KR20240027274A - Laminated thin film for encapsulation of light emitting diode and organic light emitting display device with the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광소자의 봉지(encapsulation)에 있어서, 유기막과 무기막의 접합력, 투습방지 성능 및 수율을 크게 향상시킬 수 있는 발광소자의 봉지를 위한 적층박막 및 이를 구비하는 유기발광 표시장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 발광소자의 봉지를 위한 적층박막은 발광소자가 형성된 기판 상에 형성되는 적층체로서, 무기화합물로 이루어지는 무기막을 포함하는 제1 봉지층; 상기 제1 봉지층 상에 적층되는 제1 계면안정층; 및 상기 제1 계면안정층 상에 적층되고 무기화합물로 이루어지는 무기막을 포함하는 제2 봉지층을 포함한다.
그리고, 상기 제1 계면안정층은, 상기 제1 봉지층의 무기막 위에 형성되고 실리콘계 유기화합물로 이루어지는 제1a 유기막; 및 상기 제1a 유기막 위에 형성되고 실리콘계 유기화합물로 이루어지는 제1b 유기막을 포함한다.
그리고, 상기 제1a 유기막의 밀도는 상기 제1b 유기막의 밀도보다 상대적으로 더 크게 형성된다.The present invention relates to a laminated thin film for encapsulation of a light emitting device that can significantly improve the adhesion between organic and inorganic films, anti-moisture performance, and yield in the encapsulation of a light emitting device, and to an organic light emitting display device comprising the same. .
The laminated thin film for encapsulation of a light-emitting device according to the present invention is a laminate formed on a substrate on which a light-emitting device is formed, and includes a first encapsulation layer including an inorganic film made of an inorganic compound; a first interfacial stability layer laminated on the first encapsulation layer; and a second encapsulation layer laminated on the first interface stabilizing layer and including an inorganic film made of an inorganic compound.
And, the first interfacial stability layer includes: a 1a organic layer formed on the inorganic layer of the first encapsulation layer and made of a silicon-based organic compound; and a 1b organic layer formed on the 1a organic layer and made of a silicon-based organic compound.
In addition, the density of the 1a organic layer is formed to be relatively greater than the density of the 1b organic layer.

Description

발광소자의 봉지를 위한 적층박막 및 이를 구비하는 유기발광 표시장치 {LAMINATED THIN FILM FOR ENCAPSULATION OF LIGHT EMITTING DIODE AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE WITH THE SAME}Laminated thin film for encapsulating light emitting devices and organic light emitting display device comprising the same {LAMINATED THIN FILM FOR ENCAPSULATION OF LIGHT EMITTING DIODE AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE WITH THE SAME}

본 발명은 발광 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광소자 상에 무기막과 유기막이 적층 형성되어 발광소자 내부로 수분과 산소가 유입되는 것을 차단하는 발광소자의 봉지(encapsulation)를 위한 적층박막 및 이를 구비하는 유기발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting display device, and more specifically, to a laminated thin film for encapsulation of a light emitting device that blocks moisture and oxygen from flowing into the light emitting device by stacking an inorganic film and an organic film on the light emitting device. and an organic light emitting display device comprising the same.

유기발광소자 표시장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다. 이러한 발광을 이용하여 유기발광 표시장치가 소정의 영상을 표시한다.An organic light-emitting device display device includes two electrodes and an organic light-emitting layer positioned between them, and electrons injected from one electrode and holes injected from the other electrode combine in the organic light-emitting layer to produce excitons. ) is formed, and the exciton emits energy while emitting light. An organic light emitting display device displays a predetermined image using this light emission.

그런데, 이러한 유기발광 표시소자는 외부의 수분 또는 산소 등이 내부로 침투하는 경우 빠르게 퇴화(Degradation)되는 문제점이 있다. 이러한 문제를 방지하기 위하여 유기발광소자는 수분과 산소의 유입을 차단하는 박막 봉지(TFE:Thin Film Encapsulation) 내지 보호막(Passivation Film)이 반드시 필요하다.However, these organic light emitting display devices have a problem of rapid degradation when external moisture or oxygen penetrates into them. To prevent these problems, organic light emitting devices require a thin film encapsulation (TFE) or a passivation film that blocks the inflow of moisture and oxygen.

이처럼 유기발광소자의 보호를 위한 종래 박막 봉지 방법은 다음과 같다.As such, the conventional thin film encapsulation method for protecting organic light emitting devices is as follows.

종래의 유기발광 표시장치는, 기판 위에 유기발광소자를 형성하고, 유기발광소자를 덮는 단일막의 무기막을 형성하여 이루어진다. 이 때, 무기막을 얇게 형성하면 외부의 산소나 수분을 완벽하게 차단하지 못하고, 두껍게 형성하면 박막이 갈라져 박막의 치밀성이 저하되는 문제점이 있다.A conventional organic light emitting display device is made by forming an organic light emitting element on a substrate and forming a single inorganic film covering the organic light emitting element. At this time, if the inorganic film is formed thinly, it cannot completely block external oxygen or moisture, and if it is formed thickly, the thin film cracks and the density of the thin film deteriorates.

한편, 단일 무기막이 아닌 복수 개의 무기막으로 적층 형성하면 증착 과정에서 결함이 발생하기 쉽고, 상기 경우, 일부 무기막에서 발생한 결함이 다른 무기막으로 전파되어 결국 최상층의 무기막 표면까지 이어져 외부의 산소와 수분이 침투할 수 있고, 구조 자체의 단차에 의해 무기막을 증착할 때 틈이 발생할 수 있다.On the other hand, when a plurality of inorganic films are stacked instead of a single inorganic film, defects are likely to occur during the deposition process. In this case, defects occurring in some inorganic films propagate to other inorganic films and eventually reach the surface of the uppermost inorganic film, causing external oxygen. Moisture may penetrate, and gaps may occur when depositing an inorganic film due to differences in the structure itself.

이러한 문제점을 해결하기 위하여, 도 1과 같이 기판(1)의 유기발광소자(2) 상에 무기막(3)을 형성하고, 이 무기막(3) 위에 유기막을 형성한 후 다시 그 위에 무기막(3)을 적층함으로써 결함이 전파되는 것을 단절시키는 방법이 제한된 바 있다.In order to solve this problem, an inorganic film 3 is formed on the organic light-emitting device 2 of the substrate 1 as shown in FIG. 1, and after forming the organic film on the inorganic film 3, an inorganic film is formed on the inorganic film again. Methods of preventing defect propagation by stacking (3) have been limited.

그런데, 유기발광소자에 보호막을 증착하는 경우, 유기발광소자의 손상 등을 고려하여 100℃ 이하 저온공정으로 진행하게 되며, 이러한 저온공정으로 무기막을 형성하게 되면 무기막의 밀도가 낮아지고, 이로 인해 표면 거칠기 증가와 내부 결함 증가로 무기막과 유기막의 계면에서 결함이 증가하게 되며, 이로 인해 접합력이 떨어져 투습 방지 성능이 저하되는 또 다른 문제점이 야기될 수 있다.However, when depositing a protective film on an organic light-emitting device, a low-temperature process below 100°C is performed in consideration of damage to the organic light-emitting device. When an inorganic film is formed through this low-temperature process, the density of the inorganic film is lowered, which causes surface damage. As roughness increases and internal defects increase, defects increase at the interface between the inorganic film and the organic film, which may cause another problem in that adhesion strength decreases and moisture permeation prevention performance deteriorates.

특히, 이처럼 무기막 위에 유기막을 증착할 때, 증착 과정에서 무기막 위에 파티클(particle)이 흡착되면, 유기막을 포함한 상부막들이 해당 파티클의 표면 형상(예컨대, 곡면) 내지 표면 곡률을 따라 연속적으로 성장되어 도 2와 같이 표면이 울퉁불퉁해져 표면 조도가 불량해진다.In particular, when depositing an organic film on an inorganic film like this, if particles are adsorbed on the inorganic film during the deposition process, the upper films including the organic film grow continuously along the surface shape (e.g., curved surface) or surface curvature of the particle. As a result, the surface becomes uneven and the surface roughness becomes poor, as shown in Figure 2.

즉, 무기막 위에 파티클(particle)이 존재할 경우, 이와 같은 상태에서 무기막 위에 유기막을 증착하게 되면, 파티클에 의한 표면 곡률이 여전히 유효하게 남아 있는 상태, 또는 파티클의 표면 형상을 따라 그 형상을 유지하며 성막되어 결국 접합력 및 투습 방지 성능을 저하시키는 요인으로 작용하게 된다.In other words, when particles exist on the inorganic film and an organic film is deposited on the inorganic film in this state, the surface curvature caused by the particles still remains effective, or the shape is maintained according to the surface shape of the particles. It forms a film and ultimately acts as a factor in reducing bonding strength and moisture prevention performance.

한국등록특허 제10-0965847호 (2010.06.16.등록)Korean Patent No. 10-0965847 (registered on June 16, 2010)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 무기막의 결함이 다른 무기막으로 전파되는 것을 방지할 수 있고, 특히 무기막 위에 증착되는 상부막들이 무기막 위에 흡착된 파티클의 표면형상 내지 표면곡률을 따라 연속적으로 성장하는 것을 단절시키고 평평하고 매끄럽게 만들 수 있어 파티클에 의한 박막표면 불량 문제를 개선할 수 있는 발광소자의 봉지를 위한 적층박막 및 이를 구비하는 유기발광 표시장치를 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above problems, and the purpose of the present invention is to prevent defects in an inorganic film from propagating to other inorganic films, and in particular, the upper films deposited on the inorganic film can prevent the particles adsorbed on the inorganic film. Provides a laminated thin film for encapsulation of a light emitting device that can improve the problem of thin film surface defects caused by particles by interrupting continuous growth along the surface shape or surface curvature and making it flat and smooth, and an organic light emitting display device equipped with the same. It is done.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광소자의 봉지를 위한 적층박막은 발광소자가 형성된 기판 상에 형성되는 적층체로서, 무기화합물로 이루어지는 무기막을 포함하는 제1 봉지층; 상기 제1 봉지층 상에 적층되는 제1 계면안정층; 및 상기 제1 계면안정층 상에 적층되고 무기화합물로 이루어지는 무기막을 포함하는 제2 봉지층을 포함한다.A laminated thin film for encapsulating a light-emitting device according to the present invention to achieve the above object is a laminate formed on a substrate on which a light-emitting device is formed, and includes a first encapsulation layer including an inorganic film made of an inorganic compound; a first interfacial stability layer laminated on the first encapsulation layer; and a second encapsulation layer laminated on the first interface stabilizing layer and including an inorganic film made of an inorganic compound.

그리고, 상기 제1 계면안정층은, 상기 제1 봉지층의 무기막 위에 형성되고 실리콘계 유기화합물로 이루어지는 제1a 유기막; 및 상기 제1a 유기막 위에 형성되고 실리콘계 유기화합물로 이루어지는 제1b 유기막을 포함한다.And, the first interfacial stability layer includes: a 1a organic layer formed on the inorganic layer of the first encapsulation layer and made of a silicon-based organic compound; and a 1b organic layer formed on the 1a organic layer and made of a silicon-based organic compound.

그리고, 상기 제1a 유기막의 밀도는 상기 제1b 유기막의 밀도보다 상대적으로 더 크게 형성된다.In addition, the density of the 1a organic layer is formed to be relatively greater than the density of the 1b organic layer.

바람직하게는, 상기 제1b 유기막의 두께는 상기 제1a 유기막의 두께보다 상대적으로 더 두껍게 형성될 수 있다.Preferably, the thickness of the 1b organic layer may be relatively thicker than the thickness of the 1a organic layer.

바람직하게는 상기 제1a 유기막의 굴절률은 상기 제1b 유기막의 굴절률보다 상대적으로 더 크게 형성될 수 있다.Preferably, the refractive index of the 1a organic layer may be relatively greater than the refractive index of the 1b organic layer.

본 발명에 따른 발광소자의 봉지를 위한 적층박막에 의하면, 복수의 무기막을 적층시 야기될 수 있는 결함 전파를 차단할 수 있고, 특히 무기막의 거친 표면 조도 및 파티클 흡착 등에 따른 표면 요철 요소를 효과적으로 완전하게 평탄화시킬 수 있다.According to the laminated thin film for encapsulation of a light emitting device according to the present invention, it is possible to block the propagation of defects that may occur when stacking a plurality of inorganic films, and in particular, to effectively and completely eliminate surface irregularities due to rough surface roughness and particle adsorption of the inorganic film. It can be flattened.

즉, 무기막 위에 형성되는 유기막(즉, 계면안정층)은 평평하고 매끄러운 표면을 갖게 되고, 이러한 유기막 위에 형성되는 무기막은 완벽히 평탄화된 유기막의 표면을 그대로 따라 형성되어 무기막 역시 평평하고 매끄러운 표면 특성을 나타내게 된다. 이에 따라, 유기막과 무기막의 접합력, 투습방지 성능 및 수율을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In other words, the organic film (i.e., the interfacial stability layer) formed on the inorganic film has a flat and smooth surface, and the inorganic film formed on this organic film is formed along the surface of the perfectly flattened organic film, so the inorganic film is also flat and smooth. It represents surface characteristics. Accordingly, there is an effect of significantly improving the adhesion between the organic film and the inorganic film, moisture permeation prevention performance, and yield.

도 1은 무기막과 유기막이 교대로 반복 적층된 종래 투습 방지 보호막이 형성된 유기발광 표시장치의 단면도.
도 2는 무기막을 다수회 증착할 때 발생한 파티클의 광학 사진.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 적층박막이 형성된 유기발광 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 적층박막이 형성된 유기발광 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 제1 계면안정층의 제1b 유기막의 증착시 원료가스 공급유량(sccm)에 따른 제1b 유기막의 굴절률 변화를 나타낸 그래프.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 적층박막이 형성된 유기발광 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 적층박막이 형성된 유기발광 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device having a conventional moisture prevention protective film formed by alternately stacking inorganic films and organic films.
Figure 2 is an optical photograph of particles generated when depositing an inorganic film multiple times.
Figure 3 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting display device formed with a stacked thin film according to the first embodiment of the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting display device formed with a stacked thin film according to a second embodiment of the present invention.
Figure 5 is a graph showing the change in refractive index of the 1b organic layer according to the raw material gas supply flow rate (sccm) when depositing the 1b organic layer of the first interface stable layer according to the present invention.
Figure 6 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting display device formed with a laminated thin film according to a third embodiment of the present invention.
Figure 7 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting display device formed with a laminated thin film according to a fourth embodiment of the present invention.

본 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "갖다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in this specification are merely used to describe specific embodiments and are not intended to limit the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features. It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the existence or addition of elements, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

또한, 본 명세서에서, "~ 상에 또는 ~ 상부에" 라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것인데, 이는 반드시 중력 방향을 기준으로 상측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다. 즉, 본 명세서에서 지칭하는 "~ 상에 또는 ~ 상부에" 라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치하는 경우뿐만 아니라 대상 부분의 앞 또는 뒤에 위치하는 경우도 포함한다.In addition, in this specification, “on or above” means located above or below the target portion, but this does not necessarily mean located above the direction of gravity. That is, “on or above” as used herein includes not only the case of being located above or below the target part, but also the case of being located in front or behind the target part.

또한, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에 또는 상부에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 상에 또는 상부에" 접촉하여 있거나 간격을 두고 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.Additionally, when a part of a region, plate, etc. is said to be “on or above” another part, this does not only mean that it is in contact with or at a distance “directly on or above” another part, but also that there is another part in between. Also includes cases where there are.

또한, 본 명세서에서, 일 구성요소가 다른 구성요소와 "연결된다" 거나 "접속된다" 등으로 언급된 때에는, 상기 일 구성요소가 상기 다른 구성요소와 직접 연결되거나 또는 직접 접속될 수도 있지만, 특별히 반대되는 기재가 존재하지 않는 이상, 중간에 또 다른 구성요소를 매개하여 연결되거나 또는 접속될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in this specification, when a component is referred to as "connected" or "connected" to another component, the component may be directly connected or directly connected to the other component, but specifically Unless there is a contrary description, it should be understood that it may be connected or connected through another component in the middle.

또한, 본 명세서에서, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Additionally, in this specification, terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예, 장점 및 특징에 대하여 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments, advantages and features of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 적층박막이 형성된 유기발광 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.Figure 3 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting display device formed with a laminated thin film according to the first embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 기판(10), 기판(10) 상에 구비되는 발광소자(20), 및 발광소자(20)를 덮으며 형성되는 적층박막을 포함한다.Referring to FIG. 3, the organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention is formed to cover the substrate 10, the light emitting device 20 provided on the substrate 10, and the light emitting device 20. Includes laminated thin films.

기판(10)의 종류는 특별히 한정되지 않고 다양하게 가능하며, 예컨대 글래스 (Glass), 플라스틱, 실리콘 재질의 기판(10)으로 구성될 수 있다.The type of the substrate 10 is not particularly limited and is possible in various ways. For example, the substrate 10 may be made of glass, plastic, or silicon.

발광소자(20)는 유기발광소자 일 수 있다. 유기발광소자(20)는 기판(10) 상에 형성되는 셀 구동 어레이(미도시)에 의하여 구동되며, 셀 구동 어레이는 다수의 서브 화소 구동부로 구성된다. 하나의 서브 화소 구동부는 다수의 신호 라인과 트랜지스터, 커패시터 및 다수의 절연막을 포함하며, 트랜지스터는 스위치용 트랜지스터와, 구동용 트랜지스터를 포함한다.The light emitting device 20 may be an organic light emitting device. The organic light emitting device 20 is driven by a cell drive array (not shown) formed on the substrate 10, and the cell drive array is composed of a plurality of sub-pixel drivers. One sub-pixel driver includes multiple signal lines, transistors, capacitors, and multiple insulating films, and the transistors include a switch transistor and a driving transistor.

스위치용 트랜지스터는 게이트 라인의 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인으로부터의 데이터 신호를 공급하고, 구동용 트랜지스터는 스위치용 트랜지스터로부터의 데이터 신호에 응답하여 유기발광소자에 흐르는 전류량을 제어한다. 커패시터는 스위치용 트랜지스터가 턴-오프되더라도 구동용 트랜지스터를 통해 일정한 전류가 흐르게 하는 역할을 한다.The switch transistor supplies a data signal from the data line in response to the scan signal of the gate line, and the driving transistor controls the amount of current flowing through the organic light emitting device in response to the data signal from the switch transistor. The capacitor serves to allow a constant current to flow through the driving transistor even when the switch transistor is turned off.

유기발광소자(20)는 전류의 흐름에 따라 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, 유기발광소자(20)는 능동 매트릭스(active matrix) 방식 또는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식으로 구동될 수 있다. 유기발광소자(20)는 구동용 트랜지스터와 연결된 제1 전극과, 대향 전극인 제2 전극 및 이들 사이에 배치되어 발광하는 유기 발광층을 포함한다. 제1 전극과 제2 전극은 서로 절연되어 있으며, 유기 발광층에 서로 다른 극성의 전압을 가해 발광하도록 구성된다.The organic light emitting device 20 displays predetermined image information by emitting red (R), green (G), and blue (B) light according to the flow of current. The organic light emitting device 20 is an active matrix ( It can be driven by an active matrix method or a passive matrix method. The organic light emitting device 20 includes a first electrode connected to a driving transistor, a second electrode that is an opposing electrode, and an organic light emitting layer disposed between them and emitting light. The first electrode and the second electrode are insulated from each other, and are configured to emit light by applying voltages of different polarities to the organic light emitting layer.

유기 발광층은 제1 전극과 제2 전극에서 각기 주입된 정공과 전자가 결합하여 형성된 액시톤이 기저상태로 떨어지면서 빛이 발광되는 층이다. 이러한 유기 발광층은 정공 주입층(HIL:Hole Injection Layer), 정공 수송층 (HTL:Hole Transporting Layer), 발광층(EML:Emission Layer), 전자 수송층(ETL:Electron Transporting Layer), 전자 주입층(EIL:Electron Injection Layer)을 포함한다.The organic light-emitting layer is a layer in which light is emitted when axiton formed by combining holes and electrons injected from the first and second electrodes falls to the ground state. These organic light emitting layers include a hole injection layer (HIL: Hole Injection Layer), a hole transport layer (HTL: Hole Transporting Layer), an emission layer (EML: Emission Layer), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL: Electron Layer). Injection Layer).

이와 같이 형성된 유기발광소자(20)는 뱅크 절연층에 의하여 화소 단위로 분리되며, 유기 발광층으로부터 발생되는 광이 투명한 기판 또는 전극을 통해 밖으로 빠져 나오는 원리로 영상을 표시하게 된다.The organic light emitting device 20 formed in this way is separated into pixel units by a bank insulating layer, and displays an image on the principle that light generated from the organic light emitting layer exits through a transparent substrate or electrode.

그런데, 이러한 유기발광 표시소자는 외부의 수분 또는 산소 등이 내부로 침투하는 경우 빠르게 퇴화(degradation)되는 문제점이 있다. 이러한 문제를 방지하기 위하여 유기발광소자(20)는 수분과 산소의 유입을 차단하는 박막 봉지(TFE:Thin Film Encapsulation) 내지 보호막(Passivation Film)이 반드시 필요하다.However, such organic light emitting display devices have a problem of rapid degradation when external moisture or oxygen penetrates into the organic light emitting display devices. In order to prevent this problem, the organic light emitting device 20 requires a thin film encapsulation (TFE) or a passivation film that blocks the inflow of moisture and oxygen.

본 발명의 적층박막은 이러한 유기발광소자(20) 상에 형성되어 수분과 산소의 내부 유입을 차단하고 유기발광소자(20)를 보호하는 봉지(encapsulation) 기능을 한다.The laminated thin film of the present invention is formed on the organic light emitting device 20 and functions as an encapsulation to block internal inflow of moisture and oxygen and protect the organic light emitting device 20.

본 발명의 제1 실시예에 따른 적층박막은 제1 봉지층(30), 제1 봉지층(30) 상에 형성되는 제1 계면안정층(40) 및 제1 계면안정층(40) 상에 형성되는 제2 봉지층(50)이 순차적으로 적층된 구조로 형성된다.The laminated thin film according to the first embodiment of the present invention is formed on the first encapsulation layer 30, the first interfacial stable layer 40 formed on the first encapsulation layer 30, and the first interfacial stable layer 40. The formed second encapsulation layer 50 is formed in a sequentially stacked structure.

제1 봉지층(30)은 기판(10)의 발광소자(20) 상에 형성되는 박막으로서 발광소자(20)를 덮는 구조로 형성될 수 있으며 적어도 하나의 무기막을 포함한다.The first encapsulation layer 30 is a thin film formed on the light emitting device 20 of the substrate 10 and may be formed to cover the light emitting device 20 and includes at least one inorganic film.

제1 봉지층(30)의 무기막은 무기화합물로 형성되며, 예컨대 실리콘계 무기화합물 박막으로 이루어질 수 있다.The inorganic film of the first encapsulation layer 30 is formed of an inorganic compound, for example, may be made of a silicon-based inorganic compound thin film.

본 발명의 일 예에 따르면, 제1 봉지층(30)의 무기막은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 및 실리콘 산질화물 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다.According to an example of the present invention, the inorganic layer of the first encapsulation layer 30 may be formed of any one selected from silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride.

예컨대, 제1 봉지층(30)의 무기막은 SiOx, SiNx , 및 SiOxNy 중에서 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있고, 1000㎚ 이하의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.For example, the inorganic film of the first encapsulation layer 30 may be made of any one selected from SiO x , SiN x , and SiO x N y and may be formed to have a thickness of 1000 nm or less.

본 발명의 일 예에 따르면, 제1 봉지층(30)은 도 3과 같이 하나의 무기막으로 구성될 수 있다. According to an example of the present invention, the first encapsulation layer 30 may be composed of one inorganic film as shown in FIG. 3.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 적층박막이 형성된 유기발광 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.Figure 4 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting display device formed with a laminated thin film according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 예에 따르면, 제1 봉지층(30)은 복수의 무기막(31,32,33)이 순차적으로 적층 형성된 것일 수 있다. 상기 경우, 제1 봉지층(30)의 복수의 무기막(31,32,33)은 동일한 성분 즉, 동일한 원료가스 및 반응가스를 사용하여 형성될 수 있다.According to another example of the present invention, the first encapsulation layer 30 may be formed by sequentially stacking a plurality of inorganic films 31, 32, and 33. In this case, the plurality of inorganic films 31, 32, and 33 of the first encapsulation layer 30 may be formed using the same components, that is, the same raw material gas and reaction gas.

참고로, 도 4 실시예의 경우, 제1 봉지층(30)은 제1a 무기막(31), 제1b 무기막(32), 제1c 무기막(33)이 순차적으로 적층된 구조로 형성하였다.For reference, in the example of FIG. 4, the first encapsulation layer 30 was formed in a structure in which a 1a inorganic layer 31, a 1b inorganic layer 32, and a 1c inorganic layer 33 were sequentially stacked.

본 발명의 일 공정예에 따르면, 제1 봉지층(30)을 구성하는 복수의 무기막(31,32,33)은 실란(SiH4) 가스와 암모니아(NH3) 가스를 원료가스로 공급하고, 질소(N2) 가스와 수소(H2) 가스를 반응가스로 공급하여 증착되는 것일 수 있다.According to one process example of the present invention, the plurality of inorganic films 31, 32, and 33 constituting the first encapsulation layer 30 are supplied with silane (SiH 4 ) gas and ammonia (NH 3 ) gas as raw material gas. , It may be deposited by supplying nitrogen (N 2 ) gas and hydrogen (H 2 ) gas as reaction gases.

이와 같이 제1 봉지층(30)을 형성함에 있어서 다수의 무기막(31,32,33)을 증착하는 경우, 동일한 원료가스와 반응가스를 사용하면, 서로 다른 공정가스를 사용하는 경우에 비해 파티클 등의 발생을 억제할 수 있고, 서로 다른 공정가스를 퍼지하기 위한 단계를 생략할 수 있어 기판 처리량(throughput)을 높일 수 있는 장점이 있다.In this way, when depositing a plurality of inorganic films 31, 32, and 33 in forming the first encapsulation layer 30, if the same raw material gas and reaction gas are used, particles are reduced compared to the case of using different process gases. There is an advantage in that the occurrence of such can be suppressed, and the step for purging different process gases can be omitted, thereby increasing substrate throughput.

한편, 제1 봉지층(30)을 복수의 무기막(31,32,33)으로 구성할 경우, 원료가스를 변경하여 서로 다른 성분으로 이루어진 무기막을 포함하도록 구성될 수도 있음은 물론이다.Meanwhile, when the first encapsulation layer 30 is composed of a plurality of inorganic films 31, 32, and 33, it goes without saying that the raw material gas can be changed to include inorganic films made of different components.

참고로, 제1 봉지층(30)의 무기막을 단일막이 아닌 복수 개의 무기막으로 적층 형성하면 증착 과정에서 결함이 발생하기 쉽고, 상기 경우, 일부 무기막에서 발생한 결함이 다른 무기막으로 전파되어 결국 최상층의 무기막 표면까지 이어져 외부의 산소와 수분이 침투할 수 있으며, 구조 자체의 단차에 의해 무기막을 증착할 때 틈이 발생할 수 있다.For reference, if the inorganic film of the first encapsulation layer 30 is formed by stacking a plurality of inorganic films instead of a single film, defects are likely to occur during the deposition process, and in this case, defects occurring in some inorganic films propagate to other inorganic films, ultimately leading to defects. It extends to the surface of the topmost inorganic layer, allowing external oxygen and moisture to penetrate, and gaps may occur when depositing the inorganic layer due to the level difference in the structure itself.

이러한 문제점을 해결하기 위하여, 무기막 위에 유기막을 형성한 후 다시 그 위에 무기막을 적층함으로써 결함이 전파되는 것을 단절시키는 방법이 제한된 바 있다.In order to solve this problem, methods of preventing defect propagation by forming an organic film on an inorganic film and then stacking an inorganic film on top of the inorganic film have been limited.

그런데, 유기발광소자(20)에 보호막을 증착하는 경우, 유기발광소자(20)의 손상 등을 고려하여 100℃ 이하 저온공정으로 진행하게 되며, 이러한 저온공정으로 무기막을 형성하게 되면 무기막의 밀도가 낮아지고, 이로 인해 표면 거칠기 증가와 내부 결함 증가로 무기막과 유기막의 계면에서 결함이 증가하게 되며, 이로 인해 접합력이 떨어져 투습방지 성능이 저하되는 또 다른 문제점이 야기될 수 있다.However, when depositing a protective film on the organic light-emitting device 20, a low-temperature process below 100°C is performed in consideration of damage to the organic light-emitting device 20. When an inorganic film is formed through this low-temperature process, the density of the inorganic film decreases. As a result, defects increase at the interface between the inorganic film and the organic film due to an increase in surface roughness and internal defects, which may cause another problem such as a decrease in adhesion and a decrease in moisture penetration prevention performance.

특히, 이처럼 무기막 위에 유기막을 증착할 때, 해당 무기막 위에 파티클 (particle)이 존재하면, 무기막 위에 증착되는 유기막을 포함한 상부막들이 해당 파티클의 표면 형상(예컨대, 곡면) 내지 표면 곡률을 따라 연속적으로 성장되어 도 2와 같이 표면이 울퉁불퉁해져 박막이 불량해진다.In particular, when depositing an organic film on an inorganic film like this, if particles exist on the inorganic film, the upper films including the organic film deposited on the inorganic film follow the surface shape (e.g., curved surface) or surface curvature of the particle. As it grows continuously, the surface becomes uneven as shown in Figure 2, resulting in poor thin film.

환언하면, 무기막 위에 파티클(particle)이 유입되거나 흡착된 상태에서 해당 무기막 위에 유기막을 포함한 상부막을 증착하게 되면, 파티클에 의한 표면 곡률이 여전히 유효하게 남아있는 상태, 또는 파티클의 표면 형상을 따라 그 형상을 유지하며 성막되어 결국 접합력 및 투습방지 성능을 저하시키는 요인으로 작용하게 된다. 이하에서는 이를 "표면 요철 요소"라 칭하기로 한다.In other words, when an upper film including an organic film is deposited on the inorganic film while particles are introduced or adsorbed on the inorganic film, the surface curvature caused by the particles still remains effective, or the surface shape of the particles is followed. It is formed into a film while maintaining its shape, which ultimately acts as a factor in reducing bonding strength and moisture prevention performance. Hereinafter, this will be referred to as “surface irregularity element”.

본 발명의 제1 계면안정층(40)은 전술한 결함 전파를 차단할 수 있고, 특히 전술한 바와 같이 무기막의 조악한 표면 조도 및 파티클 흡착 등에 따른 표면 요철 요소를 효과적으로 완전하게 평탄화시키는 기능을 한다.The first interfacial stability layer 40 of the present invention can block the propagation of the above-mentioned defects, and in particular, as described above, it functions to effectively and completely flatten surface irregularities caused by the poor surface roughness of the inorganic film and particle adsorption.

본 발명의 제1 계면안정층(40)은 제1 봉지층(30)의 무기막 위에 유기막을 증착하되, 제1b 유기막(42)보다 상대적으로 밀도가 더 높게 제1a 유기막(41)을 제1 봉지층(30)의 무기막 위에 먼저 증착한 후, 이어서 제1a 유기막(41)보다 상대적으로 밀도가 더 낮게 제1b 유기막(42)을 제1a 유기막(41) 위에 증착함으로써 형성될 수 있다.The first interfacial stability layer 40 of the present invention deposits an organic film on the inorganic film of the first encapsulation layer 30, and the 1a organic film 41 is formed at a relatively higher density than the 1b organic film 42. Formed by first depositing on the inorganic layer of the first encapsulation layer 30, and then depositing the 1b organic layer 42 on the 1a organic layer 41 with a relatively lower density than the 1a organic layer 41. It can be.

여기서, 제1 봉지층(30)이 다수의 무기막으로 적층 형성된 것이라면, 제1 봉지층(30)의 제1a 유기막(41)은 제1 봉지층(30)의 다수의 무기막 중 최상층에 위치한 무기막 위에 증착 형성될 수 있다.Here, if the first encapsulation layer 30 is formed by stacking a plurality of inorganic films, the 1a organic film 41 of the first encapsulation layer 30 is the uppermost layer among the plurality of inorganic films of the first encapsulation layer 30. It can be deposited and formed on the located inorganic film.

그리고, 제1 계면안정층(40)의 제1a 유기막(41) 및 제1b 유기막(42)은 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄질화물, 및 수소(H) 함유된 실리콘 산탄질화물 중에서 선택된 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.And, the 1a organic layer 41 and the 1b organic layer 42 of the first interface stable layer 40 are selected from among silicon oxycarbide, silicon carbonitride, silicon oxycarbonitride, and silicon oxycarbonitride containing hydrogen (H). It can be formed from at least one selected one.

이하에서는, 본 발명의 제1 계면안정층(40)에 대하여 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, the first interface stable layer 40 of the present invention will be described in detail.

제1 계면안정층(40)은 상기 제1 봉지층(30)의 무기막 위에 형성되고 실리콘계 유기화물로 이루어지는 제1a 유기막(41), 및 상기 제1a 유기막(41) 위에 형성되고 실리콘계 유기화물로 이루어지는 제1b 유기막(42)을 포함한다.The first interfacial stable layer 40 is formed on the inorganic layer of the first encapsulation layer 30 and is made of a silicon-based organic compound. It includes a 1b organic layer 42 made of cargo.

이때, 제1 계면안정층(40)의 제1a 유기막(41)은 제1b 유기막(42)보다 밀도가 상대적으로 더 높은 것은 특징으로 한다. 환언하면, 제1b 유기막(42)은 제1a 유기막(41)보다 더 낮은 밀도로 증착된다.At this time, the 1a organic layer 41 of the first interface stabilization layer 40 is characterized by having a relatively higher density than the 1b organic layer 42. In other words, the 1b organic layer 42 is deposited at a lower density than the 1a organic layer 41.

본 발명의 일 예에 따르면, 제1a 유기막(41) 및 제1b 유기막(42)은 탄소(C)를 함유하고 Si-O, Si-N 또는 Si-NH 결합을 포함하는 실리콘계 유기화물로 형성될 수 있다. 예컨대, 제1a 유기막(41)은 SiOxCy, SiOxCyNzH, SiCxNy, SiCxNyHz 중 어느 하나의 유기화합물로 형성될 수 있다.According to an example of the present invention, the 1a organic layer 41 and the 1b organic layer 42 are silicon-based organic compounds containing carbon (C) and Si-O, Si-N, or Si-NH bonds. can be formed. For example, the first a organic layer 41 may be formed of any one organic compound among SiO x C y , SiO x C y N z H, SiC x N y , and SiC x N y H z .

본 발명의 또 다른 예에 따르면, 제1a 유기막(41) 및 제1b 유기막(42)은 탄소(C)를 함유하고 "Si-O와 Si-N" 또는 "Si-O와 Si-NH" 결합이 공존하는 실리콘계 유기화물로 형성될 수 있다. 예컨대, 본 발명의 제1a 유기막(41)은 SiOxCyNz로 형성될 수 있다.According to another example of the present invention, the first a organic layer 41 and the first b organic layer 42 contain carbon (C) and "Si-O and Si-N" or "Si-O and Si-NH “It can be formed from silicon-based organic compounds where bonds coexist. For example, the 1a organic layer 41 of the present invention may be formed of SiO x C y N z .

본 발명의 또 다른 예에 따르면, 제1a 유기막(41) 및 제1b 유기막(42)은 수소(H)가 함유된 실리콘계 유기화합물(SiOC:H, SiOCN:H, SiCN:H)로 형성될 수 있다. 예컨대, 제1a 유기막(41)은 수소(H)가 함유된 실리콘 산탄질화물로 형성될 수 있다.According to another example of the present invention, the first a organic layer 41 and the first b organic layer 42 are formed of silicon-based organic compounds (SiOC:H, SiOCN:H, SiCN:H) containing hydrogen (H). It can be. For example, the first a organic layer 41 may be formed of silicon oxycarbonitride containing hydrogen (H).

본 발명의 일 예에 따르면, 제1a 유기막(41)은 제1b 유기막(42)과 동일한 성분 즉, 동일한 원료가스 및 반응가스를 사용하여 형성될 수 있다. According to an example of the present invention, the 1a organic layer 41 may be formed using the same components as the 1b organic layer 42, that is, the same raw material gas and reaction gas.

상기 경우, 제1b 유기막(42)을 증착하는 공정조건과 대비할 때, 제1a 유기막(41) 증착공정의 공정압력, 원료가스량, 반응가스량, 원료가스 대비 반응가스 비율, 및 RF 파워 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 변화시키거나 다르게 제어함으로써 제1a 유기막(41)이 제1b 유기막(42)보다 상대적으로 더 큰 밀도를 갖도록 형성할 수 있다.In the above case, when comparing the process conditions for depositing the 1b organic layer 42, select from the process pressure, amount of raw material gas, amount of reaction gas, ratio of reaction gas to raw material gas, and RF power for the deposition process of the 1a organic layer 41. By changing or controlling at least one of the elements differently, the 1a organic layer 41 can be formed to have a relatively higher density than the 1b organic layer 42.

예컨대, 제1a 유기막(41)과 제1b 유기막(42)은 원료가스와 반응가스 비율을 다르게 하여 증착될 수 있다. 상기 경우, 제1b 유기막(42)을 증착하는 경우와 대비하여 제1a 유기막(41)의 증착시 원료가스 대비 반응가스 비율이 상대적으로 더 높아질 수 있다.For example, the 1a organic layer 41 and the 1b organic layer 42 may be deposited by varying the ratio of the raw material gas and the reaction gas. In this case, compared to the case of depositing the 1b organic layer 42, the ratio of reaction gas to raw material gas may be relatively higher when depositing the 1a organic layer 41.

이와 같이 원료가스 대비 반응가스의 비율을 높이고, 나아가 공정압력이 낮아지도록 하면 원료가스와 반응가스의 반응성이 높아지게 되어 무기막 위에 증착되는 제1a 유기막(41)의 밀도를 더 높일 수 있게 된다.In this way, if the ratio of the reaction gas to the raw material gas is increased and the process pressure is lowered, the reactivity of the raw material gas and the reaction gas increases, making it possible to further increase the density of the 1a organic layer 41 deposited on the inorganic layer.

일 실시예에 따르면, 제1a 유기막(41)의 증착시, 원료가스 대비 반응가스의 비율(반응가스/원료가스)은 '4' 이상일 수 있다. 예컨대, 제1a 유기막(41)의 증착을 위해 원료가스로 HMDSN을 사용하고 반응가스로 N20 또는 N2를 사용할 경우, N2O/HMDSN = 4 이상일 수 있고, 또는 N2/HMDSN = 4 이상일 수 있다.According to one embodiment, when depositing the 1a organic layer 41, the ratio of reaction gas to raw material gas (reaction gas/raw material gas) may be '4' or more. For example, when HMDSN is used as a raw material gas and N 2 0 or N 2 is used as a reaction gas for the deposition of the 1a organic layer 41, N 2 O/HMDSN = 4 or more, or N 2 /HMDSN = It may be 4 or more.

일 실시예에 따르면, 제1b 유기막(42)의 증착시, 원료가스 대비 반응가스의 비율(반응가스/원료가스)은 '3' 이하일 수 있다. 예컨대, 제1b 유기막(42)의 증착을 위해 원료가스로 HMDSN을 사용하고 반응가스로 N20 또는 N2를 사용할 경우, N2O/HMDSN = 3 이하일 수 있고, 또는 N2/HMDSN = 3 이하일 수 있다.According to one embodiment, when depositing the 1b organic layer 42, the ratio of reaction gas to raw material gas (reaction gas/raw material gas) may be '3' or less. For example, when HMDSN is used as a raw material gas and N 2 0 or N 2 is used as a reaction gas for the deposition of the 1b organic layer 42, N 2 O/HMDSN = 3 or less, or N 2 /HMDSN = It may be 3 or less.

또는, 제1a 유기막(41)과 제1b 유기막(42)은 증착 속도를 다르게 하여 증착될 수도 있다. 상기 경우, 제1b 유기막(42)의 증착 속도와 대비하여 제1a 유기막(41)의 증착 속도가 상대적으로 더 느리게 진행될 수 있다.Alternatively, the 1a organic layer 41 and the 1b organic layer 42 may be deposited at different deposition rates. In this case, the deposition rate of the 1a organic layer 41 may proceed relatively more slowly compared to the deposition rate of the 1b organic layer 42.

또는, 제1a 유기막(41)과 제1b 유기막(42)은 공정 파워를 다르게 하여 증착될 수도 있다. 상기 경우, 제1b 유기막(42)의 증착시 인가되는 RF 파워와 대비하여 제1a 유기막(41)의 증착시 인가되는 RF 파워가 상대적으로 더 높아질 수 있다.Alternatively, the 1a organic layer 41 and the 1b organic layer 42 may be deposited using different process powers. In this case, the RF power applied when depositing the 1a organic layer 41 may be relatively higher compared to the RF power applied when depositing the 1b organic layer 42.

본 발명의 일 예에 따르면, 제1b 유기막(42)의 두께(T2)는 제1a 유기막(41)의 두께(T1)보다 상대적으로 더 큰 두께로 형성될 수 있다. 환언하면, 제1a 유기막(41)은 제1b 유기막(42)보다 더 얇은 두께로 형성될 수 있다.According to an example of the present invention, the thickness T2 of the 1b organic layer 42 may be formed to be relatively larger than the thickness T1 of the 1a organic layer 41. In other words, the 1a organic layer 41 may be formed to have a thinner thickness than the 1b organic layer 42.

일 실시예에 따르면, 제1a 유기막(41)은 5 ~ 900㎚의 두께(T1)로 형성될 수 있고, 바람직하게는 10 ~ 500㎚의 두께(T1)로 형성될 수 있다.According to one embodiment, the 1a organic layer 41 may be formed to have a thickness (T1) of 5 to 900 nm, and preferably may be formed to have a thickness (T1) of 10 to 500 nm.

상기 경우, 제1b 유기막(42)은 2000㎚ 이하의 두께 범위에서 제1a 유기막(41)의 두께(T1)보다 더 큰 두께(T2)를 갖도록 형성될 수 있다. 예컨대, 제1a 유기막(41)이 100㎚의 두께(T1)로 형성된다면, 제1b 유기막(42)은 적어도 100㎚ 초과의 두께(T2)로 형성될 수 있다.In this case, the 1b organic layer 42 may be formed to have a thickness T2 greater than the thickness T1 of the 1a organic layer 41 in a thickness range of 2000 nm or less. For example, if the 1a organic layer 41 is formed to have a thickness T1 of 100 nm, the 1b organic layer 42 may be formed to have a thickness T2 of at least more than 100 nm.

바람직하게는, 제1b 유기막(42)은 제1a 유기막(41)보다 1.5배 이상 더 큰 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 보다 바람직하게는, 제1b 유기막(42)은 제1a 유기막(41)보다 2배 이상 더 큰 두께를 갖도록 형성될 수 있다.Preferably, the 1b organic layer 42 may be formed to have a thickness that is at least 1.5 times greater than the 1a organic layer 41. More preferably, the 1b organic layer 42 may be formed to have a thickness more than two times greater than the 1a organic layer 41.

이는, 제1b 유기막(42)의 두께가 제1a 유기막(41)의 두께보다 적어도 1.5배 이상 더 크게 형성되면, 전술한 표면 요철 요소의 완전한 제거 내지 평탄화에 효과적이기 때문이다.This is because, when the thickness of the 1b organic layer 42 is formed to be at least 1.5 times greater than the thickness of the 1a organic layer 41, it is effective in completely removing or flattening the above-mentioned surface irregularities.

특히, 이와 같이 제1a 유기막(41)은 제1b 유기막(42)보다 상대적으로 더 큰 밀도를 갖도록 형성되고, 동시에 제1b 유기막(42)은 제1a 유기막(41)보다 상대적으로 더 두꺼운 두께를 갖도록 형성될 경우, 무기막 위에 증착되는 유기막을 포함한 상부막들이 무기막 위에 흡착된 파티클의 표면 곡률 내지 형상을 따라 연속적으로 성장되는 것을 단절시킬 수 있게 된다.In particular, in this way, the 1a organic layer 41 is formed to have a relatively higher density than the 1b organic layer 42, and at the same time, the 1b organic layer 42 is relatively denser than the 1a organic layer 41. When formed to have a large thickness, the upper films including the organic film deposited on the inorganic film can be interrupted from continuously growing along the surface curvature or shape of the particles adsorbed on the inorganic film.

즉, 제1 봉지층(30)의 무기막 위에 제1a 유기막(41)을 형성한 후 이어서 제1a 유기막(41) 위에 제1b 유기막(42)을 형성할 때, 제1b 유기막(42)이 제1a 유기막(41)보다 더 낮은 밀도로 증착되도록 하고, 더 나아가 제1b 유기막(42)이 제1a 유기막(41)보다 더 큰 두께로 증착되도록 하면, 무기막의 거친 조도 및 파티클 흡착 등에 따른 표면 요철 요소들을 효과적으로 완전하게 평탄화시킬 수 있게 된다.That is, when forming the 1a organic layer 41 on the inorganic layer of the first encapsulation layer 30 and then forming the 1b organic layer 42 on the 1a organic layer 41, the 1b organic layer ( 42) is deposited at a lower density than the 1a organic film 41, and further, the 1b organic film 42 is deposited at a greater thickness than the 1a organic film 41, the roughness of the inorganic film and Surface irregularities due to particle adsorption, etc. can be effectively and completely flattened.

따라서, 제1b 유기막(42)은 전술한 표면 요철 요소가 제거된 평평하고 매끄러운 표면을 갖게 되고, 이러한 제1b 유기막(42) 위에 형성되는 제2 봉지층(50)의 무기막(50)은 완벽히 평탄화된 제1b 유기막(42)의 표면을 그대로 따라 형성되어 무기막(50) 역시 평평하고 매끄러운 표면 특성을 나타내게 된다. 이에 따라, 유기막과 무기막의 접합력 및 투습방지 성능을 크게 향상시킬 수 있게 된다.Accordingly, the 1b organic layer 42 has a flat and smooth surface from which the above-mentioned surface irregularities are removed, and the inorganic layer 50 of the second encapsulation layer 50 formed on the 1b organic layer 42 is formed along the perfectly flat surface of the 1b organic layer 42, so that the inorganic layer 50 also exhibits flat and smooth surface characteristics. Accordingly, the adhesion between the organic film and the inorganic film and the moisture permeation prevention performance can be greatly improved.

본 발명의 일 예에 따르면, 제1a 유기막(41)은 제1b 유기막(42)보다 상대적으로 더 큰 굴절률을 갖도록 형성될 수 있다. 환언하면, 제1b 유기막(42)은 제1a 유기막(41)보다 더 작은 굴절률을 갖도록 형성될 수 있다.According to an example of the present invention, the 1a organic layer 41 may be formed to have a relatively greater refractive index than the 1b organic layer 42. In other words, the 1b organic layer 42 may be formed to have a smaller refractive index than the 1a organic layer 41.

상기 경우, 제1a 유기막(41)은 1.6 내지 2.5의 굴절률을 갖을 수 있고, 제1b 유기막(42)은 1.4 내지 2.0의 굴절률 범위에서 제1a 유기막(41)보다 더 작은 굴절률을 갖도록 형성될 수 있다. 예컨대, 제1a 유기막(41)이 1.75의 굴절률을 갖도록 형성된다면, 제1b 유기막(42)은 1.75 미만의 굴절률을 갖도록 형성될 수 있다.In this case, the 1a organic layer 41 may have a refractive index of 1.6 to 2.5, and the 1b organic layer 42 may have a smaller refractive index than the 1a organic layer 41 in the refractive index range of 1.4 to 2.0. It can be. For example, if the 1a organic layer 41 is formed to have a refractive index of 1.75, the 1b organic layer 42 may be formed to have a refractive index of less than 1.75.

도 5는 본 발명에 따른 제1 계면안정층의 제1b 유기막의 증착시 원료가스 공급유량(sccm)에 따른 제1b 유기막(42)의 굴절률 변화를 나타낸 그래프이다.Figure 5 is a graph showing the change in refractive index of the 1b organic layer 42 according to the raw material gas supply flow rate (sccm) when depositing the 1b organic layer of the first interface stable layer according to the present invention.

예컨대, HMDSN를 원료가스로 공급하여 1.7의 굴절률을 갖는 제1a 유기막(41)을 형성한 경우, 제1b 유기막(42)은 1.7 미만의 굴절률을 갖도록 형성되어야 한다.For example, when HMDSN is supplied as a raw material gas to form the 1a organic layer 41 having a refractive index of 1.7, the 1b organic layer 42 must be formed to have a refractive index of less than 1.7.

상기 경우, 도 5의 일 공정예에 따르면, HMDSN 공급유량(sccm)을 12sccm 이하로 제어하여 제1b 유기막(42)을 증착하면 1.7 미만의 굴절률을 갖는 제1b 유기막(42)을 형성할 수 있음을 알 수 있다.In this case, according to a process example in FIG. 5, when the 1b organic layer 42 is deposited by controlling the HMDSN supply flow rate (sccm) to 12 sccm or less, the 1b organic layer 42 having a refractive index of less than 1.7 can be formed. You can see that it is possible.

즉, 제1a 유기막(41)의 증착조건과 대비하여 제1b 유기막(42)의 증착조건을 조절함으로써, 제1a 유기막(41)이 제1b 유기막(42)보다 밀도는 더 높고, 두께는 더 얇으며, 굴절률은 더 높게 형성되도록 제어할 수 있다. 여기서, 상기 공정조건은 예컨대 제1a,1b 유기막 증착공정의 공정압력, 원료가스량, 반응가스량, 원료가스 대비 반응가스 비율, 및 RF 파워일 수 있다.That is, by adjusting the deposition conditions of the 1b organic layer 42 compared to the deposition conditions of the 1a organic layer 41, the density of the 1st organic layer 41 is higher than that of the 1b organic layer 42, The thickness is thinner and the refractive index can be controlled to be higher. Here, the process conditions may be, for example, process pressure, amount of raw material gas, amount of reaction gas, ratio of reaction gas to raw material gas, and RF power of the 1a, 1b organic film deposition process.

본 발명의 일 예에 따르면, 제1 봉지층(30), 제1 계면안정층(40), 및 제2 봉지층(50)은 플라즈마 화학기상증착법(PECVD:Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 동일한 챔버 내부에서 순차적으로 적층 형성될 수 있다.According to an example of the present invention, the first encapsulation layer 30, the first interface stabilizing layer 40, and the second encapsulation layer 50 are formed using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Thus, they can be formed sequentially in a stack within the same chamber.

상기 경우, PECVD를 이용하여 제1 계면안정층(40)을 형성할 때, 제1a,1b 유기막을 증착하기 위한 원료가스 즉, 전구체로서 HMDSN(Hexamethyldisilazane), BTBAS(Bis(tertiary-butylamino)Silane), DIPAS(Diisopropylamino Silane), HCDS(Hexachlorodisilane), TDMAS(Tetrakis(dimethylamino) Silane), TMCTS(Tetramethylcyclotetra-Siloxane), TMS(Tetramethylsilane), TEOS(Tetraethylorthosilicate), TMDSO(Tetramethyldisiloxane), HMDSO (Hexamethyldisiloxane), OMCTS (Octamethylcyclotetrasiloxane) 등을 사용할 수 있다.In this case, when forming the first interface stable layer 40 using PECVD, HMDSN (Hexamethyldisilazane) and BTBAS (Bis(tertiary-butylamino)Silane) are used as raw material gases, that is, precursors, for depositing the 1a and 1b organic layers. , DIPAS (Diisopropylamino Silane), HCDS (Hexachlorodisilane), TDMAS (Tetrakis(dimethylamino) Silane), TMCTS (Tetramethylcyclotetra-Siloxane), TMS (Tetramethylsilane), TEOS (Tetraethylorthosilicate), TMDSO (Tetramethyldisiloxane), HMDSO (Hexamethyldisiloxane), OMCTS ( Octamethylcyclotetrasiloxane), etc. can be used.

본 발명의 제2 봉지층(50)은 제1 계면안정층(40) 상에 적층 형성되는 박막으로서 적어도 하나의 무기막을 포함한다. 즉, 제2 봉지층(50)의 무기막은 제1 계면안정층(40)의 제1b 유기막(42) 위에 증착된다.The second encapsulation layer 50 of the present invention is a thin film formed by stacking on the first interface stabilizing layer 40 and includes at least one inorganic film. That is, the inorganic layer of the second encapsulation layer 50 is deposited on the 1b organic layer 42 of the first interfacial stabilization layer 40.

제2 봉지층(50)의 무기막은 무기화합물로 형성되며, 예컨대 실리콘계 무기화합물 박막으로 이루어질 수 있다.The inorganic film of the second encapsulation layer 50 is formed of an inorganic compound, for example, may be made of a silicon-based inorganic compound thin film.

본 발명의 일 예에 따르면, 제2 봉지층(50)의 무기막은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 및 실리콘 산질화물 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다.According to an example of the present invention, the inorganic layer of the second encapsulation layer 50 may be formed of any one selected from silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride.

예컨대, 제2 봉지층(50)의 무기막은 SiOx, SiNx , 및 SiOxNy 중에서 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있고, 1000㎚ 이하의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.For example, the inorganic film of the second encapsulation layer 50 may be made of any one selected from SiO x , SiN x , and SiO x N y and may be formed to have a thickness of 1000 nm or less.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 적층박막이 형성된 유기발광 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.Figure 6 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting display device formed with a laminated thin film according to a third embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 제1 실시예와 동일한 구성을 갖되, 제2 계면안정층(40') 및 제3 봉지층(50')을 더 포함한다.Referring to FIG. 6, the organic light emitting display device according to the third embodiment of the present invention has the same configuration as the first embodiment, but further includes a second interfacial stability layer 40' and a third encapsulation layer 50'. Includes.

제2 실시예의 제2 계면안정층(40')은 앞서 설명한 제1,2 실시예의 제1 계면안정층(40)과 동일한 특징을 갖도록 구성되고, 다만 제1 봉지층(30)이 아닌 제2 봉지층(50) 상에 적층 형성되는 점이 차이점에 해당한다.The second interface stabilizing layer 40' of the second embodiment is configured to have the same characteristics as the first interfacial stabilizing layer 40 of the first and second embodiments described above, except that instead of the first encapsulating layer 30, the second interfacial stabilizing layer 40' The difference is that it is formed by stacking on the encapsulation layer 50.

제2 계면안정층(40')은 제2 봉지층(50)의 무기막 위에 형성되고 실리콘계 유기화물로 이루어지는 제2a 유기막(41'), 및 상기 제2a 유기막(41') 위에 형성되고 실리콘계 유기화물로 이루어지는 제2b 유기막(42')을 포함한다.The second interfacial stability layer 40' is formed on the inorganic layer of the second encapsulation layer 50 and is formed on a 2a organic layer 41' made of a silicon-based organic compound, and the 2a organic layer 41', It includes a 2b organic layer 42' made of a silicon-based organic compound.

제2 계면안정층(40')은 제1 계면안정층(40)과 마찬가지로, 제2a 유기막(41') 및 제2b 유기막(42')은 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄질화물, 및 수소(H) 함유된 실리콘 산탄질화물 중에서 선택된 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.Like the first interface stable layer 40, the second interfacial stable layer 40' is formed of silicon oxycarbide, silicon carbonitride, and silicon oxycarbonitride. , and silicon oxycarbonitride containing hydrogen (H).

제2 계면안정층(40')은 제1 계면안정층(40)과 마찬가지로, 제2a 유기막(41')은 제2b 유기막(42')보다 밀도가 상대적으로 더 높은 것은 특징으로 한다. 환언하면, 제2b 유기막(42')은 제2a 유기막(41')보다 더 낮은 밀도로 증착된다.Like the first interface stabilizing layer 40, the second interface stabilizing layer 40' is characterized in that the 2a organic layer 41' has a relatively higher density than the 2b organic layer 42'. In other words, the 2b organic layer 42' is deposited at a lower density than the 2a organic layer 41'.

제2 계면안정층(40')은 제1 계면안정층(40)과 마찬가지로, 제2b 유기막(42')의 두께(T2')는 제1a 유기막(41)의 두께(T1')보다 상대적으로 더 큰 두께로 형성될 수 있다. 환언하면, 제2a 유기막(41')은 제2b 유기막(42')보다 더 얇은 두께로 형성될 수 있다.Like the first interface stabilizing layer 40, the second interface stabilizing layer 40' has a thickness T2' of the 2b organic layer 42' greater than the thickness T1' of the 1a organic layer 41. It can be formed to a relatively greater thickness. In other words, the 2a organic layer 41' may be formed to have a thinner thickness than the 2b organic layer 42'.

즉, 제2 계면안정층(40')은 제1 계면안정층(40)과 동일한 구성을 제2 봉지층(50) 상에 적층 형성한 것이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.That is, since the second interface stabilizing layer 40' has the same structure as the first interfacial stabilizing layer 40 and is laminated on the second encapsulation layer 50, detailed description thereof will be omitted.

제3 실시예의 제3 봉지층(50')은 앞서 설명한 제1,2 실시예의 제2 봉지층(50)과 동일한 특징을 갖도록 구성되고, 다만 제1 계면안정층(40)이 아닌 제2 계면안정층(40') 상에 적층 형성되는 점이 차이점에 해당한다.The third encapsulation layer 50' of the third embodiment is configured to have the same characteristics as the second encapsulation layer 50 of the first and second embodiments described above, except that it has a second interface instead of the first interface stable layer 40. The difference lies in the fact that it is laminated on the stable layer 40'.

즉, 제3 봉지층(50')은 제2 계면안정층(40') 상에 적층 형성되는 박막으로서 적어도 하나의 무기막을 포함한다. 즉, 제3 봉지층(50')의 무기막은 제2 계면안정층(40')의 제2b 유기막(42') 위에 증착된다.That is, the third encapsulation layer 50' is a thin film formed by stacking on the second interface stabilizing layer 40' and includes at least one inorganic film. That is, the inorganic layer of the third encapsulation layer 50' is deposited on the 2b organic layer 42' of the second interface stabilizing layer 40'.

제3 봉지층(50')의 무기막은 무기화합물로 형성되며, 예컨대 실리콘계 무기화합물 박막으로 이루어질 수 있다.The inorganic film of the third encapsulation layer 50' is formed of an inorganic compound, for example, may be made of a silicon-based inorganic compound thin film.

전술한 제3 실시예의 확장실시예로, 제3 봉지층(50') 상에는 N개의 혼합막이 다수 회 반복되는 구조로 적층 형성될 수 있다. 여기서, 상기 혼합막이란, 전술한 제1 계면안정층(40)과 동일하게 구성되는 또 다른 계면안정층, 및 상기 또 다른 계면안정층 상에 적층 형성되고 제2 봉지층(50)와 동일하게 형성되는 또 다른 봉지층으로 이루어지는 적층박막을 의미한다.As an expanded example of the third embodiment described above, N mixed films may be stacked on the third encapsulation layer 50' in a structure that is repeated multiple times. Here, the mixed film refers to another interface stabilizing layer configured in the same manner as the above-described first interfacial stabilizing layer 40, and a layer formed by stacking on the other interfacial stabilizing layer and identical to the second encapsulating layer 50. It refers to a laminated thin film made up of another encapsulation layer that is formed.

한편, 제1 봉지층(30), 제1 계면안정층(40), 제2 봉지층(50), 제2 계면안정층(40'), 제3 봉지층(50'), 제N 계면안정층, 및 제n 봉지층은 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)을 이용하여 모두 동일한 챔버 내부에서 순차적으로 적층 형성될 수 있다.Meanwhile, the first encapsulation layer 30, the first interface stabilizing layer 40, the second encapsulating layer 50, the second interfacial stabilizing layer 40', the third encapsulating layer 50', and the N-th interfacial stabilizing layer. The layer and the n-th encapsulation layer can all be formed sequentially inside the same chamber using plasma chemical vapor deposition (PECVD).

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 적층박막이 형성된 유기발광 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.Figure 7 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting display device formed with a laminated thin film according to a fourth embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 도 6의 제3 실시예와 동일하게 구성되고, 다만 제1 봉지층(30)이 복수 개의 무기막으로 구성된 것이 차이점이다.Referring to FIG. 7, the organic light emitting display device according to the fourth embodiment of the present invention is configured in the same way as the third embodiment of FIG. 6, except that the first encapsulation layer 30 is composed of a plurality of inorganic films. am.

즉, 제4 실시예에 따른 제1 봉지층(30)은 복수의 무기막이 순차적으로 적층 형성된 것일 수 있다. 상기 경우, 제1 봉지층(30)의 복수의 무기막은 동일한 성분 즉, 동일한 원료가스 및 반응가스를 사용하여 형성될 수 있다.That is, the first encapsulation layer 30 according to the fourth embodiment may be formed by sequentially stacking a plurality of inorganic films. In this case, the plurality of inorganic films of the first encapsulation layer 30 may be formed using the same components, that is, the same raw material gas and reaction gas.

또는, 제1 봉지층(30)의 복수의 무기막은 원료가스를 변경하여 서로 다른 성분으로 이루어진 무기막을 포함하도록 구성될 수도 있다.Alternatively, the plurality of inorganic films of the first encapsulation layer 30 may be configured to include inorganic films made of different components by changing the raw material gas.

이하에서, 본 발명의 발광소자(20)의 봉지를 위한 적층박막의 WVTR 성능에 대하여 다음의 실시예 및 비교예를 통해 설명하도록 한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명의 내용을 예시하는 것일 뿐 발명의 범위가 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the WVTR performance of the laminated thin film for encapsulation of the light emitting device 20 of the present invention will be described through the following examples and comparative examples. However, the following examples only illustrate the content of the present invention and the scope of the invention is not limited by the examples.

[실시예 1][Example 1]

실시예 1에 따른 적층박막은 다음과 같은 공정조건으로 증착하였다.The laminated thin film according to Example 1 was deposited under the following process conditions.

(1) 기판(1) Substrate

- PI, 두께 0.5㎜- PI, thickness 0.5㎜

(2) 제1 봉지층(2) First encapsulation layer

- 공정 가스 : SiH4, NH3, N2O, N2, H2 - Process gas: SiH 4 , NH 3 , N 2 O, N 2 , H 2

- 공정 진공도: 1.0 Torr- Process vacuum: 1.0 Torr

- RF 전력 : 0.6W/cm2 - RF power: 0.6W/cm 2

- 두께 : 500㎚- Thickness: 500㎚

(3) 제1 계면안정층의 제1a 유기막(3) 1a organic layer of the first interfacial stable layer

- 공정 가스 : HMDSN, N2O (N2O/HMDSN = 5.2)- Process gas: HMDSN, N 2 O (N 2 O/HMDSN = 5.2)

- 공정 진공도: 0.8 Torr- Process vacuum: 0.8 Torr

- RF 전력 : 1.0W/cm2 - RF power: 1.0W/cm 2

- 두께 : 100㎚- Thickness: 100㎚

(4) 제1 계면안정층의 제1b 유기막(4) 1b organic layer of the first interfacial stable layer

- 공정 가스 : HMDSN, N2O (N2O/HMDSN = 2.9)- Process gas: HMDSN, N 2 O (N 2 O/HMDSN = 2.9)

- 공정 진공도: 1.0 Torr- Process vacuum: 1.0 Torr

- RF 전력 : 0.5W/cm2 - RF power: 0.5W/cm 2

- 두께 : 1000㎚- Thickness: 1000㎚

(5) 제2 봉지층(5) Second encapsulation layer

- 공정 가스 : SiH4, NH3, N2O, N2, H2 - Process gas: SiH 4 , NH 3 , N 2 O, N 2 , H 2

- 공정 진공도: 1.0 Torr- Process vacuum: 1.0 Torr

- RF 전력 : 0.6W/cm2 - RF power: 0.6W/cm 2

- 두께 : 500㎚- Thickness: 500㎚

[비교예 1][Comparative Example 1]

비교예 1에 따른 적층박막은 실시예 1과 동일한 공정조건으로 제1 봉지층(30)과 제2 봉지층(50)을 증착하였고, 제1 봉지층(30)과 제2 봉지층(50) 사이에 제1 실시예의 제1 계면안정층(40)을 형성하지 않고 다만 하나의 유기막층을 형성한 것이 차이점이다.For the laminated thin film according to Comparative Example 1, the first encapsulation layer 30 and the second encapsulation layer 50 were deposited under the same process conditions as Example 1, and the first encapsulation layer 30 and the second encapsulation layer 50 were formed. The difference is that only one organic layer is formed instead of forming the first interface stabilizing layer 40 of the first embodiment.

(1) 기판, 제1 봉지층 및 제2 봉지층(1) Substrate, first encapsulation layer and second encapsulation layer

- 실시예 1과 동일- Same as Example 1

(2) 유기막층(2) Organic membrane layer

- 공정 가스 : HMDSN, N2O (N2O/HMDSN = 2.9)- Process gas: HMDSN, N 2 O (N 2 O/HMDSN = 2.9)

- 공정 진공도: 1.0 Torr- Process vacuum: 1.0 Torr

- RF 전력 : 0.5W/cm2 - RF power: 0.5W/cm 2

- 두께 : 1000㎚- Thickness: 1000㎚

실시예 1에 따라 제조된 적층박막은 약 1*10-5g/m2/day의 투습도(WVTR)를 나타냈으며, 비교예 1에 따라 제조된 적층박막은 약 3*10-3g/m2/day의 투습도(WVTR)를 나타었다.The laminated thin film prepared according to Example 1 showed a water vapor transmission rate (WVTR) of about 1*10 -5 g/m 2 /day, and the laminated thin film prepared according to Comparative Example 1 had a water vapor transmission rate (WVTR) of about 3*10 -3 g/m. It showed a water vapor transmission rate (WVTR) of 2 /day.

한편, 비교예 1과 같은 종래 적층박막 즉, 본 발명의 제1 계면안정층(40)을 구비하지 않는 적층박막은 일부 영역에서 볼렌렌즈 형상으로 볼록하게 부풀어 오르거나 크랙(crack)이 발생하는 것을 확인할 수 있었다.On the other hand, a conventional laminated thin film such as Comparative Example 1, that is, a laminated thin film not provided with the first interface stabilizing layer 40 of the present invention, bulges convexly in the shape of a bowlen lens or generates cracks in some areas. I was able to confirm.

실시예 1 및 비교예 1에서 확인할 수 있듯이, 본 발명에 따른 제1 계면안정층(40)을 갖는 적층박막에 의하면, 단지 무기막과 유기막을 교대로 반복 적층한 종래 봉지막보다 투습 방지 성능이 더 뛰어남을 알 수 있다.As can be seen in Example 1 and Comparative Example 1, according to the laminated thin film having the first interface stabilizing layer 40 according to the present invention, the moisture permeation prevention performance is better than that of the conventional encapsulation film in which inorganic films and organic films are alternately stacked. You can see that it is superior.

더 나아가, 실시예 1의 확장 실시예로서, 도 6 또는 도 7과 같이 계면안정층(40,40') 및 봉지층(50,50')을 다수 회 반복 적층한 구조로 적층박막을 형성할 경우, 해당 적층박막은 실시예 1보다 더 뛰어난 투습 방지 성능을 나타낼 수 있다.Furthermore, as an expanded example of Example 1, a laminated thin film can be formed in a structure in which the interfacial stabilization layers 40 and 40' and the encapsulation layers 50 and 50' are repeatedly stacked multiple times, as shown in Figure 6 or Figure 7. In this case, the laminated thin film can exhibit better moisture penetration prevention performance than Example 1.

상기에서 본 발명의 바람직한 실시예가 특정 용어들을 사용하여 설명 및 도시되었지만 그러한 용어는 오로지 본 발명을 명확히 설명하기 위한 것일 뿐이며, 본 발명의 실시예 및 기술된 용어는 다음의 청구범위의 기술적 사상 및 범위로부터 이탈되지 않고서 여러가지 변경 및 변화가 가해질 수 있는 것은 자명한 일이다. 이와 같이 변형된 실시예들은 본 발명의 사상 및 범위로부터 개별적으로 이해되어져서는 안되며, 본 발명의 청구범위 안에 속한다고 해야 할 것이다.Although preferred embodiments of the present invention have been described and illustrated above using specific terms, such terms are only for clearly describing the present invention, and the embodiments of the present invention and the described terms are in accordance with the technical spirit and scope of the following claims. It is self-evident that various changes and changes can be made without deviating from it. These modified embodiments should not be understood individually from the spirit and scope of the present invention, but should be regarded as falling within the scope of the claims of the present invention.

10: 기판 20: 발광소자
30: 제1 봉지층 40: 제1 계면안정층
41: 제1a 유기막 42: 제1b 유기막
50: 제2 봉지층 40': 제2 계면안정층
41': 제2a 유기막 42': 제2b 유기막
50': 제3 봉지층10: substrate 20: light emitting device
30: first encapsulation layer 40: first interfacial stable layer
41: first a organic layer 42: first b organic layer
50: second encapsulation layer 40': second interfacial stability layer
41': 2a organic layer 42': 2b organic layer
50': Third encapsulation layer

Claims (18)

발광소자가 형성된 기판 상에 형성되는 적층체로서,
무기화합물로 이루어지는 무기막을 포함하는 제1 봉지층; 상기 제1 봉지층 상에 적층되는 제1 계면안정층; 및 상기 제1 계면안정층 상에 적층되고 무기화합물로 이루어지는 무기막을 포함하는 제2 봉지층;을 포함하고,
상기 제1 계면안정층은,
상기 제1 봉지층의 무기막 위에 형성되고 실리콘계 유기화합물로 이루어지는 제1a 유기막; 및 상기 제1a 유기막 위에 형성되고 실리콘계 유기화합물로 이루어지는 제1b 유기막을 포함하고,
상기 제1a 유기막은,
상기 제1b 유기막보다 밀도가 상대적으로 더 높은 것을 특징으로 하는 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
A laminate formed on a substrate on which a light emitting device is formed,
A first encapsulation layer including an inorganic film made of an inorganic compound; a first interfacial stability layer laminated on the first encapsulation layer; And a second encapsulation layer laminated on the first interfacial stabilization layer and including an inorganic film made of an inorganic compound.
The first interfacial stable layer is,
a 1a organic layer formed on the inorganic layer of the first encapsulation layer and made of a silicon-based organic compound; and a 1b organic layer formed on the 1a organic layer and made of a silicon-based organic compound,
The first a organic layer is,
A laminated thin film for encapsulation of a light emitting device, characterized in that the density is relatively higher than that of the 1b organic layer.
 제1 항에 있어서,
상기 제1b 유기막은,
상기 제1a 유기막보다 두께가 상대적으로 더 큰 것을 특징으로 하는 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
According to claim 1,
The 1b organic layer is,
A laminated thin film for encapsulation of a light emitting device, characterized in that the thickness is relatively greater than the 1a organic layer.
 제2 항에 있어서,
상기 제1b 유기막은,
상기 제1a 유기막보다 두께가 1.5배 이상 더 큰 것을 특징으로 하는 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
According to clause 2,
The 1b organic layer is,
A laminated thin film for encapsulation of a light emitting device, characterized in that the thickness is at least 1.5 times greater than the 1a organic layer.
 제2 항에 있어서,
상기 제1a 유기막의 두께는 5 ~ 900㎚ 인 것을 특징으로 하는 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
According to clause 2,
A laminated thin film for encapsulation of a light emitting device, wherein the first a organic layer has a thickness of 5 to 900 nm.
 제1 항에 있어서,
상기 제1a 유기막은,
상기 제1b 유기막보다 굴절률이 상대적으로 더 큰 것을 특징으로 하는 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
According to claim 1,
The first a organic layer is,
A laminated thin film for encapsulation of a light emitting device, characterized in that the refractive index is relatively higher than that of the 1b organic layer.
 제5 항에 있어서,
제1a 유기막의 굴절률은 1.6 내지 2.5 인 것을 특징으로 하는 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
According to clause 5,
A laminated thin film for encapsulating a light emitting device, wherein the refractive index of the 1a organic layer is 1.6 to 2.5.
 제1 항에 있어서,
상기 제1a 유기막은,
상기 제1b 유기막을 증착하는 경우와 대비하여 원료가스 대비 반응가스 비율을 상대적으로 더 높게 하여 증착된 것인 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
According to claim 1,
The first a organic layer is,
A laminated thin film for encapsulation of a light emitting device that is deposited with a relatively higher ratio of reaction gas to raw material gas compared to the case of depositing the 1b organic layer.
 제7 항에 있어서,
상기 제1a 유기막은,
원료가스 대비 반응가스의 비율(반응가스/원료가스)을 4 이상으로 하여 증착된 것이고,
상기 제1b 유기막은,
원료가스 대비 반응가스의 비율(반응가스/원료가스)을 3 이하로 하여 증착된 것인 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
According to clause 7,
The first a organic layer is,
It is deposited with a ratio of reaction gas to raw material gas (reaction gas/raw material gas) of 4 or more,
The 1b organic layer is,
A laminated thin film for encapsulation of light emitting devices deposited with the ratio of reaction gas to raw material gas (reaction gas/raw material gas) below 3.
 제1 항에 있어서,
상기 제1a 유기막 및 상기 제1b 유기막은,
실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄질화물, 및 수소(H)가 함유된 실리콘 산탄질화물 중에서 선택된 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
According to claim 1,
The 1a organic layer and the 1b organic layer,
A laminated thin film for encapsulating a light emitting device, characterized in that it is formed of at least one selected from silicon oxycarbide, silicon carbonitride, silicon oxycarbonitride, and silicon oxycarbonitride containing hydrogen (H).
 제1 항에 있어서,
상기 제1a 유기막 및 상기 제1b 유기막은 동일한 원료가스 및 반응가스를 사용하여 증착된 것이고,
상기 제1a 유기막은,
상기 제1b 유기막을 증착하는 공정조건과 대비할 때, 공정압력, 원료가스량, 반응가스량, 원료가스 대비 반응가스 비율, 및 RF 파워 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 다르게 함으로써 제1b 유기막보다 상대적으로 더 큰 밀도를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
According to claim 1,
The first a organic layer and the first b organic layer were deposited using the same raw material gas and reaction gas,
The first a organic layer is,
When compared to the process conditions for depositing the 1b organic layer, at least one selected from the process pressure, amount of raw material gas, amount of reaction gas, ratio of reaction gas to raw material gas, and RF power is varied, thereby producing a relatively larger film than the 1b organic layer. A laminated thin film for encapsulation of a light emitting device, characterized in that it is formed to have density.
 제1 항에 있어서,
상기 제1a 유기막 및 상기 제1b 유기막은,
HMDSN, BTBAS, DIPAS, HCDS, TDMAS, TMCTS, TMS, TEOS, TMDSO, HMDSO, 및 OMCTS 중에서 선택된 어느 하나를 원료가스로 사용하여 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
According to claim 1,
The 1a organic layer and the 1b organic layer,
A laminated thin film for encapsulation of a light emitting device, characterized in that it is formed using any one selected from HMDSN, BTBAS, DIPAS, HCDS, TDMAS, TMCTS, TMS, TEOS, TMDSO, HMDSO, and OMCTS as a raw material gas.
 제1 항에 있어서,
상기 제2 봉지층 상에 적층되는 제2 계면안정층을 더 포함하고,
상기 제2 계면안정층은,
상기 제2 봉지층의 무기막 위에 형성되고 실리콘계 유기화합물로 이루어지는 제2a 유기막; 및 상기 제2a 유기막 위에 형성되고 실리콘계 유기화합물로 이루어지는 제2b 유기막을 포함하고,
상기 제2a 유기막은,
상기 제2b 유기막보다 밀도가 상대적으로 더 높은 것을 특징으로 하는 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
According to claim 1,
It further includes a second interfacial stability layer stacked on the second encapsulation layer,
The second interfacial stable layer is,
a 2a organic layer formed on the inorganic layer of the second encapsulation layer and made of a silicon-based organic compound; and a 2b organic layer formed on the 2a organic layer and made of a silicon-based organic compound,
The 2a organic layer is,
A laminated thin film for encapsulation of a light emitting device, characterized in that the density is relatively higher than that of the 2b organic layer.
 제12 항에 있어서,
상기 제2b 유기막은,
상기 제2a 유기막보다 두께가 상대적으로 더 큰 것을 특징으로 하는 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
According to claim 12,
The 2b organic layer is,
A laminated thin film for encapsulation of a light emitting device, characterized in that the thickness is relatively greater than the 2a organic layer.
 제12 항에 있어서,
상기 제2 계면안정층 상에 적층되고 무기화합물로 이루어지는 무기막을 포함하는 제3 봉지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
According to claim 12,
A laminated thin film for encapsulating a light emitting device, characterized in that it is laminated on the second interface stabilizing layer and further comprises a third encapsulation layer including an inorganic film made of an inorganic compound.
 제1 항에 있어서,
상기 제1 봉지층 또는 상기 제2 봉지층은,
복수의 무기막이 순차적으로 적층 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
According to claim 1,
The first encapsulation layer or the second encapsulation layer,
A laminated thin film for encapsulation of a light emitting device, characterized in that a plurality of inorganic films are sequentially laminated.
 제1 항에 있어서,
상기 제1 봉지층의 무기막 또는 상기 제2 봉지층의 무기막은,
실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 및 실리콘 산질화물 중에서 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
According to claim 1,
The inorganic film of the first encapsulation layer or the inorganic film of the second encapsulation layer,
A laminated thin film for encapsulation of a light emitting device, characterized in that it is formed of any one selected from silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride.
 제1 항에 있어서,
상기 제1 봉지층, 상기 제1 계면안정층 및 상기 제2 봉지층은,
플라즈마 화학기상증착법(PECVD)을 이용하여 동일한 챔버 내부에서 순차적으로 적층 형성된 것인 발광소자의 봉지를 위한 적층박막.
According to claim 1,
The first encapsulation layer, the first interfacial stable layer, and the second encapsulation layer,
A laminated thin film for encapsulation of a light emitting device that is sequentially laminated inside the same chamber using plasma chemical vapor deposition (PECVD).
 기판;
유기발광소자; 및
상기 유기발광소자 상에 형성되는 제1 항 내지 제17 항 중 어느 한 항의 적층박막을 포함하는 유기발광 표시장치.Board;
Organic light emitting device; and
An organic light emitting display device comprising the stacked thin film of any one of claims 1 to 17 formed on the organic light emitting device.
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