is, the first passivation layer 160 and the particle cover layer 180 to be described later as in the second embodiment of the present invention shown in FIG. 2 (PCL; Particle Cover Layer) may be provided. In FIGS. 1 and 2 , the hydrogen blocking layer 160 is formed on the lower surface or upper surface of the first passivation layer 160 , respectively, but the hydrogen blocking layer 160 is the lower surface and the upper surface of the first passivation layer 160 . Of course, a separate layer for implementing an additional function may be further provided between the first passivation layer 160 and the hydrogen blocking layer 170 .

수소 차단층(170)은 원료 가스와 반응 가스를 순차적으로 공급하는 원자층 증착(atomic layer deposition) 공정으로 형성될 수 있다. 이와 같이, 수소 차단층(170)을 원자층 증착 공정으로 형성하는 경우, 수소 차단층(170)의 치밀도를 향상시켜 수소 차단층(170) 상에 형성된 박막, 예를 들어, 파티클 커버층(180) 또는 제2 패시베이션층(190)에 함유된 수소가 박막 트랜지스터(120)로 침투하는 것을 차단할 수 있다. 이때, 원자층 증착 공정으로 형성되는 수소 차단층(170)은 화학 기상 증착 공정으로 형성으로 형성되는 제1 패시베이션층(160)에 비해 낮은 증착 속도로 증착되므로, 수소 차단층(170)은 제1 패시베이션층(160)보다 얇은 두께를 가지도록 형성하여 공정 속도가 저하되는 것을 최소화할 수 있다.The hydrogen blocking layer 170 may be formed by an atomic layer deposition process in which a source gas and a reaction gas are sequentially supplied. In this way, when the hydrogen blocking layer 170 is formed by an atomic layer deposition process, a thin film formed on the hydrogen blocking layer 170 by improving the density of the hydrogen blocking layer 170, for example, a particle cover layer ( 180 ) or hydrogen contained in the second passivation layer 190 may block penetration into the thin film transistor 120 . At this time, since the hydrogen blocking layer 170 formed by the atomic layer deposition process is deposited at a lower deposition rate than the first passivation layer 160 formed by the chemical vapor deposition process, the hydrogen blocking layer 170 is the first By forming it to have a thickness thinner than that of the passivation layer 160 , it is possible to minimize a decrease in the process speed.

한편, 수소 차단층(170)은 아미노(amino)계 실리콘 함유 가스 및 할라이드(halide)계 실리콘 함유 가스 중 적어도 하나를 포함하는 가스를 원료 가스로 사용하고, 질소 함유 가스 및 수소 함유 가스 중 적어도 하나를 포함하는 가스를 반응 가스로 사용하여 원자층 증착 공정으로 형성될 수 있다. 여기서, 아미노(amino)계 실리콘 함유 가스는 트리실릴아민(TSA; trisilylamine) 가스, 비스터셔리부틸아미노실란(BTBAS; bis(tertiary-butylamino)silane) 가스, 비스디메틸아미노실란(BDMAS; bis(dimethylamino)silane) 가스, 비스디에틸아미노실란(BDEAS; bis(diethylamino)silane) 가스, 디메틸아미노실란(DMAS; dimethylaminosilane) 가스, 디에틸아미노실란(DEAS; diethylamino silane) 가스, 디프로필아미노실란(DPAS; dipropylamino silane) 가스, 부틸아미노실란(BAS; butylaminosilane) 가스, 디이소프로필아미노실란(DIPAS; diisopropylaminosilane) 가스, 비스에틸메틸아미노실란(BEMAS; bis(ethylmethylamino)silane 가스 및 트리스디메틸아미노실란(TDMAS; tris(dimethylamino)silane) 가스 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 할라이드계 실리콘 함유 가스는 모노클로로실란(MCS; monochlorosilane) 가스, 디클로로실란(DCS; dichlorosilane) 가스, 트리클로로실란(TCS; trichlorosilane) 가스, 테트라클로로실란(STC; tetrachlorosilane) 가스, 헥사클로로디실란(HCDS; hexachlorodisilane) 가스, 옥타클로로실란(OCTS; octachlorotrisilane) 가스 및 디이오도실란(diiodosilane) 가스 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Meanwhile, the hydrogen barrier layer 170 uses a gas including at least one of an amino-based silicon-containing gas and a halide-based silicon-containing gas as a source gas, and at least one of a nitrogen-containing gas and a hydrogen-containing gas. It may be formed by an atomic layer deposition process using a gas containing as a reactive gas. Here, the amino-based silicon-containing gas is a trisilylamine (TSA) gas, a bis(tertiary-butylamino)silane (BTBAS; bis(tertiary-butylamino)silane) gas, and a bisdimethylaminosilane (BDMAS; bis(dimethylamino) ) silane) gas, bis(diethylamino)silane (BDEAS) gas, dimethylaminosilane (DMAS) gas, diethylaminosilane (DEAS; diethylamino silane) gas, dipropylaminosilane (DPAS); dipropylamino silane) gas, butylaminosilane (BAS) gas, diisopropylaminosilane (DIPAS) gas, bisethylmethylaminosilane (BEMAS; bis(ethylmethylamino)silane gas, and trisdimethylaminosilane (TDMAS; tris) (dimethylamino)silane) gas, and the halide-based silicon-containing gas is a monochlorosilane (MCS) gas, a dichlorosilane (DCS) gas, a trichlorosilane (TCS; trichlorosilane) gas, It may include at least one of tetrachlorosilane (STC) gas, hexachlorodisilane (HCDS) gas, octachlorotrisilane (OCTS) gas, and diiodosilane gas.

실란 가스(SiH4)는 하나의 실리콘 원자에 4개의 수소 원자가 화학적으로 결합된 분자 구조를 가진다. 따라서, 실란 가스(SiH4)를 공급하여 수소 차단층(170)을 형성하는 경우, 수소 차단층(170)은 높은 수소 함량을 가지게 되어 수소 차단층(170)에 함유된 다량의 수소가 박막 트랜지스터로 침투하게 되어, 박막 트랜지스터의 누설 전류가 증가하고, 문턱 전압이 높아지는 등 전기적 특성을 저하시킬 수 있다. 또한, 실란 가스(SiH4)는 낮은 흡착성을 가진다. 즉, 원자층 증착 공정으로 제1 패시베이션층(160)을 형성하기 위하여는 원료 가스가 먼저 흡착되어야 하는데, 실란 가스(SiH4)는 흡착성이 낮아 원자층 증착 공정으로 형성되기 어려운 문제점을 가진다. 이에, 본 발명의 실시 예에서는 아미노계 실리콘 함유 가스 및 할라이드계 실리콘 함유 가스 중 적어도 하나를 포함하는 가스를 원료 가스로 사용하여, 수소 차단층(170) 전체에 대하여 20 at% 이하, 바람직하게는 10 내지 15 at%이며 후술하는 파티클 커버층(180) 및 제2 패시베이션층(190)보다 낮은 수소 함량을 가지면서도, 원자층 증착 공정으로 치밀한 구조의 수소 차단층(170)을 형성할 수 있다.Silane gas (SiH 4 ) has a molecular structure in which four hydrogen atoms are chemically bonded to one silicon atom. Therefore, when the hydrogen blocking layer 170 is formed by supplying silane gas (SiH 4 ), the hydrogen blocking layer 170 has a high hydrogen content, so that a large amount of hydrogen contained in the hydrogen blocking layer 170 is a thin film transistor. As a result, the leakage current of the thin film transistor may increase, and electrical characteristics may be deteriorated, such as a high threshold voltage. In addition, silane gas (SiH 4 ) has low adsorption properties. That is, in order to form the first passivation layer 160 by the atomic layer deposition process, the source gas must first be adsorbed, but the silane gas (SiH 4 ) has a problem in that it is difficult to form by the atomic layer deposition process because of its low adsorption property. Accordingly, in an embodiment of the present invention, a gas including at least one of an amino-based silicon-containing gas and a halide-based silicon-containing gas is used as a source gas, and 20 at% or less, preferably, with respect to the entire hydrogen barrier layer 170 . It is 10 to 15 at% and has a hydrogen content lower than that of the particle cover layer 180 and the second passivation layer 190 to be described later, and the hydrogen blocking layer 170 having a dense structure can be formed by an atomic layer deposition process.

파티클 커버층(180)은 제1 패시베이션층(160) 상에 마련된다. 여기서, 파티클 커버층(180)은, 본 발명의 제1 실시 예에서와 같이 수소 차단층(170)이 제1 패시베이션층(160)의 하측에 마련되는 경우, 제1 패시베이션층(160)을 덮도록 마련될 수 있으며, 본 발명의 제2 실시 예에서와 같이 수소 차단층(170)이 제1 패시베이션층(160)의 상측에 마련되는 경우, 수소 차단층(170)을 덮도록 마련될 수 있다.The particle cover layer 180 is provided on the first passivation layer 160 . Here, the particle cover layer 180 covers the first passivation layer 160 when the hydrogen blocking layer 170 is provided under the first passivation layer 160 as in the first embodiment of the present invention. When the hydrogen blocking layer 170 is provided on the upper side of the first passivation layer 160 as in the second embodiment of the present invention, it may be provided to cover the hydrogen blocking layer 170 . .

파티클 커버층(180)은 유기 발광부(150) 상에 파티클이 존재하는 경우, 파티클을 전체적으로 덮어 상부면을 평탄화하기 위한 구성이다. 이와 같은 파티클 커버층(180)으로는 다양한 물질이 사용될 수 있으며, 예를 들어 탄소 화합물과 같은 유기물이 이용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 유기물로 이루어지는 파티클 커버층(180)은 수소 차단층(170)보다 높은 수소 함량을 가지게 되며, 수소 차단층(170)은 이와 같이 높은 수소 함량을 가지는 파티클 커버층(180)으로부터 박막 트랜지스터(120)로 수소가 침투하는 것을 차단하게 된다.When particles are present on the organic light emitting unit 150 , the particle cover layer 180 covers the particles as a whole to planarize the upper surface. Various materials may be used as the particle cover layer 180 , for example, an organic material such as a carbon compound may be used, but is not limited thereto. The particle cover layer 180 made of an organic material has a higher hydrogen content than the hydrogen blocking layer 170 , and the hydrogen blocking layer 170 is formed from the particle cover layer 180 having such a high hydrogen content to the thin film transistor 120 . to block the penetration of hydrogen.

여기서, 파티클 커버층(180)의 두께는 제1 패시베이션층(160) 및 후술할 제2 패시베이션층(190)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 파티클 커버층(180)은 제조 공정 중에 파티클이 유입되는 경우, 파티클을 확실히 덮을 수 있도록 충분한 두께를 가지며, 이러한 파티클 커버층(180)의 두께는 제1 패시베이션층(160) 및 제2 패시베이션층(190)의 두께보다 두꺼울 수 있다.Here, the particle cover layer 180 may have a thickness greater than that of the first passivation layer 160 and the second passivation layer 190 to be described later. The particle cover layer 180 has a thickness sufficient to reliably cover the particles when particles are introduced during the manufacturing process, and the thickness of the particle cover layer 180 is the first passivation layer 160 and the second passivation layer ( 190) may be thicker.

제2 패시베이션층(190)은 파티클 커버층(180) 상에 파티클 커버층(180)을 덮도록 마련될 수 있다. 제2 패시베이션층(190) 또한 외부로부터 침투할 수 있는 수분, 공기 또는 물리적 충격으로부터 유기 발광부(150)를 보호하는 역할을 할 수 있으며, 유기 발광부(150)를 덮도록 형성되는 제1 패시베이션층(160), 파티클 커버층(180) 및 제2 패시베이션층(190)은 유기 발광 표시 장치(100)의 봉지막으로 기능할 수 있다.The second passivation layer 190 may be provided on the particle cover layer 180 to cover the particle cover layer 180 . The second passivation layer 190 may also serve to protect the organic light emitting unit 150 from moisture, air, or physical impact that may penetrate from the outside, and a first passivation formed to cover the organic light emitting unit 150 . The layer 160 , the particle cover layer 180 , and the second passivation layer 190 may function as an encapsulation layer of the organic light emitting diode display 100 .

제2 패시베이션층(180)은 실리콘 산화물(SiO), 실리콘 질화물(SiN) 및 실리콘 산화 질화물(SiON) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 제2 패시베이션층(190) 또한 하이드로계 실리콘 함유 가스를 포함하는 원료 가스와, 아산화질소 가스(N2O) 및 암모니아 가스(NH3) 중 적어도 하나의 가스를 포함하는 반응 가스를 동시에 공급하는 화학 기상 증착 공정으로 1 내지 10000Å의 다양한 두께로 형성할 수 있다. 이와 같은 제2 패시베이션층(180)은 제1 패시베이션층(160)과는 다른 물질로 형성될 수 있다. 이때, 제1 패시베이션층(160)을 이루는 물질과 다른 제2 패시베이션층(180)의 물질은 제2 패시베이션층(180)의 기능에 기초하여 결정될 수 있다. 제2 패시베이션층(180)은 유기 발광부(150)와 직접 접하지 않고, 유기 발광 표시 장치(100)에서 보다 외측에 위치하므로, 제1 패시베이션층(160)과는 다소 상이한 기능, 예컨대 외부로부터 유기 발광 표시 장치(100)로 유입되는 수분을 일차적으로 저지하는 기능을 수행하므로, 이에 따라 제2 패시베이션층(180)을 이루는 물질이 결정될 수 있다. 또한, 제2 패시베이션층(180)은 2 패시베이션층(170)이 기판(110)의 엣지(edge) 영역에서 박리되거나 크랙되는 것을 최소화하도록, 물질이나 두께가 결정될 수 있다.The second passivation layer 180 may include at least one of silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiN), and silicon oxynitride (SiON). Here, the second passivation layer 190 is also a raw material gas containing a hydro-based silicon-containing gas, nitrous oxide gas (N 2 O) and ammonia gas (NH 3 ) A reaction gas containing at least one gas is supplied at the same time. It can be formed in various thicknesses of 1 to 10000 Å by a chemical vapor deposition process. The second passivation layer 180 may be formed of a material different from that of the first passivation layer 160 . In this case, the material of the second passivation layer 180 different from the material of the first passivation layer 160 may be determined based on the function of the second passivation layer 180 . Since the second passivation layer 180 does not directly contact the organic light emitting unit 150 and is located outside the organic light emitting diode display 100 , a function somewhat different from that of the first passivation layer 160 , for example, from the outside. Since a function of primarily blocking moisture flowing into the organic light emitting display device 100 is performed, a material constituting the second passivation layer 180 may be determined accordingly. In addition, the material or thickness of the second passivation layer 180 may be determined such that the second passivation layer 170 minimizes peeling or cracking in the edge region of the substrate 110 .

이와 같이, 하이드로계 실리콘 함유 가스를 포함하는 원료 가스를 이용하여 화학 기상 증착 공정으로 형성되는 제2 패시베이션층(190) 역시 수소 차단층(170)보다 높은 수소 함량을 가지게 되며, 수소 차단층(170)은 이와 같이 높은 수소 함량을 가지는 제2 패시베이션층(190)으로부터 박막 트랜지스터(120)로 수소가 침투하는 것을 차단할 수 있게 된다.As such, the second passivation layer 190 formed by a chemical vapor deposition process using a source gas including a hydro-based silicon-containing gas also has a higher hydrogen content than the hydrogen blocking layer 170 , and the hydrogen blocking layer 170 . ) can block the penetration of hydrogen from the second passivation layer 190 having a high hydrogen content into the thin film transistor 120 .

이하에서, 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 상세하게 설명하기로 한다. 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법의 설명에 있어서, 전술한 유기 발광 표시 장치에 관한 설명과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4 . In the description of the method of manufacturing the organic light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present invention, a description overlapping with the above-described organic light emitting display device description will be omitted.

도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.3 is a diagram schematically illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram schematically illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention. to be.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 방법은, 박막 트랜지스터(120) 상에 유기 발광부(150)가 형성된 기판(110)을 마련하는 단계, 원자층 증착 공정으로, 상기 유기 발광부(150)를 덮도록 실리콘 질화물을 포함하는 수소 차단층(170)을 형성하는 단계(S130) 및 화학 기상 증착 공정으로, 상기 수소 차단층(170) 상에 제1 패시베이션층(160)을 형성하는 단계(S140)를 포함한다.Referring to FIG. 3 , the method of manufacturing the organic light emitting display device 100 according to the first embodiment of the present invention includes the steps of preparing a substrate 110 on which an organic light emitting unit 150 is formed on a thin film transistor 120 . , forming a hydrogen blocking layer 170 including silicon nitride to cover the organic light emitting part 150 by an atomic layer deposition process (S130) and a chemical vapor deposition process, on the hydrogen blocking layer 170 and forming a first passivation layer 160 thereon (S140).

한편, 도 4를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 방법은, 박막 트랜지스터(120) 상에 유기 발광부(150)가 형성된 기판(110)을 마련하는 단계, 화학 기상 증착 공정으로, 상기 유기 발광부(150)를 덮도록 제1 패시베이션층(160)을 형성하는 단계(S230) 및 원자층 증착 공정으로, 상기 제1 패시베이션층(160) 상에 실리콘 질화물을 포함하는 수소 차단층(170)을 형성하는 단계(S240)를 포함한다.Meanwhile, referring to FIG. 4 , in the method of manufacturing the organic light emitting display device 100 according to the second embodiment of the present invention, the substrate 110 on which the organic light emitting part 150 is formed is prepared on the thin film transistor 120 . forming the first passivation layer 160 to cover the organic light emitting part 150 by a chemical vapor deposition process (S230) and an atomic layer deposition process, on the first passivation layer 160 and forming a hydrogen blocking layer 170 including silicon nitride ( S240 ).

본 발명의 제1 실시 예에서의 수소 차단층(170)을 형성하는 단계(S130) 및 제1 패시베이션층(160)을 형성하는 단계(S140)와, 제2 실시 예에서의 제1 패시베이션층(160)을 형성하는 단계(S230) 및 수소 차단층(170)을 형성하는 단계(S240)는 박막의 형성 순서에만 차이가 있는 것으로, 이하에서는 수소 차단층(170)을 형성하는 단계(S130, S240)와, 제1 패시베이션층(160)을 형성하는 단계(S140, S230)로 통칭하여 설명하기로 한다.Forming the hydrogen blocking layer 170 in the first embodiment of the present invention (S130) and forming the first passivation layer 160 (S140), and the first passivation layer in the second embodiment (S140) The step of forming 160) (S230) and the step of forming the hydrogen blocking layer 170 (S240) are different only in the order of formation of the thin film, hereinafter, the steps of forming the hydrogen blocking layer 170 (S130, S240). ) and the steps of forming the first passivation layer 160 (S140, S230) will be collectively described.

또한, 도 3 및 도 4에서는 제1 패시베이션층(160)의 하면 또는 상면에 각각 수소 차단층(160)을 형성하는 방법을 도시하였으나, 수소 차단층(160)은 제1 패시베이션층(160)의 하면과 상면에 각각 형성될 수도 있으며, 제1 패시베이션층(160)과 수소 차단층(170) 사이에는 추가적인 기능을 구현하기 위한 별도의 층이 더 마련될 수도 있음은 물론이다.In addition, although the method of forming the hydrogen blocking layer 160 on the lower surface or the upper surface of the first passivation layer 160 is illustrated in FIGS. 3 and 4 , the hydrogen blocking layer 160 is the first passivation layer 160 . It may be formed on the lower surface and the upper surface, respectively, and it goes without saying that a separate layer for implementing an additional function may be further provided between the first passivation layer 160 and the hydrogen blocking layer 170 .

기판(110)을 마련하는 단계는 박막 트랜지스터(120) 상에 유기 발광부(150)가 형성된 기판(110)을 마련한다. 여기서, 기판(110)을 마련하는 단계는 기판(110) 상에 박막 트랜지스터(110)를 형성하는 단계(S110, S210) 및 상기 박막 트랜지스터(110) 상에 유기 발광부(150)를 형성하는 단계(S120, S220)를 포함할 수 있다.In the step of preparing the substrate 110 , the substrate 110 in which the organic light emitting unit 150 is formed on the thin film transistor 120 is prepared. Here, the step of preparing the substrate 110 includes forming the thin film transistor 110 on the substrate 110 ( S110 , S210 ) and forming the organic light emitting unit 150 on the thin film transistor 110 . (S120, S220) may be included.

박막 트랜지스터(120)를 형성하는 단계(S110, S210)는 기판(110) 상에 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터(120)를 형성한다. 여기서, 박막 트랜지스터(120)는 산화물을 포함하는 활성층을 가지는 산화물 박막 트랜지스터(oxide TFT)일 수 있다.In the steps of forming the thin film transistor 120 ( S110 and S210 ), the thin film transistor 120 including an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode is formed on the substrate 110 . Here, the thin film transistor 120 may be an oxide TFT having an active layer including an oxide.

유기 발광부(150)를 형성하는 단계(S120, S220)는 박막 트랜지스터(120) 상에 유기 발광부(150)를 형성한다. 이때, 박막 트랜지스터(120) 상에는 소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 덮도록 절연층(130) 및 평탄화층(140)이 마련될 수 있으며, 절연층(130)은 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극 또는 드레인 전극의 일부를 노출시키도록 기판(110)의 전면에 형성될 수 있고, 평탄화층(140)은 소스 전극 또는 드레인 전극의 일부를 노출시키는 컨택 홀을 가지도록 형성될 수 있다.In the steps S120 and S220 of forming the organic light emitting part 150 , the organic light emitting part 150 is formed on the thin film transistor 120 . In this case, the insulating layer 130 and the planarization layer 140 may be provided on the thin film transistor 120 to cover the source electrode, the drain electrode, and the active layer, and the insulating layer 130 is the source electrode of the thin film transistor 120 or It may be formed on the entire surface of the substrate 110 to expose a portion of the drain electrode, and the planarization layer 140 may be formed to have a contact hole through which a portion of the source electrode or the drain electrode is exposed.

유기 발광부(150)는 애노드층(152), 유기 발광층(154) 및 캐소드층(156)을 포함할 수 있다. 이때, 애노드층(152)은, 예를 들어 평탄화층(140)의 컨택 홀을 통해 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 연결될 수 있다. 이와 같은 애노드층(152)의 양 측면에는 뱅크층(158)이 배치될 수 있으며, 뱅크층(158)은 테이퍼(taper) 형상을 가질 수 있다. 또한, 유기 발광층(154)은 애노드층(152) 상에 형성될 수 있으며, 유기 발광층(154) 상에는 캐소드층(156)이 마련될 수 있다.The organic light emitting unit 150 may include an anode layer 152 , an organic light emitting layer 154 , and a cathode layer 156 . In this case, the anode layer 152 may be connected to, for example, a source electrode or a drain electrode of the thin film transistor 120 through a contact hole of the planarization layer 140 . A bank layer 158 may be disposed on both sides of the anode layer 152 , and the bank layer 158 may have a tapered shape. In addition, the organic emission layer 154 may be formed on the anode layer 152 , and the cathode layer 156 may be provided on the organic emission layer 154 .

제1 패시베이션층(160)을 형성하는 단계(S130, S240)는 원료 가스와 반응 가스를 동시에 공급하는 화학 기상 증착 공정으로 제1 패시베이션층(160)을 형성한다. 이때, 제1 패시베이션층(160)은 실란 가스(SiH4)와 같은 하이드로계 실리콘 함유 가스를 포함하는 원료 가스와, 암모니아 가스(NH3), 아산화질소 가스(N2O)와 같은 반응 가스를 동시에 공급하여 형성할 수 있다.In the steps of forming the first passivation layer 160 ( S130 and S240 ), the first passivation layer 160 is formed by a chemical vapor deposition process in which a source gas and a reaction gas are simultaneously supplied. At this time, the first passivation layer 160 is a silane gas (SiH 4 ) and a raw material gas containing a hydro-based silicon-containing gas, such as ammonia gas (NH 3 ), nitrous oxide gas (N 2 O) and a reactive gas such as It can be formed by supplying at the same time.

수소 차단층(170)을 형성하는 단계(S140, S230)는 원료 가스와 반응 가스를 순차적으로 공급하는 원자층 증착 공정으로 수소 차단층(170)을 형성한다. 이와 같은 원자층 증착 공정은 원료 가스의 공급, 퍼지, 반응 가스의 공급 및 퍼지를 하나의 사이클(cycle)로 하여 복수 회로 수행될 수 있으며, 반응 가스의 공급시 공정 공간에 전원을 인가하여 플라즈마를 발생시킬 수 있다.In the steps of forming the hydrogen barrier layer 170 ( S140 and S230 ), the hydrogen barrier layer 170 is formed by an atomic layer deposition process in which a source gas and a reaction gas are sequentially supplied. Such an atomic layer deposition process may be performed a plurality of times by one cycle of supplying, purging, and supplying and purging a reaction gas as a source gas. can cause

이와 같은, 수소 차단층(170)은 박막 트랜지스터(120)로 수소가 침투하는 것을 방지하기 위하여 형성되며, 아미노(amino)계 실리콘 함유 가스 및 할라이드(halide)계 실리콘 함유 가스 중 적어도 하나를 포함하는 가스를 원료 가스로 사용하고, 질소 함유 가스 및 수소 함유 가스 중 적어도 하나를 포함하는 가스를 반응 가스로 사용하여 원자층 증착 공정으로 형성될 수 있다. 여기서, 아미노(amino)계 실리콘 함유 가스는 트리실릴아민(TSA; trisilylamine) 가스, 비스터셔리부틸아미노실란(BTBAS; bis(tertiary-butylamino)silane) 가스, 비스디메틸아미노실란(BDMAS; bis(dimethylamino)silane) 가스, 비스디에틸아미노실란(BDEAS; bis(diethylamino)silane) 가스, 디메틸아미노실란(DMAS; dimethylaminosilane) 가스, 디에틸아미노실란(DEAS; diethylamino silane) 가스, 디프로필아미노실란(DPAS; dipropylamino silane) 가스, 부틸아미노실란(BAS; butylaminosilane) 가스, 디이소프로필아미노실란(DIPAS; diisopropylaminosilane) 가스, 비스에틸메틸아미노실란(BEMAS; bis(ethylmethylamino)silane 가스 및 트리스디메틸아미노실란(TDMAS; tris(dimethylamino)silane) 가스 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 할라이드계 실리콘 함유 가스는 모노클로로실란(MCS; monochlorosilane) 가스, 디클로로실란(DCS; dichlorosilane) 가스, 트리클로로실란(TCS; trichlorosilane) 가스, 테트라클로로실란(STC; tetrachlorosilane) 가스, 헥사클로로디실란(HCDS; hexachlorodisilane) 가스, 옥타클로로실란(OCTS; octachlorotrisilane) 가스 및 디이오도실란(diiodosilane) 가스 중 적어도 하나를 포함할 수 있음은 전술한 바와 같다. 또한, 반응 가스로는 질소 가스(N2), 암모니아 가스(NH3), 수소 가스(H2)와 같은 질소 함유 가스 및 수소 함유 가스 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.As such, the hydrogen blocking layer 170 is formed to prevent hydrogen from penetrating into the thin film transistor 120, and includes at least one of an amino-based silicon-containing gas and a halide-based silicon-containing gas. It may be formed by an atomic layer deposition process using a gas as a source gas and a gas including at least one of a nitrogen-containing gas and a hydrogen-containing gas as a reactive gas. Here, the amino-based silicon-containing gas is a trisilylamine (TSA) gas, a bis(tertiary-butylamino)silane (BTBAS; bis(tertiary-butylamino)silane) gas, and a bisdimethylaminosilane (BDMAS; bis(dimethylamino) ) silane) gas, bis(diethylamino)silane (BDEAS) gas, dimethylaminosilane (DMAS) gas, diethylaminosilane (DEAS; diethylamino silane) gas, dipropylaminosilane (DPAS); dipropylamino silane) gas, butylaminosilane (BAS) gas, diisopropylaminosilane (DIPAS) gas, bisethylmethylaminosilane (BEMAS; bis(ethylmethylamino)silane gas, and trisdimethylaminosilane (TDMAS; tris) (dimethylamino)silane) gas, and the halide-based silicon-containing gas is a monochlorosilane (MCS) gas, a dichlorosilane (DCS) gas, a trichlorosilane (TCS; trichlorosilane) gas, It may include at least one of tetrachlorosilane (STC) gas, hexachlorodisilane (HCDS) gas, octachlorotrisilane (OCTS) gas, and diiodosilane gas as described above. In addition, as the reaction gas, at least one of a nitrogen-containing gas and a hydrogen-containing gas such as nitrogen gas (N 2 ), ammonia gas (NH 3 ), and hydrogen gas (H 2 ) may be used.

즉, 본 발명의 실시 예에서는 아미노계 실리콘 함유 가스 및 할라이드계 실리콘 함유 가스 중 적어도 하나를 포함하는 가스를 원료 가스로 사용하여, 수소 차단층(170) 전체에 대하여 20 at%, 바람직하게는 10 내지 15 at%이며 상기 수소 차단층(170) 상에 형성되는 파티클 커버층(180) 및 제2 패시베이션층(190)보다 낮은 수소 함량을 가지면서도, 원자층 증착 공정으로 치밀한 구조의 수소 차단층(170)을 형성할 수 있다. 또한, 수소 차단층(170)을 형성하는 단계(S140, S230)에서는 반응 가스의 공급시 공정 공간에 전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 원자층 증착 공정으로 수소 차단층(170)을 형성함으로써 120℃ 이하, 즉 80 내지 120℃의 온도에서 공정이 수행될 수 있다.That is, in the embodiment of the present invention, a gas including at least one of an amino-based silicon-containing gas and a halide-based silicon-containing gas is used as a source gas, and 20 at%, preferably 10, with respect to the entire hydrogen barrier layer 170 . to 15 at% and has a hydrogen content lower than that of the particle cover layer 180 and the second passivation layer 190 formed on the hydrogen blocking layer 170, while having a dense structure through an atomic layer deposition process ( 170) can be formed. In addition, in the steps of forming the hydrogen blocking layer 170 ( S140 , S230 ), the hydrogen blocking layer 170 is formed by an atomic layer deposition process that generates plasma by applying power to the process space when the reaction gas is supplied, thereby forming the hydrogen blocking layer 170 at 120° C. Below, that is, the process may be performed at a temperature of 80 to 120 °C.

본 발명의 제1 실시 예의 경우 수소 차단층(170)을 형성하는 단계(S140), 본 발명의 제2 실시 예의 경우 제1 패시베이션층(160)을 형성하는 단계(S240) 이후에는 파티클 커버층(180)을 형성하는 단계가 수행될 수 있다. 파티클 커버층(180)은 수소 차단층(170) 또는 제1 패시베이션층(160) 상에 수소 차단층(170) 또는 제1 패시베이션층(160)을 덮도록 마련될 수 있으며, 파티클 커버층(170)을 형성하는 단계는 유기물을 액상 도포하여 파티클 커버층(170)을 형성할 수 있다. 또한, 파티클 커버층(170)을 형성하는 단계 이후에는 제2 패시베이션층(190)을 형성하는 단계가 수행될 수 있으며, 제2 패시베이션층(190)은 파티클 커버층(180) 상에 파티클 커버층(180)을 덮도록 마련되어 외부로부터 침투할 수 있는 수분, 공기 또는 물리적 충격으로부터 유기 발광부(150)를 보호하는 역할을 수행함은 전술한 바와 같다.In the case of the first embodiment of the present invention, after the step of forming the hydrogen blocking layer 170 (S140), in the case of the second embodiment of the present invention, after the step of forming the first passivation layer 160 (S240), the particle cover layer ( 180) may be performed. The particle cover layer 180 may be provided to cover the hydrogen blocking layer 170 or the first passivation layer 160 on the hydrogen blocking layer 170 or the first passivation layer 160 , and the particle covering layer 170 . ) may be formed by applying an organic material in a liquid phase to form the particle cover layer 170 . In addition, after the step of forming the particle cover layer 170 , the step of forming the second passivation layer 190 may be performed, and the second passivation layer 190 is a particle cover layer on the particle cover layer 180 . As described above, the organic light emitting unit 150 is provided to cover the 180 and serves to protect the organic light emitting unit 150 from moisture, air, or physical impact that may penetrate from the outside.

이와 같이, 본 발명의 실시 예에 의하면, 유기 발광부 상에 마련되는 제1 패시베이션층의 적어도 일면 상에 수소 차단층을 형성하여, 박막 트랜지스터로 수소가 침투하는 것을 방지할 수 있다.As described above, according to an embodiment of the present invention, by forming a hydrogen blocking layer on at least one surface of the first passivation layer provided on the organic light emitting unit, it is possible to prevent hydrogen from penetrating into the thin film transistor.

또한, 실리콘 질화물을 포함하는 수소 차단층을 낮은 수소 함량을 가지도록 형성하여, 수소 차단층에서 박막 트랜지스터로 수소가 확산되는 것을 방지할 수 있다.In addition, by forming the hydrogen blocking layer including silicon nitride to have a low hydrogen content, diffusion of hydrogen from the hydrogen blocking layer to the thin film transistor can be prevented.

이에 의하여, 박막 트랜지스터의 누설 전류를 감소시키고, 문턱 전압을 낮출 수 있게 되어 박막 트랜지스터의 동작 특성을 향상시키고, 박막 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 내구성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Accordingly, it is possible to reduce the leakage current of the thin film transistor and lower the threshold voltage, thereby improving the operating characteristics of the thin film transistor, and improving durability and reliability of the organic light emitting diode display including the thin film transistor.

상기에서, 본 발명의 바람직한 실시 예가 특정 용어들을 사용하여 설명 및 도시되었지만 그러한 용어는 오로지 본 발명을 명확하게 설명하기 위한 것일 뿐이며, 본 발명의 실시 예 및 기술된 용어는 다음의 청구범위의 기술적 사상 및 범위로부터 이탈되지 않고서 여러 가지 변경 및 변화가 가해질 수 있는 것은 자명한 일이다. 이와 같이 변형된 실시 예들은 본 발명의 사상 및 범위로부터 개별적으로 이해되어져서는 안 되며, 본 발명의 청구범위 안에 속한다고 해야 할 것이다.In the above, preferred embodiments of the present invention have been described and illustrated using specific terms, but such terms are only for clearly explaining the present invention, and the embodiments of the present invention and the described terms are the spirit of the following claims And it is obvious that various changes and changes can be made without departing from the scope. Such modified embodiments should not be individually understood from the spirit and scope of the present invention, but should be said to fall within the scope of the claims of the present invention.

100: 유기 발광 표시 장치 110: 기판
120: 박막 트랜지스터 130: 절연층
140: 평탄화층 150: 유기 발광부
152: 애노드층 154: 뱅크층
156: 유기 발광층 158: 캐소드층
160: 제1 패시베이션층 170: 수소 차단층
180: 파티클 커버층 190: 제2 패시베이션층100: organic light emitting display device 110: substrate
120: thin film transistor 130: insulating layer
140: planarization layer 150: organic light emitting part
152: anode layer 154: bank layer
156: organic light emitting layer 158: cathode layer
160: first passivation layer 170: hydrogen blocking layer
180: particle cover layer 190: second passivation layer

Claims (15)

기판;
상기 기판 상에 마련되는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 마련되는 유기 발광부;
상기 유기 발광부 상에 마련되며, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 공정으로 형성되는 제1 패시베이션층; 및
상기 제1 패시베이션층의 적어도 일면 상에 마련되고, 실리콘 질화물을 포함하며, 원자층 증착(atomic layer deposition) 공정으로 형성되는 수소 차단층;을 포함하는 유기 발광 표시 장치.Board;
a thin film transistor provided on the substrate;
an organic light emitting unit provided on the thin film transistor;
a first passivation layer provided on the organic light emitting unit and formed by a chemical vapor deposition process; and
and a hydrogen blocking layer provided on at least one surface of the first passivation layer, including silicon nitride, and formed by an atomic layer deposition process. 청구항 1에 있어서,
상기 수소 차단층은,
상기 수소 차단층 전체에 대하여 20 at% 이하의 수소 함량을 가지는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
The hydrogen barrier layer,
An organic light emitting diode display having a hydrogen content of 20 at% or less with respect to the entire hydrogen blocking layer. 청구항 1에 있어서,
상기 수소 차단층은 상기 제1 패시베이션층보다 얇은 두께를 가지는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
The hydrogen blocking layer has a thickness smaller than that of the first passivation layer. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 패시베이션층 상에 마련되는 파티클 커버층; 및
상기 파티클 커버층 상에 마련되는 제2 패시베이션층;을 더 포함하고,
상기 수소 차단층은,
상기 유기 발광부와 제1 패시베이션층 사이 및 상기 제1 패시베이션층과 파티클 커버층 사이 중 적어도 하나에 마련되는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
a particle cover layer provided on the first passivation layer; and
Further comprising; a second passivation layer provided on the particle cover layer,
The hydrogen barrier layer,
The organic light emitting diode display is provided on at least one of between the organic light emitting part and the first passivation layer and between the first passivation layer and the particle cover layer. 청구항 4에 있어서,
상기 파티클 커버층은 유기물을 포함하고,
상기 제1 패시베이션층 및 제2 패시베이션층은 각각 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산화 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.5. The method according to claim 4,
The particle cover layer contains an organic material,
The first passivation layer and the second passivation layer each include at least one of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride. 청구항 4에 있어서,
상기 수소 차단층은 상기 파티클 커버층 및 제2 패시베이션층보다 낮은 수소 함량을 가지는 유기 발광 표시 장치.5. The method according to claim 4,
The hydrogen blocking layer has a hydrogen content lower than that of the particle cover layer and the second passivation layer. 청구항 1에 있어서,
상기 박막 트랜지스터는 산화물을 포함하는 활성층을 가지는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
The thin film transistor is an organic light emitting diode display having an active layer including an oxide. 박막 트랜지스터 상에 유기 발광부가 형성된 기판을 마련하는 단계;
원자층 증착(atomic layer deposition) 공정으로, 상기 유기 발광부를 덮도록 실리콘 질화물을 포함하는 수소 차단층을 형성하는 단계; 및
화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 공정으로, 상기 수소 차단층 상에 제1 패시베이션층을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.providing a substrate on which an organic light emitting part is formed on a thin film transistor;
forming a hydrogen blocking layer including silicon nitride to cover the organic light emitting part by an atomic layer deposition process; and
and forming a first passivation layer on the hydrogen blocking layer through a chemical vapor deposition process. 박막 트랜지스터 상에 유기 발광부가 형성된 기판을 마련하는 단계;
화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 공정으로, 상기 유기 발광부 상에 제1 패시베이션층을 형성하는 단계; 및
원자층 증착(atomic layer deposition) 공정으로, 상기 제1 패시베이션층 상에 실리콘 질화물을 포함하는 수소 차단층을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.providing a substrate on which an organic light emitting part is formed on a thin film transistor;
forming a first passivation layer on the organic light emitting part by a chemical vapor deposition process; and
and forming a hydrogen blocking layer including silicon nitride on the first passivation layer through an atomic layer deposition process. 청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,
상기 수소 차단층을 형성하는 단계는,
상기 수소 차단층을 형성하기 위한 공정 공간에 실리콘을 함유하는 원료 가스를 공급하는 단계; 및
상기 공정 공간에 반응 가스를 공급하는 단계;를 포함하고,
상기 반응 가스를 공급하는 단계는,
상기 공정 공간에 전원을 인가하여, 상기 반응 가스를 활성화시키는 단계;를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.10. The method according to claim 8 or 9,
Forming the hydrogen barrier layer comprises:
supplying a source gas containing silicon to a process space for forming the hydrogen barrier layer; and
Including; supplying a reaction gas to the process space;
The step of supplying the reaction gas,
and applying power to the process space to activate the reaction gas. 청구항 10에 있어서,
상기 원료 가스는 아미노계 실리콘 함유 가스 및 할라이드계 실리콘 함유 가스 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.11. The method of claim 10,
The raw material gas includes at least one of an amino-based silicon-containing gas and a halide-based silicon-containing gas. 청구항 11에 있어서,
상기 아미노계 실리콘 함유 가스는, 트리실릴아민(TSA; trisilylamine) 가스, 비스터셔리부틸아미노실란(BTBAS; bis(tertiary-butylamino)silane) 가스, 비스디메틸아미노실란(BDMAS; bis(dimethylamino)silane) 가스, 비스디에틸아미노실란(BDEAS; bis(diethylamino)silane) 가스, 디메틸아미노실란(DMAS; dimethylaminosilane) 가스, 디에틸아미노실란(DEAS; diethylamino silane) 가스, 디프로필아미노실란(DPAS; dipropylamino silane) 가스, 부틸아미노실란(BAS; butylaminosilane) 가스, 디이소프로필아미노실란(DIPAS; diisopropylaminosilane) 가스, 비스에틸메틸아미노실란(BEMAS; bis(ethylmethylamino)silane 가스 및 트리스디메틸아미노실란(TDMAS; tris(dimethylamino)silane) 가스 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.12. The method of claim 11,
The amino-based silicon-containing gas is a trisilylamine (TSA) gas, a bis(tertiary-butylamino)silane (BTBAS; bis(tertiary-butylamino)silane) gas, and a bisdimethylaminosilane (BDMAS; bis(dimethylamino)silane) gas. Gas, bisdiethylaminosilane (BDEAS; bis(diethylamino)silane) gas, dimethylaminosilane (DMAS) gas, diethylaminosilane (DEAS; diethylaminosilane) gas, dipropylaminosilane (DPAS; dipropylamino silane) Gas, butylaminosilane (BAS) gas, diisopropylaminosilane (DIPAS) gas, bisethylmethylaminosilane (BEMAS; bis(ethylmethylamino)silane gas, and trisdimethylaminosilane (TDMAS; tris(dimethylamino)) A method of manufacturing an organic light emitting display device including at least one of silane) gas. 청구항 11에 있어서,
상기 할라이드계 실리콘 함유 가스는, 모노클로로실란(MCS; monochlorosilane) 가스, 디클로로실란(DCS; dichlorosilane) 가스, 트리클로로실란(TCS; trichlorosilane) 가스, 테트라클로로실란(STC; tetrachlorosilane) 가스, 헥사클로로디실란(HCDS; hexachlorodisilane) 가스, 옥타클로로실란(OCTS; octachlorotrisilane) 가스 및 디이오도실란(diiodosilane) 가스 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.12. The method of claim 11,
The halide-based silicon-containing gas is, monochlorosilane (MCS) gas, dichlorosilane (DCS) gas, trichlorosilane (TCS; trichlorosilane) gas, tetrachlorosilane (STC; tetrachlorosilane) gas, hexachlorodi A method of manufacturing an organic light emitting diode display including at least one of a hexachlorodisilane (HCDS) gas, an octachlorotrisilane (OCTS) gas, and a diiodosilane gas. 청구항 10에 있어서,
상기 반응 가스는 질소 함유 가스 및 수소 함유 가스 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.11. The method of claim 10,
The reaction gas includes at least one of a nitrogen-containing gas and a hydrogen-containing gas. 청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,
상기 수소 차단층을 형성하는 단계는, 120℃ 이하의 온도에서 수행되는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
10. The method according to claim 8 or 9,
The forming of the hydrogen blocking layer is performed at a temperature of 120° C. or less.
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