KR20220115054A - Method to check division of daf - Google Patents

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KR20220115054A
KR20220115054A KR1020220008290A KR20220008290A KR20220115054A KR 20220115054 A KR20220115054 A KR 20220115054A KR 1020220008290 A KR1020220008290 A KR 1020220008290A KR 20220008290 A KR20220008290 A KR 20220008290A KR 20220115054 A KR20220115054 A KR 20220115054A
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마사루 나카무라
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

Provided is a DAF division checking method capable of easily checking whether the DAF disposed on the back side of a wafer is appropriately divided for each chip. The DAF division checking method for checking whether the DAF disposed on the back side of the wafer is properly divided for each chip may include a support process, a DAF division process, a shrink process, a dicing tape peeling process, and a DAF division checking process.

Description

DAF 분할 확인 방법{METHOD TO CHECK DIVISION OF DAF}How to check DAF division {METHOD TO CHECK DIVISION OF DAF}

본 발명은 웨이퍼의 이면에 배치된 DAF가, 칩마다 적절하게 분할되었는지의 여부를 확인하는 DAF 분할 확인 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a DAF division confirmation method for confirming whether a DAF disposed on the back surface of a wafer is properly divided for each chip.

IC, LSI 등의 복수의 디바이스가, 분할 예정 라인에 의해 구획된 표면에 형성된 웨이퍼는, 연삭 장치에 의해 이면이 연삭되어, 원하는 두께로 형성된 후, 다이싱 장치, 레이저 가공 장치에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할되어 휴대 전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 이용된다.A wafer, in which a plurality of devices such as IC and LSI are formed on the front surface partitioned by the dividing line, is ground on the back side by a grinding apparatus and formed to a desired thickness, and then individual devices are used by a dicing apparatus and a laser processing apparatus It is divided into chips and used in electric devices such as mobile phones and personal computers.

또한, 웨이퍼의 표면으로부터 분할 예정 라인을 따라 이면측에 달하지 않는 하프 컷트홈을 형성하고, 그 후, 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 접착하여 웨이퍼의 이면을 연삭하고, 하프 컷트홈의 바닥을 이면에 노출시킴으로써, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 기술도 제안되어 있다(예컨대 특허문헌 1을 참조).Further, a half cut groove not reaching the back side is formed from the surface of the wafer along the line to be divided, and then a protective tape is adhered to the surface of the wafer to grind the back side of the wafer, and the bottom of the half cut groove is placed on the back side. A technique of dividing a wafer into individual device chips by exposing has also been proposed (see, for example, Patent Document 1).

또한, 웨이퍼의 표면으로부터, 또는 이면으로부터 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 분할 예정 라인의 내부에 위치시켜 조사하여, 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하고, 그 후, 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 접착하여, 웨이퍼의 이면을 연삭함으로써 웨이퍼를 원하는 두께로 형성하며, 상기 연삭 시에 부여되는 외력에 의해, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 기술이 제안되어 있다(예컨대 특허문헌 2를 참조).In addition, by irradiating a converging point of a laser beam having a wavelength having a transmittance to the wafer from the front surface or the back surface of the wafer by irradiating it inside the line to be divided, a modified layer is formed in the inside of the wafer along the line to be divided, Thereafter, a protective tape is adhered to the surface of the wafer, the back surface of the wafer is ground to form a wafer to a desired thickness, and a technique for dividing the wafer into individual device chips by the external force applied during the grinding is proposed. There is (for example, refer patent document 2).

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2004-193241호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2004-193241 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2014-007333호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Laid-Open No. 2014-007333 상기한 특허문헌 1, 2에 기재된 기술에 의해 개개로 분할된 디바이스 칩의 이면측에는, 상기 디바이스 칩을 기판 등에 실장, 적층할 때에 사용되는 DAF(Die Attach Film)가 배치된다. 디바이스 칩에 DAF를 배치하는 경우는, 웨이퍼의 이면 전체에 DAF를 배치하며, 상기 DAF에 겹쳐서 다이싱 테이프를 배치하고, 웨이퍼를 수용하는 개구부를 구비한 환형의 프레임으로 상기 다이싱 테이프의 외주를 지지하고, 상기 다이싱 테이프를 확장함으로써, 상기 DAF를 개개의 디바이스 칩에 대응하여 분할하고 있다.A Die Attach Film (DAF) used when mounting and laminating the device chips on a substrate or the like is disposed on the back side of the device chips individually divided by the techniques described in Patent Documents 1 and 2 described above. When the DAF is disposed on the device chip, the DAF is disposed on the entire back surface of the wafer, the dicing tape is disposed overlapping the DAF, and the outer periphery of the dicing tape is formed by an annular frame having an opening for accommodating the wafer. By supporting and expanding the dicing tape, the DAF is divided corresponding to individual device chips.

그런데, DAF를 개개의 디바이스 칩에 대응하여 분할하는 DAF 분할 공정을 실시할 때에, 다이싱 테이프를 확장할 때의 확장 속도, 확장량, 디바이스 칩의 크기 등에 따라서는, 디바이스 칩에 대응하여 DAF가 양호하게 분할되지 않는 경우가 있기 때문에, 종래에는, 상기 DAF 분할 공정을 실시한 후에, 웨이퍼의 표면의 분할 예정 라인에 형성된 분할구측으로부터 현미경으로 DAF의 분할 상태를 확인하고, 필요에 따라, 다이싱 테이프를 확장할 때의 확장 속도, 확장량 등의 분할 조건을 조정하고 있다. 그러나, 웨이퍼의 표면에 형성된 분할구측으로부터 웨이퍼의 이면측에 배치되는 DAF의 분할 상태를 확인하는 것은 용이하지 않고, 상기 DAF의 분할 상태를 확인하는 데 시간이 걸리기 때문에, 생산성이 나쁘다고 하는 문제가 있다.However, when performing the DAF division process of dividing the DAF corresponding to individual device chips, depending on the expansion speed, the expansion amount, the size of the device chip, etc. at the time of expanding the dicing tape, the DAF is divided according to the device chip. Since the division may not be satisfactory, conventionally, after performing the above DAF division step, the division state of the DAF is checked under a microscope from the division port formed on the division scheduled line on the surface of the wafer, and, if necessary, the dicing tape The division conditions such as the expansion speed and the amount of expansion are being adjusted when expanding . However, it is not easy to check the divided state of the DAF disposed on the back side of the wafer from the side of the division formed on the surface of the wafer, and it takes time to check the divided state of the DAF, so there is a problem that productivity is poor. .

본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것이며, 그 주된 기술 과제는, 웨이퍼의 이면에 배치된 DAF가, 칩마다 적절하게 분할되었는지의 여부를 용이하게 확인할 수 있는 DAF 분할 확인 방법을 제공하는 데 있다.The present invention has been made in view of the above facts, and its main technical object is to provide a DAF division confirmation method capable of easily confirming whether or not the DAF arranged on the back surface of the wafer is properly divided for each chip.

상기 주된 기술 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따르면, 웨이퍼의 이면에 배치된 DAF가 칩마다 적절하게 분할되었는지의 여부를 확인하는 DAF 분할 확인 방법으로서, 분할 예정 라인을 따라 복수의 칩으로 분할된 웨이퍼, 또는 분할 예정 라인을 따라 분할 기점이 형성된 웨이퍼의 이면에 DAF의 한쪽의 면을 배치하며, 상기 웨이퍼를 수용하는 개구를 구비한 환형의 프레임의 상기 개구에 웨이퍼를 위치시키고, DAF의 다른쪽의 면에 다이싱 테이프를 접착하여, 상기 다이싱 테이프를 통해 DAF 및 웨이퍼를 상기 프레임에 지지하는 지지 공정과, 웨이퍼와 프레임 사이에 있는 다이싱 테이프를 확장하여 인접하는 칩끼리의 간격을 확장하며, DAF를 상기 칩에 대응하여 분할하는 DAF 분할 공정과, 웨이퍼와 프레임 사이에 있는 다이싱 테이프를 가열하여 늘어짐을 슈링크하는 슈링크 공정과, 웨이퍼의 표면에 지지 부재를 배치하여 다이싱 테이프를 DAF로부터 박리하는 다이싱 테이프 박리 공정과, DAF가 각 칩에 대응하여 분할되어 있는지의 여부를 확인하는 DAF 분할 확인 공정으로 적어도 구성되는 DAF 분할 확인 방법이 제공된다.In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, there is provided a DAF division confirmation method for checking whether or not the DAF disposed on the back surface of a wafer is properly divided for each chip. One side of the DAF is placed on the back surface of the wafer or the wafer on which the division origin is formed along the line to be divided, the wafer is placed in the opening of an annular frame having an opening for accommodating the wafer, the other side of the DAF A supporting process of supporting the DAF and the wafer to the frame through the dicing tape by adhering a dicing tape to the surface of the , a DAF division process of dividing the DAF corresponding to the chip, a shrink process of heating the dicing tape between the wafer and the frame to shrink the sagging, and disposing a support member on the surface of the wafer to form the dicing tape There is provided a DAF division confirmation method comprising at least a dicing tape peeling step of peeling from the DAF, and a DAF division checking step of checking whether or not the DAF is divided corresponding to each chip.

상기 DAF 분할 확인 공정에서, DAF가 각 칩에 대응하여 분할되지 않은 경우는, 상기 DAF 분할 공정에 있어서, 다이싱 테이프를 확장할 때의 확장 속도, 확장량을 조정하는 것이 바람직하다.When the DAF is not divided corresponding to each chip in the DAF division confirmation step, it is preferable to adjust the expansion speed and the expansion amount when the dicing tape is expanded in the DAF division step.

본 발명의 DAF 분할 확인 방법은, 분할 예정 라인을 따라 복수의 칩으로 분할된 웨이퍼, 또는 분할 예정 라인을 따라 분할 기점이 형성된 웨이퍼의 이면에 DAF의 한쪽의 면을 배치하며, 상기 웨이퍼를 수용하는 개구를 구비한 환형의 프레임의 상기 개구에 웨이퍼를 위치시키고, DAF의 다른쪽의 면에 다이싱 테이프를 접착하여, 상기 다이싱 테이프를 통해 DAF 및 웨이퍼를 상기 프레임에 지지하는 지지 공정과, 웨이퍼와 프레임 사이에 있는 다이싱 테이프를 확장하여 인접하는 칩끼리의 간격을 확장하며, DAF를 상기 칩에 대응하여 분할하는 DAF 분할 공정과, 웨이퍼와 프레임 사이에 있는 다이싱 테이프를 가열하여 늘어짐을 슈링크하는 슈링크 공정과, 웨이퍼의 표면에 지지 부재를 배치하여 다이싱 테이프를 DAF로부터 박리하는 다이싱 테이프 박리 공정과, DAF가 각 칩에 대응하여 분할되어 있는지의 여부를 확인하는 DAF 분할 확인 공정으로 적어도 구성되고, 지지 부재로 웨이퍼 및 DAF를 지지하여, DAF측이 상면을 향하게 할 수 있기 때문에, DAF가 배치된 측으로부터, DAF가 칩에 대응하여 적정하게 분할되었는지의 여부를 용이하게, 확실하게 확인할 수 있고, 이에 의해, DAF 분할 공정에서의 분할 수단의 조정도 적절하게 실시하는 것이 가능해진다.The DAF division confirmation method of the present invention comprises arranging one side of the DAF on the back surface of a wafer divided into a plurality of chips along a division scheduled line or a wafer having a division starting point formed along a division scheduled line, and receiving the wafer. a supporting step of placing a wafer in the opening of an annular frame having an opening and adhering a dicing tape to the other side of the DAF to support the DAF and the wafer to the frame through the dicing tape; The DAF division process of dividing the DAF corresponding to the chip by expanding the dicing tape between the wafer and the frame to extend the distance between adjacent chips, and heating the dicing tape between the wafer and the frame to prevent the sagging A shrinking step of linking, a dicing tape peeling step of peeling the dicing tape from the DAF by arranging a support member on the surface of the wafer, and a DAF division confirmation step of confirming whether the DAF is divided corresponding to each chip Since the DAF side can face the upper surface by supporting the wafer and the DAF with the support member, from the side where the DAF is arranged, it can be easily and reliably determined whether the DAF is properly divided corresponding to the chip. This can be confirmed in a simple manner, and thereby, it becomes possible to appropriately adjust the division means in the DAF division step.

도 1은 본 실시형태에 있어서 가공되는 웨이퍼에 절삭홈 또는 분할 기점을 형성하는 양태를 나타내는 사시도이다.
도 2는 절삭홈 또는 분할 기점이 형성된 웨이퍼를 연삭 장치의 척 테이블에 배치하는 양태를 나타내는 사시도이다.
도 3의 (a)는 연삭 장치에 의해 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 양태를 나타내는 사시도이고, (b)는 개개의 칩으로 분할된 웨이퍼의 사시도이다.
도 4는 지지 공정의 실시양태를 나타내는 사시도이다.
도 5는 분할 장치의 사시도이다.
도 6은 도 5에 나타내는 분할 장치에 의해 실시되는 DAF 분할 공정의 실시양태를 나타내는 일부 확대 단면도이다.
도 7은 슈링크 공정의 실시양태를 나타내는 사시도이다.
도 8은 DAF 분할 확인 공정의 실시양태를 나타내는 사시도이다.
도 9의 (a)는 다이싱 테이프 박리 공정의 다른 실시형태를 나타내는 사시도이고, (b)는 DAF 분할 확인 공정의 다른 실시형태를 나타내는 사시도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view which shows the aspect which forms a cutting groove|channel or a division|segmentation starting point in the wafer to be processed in this embodiment.
Fig. 2 is a perspective view showing a state in which a wafer having a cutting groove or a division starting point is disposed on a chuck table of a grinding apparatus.
Fig. 3 (a) is a perspective view showing a mode in which a wafer is divided into individual chips by a grinding device, and (b) is a perspective view of a wafer divided into individual chips.
4 is a perspective view showing an embodiment of a supporting process.
5 is a perspective view of a dividing device;
Fig. 6 is a partially enlarged cross-sectional view showing an embodiment of the DAF division process performed by the division apparatus shown in Fig. 5 .
7 is a perspective view showing an embodiment of a shrink process.
8 is a perspective view showing an embodiment of a DAF division confirmation process.
Fig. 9 (a) is a perspective view showing another embodiment of the dicing tape peeling step, and (b) is a perspective view showing another embodiment of the DAF division confirmation step.

이하, 본 발명에 기초하여 구성되는 DAF 분할 확인 방법에 따른 실시형태에 대해서, 첨부 도면을 참조하면서, 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment according to the DAF division|segmentation confirmation method comprised based on this invention is described in detail, referring an accompanying drawing.

본 실시형태의 DAF 분할 확인 방법을 실시하는 데 있어서, 분할 예정 라인을 따라 복수의 칩으로 분할된 웨이퍼, 또는 분할 예정 라인을 따라 분할 기점이 형성된 웨이퍼를 준비한다. 먼저, 도 1∼3을 참조하면서, 분할 예정 라인을 따라 복수의 칩으로 분할된 웨이퍼를 준비하는 순서에 대해서 설명한다. 도 1의 상단에는, 본 실시형태의 피가공물인 가공 전의 웨이퍼(10)를 나타내고 있다. 이 웨이퍼(10)는, 복수의 디바이스(12)가, 분할 예정 라인(14)에 의해 구획된 표면(10a)에 형성된 것이다.In carrying out the DAF division confirmation method of the present embodiment, a wafer divided into a plurality of chips along a division scheduled line or a wafer in which division origins are formed along a division scheduled line is prepared. First, a procedure for preparing a wafer divided into a plurality of chips along a division scheduled line will be described with reference to FIGS. 1 to 3 . The upper end of FIG. 1 shows the wafer 10 before processing, which is a to-be-processed object of the present embodiment. In this wafer 10 , a plurality of devices 12 are formed on a surface 10a partitioned by a dividing line 14 .

상기한 가공 전의 웨이퍼(10)를, 분할 예정 라인(14)을 따라 개개의 디바이스 칩으로 분할하기 위해, 예컨대, 도 1의 좌방측에 나타내는 바와 같이, 가공 전의 웨이퍼(10)를, 절삭 블레이드(22)를 구비한 절삭 장치(20)(일부만 나타내고 있음)에 반송한다. 절삭 장치(20)는, 웨이퍼(10)를 유지하는 유지 수단, 상기 유지 수단을 이동시키는 이동 수단, 상기 유지 수단에 유지된 웨이퍼(10)를 촬상하는 촬상 수단(모두 도시는 생략함)을 구비하고, 절삭 블레이드(22)는, 도시를 생략하는 모터에 의해 회전 구동된다. 웨이퍼(10)를, 상기 유지 수단에 유지하고, 상기 이동 수단을 작동시켜, 상기 유지 수단을 상기 촬상 수단의 바로 아래에 위치시키고, 상기 촬상 수단에 의해 웨이퍼(10)를 촬상하여, 얼라인먼트를 실시한다. 상기 얼라인먼트에 의해 검출된 분할 예정 라인(14)의 위치 정보에 기초하여, 분할 예정 라인(14)을, 도면 중 X 방향에 정합시킨다. 계속해서, 절삭 블레이드(22)를, 웨이퍼(10)의 표면(10a)측의 소정의 분할 예정 라인(14)을 따르도록 위치시키고, 상기 이동 수단에 의해, 상기 유지 수단과 절삭 블레이드(22)를 X 방향으로 상대적으로 이동시켜 가공 이송하여, 분할 예정 라인(14)을 따라 절삭홈(100)을 형성한다. 절삭홈(100)은, 도면에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 달하지 않는 깊이의 하프 컷트홈이다. 절삭홈(100)의 깊이는, 추후에 설명하는 웨이퍼 분할 공정에 있어서, 이면(10b)측을 마무리 두께가 될 때까지 연삭한 경우에, 이면(10b)으로부터 절삭홈(100)이 노출되는 깊이로 설정된다. 상기한 절삭 블레이드(22)와 상기 이동 수단을 작동시킴으로써, 웨이퍼(10)를 유지한 유지 수단과 절삭 블레이드(22)를, X 방향, X 방향과 직교하는 Y 방향 및 회전 방향에 있어서, 적절하게 상대적으로 이동시켜, 도 1의 좌하측에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10) 상의 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 절삭홈(100)을 형성한다.In order to divide the above-mentioned unprocessed wafer 10 into individual device chips along the dividing line 14, for example, as shown on the left side of FIG. 1, the unprocessed wafer 10 is cut with a cutting blade ( 22) and conveyed to the cutting device 20 (only a part is shown). The cutting device 20 is provided with holding means for holding the wafer 10, moving means for moving the holding means, and imaging means for imaging the wafer 10 held by the holding means (both are not shown). and the cutting blade 22 is rotationally driven by a motor (not shown). The wafer 10 is held by the holding means, the moving means is operated, the holding means is positioned directly below the imaging means, the wafer 10 is imaged by the imaging means, and alignment is performed. do. Based on the positional information of the division scheduled line 14 detected by the alignment, the division scheduled line 14 is aligned with the X direction in the drawing. Subsequently, the cutting blade 22 is positioned so as to follow a predetermined division line 14 on the surface 10a side of the wafer 10, and the holding means and the cutting blade 22 are moved by the moving means. The cutting groove 100 is formed along the division scheduled line 14 by relatively moving and feeding in the X direction. The cutting groove 100 is a half-cut groove having a depth that does not reach the back surface 10b of the wafer 10 as shown in the drawing. The depth of the cutting groove 100 is the depth at which the cutting groove 100 is exposed from the back surface 10b when the back surface 10b side is ground to a finished thickness in a wafer division process to be described later. is set to By operating the above-described cutting blade 22 and the moving means, the holding means holding the wafer 10 and the cutting blade 22 are properly moved in the X direction, the Y direction orthogonal to the X direction, and the rotation direction. Relatively moving, as shown in the lower left of FIG. 1 , the cutting grooves 100 are formed along all the division lines 14 on the wafer 10 .

계속해서, 도 2의 좌측에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에, BG(백그라인드) 테이프(T1)를 접착하여 일체로 한다. 웨이퍼(10)와 BG 테이프(T1)를 일체로 하였다면, 도 2의 하방에 나타내는 연삭 장치(30)에 반송하여, 유지면(32)과 유지면(32)을 위요하는 프레임체(34)를 포함하는 척 테이블(31)에, BG 테이프(T1)측이 하방을, 웨이퍼(10)의 이면(10b)측이 상방을 향하게 하여 배치한다. 척 테이블(31)의 유지면(32)은, 통기성을 갖는 부재에 의해 구성되며, 도시를 생략하는 흡인 수단에 접속되어 있고, 상기 흡인 수단의 작용에 의해, 척 테이블(31)에 배치된 웨이퍼(10)를 흡인 유지한다.Then, as shown in the left side of FIG. 2 , the BG (backgrind) tape T1 is adhered to the front surface 10a of the wafer 10 to be integrated. If the wafer 10 and the BG tape T1 are integrated, it is transferred to the grinding apparatus 30 shown below in FIG. 2, and the holding surface 32 and the frame body 34 surrounding the holding surface 32 are formed On the included chuck table 31, the BG tape T1 side faces downward and the back surface 10b side of the wafer 10 faces upward. The holding surface 32 of the chuck table 31 is made of a breathable member, is connected to a suction means (not shown), and is placed on the chuck table 31 by the action of the suction means. (10) aspirate and hold.

도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 연삭 장치(30)는, 연삭 수단(36)을 구비하고 있다. 연삭 수단(36)은, 척 테이블(31) 상에 흡인 유지된 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭하여 박화하기 위한 수단이며, 도시하지 않는 회전 구동 기구에 의해 회전되는 회전 스핀들(362)과, 회전 스핀들(362)의 하단에 장착된 휠 마운트(364)와, 휠 마운트(364)의 하면에 부착되는 연삭 휠(366)과, 연삭 휠(366)의 하면에 환형으로 배치된 복수의 연삭 지석(368)을 구비하고 있다.As shown to Fig.3 (a), the grinding apparatus 30 is equipped with the grinding means 36. As shown in FIG. The grinding means 36 is a means for grinding and thinning the back surface 10b of the wafer 10 sucked and held on the chuck table 31 , and a rotation spindle 362 rotated by a rotation drive mechanism (not shown). And, the wheel mount 364 mounted on the lower end of the rotating spindle 362, the grinding wheel 366 attached to the lower surface of the wheel mount 364, and a plurality of annularly arranged on the lower surface of the grinding wheel 366 A grinding wheel 368 is provided.

웨이퍼(10)를 척 테이블(31) 상에 흡인 유지하였다면, 연삭 수단(36)의 회전 스핀들(362)을 도 3의 (a)에 있어서 화살표(R1)로 나타내는 방향으로, 예컨대 6000 rpm으로 회전시키며, 척 테이블(31)을 화살표(R2)로 나타내는 방향으로, 예컨대 300 rpm으로 회전시킨다. 그리고, 도시를 생략하는 연삭수 공급 수단에 의해, 연삭수를 웨이퍼(10)의 이면(10b) 상에 공급하면서, 도시를 생략하는 연삭 이송 수단을 작동시켜 연삭 수단(36)을 도면 중 화살표(R3)로 나타내는 방향으로 하강시켜, 연삭 지석(368)을 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 접촉시키고, 연삭 휠(366)을, 예컨대 1 ㎛/초의 속도로 연삭 이송한다. 이때, 도시하지 않는 접촉식의 측정 게이지에 의해 웨이퍼(10)의 두께를 측정하면서 연삭을 진행시킬 수 있어, 웨이퍼(10)의 두께가 마무리 두께가 될 때까지, 이면(10b)측을 소정량 연삭한다. 상기한 바와 같이, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에는, 분할 예정 라인(14)을 따라, 마무리 두께에 상당하는 깊이의 절삭홈(100)이 형성되어 있기 때문에, 이면(10b)측을 상기 소정량 연삭함으로써, 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 이면(10b)측에 절삭홈(100)이 노출되어, 웨이퍼(10)는, 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할된다(웨이퍼 분할 공정). 웨이퍼(10)가 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할되었다면, 연삭 수단(36)을 정지하여, 상방으로 후퇴시킨다.When the wafer 10 is sucked and held on the chuck table 31, the rotation spindle 362 of the grinding means 36 is rotated in the direction indicated by the arrow R1 in Fig. 3A, for example, at 6000 rpm. and the chuck table 31 is rotated in the direction indicated by the arrow R2, for example, at 300 rpm. Then, while supplying grinding water onto the back surface 10b of the wafer 10 by a grinding water supply means (not shown), the grinding transfer means (not shown) is operated to move the grinding means 36 to the arrow ( R3), the grinding wheel 368 is brought into contact with the back surface 10b of the wafer 10, and the grinding wheel 366 is grind-transferred, for example, at a speed of 1 µm/sec. At this time, grinding can proceed while measuring the thickness of the wafer 10 with a contact-type measuring gauge (not shown), and the back surface 10b side is applied a predetermined amount until the thickness of the wafer 10 becomes the finished thickness. grind As described above, since the cutting groove 100 having a depth corresponding to the finished thickness is formed on the front surface 10a of the wafer 10 along the dividing line 14, the back surface 10b side By grinding a predetermined amount, the cutting groove 100 is exposed on the back surface 10b side of the wafer 10 as shown in FIG. (wafer splitting process). When the wafer 10 has been divided into individual device chips 12', the grinding means 36 is stopped and retracted upward.

또한, 본 발명은 상기한 바와 같이, 웨이퍼(10)의 표면(10a)측에 절삭홈(100)을 형성하고, 이면(10b)측을 연삭하여, 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할하는 것에 한정되지 않고, 예컨대, 레이저 가공에 의해, 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(14)을 따라 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 공정을 실시하고, 상기 분할 기점에 외력을 부여함으로써 웨이퍼 분할 공정을 실시하도록 하여도 좋다. 이하에, 도 1∼3을 참조하면서, 분할 기점 형성 공정을 실시하여 웨이퍼 분할 공정을 실시하는 실시양태에 대해서 설명한다.In addition, as described above, in the present invention, the cutting groove 100 is formed on the front surface 10a side of the wafer 10 and the back surface 10b side is ground to cut the wafer 10 into individual device chips 12 . '), for example, by laser processing, a division starting point forming step of forming a division starting point along the division scheduled line 14 of the wafer 10 is performed, and an external force is applied to the division starting point You may make it implement a wafer division process by doing this. Hereinafter, with reference to FIGS. 1-3, embodiment which implements a division origin formation process and implements a wafer division|segmentation process is demonstrated.

도 1의 상방에 나타내는 가공 전의 웨이퍼(10)를 준비하였다면, 도 1의 우측에 나타내는 레이저 가공 장치(40)에 반송한다. 레이저 가공 장치(40)는, 웨이퍼(10)를 유지하는 유지 수단, 상기 유지 수단을 도면 중 X 방향, Y 방향 및 회전 방향으로 이동시키는 이동 수단 및 웨이퍼(10)를 촬상하는 촬상 수단(모두 도시는 생략함)과, 웨이퍼(10)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선(LB)을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(41)을 구비하고 있다.If the wafer 10 before processing shown in the upper part of FIG. 1 is prepared, it is conveyed to the laser processing apparatus 40 shown on the right side of FIG. The laser processing apparatus 40 includes a holding means for holding the wafer 10, a moving means for moving the holding means in the X direction, Y direction and rotational direction in the drawing, and an imaging unit for imaging the wafer 10 (all shown). is omitted) and a laser beam irradiating means 41 for irradiating a laser beam LB of a wavelength having transparency to the wafer 10 .

레이저 가공 장치(40)에 반송된 웨이퍼(10)는, 이면(10b)측이 상방을 향하게 하여 상기 유지 수단에 흡인 유지된다. 또한, 도시는 생략하지만, 웨이퍼(10)를 상기 유지 수단에 유지할 때에는, 디바이스(12)를 보호하기 위해, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 보호 테이프를 접착하는 것이 바람직하다. 상기 유지 수단에 유지된 웨이퍼(10)는, 상기 촬상 수단의 바로 아래에 위치되어, 얼라인먼트 공정이 실시된다. 상기 촬상 수단은, 적외선을 조사하며 반사된 적외선을 포착하여 전기 신호로 변환하여 도시를 생략하는 제어 수단에 출력한다. 상기 얼라인먼트 공정이 실시됨으로써, 웨이퍼(10)의 이면(10b)측으로부터, 표면(10a)에 형성된 분할 예정 라인(14)의 위치를 검출하며, 상기 이동 수단에 의해 웨이퍼(10)를 회전시켜 소정 방향의 분할 예정 라인(14)을 X 방향에 정합시킨다.The wafer 10 conveyed to the laser processing apparatus 40 is suction-held by the said holding means with the back surface 10b side facing upward. In addition, although not shown, when holding the wafer 10 by the said holding means, in order to protect the device 12, it is preferable to adhere a protective tape to the surface 10a of the wafer 10. As shown in FIG. The wafer 10 held by the holding means is positioned directly below the imaging means, and an alignment process is performed. The imaging unit irradiates infrared rays and captures the reflected infrared rays, converts them into electric signals, and outputs them to a control unit not shown. When the alignment process is performed, the position of the scheduled division line 14 formed on the front surface 10a is detected from the rear surface 10b side of the wafer 10, and the wafer 10 is rotated by the moving means to provide a predetermined The dividing line 14 in the direction is matched with the X direction.

계속해서, 상기 이동 수단을 작동시켜, 레이저 광선 조사 수단(41)의 집광기(42)의 바로 아래에, 분할 예정 라인(14)의 가공 개시 위치를 위치시키고, 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(14)의 내부에 레이저 광선(LB)의 집광점을 위치시켜 조사하며, 웨이퍼(10)를 X 방향으로 가공 이송한다. 이에 의해, 도 1에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 내부에, 소정의 분할 예정 라인(14)을 따라 개질층을 포함하는 분할 기점(110)을 형성한다. 또한, 본 실시형태에서는, 도면에 나타내는 바와 같이, 분할 예정 라인(14)을 따라, 집광점의 깊이를 3단계로 나누어 변경하여 레이저 광선(LB)을 조사하여, 3층의 개질층을 포함하는 분할 기점(110)을 형성하고 있다. 이와 같이, 소정의 분할 예정 라인(14)을 따라 분할 기점(110)을 형성하였다면, 웨이퍼(10)를 Y 방향으로 분할 예정 라인(14)의 간격만큼 인덱싱 이송하여, Y 방향으로 인접한 미가공의 분할 예정 라인(14)을 집광기(41)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 상기한 바와 동일하게 하여 레이저 광선(LB)의 집광점을 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(14)의 내부에 위치시켜 조사하고, 웨이퍼(10)를 X 방향으로 가공 이송하여 분할 기점(110)을 형성한다. 이와 같이, 웨이퍼(10)를 X 방향 및 Y 방향으로 가공 이송하여, X 방향을 따르는 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 분할 기점(110)을 형성한다. 계속해서, 척 테이블(31)과 함께 웨이퍼(10)를 90도 회전시켜, 이미 분할 기점(110)을 형성한 분할 예정 라인(14)에 직교하는 방향의 미가공의 분할 예정 라인(14)을 X 방향에 정합시킨다. 그리고, 나머지 분할 예정 라인(14)에 대하여도, 상기한 바와 동일하게 하여 레이저 광선(LB)의 집광점을 위치시켜 조사하여, 도 1의 오른쪽 아래에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 분할 기점(110)을 형성한다(분할 기점 형성 공정). 또한, 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(14)을 따라 개질층을 형성할 때에는, 반드시 웨이퍼(10)의 이면(10b)측으로부터 레이저 광선(LB)을 조사하는 것에 한정되지 않고, 분할 예정 라인(14) 상에 테스트용 전극 등이 없는 경우 등이면, 웨이퍼(10)의 표면(10a)측으로부터 조사하도록 하여도 좋다.Then, the moving means is operated to position the processing start position of the dividing line 14 directly below the condenser 42 of the laser beam irradiation unit 41, and the dividing line of the wafer 10 ( 14), the converging point of the laser beam LB is positioned and irradiated, and the wafer 10 is processed and transported in the X direction. As a result, as shown in FIG. 1 , a division starting point 110 including a modified layer is formed in the wafer 10 along a predetermined division line 14 . In addition, in this embodiment, as shown in the figure, along the division scheduled line 14, the depth of the converging point is divided into three stages and changed, the laser beam LB is irradiated, and the three-layer modified layer is included. The division origin 110 is formed. In this way, if the division starting point 110 is formed along the predetermined division line 14, the wafer 10 is indexed and transferred as much as the interval of the division line 14 in the Y direction, so that the unprocessed division adjacent in the Y direction is divided. A pre-determined line 14 is placed directly below the condenser 41 . Then, in the same manner as described above, the converging point of the laser beam LB is positioned inside the division line 14 of the wafer 10 and irradiated, and the wafer 10 is processed and transported in the X direction to the division starting point ( 110) is formed. In this way, the wafer 10 is processed and transferred in the X and Y directions to form the division starting point 110 along all the division lines 14 along the X direction. Next, the wafer 10 is rotated 90 degrees together with the chuck table 31 so that the unprocessed dividing line 14 in the direction orthogonal to the dividing line 14 on which the division starting point 110 has already been formed is X match the direction. Then, the remaining division scheduled lines 14 are also irradiated by locating and irradiating the converging point of the laser beam LB in the same manner as described above, and as shown in the lower right of FIG. 1 , all divisions of the wafer 10 are performed. A division origin 110 is formed along the predetermined line 14 (a division origin forming process). In addition, when forming the modified layer along the division schedule line 14 of the wafer 10, it is not necessarily limited to irradiating the laser beam LB from the back surface 10b side of the wafer 10, The division schedule line If there is no test electrode or the like on (14), it may be irradiated from the surface 10a side of the wafer 10 .

상기한 바와 같이, 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 웨이퍼(10)의 내부에 분할 기점(110)을 형성하였다면, 도 2의 우방측에 나타내는 바와 같이, 분할 기점(110)이 형성된 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 BG 테이프(T1)를 접착하여, 연삭 장치(30)에 반송하고, 연삭 장치(30)의 척 테이블(31)에, BG 테이프(T1)측이 하방을 향하에 하여 배치하여 흡인 유지한다. 그 후, 상기한 웨이퍼 분할 공정과 동일한 순서에 따라, 도 3에 나타내는 연삭 수단(36)에 의해, 웨이퍼(10)의 이면(10b)측을 연삭한다. 웨이퍼(10)의 이면(10b)측으로부터, 연삭 수단(36)에 의해 연삭 가공이 실시되어 원하는 마무리 두께가 될 때까지 웨이퍼(10)가 박화됨으로써, 분할 기점(110)에 대하여 외력이 부여되어, 웨이퍼(10)가 분할 기점(110)을 따라 파단되어 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할된다. 또한, 본 발명은 상기한 레이저 가공에 의해, 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(14)의 내부에 개질층을 형성하여 분할 기점(110)을 형성하는 것에 한정되지 않고, 웨이퍼(10)의 표면(10a)측으로부터 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사하여, 분할 예정 라인(14)을 따라 어블레이션 가공을 실시하여, 분할 기점이 되는 레이저 가공홈을 형성하도록 하여도 좋다.As described above, if the division origin 110 is formed inside the wafer 10 along all the division lines 14 , as shown on the right side of FIG. 2 , the wafer 10 on which the division origin 110 is formed. ), the BG tape T1 is adhered to the surface 10a and transported to the grinding apparatus 30, on the chuck table 31 of the grinding apparatus 30, the BG tape T1 side facing downward Place and maintain suction. Thereafter, the back surface 10b side of the wafer 10 is ground by the grinding means 36 shown in FIG. 3 according to the same procedure as in the above-described wafer division step. From the back surface 10b side of the wafer 10, grinding is performed by the grinding means 36 and the wafer 10 is thinned until the desired finished thickness is obtained, whereby an external force is applied to the division origin 110, , the wafer 10 is broken along the division origin 110 to be divided into individual device chips 12 ′. In addition, the present invention is not limited to forming the division starting point 110 by forming a modified layer inside the dividing line 14 of the wafer 10 by the above-described laser processing, but the surface of the wafer 10 . A laser beam having an absorptive wavelength may be irradiated from the side (10a) to perform ablation processing along the division scheduled line 14 to form a laser processing groove serving as a division starting point.

계속해서, 도 4에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)를 프레임에 지지하는 지지 공정을 실시한다. 상기 지지 공정을 실시하는 데 있어서, 먼저, 도 4의 하방측에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)와 동일한 치수의 원형의 시트형의 DAF(18), 다이싱 테이프(T2) 및 웨이퍼(10)를 수용 가능한 개구(Fa)를 구비한 환형의 프레임(F)을 준비한다. 도 4의 좌상방에는, 상기한 웨이퍼 분할 공정에 따라 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할한 웨이퍼(10)를 나타내고, 이하에 설명하는 지지 공정, DAF 분할 공정, 슈링크 공정 및 다이싱 테이프 박리 공정에 대해서는, 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할된 웨이퍼(10)를 프레임(F)에 지지한 것으로서 설명한다.Subsequently, as shown in FIG. 4 , a supporting step of supporting the wafer 10 to the frame is performed. In carrying out the support step, first, as shown on the lower side of FIG. 4 , the DAF 18 , the dicing tape T2 , and the wafer 10 having the same dimensions as the wafer 10 in a circular sheet form An annular frame F having an acceptable opening Fa is prepared. The upper left of Fig. 4 shows a wafer 10 in which the wafer 10 is divided into individual device chips 12' according to the above-described wafer division step, and a supporting step, a DAF division step, and a shrinking step described below are shown. The process and the dicing tape peeling process will be described as one in which the wafer 10 divided into individual device chips 12' is supported by the frame F. FIG.

개개의 디바이스 칩(12')으로 분할된 웨이퍼(10)를 준비하였다면, 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 DAF(18)의 한쪽의 면(18a)(도면에서는 상면)을 배치한다. 웨이퍼(10)의 이면(10b)측을 프레임(F)의 개구(Fa)에 위치시키고, DAF(18)의 다른쪽의 면(18b)에 다이싱 테이프(T2)를 접착하여, 다이싱 테이프(T2)를 통해 DAF(18) 및 웨이퍼(10)를 프레임(F)에 지지하여 지지 공정이 완료한다. 또한, 웨이퍼(10)의 표면(10a)측에 접착된 BG 테이프(T1)는, 상기 지지 공정을 실시한 후에 박리해 둔다.When the wafer 10 divided into individual device chips 12' is prepared, one side 18a (top surface in the drawing) of the DAF 18 is disposed on the back surface 10b of the wafer 10 . The back surface 10b side of the wafer 10 is positioned in the opening Fa of the frame F, and the dicing tape T2 is adhered to the other side 18b of the DAF 18, so that the dicing tape The support process is completed by supporting the DAF 18 and the wafer 10 on the frame F through (T2). In addition, the BG tape T1 adhere|attached to the surface 10a side of the wafer 10 is peeled after implementing the said support process.

상기한 지지 공정을 실시하였다면, 프레임(F)에 유지된 웨이퍼(10)와 프레임(F) 사이에 있는 다이싱 테이프(T2)를 확장하여 인접하는 디바이스 칩(12')끼리의 간격을 확장하며, DAF(18)를 디바이스 칩(12')에 대응하여 분할하는 DAF 분할 공정을 실시한다. 도 5를 참조하면서, 본 실시형태의 DAF 분할 공정을 실시하는 데 적합한 분할 장치(50)에 대해서 설명한다. 분할 장치(50)는, 웨이퍼(10)를 다이싱 테이프(T2), DAF(18)를 통해 지지하는 프레임(F)를 유지하는 프레임 유지 수단(51)과, 프레임 유지 수단(51)에 유지되는 프레임(F)에 접착된 다이싱 테이프(T2)를 확장하고, 웨이퍼(10)에 배치된 DAF(18)를 개개의 디바이스 칩(12')에 대응하여 분할하는 분할 수단(52)을 구비하고 있다.If the above-described support process is performed, the dicing tape T2 between the wafer 10 held by the frame F and the frame F is expanded to extend the distance between the adjacent device chips 12'. , a DAF division process of dividing the DAF 18 corresponding to the device chip 12' is performed. The dividing apparatus 50 suitable for implementing the DAF division|segmentation process of this embodiment is demonstrated, referring FIG. 5. FIG. The dividing device 50 includes a frame holding means 51 for holding a frame F supporting the wafer 10 via a dicing tape T2 and a DAF 18 , and the frame holding means 51 . A dividing means 52 is provided for extending the dicing tape T2 adhered to the frame F to be used and dividing the DAF 18 disposed on the wafer 10 corresponding to the individual device chips 12'. are doing

프레임 유지 수단(51)은, 상기한 환형의 프레임(F)을 유지하도록 환형으로 형성된 프레임 유지 부재(51a)와, 프레임 유지 부재(51a)의 외주에 균등한 간격으로 배치된 고정 수단으로서의 복수의 클램프(51b)(도시된 실시형태에서는 4개)를 구비하고 있다. 프레임 유지 부재(51a)의 상면은 평탄하게 형성되고, 프레임(F)이 배치된다. 그리고, 프레임 유지 부재(51a)의 상면에 배치된 프레임(F)은, 클램프(51b)에 의해 프레임 유지 부재(51a)의 상면에 고정된다.The frame holding means 51 includes a frame holding member 51a formed in an annular shape so as to hold the annular frame F described above, and a plurality of fixing means arranged at equal intervals on the outer periphery of the frame holding member 51a. Clamps 51b (four in the illustrated embodiment) are provided. The upper surface of the frame holding member 51a is formed flat, and the frame F is disposed. And the frame F arranged on the upper surface of the frame holding member 51a is fixed to the upper surface of the frame holding member 51a by the clamp 51b.

상기 프레임 유지 부재(51a)의 내측에는, 원판 형상의 베이스(54)에 하단이 고정된 확장 드럼(53)이 배치되어 있다. 확장 드럼(53)은, 평면에서 보아, 프레임(F)의 개구(Fa)의 내직경보다 작고, 또한 다이싱 테이프(T2)에 DAF(18)를 통해 지지된 웨이퍼(10)의 외직경보다 크게 형성된다. 도시된 실시형태에 있어서의 분할 수단(52)은, 확장 드럼(53)의 주위에 복수(예컨대 4개) 배치되고, 베이스(54)에 고정되는 에어 실린더(52a)와, 에어 실린더(52a)로부터 상방으로 연장되며, 프레임 유지 부재(51a)의 하면에 상단이 연결되는 피스톤 로드(52b)를 구비한다. 에어 실린더(52a)에는 제어용 에어가 도시를 생략하는 연통로를 통해 공급되고 있고, 에어 실린더(52a)의 작용에 의해, 피스톤 로드(52b)가 상하 방향으로 진퇴함으로써, 프레임 유지 부재(51a)가 상하 방향으로 진퇴된다.An expansion drum 53 having a lower end fixed to a disk-shaped base 54 is disposed inside the frame holding member 51a. The expansion drum 53 is smaller than the inner diameter of the opening Fa of the frame F in plan view and smaller than the outer diameter of the wafer 10 supported by the DAF 18 on the dicing tape T2. formed large. The dividing means 52 in the illustrated embodiment is arranged in a plurality (eg, four) around the expansion drum 53 , and includes an air cylinder 52a fixed to the base 54 , and an air cylinder 52a . A piston rod 52b extending upwardly from the frame holding member 51a and having an upper end connected thereto is provided. Control air is supplied to the air cylinder 52a through a communication path (not shown), and the piston rod 52b advances and retreats in the vertical direction by the action of the air cylinder 52a, so that the frame holding member 51a is moves forward and backward in the up-down direction.

본 실시형태의 분할 장치(50)는, 대략 상기한 바와 같은 구성을 구비하고 있고, 도 5에 더하여, 도 6을 참조하면서, 본 실시형태의 DAF 분할 공정에 대해서, 보다 구체적으로 설명한다.The division apparatus 50 of this embodiment is provided with the structure substantially as mentioned above, and the DAF division|segmentation process of this embodiment is demonstrated more concretely, referring FIG. 6 in addition to FIG.

본 실시형태의 DAF 분할 공정을 실시하는 데 있어서, 도 5에 나타내는 바와 같이, 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할된 웨이퍼(10)의 표면(10a)측이 상방을 향하게 하여, 분할 장치(50)의 프레임 유지 부재(51a)의 상면에 프레임(F)을 배치하고, 클램프(51b)에 의해 고정한다. 이때, 확장 드럼(53)의 상단은, 도 6에 나타내는 바와 같이, 프레임 유지 부재(51a)의 상면과 대략 동일 높이가 되는 기준 위치(실선으로 나타냄)에 위치되어 있다. 계속해서, 프레임 유지 부재(51a)에 접속된 복수의 분할 수단(52)의 에어 실린더(52a)를 작동시켜, 피스톤 로드(52b)를 에어 실린더(52a) 내로 후퇴시켜, 프레임 유지 부재(51a)를 화살표(R4)로 나타내는 방향으로 하강시킨다. 이에 의해, 프레임 유지 부재(51a)와 함께 프레임(F)도 하강하고, 프레임(F)에 지지되어 있는 다이싱 테이프(T2)는, 프레임 유지 부재(51a)에 대하여 상대적으로 상승하는 확장 드럼(53)에 의해 소정량 확장되고(2점 쇄선으로 나타냄), 다이싱 테이프(T2)에는 방사형의 인장력이 작용한다. 이에 의해, 도 6에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)에 있어서 인접하는 디바이스 칩(12')끼리의 간격이 확장되고, DAF(18)가 상기 디바이스 칩(12')에 대응하여 분할되어, DAF 분할 공정이 완료한다. 또한, 도 6에서는, 설명의 형편상, DAF(18)을 분할하기 전후로, 웨이퍼(10)의 상하 방향의 위치를 바꾸어 나타내고 있지만, 실제의 DAF 분할 공정에서는, 웨이퍼(10)의 상하 방향의 위치는 불변이며, 프레임 유지 부재(51a)의 상하 방향의 위치가 변화한다. 또한, 에어 실린더(52a)에 투입되는 제어용 에어의 압력은, 도시를 생략하는 에어 공급원에 의해 조정하는 것이 가능하고, 다이싱 테이프(T2)를 확장할 때의 확장 속도를 원하는 확장 속도로 조정하는 것이 가능하다. 또한, 피스톤 로드(52b)의 신장량도 조정하는 것이 가능하고, 이에 의해, 다이싱 테이프(T2)의 확장량도 원하는 양이 되도록 조정하는 것이 가능하다.In carrying out the DAF division process of this embodiment, as shown in FIG. 5, the front surface 10a side of the wafer 10 divided into individual device chips 12' faces upward, and the division apparatus ( The frame F is disposed on the upper surface of the frame holding member 51a of the 50 , and is fixed by a clamp 51b. At this time, as shown in FIG. 6, the upper end of the expansion drum 53 is located at the reference position (shown by a solid line) used as the upper surface of the frame holding member 51a and substantially the same height. Then, the air cylinder 52a of the plurality of dividing means 52 connected to the frame holding member 51a is operated to retract the piston rod 52b into the air cylinder 52a, and the frame holding member 51a is operated. is lowered in the direction indicated by the arrow R4. As a result, the frame F is also lowered together with the frame holding member 51a, and the dicing tape T2 supported by the frame F is moved to the expansion drum ( 53) by a predetermined amount (indicated by a dashed-dotted line), and a radial tensile force acts on the dicing tape T2. As a result, as shown in FIG. 6 , the interval between adjacent device chips 12' on the wafer 10 is extended, and the DAF 18 is divided corresponding to the device chips 12', and the DAF The division process is completed. 6 , for convenience of explanation, the vertical position of the wafer 10 is changed before and after the DAF 18 is divided, but in the actual DAF division process, the vertical position of the wafer 10 is is unchanged, and the position in the vertical direction of the frame holding member 51a changes. In addition, the pressure of the control air injected into the air cylinder 52a can be adjusted by an air supply source not shown, and the expansion speed when the dicing tape T2 is expanded is adjusted to a desired expansion speed. it is possible Moreover, it is also possible to adjust the extension amount of the piston rod 52b, and by this, it is also possible to adjust the extension amount of the dicing tape T2 so that it may become a desired amount.

상기한 DAF 분할 공정을 실시하였다면, 상기 분할 장치(50)로부터, 웨이퍼(10)를 지지한 프레임(F)을 반출한다. 이때, 웨이퍼(10)를 지지하는 다이싱 테이프(T2)는, 상기한 DAF 분할 공정이 실시됨으로써 늘어진 상태로 되어 있다. 그래서, 도 7에 나타내는 바와 같이, 가열 수단(60)을, 웨이퍼(10)와 프레임(F) 사이에 노출되는 다이싱 테이프(T2)의 근방에 위치시킨다. 상기 가열 수단(60)은, 예컨대, 히터와 송풍 수단을 구비하고 있고, 선단으로부터 외부에 온풍을 분사하는 수단이다. 이 가열 수단(60)을 도 7에 나타내는 바와 같이 위치시켰다면, 가열 수단(60)으로부터 온풍을 분사시키며, 프레임(F)을 화살표(R5)로 나타내는 방향으로 회전시켜, 웨이퍼(10)를 지지하는 다이싱 테이프(T2)의 전역을 가열한다. 이에 의해, 웨이퍼(10)와 프레임(F) 사이에 있는 다이싱 테이프(T2)의 늘어짐이 슈링크(수축)되어, 상기한 DAF 분할 공정을 실시하기 전의 상태와 대략 동일한 상태로 되돌아가, 슈링크 공정이 완료한다.After the above-described DAF division process has been performed, the frame F supporting the wafer 10 is unloaded from the division apparatus 50 . At this time, the dicing tape T2 supporting the wafer 10 is in a state of being stretched by performing the above-described DAF division process. Therefore, as shown in FIG. 7 , the heating means 60 is positioned in the vicinity of the dicing tape T2 exposed between the wafer 10 and the frame F. The heating means 60 includes, for example, a heater and a blowing means, and is a means for blowing warm air from the tip to the outside. If the heating means 60 is positioned as shown in FIG. 7 , hot air is blown from the heating means 60 , and the frame F is rotated in the direction indicated by the arrow R5 to support the wafer 10 . The entire area of the dicing tape T2 is heated. As a result, the sagging of the dicing tape T2 between the wafer 10 and the frame F is shrinked (shrinked), returning to a state substantially the same as the state before performing the above-described DAF division process, and the shoe The linking process is completed.

상기한 바와 같이, 슈링크 공정을 실시하였다면, 도 7에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 표면(10a)측에, 웨이퍼(10)와 동치수로 형성된 지지 부재(T3)를 배치한다. 상기 지지 부재(T3)는, 예컨대, 유리판, PET 등의 수지판, 또는 수지 테이프 등에서 적절하게 선택된다. 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 지지 부재(T3)를 배치할 때에는, 지지 부재(T3)측의 지지면에 대하여, 접착제가 도포된다. 이와 같이 하여 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 지지 부재(T3)를 배치하였다면, 다이싱 테이프(T2)를, 웨이퍼(10)의 이면(10b)측에 배치된 DAF(18)로부터 박리하여, 다이싱 테이프 박리 공정이 완료한다.If the shrink process has been performed as described above, as shown in FIG. 7 , a support member T3 formed to have the same dimensions as the wafer 10 is disposed on the front surface 10a side of the wafer 10 . The support member T3 is appropriately selected, for example, from a glass plate, a resin plate such as PET, or a resin tape. When the support member T3 is disposed on the surface 10a of the wafer 10 , an adhesive is applied to the support surface on the support member T3 side. When the support member T3 is disposed on the front surface 10a of the wafer 10 in this way, the dicing tape T2 is peeled off from the DAF 18 disposed on the back surface 10b side of the wafer 10. , the dicing tape peeling process is completed.

또한, 상기한 지지 공정, DAF 분할 공정, 슈링크 공정 및 다이싱 테이프 박리 공정은, 지지 공정에 있어서, 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할된 웨이퍼(10)를 프레임(F)에 지지한 것으로서 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 지지 공정에 있어서, 도 4의 우상방에 나타내는 바와 같이, 분할 예정 라인(14)을 따라 분할 기점(110)이 형성되어 있지만 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할되지 않은 웨이퍼(10)의 이면(10b)을, DAF(18)의 한쪽의 면(18a) 상에 배치하고, 다이싱 테이프(T2)를 통해 DAF(18) 및 웨이퍼(10)를 프레임(F)에 지지하도록 하여도 좋다. 그 경우는, 상기 DAF 분할 공정을 실시함으로써, 웨이퍼(10)가 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할됨과 동시에, DAF(18)가, 디바이스 칩(12')에 대응하여 분할된다. 따라서, 그 경우는, 상기 웨이퍼 분할 공정을 생략하고, DAF 분할 공정을 실시하는 것이 가능하여, DAF 분할 공정을 실시한 후, 상기한 바와 동일하게, 슈링크 공정, 다이싱 테이프 박리 공정을 실시할 수 있다.In addition, in the support process, the DAF division process, the shrink process, and the dicing tape peeling process, the wafer 10 divided into individual device chips 12' is supported on the frame F in the support process. Although described as one, the present invention is not limited thereto. For example, in the supporting step, as shown in the upper right of FIG. 4 , the dividing starting point 110 is formed along the dividing line 14 , but the wafer 10 is not divided into individual device chips 12 ′. The back surface 10b of the DAF 18 is disposed on one side 18a of the DAF 18, and the DAF 18 and the wafer 10 are supported on the frame F through the dicing tape T2. good night. In that case, by performing the above DAF division step, the wafer 10 is divided into individual device chips 12' and the DAF 18 is divided corresponding to the device chips 12'. Therefore, in that case, it is possible to omit the wafer division step and perform the DAF division step. After the DAF division step, the shrink process and the dicing tape peeling step can be performed in the same manner as described above. have.

상기한 바와 같이 다이싱 테이프 박리 공정을 실시하였다면, DAF(18) 및 지지 부재(T3)에 의해 사이에 끼워진 웨이퍼(10)를, 도 8에 화살표(R6)로 나타내는 바와 같이 반전하여, DAF(18)가 배치된 면이 상방을 향하게 하고, DAF(18)측으로부터, DAF(18)가 디바이스 칩(12')에 대응하여 적정하게 분할되어 있는지의 여부를 확인한다. 또한, 도 8에서는, 육안으로 보아 확인하는 양태를 나타내고 있지만, 반드시 육안으로 보아 확인하는 것에 한정되지 않고, 도시를 생략하는 촬상 수단의 바로 아래에 위치시켜, 촬상 수단에 의해 촬상된 화상을 확인하거나, 나아가, 촬상한 화상 데이터를 연산 처리하거나 함으로써, DAF(18)가 디바이스 칩(12')에 대응하여 적정하게 분할되어 있는지의 여부를 확인하도록 하여도 좋다. 이상에 의해, DAF 분할 확인 공정이 완료한다.If the dicing tape peeling step has been performed as described above, the wafer 10 sandwiched by the DAF 18 and the supporting member T3 is inverted as indicated by the arrow R6 in FIG. 8, and the DAF ( With the surface on which 18) is arranged faces upward, from the DAF 18 side, it is checked whether or not the DAF 18 is properly divided corresponding to the device chip 12'. In addition, although the aspect confirmed by visual observation is shown in FIG. 8, it is not necessarily limited to visually confirming, It is located just below the imaging means which abbreviate|omits illustration, and confirms the image picked up by the imaging means, or Furthermore, it may be confirmed whether or not the DAF 18 is properly divided corresponding to the device chip 12' by performing an arithmetic process on the captured image data. With the above, the DAF division confirmation process is completed.

여기서, 상기한 DAF 분할 공정의 실시 조건에 따라서는, DAF 분할 확인 공정에 있어서, 도 8에 나타내는 바와 같이, DAF(18)가 각 디바이스 칩(12')에 대응하여 완전하게 분할되어 있지 않고, DAF 분할 공정이 적절하게 실시되어 있지 않았던 것이 확인된다. 이러한 경우는, 상기 DAF 분할 공정에 있어서, 다이싱 테이프(T2)를 확장할 때의 확장 속도, 확장량이 적절하지 않았다고 생각된다. 따라서, 상기 DAF 분할 확인 공정에 의해 확인된 DAF(18)의 분할 결과를 감안하여, 분할 장치(50)에 의해 다이싱 테이프(T2)를 확장할 때의 확장 속도, 확장량을 적절하게 조정한다. 보다 구체적으로는, 분할 수단(52)의 에어 실린더(52a)에 투입되는 제어용 에어의 압력을 높이거나, 피스톤 로드(52b)의 신장량을 길게 하거나 하도록 조정한다.Here, depending on the conditions of implementation of the above-described DAF division step, in the DAF division confirmation step, as shown in FIG. 8 , the DAF 18 is not completely divided corresponding to each device chip 12 ′, It is confirmed that the DAF division process was not performed appropriately. In such a case, in the said DAF division|segmentation process, it is thought that the expansion speed and expansion amount at the time of expanding the dicing tape T2 were not appropriate. Therefore, in consideration of the division result of the DAF 18 confirmed by the above DAF division confirmation step, the expansion speed and the expansion amount when the dicing tape T2 is expanded by the division device 50 are appropriately adjusted. . More specifically, it adjusts so that the pressure of the air for control injected|thrown-in to the air cylinder 52a of the dividing means 52 may be raised, or the extension amount of the piston rod 52b may be lengthened.

상기한 실시형태에 따르면, DAF 분할 확인 공정에 있어서, 지지 부재(T3)로 웨이퍼(10) 및 DAF(18)를 지지하여, DAF(18)측이 상면을 향하게 할 수 있기 때문에, DAF(18)측으로부터, DAF(18)가 디바이스 칩(12')에 대응하여 적정하게 분할되었는지의 여부를 용이하게, 확실하게 확인할 수 있고, 이에 의해, DAF 분할 공정에서의 분할 수단의 조정도 적절하게 실시하는 것이 가능해진다.According to the above-described embodiment, in the DAF division confirmation step, the wafer 10 and the DAF 18 are supported by the support member T3 so that the DAF 18 side faces the upper surface, so that the DAF 18 ) side, it is possible to easily and reliably confirm whether or not the DAF 18 has been properly divided in correspondence with the device chip 12', thereby appropriately adjusting the division means in the DAF division process. it becomes possible to do

또한, 상기한 실시형태에서는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 표면(10a)측에, 웨이퍼(10)와 동치수로 형성된 지지 부재(T3)를 배치하고, 그 후, 다이싱 테이프(T2)를, 웨이퍼(10)의 이면(10b)측에 배치된 DAF(18)로부터 박리하는 다이싱 테이프 박리 공정을 실시하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이, DAF 분할 공정이 완료한 웨이퍼(10)의 표면(10a)측에, 프레임(F)의 개구(Fa)보다 크고, 프레임(F)의 외형보다 작은 수지의 테이프에 의해 구성된 지지 부재(T4)를 배치하도록 하여도 좋다. 보다 구체적으로는, 도 9의 (a)에 나타내는 지지 부재(T4)를 준비하고, 롤러(70)를 화살표(R7)로 나타내는 방향으로 회전시키면서, 화살표(R8)로 나타내는 방향으로 이동시켜 웨이퍼(10)의 표면(10a) 및 프레임(F)에 지지 부재(T4)를 압착한다. 그리고, 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 프레임(F)을 반전시켜, 다이싱 테이프(T2)측이 상방을 향하게 하고, 다이싱 테이프(T2)를 화살표(R9)로 나타내는 방향으로 당겨서 박리한다. 이에 의해, 웨이퍼(10)가 지지 부재(T4)에 의해 지지되고, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 배치된 DAF(18)가 노출되어, 상기한 바와 동일하게, DAF(18)측으로부터, DAF(18)가 디바이스 칩(12')에 대응하여 적정하게 분할되어 있는지의 여부를 확인하는 DAF 분할 확인 공정이 실시된다.In addition, in the above-described embodiment, as shown in FIG. 7 , a support member T3 formed to have the same dimensions as the wafer 10 is disposed on the front surface 10a side of the wafer 10 , and thereafter, dicing is performed. Although the dicing tape peeling process of peeling the tape T2 from the DAF 18 arrange|positioned on the back surface 10b side of the wafer 10 was implemented, this invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 9A , on the front surface 10a side of the wafer 10 on which the DAF division process has been completed, the opening Fa of the frame F is larger than the outer shape of the frame F. You may make it arrange|position the support member T4 comprised by the tape of small resin. More specifically, the support member T4 shown in Fig. 9(a) is prepared, and while the roller 70 is rotated in the direction indicated by the arrow R7, it is moved in the direction indicated by the arrow R8 to make the wafer ( The support member T4 is pressed against the surface 10a of 10) and the frame F. Then, as shown in Fig. 9B, the frame F is inverted, the dicing tape T2 side faces upward, and the dicing tape T2 is pulled in the direction indicated by the arrow R9. peel off Thereby, the wafer 10 is supported by the support member T4, and the DAF 18 disposed on the surface 10a of the wafer 10 is exposed, and as described above, from the DAF 18 side. , a DAF division confirmation step of confirming whether or not the DAF 18 is properly divided corresponding to the device chip 12' is performed.

또한, 상기한 실시형태에서는, 본 실시형태의 DAF 분할 확인 방법을 실시하는 데 있어서, 복수의 디바이스(12)가 분할 라인(14)에 의해 구획되어 표면(10a)에 형성된 웨이퍼(10)를 준비하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명은 예컨대, 표면에 디바이스(12)가 형성되지 않은, 소위 더미 웨이퍼를 사용하고, 만약 표면에 복수의 디바이스(12)가 형성되었다고 상정한 경우의 분할 예정 라인을 따라 복수의 칩으로 분할된 더미 웨이퍼, 또는 상기 분할 예정 라인을 따라 분할 기점이 형성된 더미 웨이퍼를 피가공물로서 준비하고, 상기 지지 공정, DAF 분할 공정, 슈링크 공정 및 DAF 분할 확인 공정을 실시하는 경우도 포함한다. 이와 같이 더미 웨이퍼를 사용하여, 본 발명의 DAF 분할 확인 방법을 실시하고, DAF 분할 공정에 있어서, 다이싱 테이프를 확장할 때의 확장 속도, 확장량을 적정하게 조정함으로써, 정규의 웨이퍼(10)를 사용한 DAF 분할 공정의 실패가 회피되어, 경제적인 손실을 최소한으로 할 수 있다.Further, in the above-described embodiment, in carrying out the DAF division confirmation method of the present embodiment, a wafer 10 in which a plurality of devices 12 are partitioned by a division line 14 and formed on the surface 10a is prepared. However, the present invention is not limited thereto. The present invention uses, for example, a so-called dummy wafer in which no device 12 is formed on the surface, and is divided into a plurality of chips along a division scheduled line in the case where it is assumed that a plurality of devices 12 are formed on the surface. It also includes a case where a dummy wafer or a dummy wafer having a division starting point formed along the division scheduled line is prepared as a workpiece, and the supporting step, DAF division step, shrink step, and DAF division confirmation step are performed. In this way, using the dummy wafer, the DAF division confirmation method of the present invention is carried out, and in the DAF division step, the expansion speed and the expansion amount when the dicing tape is expanded are appropriately adjusted to obtain a regular wafer (10). Failure of the DAF segmentation process using

10: 웨이퍼 10a: 표면
10b: 이면 12: 디바이스
12': 디바이스 칩 14: 분할 예정 라인
18: DAF 20: 절삭 장치
22: 절삭 블레이드 30: 연삭 장치
31: 척 테이블 32: 유지면
34: 프레임체 36: 연삭 수단
362: 회전 스핀들 364: 휠 마운트
366: 연삭 휠 368: 연삭 지석
40: 레이저 가공 장치 41: 레이저 광선 조사 수단
42: 집광기 50: 분할 장치
51: 프레임 유지 수단 52: 분할 수단
53: 확장 드럼 100: 절삭홈
110: 분할 기점 T1: BG 테이프
T2: 다이싱 테이프 T3: 지지 부재
T4: 지지 부재10: wafer 10a: surface
10b: back side 12: device
12': device chip 14: line to be split
18: DAF 20: cutting device
22: cutting blade 30: grinding device
31: chuck table 32: holding surface
34: frame body 36: grinding means
362: rotating spindle 364: wheel mount
366: grinding wheel 368: grinding wheel
40: laser processing apparatus 41: laser beam irradiation means
42: condenser 50: division device
51: frame holding means 52: dividing means
53: expansion drum 100: cutting groove
110: division origin T1: BG tape
T2: dicing tape T3: support member
T4: support member

Claims (2)

웨이퍼의 이면에 배치된 DAF가 칩마다 적절하게 분할되었는지의 여부를 확인하는 DAF 분할 확인 방법으로서,
분할 예정 라인을 따라 복수의 칩으로 분할된 웨이퍼, 또는 분할 예정 라인을 따라 분할 기점이 형성된 웨이퍼의 이면에 DAF의 한쪽의 면을 배치하며, 상기 웨이퍼를 수용하는 개구를 구비한 환형의 프레임의 상기 개구에 웨이퍼를 위치시키고, DAF의 다른 쪽의 면에 다이싱 테이프를 접착하여, 상기 다이싱 테이프를 통해 DAF 및 웨이퍼를 상기 프레임에 지지하는 지지 공정과,
웨이퍼와 프레임 사이에 있는 다이싱 테이프를 확장하여 인접하는 칩끼리의 간격을 확장하며, DAF를 상기 칩에 대응하여 분할하는 DAF 분할 공정과,
웨이퍼와 프레임 사이에 있는 다이싱 테이프를 가열하여 늘어짐을 슈링크하는 슈링크 공정과,
웨이퍼의 표면에 지지 부재를 배치하여 다이싱 테이프를 DAF로부터 박리하는 다이싱 테이프 박리 공정과,
DAF가 각 칩에 대응하여 분할되어 있는지의 여부를 확인하는 DAF 분할 확인 공정으로 적어도 구성되는 DAF 분할 확인 방법.A DAF division confirmation method for confirming whether a DAF disposed on the back surface of a wafer is properly divided for each chip, comprising:
One side of the DAF is disposed on the back surface of a wafer divided into a plurality of chips along a scheduled division line or a wafer having a division starting point formed along a division scheduled line, the annular frame having an opening for accommodating the wafer. a supporting step of placing a wafer in the opening and adhering a dicing tape to the other side of the DAF to support the DAF and the wafer to the frame through the dicing tape;
A DAF division process of expanding the dicing tape between the wafer and the frame to extend the interval between adjacent chips, and dividing the DAF corresponding to the chips;
A shrink process of shrinking the sagging by heating the dicing tape between the wafer and the frame;
A dicing tape peeling step of disposing a support member on the surface of the wafer to peel the dicing tape from the DAF;
A DAF division confirmation method comprising at least a DAF division confirmation step of confirming whether or not the DAF is divided corresponding to each chip. 제1항에 있어서, 상기 DAF 분할 확인 공정에서, DAF가 각 칩에 대응하여 분할되지 않은 경우는, 상기 DAF 분할 공정에 있어서, 다이싱 테이프를 확장할 때의 확장 속도, 확장량을 조정하는 DAF 분할 확인 방법.The DAF according to claim 1, wherein, in the DAF division confirmation step, if the DAF is not divided corresponding to each chip, the DAF adjusts the expansion speed and the expansion amount when the dicing tape is expanded in the DAF division step How to check splits.
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