KR20220106532A - 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버 및 이의 제조방법 - Google Patents
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버 및 이의 제조방법이 개시된다. 일 실시 예는 마그네슘을 포함하는 기재; 상기 기재 상에 형성된 제1 화성처리층; 상기 제1 화성처리층 상에 형성된 벤딩보완층; 상기 벤딩보완층 상에 형성된 컬러층; 및 상기 컬러층 상에 형성된 UV 몰딩층;을 포함한다. 그 외에도 다양한 실시 예들이 가능하다.
Description
아래의 개시는 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
전자 장치라 함은, 가전제품으로부터, 전자 수첩, 휴대용 멀티미디어 재생기, 이동통신 단말기, 태블릿 PC, 영상/음향 장치, 데스크탑/랩탑 컴퓨터, 차량용 내비게이션 등, 탑재된 프로그램에 따라 특정 기능을 수행하는 장치를 의미할 수 있다. 예를 들면, 이러한 전자 장치들은 저장된 정보를 음향이나 영상으로 출력할 수 있다. 전자 장치의 집적도가 높아지고, 초고속, 대용량 무선통신이 보편화되면서, 최근에는, 이동통신 단말기와 같은 하나의 전자 장치에 다양한 기능이 탑재될 수 있다. 예를 들면, 통신 기능뿐만 아니라, 게임과 같은 엔터테인먼트 기능, 음악/동영상 재생과 같은 멀티미디어 기능, 모바일 뱅킹 등을 위한 통신 및 보안 기능, 일정 관리나 전자 지갑 등의 기능이 하나의 전자 장치에 집약되고 있다.
전자 장치는 다양한 재질로 마련된 커버를 포함하고, 전자 장치 커버는 외부 충격으로부터 전자 장치 내부의 부품들을 보호한다. 전자 장치 커버는 사용자가 휴대하기 용이하고, 사용 시 사용자에게 미려감을 제공하도록 제조될 수 있다.
마그네슘(Mg)은 알루미늄(Al)보다 무게가 33% 이상 가벼워 휴대용 범용 전자 기기에의 사용에 적합하다. 이러한 마그네슘(Mg)은 산화가 쉽게 발생하고 피막 형성을 위한 표면처리(예: 아노다이징(anodizing))를 하기 어려워서, 전자 장치 커버에 사용되기 위해서 용사 코팅과 같은 방법으로 도장 처리하는 방법이 주로 이용되었다.
다양한 실시 예에 따르면, 마그네슘 소재의 기재(substrate) 상에 여러 겹의 층이 형성된 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버를 제공한다.
다양한 실시 예에 따르면, 마그네슘 소재의 기재 상에 여러 겹의 층을 형성하여 마그네슘 금속의 산화를 방지하고 다양한 색상 및 패턴이 부여된 전자 장치 커버를 제공한다.
일 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버는, 마그네슘을 포함하는 기재(substrate); 상기 기재 상에 형성된 제1 화성처리층; 상기 제1 화성처리층 상에 형성된 벤딩보완층; 상기 벤딩보완층 상에 형성된 컬러층; 및 상기 컬러층 상에 형성된 UV 몰딩층을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 제조방법은, 마그네슘을 포함하는 기재를 준비하는 공정; 상기 기재 상에 제1 화성처리층을 형성하는 공정; 상기 제1 화성처리층 상에 벤딩보완층을 형성하는 공정; 상기 벤딩보완층 상에 컬러층을 형성하는 공정; 상기 컬러층 상에 UV 몰딩층을 형성하는 공정; 및 상기 UV 몰딩층을 경화하는 공정을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 마그네슘 소재의 기재 상에 여러 겹의 층이 형성된 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버를 제공할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 마그네슘 소재의 기재 상에 여러 겹의 층을 형성하여 마그네슘 금속의 산화를 방지하고 다양한 색상 및 패턴이 부여된 전자 장치 커버를 제공할 수 있다.
도 1은, 다양한 실시 예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 다양한 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 단면도이다.
도 3은 다양한 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 단면도이다.
도 4는 다양한 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 단면도이다.
도 5는 다양한 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 단면도이다.
도 6은 다양한 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 단면도이다.
도 7은 일 실시 예에 따른 전자 장치 커버의 제조방법에 대한 흐름도이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치 커버의 제조방법에 대한 흐름도이다.
도 9는 일 실시 예에 따른 전자 장치 커버의 제조방법에 대한 흐름도이다.
도 10은 일 실시 예에 따른 전자 장치 커버의 제조방법에 대한 흐름도이다.
도 2는 다양한 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 단면도이다.
도 3은 다양한 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 단면도이다.
도 4는 다양한 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 단면도이다.
도 5는 다양한 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 단면도이다.
도 6은 다양한 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 단면도이다.
도 7은 일 실시 예에 따른 전자 장치 커버의 제조방법에 대한 흐름도이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치 커버의 제조방법에 대한 흐름도이다.
도 9는 일 실시 예에 따른 전자 장치 커버의 제조방법에 대한 흐름도이다.
도 10은 일 실시 예에 따른 전자 장치 커버의 제조방법에 대한 흐름도이다.
이하, 실시 예들을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은, 다양한 실시 예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다.
도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
이하, 전자 장치(101)의 외형을 형성하는 전자 장치 커버를 다양한 실시 예를 통해 상술하도록 한다.
도 2는 다양한 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 단면도이다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치는 커버를 포함할 수 있다. 커버 부재는 마그네슘이 주 재료로 이루어진 합금을 포함할 수 있고, 외부로 표현되는 금속 질감을 통해 미려감을 제공할 수 있다. 마그네슘을 포함하는 전자 장치 커버는 알루미늄에 비해 상대적으로 낮은 비중으로 구성되어, 휴대에 용이한 가벼운 전자 장치를 제공할 수 있다.
도 2를 참조하면, 전자 장치 커버(200)는 마그네슘을 포함하는 기재(210), 제1 화성처리층(220), 벤딩보완층(230), 컬러층(240) 및 UV 몰딩층(250)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 화성처리층(220)은 기재(210) 상에 형성될 수 있다. 제1 화성처리층(220)은, 기재(210)의 일부를 덮도록 형성될 수 있고, 기재(210)의 전(全)면을 덮도록 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 화성처리층(220)은 마그네슘 산화피막을 포함할 수 있다. 제1 화성처리층(220)은 크롬산마그네슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 산화규소 및 산화티타늄으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 화성처리층은 산화되기 쉬운 마그네슘 소재의 기재(210)의 일부 또는 전부를 덮도록 형성될 수 있으며, 물과 산소가 접촉하지 못하도록 기재(210)를 보호할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 벤딩보완층(230)은, 제1 화성처리층(220) 상에 형성될 수 있다. 벤딩보완층(230)은, 전자 장치 커버(200)의 제조과정에 포함될 수 있는, 형상을 변형하는 공정에 있어 변형에도 불구하고 끊어지거나 갈라지는 등의 크랙이 발생하지 않는 것일 수 있다. 벤딩보완층(230)은, 제1 화성처리층(220) 및 컬러층(240) 사이에 위치할 수 있다. 제1 화성처리층(220) 상에 컬러층(240)을 바로 형성하는 경우 접착력이 충분하지 않아 컬러층(240)이 쉽게 떨어질 수 있다. 벤딩보완층(230)은 제1 화성처리층(220) 상에 형성되어 접착력을 보완할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 벤딩보완층(230)은 에폭시계 고분자를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 컬러층(240)은 벤딩보완층(230) 상에 형성될 수 있다. 컬러층(240)은, 전자 장치 커버(200)의 전체적인 색감을 형성하고 소비자로 하여금 미감을 불러일으키는 것일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, UV 몰딩층(250)은 컬러층(240) 상에 형성될 수 있다. UV 몰딩층(250)은 전자 장치 커버(200)의 최외부에 형성될 수 있으며, UV 몰딩층(250)은 형태에 따라 입사되는 빛의 반사 상태를 결정할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, UV 몰딩층(250)은 관능기를 두 개 가지는 모노머를 포함할 수 있다. UV 몰딩층(250)은 관능기를 두 개 가지는 UV 경화성 모노머를 포함할 수 있다. UV 몰딩층(250)은 HDDA(hexanediol diacrylate), TPGDA(tripropylene glycol diacrylate), HPA(hydroxypropyl acrylate) 및 2-HEMA(2-hydroxyethyl methacrylate)를 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나의 2관능기 모노머를 포함할 수 있다. UV 몰딩층(250)은 HDDA(hexanediol diacrylate), TPGDA(tripropylene glycol diacrylate), HPA(hydroxypropyl acrylate) 및 2-HEMA(2-hydroxyethyl methacrylate)를 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나의 아크릴레이트계 모노머를 포함할 수 있다. 2관능기 모노머는, 관능기를 세 개 이상 가지는 모노머에 비해, 경화된 이후 가공성 및 유연성이 우수하여, 형상이 변형되도 크랙이 발생하지 않을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, UV 몰딩층(250)은 연필경도가 F 이상일 수 있다. 연필경도는 연필심으로 1 kgf 하중으로 표면을 눌러 그었을 때 층 표면에 자국이 생기거나 결함이 생기는 것에 대한 저항성을 측정하는 것으로서, ASTM D 3363에 따라 측정될 수 있다. 연필경도는 9B(강연성) 내지 9H(강경성)까지 분류될 수 있으며, 이 때, 9B에 가깝게 측정될수록 연필경도가 낮아지는 것이고, 9H에 가깝게 측정될수록 연필경도가 높아진다.
일 실시 예에 따르면, 벤딩보완층(230) 및 UV 몰딩층(250)은 크랙-프리일 수 있다. 벤딩보완층(230) 및 UV 몰딩층(250)은 전자 장치 커버(200)의 제조과정 상 형상을 변형하는 공정이 수행될 때 변형이 가해지면서 늘어나거나 수축될 수 있으며, 변형에 따른 크랙이 발생하지 않을 수 있다. 벤딩보완층 및 UV 몰딩층에 결함이 형성되면 산소 및 물과 마그네슘 소재의 기재(210)가 접촉하여 마그네슘이 산화될 수 있다. 벤딩보완층(230) 및 UV 몰딩층(250)은 변형이 가해져도 결함이 발생하지 않을 수 있도록 유연성이 요구될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 벤딩보완층(230) 및 UV 몰딩층(250)은 크랙-프리일 수 있다. 크랙 유무는, 1,000 lux의 광원 하에서 육안으로 식별되는지 여부를 통해 결정될 수 있다. 벤딩보완층(230) 및 UV 몰딩층(250)에 크랙이 발생하는 경우, 염수분무, 내완충, 내열탕 등의 침적을 통한 신뢰성 검사에서 기재(210)에 부식이 발생할 수 있다.
도 3은 다양한 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 전자 장치 커버(300)는, 마그네슘을 포함하는 기재(310)(도 2의 기재(210)), 제1 화성처리층(320)(도 2의 제1 화성처리층(220)), 벤딩보완층(330)(도 2의 벤딩보완층(230)), 컬러층(340)(도 2의 컬러층(240)) 및 UV 몰딩층(350)을 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, UV 몰딩층(350)의 적어도 일 영역은 패턴을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, UV 몰딩층(350)은 표면에 첨탑 형태의 패턴을 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, UV 몰딩층(250)이 평평한 경우 UV 몰딩층(250)에 입사된 빛은 정반사될 수 있고, 그렇지 않은 경우 UV 몰딩층(350)에 입사된 빛은 난반사될 수 있다. UV 몰딩층의 표면에 형성된 패턴의 형태에 따라 반사되는 빛의 상태가 결정될 수 있으며, 이는 전자 장치 커버의 광택 여부를 결정할 수 있다. UV 몰딩층(250)이 평평한 경우 입사된 빛이 정반사되어 전자 장치 커버(200)가 유광을 띨 수 있으며, 패턴이 형성된 UV 몰딩층(350)의 경우 입사된 빛이 난반사되어 전자 장치 커버(300)가 무광을 띨 수 있다.
도 4는 다양한 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 전자 장치 커버(400)는, 마그네슘을 포함하는 기재(410)(도 2의 기재(210)), 제1 화성처리층(420)(도 2의 제1 화성처리층(220)), 벤딩보완층(430)(도 2의 벤딩보완층(230)), 금속 증착층(460), 컬러층(440)(도 2의 컬러층(240)) 및 UV 몰딩층(450)(도 2의 UV 몰딩층(250))을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 금속 증착층(460)은 벤딩보완층(430) 상에 형성될 수 있다. 금속 증착층(460)은 벤딩보완층(430) 및 컬러층(440)의 사이에 형성될 수 있다. 금속 증착층(460)은 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다. 금속 증착층(460)은 전자 장치 커버(400)에 금속 재질감을 부여하여 사용자가 전자 장치를 사용하는 동안 심미감을 느끼도록 할 수 있다.
도 5는 다양한 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 전자 장치 커버(500)는, 마그네슘을 포함하는 기재(510)(도 2의 기재(210)), 제1 화성처리층(520)(도 2의 제1 화성처리층(220)), 벤딩보완층(530)(도 2의 벤딩보완층(230)), 컬러층(540)(도 2의 컬러층(240)) 및 UV 몰딩층(550)(도 2의 UV 몰딩층(250))을 포함할 수 있다.
도 5를 참조하면, 전자 장치 커버(500)는, 절단부(570), 제2 화성처리층(580) 및 전착 도장층(590)을 더 형성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치 커버(500)는 절단 공정이 수행되어 절단부가 형성될 수 있다. 다양한 전자 장치의 규격을 맞추기 위해서는 그 크기를 고려하여 기재(510)에 대해 절단이 수행될 수 있으며, 이 때 기재(510)가 외부와 맞닿도록 노출되어 절단부(570)가 형성될 수 있다. 절단부(570)는 기재(510), 제1 화성처리층(520), 벤딩보완층(530), 컬러층(540) 및 UV 몰딩층(550)의 적어도 일 부분과 맞닿도록 형성될 수 있다. 제2 화성처리층(580)은 절단부(570)를 덮도록 절단부 상에 형성될 수 있다. 제2 화성처리층(580)은 기재(510)가 외부와 접촉하지 못하도록 기재(510)를 보호하고 산화를 미연에 방지할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 화성처리층(580)은 지르코늄을 포함할 수 있다. 제2 화성처리층(580)은 투명한 색을 띨 수 있으며, 제1 화성처리층(520)(도 2의 제1 화성처리층(220)), 컬러층(540)(도 2의 컬러층(240)) 또는 UV 몰딩층(550)(도 2의 UV 몰딩층(250))의 색을 오염시키지 않을 수 있다. 제2 화성처리층(580)은 지르코늄을 포함하는 것으로서, 전기가 통할 수 있으며, 전착 도장에 적합한 것일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전착 도장층(590)은 제2 화성처리층(580) 상에 형성될 수 있다. 전착 도장층(590)은 에폭시계 또는 아크릴계 전착 도료를 포함할 수 있다. 전착 도장층(590)은 제2 화성처리층(580)을 외부로부터 보호하고, 일정한 두께(예: 10 ㎛ 내지 20 ㎛)로 균일하게 형성될 수 있다.
도 6은, 다양한 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 전자 장치 커버(600)는, 마그네슘을 포함하는 기재(610)(도 2의 기재(210)), 제1 화성처리층(620)(도 2의 제1 화성처리층(220)), 벤딩보완층(630)(도 2의 벤딩보완층(230)), 금속 증착층(660)(도 4의 금속 증착층(460)), 컬러층(640)(도 2의 컬러층(240)) 및 UV 몰딩층(650)(도 2의 UV 몰딩층(250))을 포함할 수 있다.
도 6을 참조하면, 전자 장치 커버(600)는, 절단부(670), 제2 화성처리층(680) 및 전착 도장층(690)을 더 형성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 금속 증착층(660)은 벤딩보완층(630) 상에 형성될 수 있다. 금속 증착층(660)은 벤딩보완층(630) 및 컬러층(640)의 사이에 형성될 수 있다. 금속 증착층(660)은 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다. 금속 증착층(660)은 전자 장치 커버(600)에 금속 재질감을 부여하여 사용자가 전자 장치를 사용하는 동안 심미감을 느끼도록 할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치 커버(600)는 절단 공정이 수행되어 절단부가 형성될 수 있다. 다양한 전자 장치의 규격을 맞추기 위해서는 그 크기를 고려하여 기재(610)에 대해 절단이 수행될 수 있으며, 이 때 기재(610)가 외부와 맞닿도록 노출되어 절단부(670)가 형성될 수 있다. 절단부(670)는 기재(610), 제1 화성처리층(620), 벤딩보완층(630), 금속 증착층(660), 컬러층(640) 및 UV 몰딩층(650)의 적어도 일 부분과 맞닿도록 형성될 수 있다. 제2 화성처리층(680)은 절단부(670)를 덮도록 절단부 상에 형성될 수 있다. 제2 화성처리층(680)은 기재(610)가 외부와 접촉하지 못하도록 기재(610)를 보호하고 산화를 미연에 방지할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 화성처리층(680)은 지르코늄을 포함할 수 있다. 제2 화성처리층(680)은 투명한 색을 띨 수 있으며, 제1 화성처리층(620)(도 2의 제1 화성처리층(220)), 컬러층(640)(도 2의 컬러층(240)) 또는 UV 몰딩층(650)(도 2의 UV 몰딩층(250))의 색을 오염시키지 않을 수 있다. 제2 화성처리층(680)은 지르코늄을 포함하는 것으로서, 전기가 통할 수 있으며, 전착 도장에 적합한 것일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전착 도장층(690)은 제2 화성처리층(680) 상에 형성될 수 있다. 전착 도장층(690)은 에폭시계 또는 아크릴계 전착 도료를 포함할 수 있다. 전착 도장층(690)은 제2 화성처리층(680)을 외부로부터 보호하고, 일정한 두께(예: 10 ㎛ 내지 20 ㎛)로 균일하게 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 벤딩보완층(예: 도 2의 벤딩보완층(230))은, 에폭시계 고분자를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버는, 벤딩보완층(예: 도 4의 벤딩보완층(430)) 및 컬러층(예: 도 4의 컬러층(440)) 사이에 형성되는 금속 증착층(예: 도 4의 금속 증착층(460))을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 금속 증착층(예: 도 4의 금속 증착층(460))은, 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 UV 몰딩층(예: 도 2의 UV 몰딩층(250))은, HDDA, TPGDA, HPA 및 2-HEMA를 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나의 2관능기 모노머를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 UV 몰딩층(예: 도 2의 UV 몰딩층(250))은, 연필경도가 F 이상일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 화성처리층(예: 도 2의 제1 화성처리층(220))은, 크롬산마그네슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 산화규소 및 산화티타늄으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 벤딩보완층(예: 도 2의 벤딩보완층(230)) 및 UV 몰딩층(예: 도 2의 UV 몰딩층(250))은, 크랙-프리일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, UV 몰딩층(예: 도 2의 UV 몰딩층(250))의 적어도 일 영역은, 패턴을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버는, 절단부(예: 도 5의 절단부(570))를 더 포함하고, 절단부 상에 형성된 제2 화성처리층(예: 도 5의 제2 화성처리층(580)) 및 제2 화성처리층 상에 형성된 전착 도장층(예: 도 5의 전착 도장층(590))을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 화성처리층(예: 도 5의 제2 화성처리층(580))은, 지르코늄을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전착 도장층(예: 도 5의 전착 도장층(590))은, 10 ㎛ 내지 20 ㎛의 두께로 형성될 수 있다.
도 7은 일 실시 예에 따른 전자 장치 커버의 제조방법에 대한 흐름도이다.
도 7을 참조하면, 전자 장치 커버의 제조방법은 마그네슘을 포함하는 기재를 준비하는 공정(701), 제1 화성처리층을 형성하는 공정(702), 벤딩보완층을 형성하는 공정(703), 컬러층을 형성하는 공정(704), UV 몰딩층을 형성하는 공정(705), 및 UV 몰딩층을 경화하는 공정(706)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 기재는 캐스팅(casting) 성형, 프레스(press) 성형 또는 CNC 성형을 통해 마련할 수 있다. 기재는 일반 마그네슘 계열 또는 마그네슘-리튬(Mg-Li) 합금을 포함할 수 있다. 일 예시로서, 기재는 일반 마그네슘 계열로서 AZ31B, AZ91 및 AZ91D로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 화성처리층을 형성하는 공정(702)은 기재 상에 제1 화성처리층을 형성할 수 있다. 제1 화성처리층이 기재의 일부를 덮도록 형성될 수 있고, 기재의 전(全)면을 덮도록 제1 화성처리층을 형성하는 공정이 수행될 수 있다. 제1 화성처리층을 형성하는 공정(702)은 크롬산나트륨(Na2CrO4), 크롬산칼륨(K2CrO4), 크롬산암모늄((NH4)2CrO4), 크롬산칼슘(CaCrO4), 크롬산아연(ZnCrO4), 중크롬산나트륨(Na2Cr2O7), 중크롬산칼륨(K2Cr2O7) 및 중크롬산암모늄((NH4)2Cr2O7)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 크롬산염 화합물을 이용하여 수행되는 것이거나, 마이크로 아크 옥시데이션(MAO; micro arc oxidation)을 이용하여 수행될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 벤딩보완층을 형성하는 공정(703)은 제1 화성처리층 상에 벤딩보완층을 형성할 수 있다. 벤딩보완층은 에폭시계 고분자를 포함할 수 있으며, 제1 화성처리층 상에 스프레이 코팅을 통해 에폭시계 고분자를 포함하는 벤딩보완층을 형성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 컬러층을 형성하는 공정(704)은 벤딩보완층 상에 컬러층을 형성할 수 있다. 색을 띠는 컬러 도료를 스프레이 코팅하여 벤딩보완층 상에 컬러층을 형성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, UV 몰딩층을 형성하는 공정(705)은 컬러층 상에 UV 몰딩층을 형성할 수 있다. UV 몰딩층을 형성하는 공정(705)은 패턴 형성을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, UV 몰딩층을 형성하는 공정(705)은 컬러층 상에 UV 경화성 수지를 도포하는 공정(미도시) 및 패턴이 형성된 스탬프를 이용하여 UV 경화성 수지를 프레싱하는 공정(미도시)을 포함할 수 있다. 스탬프에 형성된 패턴에 의해 UV 경화성 수지에 상기 패턴과 반대로 패턴이 형성될 수 있다. 양각 또는 음극 패턴이 형성된 스탬프를 이용하여 UV 경화성 수지를 프레싱하면, 상기 패턴과 반대로 UV 경화성 수지에 패턴이 형성될 수 있다.
도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치 커버의 제조방법에 대한 흐름도이다.
도 8을 참조하면, 전자 장치 커버의 제조방법은 마그네슘을 포함하는 기재를 준비하는 공정(801)(도 7의 기재를 준비하는 공정(701)), 제1 화성처리층을 형성하는 공정(802)(도 7의 제1 화성처리층을 형성하는 공정(702)), 벤딩보완층을 형성하는 공정(803)(도 7의 벤딩보완층을 형성하는 공정(703)), 컬러층을 형성하는 공정(804)(도 7의 컬러층을 형성하는 공정(704)), UV 몰딩층을 형성하는 공정(805)(도 7의 UV 몰딩층을 형성하는 공정(705)), UV 몰딩층을 경화하는 공정(806)(도 7의 UV 몰딩층을 경화하는 공정(706)), UV 몰딩층이 형성된 기재의 형상을 변형하는 공정(807), 및 UV 몰딩층을 제2 경화하는 공정(808)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 변형하는 공정(807)은 상기 기재를 구부리되, 곡률 반경이 1.0 ㎜ 미만이 되도록 구부리는 경우, 3회 이상의 구분 동작으로 분할하여 구부릴 수 있다. 곡률 반경이 1.0 ㎜ 미만이 되도록 구부리는 경우 급격하게 구부릴 경우 기재, 제1 화성처리층, 벤딩보완층, 컬러층 또는 UV 몰딩층에 결함이 발생할 수 있으며, 구분 동작으로 분할하여 구부릴 수 있다. 구분된 변형 공정 사이에는 안정화 공정이 수행될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 변형하는 공정(807)은 상기 기재의 최외곽으로부터 3 ㎜ 이상의 간격을 두고 위치하는 기준선을 중심으로 변형이 수행될 수 있다. 시트 형태를 가지는 기재의 측면을 최외곽이라고 지칭할 수 있다. 기재의 최외곽으로부터 3 ㎜ 이하의 영역에서 변형이 수행될 경우, 제1 화성처리층, 벤딩보완층, 컬러층 또는 UV 몰딩층에 결함이 발생할 수 있으며, 충분한 간격(예: 3 ㎜ 이상)을 두고 떨어진 기준선을 중심으로 변형이 수행될 수 있다.
도 9는 일 실시 예에 따른 전자 장치 커버의 제조방법에 대한 흐름도이다.
도 9를 참조하면, 전자 장치 커버의 제조방법은 마그네슘을 포함하는 기재를 준비하는 공정(901)(도 7의 기재를 준비하는 공정(701)), 제1 화성처리층을 형성하는 공정(902)(도 7의 제1 화성처리층을 형성하는 공정(702)), 벤딩보완층을 형성하는 공정(903)(도 7의 벤딩보완층을 형성하는 공정(703)), 컬러층을 형성하는 공정(904)(도 7의 컬러층을 형성하는 공정(704)), UV 몰딩층을 형성하는 공정(905)(도 7의 UV 몰딩층을 형성하는 공정(705)), UV 몰딩층을 경화하는 공정(906)(도 7의 UV 몰딩층을 경화하는 공정(706)), 기재를 절단하는 공정(909), 제2 화성처리층을 형성하는 공정(910), 및 전착 도장층을 형성하는 공정(911)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 기재를 절단하는 공정(909)은 다이아 커팅 또는 CNC 가공을 통해 수행될 수 있다. CNC 가공의 공구는, PCD 또는 MCD를 사용할 수 있으며, 가공 시간은 약 1분 내지 2분 동안 수행될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전착 도장층을 형성하는 공정(911) 이후에, 세척하는 공정(미도시) 및 수세하는 공정(미도시)이 더 수행될 수 있다. 세척 공정은 40 ℃ 내지 45 ℃의 알코올 함유 세척액을 이용하여 120초 이하의 시간동안 디핑 세척으로 수행될 수 있다. 수세 공정은 증류수를 이용하여 수행될 수 있다.
도 10은 일 실시 예에 따른 전자 장치 커버의 제조방법에 대한 흐름도이다.
도 10을 참조하면, 전자 장치 커버의 제조방법은 마그네슘을 포함하는 기재를 준비하는 공정(1001)(도 7의 기재를 준비하는 공정(701)), 제1 화성처리층을 형성하는 공정(1002)(도 7의 제1 화성처리층을 형성하는 공정(702)), 벤딩보완층을 형성하는 공정(1003)(도 7의 벤딩보완층을 형성하는 공정(703)), 금속을 증착하는 공정(1012), 컬러층을 형성하는 공정(1004)(도 7의 컬러층을 형성하는 공정(704)), UV 몰딩층을 형성하는 공정(1005)(도 7의 UV 몰딩층을 형성하는 공정(705)), 및 UV 몰딩층을 경화하는 공정(1006)(도 7의 UV 몰딩층을 경화하는 공정(706))을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 금속을 증착하는 공정(1012)은 벤딩보완층을 형성하는 공정(1003) 이후에 형성될 수 있으며, 물리적 기상 증착법(PVD)을 통해 수행될 수 있다. 벤딩보완층 상에 형성된 금속 증착층은, 전자 장치 커버에 금속 재질감을 부여하여 사용자가 전자 장치를 사용하는 동안 심미감을 느끼도록 할 수 있다. 금속을 증착하는 공정은 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 물리적 기상 증착법을 통해 벤딩보완층 상에 증착하여 수행될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 화성처리층을 형성하는 공정(예: 도 7의 제1 화성처리층을 형성하는 공정(702))은, 크롬산나트륨(Na2CrO4), 크롬산칼륨(K2CrO4), 크롬산암모늄((NH4)2CrO4), 크롬산칼슘(CaCrO4), 크롬산아연(ZnCrO4), 중크롬산나트륨(Na2Cr2O7), 중크롬산칼륨(K2Cr2O7) 및 중크롬산암모늄((NH4)2Cr2O7)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 크롬산염 화합물을 이용하여 수행되거나, 마이크로 아크 옥시데이션(MAO; micro arc oxidation)을 이용하여 수행될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 경화하는 공정(예: 도 8의 UV 몰딩층을 경화하는 공정(806)) 이후에, UV 몰딩층이 형성된 기재의 형상을 변형하는 공정(예: 도 8의 UV 몰딩층이 형성된 기재의 형상을 변형하는 공정(807)) 및 UV 몰딩층을 제2 경화하는 공정(예: 도 8의 UV 몰딩층을 제2 경화하는 공정(808))을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 변형하는 공정(예: 도 8의 UV 몰딩층이 형성된 기재의 형상을 변형하는 공정(807))은, 상기 기재를 구부리되, 곡률 반경이 1.0 ㎜ 미만이 되도록 구부리는 경우, 3회 이상의 구분 동작으로 분할하여 구부리는 것일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 변형하는 공정(예: 도 8의 UV 몰딩층이 형성된 기재의 형상을 변형하는 공정(807))은, 상기 기재의 최외곽으로부터 3 ㎜ 이상의 간격을 두고 위치하는 기준선을 중심으로 변형이 수행될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 경화하는 공정(예: 도 9의 UV 몰딩층을 경화하는 공정(906)) 이후에, 상기 기재를 절단하는 공정(예: 도 9의 기재를 절단하는 공정(909)), 절단에 의한 절단부 상에, 제2 화성처리층을 형성하는 공정(예: 도 9의 제2 화성처리층을 형성하는 공정(910)) 및 제2 화성처리층 상에 전착 도장층을 형성하는 공정(예: 도 9의 전착 도장층을 형성하는 공정(911))을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 벤딩보완층을 형성하는 공정(예: 도 10의 벤딩보완층을 형성하는 공정(1003)) 이후에, 물리적 기상 증착법(PVD)으로 금속을 증착하는 공정(예: 도 10의 금속을 증착하는 공정(1012))을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, UV 몰딩층을 형성하는 공정(예: 도 7의 UV 몰딩층을 형성하는 공정(705))은, 패턴 형성을 포함할 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시 예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시 예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시 예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1", "제2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시 예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시 예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시 예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일 실시 예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
200, 300, 400, 500, 600: 전자 장치 커버
210, 310, 410, 510, 610: 마그네슘을 포함하는 기재
220, 320, 420, 520, 620: 제1 화성처리층
230, 330, 430, 530, 630: 벤딩보완층
240, 340, 440, 540, 640: 컬러층
250, 350, 450, 550, 650: UV 몰딩층
460, 660: 금속 증착층
570, 670: 절단부
580, 680: 제2 화성처리층
590, 690: 전착 도장층
701, 801, 901, 1001: 마그네슘을 포함하는 기재를 준비하는 공정
702, 802, 902, 1002: 제1 화성처리층을 형성하는 공정
703, 803, 903, 1003: 벤딩보완층을 형성하는 공정
704, 804, 904, 1004: 컬러층을 형성하는 공정
705, 805, 905, 1005: UV 몰딩층을 형성하는 공정
706, 806, 906, 1006: UV 몰딩층을 경화하는 공정
807: UV 몰딩층이 형성된 기재의 형상을 변형하는 공정
808: UV 몰딩층을 제2 경화하는 공정
909: 기재를 절단하는 공정
910: 제2 화성처리층을 형성하는 공정
911: 전착 도장층을 형성하는 공정
1012: 금속을 증착하는 공정
210, 310, 410, 510, 610: 마그네슘을 포함하는 기재
220, 320, 420, 520, 620: 제1 화성처리층
230, 330, 430, 530, 630: 벤딩보완층
240, 340, 440, 540, 640: 컬러층
250, 350, 450, 550, 650: UV 몰딩층
460, 660: 금속 증착층
570, 670: 절단부
580, 680: 제2 화성처리층
590, 690: 전착 도장층
701, 801, 901, 1001: 마그네슘을 포함하는 기재를 준비하는 공정
702, 802, 902, 1002: 제1 화성처리층을 형성하는 공정
703, 803, 903, 1003: 벤딩보완층을 형성하는 공정
704, 804, 904, 1004: 컬러층을 형성하는 공정
705, 805, 905, 1005: UV 몰딩층을 형성하는 공정
706, 806, 906, 1006: UV 몰딩층을 경화하는 공정
807: UV 몰딩층이 형성된 기재의 형상을 변형하는 공정
808: UV 몰딩층을 제2 경화하는 공정
909: 기재를 절단하는 공정
910: 제2 화성처리층을 형성하는 공정
911: 전착 도장층을 형성하는 공정
1012: 금속을 증착하는 공정
Claims (20)
- 마그네슘을 포함하는 기재(substrate);
상기 기재 상에 형성된 제1 화성처리층;
상기 제1 화성처리층 상에 형성된 벤딩보완층;
상기 벤딩보완층 상에 형성된 컬러층; 및
상기 컬러층 상에 형성된 UV 몰딩층;
을 포함하는,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버.
- 제1항에 있어서,
상기 벤딩보완층은, 에폭시계 고분자를 포함하는 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버.
- 제1항에 있어서,
상기 벤딩보완층 및 컬러층 사이에 형성되는 금속 증착층;을 더 포함하는 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버.
- 제3항에 있어서,
상기 금속 증착층은, 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버.
- 제1항에 있어서,
상기 UV 몰딩층은, HDDA, TPGDA, HPA 및 2-HEMA를 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나의 2관능기 모노머를 포함하는 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버.
- 제1항에 있어서,
상기 UV 몰딩층은, 연필경도가 F 이상인 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 화성처리층은, 크롬산마그네슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 산화규소 및 산화티타늄으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버.
- 제1항에 있어서,
상기 벤딩보완층 및 UV 몰딩층은, 크랙-프리인 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버.
- 제1항에 있어서,
상기 UV 몰딩층의 적어도 일 영역은, 패턴을 포함하는 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버.
- 제1항에 있어서,
절단부;를 더 포함하고,
상기 절단부 상에 형성된 제2 화성처리층; 및
상기 제2 화성처리층 상에 형성된 전착 도장층;을 포함하는 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버.
- 제10항에 있어서,
상기 제2 화성처리층은, 지르코늄을 포함하는 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버.
- 제10항에 있어서,
상기 전착 도장층은, 10 ㎛ 내지 20 ㎛의 두께로 형성되는 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버.
- 마그네슘을 포함하는 기재(substrate)를 준비하는 공정;
상기 기재 상에 제1 화성처리층을 형성하는 공정;
상기 제1 화성처리층 상에 벤딩보완층을 형성하는 공정;
상기 벤딩보완층 상에 컬러층을 형성하는 공정;
상기 컬러층 상에 UV 몰딩층을 형성하는 공정; 및
상기 UV 몰딩층을 경화하는 공정;
을 포함하는,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 제조방법.
- 제13항에 있어서,
상기 제1 화성처리층을 형성하는 공정은,
크롬산나트륨(Na2CrO4), 크롬산칼륨(K2CrO4), 크롬산암모늄((NH4)2CrO4), 크롬산칼슘(CaCrO4), 크롬산아연(ZnCrO4), 중크롬산나트륨(Na2Cr2O7), 중크롬산칼륨(K2Cr2O7) 및 중크롬산암모늄((NH4)2Cr2O7)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 크롬산염 화합물을 이용하여 수행되는 것이거나,
마이크로 아크 옥시데이션(MAO; micro arc oxidation)을 이용하여 수행되는 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 제조방법.
- 제13항에 있어서,
상기 경화하는 공정 이후에,
상기 UV 몰딩층이 형성된 기재의 형상을 변형하는 공정; 및
상기 UV 몰딩층을 제2 경화하는 공정;을 더 포함하는 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 제조방법.
- 제15항에 있어서,
상기 변형하는 공정은,
상기 기재를 구부리되, 곡률 반경이 1.0 ㎜ 미만이 되도록 구부리는 경우, 3회 이상의 구분 동작으로 분할하여 구부리는 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 제조방법.
- 제15항에 있어서,
상기 변형하는 공정은, 상기 기재의 최외곽으로부터 3 ㎜ 이상의 간격을 두고 위치하는 기준선을 중심으로 변형이 수행되는 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 제조방법.
- 제13항에 있어서,
상기 경화하는 공정 이후에,
상기 기재를 절단하는 공정;
상기 절단에 의한 절단부 상에, 제2 화성처리층을 형성하는 공정; 및
상기 제2 화성처리층 상에 전착 도장층을 형성하는 공정;
을 더 포함하는 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 제조방법.
- 제13항에 있어서,
상기 벤딩보완층을 형성하는 공정 이후에,
물리적 기상 증착법(PVD)으로 금속을 증착하는 공정;을 더 포함하는 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 제조방법.
- 제13항에 있어서,
상기 UV 몰딩층을 형성하는 공정은, 패턴 형성을 포함하는 것인,
층상 구조를 가지는 전자 장치 커버의 제조방법.
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| CN202280011060.6A CN116803220A (zh) | 2021-01-22 | 2022-01-10 | 具有分层结构的电子装置盖板及其制造方法 |
| PCT/KR2022/000358 WO2022158771A1 (ko) | 2021-01-22 | 2022-01-10 | 층상 구조를 가지는 전자 장치 커버 및 이의 제조방법 |
| US18/209,191 US20230328909A1 (en) | 2021-01-22 | 2023-06-13 | Electronic device cover having layered structure and method for manufacturing same |
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|---|---|---|---|
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| KR101608783B1 (ko) * | 2009-12-23 | 2016-04-04 | 엘지전자 주식회사 | 필름코팅부재 및 이를 이용한 캐비닛을 포함하는 가전기기 |
| KR20130111704A (ko) * | 2012-04-02 | 2013-10-11 | 삼성전자주식회사 | 가전제품 외장재 |
| JP5727543B2 (ja) * | 2013-04-23 | 2015-06-03 | 住友電気工業株式会社 | マグネシウム基金属部材、及びマグネシウム基金属部材の製造方法 |
| KR102129908B1 (ko) * | 2013-05-31 | 2020-07-06 | 삼성전자주식회사 | 다층박막의 제조방법, 다층박막이 형성된 부재, 및 이를 포함하는 전자제품. |
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- 2022-01-10 WO PCT/KR2022/000358 patent/WO2022158771A1/ko active Application Filing
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