KR20220011255A - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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KR20220011255A
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김대성
노상은
정우신
최영
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세메스 주식회사
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Abstract

An embodiment of the present invention provides a substrate processing device for supplying a liquid. In one example, the device for processing a substrate includes: a plurality of liquid processing chambers for processing the substrate with a liquid; a nozzle for discharging the processing liquid onto the substrate placed on a support unit in the liquid processing chamber; a liquid supply unit for supplying the processing liquid to the nozzle; a liquid supply line for supplying the processing liquid to the nozzle; and a pump for pressurizing the processing liquid in the liquid supply line so that the processing liquid is supplied to the nozzle. In the liquid supply line, the distance from the outlet of the pump to the outlet of the nozzle corresponding to each pump may be provided at the same distance.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}Substrate processing apparatus

본 발명은 액을 공급하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a device for supplying a liquid.

반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정 공정에는 기판 상에 액을 공급하는 액 처리 공정을 실시한다.In order to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display, various processes such as photography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on a substrate. Among these, a liquid treatment process of supplying a liquid onto the substrate is performed for photography, etching, ashing, and cleaning processes.

일반적으로 액 처리 공정은 노즐로부터 처리액을 토출하여 기판을 액 처리하는 공정이다. 도 1은, 일반적인 액 공급 유닛을 나타낸다. 기판 상으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛은, 저장조(5), 버퍼 탱크(4), 액 공급 라인(2a, 2b, 2c) 및 펌프(3a, 3b, 3c)를 포함한다. 저장조(5)는 처리액을 저장하고, 버퍼 탱크(4)는 저장조(5)로부터 제공된 처리액의 기포를 제거한다. 액 공급 라인(2a, 2b, 2c)을 통해 버퍼 탱크(4)로부터 노즐(1a, 1b, 1c)로 액이 공급된다. 탱크는 액 공급 라인(2a, 2b, 2c)에 설치되어 처리액을 노즐(1a, 1b, 1c)을 향해 가압한다.In general, a liquid treatment process is a process of liquid-treating a substrate by discharging a treatment liquid from a nozzle. 1 shows a general liquid supply unit. The liquid supply unit for supplying the processing liquid onto the substrate includes a storage tank 5 , a buffer tank 4 , liquid supply lines 2a , 2b , 2c , and pumps 3a , 3b and 3c . The storage tank 5 stores the processing liquid, and the buffer tank 4 removes bubbles of the processing liquid provided from the storage tank 5 . Liquid is supplied from the buffer tank 4 to the nozzles 1a, 1b, and 1c through the liquid supply lines 2a, 2b, and 2c. The tank is installed in the liquid supply lines 2a, 2b, and 2c to press the treatment liquid toward the nozzles 1a, 1b, and 1c.

일반적으로, 액 처리 공정을 수행하는 액 처리 챔버(36a, 36b, 36c)는 복수 개가 적층되어 제공되며, 저장조(5), 버퍼 탱크(4) 및 펌프(3a, 3b, 3c)는 최하부에 위치한 액 처리 챔버(36a, 36b, 36c)보다 아래에 제공된다. 이에 따라, 펌프(3a, 3b, 3c)의 출구로부터 노즐(1a, 1b, 1c)까지의 거리는 각 액 처리 챔버(36a, 36b, 36c)마다 상이하다. In general, a plurality of liquid treatment chambers 36a, 36b, and 36c for performing a liquid treatment process are provided in a stack, and the storage tank 5, the buffer tank 4, and the pumps 3a, 3b, 3c are located at the bottom. It is provided below the liquid processing chambers 36a, 36b, and 36c. Accordingly, the distances from the outlets of the pumps 3a, 3b, and 3c to the nozzles 1a, 1b, and 1c are different for each liquid processing chamber 36a, 36b, and 36c.

이에, 각 액 공급 라인(2a, 2b, 2c)에서 발생하는 압력 손실에 차이가 발생한다. 예컨대, 최하부에 위치하는 액 처리 챔버(36c)에 대응되는 펌프(3c)의 출구로부터 노즐(1c)까지의 거리보다, 최상부에 위치하는 액 처리 챔버(36a)에 대응되는 펌프(3a)의 출구로부터 노즐(1a)까지의 거리가 길게 제공된다. 이에, 최상부에 위치하는 액 처리 챔버(36a)에 대응되는 액 공급 라인(2a)에서 압력 손실이 더 크게 발생한다. Accordingly, a difference occurs in pressure loss occurring in each of the liquid supply lines 2a, 2b, and 2c. For example, the distance from the outlet of the pump 3c corresponding to the liquid processing chamber 36c located at the bottom to the nozzle 1c is greater than the distance from the outlet of the pump 3a corresponding to the liquid processing chamber 36a located at the uppermost position. A long distance from the nozzle 1a is provided. Accordingly, a greater pressure loss occurs in the liquid supply line 2a corresponding to the uppermost liquid processing chamber 36a.

이에 따라, 각 노즐(1a, 1b, 1c)이 처리액을 토출하는 압력이 상이해지는 문제가 있다. 특히 처리액이 점성을 가지는 감광액일 경우에는, 각 액 공급 라인(2a, 2b, 2c)에서 발생하는 압력 손실에 차이가 더욱 커지는 문제가 있다.Accordingly, there is a problem in that the pressures at which the respective nozzles 1a, 1b, and 1c discharge the processing liquid are different. In particular, when the treatment liquid is a viscous photoresist, there is a problem in that the difference in pressure loss generated in each of the liquid supply lines 2a, 2b, and 2c becomes larger.

본 발명은 각 액 처리 챔버에 제공되는 노즐이 처리액을 토출하는 압력을 동일하게 하는 것을 일 목적으로 한다.One object of the present invention is to equalize the pressure at which nozzles provided in each liquid processing chamber discharge a processing liquid.

또한 본 발명은 각 노즐에 대응되는 펌프의 압력 부하를 최소화하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to minimize the pressure load of the pump corresponding to each nozzle.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 실시예는 액을 공급하는 기판 처리 장치를 제공한다.An embodiment of the present invention provides a substrate processing apparatus for supplying a liquid.

일 예에서, 기판을 처리하는 장치에 있어서, 기판을 액 처리하는 복수의 액 처리 챔버와; 액 처리 챔버 내의 지지 유닛에 놓인 기판 상으로 처리액을 토출하는 노즐과; 노즐로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 액 공급 유닛은, 노즐로 처리액을 공급하는 액 공급 라인과; 처리액이 노즐에 공급되도록 액 공급 라인에서 처리액을 가압하는 펌프를 포함하되, 액 공급 라인은, 펌프의 송출구로부터 각 펌프에 대응되는 노즐의 토출구까지의 거리가 동일하게 제공될 수 있다.In one example, there is provided an apparatus for processing a substrate, comprising: a plurality of liquid processing chambers for liquid processing a substrate; a nozzle for discharging the processing liquid onto the substrate placed on the support unit in the liquid processing chamber; a liquid supply unit supplying the processing liquid to the nozzle, the liquid supply unit comprising: a liquid supply line supplying the processing liquid to the nozzle; A pump that pressurizes the treatment liquid in the liquid supply line so that the treatment liquid is supplied to the nozzles may be provided, and the liquid supply line may have the same distance from an outlet of the pump to a discharge port of a nozzle corresponding to each pump.

일 예에서, 펌프에 대응되는 노즐의 토출구는 펌프보다 높은 위치에 제공될 수 있다.In one example, the outlet of the nozzle corresponding to the pump may be provided at a higher position than the pump.

일 예에서, 펌프는 액 공급 챔버 내에 제공되고, 액 공급 챔버는 각각, 액 공급 챔버에 대응되는 액 처리 챔버와 인접하게 제공될 수 있다.In one example, the pump may be provided in the liquid supply chamber, and each of the liquid supply chambers may be provided adjacent to a liquid processing chamber corresponding to the liquid supply chamber.

일 예에서, 액 처리 챔버는 적층되며, 액 공급 챔버는, 각각의 액 처리 챔버의 하부에 제공될 수 있다.In one example, the liquid processing chambers are stacked, and the liquid supply chamber may be provided under each liquid processing chamber.

일 예에서, 액 공급 유닛은, 처리액이 수용되는 처리액 공급원과; 처리액 공급원으로부터 처리액을 공급받아 액 공급 라인에 흐르는 처리액의 기포를 제거하는 트랩 탱크; 그리고, 액 공급 라인에 설치되어 처리액으로부터 불순물을 여과하는 필터를 더 포함할 수 있다.In one example, the liquid supply unit includes: a processing liquid supply source in which the processing liquid is accommodated; a trap tank receiving the treatment liquid from the treatment liquid supply source and removing bubbles of the treatment liquid flowing through the liquid supply line; In addition, a filter installed in the liquid supply line to filter impurities from the treatment liquid may be further included.

일 예에서, 트랩 탱크와 필터는 액 공급 챔버 내에 제공될 수 있다.In one example, the trap tank and the filter may be provided in the liquid supply chamber.

일 예에서, 처리액 공급원은 액 공급 챔버 중 가장 하부에 위치하는 액 공급 챔버보다 아래에 제공될 수 있다.In one example, the processing liquid supply source may be provided below the liquid supply chamber located at the lowest position among the liquid supply chambers.

일 예에서, 처리액은 감광액을 포함할 수 있다.In one example, the treatment liquid may include a photoresist.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 각 액 처리 챔버에 제공되는 노즐이 처리액을 토출하는 압력을 동일하게 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the pressure at which nozzles provided in each liquid processing chamber discharges the processing liquid may be the same.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 각 노즐에 대응되는 펌프의 압력 부하를 최소화할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize the pressure load of the pump corresponding to each nozzle.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 일반적으로 액 공급 유닛을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 액 공급 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이다.1 is a view schematically showing a liquid supply unit in general.
2 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 2 .
4 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 .
FIG. 5 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 4 .
6 is a view showing a state of a liquid supply unit according to an embodiment of the present invention.
7 is a view showing a state of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
8 is a view showing a state of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer description.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.2 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 2 , and FIG. 4 is the substrate processing apparatus of FIG. 2 is a plan view of

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20, index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.2 to 4 , the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20 , a processing module 30 , and an interface module 40 . According to an embodiment, the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12 , and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as a first direction 12 . A second direction 14 is referred to, and a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16 .

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is accommodated to the processing module 30 , and accommodates the processed substrate W in the container 10 . The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14 . The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24 . With reference to the index frame 24 , the load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 . The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22 . A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14 .

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a closed container 10 such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The vessel 10 may be placed in the load port 22 by an operator or a transfer means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. can

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 2200 is provided inside the index frame 24 . A guide rail 2300 having a longitudinal direction in the second direction 14 is provided in the index frame 24 , and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300 . The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16 , and moves in the third direction 16 . It may be provided to be movable along with it.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 2의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has an application block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a development process on the substrate W. A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 2, two application blocks 30a are provided, and two developing blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed below the developing blocks 30b. According to an example, the two application blocks 30a may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure. In addition, the two developing blocks 30b may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure.

도 4를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 4 , the application block 30a includes a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , a liquid processing chamber 3600 , and a buffer chamber 3800 . The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid treatment chamber 3600 in the application block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The transfer chamber 3400 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The transfer chamber 3400 is provided with a transfer robot 3422 . The transfer robot 3422 transfers a substrate between the heat treatment chamber 3200 , the liquid processing chamber 3600 , and the buffer chamber 3800 . According to an example, the transfer robot 3422 has a hand 3420 on which the substrate W is placed, and the hand 3420 moves forward and backward, rotates about the third direction 16 , and the third direction. It may be provided movably along (16). A guide rail 3300 having a longitudinal direction parallel to the first direction 12 is provided in the transfer chamber 3400 , and the transfer robot 3422 may be provided movably on the guide rail 3300 . .

열처리 챔버(3202)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3202)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3202)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.A plurality of heat treatment chambers 3202 are provided. The heat treatment chambers 3202 are arranged in a row along the first direction 12 . The heat treatment chambers 3202 are located at one side of the transfer chamber 3400 .

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. A plurality of liquid processing chambers 3600 are provided. Some of the liquid processing chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed at one side of the transfer chamber 3402 . The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side in the first direction 12 . Some of the liquid processing chambers 3600 are provided adjacent to the index module 20 . Hereinafter, these liquid treatment chambers will be referred to as a front liquid treating chamber 3602 (front liquid treating chamber). Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided adjacent to the interface module 40 . Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treating chambers 3604 (rear heat treating chambers).

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front stage liquid processing chamber 3602 applies the first liquid on the substrate W, and the rear stage liquid processing chamber 3604 applies the second liquid on the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different types of liquid. According to one embodiment, the first liquid is an anti-reflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate W on which the anti-reflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an anti-reflection film. In this case, the anti-reflection film may be applied on the photoresist-coated substrate (W). Optionally, the first liquid and the second liquid are the same type of liquid, and they may both be photoresist.

도 5는 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 액 처리 챔버(3600)는 하우징(3610), 컵(3620), 기판 지지 유닛(3640), 그리고 노즐(1100)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 노즐(1100)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 기판 지지 유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(3640)은 액 처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 노즐(1100)은 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 일 예에서, 처리액은 감광액을 포함한다.5 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 4 . Referring to FIG. 5 , the liquid processing chamber 3600 includes a housing 3610 , a cup 3620 , a substrate support unit 3640 , and a nozzle 1100 . The housing 3610 is provided in the shape of a substantially rectangular parallelepiped. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3610 . The inlet may be opened and closed by a door (not shown). The cup 3620 , the support unit 3640 , and the nozzle 1100 are provided in the housing 3610 . A fan filter unit 3670 that forms a downdraft in the housing 3260 may be provided on an upper wall of the housing 3610 . The cup 3620 has a processing space with an open top. The substrate support unit 3640 is disposed in the processing space and supports the substrate W. The substrate support unit 3640 is provided so that the substrate W is rotatable during liquid processing. The nozzle 1100 supplies the processing liquid to the substrate W supported by the substrate support unit 3640 . In one example, the treatment liquid includes a photoresist.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 액 공급 유닛(600)의 모습을 보여주는 도면이다. 액 공급 유닛(600)은, 액 처리 챔버(3602, 3604)내의 노즐(1100)로 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(600)은, 처리액 공급원(610), 액 공급 라인(660), 트랩 탱크(620), 펌프(640) 및 필터(650)를 포함한다. 6 is a view showing a state of the liquid supply unit 600 according to an embodiment of the present invention. The liquid supply unit 600 supplies the processing liquid to the nozzles 1100 in the liquid processing chambers 3602 and 3604 . The liquid supply unit 600 includes a processing liquid supply source 610 , a liquid supply line 660 , a trap tank 620 , a pump 640 , and a filter 650 .

처리액 공급원(610)은 처리액을 저장한다. 처리액 공급원(610)은 처리액이 수용되는 수용 공간을 가진다. 처리액 공급원(610)는 처리액이 수용된 보틀(bottle)일 수 있다. 일 예에서, 처리액은 플루오르(F)를 포함하는 감광액일 수 있다. The treatment liquid supply 610 stores the treatment liquid. The treatment liquid supply source 610 has an accommodation space in which the treatment liquid is accommodated. The treatment liquid supply source 610 may be a bottle in which the treatment liquid is accommodated. In one example, the treatment liquid may be a photosensitive liquid containing fluorine (F).

액 공급 라인(660)은 처리액 공급원(610)으로부터 노즐로 처리액을 공급한다. 액 공급 라인(660)에는 노즐과 처리액 공급원(610)의 사이에 트랩 탱크(620), 펌프(640), 필터(650)가 설치된다. 트랩 탱크(620)는 액 공급 라인(660)에 흐르는 처리액의 기포를 제거한다. 트랩 탱크(620)는 액 공급 라인(660)에서 노즐과 처리액 공급원(610) 사이에 위치된다. The liquid supply line 660 supplies the treatment liquid from the treatment liquid supply source 610 to the nozzle. In the liquid supply line 660 , a trap tank 620 , a pump 640 , and a filter 650 are installed between the nozzle and the treatment liquid supply source 610 . The trap tank 620 removes bubbles of the processing liquid flowing through the liquid supply line 660 . The trap tank 620 is located between the nozzle and the treatment liquid supply source 610 in the liquid supply line 660 .

펌프(640)는 액 공급 라인(660)에 흐르는 처리액이 노즐을 향하는 방향으로 공급되도록 액 공급 라인(660)을 가압한다. 펌프(640)는 액 공급 라인(660)에서 트랩 탱크(620)의 하류에 위치된다. 일 예에 의하면, 펌프(640)는 유압에 의해 구동될 수 있다. 예컨대, 펌프(640)는 실린더을 포함할 수 있다. The pump 640 presses the liquid supply line 660 so that the processing liquid flowing through the liquid supply line 660 is supplied in a direction toward the nozzle. The pump 640 is located downstream of the trap tank 620 in the liquid supply line 660 . According to an example, the pump 640 may be driven by hydraulic pressure. For example, the pump 640 may include a cylinder.

필터(650)는 액 공급 라인(660)에 흐르는 처리액의 불순물을 여과한다. 필터(650)는 액 공급 라인(660)에서 트랩 탱크(620)와 펌프(640)의 사이에 위치된다. 처리액은 필터(650)를 통과하는 과정에서 불순물이 여과된다. 예컨대, 처리액은 필터(650)의 일단으로 유입되어 타단으로 유출될 수 있다. 필터(650)의 일단과 타단 사이에는 복수의 타공들이 형성된다. 이러한 타공은 포집 크기를 가진다. 즉, 포집 크기 이상의 불순물은 필터(650)에 의해 여과된다.The filter 650 filters impurities in the treatment liquid flowing through the liquid supply line 660 . The filter 650 is positioned between the trap tank 620 and the pump 640 in the liquid supply line 660 . In the process of passing the treatment liquid through the filter 650 , impurities are filtered. For example, the treatment liquid may be introduced into one end of the filter 650 and discharged to the other end. A plurality of perforations are formed between one end and the other end of the filter 650 . These perforations have a trapping size. That is, impurities larger than the collection size are filtered by the filter 650 .

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 액 처리 챔버(3602a, 3602b, 3602c, 3602d)는 적층되어 제공된다. 일 예에서, 액 처리 챔버(3602a, 3602b, 3602c, 3602d)는 도 5에 도시된 액 처리 챔버이다. 7 is a view showing a state of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7 , the liquid processing chambers 3602a, 3602b, 3602c, and 3602d are provided in a stack. In one example, the liquid processing chambers 3602a, 3602b, 3602c, and 3602d are the liquid processing chambers shown in FIG. 5 .

액 공급 챔버(630a, 630b, 630c, 630d)는 각각, 액 공급 챔버(630a, 630b, 630c, 630d)에 대응되는 액 처리 챔버(3602a, 3602b, 3602c, 3602d)와 인접하게 제공된다. 일 예에서, 액 공급 챔버(630a, 630b, 630c, 630d)는, 각각의 액 처리 챔버(3602a, 3602b, 3602c, 3602d)의 하부에 제공된다. 일 예에서, 펌프(640)에 대응되는 노즐(1100)의 토출구는 펌프(640)보다 높은 위치에 제공된다. 이에, 펌프(640)는 소정의 압력을 가지고 노즐(1100)의 토출구로 처리액을 압송한다.The liquid supply chambers 630a, 630b, 630c, and 630d are provided adjacent to the liquid processing chambers 3602a, 3602b, 3602c, and 3602d corresponding to the liquid supply chambers 630a, 630b, 630c, and 630d, respectively. In one example, the liquid supply chambers 630a , 630b , 630c , and 630d are provided below each of the liquid processing chambers 3602a , 3602b , 3602c , and 3602d. In one example, the discharge port of the nozzle 1100 corresponding to the pump 640 is provided at a higher position than the pump 640 . Accordingly, the pump 640 pressurizes the treatment liquid to the discharge port of the nozzle 1100 with a predetermined pressure.

액 공급 챔버 내(630a, 630b, 630c, 630d)에는, 트랩 탱크(620), 필터(650) 및 펌프(640)가 각각 제공된다. 액 공급 챔버(630a, 630b, 630c, 630d) 내에 각각 펌프(640)가 제공됨에 따라, 액 공급 라인(660)은, 펌프(640)의 송출구로부터 각 펌프(640)에 대응되는 노즐(1100)의 토출구까지의 거리가 동일하게 제공될 수 있다. 일 예에서, 처리액 공급원(610)이 제공되는 챔버(100)는 액 공급 챔버(630a, 630b, 630c, 630d) 중 가장 하부에 위치하는 액 공급 챔버(630d) 보다 아래에 제공될 수 있다. 처리액 공급원(610)은 단일 개 제공될 수 있다. 선택적으로, 처리액 공급원(610)은 각 액 공급 챔버(630a, 630b, 630c, 630d)마다 제공될 수 있다.In the liquid supply chambers 630a, 630b, 630c, and 630d, a trap tank 620, a filter 650, and a pump 640 are provided, respectively. As the pumps 640 are provided in the liquid supply chambers 630a, 630b, 630c, and 630d, respectively, the liquid supply line 660 is connected to the nozzle 1100 corresponding to each pump 640 from the outlet of the pump 640 . ) may be provided with the same distance to the outlet. In one example, the chamber 100 in which the processing liquid supply source 610 is provided may be provided below the liquid supply chamber 630d located at the lowermost position among the liquid supply chambers 630a, 630b, 630c, and 630d. A single treatment solution source 610 may be provided. Optionally, the treatment liquid supply source 610 may be provided for each liquid supply chamber 630a, 630b, 630c, and 630d.

상술한 예에서는, 액 공급 챔버(630a, 630b, 630c, 630d)는, 각각의 액 처리 챔버(3602a, 3602b, 3602c, 3602d)의 하부에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에서, 도 8에 도시된 바와 같이, 액 공급 챔버(630a, 630b, 630c, 630d)는 각각의 액 처리 챔버(3602a, 3602b, 3602c, 3602d)와 평행하게 제공될 수 있다.In the above example, it has been described that the liquid supply chambers 630a, 630b, 630c, and 630d are provided below each of the liquid processing chambers 3602a, 3602b, 3602c, and 3602d. However, in another example, as shown in FIG. 8 , the liquid supply chambers 630a , 630b , 630c , and 630d may be provided in parallel with each of the liquid processing chambers 3602a , 3602b , 3602c and 3602d .

상술한 예에서는, 처리액 공급원(610)은 액 공급 챔버(630a, 630b, 630c, 630d) 중 가장 하부에 위치하는 액 공급 챔버(630d)보다 아래에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에서, 처리액 공급원(610)은 각 액 공급 챔버(630a, 630b, 630c, 630d)에 제공될 수 있다.In the above-described example, it has been described that the processing liquid supply source 610 is provided below the liquid supply chamber 630d located at the lowermost position among the liquid supply chambers 630a, 630b, 630c, and 630d. However, in another example, the processing liquid supply source 610 may be provided in each liquid supply chamber 630a, 630b, 630c, and 630d.

본 발명에 따르면, 펌프(640)의 출구로부터 노즐(1100)까지의 거리를 동일하게 제공하여 노즐(1100)에서 제공되는 처리액의 토출량, 토출 압력 또는 토출 시간을 각 액처리 챔버마다 동일하게 제공할 수 있다. 이에, 처리액의 토출 정밀도가 향상되는 이점이 있다. According to the present invention, by providing the same distance from the outlet of the pump 640 to the nozzle 1100, the discharge amount, discharge pressure, or discharge time of the treatment liquid provided from the nozzle 1100 is equally provided for each liquid treatment chamber can do. Accordingly, there is an advantage in that the discharge precision of the processing liquid is improved.

본 발명에 따르면, 액 처리 챔버(3602a, 3602b, 3602c, 3602d)의 높이와 무관하게 처리액의 토출 정밀도를 유지할 수 있는 이점이 있다.According to the present invention, there is an advantage in that the discharge precision of the processing liquid can be maintained regardless of the height of the liquid processing chambers 3602a, 3602b, 3602c, and 3602d.

다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIGS. 3 and 4 , a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400 . Hereinafter, these buffer chambers will be referred to as a front buffer 3802 (front buffer). The front-end buffers 3802 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Another portion of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 hereinafter. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804 (rear buffer). The rear end buffers 3804 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Each of the front-end buffers 3802 and the back-end buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. As shown in FIG. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is loaded or unloaded by the index robot 2200 and the transfer robot 3422 . The substrate W stored in the downstream buffer 3804 is carried in or carried out by the transfer robot 3422 and the first robot 4602 .

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다. The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , and a liquid treatment chamber 3600 . The heat treatment chamber 3200 and the transfer chamber 3400 of the developing block 30b are provided in a structure and arrangement substantially similar to those of the heat treatment chamber 3200 and the transfer chamber 3400 of the application block 30a, so a description thereof is omitted. In the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as the developing chamber 3600 for processing the substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to the external exposure apparatus 50 . The interface module 40 includes an interface frame 4100 , an additional process chamber 4200 , an interface buffer 4400 , and a transfer member 4600 .

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit for forming a descending airflow therein may be provided at an upper end of the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 , the interface buffer 4400 , and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the application block 30a, is loaded into the exposure apparatus 50 . Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 50 , is loaded into the developing block 30b. According to one example, the additional process is an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a bottom surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W can A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and these may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, the additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the transfer chamber 3400 along the lengthwise extension line, and the interface buffer 4400 may be disposed on the other side thereof.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The transfer member 4600 transfers the substrate W between the application block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the conveying member 4600 includes a first robot 4602 and a second robot 4606 . The first robot 4602 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 uses the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transfer the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along three directions (16).

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hands of the index robot 2200 , the first robot 4602 , and the second robot 4606 may all have the same shape as the hand 3420 of the transfer robot 3422 . Optionally, the hand of the robot directly exchanging the substrate W with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robot 3422, and the hands of the remaining robots are provided in a different shape. can be

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to one embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange the substrate W with the heating unit 3230 of the front heat treatment chamber 3200 provided in the application block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer robot 3422 provided in the application block 30a and the developing block 30b may be provided to directly transfer the substrate W with the transfer plate 3240 located in the heat treatment chamber 3200 .

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. 기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. Next, an embodiment of a method of processing a substrate using the above-described substrate processing apparatus 1 will be described. A coating process ( S20 ), an edge exposure process ( S40 ), an exposure process ( S60 ), and a developing process ( S80 ) are sequentially performed on the substrate W .

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The coating treatment process (S20) is a heat treatment process (S21) in the heat treatment chamber 3200, an anti-reflection film application process (S22) in the front stage liquid treatment chamber 3602, a heat treatment process (S23) in the heat treatment chamber 3200, and a subsequent liquid treatment The photoresist film coating process ( S24 ) in the chamber 3604 and the heat treatment process ( S25 ) in the heat treatment chamber 3200 are sequentially performed.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다. Hereinafter, an example of the transport path of the substrate W from the container 10 to the exposure apparatus 50 will be described. The index robot 2200 takes the substrate W out of the container 10 and transfers it to the shear buffer 3802 . The transfer robot 3422 transfers the substrate W stored in the front-end buffer 3802 to the front-end heat treatment chamber 3200 . The substrate W is transferred to the heating unit 3230 by the transfer plate 3240 . When the heating process of the substrate in the heating unit 3230 is completed, the transfer plate 3240 transfers the substrate to the cooling unit 3220 . The transfer plate 3240 is in contact with the cooling unit 3220 while supporting the substrate W to perform a cooling process of the substrate W. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the upper part of the cooling unit 3220 , and the transfer robot 3422 takes out the substrate W from the heat treatment chamber 3200 and moves it to the front stage liquid treatment chamber 3602 . return it

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다. An anti-reflection film is applied on the substrate W in the front stage liquid processing chamber 3602 .

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. The transfer robot 3422 unloads the substrate W from the front stage liquid processing chamber 3602 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200 . In the heat treatment chamber 3200 , the above-described heating process and cooling process are sequentially performed, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 takes out the substrate W and transfers it to the downstream liquid treatment chamber 3604 .

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다. 반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. Thereafter, a photoresist film is applied on the substrate W in the downstream liquid processing chamber 3604 . The transfer robot 3422 unloads the substrate W from the downstream liquid processing chamber 3604 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200 . The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200 , and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 transfers the substrate W to the downstream buffer 3804 . The first robot 4602 of the interface module 40 unloads the substrate W from the downstream buffer 3804 and transports it to the auxiliary process chamber 4200 .

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate W in the auxiliary process chamber 4200 .

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다. 이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다. 현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. Thereafter, the first robot 4602 unloads the substrate W from the auxiliary process chamber 4200 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400 . Thereafter, the second robot 4606 unloads the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers it to the exposure apparatus 50 . The developing process ( S80 ) is performed by sequentially performing the heat treatment process ( S81 ) in the heat treatment chamber 3200 , the developing process ( S82 ) in the liquid treatment chamber 3600 , and the heat treatment process ( S83 ) in the heat treatment chamber 3200 . do.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다.Hereinafter, an example of the transport path of the substrate W from the exposure apparatus 50 to the container 10 will be described.

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다. 이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다. 현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. The second robot 4606 unloads the substrate W from the exposure apparatus 50 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400 . Thereafter, the first robot 4602 unloads the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers the substrate W to the downstream buffer 3804 . The transfer robot 3422 transports the substrate W to the heat treatment chamber 3200 by unloading the substrate W from the downstream buffer 3804 . In the heat treatment chamber 3200 , a heating process and a cooling process of the substrate W are sequentially performed. When the cooling process is completed, the substrate W is transferred to the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 . A developing process is performed by supplying a developer onto the substrate W to the developing chamber 3600 .

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. The substrate W is unloaded from the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 and loaded into the heat treatment chamber 3200 . A heating process and a cooling process are sequentially performed on the substrate W in the heat treatment chamber 3200 . When the cooling process is completed, the substrate W is unloaded from the heat treatment chamber 3200 by the transfer robot 3422 and transferred to the front end buffer 3802 .

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the index robot 2200 takes out the substrate W from the shear buffer 3802 and transfers it to the container 10 .

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.The processing block of the above-described substrate processing apparatus 1 has been described as performing a coating processing process and a developing processing process. However, unlike this, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing block 37 without an interface module. In this case, the processing block 37 performs only the coating process, and the film applied on the substrate W may be a spin-on hard mask film (SOH).

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

Claims (8)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 액 처리하는 복수의 액 처리 챔버와;
상기 액 처리 챔버 내의 지지 유닛에 놓인 상기 기판 상으로 처리액을 토출하는 노즐과;
상기 노즐로 상기 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고,
상기 액 공급 유닛은,
상기 노즐로 상기 처리액을 공급하는 액 공급 라인과;
상기 처리액이 상기 노즐에 공급되도록 상기 액 공급 라인에서 상기 처리액을 가압하는 펌프를 포함하되,
상기 액 공급 라인은,
상기 펌프의 송출구로부터 각 펌프에 대응되는 상기 노즐의 토출구까지의 거리가 동일하게 제공되는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a plurality of liquid processing chambers for liquid processing the substrate;
a nozzle for discharging the processing liquid onto the substrate placed on the support unit in the liquid processing chamber;
a liquid supply unit supplying the treatment liquid to the nozzle;
The liquid supply unit,
a liquid supply line for supplying the processing liquid to the nozzle;
A pump for pressurizing the treatment liquid in the liquid supply line so that the treatment liquid is supplied to the nozzle,
The liquid supply line is
A substrate processing apparatus in which the distance from the outlet of the pump to the outlet of the nozzle corresponding to each pump is the same. 제1항에 있어서,
상기 펌프에 대응되는 상기 노즐의 토출구는 상기 펌프보다 높은 위치에 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The discharge port of the nozzle corresponding to the pump is provided at a higher position than the pump. 제1항에 있어서,
상기 펌프는 액 공급 챔버 내에 제공되고,
상기 액 공급 챔버는 각각,
상기 액 공급 챔버에 대응되는 상기 액 처리 챔버와 인접하게 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The pump is provided in the liquid supply chamber,
Each of the liquid supply chambers,
A substrate processing apparatus provided adjacent to the liquid processing chamber corresponding to the liquid supply chamber. 제3항에 있어서,
상기 액 처리 챔버는 적층되며,
상기 액 공급 챔버는,
각각의 상기 액 처리 챔버의 하부에 제공되는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The liquid processing chamber is stacked,
The liquid supply chamber,
A substrate processing apparatus provided under each of the liquid processing chambers. 제4항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
상기 처리액이 수용되는 처리액 공급원과;
상기 처리액 공급원으로부터 상기 처리액을 공급받아 상기 액 공급 라인에 흐르는 상기 처리액의 기포를 제거하는 트랩 탱크; 그리고,
상기 액 공급 라인에 설치되어 상기 처리액으로부터 불순물을 여과하는 필터를 더 포함하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The liquid supply unit,
a treatment liquid supply source in which the treatment liquid is accommodated;
a trap tank receiving the treatment liquid from the treatment liquid supply source and removing bubbles of the treatment liquid flowing through the liquid supply line; and,
and a filter installed in the liquid supply line to filter impurities from the processing liquid. 제5항에 있어서,
상기 트랩 탱크와 상기 필터는 상기 액 공급 챔버 내에 제공되는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The trap tank and the filter are provided in the liquid supply chamber. 제5항에 있어서,
상기 처리액 공급원은 상기 액 공급 챔버 중 가장 하부에 위치하는 액 공급 챔버보다 아래에 제공되는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The processing liquid supply source is provided below a liquid supply chamber located at a lowermost position among the liquid supply chambers. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액은 감광액을 포함하는 기판 처리 장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
The processing liquid is a substrate processing apparatus including a photoresist.
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