KR20220096723A - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

An embodiment of the present invention provides a substrate treating apparatus. An apparatus for treating a substrate, according to an embodiment, comprises: an application block for performing a first treatment on the substrate; an interface module for performing a second treatment on the first treated substrate; a control unit for controlling the application block and the interface module; a measurement unit for measuring the number of substrates in the application block and the interface module; and a comparison processing unit which determines an input stop condition based on the number of substrates measured by the measurement unit. The interface module includes: a second processing chamber for performing second processing on the substrate therein; and a congestion management buffer provided between the second processing chamber and the application block to temporarily store the substrate. A first robot for conveying the substrates from the application block to the second processing chamber or the congestion management buffer. The control unit stops the input of a new substrate into the application block under an input stop condition. The input stop condition can be a case in which the sum of the number of substrates stored in the congestion management buffer and the number of substrates being processed in the application block is greater than the number of substrates which can be accommodated in the application block. The present invention can prevent the transfer of the substrate from being congested during processing of the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}Apparatus and Method for treating substrate

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 다양한 패턴을 형성하여야 한다. 반도체 패턴 형성은 증착 공정(depositing process), 사진 공정(lithography process), 그리고 식각 공정(etching process) 등과 같은 다양한 공정을 연속적으로 수행함으로써 이루어진다. In order to manufacture a semiconductor device, various patterns must be formed on a substrate such as a semiconductor wafer. The semiconductor pattern is formed by successively performing various processes such as a deposition process, a lithography process, and an etching process.

이들 중 사진 공정은 기판 상에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하여 기판 상에 포토레지스트 층(photoresist layer)을 형성하는 도포 공정, 레티클(reticle)에 형성된 패턴을 기판 상의 포토레지스트 층에 전사하여 회로를 형성하는 노광 공정, 그리고 현상액을 기판 상의 포토레지스트 층에 공급하여 노광된 영역 또는 그 반대 영역을 선택적으로 제거하는 현상 공정을 포함한다. 기판 상에 포토레지스트를 도포하기 전과 후, 그리고 기판 상에 현상액을 공급하기 전과 후에는 각각 기판에 대해 열처리가 이루어진다. 도포 공정, 노광 공정 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행하기 위해 기판은 기판 처리 장치 내에서 이송된다. 도포 공정에서, 기판 상에 열처리를 하는 열처리 챔버와 기판 상에 액처리를 하는 액처리 챔버 간으로 기판이 이송된다. 도포 공정이 완료된 기판은 노광 공정 이전에, 엣지 비드 공정과 같이 기판의 가장 자리 영역에 대한 처리를 하는 공정을 추가적으로 거친다. 다만, 엣지 비드 공정과 도포 공정 간에는 공정의 시간에 차이가 있고, 기판을 이송되는 데에도 시간이 소요되며 각 공정이 이루어지는 공간 내에 적재 가능한 기판의 수에도 차이가 있다. 이에 기판 처리 장치 내에서 특정 영역에 기판이 정체되어 공정 시간이 길어지는 문제가 있다.Among them, the photo process is a coating process of forming a photoresist layer on a substrate by applying a photoresist solution such as a photoresist on a substrate, and transferring a pattern formed on a reticle to a photoresist layer on a substrate to form a circuit. an exposure process for forming, and a developing process for selectively removing the exposed region or vice versa by supplying a developer solution to the photoresist layer on the substrate. Heat treatment is performed on the substrate before and after applying the photoresist on the substrate, and before and after supplying the developer on the substrate, respectively. The substrate is transferred in the substrate processing apparatus to sequentially perform the coating process, the exposure process, and the developing process. In the coating process, a substrate is transferred between a heat treatment chamber for performing a heat treatment on the substrate and a liquid treatment chamber for performing a liquid treatment on the substrate. The substrate on which the coating process is completed is additionally subjected to a process of treating the edge region of the substrate, such as an edge bead process, before the exposure process. However, there is a difference in the process time between the edge bead process and the application process, it takes time to transfer the substrate, and there is a difference in the number of substrates that can be loaded in the space where each process is performed. Accordingly, there is a problem in that the substrate is stagnated in a specific area in the substrate processing apparatus, and thus the processing time is increased.

본 발명은 기판을 처리할 시에 기판의 반송이 정체되는 것을 방지하는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an apparatus and method for preventing the transfer of a substrate from being stagnated when processing the substrate.

또한 본 발명은 제한된 공간 내에서 많은 수의 기판을 처리할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of processing a large number of substrates within a limited space.

본 발명은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. Embodiments of the present invention provide apparatus and methods for processing substrates.

기판을 처리하는 장치는, 일 실시예에서, 기판 상에 제1처리를 하는 도포 블록과; 제1처리된 기판에 제2처리를 하는 인터페이스 모듈과; 도포 블록 그리고 인터페이스 모듈을 제어하는 제어부와; 도포 블록 그리고 인터페이스 모듈 내의 기판의 수를 측정하는 측정부와; 측정부가 측정한 기판의 수를 기반으로 투입 정지 조건을 판단하는 비교 처리부를 포함하고, 인터페이스 모듈은, 내부에서 기판을 제2처리하는 제2처리 챔버와; 제2처리 챔버와 도포 블록 사이에 제공되어 기판을 일시적으로 보관하는 정체 관리 버퍼를 포함하고, 도포 블록으로부터 제2처리 챔버 또는 정체 관리 버퍼로 기판을 반송하는 제1로봇을 포함하고, 제어부는, 투입 정지 조건 하에서 도포 블록 내로 새로운 기판의 투입을 중지하되, 투입 정지 조건은, 정체 관리 버퍼 내에 보관된 기판의 수와 도포 블록 내에서 처리되고 있는 기판의 수의 합이, 도포 블록 내에 수용 가능한 기판의 수 보다 많은 경우일 수 있다.An apparatus for processing a substrate, in one embodiment, includes: an application block for performing a first processing on a substrate; an interface module for performing a second process on the first processed substrate; a control unit for controlling the application block and the interface module; a measuring unit for measuring the number of substrates in the application block and the interface module; and a comparison processing unit for determining an input stop condition based on the number of substrates measured by the measurement unit, wherein the interface module includes: a second processing chamber for second processing the substrates therein; and a congestion management buffer provided between the second processing chamber and the application block to temporarily store the substrate, and a first robot for transferring the substrate from the application block to the second processing chamber or the congestion management buffer, the control unit comprising: Stop loading of new substrates into the application block under the dosing stop condition wherein the sum of the number of substrates stored in the congestion management buffer and the number of substrates being processed in the application block is an acceptable substrate in the application block There may be more cases than the number of

일 실시예에서, 제어부는, 제2처리 챔버에 기판이 수용 불가능한 경우, 정체 관리 버퍼에 기판을 보관하도록 제1로봇을 제어할 수 있다.In an embodiment, the controller may control the first robot to store the substrate in the congestion management buffer when the substrate is not accommodated in the second processing chamber.

일 실시예에서, 제1처리는 기판을 열처리하는 것과 기판을 액처리하는 것을 포함할 수 있다.In one embodiment, the first treatment may include heat-treating the substrate and liquid-treating the substrate.

일 실시예에서, 도포 블록은, 기판을 열처리하는 열처리 챔버와; 기판을 액처리하는 액처리 챔버; 및 열처리 챔버와 액처리 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 로봇이 제공된 반송 챔버를 포함하고, 제어부는, 투입 정지 조건 하에서 반송 로봇이 열처리 챔버로 새로운 기판 투입을 중지하도록 반송 로봇을 제어할 수 있다.In one embodiment, the application block, a heat treatment chamber for heat-treating the substrate; a liquid processing chamber for liquid processing the substrate; and a transfer chamber provided with a transfer robot for transferring the substrate between the heat treatment chamber and the liquid treatment chamber, wherein the controller may control the transfer robot to stop the transfer robot from inputting a new substrate into the heat treatment chamber under the input stop condition.

일 실시예에서, 도포 블록 내에 수용 가능한 기판의 수는, 열처리 챔버, 액처리 챔버 및 반송 로봇에 적재 가능한 기판의 수의 합일 수 있다.In one embodiment, the number of substrates that can be accommodated in the application block may be the sum of the number of substrates that can be loaded into the heat treatment chamber, the liquid processing chamber, and the transfer robot.

일 실시예에서, 제어부는, 투입 정지 조건 하에서 도포 블록 내로 새로운 기판 투입이 중지된 경우, 기판 투입 중지 전에 도포 블록 내에 존재하는 기판에 대한 처리는 계속 진행되도록 도포 블록을 제어할 수 있다.In an embodiment, the controller may control the application block so that, when the input of a new substrate into the application block is stopped under the input stop condition, processing of the substrate existing in the application block before stopping the input of the substrate continues.

일 실시예에서, 비교 처리부는, 도포 블록 내에 존재하는 기판에 대한 처리가 계속되는 동안 측정부가 측정한 기판의 수를 기반으로 투입 정지 조건을 판단하고, 제어부는, 투입 정지 조건을 만족하지 않게 되면 도포 블록으로 새로운 기판을 투입하도록 도포 블록을 제어할 수 있다.In one embodiment, the comparison processing unit determines the input stop condition based on the number of substrates measured by the measurement unit while the processing for the substrates present in the application block is continued, and the control unit, if the application stop condition is not satisfied The application block can be controlled to put a new substrate into the block.

또한, 기판 처리 방법은, 일 실시예에서, 기판 상에 제1처리를 하는 도포 블록과; 제1처리된 기판에 제2처리를 하는 인터페이스 모듈을 포함하고, 인터페이스 모듈은, 내부에서 기판을 제2처리하는 제2처리 챔버와; 제2처리 챔버와 도포 블록 사이에 제공되어 기판을 일시적으로 보관하는 정체 관리 버퍼를 포함하고, 도포 블록으로부터 제2처리 챔버 또는 정체 관리 버퍼로 기판을 반송하는 제1로봇을 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 투입 정지 조건 하에서 도포 블록 내로 새로운 기판의 투입을 중지하되, 투입 정지 조건은, 정체 관리 버퍼 내에 보관된 기판의 수와 도포 블록 내에서 처리되고 있는 기판의 수의 합이, 도포 블록 내에 수용 가능한 기판의 수 보다 많은 경우일 수 있다.In addition, the substrate processing method, in one embodiment, comprises: an application block for performing a first processing on the substrate; an interface module for performing a second processing on the first processed substrate, the interface module comprising: a second processing chamber for performing a second processing on the substrate therein; A substrate processing apparatus comprising: a congestion management buffer provided between the second processing chamber and the application block to temporarily store the substrate; and a first robot for transferring the substrate from the application block to the second processing chamber or the congestion management buffer; In the method of processing a substrate using It may be the case that the sum of , is greater than the number of substrates that can be accommodated in the application block.

일 실시예에서, 제2처리 챔버에 기판이 수용 불가능한 경우 기판은 정체 관리 버퍼에 보관될 수 있다.In one embodiment, the substrate may be stored in a congestion management buffer if the substrate is unacceptable in the second processing chamber.

일 실시예에서, 제1처리는 기판을 열처리하는 것과 기판을 액처리하는 것을 포함할 수 있다.In one embodiment, the first treatment may include heat-treating the substrate and liquid-treating the substrate.

일 실시예에서, 도포 블록은, 기판을 열처리하는 열처리 챔버와; 기판을 액처리하는 액처리 챔버; 및 열처리 챔버와 액처리 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 로봇이 제공된 반송 챔버를 포함하고, 투입 정지 조건 하에서 반송 로봇이 열처리 챔버로 새로운 기판 투입이 중지될 수 있다.In one embodiment, the application block, a heat treatment chamber for heat-treating the substrate; a liquid processing chamber for liquid processing the substrate; and a transfer chamber provided with a transfer robot that transfers substrates between the heat treatment chamber and the liquid treatment chamber, wherein the transfer robot may stop inputting new substrates into the heat treatment chamber under the input stop condition.

일 실시예에서, 도포 블록 내에 수용 가능한 기판의 수는, 열처리 챔버, 액처리 챔버 및 반송 로봇에 적재 가능한 기판의 수의 합일 수 있다.In one embodiment, the number of substrates that can be accommodated in the application block may be the sum of the number of substrates that can be loaded into the heat treatment chamber, the liquid processing chamber, and the transfer robot.

일 실시예에서, 투입 정지 조건 하에서 도포 블록 내로 새로운 기판 투입이 중지된 경우, 기판 투입 중지 전에 도포 블록 내에 존재하는 기판에 대한 처리는 계속 진행될 수 있다.In one embodiment, when the input of a new substrate into the application block is stopped under the condition of stopping the input, processing of the substrate existing in the application block before stopping the input of the substrate may continue.

일 실시예에서, 도포 블록 내에 존재하는 기판에 대한 처리가 수행되는 동안 투입 정지 조건을 계속적으로 판단하고, 투입 정지 조건을 만족하지 않게 되면 도포 블록으로 새로운 기판을 투입할 수 있다. In one embodiment, the input stop condition may be continuously determined while the processing of the substrate existing in the application block is performed, and if the input stop condition is not satisfied, a new substrate may be put into the application block.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판을 처리할 시에 기판의 반송이 정체되는 것을 방지할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to prevent the transfer of the substrate from being stagnant when processing the substrate.

또한 본 발명은 제한된 공간 내에서 많은 수의 기판을 처리할 수 있다.In addition, the present invention can process a large number of substrates within a limited space.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and the effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 기판 처리 방법의 일 실시예의 순서도를 나타낸 도면이다.1 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 1 .
3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
4 is a diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus of the present invention.
5 is a diagram illustrating a flowchart of an embodiment of a method for processing a substrate of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 1 , and FIG. 3 is the substrate processing apparatus of FIG. 1 is a plan view of

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20, index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.1 to 3 , the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20 , a processing module 30 , and an interface module 40 . According to an embodiment, the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12 , and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as a first direction 12 . A second direction 14 is referred to, and a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16 .

인덱스 모듈(20)은 기판이 수납된 용기(10)로부터 기판을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate from the container 10 in which the substrate is accommodated to the processing module 30 , and receives the processed substrate into the container 10 . The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14 . The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24 . With reference to the index frame 24 , the load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 . The container 10 in which the substrates are accommodated is placed on the load port 22 . A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14 .

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a closed container 10 such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. Vessel 10 may be placed in loadport 22 by an operator or by a transfer means (not shown) such as an Overhead Transfer, Overhead Conveyor, or Automatic GuidedVehicle. have.

인덱스 프레임(24)에는 인덱스 챔버(2100)가 제공된다. 인덱스 챔버(2100)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 챔버(2100) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은, 용기(10)와 후술하는 전단 버퍼(3802) 간에 기판을 반송한다.An index chamber 2100 is provided in the index frame 24 . An index robot 2200 is provided inside the index chamber 2100 . A guide rail 2300 having a longitudinal direction in the second direction 14 is provided in the index chamber 2100 , and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300 . The index robot 2200 includes a hand 2220 on which a substrate is placed, and the hand 2220 can move forward and backward, rotate about the third direction 16 , and move along the third direction 16 . can be provided The index robot 2200 transfers the substrate between the container 10 and a shear buffer 3802 to be described later.

처리 모듈(30)은 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 모듈(30a) 및 현상 모듈(30b)을 가진다. 도포 모듈(30a)은 기판에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 모듈(30b)은 기판에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 모듈(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 모듈(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 2의 실시예에 의하면, 도포 모듈(30a)은 2개가 제공되고, 현상 모듈(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate. The processing module 30 has an application module 30a and a developing module 30b. The application module 30a performs a coating process on the substrate, and the developing module 30b performs a development process on the substrate. A plurality of application modules 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing modules 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 2, two application modules 30a are provided, and two development modules 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed below the developing blocks 30b. According to an example, the two application blocks 30a may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure. In addition, the two developing blocks 30b may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure.

도 3을 참조하면, 도포 모듈(30a)은, 전단 버퍼 블록(32), 도포 블록(35) 그리고 후단 버퍼 블록(34)를 갖는다. Referring to FIG. 3 , the application module 30a includes a front-end buffer block 32 , an application block 35 , and a rear-end buffer block 34 .

전단 버퍼 블록(32)에는 전단 버퍼(3802)가 제공되며, 후단 버퍼 블록(34)에는 후단 버퍼(3804)가 제공된다. 전단 버퍼(3802)는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 후단 버퍼(3804)는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판은 인덱스 로봇(2200), 제1반송 로봇(3812), 제2반송 로봇(3822)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판은 제3반송 로봇(3814), 제4반송 로봇(3824) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.The front-end buffer block 32 is provided with a front-end buffer 3802 , and the back-end buffer block 34 is provided with a back-end buffer 3804 . The shear buffer 3802 is disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400 . The front-end buffers 3802 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. The back-end buffer 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 . The rear end buffers 3804 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Each of the front-end buffers 3802 and the back-end buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates. The substrate stored in the shear buffer 3802 is loaded or unloaded by the index robot 2200 , the first transfer robot 3812 , and the second transfer robot 3822 . The substrate stored in the downstream buffer 3804 is carried in or carried out by the third transfer robot 3814 , the fourth transfer robot 3824 , and the first robot 4602 .

도포 블록(35)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 모듈(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판을 반송한다. 반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The application block 35 has a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , and a liquid processing chamber 3600 . The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 forms a liquid film by supplying a liquid on the substrate. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers a substrate between the heat treatment chamber 3200 and the liquid treatment chamber 3600 in the application module 30a. The transfer chamber 3400 is provided in a longitudinal direction parallel to the first direction 12 . The transfer chamber 3400 is provided with a transfer robot 3422 . The transfer robot 3422 transfers substrates between the heat treatment chamber 3200 , the liquid treatment chamber 3600 , and the buffer chamber. According to one example, the transfer robot 3422 has a hand 3420 on which a substrate is placed, and the hand 3420 moves forward and backward, rotates about the third direction 16 , and the third direction 16 . It may be provided to be movable along the A guide rail 3300 having a longitudinal direction parallel to the first direction 12 is provided in the transfer chamber 3400 , and the transfer robot 3422 may be provided movably on the guide rail 3300 . .

일 예에서, 열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다. 전단 액처리 챔버(3602)는 기판상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.In one example, a plurality of heat treatment chambers 3200 are provided. The heat treatment chambers 3200 are arranged in a row along the first direction 12 . The heat treatment chambers 3200 are located at one side of the transfer chamber 3400 . The front stage liquid processing chamber 3602 applies the first liquid on the substrate, and the rear stage liquid processing chamber 3604 applies the second liquid on the substrate. The first liquid and the second liquid may be different types of liquid. According to one embodiment, the first liquid is an anti-reflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate to which the anti-reflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an anti-reflection film. In this case, the anti-reflection film may be applied on the photoresist-coated substrate. Optionally, the first liquid and the second liquid are the same type of liquid, and they may both be photoresist.

이하, 본 발명의 제1처리는 열처리 챔버(3200) 내에서 기판을 열처리하는 것과, 액처리 챔버(3600) 내에서 기판을 액처리하는 것을 포함하는 것으로 설명한다.Hereinafter, the first process of the present invention will be described as including heat-treating the substrate in the heat treatment chamber 3200 and liquid-treating the substrate in the liquid treatment chamber 3600 .

현상 모듈(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 모듈(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 모듈(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing module 30b includes a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , and a liquid treatment chamber 3600 . The heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the developing module 30b are the heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the application module 30a . ) and is provided in a structure and arrangement substantially similar to those of However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as the developing chamber 3600 for processing the substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to the external exposure apparatus 50 . The interface module 40 includes an interface frame 4100 , an additional process chamber 4200 , an interface buffer 4400 , and a transfer member 4600 .

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. A fan filter unit for forming a descending airflow therein may be provided at an upper end of the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 , the interface buffer 4400 , and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100 .

부가 공정 챔버(4200)는 도포 모듈(30a)에서 공정이 완료된 기판이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판이 현상 모듈(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate that has been processed in the application module 30a is loaded into the exposure apparatus 50 . Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate that has been processed in the exposure apparatus 50 is loaded into the developing module 30b. According to an example, the additional process may be an edge exposure process for exposing an edge region of the substrate, a top surface cleaning process for cleaning the upper surface of the substrate, or a bottom surface cleaning process for cleaning the lower surface of the substrate. A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and these may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

이하, 부가 공정 챔버(4200)는 기판에 제2처리를 하는 제2처리 챔버(4200)인 것으로 설명한다. 일 예에서, 제2처리는, 기판의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정인 것으로 설명한다.Hereinafter, the additional processing chamber 4200 will be described as a second processing chamber 4200 that performs a second processing on a substrate. In one example, it will be described that the second process is an edge exposure process of exposing an edge region of the substrate.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 모듈(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 모듈(30b) 간에 반송되는 기판이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate transferred between the application module 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing module 30b temporarily stays during the transfer. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other. According to an example, the additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the transfer chamber 3400 along the lengthwise extension line, and the interface buffer 4400 may be disposed on the other side thereof.

이하, 인터페이스 버퍼(4400)는, 도포 블록(35)로부터 전달된 기판의 정체를 방지하기 위해 제공되는 정체 관리 버퍼(4400)인 것으로 설명한다. 예컨대, 도포 블록(35)으로부터 제1처리를 마친 기판을 이송 받았으나, 제2처리챔버(4200) 내에 기판이 가득 차 있어 제2처리 챔버(4200)로 기판을 이송할 수 없는 경우, 제1로봇(3602)는 기판을 정체 관리 버퍼(4400)에 저장한다. 이후, 제2처리 챔버(4200)에 새로운 기판을 수용할 수 있게 된 경우, 제2로봇(4400)이 정체 관리 버퍼(4400)에서 기판을 반출하여 제2처리 챔버(4200) 내로 이송한다.Hereinafter, the interface buffer 4400 will be described as a congestion management buffer 4400 provided to prevent stagnation of the substrate transferred from the application block 35 . For example, when a substrate that has been first processed is transferred from the application block 35 , but the substrate cannot be transferred to the second processing chamber 4200 because the substrate is full in the second processing chamber 4200 , the first robot 3602 stores the substrate in the congestion management buffer 4400 . Thereafter, when a new substrate can be accommodated in the second processing chamber 4200 , the second robot 4400 removes the substrate from the congestion management buffer 4400 and transfers the substrate into the second processing chamber 4200 .

반송 부재(4600)는 도포 모듈(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 모듈(30b) 간에 기판을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 모듈(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 모듈(30b) 간에 기판을 반송하도록 제공될 수 있다. 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The transfer member 4600 transfers the substrate between the application module 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing module 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the conveying member 4600 includes a first robot 4602 and a second robot 4606 . The first robot 4602 transfers a substrate between the application module 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 is between the interface buffer 4400 and the exposure apparatus 50. To transport the substrate, a second robot 4604 may be provided to transport the substrate between the interface buffer 4400 and the developing module 30b. The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which the substrate rests, the hand moving forward and backward, rotation about an axis parallel to the third direction 16, and a third direction ( 16) may be provided so as to be movable.

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hands of the index robot 2200 , the first robot 4602 , and the second robot 4606 may all have the same shape as the hands 3420 of the transport robots 3422 and 3424 . Optionally, the hand of the robot that directly exchanges the substrate with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424, and the hands of the remaining robots are provided in a different shape. can

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 모듈(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to an embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange a substrate with the heating unit 3230 of the front heat treatment chamber 3200 provided in the application module 30a.

또한, 도포 모듈(30a) 및 현상 모듈(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer robot 3422 provided in the application module 30a and the developing module 30b may be provided to directly transfer substrates to and from the transfer plate 3240 located in the heat treatment chamber 3200 .

또한, 본 발명의 기판 처리 장치(1)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 측정부(410), 비교 처리부(420) 그리고 제어부(430)를 갖는다.In addition, as shown in FIG. 4 , the substrate processing apparatus 1 of the present invention includes a measurement unit 410 , a comparison processing unit 420 , and a control unit 430 .

제어부(430)는 본 발명의 기판 처리 장치를 제어한다. 예컨대, 제어부(430)는 도포 블록(35) 그리고 인터페이스 모듈(40)을 제어한다. 측정부(410)는, 도포 블록(35) 그리고 인터페이스 모듈(40) 내의 기판의 수를 측정한다. 비교 처리부(420)는, 측정부(410)가 측정한 기판의 수를 기반으로 투입 정지 조건을 판단한다. 이하, 투입 정지 조건에 대해서는, 본 발명의 기판 처리 방법과 함께 자세히 서술한다.The controller 430 controls the substrate processing apparatus of the present invention. For example, the controller 430 controls the application block 35 and the interface module 40 . The measurement unit 410 measures the number of substrates in the application block 35 and the interface module 40 . The comparison processing unit 420 determines the input stop condition based on the number of substrates measured by the measurement unit 410 . Hereinafter, the input stop condition will be described in detail together with the substrate processing method of the present invention.

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. 본 발명의 제어부(430)는, 기판 처리 방법을 수행하기 위해 기판 처리 장치를 제어한다. 측정부(410)는, 아래의 기판 처리 방법이 수행되는 동안 도포 블록(35) 그리고 인터페이스 모듈(40) 내의 기판의 수를 측정한다. Next, an embodiment of a method of processing a substrate using the above-described substrate processing apparatus 1 will be described. The controller 430 of the present invention controls the substrate processing apparatus to perform the substrate processing method. The measurement unit 410 measures the number of substrates in the application block 35 and the interface module 40 while the following substrate processing method is performed.

일 예에서, 기판에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. In an example, a coating process ( S20 ), an edge exposure process ( S40 ), an exposure process ( S60 ), and a developing process ( S80 ) are sequentially performed on the substrate.

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3600)(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The coating process (S20) is a heat treatment process (S21) in the heat treatment chamber 3200, an anti-reflection coating process (S22) in the front stage liquid treatment chambers 3600 and 3602, a heat treatment process (S23) in the heat treatment chamber 3200, The photoresist film application process ( S24 ) in the downstream liquid treatment chamber 3604 and the heat treatment process ( S25 ) in the heat treatment chamber 3200 are sequentially performed.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of the transport path of the substrate from the container 10 to the exposure apparatus 50 will be described.

인덱스 로봇(2200)은 기판을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판을 전단 열처리 챔버(3202)로 반송한다. 기판은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판을 반출하여 전단 액처리 챔버(3600)(3602)로 반송한다. The index robot 2200 takes the substrate out of the container 10 and transfers it to the shear buffer 3802 . The transfer robot 3422 transfers the substrate stored in the shear buffer 3802 to the shear heat treatment chamber 3202 . The substrate is transferred to the heating unit 3230 by the transfer plate 3240 . When the heating process of the substrate in the heating unit 3230 is completed, the transfer plate 3240 transfers the substrate to the cooling unit 3220 . The transfer plate 3240 contacts the cooling unit 3220 while supporting the substrate to perform a cooling process of the substrate. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the upper portion of the cooling unit 3220 , and the transfer robot 3422 takes out the substrate from the heat treatment chamber 3200 and moves to the front stage liquid treatment chambers 3600 and 3602 . return it

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판 상에 반사 방지막을 도포한다. An anti-reflection film is applied on the substrate in the front stage liquid processing chamber 3602 .

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. 이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판 상에 포토레지스트막을 도포한다. The transfer robot 3422 unloads the substrate from the front stage liquid processing chamber 3602 and loads the substrate into the heat treatment chamber 3200 . In the heat treatment chamber 3200 , the above-described heating process and cooling process are sequentially performed, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 takes out the substrate and transfers it to the downstream liquid treatment chamber 3604 . Thereafter, a photoresist film is applied on the substrate in the downstream liquid processing chamber 3604 .

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판을 반출하여 제2처리 챔버(4200)로 반송한다. The transfer robot 3422 unloads the substrate from the rear stage liquid processing chamber 3604 and carries the substrate into the heat treatment chamber 3200 . The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200 , and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 transfers the substrate to the downstream buffer 3804 . The first robot 4602 of the interface module 40 unloads the substrate from the downstream buffer 3804 and transfers it to the second processing chamber 4200 .

제2처리 챔버(4200)에서 기판에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate in the second processing chamber 4200 .

이후, 제1로봇(4602)이 제2처리 챔버(4200)에서 기판을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판을 반송한다. 이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the first robot 4602 unloads the substrate from the second processing chamber 4200 and transfers the substrate to the interface buffer 4400 . Thereafter, the second robot 4606 unloads the substrate from the interface buffer 4400 and transfers it to the exposure apparatus 50 .

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The developing process ( S80 ) is a heat treatment process ( S81 ) in the heat treatment chamber 3200 , a developing process ( S82 ) in the liquid treatment chambers 3600 and 3600 , and a heat treatment process ( S83 ) in the heat treatment chamber 3200 are sequentially performed. done by making

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판의 반송 경로의 일 예를 설명한다, 제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판을 반송한다. 이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다. 현상 챔버(3600)에는 기판 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. Hereinafter, an example of a transfer path of a substrate from the exposure apparatus 50 to the container 10 will be described. The second robot 4606 unloads the substrate from the exposure apparatus 50 and transfers the substrate to the interface buffer 4400 . do. Thereafter, the first robot 4602 unloads the substrate from the interface buffer 4400 and transfers the substrate to the downstream buffer 3804 . The transfer robot 3422 unloads the substrate from the downstream buffer 3804 and transfers the substrate to the heat treatment chamber 3200 . In the heat treatment chamber 3200 , a heating process and a cooling process of the substrate are sequentially performed. When the cooling process is completed, the substrate is transferred to the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 . A developing process is performed by supplying a developer onto the substrate to the developing chamber 3600 .

기판은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판을 꺼내어 용기(10)로 반송한다.The substrate is unloaded from the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 and loaded into the heat treatment chamber 3200 . A heating process and a cooling process are sequentially performed on the substrate in the heat treatment chamber 3200 . When the cooling process is completed, the substrate is unloaded from the heat treatment chamber 3200 by the transfer robot 3422 and transferred to the front end buffer 3802 . Thereafter, the index robot 2200 takes out the substrate from the shear buffer 3802 and transfers it to the container 10 .

도 5는 본 발명의 기판 처리 방법의 순서도를 나타낸다.5 shows a flowchart of a substrate processing method of the present invention.

이하, 본 발명은, 기판 처리 장치 내에서 기판이 인덱스 모듈(20), 도포 모듈(30a) 그리고 인터페이스 모듈(40)을 거쳐 처리되는 것을 예를 들어 설명한다. 그러나, 이와 달리 기판 처리 방법은 기판을 처리하되 기판을 임시 보관하기 위한 버퍼를 갖춘 모든 공정에 이용될 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described as an example in which the substrate is processed through the index module 20 , the application module 30a and the interface module 40 in the substrate processing apparatus. However, in contrast to this, the substrate processing method may be used in any process that processes the substrate and has a buffer for temporarily storing the substrate.

도 5를 참조하면, 기판 처리 장치 내에서 기판을 처리하는 동안, 투입 정지 조건이 만족되는 경우 도포 블록(35) 내로 새로운 기판의 투입을 정지한다. 일 예에서, 투입 정지 조건은, 제1데이터가 제2데이터 보다 큰 경우이다. 예컨대, 제1데이터 값은 정체 관리 버퍼(4400) 내에 보관된 기판의 수와 도포 블록(35) 내에서 처리되고 있는 기판의 수의 합이고, 제2데이터 값은 도포 블록(35) 내에 수용 가능한 기판의 수이다. 제어부(430)는, 투입 정지 조건 하에서 도포 블록(35) 내로 새로운 기판의 투입을 중지한다. 예컨대, 제어부(430)는, 투입 정지 조건 하에서 반송 로봇(3422)이 열처리 챔버(3200)로 새로운 기판 투입을 중지하도록 반송 로봇(3422)을 제어할 수 있다. 일 예에서, 도포 블록(35) 내에 수용 가능한 기판의 수는, 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600) 및 반송 로봇(3422)에 적재 가능한 기판의 수의 합일 수 있다. Referring to FIG. 5 , while the substrate is processed in the substrate processing apparatus, when the input stop condition is satisfied, the input of a new substrate into the application block 35 is stopped. In one example, the input stop condition is a case in which the first data is greater than the second data. For example, the first data value is the sum of the number of substrates stored in the congestion management buffer 4400 and the number of substrates being processed in the application block 35 , and the second data value is the number of substrates that are acceptable in the application block 35 . is the number of substrates. The control unit 430 stops the input of a new substrate into the application block 35 under the input stop condition. For example, the controller 430 may control the transfer robot 3422 so that the transfer robot 3422 stops inputting a new substrate into the heat treatment chamber 3200 under the input stop condition. In one example, the number of substrates that can be accommodated in the application block 35 may be the sum of the number of substrates that can be loaded in the heat treatment chamber 3200 , the liquid processing chamber 3600 , and the transfer robot 3422 .

일 예에서, 제어부(430)는, 투입 정지 조건 하에서 도포 블록(35) 내로 새로운 기판 투입이 중지된 경우, 기판 투입 중지 전에 도포 블록(35) 내에 존재하는 기판에 대한 처리는 계속 진행되도록 도포 블록(35)을 제어할 수 있다. 이에, 기판 투입이 중지되었더라도, 제2처리 챔버(4200) 내에서 기판의 처리는 계속적으로 진행된다. 이에, 정체 관리 버퍼(4400) 내의 기판의 수는 줄어들게 된다.In one example, the control unit 430, when the input of a new substrate into the application block 35 is stopped under the input stop condition, the processing of the substrate existing in the application block 35 before stopping the substrate input is applied to the block so as to continue. (35) can be controlled. Accordingly, even when the input of the substrate is stopped, the processing of the substrate in the second processing chamber 4200 continues. Accordingly, the number of substrates in the congestion management buffer 4400 is reduced.

일 예에서, 비교 처리부(420)는, 도포 블록(35) 내에 존재하는 기판에 대한 처리가 계속되는 동안 측정부(410)가 측정한 기판의 수를 기반으로 투입 정지 조건을 판단하고, 제어부(430)는, 투입 정지 조건을 만족하지 않게 되면 도포 블록(35)으로 새로운 기판을 투입하도록 도포 블록(35)을 제어할 수 있다. 기판 투입이 중지된 상태에서 정체 관리 버퍼(4400) 내의 기판의 수는 충분히 줄어들었는 바, 새로운 기판을 도포 블록(35)으로 투입하더라도, 짧은 시간 안에 정체 관리 버퍼(4400) 내에 기판이 쌓이지 않게 된다. 이에, 정체되는 기판의 수가 줄어드는 이점이 있다.In one example, the comparison processing unit 420 determines the input stop condition based on the number of substrates measured by the measurement unit 410 while the processing of the substrates present in the application block 35 is continued, and the control unit 430 ) can control the application block 35 to put a new substrate into the application block 35 when the input stop condition is not satisfied. Since the number of substrates in the congestion management buffer 4400 is sufficiently reduced while the substrate input is stopped, even if a new substrate is put into the application block 35, the substrates do not accumulate in the congestion management buffer 4400 within a short time. . Accordingly, there is an advantage in that the number of stagnant substrates is reduced.

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 모듈(30a, 30b)은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈(40) 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 모듈(30a, 30b)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 모듈(30a, 30b)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.The processing modules 30a and 30b of the above-described substrate processing apparatus 1 have been described as performing a coating process and a developing process. However, unlike this, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing modules 30a and 30b without the interface module 40 . In this case, the processing modules 30a and 30b may perform only the coating process, and the film applied on the substrate may be a spin-on hard mask film (SOH).

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

Claims (14)

기판 상에 제1처리를 하는 도포 블록과;
상기 제1처리된 상기 기판에 제2처리를 하는 인터페이스 모듈과;
상기 도포 블록 그리고 상기 인터페이스 모듈을 제어하는 제어부와;
상기 도포 블록 그리고 상기 인터페이스 모듈 내의 상기 기판의 수를 측정하는 측정부와;
상기 측정부가 측정한 상기 기판의 수를 기반으로 투입 정지 조건을 판단하는 비교 처리부를 포함하고,
상기 인터페이스 모듈은,
내부에서 상기 기판을 상기 제2처리하는 제2처리 챔버와;
상기 제2처리 챔버와 상기 도포 블록 사이에 제공되어 상기 기판을 일시적으로 보관하는 정체 관리 버퍼를 포함하고,
상기 도포 블록으로부터 상기 제2처리 챔버 또는 상기 정체 관리 버퍼로 상기 기판을 반송하는 제1로봇을 포함하고,
상기 제어부는,
상기 투입 정지 조건 하에서 상기 도포 블록 내로 새로운 상기 기판의 투입을 중지하되,
상기 투입 정지 조건은,
상기 정체 관리 버퍼 내에 보관된 상기 기판의 수와 상기 도포 블록 내에서 처리되고 있는 상기 기판의 수의 합이,
상기 도포 블록 내에 수용 가능한 상기 기판의 수 보다 많은 경우인 기판 처리 장치.an application block for performing a first process on the substrate;
an interface module for performing a second process on the first processed substrate;
a control unit for controlling the application block and the interface module;
a measuring unit for measuring the number of the substrates in the application block and the interface module;
Comprising a comparison processing unit for determining the input stop condition based on the number of the substrate measured by the measuring unit,
The interface module is
a second processing chamber for processing the substrate in the second;
a congestion management buffer provided between the second processing chamber and the application block to temporarily store the substrate;
a first robot for transferring the substrate from the application block to the second processing chamber or the congestion management buffer;
The control unit is
Stop the input of the new substrate into the application block under the input stop condition,
The input stop condition is,
the sum of the number of substrates stored in the congestion management buffer and the number of substrates being processed in the application block;
A substrate processing apparatus, wherein there are more than the number of the substrates that can be accommodated in the application block. 제1항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 제2처리 챔버에 상기 기판이 수용 불가능한 경우,
상기 정체 관리 버퍼에 상기 기판을 보관하도록 상기 제1로봇을 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The control unit is
When the substrate is not accommodated in the second processing chamber,
A substrate processing apparatus for controlling the first robot to store the substrate in the congestion management buffer. 제1항에 있어서,
상기 제1처리는 상기 기판을 열처리하는 것과 상기 기판을 액처리하는 것을 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The first processing includes heat-treating the substrate and liquid processing the substrate. 제3항에 있어서,
상기 도포 블록은,
상기 기판을 열처리하는 열처리 챔버와;
상기 기판을 액처리하는 액처리 챔버; 및
상기 열처리 챔버와 상기 액처리 챔버 간에 상기 기판을 반송하는 반송 로봇이 제공된 반송 챔버를 포함하고,
상기 제어부는,
상기 투입 정지 조건 하에서 상기 반송 로봇이 상기 열처리 챔버로 새로운 상기 기판 투입을 중지하도록 상기 반송 로봇을 제어하는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The application block is
a heat treatment chamber for heat treating the substrate;
a liquid processing chamber for liquid processing the substrate; and
a transfer chamber provided with a transfer robot for transferring the substrate between the heat treatment chamber and the liquid treatment chamber;
The control unit is
A substrate processing apparatus for controlling the transfer robot so that the transfer robot stops inputting the new substrate into the heat treatment chamber under the input stop condition. 제4항에 있어서,
상기 도포 블록 내에 수용 가능한 상기 기판의 수는,
상기 열처리 챔버, 상기 액처리 챔버 및 상기 반송 로봇에 적재 가능한 상기 기판의 수의 합인 기판 처리 장치. 5. The method of claim 4,
The number of substrates that can be accommodated in the application block is
The substrate processing apparatus is a sum of the number of the substrates that can be loaded in the heat treatment chamber, the liquid processing chamber, and the transfer robot. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 투입 정지 조건 하에서 상기 도포 블록 내로 새로운 상기 기판 투입이 중지된 경우,
상기 기판 투입 중지 전에 상기 도포 블록 내에 존재하는 상기 기판에 대한 처리는 계속 진행되도록 상기 도포 블록을 제어하는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The control unit is
When the input of the new substrate into the application block is stopped under the input stop condition,
A substrate processing apparatus for controlling the application block so that the processing of the substrate existing in the application block is continued before stopping the input of the substrate. 제6항에 있어서,
상기 비교 처리부는,
상기 도포 블록 내에 존재하는 상기 기판에 대한 처리가 계속되는 동안 상기 측정부가 측정한 상기 기판의 수를 기반으로 투입 정지 조건을 판단하고,
상기 제어부는,
상기 투입 정지 조건을 만족하지 않게 되면 상기 도포 블록으로 새로운 상기 기판을 투입하도록 상기 도포 블록을 제어하는 기판 처리 장치.7. The method of claim 6,
The comparison processing unit,
While the processing of the substrates present in the application block is continued, the input stop condition is determined based on the number of the substrates measured by the measuring unit,
The control unit is
When the input stop condition is not satisfied, the substrate processing apparatus controls the application block to insert a new substrate into the application block. 기판 상에 제1처리를 하는 도포 블록과;
상기 제1처리된 상기 기판에 제2처리를 하는 인터페이스 모듈을 포함하고,
상기 인터페이스 모듈은,
내부에서 상기 기판을 상기 제2처리하는 제2처리 챔버와;
상기 제2처리 챔버와 상기 도포 블록 사이에 제공되어 상기 기판을 일시적으로 보관하는 정체 관리 버퍼를 포함하고,
상기 도포 블록으로부터 상기 제2처리 챔버 또는 상기 정체 관리 버퍼로 상기 기판을 반송하는 제1로봇을 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
투입 정지 조건 하에서 상기 도포 블록 내로 새로운 상기 기판의 투입을 중지하되,
상기 투입 정지 조건은,
상기 정체 관리 버퍼 내에 보관된 상기 기판의 수와 상기 도포 블록 내에서 처리되고 있는 상기 기판의 수의 합이,
상기 도포 블록 내에 수용 가능한 상기 기판의 수 보다 많은 경우인 기판 처리 방법.an application block for performing a first process on the substrate;
and an interface module for performing a second process on the first processed substrate,
The interface module is
a second processing chamber for processing the substrate in the second;
a congestion management buffer provided between the second processing chamber and the application block to temporarily store the substrate;
A method of processing a substrate using a substrate processing apparatus including a first robot for transferring the substrate from the application block to the second processing chamber or the congestion management buffer, the method comprising:
Stop the input of the new substrate into the application block under the input stop condition,
The input stop condition is,
the sum of the number of substrates stored in the congestion management buffer and the number of substrates being processed in the application block;
wherein there is more than the number of the substrates that can be accommodated in the application block. 제8항에 있어서,
상기 제2처리 챔버에 상기 기판이 수용 불가능한 경우 상기 기판은 상기 정체 관리 버퍼에 보관되는 기판 처리 방법.9. The method of claim 8,
wherein the substrate is stored in the congestion management buffer when the substrate cannot be accommodated in the second processing chamber. 제8항에 있어서,
상기 제1처리는 상기 기판을 열처리하는 것과 상기 기판을 액처리하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.9. The method of claim 8,
The first treatment includes heat-treating the substrate and liquid-treating the substrate. 제10항에 있어서,
상기 도포 블록은,
상기 기판을 열처리하는 열처리 챔버와;
상기 기판을 액처리하는 액처리 챔버; 및
상기 열처리 챔버와 상기 액처리 챔버 간에 상기 기판을 반송하는 반송 로봇이 제공된 반송 챔버를 포함하고,
상기 투입 정지 조건 하에서 상기 반송 로봇이 상기 열처리 챔버로 새로운 상기 기판 투입이 중지되는 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
The application block is
a heat treatment chamber for heat treating the substrate;
a liquid processing chamber for liquid processing the substrate; and
a transfer chamber provided with a transfer robot for transferring the substrate between the heat treatment chamber and the liquid treatment chamber;
A substrate processing method in which the transfer robot stops inputting the new substrate into the heat treatment chamber under the input stop condition. 제11항에 있어서,
상기 도포 블록 내에 수용 가능한 상기 기판의 수는,
상기 열처리 챔버, 상기 액처리 챔버 및 상기 반송 로봇에 적재 가능한 상기 기판의 수의 합인 기판 처리 방법.12. The method of claim 11,
The number of substrates that can be accommodated in the application block is
The substrate processing method is a sum of the number of the substrates that can be loaded in the heat treatment chamber, the liquid processing chamber, and the transfer robot. 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 투입 정지 조건 하에서 상기 도포 블록 내로 새로운 상기 기판 투입이 중지된 경우,
상기 기판 투입 중지 전에 상기 도포 블록 내에 존재하는 상기 기판에 대한 처리는 계속 진행되는 기판 처리 방법.13. The method according to any one of claims 8 to 12,
When the input of the new substrate into the application block is stopped under the input stop condition,
The substrate processing method in which the processing of the substrate existing in the application block before stopping the substrate input is continued. 제13항에 있어서,
상기 도포 블록 내에 존재하는 상기 기판에 대한 처리가 수행되는 동안 상기 투입 정지 조건을 계속적으로 판단하고,
상기 투입 정지 조건을 만족하지 않게 되면 상기 도포 블록으로 새로운 상기 기판을 투입하는 기판 처리 방법.14. The method of claim 13,
Continuously determining the input stop condition while the processing of the substrate present in the application block is performed,
A substrate processing method of inserting a new substrate into the application block when the input stop condition is not satisfied.
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