KR20220100745A - Method for inspecting display device and apparatus for inspecting display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 디스플레이 장치의 검사 방법 및 디스플레이 장치의 검사 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 무기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 검사하고 이를 리페어하는 방법 및 그 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method of inspecting a display apparatus and an apparatus for inspecting a display apparatus. More particularly, it relates to a method of inspecting a display device including an inorganic light emitting device and repairing the same, and an apparatus therefor.
디스플레이 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 유기발광 디스플레이 장치(Organic Light Emitting Display, OLED), 액정 디스플레이 장치(Liquid Crystal Display, LCD) 등과 같은 여러 종류의 디스플레이 장치가 사용되고 있다. Display devices are increasing in importance with the development of multimedia. In response to this, various types of display devices such as an organic light emitting display (OLED) and a liquid crystal display (LCD) have been used.
디스플레이 장치의 화상을 표시하는 장치로서 유기 발광 표시 패널이나 액정 표시 패널과 같은 표시 패널을 포함한다. 그 중, 발광 표시 패널로서, 발광 소자를 포함할 수 있는데, 예를 들어 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)의 경우, 유기물을 발광 물질로 이용하는 유기 발광 다이오드, 무기물을 발광 물질로 이용하는 무기 발광 다이오드 등이 있다.A device for displaying an image of a display device includes a display panel such as an organic light emitting display panel or a liquid crystal display panel. Among them, the light emitting display panel may include a light emitting device. For example, in the case of a light emitting diode (LED), an organic light emitting diode using an organic material as a light emitting material and an inorganic light emitting diode using an inorganic material as a light emitting material. etc.
무기 발광 다이오드를 포함하는 디스플레이 장치는 무기 발광 다이오드의 전기적 연결에 따라 화소의 불량 여부가 결정될 수 있다. 복수개의 무기 발광 다이오드들이 하나의 화소에 배치되는 경우, 일부의 다이오드들에 의해 화소가 발광 불량일 수 있는데, 해당 화소에서 국부적으로 리페어 공정이 진행되면 해당 화소의 불량이 보완될 수 있다. In the display device including the inorganic light emitting diode, whether the pixel is defective may be determined according to the electrical connection of the inorganic light emitting diode. When a plurality of inorganic light emitting diodes are disposed in one pixel, some of the diodes may cause the pixel to have light emitting failure, and when a repair process is performed locally in the corresponding pixel, the defective pixel may be compensated.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 무기 발광 다이오드를 포함하는 디스플레이 장치에 있어서, 불량 화소의 정보를 획득하고 해당 화소를 리페어할 수 있는 검사 장치, 및 그 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an inspection apparatus capable of acquiring information on a bad pixel and repairing the pixel in a display device including an inorganic light emitting diode, and a method therefor.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법은 복수의 발광 소자들이 배치된 복수의 화소들을 포함하는 디스플레이 장치를 점등시키고, 상기 화소들로부터 점등 이미지 정보를 획득하는 제1 검사 단계, 상기 점등 이미지 정보로부터 상기 복수의 화소들 중 점등 화소와 미점등 화소가 존재하는 지 확인하는 단계, 상기 발광 정보 중 상기 미점등 화소들의 위치 정보를 획득하고, 상기 미점등 화소들로부터 발열 이미지 정보를 획득하는 제2 검사 단계 및 상기 점등 이미지 정보 및 상기 발열 이미지 정보로부터 획득되는 발광 정보로부터 상기 미점등 화소의 불량 정보를 획득하고, 상기 불량 정보에 기반하여 상기 미점등 화소들을 리페어하는 리페어 단계를 포함하고, 상기 리페어 단계는 상기 미점등 화소에 배치된 상기 발광 소자들 중 일부를 제거하는 단계, 또는 상기 미점등 화소에 상기 발광 소자를 재전사하는 단계를 포함한다. A method of inspecting a display device according to an embodiment of the present invention for solving the above problems is a first inspection step of turning on the display device including a plurality of pixels in which a plurality of light emitting elements are disposed, and obtaining lighting image information from the pixels , checking whether a lit pixel and an unlit pixel among the plurality of pixels exist from the lit image information, obtaining position information of the unlit pixel among the light emission information, and generating heat image information from the unlit pixels a second inspection step of obtaining a second inspection step, and a repair step of obtaining defective information of the unlit pixel from the light emitting information obtained from the lighting image information and the heat image information, and repairing the unlit pixels based on the failure information The repairing may include removing some of the light emitting devices disposed in the unlit pixel or re-transferring the light emitting device to the unlit pixel.
상기 제1 검사 단계는 상기 디스플레이 장치의 점등 시, 상기 화소들에서 방출하는 광을 통해 상기 점등 이미지 정보를 획득하는 제1 카메라로 수행되고, 상기 제2 검사 단계는 상기 디스플레이 장치의 점등 시 상기 화소들에서 발생하는 열을 통해 상기 발열 이미지 정보를 획득하는 제2 카메라로 수행될 수 있다.The first inspection step is performed with a first camera that acquires the lighting image information through light emitted from the pixels when the display device is turned on, and the second inspection step includes the pixels when the display device is turned on. It may be performed with a second camera that acquires the fever image information through heat generated from the fields.
상기 발광 정보는 상기 점등 이미지 정보로부터 획득되는 발광량 정보, 및 상기 발열 이미지 정보로부터 획득되는 발열량 정보를 포함하고, 상기 불량 정보는 상기 미점등 화소의 불량 원인의 종류, 및 상기 불량 원인의 위치에 관한 정보를 포함할 수 있다.The light emission information includes light emission amount information obtained from the lighting image information and heat generation amount information obtained from the heat image information, and the failure information relates to a type of a failure cause of the unlit pixel and a location of the failure cause may contain information.
상기 디스플레이 장치는 상기 화소마다 배치된 제1 전극과 제2 전극, 및 상기 제1 전극 상에 배치된 제1 연결 전극과 상기 제2 전극 상에 배치된 제2 연결 전극을 포함하고, 상기 발광 소자는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 상에 배치되며 상기 제1 연결 전극 및 상기 제2 연결 전극과 접촉할 수 있다. The display device includes a first electrode and a second electrode disposed for each pixel, and a first connection electrode disposed on the first electrode and a second connection electrode disposed on the second electrode, wherein the light emitting element may be disposed on the first electrode and the second electrode and may be in contact with the first connection electrode and the second connection electrode.
상기 제2 검사 단계는 상기 발열 이미지 정보로부터 상기 미점등 화소에 배치된 상기 발광 소자들 중 불량 발광 소자의 위치 정보를 획득하는 단계를 포함할 수 있다.The second inspection step may include acquiring position information of a defective light emitting device among the light emitting devices disposed in the unlit pixel from the heat generation image information.
상기 리페어 단계는 상기 미점등 화소에서 상기 불량 발광 소자에 레이저를 조사하는 단계를 포함할 수 있다.The repairing step may include irradiating a laser to the defective light emitting device in the unlit pixel.
상기 제2 검사 단계는 상기 발열 이미지로 정보부터 상기 미점등 화소에 배치된 상기 제1 연결 전극과 상기 제2 연결 전극이 단락된 상에서 발열량이 다른 부분보다 높은 지점의 위치 정보를 획득하는 단계를 포함할 수 있다.The second inspection step includes obtaining positional information of a point in which the first connection electrode and the second connection electrode disposed in the unlit pixel are short-circuited from the information from the heating image, wherein the heating value is higher than other portions can do.
상기 리페어 단계는 상기 미점등 화소에서 상기 제1 연결 전극과 상기 제2 연결 전극이 단락된 지점에 레이저를 조사하는 단계를 포함할 수 있다.The repairing step may include irradiating a laser to a point where the first connection electrode and the second connection electrode are short-circuited in the unlit pixel.
상기 제2 검사 단계는 상기 미점등 화소들 중 상기 발광 소자들이 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 연결되지 않은 미점등 화소의 위치 정보를 획득하는 단계를 포함하고, 상기 리페어 단계는 해당 미점등 화소에 상기 발광 소자들을 재전사하는 단계를 포함할 수 있다.The second inspection step may include acquiring position information of unlit pixels in which the light emitting elements are not connected to the first electrode and the second electrode among the unlit pixels, and the repairing step includes the corresponding unlit pixels. The method may include retransferring the light emitting devices to a pixel.
상기 점등 화소들의 상기 발광 정보를 획득하여 상기 점등 화소들을 정상 점등 화소 및 상기 정상 점등 화소와 다른 발광량을 갖는 불량 점등 화소로 분류하는 단계, 상기 불량 점등 화소들의 위치 정보와 상기 불량 점등 화소들의 상기 발광 정보를 획득하는 단계, 및 상기 발광 정보에 기반하여 상기 불량 점등 화소들을 리페어하는 단계를 더 포함할 수 있다.classifying the lit pixels into a normally lit pixel and a badly lit pixel having a different emission amount from the normally lit pixel by obtaining the emission information of the lit pixels; The method may further include obtaining information, and repairing the defective lighting pixels based on the light emission information.
상기 정상 점등 화소와 상기 불량 점등 화소를 분류하는 단계는 상기 점등 화소들 중 발광량이 기준 설정값의 범위 내에 속하는 상기 점등 화소들을 상기 정상 점등 화소로 지정하는 단계, 및 상기 정상 점등 화소와 발광량을 비교하여 상기 불량 점등 화소로 지정하는 단계를 포함할 수 있다.The classifying the normally lit pixels and the badly lit pixels may include designating the lit pixels, among the lit pixels, whose luminous amount falls within a reference set value range, as the normally lit pixels, and compares the normally lit pixels with the luminous amount. and designating the pixel as the defective lighting pixel.
상기 불량 점등 화소는 상기 정상 점등 화소보다 높은 발광량을 갖는 제1 점등 화소, 및 상기 정상 점등 화소보다 낮은 발광량을 갖는 제2 점등 화소를 포함할 수 있다.The poorly lit pixel may include a first lit pixel having a higher emission amount than the normally lit pixel, and a second lit pixel having a lower emission amount than the normally lit pixel.
상기 불량 점등 화소들을 리페어하는 단계에서, 상기 제1 점등 화소는 상기 발광 소자들 중 일부를 제거하는 공정이 수행되고, 상기 제2 점등 화소는 상기 발광 소자들을 재전사하는 공정이 수행될 수 있다.In the repairing of the defectively lit pixels, a process of removing some of the light emitting elements may be performed for the first lit pixel, and a process of retransferring the light emitting elements may be performed on the second lit pixel.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 장치는 복수의 발광 소자들이 배치된 복수의 화소들을 포함하는 디스플레이 장치의 검사 장치에 있어서, 상기 디스플레이 장치의 상기 화소들로부터 복수의 이미지 정보들을 획득하는 카메라 장치, 상기 획득된 이미지 정보들로부터 상기 화소들의 발광 정보, 및 상기 화소들의 불량 정보를 획득하는 프로세서 및 상기 프로세서에서 획득된 상기 불량 정보에 기반하여 상기 화소들에 리페어 공정을 수행하는 리페어 장치를 포함하고, 상기 프로세서는 상기 이미지 정보로부터 점등 화소와 미점등 화소에 대한 상기 발광 정보를 획득하여 상기 미점등 화소의 상기 불량 정보를 획득하고, 상기 리페어 장치는 상기 미점등 화소에 대하여 상기 리페어 공정을 수행한다. In the inspection apparatus of a display apparatus according to an embodiment of the present invention for solving the above problems, the inspection apparatus of a display apparatus including a plurality of pixels in which a plurality of light emitting elements are disposed, a plurality of image information from the pixels of the display apparatus performing a repair process on the pixels based on a camera device for obtaining a repair apparatus, wherein the processor obtains the light emission information for the lit pixel and the unlit pixel from the image information to obtain the failure information of the unlit pixel, and the repair apparatus is configured to: Perform a repair process.
상기 이미지 정보는 상기 화소들이 점등 시에 방출되는 발광량에 기반한 점등 이미지 정보, 및 상기 화소들이 점등 시에 방생하는 발열량에 기반한 발열 이미지 정보를 포함하고, 상기 카메라 장치는 상기 점등 이미지 정보를 획득하는 제1 카메라, 및 상기 발열 이미지 정보를 획득하는 제2 카메라를 포함할 수 있다.The image information includes lighting image information based on the amount of light emitted when the pixels are turned on, and heat image information based on the amount of heat emitted when the pixels are turned on, and the camera device is configured to obtain the lighting image information. It may include a first camera, and a second camera that acquires the fever image information.
상기 발광 정보는 상기 화소의 발광량 정보, 및 상기 화소의 발열량 정보를 포함하고, 상기 프로세서는 상기 발광량 정보로부터 상기 점등 화소와 상기 미점등 화소를 분류하고, 상기 발광량 정보 및 상기 발열량 정보로부터 상기 미점등 화소의 상기 불량 정보를 획득할 수 있다. The light emission information includes light emission amount information of the pixel and heat amount information of the pixel, the processor classifies the lit pixel and the unlit pixel from the light emission amount information, and the non-illuminated pixel from the light emission amount information and the heat amount information The defect information of the pixel may be obtained.
상기 프로세서는 상기 점등 화소들의 상기 발광량 정보를 기준으로 상기 점등 화소들을 정상 점등 화소, 및 상기 정상 점등 화소와 다른 발광량을 갖는 불량 점등 화소를 구분할 수 있다.The processor may distinguish the lit pixels into a normally lit pixel and a poorly lit pixel having a different luminous amount from the normally lit pixel based on the emission amount information of the lit pixels.
상기 불량 정보는 상기 화소의 불량 원인의 종류, 및 상기 불량 원인의 위치에 관한 정보를 포함하고, 상기 리페어 장치는 상기 불량 정보에 기반하여 상기 화소에 배치된 상기 발광 소자들 중 일부를 제거하는 레이저 장치, 및 상기 불량 정보에 기반하여 상기 화소에 상기 발광 소자를 전사하는 재전사 장치를 포함할 수 있다.The defect information includes information about a type of a cause of the defect of the pixel and information on a location of the cause of the defect, and the repair apparatus removes some of the light emitting elements disposed in the pixel based on the defect information. a device; and a retransfer device that transfers the light emitting device to the pixel based on the failure information.
상기 디스플레이 장치는 상기 화소마다 배치된 제1 전극과 제2 전극, 및 상기 제1 전극 상에 배치된 제1 연결 전극과 상기 제2 전극 상에 배치된 제2 연결 전극을 포함하고, 상기 발광 소자는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 상에 배치되며 상기 제1 연결 전극 및 상기 제2 연결 전극과 접촉할 수 있다.The display device includes a first electrode and a second electrode disposed for each pixel, and a first connection electrode disposed on the first electrode and a second connection electrode disposed on the second electrode, wherein the light emitting element may be disposed on the first electrode and the second electrode and may be in contact with the first connection electrode and the second connection electrode.
상기 레이저 장치는 상기 미점등 화소에서 상기 제1 연결 전극과 상기 제2 연결 전극이 서로 연결된 부분을 제거할 수 있다. The laser device may remove a portion in which the first connection electrode and the second connection electrode are connected to each other in the unlit pixel.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법은 검사 대상으로부터 복수의 이미지 정보를 획득하고, 이로부터 발광 정보 및 불량 정보를 획득하여 특정 불량 화소에 대응하는 리페어 공정을 선택하여 수행할 수 있다. 디스플레이 장치의 검사 방법은 디스플레이 장치의 다양한 불량 원인에 대응하여 적절한 리페어 공정을 수행할 수 있는 이점이 있다.The method of inspecting a display device according to an embodiment may obtain a plurality of image information from an inspection target, obtain light emission information and defect information therefrom, and select and perform a repair process corresponding to a specific defective pixel. The inspection method of the display apparatus has an advantage in that it can perform an appropriate repair process in response to various causes of defects in the display apparatus.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Effects according to the embodiments are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.
도 1은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2의 Q1-Q1'선을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 배치된 발광 소자를 나타내는 개략도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 장치를 나타내는 개략도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법을 나타내는 순서도이다.
도 7 및 도 8은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 카메라 장치를 이용한 제1 검사 단계를 나타내는 개략도들이다.
도 9 및 도 10은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 카메라 장치를 이용한 제2 검사 단계를 나타내는 개략도들이다.
도 11은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 장치를 이용한 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.
도 12는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 카메라 장치를 이용한 제2 검사 단계를 나타내는 개략도이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 장치를 이용한 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.
도 14는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 장치를 이용한 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.
도 15는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법을 나타내는 순서도이다.
도 16 및 도 17은 도 15의 디스플레이 장치의 검사 방법에서 점등 화소들의 발광 정보 획득 단계를 나타내는 개략도들이다.
도 18은 도 15의 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic plan view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
2 is a plan view illustrating one pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line Q1-Q1' of FIG. 2 .
4 is a schematic diagram illustrating a light emitting device disposed in a display device according to an exemplary embodiment.
5 is a schematic diagram illustrating an inspection apparatus of a display apparatus according to an exemplary embodiment.
6 is a flowchart illustrating a method of inspecting a display apparatus according to an exemplary embodiment.
7 and 8 are schematic diagrams illustrating a first inspection step using a camera device in a method of inspecting a display device according to an exemplary embodiment.
9 and 10 are schematic diagrams illustrating a second inspection step using a camera device in a method of inspecting a display device according to an exemplary embodiment.
11 is a schematic diagram illustrating a repair step using a repair apparatus in a method of inspecting a display apparatus according to an exemplary embodiment.
12 is a schematic diagram illustrating a second inspection step using a camera device in a method of inspecting a display device according to another exemplary embodiment.
13 is a schematic diagram illustrating a repair step using a repair apparatus in a method of inspecting a display apparatus according to another exemplary embodiment.
14 is a schematic diagram illustrating a repair step using a repair apparatus in a method of inspecting a display apparatus according to another exemplary embodiment.
15 is a flowchart illustrating a method of inspecting a display apparatus according to another exemplary embodiment.
16 and 17 are schematic diagrams illustrating a step of obtaining light emission information of lit pixels in the inspection method of the display device of FIG. 15 .
18 is a schematic diagram illustrating a repair step in the inspection method of the display device of FIG. 15 .
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.
소자(Elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(On)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 이와 마찬가지로, "하(Below)", "좌(Left)" 및 "우(Right)"로 지칭되는 것들은 다른 소자와 바로 인접하게 개재된 경우 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소재를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Elements or layers are referred to as “on” of another element or layer, including cases in which another layer or other element is interposed immediately on or in the middle of another element. Likewise, those referred to as “Below”, “Left” and “Right” refer to cases where they are interposed immediately adjacent to other elements or interposed other layers or other materials in the middle. include Like reference numerals refer to like elements throughout.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms, of course. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 실시예들에 대해 설명한다. Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
도 1을 참조하면, 디스플레이 장치(10)는 동영상이나 정지영상을 표시한다. 디스플레이 장치(10)는 표시 화면을 제공하는 모든 전자 장치를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 표시 화면을 제공하는 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷, 모바일 폰, 스마트 폰, 태블릿 PC(Personal Computer), 전자 시계, 스마트 워치, 워치 폰, 헤드 마운트 디스플레이, 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 내비게이션, 게임기, 디지털 카메라, 캠코더 등이 디스플레이 장치(10)에 포함될 수 있다. Referring to FIG. 1 , the
디스플레이 장치(10)는 화면이나 영상을 표시하는 표시 패널로서, 표시 패널의 예로는 무기 발광 다이오드 표시 패널, 유기발광 표시 패널, 양자점 발광 표시 패널, 플라즈마 표시 패널, 전계방출 표시 패널 등을 들 수 있다. 이하에서는 표시 패널의 일 예로서, 무기 발광 다이오드 표시 패널이 적용된 경우를 예시하지만, 그에 제한되는 것은 아니며, 동일한 기술적 사상이 적용 가능하다면 다른 표시 패널에도 적용될 수 있다. The
도 2는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소를 나타내는 평면도이다. 도 3은 도 2의 Q1-Q1'선을 따라 자른 단면도이다.2 is a plan view illustrating one pixel of a display device according to an exemplary embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line Q1-Q1' of FIG. 2 .
도 2 및 도 3을 참조하면, 디스플레이 장치(10)의 디스플레이 장치(10)는 복수의 서브 화소(SXPn, n은 1 내지 3)들을 포함한 복수의 화소(PX)들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나의 화소(PX)는 제1 서브 화소(SPX1), 제2 서브 화소(SPX2) 및 제3 서브 화소(SPX3)를 포함할 수 있다. 2 and 3 , the
디스플레이 장치(10)의 각 서브 화소(SPXn)들은 발광 영역(EMA) 및 비발광 영역을 포함할 수 있다. 발광 영역(EMA)은 발광 소자(ED)가 배치되어 특정 파장대의 광이 출사되는 영역이고, 비발광 영역은 발광 소자(ED)가 배치되지 않고, 발광 소자(ED)에서 방출된 광들이 도달하지 않아 광이 출사되지 않는 영역일 수 있다. 또한, 각 서브 화소(SPXn)는 비발광 영역에 배치된 서브 영역(SA)을 더 포함할 수 있다. 서브 영역(SA)은 발광 영역(EMA)의 제1 방향(DR1) 일 측에 배치되어 제1 방향(DR1)으로 이웃하는 서브 화소(SPXn)들의 발광 영역(EMA)들 사이에 배치될 수 있다. Each of the sub-pixels SPXn of the
제2 뱅크(BNL2)는 평면상 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분을 포함하여 격자형 패턴으로 배치될 수 있다. 제2 뱅크(BNL2)는 각 서브 화소(SPXn)들의 경계에 걸쳐 배치되어 이웃하는 서브 화소(SPXn)들을 구분할 수 있다. 또한, 제2 뱅크(BNL2)는 서브 화소(SPXn)마다 배치된 발광 영역(EMA)을 둘러싸도록 배치되어 이들을 구분할 수 있다.The second bank BNL2 may be disposed in a lattice pattern including portions extending in the first and second directions DR1 and DR2 in plan view. The second bank BNL2 is disposed across the boundary of each sub-pixel SPXn to distinguish neighboring sub-pixels SPXn. Also, the second bank BNL2 is disposed to surround the emission area EMA disposed in each sub-pixel SPXn to distinguish them.
디스플레이 장치(10)는 제1 기판(SUB), 및 제1 기판(SUB) 상에 배치되는 반도체층, 복수의 도전층, 및 복수의 절연층들을 포함할 수 있다. 상기 반도체층, 도전층 및 절연층들은 각각 디스플레이 장치(10)의 회로층(CCL)과 표시 소자층을 구성할 수 있다.The
제1 기판(SUB)은 절연 기판일 수 있다. 제1 기판(SUB)은 유리, 석영, 또는 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 기판(SUB)은 리지드(Rigid) 기판일 수 있지만, 벤딩(Bending), 폴딩(Folding), 롤링(Rolling) 등이 가능한 플렉시블(Flexible) 기판일 수도 있다.The first substrate SUB may be an insulating substrate. The first substrate SUB may be made of an insulating material such as glass, quartz, or polymer resin. In addition, the first substrate SUB may be a rigid substrate, but may also be a flexible substrate capable of bending, folding, rolling, or the like.
제1 도전층은 제1 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 제1 도전층은 하부 금속층(BML)을 포함하고, 하부 금속층(BML)은 제1 트랜지스터(T1)의 액티브층(ACT1)과 중첩하도록 배치된다. 하부 금속층(BML)은 광을 차단하는 재료를 포함하여, 제1 트랜지스터의 액티브층(ACT1)에 광이 입사되는 것을 방지할 수 있다. The first conductive layer may be disposed on the first substrate SUB. The first conductive layer includes a lower metal layer BML, and the lower metal layer BML is disposed to overlap the active layer ACT1 of the first transistor T1. The lower metal layer BML may include a light-blocking material to prevent light from being incident on the active layer ACT1 of the first transistor.
버퍼층(BL)은 하부 금속층(BML) 및 제1 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(BL)은 투습에 취약한 제1 기판(SUB)을 통해 침투하는 수분으로부터 화소(PX)의 트랜지스터들을 보호하기 위해 제1 기판(SUB) 상에 형성되며, 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다. The buffer layer BL may be disposed on the lower metal layer BML and the first substrate SUB. The buffer layer BL is formed on the first substrate SUB to protect the transistors of the pixel PX from moisture penetrating through the first substrate SUB, which is vulnerable to moisture permeation, and may perform a surface planarization function.
반도체층은 버퍼층(BL) 상에 배치된다. 반도체층은 제1 트랜지스터(T1)의 액티브층(ACT1)을 포함할 수 있다. 액티브층(ACT1)은 후술하는 제2 도전층의 게이트 전극(G1)과 부분적으로 중첩하도록 배치될 수 있다. The semiconductor layer is disposed on the buffer layer BL. The semiconductor layer may include the active layer ACT1 of the first transistor T1 . The active layer ACT1 may be disposed to partially overlap the gate electrode G1 of a second conductive layer to be described later.
제1 게이트 절연층(GI)은 반도체층 및 버퍼층(BL) 상에 배치된다. 제1 게이트 절연층(GI)은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 절연막의 역할을 할 수 있다. The first gate insulating layer GI is disposed on the semiconductor layer and the buffer layer BL. The first gate insulating layer GI may serve as a gate insulating layer of the first transistor T1 .
제2 도전층은 제1 게이트 절연층(GI) 상에 배치된다. 제2 도전층은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(G1)은 액티브층(ACT1)의 채널 영역과 두께 방향인 제3 방향(DR3)으로 중첩하도록 배치될 수 있다. The second conductive layer is disposed on the first gate insulating layer GI. The second conductive layer may include the gate electrode G1 of the first transistor T1 . The gate electrode G1 may be disposed to overlap the channel region of the active layer ACT1 in the third direction DR3 , which is the thickness direction.
제1 층간 절연층(IL1)은 제2 도전층 상에 배치된다. 제1 층간 절연층(IL1)은 제2 도전층과 그 상에 배치되는 다른 층들 사이에서 절연막의 기능을 수행하며 제2 도전층을 보호할 수 있다. The first interlayer insulating layer IL1 is disposed on the second conductive layer. The first interlayer insulating layer IL1 may function as an insulating layer between the second conductive layer and other layers disposed thereon and may protect the second conductive layer.
제3 도전층은 제1 층간 절연층(IL1) 상에 배치된다. 제3 도전층은 제1 전압 배선(VDL)과 제2 전압 배선(VSL), 및 복수의 전극 패턴(CDP1, CDP2)들을 포함할 수 있다. The third conductive layer is disposed on the first interlayer insulating layer IL1. The third conductive layer may include a first voltage line VDL, a second voltage line VSL, and a plurality of electrode patterns CDP1 and CDP2.
제1 전압 배선(VDL)은 제1 전극(RME1)에 전달되는 고전위 전압(또는, 제1 전원 전압)이 인가되고, 제2 전압 배선(VSL)은 제2 전극(RME2)에 전달되는 저전위 전압(또는, 제2 전원 전압)이 인가될 수 있다. 제1 전압 배선(VDL)은 일부분이 제1 층간 절연층(IL1)과 제1 게이트 절연층(GI)을 관통하는 컨택홀을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 액티브층(ACT1)과 접촉할 수 있다. 제1 전압 배선(VDL)은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 드레인 전극(D1)의 역할을 할 수 있다. The first voltage line VDL is applied with a high potential voltage (or a first power voltage) transferred to the first electrode RME1 , and the second voltage line VSL has a low voltage transferred to the second electrode RME2 . A potential voltage (or a second power supply voltage) may be applied. The first voltage line VDL may partially contact the active layer ACT1 of the first transistor T1 through a contact hole penetrating the first interlayer insulating layer IL1 and the first gate insulating layer GI. have. The first voltage line VDL may serve as the first drain electrode D1 of the first transistor T1 .
제1 전극 패턴(CDP1)은 제1 층간 절연층(IL1)과 제1 게이트 절연층(GI)을 관통하는 컨택홀을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 액티브층(ACT1)과 접촉할 수 있다. 또한, 제1 전극 패턴(CDP1)은 다른 컨택홀을 통해 하부 금속층(BML)과 접촉할 수 있다. 제1 전극 패턴(CDP1)은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 소스 전극(S1)의 역할을 할 수 있다. The first electrode pattern CDP1 may contact the active layer ACT1 of the first transistor T1 through a contact hole penetrating the first interlayer insulating layer IL1 and the first gate insulating layer GI. Also, the first electrode pattern CDP1 may contact the lower metal layer BML through another contact hole. The first electrode pattern CDP1 may serve as the first source electrode S1 of the first transistor T1 .
제2 전극 패턴(CDP2)은 제1 전극 패턴(CDP1)을 통해 제1 트랜지스터(T1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극 패턴(CDP1)과 제2 전극 패턴(CDP2)은 직접, 또는 다른 층의 패턴을 통해 서로 연결될 수 있다. 제2 전극 패턴(CDP2)은 제1 전극(RME1)과도 연결되며, 제1 트랜지스터(T1)는 제1 전압 배선(VDL)으로부터 인가되는 제1 전원 전압을 제1 전극(RME1)으로 전달할 수 있다.The second electrode pattern CDP2 may be electrically connected to the first transistor T1 through the first electrode pattern CDP1 . The first electrode pattern CDP1 and the second electrode pattern CDP2 may be connected to each other directly or through a pattern of another layer. The second electrode pattern CDP2 is also connected to the first electrode RME1 , and the first transistor T1 may transfer the first power voltage applied from the first voltage line VDL to the first electrode RME1 . .
상술한 버퍼층(BL), 제1 게이트 절연층(GI), 및 제1 층간 절연층(IL1)은 교번하여 적층된 복수의 무기층들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(BL), 제1 게이트 절연층(GI), 및 제1 층간 절연층(IL1)은 실리콘 산화물(Silicon Oxide, SiOx), 실리콘 질화물(Silicon Nitride, SiNx), 실리콘 산질화물(Silicon Oxynitride, SiOxNy) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 무기층이 적층된 이중층, 또는 이들이 교번하여 적층된 다중층으로 형성될 수 있다. The above-described buffer layer BL, the first gate insulating layer GI, and the first interlayer insulating layer IL1 may be formed of a plurality of inorganic layers alternately stacked. For example, the buffer layer BL, the first gate insulating layer GI, and the first interlayer insulating layer IL1 may include silicon oxide (Silicon Oxide, SiO x ), silicon nitride (SiN x ), and silicon acid. A nitride (Silicon Oxynitride, SiO x N y ) may be formed as a double layer in which an inorganic layer including at least one is stacked, or a multilayer in which these are alternately stacked.
제2 도전층, 및 제3 도전층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.The second conductive layer and the third conductive layer include molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be formed as a single layer or multiple layers made of any one or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto.
비아층(VIA)은 제3 도전층 상에 배치된다. 비아층(VIA)은 유기 절연 물질, 예를 들어 폴리이미드(PI)와 같은 유기 절연 물질을 포함하여, 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다.The via layer VIA is disposed on the third conductive layer. The via layer VIA may include an organic insulating material, for example, an organic insulating material such as polyimide (PI), and may perform a surface planarization function.
비아층(VIA) 상에는 복수의 전극(RME; RME1, RME2)들과 복수의 제1 뱅크(BNL1)들 및 제2 뱅크(BNL2), 복수의 발광 소자(ED)들과 복수의 연결 전극(CNE; CNE1, CNE2)들이 배치된다. 또한, 비아층(VIA) 상에는 복수의 절연층(PAS1, PAS2, PAS3)들이 배치될 수 있다.On the via layer VIA, a plurality of electrodes RME; RME1 and RME2; a plurality of first banks BNL1 and a second bank BNL2; a plurality of light emitting devices ED and a plurality of connection electrodes CNE ; CNE1, CNE2) are arranged. In addition, a plurality of insulating layers PAS1 , PAS2 , and PAS3 may be disposed on the via layer VIA.
복수의 제1 뱅크(BNL1)들은 비아층(VIA) 상에 직접 배치될 수 있다. 제1 뱅크(BNL1)들은 제1 방향(DR1)으로 연장된 형상을 갖고 서로 제2 방향(DR2)으로 이격될 수 있다. 제1 뱅크(BNL1)들이 이격된 사이에는 복수의 발광 소자(ED)들이 배치될 수 있다.The plurality of first banks BNL1 may be directly disposed on the via layer VIA. The first banks BNL1 may have a shape extending in the first direction DR1 and may be spaced apart from each other in the second direction DR2 . A plurality of light emitting devices ED may be disposed between the first banks BNL1 spaced apart from each other.
제1 뱅크(BNL1)는 비아층(VIA)의 상면을 기준으로 적어도 일부가 돌출된 구조를 가질 수 있다. 제1 뱅크(BNL1)의 돌출된 부분은 경사진 측면을 가질 수 있고, 발광 소자(ED)에서 방출된 광은 제1 뱅크(BNL1) 상에 배치되는 전극(RME)에서 반사되어 비아층(VIA)의 상부 방향으로 출사될 수 있다. The first bank BNL1 may have a structure in which at least a portion protrudes from the top surface of the via layer VIA. The protruding portion of the first bank BNL1 may have an inclined side surface, and light emitted from the light emitting device ED is reflected from the electrode RME disposed on the first bank BNL1 to form the via layer VIA. ) can be emitted in the upper direction.
복수의 전극(RME)들은 일 방향으로 연장된 형상으로 각 서브 화소(SPXn)마다 배치된다. 복수의 전극(RME)들은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 적어도 서브 화소(SPXn)의 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)에 걸쳐 배치될 수 있으며, 이들은 서로 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배치될 수 있다. The plurality of electrodes RME are disposed in each sub-pixel SPXn in a shape extending in one direction. The plurality of electrodes RME may extend in the first direction DR1 and may be disposed over at least the emission area EMA and the sub area SA of the sub-pixel SPXn, and they may extend in the second direction DR2 from each other. They may be spaced apart.
제1 전극(RME1)과 제2 전극(RME2)은 발광 영역(EMA)에서 제1 방향(DR1)으로 연장되어 배치되고 제2 뱅크(BNL2)를 넘어 해당 서브 화소(SPXn) 및 제1 방향(DR1)으로 이웃한 다른 서브 화소(SPXn)의 서브 영역(SA)에 부분적으로 배치될 수 있다. 서로 다른 서브 화소(SPXn)의 제1 전극(RME1)과 제2 전극(RME2)은 어느 한 서브 화소(SPXn)의 서브 영역(SA) 내에 위치한 분리부(ROP)를 기준으로 서로 이격될 수 있다.The first electrode RME1 and the second electrode RME2 are disposed to extend in the first direction DR1 from the emission area EMA and cross the second bank BNL2 to the corresponding sub-pixel SPXn and the first direction DR1 . It may be partially disposed in the sub area SA of another sub pixel SPXn adjacent to DR1 . The first electrode RME1 and the second electrode RME2 of different sub-pixels SPXn may be spaced apart from each other based on the separation portion ROP located in the sub-area SA of any one sub-pixel SPXn. .
제1 전극(RME1)과 제2 전극(RME2)은 각각 서로 다른 제1 뱅크(BNL1) 상에 배치될 수 있다. 복수의 전극(RME)들은 적어도 제1 뱅크(BNL1)의 경사진 측면 상에 배치될 수 있다. 각 전극(RME)들은 적어도 제1 뱅크(BNL1)의 일 측면은 덮도록 배치되어 발광 소자(ED)에서 방출된 광을 반사시킬 수 있다. 또한, 복수의 전극(RME)들이 제2 방향(DR2)으로 이격된 간격은 제1 뱅크(BNL1)들 사이의 간격보다 좁을 수 있다. 각 전극(RME)들은 적어도 일부 영역이 비아층(VIA) 상에 직접 배치되어 이들은 동일 평면 상에 배치될 수 있다.The first electrode RME1 and the second electrode RME2 may be respectively disposed on different first banks BNL1 . The plurality of electrodes RME may be disposed on at least an inclined side surface of the first bank BNL1 . Each of the electrodes RME may be disposed to cover at least one side surface of the first bank BNL1 to reflect light emitted from the light emitting device ED. Also, a distance between the plurality of electrodes RME in the second direction DR2 may be smaller than a distance between the first banks BNL1 . At least a portion of each of the electrodes RME may be directly disposed on the via layer VIA so that they may be disposed on the same plane.
제1 전극(RME1)과 제2 전극(RME2)은 각각 제1 전극 컨택홀(CTD) 및 제2 전극 컨택홀(CTS)을 통해 제3 도전층과 연결될 수 있다. 제1 전극(RME1)은 그 하부의 비아층(VIA)을 관통하는 제1 전극 컨택홀(CTD)을 통해 제2 전극 패턴(CDP2)과 접촉할 수 있다. 제2 전극(RME2)은 그 하부의 비아층(VIA)을 관통하는 제2 전극 컨택홀(CTS)을 통해 제2 전압 배선(VSL)과 접촉할 수 있다. The first electrode RME1 and the second electrode RME2 may be connected to the third conductive layer through the first electrode contact hole CTD and the second electrode contact hole CTS, respectively. The first electrode RME1 may contact the second electrode pattern CDP2 through the first electrode contact hole CTD penetrating the via layer VIA thereunder. The second electrode RME2 may contact the second voltage line VSL through the second electrode contact hole CTS penetrating the via layer VIA thereunder.
복수의 전극(RME)들은 발광 소자(ED)와 전기적으로 연결될 수 있다. 각 전극(RME)들은 후술하는 연결 전극(CNE; CNE1, CNE2)을 통해 발광 소자(ED)와 연결될 수 있고, 하부의 도전층으로부터 인가되는 전기 신호를 발광 소자(ED)에 전달할 수 있다. The plurality of electrodes RME may be electrically connected to the light emitting device ED. Each of the electrodes RME may be connected to the light emitting device ED through connection electrodes CNE (CNE1, CNE2), which will be described later, and may transmit an electric signal applied from a lower conductive layer to the light emitting device ED.
복수의 전극(RME)들 각각은 반사율이 높은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전극(RME)은 반사율이 높은 물질로 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등과 같은 금속을 포함하거나, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 란타늄(La) 등을 포함하는 합금일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 각 전극(RME)은 투명성 전도성 물질을 더 포함할 수 있다. Each of the plurality of electrodes RME may include a conductive material having high reflectivity. For example, the electrode RME is a material with high reflectivity and includes a metal such as silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), or the like, or includes aluminum (Al), nickel (Ni), lanthanum (La), etc. It may be an alloy containing. However, the present invention is not limited thereto, and each electrode RME may further include a transparent conductive material.
제1 절연층(PAS1)은 비아층(VIA) 및 복수의 전극(RME)들 상에 배치된다. 제1 절연층(PAS1)은 복수의 전극(RME)들을 전면적으로 덮도록 배치되며, 이들을 보호함과 동시에 이들을 상호 절연시킬 수 있다. 또한, 제1 절연층(PAS1)은 그 상에 배치되는 발광 소자(ED)가 다른 부재들과 직접 접촉하여 손상되는 것을 방지할 수도 있다. The first insulating layer PAS1 is disposed on the via layer VIA and the plurality of electrodes RME. The first insulating layer PAS1 is disposed to completely cover the plurality of electrodes RME, and may protect them and insulate them from each other. Also, the first insulating layer PAS1 may prevent the light emitting device ED disposed thereon from being damaged by direct contact with other members.
제2 뱅크(BNL2)는 제1 절연층(PAS1) 상에 배치될 수 있다. 제2 뱅크(BNL2)는 평면도 상 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분을 포함하여 격자형 패턴으로 배치될 수 있고, 각 서브 화소(SPXn)들의 경계에 걸쳐 배치되어 이웃하는 서브 화소(SPXn)들을 구분할 수 있다. 제2 뱅크(BNL2)는 일정 높이를 가질 수 있고, 몇몇 실시예에서, 제2 뱅크(BNL2)는 상면의 높이가 제1 뱅크(BNL1)보다 높을 수 있고, 그 두께는 제1 뱅크(BNL1)와 같거나 더 클 수 있다. The second bank BNL2 may be disposed on the first insulating layer PAS1 . The second bank BNL2 may be disposed in a grid pattern including portions extending in the first direction DR1 and the second direction DR2 in a plan view, and may be disposed across the boundary of each sub-pixel SPXn. The neighboring sub-pixels SPXn may be distinguished. The second bank BNL2 may have a predetermined height, and in some embodiments, a top surface of the second bank BNL2 may be higher than that of the first bank BNL1 , and the thickness thereof may be greater than that of the first bank BNL1 . may be equal to or greater than
복수의 발광 소자(ED)들은 제1 절연층(PAS1) 상에 배치될 수 있다. 복수의 발광 소자(ED)들은 제1 뱅크(BNL1)들 사이에서, 제2 방향(DR2)으로 이격된 전극(RME)들 상에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)들은 각 전극(RME)들이 연장된 제1 방향(DR1)을 따라 서로 이격되어 배치되며 실질적으로 서로 평행하게 정렬될 수 있다. 발광 소자(ED)들은 양 단부가 서로 다른 전극(RME)들 상에 놓이도록 배치되고, 각 전극(RME)들이 연장된 방향과 발광 소자(ED)가 연장된 방향은 실질적으로 수직을 이루도록 배치될 수 있다. The plurality of light emitting devices ED may be disposed on the first insulating layer PAS1 . The plurality of light emitting devices ED may be disposed on electrodes RME spaced apart from each other in the second direction DR2 between the first banks BNL1 . The light emitting devices ED may be disposed to be spaced apart from each other along the first direction DR1 in which the respective electrodes RME extend, and may be aligned substantially parallel to each other. The light emitting devices ED are disposed so that both ends are disposed on different electrodes RME, and the direction in which each electrode RME extends and the direction in which the light emitting device ED extends are substantially perpendicular to each other. can
발광 소자(ED)들은 연결 전극(CNE: CNE1, CNE2)들과 접촉하여 전극(RME)과 전기적으로 연결될 수 있다. 발광 소자(ED)들은 연결 전극(CNE)들을 통해 전극(RME) 또는 비아층(VIA) 하부의 도전층들과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting devices ED may contact the connection electrodes CNE1 and CNE2 to be electrically connected to the electrode RME. The light emitting devices ED may be electrically connected to conductive layers under the electrode RME or via layer VIA through connection electrodes CNE.
제2 절연층(PAS2)은 복수의 발광 소자(ED)들 상에 배치될 수 있다. 일 예로, 제2 절연층(PAS2)은 발광 소자(ED)의 외면을 부분적으로 감싸도록 배치되어 발광 소자(ED)의 양 측, 또는 양 단부는 덮지 않도록 배치된다. The second insulating layer PAS2 may be disposed on the plurality of light emitting devices ED. For example, the second insulating layer PAS2 is disposed to partially cover the outer surface of the light emitting device ED, so that both sides or both ends of the light emitting device ED are not covered.
제2 절연층(PAS2) 상에는 복수의 연결 전극(CNE; CNE1, CNE2)들과 제3 절연층(PAS3)이 배치될 수 있다. A plurality of connection electrodes CNE ( CNE1 , CNE2 ) and a third insulating layer PAS3 may be disposed on the second insulating layer PAS2 .
복수의 연결 전극(CNE)들은 발광 소자(ED)들 및 전극(RME) 상에 배치된다. 또한, 연결 전극(CNE)들은 부분적으로 제2 절연층(PAS2) 상에 배치되며 다른 연결 전극(CNE)과 제2 절연층(PAS2) 및 제3 절연층(PAS3)에 의해 상호 절연될 수 있다. 복수의 연결 전극(CNE)들은 각각 발광 소자(ED) 및 전극(RME)들과 접촉할 수 있다. The plurality of connection electrodes CNE are disposed on the light emitting devices ED and the electrode RME. Also, the connection electrodes CNE are partially disposed on the second insulating layer PAS2 and may be insulated from each other by the other connection electrodes CNE and the second insulating layer PAS2 and the third insulating layer PAS3. . The plurality of connection electrodes CNE may contact the light emitting element ED and the electrodes RME, respectively.
각 연결 전극(CNE)들은 평면도 상 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1) 및 제2 연결 전극(CNE2)은 서로 직접 연결되지 않도록 일정 간격 이격될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 형상을 갖고 제1 전극(RME1) 상에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1 전극(RME1) 및 발광 소자(ED)들의 제1 단부와 접촉할 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 형상을 갖고 제2 전극(RME2) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제2 전극(RME2) 및 발광 소자(ED)들의 제2 단부와 접촉할 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)과 제2 연결 전극(CNE2)은 제1 전극(RME1) 또는 제2 전극(RME2)으로 인가된 전기 신호를 발광 소자(ED)의 어느 일 단부로 전달할 수 있다. Each of the connection electrodes CNE may be disposed to be spaced apart from each other in the second direction DR2 in a plan view. The first connection electrode CNE1 and the second connection electrode CNE2 may be spaced apart from each other by a predetermined distance so as not to be directly connected to each other. The first connection electrode CNE1 may have a shape extending in the first direction DR1 and may be disposed on the first electrode RME1 . The first connection electrode CNE1 may contact the first electrode RME1 and the first ends of the light emitting devices ED. The second connection electrode CNE2 may have a shape extending in the first direction DR1 and may be disposed on the second electrode RME2 . The second connection electrode CNE2 may contact the second electrode RME2 and second ends of the light emitting devices ED. The first connection electrode CNE1 and the second connection electrode CNE2 may transmit an electrical signal applied to the first electrode RME1 or the second electrode RME2 to any one end of the light emitting device ED.
연결 전극(CNE)들은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, ITO, IZO, ITZO, 알루미늄(Al) 등을 포함할 수 있다. 일 예로, 연결 전극(CNE)은 투명성 전도성 물질을 포함하고, 발광 소자(ED)에서 방출된 광은 연결 전극(CNE)을 투과하여 전극(RME)들을 향해 진행할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.The connection electrodes CNE may include a conductive material. For example, it may include ITO, IZO, ITZO, aluminum (Al), and the like. For example, the connection electrode CNE may include a transparent conductive material, and light emitted from the light emitting device ED may pass through the connection electrode CNE and travel toward the electrodes RME. However, the present invention is not limited thereto.
제3 절연층(PAS3)은 제2 연결 전극(CNE2)과 제2 절연층(PAS2) 상에 배치된다. 제3 절연층(PAS3)은 제2 절연층(PAS2) 상에 전면적으로 배치되어 제2 연결 전극(CNE2)을 덮도록 배치되고, 제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(PAS3) 상에 배치될 수 있다. 제3 절연층(PAS3)은 제1 연결 전극(CNE1)이 제2 연결 전극(CNE2)과 직접 접촉하지 않도록 이들을 상호 절연시킬 수 있다. The third insulating layer PAS3 is disposed on the second connection electrode CNE2 and the second insulating layer PAS2 . The third insulating layer PAS3 is disposed entirely on the second insulating layer PAS2 to cover the second connection electrode CNE2 , and the first connection electrode CNE1 is disposed on the third insulating layer PAS3 . can be placed in The third insulating layer PAS3 may insulate the first connection electrode CNE1 from each other so that it does not directly contact the second connection electrode CNE2 .
몇몇 실시예에서, 디스플레이 장치(10)는 제3 절연층(PAS3)이 생략될 수 있다. 이에 따라, 복수의 연결 전극(CNE)들은 각각 제2 절연층(PAS2) 상에 직접 배치되어 실질적으로 서로 동일한 층에 배치될 수도 있다.In some embodiments, in the
도면으로 도시하지 않았으나, 제3 절연층(PAS3), 및 복수의 연결 전극(CNE)들 상에는 다른 절연층이 더 배치될 수 있다. 상기 절연층은 제1 기판(SUB) 상에 배치된 부재들을 외부 환경에 대하여 보호하는 기능을 할 수 있다. Although not shown in the drawings, another insulating layer may be further disposed on the third insulating layer PAS3 and the plurality of connection electrodes CNE. The insulating layer may serve to protect members disposed on the first substrate SUB from an external environment.
상술한 제1 절연층(PAS1), 제2 절연층(PAS2) 및 제3 절연층(PAS3)은 무기물 절연성 물질 또는 유기물 절연성 물질을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. The above-described first insulating layer PAS1 , second insulating layer PAS2 , and third insulating layer PAS3 may include an inorganic insulating material or an organic insulating material. However, the present invention is not limited thereto.
도 4는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 배치된 발광 소자를 나타내는 개략도이다. 4 is a schematic diagram illustrating a light emitting device disposed in a display device according to an exemplary embodiment.
도 4를 참조하면, 발광 소자(ED)는 발광 다이오드(Light Emitting diode)일 수 있으며, 구체적으로 발광 소자(ED)는 나노 미터(Nano-meter) 내지 마이크로 미터(Micro-meter) 단위의 크기를 가지고, 무기물로 이루어진 무기 발광 다이오드일 수 있다. 발광 소자(ED)는 서로 대향하는 두 전극들 사이에 특정 방향으로 전계를 형성하면 극성이 형성되는 상기 두 전극 사이에 정렬될 수 있다. Referring to FIG. 4 , the light emitting device ED may be a light emitting diode, and specifically, the light emitting device ED has a size of nanometers to micrometers. and may be an inorganic light emitting diode made of an inorganic material. The light emitting device ED may be aligned between the two electrodes in which polarities are formed when an electric field is formed in a specific direction between the two electrodes facing each other.
일 실시예에 따른 발광 소자(ED)는 일 방향으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 발광 소자(ED)는 원통, 로드(Rod), 와이어(Wire), 튜브(Tube) 등의 형상을 가질 수 있다. 다만, 발광 소자(ED)의 형태가 이에 제한되는 것은 아니며, 정육면체, 직육면체, 육각기둥형 등 다각기둥의 형상을 갖거나, 일 방향으로 연장되되 외면이 부분적으로 경사진 형상을 갖는 등 발광 소자(ED)는 다양한 형태를 가질 수 있다. The light emitting device ED according to an embodiment may have a shape extending in one direction. The light emitting device ED may have a shape such as a cylinder, a rod, a wire, or a tube. However, the shape of the light emitting element (ED) is not limited thereto, and the light emitting element ( ED) may have various forms.
발광 소자(ED)는 임의의 도전형(예컨대, p형 또는 n형) 불순물로 도핑된 반도체층을 포함할 수 있다. 반도체층은 외부의 전원으로부터 인가되는 전기 신호가 전달되어 특정 파장대의 광을 방출할 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 반도체층(31), 제2 반도체층(32), 발광층(36), 전극층(37) 및 절연막(38)을 포함할 수 있다. The light emitting device ED may include a semiconductor layer doped with an arbitrary conductivity type (eg, p-type or n-type) impurity. The semiconductor layer may emit an electric signal applied from an external power source to emit light in a specific wavelength band. The light emitting device ED may include a
제1 반도체층(31)은 n형 반도체일 수 있다. 제1 반도체층(31)은 AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 갖는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체층(31)은 n형으로 도핑된 AlGaInN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN 및 InN 중에서 어느 하나 이상일 수 있다. 제1 반도체층(31)에 도핑된 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn 등일 수 있다. The
제2 반도체층(32)은 발광층(36)을 사이에 두고 제1 반도체층(31) 상에 배치된다. 제2 반도체층(32)은 p형 반도체일 수 있으며, 제2 반도체층(32)은 AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 갖는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 반도체층(32)은 p형으로 도핑된 AlGaInN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN 및 InN 중에서 어느 하나 이상일 수 있다. 제2 반도체층(32)에 도핑된 p형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Se, Ba 등일 수 있다. The second semiconductor layer 32 is disposed on the
한편, 도면에서는 제1 반도체층(31)과 제2 반도체층(32)이 하나의 층으로 구성된 것을 도시하고 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 발광층(36)의 물질에 따라 제1 반도체층(31)과 제2 반도체층(32)은 더 많은 수의 층, 예컨대 클래드층(Clad layer) 또는 TSBR(Tensile strain barrier reducing)층을 더 포함할 수도 있다. Meanwhile, although the drawing shows that the
발광층(36)은 제1 반도체층(31)과 제2 반도체층(32) 사이에 배치된다. 발광층(36)은 단일 또는 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함할 수 있다. 발광층(36)이 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함하는 경우, 양자층(Quantum layer)과 우물층(Well layer)이 서로 교번적으로 복수 개 적층된 구조일 수도 있다. 발광층(36)은 제1 반도체층(31) 및 제2 반도체층(32)을 통해 인가되는 전기 신호에 따라 전자-정공 쌍의 결합에 의해 광을 발광할 수 있다. 발광층(36)은 AlGaN, AlGaInN 등의 물질을 포함할 수 있다. 특히, 발광층(36)이 다중 양자 우물 구조로 양자층과 우물층이 교번적으로 적층된 구조인 경우, 양자층은 AlGaN 또는 AlGaInN, 우물층은 GaN 또는 AlInN 등과 같은 물질을 포함할 수 있다. The light emitting layer 36 is disposed between the
발광층(36)은 밴드갭(Band gap) 에너지가 큰 종류의 반도체 물질과 밴드갭 에너지가 작은 반도체 물질들이 서로 교번적으로 적층된 구조일 수도 있고, 발광하는 광의 파장대에 따라 다른 3족 내지 5족 반도체 물질들을 포함할 수도 있다. 발광층(36)이 방출하는 광은 청색 파장대의 광으로 제한되지 않고, 경우에 따라 적색, 녹색 파장대의 광을 방출할 수도 있다. The light emitting layer 36 may have a structure in which a type of semiconductor material having a large band gap energy and a semiconductor material having a small band gap energy are alternately stacked with each other, and groups 3 to 5 are different according to the wavelength band of the emitted light. It may also include semiconductor materials. The light emitted by the light emitting layer 36 is not limited to light of a blue wavelength band, and in some cases, light of a red and green wavelength band may be emitted.
전극층(37)은 오믹(Ohmic) 연결 전극일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 쇼트키(Schottky) 연결 전극일 수도 있다. 발광 소자(ED)는 적어도 하나의 전극층(37)을 포함할 수 있다. 발광 소자(ED)는 하나 이상의 전극층(37)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 전극층(37)은 생략될 수도 있다. The electrode layer 37 may be an ohmic connection electrode. However, the present invention is not limited thereto, and may be a Schottky connection electrode. The light emitting device ED may include at least one electrode layer 37 . The light emitting device ED may include one or more electrode layers 37 , but the present invention is not limited thereto and the electrode layers 37 may be omitted.
전극층(37)은 디스플레이 장치(10)에서 발광 소자(ED)가 전극 또는 연결 전극과 전기적으로 연결될 때, 발광 소자(ED)와 전극 또는 연결 전극 사이의 저항을 감소시킬 수 있다. 전극층(37)은 전도성이 있는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전극층(37)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 인듐(In), 금(Au), 은(Ag), ITO, IZO 및 ITZO 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. The electrode layer 37 may reduce resistance between the light emitting element ED and the electrode or the connection electrode when the light emitting element ED is electrically connected to an electrode or a connection electrode in the
절연막(38)은 상술한 복수의 반도체층 및 전극층의 외면을 둘러싸도록 배치된다. 예를 들어, 절연막(38)은 적어도 발광층(36)의 외면을 둘러싸도록 배치되되, 발광 소자(ED)의 길이방향의 양 단부는 노출되도록 형성될 수 있다. 또한, 절연막(38)은 발광 소자(ED)의 적어도 일 단부와 인접한 영역에서 단면상 상면이 라운드지게 형성될 수도 있다. The insulating
절연막(38)은 절연특성을 가진 물질들, 예를 들어, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물 (SiOxNy), 질화알루미늄(AlNx), 산화알루미늄(AlOx) 등을 포함할 수 있다. 도면에서는 절연막(38)이 단일층으로 형성된 것이 예시되어 있으나 이에 제한되지 않으며, 몇몇 실시예에서 절연막(38)은 복수의 층이 적층된 다중층 구조로 형성될 수도 있다.The insulating
절연막(38)은 상기 부재들을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 절연막(38)은 발광 소자(ED)에 전기 신호가 전달되는 전극과 직접 접촉하는 경우 발광층(36)에 발생할 수 있는 전기적 단락을 방지할 수 있다. 또한, 절연막(38)은 발광 소자(ED)의 발광 효율의 저하를 방지할 수 있다.The insulating
또한, 절연막(38)은 외면이 표면처리될 수 있다. 발광 소자(ED)는 소정의 잉크 내에서 분산된 상태로 전극 상에 분사되어 정렬될 수 있다. 여기서, 발광 소자(ED)가 잉크 내에서 인접한 다른 발광 소자(ED)와 응집되지 않고 분산된 상태를 유지하기 위해, 절연막(38)은 표면이 소수성 또는 친수성 처리될 수 있다. In addition, the outer surface of the insulating
디스플레이 장치(10)는 각 화소(PX)에 배치되는 복수의 발광 소자(ED)들을 포함하고, 발광 소자(ED)와 전극(RME)의 전기적 연결을 통해 광을 방출할 수 있다. 디스플레이 장치(10)의 각 화소(PX)들이 원활하게 광을 표시하기 위해, 발광 소자(ED)들의 불량 여부, 및 발광 소자(ED), 연결 전극(CNE) 및 전극(RME)의 전기적 연결 불량 여부 등이 확인될 필요가 있다. 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 장치는 발광 소자(ED)들, 또는 발광 소자(ED)들의 전기적 연결에 발생하는 문제 및 이를 통해 해당 화소를 리페어할 수 있는 장치들을 포함할 수 있다. The
도 5는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 장치를 나타내는 개략도이다. 5 is a schematic diagram illustrating an inspection apparatus of a display apparatus according to an exemplary embodiment.
도 5를 참조하면, 디스플레이 장치의 검사 장치(100)는 카메라 장치(110), 컨트롤러(120), 프로세서(130) 및 리페어 장치(150)를 포함한다. 디스플레이 장치의 검사 장치(100)는 카메라 장치(110)를 이용하여 검사 대상인 디스플레이 장치(10)로부터 복수의 이미지들, 또는 디스플레이 장치(10)의 발광과 관련된 발광 정보들을 획득하고, 획득된 정보들로부터 디스플레이 장치(10)의 불량 여부를 검사할 수 있다. 또한, 디스플레이 장치(10)의 불량으로부터 해당 불량이 발생한 위치, 및 불량의 유형 등을 파악한 뒤, 리페어 장치(150)를 통해 해당 불량을 보완하거나 제거할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the
카메라 장치(110)는 검사 대상인 디스플레이 장치(10)로부터 복수의 이미지 정보들을 획득할 수 있다. 카메라 장치(110)는 다양한 종류의 카메라들을 포함하여 디스플레이 장치(10)를 검사하는 데에 필요한 다양한 종류의 이미지 정보들을 획득할 수 있다. 예를 들어, 카메라 장치(110)는 디스플레이 장치(10)가 구동할 때 화소(PX)들의 발광에 기반한 점등 이미지 정보를 획득할 수 있다. 복수의 화소(PX)들은 점등 화소와 일부의 미점등 화소가 존재할 수 있고, 카메라 장치(110)는 화소(PX)들이 점등하는 동안 일부 화소들이 미점등 상태인 이미지 정보를 획득할 수 있다. 상기 이미지 정보는 프로세서(130)로 제공되고, 일 예로, 카메라 장치(110)는 화소(PX)들의 점등에 관한 이미지 정보를 획득하는 카메라로서, 가시광을 촬영하는 가시광 카메라, TOF(Time-of-Flight) 카메라, 및 라이트 필드(Light Field) 카메라 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The
또한, 카메라 장치(110)는 디스플레이 장치(10)가 구동할 때 화소(PX)들의 발열에 기반한 발열 이미지 정보를 획득할 수도 있다. 디스플레이 장치(10)의 각 화소(PX)가 정상적으로 발광하는 경우와 비정상적으로 발광하는 경우, 각 화소(PX)마다 발생하는 열이 다를 수 있다. 카메라 장치(110)는 점등 여부를 확인하는 카메라와 다른 종류의 카메라를 더 포함하여, 디스플레이 장치(10)의 화소(PX)로부터 발열량 정보를 더 획득할 수 있다. 디스플레이 장치의 검사 장치(100)는 카메라 장치(110)가 점등 여부와 관련된 이미지 정보와, 발열과 관련된 이미지 정보를 각각 획득할 수 있다. 일 예로, 카메라 장치(110)는 화소(PX)들의 발열에 관한 이미지 정보를 획득하는 카메라로서, 열화상 카메라, 또는 적외선 카메라 중 어느 하나를 포함할 수 있다. Also, the
컨트롤러(120)는 카메라 장치(110)와 연결되어 디스플레이 장치(10)를 촬영하는 카메라의 종류를 결정할 수 있다. 컨트롤러(120)는 프로세서(130)로부터 입력된 명령에 따라, 카메라 장치(110)에서 디스플레이 장치(10)로부터 이미지 정보를 획득하기에 적합한 카메라를 선택할 수 있다. 후술할 바와 같이, 디스플레이 장치(10)의 검사 과정에서 각 단계에 따라 다른 종류의 카메라를 이용하여 디스플레이 장치(10)를 촬영하는데, 컨트롤러(120)는 디스플레이 장치(10)를 촬영하는 카메라의 종류, 및 촬영 대상이 되는 화소(PX)와 관련된 정보들을 프로세서(130)로부터 전달받을 수 있고, 이를 토대로 카메라 장치(110)의 촬영을 보조할 수 있다.The
프로세서(130)는 디스플레이 장치(10)의 화소(PX)들에 대한 다양한 정보를 얻기 위해, 카메라 장치(110)가 다양한 종류의 이미지 정보들을 획득하도록 명령할 수 있다. 예를 들어, 디스플레이 장치(10)로부터 점등 여부와 관련된 정보를 얻고자 하는 경우, 프로세서(130)는 카메라 장치(110)에게 화소(PX)들의 점등 정보를 획득할 수 있는 카메라를 이용하여 디스플레이 장치(10)를 촬영할 것을 명령할 수 있다. 또는, 디스플레이 장치(10)로부터 발열에 관련된 정보를 얻고자 하는 경우, 프로세서(130)는 카메라 장치(110)에게 화소(PX)들의 발열 정보를 획득할 수 있는 카메라를 이용하여 디스플레이 장치(10)를 촬영할 것을 명령할 수 있다. 프로세서(130)에서 입력하는 명령은 카메라 장치(110) 또는 이에 연결된 컨트롤러(120)에 제공될 수 있다.The
또한, 일 실시예에 따르면, 프로세서(130)는 카메라 장치(10)에서 획득된 이미지 정보들로부터 디스플레이 장치(10) 화소(PX)들의 발광 정보, 및 상기 발광 정보에 기반한 화소(PX)들의 불량 정보를 획득하고, 상기 불량 화소들의 정보를 기반으로 리페어 장치(150)의 동작을 명령할 수 있다. 프로세서(130)는 카메라 장치(110)에서 획득된 이미지 정보들에서 각 화소(PX)들의 발광 정보를 획득하면, 상기 발광 정보로부터 해당 화소(PX)가 불량 화소인지 여부를 결정할 수 있다. 프로세서(130)는 카메라 장치(110)로부터 복수의 이미지 정보들을 전달 받고, 상기 이미지 정보를 분석하여 각 화소(PX)의 발광 정보를 추출할 수 있다. 추출된 발광 정보로부터 정상 화소들과 불량 화소들을 분류하고, 불량 화소들의 불량 유형에 따라 리페어 장치(150)에 리페어 공정을 명령할 수 있다.Also, according to an exemplary embodiment, the
일 실시예에서, 프로세서(130)에서 획득할 수 있는 발광 정보는 화소(PX)들의 위치 정보, 상기 점등 이미지 정보로부터 추출 가능한 화소(PX)의 발광량 및 점등 여부에 관한 정보(이하, 발광량 정보), 및 상기 발열 이미지 정보로부터 추출 가능한 화소(PX)의 발열량 및 발열 여부에 관한 정보(이하, 발열량 정보)를 포함할 수 있다. 상기 발광량 정보와 발열량 정보는 해당 화소(PX)의 불량 화소 판정을 위해 필요한 정보들이고, 화소(PX)들의 위치 정보는 해당 화소(PX)에 리페어 공정을 수행하기 위해 필요한 정보일 수 있다. In an embodiment, the light emission information obtainable from the
또한, 프로세서(130)에서 획득할 수 있는 불량 정보는 불량 화소에서 불량의 원인에 대한 정보, 및 상기 불량의 원인의 위치에 대한 정보를 포함할 수 있다. 프로세서(130)에서 획득하는 불량 정보는 해당 불량 화소에 적합한 리페어 공정을 선택하기 위해 필요한 정보로서, 불량 정보로부터 추출된 정보를 기반으로 이에 적합한 리페어 공정이 수행될 수 있다. Also, the defect information obtainable from the
상기 발광 정보 및 불량 정보를 획득하는 알고리즘으로서, 프로세서(130)는 카메라 장치(110)로부터 획득된 이미지 정보들로부터 불량 화소를 결정하는 알고리즘, 해당 불량 화소가 리페어 가능한 화소인지 판단하는 알고리즘, 해당 불량 화소들의 위치 정보를 추출하는 알고리즘, 및 상기 불량 화소에 적합한 리페어 공정을 결정하는 알고리즘 등을 포함할 수 있다. As an algorithm for obtaining the light emission information and the defect information, the
예를 들어, 상기 불량 화소를 결정하는 알고리즘은 카메라 장치(110)에서 획득된 발광 정보로부터 해당 화소가 리페어가 필요한 화소(PX)인지 여부를 결정하는 알고리즘일 수 있다. 카메라 장치(110)에서 획득된 화소(PX)의 점등 이미지 정보 및 발열 이미지 정보로부터 추출된 발광 정보를 기반으로, 상기 정보들이 기준치에 미치지 못한 경우 해당 화소(PX)를 불량으로 판단하고, 그렇지 않은 경우 해당 화소(PX)를 정상으로 판단할 수 있다. 프로세서(130)는 디스플레이 장치(10)의 각 화소(PX)들이 정상 화소로 판정되기 위한 발광량 정보 및 발열량 정보의 기준 데이터가 저장되어 있을 수 있고, 상기 불량 화소를 결정하는 알고리즘에서는 획득된 정보들과 상기 기준 데이터의 비교를 통해 불량 화소를 결정할 수 있다. For example, the algorithm for determining the bad pixel may be an algorithm for determining whether the corresponding pixel is a pixel PX in need of repair from light emission information obtained from the
다만, 이에 제한되지 않는다. 프로세서(130)는 디스플레이 장치(10)의 검사 전 기준 데이터가 입력되지 않은 상태로 이미지 정보들을 획득할 수 있고, 획득된 이미지 정보들로부터 기준 데이터를 생성할 수도 있다. 이 경우, 프로세서(130)는 이미지 정보의 획득과 동시에 복수의 이미지 정보들로부터 기준 데이터 생성을 위한 알고리즘이 실행되고, 검사 대상인 디스플레이 장치(10) 각각에 대응한 기준 데이터를 형성하므로 검사 대상들이 갖는 성능 차이에 대응하기 용이한 이점이 있다.However, the present invention is not limited thereto. The
해당 불량 화소가 리페어 가능한 화소인지 판단하는 알고리즘은 불량 화소로 선정된 화소들의 발광 정보에 기반하여 수행될 수 있다. 불량 화소들의 발광 정보를 토대로 리페어 장치(150)에서 수행되는 공정으로 리페어가 가능한 지 여부를 결정할 수 있다. 프로세서(130)에서 리페어가 가능하다고 결정된 경우에는 그에 맞는 리페어 공정이 함께 결정될 수 있고, 그렇지 않은 경우에는 검사 대상인 디스플레이 장치(10)에 대하여 불량 판정을 결정할 수도 있다.An algorithm for determining whether the corresponding bad pixel is a repairable pixel may be performed based on emission information of pixels selected as the bad pixel. Whether repair is possible by a process performed by the
해당 불량 화소들의 위치 정보를 추출하는 알고리즘은 선별된 불량 화소들의 위치, 및 해당 화소에서 불량이 발생한 지점에 대한 정보를 획득하는 알고리즘일 수 있다. 상술한 바와 같이, 검사 대상인 디스플레이 장치(10)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 배열된 복수의 화소(PX)들을 포함하고, 하나의 화소(PX) 내에서도 복수의 발광 소자(ED)들과 전극(RME)을 포함하는 복수의 서브 화소(SPXn)들로 구분될 수 있다. 상기 불량 화소들의 위치 정보를 추출하는 알고리즘은 행 방향과 열 방향으로 배열된 복수의 화소(PX)들 중 불량 화소의 좌표값과 해당 화소(PX)에서 어느 지점에 불량이 발생하였는지 등에 관한 정보들을 획득할 수 있다.The algorithm for extracting the location information of the corresponding bad pixels may be an algorithm for acquiring information on the positions of the selected bad pixels and the point where the defect occurs in the corresponding pixel. As described above, the
상기 불량 화소에 적합한 리페어 공정을 결정하는 알고리즘은 불량 화소의 불량 정보를 기반으로 이에 적합한 리페어 공정을 결정하는 알고리즘일 수 있다. 프로세서(130)는 획득한 이미지 정보들로부터 불량 화소에의 불량 정보를 추출할 수 있고, 상기 불량 정보로부터 해당 화소에 발생한 불량의 종류를 확인할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(130)는 해당 화소(PX)의 발광 소자(ED)가 불량 발광 소자인 경우, 발광 소자(ED)들의 전기적 연결이 원활하지 않는 경우, 또는 발광 소자(ED)들의 개수가 다른 화소(PX)들과 차이가 있는 경우 등 다양한 종류의 불량을 결정할 수 있다. 프로세서(130)에서 결정한 불량 화소의 종류에 따라, 리페어 장치(150)에서는 그에 맞는 리페어 공정을 해당 화소(PX)에서 수행할 수 있다. 프로세서(130)에서 수행되는 복수의 알고리즘에 대한 설명은 다른 도면들을 참조하여 후술하기로 한다.An algorithm for determining a repair process suitable for the bad pixel may be an algorithm for determining a repair process suitable for the bad pixel based on defect information of the bad pixel. The
리페어 장치(150)는 프로세서(130)로부터 제공받은 명령에 따라 디스플레이 장치(10)의 불량 화소들을 리페어할 수 있다. 리페어 장치(150)는 화소(PX)의 불량 원인을 제거하는 공정과, 해당 화소(PX)가 요구되는 발광량을 갖지 못할 경우 이를 보완하는 공정을 수행할 수 있다. 예를 들어, 해당 화소(PX)가 전기적 연결이 단락되거나 불량인 발광 소자(ED)를 포함하여 해당 발광 소자(ED)에 의해 불량 화소로 판정된 경우, 리페어 장치(150)는 해당 불량 화소에서 단락되거나 불량인 발광 소자(ED)를 제거하는 공정을 수행할 수 있다. 또는, 해당 화소(PX)가 정상 화소 대비 발광량이 부족한 경우, 해당 화소(PX)는 발광 소자(ED)의 개수가 부족한 것에 의해 불량 화소 판정이 되고, 리페어 장치(150)는 해당 불량 화소에 발광 소자(ED)들을 재전사하는 공정을 수행할 수 있다. 상술한 바와 같이, 리페어 장치(150)가 수행하는 리페어 공정은 카메라 장치(110) 및 프로세서(130)에서 획득한 정보들에 기반하여 불량 화소의 불량 원인에 따라 달라질 수 있다. The
이하, 다른 도면들을 더 참조하여 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법과 검사 장치의 동작에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a method for inspecting a display apparatus and an operation of the inspection apparatus according to an exemplary embodiment will be described with further reference to other drawings.
도 6은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법을 나타내는 순서도이다.6 is a flowchart illustrating a method of inspecting a display apparatus according to an exemplary embodiment.
도 6을 참조하면, 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법은 카메라 장치(110)를 이용한 디스플레이 장치(10)의 제1 검사 단계(S10), 디스플레이 장치(10)에서 미점등 화소가 존재하는지 여부 확인하는 단계(S20), 및 미점등 화소에 대한 리페어 단계(S30)를 포함할 수 있다. 미점등 화소에 대한 리페어 단계(S30)는 미점등 화소의 위치 정보 획득 단계(S31), 카메라 장치(110)를 이용한 미점등 화소의 제2 검사 단계(S33) 및 리페어 장치(150)를 이용한 미점등 화소의 리페어 단계(S35)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 6 , in a method of inspecting a display device according to an embodiment, a first inspection step ( S10 ) of the
디스플레이 장치의 검사 방법은 도 5를 참조하여 상술한 디스플레이 장치의 검사 장치(100)로 수행될 수 있다. 디스플레이 장치(10)의 제1 검사 단계(S10)와 미점등 화소의 제2 검사 단계(S33)는 카메라 장치(110)에 포함된 서로 다른 카메라(도 7의 '111' 및 도 9의 '113')으로 수행될 수 있다. 제1 검사 단계(S10)에서 획득된 이미지들은 미점등 화소의 존재 여부를 확인하여 디스플레이 장치(10)의 발광 불량을 확인할 수 있다. 제2 검사 단계(S33)에서 획득된 이미지들은 미점등 화소에서 불량 원인을 확인할 수 있고, 제1 검사 단계(S10) 및 제2 검사 단계(S33)에서 획득된 정보들을 통해 프로세서(130)에서는 불량 원인을 판단, 리페어 장치(150)에 리페어 공정을 수행할 것을 명령할 수 있다. 이하에서는 각 단계에서 수행되는 디스플레이 장치(10)의 검사 장치(100)의 동작 및 알고리즘에 대하여 자세히 설명하기로 한다.The inspection method of the display apparatus may be performed by the
도 7 및 도 8은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 카메라 장치를 이용한 제1 검사 단계를 나타내는 개략도들이다.7 and 8 are schematic diagrams illustrating a first inspection step using a camera device in a method of inspecting a display device according to an exemplary embodiment.
도 7 및 도 8을 참조하면, 디스플레이 장치의 검사 방법은 카메라 장치(110)의 제1 카메라(111)를 이용하여 디스플레이 장치(10)의 점등 시 화소(PX)들로부터 점등 이미지 정보를 획득하는 제1 검사 단계(S10)를 포함한다. 카메라 장치(110)의 제1 카메라(111)는 각 화소(PX)에서 방출하는 광을 통해 점등 여부를 확인하는 광학적 카메라 장치일 수 있다.7 and 8 , the inspection method of the display device includes obtaining lighting image information from pixels PX when the
디스플레이 장치(10)의 각 화소(PX)들을 점등시켰을 때, 화소(PX)들은 정상적으로 점등된 화소인 정상 화소(PXA)와 점등이 되지 않는 미점등 화소(PXB)로 구분될 수 있다. 정상 화소(PXA)에서는 발광 소자(ED)들이 정상적인 발광층(36)을 포함하고 전극(RME1, RME2)들과 전기적으로 연결되어 각 발광 소자(ED)들이 원활하게 발광하는 화소일 수 있다. 반면, 미점등 화소(PXB)에서는 발광 소자(ED)들이 정상적이지 않거나 손상된 발광층(36)을 포함할 수 있고, 또는 전극(RME1, RME2)들과 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. When each pixel PX of the
제1 카메라(111)는 디스플레이 장치(10)의 표시 영역(DPA)을 전면적으로 촬영하여 정상 화소(PXA)와 미점등 화소(PXB)들이 존재하는 점등 이미지 정보를 획득할 수 있다. 점등 이미지 정보에서는 정상 화소(PXA)와 미점등 화소(PXB)가 혼재하여 위치할 수 있고, 제1 카메라(111)에서는 정상 화소(PXA)와 미점등 화소(PXB)를 구분하여 촬영하지 않고 표시 영역(DPA)에 배치된 화소(PX) 전체를 한번에 촬영하여 점등 이미지 정보를 획득할 수 있다.The
카메라 장치(110)에서 획득한 점등 이미지 정보는 디스플레이 장치의 검사 장치(100)의 프로세서(130)로 전달된다. 프로세서(130)는 제1 검사 단계(S10)에서 획득한 점등 이미지 정보로부터 미점등 화소(PXB)가 존재하는지 여부를 확인(S20)한다. 도 7 및 도 8과 달리, 획득한 점등 이미지 정보에서 미점등 화소(PXB)가 존재하지 않는다면, 해당 디스플레이 장치(10)의 검사는 종료된다. 다만, 표시 영역(DPA)의 화소(PX)들 중 미점등 화소(PXB)가 존재하면, 해당 미점등 화소(PXB)의 리페어 단계(S30)가 진행될 수 있다. The lighting image information obtained by the
도 9 및 도 10은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 카메라 장치를 이용한 제2 검사 단계를 나타내는 개략도들이다.9 and 10 are schematic diagrams illustrating a second inspection step using a camera device in a method of inspecting a display device according to an exemplary embodiment.
이어, 도 9 및 도 10을 참조하면, 미점등 화소(PXB)의 리페어 단계(S30)에서, 복수의 화소(PX)들 중 미점등 화소(PXB)의 위치 정보를 획득(S31)한 후, 카메라 장치(110)의 제2 카메라(113)를 이용하여 미점등 화소(PXB)들을 검사하는 제2 검사 단계(S33)가 수행된다. Next, referring to FIGS. 9 and 10 , in the repair step ( S30 ) of the unlit pixel PXB, after obtaining ( S31 ) the location information of the unlit pixel PXB among the plurality of pixels PX, A second inspection step S33 of inspecting the unlit pixels PXB using the
미점등 화소(PXB)의 위치 정보를 획득하는 단계(S31)는 디스플레이 장치의 검사 장치(100)에서 프로세서(130)가 수행할 수 있다. 프로세서(130)는 카메라 장치(110)로부터 제공받은 점등 이미지 정보로부터 미점등 화소(PXB)의 발광 정보 중 하나인 위치 정보를 획득할 수 있다. 일 예로, 복수의 화소(PX)들이 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 배열된 표시 영역(DPA)에서, 미점등 화소(PXB)의 위치 정보는 직교 좌표계의 좌표값으로 획득될 수 있다. 다만, 미점등 화소(PXB)의 위치 정보의 종류는 이에 제한되지 않는다. The step ( S31 ) of obtaining the location information of the unlit pixel PXB may be performed by the
프로세서(130)가 미점등 화소(PXB)들의 위치 정보를 획득하면, 프로세서(130)는 카메라 장치(110) 및 컨트롤러(120)에 제2 검사 단계(S33)를 수행하는 명령을 전달할 수 있다. 프로세서(130)에서 전달된 상기 명령은 컨트롤러(120)에서 수신하여 카메라 장치(110)의 제2 카메라(113)를 동작시킨다. 컨트롤러(120)는 프로세서(130)로부터 미점등 화소(PXB)들의 위치 정보를 함께 전달 받을 수 있고, 제2 카메라(113)는 제공받은 위치 정보에 해당하는 미점등 화소(PXB)를 촬영하여 추가 이미지 정보를 획득할 수 있다. When the
일 실시예에 따르면, 제2 카메라(113)를 이용한 제2 검사 단계(S33)는 미점등 화소(PXB)의 점등 시 해당 화소(PX)에서 발생하는 열을 측정한 발열 이미지 정보를 획득하는 단계일 수 있다. 카메라 장치(110)의 제2 카메라(113)는 미점등 화소(PXB)에서 발생하는 열을 이미지화 할 수 있는 열화상 카메라 장치일 수 있다.According to an embodiment, the second inspection step ( S33 ) using the
디스플레이 장치(10)의 각 화소(PX)들은 복수의 발광 소자(ED)들을 포함하고, 미점등 화소(PXB)는 발광 소자(ED) 자체가 불량이거나, 일부 발광 소자(ED)들에 의해 단락된 상태일 수 있다. 미점등 화소(PXB)를 점등시키면, 발광 소자(ED)들에서 광이 방출하지 않는 반면, 불량 원인이 되는 발광 소자(ED), 또는 단락 지점에서는 전류가 과하게 흐름에 따라 다른 부분보다 발열량이 클 수 있다. 제2 카메라(113)는 미점등 화소(PXB)에서 발생하는 열을 감지하여 전류가 과하게 흐르는 지점을 확인할 수 있는 발열 이미지 정보를 획득할 수 있다.Each pixel PX of the
프로세서(130)는 제1 검사 단계(S10)에서 획득한 점등 이미지 정보, 및 제2 검사 단계(S33)에서 획득한 발열 이미지 정보에 기반하여 복수의 화소(PX)들의 발광 정보를 획득할 수 있고, 그 중에서 미점등 화소(PXB)에서는 상기 발광 정보에 기반한 불량 정보를 확인할 수 있다. 프로세서(130)는 미점등 화소(PXB)의 불량 정보로, 불량 원인의 종류, 및 불량 원인의 위치 정보를 획득할 수 있다. 도 10에 도시된 바와 같이, 미점등 화소(PXB)에서 제1 발광 소자(ED1)가 위치한 지점 대비, 제2 발광 소자(ED2)가 위치한 지점이 더 많은 열이 발생할 경우, 미점등 화소(PXB)의 불량 원인은 제2 발광 소자(ED2) 또는 제2 발광 소자(ED2)가 배치된 지점에서 발생한 문제일 수 있다. 프로세서(130)는 발열 이미지 정보에서 불량 원인의 위치와 그로부터 불량 원인의 유형에 대한 정보를 획득할 수 있다.The
프로세서(130)는 발열 이미지 정보로부터 불량 원인의 위치 및 유형에 대한 정보를 획득하면 그에 맞는 리페어 공정을 선택하고, 해당 리페어 공정을 수행하는 명령을 리페어 장치(150)에 전달할 수 있다. When the
도 11은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 장치를 이용한 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.11 is a schematic diagram illustrating a repair step using a repair apparatus in a method of inspecting a display apparatus according to an exemplary embodiment.
이어, 도 11을 참조하면, 리페어 장치(150)는 프로세서(130)로부터 전달받은 리페어 정보를 통해 미점등 화소(PXB)를 리페어하는 단계(S35)를 수행한다. 리페어 장치(150)는 미점등 화소(PXB)의 불량 원인을 물리적으로 제거하는 레이저 장치(151)를 포함할 수 있고, 미점등 화소(PXB)를 리페어하는 단계(S35)에서 레이저 장치(151)는 불량 원인의 위치에 레이저를 조사하여 해당 불량 원인을 물리적으로 제거할 수 있다. 예를 들어, 미점등 화소(PXB)의 불량 원인이 불량 발광 소자에 의한 불량이 원인인 경우, 레이저 장치(151)는 상기 불량 발광 소자에 레이저를 조사하여 이를 파괴하거나 제거할 수 있다. 프로세서(130)는 불량 원인과 불량 원인의 위치 정보를 획득할 수 있고, 리페어 장치(150)는 프로세서(130)에서 제공되는 정보에 기반하여 미점등 화소(PXB)의 불량 원인인 불량 발광 소자와 그 위치에 레이저를 조사할 수 있다. 리페어 장치(150)가 프로세서(130)가 선택한 리페어 공정을 수행함으로써 미점등 화소(PXB)의 불량 원인은 제거될 수 있고, 미점등 화소(PXB)는 불량 원인의 제거에 따라 점등 화소(PXA)가 될 수 있다.Next, referring to FIG. 11 , the
한편, 도 11에서는 미점등 화소(PXB)의 불량 원인이 발광 소자(ED)의 불량인 경우를 예시하면서, 리페어 장치(150)의 레이저 장치(151)가 불량인 제2 발광 소자(ED2)를 제거하는 공정이 도시되어 있다. 다만, 미점등 화소(PXB)의 불량 원인은 발광 소자(ED)가 아닌 다른 부재에 의한 것일 수 있다. 상술한 바와 같이, 디스플레이 장치(10)는 복수의 발광 소자(ED)들이 연결 전극(CNE)들을 통해 전극(RME)과 전기적으로 연결될 수 있다. 연결 전극(CNE)들은 서로 이격되어 배치되나, 공정의 오차에 의해 서로 다른 연결 전극(CNE)들이 부분적으로 연결된다면, 해당 지점은 전기적으로 단락되어 불량 원인이 될 수도 있다. 이 경우, 디스플레이 장치의 검사 장치(100)는 미점등 화소(PXB)의 리페어 단계(S30)에서 연결 전극(CNE)들이 전기적으로 단락된 지점에 대한 정보를 획득하고, 단락된 지점에 대한 리페어 공정이 수행될 수 있다.Meanwhile, in FIG. 11 , the
도 12는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 카메라 장치를 이용한 제2 검사 단계를 나타내는 개략도이다. 도 13은 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 장치를 이용한 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.12 is a schematic diagram illustrating a second inspection step using a camera device in a method of inspecting a display device according to another exemplary embodiment. 13 is a schematic diagram illustrating a repair step using a repair apparatus in a method of inspecting a display apparatus according to another exemplary embodiment.
도 12 및 도 13을 참조하면, 제1 검사 단계(S10)에서 점등 화소(PXA)의 발광 소자(ED)들은 발광하되, 미점등 화소(PXB)의 발광 소자(ED)들은 발광하지 않을 수 있다. 점등 화소(PXA)에서는 제1 연결 전극(CNE1)과 제2 연결 전극(CNE2)이 각각 제1 전극(RME1) 및 제2 전극(RME2) 상에서 서로 직접 연결되지 않도록 배치된다. 반면, 미점등 화소(PXB)에서는 제1 연결 전극(CNE1-1)과 제2 연결 전극(CNE2-1)의 일부분이 서로 직접 맞닿아 연결됨에 따라, 제1 연결 전극(CNE1-1)과 제2 연결 전극(CNE2-1)은 전기적으로 단락될 수 있다. 제1 전극(RME1)과 제2 전극(RME2)으로 인가되는 전기 신호는 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들이 단락된 지점을 통해서만 흐르게 되고, 발광 소자(ED)들은 발광하지 않을 수 있다. 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 장치(100)는 카메라 장치(110) 및 프로세서(130)를 통해 미점등 화소(PXB)의 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들이 단락된 불량에 대한 불량 정보를 획득할 수 있고, 리페어 장치(150)가 상기 불량 정보로부터 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들의 단락 불량을 제거하는 리페어 공정을 수행할 수 있다. 12 and 13 , in the first inspection step S10 , the light emitting devices ED of the lit pixel PXA may emit light, but the light emitting devices ED of the unlit pixel PXB may not emit light. . In the lighting pixel PXA, the first connection electrode CNE1 and the second connection electrode CNE2 are disposed on the first electrode RME1 and the second electrode RME2 so as not to be directly connected to each other. On the other hand, in the unlit pixel PXB, as portions of the first connection electrode CNE1-1 and the second connection electrode CNE2-1 directly contact each other and are connected to each other, the first connection electrode CNE1-1 and the second connection electrode CNE1-1 are connected to each other. The two connection electrodes CNE2-1 may be electrically shorted. Electrical signals applied to the first electrode RME1 and the second electrode RME2 may flow only through points where the connection electrodes CNE1-1 and CNE2-1 are shorted, and the light emitting devices ED may not emit light. . The
일 실시예에 따르면, 미점등 화소(PXB)의 불량 원인이 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들의 단락인 경우, 제2 검사 단계(S33)에서는 미점등 화소(PXB)의 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들이 단락된 지점에 대한 발열 이미지 정보를 획득할 수 있다. 미점등 화소(PXB)의 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들이 단락된 지점에서는 많은 전류가 흐르게되고, 발열량이 다른 위치보다 높을 수 있다. 프로세서(130)는 발열 이미지 정보로부터 다른 발광 소자(ED)들에서 발생하는 발열량과 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들이 단락된 지점에서 발생하는 발열량을 비교하여, 미점등 화소(PXB)의 불량 원인이 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들의 단락인 점과 해당 단락의 위치 정보를 획득할 수 있다. According to an embodiment, when the cause of the failure of the unlit pixel PXB is a short circuit of the connection electrodes CNE1-1 and CNE2-1, in the second inspection step S33, the connection electrode ( CNE1-1, CNE2-1) may acquire thermal image information for a short-circuited point. At a point where the connection electrodes CNE1-1 and CNE2-1 of the unlit pixel PXB are short-circuited, a large amount of current may flow, and the amount of heat generated may be higher than at other locations. The
프로세서(130)는 획득한 불량 정보로부터 그에 대응한 리페어 공정을 선택하여 리페어 장치(150)에게 명령을 전달할 수 있다. 리페어 장치(150)는 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들이 단락된 지점을 확인하고, 레이저 장치(151)를 이용하여 레이저를 조사할 수 있다. 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들이 단락된 지점이 레이저 조사에 의해 제거될 경우, 연결 전극(CNE1-1, CNE2-1)들이 단락되지 않은 상태로 발광 소자(ED)와 연결될 수 있고, 미점등 화소(PXB)는 불량 원인이 제거될 수 있다. The
도 14는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 장치를 이용한 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.14 is a schematic diagram illustrating a repair step using a repair apparatus in a method of inspecting a display apparatus according to another exemplary embodiment.
도 14를 참조하면, 디스플레이 장치의 검사 방법에서 수행되는 리페어 단계(S35)는 미점등 화소(PXB)에 발광 소자(ED)들을 재전사하고 이를 전극(RME)과 전기적으로 연결시키는 공정을 포함할 수 있다. 디스플레이 장치의 검사 장치(100)는 리페어 장치(150)가 발광 소자(ED)들을 재전사하는 재전사 장치(153)를 더 포함할 수 있고, 미점등 화소(PXB)의 불량 원인에 대응하여 발광 소자(ED)들을 재전사하는 공정이 수행될 수도 있다. Referring to FIG. 14 , the repair step S35 performed in the inspection method of the display device may include a process of retransferring the light emitting devices ED to the unlit pixel PXB and electrically connecting the light emitting devices ED to the electrode RME. can The
도 11 및 도 13에서 상술한 실시예는 리페어 장치(150)의 레이저 장치(151)를 이용하여 발광 소자(ED) 또는 연결 전극(CNE)들의 단락 지점을 제거하는 공정이 수행될 수 있다. 다만, 미점등 화소(PXB)의 불량 원인은 이에 제한되지 않으며, 경우에 따라 양 단부 중 어느 일 단부가 전극(RME)과 연결되지 않는 발광 소자(ED_U)들만이 배치됨에 따라, 정상 연결된 발광 소자(ED)들이 존재하지 않아 미점등될 수도 있다. 이 경우, 리페어 장치(150)는 발광 소자(ED)들의 재전사 장치(153)를 이용하여 해당 미점등 화소(PXB)에 발광 소자(ED)들을 재전사하고, 새로운 연결 전극(CNE)들을 형성하여 재전사된 발광 소자(ED_T)들을 전극(RME)과 연결시키는 공정이 수행될 수 있다. 일 예로, 발광 소자(ED)들의 재전사 장치(153)는 잉크젯 프린팅 방식, 정전헤드 전사 방식, 접합 스탬프 전사 방식, 증착 방식, 또는 픽 앤 플레이스(Pick & Place) 방식의 재전사 장치일 수 있다. 또한, 도면으로 도시되지 않았으나, 리페어 장치(150)는 연결 전극(CNE)들을 추가로 패터닝하는 장치를 포함할 수 있고, 새로이 재전사된 발광 소자(ED_T)들은 추가로 패터닝된 연결 전극(CNE)들을 통해 전극(RME)과 전기적으로 연결될 수 있다. 11 and 13 , a process of removing the short-circuit point of the light emitting device ED or the connection electrodes CNE may be performed using the
이상에서 설명한 바와 같이, 디스플레이 장치의 검사 장치(100)는 카메라 장치(110)를 통해 복수의 이미지 정보들을 획득하고, 프로세서(130)가 획득한 이미지 정보로부터 불량에 대한 정보를 획득할 수 있고, 리페어 장치(150)는 프로세서(130)에서 획득한 불량 정보에 기반한 리페어 공정을 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이 장치의 검사 방법은 디스플레이 장치의 검사 장치(100)를 이용하여 발광 소자(ED)들을 포함한 디스플레이 장치(10)의 불량 여부를 판단하고, 불량의 종류 및 해당 정보에 따라 적절한 리페어 공정을 수행할 수 있다. As described above, the
도 15는 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법을 나타내는 순서도이다.15 is a flowchart illustrating a method of inspecting a display apparatus according to another exemplary embodiment.
도 15를 참조하면, 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법은 미점등 화소(PXB)들에 대한 리페어 단계(S30)에 더하여, 점등 화소(PXA)들의 발광 정보에 기반한 불량 화소의 리페어 단계(S40)를 더 포함할 수 있다. 제1 검사 단계(S10)에서 제1 카메라(111)를 이용하여 점등 화소(PXA)와 미점등 화소(PXB)에 대한 점등 이미지 정보를 획득하면, 점등 화소(PXA)와 미점등 화소(PXB)를 구분하고 미점등 화소(PXB)에 대한 리페어 단계(S30)가 수행될 수 있다. 미점등 화소(PXB)에 대한 리페어 단계(S30)는 발광하지 않는 화소에서 불량 원인들을 제거하여 이를 발광시키는 목적으로 리페어 단계(S30)가 수행될 수 있다.Referring to FIG. 15 , in the method of inspecting a display device according to an exemplary embodiment, in addition to the repair step S30 for the unlit pixels PXB, the repair step of the bad pixels based on the emission information of the lit pixels PXA ( S40) may be further included. In the first inspection step ( S10 ), when lit image information for the lit pixel PXA and the unlit pixel PXB is obtained using the
다만, 이와 달리 점등 화소(PXA)들 중에서도 일부의 화소들은 원하는 발광량을 갖지 못할 수 있고, 해당 화소들은 점등 화소(PXA)이지만 리페어 단계(S40)가 필요한 화소들이 존재할 수 있다. 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법은 점등 화소(PXA)들에 대한 리페어 단계(S40)로서, 점등 화소(PXA)들이 균일한 발광량을 갖기 위한 리페어 단계를 더 포함할 수 있다. However, in contrast to this, some pixels among the lit pixels PXA may not have a desired amount of light emission, and although the corresponding pixels are the lit pixels PXA, there may be pixels that require a repair step S40 . The method of inspecting a display apparatus according to an exemplary embodiment may further include a repair step for the lit pixels PXA to have a uniform amount of light emitted as a repair step S40 of the lit pixels PXA.
도 16 및 도 17은 도 15의 디스플레이 장치의 검사 방법에서 점등 화소들의 발광 정보 획득 단계를 나타내는 개략도들이다. 도 18은 도 15의 디스플레이 장치의 검사 방법에서 리페어 단계를 나타내는 개략도이다.16 and 17 are schematic diagrams illustrating a step of obtaining light emission information of lit pixels in the inspection method of the display device of FIG. 15 . 18 is a schematic diagram illustrating a repair step in the inspection method of the display device of FIG. 15 .
도 15에 더하여 도 16 내지 도 18을 참조하면, 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 검사 방법은 점등 화소(PXA)들에 대한 리페어 단계(S40)로서, 점등 화소(PXA)들의 발광 정보를 획득하는 단계(S41), 발광 정보를 통해 불량 화소 정보를 획득하는 단계(S43) 및 리페어 장치(150)를 이용하여 불량 화소들을 리페어 하는 단계(S45)를 포함할 수 있다. 점등 화소(PXA)들에 대한 리페어 단계(S40)는 점등 화소(PXA)들 중에서 일정 수준의 발광량을 갖는 점등 화소들과 그렇지 않는 점등 화소들을 구분하고, 이들의 발광량을 균일하게 조정하는 단계일 수 있다.Referring to FIGS. 16 to 18 in addition to FIG. 15 , a method of inspecting a display device according to an exemplary embodiment is a repair step S40 for the lit pixels PXA, in which light emission information of the lit pixels PXA is obtained. The method may include a step S41 , a step S43 of obtaining bad pixel information through emission information, and a step S45 of repairing the bad pixels using the
먼저, 점등 화소(PXA)들의 발광 정보를 획득하는 단계(S41)는 카메라 장치(110)를 이용하여 획득된 점등 화소(PXA)들의 점등 이미지 정보로부터 점등 화소(PXA)들의 발광 정보로서 발광량 정보를 획득하는 단계일 수 있다. First, in the step S41 of obtaining light emission information of the lit pixels PXA, light emission amount information is obtained as light emission information of the lit pixels PXA from the lit image information of the lit pixels PXA obtained by using the
검사 대상인 디스플레이 장치(10)는 양품으로 판정되기 위해 복수의 화소(PX)들이 일정 수준의 발광량을 가질 것이 요구될 수 있다. 상기 일정 수준의 발광량은 각 화소(PX)에서 방출하는 광의 광량으로 측정되거나, 복수의 화소(PX)들에서 방출하는 광의 총 광량으로 측정될 수 있다. 다만, 각 화소(PX)에서 방출하는 광의 광량이 모두 상술한 일정 수준의 발광량을 갖는다면, 해당 디스플레이 장치(10)는 표시 영역(DPA)에서 위치에 무관하게 균일한 발광량을 가질 수 있다. The
일 예로, 복수의 점등 화소(PXA)들은 발광량 정보를 기준으로 제1 점등 화소(PXA1), 제2 점등 화소(PXA2), 및 제3 점등 화소(PXA3)로 구분될 수 있다. 디스플레이 장치(10)에서 각 화소(PX)들에 요구되는 발광량을 충족시키는 점등 화소(PXA)가 제2 점등 화소(PXA2)인 경우, 제1 점등 화소(PXA1)는 제2 점등 화소(PXA2)보다 발광량이 큰 점등 화소이고, 제3 점등 화소(PXA3)는 제2 점등 화소(PXA3)보다 발광량이 작은 점등 화소일 수 있다. 제2 점등 화소(PXA2)는 일정 수준의 발광량을 갖춘 정상 점등 화소이고, 제1 점등 화소(PXA1)와 제3 점등 화소(PXA3)는 상대적으로 불량 점등 화소로 분류될 수 있다. 점등 화소(PXA)들의 발광 정보를 획득하는 단계에서는 각 점등 화소(PXA)들의 발광량에 관한 정보들을 획득하고, 이로부터 정상 점등 화소와 불량 점등 화소를 분류하는 단계일 수 있다. For example, the plurality of lit pixels PXA may be divided into a first lit pixel PXA1 , a second lit pixel PXA2 , and a third lit pixel PXA3 based on emission amount information. When the lit pixel PXA satisfying the emission amount required for each pixel PX in the
한편, 디스플레이 장치(10)에서 정상 점등 화소(PXA)로 분류되기 위해 각 화소(PX)들에 요구되는 발광량은 디스플레이 장치(10)의 제조 시에 설정된 값일 수 있다. 디스플레이 장치(10)의 제조 시 각 화소(PX)들에 요구되는 발광량이 설정되면, 그에 맞춰 각 화소(PX)들의 제조 공정 조건도 조절될 수 있다. 예를 들어, 각 화소(PX)에 요구되는 발광량이 정해지면 해당 화소(PX)에 필요한 발광 소자(ED)들의 개수, 및 구동 전류의 세기 등이 계산될 수 있고, 디스플레이 장치(10)의 제조 시에는 설정된 조건에 따라 제조 공정에 수행될 수 있다. 디스플레이 장치의 검사 방법의 점등 화소들의 발광 정보를 획득하는 단계(S41)에서는 상기 설정된 값을 기준으로 정상 점등 화소(예컨대 제2 점등 화소)와 불량 점등 화소(예컨대 제1 및 제3 점등 화소)가 분류될 수 있다.Meanwhile, the amount of light required for each pixel PX to be classified as the normally lit pixel PXA in the
다만, 디스플레이 장치(10)에서 각 화소(PX)들에 요구되는 발광량의 설정 방식이 이에 제한되지 않는다. 디스플레이 장치의 검사 방법에서 점등 화소(PXA)들 중 정상 점등 화소가 되는 발광량의 기준은 이미 설정된 값에 의하지 않고 해당 디스플레이 장치(10)의 점등 화소(PXA)들이 갖는 발광 정보로부터 추출되는 설정값일 수 있다. 점등 화소(PXA)들의 발광 정보를 획득하는 단계(S41)에서 정상 점등 화소가 되는 점등 화소(PXA)는 상기 발광 정보들로부터 계산된 값에 의해 결정될 수 있다. However, the method of setting the amount of light required for each pixel PX in the
이어, 점등 화소(PXA)들의 발광 정보를 획득(S41)하고 난 후에는 발광 정보를 통해 불량 점등 화소들의 발광 정보를 획득하는 단계(S43)가 수행될 수 있다. 상술한 바와 같이, 점등 화소(PXA)들의 발광 정보를 획득하여 정상 점등 화소와 불량 점등 화소가 분류되면, 리페어 대상인 불량 점등 화소들에 대한 추가적인 정보를 획득하는 단계가 수행될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 불량 점등 화소들의 정보를 획득하는 단계(S43)는 불량 점등 화소들의 발광 정보에 기반하여 불량 점등 화소들의 위치 정보 및 불량 정보를 획득하는 단계를 포함할 수 있다.Subsequently, after obtaining the light emission information of the lit pixels PXA ( S41 ), a step S43 of obtaining light emission information of the poorly lit pixels through the light emission information may be performed. As described above, when the normally lit pixels and the badly lit pixels are classified by obtaining the emission information of the lit pixels PXA, the step of acquiring additional information on the badly lit pixels to be repaired may be performed. According to an embodiment, the step of obtaining information on the poorly lit pixels ( S43 ) may include obtaining location information and the bad information of the badly lit pixels based on emission information of the badly lit pixels.
도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 복수의 점등 화소(PXA)들을 카메라 장치(110)로 검사하여 불량 점등 화소인 제1 점등 화소(PXA1)와 제3 점등 화소(PXA3)의 위치 정보를 획득한다. 불량 점등 화소인 제1 점등 화소(PXA1)와 제3 점등 화소(PXA3)의 위치 정보가 획득되면, 해당 불량 점등 화소로부터 불량의 원인 및 불량 원인의 위치에 대한 정보와 같은 불량 정보를 획득할 수 있다. 일 예로, 불량 점등 화소들의 불량 정보는 카메라 장치(110)의 제1 카메라(111)를 이용하여 획득한 점등 이미지 정보로부터 획득될 수 있다. 제1 카메라(111)를 이용하여 획득된 점등 이미지 정보는 광학적 방식으로 획득된 이미지로서, 각 점등 화소(PXA)들의 발광량 정보를 획득할 수 있다. 불량 점등 화소들의 주변에는 정상 점등 화소들이 배치될 수 있는데, 광학적 방식으로 획득된 이미지 정보에서 특정 위치의 발광량을 기준으로 발광량이 다른 지점을 쉽게 구분할 수 있다. 정상 점등 화소의 발광량을 기준으로, 주변의 다른 화소들의 발광량을 비교하여 해당 화소가 불량 점등 화소인지 여부를 파악할 수 있다. 16 and 17 , the plurality of lit pixels PXA are inspected with the
이와 유사하게, 불량 점등 화소들의 불량 원인도 정상 점등 화소와 비교를 통해 파악될 수 있다. 예를 들어, 정상 점등 화소인 제2 점등 화소(PXA2)가 일정 개수의 발광 소자(ED)들을 포함하여 원하는 발광량을 갖는 경우, 불량 점등 화소인 제1 점등 화소(PXA1)와 제3 점등 화소(PXA3)는 다른 개수의 발광 소자(ED)들을 포함하여 원하는 수준의 발광량을 갖지 못할 수 있다. 제1 점등 화소(PXA1)는 더 많은 수의 발광 소자(ED)들을 포함하여 발광량이 큰 경우이고, 제3 점등 화소(PXA3)는 더 적은 수의 발광 소자(ED)들을 포함하여 발광량이 작은 경우일 수 있다. 제2 점등 화소(PXA2)와의 비교를 통해 획득된 제1 점등 화소(PXA1)와 제3 점등 화소(PXA3)의 불량 원인은 발광 소자(ED)들의 개수 차이일 수 있다. Similarly, the cause of the failure of the badly lit pixels may also be identified through comparison with the normal lit pixels. For example, when the second lit pixel PXA2, which is a normally lit pixel, includes a predetermined number of light emitting elements ED and has a desired amount of light emission, the first lit pixel PXA1 and the third lit pixel PXA1 as a bad lit pixel The PXA3 may not have a desired level of light emission by including a different number of light emitting devices ED. A case in which the first lit pixel PXA1 includes a greater number of light emitting devices ED and a large amount of light emission, and a case in which the third lit pixel PXA3 includes a smaller number of light emitting devices ED and a small amount of light emission can be A cause of the failure of the first lit pixel PXA1 and the third lit pixel PXA3 obtained through comparison with the second lit pixel PXA2 may be a difference in the number of the light emitting elements ED.
다만, 도면에서는 제1 카메라(111)를 이용하여 불량 점등 화소들의 위치 정보를 얻거나 불량 원인을 획득하는 단계만이 예시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 미점등 화소(PXB)들의 불량 원인을 파악하는 단계와 유사하게, 불량 점등 화소들의 불량 원인을 파악하는 단계에서도 카메라 장치(110)의 제2 카메라(113)가 활용될 수 있다.However, in the drawings, only the step of obtaining position information of the defective lighting pixels or obtaining the cause of the failure by using the
이어, 불량 점등 화소들에 대한 불량 정보를 획득(S43)한 뒤, 상기 정보에 기반하여 리페어 장치(150)를 이용한 불량 점등 화소들을 리페어 하는 단계(S45)가 수행될 수 있다. 본 단계에서는 불량 점등 화소의 불량 원인에 대응하여 각 불량 점등 화소들에 리페어 공정이 수행될 수 있다. Subsequently, after obtaining bad information on the badly lit pixels ( S43 ), a step of repairing the badly lit pixels using the
미점등 화소(PXB)의 리페어 단계와 유사하게, 불량 점등 화소의 리페어 단계에서 레이저 장치(151)를 이용한 리페어 공정이 수행될 수 있다. 예를 들어, 제1 점등 화소(PXA1)와 같이, 정상 점등 화소와 대비하여 더 많은 수의 발광 소자(ED)들이 배치된 경우, 일부 발광 소자(ED)들을 제거하는 공정을 통해 발광량을 낮추는 리페어 공정이 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 불량 점등 화소의 리페어 단계(S45)는 리페어 장치(150)의 레이저 장치(151)를 이용하여 불량 점등 화소에 배치된 발광 소자(ED)들 중 일부를 제거하는 공정이 수행될 수 있다. 제1 점등 화소(PXA1)에서는 레이저 장치(151)에서 조사된 레이저에 의해 일부 발광 소자(ED)들이 제거되거나 파괴되고, 나머지 발광 소자(ED)들이 발광함에 따라 발광량이 낮아지는 보정이 수행될 수 있다. Similar to the repair step of the unlit pixel PXB, a repair process using the
반면, 제3 점등 화소(PXA3)와 같이 정상 점등 화소와 대비하여 더 적은 수의 발광 소자(ED)들이 배치된 경우, 발광 소자(ED)들을 더 배치하는공정을 통해 발광량을 높이는 리페어 공정이 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 불량 점등 화소의 리페어 단계(S45)는 리페어 장치(150)의 재전사 장치(153)를 이용하여 불량 점등 화소에 발광 소자(ED)들을 재전사하고, 이를 전극(RME)과 전기적으로 연결시키는 공정이 수행될 수 있다. 제3 점등 화소(PXA3)에서는 재전사 장치(153)를 통해 일부 발광 소자(ED)들이 전극(RME)들 상에 재전사되고, 해당 발광 소자(ED)들이 새로운 연결 전극(CNE)을 통해 전극(RME)과 전기적으로 연결될 수 있다. 해당 화소에서는 추가적인 발광 소자(ED)들이 배치됨에 따라 발광량이 높아지는 보정이 수행될 수 있다.On the other hand, when a smaller number of light emitting devices ED are disposed as compared to the normally lit pixels, such as the third lit pixel PXA3 , a repair process for increasing the amount of light emission through a process of further disposing the light emitting devices ED is performed. can be In an exemplary embodiment, in the repairing step S45 of the badly lit pixel, the light emitting devices ED are retransferred to the badly lit pixel using the
이상의 과정을 통해, 점등 화소(PXA)들 중 불량 점등 화소들의 발광량이 보정되면 디스플레이 장치(10)의 점등 화소(PXA)들은 최초 제조 상태보다 균일한 발광량을 가질 수 있고, 디스플레이 장치(10)의 발광 품질이 개선될 수 있다. Through the above process, when the light emission amount of the poorly lighted pixels among the lighted pixels PXA is corrected, the lighted pixels PXA of the
한편, 본 실시예에서는 디스플레이 장치의 검사 방법이 미점등 화소(PXB)들의 리페어 단계(S30)에 더하여 점등 화소(PXA)들의 리페어 단계(S40)를 수행함에 따라, 미점등 화소(PXB)들의 리페어 단계(S30)가 수행되면, 추가적으로 미점등 화소(PXB)가 존재하는지 여부를 확인하는 단계(S20)가 수행될 수 있다. 미점등 화소(PXB)를 리페어 하더라도 해당 화소(PX)가 모두 정상 점등 화소가 되지 않을 수 있으므로, 리페어된 미점등 화소(PXB)들에 대하여도 점등 화소(PXA)들의 리페어 단계(S40)가 수행될 수 있다. 그에 따라, 미점등 화소(PXB)들의 리페어 단계가 수행된 후에는 다시 미점등 화소가 존재하는지 여부를 확인하는 단계(S20)가 수행되고, 경우에 따라 점등 화소(PXA)들의 리페어 단계(S40)가 수행될 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, as the inspection method of the display apparatus performs the repair step S40 of the lit pixels PXA in addition to the repair step S30 of the unlit pixels PXB, the unlit pixels PXB are repaired. When step S30 is performed, step S20 of additionally checking whether the unlit pixel PXB exists may be performed. Even if the unlit pixels PXB are repaired, the corresponding pixels PX may not all become normally lit pixels. Therefore, the repairing step S40 of the lit pixels PXA is also performed on the repaired unlit pixels PXB. can be Accordingly, after the repairing of the unlit pixels PXB is performed, a step S20 of checking whether the unlit pixels exist again is performed, and in some cases, the repairing of the lit pixels PXA ( S40 ) can be performed.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. you will be able to understand Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.
10: 디스플레이 장치
100: 디스플레이 장치의 검사 장치
110: 카메라 장치
120: 컨트롤러
130: 프로세서
150: 리페어 장치10: display device
100: inspection device of the display device
110: camera device
120: controller
130: processor
150: repair device
Claims (20)
상기 점등 이미지 정보로부터 상기 복수의 화소들 중 점등 화소와 미점등 화소가 존재하는 지 확인하는 단계;
상기 발광 정보 중 상기 미점등 화소들의 위치 정보를 획득하고, 상기 미점등 화소들로부터 발열 이미지 정보를 획득하는 제2 검사 단계; 및
상기 점등 이미지 정보 및 상기 발열 이미지 정보로부터 획득되는 발광 정보로부터 상기 미점등 화소의 불량 정보를 획득하고, 상기 불량 정보에 기반하여 상기 미점등 화소들을 리페어하는 리페어 단계를 포함하고,
상기 리페어 단계는 상기 미점등 화소에 배치된 상기 발광 소자들 중 일부를 제거하는 단계, 또는 상기 미점등 화소에 상기 발광 소자를 재전사하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법.a first inspection step of turning on a display device including a plurality of pixels in which a plurality of light emitting elements are disposed, and obtaining lighting image information from the pixels;
checking whether a lit pixel and an unlit pixel exist among the plurality of pixels from the lit image information;
a second inspection step of obtaining position information of the unlit pixels among the light emission information and obtaining heat image information from the unlit pixels; and
a repair step of obtaining defective information of the unlit pixels from the light emitting information obtained from the lighting image information and the heat image information, and repairing the unlit pixels based on the failure information,
The repairing step may include removing some of the light emitting devices disposed in the unlit pixel, or retransferring the light emitting device to the unlit pixel.
상기 제1 검사 단계는 상기 디스플레이 장치의 점등 시, 상기 화소들에서 방출하는 광을 통해 상기 점등 이미지 정보를 획득하는 제1 카메라로 수행되고,
상기 제2 검사 단계는 상기 디스플레이 장치의 점등 시 상기 화소들에서 발생하는 열을 통해 상기 발열 이미지 정보를 획득하는 제2 카메라로 수행되는 디스플레이 장치의 검사 방법.The method of claim 1,
The first inspection step is performed with a first camera that acquires the lighting image information through the light emitted from the pixels when the display device is turned on,
The second inspection step is performed by a second camera for acquiring the heat image information through heat generated in the pixels when the display device is turned on.
상기 발광 정보는 상기 점등 이미지 정보로부터 획득되는 발광량 정보, 및 상기 발열 이미지 정보로부터 획득되는 발열량 정보를 포함하고,
상기 불량 정보는 상기 미점등 화소의 불량 원인의 종류, 및 상기 불량 원인의 위치에 관한 정보를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법.The method of claim 1,
The light emission information includes light emission amount information obtained from the lighting image information, and heat amount information obtained from the heat generation image information,
The defect information includes information on a type of a cause of the failure of the unlit pixel and information on a location of the cause of the failure.
상기 디스플레이 장치는 상기 화소마다 배치된 제1 전극과 제2 전극, 및 상기 제1 전극 상에 배치된 제1 연결 전극과 상기 제2 전극 상에 배치된 제2 연결 전극을 포함하고,
상기 발광 소자는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 상에 배치되며 상기 제1 연결 전극 및 상기 제2 연결 전극과 접촉하는 디스플레이 장치의 검사 방법.The method of claim 1,
The display device includes a first electrode and a second electrode disposed on each pixel, and a first connection electrode disposed on the first electrode and a second connection electrode disposed on the second electrode,
The light emitting element is disposed on the first electrode and the second electrode and is in contact with the first connection electrode and the second connection electrode.
상기 제2 검사 단계는 상기 발열 이미지 정보로부터 상기 미점등 화소에 배치된 상기 발광 소자들 중 불량 발광 소자의 위치 정보를 획득하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법.5. The method of claim 4,
The second inspection step includes acquiring position information of a defective light emitting element among the light emitting elements disposed in the unlit pixel from the heat image information.
상기 리페어 단계는 상기 미점등 화소에서 상기 불량 발광 소자에 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법.6. The method of claim 5,
The repairing step includes irradiating a laser from the unlit pixel to the defective light emitting device.
상기 제2 검사 단계는 상기 발열 이미지로 정보부터 상기 미점등 화소에 배치된 상기 제1 연결 전극과 상기 제2 연결 전극이 단락된 상에서 발열량이 다른 부분보다 높은 지점의 위치 정보를 획득하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법.5. The method of claim 4,
The second inspection step includes acquiring position information of a point where the heating value is higher than that of other parts in the short circuit of the first connection electrode and the second connection electrode disposed in the unlit pixel from the information from the heating image A method of inspecting a display device.
상기 리페어 단계는 상기 미점등 화소에서 상기 제1 연결 전극과 상기 제2 연결 전극이 단락된 지점에 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법.8. The method of claim 7,
The repairing step includes irradiating a laser to a point where the first connection electrode and the second connection electrode are short-circuited in the unlit pixel.
상기 제2 검사 단계는 상기 미점등 화소들 중 상기 발광 소자들이 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 연결되지 않은 미점등 화소의 위치 정보를 획득하는 단계를 포함하고,
상기 리페어 단계는 해당 미점등 화소에 상기 발광 소자들을 재전사하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법.5. The method of claim 4,
The second inspection step includes obtaining position information of an unlit pixel among the unlit pixels in which the light emitting elements are not connected to the first electrode and the second electrode,
The repairing step includes the step of retransferring the light emitting elements to the corresponding unlit pixel.
상기 점등 화소들의 상기 발광 정보를 획득하여 상기 점등 화소들을 정상 점등 화소 및 상기 정상 점등 화소와 다른 발광량을 갖는 불량 점등 화소로 분류하는 단계;
상기 불량 점등 화소들의 위치 정보와 상기 불량 점등 화소들의 상기 발광 정보를 획득하는 단계; 및
상기 발광 정보에 기반하여 상기 불량 점등 화소들을 리페어하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법.4. The method of claim 3,
obtaining the light emission information of the lighted pixels and classifying the lighted pixels into a normally lighted pixel and a bad lighted pixel having a different light emission amount from the normally lighted pixel;
obtaining position information of the badly lit pixels and the light emission information of the badly lit pixels; and
and repairing the defective lighting pixels based on the light emission information.
상기 정상 점등 화소와 상기 불량 점등 화소를 분류하는 단계는 상기 점등 화소들 중 발광량이 기준 설정값의 범위 내에 속하는 상기 점등 화소들을 상기 정상 점등 화소로 지정하는 단계, 및
상기 정상 점등 화소와 발광량을 비교하여 상기 불량 점등 화소로 지정하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법.11. The method of claim 10,
The classifying the normally lit pixel and the badly lit pixel may include: designating the lit pixels, among the lit pixels, whose emission amount is within a range of a reference set value, as the normally lit pixels;
and comparing the light emission amount with the normally lit pixel and designating the pixel as the badly lit pixel.
상기 불량 점등 화소는 상기 정상 점등 화소보다 높은 발광량을 갖는 제1 점등 화소, 및
상기 정상 점등 화소보다 낮은 발광량을 갖는 제2 점등 화소를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 방법.11. The method of claim 10,
The poorly lit pixel is a first lit pixel having a higher light emission amount than the normally lit pixel; and
A method of inspecting a display device including a second lit pixel having a lower emission amount than the normal lit pixel.
상기 불량 점등 화소들을 리페어하는 단계에서, 상기 제1 점등 화소는 상기 발광 소자들 중 일부를 제거하는 공정이 수행되고,
상기 제2 점등 화소는 상기 발광 소자들을 재전사하는 공정이 수행되는 디스플레이 장치의 검사 방법.13. The method of claim 12,
In the step of repairing the defective lighting pixels, the first lighting pixel is subjected to a process of removing some of the light emitting elements,
The method of inspecting a display device in which the second lit pixel is subjected to a process of retransferring the light emitting elements.
상기 디스플레이 장치의 상기 화소들로부터 복수의 이미지 정보들을 획득하는 카메라 장치;
상기 획득된 이미지 정보들로부터 상기 화소들의 발광 정보, 및 상기 화소들의 불량 정보를 획득하는 프로세서; 및
상기 프로세서에서 획득된 상기 불량 정보에 기반하여 상기 화소들에 리페어 공정을 수행하는 리페어 장치를 포함하고,
상기 프로세서는 상기 이미지 정보로부터 점등 화소와 미점등 화소에 대한 상기 발광 정보를 획득하여 상기 미점등 화소의 상기 불량 정보를 획득하고,
상기 리페어 장치는 상기 미점등 화소에 대하여 상기 리페어 공정을 수행하는 디스플레이 장치의 검사 장치.In the inspection apparatus of a display device including a plurality of pixels on which a plurality of light emitting elements are disposed,
a camera device for acquiring a plurality of image information from the pixels of the display device;
a processor for obtaining light emission information of the pixels and defect information of the pixels from the obtained image information; and
and a repair apparatus for performing a repair process on the pixels based on the defect information obtained from the processor;
the processor obtains the light emission information for a lit pixel and an unlit pixel from the image information to obtain the failure information of the unlit pixel,
The repair apparatus is an inspection apparatus of a display apparatus that performs the repair process on the unlit pixels.
상기 이미지 정보는 상기 화소들이 점등 시에 방출되는 발광량에 기반한 점등 이미지 정보, 및
상기 화소들이 점등 시에 방생하는 발열량에 기반한 발열 이미지 정보를 포함하고,
상기 카메라 장치는 상기 점등 이미지 정보를 획득하는 제1 카메라, 및 상기 발열 이미지 정보를 획득하는 제2 카메라를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 장치.15. The method of claim 14,
The image information includes lighting image information based on the amount of light emitted when the pixels are turned on, and
and heat image information based on the amount of heat emitted when the pixels are turned on,
The camera device is an inspection apparatus of a display device including a first camera for acquiring the lighting image information, and a second camera for acquiring the heat image information.
상기 발광 정보는 상기 화소의 발광량 정보, 및 상기 화소의 발열량 정보를 포함하고,
상기 프로세서는 상기 발광량 정보로부터 상기 점등 화소와 상기 미점등 화소를 분류하고, 상기 발광량 정보 및 상기 발열량 정보로부터 상기 미점등 화소의 상기 불량 정보를 획득하는 디스플레이 장치의 검사 장치.16. The method of claim 15,
The light emission information includes light emission amount information of the pixel and heat generation amount information of the pixel,
The processor classifies the lit pixel and the unlit pixel from the light emission amount information, and obtains the failure information of the unlit pixel from the light emission amount information and the calorific value information.
상기 프로세서는 상기 점등 화소들의 상기 발광량 정보를 기준으로 상기 점등 화소들을 정상 점등 화소, 및
상기 정상 점등 화소와 다른 발광량을 갖는 불량 점등 화소를 구분하는 디스플레이 장치의 검사 장치.17. The method of claim 16,
The processor converts the lit pixels to the normally lit pixels based on the light emission amount information of the lit pixels, and
An inspection apparatus of a display device for distinguishing between the normally lit pixels and the badly lit pixels having a different light emission amount.
상기 불량 정보는 상기 화소의 불량 원인의 종류, 및 상기 불량 원인의 위치에 관한 정보를 포함하고,
상기 리페어 장치는 상기 불량 정보에 기반하여 상기 화소에 배치된 상기 발광 소자들 중 일부를 제거하는 레이저 장치, 및
상기 불량 정보에 기반하여 상기 화소에 상기 발광 소자를 전사하는 재전사 장치를 포함하는 디스플레이 장치의 검사 장치.16. The method of claim 15,
The defect information includes information on a type of a cause of the defect of the pixel and a location of the cause of the defect,
The repair device may include a laser device configured to remove some of the light emitting devices disposed in the pixel based on the failure information, and
and a retransfer device for transferring the light emitting element to the pixel based on the defect information.
상기 디스플레이 장치는 상기 화소마다 배치된 제1 전극과 제2 전극, 및
상기 제1 전극 상에 배치된 제1 연결 전극과 상기 제2 전극 상에 배치된 제2 연결 전극을 포함하고,
상기 발광 소자는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 상에 배치되며 상기 제1 연결 전극 및 상기 제2 연결 전극과 접촉하는 디스플레이 장치의 검사 장치.19. The method of claim 18,
The display device includes a first electrode and a second electrode disposed for each pixel, and
a first connection electrode disposed on the first electrode and a second connection electrode disposed on the second electrode;
The light emitting element is disposed on the first electrode and the second electrode and is in contact with the first connection electrode and the second connection electrode.
상기 레이저 장치는 상기 미점등 화소에서 상기 제1 연결 전극과 상기 제2 연결 전극이 서로 연결된 부분을 제거하는 디스플레이 장치의 검사 장치.20. The method of claim 19,
The laser device is an inspection device for a display device that removes a portion in which the first connection electrode and the second connection electrode are connected to each other from the unlit pixel.
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