KR20220105761A - 저온 커팅 기술의 쏘잉용 척 테이블 - Google Patents

저온 커팅 기술의 쏘잉용 척 테이블 Download PDF

Info

Publication number
KR20220105761A
KR20220105761A KR1020210008509A KR20210008509A KR20220105761A KR 20220105761 A KR20220105761 A KR 20220105761A KR 1020210008509 A KR1020210008509 A KR 1020210008509A KR 20210008509 A KR20210008509 A KR 20210008509A KR 20220105761 A KR20220105761 A KR 20220105761A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chuck
cooling unit
sawing
refrigerant
insulating plate
Prior art date
Application number
KR1020210008509A
Other languages
English (en)
Inventor
이계복
Original Assignee
마이메이커 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마이메이커 주식회사 filed Critical 마이메이커 주식회사
Priority to KR1020210008509A priority Critical patent/KR20220105761A/ko
Publication of KR20220105761A publication Critical patent/KR20220105761A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • B28D5/0094—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being of the vacuum type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H01L35/32—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

냉각 수단을 구비한 웨이퍼 쏘잉용 척이 제공된다. 웨이퍼 쏘잉용 척은 상면에 쏘잉되는 웨이퍼를 흡착하는 포러스 척, 상기 포러스 척의 하부에 배치되고, 내부에 진공을 제공하는 진공 유로가 형성된 척 테이블, 상기 포러스 척과 척 테이블을 지지하는 테이블 프레임, 및 상기 테이블 프레임과 척 테이블 사이에 배치되고, 펠티어 소자를 이용하여 상기 척 테이블을 냉각시키는 냉각부를 포함한다.

Description

저온 커팅 기술의 쏘잉용 척 테이블{WAFER SAWING CHUCK INCLUDING LOW TEMPERATURE CUTTING TECHNOLOGY}
본 발명은 저온 커팅 기술의 쏘잉용 척 테이블에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 펠티어 소자를 이용한 냉각 효과를 이용하여 웨이퍼의 쏘잉 공정 중에 발생하는 열로 인한 블레이드 오염 및 칩 불량 발생을 방지하기 위한 쏘잉용 척 테이블에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 전면에 다이(die) 형성이 완료되면, 후공정을 진행하기 위해 각각의 다이를 분리하는 다이싱(dicing) 공정이 수행된다. 쏘잉(sawing) 공정은 고속으로 회전하는 블레이드를 이용하여 각각의 다이를 분리하는 공정이다.
도 1은 쏘잉 공정에서 발생할 수 있는 치핑(chipping) 현상을 설명하기 위한 도면이다. 도 1을 참조하면, 웨이퍼는 웨이퍼 마운트 테이프와 같은 접착 물질을 통해 척(chuck)과 고정되어 쏘잉 공정이 수행된다. 이 때 고속으로 회전하는 블레이드와 웨이퍼의 마찰에 의해 발생하는 열로 인해 접착 물질이 블레이드 표면에 전이됨으로써 블레이드의 폭이 확장되고, 이는 쏘잉이 수행되는 웨이퍼에도 손상을 가해 치핑을 발생시켜 불량으로 이어지게 된다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 쏘잉 공정에서 고속으로 회전하는 블레이드에 의해 발생하는 열로 인한 불량을 방지하기 위해 웨이퍼를 고정시키는 접착물질을 비활성화기 위한 냉각 수단을 구비한 웨이퍼 쏘잉용 척을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 척은 상면에 쏘잉되는 웨이퍼를 흡착하는 포러스 척, 상기 포러스 척의 하부에 배치되고, 내부에 진공을 제공하는 진공 유로가 형성된 척 테이블, 상기 포러스 척과 척 테이블을 지지하는 테이블 프레임, 및 상기 테이블 프레임과 척 테이블 사이에 배치되고, 펠티어 소자를 이용하여 상기 척 테이블을 냉각시키는 냉각부를 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 냉각부는, 내부에 동심원으로 배열되고 병렬 연결된 복수의 펠티어 소자를 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 냉각부는, 상기 복수의 펠티어 소자를 연결하는 상부 전극 및 하부 전극, 상기 상부 전극 상에 배치되는 상부 절연판과 상기 하부 전극의 하부에 배치되는 하부 절연판, 및 상기 상부 절연판 상에 배치되는 상부 열전도판 및 상기 하부 절연판의 하부에 배치되는 하부 열전도판을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 상부 열전도판 및 하부 열전도판은 구리, 알루미늄 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 상부 절연판과 하부 절연판은 세라믹을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 척 테이블 표면에 배치된 복수의 온도 센서, 상기 복수의 온도 센서로부터 측정된 상기 척 테이블의 표면 온도에 따라 상기 냉각부의 동작을 제어하고 상기 펠티어 소자에 전원을 공급하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제어부는 상기 척 테이블의 표면 온도가 섭씨 3도 내지 10도에서 유지되도록 상기 냉각부의 동작을 제어할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 테이블 프레임 내부에 형성된 냉매 유로, 및 상기 냉매 유로로 냉매를 공급하여 상기 테이블 프레임과 대향하는 냉각부의 접촉면을 냉각시키는 냉매 공급부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 냉매 공급부는 상기 냉각부의 동작과 동시에 상기 냉매 유로로 냉매를 공급할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 척 테이블 표면에 배치된 복수의 온도 센서를 더 포함하고, 상기 냉매 공급부는 상기 척 테이블의 표면 온도가 섭씨 3도 내지 10도에서 유지되도록 상기 냉매 유로로 냉매를 공급할 수 있다.
본 발명 몇몇 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 냉각부가 각각 상부 열전도판과 하부 열전도판을 포함함으로써, 상부 전극로부터 발생하는 냉각 효과를 고르게 척 테이블 표면으로 전달할 수 있다. 이를 통해 쏘잉 공정에서 발생하는 치핑 현상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 웨이퍼 쏘잉용 냉각부는 척 테이블의 표면 온도를 섭씨 3도 내지 10도로 유지시킴으로써 너무 높은 온도에서 발생하는 웨이퍼 마운트 테이블의 접착성분 활성화 또는 너무 낮은 온도에서 발생하는 접착력 저하를 방지할 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 쏘잉 공정에서 발생할 수 있는 치핑(chipping) 현상을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 척의 횡단면도이다.
도 3는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 척에 포함된 냉각부의 분해사시도이다.
도 4는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 척에 포함된 냉각부의 횡단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 몇몇 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 척의 횡단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성 요소 일 수도 있음은 물론이다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
도 2는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 척의 횡단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 척(1)은 포러스 척(10), 척 테이블(20), 테이블 프레임(30), 냉각부(100) 및 제어부(200)를 포함할 수 있다.
포러스 척(10)은 원판 형상으로 웨이퍼(W)의 크기에 대응할 수 있다. 포러스 척(10)은 쏘잉 공정이 수행되는 웨이퍼(W)를 흡인하여 지지할 수 있도록 진공이 유지될 수 있다. 포러스 척(10)은 내부에 미세한 기공이 형성된 다공성의 재료를 포함할 수 있다.
포러스 척(10)에는 쏘잉되는 웨이퍼(W)를 고정하고 칩의 비산을 방지하기 위해 웨이퍼 마운트 테이프가 부착된다. 상술한 것과 같이 쏘잉 공정에서 발생하는 블레이드의 열이 웨이퍼 마운트 테이프에 가해지면 테이프 접착 물질이 블레이드에 융착됨으로써 쏘잉되는 웨이퍼에 치핑 현상이 발생할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 척(1)은 이를 방지하기 위해 웨이퍼를 냉각시킬 수 있는 냉각부(100)를 포함할 수 있다.
척 테이블(20)은 포러스 척(10)을 지지하며, 포러스 척(10)에 대해 전기 신호, 에어 또는 진공을 공급할 수 있다. 척 테이블(20) 내부에는 진공 유지를 위한 흡입관이 형성될 수 있다.
척 테이블(20) 표면에는 온도를 감지할 수 있는 복수의 온도 센서가 부착될 수 있다. 복수의 온도 센서로부터 얻어진 온도 측정값은 제어부(200)로 전송될 수 있다.
냉각부(100)는 펠티어 소자를 이용하여 웨이퍼(W)의 후면(11)을 냉각시킬 수 있다. 구체적으로, 냉각부(100)는 서로 대향하는 제1 면(101)과 제2 면(102)을 포함하고, 제1 면(101)은 척 테이블(20)과 접촉하며 제2 면(102)은 테이블 프레임(30)과 접촉한다. 이 때 냉각부(100)에 포함된 펠티어 소자가 동작함으로써 제1 면(101)의 온도는 하강하고, 제2 면(102)의 온도는 상승함으로써 웨이퍼(W)의 후면(11)을 냉각할 수 있다. 이와 관련된 냉각부(100)의 구성은 후술한다.
제어부(200)는 냉각부(100)의 동작을 제어할 수 있다. 후술하는 것과 같이, 웨이퍼 마운트 테이프의 융착을 방지하기 위해 냉각부(100)의 동작에 의해 웨이퍼(W)와 접촉하는 포러스 척(10)의 온도가 섭씨 10도 이하로 유지되어야 하므로, 제어부(200)는 척 테이블(20)에 부착된 복수의 온도 센서로부터 전송된 온도 측정값에 기초하여 냉각부(100)의 동작을 제어하고 냉각부(100)에 포함된 펠티어 소자에 전원을 공급할 수 있다.
구체적으로, 제어부(200)는 포러스 척(10)과 척 테이블(20) 표면에 부착된 복수의 온도 센서로부터 얻어진 온도의 평균값이 섭씨 3도 내지 10도 사이에서 유지되도록 냉각부(100)를 제어할 수 있다.
도 3는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 척에 포함된 냉각 부의 분해사시도이며, 도 4는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 척에 포함된 냉각부의 횡단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 냉각부(100)는 펠티어 소자(110), 상부 전극(115), 하부 전극(120), 상부 절연판(125), 하부 절연판(130), 상부 열전도판(135) 및 하부 열전도판(140)을 포함할 수 있다.
펠티어 소자(110)는 PN접합된 반도체 소자에 공급되는 직류 전원에 따라 일면은 발열되고 타면은 흡열이 일어남으로써 전자 냉각을 수행하는 히트 펌프의 일종이다. 펠티어 소자(110)는 N타입 반도체(105)와 P타입 반도체(106)를 포함할 수 있다. 펠티어 소자(110)는 N타입 반도체(105)에 (+) 전압이 인가되고 P타입 반도체(106)에 (-) 전압을 인가하면 상부 전극(115)의 온도가 감소하고 하부 전극(120)의 온도가 증가하도록 동작한다.
상부 전극(115)의 상부에는 상부 절연판(125)과 상부 열전도판(135)이 차례로 적층되고, 하부 전극(115)의 상부에는 하부 절연판(130)과 하부 열전도판(140)이 하부 방향으로 차례로 적층된다.
상부 절연판(125)은 복수의 펠티어 소자(110) 사이를 연결하는 상부 전극(115) 사이를 절연시킬 수 있다. 상부 절연판(125)은 예를 들어 세라믹과 같이 열팽창 계수가 낮아 냉각부(100)의 냉각에도 변형이 적은 소재를 포함할 수 있다.
하부 절연판(130)은 복수의 펠티어 소자(110) 사이를 연결하는 하부 전극(120) 사이를 절연시킬 수 있다. 상부 절연판(125)과 유사하게 하부 절연판(130)은 세라믹과 같은 소재를 포함할 수 있다.
상부 열전도판(135)은 예를 들어 알루미늄, 구리와 같은 열전도율이 높은 금속을 포함하여, 상부 절연판(125)의 상면을 통해 전달된 펠티어 소자(110)로부터 발생하는 냉각효과를 척 테이블(20) 표면으로 고르게 전달할 수 있다. 이와 관련하여 도 5 및 도 6을 이용하여 더욱 자세하게 설명한다.
도 5는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 척에 포함된 펠티어 소자의 배치 형태를 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 복수의 펠티어 소자(110)들은 원형의 상부 절연판(125)과 하부 절연판(130) 사이에 동심원의 형태로 배치될 수 있다. 특히 복수의 펠티어 소자(110)들은 병렬로 연결된 복수의 펠티어 소자(110)들과 연결된 상부 전극(115)들은 불연속적으로 배치되기 때문에 상부 절연판(125) 상의 냉각점도 서로 이격되어 배치된다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 척에 포함된 냉각부(100)는 각각 상부 열전도판(135)과 하부 열전도판(140)을 포함함으로써, 상부 전극(115)으로부터 발생하는 냉각 효과를 고르게 척 테이블(20) 표면으로 전달할 수 있다.
도 6은 냉각부(100)가 동작할 때 척 테이블(20)의 복수의 표면 위치에서 온도 센서를 통해 측정된 온도 편차를 나타낸 그래프이다.
그래프에서 '비교례'는 상부 전극(115)에 상부 절연판(125)만이 적층되어 있는 경우 펠티어 소자(110)에 전압을 인가한 후 척 테이블(20) 표면에 배치된 복수의 온도 센서로부터 측정된 온도이고 '본 발명'은 도 3 및 4와 같이 상부 전극(115)에 상부 절연판(125)과 상부 열전도판(135)이 차례로 적층되어 있는 경우의 측정된 온도이다. 비교례의 경우 온도의 편차의 평균이 1.72도인 반면, 본 발명의 경우 0.57도로 척 테이블(20)의 표면 온도가 고르게 분포되는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 척(1)은 냉각부(100)에서 상부 절연판(125)과 접촉하는 상부 열전도판(135)을 포함함으로써 척 테이블(20) 표면으로 냉각 효과를 고르게 분포시키고, 쏘잉 공정 시 웨이퍼(W)의 온도를 고르게 냉각시킬 수 있다.
한편, 상술한 것과 같이 쏘잉 공정이 수행되는 웨이퍼(W)는 웨이퍼 마운트 테이프를 이용하여 포러스 척(10)에 부착된다. 이 때 웨이퍼(W) 하면의 온도는 섭씨 3도 내지 10도 사이에서 제어됨으로써 웨이퍼 냉각 효과와 테이프에 의한 접착 효과를 모두 유지할 수 있다. 이와 관련하여 도 7을 이용하여 더욱 자세하게 설명한다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 척의 온도 제어에 따른 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 7을 참조하면, 도 7의 (a), (b), (c)는 각각 포러스 척(10)의 표면 온도가 섭씨 23도, 10도, 영하 5도인 경우 웨이퍼 마운트 테이프의 절단면의 확대 사진이다. 섭씨 23도의 경우 테이크 절단면이 거칠고 접착 물질이 주변에 남아 있으며 접착성분이 활성화되어 있고, 영하 5도인 경우 접착 물질이 경화되어 접착력이 저해됨으로써 웨이퍼(W)가 접착되었을 때 쏘잉 공정에서 웨이퍼(W)의 위치가 이동될 위험성이 있다.
따라서 위와 같이 높은 온도로 인한 접착성분의 활성화 및 거친 테이프 표면을 방지하고, 낮은 온도로 인한 접착 물질의 경화 및 접착력 저하를 방지하기 위해 제어부(200)는 냉각부(100)에 의해 냉각되는 척 테이블(20)의 평균 온도가 섭씨 3도 내지 10도 사이에서 유지되도록 냉각부(100)를 제어할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 몇몇 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 척의 횡단면도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 쏘잉용 척(2)은 테이블 프레임(30) 내부에 냉배 공급부(300)로부터 냉매를 공급받는 냉매 유로(305)를 더 포함할 수 있다.
상술한 것과 같이, 냉각부(100)가 펠티어 소자(110)를 이용하여 척 테이블(20)을 냉각하는 경우 테이블 프레임(30)과 대향하는 냉각부(100)의 접촉면으로부터는 열이 발생한다. 본 실시예에서 테이블 프레임(30)에는 냉매 유로(305)가 형성되고, 제어부(200)의 제어에 의해 냉매 공급부(300)로부터 냉매가 냉매 유로(305)로 유입되어 테이블 프레임(30)과 대향하는 냉각부(100)의 접촉면을 냉각시킬 수 있다.
특히 냉매 공급부(300)는 제어부(200)의 제어에 의해 동작하는 냉각부(100)와 함께 동작할 수 있다. 예를 들어 척 테이블(20)로부터 측정된 표면 온도가 10도를 초과하는 경우 제어부(200)는 냉각부(100)에 전원을 공급하여 동작시키는 한편 냉매 공급부(300)를 통해 냉매를 테이블 프레임(30) 내부로 공급하여 테이블 프레임(30)과 대향하는 냉각부(100)의 접촉면을 냉각시킬 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1, 2:웨이퍼 쏘잉용 척 10: 포러스 척
20: 척 테이블 30: 테이블 프레임
100: 냉각부 110: 펠티어 소자
115: 상부 전극 120: 하부 전극
125: 상부 절연판 130: 하부 절연판
135: 상부 열전도판 140: 하부 열전도판

Claims (10)

  1. 상면에 쏘잉되는 웨이퍼를 흡착하는 포러스 척;
    상기 포러스 척의 하부에 배치되고, 내부에 진공을 제공하는 진공 유로가 형성된 척 테이블;
    상기 포러스 척과 척 테이블을 지지하는 테이블 프레임; 및
    상기 테이블 프레임과 척 테이블 사이에 배치되고, 펠티어 소자를 이용하여 상기 척 테이블을 냉각시키는 냉각부를 포함하는,
    웨이퍼 쏘잉용 척.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 냉각부는,
    내부에 동심원으로 배열되고 병렬 연결된 복수의 펠티어 소자를 포함하는,
    웨이퍼 쏘잉용 척.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 냉각부는,
    상기 복수의 펠티어 소자를 연결하는 상부 전극 및 하부 전극,
    상기 상부 전극 상에 배치되는 상부 절연판과 상기 하부 전극의 하부에 배치되는 하부 절연판, 및
    상기 상부 절연판 상에 배치되는 상부 열전도판 및 상기 하부 절연판의 하부에 배치되는 하부 열전도판을 포함하는,
    웨이퍼 쏘잉용 척.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 상부 열전도판 및 하부 열전도판은 구리, 알루미늄 중 어느 하나를 포함하는,
    웨이퍼 쏘잉용 척.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 상부 절연판과 하부 절연판은 세라믹을 포함하는,
    웨이퍼 쏘잉용 척.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 척 테이블 표면에 배치된 복수의 온도 센서, 및
    상기 복수의 온도 센서로부터 측정된 상기 척 테이블의 표면 온도에 따라 상기 냉각부의 동작을 제어하고 상기 펠티어 소자에 전원을 공급하는 제어부를 더 포함하는,
    웨이퍼 쏘잉용 척.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 척 테이블의 표면 온도가 섭씨 3도 내지 10도에서 유지되도록 상기 냉각부의 동작을 제어하는,
    웨이퍼 쏘잉용 척.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 테이블 프레임 내부에 형성된 냉매 유로, 및
    상기 냉매 유로로 냉매를 공급하여 상기 테이블 프레임과 대향하는 냉각부의 접촉면을 냉각시키는 냉매 공급부를 더 포함하는,
    웨이퍼 쏘잉용 척.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 냉매 공급부는 상기 냉각부의 동작과 동시에 상기 냉매 유로로 냉매를 공급하는,
    웨이퍼 쏘잉용 척.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 척 테이블 표면에 배치된 복수의 온도 센서를 더 포함하고,
    상기 냉매 공급부는 상기 척 테이블의 표면 온도가 섭씨 3도 내지 10도에서 유지되도록 상기 냉매 유로로 냉매를 공급하는,
    웨이퍼 쏘잉용 척.
KR1020210008509A 2021-01-21 2021-01-21 저온 커팅 기술의 쏘잉용 척 테이블 KR20220105761A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210008509A KR20220105761A (ko) 2021-01-21 2021-01-21 저온 커팅 기술의 쏘잉용 척 테이블

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210008509A KR20220105761A (ko) 2021-01-21 2021-01-21 저온 커팅 기술의 쏘잉용 척 테이블

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220105761A true KR20220105761A (ko) 2022-07-28

Family

ID=82607784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210008509A KR20220105761A (ko) 2021-01-21 2021-01-21 저온 커팅 기술의 쏘잉용 척 테이블

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220105761A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210120706A1 (en) * 2019-10-18 2021-04-22 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor module

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210120706A1 (en) * 2019-10-18 2021-04-22 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor module
US11825591B2 (en) * 2019-10-18 2023-11-21 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5740016A (en) Solid state temperature controlled substrate holder
TWI780597B (zh) 具有獨立隔離的加熱器區域的晶圓載體
KR102354961B1 (ko) 페디스털 유체-기반 열 제어
TWI708306B (zh) 用於電漿切粒之設備
JP2008522446A (ja) 空間温度分布の制御方法及び装置
TWI728106B (zh) 膠帶剝離裝置
JP4470199B2 (ja) 半導体基板の温度調節装置
JP2007142381A (ja) 貼り合せ装置
CN110379770A (zh) 扩展方法和扩展装置
JP2007168436A (ja) 脆性材料のディスク、特にウェーハの切断方法および切断装置
KR20220105761A (ko) 저온 커팅 기술의 쏘잉용 척 테이블
JP6710889B2 (ja) ワーク分割装置及びワーク分割方法
KR20190001271A (ko) 본딩 헤드 및 이를 갖는 본딩 장치
KR20200067322A (ko) 본딩 헤드 및 이를 갖는 본딩 장치
JP3934476B2 (ja) レーザ割断加工において冷凍チャッキングを使用した割断方法および装置
KR102225430B1 (ko) 워크 분할장치 및 워크 분할방법
KR101150251B1 (ko) 냉각 제어를 이용한 웨이퍼 다이싱용 척 장치
US20180040513A1 (en) Processing method for wafer
TWI726113B (zh) 磨削裝置
JP2719332B2 (ja) プラズマ処理方法
JPH11274281A (ja) 静電チャック及びその製造方法
US20040248430A1 (en) Wafer cooling chuck with direct coupled peltier unit
US20220102187A1 (en) Die bonding system with heated automatic collet changer
JP3253817B2 (ja) 半導体製造装置、研削装置及び半導体装置の製造方法
CN215731640U (zh) 静电卡盘装置及半导体处理设备

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application