KR20220089770A - 전자 장치 - Google Patents

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KR20220089770A
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light emitting
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KR1020200179637A
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최원준
김일주
정예리
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

발광 영역들 및 비발광 영역을 포함한 표시층, 및 제1 감지 절연층, 제1 도전층, 상기 제2 감지 절연층, 및 메쉬 라인들로 구성된 제2 도전층을 포함하는 센서층을 포함하고, 상기 메쉬 라인들은, 제1 방향으로 연장된 제1 라인, 상기 제1 라인의 일측으로부터, 제2 방향으로 연장된 제2 라인, 상기 일측과 대향하는 상기 제1 라인의 타측으로부터, 상기 제2 방향으로 연장된 제3 라인, 및 상기 제1 방향에서 상기 제3 라인과 이격되고, 상기 제1 라인으로부터 상기 제2 방향으로 연장된 제4 라인을 포함하고, 상기 제2 도전층은, 상기 제2 라인, 상기 제3 라인, 및 상기 제4 라인 각각이, 상기 제1 라인과 정의하는 내측 영역들에 배치되고, 상기 내측 영역들 중 대응되는 내측 영역을 정의하는 라인들로부터 돌출된 보강 패턴을 포함한다.

Description

전자 장치{ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 강성 및 센싱 감도가 향상된 센서층을 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
전자 장치는 영상을 표시하는 표시층 및 외부 입력을 감지하는 센서층을 포함할 수 있다. 센서층은 복수의 전극들을 포함할 수 있다. 최근 다양한 형상의 액티브 영역을 갖는 전자 장치들이 개발되면서, 웨어러블 전자 장치에도 외부 입력을 감지하는 센서층이 포함된다.
본 발명은 강성 및 센싱 감도가 향상된 센서층을 포함하는 전자 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명에 따른 전자 장치는, 서로 다른 광을 제공하는 복수의 발광 영역들 및 상기 발광 영역들과 인접한 비발광 영역을 포함한 표시층, 및 상기 표시층 상에 배치된 제1 감지 절연층, 상기 제1 감지 절연층 상에 배치된 제1 도전층, 상기 제1 감지 절연층 상에 배치되어 상기 제1 도전층을 커버하는 제2 감지 절연층, 및 상기 제2 감지 절연층 상에 배치되고 서로 교차하는 제1 방향 및 제2 방향을 따라 연장된 메쉬 라인들로 구성된 제2 도전층을 포함하는 센서층을 포함하고, 상기 메쉬 라인들은, 제1 방향으로 연장된 제1 라인, 상기 제1 라인의 일측으로부터, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 라인, 상기 제1 라인의 상기 일측과 대향하는 타측으로부터, 상기 제2 방향으로 연장된 제3 라인, 상기 제1 방향에서 상기 제3 라인과 이격되고, 상기 제1 라인으로부터 상기 제2 방향으로 연장된 제4 라인, 및 상기 제2 라인, 상기 제3 라인, 및 상기 제4 라인 각각이, 상기 제1 라인과 정의하는 내측 영역들에 배치되고, 상기 내측 영역들 중 대응되는 내측 영역을 정의하는 라인들로부터 돌출된 보강 패턴을 포함한다.
상기 내측 영역을 정의하는 상기 라인들과 상기 보강 패턴 사이의 각도는, 15도 이상 내지 내지 35도 이하인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 보강 패턴은, 상기 보강 패턴의 중심을 가로지르고, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향 각각의 사선 방향으로 연장된 가상의 연장선에 대해 대칭인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 보강 패턴 중, 상기 내측 영역과 마주하는 보강 패턴 부분은, 소정의 곡률을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 보강 패턴의 폭은, 상기 내측 영역을 정의하는 상기 라인들의 교점에서 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 갈수록 좁아지는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 발광 영역들은, 상기 제1 라인을 기준으로 좌측에 배치되고, 제1 컬러를 제공하는 제1 발광 영역, 상기 제1 라인을 기준으로 우측 및 상기 제4 라인을 기준으로 상측에 배치되고, 제2 컬러를 제공하는 제2 발광 영역, 및 상기 제1 라인을 기준으로 우측, 및 상기 제4 라인을 기준으로 하측에 배치되고, 제3 컬러를 제공하는 제3 발광 영역을 포함하고, 상기 제1 발광 영역은, 상기 제1 방향을 따라 상기 주변 영역을 사이에 두고 서로 이격되고 서로 다른 면적을 가진 제1-1 발광 영역 및 제1-2 발광 영역을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
평면상에서, 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각의 일측에서 인접한 상기 메쉬 라인들까지 거리는, 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각의 모서리에서 인접한 보강 패턴까지의 거리보다 작거나 같은 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2 발광 영역 및 상기 제3 발광 영역 중 적어도 어느 하나는, 평면상에서 일 부분이 함몰된 발광 홈이 정의된 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 센서층은, 복수로 제공되어 상기 제1 방향으로 배열되고, 각각이 상기 제2 방향으로 배열된 제1 감지 패턴들 및 상기 제1 감지 패턴들 사이에 배치된 제1 브릿지 패턴을 포함하는 제1 감지 전극들, 및 상기 제1 감지 전극들과 절연되고, 복수로 제공되어 상기 제2 방향으로 배열되고, 각각이 상기 제1 방향으로 배열된 제2 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 사이에 배치된 제2 브릿지 패턴을 포함하는 제2 감지 전극들을 포함하고, 상기 제2 도전층은, 상기 제1 감지 패턴들, 및 제1 브릿지 패턴, 및 상기 제2 감지 패턴들을 포함하고, 상기 제1 도전층은, 상기 제2 브릿지 패턴을 포함하고, 상기 제2 감지 절연층은, 상기 제2 브릿지 패턴과 중첩하는 컨택홀들이 정의되고, 상기 제2 감지 패턴들은, 상기 컨택홀들을 통해 상기 제2 브릿지 패턴과 연결되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2 브릿지 패턴은, 상기 보강 패턴과 적어도 일부가 중첩하는 추가 보강 패턴을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 라인의 중심을 가로 지르는 가상의 제1 중심선이 정의되고, 상기 컨택홀들 각각의 중심은, 상기 제1 중심선으로부터 상기 제2 방향으로 이격되어 대응되는 제3 라인 및 제4 라인에 중첩하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 추가 보강 패턴은, 평면상에서, 상기 내측 영역을 정의하는 상기 라인들과 이루는 각도가 45도인 제1 추가 패턴, 및 상기 내측 영역을 정의하는 상기 라인들과 이루는 각도가 15도 이상 내지 내지 35도 이하인 제2 추가 패턴을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2 추가 패턴은, 상기 제2 추가 패턴의 중심을 가로지르고, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향 각각의 사선 방향으로 연장된 가상의 연장선에 대해 대칭인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2 추가 패턴 중, 상기 내측 영역과 마주하는 제2 추가 패턴 부분은, 소정의 곡률을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 라인의 중심을 가로 지르는 가상의 제1 중심선이 정의되고, 상기 컨택홀들은, 상기 제3 라인과 인접하고, 중심이 상기 제1 중심선 상에 배치된 제1 컨택홀, 및 상기 제4 라인과 인접하고, 중심이 상기 제1 중심선으로부터 이격되어 제4 라인과 중첩하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 추가 보강 패턴은, 평면상에서, 상기 내측 영역을 정의하는 상기 라인들과 이루는 각도가 45도인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 추가 보강 패턴은, 상기 보강 패턴과 동일 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 라인의 중심을 가로 지르는 가상의 제1 중심선이 정의되고, 상기 컨택홀들 각각의 중심은, 상기 제1 중심선 상에 중첩하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 컨택홀들 각각은, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 정의된 평면에 대해 마름모 형상인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 표시층은, 트랜지스터를 포함하는 회로층, 상기 트랜지스터와 연결된 제1 전극, 상기 제1 전극을 노출시키고 상기 발광 영역들 중 대응되는 발광 영역을 정의하는 개구부를 포함하는 화소 정의막, 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층, 및 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 발광 소자층, 및 상기 발광 소자층을 커버하고, 복수의 무기층 및 유기층 교번 적층된 봉지층을 포함하고, 상기 센서층은, 상기 봉지층 상에 직접 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 도전층에 포함된 메쉬 라인들은 서로 교차 영역에 인접하게 배치된 보강 패턴을 포함함에 따라, 강성이 보완된 센서층을 제공 할 수 있다. 또한, 보강 패턴이 발광 영역들과의 간섭을 최소화 하는 형상을 가짐에 따라, 출광 효율이 증대된 표시층을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 적용예이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 적용예이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 3b는 도 3a에 도시된 I-I'을 따라 절단한 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 II-II'을 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층의 평면도이다.
도 6은 도 5의 QQ'영역을 확대한 평면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 III-III'을 따라 절단한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 영역들과 메쉬 라인들의 배치 관계를 도시한 평면도이다.
도 9은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 영역들과 메쉬 라인들의 배치 관계를 도시한 평면도이다.
도 10a는 도 9의 AA' 영역을 확대한 본 발명의 일 실시예에 따른 평면도이다.
도 10b는 도 9의 BB' 영역을 확대한 본 발명의 일 실시예에 따른 평면도이다.
도 10c는 도 9의 AA' 영역을 확대한 본 발명의 다른 실시예에 따른 평면도이다.
도 10d는 도 9의 BB' 영역을 확대한 본 발명의 다른 실시예에 따른 평면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 영역들과 메쉬 라인들의 배치 관계를 도시한 평면도이다.
도 12a는 도 11의 CC' 영역을 확대한 본 발명의 일 실시예에 따른 평면도이다.
도 12b는 도 11의 DD' 영역을 확대한 본 발명의 일 실시예에 따른 평면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 영역들과 메쉬 라인들의 배치 관계를 도시한 평면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 영역들과 메쉬 라인들의 배치 관계를 도시한 평면도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합 된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 사전적 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 명시적으로 여기에서 정의되지 않는 한, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 적용예이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 적용예이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 전자 장치(1000, 1000-1)는 웨어러블 장치(1000WA, 1000WB)에 적용될 수도 있다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 적용예이다. 도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다. 도 3b는 도 3a에 도시된 I-I'을 따라 절단한 단면도이다.
전자 장치(1000, 1000-1)는 시간 정보, 날씨 정보, 통화, 또는 각종 어플 또는 동작을 수행하기 위한 아이콘 등을 표시할 수 있다. 사용자는 터치 동작을 통해 전자 장치(1000, 1000-1)를 동작할 수 있다.
도 1에 도시된 웨어러블 장치(1000WA)의 외관 형상은 원(circle) 형상을 가질 수 있다. 또한, 도 2에 도시된 것과 같이 웨어러블 장치(1000WB)의 외관 형상은 모서리가 둥근 사각(square) 형상을 가질 수 있다.
이하, 외관이 원 형상인 웨어러블 장치(1000WA)에 적용된 전자 장치(1000)를 기준으로 설명하나, 전자 장치(1000)에 관한 모든 구성들에 관한 설명은 외관이 사각(square) 형상인 웨어러블 장치(1000WB)에도 적용될 수 있다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 전자 장치(1000)에는 액티브 영역(1000A) 및 주변 영역(1000N)이 정의될 수 있다. 주변 영역(1000N)은 액티브 영역(1000A)에 인접하며, 액티브 영역(1000A)을 에워쌀 수 있다.
전자 장치(1000)는 액티브 영역(1000A)을 통해 영상을 표시하며 외부에서 인가되는 입력을 감지할 수 있다. 상기 입력은 사용자의 입력일 수 있다.
액티브 영역(1000A)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면을 포함할 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 액티브 영역(1000A)은 휘어진 곡면을 포함하거나, 휘어진 곡면과 평면을 모두 포함할 수도 있다. 본 명세서에서, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)과 모두 교차하는 제3 방향(DR3)은 전자 장치(1000)의 두께 방향이라 지칭될 수 있다.
전자 장치(1000)는 표시층(100) 및 센서층(200)을 포함할 수 있다.
표시층(100)은 영상을 실질적으로 생성하는 구성일 수 있다. 표시층(100)은 발광형 표시층일 수 있으며, 예를 들어, 표시층(100)은 유기발광 표시층, 무발광 표시층, 퀀텀닷 표시층, 또는 마이크로 엘이디 표시층일 수 있다. 본 실시예에서, 표시층(100)이 유기발광 표시층인 것을 예로 들어 설명하나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
센서층(200)은 표시층(100) 상에 배치될 수 있다. 센서층(200)은 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 사용자의 입력일 수 있다. 사용자의 입력은 다양한 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 사용자의 입력은 사용자의 손 등 신체의 일부에 의한 접촉은 물론 전자 장치(1000)와 근접하거나, 소정의 거리로 인접하여 인가되는 입력(예를 들어, 호버링)을 포함할 수 있다. 또한, 외부 입력은 힘, 압력, 광 등 다양한 형태를 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
센서층(200)은 연속된 공정을 통해 표시층(100) 위에 형성될 수 있다. 이 경우, 센서층(200)은 표시층(100) 위에 '직접' 배치된다고 표현될 수 있다. 직접 배치된다는 것은 센서층(200)과 표시층(100) 사이에 제3 의 구성요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 센서층(200)과 표시층(100) 사이에는 별도의 접착 부재가 배치되지 않을 수 있다.
도 3a에 도시된 것과 같이, 전자 장치(1000)는 표시층(100)과 전기적으로 연결된 표시 패드들(100PD) 및 센서층(200)과 전기적으로 연결된 센서 패드들(200PD, 이하 패드들)을 포함할 수 있다. 표시 패드들(100PD)과 패드들(200PD)에는 하나의 인쇄회로필름이 부착될 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 표시 패드들(100PD)에는 제1 인쇄회로필름이 부착되고, 패드들(200PD)에는 제2 인쇄회로필름이 부착될 수 있다. 인쇄회로필름은 미도시된 메인보드에 연결될 수 있다.
도 3b를 참조하면, 표시층(100)은 베이스층(101), 회로층(102), 발광 소자층(103), 및 봉지층(104)을 포함할 수 있다.
베이스층(101)은 회로층(102)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 기저층일 수 있다. 베이스층(101)은 유리 기판, 금속 기판, 플라스틱 기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(101)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
베이스층(101)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스층(101)은 제1 합성 수지층, 상기 제1 합성 수지층 상에 배치된 실리콘옥사이드(SiOx)층, 상기 실리콘옥사이드층 상에 배치된 아몰퍼스실리콘(a-Si)층, 및 상기 아몰퍼스 실리콘층 상에 배치된 제2 합성 수지층을 포함할 수 있다. 상기 실리콘옥사이드층 및 상기 아몰퍼스실리콘층은 베이스 배리어층이라 지칭될 수 있다. 또는, 베이스층(101)은 제1 합성 수지층, 접착층, 및 제2 합성 수지층을 포함할 수도 있다.
상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 아크릴(acrylate)계 수지, 메타크릴(methacrylate)계 수지, 폴리아이소프렌(polyisoprene)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 셀룰로오스(cellulose)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 및 페릴렌(perylene)계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 "~~" 계 수지는 "~~" 의 작용기를 포함하는 것을 의미한다
회로층(102)은 베이스층(101) 상에 배치될 수 있다. 회로층(102)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 절연층, 반도체층, 및 도전층이 베이스층(101) 위에 형성되고, 이후, 복수 회의 포토리소그래피 공정을 통해 절연층, 반도체층, 및 도전층이 선택적으로 패터닝될 수 있다. 이 후, 회로층(102)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 배선 등이 형성될 수 있다.
베이스층(101)의 상면에 적어도 하나의 무기층이 형성된다. 무기층은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기층은 다층으로 형성될 수 있다. 다층의 무기층들은 배리어층 및/또는 버퍼층을 구성할 수 있다. 본 실시예에서 표시층(100)은 버퍼층(BFL)을 포함하는 것으로 도시되었다.
버퍼층(BFL)은 베이스층(101)과 반도체 패턴 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다. 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함할 수 있으며, 실리콘 옥사이드층과 실리콘나이트라이드층은 교대로 적층될 수 있다.
반도체 패턴은 버퍼층(BFL) 상에 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 반도체 패턴은 비정질실리콘 또는 금속 산화물을 포함할 수도 있다.
도 3b는 일부의 반도체 패턴을 도시한 것일 뿐이고, 다른 영역에 반도체 패턴이 더 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 화소들에 걸쳐 특정한 규칙으로 배열될 수 있다. 반도체 패턴은 도핑 여부에 따라 전기적 성질이 다를 수 있다. 반도체 패턴은 도핑영역과 비-도핑영역을 포함할 수 있다. 도핑영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함하고, N타입의 트랜지스터는 N형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함할 수 있다.
도핑영역은 비-도핑영역보다 전도성이 크고, 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 할 수 있다. 비-도핑영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브(또는 채널)에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결 전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.
화소들 각각은 7개의 트랜지스터들, 하나의 커패시터, 및 발광 소자를 포함하는 등가회로를 가질 수 있으며, 화소의 등가회로도는 다양한 형태로 변형될 수 있다. 도 3b에서는 화소에 포함되는 하나의 트랜지스터(100PC) 및 발광 소자(100PE)를 예시적으로 도시하였다.
트랜지스터(100PC)의 소스(SC), 액티브(AL), 및 드레인(DR)이 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스(SC) 및 드레인(DR)은 단면 상에서 액티브(AL)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다. 도 3b에는 반도체 패턴으로부터 형성된 연결 신호 라인(SCL)의 일부분을 도시하였다. 별도로 도시하지 않았으나, 연결 신호 라인(SCL)은 평면 상에서 트랜지스터(100PC)의 드레인(DR)에 연결될 수 있다.
제1 절연층(10)은 버퍼층(BFL) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 화소들에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(10)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로층(102)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
트랜지스터(100PC)의 게이트(GT)는 제1 절연층(10) 상에 배치된다. 게이트(GT)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(GT)는 액티브(AL)에 중첩한다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(GT)는 마스크로 기능할 수 있다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 상에 배치되며, 게이트(GT)를 커버할 수 있다. 제2 절연층(20)은 화소들에 공통으로 중첩할 수 있다. 제2 절연층(20)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 본 실시예에서 제2 절연층(20)은 단층의 실리콘옥사이드층 또는 실리콘나이트라이드층일 수 있다.
제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 상에 배치될 수 있으며, 본 실시예에서 제3 절연층(30)은 단층의 실리콘옥사이드층 또는 실리콘나이트라이드층일 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(30) 상에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1, 제2, 및 제3 절연층(10, 20, 30)을 관통하는 컨택홀(CNT-1)을 통해 연결 신호 라인(SCL)에 접속될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 상에 배치될 수 있다. 제4 절연층(40)은 단층의 실리콘 옥사이드층일 수 있다. 제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 상에 배치될 수 있다. 제5 절연층(50)은 유기층일 수 있다.
제2 연결 전극(CNE2)은 제5 절연층(50) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50)을 관통하는 컨택홀(CNT-2)을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 접속될 수 있다.
제6 절연층(60)은 제5 절연층(50) 상에 배치되며, 제2 연결 전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제6 절연층(60)은 유기층일 수 있다.
발광 소자층(103)은 회로층(102) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자층(103)은 발광 소자(100PE)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자층(103)은 유기 발광 물질, 퀀텀닷, 퀀텀 로드, 또는 마이크로 엘이디를 포함할 수 있다. 이하에서, 발광 소자(100PE)가 유기 발광 소자인 것을 예로 들어 설명하나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
발광 소자(100PE)는 제1 전극(AE), 발광층(EL), 및 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.
제1 전극(AE)은 제6 절연층(60) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(AE)은 제6 절연층(60)을 관통하는 컨택홀(CNT-3)을 통해 제2 연결 전극(CNE2)에 연결될 수 있다.
화소 정의막(70)은 제6 절연층(60) 상에 배치되며, 제1 전극(AE)의 일부분을 커버할 수 있다. 화소 정의막(70)에는 개구부(70-OP)가 정의된다. 화소 정의막(70)의 개구부(70-OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다.
본 발명 전자 장치(1000)의 액티브 영역(100A)은 발광 영역(PXA)과 발광 영역(PXA)에 인접한 비발광 영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 비발광 영역(NPXA)은 발광 영역(PXA)을 에워쌀 수 있다. 본 실시예에서 발광 영역(PXA)은 개구부(70-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일부 영역에 대응될 수 있으며, 개구부(70-OP)의 면적으로 정의될 수 있다. 액티브 영역(100A) 내에는 복수의 발광 영역들이 배열될 수 있다. 이에 관한 내용은 후술하도록 한다.
발광층(EL)은 제1 전극(AE) 상에 배치될 수 있다. 발광층(EL)은 개구부(70-OP)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EL)은 제1 전극(AE)과 중첩하도록 패터닝 되어 형성될 수 있다. 서로 발광층들은 청색, 적색, 및 녹색 중 적어도 하나의 색의 광을 발광할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 발광층(EL)은 화소들에 연결되어 공통으로 제공될 수도 있다. 이 경우, 발광층(EL)은 청색 광을 제공하거나, 백색 광을 제공할 수도 있다.
제2 전극(CE)은 발광층(EL) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 일체의 형상을 갖고, 복수 개의 화소들에 공통적으로 배치될 수 있다.
도시되지 않았으나, 제1 전극(AE)과 발광층(EL) 사이에는 정공 제어층이 배치될 수 있다. 정공 제어층은 발광 영역(PXA)과 비발광 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EL)과 제2 전극(CE) 사이에는 전자 제어층이 배치될 수 있다. 전자 제어층은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층과 전자 제어층은 오픈 마스크를 이용하여 화소 정의막(70) 상에 공통으로 형성될 수 있다.
봉지층(104)은 발광 소자층(103) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(104)은 순차적으로 적층된 무기층, 유기층, 및 무기층을 포함할 수 있으나, 봉지층(104)을 구성하는 층들이 이에 제한되는 것은 아니다.
무기층들은 수분 및 산소로부터 발광 소자층(103)을 보호하고, 유기층은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(103)을 보호할 수 있다. 무기층들은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
센서층(200)은 제1 감지 절연층(201), 제1 도전층(202), 제2 감지 절연층(203), 제2 도전층(204), 및 커버 절연층(205)을 포함할 수 있다.
제1 감지 절연층(201)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 무기층일 수 있다. 또는 제1 감지 절연층(201)은 에폭시 수지, 아크릴 수지, 또는 이미드 계열 수지를 포함하는 유기층일 수도 있다. 제1 감지 절연층(201)은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 도전층(202) 및 제2 도전층(204) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
본 실시예에서 단층구조의 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
다층구조의 도전층은 금속층들을 포함할 수 있다. 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
제1 도전층(202) 및 제2 도전층(204)이 금속층을 포함하는 경우, 제1 도전층(202) 및 제2 도전층(204)은 불투명할 수 있다. 따라서, 제1 도전층(202) 및 제2 도전층(204)은 발광 영역(PXA)과 비중첩하고, 비발광 영역(NPXA)과 중첩하도록 패터닝될 수 있다.
제2 감지 절연층(203) 및 커버 절연층(205) 중 적어도 어느 하나는 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 감지 절연층(203) 및 커버 절연층(205) 중 적어도 어느 하나는 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제2 감지 절연층(203)에 정의된 컨택홀(CNT)을 통해 제1 도전층(202)과 제2 도전층(204)의 일부가 연결될 수 있다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다. 도 4b는 도 4a에 도시된 II-II'을 따라 절단한 단면도이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 전자 장치(1000_1)는 제1 기판(100_1) 및 제2 기판(200_1)을 포함할 수 있다. 제1 기판(100_1)은 표시층이라 지칭될 수 있고, 제2 기판(200_1)은 센서층이라 지칭될 수 있다.
제1 기판(100_1)과 제2 기판(200_1)은 결합 부재(미도시)에 의해 서로 결합될 수 있다. 예를 들어, 결합 부재는 제1 기판(100_1)과 제2 기판(200_1) 사이에 배치되고, 주변 영역(1000N)에 배치될 수 있다. 결합 부재는 무기물 또는 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 무기물은 프릿 실(frit seal)을 포함할 수 있고, 유기물은 광 경화성 수지 또는 광 가소성 수지를 포함할 수 있다. 다만, 결합 부재를 구성하는 물질이 상기 예에 제한되는 것은 아니다.
제1 기판(100_1)은 베이스층(101), 회로층(102) 및 발광 소자층(103)을 포함할 수 있다. 베이스층(101), 회로층(102), 및 발광 소자층(103)에 대한 설명은 앞서 도 3a 및 도 3b를 통해 설명되었으므로 생략된다.
제2 기판(200_1)은 베이스 기판(201_1), 제1 도전층(202_1), 제2 감지 절연층(203_1), 제2 도전층(204_1), 및 커버 절연층(205_1)을 포함할 수 있다.
베이스 기판(201_1)은 유리 기판, 금속기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 기판(201_1)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
제1 도전층(202_1)은 상기 도 3B에서 설명한 제1 도전층(202)에 포함된 금속층을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제2 도전층(204_1) 투명 도전층을 포함할 수 있다. 이 경우, 제2 도전층(204_1)은 발광 영역(PXA) 및 비발광 영역(NPXA) 모두에 중첩할 수 있다.
제2 도전층(204_1)에 포함된 투명 도전층은 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 산화아연(zinc oxide, ZnO), 인듐주석아연산화물(indium zinc tin oxide, IZTO) 등과 같은 투명한 전도성산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 베이스 기판(201_1)과 제1 도전층(202_1) 사이에는 적어도 하나 이상의 절연층이 더 배치될 수 있다. 상기 적어도 하나 이상의 절연층은 베이스 기판(201_1) 위에 직접 형성될 수도 있고, 접착층을 통해 베이스 기판(201_1)에 결합될 수도 있다. 접착층은 통상의 접착제 또는 점착제를 포함할 수 있다.
제1 기판(100_1)은 표시 패드들(100PD_1)을 포함할 수 있고, 제2 기판(200_1)은 센서 패드들(200PD_1, 이하 패드들)을 포함할 수 있다. 표시 패드들(100PD_1)에는 제1 인쇄회로필름이 부착되고, 패드들(200PD_1)에는 제2 인쇄회로필름이 부착될 수 있다.
표시 패드들(100PD_1)은 회로층(102)과 전기적으로 연결되어 회로층(102)으로 신호를 제공할 수 있다. 센서 패드들(200PD_1)은 제1 도전층(202_1) 및 제2 도전층(204_1)과 전기적으로 연결되어, 제1 도전층(202_1) 및 제2 도전층(204_1)으로 신호를 제공하거나, 제1 도전층(202_1) 및 제2 도전층(204_1)으로부터 신호를 수신할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층의 평면도이다. 도 6은 도 5의 QQ'영역을 확대한 평면도이다. 도 7은 도 6에 도시된 III-III'을 따라 절단한 단면도이다. 도 1 내지 도 4와 동일/유사한 구성에 대해 동일 유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, 센서층(200)은 감지 영역(200A) 및 주변 영역(200N)이 정의될 수 있다. 감지 영역(200A)은 외부 입력을 감지하는 영역으로 도 3a의 액티브 영역(1000A)과 중첩할 수 있다. 주변 영역(200N)은 감지 영역(200A)을 에워싸며, 도 3a의 주변 영역(1000N)과 중첩할 수 있다. 본 실시예에서 감지 영역(200A)과 주변 영역(200N)의 경계(200BD)는 원일 수 있다.
본 발명에 따른 센서층(200)은 제1 감지 전극(210), 제2 감지 전극(220), 복수의 트래이스 배선들(231, 232, 241, 242), 센서 패드들(200PD)을 포함할 수 있다.
제1 감지 전극(210)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된다. 제1 감지 전극(210)은 복수로 구비되어 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 제1 감지 전극(210)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열된 복수의 제1 감지 패턴들(SP1) 및 제1 감지 패턴들(SP1) 사이에 배치되어 인접하는 제1 감지 패턴들(SP1)을 연결하는 제1 브릿지 패턴(BP1)을 포함한다.
제2 감지 전극(220)은 제1 감지 전극(210)과 절연되도록 배치될 수 있다. 제2 감지 전극(220)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장된다. 제2 감지 전극(220)은 복수로 구비되어 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 제2 감지 전극(220)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열된 복수의 제2 감지 패턴들(SP2) 및 제2 감지 패턴들(SP2) 사이에 배치되어 인접하는 제2 감지 패턴들(SP2)을 연결하는 제2 브릿지 패턴(BP2)을 포함한다.
센서층(200)은 제1 감지 전극(210)과 제2 감지 전극(220) 사이의 상호 정전 용량의 변화를 감지하여 외부 입력를 감지하거나, 제1 감지 전극(210)과 제2 감지 전극(220) 각각의 자기 정전 용량의 변화를 감지하여 외부 입력를 감지할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층(200)은 다양한 방식으로 외부 입력(TC)을 감지할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
트래이스 배선들(231, 232, 241, 242)은 제1 감지 전극들 중 대응되는 제1 감지 전극에 연결된 제1 트래이스 배선들(231, 232), 및 제2 감지 전극들 중 대응되는 제2 감지 전극에 연결된 제2 트래이스 배선들(241, 242)을 포함할 수 있다.
제1-1 트래이스 배선들(231)은 제1 감지 전극들 중 상단에 배치된 제1 감지 전극들의 대응되는 일단에 연결되고, 제1-2 트래이스 배선들(232)은 제1 감지 전극들 중 하단에 배치된 제1 감지 전극들의 대응되는 타단에 연결될 수 있다.
제2-1 트래이스 배선들(241)은 제2 감지 전극들 중 하단에 배치된 제2 감지 전극들의 대응되는 일단에 연결되고, 제2-2 트래이스 배선들(242)은 제2 감지 전극들 중 상단에 배치된 제2 감지 전극들의 대응되는 타단에 연결될 수 있다. 트래이스 배선들(231, 232, 241, 242)은 대응되는 센서 패드들(200PD)과 연결될 수 있다.
트래이스 배선들(231, 232, 241, 242)과 감지 전극들(210, 220)의 연결 관계는 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형상으로 연결될 수 있으며, 어느 하나로 한정되지 않는다.
도 6에는 감지 전극들(210, 220) 중 제1 감지 패턴들(SP1), 제1 브릿지 패턴(BP1), 제2 감지 패턴들(SP2), 및 제2 브릿지 패턴(BP2) 각각의 일부를 확대하여 도시하였다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 제1 감지 전극(210) 및 제2 감지 전극(220)에 포함된 구성들은, 도 3b에서 설명한 제1 도전층(202) 및 제2 도전층(204) 중 어느 하나에 포함될 수 있다.
본 발명에 따르면, 도 3b에서 설명한 제2 도전층(204)에는 제1 감지 전극(210)의 제1 감지 패턴들(SP1), 제1 브릿지 패턴(BP1), 및 제2 감지 전극(220)의 제2 감지 패턴들(SP2)을 포함할 수 있다. 제1 감지 패턴들(SP1)과 제1 브릿지 패턴(BP1)은 실질적으로 일체의 형상으로 패터닝 될 수 있다. 제1 브릿지 패턴(BP1)의 일부는 제2 브릿지 패턴(BP2)와 중첩할 수 있다.
도 3b에서 설명한 제1 도전층(202)에는 제2 감지 전극(220)의 제2 브릿지 패턴(BP2)을 포함할 수 있다.
제2 감지 패턴들(SP2)과 제2 브릿지 패턴(BP2)은 컨택홀들(CNT1, CNT2)에 의해 연결될 수 있다. 도 3b에서 설명한 제2 감지 절연층(203)에 정의된 컨택홀(CNT)은 컨택홀들(CNT1, CNT2)은 중 어느 하나와 대응될 수 있다.
트래이스 배선들(231, 232, 241, 242)은 제1 도전층(202) 및 제2 도전층(204) 중 적어도 어느 한 층에 포함될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전층(202) 및 제2 도전층(204) 중 어느 하나에 만 포함되거나, 제2 감지 절연층(203)에 정의된 컨택홀에 의해 연결되어 두 층으로 제공될 수 있으며, 어느 하나로 한정되지 않는다.
본 발명에서 제2 도전층(204)에 포함된 제1 감지 패턴들(SP1), 제1 브릿지 패턴(BP1), 및 제2 감지 패턴들(SP2)은 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)으로 이루어질 수 있다.
제1 메쉬 라인(MSL1)은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제2 메쉬 라인(MSL2)은 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2), 도 3b에서 설명한 발광 영역(PXA)과 비중첩하고, 비발광 영역(NPXA)과 중첩할 수 있다.
제1 메쉬 라인(MSL1)과 제2 메쉬 라인(MSL2)에 의해 둘러싸인 영역은 발광 영역(PXA)의 적어도 일부를 에워 쌀 수 있다. 이에 관한 설명은 후술한다.
본 발명에 따르면, 금속을 포함하는 제2 도전층(204)이 표시층(100) 상에 배치되더라도, 발광층(EL)에서 제공되는 광의 영향을 미치지 않을 수 있다. 이에 따라, 출광 효율이 향상된 전자 장치(1000)을 제공할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 영역들과 메쉬 라인들의 배치 관계를 도시한 평면도이다. 도 9은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 영역들과 메쉬 라인들의 배치 관계를 도시한 평면도이다. 도 10a는 도 9의 AA' 영역을 확대한 본 발명의 일 실시예에 따른 평면도이다. 도 10b는 도 9의 BB' 영역을 확대한 본 발명의 일 실시예에 따른 평면도이다. 도 10c는 도 9의 AA' 영역을 확대한 본 발명의 다른 실시예에 따른 평면도이다. 도 10d는 도 9의 BB' 영역을 확대한 본 발명의 다른 실시예에 따른 평면도이다. 도 1 내지 도 7에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 8 및 도 9에는 본 발명에 따른 복수의 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)과 메쉬 라인들(MSL)의 평면상에서의 배치 관계를 도시하였다.
이하, 본 명세서에서 설명될 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)과 메쉬 라인들(MSL)의 평면상에서의 배치 관계는 도 5에서 설명한 액티브 영역(1000A) 전 영역에 적용될 수 있다.
또한, 이하 본 명세서에서 설명될 메쉬 라인들(MSL)은 도 3b에서 설명한 제2 도전층(204)에 포함된 것일 수 있다. 따라서, 메쉬 라인들(MSL)은 도 6 및 도 7에서 설명한 제1 감지 패턴들(SP1), 제1 브릿지 패턴(BP1), 및 제2 감지 패턴들(SP2)에 포함된 것으로 정의될 수 있다.
도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G) 각각이 다른 광을 제공하고, 서로 다른 면적을 가질 수 있다.
본 발명에서 설명하는 평면상에서의 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)의 형상은, 도 3b에서 설명한 화소 정의막(70)의 개구부(70-OP)가 복수로 제공되고, 서로 다른 형상으로 패터닝되어 제3 방향(DR3)에서 보았을 때 시인되는 형상과 대응될 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 영역(PXA-B)은 청색광을 제공하는 영역일 수 있다. 제1 발광 영역(PXA-B)은 제1 방향(DR1)을 따라 서로 이격 배열된 제1-1 발광 영역(PXA-B1) 및 제1-2 발광 영역(PXA-B2)을 포함할 수 있다. 제1-1 발광 영역(PXA-B1)과 제1-2 발광 영역(PXA-B2)은 주변 영역(NPXA)을 사이에 두고 제1 방향(DR1)을 따라 서로 이격될 수 있다.
본 실시예에서 제1-1 발광 영역(PXA-B1)은 제1-2 발광 영역(PXA-B2)에 비해 상대적으로 큰 면적을 가질 수 있다. 따라서, 제1 방향(DR1)에서 제1-1 발광 영역(PXA-B1)의 제1 폭(WG1)은 제1-2 발광 영역(PXA-B2)의 제2 폭(WG2)에 비해 클 수 있다. 제2 방향(DR2)에서 제1-1 발광 영역(PXA-B1) 및 제1-2 발광 영역(PXA-B2)의 폭은 서로 동일할 수 있다.
제1-1 발광 영역(PXA-B1)과 제1-2 발광 영역(PXA-B2)에서 제공되는 청색광은, 도 3b에서 설명한 별도의 트랜지스터(100PC)에 연결되어 별도로 턴-온/오프 되거나, 하나의 트랜지스터(100PC)에 연결되어 동시에 턴-온/오프될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제2 발광 영역(PXA-R)은 적색광을 제공하는 영역일 수 있다. 제2 발광 영역(PXA-R)은 비발광 영역(NPXA)과 중첩하는 제1 메쉬 라인(MSL1)을 사이에 두고 제1-1 발광 영역(PXA-B1)과 제2 방향(DR2)을 따라 이격되어 배치될 수 있다.
본 실시예에서 제2 발광 영역(PXA-R)은 평면상에서 일 부분이 함몰된 'ㄷ' 형상일 수 있다. 예를 들어, 제2 발광 영역(PXA-R)은 제2 발광 영역(PXA-R)의 하부로부터 제1 방향(DR1)을 따라 일부가 함몰된 제2 발광 홈(R-H)이 정의될 수 있다.
제3 발광 영역(PXA-G)은 녹색광을 제공하는 영역일 수 있다. 제3 발광 영역(PXA-G)은 비발광 영역(NPXA)과 중첩하는 제1 메쉬 라인(MSL1)을 사이에 두고 제1-2 발광 영역(PXA-B1)과 제2 방향(DR2)을 따라 이격되어 배치될 수 있다.
본 실시예에서 제3 발광 영역(PXA-G)은 평면상에서 일 부분이 함몰된 'ㄷ' 형상일 수 있다. 예를 들어, 제3 발광 영역(PXA-G)은 제3 발광 영역(PXA-G)의 상부로부터 제1 방향(DR1)을 따라 일부가 함몰된 제3 발광 홈(G-H)이 정의될 수 있다.
본 실시예에서 제2 발광 홈(R-H)과 제3 발광 홈(G-H)은 제2 메쉬 라인(MSL2)을 사이에 두고 서로 마주할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 발광 홈(R-H)과 제3 발광 홈(G-H)은 서로 다른 방향으로 형성될 수 있으며, 각각이 제1 발광 영역(PXA-B) 향해 함몰 될 수 있다. 또한, 제2 발광 영역(PXA-R)과 제3 발광 영역(PXA-G)에서 제2 발광 홈(R-H)과 제3 발광 홈(G-H)은 생략될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
본 발명에 따른 메쉬 라인들(MSL)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장된 제2 메쉬 라인(MSL2)을 포함할 수 있다. 메쉬 라인들(MSL)이 연장된 중간에는 사용자에게 메쉬 라인들(MSL)의 패터닝된 형상이 시인되는 것을 방지하기 위해 일 영역이 컷팅 된 컷팅부(C-OP)를 포함할 수 있다.
제1 메쉬 라인(MSL1) 및 제2 메쉬 라인(MSL2)은 서로 교차 하면서 복수의 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)을 에워 싸는 내측 영역들(MOP-B, MOP-R, MOP-G)이 정의 될 수 있다.
예를 들어, 제1 내측 영역(MOP-B)은 제1 발광 영역(PXA-B)을 에워싸고, 제2 내측 영역(MOP-R)은 제2 발광 영역(PXA-R)을 에워싸고, 제3 내측 영역(MOP-G)은 제3 발광 영역(PXA-R)을 에워 쌀 수 있다.
도 9 내지 도 10b를 참조하면, 본 발명에 따른 메쉬 라인들(MSL)은 복수의 라인들이 이루는 하나의 패턴이 반복되어 형성된 것일 수 있다.
예를 들어, 제1 메쉬 라인(MSL1)의 일 부분은, 제1 라인(L1)으로 정의될 수 있다. 제2 메쉬 라인(MSL2)은 제2 내지 제4 라인들(L2, L3, L4)을 포함할 수 있다. 액티브 영역(1000A, 도 3a 참조) 내에서 메쉬 라인들(MSL)의 형상은, 제1 내지 제4 라인들(L1, L2, L3, L4)이 이루는 하나의 패턴이 제1 방향(DR1) 제2 방향(DR2)으로 배열되어 형성된 것일 수 있다.
제1 라인(L1)은 제1 방향(L1)을 따라 연장될 수 있다. 제2 라인(L2)은 제1 라인(L1)의 일측으로부터 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제3 라인(L3)은 상기 제1 라인(L1)의 일측과 대향하는 타측으로부터 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제4 라인(L4)은 제1 방향(DR1)에서 제3 라인(L3)과 이격되고 제1 라인(L1)으로부터 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다.
본 발명에 따른 메쉬 라인들(MSL)은 보강 패턴(RP-A, RP-B)을 포함할 수 있다. 보강 패턴(RP-A, RP-B)은 제2 내지 제4 라인들(L2, L3, L4) 각각이, 제1 라인(L1)과 정의하는 내측 영역들(MOP-B, MOP-R, MOP-G, 도 8 참조)에 배치되고, 내측 영역들(MOP-B, MOP-R, MOP-G) 중 대응되는 내측 영역을 정의하는 라인들로부터 돌출될 수 있다.
보강 패턴(RP-A, RP-B)은 제1 보강 패턴(RP-A) 및 제2 보강 패턴(RP-B)을 포함할 수 있다.
제1 보강 패턴(RP-A)은 제1 내지 제4 패턴(RP1 to RP4)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 패턴(RP1)은 제1 라인(L1) 및 제2 라인(L2)이 정의하는 제1 상부 내측 영역(MOP-BU)에 배치될 수 있다. 제1 패턴(RP1)은 제1 라인(L1) 및 제2 라인(L2)으로부터 제1 상부 내측 영역(MOP-BU)을 향하는 방향으로 돌출될 수 있다.
제2 패턴(RP2)은 제1 라인(L1) 및 제2 라인(L2)이 정의하는 제1 하부 내측 영역(MOP-BB)에 배치될 수 있다. 제2 패턴(RP2)은 제1 라인(L1) 및 제2 라인(L2)으로부터 제1 하부 내측 영역(MOP-BB)을 향하는 방향으로 돌출될 수 있다.
제1 상부 내측 영역(MOP-BU) 및 제1 하부 내측 영역(MOP-BB)은 청색광을 제공하는 영역으로 정의될 수 있다.
제3 패턴(RP3)은 제1 라인(L1) 및 제3 라인(L3)이 정의하는 제2 내측 영역(MOP-R) 배치될 수 있다. 제3 패턴(RP1)은 제1 라인(L1) 및 제3 라인(L3)으로부터 제2 내측 영역(MOP-R)을 향하는 방향으로 돌출될 수 있다.
제4 턴(RP4)은 제1 라인(L1) 및 제3 라인(L3)이 정의하는 제3 상부 내측 영역(MOP-GU) 배치될 수 있다. 제4 패턴(RP4)은 제1 라인(L1) 및 제3 라인(L3)으로부터 제3 상부 내측 영역(MOP-GU)을 향하는 방향으로 돌출될 수 있다.
제2 보강 패턴(RP-B)은 제5 및 제6 패턴(RP5, RP6)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제5 패턴(RP5)은 제1 라인(L1) 및 제4 라인(L4)이 정의하는 제3 하부 내측 영역(MOP-GB) 배치될 수 있다. 제4 패턴(RP4)은 제1 라인(L1) 및 제4 라인(L4)으로부터 제3 하부 내측 영역(MOP-GB)을 향하는 방향으로 돌출될 수 있다.
제3 상부 내측 영역(MOP-GU) 및 제3 하부 내측 영역(MOP-GB)은 녹색광을 제공하는 영역으로 정의될 수 있다.
제6 패턴(RP6)은 제1 라인(L1) 및 제4 라인(L4)이 정의하는 제2 내측 영역(MOP-R) 배치될 수 있다. 제4 패턴(RP4)은 제1 라인(L1) 및 제4 라인(L4)으로부터 제2 내측 영역(MOP-R)을 향하는 방향으로 돌출될 수 있다.
본 실시예에서 보강 패턴(RP-A, RP-B)이 상기 대응되는 내측 영역을 정의하는 라인들과 이루는 제1 각도(θ1)는 15도 이상 내지 35도 이하일 수 있다. 제1 각도(θ1)는 15도 미만일 경우, 마이크로미터 단위로 패터닝 되는 메쉬 라인들(MSL) 중 교차 영역에서 단선이 발생하게 되는 문제가 발행할 수 있다. 제1 각도(θ1)가 35 초과일 경우, 발광 영역에서 제공된 광과의 간섭이 일어날 수 있어 출광 효율이 감소될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 패턴(RP1)은 제1-1 부분(R1-1) 및 제1-2 부분(R1-2)을 포함할 수 있다. 제1-1 부분(R1-1) 및 제1-2 부분(R1-2)은, 제1 패턴(RP1)의 중심을 가로지르고, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 사선 방향으로 연장된 가상의 제1 연장선(X1)에 대해 대칭일 수 있다. 제3 패턴(RP3)도 동일하게 적용되어 제3-1 부분(R3-1) 및 제3-2 부분(R3-2)은 제1 연장선(X1)에 대해 대칭일 수 있다. 또한, 제6 패턴(RP6)도 동일하게 적용되어 제6-1 부분(R6-1) 및 제6-2 부분(R6-2)은 제1 연장선(X1)에 대해 대칭일 수 있다.
제2 패턴(RP2)은 제2-1 부분(R2-1) 및 제2-2 부분(R2-2)을 포함할 수 있다. 제2-1 부분(R2-1) 및 제2-2 부분(R2-2)은, 제2 패턴(RP2)의 중심을 가로지르고, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 사선 방향으로 연장된 가상의 제2 연장선(X2)에 대해 대칭일 수 있다. 제4 패턴(RP4)도 동일하게 적용되어 제4-1 부분(R4-1) 및 제4-2 부분(R4-2)은 제2 연장선(X2)에 대해 대칭일 수 있다. 또한, 제5 패턴(RP5)도 동일하게 적용되어 제5-1 부분(R5-1) 및 제5-2 부분(R5-2)은 제2 연장선(X2)에 대해 대칭일 수 있다.
본 실시예에 따르면, 보강 패턴(RP-A, RP-B) 각각의 폭은, 상기 대응되는 내측 영역을 정의하는 라인들의 교점에서 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 갈수록 좁아질 수 있다.
다시, 도 9를 참조하면, 본 발명에 따르면, 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G) 각각의 일측에서 인접한 메쉬 라인들(MSL1, MSL2)까지의 거리는 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G) 각각의 모서리에서 인접한 보강 패턴(RP-A, RP-B)까지의 거리보다 작거나 같을 수 있다.
예를 들어, 제1-1 발광 영역(PXA-B1)의 제1 측에서 제1 메쉬 라인(MLS1)까지의 제1-1 거리(WB-R)와 제1-1 발광 영역(PXA-B1)의 제2 측에서 제2 메쉬 라인(MLS2)까지의 제1-2 거리(WB-L)는, 제1-1 발광 영역(PXA-B1)의 모서리에서 제1 보강 패턴(RP-A)까지의 거리보다 작거나 같을 수 있다.
제2 발광 영역(PXA-R)의 제1 측에서 제1 메쉬 라인(MLS1)까지의 제2-1 거리(WR-R)와 제2 발광 영역(PXA-R)의 제2 측에서 제2 메쉬 라인(MLS2)까지의 제2-2 거리(WR-L)는, 제2 발광 영역(PXA-R)의 모서리에서 제1 보강 패턴(RP-A)까지의 거리보다 작거나 같을 수 있다.
제3 발광 영역(PXA-G)의 제1 측에서 제1 메쉬 라인(MLS1)까지의 제3-1 거리(WG-R)와 제3 발광 영역(PXA-G)의 제2 측에서 제2 메쉬 라인(MLS2)까지의 제3-2 거리(WG-L)는, 제3 발광 영역(PXA-G)의 모서리에서 제2 보강 패턴(RP-B)까지의 거리보다 작거나 같을 수 있다.
본 발명에 따르면, 메쉬 라인들(MSL)은 서로 교차 영역에 인접하게 배치된 보강 패턴(RP-A, RP-B)을 포함함에 따라, 강성이 보완된 센서층(200)을 제공 할 수 있다. 또한, 보강 패턴(RP-A, RP-B)이 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)과의 간섭을 최소화 하는 형상을 가짐에 따라, 출광 효율이 증대된 표시층(100)을 제공할 수 있다.
도 10c 및 도 10d를 참조하면, 본 실시예에 따른 메쉬 라인들(MSL1, MSL2)은 제1 보강 패턴(RP-A1) 및 제2 보강 패턴(RP-B1)을 포함할 수 있다. 메쉬 라인들(MSL1, MSL2)에 포함된 제1 내지 제4 라인들(L1 to L4) 및 내측 영역들에 관한 설명은 도 10a 및 10b와 동일하게 적용될 수 있다.
본 실시예에 따른 보강 패턴(RP-A1, RP-B1) 중 대응되는 내측 영역과 마주하는 보강 패턴(RP-A1, RP-B1) 부분은 곡률을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 패턴(RP1) 중 제1 상부 내측 영역(MOP-BU)과 마주하는 제1 패턴(RP1) 부분, 제2 패턴(RP2) 중 제1 하부 내측 영역(MOP-BB)과 마주하는 제2 패턴(RP2) 부분, 제3 패턴(RP3) 중 제2 내측 영역(MOP-R)과 마주하는 제3 패턴(RP3) 부분, 제4 패턴(RP4) 중 제3 상부 내측 영역(MOP-GU)과 마주하는 제4 패턴(RP4)은, 소정의 곡률을 가질 수 있다.
또한, 제5 패턴(RP5) 중 제2 내측 영역(MOP-R)과 마주하는 제5 패턴(RP5) 부분, 제6 패턴(RP6) 중 제3 하부 내측 영역(MOP-GB)과 마주하는 제6 패턴(RP6)은, 소정의 곡률을 가질 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 영역들과 메쉬 라인들의 배치 관계를 도시한 평면도이다. 도 12a는 도 11의 CC' 영역을 확대한 본 발명의 일 실시예에 따른 평면도이다. 도 12b는 도 11의 DD' 영역을 확대한 본 발명의 일 실시예에 따른 평면도이다.
도 11에는 본 발명에 따른 복수의 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G), 제2 도전층(204, 도 3b 참조)에 포함된 메쉬 라인들(MSL) 및 제1 도전층(202, 도 3b 참조)에 포함된 제2 브릿지 패턴(BP-A)의 평면상에서의 배치 관계를 도시하였다. 브릿지 패턴(BP-A)은 도 7 및 도 8에서 설명한 제2 브릿지 패턴(BP2)에 적용될 수 있다.
도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 브릿지 패턴(BP-A)은 컨택홀들(CNT1, CNT2)을 통해 메쉬 라인들(MSL1, MSL2)과 연결될 수 있다. 본 발명에서 설명될 컨택홀들에 관한 실시예는 도 3b에서 설명한 제2 감지 절연층(203)의 컨택홀(CNT)과 대응될 수 있다.
브릿지 패턴(BP-A)은 메쉬 라인들(MSL1, MSL2)과 중첩하게 연장될 수 있다. 도 12a 및 도 12b를 참조하면, 본 실시예에 따른 브릿지 패턴(BP-A)은 도 10a 및 도 10b에서 설명한 보강 패턴(RP-A, RP-B)과 적어도 일부가 중첩하는 추가 보강 패턴(LP-A, LP-B, LP-C)을 포함할 수 있다.
본 실시예서, 제1 추가 보강 패턴(LP-A)은 제1 추가 패턴(LP1) 및 제2 추가 패턴(LP2)을 포함할 수 있다. 제1 추가 패턴(LP1) 및 제2 추가 패턴(LP2)은 도 10a에서 설명한 제1 패턴(RP1) 및 제2 패턴(RP2)과 동일한 형상을 가질 수 있다.
제2 추가 보강 패턴(LP-B)은 제3 추가 패턴(LP3) 및 제4 추가 패턴(LP4)을 포함할 수 있다. 제3 추가 패턴(LP3) 및 제4 추가 패턴(LP4)이 제1 메쉬 라인(MSL1)과 제2 메쉬 라인(MSL2)과 평면상에서 이루는 제2 각도(θ2)는 45도일 수 있다.
제3 추가 보강 패턴(LP-C)은 제5 추가 패턴(LP5) 및 제6 추가 패턴(LP5)을 포함할 수 있다. 제5 추가 패턴(LP5) 및 제6 추가 패턴(LP5)이 제1 메쉬 라인(MSL1)과 제2 메쉬 라인(MSL2)과 평면상에서 이루는 제3 각도(θ3)는 45도일 수 있다.
본 실시예에서, 제1 추가 보강 패턴(LP-A)은 도 8에서 설명한 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G) 중 청색광을 제공하는 제1 발광 영역(PXA-B)을 향하도록 돌출될 수 있다. 제2 추가 보강 패턴(LP-B) 및 제3 추가 보강 패턴(LP-C)은 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G) 중 적색광 및 녹색광을 제공하는 제2 및 제3 발광 영역들(PXA-R, PXA-G)을 향하도록 돌출될 수 있다.
도 11 내지 도 12b에 도시된 것과 같이, 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제1 메쉬 라인(MSL1)의 중심을 가로지르는 가상의 제1 중심선(M1-C)이 정의될 수 있다. 또한, 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 제2 메쉬 라인(MSL2)의 중심을 가로지르는 가상의 제2 중심선(M2-C)이 정의될 수 있다. 제2 중심선(M2-C)을 기준으로 제1 부분(MW1)과 제2 부분(MW2)의 제1 방향(DR1)에서의 폭은 동일할 수 있다.
제1 중심선(M1-C)과 제2 중심선(M2-C)의 교점은 메쉬 중심점(MSL-P)로 정의될 수 있다.
본 실시예에 따른 컨택홀들(CNT1, CNT2)의 컨택홀 중심점(CNT-P)은 추가 보강 패턴들 중 상대적으로 넓은 면적을 가진 추가 보강 패턴들(LP-B, LP-C) 쪽으로 쉬프트 될 수 있다. 따라서, 컨택홀들(CNT1, CNT2) 각각의 컨택홀 중심점(CNT-P)은 대응되는 제1 메쉬 라인(MSL1)을 기준으로 메쉬 중심점(MSL-P)에서 제2 중심선(M2-C)을 따라 제2 방향(DR2)으로 이동될 수 있다.
본 실시예에서 컨택홀들(CNT1, CNT2) 각각은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 정의된 평면에 대해 마름모 형상일 수 있다.
본 실시예에 따르면, 컨택홀들(CNT1, CNT2)을 추가 보강 패턴들 중 상대적으로 넓은 면적을 가진 추가 보강 패턴들(LP-B, LP-C)과 중첩하게 형성함에 따라, miss-align되는 문제를 개선할 수 있다. 이에 따라, 센서 패턴들과 브릿지 패턴간의 접촉 불량을 방지할 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 영역들과 메쉬 라인들의 배치 관계를 도시한 평면도이다. 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 영역들과 메쉬 라인들의 배치 관계를 도시한 평면도이다. 도 11 내지 도 12b와 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 13을 참조하면, 브릿지 패턴(BP-B)은 메쉬 라인들(MSL1, MSL2)과 중첩하게 연장될 수 있다. 본 실시예에 따른 브릿지 패턴(BP-B)은 도 12a 및 도 12b에서 설명한 제2 추가 보강 패턴(LP-B) 및 제3 추가 보강 패턴(LP-C)과 대응되는 추가 보강 패턴을 포함할 수 있다. 따라서, 브릿지 패턴(BP-B)에 포함된 추가 보강 패턴이 제1 메쉬 라인(MSL1)과 제2 메쉬 라인(MSL2)과 평면상에서 이루는 각도가 45도일 수 있다.
본 실시예에서 컨택홀들(CNT-A, CNT-B) 각각의 중심점은 브릿지 패턴(BP-B) 내에서 서로 다르게 정의될 수 있다.
예를 들어, 제1 컨택홀(CNT-A)의 컨택홀 중심점(CNT-PA)은 제1 중심선(M1-C)과 제2 중심선(M2-C)이 교차하는 메쉬 중심점(MSL-P, 도 11 참조)과 중첩할 수 있다. 제1 중심선(M1-C)에 의해 구분되는 제1 메쉬 라인(MSL1)의 제1 부분(MW3)과 제2 부분(MW4)의 제2 방향(DR2)에서의 폭은 서로 동일할 수 있다.
제1 컨택홀(CNT-A)이 형성되는 브릿지 패턴(BP-B) 영영은, 메쉬 라인들(MSL1, MSL2)과 45도를 이루는 추가 보강 패턴이 네 영역에 배치됨에 따라, 제1 컨택홀(CNT-A)이 메쉬 중심점(MSL-P)에 형성되어도 컨택 불량이 발생하지 않을 수 있다.
제2 컨택홀(CNT-B)의 컨택홀 중심점(CNT-PB)은 브릿지 패턴(BP-B)의 추가 보강 패턴이 형성된 쪽으로 쉬프트 될 수 있다. 따라서, 컨택홀 중심점(CNT-PB)은 대응되는 제1 메쉬 라인(MSL1)을 기준으로 메쉬 중심점(MSL-P)에서 제2 중심선(M2-C)을 따라 제2 방향(DR2)으로 이동될 수 있다.
도 14을 참조하면, 브릿지 패턴(BP-C)은 메쉬 라인들(MSL1, MSL2)과 중첩하게 연장될 수 있다. 본 실시예에 따른 브릿지 패턴(BP-C)은 도 12a에서 설명한 제1 추가 보강 패턴(LP-A)과 대응되는 추가 보강 패턴을 포함할 수 있다. 따라서, 브릿지 패턴(BP-C)에 포함된 추가 보강 패턴이 제1 메쉬 라인(MSL1)과 제2 메쉬 라인(MSL2)과 평면상에서 이루는 각도가 15도 이상 내지 35도 이하일 수 있다.
본 실시예에서 컨택홀들(CNT-C)의 컨택홀 중심점(CNT-CP)은 메쉬 중심점(MSL-P, 도 11 참조)과 중첩할 수 있다. 본 실시예에서 도 10b과 같이 메쉬 라인들(MSL) 중 3개의 교차로만 형성하는 구간의 경우, 컨택홀이 생략될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
1000: 전자 장치
1000WA: 웨어러블 장치
100: 표시층
200: 센서층
210: 제1 감지 전극
220: 제2 감지 전극
SP1: 제1 센서 패턴들
SP2: 제2 센서 패턴들
BP1: 제1 브릿지 패턴
BP2: 제2 브릿지 패턴
MSL: 메쉬 라인들
RP: 보강 패턴
LP: 추가 보강 패턴

Claims (20)

  1. 서로 다른 광을 제공하는 복수의 발광 영역들 및 상기 발광 영역들과 인접한 비발광 영역을 포함한 표시층; 및
    상기 표시층 상에 배치된 제1 감지 절연층, 상기 제1 감지 절연층 상에 배치된 제1 도전층, 상기 제1 감지 절연층 상에 배치되어 상기 제1 도전층을 커버하는 제2 감지 절연층, 및 상기 제2 감지 절연층 상에 배치되고 서로 교차하는 제1 방향 및 제2 방향을 따라 연장된 메쉬 라인들로 구성된 제2 도전층을 포함하는 센서층을 포함하고,
    상기 메쉬 라인들은,
    제1 방향으로 연장된 제1 라인;
    상기 제1 라인의 일측으로부터, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 라인;
    상기 제1 라인의 상기 일측과 대향하는 타측으로부터, 상기 제2 방향으로 연장된 제3 라인;
    상기 제1 방향에서 상기 제3 라인과 이격되고, 상기 제1 라인으로부터 상기 제2 방향으로 연장된 제4 라인; 및
    상기 제2 라인, 상기 제3 라인, 및 상기 제4 라인 각각이, 상기 제1 라인과 정의하는 내측 영역들에 배치되고, 상기 내측 영역들 중 대응되는 내측 영역을 정의하는 라인들로부터 돌출된 보강 패턴을 포함하는 전자 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 내측 영역을 정의하는 상기 라인들과 상기 보강 패턴 사이의 각도는,
    15도 이상 내지 내지 35도 이하인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 보강 패턴은,
    상기 보강 패턴의 중심을 가로지르고, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향 각각의 사선 방향으로 연장된 가상의 연장선에 대해 대칭인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 보강 패턴 중,
    상기 내측 영역과 마주하는 보강 패턴 부분은,
    소정의 곡률을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 보강 패턴의 폭은,
    상기 내측 영역을 정의하는 상기 라인들의 교점에서 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 갈수록 좁아지는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 발광 영역들은,
    상기 제1 라인을 기준으로 좌측에 배치되고, 제1 컬러를 제공하는 제1 발광 영역,
    상기 제1 라인을 기준으로 우측 및 상기 제4 라인을 기준으로 상측에 배치되고, 제2 컬러를 제공하는 제2 발광 영역, 및
    상기 제1 라인을 기준으로 우측, 및 상기 제4 라인을 기준으로 하측에 배치되고, 제3 컬러를 제공하는 제3 발광 영역을 포함하고,
    상기 제1 발광 영역은,
    상기 제1 방향을 따라 상기 비발광 영역을 사이에 두고 서로 이격되고 서로 다른 면적을 가진 제1-1 발광 영역 및 제1-2 발광 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    평면상에서,
    상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각의 일측에서 인접한 상기 메쉬 라인들까지 거리는,
    상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각의 모서리에서 인접한 보강 패턴까지의 거리보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 발광 영역 및 상기 제3 발광 영역 중 적어도 어느 하나는,
    평면상에서 일 부분이 함몰된 발광 홈이 정의된 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 센서층은,
    복수로 제공되어 상기 제1 방향으로 배열되고, 각각이 상기 제2 방향으로 배열된 제1 감지 패턴들 및 상기 제1 감지 패턴들 사이에 배치된 제1 브릿지 패턴을 포함하는 제1 감지 전극들; 및
    상기 제1 감지 전극들과 절연되고, 복수로 제공되어 상기 제2 방향으로 배열되고, 각각이 상기 제1 방향으로 배열된 제2 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 사이에 배치된 제2 브릿지 패턴을 포함하는 제2 감지 전극들을 포함하고,
    상기 제2 도전층은,
    상기 제1 감지 패턴들, 및 제1 브릿지 패턴, 및 상기 제2 감지 패턴들을 포함하고,
    상기 제1 도전층은,
    상기 제2 브릿지 패턴을 포함하고,
    상기 제2 감지 절연층은, 상기 제2 브릿지 패턴과 중첩하는 컨택홀들이 정의되고,
    상기 제2 감지 패턴들은,
    상기 컨택홀들을 통해 상기 제2 브릿지 패턴과 연결되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제2 브릿지 패턴은,
    상기 보강 패턴과 적어도 일부가 중첩하는 추가 보강 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 라인의 중심을 가로 지르는 가상의 제1 중심선이 정의되고,
    상기 컨택홀들 각각의 중심은,
    상기 제1 중심선으로부터 상기 제2 방향으로 이격되어 대응되는 제3 라인 및 제4 라인에 중첩하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 추가 보강 패턴은,
    평면상에서,
    상기 내측 영역을 정의하는 상기 라인들과 이루는 각도가 45도인 제1 추가 패턴, 및
    상기 내측 영역을 정의하는 상기 라인들과 이루는 각도가 15도 이상 내지 내지 35도 이하인 제2 추가 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 추가 패턴은,
    상기 제2 추가 패턴의 중심을 가로지르고, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향 각각의 사선 방향으로 연장된 가상의 연장선에 대해 대칭인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 추가 패턴 중,
    상기 내측 영역과 마주하는 제2 추가 패턴 부분은,
    소정의 곡률을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  15. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 라인의 중심을 가로 지르는 가상의 제1 중심선이 정의되고,
    상기 컨택홀들은,
    상기 제3 라인과 인접하고, 중심이 상기 제1 중심선 상에 배치된 제1 컨택홀, 및
    상기 제4 라인과 인접하고, 중심이 상기 제1 중심선으로부터 이격되어 제4 라인과 중첩하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 추가 보강 패턴은,
    평면상에서,
    상기 내측 영역을 정의하는 상기 라인들과 이루는 각도가 45도인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  17. 제10 항에 있어서,
    상기 추가 보강 패턴은,
    상기 보강 패턴과 동일 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 라인의 중심을 가로 지르는 가상의 제1 중심선이 정의되고,
    상기 컨택홀들 각각의 중심은,
    상기 제1 중심선 상에 중첩하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  19. 제9 항에 있어서,
    상기 컨택홀들 각각은,
    상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 정의된 평면에 대해 마름모 형상인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  20. 제1 항에 있어서,
    상기 표시층은,
    트랜지스터를 포함하는 회로층;
    상기 트랜지스터와 연결된 제1 전극, 상기 제1 전극을 노출시키고 상기 발광 영역들 중 대응되는 발광 영역을 정의하는 개구부를 포함하는 화소 정의막, 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층, 및 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 발광 소자층; 및
    상기 발광 소자층을 커버하고, 복수의 무기층 및 유기층 교번 적층된 봉지층을 포함하고,
    상기 센서층은,
    상기 봉지층 상에 직접 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
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