KR20220125065A - 방사 전력의 조절 방법 및 전자 장치 - Google Patents

방사 전력의 조절 방법 및 전자 장치 Download PDF

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KR20220125065A
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power mode
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전규연
윤용상
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삼성전자주식회사
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Abstract

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치에 있어서, 외부 전자 장치와의 통신 환경을 확인하고, 안테나를 통해, 신호를 방사하는 통신 모듈, 그립 센서, 메모리, 및 상기 통신 모듈, 상기 그립 센서, 및 상기 메모리에 작동적으로 연결된 프로세서를 포함할 수 있다. 상기 프로세서는, 외부 전자 장치와의 통신 환경, 또는 상기 안테나를 통한 방사 전력의 세기를 확인하고, 상기 확인된 방사 전력의 세기 및 설정된 임계값을 비교하고, 상기 비교 결과에 따라, 상기 그립 센서에 공급되는 전력을 조정할 수 있다. 그 밖에 다양한 실시예들이 가능할 수 있다.

Description

방사 전력의 조절 방법 및 전자 장치 {METHOD AND ELECTRONIC DEVICE FOR CONTROLLING RADIATION POWER}
본 발명의 다양한 실시 예는 방사 전력의 조절 방법 및 전자 장치에 관한 것이다.
일반적으로 전자 장치는 통화 시, 사용자가 송수화기를 귀 및 입에 근접시켜 사용하게 된다. 이 경우, 전자 장치에서 발생되는 전자파가 사용자의 건강에 영향을 미칠 수 있으므로, 각국은 전자파 흡수율(specific absorption rate: 이하 SAR이라 칭함) 규격을 만들어 전자 장치에서 허용 가능한 전자파의 세기를 정의하고 있다.
무선 통신 기술의 발달에 따라, 안테나의 성능이 보다 향상되었고, 사용자에게 보다 빠른 통신 환경을 제공하기 위해, 안테나에 공급되는 전력의 세기가 증가할 수 있다. 전자 장치는 전자파 흡수율 규격을 충족하는 조건에서, 안테나에 공급되는 방사 전력의 세기를 결정할 수 있다.
전자 장치는 전자파 흡수율 규격을 준수하면서, 최대의 방사 성능을 갖도록 안테나에 전력을 공급할 수 있다.
전자 장치는 무선 통신 시, 전자파 흡수율 규격(SAR)을 충족하기 위해, 안테나에 공급되는 전력값(예: 방사 전력)을 조정할 수 있다. 전자 장치는 SAR를 충족하기 위한 하나의 기준값을 기준으로, 방사 전력을 결정할 수 있다. 통상적으로, 전자 장치가 무선 통신을 수행할 때, 통신 신호의 품질(예: 통신 환경)이 나쁠 경우 방사 전력을 높여서 통신 신호의 세기를 증가시키고, 인체의 접근에 응답하여, SAR를 충족하도록 상기 방사 전력을 조정할 수 있다. 전자 장치가 무선 통신을 수행할 때, 통신 신호의 품질(통신 환경)이 좋은 경우 방사 전력을 낮춰서 통신 신호의 세기를 낮추게 되고, 인체의 접근에 응답하여, SAR를 충족하도록 상기 방사 전력을 조정할 수 있다.
전자 장치는 방사 전력의 세기와 관계 없이, 하나의 기준 값(예: 전자 장치(안테나)와 사용자의 거리)을 기반으로, 사용자의 접근 여부를 확인할 수 있고, 사용자의 접근 시, SAR를 충족하도록 방사 전력을 조정할 수 있다. 전자 장치는 사용자의 근접 여부를 판단하기 위한 그립 센서를 계속적으로 동작하게 되고, 상기 그립 센서의 동작에 따른 전력을 소모할 수 있다. 전자 장치는 통신 환경의 상태와 관계 없이, 그립 센서에 전력을 공급하게 되므로, 불필요한 전력의 공급 및 상기 전력의 공급으로 인한 불필요한 전류의 소모가 발생할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예는 통신 신호의 품질이 좋은 경우 방사 전력을 줄이게 되고, 그립 센서를 저전력 모드로 운영하는 전자 장치를 제공할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 전자 장치에 있어서, 안테나를 통해, 신호를 방사하는 통신 모듈, 그립 센서, 메모리, 및 상기 통신 모듈, 상기 그립 센서, 및 상기 메모리에 작동적으로 연결된 프로세서를 포함할 수 있다. 상기 프로세서는, 외부 전자 장치와의 통신 환경, 또는 상기 안테나를 통한 방사 전력의 세기를 확인하고, 상기 확인된 방사 전력의 세기 및 설정된 임계값을 비교하고, 상기 비교 결과에 따라, 상기 그립 센서에 공급되는 전력을 조정할 수 있다.
다양한 실시예에 따른 방법에 있어서, 외부 전자 장치와의 통신 환경, 또는 안테나를 통한 방사 전력의 세기를 확인하는 동작, 상기 확인된 방사 전력의 세기 및 설정된 임계값을 비교하는 동작, 및 상기 비교 결과에 따라, 상기 그립 센서에 공급되는 전력을 조정하는 동작을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들은 SAR 기준을 충족하면서, 방사 전력이 설정된 임계값보다 낮은 경우(예: 강전계 상황) 그립 센서를 저전력 모드로 동작할 수 있고, 이로 인한 불필요한 전력의 소모 문제 및/또는 다른 구성 요소에 대한 불요파 문제를 해결할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 그립 센서가 저전력 모드로 동작함에 따라, 그립 센서로 공급되는 전력이 줄어들 수 있고, 불필요하게 전력이 소모되는 문제를 줄일 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들은 방사 전력이 설정된 임계값보다 높은 경우(예: 약전계 상황) 그립 센서를 고전력 모드로 동작할 수 있고, 인체의 접근을 보다 잘 감지하도록, 방사 전력의 세기를 높일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 인체에 대한 접근 감지율이 향상될 수 있다. 이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치와 기지국 간의 통신 상황을 도시한 예시도이다.
도 3은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치에 대한 블록도이다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 방사 전력을 조정하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 통신 상태가 좋은 경우 그립 센서의 운용 방법을 도시한 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 통신 상태가 나쁜 경우 그립 센서의 운용 방법을 도시한 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 통신 상태가 좋은 경우 그립 센서를 저전력 모드로 동작하는 예시도이다.
도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 통신 상태가 나쁜 경우 그립 센서를 고전력 모드로 동작하는 예시도이다.
도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치와 기지국 간의 통신 상황을 도시한 예시도이다.
통신 기술의 발달로 인해, 전자 장치(101)는 무선 통신 시, 보다 더 빠른 속도로, 보다 더 많은 데이터 처리를 수행할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 통신 신호의 품질을 향상시키기 위해, 방사 전력을 보다 높게 설정할 수 있다. 전자 장치(101)는 대용량의 무선 데이터를 전송하기 위해, 방사 전력을 높일 수 있고, 안테나를 통해, 상기 방사 전력에 대응하는 통신 신호를 기지국(210) 및/또는 서버로 전송할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 전자파 흡수율 규격(SAR)을 충족하는 조건에서, 안테나에 공급되는 방사 전력을 조정할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 기지국과 무선 통신을 하는 상황에서 통신 신호의 품질이 나쁜 경우(예: 약전계 상황) 무선 통신이 원활하게 수행되도록 방사 전력을 높일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 사용자의 접근을 감지할 수 있고, 사용자가 접근하는 경우, 전자파 흡수율 규격(SAR)을 기반으로 방사 전력을 조정할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 전자파 흡수율 규격을 초과하지 않는 선에서, 방사 전력을 조정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 기지국과 무선 통신을 하는 상황에서 통신 신호의 품질이 좋은 경우(예: 강전계 상황) 상대적으로 방사 전력을 낮출 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 상기 낮아진 방사 전력이 전자파 흡수율 규격(SAR)을 충족하는 상태일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 그립 센서(grip sensor)에 대한 동작 모드(예: 저전력 모드(low power mode), 고전력 모드(high power mode))를 변경하기 위한 임계값을 설정할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 상기 설정된 임계값을 기반으로, 그립 센서를 저전력 모드 및/또는 고전력 모드 중 하나의 모드로 동작할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 통신 신호의 품질이 좋은 상태(예: 강전계 상황)에서, 방사 전력이 상기 설정된 임계값 이하인 경우 상기 그립 센서를 저전력 모드(low power mode)로 동작할 수 있다. 예를 들어, 저전력 모드의 그립 센서는 전력이 공급되지 않는 비활성화 상태의 그립 센서를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 통신 신호의 품질이 좋은 상태에서, 전자 장치(101)는 방사 전력을 줄일 수 있으며, SAR를 충족하는 상태일 수 있다. 예를 들어, SAR를 충족하는 상태의 전자 장치(101)는 사용자의 접근 여부와 관계 없이, 방사 전력이 낮게 설정될 수 있다. 전자 장치(101)는 사용자의 접근 여부를 감지하기 위한 그립 센서를 저전력 모드로 변경할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 그립 센서가 저전력 모드로 동작함에 따라, 불필요한 전력의 소모를 줄일 수 있고, 적어도 하나의 구성 요소에 대한 불요파를 줄일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 통신 신호의 품질이 나쁜 상태(예: 약전계 상황)에서, 방사 전력이 상기 설정된 임계값을 초과하는 경우 상기 그립 센서를 고전력 모드(high power mode)로 동작할 수 있다. 예를 들어, 고전력 모드의 그립 센서는 방사 전력이 극대화될 수 있고, 그립 센서의 성능(예: 민감도)이 향상될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 그립 센서가 고전력 모드로 동작함에 따라, 사용자의 접근을 보다 정확하게 감지할 수 있고, 상기 사용자를 감지하는 영역이 확장될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 그립 센서를 고전력 모드로 동작하는 중에, 사용자의 접근을 감지하게 되면, 전자파 흡수율 규격(SAR)을 기반으로, 방사 전력을 조정할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치에 대한 블록도이다.
도 3을 참조하면, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))는 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120)), 메모리(예: 도 1의 메모리(130)), 메모리(예: 도 1의 메모리(130)), 센서 모듈(예: 도 1의 센서 모듈(176)), 전력 관리 모듈(예: 도 1의 전력 관리 모듈(188)), 및/또는, 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190))을 포함할 수 있다. 센서 모듈(176)은 그립 센서(301)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 통신 모듈(190)을 통해, 기지국(예: 도 2의 기지국(210)과 무선 통신을 수행할 수 있으며, 통신 신호의 품질을 기반으로 방사 전력을 조정할 수 있다. 예를 들어, 통신 신호의 품질이 나쁠 경우(예: 약전계인 경우) 전자 장치(101)는 상대적으로 방사 전력을 높게 설정하여, 통신 신호의 세기를 증가시킬 수 있다. 전자 장치(101)는 그립 센서를 고전력 모드로 동작할 수 있다. 예를 들어, 통신 신호의 품질이 좋은 경우(예: 강전계인 경우) 전자 장치(101)는 상대적으로 방사 전력을 낮게 설정하여, 통신 신호의 세기를 낮출 수 있다. 전자 장치(101)는 그립 센서를 저전력 모드로 동작할 수 있다. 강전계에서는 통신 신호의 세기가 낮더라도, 원활하게 무선 통신이 수행될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 전자파 흡수율 규격(SAR)을 충족하는 조건 하에, 방사 전력을 조정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 그립 센서(301)에 대한 동작 모드를 결정하기 위한 임계값을 설정할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 통신 신호의 품질이 좋은 경우(예: 강전계 상황) 전자 장치(101)는 방사 전력을 낮게 설정할 수 있고, 방사 전력값이 상기 설정된 임계값 이하인 경우, 상기 그립 센서(301)를 저전력 모드로 변경할 수 있다. 전자 장치(101)는 그립 센서(301)로 공급되는 전력량을 줄일 수 있다. 예를 들어, 설정된 임계값은 전자파 흡수율 규격(SAR)을 충족하는 방사 전력값일 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 저전력 모드로 동작하는 그립 센서(301)는 최소한의 전력만이 공급되는 상태로, 상기 그립 센서(301)가 꺼진 상태(off state)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 통신 신호의 품질이 나쁜 경우(예: 약전계 상황) 전자 장치(101)는 방사 전력을 높게 설정할 수 있고, 방사 전력값이 상기 설정된 임계값을 초과하는 경우, 상기 그립 센서(301)를 고전력 모드로 변경할 수 있다. 전자 장치(101)는 그립 센서(301)의 센싱 성능이 극대화되도록 상기 그립 센서(301)에 공급되는 전력량을 늘릴 수 있다. 고전력 모드의 그립 센서(301)는 사용자의 접근 및 전자 장치(101)에 대한 그립 여부를 감지하는 성능이 극대화될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 고전력 모드의 그립 센서(301)를 사용하여, 사용자의 접근을 감지하면, 전자파 흡수율 규격(SAR)을 충족하는 수준으로, 상기 방사 전력값을 조정할 수 있다.
프로세서(120)는 메모리(130)에 저장된 프로그램(예: 도 1의 프로그램(140))을 실행하여, 적어도 하나의 다른 구성 요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 통신 모듈(190)을 통해, 통신 신호의 품질을 확인할 수 있고, 상기 통신 신호의 품질을 기반으로, 방사 전력값을 결정할 수 있다. 프로세서(120)는 전력 관리 모듈(188)을 통해, 방사 전력을 통신 모듈(190) 및 그립 센서(301)에 공급할 수 있다.
메모리(130)는 통신 신호의 품질에 기반하여, 방사 전력값을 결정하기 위한 데이터를 저장할 수 있다. 메모리(130)는 전자파 흡수율 규격(SAR)을 충족하는 방사 전력값을 저장할 수 있다. 메모리(130)는 그립 센서(301)에 대한 동작 모드를 변경하도록 설정된 임계값을 저장할 수 있다.
센서 모듈(176)은 사용자의 접근 또는, 전자 장치(101)에 대한 그립 여부를 감지하기 위한 그립 센서(301)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서(301)는 전자 장치(101)의 안테나에 작동적으로 연결된 상태이고, 상기 안테나를 사용하여, 사용자의 접근 여부 또는, 전자 장치(101)에 대한 그립 여부를 감지할 수 있다. 예를 들어, 그립 센서(301)는 상기 안테나 또는 도전성 패턴을 통해, 인체를 감지하기 위한 파형을 입출력할 수 있다. 인체가 안테나에 접근하는 경우, 상기 입출력하는 파형은 변화되게 되며, 그립 센서(301)는 상기 변화를 감지할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 그립 센서(301)를 사용하여, 전자 장치(101)에 대한 사용자의 그립 여부를 감지할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 센서 모듈(176)의 그립 센서(301)는 사용자가 전자 장치(101)를 가로 모드로 파지하고 있는지, 세로 모드로 파지하고 있는지, 또는, 통화를 위해 얼굴에 접촉된 상태로 파지하고 있는지 여부를 구분하여 감지할 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 그립 센서(301)는 전자 장치(101)에 대한 그립 감도를 다양하게 설정할 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 그립 센서(301)를 사용하여, 사용자의 그립 상태(예: 전화 통화를 위한 그립 방법, 및/또는, 컨텐츠의 검색을 위한 그립 방법)를 확인하고, 전자파 흡수율 규격(SAR)을 충족하는 조건에서, 상기 그립 센서(301)에 공급되는 방사 전력값을 조정할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 통신 모듈(190) 및 센서 모듈(176)에 포함된 그립 센서(301)에 방사 전력을 공급할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 전력 관리 모듈(188)을 사용하여, 통신 모듈(190)에 공급되는 방사 전력을 높게 설정할 수 있고, 통신 신호의 세기가 커질 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 전력 관리 모듈(188)을 사용하여, 그립 센서(301)에 공급되는 방사 전력을 높게 설정할 수 있고, 그립 센서(301)를 통한 그립 감도를 높일 수 있다. 예를 들어, 그립 센서(301)에 높은 방사 전력이 인가되면, (예: 그립 센서(301)가 고전력 모드로 동작하면) 그립 센서(301)를 사용한 센싱 성능이 향상될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 전력 관리 모듈(188)을 사용하여, 그립 센서(301)에 공급되는 방사 전력을 낮게 설정할 수 있고, 그립 센서(301)를 저전력 모드 또는 비활성화 상태로 동작할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 그립 센서(301)를 저전력 모드로 동작함으로써, 상기 그립 센서(301)에서 소모되는 전력을 줄일 수 있다.
통신 모듈(190)은 기지국(210)과 무선 통신을 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 전력 관리 모듈(188)을 통해, 통신 모듈(190)에 방사 전력을 공급할 수 있고, 상기 통신 모듈(190)을 통해, 기지국(210)과 무선 통신을 수행할 수 있다. 프로세서(120)는 통신 모듈(190)을 통해, 통신 신호의 품질이 좋은 상태(예: 강전계)인지, 또는, 통신 신호의 품질이 나쁜 상태(예: 약전계)인지 여부를 확인할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 통신 신호의 품질이 좋은 상태일 때, 방사 전력의 세기를 상대적으로 낮게 조정할 수 있고, 통신 신호의 품질이 나쁜 상태일 때, 방사 전력의 세기를 상대적으로 높게 조정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)의 프로세서(120)는 통신 상태가 좋은 상태(예: 강전계)인지, 또는 나쁜 상태(예: 약전계)인지 여부를 확인할 수 있다. 프로세서(120)는 그립 센서(301)에 대한 동작 모드를 결정하기 위해 설정된 임계값을 확인할 수 있다. 예를 들어, 임계값은 전력 관리 모듈(188)을 통해, 안테나에 인가되는 방사 전력값에 대응되는 설정값일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 통신 신호의 품질을 나타내는 방사 전력값이 상기 설정된 임계값 이하인 경우, 그립 센서(301)를 저전력 모드로 변경할 수 있다. 예를 들어, 통신 신호의 품질이 좋은 경우(예: 강전계) 프로세서(120)는 방사 전력값을 낮출 수 있고, 상기 방사 전력값이 임계값 이하로 낮아지는 경우, 프로세서(120)는 그립 센서(301)를 저전력 모드로 변경할 수 있다. 예를 들어, 방사 전력값이 임계값 이하로 낮아지는 상태는 SAR를 충족하는 상태를 포함하고, 프로세서(120)는 사용자의 접근 유무와 관계 없이, SAR를 충족하고 있으므로, 그립 센서(301)를 저전력 모드로 변경할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 그립 센서(301)를 비활성화 상태로 변경할 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 그립 센서(301)의 활성화로 인해, 불필요하게 소모되는 전력을 줄일 수 있고, 전자 장치(101)에 대한 전력 효율성을 높일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 통신 신호의 품질을 나타내는 방사 전력값이 상기 설정된 임계값을 초과하는 경우, 그립 센서(301)를 고전력 모드로 변경할 수 있다. 예를 들어, 통신 신호의 품질이 나쁜 경우(예: 약전계) 프로세서(120)는 방사 전력값을 높일 수 있고, 그립 센서(301)를 고전력 모드로 변경함으로써, 사용자의 접근 여부 또는, 전자 장치(101)의 그립 여부에 대한 센싱 성능을 높일 수 있다. 예를 들어, 방사 전력값이 임계값을 초과하는 상태는 SAR를 충족하지 않는 상태를 포함하고, 프로세서(120)는 그립 센서(301)의 셍싱 성능을 극대화하여, 사용자의 접근 여부를 감지할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 그립 센서(301)가 고전력 모드로 동작하는 중, 프로세서(120)는 사용자의 접근 또는, 전자 장치(101)에 대한 그립 동작을 감지할 수 있고, SAR(예: 전자파 흡수율 규격)를 기준으로, 방사 전력값을 조정할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(101)에 있어서, 안테나를 통해, 신호를 방사하는 통신 모듈(190), 그립 센서(301), 메모리(130), 및 상기 통신 모듈(190), 상기 그립 센서(301), 및 상기 메모리(130)에 작동적으로 연결된 프로세서(120)를 포함할 수 있다. 상기 프로세서(120)는, 외부 전자 장치와의 통신 환경, 또는 상기 안테나를 통한 방사 전력의 세기를 확인하고, 상기 확인된 방사 전력의 세기 및 설정된 임계값을 비교하고, 상기 비교 결과에 따라, 상기 그립 센서(301)에 공급되는 전력을 조정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 프로세서(120)는 상기 방사 전력의 세기가 상기 설정된 임계값 이하인 경우 상기 그립 센서(301)를 저전력 모드로 동작할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 저전력 모드의 그립 센서(301)는 센싱 파형의 주기를 길게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 주파수를 낮게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 게인(gain)을 작게 설정하는 방식, 또는 그립 센서 전원 차단 방식 중 적어도 하나의 방식으로 동작할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 프로세서(120)는 상기 그립 센서(301)가 상기 저전력 모드로 동작할 때, 상기 그립 센서(301)와 연결된 인터럽트(interrupt), 및/또는 데이터 통신을 차단하거나, 또는, 적어도 하나의 구성 요소에 대한 데이터 처리를 중단할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 프로세서(120)는 상기 그립 센서(301)가 상기 저전력 모드로 동작할 때, 상기 그립 센서(301)에 전원을 공급해주는 LDO(low dropout) 레귤레이터 및 PMIC(power management integrated circuit) 중 적어도 하나에 대한 출력 전원을 차단할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 프로세서(120)는 상기 방사 전력의 세기가 상기 설정된 임계값을 초과하는 경우 상기 그립 센서(301)를 고전력 모드로 동작할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 고전력 모드의 그립 센서(301)는 센싱 파형의 주기를 짧게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 주파수를 높게 설정하는 방식, 또는 상기 센싱 파형의 게인(gain)을 크게 설정하는 방식 중 적어도 하나의 방식으로 동작할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 프로세서(120)는 상기 그립 센서(301)를 고전력 모드로 동작하는 중에, 상기 그립 센서(301)를 통해 상기 전자 장치(101)에 대한 그립을 감지하고, 전자파 흡수율 규격(SAR(specific absorption rate))을 기반으로, 상기 안테나에 공급되는 전력을 조정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 설정된 임계값은 제 1 임계값 및 상기 제 1 임계값 보다 큰 값으로 설정된 제 2 임계값을 포함하고, 상기 프로세서(120)는 상기 방사 전력의 세기가 상기 제 1 임계값을 초과하는 경우 상기 그립 센서(301)를 제 1 고전력 모드로 동작하고, 상기 방사 전력의 세기가 상기 제 2 임계값을 초과하는 경우 상기 그립 센서(301)를 제 2 고전력 모드로 동작할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제 2 고전력 모드로 동작하는 그립 센서(301)는 상기 제 1 고전력 모드로 동작하는 그립 센서(301) 보다, 상대적으로 그립에 대한 민감도가 높은 것을 특징으로 한다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 방사 전력을 조정하는 방법을 도시한 흐름도이다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))는 그립 센서(예: 도 3의 그립 센서(301))에 대한 동작 모드를 결정하기 위한 임계값을 설정할 수 있다. 예를 들어, 임계값은 통신 신호의 품질을 나타내는 방사 전력값에 대응되는 설정값일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 통신 신호의 품질을 나타내는 방사 전력값이 임계값 이하인 경우(예: 강전계 상황) 그립 센서(301)를 저전력 모드로 변경할 수 있고, 상기 방사 전력값이 임계값 이상인 경우(예: 약전계 상황) 그립 센서(301)를 고전력 모드로 변경할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 통신 신호의 품질을 나타내는 방사 전력값과 설정된 임계값을 비교할 수 있고, 상기 비교 결과에 따라, 그립 센서(301)에 대한 동작 모드(예: 저전력 모드, 고전력 모드)를 변경할 수 있다.
동작 401에서 프로세서(120)는 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190))을 통해 외부 전자 장치(예: 기지국)와의 통신 상황을 확인할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 현재 통신 상태가 강전계 상황인지, 또는 약전계 상황인지 여부를 판단할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 강전계 상황에서 프로세서(120)는 상대적으로 방사 전력을 낮춰서 무선 통신을 수행할 수 있고, 약전계 상황에서 프로세서(120)는 상대적으로 방사 전력을 높여서 무선 통신을 수행할 수 있다.
동작 402에서 프로세서(120)는 통신 모듈(190)의 안테나를 통한 방사 전력의 세기를 확인할 수 있다. 예를 들어, 방사 전력의 세기는 통신 신호의 품질을 나타내는 데이터일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 통신 신호의 품질이 좋은 경우(예: 강전계 상황) 프로세서(120)는 무선 통신을 함에 있어서, 방사 전력의 세기를 낮출 수 있다. 반대로, 통신 신호의 품질이 나쁜 경우(예: 약전계 상황) 프로세서(120)는 무선 통신을 함에 있어서, 방사 전력의 세기를 높일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 방사 전력의 세기를 확인하는 것은 현재의 통신 신호의 품질을 확인하는 것과 실질적으로 동일한 의미일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 동작 401에서 통신 상황을 확인하거나, 또는 동작 402에서 방사 전력의 세기를 확인할 수 있다. 프로세서(120)는 동작 401 및 동작 402를 실질적으로 동시에 수행할 수도 있고, 동작 402를 실행하여, 동작 401에 따른 통신 상황을 확인할 수도 있다.
동작 403에서 프로세서(120)는 상기 확인된 방사 전력의 세기가 설정된 임계값을 초과하는지 여부를 확인할 수 있다. 예를 들어, 임계값은 미리 설정된 값으로, 그립 센서(301)를 고전력 모드로 운영할지 또는, 저전력 모드로 운영할지 여부를 결정하기 위한 기준값일 수 있다.
동작 403에서 상기 방사 전력의 세기가 임계값을 초과하는 경우,(예: 약전계 상황) 동작 405에서 프로세서(120)는 그립 센서(301)에 대한 감지 성능을 극대화할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 그립 센서(301)를 고전력 모드로 동작할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190)) 및 그립 센서(301)에 인가되는 방사 전력값을 상대적으로 높일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 고전력 모드의 그립 센서(301)는 전자 장치(101)에 대한 그립 여부를 감지하기 위한 민감도가 향상될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 고전력 모드의 그립 센서(301)는 센싱 파형(예: 인체를 감지하기 위해 그립 센서(301)로부터 입출력되는 파형)의 주기를 짧게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 주파수를 높게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 게인(gain)을 크게 설정하는 방식 중 적어도 하나의 방식으로 동작할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 그립 센서(301)를 통해, 사용자의 그립을 감지하는 경우 SAR(예: 전자파 흡수율 규격)를 충족하도록, 방사 전력값을 조정할 수 있다. 예를 들어, 방사 전력값이 SAR 기준값보다 높다면, 방사 전력값을 상기 SAR 기준값 이하로 낮출 수 있다.
동작 403에서 상기 방사 전력의 세기가 임계값 이하인 경우,(예: 강전계 상황) 동작 407에서 프로세서(120)는 그립 센서(301)를 저전력 모드로 동작할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190)) 및 그립 센서(301)에 인가되는 방사 전력값을 상대적으로 낮출 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 그립 센서(301)에 최소한의 전력만을 공급할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 저전력 모드의 그립 센서(301)는 센싱 파형(예: 인체를 감지하기 위해 그립 센서(301)로부터 입출력되는 파형)의 주기를 길게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 주파수를 낮게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 게인(gain)을 작게 설정하는 방식 중 적어도 하나의 방식으로 동작할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 그립 센서(301)와 연결된 인터럽트(interrupt), 및/또는 데이터 통신을 차단할 수 있고, 적어도 하나의 구성 요소에 대한 불필요한 데이터 처리를 중단할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 그립 센서(301)가 저전력 모드로 동작 시, 프로세서(120)는 그립 센서(301)로 인가되는 방사 전력을 차단할 수도 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 그립 센서(301)에 전원을 공급해주는 LDO(low dropout) 레귤레이터 및/또는 PMIC(power management integrated circuit) 중 적어도 하나에 대한 출력 전원을 차단(예: OFF)할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 적어도 하나의 구성 요소(예: 그립 센서)에서 불필요하게 소모되는 전력을 줄여서, 전자 장치(101)에 대한 전력 효율성을 높일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 통신 신호의 품질이 좋은 상태(예: 강전계 상태, 방서 전력의 세기가 임계값 이하인 상태)에서, 전자 장치(101)는 방사 전력을 줄일 수 있으며, SAR를 충족하는 상태일 수 있다. 예를 들어, SAR를 충족하는 상태의 전자 장치(101)는 사용자의 접근 여부와 관계 없이, 방사 전력이 낮게 설정될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 SAR를 충족할 때, 그립 센서(301)의 구동이 필요 없을 수 있다. 전자 장치(101)는 사용자의 접근 여부를 감지하기 위한 그립 센서를 저전력 모드로 변경할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 그립 센서가 저전력 모드로 동작함에 따라, 불필요한 전력의 소모를 줄일 수 있고, 적어도 하나의 구성 요소에 대한 불요파를 줄일 수 있다.
도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 통신 상태가 좋은 경우 그립 센서의 운용 방법을 도시한 흐름도이다.
동작 501에서 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))는 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190))을 통해 통신 상태가 좋은 상태(예: 강전계 상황)임을 확인할 수 있다. 이는 통신 신호의 품질이 좋다는 의미일 수 있다.
동작 503에서 프로세서(120)는 통신 모듈(190)의 방사 성능을 낮출 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 통신 모듈(190)에 인가되는 방사 전력의 세기를 낮출 수 있고, 상기 방사 전력의 세기가 설정된 임계값 이하임을 확인할 수 있다.
동작 505에서 프로세서(120)는 그립 센서(예: 도 3의 그립 센서(301))를 저전력 모드로 운영할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 저전력 모드의 그립 센서(301)는 센싱 파형(예: 인체를 감지하기 위해 그립 센서(301)로부터 입출력되는 파형)의 주기를 길게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 주파수를 낮게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 게인(gain)을 작게 설정하는 방식 중 적어도 하나의 방식으로 동작할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 그립 센서(301)와 연결된 인터럽트(interrupt), 및/또는 데이터 통신을 차단할 수 있고, 적어도 하나의 구성 요소에 대한 불필요한 데이터 처리를 중단할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 그립 센서(301)가 저전력 모드로 동작 시, 프로세서(120)는 그립 센서(301)로 인가되는 방사 전력을 차단할 수도 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 그립 센서(301)에 전원을 공급해주는 LDO(low dropout) 레귤레이터 및/또는 PMIC(power management integrated circuit)에 대한 출력 전원을 OFF시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 그립 센서(301)에서 소모되는 전력을 줄일 수 있고, 전자 장치(101)에 대한 전력 효율성을 높일 수 있다.
도 6은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 통신 상태가 나쁜 경우 그립 센서의 운용 방법을 도시한 흐름도이다.
동작 601에서 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))는 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190))을 통해 통신 상태가 나쁜 상태(예: 약전계 상황)임을 확인할 수 있다. 이는 통신 신호의 품질이 나쁘다는 의미일 수 있다.
동작 603에서 프로세서(120)는 통신 모듈(190)의 방사 성능을 높일 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 통신 모듈(190)에 인가되는 방사 전력의 세기를 높일 수 있고, 상기 방사 전력의 세기가 설정된 임계값 이상임을 확인할 수 있다.
동작 605에서 프로세서(120)는 그립 센서(예: 도 3의 그립 센서(301))에 방사 전력(예: 상대적으로 세기가 강해진 방사 전력)을 공급할 수 있고, 상기 그립 센서(301)에 대한 감지 성능을 극대화할 수 있다. 프로세서(120)는 그립 센서(301)를 고전력 모드로 운영할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 고전력 모드의 그립 센서(301)는 센싱 파형(예: 인체를 감지하기 위해 그립 센서(301)로부터 입출력되는 파형)의 주기를 짧게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 주파수를 높게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 게인(gain)을 크게 설정하는 방식 중 적어도 하나의 방식으로 동작할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 그립 센서(301)에 대한 감지 성능을 극대화할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 고전력 모드로 그립 센서(301)를 운영하는 중에, 전자 장치(101)에 대한 그립을 감지하면, SAR(예: 전자파 흡수율 규격)를 충족하는 수준으로, 상기 방사 전력값을 조정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 복수 개의 임계값(예: 제 1 임계값 및/또는 제 2 임계값, 제 2 임계값은 제 1 임계값 보다 큰 값으로 설정된다.)을 설정할 수 있고, 상기 방사 전력이 상기 제 1 임계값을 초과하는 경우 제 1 고전력 모드로 동작하고, 상기 방사 전력이 상기 제 2 임계값을 초과하는 경우 제 2 고전력 모드로 동작할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 그립 센서(301)는 상대적으로 상기 제 1 고전력 모드 보다, 상기 제 2 고전력 모드로 동작할 때, 그립 센서(301)에 대한 민감도가 클 수 있다. 예를 들어, 민감도가 크다는 것은 전자 장치(101)에 대한 그립 센싱 성능이 뛰어나다는 의미일 수 있다.
도 7은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 통신 상태가 좋은 경우 그립 센서를 저전력 모드로 동작하는 예시도이다.
도 7을 참조하면, 전력 관리 모듈(예: 도 1의 전력 관리 모듈(188))은 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190))에 포함된 RF 모듈(701) 및 그립 센서(예: 도 3의 그립 센서(301))에 작동적으로 연결될 수 있고, 방사 전력을 공급할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))는 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190))을 통해 통신 상태가 좋은 상태(예: 강전계)임을 확인할 수 있다. 이는 통신 신호의 품질이 좋다는 의미일 수 있다. 통신 상태가 좋은 상태일 때, 프로세서(120)는 RF 모듈(701) 및 그립 센서(301)를 저전력 모드(예: Low power mode)로 동작시킬 수 있고, 전력 관리 모듈(188)로부터 인가되는 방사 전력의 세기를 낮게 조정할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 적어도 하나의 구성 요소(예: RF 모듈(701) 및 그립 센서(301))에서 불필요하게 소모되는 전력을 줄일 수 있고, 전자 장치(101)에 대한 전력 효율성을 높일 수 있다.
도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 통신 상태가 나쁜 경우 그립 센서를 고전력 모드로 동작하는 예시도이다.
도 8을 참조하면, 전력 관리 모듈(예: 도 1의 전력 관리 모듈(188))은 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190))에 포함된 RF 모듈(701) 및 그립 센서(예: 도 3의 그립 센서(301))에 작동적으로 연결될 수 있고, 방사 전력을 공급할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))는 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190))을 통해 통신 상태가 나쁜 상태(예: 약전계)임을 확인할 수 있다. 이는 통신 신호의 품질이 나쁘다는 의미일 수 있다. 통신 상태가 나쁜 상태일 때, 프로세서(120)는 RF 모듈(701) 및 그립 센서(301)를 고전력 모드(예: High power mode)로 동작시킬 수 있고, 전력 관리 모듈(188)로부터 인가되는 방사 전력의 세기를 높게 조정할 수 있다. 프로세서(120)는 그립 센서(301)의 센싱 능력을 극대화할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 통신 상태가 나쁠 때, 그립 센서(301)의 센싱 능력을 극대화하여, 전자 장치(101)에 대한 민감도를 향상시킬 수 있다.
그립 센서(301)가 고전력 모드로 동작하는 중에, 동작 801에서 상기 그립 센서(301)를 사용하여, 사용자의 접근 또는 전자 장치(101)에 대한 그립 여부를 감지하게 되면, 동작 803에서 프로세서(120)는 SAR(예: 전자파 흡수율 규격)를 충족하도록, 방사 전력값을 조정할 수 있다. 예를 들어, 고전력 모드에서의 방사 전력값이 SAR 기준값보다 높게 설정되었다면, 프로세서(120)는 상기 방사 전력값을 상기 SAR 기준값 이하로 낮출 수 있다.
다양한 실시예에 따른 방법에 있어서, 외부 전자 장치와의 통신 환경, 또는 안테나를 통한 방사 전력의 세기를 확인하는 동작, 상기 확인된 방사 전력의 세기 및 설정된 임계값을 비교하는 동작, 및 상기 비교 결과에 따라, 상기 그립 센서(예: 도 3의 그립 센서(301))에 공급되는 전력을 조정하는 동작을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 방법은, 상기 방사 전력의 세기가 상기 설정된 임계값 이하인 경우 상기 그립 센서(301)를 저전력 모드로 수행하는 동작을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 저전력 모드의 그립 센서(301)는 센싱 파형의 주기를 길게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 주파수를 낮게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 게인(gain)을 작게 설정하는 방식, 또는 그립 센서 전원 차단 방식 중 적어도 하나의 방식으로 동작하는 것을 특징으로 할 수 있다.
일 실시예에 따른 방법은, 상기 그립 센서(301)가 상기 저전력 모드로 동작할 때, 상기 그립 센서(301)와 연결된 인터럽트(interrupt), 및 데이터 통신을 차단하거나, 또는, 적어도 하나의 구성 요소에 대한 데이터 처리를 중단하는 동작을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 방법은, 상기 그립 센서(301)가 상기 저전력 모드로 동작할 때, 상기 그립 센서(301)에 전원을 공급해주는 LDO(low dropout) 레귤레이터 및/또는 PMIC(power management integrated circuit) 중 적어도 하나에 대한 출력 전원을 차단하는 동작을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 방법은, 상기 방사 전력의 세기가 상기 설정된 임계값을 초과하는 경우 상기 그립 센서(301)를 고전력 모드로 수행하는 동작을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 고전력 모드의 그립 센서(301)는 센싱 파형의 주기를 짧게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 주파수를 높게 설정하는 방식, 또는 상기 센싱 파형의 게인(gain)을 크게 설정하는 방식 중 적어도 하나의 방식으로 동작하는 것을 특징으로 할 수 있다.
일 실시예에 따른 방법은, 상기 그립 센서(301)를 고전력 모드로 동작하는 중에, 상기 그립 센서(301)를 통해 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))에 대한 그립을 감지하는 동작, 및 전자파 흡수율 규격(SAR(specific absorption rate))을 기반으로, 상기 안테나에 공급되는 전력을 조정하는 동작을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 설정된 임계값은 제 1 임계값 및 상기 제 1 임계값 보다 큰 값으로 설정된 제 2 임계값을 포함하고, 상기 방법은, 상기 방사 전력의 세기가 상기 제 1 임계값을 초과하는 경우 상기 그립 센서(301)를 제 1 고전력 모드로 수행하는 동작, 및 상기 방사 전력의 세기가 상기 제 2 임계값을 초과하는 경우 상기 그립 센서(301)를 제 2 고전력 모드로 수행하는 동작을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제 2 고전력 모드로 동작하는 그립 센서(301)는 상기 제 1 고전력 모드로 동작하는 그립 센서(301) 보다, 상대적으로 그립에 대한 민감도가 높은 것을 특징으로 할 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
101: 전자 장치 120: 프로세서
130: 메모리 176: 센서 모듈
188: 전력 관리 모듈 190: 통신 모듈
210: 기지국 301: 그립 센서

Claims (20)

  1. 전자 장치에 있어서,
    안테나를 통해, 신호를 방사하는 통신 모듈;
    그립 센서;
    메모리; 및
    상기 통신 모듈, 상기 그립 센서, 및 상기 메모리에 작동적으로 연결된 프로세서; 를 포함하고,
    상기 프로세서는,
    외부 전자 장치와의 통신 환경 또는 상기 안테나를 통한 방사 전력의 세기를 확인하고,
    상기 확인된 방사 전력의 세기 및 설정된 임계값을 비교하고,
    상기 비교 결과에 따라, 상기 그립 센서에 공급되는 전력을 조정하는 전자 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 방사 전력의 세기가 상기 설정된 임계값 이하인 경우 상기 그립 센서를 저전력 모드로 동작하는 전자 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 저전력 모드의 그립 센서는 센싱 파형의 주기를 길게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 주파수를 낮게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 게인(gain)을 작게 설정하는 방식, 또는 그립 센서 전원 차단 방식 중 적어도 하나의 방식으로 동작하는 전자 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 그립 센서가 상기 저전력 모드로 동작할 때, 상기 그립 센서와 연결된 인터럽트(interrupt), 및/또는 데이터 통신을 차단하거나, 또는, 적어도 하나의 구성 요소에 대한 데이터 처리를 중단하는 전자 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 그립 센서가 상기 저전력 모드로 동작할 때, 상기 그립 센서에 전원을 공급해주는 LDO(low dropout) 레귤레이터 및 PMIC(power management integrated circuit) 중 적어도 하나에 대한 출력 전원을 차단하는 전자 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 방사 전력의 세기가 상기 설정된 임계값을 초과하는 경우 상기 그립 센서를 고전력 모드로 동작하는 전자 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 고전력 모드의 그립 센서는 센싱 파형의 주기를 짧게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 주파수를 높게 설정하는 방식, 또는 상기 센싱 파형의 게인(gain)을 크게 설정하는 방식 중 적어도 하나의 방식으로 동작하는 전자 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 그립 센서를 고전력 모드로 동작하는 중에, 상기 그립 센서를 통해 상기 전자 장치에 대한 그립을 감지하고,
    전자파 흡수율 규격(SAR(specific absorption rate))을 기반으로, 상기 안테나에 공급되는 전력을 조정하는 전자 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 설정된 임계값은 제 1 임계값 및 상기 제 1 임계값 보다 큰 값으로 설정된 제 2 임계값을 포함하고,
    상기 프로세서는,
    상기 방사 전력의 세기가 상기 제 1 임계값을 초과하는 경우 상기 그립 센서를 제 1 고전력 모드로 동작하고,
    상기 방사 전력의 세기가 상기 제 2 임계값을 초과하는 경우 상기 그립 센서를 제 2 고전력 모드로 동작하는 전자 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 고전력 모드로 동작하는 그립 센서는 상기 제 1 고전력 모드로 동작하는 그립 센서 보다, 상대적으로 그립에 대한 민감도가 높은 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  11. 방법에 있어서,
    외부 전자 장치와의 통신 환경 또는 안테나를 통한 방사 전력의 세기를 확인하는 동작;
    상기 확인된 방사 전력의 세기 및 설정된 임계값을 비교하는 동작; 및
    상기 비교 결과에 따라, 상기 그립 센서에 공급되는 전력을 조정하는 동작; 을 포함하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 방사 전력의 세기가 상기 설정된 임계값 이하인 경우 상기 그립 센서를 저전력 모드로 수행하는 동작; 을 더 포함하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 저전력 모드의 그립 센서는 센싱 파형의 주기를 길게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 주파수를 낮게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 게인(gain)을 작게 설정하는 방식, 또는 그립 센서 전원 차단 방식 중 적어도 하나의 방식으로 동작하는 것을 특징을 하는 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 그립 센서가 상기 저전력 모드로 동작할 때, 상기 그립 센서와 연결된 인터럽트(interrupt), 및/또는 데이터 통신을 차단하거나, 또는, 적어도 하나의 구성 요소에 대한 데이터 처리를 중단하는 동작; 을 더 포함하는 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 그립 센서가 상기 저전력 모드로 동작할 때, 상기 그립 센서에 전원을 공급해주는 LDO(low dropout) 레귤레이터 및 PMIC(power management integrated circuit) 중 적어도 하나에 대한 출력 전원을 차단하는 동작; 을 더 포함하는 방법.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 방사 전력의 세기가 상기 설정된 임계값을 초과하는 경우 상기 그립 센서를 고전력 모드로 수행하는 동작; 을 더 포함하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 고전력 모드의 그립 센서는 센싱 파형의 주기를 짧게 설정하는 방식, 상기 센싱 파형의 주파수를 높게 설정하는 방식, 또는 상기 센싱 파형의 게인(gain)을 크게 설정하는 방식 중 적어도 하나의 방식으로 동작하는 것을 특징을 하는 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 그립 센서를 고전력 모드로 동작하는 중에, 상기 그립 센서를 통해 상기 전자 장치에 대한 그립을 감지하는 동작; 및
    전자파 흡수율 규격(SAR(specific absorption rate))을 기반으로, 상기 안테나에 공급되는 전력을 조정하는 동작; 을 더 포함하는 방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 설정된 임계값은 제 1 임계값 및 상기 제 1 임계값 보다 큰 값으로 설정된 제 2 임계값을 포함하고,
    상기 방사 전력의 세기가 상기 제 1 임계값을 초과하는 경우 상기 그립 센서를 제 1 고전력 모드로 수행하는 동작; 및
    상기 방사 전력의 세기가 상기 제 2 임계값을 초과하는 경우 상기 그립 센서를 제 2 고전력 모드로 수행하는 동작; 을 더 포함하는 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 2 고전력 모드로 동작하는 그립 센서는 상기 제 1 고전력 모드로 동작하는 그립 센서 보다, 상대적으로 그립에 대한 민감도가 높은 것을 특징으로 하는 방법.
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