KR20220100149A - 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 - Google Patents

표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법을 개시한다. 본 발명은, 스테이지와, 상기 스테이지에 배치되며, 부재가 안착하는 온도조절부와, 상기 온도조절부를 마주보도록 배치되어 선형 운동하며, 접착부재가 고정되는 지그부를 포함하고, 상기 지그부는, 제1지지플레이트와, 상기 제1지지플레이트와 마주보도록 배치된 제2지지플레이트와, 상기 제1지지플레이트와 상기 제2지지플레이트가 배치되며 상기 접착부재가 배치되고, 끝단이 상기 제1지지플레이트의 끝단과 상기 제2지지플레이트의 끝단보다 상기 부재로부터 더 이격되는 가압플레이트를 포함한다.

Description

표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법{Apparatus and method for manufacturing a display device}
본 발명의 실시예들은 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.
이동성을 기반으로 하는 전자 기기가 폭 넓게 사용되고 있다. 이동용 전자 기기로는 모바일 폰과 같은 소형 전자 기기 이외에도 최근 들어 태블릿 PC가 널리 사용되고 있다.
이와 같은 이동형 전자 기기는 다양한 기능을 지원하기 위하여, 이미지 또는 영상과 같은 시각 정보를 사용자에게 제공하기 위하여 표시 장치를 포함한다. 최근, 표시 장치를 구동하기 위한 기타 부품들이 소형화됨에 따라, 표시 장치가 전자 기기에서 차지하는 비중이 점차 증가하고 있는 추세이며, 평평한 상태에서 소정의 각도를 갖도록 구부릴 수 있는 구조도 개발되고 있다.
이러한 표시 장치에는 다양한 부품을 서로 전기적으로 연결하기 위하여 접착부재를 사용할 수 있다. 이때, 접착부재의 사용 시 접착부재의 성질에 대해서 정확하게 아는 것이 상당히 중요한 문제이다.
종래의 접착부재의 성질을 실험하기 위하여 다양한 방법이 사용되었으나 접착부재의 다양한 성질을 정확하게 측정하는 장치나 방법이 존재하지 않았다. 이러한 접착부재의 성질을 정확하게 파악하지 못하는 경우 제품의 불량이 발생할 수 있으며, 제품의 오작동을 유발할 수 있다. 본 발명의 실시예들은 접착부재의 성질을 정확하게 측정 가능한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 스테이지와, 상기 스테이지에 배치되며, 부재가 안착하는 온도조절부와, 상기 온도조절부를 마주보도록 배치되어 선형 운동하며, 접착부재가 고정되는 지그부를 포함하고, 상기 지그부는, 제1지지플레이트와, 상기 제1지지플레이트와 마주보도록 배치된 제2지지플레이트와, 상기 제1지지플레이트와 상기 제2지지플레이트가 배치되며 상기 접착부재가 배치되고, 끝단이 상기 제1지지플레이트의 끝단과 상기 제2지지플레이트의 끝단보다 상기 부재로부터 더 이격되는 가압플레이트를 포함하는 표시 장치의 제조장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 스테이지는 일 방향으로 선형 운동 가능할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 지그부는 상기 스테이지의 일평면에 대해서 승하강 운동 가능할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 지그부가 배치되어 상기 지그부의 운동을 가이드하는 가이드부를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 지그부와 상기 가이드부 사이에 배치되어 상기 지그부를 선형 운동시키는 연결부를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 접착부재를 상기 부재에 부착 시 상기 접착부재에 가해지는 압력을 측정하는 측정부를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 지그부에 배치되어 상기 가압플레이트의 온도를 조절하는 지그온도조절부를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 지그부는, 상기 접착부재의 끝단을 고정시키는 부재고정부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 접착부재를 지그부에 배치하고, 부재를 스테이지 상에 배치하는 단계와, 상기 지그부를 선형 운동시켜 상기 접착부재를 부재에 부착시키는 단계와, 상기 지그부를 선형 운동시켜 상기 접착부재를 상기 부재로부터 분리하는 단계와, 상기 접착부재를 상기 부재에 부착 시 및 상기 접착부재를 상기 부재로부터 분리 시 상기 지그부에 가해지는 힘 또는 압력을 측정하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조방법을 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 접착부재 및 상기 부재 중 적어도 하나의 온도를 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 접착부재를 상기 부재에 부착 시 상기 지그부로 상기 접착부재에 일정한 힘 또는 압력을 가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 힘 또는 상기 압력을 일정시간 가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 접착부재를 상기 부재로부터 분리 시 상기 지그부에 가해지는 상기 힘 또는 상기 압력의 최저치를 측정할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 접착부재의 끝단을 상기 지그부에 고정시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 스테이지를 선형 운동시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 접착부재의 종류에 따라 일정 압력에 도달하는 시간을 측정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 접착부재의 종류에 따라 상기 지그부가 상기 접착부재의 가압 시 시간에 따른 압력변화 그래프의 면적을 산출하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 접착부재로 상기 부재를 가압하는 힘 또는 압력을 가변시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 부재와 상기 스테이지 사이에는 온도조절부가 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 지그부 및 상기 온도조절부 중 적어도 하나의 온도를 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법은 다양한 실험을 통하여 접착부재의 성질에 대한 데이터를 획득하는 것이 가능하다. 본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법은 실제 공정의 환경과 유사한 환경에서 접착부재의 성질에 대한 데이터 획득이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 보여주는 정면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 지그부를 보여주는 정면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 지그부를 보여주는 측면도이다.
도 4a 내지 도 4e는 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치의 지그부의 동작을 나타내는 측면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치의 지그부에 가해지는 힘과 시간 사이의 관계를 보여주는 그래프이다.
도 6은 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치를 통하여 도출된 접착부재의 종류 별 온도에 따른 도달시간을 보여주는 그래프이다.
도 7은 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치를 통하여 도출된 온도에 따른 접착부재의 각 종류 별 힘과 시간 사이의 관계 그래프의 면적을 보여주는 그래프이다.
도 8은 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치에서 측정된 타겟압력에 따른 최저압력을 보여주는 그래프이다.
도 9a는 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치를 통하여 돌출된 온도에 따른 최저압력을 보여주는 그래프이다.
도 9b는 접착부재의 각 종류별 온도에 따른 저장탄성률을 보여주는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 보여주는 평면도이다.
도 11은 도 10의 Ⅳ-Ⅳ′선을 따라 취한 단면도이다.
도 12a 및 도 12b는 도 10에 도시된 표시 장치를 보여주는 회로도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, X축, Y축 및 Z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, X축, Y축 및 Z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 보여주는 정면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 지그부를 보여주는 정면도이다. 도 3은 도 1에 도시된 지그부를 보여주는 측면도이다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 표시 장치의 제조장치(100)는 스테이지(110), 온도조절부(120), 지그부(130), 연결부(140), 가이드부(150) 및 측정부(160)를 포함할 수 있다.
스테이지(110)는 플레이트 형태로 형성될 수 있다. 이때, 스테이지(110)는 일 방향으로 선형 운동 가능할 수 있다. 예를 들면, 스테이지(110)는 도 1의 x축 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 스테이지(110)는 도 1의 y축 방향으로 이동하는 것도 가능하다. 이러한 경우 스테이지(110)는 각 방향으로 왕복 선형 운동을 수행할 수 있다. 이때, 스테이지(110)는 스테이지구동부(111)에 안착할 수 있다. 이러한 경우 스테이지구동부(111)는 스테이지(110)를 상기에서 설명한 것과 같이 x축 방향 또는 y축 방향으로 선형 운동시킬 수 있다. 이러한 스테이지구동부(111)는 다양한 형태일 수 있다. 예를 들면, 스테이지구동부(111)는 스테이지(110)가 안착되는 이동블록, 이동블록과 연결되어 이동블록을 선형 운동시키는 스크류 및 스크류와 연결되며, 스크류를 회전시키는 모터를 포함할 수 있다. 다른 실시예로써 스테이지구동부(111)는 스테이지(110)가 안착되며 스테이지(110)를 선형운동시키는 리니어모터를 포함하는 것도 가능하다. 또 다른 실시예로써 스테이지구동부(111)는 스테이지(110)에 연결되는 실린더와, 스테이지(110)가 안착되어 선형 운동 시 가이드되는 리니어 모션가이드를 포함하는 것도 가능하다. 상기와 같은 스테이지구동부(111)는 도 1의 x축 방향으로 스테이지(110)를 이동시키는 제1스테이지구동부(111a) 및 제1스테이지구동부(111a) 상에 배치되며, 도 1의 y축 방향으로 스테이지(110)를 이동시키는 제2스테이지구동부(111b)를 포함할 수 있다.
온도조절부(120)는 스테이지(110)에 배치될 수 있다. 이때, 온도조절부(120)는 스테이지(110)와 일체로 형성되거나 스테이지(110)와 별도로 형성되어 스테이지(110) 상에 배치될 수 있다. 상기와 같은 온도조절부(120)는 히터를 포함할 수 있다. 온도조절부(120)는 스테이지(110)의 상면에 배치될 수 있다. 다른 실시예로서 온도조절부(120)는 스테이지(110)의 내부에 배치되는 것도 가능하다.
지그부(130)는 온도조절부(120) 상에 배치되어 접착부재(AF)를 고정시킬 수 있다. 또한, 지그부(130)는 온도조절부(120)로부터 이격되거나 근접하도록 선형 운동할 수 있다. 예를 들면, 지그부(130)는 도 1의 z축 방향으로 선형 운동할 수 있다.
상기와 같은 지그부(130)는 제1지지플레이트(131), 제2지지플레이트(132), 가압플레이트(133), 부재고정부(134) 및 지그연결부(135)를 포함할 수 있다. 제1지지플레이트(131)와 제2지지플레이트(132)는 서로 마주보도록 배치될 수 있다. 이때, 제1지지플레이트(131)와 제2지지플레이트(132)는 서로 이격되도록 배치됨으로써 중간에 공간을 형성할 수 있다. 이러한 공간에는 가압플레이트(133)가 배치될 수 있다.
상기와 같은 부재(M)를 마주보도록 배치된 제1지지플레이트(131)의 끝단, 제2지지플레이트(132)의 끝단 및 가압플레이트(133)의 끝단은 평평하도록 형성될 수 있다. 이러한 경우 제1지지플레이트(131)의 끝단, 제2지지플레이트(132)의 끝단 및 가압플레이트(133)의 끝단은 접착부재(AF)가 부재(M)와 접촉하는 면적을 충분히 확보하도록 할 수 있다.
가압플레이트(133)는 접착부재(AF)의 일면과 접촉하여 접착부재(AF)를 지지할 수 있다. 상기와 같은 가압플레이트(133)의 외면은 제1지지플레이트(131)의 외면 및 제2지지플레이트(132)의 외면보다 내측에 배치될 수 있다. 즉, 제1지지플레이트(131)와 제2지지플레이트(132)가 형성하는 공간의 내부에 가압플레이트(133)의 외면이 배치됨으로써 제1지지플레이트(131)의 외면 및 제2지지플레이트(132)의 외면과 가압플레이트(133)의 외면은 단차진 형태일 수 있다. 이때, 가압플레이트(133)의 외면과 제2지지플레이트(132)의 외면 사이에는 일정한 간격이 형성될 수 있으며, 이러한 간격은 접착부재(AF)의 두께와 동일하거나 접착부재(AF)의 두께보다 작을 수 있다. 즉, 이러한 경우 접착부재(AF)는 제1지지플레이트(131), 제2지지플레이트(132) 및 가압플레이트(133)가 형성하는 공간 내부에 배치될 수 있다.
상기와 같은 가압플레이트(133)는 온도가 가변할 수 있다. 예를 들면, 가압플레이트(133) 내부에는 히터가 구비되어 접착부재(AF)에 열을 가할 수 있다.
상기의 경우 이외에도 제1지지플레이트(131) 및 제2지지플레이트(132) 중 적어도 하나의 온도가 가변하는 것도 가능하다. 이러한 경우 제1지지플레이트(131) 및 제2지지플레이트(132) 중 적어도 하나는 히터를 구비할 수 있다.
상기와 같은 경우 지그부(130)는 온도가 가변함으로써 접착부재(AF)의 온도를 조절하는 것이 가능하다.
제1지지플레이트(131), 제2지지플레이트 및 가압플레이트(133)는 서로 분리 가능할 수 있다. 다른 실시예로써 제1지지플레이트(131), 제2지지플레이트 및 가압플레이트(133)는 서로 일체로 형성되는 것도 가능하다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1지지플레이트(131), 제2지지플레이트 및 가압플레이트(133)가 일체로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
부재고정부(134)는 제1지지플레이트(131), 제2지지플레이트 및 가압플레이트(133) 중 적어도 하나에 배치될 수 있다. 이러한 부재고정부(134)는 접착부재(AF)의 끝단을 고정시킬 수 있다. 이때, 부재고정부(134)는 제1지지플레이트(131)의 측면과 제2지지플레이트(132)의 측면을 마주보도록 배치되는 고정플레이트(134a)와, 고정플레이트(134a)와 제1지지플레이트(131)의 측면과의 간격 또는 고정플레이트(134a)와 제2지지플레이트(132)의 측면과의 간격을 조절하는 간격조절부(134b)를 포함할 수 있다. 이때, 간격조절부(134b)는 나사, 볼트 등을 포함할 수 있다. 이러한 경우 간격조절부(134b)는 가압플레이트(133)에 회전 가능하게 연결될 수 있다. 즉, 간격조절부(134b)의 끝단이 가압플레이트(133)의 내부에 삽입될 수 있다. 간격조절부(134b)를 회전시킴으로써 간격조절부(134b)의 일부가 가압플레이트(133) 내부로 초기위치보다 더 삽입되거나 가압플레이트(133)의 외면으로부터 초기위치보다 더 인출됨으로써 고정플레이트(134a)가 접착부재(AF)를 가압하는 압력(또는 힘)을 조절하는 것이 가능하다.
지그연결부(135)는 제1지지플레이트(131), 제2지지플레이트(132) 및 가압플레이트(133)를 연결부(140)에 연결할 수 있다. 이때, 지그연결부(135)는 바 형태일 수 있다.
연결부(140)는 지그부(130)와 연결되며, 지그부(130)의 선형 운동 시 지그부(130)와 함께 이동할 수 있다. 예를 들면, 연결부(140)는 도 1의 z축 방향으로 선형 운동 또는 왕복 운동할 수 있다. 다른 실시예로서 연결부(140)는 지그부(130)와 연결되며, 이동하지 않고 지그부(130)만 선형 운동시키는 것도 가능하다.
가이드부(150)는 지그부(130)의 구동 시 지그부(130)의 운동을 가이드할 수 있다. 이러한 경우 가이드부(150) 및 연결부(140) 중 적어도 하나는 지그부(130)를 선형 운동시킬 수 있다. 예를 들면, 가이드부(150)는 리니어모터를 포함하며, 연결부(140)와 연결되어 연결부(140)를 선형 운동시킴으로써 지그부(130)를 선형 운동시킬 수 있다. 이러한 경우 가이드부(150)의 레인은 고정되고, 레일 상에서 이동하는 이동블록에 연결부(140)가 결합된 형태일 수 있다. 다른 실시예로서 가이드부(150)는 스크류와 모터를 포함하고, 연결부(140)는 스크류에 안착하여 스크류의 회전에 따라 선형 운동하는 것도 가능하다. 이때, 연결부(140)는 지그부(130)를 선형 운동시키지 않을 수 있다. 또 다른 실시예로써 가이드부(150)는 연결부(140)와 연결되며, 연결부(140)는 실린더 형태로 지그부(130)에 연결되어 연결부(140)의 작동에 따라 지그부(130)를 선형 운동시키는 것도 가능하다. 또 다른 실시예로써 가이드부(150)는 리니어 모션 가이드를 포함하고, 연결부(140)와 연결되는 실린더를 통하여 실린더의 작동 시 연결부(140)의 선형 운동을 가이드하는 것도 가능하다. 또 다른 실시예로써 가이드부(150)는 랙기어 형태로 형성되며, 연결부(140)는 모터와 스퍼기어를 포함하여 가이드부(150)를 따라 연결부(140)가 선형 운동하는 것도 가능하다. 또 다른 실시예로써 연결부(140)는 가이드부(150)에 선형 운동하는 구조이면서 실린더를 포함하여 지그부(130)를 연결부(140)의 이동에 관계없이 선형 운동시키는 것도 가능하다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 가이드부(150)가 리니어 모터 형태이면서 연결부(140)와 연결되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
가이드부(150)와 지그부(130)는 연결부(140)를 통하여 연결될 수 있다. 이러한 경우 가이드부(150)는 스테이지구동부(111)를 통하여 스테이지(110)와 연결될 수 있다. 또한, 가이드부(150)는 연결부(140)가 선형 운동 가능하게 배치되며, 연결부(140) 및 지그부(130)를 지지할 수 있다.
측정부(160)는 연결부(140)에 배치될 수 있다. 이때, 측정부(160)는 지그부(130)에서 접착부재(AF)에 가해지는 힘(또는 압력) 또는 접착부재(AF)가 지그부(130)에 가하는 힘(또는 압력)을 측정할 수 있다. 또는 측정부(160)는 지그부(130)에서 발생하는 힘(또는 압력)을 측정할 수 있다. 이러한 경우 측정부(160)는 압력을 측정하는 센서를 포함할 수 있다. 특히 측정부(160)는 지그부(130)와 연결부(140)를 연결하는 부분에 배치되어 지그부(130)에서 발생하는 힘(또는 압력)을 측정하는 것이 가능하다.
상기와 같은 가이드부(150), 스테이지구동부(111)는 지지대(112)에 의하여 지지될 수 있다. 이때, 지지대(112)는 플레이트 형태로 형성될 수 있다. 일 실시예로써 스테이지구동부(111)는 가이드부(150)를 통하여지지대에 연결될 수 있다. 다른 실시예로써 제1스테이지구동부(111a)는 지지대(112)에 배치되며, 스테이지(110)는 제2스테이지구동부(111b)를 통하여 제1스테이지구동부(111a)와 연결될 수 있다.
한편, 이하에서는 표시 장치의 제조장치(100)의 작동에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 4a 내지 도 4e는 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치의 지그부의 동작을 나타내는 측면도이다.
도 4a 내지 도 4e를 참고하면, 사용자는 접착부재(AF)의 성질을 확인하기 위하여 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치(100)를 사용하여 실험할 수 있다.
구체적으로 사용자는 접착부재(AF)를 절단하여 지그부(130)에 고정시킬 수 있다. 이러한 경우 접착부재(AF)는 롤 형태로 권취된 상태일 수 있으며, 사용자는 접착부재(AF)를 실제 사용하는 폭과 동일하거나 유사하게 절단할 수 있다. 이때, 접착부재(AF)는 이방성 도전 필름(ACF, Anisotropic Conductive Film)일 수 있다.
상기와 같이 접착부재(AF)가 준비되면, 접착부재(AF)는 부재고정부(134)를 통하여 지그부(130)에 고정될 수 있다. 또한, 부재(M)는 온도조절부(120) 상에 배치될 수 있다. 이때, 부재(M)는 다양한 형태일 수 있다. 예를 들면, 부재(M)는 표시 장치를 포함할 수 있다. 다른 실시예로서 부재(M)는 표시 장치의 일부 층을 포함하는 형태일 수 있다. 구체적으로 부재(M)는 기판, 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 상에 배치된 유기 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로서 부재(M)는 아이티오 글라스(ITO glass, Indium Tin oxide glass)를 포함할 수 있다. 이때, 부재(M)는 상기에 한정되는 것은 아니며, 부재(M)는 표시 장치의 제조 시 공정의 중간 산물, 공정에 사용되는 형태 또는 최종제품 등과 같이 다양한 형태를 포함할 수 있다.
부재(M)가 온도조절부(120)에 배치되는 경우 스테이지구동부(111)는 스테이지(110)를 이동시켜 부재(M) 위치를 기 설정된 초기 위치에 대응되도록 배치할 수 있다. 이때, 스테이지구동부(111)는 스테이지(110)를 일 방향으로 선형 운동시킬 수 있다.
상기와 같은 과정이 완료되면, 지그부(130)를 하강시켜 접착부재(AF)를 부재(M)에 부착시킬 수 있다. 이때, 지그부(130)는 일정한 힘으로 부재(M)를 누를 수 있으며, 접착부재(AF)는 이러한 힘에 의하여 부재(M)에 부착될 수 있다.
측정부(160)는 지그부(130)가 부재(M)를 누르는 경우 지그부(130)에 가해지는 힘(또는 압력) 또는 지그부(130)가 가하는 힘(또는 압력)을 측정할 수 있다. 상기와 같은 경우 측정부(160)는 지그부(130)가 부재(M)를 누르는 힘(또는 압력)을 측정할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 측정부(160)에서는 지그부(130)가 가하는 압력 또는 지그부(130)에 가해지는 힘을 측정하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같은 지그부(130)가 부재(M)를 누르는 경우 측정부(160)에서 측정되는 힘은 서서히 증가하다가 일정한 타겟힘(Fp, 또는 타겟압력)에 도달할 수 있다. 이때, 측정부(160)에서 측정된 힘(또는 압력)이 타겟힘(Fp, 또는 타겟압력)에서 변하지 않는 경우 지그부(130)는 일정한 설정시간(T)만큼 지그부(130)에서 부재(M)에 가하는 힘(또는 압력)을 타겟힘(Fp, 또는 타겟압력)이 되도록 유지할 수 있다.
이후 지그부(130)를 승강시켜 접착부재(AF)를 부재(M)로부터 떨어뜨릴 수 있다. 이러한 경우 측정부(160)에서는 접착부재(AF)가 부재(M)로부터 이탈되는 경우 지그부(130)에 가해지는 힘(또는 압력)을 측정할 수 있다. 이러한 경우 상기에서 설명한 지그부(130)가 부재(M)를 가압할 때와는 반대의 힘(또는 압력)이 측정될 수 있다. 구체적으로 지그부(130)가 부재(M)를 가압할 때 측정부(160)에서 측정된 힘(또는 압력)은 양의 값을 가질 수 있으며, 부재(M)와 접착부재(AF)가 서로 떨어지는 경우 측정부(160)에서 측정된 힘(또는 압력)은 음의 값을 가질 수 있다.
상기와 같은 경우 측정부(160)는 지그부(130)에 가해지는 힘(또는 압력)을 측정할 수 있다. 이때, 측정부(160)는 접착부재(AF)와 부재(M)가 서로 완전히 떨어질 때까지의 힘(또는 압력)을 실시간으로 모니터링할 수 있다.
상기의 경우 이외에도 스테이지(110)가 일 방향으로 선형 운동하는 것도 가능하다. 예를 들면, 스테이지구동부(111)는 스테이지(110)를 일 방향으로 이동시킴으로써 부재(M)의 다른 부분에서 실험을 수행하도록 할 수 있다. 다른 실시예로서 스테이지구동부(111)는 스테이지(110)를 일 방향으로 선형 운동시킴으로써 부재(M)와 접착부재(AF)가 접촉할 때의 각도를 조절하거나 부재(M)와 접착부재(AF)가 서로 분리될 때의 각도를 조절하는 것도 가능하다. 구체적으로 접착부재(AF)를 부재(M)로부터 분리하는 경우 접착부재(AF)의 끝단 중 하나만을 파지하고 접착부재(AF)의 끝단 중 다른 하나는 부재(M)에 접착시킨 상태에서 접착부재(AF)를 부재(M)로부터 분리할 수 있다. 이러한 경우 접착부재(AF)가 부재(M)로부터 분리되는 부분에서 잡착부재(M)의 끝단 중 하나로부터 부재(M)에 접착된 부분까지의 접착부재(AF) 부분이 부재(M)의 일면과 수직을 유지하기 위하여 접착부재(AF)를 부재(M)로부터 분리할 때 스테이지(110)를 일 방향으로 선형 운동시킬 수 있다. 이러한 경우 스테이지(110)는 일 방향으로 선형 운동하고, 지그부(130)는 스테이지(110)의 운동 방향에 대해서 수직한 방향으로 선형 운동할 수 있다. 표시 장치의 제조장치는 상기와 같은 작업을 통하여 접착부재(AF)를 부재(M)에 부착 후 분리할 때의 다양한 데이터를 획득하는 것이 가능하다.
도 5는 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치의 지그부에 가해지는 힘과 시간 사이의 관계를 보여주는 그래프이다.
도 5를 참고하면, 상기와 같이 지그부(130)가 운동하는 경우 지그부(130)의 힘(또는 압력)은 서서히 증가하다가 일정한 타겟힘(Fp, 또는 타겟압력)을 유지할 수 있다. 이후 지그부(130)가 상승하는 경우 접착부재(AF)가 부재(M)로부터 떨어지면서 접착부재(AF)의 점착력으로 인하여 지그부(130)에 힘(또는 압력)을 가할 수 있고, 측정부(160)에서 측정된 힘(또는 압력)은 음의 값을 갖을 수 있다.
상기와 같은 경우 표시 장치의 제조장치(100)는 상기와 같이 시간에 따라서 지그부(130)에 가해지는 힘(또는 압력)의 변화를 측정하여 지그부(130)가 부재(M)를 가압할 때 타겟힘(Fp, 또는 타겟압력)에 도달할 때까지의 도달시간(t1)을 산출할 수 있다. 표시 장치의 제조장치(100)는 이러한 도달시간(t1)을 근거로 접착부재(AF)의 탄성계수(Elastic Modulus)를 산출할 수 있다. 이때, 접착부재(AF)의 탄성계수는 도달시간(t1)에 반비례할 수 있다. 이러한 접착부재(AF)의 탄성계수를 근거로 접착부재(AF)의 경화 전 경도를 도출하는 것이 가능하다. 이러한 경우 표시 장치의 제조장치(100)는 다양한 데이터를 처리하여 결과를 도출하는 제어부(미도시)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 제어부는 퍼스널 컴퓨터, 노트북, 휴대폰 등 다양한 장치를 포함할 수 있다. 다른 실시예로서 상기 제어부는 연산을 수행할 수 있는 모듈 또는 부품을 탑재한 회로기판일 수 있다.
상기 제어부는 접착부재(AF)와 부재(M)가 서로 떨어지는 경우 발생하는 힘(또는 압력) 변화 중 가장 작은 값의 힘(또는 압력)인 최저힘(FtFt, 또는 최저압력)을 근거로 접착부재(AF)의 초기 점착력을 산출할 수 있다. 예를 들면, 최저힘(FtFt, 또는 최저압력)은 접착부재(AF)의 초기 점착력과 동일하거나 초기 점착력과 비례관계일 수 있다.
표시 장치의 제조장치(100)는 상기와 같은 데이터를 근거로 접착부재(AF)의 초기 점착력을 산출하는 것이 가능하다.
도 6은 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치를 통하여 도출된 접착부재의 종류 별 온도에 따른 도달시간을 보여주는 그래프이다.
도 6을 참고하면, 표시 장치의 제조장치(100)는 접착부재(AF)의 종류 별 온도에 따른 도달시간(t1)을 산출하여 비교할 수 있다. 구체적으로 도달시간(t1)은 지그부(130)를 통하여 접착부재(AF)를 부재(M)에 접촉시켜 가압하는 경우 측정부(160)에서 측정된 힘(또는 압력)이 측정되기 시작한 시점부터 타겟힘(Fp, 또는 타겟압력)까지 도달할 때의 시간을 의미할 수 있다.(도 5 참고)
상기와 같은 경우 접착부재(AF)의 종류에 따라서 도달시간(t1)이 서로 상이할 수 있다. 이러한 도달시간(t1)을 서로 비교함으로써 각 접착부재(AF)의 경도를 비교하는 것이 가능하다.
구체적으로 서로 다른 총 접착부재(AF)가 네가지가 있는 경우 제1접착부재(A), 제2접착부재(B), 제3접착부재(C) 및 제4접착부재(D)를 상기 도 4a 내지 도 4e에 도시된 방법을 통하여 도달시간(t1)을 측정할 수 있다. 이러한 경우 제1접착부재(A) 내지 제4접착부재(D)의 도달시간(t1) 각각을 각 온도에 따라 측정할 수 있다. 이때, 각 접착부재의 온도는 가변시키면서 측정하는 것도 가능하다.
예를 들면, 온도조절부(120) 및 지그부(130) 중 적어도 하나의 온도를 조절함으로써 각 접착부재(AF)의 온도를 가변시킬 수 있다. 이러한 경우 각 접착부재(AF)의 온도에 따라서 각 접착부재(AF)의 도달시간(t1)을 서로 비교할 수 있다.
상기와 같이 온도를 가변시키는 경우 각 접착부재(AF)의 도달시간(t1)은 온도에 따라 가변할 수 있다. 이러한 온도는 실제 공정에서 사용되는 온도와 유사할 수 있으며, 상기와 같이 각 접착부재(AF)의 온도에 따른 도달시간(t1)을 서로 비교함으로써 각 접착부재(AF)의 온도에 따른 경도를 비교하는 것이 가능할 수 있다.
또한, 상기와 같은 결과를 근거로 각 접착부재(AF)의 온도별 경도 변화를 근거로 실제 공정에서 각 접착부재(AF)를 사용 시 공정 온도에 따른 경도를 어느 정도 예측하는 것이 가능하다.
따라서 표시 장치의 제조장치(100)는 상기와 같은 데이터를 근거로 공정에 적합한 경도를 갖는 접착부재(AF)를 결정하는데 도움을 줄 수 있다.
도 7은 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치를 통하여 도출된 온도에 따른 접착부재의 각 종류 별 힘과 시간 사이의 관계 그래프의 면적을 보여주는 그래프이다.
도 7을 참고하면, 표시 장치의 제조장치(100)는 온도에 따른 각 접착부재(AF)의 힘과 시간의 그래프의 면적을 서로 비교하는 것도 가능하다.
구체적으로 도 5에 도시된 그래프에서 시간에 따른 힘 그래프에서 힘이 양의 값을 갖는 부분에 대한 그래프의 면적을 산출할 수 있다. 이러한 경우 이러한 그래프의 면적은 각 접착부재(AF)의 압축 정도를 의미할 수 있다.
상기와 같은 데이터는 각 접착부재(AF) 별, 온도별로 산출될 수 있다. 즉, 제1접착부재(A)의 온도를 가변시키면서 시간과 힘 사이의 그래프를 산출하여 힘이 양의 값을 갖는 부분만의 면적(PS)을 산출할 수 있다.(도 5 참고) 이를 통하여 제1접착부재(A)의 온도에 따른 면적(PS)을 각가 산출함으로써 제1접착부재(A)의 온도에 따라 얼마나 빨리 압축되는지, 압축력이 줄어드는지 정도를 확인할 수 있다. 특히 이를 통하여 제1접착부재(A)의 온도별 경도를 비교할 수 있다.
상기와 같은 경우는 제2접착부재(B), 제3접착부재(C) 및 제4접착부재(D)에도 동일하게 적용될 수 있다.
따라서 표시 장치의 제조장치(100)는 상기와 같은 작업을 통하여 각 접착부재(AF)의 온도에 따른 압축 정도를 확인하거나 각 접착부재(AF)의 압축 정도를 서로 비교하는 것이 가능하다.
도 8은 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치에서 측정된 타겟압력에 따른 최저압력을 보여주는 그래프이다.
도 8을 참고하면, 표시 장치의 제조장치(100)는 접착부재(AF)의 타겟압력에 따른 최저압력을 측정할 수 있다. 구체적으로 타겟압력은 도 5에 도시된 타겟힘(Fp)으로부터 산출될 수 있다. 이러한 경우 타겟압력은 단위 면적 당 가해지는 타겟힘(Fp)을 산출될 수 있으므로 접착부재(AF)와 부재(M) 사이의 접촉면적을 계산하여 타겟힘(Fp)을 접촉면적으로 나누어 산출할 수 있다.
최저압력은 최저힘(Ft)으로부터 산출될 수 있다. 이때, 최저압력은 20mm2의 면적당 발생하는 최저힘으로 정의될 수 있다. 이러한 경우 최저압력은 상기에 한정되는 것은 아니며 타겟압력과 같이 단위면적(예를 들면, 1mm2)에서 발생하는 최저힘으로 정의되는 것도 가능하다.
상기와 같은 경우 접착부재(AF)의 최저압력과 타겟압력 사이의 관계를 확인할 수 있다. 이때, 최저압력은 접착부재(AF)의 점착력을 의미하므로 접착부재(AF)의 점착력이 어느 정도 범위 내에서 변하지 않거나 오차 범위 내에 있는 구간의 타겟압력을 결정할 수 있다.
구체적으로 도 8을 기준으로 타겟압력이 1.5Mpa이상인 구간에서는 최저압력이 대략 300gf/20mm2와 유사하면서 차이가 많이 발생하지 않는 것을 확인할 수 있다. 그러나 타겟압력이 1.5Mpa 미만인 구간에서는 최저압력이 지속적으로 상승할 뿐만 아니라 차이가 많이 발생하는 것을 알 수 있다.
이를 통하여 도 8에 도시된 결과를 갖는 접착부재(AF)의 경우 타겟압력을 1.5Mpa 이상으로 유지할 때 점착력을 효과적으로 확보할 수 있는 것으로 판단할 수 있다.
따라서 표시 장치의 제조장치(100)는 상기의 결과를 근거로 접착부재(AF)의 점착력을 극대화할 수 있는 타겟압력을 결정함으로써 접착부재(AF)를 사용하는 실제 공정에 적용시키는 것이 가능하다.
도 9a는 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치를 통하여 돌출된 온도에 따른 최저압력을 보여주는 그래프이다. 도 9b는 접착부재의 각 종류별 온도에 따른 저장탄성률을 보여주는 그래프이다.
도 9a 및 도 9b를 참고하면, 표시 장치의 제조장치(100)는 온도에 따른 최저압력을 통하여 접착부재(AF)의 데이터를 분석하는 것도 가능하다. 구체적으로 제1접착부재(A)의 온도를 가변시키면서 제1접착부재(A)의 온도에 따른 최저압력을 산출할 수 있다. 상기와 같은 경우 도 9b에 도시된 저장탄성률을 참고할 수 있다. 구체적으로 제1접착부재(A)는 온도에 따라서 온도가 올라가면 저장탄성률이 줄어드는 형태일 수 있다. 그러나 제1접착부재(A)의 온도가 일정 온도(예를 들면, 대략 대략 70℃와 80℃ 사이의 온도)를 넘어가는 경우 제1접착부재(A)의 저장탄성률이 오히려 증가할 수 있다.
온도를 높일 경우 저장탄성률이 감소하여 유동성이 증가하며 접착력은 증가하나, 제1접착부재(A)의 경화 개시온도를 넘어갈 경우 FPC 등과 같은 피접착부재와 압착하기 전 선경화되어 품질 불량이 발생할 수 있다.
상기와 같은 문제를 확인하기 위하여 각 접착부재(AF)의 최저압력을 온도에 따라 측정할 수 있다. 이러한 경우 제1접착부재(A)의 최저압력은 일정한 온도를 기준으로 상승할 수 있다. 예를 들면, 도 9a를 기준으로 대략 70℃이상의 구간에서는 최저압력이 증가하는 것을 확인할 수 있다. 이때, 도 9b에 도시된 것과 같이 대략 70℃와 80℃ 사이에서 저장탄성률이 증가하는 것을 확인할 수 있으므로 제1접착부재(A)는 70℃이하의 공정에서 사용되는 것이 필요하므로 제1접착부재(A)를 사용 시 공정 온도를 조정하거나 대략 70℃를 초과하는 온도에서는 제1접착부재(A)를 사용하지 않을 수 있다.
상기와 관련하여서 제2접착부재(B), 제3접착부재(C) 및 제4접착부재(D)를 살펴보면, 제2접착부재(B)의 경우 온도가 증가함에 따라서 최저압력이 지속적으로 저하될 뿐만 아니라 저장탄성률의 경우에도 온도가 증가함에 따라서 지속적으로 하락하므로 다양한 온도 범위에서 사용이 가능하다. 제3접착부재(C) 및 제4접착부재(D)의 경우는 온도가 증가함에 따라서 최저압력은 하강하다가 제1접착부재(A)와 유사하게 70℃이상에서 증가할 수 있다. 또한, 제3접착부재(C) 및 제4접착부재(D)의 경우 저장탄성률은 온도가 증가할수록 작아지는 것을 확인할 수 있다. 이러한 경우 제3접착부재(C)와 제4접착부재(D)는 온도가 대략 70℃ 이상인 구간에서 작업하는 경우 작업 시 제3접착부재(C)와 제4접착부재(D)의 경도가 다소 낮아질 수 있으나 경화 후에는 문제가 발생하지 않을 수 있다.
상기와 같이 표시 장치의 제조장치는 각 접착부재의 실험을 통하여 다양한 정보를 획득하는 것이 가능하고, 이러한 정보를 근거로 실제 공정 조건을 결정할 수 있다. 뿐만 아니라 상기와 같은 데이터를 근거로 실제 공정 조건에 부합하는 접착부재를 선택하여 사용하는 것이 가능하다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 보여주는 평면도이다. 도 11은 도 10의 Ⅳ-Ⅳ′선을 따라 취한 단면도이다.
도 10 및 도 11을 참고하면, 표시 장치(DP)는 표시 패널(미표기), 표시 회로 보드(51), 표시 구동부(52), 터치 센서 구동부(53) 및 제1연성 필름(54)를 포함할 수 있다. 상기 표시 패널은 발광 소자(light emitting element)를 포함하는 발광 표시 패널일 수 있다. 예를 들어, 상기 표시 패널은 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode)를 이용하는 유기 발광 표시 패널, 및 초소형 발광 다이오드(micro LED)를 이용하는 초소형 발광 다이오드 표시 패널, 양자점 발광층을 포함하는 양자점 발광 소자(Quantum dot Light Emitting Diode)를 이용하는 양자점 발광 표시 패널, 또는 무기 반도체를 포함하는 무기 발광 소자를 이용하는 무기 발광 표시 패널일 수 있다.
상기 표시 패널은 강성이 있어 쉽게 구부러지지 않는 리지드(rigid) 표시 패널 또는 유연성이 있어 쉽게 구부러지거나 접히거나 말릴 수 있는 플렉시블(flexible) 표시 패널일 수 있다. 예를 들어, 상기 표시 패널은 접고 펼 수 있는 폴더블(foldable) 표시 패널, 표시면이 구부러진 커브드(curved) 표시 패널, 표시면 이외의 영역이 구부러진 벤디드(bended) 표시 패널, 말거나 펼 수 있는 롤러블(rollable) 표시 패널, 및 연신 가능한 스트레처블(stretchable) 표시 패널일 수 있다.
상기 표시 패널은 투명하게 구현되어 상기 표시 패널의 하면에 배치되는 사물이나 배경을 상기 표시 패널의 상면에서 볼 수 있는 투명 표시 패널일 수 있다. 또는, 상기 표시 패널은 상기 표시 패널의 상면의 사물 또는 배경을 반사할 수 있는 반사형 표시 패널일 수 있다.
상기 표시 패널의 일 측 가장자리에는 제1연성 필름(54)이 부착될 수 있다. 제1연성 필름(54)의 일 측은 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film)을 이용하여 상기 표시 패널의 일 측 가장자리에 부착될 수 있다. 제1연성 필름(54)은 구부러질 수 있는 플렉시블 필름(flexible film)일 수 있다.
표시 구동부(52)는 제1연성 필름(54) 상에 배치될 수 있다. 표시 구동부(52)는 제어 신호들과 전원 전압들을 인가 받고, 상기 표시 패널을 구동하기 위한 신호들과 전압들을 생성하여 출력할 수 있다. 표시 구동부(52)는 집적회로(integrated circuit, IC)로 형성될 수 있다. 이때, 표시 구동부(52)는 제1연성 필름(54)에 상에 직접 배치되는 것도 가능하며, 이방성 도전 필름을 통하여 서로 연결되는 것도 가능하다.
표시 회로 보드(51)는 제1연성 필름(54)의 타 측에 부착될 수 있다. 제1연성 필름(54)의 타 측은 이방성 도전 필름을 이용하여 표시 회로 보드(51)의 상면에 부착될 수 있다. 표시 회로 보드(51)는 구부러질 수 있는 연성 인쇄 회로 보드(flexible printed circuit board, FPCB), 단단하여 잘 구부러지지 않는 강성 인쇄 회로 보드(rigid printed circuit board, PCB), 또는 강성 인쇄 회로 보드와 연성 인쇄 회로 보드를 모두 포함하는 복합 인쇄 회로 보드일 수 있다.
표시 회로 보드(51) 상에는 터치 센서 구동부(53)가 배치될 수 있다. 터치 센서 구동부(53)는 집적회로로 형성될 수 있다. 터치 센서 구동부(53)는 표시 회로 보드(51) 상에 부착될 수 있다. 터치 센서 구동부(53)는 표시 회로 보드(51)를 통해 상기 표시 패널의 터치스크린층의 터치 전극들에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 표시 패널의 터치스크린층은 저항막 방식, 정전 용량 방식 등 여러가지 터치 방식 중 적어도 하나를 이용하여 사용자의 터치 입력을 감지할 수 있다. 예를 들어, 상기 표시 패널의 터치스크린층이 정전 용량 방식으로 사용자의 터치 입력을 감지하는 경우, 터치 센서 구동부(53)는 터치 전극들 중 구동 전극들에 구동 신호들을 인가하고, 터치 전극들 중 감지 전극들을 통해 구동 전극들과 감지 전극들 사이의 상호 정전 용량(mutual capacitance, 이하 "상호 용량"으로 칭함)들에 충전된 전압들을 감지함으로써, 사용자의 터치 여부를 판단할 수 있다. 사용자의 터치는 접촉 터치와 근접 터치를 포함할 수 있다. 접촉 터치는 사용자의 손가락 또는 펜 등의 물체가 터치스크린층 상에 배치되는 커버 부재에 직접 접촉하는 것을 가리킨다. 근접 터치는 호버링(hovering)과 같이, 사용자의 손가락 또는 펜 등의 물체가 커버 부재 상에 근접하게 떨어져 위치하는 것을 가리킨다. 터치 센서 구동부(53)는 감지된 전압들에 따라 센서 데이터를 상기 메인 프로세서로 전송하며, 상기 메인 프로세서는 센서 데이터를 분석함으로써, 터치 입력이 발생한 터치 좌표를 산출할 수 있다.
표시 회로 보드(51) 상에는 상기 표시 패널의 화소들, 스캔 구동부, 및 표시 구동부(52)를 구동하기 위한 구동 전압들을 공급하기 위한 전원 공급부가 추가로 배치될 수 있다. 또는, 전원 공급부는 표시 구동부(52)와 통합될 수 있으며, 이 경우 표시 구동부(52)와 전원 공급부는 하나의 집적회로로 형성될 수 있다.
상기와 같은 다양한 요소들은 이방성 도전 필름을 통하여 서로 연결될 수 있다. 이러한 경우 이방성 도전 필름은 상기에서 설명한 표시 장치의 제조장치를 통하여 특성이 확인된 접착부재를 사용할 수 있다.
상기 표시 패널은 기판(10), 버퍼층(11), 회로층(미표기), 및 표시요소층(미표기)이 적층되어 구비될 수 있다.
전술한 바와 같이, 기판(10)은 유리, 석영, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 기판(10)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉시블(flexible) 기판일 수 있다.
버퍼층(11)은 기판(10) 상에 위치하여, 기판(10)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 기판(10) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(11)은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기 복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다. 기판(10)과 버퍼층(11) 사이에는 외기의 침투를 차단하는 배리어층(미도시)이 더 포함될 수 있다. 일부 실시예에서, 버퍼층(11)은 실리콘 산화물(SiO2) 또는 실리콘 질화물(SiNX)으로 구비될 수 있다. 버퍼층(11)은 제1버퍼층(11a) 및 제2버퍼층(11b)이 적층되도록 구비될 수 있다.
상기 회로층은 버퍼층(11) 상에 배치되며, 화소회로(PC), 제1게이트절연층(12), 제2게이트절연층(13), 층간절연층(15), 및 평탄화층(17)을 포함할 수 있다. 메인 화소회로(PC)는 메인 박막트랜지스터(TFT) 및 메인 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
버퍼층(11) 상부에는 메인 박막트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 메인 박막트랜지스터(TFT)는 제1반도체층(A1), 제1게이트전극(G1), 제1소스전극(S1), 제1드레인전극(D1)을 포함하고, 보조 박막트랜지스터(TFT)는 제2반도체층(A2), 제2게이트전극(G2), 제2소스전극(S2), 제2드레인전극(D2)을 포함한다. 메인 박막트랜지스터(TFT)는 메인 유기발광다이오드(OLED)와 연결되어 메인 유기발광다이오드(OLED)를 구동할 수 있다.
제1반도체층(A1)은 상기 버퍼층(11) 상에 배치되며, 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1반도체층(A1)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1반도체층(A1)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 제1반도체층(A1)은 채널영역과 불순물이 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다.
제1반도체층(A1)을 덮도록 제1게이트절연층(12)이 구비될 수 있다. 제1게이트절연층(12)은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1게이트절연층(12)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제1게이트절연층(12) 상부에는 상기 제1반도체층(A1)과 각각 중첩되도록 제1게이트전극(G1)이 배치된다. 제1게이트전극(G1)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 제1게이트전극(G1)은 Mo의 단층일 수 있다.
제2게이트절연층(13)은 상기 제1게이트전극(G1)을 덮도록 구비될 수 있다. 제2게이트절연층(13)은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제2게이트절연층(13)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제2게이트절연층(13) 상부에는 메인 스토리지 커패시터(Cst)의 제1상부 전극(CE2)이 배치될 수 있다.
표시영역(DA)에서 제1상부 전극(CE2)은 그 아래의 제1게이트전극(G1)과 중첩할 수 있다. 제2게이트절연층(13)을 사이에 두고 중첩하는 제1게이트전극(G1) 및 제1상부 전극(CE2)은 메인 스토리지 커패시터(Cst)를 이룰 수 있다. 제1게이트전극(G1)은 메인 스토리지 커패시터(Cst)의 제1하부 전극(CE1)일 수 있다.
제1상부 전극(CE2)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.
층간절연층(15)은 상기 제1상부 전극(CE2)을 덮도록 형성될 수 있다. 층간절연층(15)은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다. 층간절연층(15)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제1소스전극(S1) 및 제1드레인전극(D1)은 층간절연층(15) 상에 배치된다. 제1소스전극(S1) 및 제1드레인전극(D1)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 제1소스전극(S1)과 제1드레인전극(D1)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
제1소스전극(S1)과 제1드레인전극(D1)를 덮도록 평탄화층(17)이 배치될 수 있다. 평탄화층(17)은 그 상부에 배치되는 화소전극(21)이 평탄하게 형성될 수 있도록 평탄한 상면을 가질 수 있다.
평탄화층(17)은 유기물질 또는 무기물질을 포함할 수 있으며, 단층구조 또는 다층구조를 가질 수 있다. 이러한, 평탄화층(17)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystyrene과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 또는 비닐알콜계 고분자 등을 포함할 수 있다. 한편, 평탄화층(17)은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 평탄화층(17)을 형성할 시, 층을 형성한 후 평탄한 상면을 제공하기 위해서 그 층의 상면에 화학적 기계적 폴리싱이 수행될 수 있다.
평탄화층(17)은 메인 박막트랜지스터(TFT)의 제1소스전극(S1) 및 제1드레인전극(D1) 중 어느 하나를 노출시키는 비아홀을 가지며, 화소전극(21)은 이 비아홀을 통해 제1소스전극(S1) 또는 제1드레인전극(D1)과 컨택하여 메인 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결될 수 있다.
화소전극(21)은 인듐주석산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐아연산화물(IZO; indium zinc oxide), 아연산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄아연산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 화소전극(21)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 예컨대 화소전극(21)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막들을 갖는 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 화소전극(21) 은 ITO/Ag/ITO로 적층된 구조를 가질 수 있다.
화소정의막(19)은 평탄화층(17) 상에서, 화소전극(21)의 가장자리를 덮으며, 화소전극(21)의 중앙부를 노출하는 제1개구(OP1)를 구비할 수 있다. 제1개구(OP1)에 의해서 유기발광다이오드(OLED)의 발광영역, 즉, 부화소(Pm)의 크기 및 형상이 정의된다.
화소정의막(19)은 화소전극(21)의 가장자리와 화소전극(21) 상부의 대향전극(23)의 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(21)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 화소정의막(19)은 폴리이미드, 폴리아마이드(Polyamide), 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐, HMDSO(hexamethyldisiloxane) 및 페놀 수지 등과 같은 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.
화소정의막(19)의 제1개구(OP1)의 내부에는 화소전극(21)에 각각 대응되도록 형성된 발광층(22b)이 배치된다. 발광층(22b)은 고분자 물질 또는 저분자 물질을 포함할 수 있으며, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
발광층(22b)의 상부 및/또는 하부에는 유기 기능층(22e)이 배치될 수 있다. 유기 기능층(22e)은 제1기능층(22a) 및/또는 제2기능층(22c)를 포함할 수 있다. 제1기능층(22a) 또는 제2기능층(22c)는 생략될 수 있다.
제1기능층(22a)은 발광층(22b)의 하부에 배치될 수 있다. 제1기능층(22a)은 유기물로 구비된 단층 또는 다층일 수 있다. 제1기능층(22a)은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)일 수 있다. 또는, 제1기능층(22a)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다. 제1기능층(22a)은 표시영역(DA)과 컴포넌트영역(CA)에 포함된 유기발광다이오드(OLED, OLED')들에 대응되도록 일체로 형성될 수 있다.
제2기능층(22c)은 상기 발광층(22b) 상부에 배치될 수 있다. 제2기능층(22c)은 유기물로 구비된 단층 또는 다층일 수 있다. 제2기능층(22c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2기능층(22c)은 표시영역(DA)에 포함된 유기발광다이오드(OLED들에 대응되도록 일체로 형성될 수 있다.
제2기능층(22c) 상부에는 대향전극(23)이 배치된다. 대향전극(23)은 일함수가 낮은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 대향전극(23)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(23)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다. 대향전극(23)은 표시영역(DA)에 포함된 유기발광다이오드(OLED)들에 대응되도록 일체로 형성될 수 있다.
표시영역(DA)에 형성된 화소전극(21)으로부터 대향전극(23)까지의 층들은 메인 유기발광다이오드(OLED)를 이룰 수 있다.
대향전극(23) 상에는 유기물질을 포함하는 상부층(50)이 형성될 수 있다. 상부층(50)은 대향전극(23)을 보호하는 동시에 광추출 효율을 높이기 위해서 마련된 층일 수 있다. 상부층(50)은 대향전극(23) 보다 굴절률이 높은 유기물질을 포함할 수 있다. 또는, 상부층(50)은 굴절율이 서로 다른층들이 적층되어 구비될 수 있다. 예컨대, 상부층(50)은 고굴절률층/저굴절률층/고굴절률층이 적층되어 구비될 수 있다. 이 때, 고굴절률층의 굴절률은 1.7이상 일 수 있으며, 저굴절률층의 굴절률은 1.3이하 일 수 있다.
상부층(50)은 추가적으로 LiF를 포함할 수 있다. 또는, 상부층(50)은 추가적으로 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx)와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 이러한 상부층(50)은 필요에 따라 생략하는 것도 가능하다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 대향전극(23) 상에 상부층(50)이 배치되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같은 표시 장치(DP)는 도면에 도시되어 있지는 않지만 상부층(50)을 차폐하는 봉지부재(미도시)를 포함하는 것도 가능하다. 일 실시예로써 상기 봉지부재는 기판(10)과 대향하도록 배치되는 봉지기판(미도시)과 기판(10)과 상기 봉지기판 사이에 배치되어 기판(10)과 상기 봉지기판 사이의 공간을 외부로부터 차단시키는 실링부재(미도시)를 포함할 수 있다.
다른 실시예로써 상기 봉지부재는 박막 봉지층을 포함하는 것도 가능하다. 이러한 박막 봉지층은 상부층(50) 상에 직접 접촉하도록 배치될 수 있다. 이때, 상기 박막 봉지층은 표시영역(DA) 및 주변영역(NDA)의 일부를 덮어, 외부의 습기 및 산소의 침투를 방지할 수 있다. 상기 박막 봉지층은 적어도 하나의 유기봉지층과 적어도 하나의 무기봉지층을 구비할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 박막 봉지층은 상부층(50) 상면에 순차적으로 적층되는 제1무기봉지층, 유기봉지층 및 제2무기봉지층을 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같은 경우 제1무기봉지층 대향전극(23)을 덮으며, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수 있다. 이러한 상기 제1무기봉지층은 그 하부의 구조물을 따라 형성되기에, 무기봉지층 상면이 평탄하지 않게 된다. 상기 유기봉지층은 이러한 상기 제1무기봉지층을 덮는데, 상기 제1무기봉지층과 달리 그 상면이 대략 평탄하도록 할 수 있다. 구체적으로, 상기 유기봉지층은 표시영역(DA)에 대응하는 부분에서는 상면이 대략 평탄하도록 할 수 있다. 이러한 상기 유기봉지층은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 재료를 포함할 수 있다. 상기 제2무기봉지층은 상기 유기봉지층을 덮으며, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수 있다.
상기와 같은 상기 봉지부재 상에는 터치스크린층이 배치될 수 있다.
도 12a 및 도 12b는 도 10에 도시된 표시 장치를 보여주는 회로도이다.
도 12a 및 도 12b를 참고하면, 화소회로(PC)는 발광 소자(ED)와 연결되어 부화소들의 발광을 구현할 수 있다. 화소회로(PC)는 구동 박막트랜지스터(T1), 스위칭 박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 스위칭 박막트랜지스터(T2)는 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결되며, 스캔선(SL)을 통해 입력되는 스캔 신호(Sn)에 따라 데이터선(DL)을 통해 입력된 데이터 신호(Dm)를 구동 박막트랜지스터(T1)로 전달한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 박막트랜지스터(T2) 및 구동전압선(PL)에 연결되며, 스위칭 박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 구동전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.
구동 박막트랜지스터(T1)는 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 발광 소자(ED)에 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 발광 소자(ED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다.
도 12a에서는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 12b를 참조하면, 화소회로(PC)는 구동 박막트랜지스터(T1), 스위칭 박막트랜지스터(T2), 보상 박막트랜지스터(T3), 제1초기화 박막트랜지스터(T4), 동작제어 박막트랜지스터(T5), 발광제어 박막트랜지스터(T6) 및 제2초기화 박막트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다.
도 12b에서는, 각 화소회로(PC) 마다 신호선들(SL, SL-1, SL+1, EL, DL), 초기화전압선(VL), 및 구동전압선(PL)이 구비된 경우를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또 다른 실시예로서, 신호선들(SL, SL-1, SL+1, EL, DL) 중 적어도 어느 하나, 또는/및 초기화전압선(VL)은 이웃하는 화소회로들에서 공유될 수 있다.
구동 박막트랜지스터(T1)의 드레인전극은 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 경유하여 발광 소자(ED)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 박막트랜지스터(T1)는 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터 신호(Dm)를 전달받아 발광 소자(ED)에 구동 전류를 공급한다.
스위칭 박막트랜지스터(T2)의 게이트전극은 스캔선(SL)과 연결되고, 소스전극은 데이터선(DL)과 연결된다. 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 드레인전극은 구동 박막트랜지스터(T1)의 소스전극과 연결되어 있으면서 동작제어 박막트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)과 연결될 수 있다.
스위칭 박막트랜지스터(T2)는 스캔선(SL)을 통해 전달받은 스캔 신호(Sn)에 따라 턴 온 되어 데이터선(DL)으로 전달된 데이터 신호(Dm)를 구동 박막트랜지스터(T1)의 소스전극으로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.
보상 박막트랜지스터(T3)의 게이트전극은 스캔선(SL)에 연결될 수 있다. 보상 박막트랜지스터(T3)의 소스전극은 구동 박막트랜지스터(T1)의 드레인전극과 연결되어 있으면서 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 경유하여 발광 소자(ED)의 화소전극과 연결될 수 있다. 보상 박막트랜지스터(T3)의 드레인전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 어느 하나의 전극, 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 소스전극 및 구동 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극과 함께 연결될 수 있다. 보상 박막트랜지스터(T3)는 스캔선(SL)을 통해 전달받은 스캔 신호(Sn)에 따라 턴 온(turn on)되어 구동 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극과 드레인전극을 서로 연결하여 구동 박막트랜지스터(T1)를 다이오드 연결(diode-connection)시킨다.
제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 게이트전극은 이전 스캔선(SL-1)과 연결될 수 있다. 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 드레인전극은 초기화전압선(VL)과 연결될 수 있다. 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 소스전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 어느 하나의 전극, 보상 박막트랜지스터(T3)의 드레인전극 및 구동 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극과 함께 연결될 수 있다. 제1초기화 박막트랜지스터(T4)는 이전 스캔선(SL-1)을 통해 전달받은 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 턴 온 되어 초기화 전압(Vint)을 구동 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극에 전달하여 구동 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극의 전압을 초기화시키는 초기화 동작을 수행할 수 있다.
동작제어 박막트랜지스터(T5)의 게이트전극은 발광 제어선(EL)과 연결될 수 있다. 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 소스전극은 구동전압선(PL)과 연결될 수 있다. 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 드레인전극은 구동 박막트랜지스터(T1)의 소스전극 및 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 드레인전극과 연결되어 있다.
발광제어 박막트랜지스터(T6)의 게이트전극은 발광 제어선(EL)과 연결될 수 있다. 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 소스전극은 구동 박막트랜지스터(T1)의 드레인전극 및 보상 박막트랜지스터(T3)의 소스전극과 연결될 수 있다. 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 드레인전극은 발광 소자(ED)의 화소전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 동작제어 박막트랜지스터(T5) 및 발광제어 박막트랜지스터(T6)는 발광 제어선(EL)을 통해 전달받은 발광 제어 신호(En)에 따라 동시에 턴 온 되어 구동전압(ELVDD)이 발광 소자(ED)에 전달되며, 발광 소자(ED)에 구동 전류가 흐르게 된다.
제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 게이트전극은 이후 스캔선(SL+1)에 연결될 수 있다. 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 소스전극은 발광 소자(ED)의 화소전극과 연결될 수 있다. 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 드레인전극은 초기화전압선(VL)과 연결될 수 있다. 제2초기화 박막트랜지스터(T7)는 이후 스캔선(SL+1)을 통해 전달받은 이후 스캔신호(Sn+1)에 따라 턴 온 되어 발광 소자(ED)의 화소전극을 초기화시킬 수 있다.
도 12b에서는, 제1초기화 박막트랜지스터(T4)와 제2초기화 박막트랜지스터(T7)가 각각 이전 스캔선(SL-1) 및 이후 스캔선(SL+1)에 연결된 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또 다른 실시예로서, 제1초기화 박막트랜지스터(T4) 및 제2초기화 박막트랜지스터(T7)는 모두 이전 스캔선(SLn-1)에 연결되어 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 구동할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 다른 하나의 전극은 구동전압선(PL)과 연결될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)의 어느 하나의 전극은 구동 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극, 보상 박막트랜지스터(T3)의 드레인전극 및, 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 소스전극에 함께 연결될 수 있다.
발광 소자(ED)의 대향전극(예컨대, 캐소드)은 공통전압(ELVSS)을 제공받는다. 발광 소자(ED)는 구동 박막트랜지스터(T1)로부터 구동 전류를 전달받아 발광한다.
화소회로(PC)는 도 12a 및 도 12b를 참조하여 설명한 박막트랜지스터 및 스토리지 커패시터의 개수 및 회로 디자인에 한정되지 않으며, 그 개수 및 회로 디자인은 다양하게 변경 가능하다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 기판
100: 표시 장치의 제조장치
110: 스테이지
111: 스테이지구동부
112: 지지대
120: 온도조절부
130: 지그부
131: 제1지지플레이트
132: 제2지지플레이트
133: 가압플레이트
134: 부재고정부
134a: 고정플레이트
134b: 간격조절부
135: 지그연결부
140: 연결부
150: 가이드부
160: 측정부
51: 표시 회로 보드
52: 표시 구동부
53: 터치 센서 구동부
54: 제1연성 필름

Claims (20)

  1. 스테이지;
    상기 스테이지에 배치되며, 부재가 안착하는 온도조절부; 및
    상기 온도조절부를 마주보도록 배치되어 선형 운동하며, 접착부재가 고정되는 지그부;를 포함하고,
    상기 지그부는,
    제1지지플레이트;
    상기 제1지지플레이트와 마주보도록 배치된 제2지지플레이트; 및
    상기 제1지지플레이트와 상기 제2지지플레이트가 배치되며 상기 접착부재가 배치되고, 끝단이 상기 제1지지플레이트의 끝단과 상기 제2지지플레이트의 끝단보다 상기 부재로부터 더 이격되는 가압플레이트;를 포함하는 표시 장치의 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스테이지는 일 방향으로 선형 운동 가능한 표시 장치의 제조장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 지그부는 상기 스테이지의 일평면에 대해서 승하강 운동 가능한 표시 장치의 제조장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 지그부가 배치되어 상기 지그부의 운동을 가이드하는 가이드부;를 더 포함하는 표시 장치의 제조장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 지그부와 상기 가이드부 사이에 배치되어 상기 지그부를 선형 운동시키는 연결부;를 더 포함하는 표시 장치의 제조장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착부재를 상기 부재에 부착 시 상기 접착부재에 가해지는 압력을 측정하는 측정부;를 더 포함하는 표시 장치의 제조장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 지그부에 배치되어 상기 가압플레이트의 온도를 조절하는 지그온도조절부;를 더 포함하는 표시 장치의 제조장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 지그부는,
    상기 접착부재의 끝단을 고정시키는 부재고정부;를 더 포함하는 표시 장치의 제조장치.
  9. 접착부재를 지그부에 배치하고, 부재를 스테이지 상에 배치하는 단계;
    상기 지그부를 선형 운동시켜 상기 접착부재를 부재에 부착시키는 단계;
    상기 지그부를 선형 운동시켜 상기 접착부재를 상기 부재로부터 분리하는 단계; 및
    상기 접착부재를 상기 부재에 부착 시 및 상기 접착부재를 상기 부재로부터 분리 시 상기 지그부에 가해지는 힘 또는 압력을 측정하는 단계;를 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 접착부재 및 상기 부재 중 적어도 하나의 온도를 조절하는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 접착부재를 상기 부재에 부착 시 상기 지그부로 상기 접착부재에 일정한 상기 힘 또는 상기 압력을 가하는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 힘 또는 상기 압력을 일정시간 가하는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 접착부재를 상기 부재로부터 분리 시 상기 지그부에 가해지는 상기 힘 또는 상기 압력의 최소치를 측정하는 표시 장치의 제조방법.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 접착부재의 끝단을 상기 지그부에 고정시키는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 스테이지를 선형 운동시키는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 접착부재의 종류에 따라 일정 힘 또는 압력에 도달하는 시간을 측정하는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  17. 제 9 항에 있어서,
    상기 접착부재의 종류에 따라 상기 지그부가 상기 접착부재의 가압 시 시간에 따른 압력변화 그래프의 면적을 산출하는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  18. 제 9 항에 있어서,
    상기 접착부재로 상기 부재를 가압하는 힘 또는 압력을 가변시키는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  19. 제 9 항에 있어서,
    상기 부재와 상기 스테이지 사이에는 온도조절부가 배치된 표시 장치의 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 지그부 및 상기 온도조절부 중 적어도 하나의 온도를 조절하는 단계;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
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