KR20220098829A - 반도체 검사 장치 - Google Patents

Abstract

반도체 검사 장치에 있어서, 각각이 반도체 소자를 탑재하는 복수의 테스트 모듈을 포함하는 실험 챔버; 상기 실험 챔버 내부의 적어도 일측에 형성되고, 가열 또는 냉각된 공기를 상기 실험 챔버 내부로 순환시키는 공기 순환부; 상기 공기 순환부에 연결되고, 상기 복수의 테스트 모듈 상부에 위치하도록 형성되고, 상기 가열 또는 냉각된 공기를 상기 복수의 테스트 모듈로 토출하는 공기 토출부; 및 상기 반도체 소자의 동작에 기초하여 상기 반도체 소자를 테스트하는 테스트부를 포함한다.

Description

반도체 검사 장치{SEMICONDUCTOR INSPECTION APPARATUS}

본 발명은 반도체 검사 장치에 관한 것이다.

반도체 검사 장치는 온도조절장치를 이용하여 챔버 내부에 공기를 가열시키거나 냉각시켜 챔버 내부에 위치하는 반도체가 고온 또는 저온의 환경에서 어떠한 성능의 변화가 발생하는지에 대해 테스트하는 장치로서, 그 검사결과에 따라 고장 또는 불량의 반도체를 분류할 수 있도록 한다.

반도체 검사 장치는 챔버 내부의 온도를 고온 또는 저온으로 제어하기 위해 냉각기 또는 가열기를 동작시키고, 냉각기 또는 가열기에 의해 온도가 상승 또는 하강한 공기를 팬을 이용해 챔버 내부에 위치한 반도체 소자로 공급한다.

그러나, 종래의 반도체 검사 장치는 반도체 소자들이 챔버 내부에 조밀하게 배치되어 있기 때문에 복수의 반도체 소자들의 온도가 균일하게 제어될 만큼 효율적인 공기의 순환이 이루어지기 어려운 구조를 갖고 있다.

또한, 종래의 반도체 검사 장치는 챔버 내부에 포함되는 복수의 반도체 소자 중 공기가 이송되는 지점으로부터 가까운 쪽에 위치하는 반도체 소자와 먼 쪽에 위치하는 반도체 소자 간의 온도 차가 극명하게 발생하게 되므로 반도체 검사 장치의 오류가 발생할 수 있을 뿐만 아니라, 반도체 소자에 손상이 발생할 수 있는 문제가 있다.

나아가, 최근 메모리 반도체 등이 비약적으로 향상되면서 용량 증대, 발열 증대 등으로 인해 더욱 정밀한 온도 제어를 통한 높은 테스트 신뢰성을 요구하고 있다.

한국등록특허공보 제1750811호 (2017. 6. 20. 등록)

본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 챔버 내부의 원활한 공기 순환으로 챔버 내부에 적재된 복수의 반도체의 온도가 균일하게 이루어질 수 있는 반도체 검사 장치를 제공하고자 한다.

또한, 챔버 내부의 공기가 복수의 반도체 각각에 직접적으로 공급될 수 있는 반도체 검사 장치를 제공하고자 한다.

다만, 본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 수단으로서, 본 발명의 일 실시예는, 반도체 검사 장치에 있어서, 각각이 반도체 소자를 탑재하는 복수의 테스트 모듈을 포함하는 실험 챔버; 상기 실험 챔버 내부의 적어도 일측에 형성되고, 가열 또는 냉각된 공기를 상기 실험 챔버 내부로 순환시키는 공기 순환부; 상기 공기 순환부에 연결되고, 상기 복수의 테스트 모듈 상부에 위치하도록 형성되고, 상기 가열 또는 냉각된 공기를 상기 복수의 테스트 모듈로 토출하는 공기 토출부; 및 상기 반도체 소자의 동작에 기초하여 상기 반도체 소자를 테스트하는 테스트부를 포함하는 것인, 반도체 검사 장치를 제공 할 수 있다.

본 발명의 일 실시예는, 상기 공기 토출부는 상기 복수의 테스트 모듈을 향해 상기 가열 또는 냉각된 공기를 토출하는 것인, 반도체 검사 장치를 제공할 수 있다.

본 발명의 일 실시예는, 상기 테스트 모듈은 상기 반도체 소자를 탑재하는 오픈 탑 타입(Open Top Type)의 소켓인 것인, 반도체 검사 장치를 제공할 수 있다.

본 발명의 일 실시예는, 상기 반도체 소자는 낸드 플래시 메모리(Nand Flash Memory)인 것인, 반도체 검사 장치를 제공할 수 있다.

본 발명의 일 실시예는, 상기 복수의 테스트 모듈은 기설정된 행과 열로 정렬되어 있고, 상기 공기 토출부는 적어도 둘 이상의 테스트 모듈이 정렬된 행마다 상기 적어도 둘 이상의 테스트 모듈 상부에 형성된 복수의 노즐부를 포함하는 것인, 반도체 검사 장치를 제공할 수 있다.

본 발명의 일 실시예는, 상기 복수의 노즐부는 상기 복수의 테스트 모듈을 향하는 부분에 기설정된 간격의 홀(hole)을 포함하고, 상기 홀을 통해 상기 반도체 소자 각각에 공기를 토출하는 것인, 반도체 검사 장치를 제공할 수 있다.

본 발명의 일 실시예는, 상기 공기 순환부는 상기 가열 또는 냉각된 공기의 흐름을 발생시키는 팬 및 상기 팬으로부터 연장되어 상기 가열 또는 냉각된 공기를 순환시키는 덕트를 포함하는 것인, 반도체 검사 장치를 제공할 수 있다.

본 발명의 일 실시예는, 상기 실험 챔버 내부의 온도를 고온 또는 저온으로 제어하는 냉동기 및 가열기를 더 포함하는 것인, 반도체 검사 장치를 제공할 수 있다.

상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본 발명을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.

전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 반도체 소자를 탑재한 복수의 테스트 모듈 상부에 가열 또는 냉각된 공기를 공급하는 노즐을 형성하여, 챔버 내부의 공기 순환이 원활하게 이루어지는 반도체 검사 장치를 제공할 수 있다.

또한, 반도체 소자에 직접적으로 공기를 공급하고 순환시킴으로써 챔버 내부에 적재된 복수의 반도체 온도가 균일하게 이루어질 수 있는 반도체 검사 장치를 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 검사 장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 검사 장치의 구성을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실험 챔버 내부의 공기 순환을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 모듈을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 모듈로 공급되는 공기의 순환을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 실험 챔버 내부의 공기 순환에 따른 반도체 소자의 온도 변화를 설명하기 위한 예시적인 도면이다.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미하며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

본 명세서에 있어서 '부(部)'란, 하드웨어에 의해 실현되는 유닛(unit), 소프트웨어에 의해 실현되는 유닛, 양방을 이용하여 실현되는 유닛을 포함한다. 또한, 1 개의 유닛이 2 개 이상의 하드웨어를 이용하여 실현되어도 되고, 2 개 이상의 유닛이 1 개의 하드웨어에 의해 실현되어도 된다.

본 명세서에 있어서 단말 또는 디바이스가 수행하는 것으로 기술된 동작이나 기능 중 일부는 해당 단말 또는 디바이스와 연결된 서버에서 대신 수행될 수도 있다. 이와 마찬가지로, 서버가 수행하는 것으로 기술된 동작이나 기능 중 일부도 해당 서버와 연결된 단말 또는 디바이스에서 수행될 수도 있다.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 검사 장치의 구성도이다. 도 1을 참조하면, 반도체 검사 장치(100)는 실험 챔버(110), 공기 순환부(120), 공기 토출부(130) 및 테스트부(140)를 포함할 수 있다. 또한, 공기 토출부(130)는 노즐부(131)를 포함할 수 있다. 다만, 위 구성 요소들(110 내지 140)은 반도체 검사 장치(100)에 의하여 제어될 수 있는 구성요소들을 예시적으로 도시한 것일 뿐이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 검사 장치(100)는 고온 또는 저온의 상태에서 반도체 소자의 성능을 테스트하기 위해 실험 챔버(110) 내부의 온도를 고온 또는 저온으로 제어하는 것일 수 있다.

반도체 검사 장치(100)는 반도체 소자를 탑재한 복수의 테스트 모듈 상부에 가열 또는 냉각된 공기를 공급하는 노즐을 형성하여, 챔버 내부의 공기를 원활하게 순환시킬 수 있다.

또한, 반도체 검사 장치(100)는 반도체 소자에 직접적으로 공기를 공급하도록 순환시킴으로써 챔버 내부에 적재된 복수의 반도체 온도를 균일하게 조절할 수 있다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 검사 장치의 구성을 설명하기 위한 예시적인 도면이다. 도 2의 (a) 및 (b)를 참조하면, 반도체 검사 장치(100)는 내부에 공간을 가지도록 이루어진 실험 챔버(110), 공기 순환부(120), 공기 토출부(130) 및 테스트부(140)를 포함할 수 있다.

또한, 반도체 검사 장치(100)는 실험 챔버(110) 내부의 온도를 저온으로 제어하는 냉동기(150) 및 고온으로 제어하는 가열기(160)를 더 포함할 수 있다.

반도체 검사 장치(100)는 냉동기(150) 또는 가열기(160)를 동작시킨 후, 냉동기(150) 또는 가열기(160)에 의해 온도가 상승 또는 하강한 공기를 팬(170)을 이용해 실험 챔버(110)의 내부로 공급할 수 있다. 이에 따라, 실험 챔버(110)는 내부의 온도를 고온 또는 저온으로 제어할 수 있다.

실험 챔버(110)는 각각이 반도체 소자를 탑재하는 복수의 테스트 모듈(111)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실험 챔버(110)는 내부에 공간을 가지도록 이루어질 수 있으며, 그 내부 공간에 각각이 반도체 소자를 탑재한 복수의 테스트 모듈(111)을 포함할 수 있다.

예를 들어, 실험 챔버(110)의 내부 공간에 포함되는 복수의 테스트 모듈(111)은 일정 방향으로 나열될 수 있다. 보다 구체적으로, 복수의 테스트 모듈(111)은 기설정된 수의 행 및 열로 정렬될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 공기 순환부(120)는 실험 챔버(110) 내부의 적어도 일측에 형성되고 가열 또는 냉각된 공기를 실험 챔버(110) 내부로 순환시킬 수 있다.

여기서, 공기 순환부(120)는 공기의 흐름을 발생시키는 팬(170) 및 팬(170)으로부터 연장되어 공기가 순환하는 덕트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 팬(170)은 실험 챔버(110)의 하부에 위치하고, 덕트는 실험 챔버(110)의 일측에 위치하며 팬(170)과 연통될 수 있다.

공기 순환부(120)는 동력을 이용하여 실험 챔버(110) 내부에 공기의 흐름을 발생시킬 수 있다. 이를 위해, 공기 순환부(120)는 팬(170)의 일측에 연결되며 동력을 발생시키는 동력 장치(Motor, 미도시)를 더 포함할 수 있다.

공기 순환부(120)는 동력 장치로부터 발생하는 동력을 이용하여 냉동기(150) 또는 가열기(160)에 의해 온도가 하강 또는 상승된 공기의 흐름을 발생시킬 수 있다. 여기서, 공기 순환부(120)가 하강 또는 상승된 공기의 흐름을 발생시키는 것은 실험 챔버(110) 내부 및 실험 챔버(110) 내부에 포함되는 복수의 반도체 소자의 온도를 하강 또는 상승시키기 위함일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아님에 유의해야 한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 테스트부(140)는 반도체 소자의 동작에 기초하여 반도체 소자를 테스트할 수 있다. 테스트부(140)는 반도체 소자에 대한 내후성을 테스트할 수 있다. 예를 들어, 테스트부(140)는 고온 또는 저온의 상태에서 반도체 소자의 성능을 테스트할 수 있다.

테스트부(140)는 실험 챔버(110) 내부의 공기를 가열시키거나 냉각시켜 실험 챔버(110) 내부에 적재된 반도체 소자가 고온 또는 저온의 환경에서 어떠한 성능의 변화가 발생하는지에 대해 테스트할 수 있다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실험 챔버 내부의 공기 순환을 설명하기 위한 예시적인 도면이다. 도 3의 (a)는 종래 기술에 따른 실험 챔버(110) 내부의 공기 순환이고, (b)는 본 발명에 따른 실험 챔버(110) 내부의 공기 순환을 도시한 도면이다.

먼저, 도 2 및 도 3의 (a)를 참조하여 종래 기술에 따른 실험 챔버(110) 내부의 공기 순환을 설명한다.

실험 챔버(110)의 일측에 형성된 공기 순환부(120)는 팬(170)으로부터 발생하는 공기의 흐름을 상향(A)으로 유도할 수 있다.

이후, 상향(A)으로 흐르는 공기는 공기 순환부(120)의 덕트의 일측에 형성된 개구부를 통해 실험 챔버(110) 내부로 유입된다. 여기서, 개구부는 덕트에 흐르는 공기를 실험 챔버(110)로 유입시키기 위한 복수의 홀을 포함할 수 있다.

이 때, 실험 챔버(110) 내부로 유입된 공기는 행 방향(B)으로 흐르게 된다.

실험 챔버(110) 내부로 유입된 공기는 복수의 테스트 모듈(111)에 탑재된 반도체 소자의 온도를 제어할 수 있다.

반면, 도 2 및 도 3의 (b)를 참조하면, 공기 순환부(120)는 팬(170)으로부터 발생하는 공기를 상향(A)으로 흐르게 한 후, 덕트로부터 연장된 공기 토출부(130)를 통해 행 방향(B)으로 흐르게 할 수 있다.

본원에서는 공기를 실험 챔버(110)로 유입시키고 나아가 테스트 모듈(111)에 직접적으로 공기를 공급하기 위해 종래 기술의 개구부 대신 공기 토출부(130)를 가진다.

즉, 후술하는 하는 바와 같이, 공기는 노즐부(131)를 통해 행 방향(B)으로 흐르면서 노즐부(131)의 홀로 인해 공기의 일부가 열 방향(C)으로 흐르게 되어 테스트 모듈(111)에 탑재된 반도체 소자에 직접적으로 고온 또는 저온의 공기를 공급할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 공기 토출부(130)는 공기 순환부(120)에 연결되고 복수의 테스트 모듈(111) 상부에 위치하도록 형성되며, 복수의 테스트 모듈(111)과 대응하는 각각의 위치에 홀(131a)을 형성할 수 하여 가열 또는 냉각된 공기를 복수의 테스트 모듈(111)로 토출할 수 있다.

예를 들어, 도 3의 (b)를 참조하면, 공기 토출부(130)를 통해 행 방향(B)으로 흐르는 공기는 홀(131a)을 통해 열 방향(C)으로 토출됨에 따라 복수의 테스트 모듈(111)에 각각에 탑재된 반도체 소자는 직접적으로 순환 공기의 영향을 받을 수 있다.

이하 도 4 및 도 5를 참조하여 공기의 순환 방식에 따라 테스트 모듈(111)에 탑재된 반도체 소자의 영향에 대해 보다 구체적으로 살펴본다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 모듈을 설명하기 위한 예시적인 도면이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 모듈로 토출되는 공기의 순환을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.

먼저, 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 모듈(111)은 반도체 소자를 탑재하는 오픈 탑 타입(Open Top Type)의 소켓일 수 있다.

여기서, 반도체 소자는 낸드 플래시 메모리(Nand Flash Memory)일 수 있다. 낸드 플래시 메모리(NAND Flash Memory)는 반도체의 셀이 직렬로 배열되어 있는 플래시 메모리의 한 종류이다. 일반적으로, 플래시 메모리는 반도체 칩 내부의 전자회로 형태에 따라 직렬로 연결된 낸드 플래시(NAND Flash)와 병렬로 연결된 노어 플래시(NOR Flash)로 구분되고, 낸드 플레시는 저장 단위인 셀을 수직으로 배열하는 구조로 좁은 면적에 많은 셀을 만들어 대용량화가 가능한 특징이 있다.

다시 도 4를 참조하면, 테스트 모듈(111)은 상부가 오픈 된 형태로, 내부에 반도체 소자를 탑재하여 반도체 소자의 상부의 일부만이 노출될 수 있다. 보다 구체적으로, 도 4에 도시한 바와 같이, 반도체 소자는 테스트 모듈(111)의 하부에 배치되어 반도체 소자가 테스트 모듈(111) 외부로 노출되지 않는다.

도 5를 참조하면, (a)는 종래 기술에 따른 공기 순환을 도시한 도면이고, (b)는 본 발명에 따른 공기 순환을 도시한 도면이다.

먼저, 도 5의 (a)를 참조하면, 좌측은 종래 테스트 모듈(111)의 정면이고, 우측은 종래 테스트 모듈(111)의 측면이다. 종래 기술에 따르면 실험 챔버(110) 내부로 유입된 공기는 공기가 테스트 모듈(111)에 공급되기는 하나, 공기가 행 방향(B)으로만 흐르기 때문에 테스트 모듈(111)에 탑재된 반도체 소자(500)에는 직접 공급되지 못한다. 특히, 테스트 모듈(111)이 오픈 탑 타입일 경우, 상술한 바와 같이 반도체 소자(500)는 테스트 모듈(111)의 하부에 배치되기 때문에 공기가 반도체 소자(500)에 더욱 공급되기 어렵다.

반면, 도 5의 (b)를 참조하면, 좌측은 본 발명에 따른 테스트 모듈(111)의 정면이고, 우측은 본 발명에 따른 테스트 모듈(111)의 측면이다. 공기 토출부(130)는 복수의 테스트 모듈(111)과 대응하는 각각의 위치에서 복수의 테스트 모듈(111)을 향하는 부분에 기설정된 간격의 홀(131a)을 형성할 수 있다.

즉, 본원에 따르면, 테스트 모듈(111)이 오픈 탑 타입이더라도 홀(131a)을 통해 공기를 테스트 모듈(111)에 탑재된 반도체 소자(500)에 직접적으로 공급하여 반도체 소자(500)의 온도가 균일하게 이루어질 수 있다.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 복수의 테스트 모듈(111)은 기설정된 행과 열로 정렬되어 있고, 도 3 및 도 5를 참조하면, 공기 토출부(130)는 적어도 둘 이상의 테스트 모듈(111)이 정렬된 행마다 적어도 둘 이상의 테스트 모듈(111) 상부에 형성된 복수의 노즐부(131)를 포함할 수 있다.

예를 들어, 복수의 노즐부(131)는 실험 챔버(110) 내부에 적어도 둘 이상의 테스트 모듈(111)이 정렬된 행마다 적어도 둘 이상의 테스트 모듈(111) 상부에 형성될 수 있다.

또한, 도 5를 참조하면, 복수의 노즐부(131)는 기설정된 간격의 홀(131a)을 포함할 수 있다. 복수의 노즐부(131)는 복수의 테스트 모듈(111)을 향하는 부분에 기설정된 간격의 홀(131a)을 포함하고, 홀(131a)을 통해 반도체 소자(500) 각각에 공기를 토출할 수 있다.

예를 들어, 복수의 노즐부(131)는 행 방향으로 정렬된 복수의 테스트 모듈(111)과 대응하는 위치 각각에 홀(131a)을 형성하여 공기를 복수의 테스트 모듈(111)에 탑재된 반도체 소자(500) 각각에 직접적으로 공급할 수 있다.

즉, 복수의 노즐부(131)는 공급된 고온 또는 저온의 공기를 행 방향(B)으로 공급하면서 홀(131a)을 통해 순차적으로 열 방향(C)으로 공급하여 테스트 모듈(111)에 탑재된 반도체 소자(500)에 직접적으로 고온 또는 저온의 공기를 공급할 수 있다.

따라서, 본 반도체 검사 장치(100)는 실험 챔버(110) 내부에 적재된 반도체 소자(500)에 직접적으로 고온 또는 저온의 공기를 공급하도록 함으로써 반도체 소자의 온도가 균일하게 이루어질 수 있다.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 실험 챔버 내부의 공기 순환에 따른 반도체 소자의 온도 변화를 설명하기 위한 예시적인 도면이다. 도 6a는 종래 기술에 따른 실험 챔버 내부의 공기 순환에 따른 반도체 소자의 온도 변화를 도시한 도면이고, 도 6b는 본 발명에 따른 실험 챔버 내부의 공기 순환에 따른 반도체 소자의 온도 변화를 도시한 도면이다.

구체적으로, 도 6a는 종래 기술에 따라 실험 챔버 내부에 순환 공기를 공급한 후 복수의 반도체 소자의 각각의 온도를 측정한 후 각 반도체 소자의 온도 변화를 나타낸 것이다.

도 6a에서 확인할 수 있는 바와 같이, 종래 기술의 경우, 약 -55℃의 공기를 챔버 내부에 순환시킬 경우, 각 반도체 소자의 온도 차이는 최대 ±3.0℃ 차이가 있었고, 약 -40℃~105℃의 공기를 챔버 내부에 순환시킬 경우, 각 반도체 소자의 온도 차이는 최대 ±2.5℃ 차이가 있었으며, 125℃의 공기를 챔버 내부에 순환시킬 경우, 각 반도체 소자의 온도 차이는 최대 ±3.0℃ 차이가 있었다.

도 6b는 본 발명에 따라 실험 챔버 내부에 순환 공기를 공급한 후 복수의 반도체 소자의 각각의 온도를 측정한 후 각 반도체 소자의 온도 변화를 나타낸 것이다.

도 6b에서 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명의 경우, 약 -55℃의 공기를 챔버 내부에 순환시킬 경우, 각 반도체 소자의 온도 차이는 최대 ±2.0℃ 차이가 있었고, 약, -40℃~125℃의 공기를 챔버 내부에 순환시킬 경우, 각 반도체 소자의 온도 차이는 최대 ±1.5℃ 차이가 있었다.

살펴본 바와 같이, 종래 기술에 따른 반도체 검사 장치는 공기를 수평 방향으로만 공급할 수 있는데 반해 본원의 반도체 검사 장치(100)는 공기를 수평 방향뿐만 아니라 수직 방향(테스트 모듈을 향하는 하방)으로도 공급함으로써 각 반도체 소자의 온도가 보다 균일하게 유지될 수 있다.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

100: 반도체 검사 장치
110: 실험 챔버
120: 공기 순환부
130: 공기 토출부
131: 노즐부
140: 테스트부

Claims (8)

1. 반도체 검사 장치에 있어서,
   각각이 반도체 소자를 탑재하는 복수의 테스트 모듈을 포함하는 실험 챔버;
   상기 실험 챔버 내부의 적어도 일측에 형성되고, 가열 또는 냉각된 공기를 상기 실험 챔버 내부로 순환시키는 공기 순환부;
   상기 공기 순환부에 연결되고, 상기 복수의 테스트 모듈 상부에 위치하도록 형성되고, 상기 가열 또는 냉각된 공기를 상기 복수의 테스트 모듈로 토출하는 공기 토출부; 및
   상기 반도체 소자의 동작에 기초하여 상기 반도체 소자를 테스트하는 테스트부
   를 포함하는 것인, 반도체 검사 장치.
   
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 공기 토출부는 상기 복수의 테스트 모듈을 향해 상기 가열 또는 냉각된 공기를 토출하는 것인, 반도체 검사 장치.
   
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 테스트 모듈은 상기 반도체 소자를 탑재하는 오픈 탑 타입(Open Top Type)의 소켓인 것인, 반도체 검사 장치.
   
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 반도체 소자는 낸드 플래시 메모리(Nand Flash Memory)인 것인, 반도체 검사 장치.
   
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 복수의 테스트 모듈은 기설정된 행과 열로 정렬되어 있고,
   상기 공기 토출부는 적어도 둘 이상의 테스트 모듈이 정렬된 행마다 상기 적어도 둘 이상의 테스트 모듈 상부에 형성된 복수의 노즐부를 포함하는 것인, 반도체 검사 장치.
   
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 복수의 노즐부는 상기 복수의 테스트 모듈을 향하는 부분에 기설정된 간격의 홀(hole)을 포함하고, 상기 홀을 통해 상기 반도체 소자 각각에 공기를 토출하는 것인, 반도체 검사 장치.
   
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 공기 순환부는 상기 가열 또는 냉각된 공기의 흐름을 발생시키는 팬 및 상기 팬으로부터 연장되어 상기 가열 또는 냉각된 공기를 순환시키는 덕트를 포함하는 것인, 반도체 검사 장치.
   
8. 제 1 항에 있어서,
   상기 실험 챔버 내부의 온도를 고온 또는 저온으로 제어하는 냉동기 및 가열기를 더 포함하는 것인, 반도체 검사 장치.

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