KR20220124778A - 반송 장치, 처리 시스템 및 반송 방법 - Google Patents

반송 장치, 처리 시스템 및 반송 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220124778A
KR20220124778A KR1020227027367A KR20227027367A KR20220124778A KR 20220124778 A KR20220124778 A KR 20220124778A KR 1020227027367 A KR1020227027367 A KR 1020227027367A KR 20227027367 A KR20227027367 A KR 20227027367A KR 20220124778 A KR20220124778 A KR 20220124778A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
wafer
holding
transfer
held
Prior art date
Application number
KR1020227027367A
Other languages
English (en)
Inventor
신야 오카노
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20220124778A publication Critical patent/KR20220124778A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/0014—Gripping heads and other end effectors having fork, comb or plate shaped means for engaging the lower surface on a object to be transported
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring

Abstract

본 개시 내용의 일 양태에 따른 반송 장치는, 기판의 단부와 접촉하여 상기 기판을 홀딩하는 제1 홀딩부와, 탄성 부재에 의해 형성되며 상기 기판의 뒷면과만 접촉하여 상기 기판을 홀딩하는 제2 홀딩부를 포함한다.

Description

반송 장치, 처리 시스템 및 반송 방법
본 개시 내용은 반송 장치, 처리 시스템 및 반송 방법에 관한 것이다.
웨이퍼를 단부에서 홀딩하는 에지 링 기능을 갖는 픽(pick)이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
일본국 공개특허공보 특개2012-074498호
본 개시 내용은 기판의 종류에 따라 기판의 홀딩 위치를 변경할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시 내용의 일 양태에 따른 반송 장치는, 기판의 단부와 접촉하여 상기 기판을 홀딩하는 제1 홀딩부와, 탄성 부재에 의해 형성되며 상기 기판의 뒷면과만 접촉하여 상기 기판을 홀딩하는 제2 홀딩부를 포함한다.
본 개시 내용에 의하면, 기판의 종류에 따라 기판의 홀딩 위치를 변경할 수 있다.
도 1은 실시형태의 처리 시스템의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2는 제어 장치의 하드웨어 구성의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 3은 반송 장치의 일 예를 나타내는 상면도이다.
도 4는 반송 장치의 일 예를 나타내는 단면도(1)이다.
도 5는 반송 장치의 일 예를 나타내는 단면도(2)이다.
도 6은 반송 장치의 일 예를 나타내는 단면도(3)이다.
도 7은 실시형태의 반송 방법의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 8은 처리 전 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다.
이하에서는, 첨부 도면을 참조하여 본 개시 내용의 비한정적인 예시인 실시형태에 대해 설명한다. 첨부된 전체 도면에 있어 동일 또는 대응하는 부재나 부품에 대해서는 동일 또는 대응하는 참조 부호를 붙이며 중복되는 설명을 생략한다.
[처리 시스템]
도 1을 참조하여 실시형태의 처리 시스템에 대해 설명한다. 도 1은 실시형태의 처리 시스템의 일 예를 나타내는 도면이다.
처리 시스템(1)은 트랜스퍼 모듈(transfer module, 10), 4개의 프로세스 모듈(process module, 20), 로더 모듈(loader module, 30), 2개의 로드 록 모듈(load lock module, 40), 제어 장치(100)를 구비한다.
트랜스퍼 모듈(10)은 평면시(平面視)로 보았을 때에 대략 육각 형상을 갖는다. 트랜스퍼 모듈(10)은 진공실로 이루어지며, 내부에 배치된 반송 장치(11)를 구비한다. 반송 장치(11)는 프로세스 모듈(20) 및 로드 록 모듈(40)에 액세스할 수 있는 위치로 신축, 승강 및 선회 가능하도록 이루어진 다관절 아암(arm)에 의해 형성되어 있다. 반송 장치(11)는 서로 반대 방향으로 독립적으로 신축할 수 있는 2개의 픽(12)을 가지는 바, 한번에 2개의 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 되어 있다. 한편, 반송 장치(11)는 프로세스 모듈(20) 및 로드 록 모듈(40) 간에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있으면 되며, 도 1에 나타내는 구성으로 한정되는 것은 아니다.
프로세스 모듈(20)은 트랜스퍼 모듈(10)의 둘레에 방사상으로 배치되며 트랜스퍼 모듈(10)에 접속되어 있다. 프로세스 모듈(20)은 처리실로 이루어지며, 내부에는 웨이퍼(W)를 탑재하는 원기둥 형상의 스테이지(21)를 구비한다. 프로세스 모듈(20)에서는, 스테이지(21)에 탑재된 웨이퍼(W)에 대해 성막 처리 등과 같은 소정의 처리가 행하여진다. 트랜스퍼 모듈(10)과 프로세스 모듈(20)은 개폐 가능한 게이트 밸브(22)에 의해 구획되어 있다.
로더 모듈(30)은 트랜스퍼 모듈(10)에 대향하도록 배치되어 있다. 로더 모듈(30)은 직방체 형상으로 되어 있으며 대기압 분위기로 유지되는 대기 반송실이다. 로더 모듈(30) 내에는 반송 장치(31)가 배치되어 있다. 반송 장치(31)는 로더 모듈(30) 내의 중심부에서 길이 방향을 따라 연장되도록 구비된 가이드 레일(32) 상에 슬라이딩 이동 가능하도록 지지되어 있다. 가이드 레일(32)에는, 예를 들어, 엔코더를 구비한 리니어 모터가 내장되어 있는 바, 리니어 모터를 구동함으로써 반송 장치(31)가 가이드 레일(32)을 따라 이동한다.
반송 장치(31)는 반송 아암으로서 상하 2단으로 배치된 2개의 다관절 아암(33)을 갖는다. 각 다관절 아암(33)의 선단에는 두갈래로 형성된 픽(34)이 설치되어 있다. 각 픽(34) 상에는 웨이퍼(W)가 홀딩된다. 각 다관절 아암(33)은 중심으로부터 반경 방향으로 신축하고 승강할 수 있도록 되어 있다. 또한, 각 다관절 아암(33)의 신축 동작은 개별적으로 제어 가능하도록 되어 있다. 다관절 아암(33)의 각 회전축은 각각 베이스 테이블(35)에 대해 동축 상에서 회전할 수 있게 연결되어 있는 바, 예를 들어, 베이스 테이블(35)에 대해 선회 방향으로 일체적으로 회전할 수 있게 되어 있다. 가이드 레일(32) 및 다관절 아암(33)은 픽(34)을 이동시키는 구동 기구로서 기능한다. 반송 장치(31)는 후술하는 로드 록 모듈(40), 반송 용기(51), 얼라이너(60) 간에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있으면 되며, 도 1에 나타내는 구성으로 한정되는 것은 아니다.
로더 모듈(30)의 길이 방향을 따른 일 측면에 2개의 로드 록 모듈(40)이 접속되어 있다. 또한, 로더 모듈(30)의 길이 방향을 따른 다른 측면에는 웨이퍼(W)를 도입하기 위한 하나 또는 복수 개의 반입구(36)가 구비되어 있다. 도시된 예에서는 반입구(36)가 3개 설치되어 있다. 각 반입구(36)에는 개폐 가능하도록 구비된 개폐 도어(37)가 설치되어 있다. 그리고, 각 반입구(36)에 대응되게 로딩 포트(loading port, 50)가 각각 구비되어 있다. 로딩 포트(50)에는 웨이퍼(W)를 수용하여 반송하는 반송 용기(51)가 탑재된다. 반송 용기(51)는 복수 개(예를 들어 25개)의 웨이퍼(W)를 소정의 간격으로 다단 탑재하여 수용하는 FOUP(Front-Opening Unified Pod)일 수 있다.
로더 모듈(30)의 폭 방향을 따른 일 측면에는 얼라이너(60)가 접속되어 있다. 얼라이너(60)는 웨이퍼(W)의 위치맞춤을 행한다. 얼라이너(60)는 구동 모터(미도시)에 의해 회전되는 회전 스테이지(62)를 구비하며, 회전 스테이지(62) 상에 웨이퍼(W)를 탑재한 상태로 회전하게 되어 있다. 회전 스테이지(62)는 웨이퍼(W)의 직경보다 작은 직경을 갖는다. 회전 스테이지(62)의 외주쪽에는 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 검출하기 위한 광학 센서(63)가 구비되어 있다. 얼라이너(60)는 광학 센서(63)에 의해 웨이퍼(W)의 중심 위치 및 웨이퍼(W)의 중심에 대한 노치의 방향을 검출하는 바, 로드 록 모듈(40) 내에서 웨이퍼(W)의 중심 위치 및 노치의 방향이 소정 위치 및 방향으로 되도록 웨이퍼(W)를 반송할 위치를 조정한다.
로드 록 모듈(40)은 트랜스퍼 모듈(10)과 로더 모듈(30) 사이에 배치되어 있다. 로드 록 모듈(40)은 내부를 진공과 대기압 간에 스위칭할 수 있는 내압 가변실로 이루어진다. 로드 록 모듈(40)의 내부에는 웨이퍼(W)를 탑재하는 원기둥 형상의 스테이지(41)가 설치되어 있다. 스테이지(41)는 웨이퍼(W)의 직경보다 작은 직경을 가진다. 로드 록 모듈(40)은 로더 모듈(30)로부터 웨이퍼(W)를 트랜스퍼 모듈(10)에 반입할 때에, 내부를 대기압으로 유지하여 로더 모듈(30)로부터 웨이퍼(W)를 수령한 후에, 내부를 감압시켜 웨이퍼(W)를 트랜스퍼 모듈(10)로 반입한다. 또한, 웨이퍼(W)를 트랜스퍼 모듈(10)로부터 로더 모듈(30)로 반출할 때에는, 내부를 진공으로 유지하여 웨이퍼(W)를 트랜스퍼 모듈(10)로부터 수령한 후에, 내부를 대기압까지 승압시켜 웨이퍼(W)를 로더 모듈(30)로 반입한다. 로드 록 모듈(40)과 트랜스퍼 모듈(10)은 개폐 가능한 게이트 밸브(42)에 의해 구획되어 있다. 또한, 로드 록 모듈(40)과 로더 모듈(30)은 개폐 가능한 게이트 밸브(43)에 의해 구획되어 있다.
제어 장치(100)는 처리 시스템(1)의 각 구성 요소의 동작을 제어한다. 제어 장치(100)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 각각 버스(108)에 의해 상호 접속되어 있는 드라이브 장치(101), 보조 기억 장치(102), 메모리 장치(103), CPU(104), 인터페이스 장치(105), 표시 장치(106) 등을 구비하는 컴퓨터이다. 제어 장치(100)에서의 처리를 실현하는 프로그램은 CD-ROM 등과 같은 기록 매체(107)에 의해 제공된다. 프로그램을 기억한 기록 매체(107)가 드라이브 장치(101)에 설정되면, 프로그램은 기록 매체(107)로부터 드라이브 장치(101)를 통해 보조 기억 장치(102)에 인스톨된다. 다만, 프로그램의 인스톨을 반드시 기록 매체(107)로부터 할 필요는 없으며, 네트워크를 통해 다른 컴퓨터로부터 다운로드하도록 할 수도 있다. 보조 기억 장치(102)는 인스톨된 프로그램, 레시피 등과 같은 필요한 정보를 저장한다. 메모리 장치(103)는 프로그램 구동 지시가 있은 경우에 보조 기억 장치(102)로부터 프로그램을 읽어들여 저장한다. CPU(104)는 메모리 장치(103)에 저장된 프로그램에 따라 처리 시스템(1)에 따른 기능을 실행한다. 인터페이스 장치(105)는 네트워크에 접속하기 위한 인터페이스로서 사용된다. 표시 장치(106)는 각종 정보를 표시하며 오퍼레이터에 의한 조작을 접수하는 조작부로서도 기능한다.
[반송 장치]
도3~도6을 참조하여 전술한 처리 시스템(1)에서의 반송 장치(31)의 일 예에 대해 설명한다. 그리고, 반송 장치(11) 역시 반송 장치(31)와 마찬가지의 구성일 수 있다. 도 3은 반송 장치(31)의 일 예를 나타내는 상면도이다. 도4~도6은 반송 장치(31)의 일 예를 나타내는 단면도로서 도 3에서의 일점쇄선 A-B에서 절단한 단면을 나타낸다.
반송 장치(31)는 다관절 아암(410), 픽(420), 규제체(430), 가압 홀딩부(440), 탄성체(450)를 구비한다. 다관절 아암(410) 및 픽(420)은 각각 도 1에서의 다관절 아암(33) 및 픽(34)에 상당한다.
픽(420)은 판 형상으로 형성되며 평면시로 보아 대략 U자형으로 되어 있다. 픽(420)은 기단부(421)가 다관절 아암(410)의 선단에 접촉된다.
규제체(430)는 픽(420)의 선단부(422)에 설치된다. 규제체(430)는, 예를 들어, 탄성체(450)에 의해 홀딩되는 웨이퍼(W, 도6 참조)와 접촉하지 않는 위치에 구비된다. 규제체(430)는 픽(420) 상의 웨이퍼(W)가 수평 방향으로 이동하지 않도록 규제하는 규제벽(431)을 갖는다. 규제벽(431)은 탄성체(450)가 웨이퍼(W)를 홀딩하는 위치보다 높은 위치에 설치되며 당해 위치에서 웨이퍼(W)를 홀딩한다. 규제벽(431)은, 예를 들어, 연직부(431a)와, 당해 연직부(431a) 아랫쪽에서 경사져 있는 테이퍼부(431b)를 포함한다. 다만, 규제벽(431)은, 연직부(431a)와, 당해 연직부(431a) 아랫쪽에서 수평으로 연장되는 수평부를 포함할 수도 있다. 규제체(430)는 웨이퍼(W)의 단부에 접촉하기 때문에, 웨이퍼(W)에 흠집을 일으키지 않는 재료, 예를 들어, 수지로 구성되는 것이 바람직하다.
가압 홀딩부(440)는 규제체(430)로부터 이격된 위치, 예를 들어, 픽(420)의 기단부(421)로서 탄성체(450)에 의해 홀딩되는 웨이퍼(W, 도6 참조)와 접촉하지 않는 위치에 구비된다. 다만, 가압 홀딩부(440)는 다관절 아암(410)에 구비될 수도 있다. 가압 홀딩부(440)는 가압체(441) 및 구동부(442)를 포함한다.
가압체(441)는 웨이퍼(W)의 단부에 자유롭게 접촉하며, 웨이퍼(W)의 단부에 맞닿아 가압한다. 가압체(441)는 탄성체(450)가 웨이퍼(W)를 홀딩하는 위치보다 높은 위치에 구비되어 당해 위치에서 웨이퍼(W)를 홀딩한다. 가압체(441)는 웨이퍼(W)의 단부에 접촉하기 때문에, 웨이퍼(W)에 흠집을 일으키지 않는 재료, 예를 들어, 수지로 구성되는 것이 바람직하다.
구동부(442)는 가압체(441)를 구동시킴으로써 가압체(441)를 복수 개의 위치로 이동시킨다. 복수 개의 위치는 수령 위치, 홀딩 위치, 대기 위치를 포함한다. 수령 위치는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 규제체(430) 및 가압체(441)에 의해 웨이퍼(W)를 수령하는 위치로서, 홀딩 위치와 대기 위치 사이의 위치이다. 홀딩 위치는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 가압체(441)가 늘어나 있는 위치로서, 웨이퍼(W)의 단부를 규제체(430)의 규제벽(431)에 가압함으로써 웨이퍼(W)를 규제체(430)와 가압체(441) 사이에서 홀딩하는 위치이다. 대기 위치는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 가압체(441)가 수축되어 있는 위치로서, 탄성체(450)에 의해 웨이퍼(W)의 뒷면만을 홀딩할 때에 웨이퍼(W)와 접촉하지 않는 위치이다. 구동부(442)는, 예를 들어, 로보 실린더로 구성된다. 다만, 구동부(442)는, 예를 들어, 리니어 모터, 스텝 모터, DC 모터, 에어 실린더로 구성될 수도 있다.
탄성체(450)는 픽(420)의 상면으로서 규제체(430) 및 가압체(441)에 의해 홀딩되는 웨이퍼(W)와 접촉하지 않는 위치에 구비된다. 탄성체(450)는 웨이퍼(W)의 측면과 접촉하지 않고 웨이퍼(W)의 뒷면과만 접촉하여 당해 웨이퍼(W)를 홀딩한다. 또한, 탄성체(450)에 의해 홀딩되는 웨이퍼(W)의 수평 위치 및 연직 위치(도6 참조)는 규제체(430) 및 가압체(441)에 의해 홀딩되는 웨이퍼(W)의 수평 위치 및 연직 위치(도5 참조)와는 서로 다르다. 탄성체(450)는, 예를 들어, 픽(420)의 선단부(422)에 복수 개(예를 들어 4개) 구비된다. 탄성체(450)는, 예를 들어, O링 등과 같은 탄성 부재에 의해 형성된다.
이러한 반송 장치(31)에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이 가압체(441)를 수령 위치로 이동시켜 규제체(430) 및 가압체(441)에 의해 웨이퍼(W)를 수령한 후, 도 5에 나타내는 바와 같이 가압체(441)를 홀딩 위치로 이동시킨다. 이로써, 웨이퍼(W)의 단부가 규제체(430)의 규제벽(431) 쪽으로 가압되어 웨이퍼(W)가 규제체(430)와 가압체(441) 사이에서 홀딩된다. 바꾸어 말하면, 규제체(430) 및 가압체(441)는 웨이퍼(W)의 단부와 접촉하여 웨이퍼(W)를 홀딩하는 제1 홀딩부로서 기능한다.
또한, 도 6에 나타내는 바와 같이 가압체(441)를 대기 위치로 이동시킨 후, 탄성체(450)에 의해 웨이퍼(W)를 수령함으로써 웨이퍼(W)의 뒷면만이 탄성체(450)와 접촉한 상태에서 웨이퍼(W)가 홀딩된다. 바꾸어 말하면, 탄성체(450)는 웨이퍼(W)의 뒷면과만 접촉하여 웨이퍼(W)를 홀딩하는 제2 홀딩부로서 기능한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 실시형태의 반송 장치(31)는, 웨이퍼(W)의 단부와 접촉하여 웨이퍼(W)를 홀딩하는 제1 홀딩부(규제체(430) 및 가압체(441))와, 웨이퍼(W)의 뒷면과만 접촉하여 웨이퍼(W)를 홀딩하는 제2 홀딩부(탄성체(450))를 구비한다. 이로써, 웨이퍼(W)의 종류에 따라 웨이퍼(W)의 홀딩 위치를 변경할 수가 있다.
[반송 방법]
도 7을 참조하여, 전술한 처리 시스템(1)에서 반송 장치(31)가 웨이퍼(W)를 반송하는 동작(이하, "반송 방법")의 일 예에 대해 설명한다. 도 7은 실시형태의 반송 방법의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다. 이하의 반송 방법은, 예를 들어, 로딩 포트(50)에 반송 용기(51)가 탑재되었을 때에 제어 장치(100)에 의해 실행된다.
단계 S1에서, 제어 장치(100)는 프로세스 모듈(20)에서 처리가 실행되기 전의 웨이퍼(W, 이하 "처리 전 웨이퍼")에 대한 반송 모드(이하, "처리 전 반송 모드")를 취득한다. 예를 들어, 제어 장치(100)는 로딩 포트(50)에 탑재된 반송 용기(51)에 수용된 처리 전 웨이퍼의 종류에 대응지어진 처리 전 반송 모드를 취득한다. 처리 전 웨이퍼의 종류로는 더미 웨이퍼, 제품 웨이퍼, 합착 웨이퍼 등을 들 수 있다. 처리 전 반송 모드는 웨이퍼(W)를 단부에서 홀딩 가능한지 여부에 관한 정보(이하, "홀딩 위치 정보")와, 웨이퍼(W)를 고속으로 반송 가능한지 여부에 관한 정보(이하, "반송 속도 정보")를 포함한다. 처리 전 웨이퍼와 처리 전 반송 모드의 대응 관계는, 예를 들어, 보조 기억 장치(102)에 기억되어 있다.
도 8은 처리 전 반송 모드의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 처리 전 반송 모드는, 예를 들어 4개의 반송 모드 A~D를 가진다. 반송 모드 A는 홀딩 위치 정보로서 웨이퍼(W)를 단부에서 홀딩 가능함을 나타내는 정보 및 반송 속도 정보로서 고속 반송 가능함을 나타내는 정보를 포함한다. 반송 모드 B는 홀딩 위치 정보로서 웨이퍼(W)를 단부에서 홀딩 가능함을 나타내는 정보 및 반송 속도 정보로서 고속 반송 가능하지 않음을 나타내는 정보를 포함한다. 반송 모드 C는 홀딩 위치 정보로서 웨이퍼(W)를 단부에서 홀딩 가능하지 않음을 나타내는 정보 및 반송 속도 정보로서 고속 반송 가능함을 나타내는 정보를 포함한다. 반송 모드 D는 홀딩 위치 정보로서 웨이퍼(W)를 단부에서 홀딩 가능하지 않음을 나타내는 정보 및 반속 속도 정보로서 고속 반송 가능하지 않음을 나타내는 정보를 포함한다.
또한, 예를 들어, 제어 장치(100)는, 로딩 포트(50)에 반송 용기(51)가 탑재되면, 오퍼레이터가 처리 전 반송 모드를 선택하기 위한 화면을 표시 장치(106)에 표시할 수도 있다. 이 경우에 제어 장치(100)는, 오퍼레이터가 표시 장치(106)를 조작함으로써 선택한 처리 전 반송 모드를 취득한다. 이와 같이, 처리 전 반송 모드는 자동으로 선택될 수도 있고 수동으로 선택될 수도 있다.
단계 S2에서, 제어 장치(100)는 단계 S1에서 취득한 처리 전 반송 모드에 포함되는 홀딩 위치 정보에 기초하여, 반송 용기(51)에 수용된 처리 전 웨이퍼를 단부에서 홀딩 가능한지 여부를 판정한다. 단계 S2에서 처리 전 웨이퍼를 단부에서 홀딩 가능하다고 판정한 경우에, 제어 장치(100)는 처리를 단계 S3으로 진행시킨다. 한편, 단계 S2에서 처리 전 웨이퍼를 단부에서 홀딩 가능하지 않다고 판정한 경우에는, 제어 장치(100)는 처리를 단계 S5로 진행시킨다.
단계 S3에서, 제어 장치(100)는 단계 S1에서 취득한 처리 전 반송 모드에 포함되는 반송 속도 정보에 기초하여, 반송 용기(51)에 수용된 처리 전 웨이퍼를 고속으로 반송 가능한지 여부를 판정한다. 단계 S3에서 처리 전 웨이퍼를 고속으로 반송 가능하다고 판정한 경우에, 제어 장치(100)는 처리를 단계 S4로 진행시킨다. 한편, 단계 S3에서 처리 전 웨이퍼를 고속으로 반송 가능하지 않다고 판정한 경우에는, 제어 장치(100)는 처리를 단계 S5로 진행시킨다.
단계 S4에서, 제어 장치(100)는 규제체(430) 및 가압체(441)를 웨이퍼(W)의 단부와 접촉시켜 웨이퍼(W)를 홀딩하는 동작(이하, "단부 홀딩 반송")을 실행하도록, 처리 전 웨이퍼에 대한 반송 장치(31)의 동작을 설정한다. 당해 반송 장치(31)의 동작은, 예를 들어, 교시(teaching) 위치에 관한 정보를 포함한다.
단계 S5에서, 제어 장치(100)는 탄성체(450)를 웨이퍼(W)의 뒷면에만 접촉시켜 웨이퍼(W)를 홀딩하는 동작(이하, "뒷면 홀딩 반송")을 실행하도록 처리 전 웨이퍼에 대한 반송 장치(31)의 동작을 설정한다. 당해 반송 장치(31)의 동작은, 예를 들어, 교시 위치에 관한 정보를 포함한다.
단계 S6에서, 제어 장치(100)는 프로세스 모듈(20)에서 처리가 실행된 후의 웨이퍼(W, 이하 "처리 후 웨이퍼")에 대한 반송 모드(이하, "처리 후 반송 모드")를 취득한다. 예를 들어, 제어 장치(100)는 로딩 포트(50)에 탑재된 반송 용기(51)에 수용된 미처리 웨이퍼의 종류에 대응지어진 처리 후 반송 모드를 취득한다. 처리 후 반송 모드는 처리 전 반송 모드와 마찬가지로 홀딩 위치 정보 및 반송 속도 정보를 포함한다. 처리 후 반송 모드는 처리 전 반송 모드와 마찬가지로 자동으로 선택될 수도 있고 수동으로 선택될 수도 있다.
단계 S7에서, 제어 장치(100)는 단계 S6에서 취득한 처리 후 반송 모드에 포함되는 홀딩 위치 정보에 기초하여, 반송 용기(51)에 수용된 처리 전 웨이퍼가 프로세스 모듈(20)에서 처리된 후에 단부에서 홀딩 가능한지 여부를 판정한다. 단계 S7에서 처리 후 웨이퍼를 단부에서 홀딩 가능하다고 판정한 경우에, 제어 장치(100)는 처리를 단계 S8로 진행시킨다. 한편, 단계 S7에서 처리 후 웨이퍼를 단부에서 홀딩 가능하지 않다고 판정한 경우에는, 제어 장치(100)는 처리를 단계 S10으로 진행시킨다.
단계 S8에서, 제어 장치(100)는 단계 S6에서 취득한 처리 후 반송 모드에 포함되는 반송 속도 정보에 기초하여, 반송 용기(51)에 수용된 처리 전 웨이퍼가 프로세스 모듈(20)에서 처리된 후에 고속으로 반송 가능한지 여부를 판정한다. 단계 S8에서 처리 후 웨이퍼를 고속으로 반송 가능하다고 판정한 경우에, 제어 장치(100)는 처리를 단계 S9로 진행시킨다. 한편, 단계 S8에서 처리 후 웨이퍼를 고속으로 반송가능하지 않다고 판정한 경우에는, 제어 장치(100)는 처리를 단계 S10으로 진행시킨다.
단계 S9에서, 제어 장치(100)는 단부 홀딩 반송을 실행하도록 처리 후 웨이퍼에 대한 반송 장치(31)의 동작을 설정하고서 처리를 종료한다. 당해 반송 장치(31)의 동작은, 예를 들어, 교시 위치에 관한 정보를 포함한다.
단계 S10에서, 제어 장치(100)는 뒷면 홀딩 반송을 실행하도록 처리 후 웨이퍼에 대한 반송 장치(31)의 동작을 설정하고서 처리를 종료한다. 당해 반송 장치(31)의 동작은, 예를 들어, 교시 위치에 관한 정보를 포함한다.
이상의 반송 방법에 의하면, 하나의 반송 장치(31)를 이용하여 웨이퍼(W)의 종류에 따라 웨이퍼(W)를 단부 홀딩 반송 또는 뒷면 홀딩 반송할 수가 있다.
예를 들어, 제어 장치(100)는 더미 웨이퍼를 홀딩할 때에 제1 홀딩부를 웨이퍼(W) 단부에 접촉시켜 홀딩하고, 제품 웨이퍼를 홀딩할 때에는 제2 홀딩부를 웨이퍼(W)의 뒷면에만 접촉시켜 홀딩하도록 반송 장치(31)를 제어한다. 이로써, 웨이퍼(W)의 단부를 홀딩하여 고속으로 더미 웨이퍼를 반송하는 동작과, 웨이퍼(W)의 단부를 청정하게 유지한 상태에서 제품 웨이퍼를 반송하는 동작을 하나의 반송 장치(31)에 의해 실시할 수가 있다.
또한, 예를 들어, 제어 장치(100)는 처리 전 웨이퍼를 홀딩할 때에는 제1 홀딩부와 제2 홀딩부 중 어느 한쪽의 홀딩부에 의해 웨이퍼(W)를 홀딩하고, 처리 후 웨이퍼를 홀딩할 때에는 다른쪽 홀딩부에 의해 웨이퍼(W)를 홀딩하도록 반송 장치(31)를 제어한다. 이로써, 크로스 컨태미네이션(cross-contamination)을 방지할 수 있다.
또한, 예를 들어, 제어 장치(100)는 복수 개의 웨이퍼를 붙여맞춘 웨이퍼(이하, "합착 웨이퍼")를 홀딩할 때에, 제2 홀딩부를 웨이퍼(W) 뒷면에만 접촉시켜 홀딩하도록 반송 장치(31)를 제어한다. 합착 웨이퍼에서는 웨이퍼를 붙여맞춘 후에 한쪽 웨이퍼를 얇게 연마하는 경우가 있다. 이 경우, 웨이퍼의 단부에 강한 충격이 가해지면, 당해 단부를 기점으로 하여 웨이퍼가 까지거나 파티클이 발생하는 등의 우려가 있다. 그러나, 실시형태의 반송 방법에서는, 제2 홀딩부를 웨이퍼(W)의 뒷면에만 접촉시킴으로써 합착 웨이퍼를 홀딩한 상태에서 반송할 수 있다. 이로써 웨이퍼(W)의 단부에 강한 충격이 가해지지 않으므로, 합착 웨이퍼가 까지거나 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기의 반송 방법에서는, 처리 전 웨이퍼의 반송 동작을 설정한 후에 처리 후 웨이퍼의 반송 동작을 설정하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 본 개시 내용이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 처리 후 웨이퍼의 반송 동작을 설정한 후에 처리 전 웨이퍼의 반송 동작을 설정할 수도 있다. 또한, 예를 들어, 처리 전 웨이퍼의 반송 동작과 처리 후 웨이퍼의 반송 동작을 동시에 설정할 수도 있다.
이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니다. 상기 실시형태는 첨부한 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않으면서 다양한 형태로 생략, 치환, 변경될 수 있다.
한편, 상기 실시형태에서는 처리 시스템이 웨이퍼를 1개씩 처리하는 매엽식인 경우를 설명하였으나, 본 개시 내용이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 처리 시스템은 복수 개의 웨이퍼에 대해 한번에 처리하는 배치(batch)식일 수도 있다. 또한, 예를 들어, 처리 시스템은 처리 용기 내의 회전 테이블 상에 배치된 복수 개의 웨이퍼를 회전 테이블에 의해 공전시켜 제1 가스가 공급되는 영역과 제2 가스가 공급되는 영역을 순서대로 통과시킴으로써 웨이퍼에 대해 처리하는 세미 배치(semi-batch)식일 수도 있다.
또한, 상기 실시형태에서는 반송 장치(31)가 반송하는 대상이 웨이퍼(W)인 경우에 대해 설명하였으나, 본 개시 내용이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 반송 장치(31)가 반송하는 대상은 플랫 패널 디스플레이(FPD; Flat Panel Display)용 대형 기판, 유기 EL 패널용 기판, 태양 전지용 기판일 수도 있다.
본 국제출원은 2020년 1월 22일에 출원된 일본국 특허출원 제2020-008497호에 기초하는 우선권을 주장하는 것으로서 당해 출원의 전체 내용을 본 국제출원에 원용한다.
1 처리 시스템
20 프로세스 모듈
31 반송 장치
100 제어 장치
410 다관절 아암
420 픽
430 규제체
431 규제벽
440 가압 홀딩부
441 가압체
442 구동부
450 탄성체
W 웨이퍼

Claims (15)

  1. 기판의 단부와 접촉하여 상기 기판을 홀딩하는 제1 홀딩부와,
    탄성 부재에 의해 형성되며 상기 기판의 뒷면과만 접촉하여 상기 기판을 홀딩하는 제2 홀딩부를 포함하는 반송 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 홀딩부는 상기 제2 홀딩부에 의해 홀딩되는 상기 기판과 접촉하지 않는 위치에 구비되는 것인 반송 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 홀딩부는 상기 제2 홀딩부가 상기 기판을 홀딩하는 위치보다 높은 위치에서 상기 기판을 홀딩하는 것인 반송 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 홀딩부는,
    상기 기판이 수평 방향으로 이동하지 않도록 규제하는 규제체와,
    상기 규제체로부터 이격되어 구비되며 상기 기판의 단부에 자유롭게 접촉하면서 이동하는 가압체를 포함하는 것인 반송 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 홀딩부는 상기 제1 홀딩부에 의해 홀딩되는 상기 기판과 접촉하지 않는 위치에 구비되는 것인 반송 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 홀딩부에 홀딩되는 상기 기판의 수평 위치와 상기 제2 홀딩부에 홀딩되는 상기 기판의 수평 위치가 서로 다른 것인 반송 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 홀딩부에 홀딩되는 상기 기판의 연직 위치와 상기 제2 홀딩부에 홀딩되는 상기 기판의 연직 위치가 서로 다른 것인 반송 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판을 반송하는 반송 아암에 접속되는 픽을 더 포함하며,
    상기 제2 홀딩부는 상기 픽의 상면에 구비되는 복수 개의 O링을 포함하는 것인 반송 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 홀딩부는 상기 픽에 구비되는 것인 반송 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 홀딩부는 상기 반송 아암 및 상기 픽에 구비되는 것인 반송 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    제어 장치를 더 포함하며,
    상기 제어 장치는 상기 기판의 종류에 따라 당해 기판을 상기 제1 홀딩부 또는 상기 제2 홀딩부에 의해 홀딩하도록 당해 반송 장치를 제어하게끔 구성되는 것인 반송 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    제어 장치를 더 포함하며,
    상기 제어 장치는 상기 제1 홀딩부에 의해 상기 기판을 홀딩한 상태에서의 반송 속도가 상기 제2 홀딩부에 의해 상기 기판을 홀딩한 상태에서의 반송 속도보다 크도록 당해 반송 장치를 제어하게끔 구성되는 것인 반송 장치.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    대기 반송실내에 구비되는 반송 장치.
  14. 내부에 기판을 수용하고 당해 기판에 처리를 행하는 처리실과,
    상기 처리실에 수용할 상기 기판을 반송하는 반송 장치를 포함하며,
    상기 반송 장치는,
    기판의 단부와 접촉하여 상기 기판을 홀딩하는 제1 홀딩부와,
    탄성 부재에 의해 형성되며 상기 기판의 뒷면과만 접촉하여 상기 기판을 홀딩하는 제2 홀딩부를 포함하는 것인 처리 시스템.
  15. 기판을 단부에서 홀딩 가능한지 여부에 관한 정보와 상기 기판을 고속으로 반송 가능한지 여부에 관한 정보를 포함하는 반송 모드를 취득하는 단계와,
    취득한 상기 반송 모드에 기초하여, 상기 기판의 단부와 접촉하여 상기 기판을 홀딩할지, 또는 상기 기판의 뒷면과만 접촉하여 상기 기판을 홀딩할지를 판정하는 단계를 포함하는 반송 방법.
KR1020227027367A 2020-01-22 2021-01-13 반송 장치, 처리 시스템 및 반송 방법 KR20220124778A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020008497A JP7267215B2 (ja) 2020-01-22 2020-01-22 搬送装置、処理システム及び搬送方法
JPJP-P-2020-008497 2020-01-22
PCT/JP2021/000816 WO2021149551A1 (ja) 2020-01-22 2021-01-13 搬送装置、処理システム及び搬送方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220124778A true KR20220124778A (ko) 2022-09-14

Family

ID=76992307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227027367A KR20220124778A (ko) 2020-01-22 2021-01-13 반송 장치, 처리 시스템 및 반송 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230038276A1 (ko)
JP (1) JP7267215B2 (ko)
KR (1) KR20220124778A (ko)
CN (1) CN114981948A (ko)
WO (1) WO2021149551A1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012074498A (ja) 2010-09-28 2012-04-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板搬送方法並びにその方法を実施するためのプログラムを記憶する記憶媒体

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2920454B2 (ja) * 1993-06-10 1999-07-19 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2008244318A (ja) 2007-03-28 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 基板搬送部材の洗浄方法、基板搬送装置及び基板処理システム
JP6058360B2 (ja) 2012-11-15 2017-01-11 東京エレクトロン株式会社 基板受渡機構、基板搬送装置及び基板受渡方法
CN107408527A (zh) 2015-04-15 2017-11-28 川崎重工业株式会社 基板搬送机器人及其末端执行器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012074498A (ja) 2010-09-28 2012-04-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板搬送方法並びにその方法を実施するためのプログラムを記憶する記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021118203A (ja) 2021-08-10
CN114981948A (zh) 2022-08-30
JP7267215B2 (ja) 2023-05-01
US20230038276A1 (en) 2023-02-09
WO2021149551A1 (ja) 2021-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5357115A (en) Processing method for wafers
CN105431933B (zh) 衬底运送器
US7059817B2 (en) Wafer handling apparatus and method
JP2002518838A (ja) 超クリーン保管容器の自動開閉装置
TWI408766B (zh) Vacuum processing device
KR101429827B1 (ko) 반송 시스템
KR100802526B1 (ko) 진공처리방법 또는 진공처리장치
KR101836589B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
JP2011124565A (ja) 半導体被処理基板の真空処理システム及び半導体被処理基板の真空処理方法
JPH04190840A (ja) 真空処理装置
KR20190130965A (ko) 기판 처리 장치
KR20190046808A (ko) 기판 반송 핸드, 기판 반송 로봇 및 기판 이송 장치
KR20010030407A (ko) 반도체 처리 장치용 다중면 로봇 블레이드
KR20190070280A (ko) 반송 장치의 티칭 방법
WO1999052143A1 (fr) Mecanisme d'alignement et dispositif de traitement de semi-conducteurs utilisant ce mecanisme
KR20230018449A (ko) 웨이퍼 반송 장치 및 웨이퍼 반송 방법
JP2553074B2 (ja) ウエ−フア−状材料の運搬方法および装置
JP4056283B2 (ja) 被移送体移送装置及びその移送方法
US10636693B2 (en) Substrate transfer device and control method therefor
KR20220124778A (ko) 반송 장치, 처리 시스템 및 반송 방법
US20030113188A1 (en) Mechanism for providing a continuous supply of wafers and cassettes to semiconductor fabrication tool
US20190206710A1 (en) Plasma processing system and operating method of the same
JPH1079412A (ja) 半導体製造装置
US9099510B2 (en) Workpiece flipping mechanism for space-constrained environment
CN112437977A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal