KR20220122432A - 이중 샤워헤드를 포함하는 화학기상증착 반응기 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기는 소스기체인 개시제 및 단량체를 각각 가열하는 복수의 캐니스터, 캐니스터로부터 가열된 각각의 소스기체가 반응기 내부로 분리되어 유입될 수 있도록 배치되는 복수의 가스라인, 복수의 캐니스터 및 복수의 가스라인 각각에 연결되어 반응기 내부로 소스기체를 투입하도록 복수로 배치되는 복수의 투입구, 복수의 투입구를 통해 유입된 소스기체가 반응기 내부에서 균일하게 확산되어 하강할 수 있도록 배치되는 샤워헤드본체, 샤워헤드본체 하부에 배치되며, 단량체를 활성화시키기 위해 개시제에 열에너지를 공급하여 라디칼화시키는 필라멘트, 필라멘트 하부에 배치되고, 필라멘트로부터 방사되는 열에너지가 하부로 방사되는 것을 차단하며, 소스기체가 반응기 내부에서 균일하게 확산되어 하강할 수 있도록 하는 이너샤워헤드, 단량체의 중합반응에 의해 고분자 유기 박막이 증착되는 기재가 놓여지고, 기재를 냉각하는 냉각스테이지 및 냉매를 통해 냉각스테이지를 냉각하는 냉각부를 포함하여, 단차가 있는 기재에도 균일한 박막 증착을 가능하게 하고, 냉각효율을 향상시켜 성막 속도를 증가시킴으로써, 고품질의 고분자 유기 박막을 형성할 수 있도록 한다.

Description

이중 샤워헤드를 포함하는 화학기상증착 반응기{INITIATED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER COMPRISING DOUBLE SHOWER HEAD}
본 발명은 개시제와 단량체를 반응기 내로 안정적으로 공급하여 고분자 유기 박막의 성막 속도를 향상시키고, 입체 구조물을 포함한 구조물에 균일한 성막을 가능하게 하는 화학기상증착 반응기(iCVD)에 관한 것이다.
개시제를 이용한 화학기상증착(initiated Chemical Vapor Deposition, iCVD) 공정은 고분자 유기 박막을 증착하는 방법이다. 화학기상증착 공정은 기존의 스핀코팅에 의한 액상공정에서 사용하는 유기용매나 첨가제를 사용하지 않는 건식 공정으로, 고순도 및 고품질의 고분자 유기 박막을 형성할 수 있어 최근 각광을 받고 있다.
화학기상증착 공정은 진공으로 유지되는 반응기(chamber) 내부로 기상의 개시제가 유입되어 필라멘트 열에 의해 라디칼화된다. 라디칼화된 개시제는 반응기 내부로 유입되어 기재 표면에 흡착된 단량체(monomer)를 활성화하여 중합반응을 유도하여 고분자 유기 박막을 형성한다. 화학기상증착 공정의 품질을 향상시키기 위한 방법으로, 필라멘트 어레이 구조를 최적화하는 방법, 반응기 내의 진공 형성과 공정 압력을 최적화하는 방법 및 라디칼화된 단량체로 하여금 열에너지를 안정적으로 잃도록 하여 균일한 고분자 유기 박막을 형성하도록 하는 방법이 있다.
기존 화학기상증착 반응기는 증착 공정 중에 기재의 온도 제어가 어려운 문제가 있다. 기재에 개시제와 단량체가 흡착되기 위해 서셉터를 지속적으로 냉각시켜도, 고온으로 가열된 필라멘트 열에 의해 기재 표면의 온도가 과도하게 높아질 수 있다. 즉 기재 표면의 냉각이 효과적으로 이루어질 수 없어서 원하는 박막의 두께 및 물성을 얻을 수 없는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 증착 대상이 입체구조인 경우 모든 면이 균일하게 증착되기 어려운 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 실시예는 필라멘트 하부에 이너샤워헤드(inner shower head)를 배치하여 필라멘트로부터 발생하는 열에너지가 직접적으로 기재에 고온을 가하지 않도록 함으로써, 기재의 냉각 효율을 향상시켜 고품질 고분자 유기 박막을 형성할 수 있는 화학기상증착 반응기를 제공한다.
또한, 본 발명의 실시예는 단량체와 개시제가 독립적인 가스라인을 통해 반응기 내부로 유입될 수 있도록 하여, 증기압이 낮거나 유속이 느린 소스기체의 경우에도 반응기 내로 원활하게 유입될 수 있도록 하여 증착 성능을 향상시킬 수 있는 화학기상증착 반응기를 제공한다.
이를 통해 다양한 형태의 전자소자 제조를 위한 유연기판, 광학 필름의 제조 공정에서 균일한 두께의 고분자 유기 박막을 증착할 수 있으며, 평판 형태 뿐만 아니라 입체 구조물에서도 물성 및 두께 변화가 없는 균일한 고분자 유기 박막의 증착을 가능하게 하여 생산성을 높일 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제(들)로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제(들)는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기는 소스기체인 개시제(initiator) 및 단량체(monomer)를 각각 가열하는 복수의 캐니스터; 상기 캐니스터로부터 가열된 각각의 상기 소스기체가 상기 반응기 내부로 분리되어 유입될 수 있도록 배치되는 복수의 가스라인; 상기 복수의 캐니스터 및 상기 복수의 가스라인 각각에 연결되어 상기 반응기 내부로 상기 소스기체를 투입하도록 복수로 배치되는 복수의 투입구; 상기 복수의 투입구를 통해 유입된 상기 소스기체가 상기 반응기 내부에서 균일하게 확산되어 하강할 수 있도록 배치되는 샤워헤드본체; 상기 샤워헤드본체 하부에 배치되며, 상기 단량체를 활성화시키기 위해 상기 개시제에 열에너지를 공급하여 라디칼화시키는 필라멘트; 상기 필라멘트 하부에 배치되고, 상기 필라멘트로부터 방사되는 열에너지가 하부로 방사되는 것을 차단하며, 상기 소스기체가 상기 반응기 내부에서 균일하게 확산되어 하강할 수 있도록 하는 이너샤워헤드; 상기 단량체의 중합반응에 의해 고분자 유기 박막이 증착되는 기재가 놓여지고, 상기 기재를 냉각하는 냉각스테이지; 및 냉매를 통해 상기 냉각스테이지를 냉각하는 냉각부;를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기에서 상기 샤워헤드본체는 하나 이상의 홀을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기에서 상기 이너샤워헤드는 하나 이상의 홀을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기에서 상기 이너샤워헤드는 측단면이 요철 형상으로 형성되고, 상기 요철의 상면 및 하면에 상기 하나 이상의 홀을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기에서 상기 복수의 투입구는 서로 다른 높이에 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기에서 상기 소스기체 중 증기압이 낮은 소스기체는 상기 복수의 투입구 중 높은 곳에 배치된 투입구로 투입되고, 증기압이 높은 소스기체는 상기 복수의 투입구 중 낮은 곳에 배치된 투입구로 투입될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기에서 상기 샤워헤드본체는 상기 소스기체의 균일한 확산을 위해 10℃ 내지 120℃로 가열될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기에서 상기 필라멘트는 상기 개시제를 라디칼화시키기 위해 150℃ 내지 300℃로 가열될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기에서 상기 이너샤워헤드로부터 상기 냉각스테이지까지의 거리는 10cm 내지 20cm일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 필라멘트 하부에 이너샤워헤드(inner shower head)를 배치하여 필라멘트로부터 발생하는 열에너지가 직접적으로 기재에 고온을 가하지 않도록 함으로써, 기재의 냉각 효율을 향상시켜 박막의 성막 속도를 증가시키고, 단차가 있는 복잡한 형상의 기재에도 박막 두께를 균일하게 증착하여 고품질 고분자 유기 박막을 형성할 수 있도록 한다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면 개시제와 단량체가 각각 특정 온도에서 캐니스터에서 가열되어 독립적인 가스라인을 통하여 반응기 내부로 분리되어 유입될 수 있도록 함으로써, 유속이 느리거나 증기압이 낮은 소스기체도 반응기 내부로 원활하게 유입될 수 있도록 하여 생산성을 향상시키고, 각 소스기체가 가열된 상태에서 혼입될 수 없도록 하여 배관에서 파티클이 발생되는 것을 방지하여 용이한 유지보수를 가능하도록 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 복수의 투입구의 형상을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 이너샤워헤드를 개략적으로 도시한 도면이다.
본 발명의 이점 및/또는 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기는 캐니스터(11), 가스라인(12), 투입구(13), 샤워헤드본체(14), 필라멘트(15), 이너샤워헤드(inner shower head, 16), 냉각스테이지(cooling stag, 17) 및 냉각부(18) 를 포함할 수 있다. 캐니스터(11) 및 가스라인(12)은 소스기체인 개시제(initiator) 및 단량체(monomer)가 분리된 상태로 반응기 내부로 유입될 수 있도록 독립적으로 배치될 수 있다. 복수의 캐니스터(11)에는 유량조절밸브(11a)가 각각 연결될 수 있다. 복수의 가스라인(12) 각각은 진공압력계(12a)를 포함할 수 있다. 투입구(13)는 복수의 캐니스터(11) 및 가스라인(12) 각각에 연결되어 반응기 내부로 개시제 및 단량체를 투입하도록 복수로 배치될 수 있다. 샤워헤드본체(14)는 복수의 투입구를 통해 유입된 개시제 및 상기 단량체가 반응기 내부에서 균일하게 확산되어 하강할 수 있도록 한다. 필라멘트(15)는 샤워헤드본체(14) 하부에 배치되며, 개시제에 열에너지를 공급하여 라디칼화시키고, 라디칼화된 개시제는 부근의 단량체를 활성화시킨다. 필라멘트(15)는 개시제를 활성화시키기 위해 150℃ 내지 300℃로 가열될 수 있다. 이너샤워헤드(16)는 필라멘트(15) 하부에 배치되며, 필라멘트(15)로부터 발생하는 열에너지가 하부로 방사되는 것을 차단한다. 냉각스테이지(17)에는 단량체의 중합반응에 의해 고분자 유기 박막이 증착되는 기재가 놓여지고, 기재를 냉각하여 증착되는 고분자 유기 박막의 열에너지를 흡수하여 성막되도록 한다. 냉각부(18, 18a)는 냉매 등을 이용하여 냉각스테이지(17)를 냉각시킨다.
각각의 캐니스터(11)는 탈부착 형태의 자켓히터(jacket heater)를 포함할 수 있다. 각각의 소스기체는 서로 다른 캐니스터(11)에 담겨 자켓히터에 의해 개별적으로 온도가 제어되며, 외부 환경에 영향을 받지 않도록 단열될 수 있다. 각각의 캐니스터(11) 및 이와 연결되는 가스라인(12)에는 유량조절밸브(11a) 및 진공압력계(12a)가 연결될 수 있으며, 반응기 내부로 유입되는 소스기체의 유량을 개별적으로 제어할 수 있다. 진공압력계(12a)는 40℃ 내지 100℃로 가열되어 장시간 기화된 소스기체에 노출되어도 정확도를 유지할 필요가 있다. 이처럼, 소스기체의 유량을 개별적으로 조절함으로써 반응기로 유입되는 개시제와 단량체의 비율 또는 중합체 형성 시 단량체들 사이의 유입되는 비율을 제어할 수 있다.
가스라인(12)은 직경 0.5인치 STS 진공 파이프를 이용하여 반응기와 소스기체 공급부를 가능한 근접 배치하여 소스기체의 유입을 원활하게 함으로써 증착속도를 향상시킬 수 있다. 반응기와 각 소스기체의 가스라인(12)에 질소, 아르곤 또는 헬륨과 같은 비활성기체를 유입해 퍼지(purge)할 수 있는 라인을 포함하여 잔류하는 소스기체를 제거할 수 있다. 잔류 소스기체를 제거하여 고순도, 고품질의 고분자 유기 박막을 지속적으로 증착할 수 있고, 유량조절밸브(11a)나 진공압력계(12a)의 오동작을 방지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 복수의 투입구의 형상을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기에서 복수의 투입구(13)는 서로 다른 높이에 배치될 수 있다. 복수의 투입구(13)는 투입되는 높이를 각각 달리하여, 증기압이 낮은 소스기체는 상단에서 투입하고, 상대적으로 증기압이 높은 소스기체는 하단에서 투입하여 유속이 느린 소스기체의 유입을 원활하게 함으로써 고분자 유기 박막의 증착 속도를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기는 반응기 내의 압력을 저진공 상태로 유지하기 위해 진공펌프(19)를 포함할 수 있다. 반응기 내의 압력을 실시간으로 측정할 수 있도록 진공압력계(19a)를 포함할 수 있다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 이너샤워헤드(16)를 개략적으로 도시한 도면이다.
본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기는 두가지 종류의 샤워헤드 즉, 필라멘트(15) 상부에 배치되는 샤워헤드본체(14)와 필라멘트(15) 하부에 배치되는 이너샤워헤드(16)를 포함할 수 있다. 샤워헤드본체(14) 및 이너샤워헤드(16)의 전체적인 면적은 필라멘트(15) 면적과 동일하거나 크게 형성할 수 있다. 샤워헤드본체(14)에는 하나 이상의 홀이 포함되고, 소스기체가 홀을 통과하여 필라멘트(15)에 다다를 수 있다. 샤워헤드본체(14) 홀의 직경은 0.5mm 내지 5mm일 수 있고, 각각의 홀들은 5mm 내지 20mm 간격으로 배치될 수 있다. 샤워헤드본체(14) 홀의 직경은 동일할 수 있으나 이에 한정되지 않고, 소스기체의 투입 분포에 따라 중심에서 가장자리로 갈수록 직경이 커지는 등 다양화할 수 있다. 샤워헤드본체(14) 홀들은 규칙적인 간격으로 배열될 수 있지만 이에 한정되지 않고, 소스기체의 투입 분포에 따라 중심에서 가장자리로 갈수록 밀도가 높게 배치하는 등 배치형태를 다양화할 수 있다. 샤워헤드본체(14)에 히터를 장착할 수 있고, 10℃ 내지 120℃ 범위에서 온도로 유지될 수 있다.
도 3을 참조하면, 이너샤워헤드(16)는 필라멘트(15) 하부에 5mm 내지 20mm의 거리를 두고 배치될 수 있고, 반응기로부터 탈부착이 가능하도록 형성될 수 있다. 이너샤워헤드(16)는 알루미늄(Al) 또는 스테인리스스틸로 제작될 수 있으며, 두께는 2mm 내지 4mm로 200℃ 이상에서도 변형이 없는 소재로 제작될 수 있다. 이너샤워헤드(16)는 하나 이상의 홀을 포함할 수 있다. 이너샤워헤드(16) 홀의 직경은 0.5mm 내지 5mm일 수 있고, 각각의 홀들은 10mm 내지 30mm 간격으로 배치될 수 있다. 이너샤워헤드(16) 홀의 직경은 동일할 수 있으나 이에 한정되지 않고, 중심에서 가장자리로 갈수록 직경이 커지는 등 다양화할 수 있다. 이너샤워헤드(16) 홀들은 규칙적인 간격으로 배열될 수 있지만 이에 한정되지 않고, 중심에서 가장자리로 갈수록 밀도가 높게 배치하는 등 배치형태를 다양화할 수 있다.
이너샤워헤드(16)는 평판 형상으로 형성될 수 있지만 이에 한정되지 않고, 도 4에 도시된 바와 같이 측단면이 요철 형상으로 형성되는 등 다양화될 수 있다. 이너샤워헤드(16)의 측단면이 요철 형상으로 형성되는 경우, 요철의 상면 및 하면에 하나 이상의 홀이 형성될 수 있다. 이때의 홀의 직경 및 밀도 또한 균일하지 않고 다양화할 수 있다.
이너샤워헤드(16)는 한장으로 사용할 수 있지만 이에 한정되지 않고, 반응기의 크기, 공정 조건, 필라멘트 온도 등에 따라 여러 장을 겹쳐 사용하는 등 다양화할 수 있다. 여러 장의 이너샤워헤드를 사용하는 경우, 각각의 이너샤워헤드의 홀의 직경 및 밀도 또한 다양화할 수 있다.
이너샤워헤드(16)와 냉각스테이지(17)까지의 거리는 10cm 내지 20cm로 배치될 수 있다. 기존 반응기에서는 필라멘트(15)로부터 냉각스테이지(17)로 복사되는 열에너지가 크고, 복사열에 의한 기재의 냉각 효율이 저하됨에 따라 증착되는 박막의 품질에 악영향을 미칠 수 있었다. 이를 해결하기 위해 필라멘트(15)와 냉각스테이지(17) 사이의 거리를 증가시키는 방법도 있지만, 이는 반응기의 외형을 증가시키고 냉각 효율 또한 크게 개선시킬 수 없는 문제점이 있다. 본 발명의 실시예에 따른 이너샤워헤드(16)는 필라멘트(15)로부터 방사되는 복사열에 의한 에너지를 차단하여, 기재의 냉각 효율을 증가시켜 박막의 품질을 향상시킬 수 있도록 한다.
지금까지 본 발명에 따른 구체적인 실시예에 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허 청구의 범위뿐만 아니라 이 특허 청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
10: 반응기
11: 캐니스터
11a: 유량조절밸브
12: 가스라인
12a: 진공압력계
13: 투입구
14: 샤워헤드본체
15: 필라멘트
16: 이너샤워헤드
16a: 홀
17: 냉각스테이지
18, 18a: 냉각부
19: 진공펌프
19a: 진공압력계

Claims (9)

  1. 화학기상증착(iCVD) 반응기에 있어서,
    소스기체인 개시제(initiator) 및 단량체(monomer)를 각각 가열하는 복수의 캐니스터;
    상기 캐니스터로부터 가열된 각각의 상기 소스기체가 상기 반응기 내부로 분리되어 유입될 수 있도록 배치되는 복수의 가스라인;
    상기 복수의 캐니스터 및 상기 복수의 가스라인 각각에 연결되어 상기 반응기 내부로 상기 소스기체를 투입하도록 복수로 배치되는 복수의 투입구;
    상기 복수의 투입구를 통해 유입된 상기 소스기체가 상기 반응기 내부에서 균일하게 확산되어 하강할 수 있도록 배치되는 샤워헤드본체;
    상기 샤워헤드본체 하부에 배치되며, 상기 단량체를 활성화시키기 위해 상기 개시제에 열에너지를 공급하여 라디칼화시키는 필라멘트;
    상기 필라멘트 하부에 배치되고, 상기 필라멘트로부터 방사되는 열에너지가 하부로 방사되는 것을 차단하며, 상기 소스기체가 상기 반응기 내부에서 균일하게 확산되어 하강할 수 있도록 하는 이너샤워헤드;
    상기 단량체의 중합반응에 의해 고분자 유기 박막이 증착되는 기재가 놓여지고, 상기 기재를 냉각하는 냉각스테이지; 및
    냉매를 통해 상기 냉각스테이지를 냉각하는 냉각부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 반응기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드본체는 하나 이상의 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 반응기.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 이너샤워헤드는 하나 이상의 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 반응기.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 이너샤워헤드는 측단면이 요철 형상으로 형성되고, 상기 요철의 상면 및 하면에 상기 하나 이상의 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 반응기.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 투입구는 서로 다른 높이에 배치되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 반응기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 소스기체 중 증기압이 낮은 소스기체는 상기 복수의 투입구 중 높은 곳에 배치된 투입구로 투입되고, 증기압이 높은 소스기체는 상기 복수의 투입구 중 낮은 곳에 배치된 투입구로 투입되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 반응기.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드본체는 상기 소스기체의 균일한 확산을 위해 10℃ 내지 120℃로 가열되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 반응기.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 필라멘트는 상기 개시제를 라디칼화시키기 위해 150℃ 내지 300℃로 가열되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 반응기.
  9. 제1항에
    상기 이너샤워헤드로부터 상기 냉각스테이지까지의 거리는 10cm 내지 20cm인 것을 특징으로 하는 화학기상증착 반응기.
KR1020210067210A 2021-02-26 2021-05-25 이중 샤워헤드를 포함하는 화학기상증착 반응기 KR102623064B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20120069704A (ko) * 2009-09-03 2012-06-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 배터리 애플리케이션용의 다공성 비정질 규소-탄소 나노튜브 복합물 기반 전극
KR20150071263A (ko) * 2013-12-18 2015-06-26 주식회사 엘지화학 화학기상 증착 시스템

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