KR20220091699A - 마스크, 마스크 어셈블리 및 표시 패널 제조 방법 - Google Patents

마스크, 마스크 어셈블리 및 표시 패널 제조 방법 Download PDF

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Abstract

일 실시예의 마스크는 셀 영역 및 셀 영역을 둘러싸는 주변 영역이 정의된 바디부, 셀 영역에 서로 이격되어 배치되고 각각이 바디부를 관통하는 복수의 셀 개구부들 및 주변 영역에 배치된 복수의 마크 패턴들을 포함하고, 셀 영역은 제1 영역 및 제1 영역에 인접한 제2 영역을 포함하며, 셀 개구부들은 제1 영역에 서로 이격되어 배치된 제1 셀 개구부들; 및 제2 영역에 서로 이격되어 배치된 제2 셀 개구부들을 포함하고, 마크 패턴들 각각은 적어도 하나 이상의 함몰부를 포함하며, 마크 패턴은 소정의 대칭점을 기준으로 점 대칭 형상을 가질 수 있다.

Description

마스크, 마스크 어셈블리 및 표시 패널 제조 방법{MASK, MASK ASSEMBLY AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY PANEL}
본 발명은 마스크 및 마스크 어셈블리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시 패널 제조 공정 비용을 절감하는 마스크 및 마스크 어셈블리에 관한 것이다.
표시 장치는 영상을 표시하는 표시 패널, 외부 입력을 감지하는 입력 감지 부재 및 전자 모듈과 같이 다양한 전자 부품들로 구성된 장치일 수 있다. 표시 패널은 광을 생성하는 발광 소자를 포함한다. 전자 모듈은 카메라, 적외선 감지 센서, 근접 센서 등을 포함할 수 있다. 전자 모듈은 표시 패널 아래에 배치될 수 있다.
표시 패널은 복수의 화소들을 포함한다. 화소들 각각은 트랜지스터와 같은 구동 소자 및 유기발광 다이오드와 같은 표시 소자를 포함한다. 전자 모듈은 표시 패널 아래에 배치될 수 있고, 전자 모듈에 중첩하는 표시 패널의 일 영역에서 화소들의 배열은 전자 모듈에 비중첩하는 영역에서 화소들의 배열과 다를 수 있다.
표시 소자는 기판 상에 전극 및 발광 패턴을 적층하여 형성될 수 있다. 발광 패턴은 홀이 정의된 마스크를 이용한 증착 공정을 통해 패터닝 될 수 있다. 한편, 증착 과정에서 기판과 마스크 사이의 정렬 오차가 발생하면 공정 불량이 일어날 수 있으므로, 기판과 마스크를 정밀하게 정렬하는 과정이 필요하다.
본 발명은 기판과의 정렬을 보정할 수 있는 마스크 및 마스크 어셈블리를 제공하며, 이를 이용한 표시 패널 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명은 표시 패널 제조를 위한 마스크의 제작 비용을 절감할 수 있는 마스크를 제공하는데 있다.
일 실시예는 셀 영역 및 상기 셀 영역을 둘러싸는 주변 영역이 정의된 바디부, 상기 셀 영역에 서로 이격되어 배치되고 각각이 상기 바디부를 관통하는 복수의 셀 개구부들 및 상기 주변 영역에 배치된 복수의 마크 패턴들을 포함하고, 상기 셀 영역은 제1 영역 및 상기 제1 영역에 인접한 제2 영역을 포함하며, 상기 셀 개구부들은 상기 제1 영역에 서로 이격되어 배치된 제1 셀 개구부들; 및 상기 제2 영역에 서로 이격되어 배치된 제2 셀 개구부들을 포함하고, 상기 마크 패턴들 각각은 적어도 하나 이상의 함몰부를 포함하며, 상기 마크 패턴은 소정의 대칭점을 기준으로 점 대칭 형상을 갖는 마스크를 제공한다.
상기 함몰부는 상기 바디부의 상면 또는 하면으로부터 함몰될 수 있다.
상기 마크 패턴들은 서로 연결된 것일 수 있다.
상기 함몰부는 복수로 구비되며, 상기 함몰부들은 제1 함몰부, 상기 제1 함몰부와 이격된 제2 함몰부, 상기 제1 함몰부와 상기 대칭점을 기준으로 점 대칭 관계인 제3 함몰부 및 상기 제2 함몰부와 상기 대칭점을 기준으로 점 대칭 관계인 제4 함몰부를 포함할 수 있다.
평면상에서 상기 함몰부들 각각은 다각 형상을 가질 수 있다.
평면상에서 상기 함몰부는 상기 대칭점에 중첩할 수 있다.
평면상에서 상기 함몰부는 상기 대칭점을 에워싸는 폐곡선 형상을 가질 수 있다.
평면상에서 상기 제1 셀 개구부들의 면적들은 상기 제2 셀 개구부들의 면적들과 상이할 수 있다.
평면상에서 서로 인접하는 상기 제1 셀 개구부들 사이의 간격과 서로 인접하는 상기 제2 셀 개구부들 사이의 간격은 상이할 수 있다.
다른 일 실시예는 일 방향을 따라 배치된 복수의 마스크들 및 상기 복수의 마스크들 하부에 배치된 프레임을 포함하고, 상기 마스크들 각각은 셀 영역 및 상기 셀 영역을 둘러싸는 주변 영역이 정의된 바디부 및 상기 셀 영역에 서로 이격 되어 배치된 셀 개구부들을 포함하며, 상기 마스크들 중 적어도 하나는, 상기 주변 영역에 배치되고 적어도 하나 이상의 함몰부를 포함하는 복수의 마크 패턴들 및 상기 마크 패턴들 중 제1 마크 패턴에 인접한 홀을 포함하며, 상기 마크 패턴은 소정의 대칭점을 기준으로 점 대칭 형상을 갖는 마스크 어셈블리를 제공한다.
상기 셀 영역은 제1 영역 및 상기 제1 영역에 인접한 제2 영역을 포함하며, 상기 셀 개구부들은, 상기 제1 영역에 서로 이격되어 배치된 제1 셀 개구부들; 및 상기 제2 영역에 서로 이격되어 배치되고 상기 제1 셀 개구부들과 상이한 제2 셀 개구부들을 포함할 수 있다.
평면상에서 상기 홀은 상기 대칭점에 중첩할 수 있다.
상기 제1 마크 패턴에 포함된 상기 함몰부는 상기 홀과 이격될 수 있다.
상기 제1 마크 패턴에 포함된 상기 함몰부는 상기 홀과 일체로 형성될 수 있다.
상기 프레임은 개구부가 정의되고, 상기 개구부는 평면상에서 상기 홀 및 상기 셀 개구부들에 중첩할 수 있다.
다른 일 실시예는 제1 그룹 셀 개구부들, 상기 제1 그룹 셀 개구부들과 이격된 제1 그룹 마크 패턴들 및 제1 홀이 정의된 제1 마스크, 및 제1 프레임을 포함하는 제1 마스크 어셈블리를 형성하는 단계, 상기 제1 그룹 셀 개구부들과 동일한 제2 그룹 셀 개구부들, 상기 제1 그룹 마크 패턴들과 동일한 제2 그룹 마크 패턴들 및 제2 홀이 정의된 제2 마스크, 및 제2 프레임을 포함하는 제2 마스크 어셈블리를 형성하는 단계, 상기 제1 마스크 어셈블리를 이용하여 대상 기판 상에 제1 발광 패턴들 및 제1 테스트 박막을 포함하는 제1 패턴들을 형성하는 단계, 상기 제2 마스크 어셈블리를 이용하여 상기 대상 기판 상에 제2 발광 패턴들 및 제2 테스트 박막을 포함하는 제2 패턴들을 형성하는 단계, 상기 제1 테스트 박막의 위치를 기초로 상기 제1 마스크 어셈블리의 위치를 조정하는 단계 및 상기 제2 테스트 박막의 위치를 기초로 상기 제2 마스크 어셈블리의 위치를 조정하는 단계를 포함하고, 상기 제2 발광 패턴들은 상기 제1 발광 패턴들 상에 각각 형성되고, 상기 제1 테스트 박막과 상기 제2 테스트 박막은 서로 상이한 위치에 형성되는 표시 패널 제조 방법을 제공한다.
상기 제1 발광 패턴들 및 상기 제2 발광 패턴들은 서로 동일한 컬러를 발광시키는 유기 패턴들 일 수 있다.
상기 제1 그룹 마크 패턴들 및 상기 제2 그룹 마크 패턴들은 하프 에칭에 의해 형성될 수 있다.
상기 제1 그룹 마크 패턴들 및 상기 제2 그룹 마크 패턴들은 각각 제1 마크 패턴 및 제2 마크 패턴을 포함하고, 상기 제1 마크 패턴은 제1 대칭점을 기준으로 점 대칭 형상을 갖고, 상기 제2 마크 패턴은 제2 대칭점을 기준으로 점 대칭 형상일 수 있다.
상기 제1 마스크 어셈블리 형성하는 단계는, 셀 개구부들, 상기 제1 마크 패턴 및 상기 제2 마크 패턴을 포함하는 마스크를 제공하는 단계, 및 상기 제1 대칭점 상에 레이저를 조사하여 상기 제1 홀을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제2 마스크 어셈블리 형성하는 단계는, 상기 마스크와 동일한 마스크를 제공하는 단계, 및 상기 제2 대칭점 상에 레이저를 조사하여 제2 홀을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 마스크는 기판과의 위치 정렬을 위한 마크 패턴들을 포함하며, 이를 이용하여 제조되는 표시 패널의 신뢰성이 향상될 수 있다. 일 실시예에 따른 마스크는 마스크를 이용하여 증착 할 발광 패턴의 색상에 따라 공용화가 가능하며 마스크의 제작 비용을 절감시킬 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 확대 도시한 평면도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 설비의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 사시도이다.
도 7은 도 6에 도시된 일 영역에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 평면도이다.
도 8a는 도 6에 도시된 일 영역에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리 평면도이다.
도 8b는 도 8a에 도시된 절단선에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 단면도이다.
도 8c는 도 8a에 도시된 절단선에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 단면도이다.
도 9a는 도 6에 도시된 일 영역에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리 평면도이다.
도 9b는 도 9a에 도시된 절단선에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 단면도이다.
도 9c는 도 9a에 도시된 절단선에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 단면도이다.
도 10a 내지 도 10f는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 평면도들이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 제조 방법의 순서도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 대상 기판의 평면도이다.
도 13a 및 도 13b 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 제조 방법의 일 단계를 도시한 평면도들이다.
도 13c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 제조 방법의 일 단계를 도시한 단면도이다.
도 13d 및 도 13e 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 제조 방법의 일 단계를 도시한 평면도들이다.
도 14a 및 도 14c 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 제조 방법의 일 단계를 도시한 평면도들이다.
도 15는 증착 공정 후, 본 발명 일 실시예의 대상 기판의 일부 확대 평면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리, 마스크 및 표시 패널 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
표시 장치(DD)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 표시 장치(DD)는 다양한 실시예들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(DD)는 휴대 전화, 스마트 워치, 태블릿, 노트북, 컴퓨터, 스마트 텔레비전 등의 전자 장치에 적용될 수 있다. 본 발명의 표시 장치는 상기 예시들에 제한되지 않고 본 발명의 개념에 벗어나지 않은 이상 다른 전자 장치에도 채용될 수 있다. 본 실시예에서 표시 장치(DD)는 휴대 전화로 예시적으로 도시하였다.
표시 장치(DD)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 평행한 표시면(FS)에 제3 방향(DR3)을 향해 영상(IM)을 표시할 수 있다. 영상(IM)이 표시되는 표시면(FS)은 표시 장치(DD)의 전면(front surface)과 대응될 수 있다. 영상(IM)은 동적인 영상은 물론 정지 영상을 포함할 수 있다. 도 1a은 영상(IM)의 일 예로 시계 및 아이콘들이 도시하였다.
본 실시예에서는 영상(IM)이 표시되는 방향을 기준으로 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)이 정의된다. 전면과 배면은 제3 방향(DR3)에서 서로 대향(opposing)되고, 전면과 배면 각각의 법선 방향은 제3 방향(DR3)과 평행할 수 있다. 제3 방향(DR3)에서의 전면과 배면 사이의 이격 거리는 표시 장치(DD)의 제3 방향(DR3)을 따라 정의되는 두께와 대응될 수 있다. 본 명세서에서 "평면상에서"는 제3 방향(DR3)에서 보았을 때를 의미할 수 있다. 한편, 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다.
도 1a 및 도 1b 참조하면, 표시 장치(DD)는 윈도우(100), 표시 모듈(200), 구동 회로부(300), 하우징(400) 및 전자 모듈(500)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 윈도우(100)와 하우징(400)은 결합되어 표시 장치(DD)의 외관을 구성할 수 있다.
윈도우(100)는 광학적으로 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 윈도우(100)는 유리, 사파이어, 플라스틱 등을 포함할 수 있다. 윈도우(100)는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 윈도우(100)는 서로 결합된 복수 개의 플라스틱 필름 또는 서로 결합된 유리 기판과 플라스틱 필름을 포함할 수 있다.
윈도우(100)는 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)이 정의될 수 있다. 표시 장치(DD)의 전면은 윈도우(100)의 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)에 대응할 수 있다.
투과 영역(TA)은 광학적으로 투명한 영역일 수 있다. 사용자는 투과 영역(TA)을 통해 영상(IM)을 시인할 수 있다. 본 실시예에서, 투과 영역(TA)은 꼭지점들이 둥근 사각 형상으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 투과 영역(TA)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA) 대비 상대적으로 광 투과율이 낮은 영역일 수 있다. 예를 들어, 베젤 영역(BZA)은 소정의 컬러를 포함하는 물질이 인쇄된 영역으로 제공될 수 있다.
베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 인접하는 영역일 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)을 에워쌀 수 있다. 이에 따라, 투과 영역(TA)의 형상은 실질적으로 베젤 영역(BA)에 의해 정의될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 일 측에만 인접하여 배치될 수도 있고, 생략될 수도 있다.
표시 모듈(200)은 윈도우(100) 하부에 배치될 수 있다. 표시 모듈(200)은 표시 패널(210) 및 입력 감지 유닛(220)을 포함할 수 있다. 표시 모듈(200)은 영상(IM)을 표시하고 외부 입력을 감지할 수 있다. 표시 모듈(200)은 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)을 포함하는 전면(IS)을 포함할 수 있다.
액티브 영역(AA)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다. 본 실시예에서, 액티브 영역(AA)은 영상(IM)이 표시되는 영역이며, 동시에 외부 입력이 감지되는 영역일 수 있다.
투과 영역(TA)은 액티브 영역(AA)의 적어도 일부와 중첩할 수 있다. 이에 따라, 사용자는 투과 영역(TA)을 통해 영상(IM)을 시인하거나, 외부 입력을 제공할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 액티브 영역(AA) 내에서 영상(IM)이 표시되는 영역과 외부 입력이 감지되는 영역이 서로 분리될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
주변 영역(NAA)은 베젤 영역(BZA)에 의해 커버되는 영역일 수 있다. 주변 영역(NAA)은 베젤 영역(BZA)에 의해 외부에서의 시인되는 것이 차단될 수 있다. 주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)에 인접한다. 주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)을 에워쌀 수 있다. 주변 영역(NAA)에는 액티브 영역(AA)을 구동하기 위한 구동 회로나 구동 배선 등이 배치될 수 있다.
본 실시예에서 평탄한 상태의 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)을 도시하였으나, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 주변 영역(NAA)의 일부 또는 액티브 영역(AA)의 일부는 휘어질 수 있다. 이 때, 주변 영역(NAA)의일 부분은 표시 장치(DD)의 배면을 향하게 되어, 표시 장치(DD) 전면에서 베젤 영역(BZA)의 면적이 감소될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(210)은 액정표시패널 또는 발광형 표시패널일 수 있으나, 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 발광형 표시패널은 유기 발광 표시패널 또는 퀀텀닷(quantum dot) 발광 표시패널일 수 있다. 유기발광 표시패널의 발광층은 유기발광물질을 포함할 수 있다. 퀀텀닷 발광 표시패널의 발광층은 퀀텀닷, 및 퀀텀로드 등을 포함할 수 있다.
표시 패널(210)은 플렉서블(flexible)한 것일 수 있다. "플렉서블"이란 휘어질 수 있는 특성을 의미하며, 완전히 접히는 구조에서부터 일부 휠 수 있는 구조까지 모두 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(210)은 커브드(curved) 표시패널 또는 폴더블(foldable) 표시패널일 수 있다. 또한, 표시 패널(DP)은 리지드(rigid)한 것일 수 있다.
입력 감지 유닛(220)은 표시 패널(210) 상에 배치될 수 있다. 도 1b에 도시된 것처럼, 입력 감지 유닛(220)은 표시 패널(210) 상에 직접 배치될 수 있다. 즉, 입력 감지 유닛(220)은 연속공정에 의해 표시 패널(210) 상에 형성될 수 있고, 입력 감지 유닛(220)과 표시 패널(210) 사이 접착필름이 배치되지 않을 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 입력 감지 유닛(220)과 표시 패널(210) 사이에 접착필름이 배치될 수 있다. 입력 감지 유닛(220)은 표시 패널(210)과 별도의 공정을 통해 제조된 후, 접착필름에 의해 표시 패널(210)의 상면에 고정될 수 있다.
입력 감지 유닛(220)은 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 표시 장치(DD)의 외부에서 제공되는 다양한 형태의 입력들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 외부 입력은 사용자의 손 등 신체의 일부에 의한 접촉은 물론 표시 장치(DD)와 근접하거나, 소정의 거리로 인접하여 인가되는 외부 입력(예를 들어, 호버링)을 포함할 수 있다. 또한, 외부 입력은 힘, 압력, 온도, 광 등 다양한 형태를 가질 수 있다.
구동 회로부(300)는 표시 모듈(200)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 회로부(300)는 메인 회로 기판(MB) 및 연성 필름(CF)을 포함할 수 있다.
연성 필름(CF)은 표시 모듈(200)과 전기적으로 연결될 수 있다. 연성 필름(CF)은 주변 영역(NAA)에 배치된 표시 모듈(200)의 패드(PD)들에 접속될 수 있다. 연성 필름(CF)은 표시 모듈(200)을 구동하기 위한 전기적 신호를 표시 모듈(200)에 제공할 수 있다. 전기적 신호는 연성 필름(CF)에서 생성되거나 메인 회로 기판(MB)에서 생성된 것일 수 있다.
메인 회로 기판(MB)은 표시 모듈(200)을 구동하기 위한 각종 구동 회로나 전원 공급을 위한 커넥터 등을 포함할 수 있다. 메인 회로 기판(MB)은 리지드 인쇄 회로 기판(Rigid Printed Circuit) 또는 연성 인쇄 회로 기판(Flexible Printed Circuit)일 수 있다.
한편, 본 실시예에서 표시 모듈(200)과 메인 회로 기판(MB)을 연결하는 하나의 연성 필름(CF)을 도시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 복수 개로 제공되어 표시 패널(DP)과 메인 회로 기판(MB)을 연결할 수 있다.
전자 모듈(500)은 표시 모듈(200)의 아래에 배치될 수 있다. 본 실시예에서 전자 모듈(500)은 표시 모듈(200)의 액티브 영역(AA)과 중첩하며 표시 모듈(200)의 아래에 배치될 수 있다. 전자 모듈(500)은 표시 장치(DD)를 동작시키기 위한 다양한 기능성 모듈을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 모듈(500)은 열 감지 모듈, 발광 모듈, 음향 출력 모듈, 카메라 모듈 등을 포함할 수 있다.
하우징(400)은 윈도우(100)와 결합될 수 있다. 하우징(400)은 윈도우(100)와 결합되어 내부 공간을 제공할 수 있다. 표시 모듈(200) 및 전자 모듈(500)은 내부 공간에 수용될 수 있다.
하우징(400)은 상대적으로 높은 강성을 가진 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하우징(400)은 유리, 플라스틱, 또는 금속을 포함하거나, 이들의 조합으로 구성된 복수 개의 프레임 및/또는 플레이트를 포함할 수 있다. 하우징(400)은 내부 공간에 수용된 표시 장치(DD)의 구성들을 외부 충격으로부터 안정적으로 보호할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 표시 장치(DD)는 센싱 영역(SSA)이 정의될 수 있다. 센싱 영역(SSA)은 전자 모듈(500)과 중첩하는 영역일 수 있다. 표시 장치(DD)는 센싱 영역(SSA)을 통해 전자 모듈(500)에 필요한 외부 신호를 수신하거나, 전자 모듈(500)로부터 출력되는 신호를 외부에 제공할 수 있다. 예를 들어, 전자 모듈(500)은 센싱 영역(SSA)을 통해 수신되는 외부 피사체를 감지하거나, 센싱 영역(SSA)을 통해 음성 등의 소리 신호, 또는 적외광 등의 광 신호를 외부에 제공할 수 있다.
센싱 영역(SSA)은 투과 영역(TA)과 중첩하여 정의될 수 있다. 베젤 영역(BZA)에서 전자 모듈과 중첩하는 센싱 영역(SSA)을 제공하기 위해 구비되는 별도의 영역이 생략될 수 있다. 이에 따라, 베젤 영역(BZA)의 면적이 감소될 수 있다
본 발명의 일 실시예에서, 센싱 영역(SSA)에 중첩하는 표시 모듈(200)의 일 영역은 센싱 영역(SSA)과 중첩하지 않는 액티브 영역(AA)에 비해 상대적으로 높은 투과율을 가질 수 있다. 예를 들어, 센싱 영역(SSA)에 중첩하는 표시 모듈(200)의 구성들 중 적어도 일부는 제거될 수 있다. 따라서, 전자 모듈(500)은 센싱 영역(SSA)을 통해 신호를 용이하게 전달 및/또는 수신할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도들이다. 표시 패널은 영상을 표시하는 표시 영역(DA)이 정의될 수 있다. 표시 영역(DA)은 표시 모듈(200)의 액티브 영역(AA, 도 1b 참조)에 대응할 수 있다. 표시 영역(DA)은 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)을 포함할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2) 각각은 복수의 화소들(PX)을 포함할 수 있다.
화소들(PX) 각각은 표시 소자와 표시 소자에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 표시 소자는 일 예로 유기발광 다이오드를 포함할 수 있다. 화소들(PX)은 표시 영역(DA)에 배치되어 광을 제공할 수 있다. 화소들(PX)은 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)에 배치될 수 있다. 다만 이에 한정되지 않고, 화소들(PX) 중 일부는 비표시 영역에 배치될 수도 있다.
화소들(PX)은 서로 직교하는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 화소들(PX)은 각각 레드 컬러, 그린 컬러 및 블루 컬러를 표시하는 제1 내지 제3 발광 화소들을 포함할 수 있다.
1 표시 영역(DA1)은 제2 표시 영역(DA2)에 인접할 수 있다. 도 2에 도시된 것처럼, 제1 표시 영역(DA1)은 제2 표시 영역(DA2)을 에워쌀 수 있다. 도시하지 않았지만 다른 일 실시예에서 제1 표시 영역은 제2 표시 영역의 일 측에 인접하는 영역일 수 있다. 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)의형상은 상술한 센싱 영역(SSA)에 따라 다양할 수 있으며, 도시된 일 예로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에서, 제2 표시 영역(DA2)은 센싱 영역(SSA, 도 1b 참조)에 대응하여 정의될 수 있다. 예를 들어, 2 개의 센싱 영역들(SSA)이 정의된 경우, 제2 표시 영역(DA2)도 센싱 영역들에 중첩하여 2 개로 정의될 수 있다.
평면상에서, 제2 표시 영역(DA2)은 센싱 영역(SSA)과 중첩할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)의 면적은 센싱 영역(SSA)의 면적과 동일하게 정의되거나 이에 한정되지 않고, 센싱 영역(SSA)의 면적 대비 넓게 정의될 수 있다. 이로 인해, 전자 모듈(500)의 위치 변경 자유도가 증가될 수 있다.
제2 표시 영역(DA2)은 표시 패널(210) 하부에 배치된 전자 모듈(500, 도 1b 참조)과 중첩할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)의 투과율은 제1 표시 영역(DA1)의 투과율 보다 높을 수 있다. 따라서, 제2 표시 영역(DA2)을 통해 신호가 용이하게 전자 모듈(500)로 전달 및/또는 수신될 수 있다.
평면상에서, 제2 표시 영역(DA2)이 정의되는 형상은 다양할 수 있다. 도 2에 도시된 일 실시예처럼, 제2 표시 영역(DA2)은 사각형 형상일 수 있으나, 이에 한정되지 않고 제2 표시 영역(DA2)은 원형 형상일 수 있다.
도 2에서는 제2 표시 영역(DA2)이 투과 영역(TA)의 좌측 상단에 정의된 것을 예로 들었으나, 제2 표시 영역(DA2)은 전자 모듈(500)의 배치에 따라, 투과 영역(TA)의 우측 상단, 중심부, 좌측 하단, 또는 우측 하단 등 다양한 영역에 정의될 수 있다. 또한, 제2 표시 영역(DA2)이 복수의 영역들로 정의될 경우, 하나는 투과 영역(TA)의 좌측 상단, 다른 하나는 투과 영역(TA)의 우측 상단에 정의될 수도 있다.
도 2는 단일한 제2 표시 영역(DA2)을 도시하였으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제2 표시 영역(DA2)은 전자 모듈(500)의 사용 형태에 따라 이격 된 둘 이상의 복수 영역들로 정의될 수도 있다. 복수의 제2 표시 영역들(DA2) 각각은 제1 표시 영역(DA1)에 의해 둘러싸일 수 있다.
제2 표시 영역(DA2)의 투과율을 높이기 위해서, 제1 표시 영역(DA1)에 배치된 화소들의 밀도와 제2 표시 영역(DA2)에 배치된 화소들의 밀도가 상이할 수 있다. 또한, 제2 표시 영역(DA2)의 해상도는 제1 표시 영역(DA1)의 해상도보다 낮을 수 있다.
예를 들어, 동일 면적 내의 제2 표시 영역(DA2)에 배치된 화소들(PX)의 개수가 제1 표시 영역(DA1)에 배치된 화소들(PX)의 개수가 보다 작을 수 있다. 또는 제2 표시 영역(DA2)에 배치된 화소들(PX)의 단면적은 제1 표시 영역(DA1) 내에 배치된 화소들(PX)의 단면적은 보다 작을 수 있다. 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)에 배치된 화소들(PX)에 관한 자세한 설명은 도 3a 및 도 3b를 참조하여 후술하도록 한다.
도 3a 및 도 3b는 표시 패널(210)의 일부 영역을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 3a 및 도 3b는 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2)의 경계를 포함하는 영역을 도시하였다.
도 3a 및 도 3b 참조하면, 일 실시예의 표시 패널(210a, 210b)은 복수의 발과 영역들(P-R1, P-G1, P-B1, P-R2, P-G2, P-B2) 및 발광 영역들을 둘러싸는 비발광 영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 복수의 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1, P-R2, P-G2, P-B2)은 복수의 발광 화소들에 대응하는 영역일 수 있다. 복수의 발광 화소들은 발광 색상에 따라 제1 발광 화소들, 제2 발광 화소들 및 제3 발광 화소들을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 발광 화소는 상술한 일 화소(PX)와 대응될 수 있다.
복수의 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1, P-R2, P-G2, P-B2)은 제1 발광 영역들(P-R1, P-R2), 제2 발광 영역들(P-G1, P-G2) 및 제3 발광 영역들(P-B1, P-B2)을 포함할 수 있다. 제1 발광 영역들(P-R1, P-R2)은 제1 발광 화소들에 대응하고, 제2 발광 영역들(P-G1, P-G2)은 제2 발광 화소들에 대응하며, 제3 발광 영역들(P-B1, P-B2)은 제3 발광 화소들에 대응할 수 있다.
제1 발광 영역(P-R1, P-R2), 제2 발광 영역(P-G1, P-G2) 및 제3 발광 영역(P-B1, P-B2)은 방출되는 광의 색상에 따라 구분될 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 영역(P-R1, P-R2)은 적색광을 발광하는 영역일 수 있고, 제2 발광 영역(P-G1, P-G2)은 녹색광을 발광하는 영역일 수 있으며, 제3 발광 영역(P-B1, P-B2)은 청색광을 발광하는 영역일 수 있다.
제1 발광 영역(P-R1, P-R2), 제2 발광 영역(P-G1, P-G2) 및 제3 발광 영역(P-B1, P-B2)은 서로 이격 되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 3a 및 도 3b에 도시된 것처럼, 제1 발광 영역(P-R1, P-R2) 및 제3 발광 영역(P-B1, P-B2)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 서로 교번하여 배열될 수 있다. 제2 발광 영역(P-G1, P-G2)은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)의 사이 방향을 따라 배열될 수 있다. 도 3a 및 도 3b와 같이 다이아몬드 형태로 배열된 형상은 펜-타일(Pen-Tile)구조로 지칭될 수 있다. 그러나 복수의 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1, P-R2, P-G2, P-B2)의 배열 구조는 발광 영역들이 일 방향을 따라 순차적으로 배열된 스트라이프(Stripe) 구조일 수 있고 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제1 발광 영역(P-R1, P-R2), 제2 발광 영역(P-G1, P-G2) 및 제3 발광 영역(P-B1, P-B2) 각각의 면적은 서로 상이할 수 있다. 이 때 면적은 평면상에서의 면적을 의미한다. 예를 들어, 평면상에서, 제3 발광 영역(P-B1)의 면적은 발광 영역들 중 가장 크며, 제2 발광 영역(P-G1)의 면적은 발광 영역들 중 가장 작을 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 복수의 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1, P-R2, P-G2, P-B2)의 면적은 서로 동일하거나, 방출되는 색상에 따라 다양한 면적을 가질 수 있으며 어느 하나의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
평면상에서 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1, P-R2, P-G2, P-B2)의 형상은 원형상, 다각형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 제1 발광 영역(P-R1, P-R2), 제2 발광 영역(P-G1, P-G2) 및 제3 발광 영역(P-B1, P-B2) 각각의 형상들은 서로 상이하거나 서로 동일할 수 있고 어느 하나의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
복수의 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1, P-R2, P-G2, P-B2) 중 일부 영역들은 제1 표시 영역(DA1)에 중첩하고, 나머지 일부 영역들은 제2 표시 영역(DA2)에 중첩할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)에 중첩하는 복수의 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1)과 제2 표시 영역(DA2)에 중첩하는 복수의 발광 영역들(P-R2, P-G2, P-B2)은 간격 및/또는 면적이 상이할 수 있다. 이로 인해, 제2 표시 영역(DA2)의 투과율은 제1 표시 영역(DA1)의 투과율보다 높을 수 있다.
도 3a를 참조하면, 일 실시예의 표시 패널(210a)의 제2 표시 영역(DA2)에 중첩하는 복수의 발광 영역들(P-R2, P-G2, P-B2)의 면적들은 제1 표시 영역(DA1)에 중첩하는 복수의 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1)의 면적들보다 작을 수 있다. 예시적으로, 제2 표시 영역(DA2)에 중첩하는 복수의 발광 영역들(P-R2, P-G2, P-B2)은 제1 표시 영역(DA1)에 중첩하는 복수의 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1)과 동일한 형상 및 작은 면적을 갖는 영역들로 도시하였다.
제2 표시 영역(DA2)에 중첩하는 비발광 영역(NPXA)은 광학적으로 투명한 부분을 포함할 수 있다. 따라서, 제2 표시 영역(DA2)에 중첩하는 발광 영역들(P-R2, P-G2, P-B2)의 면적을 제1 표시 영역(DA1)의 발광 영역들 대비 상대적으로 작게 함으로써, 비발광 영역(NPXA)의 면적이 증가할 수 있다. 이로 인해, 제2 표시 영역(DA2)의 투과율이 증가할 수 있다.
도 3b를 참조하면, 일 실시예의 표시 패널(210b)의 제2 표시 영역(DA2)에 중첩하는 복수의 발광 영역들(P-R2, P-G2, P-B2) 사이의 간격은 제1 표시 영역(DA1)에 중첩하는 복수의 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1) 사이의 간격보다 클 수 있다. 설명의 편의를 위해, 제1 표시 영역(DA1) 내의 인접하는 제1 발광 영역들(P-R1) 사이의 제1 간격(DD1)과 제2 표시 영역(DA2) 내의 인접하는 제1 발광 영역들(P-R1) 사이의 제2 간격(DD2)을 도시하였다. 여기서 간격은 하나의 제1 발광 영역(P-R1)의 중심에서 다른 하나의 제1 발광 영역(P-R2)의 중심까지의 직선 거리를 의미한다.
상기 제1 간격(DD1)과 상기 제2 간격(DD2)은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 제2 간격(DD2)은 제1 간격(DD1) 보다 클 수 있다. 간격이 상이함에 따라, 동일 면적 내에 제2 표시 영역(DA2)에 중첩하는 발광 영역들(P-R2, P-G2, P-B2)의 개수는 제1 표시 영역(DA1)에 중첩하는 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1)의 개수보다 작을 수 있다. 즉, 제2 표시 영역(DA2) 내의 발광 영역들(P-R2, P-G2, P-B2)의 밀도가 제1 표시 영역(DA1) 내의 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1)의 밀도보다 작을 수 있다. 이로 인해, 제2 표시 영역(DA2)의 투과율이 증가할 수 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다. 도 4는 제1 표시 영역(DA1)에 중첩하는 제1 발광 영역(P-R1)의 단면도를 간략히 도시하였다. 제1 발광 영역(P-R1)은 제1 발광 화소에 대응할 수 있다.
도 4를 참조하면, 표시 패널(210)은 베이스층(BL), 베이스층(BL) 회로 소자층(DP-CL), 회로 소자층(DP-CL) 표시 소자층(DP-OL), 및 봉지층(TFL)을 포함할 수 있다.
베이스층(BL)은 회로 소자층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-OL)가 배치되는 표시 기판일 수 있다. 베이스층(BL)은 적어도 하나의 실리콘 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판, 고분자층, 또는 복수의 절연층들을 포함하는 적층 구조체일 수 있다.
회로 소자층(DP-CL)은 베이스층(BL) 상에 배치될 수 있다. 회로 소자층(DP-CL)은 적어도 하나의 절연층과 회로 소자를 포함한다. 회로 소자는 신호라인, 화소의 구동회로 등을 포함한다. 코팅, 증착 등에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층 형성 공정과 포토리소그래피 공정에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층층의 패터닝 공정을 통해 회로 소자층(DP-CL)이 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 회로 소자층(DP-CL)은 배리어층(BRL), 버퍼층(BFL), 제1 내지 제7 절연층(10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) 및 복수의 박막 트랜지스터들(T1, T2)을 포함할 수 있다. 버퍼층(BFL), 배리어층(BRL), 및 제1 내지 제7 절연층(10, 20, 30, 40, 50, 60, 70)은 무기막 및 유기막 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
배리어층(BRL)은 베이스층(BL) 상에 배치될 수 있다. 배리어층(BRL)은 베이스층(BL)에 존재하는 불순물이나 외부에서 유입되는 수분이 박막 트랜지스터들(T1, T2)에 확산되는 것을 방지할 수 있다. 불순물은 베이스층(BL)이 열분해됨으로써 발생하는 가스 또는 나트륨일 수 있다.
버퍼층(BFL)은 배리어층(BRL) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(BFL) 상에 반도체 패턴이 배치될 수 있다. 버퍼층(BFL)은 베이스층(BL)과 반도체 패턴 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다.
회로 소자층(DP-CL)에 포함된 박막 트랜지스터들(T1, T2)은 제1 화소 트랜지스터(T1) 및 제2 화소 트랜지스터(T2)을 포함할 수 있다. 제1 화소 트랜지스터(T1) 및 제2 화소 트랜지스터(T2)은 표시 영역(DA1) 내에 배치될 수 있다. 제1 화소 트랜지스터(T1) 및 제2 화소 트랜지스터(T2)는 트랜지스터들 상에 배치된 발광 소자(OL)와 함께 화소(PX)를 구성할 수 있다.
도 4에는 제1 및 제2 화소 트랜지스터(T1, T2) 각각을 구성하는 제1 액티브(A1), 제2 액티브(A2), 제1 게이트(G1), 제2 게이트(G2), 제1 소스(S1), 제2 소스(S2), 제1 드레인(D1), 제2 드레인(D2)의 배치관계가 예시적으로 도시되었다.
본 실시예에서 제1 액티브(A1) 및 제2 액티브(A2)는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 액티브(A1)는 폴리 실리콘 반도체를 포함하고, 제2 액티브(A2)는 금속 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 한편, 이에 한정되지 않고, 제1 액티브(A1) 및 제2 액티브(A2)가 서로 동일한 반도체 물질을 포함할 수 있고, 이때 회로 소자층(DP-CL)의 적층 구조는 상대적으로 단순해질 수 있다.
제1 소스(S1) 및 제1 드레인(D1)은 제1 액티브(A1)에 비해 도핑 농도가 큰 영역으로써, 전극의 기능을 가질 수 있다. 제2 소스(S2) 및 제2 드레인(D2)은 금속 산화물 반도체를 환원시킨 영역으로써, 전극의 기능을 가질 수 있다.
회로 소자층(DP-CL)은 상부 전극(UE)을 더 포함할 수 있다. 상부 전극(UE)은 제1 게이트(G1)와 중첩하여 배치될 수 있다. 상부 전극(UE)은 제1 게이트(G1)와 함께 제1 화소 트랜지스터(T1)의 게이트 전극이 되거나, 제1 게이트(G1)와 함께 커패시터를 형성할 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)에 있어서, 상부 전극(UE)은 생략될 수도 있다.
표시 소자층(DP-OL)은 회로 소자층(DP-CL) 상에 배치될 수 있다. 표시 소자층(DP-OL)은 발광 소자(OL) 및 화소 정의막(PDL)을 포함할 수 있다. 발광 소자(OL)는 유기발광 다이오드 또는 퀀텀닷 발광 다이오드 일 수 있다. 발광 소자(OL)는 순차적으로 적층된 제1 전극(AE), 정공 제어층(HCL), 발광층(EML), 전자 제어층(ECL) 및 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.
제1 전극(AE)은 제7 절연층(70) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일 부분을 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(OP)는 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1, P-R2, P-G2, P-B2, 도 3a 및 도 3b 참조)을 정의할 수 있다. 따라서, 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1, P-R2, P-G2, P-B2, 도 3a 및 도 3b 참조)의 면적은 화소 정의막(PDL)의 개구부(OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일 영역에 대응될 수 있다. 비발광 영역(NPXA)은 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1, P-R2, P-G2, P-B2)을 에워쌀 수 있다.
정공 제어층(HCL) 및 전자 제어층(ECL)은 발광 영역(P-R1)과 비발광 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층(HCL) 및 전자 제어층(ECL)은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다.
발광층(EML)은 개구부(OP)에 대응하도록 패턴 형태로 제공될 수 있다. 발광층(EML)은 발광 화소들에 따라 따르게 형성될 수 있다. 발광층(EML)은 막 형태의 정공 제어층(HCL) 및 전자 제어층(ECL)과 다른 방식으로 증착될 수 있다. 소정의 패턴 형상을 갖는 발광층(EML)을 형성하기 위해 본 발명의 마스크 어셈블리(MSA)가 사용될 수 있다.
발광층(EML)은 복수의 발광층들이 적층된 구조일 수 있다. 발광층(EML)은 제1 발광층(EML1) 및 제1 발광층(EML1) 상에 배치되는 제2 발광층(EML2)을 포함할 수 있다. 제1 발광층(EML1)과 제2 발광층(EML2) 각각은 발광하는 광의 색이 실질적으로 동일하고, 발광 스펙트럼의 파장 범위에 일부 차이가 있는 층일 수 있다. 제1 발광층(EML1)과 제2 발광층(EML2) 각각은 화소 정의막(PDL)의 개구부(OP)에 대응하도록 패턴 형태로 제공될 수 있다. 제1 발광층(EML1) 및 제2 발광층(EML2) 각각은 후술할 본 발명의 마스크 어셈블리들(MSA)을 통해 순차적으로 증착하여 형성될 수 있다. 도 4에는 예시적으로 복수의 발광층들(EML1, EML2)이 적층된 구조를 도시하였으나, 일부 발광 영역들에 대응하는 발광층(EML)은 단일층의 발광층일 수 있다.
제2 전극(CE)은 전자 제어층(ECL) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 발광 영역(P-R1)과 비발광 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다.
봉지층(TFL)은 표시 소자층(DP-OL) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(TFL)은 복수 개의 박막들을 포함한다. 복수 개의 박막들은 무기막 및 유기막을 포함할 수 있다. 일부 박막은 광학 효율을 향상시키기 위해 배치될 수 있고, 일부 박막은 산소 또는 수분으로부터 발광 소자를 보호하기 위해 배치될 수 있다.
도 5는 증착 설비의 단면도이다. 도 6은 본 발명 일 실시예의 마스크 어셈블리의 사시도이다. 증착 설비(DPA)는 도 4의 표시 패널(DP), 특히 발광층(EML)의 증착 공정에 이용될 수 있다. 증착 설비(DPA)를 통해 형성되는 발광층(EML)은 도 3a 및 도 3b에 도시된 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1, P-R2, P-G2, P-B2)에 대응하는 패턴 형태로 제공될 수 있다.
도 5를 참조하면, 증착 설비(DPA)는 증착 챔버(CB), 고정 부재(CM), 증착 소스(DS), 및 마스크 어셈블리(MSA)를 포함한다. 별도로 도시하지 않았으나, 증착 설비(DPA)는 인라인 시스템을 구현하기 위한 추가 기계 장치를 더 포함할 수 있다.
증착 챔버(CB)는 증착 조건을 진공으로 설정할 수 있다. 증착 챔버(CB)는 바닥면, 천장면, 및 측벽들을 포함할 수 있다. 증착 챔버(CB)의 바닥면은 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 증착 챔버(CB)의 바닥면의 법선 방향은 제3 방향축(DR3)에 평행할 수 있다.
고정 부재(CM)는 증착 챔버(CB)의 내부에 배치될 수 있다. 고정 부재(CM)는 증착 소스(DS) 상에 배치되며, 증착 챔버(CB)의 천장면에 설치될 수 있다. 고정 부재(CM)는 본체(BD) 및 본체(BD)에 결합된 자성체들(MM)을 포함할 수 있다.
본체(BD)는 마스크 어셈블리(MSA) 및 본체(BD)와 마스크 어셈블리(MSA) 사이에 배치되는 대상 기판(WS)을 고정하기 위한 플레이트를 포함할 수 있으며, 마스크 어셈블리(MSA)를 고정시킬 수 있으면, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 자성체들(MM)은 본체(BD)의 내측 또는 외측에 배치될 수 있다. 자성체들(MM)은 자기력으로 마스크 어셈블리(MSA)를 고정할 수 있다.
증착 소스(DS)는 증착 물질을 포함한다. 증착 물질은 승화 또는 기화가 가능한 물질로 금속, 무기물 또는 유기물 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착 소스(DS)는 발광층(EML)을 형성하는 발광 물질을 포함할 수 있다.
증착 소스(DS)에 포함된 증착 물질은 증착 증기(DM)로써 분출될 수 있다. 해당 증착 증기(DM)는 마스크 어셈블리(MSA)를 통과하여 소정의 패턴으로 대상 기판(WS) 상에 증착 될 수 있다.
스테이지(ST)는 증착 챔버(CB)의 내부에 배치될 수 있고, 증착 소스(DS) 상에 배치될 수 있다. 스테이지(ST)는 스테이지(ST) 상에 안착된 마스크 어셈블리(MSA)를 지지할 수 있다. 스테이지(ST)는 마스크 어셈블리(MSA)와 대상 기판(WS)을 정확한 위치에 정렬시키기 위해, 마스크 어셈블리(MSA)를 이동시키는 구동부를 더 포함할 수 있다. 스테이지(ST)는 증착 소스(DS)로부터 대상 기판(WS) 상에 공급되는 증착 증기(DM)의 이동 경로의 외측에 배치될 수 있다.
본 발명의 마스크 어셈블리(MSA)는 증착 챔버(CB) 내부의 스테이지(ST) 상에 배치될 수 있다. 마스크 어셈블리(MSA)는 마스크(MSK) 및 프레임(MF)을 포함할 수 있다. 대상 기판(WS)은 마스크 어셈블리(MSA) 상에 배치될 수 있다.
대상 기판(WS)은 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 포함할 수 있다. 대상 기판(WS)은 베이스 기판 상에 배치된 고분자층을 포함할 수 있고, 표시 패널의 제조 공정의 후반부에서 베이스 기판은 제거될 수 있으며, 고분자층은 도 4에 도시된 표시 패널(DP)의 베이스층(BL)에 해당할 수 있다.
증착 설비(DPA)를 이용한 증착 공정이 진행된 후, 대상 기판(WS) 상에는 도 3a 또는 도 3b에 도시된 것처럼 발광 영역들(P-R1, P-G1, P-B1, P-R2, P-G2, P-B2)에 대응하는 발광 패턴층들이 형성될 수 있다.
증착 공정이 완료된 대상 기판(WS)은 커팅되기 전의 복수의 표시 패널(DP)들이 형성된 것일 수 있다. 복수의 표시 패널(DP)들은 대상 기판(WS)에 설정된 커팅 라인들을 따라 절단한 후 분리되어 각각이 제공될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 제조할 표시 패널(DP)의 크기에 따라 대상 기판(WS)은 하나의 표시 패널(DP)이 형성된 것일 수 있다.
도 6을 참조하면, 마스크 어셈블리(MSA)는 프레임(FM) 및 복수의 마스크들(MSK)을 포함할 수 있다. 설명의 편의를 위해, 프레임(FM)과 복수의 마스크들(MSK)을 분리하여 도시하였다.
프레임(FM)은 내측에 프레임 개구부(OP-F)를 정의할 수 있다. 프레임 개구부(OP-F)는 프레임(FM)의 상면으로부터 하면까지 관통하는 구멍일 수 있다. 프레임 개구부(OP-F)에 의해 마스크들(MSK)의 하면 일부가 증착 소스(DS)에 노출될 수 있다.
프레임(FM)은 평면 상에서 사각 고리 형상을 가질 수 있다. 이에 한정되지 않고, 프레임(FM)의 형상은 평면 상에서 다각 고리 또는 원형 고리 등 일 수 있으며, 프레임(FM)의 형상은 마스크들(MSK)을 지지할 수 있다면 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
프레임(FM)은 금속 물질을 포함 할 수 있다. 예를 들어, 프레임(FM)은 니켈(Ni), 니켈-코발트 합금, 니켈-철 합금, 스테인리스스틸(SUS) 또는 인바(Invar) 합금 등을 포함할 수 있으며, 프레임(FM)의 물질은 상기 예에 제한되는 것은 아니다.
마스크들(MSK)은 프레임(FM) 상에 배치될 수 있다. 마스크들(MSK)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장되며 제1 방향(DR1)을 따라 나열될 수 있다. 마스크들(MSK)은 프레임(FM) 대비 상대적으로 열팽창계수가 작은 금속 물질을 포함할 수 있다. 마스크들은 니켈(Ni), 니켈-코발트 합금, 니켈-철 합금 등을 포함할 수 있다.
마스크들(MSK) 각각은 바디부(MSB), 셀 개구부들(OP-M)을 포함할 수 있다. 바디부(MSB)는 마스크(MSK)의 외관을 형성할 수 있다. 바디부(MSB)는 평면상에서 셀 영역(CA) 및 셀 영역(CA)을 둘러싸는 주변 영역(EA)이 정의될 수 있다.
셀 영역(CA)은 복수 개로 정의될 수 있고, 복수의 셀 영역들(CA)은 제2 방향(DR2)을 따라 이격 될 수 있다. 주변 영역(EA)은 복수의 셀 영역들(CA)을 둘러쌀 수 있다. 마스크 어셈블리(MSA)에 포함된 마스크들(MSK)의 복수의 셀 영역들(CA)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 배열된 매트릭스(matrix) 배열을 가질 수 있다.
복수의 셀 개구부들(OP-M)은 셀 영역들(CA) 각각에 소정의 규칙을 이루며 배열될 수 있다. 복수의 셀 개구부들(OP-M)은 마스크(MSK)의 바디부(MSB)를 관통하여 형성될 수 있다. 평면상에서 셀 개구부들(OP-M)의 형상은 증착할 발광층(EML)의 형상에 대응할 수 있다. 예를 들어, 평면상에서 셀 개구부들(OP-M)의 형상은 도 3a에 도시된 제1 발광 영역(P-R1, P-R2), 제2 발광 영역(P-G1, P-G2) 또는 제3 발광 영역(P-B1, P-B2)의 형상에 대응될 수 있다.
마스크들(MSK) 중 적어도 하나의 마스크는 복수의 마크 패턴들 및 홀(HO)을 포함할 수 있다. 홀(HO)은 주변 영역(EA)에 중첩하여 정의될 수 있다. 홀(HO)은 마스크(MSK)의 바디부(MSB)를 관통하여 형성될 수 있다. 홀(HO)은 복수의 마크 패턴들 중 하나의 마크 패턴에 인접하게 형성될 수 있고, 이에 관한 자세한 설명은 후술하도록 한다.
마스크들(MSK)은 프레임(FM)에 용접하여 결합될 수 있다. 마스크 어셈블리(MSA)를 제조하는 과정에서, 마스크들(MSK) 각각을 제1 방향(DR1) 및/또는 제2 방향(DR2)을 따라 인장시킨 후, 인장된 마스크들(MSK) 각각을 프레임(FM)에 용접할 수 있다.
마스크 어셈블리(MSA)는 복수 개의 분할된 마스크들(MSK)을 포함함으로써, 마스크들(MSK)은 하나의 프레임(FM)에 대응하는 하나의 대형 마스크 대비 마스크의 처짐 현상이 적게 발생할 수 있다. 그러나 본 발명 일 실시예의 일 실시예의 마스크 어셈블리(MSA)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 일체의 판 형상의 마스크(MSK)를 포함할 수 있고, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
도 7은 도 6에 도시된 일부 영역(V1)에 대응하여 본 발명 일 실시예의 마스크 어셈블리를 확대 도시한 평면도이다. 도 7은 예시적으로 마스크 어셈블리(MSA)에 포함된 마스크들 중 하나의 마스크(MSK1)의 평면도를 도시하였다.
마스크(MSK1)는 바디부(MSB) 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2) 및 마크 패턴들(MA1, MA2)를 포함할 수 있다. 설명의 편의를 위해, 마스크(MSK1)에 포함된 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2)은 실제 비율 대비 과장되게 도시하였다.
바디부(MSB)는 셀 영역(CA) 및 셀 영역(CA)을 둘러싸는 주변 영역(EA)이 정의 될 수 있다. 셀 영역(CA)은 제1 영역(CA1) 및 제2 영역(CA2)을 포함할 수 있다. 증착 공정에서, 제1 영역(CA1)은 상술한 표시 패널(DP)의 제1 표시 영역(DA1, 도 3a 참조)에 대응할 수 있다. 제2 영역(CA2)은 표시 패널(DP)의 제2 표시 영역(DA2, 도 3a 참조)에 대응할 수 있다.
셀 개구부들(OP-M1, OP-M2)은 셀 영역(CA)에 서로 이격 되어 배치될 수 있다. 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2)은 제1 영역(CA1)에 배치된 제1 셀 개구부들(OP-M1) 및 제2 영역(CA2)에 배치된 제2 셀 개구부들(OP-M2)을 포함할 수 있다.
제1 셀 개구부들(OP-M1)의 형상은 제1 표시 영역(DA1, 도 3a 참조)에 증착 된 동일 색상을 발광하는 일부 발광 패턴들의 형상에 대응될 수 있다. 예를 들어, 제1 셀 개구부들(OP-M1)의 형상은 제1 표시 영역(DA1, 도 3a 참조)에 중첩하는 제1 발광 영역(P-R1, 도 3a 참조)의 형상에 대응될 수 있다.
제2 셀 개구부들(OP-M2)의 형상은 제2 표시 영역(DA2, 도 3a 참조)에 증착 된 동일 색상을 발광하는 일부 발광 패턴들의 형상에 대응될 수 있다. 예를 들어, 제2 셀 개구부들(OP-M2)의 형상은 제2 표시 영역(DA2, 도 3a 참조)에 중첩하는 제1 발광 영역(P-R2, 도 3a 참조)의 형상에 대응될 수 있다.
제1 셀 개구부들(OP-M1) 및 제2 셀 개구부들(OP-M2) 각각은 소정의 규칙을 갖고, 배열될 수 있다. 예를 들어, 제1 셀 개구부들(OP-M1) 및 제2 셀 개구부들(OP-M2)은 표시 패널(DP)의 표시 영역(DA)에 배치된 제1 발광 영역들(P-R1, P-R2)의 배열에 대응될 수 있다.
제1 셀 개구부들(OP-M1)은 제2 셀 개구부들(OP-M2)과 상이할 수 있다. 제2 셀 개구부들(OP-M2)의 면적은 제1 셀 개구부들(OP-M1)의 면적과 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 도 7에 도시된 것처럼, 평면 상에서 제2 셀 개구부들(OP-M2)의 면적은 제1 셀 개구부들(OP-M1)의 면적보다 작을 수 있다.
또한, 도시하지 않았지만, 다른 일 실시예의 마스크에서 서로 인접한 제2 셀 개구부들(OP-M2) 사이의 간격은 서로 인접한 제1 셀 개구부들(OP-M1) 사이의 간격과 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 서로 인접한 제2 셀 개구부들(OP-M2) 사이의 간격은 서로 인접한 제1 셀 개구부들(OP-M1) 사이의 간격보다 클 수 있다.
제1 셀 개구부들(OP-M1)과 제2 셀 개구부들(OP-M2)은 서로 면적 및 간격이 모두 상이할 수 있다. 일부 영역에 따라, 면적 및/또는 간격이 서로 상이한 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2)을 포함하는 마스크(MSK1)를 이용하여, 일부 영역에서 발광 화소들의 면적 및/또는 간격이 상이한 표시 패널을 제조할 수 있다. 이를 통해, 일부 영역에서 투과율이 상대적으로 증가한 표시 패널을 제조할 수 있다.
제1 셀 개구부들(OP-M1) 및 제2 셀 개구부들(OP-M2)은 바디부(MSB)를 관통하여 형성될 수 있다. 제1 셀 개구부들(OP-M1) 및 제2 셀 개구부들(OP-M2)은 포토(Photo) 마스크를 이용한 바디부(MSB)의 에칭을 통해 형성될 수 있다.
마크 패턴들(MA1, MA2)은 주변 영역(EA)에 배치될 수 있다. 일 예로, 마스크(MSK1)의 좌측 상단에 배치된 마크 패턴들(MA1, MA2)을 도시하였다. 그러나 이에 한정되지 않고, 마크 패턴들(MA1, MA2)은 마스크(MSK1)의 중앙 상단 또는 셀 영역들(CA) 사이에 배치될 수도 있다. 복수의 마크 패턴들(MA1, MA2)의 위치는 후술할 대상 기판(WS)의 정렬 마크(AM, 도 12 참조)의 위치에 따라 달라질 수 있으며 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
마크 패턴들(MA1, MA2)은 일 방향을 따라 서로 이격 될 수 있다. 도 7은 제1 방향(DR1)을 따라 서로 이격된 마크 패턴들(MA1, MA2)을 도시하였다. 그러나 이에 한정되지 않고, 마크 패턴들(MA1, MA2)은 함몰 패턴을 사이에 두고 서로 연결될 수 있다.
마크 패턴들(MA1, MA2)은 바디부(MSB)의 상면 또는 하면으로부터 함몰된 패턴일 수 있다. 마크 패턴들(MA1, MA2)은 하프 에칭을 통해 형성될 수 있다. 평면상에서 마크 패턴들(MA1, MA2) 각각은 단일 또는 복수의 폐곡선 형상을 가질 수 있다.
마크 패턴들(MA1, MA2)은 후술할 홀(HO)의 형성 위치를 표시하는 마크일 수 있다. 마크 패턴들(MA1, MA2)에 의해 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2)의 위치를 반영하는 홀(HO)이 형성될 수 있다. 마크 패턴들(MA1, MA2)은 각각이 소정의 대칭점을 기준으로 점 대칭 형상을 가질 수 있다. 대칭점은 홀(HO)의 형성 위치를 표시하는 지표가 될 수 있다.
마크 패턴들(MA1, MA2)의 형상은 서로 동일할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 홀(HO)의 형성 위치를 표시할 수 있다면 마크 패턴들(MA1, MA2)의 형상은 서로 상이할 수 있다.
마크 패턴들(MA1, MA2)은 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2)의 위치를 반영하는 지표가 될 수 있다. 마스크(MSK1)의 인장에 따라 마크 패턴들(MA1, MA2) 및 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2)은 위치가 변화될 수 있다. 인장 전, 마스크(MSK1)에 포함되는 마크 패턴들(MA1, MA2) 및 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2)은 인장에 따른 위치 변화가 고려되어 설계된 것일 수 있다.
마크 패턴들(MA1, MA2)은 마스크(MSK1)의 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2) 형성 단계에 동시에 형성되는 것일 수 있다. 예를 들어, 동일한 에칭 공정에서, 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2)은 바디부(MSB)를 관통하도록 에칭되고, 마크 패턴들(MA1, MA2)은 바디부(MSB)의 상면 또는 하면으로부터 함몰되도록 에칭될 수 있다. 이에 한정되지 않고, 마크 패턴들(MA1, MA2)은 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2) 형성 후 추가 공정으로 형성되는 것일 수 있다.
마스크(MSK1)는 주변 영역(EA)에 배치된 홀(HO)을 포함할 수 있다. 홀(HO)은 증착 공정에서 마스크 어셈블리(MSA)와 대상 기판(WS)을 정렬하는 기준이 될 수 있다. 홀(HO)의 중심과 대상 기판(WS)에 포함된 정렬 마크(AM, 도 12 참조)의 기준점이 일치하도록 위치를 조정하여, 마스크 어셈블리(MSA)와 대상 기판(WS)을 정렬할 수 있다.
홀(HO)은 복수의 마크 패턴들(MA1, MA2) 중 하나의 마크 패턴에 인접할 수 있다. 도 7은 제1 마크 패턴(MA1) 및 제2 마크 패턴(MA2) 중 제1 마크 패턴(MA1)에 인접한 홀(HO)을 도시하였다. 홀(HO)의 위치는 증착될 발광 패턴의 종류에 따라 달라질 수 있다.
홀(HO)은 마스크(MSK1)의 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2)의 형성 단계에 함께 형성되지 않고, 마스크 어셈블리(MSA) 제조 단계에서 형성되는 것일 수 있다. 즉, 프레임(FM)에 결합되기 전 마스크(MSK1)는 홀(HO)을 포함하지 않을 수 있다. 홀(HO)은 마스크(MSK1)를 인장하여 프레임(FM)에 결합한 후 형성되거나, 마스크(MSK1)의 인장 전에 형성될 수 있다.
홀(HO)은 증착 공정 단계에서 대상 기판(WS, 도 5 참조)과 마스크 어셈블리(MSA, 도 5 참조)를 정렬하는 지표가 될 수 있다. 또한, 홀(HO)은 증착 공정 과정에서 대상 기판(WS, 도 5 참조)과 마스크 어셈블리(MSA, 도 5 참조) 사이 정렬 위치를 보정하는데 이용되는 테스트 박막이 형성되기 위해 필요할 수 있다.
홀(HO)은 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2)과 별도의 공정 단계를 통해 형성될 수 있다. 이로 인해, 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2)의 위치가 동일하고 홀(HO)의 위치만 상이한 마스크들을 제조하는데 사용되는 포토 마스크의 수를 줄일 수 있다.
동일 대상 기판 상에 동일 발광 패턴으로 형성되는 복수의 발광층들을 증착하기 위해서, 셀 개구부들의 형상 및 위치가 동일한 마스크들이 필요하다. 그러나, 증착되는 발광층별로 서로 이격된 테스트 박막을 형성하기 위해서, 홀의 위치가 상이한 마스크들이 각 증착 공정에서 필요하다.
구체적으로, 마스크와 대상 기판이 서로 정확한 위치에 정렬이 되었는지 검사 및 보정하기 위해, 발광 패턴 형성 단계에서 동시에 대상 기판 상에 형성되는 테스트 박막을 이용할 수 있다. 테스트 박막은 마스크에 정의되는 홀을 통해서 형성될 수 있다. 테스트 박막의 형성 위치를 기준으로 마스크와 대상 기판의 정렬이 보정되므로, 정확한 보정을 위해 테스트 박막은 증착되는 층별로 이격되어 형성될 필요성이 있다. 따라서, 각각의 증착 공정에서 사용되는 마스크들은 서로 상이한 위치에 홀이 정의될 것이 요구된다.
종래는 마스크 제조 비용을 절감하기 위해, 주변 영역의 상측 및 하측에 배치된 복수의 홀들을 포함하는 마스크들을 제조하여, 동일 형상의 발광 패턴들 증착 공정을 위해, 180도 회전하여 사용하였다. 그러나 영역에 따라 상이한 셀 개구부들을 포함하는 마스크들은 종래처럼 180도 회전하여 사용할 수 없는 문제가 있다.
본 발명은 위치 및 형상이 서로 동일한 셀 개구부들 및 위치가 서로 상이한 홀이 정의된 마스크들을 제조하기 위해서, 홀이 형성될 위치들을 표시한 마크 패턴들을 포함하는 마스크를 제공한다. 즉, 동일 포토 마스크를 이용해 동일한 셀 개구부들이 정의된 여러 개의 마스크들을 제조한 후, 사용자가 필요에 따라 복수의 마크 패턴들 중 하나의 마크 패턴을 선택하여 선택된 마크 패턴에 인접하도록 홀을 형성할 수 있다. 이를 통해, 마스크의 제조 공정을 단순화하고, 마스크의 제조 비용을 절감할 수 있다.
도 8a는 도 6에 도시된 일부 영역(V2)에 대응하여 본 발명 일 실시예의 마스크 어셈블리를 확대 도시한 평면도이다. 도 8b 및 도 8c는 도 8a에 도시된 절단선 I-I'을 따라 절단한 마스크 어셈블리의 단면도들이다. 동일 참조 부호를 부여한 각 구성들에 대한 설명은 상술한 설명이 동일하게 적용될 수 있다.
마크 패턴들(MA1, MA2)은 제1 마크 패턴(MA1) 및 제2 마크 패턴(MA2)을 포함할 수 있다. 마크 패턴들(MA1, MA2) 각각이 소정의 대칭점을 기준으로 점 대칭 형상을 가질 수 있다. 제1 마크 패턴(MA1)은 제1 대칭점(C1)을 기준으로 점 대칭 형상을 가지며, 제2 마크 패턴(MA2)은 제2 대칭점(C2)을 기준으로 점 대칭 형상을 갖는다.
마크 패턴들(MA1, MA2)은 적어도 하나 이상의 함몰부(HF1, HF2, HF3, HF4)를 포함할 수 있다. 함몰부(HF1, HF2, HF3, HF4)는 마스크(MSK1)의 바디부(MSB)의 상면(MSB-U) 또는 하면(MSB-B)으로부터 함몰된 형상을 갖는다. 마크 패턴들(MA1, MA2)은 함몰부(HF1, HF2, HF3, HF4)를 포함함으로써, 홀(HO)이 형성되는 위치를 표시할 수 있다.
함몰부(HF1, HF2, HF3, HF4)는 평면 상에서 폐곡선 형상을 가질 수 있다. 예시적으로 평면상에서 각각이 사각형의 폐곡선 형상을 갖는 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4)을 도시하였다. 제1 및 제3 함몰부들(HF1, HF3) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 사각형 형상을 갖고, 제2 내지 제4 함몰부들(HF2, HF4) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 사각형 형상을 가질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 함몰부는 다각형, 원형 또는 고리 등의 폐곡선 형상을 가질 수 있다.
복수의 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4)은 평면 상에서 서로 동일한 형상을 가질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 복수의 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4) 중 일부는 서로 상이한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 복수의 함몰부들 중 일부는 사각형 형상일 수 있고, 나머지 일부는 삼각형 형상일 수 있다.
복수의 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4)은 마크 패턴들(MA1, MA2)의 대칭점(C1, C2)을 기준으로 점 대칭 관계를 가질 수 있다. 도 8a는 각각이 제1 대칭점(C1) 및 제2 대칭점(C2)을 중심으로 점 대칭 관계를 갖는 함몰부들을 예시적으로 도시하였다. 마크 패턴들(MA1, MA2) 중 제1 마크 패턴(MA1)에 포함된 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4) 각각을 제1 함몰부(HF1), 제2 함몰부(HF2), 제3 함몰부(HF3) 및 제4 함몰부(HF4)로 지칭할 수 있다.
제1 함몰부(HF1)와 제3 함몰부(HF3)는 제1 대칭점(C1)을 기준으로 제2 방향(DR2)을 따라 서로 대칭 관계를 갖는다. 제2 함몰부(HF2)와 제4 함몰부(HF4)는 제1 대칭점(C1)을 기준으로 제1 방향(DR1)을 따라 서로 대칭의 관계를 갖는다.
홀(HO)은 복수의 마크 패턴들(MA1, MA2) 중 하나의 마크 패턴에 인접하여 정의될 수 있다. 홀(HO)은 하나의 마크 패턴의 대칭점에 중첩하여 형성될 수 있다. 일 예로, 제1 마크 패턴(MA1)에 인접하며 제1 대칭점(C1)에 중첩하는 홀(HO)을 도시하였다. 홀(HO)의 중심점이 제1 마크 패턴(MA1)의 제1 대칭점(C1)에 대응할 수 있다.
홀(HO)은 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4)과 이격될 수 있고, 이에 한정되지 않고, 적어도 하나의 함몰부와 중첩하여 일체의 형상을 가질 수 있다. 도 8a는 평면상에서 제1 마크 패턴(MA1)에 포함된 제1 내지 제4 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4)과 이격된 홀(HO)을 도시하였다.
도 8b를 참조하면, 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4)은 바디부(MSB)의 상면(MSB-U)으로부터 함몰된 부분들일 수 있다. 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4) 각각은 하프 에칭(Half Etching) 공정을 통해 형성될 수 있다. 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4)에 중첩하는 바디부(MSB)의 두께(DI1)는 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4)에 중첩하지 않는 바디부(MSB)의 두께(DI2)보다 작을 수 있다.
도 8c를 참조하면, 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4)은 바디부(MSB)의 하면(MSB-B)으로부터 함몰된 부분들일 수 있다. 바디부(MSB)의 하면(MSB-B)으로부터 함몰된 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4) 또한 하프 에칭(Half Etching) 공정을 통해 형성될 수 있다. 상술한 것과 마찬가지로, 도 8c에 도시된 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4)에 중첩하는 바디부(MSB)의 두께(DI3)는 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4)에 중첩하지 않는 바디부(MSB)의 두께(DI2) 보다 작을 수 있다.홀(HO)은 바디부(MSB)를 관통하여 형성될 수 있다. 홀(HO)과 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4) 서로 이격될 수 있다. 홀(HO)에 인접한 바디부(MSB)의 두께는 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4)에 중첩하는 바디부(MSB)의 두께(DI1)보다 클 수 있다.
프레임(FM)에 정의된 프레임 개구부(OP-F)는 평면 상에서 홀(HO) 및 셀 개구부들(OP-M1)에 중첩할 수 있다. 증착 공정에서 증착 소스(DS)로부터 분출되는 증착 증기(DM)는 프레임 개구부(OP-F), 홀(HO) 및 셀 개구부들(OP-M1)을 통과하여 대상 기판(WS) 상에 증착될 수 있다.
함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4)이 함몰되는 바디부(MSB)의 기준면에 따라 홀(HO)을 형성하기 위해 조사되는 레이저의 방향이 달라질 수 있다. 예를 들어, 도 8b에 도시된 것처럼, 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4)이 바디부(MSB)의 상면(MSB-U)으로부터 함몰된 경우, 레이저 조사 방향은 상면(MSB-U)에서 진행될 수 있다. 도 8c에 도시된 것처럼, 함몰부들(HF1, HF2, HF3, HF4)이 바디부(MSB)의 상면(MSB-U)으로부터 함몰된 경우, 레이저 조사 방향은 상면(MSB-U)에서 진행될 수 있다.
도 9a 도 6에 도시된 일부 영역(V2)에 대응하여 본 발명의 다른 일 실시예의 마스크 어셈블리를 확대 도시한 평면도이다. 도 9b 및 도 9c는 도 9a에 도시된 절단선 II-II'을 따라 절단한 마스크 어셈블리의 단면도들이다. 도 9a에 도시된 일 실시예의 마스크 어셈블리는 도 8a에 도시된 마스크 어셈블리와 실질적으로 동일한 구성을 포함하며 마크 패턴들의 형상에 일부 차이가 있다.
도 9a를 참조하면, 마크 패턴들(MA1, MA2) 각각은 일체의 형상을 갖는 하나의 함몰부(HF1)를 포함할 수 있다. 예시적으로, 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 바와 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 바가 교차하는 십자가 형상의 함몰부(HF1)를 도시하였다.
함몰부(HF1)는 평면 상에서 폐곡선 형상을 가질 수 있다. 함몰부(HF1)의 형상은 홀(HO)의 형성 위치를 표시할 수 있다면 어느 하니의 실시예로 한정되지 않는다. 함몰부(HF1)는 마크 패턴의 대칭점을 기준으로 점 대칭의 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 마크 패턴(MA1)에 포함된 함몰부(HF1)는 제1 대칭점(C1)을 기준으로 점 대칭의 형상일 수 있다. 함몰부(HF1)는 제1 대칭점(C1)에 중첩할 수 있다.
홀(HO)은 함몰부(HF1)에 중첩하여 형성될 수 있다. 즉, 홀(HO)은 함몰부(HF1)에 중첩하는 바디부(WSB)의 일 부분을 관통하여 형성될 수 있다. 도 9b 및 도 9c에 도시된 것처럼, 홀(HO)은 함몰부(HF1)와 일체의 형상을 가질 수 있다. 도 9b에 도시된 함몰부(HF1)는 바디부(WSB)의 상면(WSB-U)으로부터 함몰되어 홀(HO)과 일체의 형상일 가질 수 있으며, 도 9c에 도시된 함몰부(HF1)는 바디부(WSB)의 하면(WSB-B)으로부터 함몰되어 홀(HO)과 일체의 형상을 가질 수 있다. 홀(HO) 인접한 바디부(MSB)의 두께는 함몰부(HF1)에 중첩하지 않는 바디부(MSB)의 두께(DI2)보다 작을 수 있다.
마크 패턴(MA1, MA2)을 형성하는 함몰부들의 개수 및 형상은 다양할 수 있다. 도 8a 및 도 9a에 도시된 마크 패턴들(MA1, MA2)의 형상은 예시적인 것으로 홀(HO)의 형성 위치를 표시할 수 있다면, 어느 하나의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
도 10a 내지 10f는 일 실시예의 마스크를 도시한 평면도들이다. 도 10a 내지 10f는 마스크 어셈블리(MSA)를 형성하기 전의 마스크(MSK-C)들을 도시하였다.
마스크(MSK-C)에 포함되는 마크 패턴들(MA1, MA2)의 형상은 다양할 수 있다. 마크 패턴들(MA1, MA2)의 형상은 마크 패턴들(MA1, MA2)을 형성하는 함몰부들의 형상에 따라 달라질 수 있다. 도 10a 내지 10f는 다양한 형상의 마크 패턴들(MA1, MA2)의 일 실시예를 도시하였다. 그러나, 마크 패턴들(MA1, MA2)의 형상은 도시된 일 실시예들에 한정되는 것은 아니다.
도 10a 내지 도 10f는 동일한 형상을 갖는 제1 마크 패턴(MA1) 및 제2 마크 패턴(MA2)을 도시하였다. 그러나 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않고, 제1 마크 패턴(MA1)의 형상과 제2 마크 패턴(MA2)의 형상은 서로 상이할 수 있다.
도 10a 내지 10e를 참조하면, 제1 마크 패턴(MA1) 및 제2 마크 패턴(MA2)은 일 방향을 따라 서로 이격될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 도 10f에 도시된 것처럼, 제1 마크 패턴(MA1) 및 제2 마크 패턴(MA2)은 서로 상이한 홀의 형성 위치를 표시함과 동시에 함몰 패턴에 의해 서로 연결될 수 있다.
도 10a 내지 10c를 참조하면, 제1 마크 패턴(MA1) 및 제2 마크 패턴(MA2)각각은 복수의 함몰부들을 포함할 수 있다. 도 10d 및 도 10e를 참조하면, 제1 마크 패턴(MA1) 및 제2 마크 패턴(MA2) 각각은 하나의 함몰부를 포함할 수 있다.
도 10a를 참조하면, 제1 마크 패턴(MA1) 및 제2 마크 패턴(MA2) 각각은 서로 점 대칭 관계를 갖는 제1 내지 제4 함몰부들(HF1-1~HF1-4, HF1-2~HF4-2)을 포함할 수 있다.
제1 마크 패턴(MA1) 및 제2 마크 패턴(MA2) 각각의 제1 내지 제4 함몰부들(HF1-1~HF1-4, HF1-2~HF4-2)은 일 방향을 따라 연장된 사각형 형상일 수 있다. 제1 및 제3 함몰부들(HF1-1, HF3-1, HF1-2, HF-3-2)은 각각 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 사각형 형상을 갖고, 제2 및 제4 함몰부들(HF2-1, HF4-1, HF2-2, HF4-2)은 각각 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 사각형 형상을 가질 수 있다.
상술한 제1 마크 패턴(MA1)과 마찬가지로, 제2 마크 패턴(MA2)의 제1 함몰부(HF1-2)와 제3 함몰부(HF3-2)는 제2 대칭점(C2)을 기준으로 제2 방향(DR2)을 따라 서로 대칭 관계를 가질 수 있다. 제1 마크 패턴(MA1)의 제2 함몰부(HF2-2)와 제4 함몰부(HF4-2)는 제2 대칭점(C2)을 기준으로 제1 방향(DR1)을 따라 서로 대칭 관계를 가질 수 있다.
제1 마크 패턴(MA1)의 제2 및 제4 함몰부들(HF2-1, HF4-1) 및 제2 마크 패턴(MA2)의 제2 및 제4 함몰부들(HF2-2, HF4-2) 각각의 중심선들(CL2)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장되며, 동일선 상에 정의될 수 있다.
제1 마크 패턴(MA1)에서, 제1 대칭점은(C1)은 제1 및 제3 함몰부들(HF1-1, HF3-1)의 중심선(CL1-1)과 제2 및 제4 함몰부들(HF2-1, HF4-1)의 중심선(CL2) 이 교차하는 점에 대응할 수 있다. 제2 마크 패턴(MA2)에서, 제2 대칭점(C2)은 제1 및 제3 함몰부들(HF1-2, HF3-2)의 중심선(CL1-2) 과 제2 및 제4 함몰부들(HF2-2, HF4-2)의 중심선(CL2)이 교차하는 점에 대응할 수 있다.
도 10b 및 도 10c에 도시된 일 실시예의 마크 패턴들(MA1, MA2)의 함몰부들은 도 10a를 참조하여 상술한 설명이 동일하게 적용 가능하며, 함몰부들의 형상에만 차이가 있다.
도 10b를 참조하면, 제1 마크 패턴(MA1) 및 제2 마크 패턴(MA2) 각각의 제1 내지 제4 함몰부들(HF1-1~HF1-4, HF1-2~HF4-2)은 평면상에서 삼각형 형상을 가질 수 있다. 제1 함몰부(HF1-1, HF1-2)의 꼭지점들은 제3 함몰부(HF3-1, HF-3-2)의 꼭지점들과 제2 방향(DR2)을 따라 서로 마주할 수 있다. 제2 함몰부(HF2-1, HF2-2)의 꼭지점들과 제4 함몰부(HF4-1, HF-4-2)의 꼭지점들은 제1 방향(DR1)을 따라 서로 마주할 수 있다.
도 10c를 참조하면, 제1 마크 패턴(MA1) 및 제2 마크 패턴(MA2) 각각의 제1 내지 제4 함몰부들(HF1-1~HF1-4, HF1-2~HF4-2)은 평면상에서 십자가 형상을 가질 수 있다. 제1 내지 제4 함몰부들(HF1-1~HF1-4, HF1-2~HF4-2)의 면적은 서로 동일할 수 있다.
도 10d 및 10e를 참조하면, 제1 마크 패턴(MA1) 및 제2 마크 패턴(MA2) 각각은 대칭점(C1, C2)을 기준으로 점 대칭 형상을 갖는 제1 함몰부(HF1-1, HF1-2)를 포함할 수 있다.
도 10d를 참조하면, 제1 함몰부(HF1-1, HF1-2)는 고리 형상일 수 있다. 제1함몰부(HF1-1, HF1-2)는 대칭점(C1, C2)을 에워싸는 고리 형상일 수 있다. 예시적으로 는 제1 대칭점(C1)을 기준으로 점 대칭 원형 고리 형상을 갖는 제1 마크 패턴(MA1)의 제1 함몰부(HF1-1) 및 제2 대칭점(C2)을 기준으로 점 대칭 원형 고리 형상을 갖는 제2 마크 패턴(MA2)의 제1 함몰부(HF1-2) 도시하였다. 함몰부의 형상은 점 대칭 형상을 갖는 고리 형상이라면 사각 고리 형상 등 다각 고리 형상일 수 있고, 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.
도 10e를 참조하면, 제1 함몰부(HF1-1, HF1-2)는 다각형 형상일 수 있다. 제1 마크 패턴(MA1)의 제1 함몰부(HF1-1)는 제1 대칭점(C1)을 기준으로 점 대칭 형상을 가지며, 제1 대칭점(C1)에 중첩하는 형상일 수 있고, 제2 마크 패턴(MA2)의 제1 함몰부(HF1-2)는 제2 대칭점(C2)을 기준으로 점 대칭 형상을 가지며, 제2 대칭점(C2)에 중첩하는 형상일 수 있다. 함몰부의 형상은 점 대칭 형상을 갖는 다각형 형상이면 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.
도 10f를 참조하면, 제1 마크 패턴(MA1) 및 제2 마크 패턴(MA2)은 서로 연결될 수 있다. 제1 마크 패턴(MA1)의 제1 함몰부(HF1-1)는 제1 대칭점(C1)을 기준으로 점 대칭 형상을 갖는 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 바 형상을 가질 수 있다. 제2 마크 패턴(MA2)의 제1 함몰부(HF1-2)는 제1 마크 패턴(MA1)의 제1 함몰부(HF1-1)와 이격되고, 제2 방향(DR2) 따라 연장된 바 형상을 가질 수 있다. 제2 마크 패턴(MA2)의 제1 함몰부(HF1-2)는 제2 대칭점(C2)을 기준으로 점 대칭 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 마스크(MSK-C)는 함몰 패턴(HFP)을 포함할 수 있다. 제1 마크 패턴(MA1)과 제2 마크 패턴(MA2) 각각은 제1 대칭점(C1) 및 제2 대칭점(C2)에 중첩하며, 제1 방향(DR1)을 따라 연장되는 함몰 패턴(HFP)에 의해 서로 연결될 수 있다.
도 10a 내지 도 10f에 도시된 제1 및 제2 대칭점(C1, C2)은 상술한 홀(HO)이 형성될 위치의 지표일 수 있다. 홀(HO)은 제1 대칭점(C1) 또는 제2 대칭점(C2)에 중첩하도록 형성될 수 있다. 마스크(MSK-C) 상에 홀(HO)의 형성 위치는 마스크(MSK-C)를 이용하여 증착 할 발광층의 종류에 따라 달라지며, 사용자가 선택적으로 홀(HO)의 위치를 정하여 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예의 표시 패널 제조 방법에 관하여 설명한다. 본 발명의 각 구성들에 관한 설명은 상술한 설명이 동일하게 적용될 수 있으며, 중복되는 내용은 생략하고 표시 패널 제조 방법의 각 단계들에 관하여 설명한다.
도 11은 일 실시예에 따른 표시 패널 제조 방법의 순서도를 도시한 것이다. 일 실시예에 따른 표시 패널 제조 방법은 제1 마스크 어셈블리 형성 단계(S10), 제2 마스크 어셈블리를 각각 형성하는 단계(S20), 제1 패턴들 형성 단계(S30), 제2 패턴들 형성 단계(S40), 제1 마스크 어셈블리의 위치를 조정하는 단계(S50) 및 제2 마스크 어셈블리 위치를 조정하는 단계(S60)를 포함할 수 있다.
도 12는 표시 패널 제조 시, 증착 설비(DPA, 도 5 참조) 내에 배치될 일 실시예의 대상 기판(WS)을 도시하였다. 대상 기판(WS)의 증착면은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 정의하는 면에 평행할 수 있다. 대상 기판(WS)은 정렬 마크(AM)를 포함할 수 있다.
대상 기판(WS)의 증착면은 발광 패턴이 증착 될 제1 기판 영역(A10)과 제1 기판 영역(A10)에 인접한 제2 기판 영역(A20)을 포함한다. 발광 패턴 증착 공정에서 대상 기판(WS)의 제1 기판 영역(A10)은 화소 회로를 구성하는 회로 소자층(DP-CL, 도 4 참조), 발광 소자(OL)의 전극 및 화소 정의막(PDL)이 배치된 영역일 수 있다.
제2 기판 영역(A20)은 제1 기판 영역(A10)을 둘러싸는 영역일 수 있다. 제2 기판 영역(A20) 내에는 정렬 마크(AM)가 배치될 수 있다. 제2 기판 영역(A20)은 마스크 어셈블리(MSA) 상에서 마스크(MSK)의 주변 영역(EA)에 중첩할 수 있다. 제2 기판 영역(A20)은 후술할 테스트 박막이 형성되는 영역일 수 있다.
정렬 마크(AM)는 마스크(MSK)에 정의된 홀(HO)과의 위치 관계를 통해, 마스크 어셈블리(MSA)와 대상 기판(WS) 간의 위치를 정렬하기 위해 이용되는 마크일 수 있다. 또한, 정렬 마크(AM)는 제2 기판 영역(A20) 상에 형성되는 테스트 박막과의 위치 관계를 통해, 마스크 어셈블리(MSA)와 대상 기판(WS) 간의 정렬을 보정하기 위해 이용되는 마크일 수 있다.
도 13a, 13b 및 도 13d는 본 발명 일 실시예의 제1 마스크 어셈블리를 이용한 표시 패널 제조 방법의 일 단계들을 도시한 평면도들이고, 도 13c는 표시 패널 제조 방법의 일 단계를 도시한 단면도이다. 도 14a 내지 도 14c는 본 발명 일 실시예의 제2 마스크 어셈블리를 이용한 표시 패널 제조 방법의 일 단계들을 도시한 평면도들이다.
제1 마스크 어셈블리는 제1 그룹 셀 개구부들, 제1 그룹 셀 개구부들과 이격된 제1 그룹 마크 패턴들 및 제1 홀이 정의된 제1 마스크와 상기 제1 프레임을 결합하여 형성할 수 있다. 제2 마스크 어셈블리는 제2 그룹 셀 개구부들, 제2 그룹 셀 개구부들과 이격된 제2 그룹 마크 패턴들 및 제2 홀이 정의된 제2 마스크와 제2 프레임을 결합하여 형성할 수 있다.
본 명세서에서 제1 그룹 셀 개구부들 및 제2 그룹 셀 개구부들은 상술한 셀 개구부들의 설명이 동일하게 적용될 수 있고, 제1 그룹 마크 패턴들 및 제2 그룹 마크 패턴들은 상술한 마크 패턴들 설명이 동일하게 적용될 수 있다. 별개의 마스크에 포함된 구성들로 구별하여 표현하기 위해 제1 그룹 및 제2 그룹으로 지칭하였다. 1 프레임과 제2 프레임은 각각 프레임으로 지칭될 수 있다.
제1 마스크 어셈블리(MSA1)를 형성하는 단계는 제1 마스크(MSK-C1) 제조 단계, 제1 홀(HO1)을 형성하는 단계 및 제1 마스크(MSK-C1)를 인장하여 프레임(MF)에 결합하는 단계를 포함할 수 있다.
제2 마스크 어셈블리를 형성하는 단계는 제2 마스크(MSK-C2) 제조 단계, 제2 홀(HO2)을 형성하는 단계 및 제2 마스크(MSK-C2)를 인장하여 프레임(MF)에 결합하는 단계를 포함할 수 있다.
제1 마스크(MSK-C1)와 제2 마스크(MSK-C2)는 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2)의 위치 및 형상이 동일하고, 홀(HO1, HO2)의 위치가 상이한 마스크일 수 있다.
제1 마스크(MSK-C1)의 제조 단계는 마스크(MSK-C)의 바디부(MSB)에 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2) 및 마크 패턴들(MA1, MA2)을 형성하는 단계를 포함한다. 제2 마스크(MSK-C2)의 제조 단계는 제1 마스크(MSK-C1)의 제조 단계와 동일한 단계의 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2) 및 마크 패턴들(MA1, MA2) 형성 단계를 포함한다. 따라서, 제1 마스크(MSK-C1)와 제2 마스크(MSK-C2) 각각은 서로 동일한 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2) 및 마크 패턴들(MA1, MA2)을 포함할 수 있다.
마스크(MSK-C)는 제1 영역(CA1) 내에는 제1 셀 개구부들(OP-M1)이 형성될 수 있다. 제1 영역(CA1)에 인접한 제2 영역(CA2) 내에는 제1 셀 개구부들(OP-M1)과 상이한 제2 셀 개구부들(OP-M2)이 형성될 수 있다. 마스크(MSK-C)는 주변 영역(EA) 내에 복수의 마크 패턴들(MA1, MA2)이 형성될 수 있다.
제1 셀 개구부들(OP-M1) 및 제2 셀 개구부들(OP-M2)은 에칭 공정에 의해 마스크(MSK-C)의 바디부(MSB)를 관통하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 포토리소그래피(Photolithography) 공정에 의해, 제1 셀 개구부들(OP-M1) 및 제2 셀 개구부들(OP-M2)이 형성될 수 있다.
복수의 마크 패턴들(MA1, MA2)은 하프 에칭 공정에 의해 마스크(MSK-C)의 바디부(MSB)의 상면(MSB-U) 또는 하면(MSB-B)으로부터 함몰되도록 형성될 수 있다. 복수의 마크 패턴들(MA1, MA2)은 제1 셀 개구부들(OP-M1) 및 제2 셀 개구부들(OP-M2) 형성 단계에서 동시에 형성되는 것일 수 있다. 예를 들어, 복수의 마크 패턴들(MA1, MA2)과 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2)은 포토리소그래피(Photolithography) 공정에서 각각이 바디부(MSB)가 에칭되는 정도를 달리하여 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 복수의 마크 패턴들(MA1, MA2)은 제1 셀 개구부들(OP-M1) 및 제2 셀 개구부들(OP-M2) 형성 후 형성되는 것일 수 있다.
셀 개구부들(OP-M1, OP-M2) 및 마크 패턴들(MA1, MA2)을 형성한 후, 마스크(MSK-C)의 복수의 마크 패턴들(MA1, MA2) 중 하나의 마크 패턴에 인접하도록 하나의 대칭점(C1, C2) 상에 레이저(LS)을 조사하여, 홀(HO1, HO2)을 형성할 수 있다. 레이저(LS) 조사 위치를 달리하여, 서로 홀의 위치가 상이한 제1 마스크(MSK-C1) 또는 제2 마스크(MSK-C2)를 제조할 수 있다.
도 13a는 제1 홀(HO1)을 형성하는 일 단계의 평면도를 도시하였으며, 도 13b는 제1 홀(HO1)이 형성된 제1 마스크(MSK-C1)의 평면도를 도시하였다. 도 14a는 제2 홀(HO2)을 형성하는 일 단계의 평면도를 도시하였으며, 도 14b는 제2 홀(HO2)이 형성된 제2 마스크(MSK-C2)의 평면도를 도시하였다.
도 13a 및 도 13b를 참조하면, 제1 마크 패턴(MA1) 형상의 대칭 기준점인 제1 대칭점(C1) 상에 레이저(LS)를 조사하여, 제1 홀(HO1)을 형성할 수 있다. 제1 홀(HO1)은 제1 대칭점(C1)에 중첩하여, 제1 마크 패턴(MA1)에 인접하게 형성될 수 있고, 제2 대칭점(C2)과 이격될 수 있다.
도 14a 및 도 14b를 참조하면, 제2 마크 패턴(MA2) 형상의 대칭 기준점인 제2 대칭점(C2) 상에 레이저(LS)를 조사하여, 제2 홀(HO2)을 형성 할 수 있다. 제2 홀(HO2)은 제2 대칭점(C2)에 중첩하여, 제2 마크 패턴(MA2)에 인접하게 형성될 수 있고, 제1 대칭점(C1)과 이격될 수 있다. 따라서, 제1 마스크(MSK-C1) 및 제2 마스크(MSK-C2) 각각은 서로 동일한 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2) 및 서로 위치가 상이한 홀(HO1, HO2)을 포함할 수 있다.
한편, 제1 홀(HO1) 형성 후, 제1 마스크(MSK-C1)를 인장하여 프레임(MF) 상에 결합시킬 수 있으며, 이에 한정되지 않고, 마스크(MSK-C)를 인장하여 프레임(MF)에 결합한 후, 제1 홀(HO1)을 형성하여 제1 마스크 어셈블리(MSA1)를 형성할 수 있다. 이와 마찬가지로, 제2 홀(HO2) 형성 후, 제2 마스크(MSK-C2)를 인장하여 프레임(MF) 상에 결합시킬 수 있으며, 이에 한정되지 않고, 마스크(MSK-C)를 인장하여 프레임(MF)에 결합한 후, 제2 홀(HO2)을 형성하여 제2 마스크 어셈블리(MSA2)를 형성할 수 있다.
도 13c는 발광 패턴을 증착하는 일 단계의 단면도를 도시한 것이다. 도 13c 는 예시적으로 제1 마스크(MSK-C1)를 포함하는 제1 마스크 어셈블리(MSA1)를 도시하였다.
제1 마스크 어셈블리(MSA1)는 증착 설비(DPA, 도 5 참조) 내의 스테이지(ST) 상에 배치될 수 있다. 그 후, 제1 마스크 어셈블리(MSA1) 상에 대상 기판(WS)을 배치할 수 있다. 제1 마스크(MSK-C1)의 제1 홀(HO1)의 중심과 대상 기판(WS)의 정렬 마크(AM)에 정의된 기준점이 일치하도록 제1 마스크 어셈블리(MSA1)와 대상 기판(WS)의 위치를 정렬할 수 있다.
제1 마스크 어셈블리(MSA1)와 대상 기판(WS)의 위치를 정렬한 후, 증착 증기(DM)를 대상 기판(WS) 상에 증착시켜, 상술한 발광 패턴 형상의 발광층(EML)을 형성할 수 있다. 발광 패턴 형상은 셀 개구부들(OP-M1, OP-M2)의 형상에 대응 할 수 있다.
후술할 테스트 박막(TT1, TT2)은 발광층(EML)과 동시에 형성될 수 있다. 테스트 박막(TT1, TT2)은 증착 증기(DM)가 마스크의 홀을 통과하여 대상 기판(WS, WS1) 상에 증착됨으로써 형성될 수 있다.
도 13d는 도 13c에 도시된 증착 공정 후 제1 발광 패턴이 형성된 제1 대상 기판(WS1)의 평면도를 도시하였다. 제1 대상 기판(WS1)은 제1 기판 영역(A10)에 중첩하여 제1 발광 패턴(P-Ra)이 형성된 기판을 의미한다.
제1 발광 패턴(P-Ra)은 표시 영역 별로 형상이 상이할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1) 내에 형성된 제1 발광 패턴(P-R1a)은 제1 마스크(MSK-C1)의 제1 셀 개구부들(OP-M1)의 형상에 대응할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2) 내에 형성된 제1 발광 패턴(P-R1a)은 제1 마스크(MSK-C1)의 제2 셀 개구부들(OP-M2)의 형상에 대응할 수 있다. 제1 발광 패턴(P-Ra)의 형상은 상술한 제1 발광 영역들(P-R1, P-R2)에 대응할 수 있다.
대상 기판(WS)의 정렬 마크(AM)는 기준점을 정의하기 위해, 복수의 마크들(M1~M6)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제5 마크(M1~M5)는 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 바들일 수 있다. 제1 내지 제5 마크(M1~M5)는 제1 방향(DR1)을 따라 서로 이격되며 배열될 수 있다. 제6 마크(M6)는 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 바일 수 있다.
정렬 마크(AM)는 마크들(M1~M6)에 의해 복수의 기준점들이 정의될 수 있다. 기준점들은 대상 기판 상에 발광 패턴이 형성되어야 할 위치를 대변하는 지표일 수 있다. 기준점과 마스크의 홀의 중심을 일치시킴으로써 정확한 위치에 발광 패턴이 형성되도록 할 수 있다. 도 13d는 제1 마크(M1) 및 제6 마크(M6)에 의해 정의된 제1 기준점(MC-C1)을 예시적으로 표시하였다.
제1 기준점(MC-C1)은 제1 마크(M1)의 제2 방향(DR2)을 따라 연장되는 가상의 중심선(MC1)과 제6 마크(M6)의 제1 방향(DR1)을 따라 연장되는 가상의 중심선(MC6)이 교차하는 점에 해당한다.
테스트 박막은 대상 기판(WS)의 제2 기판 영역(A20)에 형성될 수 있다. 13d는 대상 기판(WS1)의 제2 기판 영역(A20)에 형성된 제1 테스트 박막(TT1)을 도시하였다. 제1 테스트 박막(TT1)은 13b에 도시된 제1 마스크(MSK-C1)의 제1 홀(HO1)에 대응하여 형성될 수 있다. 제1 테스트 박막(TT1)은 제1 발광 패턴(P-Ra)의 증착 위치를 대변하는 지표일 수 있다.
증착 공정 후, 제1 테스트 박막(TT1)의 위치를 기초로, 제1 발광 패턴(P-Ra)이 정확한 위치에 증착되었는지 판단할 수 있고, 제1 마스크 어셈블리(MSA1)의 정렬 위치를 보정할 수 있다. 구체적으로, 제1 테스트 박막(TT1)의 중심점(TT1-C)과 제1 기준점(MC-C1) 간의 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 이격된 거리들(dx, dy)을 이용해 판단할 수 있다.
도 13d는 제1 기준점(MC-C1)과 어긋나게 증착된 제1 테스트 박막(TT1)을 도시하였다. 제1 테스트 박막(TT1)은 제1 기준점(MC-C1)을 기준으로 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 각각이 거리들(dx, dy)로 이격되었고, 이를 통해, 제1 발광 패턴(P-Ra) 역시 증착되어야 할 위치로부터 소정의 거리(dx, dy)만큼 이격되어 증착되었음을 예측할 수 있다. 제1 테스트 박막(TT1)이 제1 기준점(MC-C1)으로부터 이격된 거리들(dx, dy)을 기준으로, 이후 증착 공정에서 정확한 위치에 제1 발광 패턴(P-Ra)이 형성되도록 마스크 어셈블리(MSA1)의 위치를 조절할 수 있다.
별도로 도시하지 않았지만, 도 13c에 도시된 것처럼, 제1 발광 패턴(P-Ra) 및제1 테스트 박막(TT1)을 포함하는 제1 패턴이 형성된 제1 대상 기판(WS1)을 제2 마스크 어셈블리 상에 배치하여 제2 발광 패턴(P-Rb) 및 제2 테스트 박막(TT2)을 제1 대상 기판(WS1) 상에 증착시킬 수 있다.
도 14c는 제1 대상 기판(WS1) 상에 제2 발광 패턴(P-Rb)이 형성된 제2 대상 기판(WS2)의 평면도를 도시하였다. 제2 대상 기판(WS2)은 제1 기판 영역(A10)에 중첩하여 제1 발광 패턴(P-Ra) 및 제2 발광 패턴(P-Rb)이 형성된 기판을 의미한다.
제2 발광 패턴(P-Rb)은 제1 발광 패턴(P-Ra) 상에 순차적으로 증착되는 발광층일 수 있다. 제1 발광 패턴(P-Ra) 및 제2 발광 패턴(P-Rb)은 서로 증착 형상 및 위치가 동일한 패턴일 수 있다. 제1 발광 패턴(P-Ra)은 상술한 제1 발광층(EML1)에 대응할 수 있고, 제2 발광 패턴(P-Rb)은 상술한 제1 발광층(EML1) 상에 형성되는 제2 발광층(EML2)에 대응할 수 있다.
제1 발광 패턴(P-Ra) 및 제2 발광 패턴(P-Rb) 각각은 발광하는 광의 색이 실질적으로 동일하고 발광 스펙트럼의 파장 범위에 일부 차이가 있는 발광층들일 수 있다. 예를 들어, 동일한 색광을 방출하지만 발광 물질이 상이한 복수의 발광층들일 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 서로 상이한 색광을 방출하며 순차적으로 적층되는 발광층들이 수 있다.
제2 발광 패턴(P-Rb)은 제1 발광 패턴(P-Ra)처럼, 표시 영역별로 형상이 상이할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1) 내에 형성된 제2 발광 패턴(P-R1b)은 제2 마스크(MSK-C2)의 제1 셀 개구부들(OP-M1)의 형상에 대응할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2) 내에 형성된 제2 발광 패턴(P-R2b)은 제2 마스크(MSK-C2)의 제2 셀 개구부들(OP-M2)의 형상에 대응할 수 있다. 제2 발광 패턴(P-Rb)의 형상은 상술한 제1 발광 영역들(P-R1, P-R2)에 대응할 수 있다.
도 14c는 제1 마크(M1) 및 제6 마크(M6)에 의해 정의된 제1 기준점(MC-C1)과 제2 마크(M2) 및 제6 마크(M6)에 의해 정의된 제2 기준점(MC-C2)을 도시하였다. 제2 기준점(MC-C2)은 제2 마크(M2)의 제2 방향(DR2)을 따라 연장되는 가상의 중심선(MC2)과 제6 마크(M6)의 제1 방향(DR1)을 따라 연장되는 가상의 중심선(MC6)이 교차하는 점에 해당한다.
제2 테스트 박막(TT2)은 제2 발광 패턴(P-Rb) 증착과 동시에 제1 대상 기판(WS1)의 제2 기판 영역(A20) 상에 형성될 수 있다. 제2 테스트 박막(TT2)은 14b에 도시된 제2 마스크(MSK-C2)의 제2 홀(HO2)에 대응하여 형성될 수 있다. 제2 테스트 박막(TT2)은 제2 발광 패턴(P-Rb)의 증착 위치를 대변하는 지표일 수 있다.
제2 테스트 박막(TT2)은 제1 테스트 박막(TT1)과 이격되어 형성될 수 있다. 제2 테스트 박막(TT2)이 제1 테스트 박막(TT1)에 중첩하여 형성된다면, 제2 발광 패턴(P-Rb)이 증착된 위치를 정확히 판단하기 어려울 수 있다. 따라서, 제2 발광 패턴(P-Rb)이 제1 발광 패턴(P-Ra) 상에 중첩하여 정확한 위치에 증착되었는지 판단하기 위해서, 제2 테스트 박막(TT2)은 제1 테스트 박막(TT1)과 이격되어 형성될 수 있다.
제2 테스트 박막(TT2)의 위치를 기초로, 제2 발광 패턴(P-Rb)이 정확한 위치에 증착되었는지 판단할 수 있고, 제2 마스크 어셈블리(MSA2)의 정렬 위치를 보정할 수 있다. 제2 테스트 박막(TT2)의 중심점(TT2-C)과 제2 기준점(MC-C2) 간의 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 이격된 거리들(dx, dy)을 이용해 판단할 수 있다.
도 14c는 중심점이 제1 기준점(MC-C1)과 일치하는 제1 테스트 박막 및 중심점(TT2-C)이 제2 기준점(MC-C2)과 어긋난 제2 테스트 박막(TT2)을 도시하였다. 중심점이 제1 기준점(MC-C1)과 일치하는 제1 테스트 박막(TT1)을 통해, 제1 발광 패턴(P-Ra)이 증착이 필요한 위치에 증착되었음을 알 수 있다. 제2 테스트 박막(TT2)은 제2 기준점(MC-C2)을 기준으로 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 소정의 거리(dx, dy)로 이격되었고, 이를 통해, 제2 발광 패턴(P-Rb)은 증착되어야 할 위치로부터 소정의 거리(dx, dy)만큼 이격되어 증착되었음을 알 수 있다. 동일 위치에 증착되어야할 제1 발광 패턴(P-Ra) 및 제2 발광 패턴(P-Rb)이 소정의 거리(dx, dy)만큼 이격되어 증착되었음을 테스트 박막들(TT1, TT2)을 통해 확인할 수 있다.
제2 테스트 박막(TT2)이 제2 기준점(MC-C2)으로부터 이격된 거리들(dx, dy)을 기준으로, 이후 증착 공정에서 정확한 위치에 제2 발광 패턴(P-Rb)이 형성되도록 마스크 어셈블리(MSA2)의 위치를 조절할 수 있다. 본 발명의 마스크 및 마스크 어셈블리에 의해 증착 공정의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 15는 발광 패턴 증착 공정이 완료된 일 실시예의 대상 기판의 평면도이다. 발광 패턴 증착 공정이 완료된 대상 기판(WS-F) 상에는 복수의 발광 패턴들 및 복수의 테스트 박막이 형성될 수 있다. 복수의 발광 패턴들 중 일부 발광 패턴들은 서로 중첩할 수 있고, 일부 발광 패턴들은 서로 이격되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 상술하 것처럼, 제1 발광 패턴 및 제2 발광 패턴은 서로 중첩하여 형성될 수 있고, 제1 발광 패턴과 제3 발광 패턴은 서로 이격되어 형성될 수 있다. 대상 기판 상에 증착되는 발광 패턴들은 상술한 복수의 발광 영역들(P-R1, P-R2, P-G1, P-G2, P-B1, P-B2)에 대응할 수 있다.
복수의 테스트 박막들(TT1~TT5)은 서로 이격되어 형성될 수 있다. 테스트 박막들(TT1~TT5)은 대상 기판 상에 형성된 발광 패턴들의 위치를 대변하는 지표들일 수 있다. 서로 이격되어 형성된 제1 테스트 박막(TT1) 및 제2 테스트 박막(TT2)에 관한 설명은 상술한 설명이 동일하게 적용될 수 있다. 각각의 테스트 박막들(TT1~TT5)의 위치를 통해, 발광 패턴들이 정확한 위치에 증착이 되었는지 확인할 수 있고, 마스크 어셈블리 각각의 위치를 보정할 수 있다.
제3 테스트 박막(TT3)과 동시에 형성되는 제3 발광 패턴 및 제4 테스트 박막(TT4)과 동시에 형성되는 제4 발광 패턴은 제2 발광 영역(P-G1, P-G2)에 대응하여 형성되는 발광 패턴들일 수 있다. 제3 발광 패턴 및 제4 발광 패턴은 동일 영역에서 순차적으로 적층되는 패턴들일 수 있다. 제5 테스트 박막(TT5)과 동시에 형성되는 제5 발광 패턴은 제3 발광 영역(P-B1, P-B2)에 대응하여 형성되는 발광 패턴일 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 패턴 및 제2 발광 패턴은 적색광을 방출하는 발광층들일 수 있고, 제3 발광 패턴 및 제4 발광 패턴은 녹색광을 방출하는 발광층들일 수 있으며, 제5 발광 패턴은 청색광을 방출하는 발광층일 수 있다. 그러나 반드시 상기 예에 제한되는 것은 아니다.
본 발명 일 실시예의 마스크는 프레임에 결합되기 전, 각각이 적어도 하나 이상의 함몰부를 포함하는 복수의 마크 패턴들을 포함할 수 있다. 복수의 마크 패턴들은 마스크에 포함된 셀 개구부들의 위치를 반영하는 패턴일 수 있다. 마스크 어셈블리 제조 단계에서, 마스크에 복수의 마크 패턴들 중 하나의 마크 패턴에 인접하도록 홀이 형성 될 수 있다. 본 발명은 동일한 마스크들을 이용하여 선택적으로 홀의 위치가 상이한 마스크 어셈블리를 제조할 수 있다. 각각이 셀 개구부의 위치가 동일하고 홀의 위치가 상이한 마스크를 포함하는 마스크 어셈블리들은 동일 형상의 발광 패턴들을 형성하는 증착 공정에 각각 사용될 수 있고, 각각의 마스크 어셈블리를 기판과 정확한 위치에 정렬시키기 위한 정렬 보정에 사용될 수 있다. 본 발명의 마스크 및 마스크 어셈블리는 동일 형상의 발광 패턴 형성에 사용되는 마스크를 공용화 할 수 있고, 마스크 제조를 위한 에칭 공정을 단순화 하여 마스크 제조 비용을 절감할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
210: 표시 패널 MSA: 마스크 어셈블리
MSK: 마스크 FM: 프레임
WS: 대상 기판 HO1: 제1 홀
HO2: 제2 홀 OP-M1: 제1 셀 개구부
OP-M2: 제2 셀 개구부 CA: 셀 영역
EA: 주변 영역 CA1: 제1 영역
CA2: 제2 영역 MA1: 제1 마크 패턴
MA2: 제2 마크 패턴 MSB: 바디부
HF1~4: 함몰부 C1: 제1 대칭점
C2: 제2 대칭점 AM: 정렬 마크
TT1~TT5: 테스트 박막 P-Ra, P-Rb: 발광 패턴

Claims (20)

  1. 셀 영역 및 상기 셀 영역을 둘러싸는 주변 영역이 정의된 바디부;
    상기 셀 영역에 서로 이격되어 배치되고 각각이 상기 바디부를 관통하는 복수의 셀 개구부들; 및
    상기 주변 영역에 배치된 복수의 마크 패턴들을 포함하고,
    상기 셀 영역은 제1 영역 및 상기 제1 영역에 인접한 제2 영역을 포함하며,
    상기 셀 개구부들은
    상기 제1 영역에 서로 이격되어 배치된 제1 셀 개구부들; 및
    상기 제2 영역에 서로 이격되어 배치된 제2 셀 개구부들을 포함하고,
    상기 마크 패턴들 각각은 적어도 하나 이상의 함몰부를 포함하며,
    상기 마크 패턴은 소정의 대칭점을 기준으로 점 대칭 형상을 갖는 마스크.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 함몰부는 상기 바디부의 상면 또는 하면으로부터 함몰된 마스크.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 마크 패턴들은 서로 연결된 마스크.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 함몰부는 복수로 구비되며,
    상기 함몰부들은
    제1 함몰부;
    상기 제1 함몰부와 이격된 제2 함몰부;
    상기 제1 함몰부와 상기 대칭점을 기준으로 점 대칭 관계인 제3 함몰부; 및
    상기 제2 함몰부와 상기 대칭점을 기준으로 점 대칭 관계인 제4 함몰부를 포함하는 마스크.
  5. 제4 항에 있어서,
    평면상에서 상기 함몰부들 각각은 다각 형상을 갖는 마스크.
  6. 제1 항에 있어서,
    평면상에서 상기 함몰부는 상기 대칭점에 중첩하는 마스크.
  7. 제1 항에 있어서,
    평면상에서 상기 함몰부는 상기 대칭점을 에워싸는 폐곡선 형상을 갖는 마스크.
  8. 제1 항에 있어서,
    평면상에서 상기 제1 셀 개구부들의 면적들은 상기 제2 셀 개구부들의 면적들과 상이한 마스크.
  9. 제1 항에 있어서,
    평면상에서 서로 인접하는 상기 제1 셀 개구부들 사이의 간격과 서로 인접하는 상기 제2 셀 개구부들 사이의 간격은 상이한 마스크.
  10. 일 방향을 따라 배치된 복수의 마스크들; 및
    상기 복수의 마스크들 하부에 배치된 프레임을 포함하고,
    상기 마스크들 각각은
    셀 영역 및 상기 셀 영역을 둘러싸는 주변 영역이 정의된 바디부; 및
    상기 셀 영역에 서로 이격 되어 배치된 셀 개구부들을 포함하며,
    상기 마스크들 중 적어도 하나는,
    상기 주변 영역에 배치되고 적어도 하나 이상의 함몰부를 포함하는 복수의 마크 패턴들; 및
    상기 마크 패턴들 중 제1 마크 패턴에 인접한 홀을 포함하며,
    상기 마크 패턴은 소정의 대칭점을 기준으로 점 대칭 형상을 갖는 마스크 어셈블리.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 셀 영역은 제1 영역 및 상기 제1 영역에 인접한 제2 영역을 포함하며,
    상기 셀 개구부들은
    상기 제1 영역에 서로 이격되어 배치된 제1 셀 개구부들; 및
    상기 제2 영역에 서로 이격되어 배치되고 상기 제1 셀 개구부들과 상이한 제2 셀 개구부들을 포함하는 마스크 어셈블리.
  12. 제10 항에 있어서,
    평면상에서 상기 홀은 상기 대칭점에 중첩하는 마스크 어셈블리.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 마크 패턴에 포함된 상기 함몰부는 상기 홀과 이격된 마스크 어셈블리.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 마크 패턴에 포함된 상기 함몰부는 상기 홀과 일체로 형성된 마스크 어셈블리.
  15. 제10 항에 있어서,
    상기 프레임은 개구부가 정의되고,
    상기 개구부는 평면상에서 상기 홀 및 상기 셀 개구부들에 중첩하는 마스크 어셈블리.
  16. 제1 그룹 셀 개구부들, 상기 제1 그룹 셀 개구부들과 이격된 제1 그룹 마크 패턴들 및 제1 홀이 정의된 제1 마스크, 및 제1 프레임을 포함하는 제1 마스크 어셈블리를 형성하는 단계;
    상기 제1 그룹 셀 개구부들과 동일한 제2 그룹 셀 개구부들, 상기 제1 그룹 마크 패턴들과 동일한 제2 그룹 마크 패턴들 및 제2 홀이 정의된 제2 마스크, 및 제2 프레임을 포함하는 제2 마스크 어셈블리를 형성하는 단계;
    상기 제1 마스크 어셈블리를 이용하여 대상 기판 상에 제1 발광 패턴들 및 제1 테스트 박막을 포함하는 제1 패턴들을 형성하는 단계;
    상기 제2 마스크 어셈블리를 이용하여 상기 대상 기판 상에 제2 발광 패턴들 및 제2 테스트 박막을 포함하는 제2 패턴들을 형성하는 단계;
    상기 제1 테스트 박막의 위치를 기초로 상기 제1 마스크 어셈블리의 위치를 조정하는 단계; 및
    상기 제2 테스트 박막의 위치를 기초로 상기 제2 마스크 어셈블리의 위치를 조정하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 발광 패턴들은 상기 제1 발광 패턴들 상에 각각 형성되고,
    상기 제1 테스트 박막과 상기 제2 테스트 박막은 서로 상이한 위치에 형성되는 표시 패널 제조 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 발광 패턴들 및 상기 제2 발광 패턴들은 서로 동일한 컬러를 발광시키는 유기 패턴들인 표시 패널 제조 방법.
  18. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 그룹 마크 패턴들 및 상기 제2 그룹 마크 패턴들은 하프 에칭에 의해 형성되는 표시 패널 제조 방법.
  19. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 그룹 마크 패턴들 및 상기 제2 그룹 마크 패턴들은 각각 제1 마크 패턴 및 제2 마크 패턴을 포함하고,
    상기 제1 마크 패턴은 제1 대칭점을 기준으로 점 대칭 형상을 갖고, 상기 제2 마크 패턴은 제2 대칭점을 기준으로 점 대칭 형상을 갖는 표시 패널 제조 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제1 마스크 어셈블리 형성하는 단계는,
    셀 개구부들, 상기 제1 마크 패턴 및 상기 제2 마크 패턴을 포함하는 마스크를 제공하는 단계; 및
    상기 제1 대칭점 상에 레이저를 조사하여 상기 제1 홀을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 제2 마스크 어셈블리 형성하는 단계는,
    상기 마스크와 동일한 마스크를 제공하는 단계; 및
    상기 제2 대칭점 상에 레이저를 조사하여 상기 제2 홀을 형성하는 단계를 포함하는 표시 패널 제조 방법.

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