KR20220086469A - Storage device, exposure apparatus and method of manufacturing article - Google Patents

Storage device, exposure apparatus and method of manufacturing article Download PDF

Info

Publication number
KR20220086469A
KR20220086469A KR1020210135447A KR20210135447A KR20220086469A KR 20220086469 A KR20220086469 A KR 20220086469A KR 1020210135447 A KR1020210135447 A KR 1020210135447A KR 20210135447 A KR20210135447 A KR 20210135447A KR 20220086469 A KR20220086469 A KR 20220086469A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
supply unit
airflow
gas
air flow
storage device
Prior art date
Application number
KR1020210135447A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
코헤이 후지노
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20220086469A publication Critical patent/KR20220086469A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/70741Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Library & Information Science (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

패턴이 형성된 패턴면을 포함하는 원판을 수납하는 수납장치로서, 상기 원판의 상기 패턴면과는 반대측의 제1면을 따른 제1기류, 및, 상기 패턴면으로부터 이격되어 설치되고 상기 패턴면을 보호하는 보호부재의 상기 패턴면의 측과는 반대측의 제2면을 따른 제2기류의 적어도 한쪽의 기류가 형성되도록, 기체를 불어내서 공급하는 제1공급부와, 상기 제1공급부에 의해 형성된 상기 적어도 한쪽의 기류에 간섭하는 제3기류가 형성되도록, 기체를 불어내서 공급하는 제2공급부와, 상기 제2공급부로부터 불어내지는 기체의 분출 방향에 교차하고, 상기 제2공급부에 의해 형성된 상기 제3기류를 받기 위한 수취면을 포함하는 부재를 갖고, 상기 제1공급부는, 상기 원판을 반송하기 위한 반송구를 기준으로 하여 상기 원판을 수납하는 수납 공간의 안쪽에 배치되고, 상기 제2공급부는, 상기 반송구를 기준으로 하여 상기 수납 공간의 전방측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 수납장치를 제공한다. A storage device for accommodating a circular plate including a patterned surface on which a pattern is formed, a first air flow along a first surface opposite to the patterned surface of the original plate, and installed spaced apart from the patterned surface to protect the patterned surface a first supply unit for blowing and supplying gas so that at least one air flow of a second air flow along a second surface opposite to the side of the pattern surface of the protective member is formed, and the at least one formed by the first supply unit a second supply unit for blowing and supplying gas so as to form a third airflow that interferes with one airflow; has a member including a receiving surface for receiving, wherein the first supply unit is disposed inside a receiving space for accommodating the original plate with reference to a transport port for transporting the original plate, and the second supply unit includes: It provides a storage device, characterized in that it is disposed on the front side of the storage space with respect to the transfer port.

Description

수납장치, 노광장치 및 물품의 제조방법{STORAGE DEVICE, EXPOSURE APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}Storage device, exposure device and manufacturing method of articles {STORAGE DEVICE, EXPOSURE APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}

본 발명은, 수납장치, 노광장치 및 물품의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a storage device, an exposure device, and a method for manufacturing an article.

반도체 소자나 액정 표시 소자의 제조공정(리소그래피 공정)에서는, 원판(마스크 또는 레티클)의 패턴을, 레지스트 재가 배치된 기판(웨이퍼)에 투영해서 기판 위에 패턴을 전사(형성)하는 노광장치가 사용되고 있다. 노광장치에서는, 원판의 패턴을 기판 위에 투영할 때, 즉, 기판의 노광시에, 원판 위에 이물질 등이 존재하고 있으면, 이러한 이물질이 패턴과 함께 기판 위에 전사되어 결함(불량)의 원인이 된다. In the manufacturing process (lithography process) of a semiconductor element or liquid crystal display element, an exposure apparatus that projects a pattern of an original plate (mask or reticle) onto a substrate (wafer) on which a resist material is disposed, and transfers (forms) the pattern onto the substrate is used. . In the exposure apparatus, when the pattern of the original plate is projected onto the substrate, that is, during exposure of the substrate, if foreign materials or the like are present on the original plate, these foreign substances are transferred together with the pattern onto the substrate, causing defects (defects).

따라서, 원판에는, 일반적으로, 원판의 패턴면(패턴이 형성되어 있는 면)에 이물질이 부착되는 것을 방지하기 위해, 펠리클로 불리는 보호부재가 설치되어 있다. 펠리클에는, 예를 들면, 합성 수지로 이루어진 막 형상의 것이 있다. 펠리클은, 펠리클 지지 프레임을 거쳐, 원판의 패턴면으로부터 소정의 거리만큼 오프셋하여 지지되어 있다. 이에 따라, 이물질은, 원판의 패턴면으로부터 소정의 거리만큼 오프셋된 펠리클 막에 부착되기 때문에, 노광시에 기판 위에서 초점을 맺지 않고, 조도 불균일로서 나타나는 것에 지나지 않는다. 이와 같이, 원판에 펠리클을 설치함으로써, 노광시에 있어서의 이물질의 영향을 저감할 수 있다. Therefore, in general, the original plate is provided with a protective member called a pellicle in order to prevent foreign matter from adhering to the pattern surface (the surface on which the pattern is formed) of the original plate. The pellicle has, for example, a film-like one made of a synthetic resin. The pellicle is supported by being offset by a predetermined distance from the pattern surface of the original plate via the pellicle support frame. Accordingly, since the foreign material adheres to the pellicle film offset by a predetermined distance from the pattern surface of the original plate, it does not focus on the substrate during exposure and only appears as illuminance unevenness. In this way, by providing the pellicle on the original plate, the influence of foreign substances during exposure can be reduced.

또한, 노광장치에서는, 반도체 소자의 미세화에 대응해서 고해상도를 실현하기 위해, 노광 파장의 단파장화가 진행되고 있다. 현재에서, 노광 파장은, KrF 엑시머 레이저의 248nm나 진공 자외 영역에 속하는 ArF 엑시머 레이저의 193nm이 주류로 되어 있지만, ArF 엑시머 레이저와 같은 단파장(고에너지)을 광원으로 하는 노광장치에서는, 원판의 흐림이 문제가 된다. 구체적으로는, 우선, 원판의 표면이나 분위기 중에 존재하는 산과 염기의 반응, 혹은, 유기 불순물의 광화학 반응에 기인하여, 원판에 흐림의 씨앗이 되는 물질이 형성된다. 그리고, 수분의 개재와 자외선의 조사(노광의 에너지)에 의해 흐림의 씨앗이 응집하여, 결함의 원인이 되는 사이즈의 흐림으로 성장한다. Further, in exposure apparatuses, in order to realize high resolution in response to miniaturization of semiconductor elements, shorter exposure wavelengths are progressing. At present, the exposure wavelength is mainly 248 nm for KrF excimer laser and 193 nm for ArF excimer laser belonging to the vacuum ultraviolet region. This becomes a problem. Specifically, first, due to a reaction between an acid and a base existing on the surface or in the atmosphere of the original plate, or a photochemical reaction of organic impurities, a substance serving as a cloudiness seed is formed on the original plate. Then, the seeds of cloudiness are aggregated by the interposition of moisture and irradiation of ultraviolet rays (energy of exposure), and they grow into clouds of a size that causes defects.

원판의 흐림에 대해서는, 원판의 보관 환경 및 반송 환경으로부터, 흐림의 원인 물질인 휘발성 불순물(주로, SOx, NH3, 유기물)이나 흐림의 생성 물질인 수분을 제거(저습도화)하는 것이, 원판의 흐림을 포괄적으로 억제하는 효과적인 대책으로 되고 있다. 이러한 대책의 일례로서, 원판의 주위 환경에 클린 드라이 에어(CDA) 등의 가스를 공급해서 가스 퍼지한다, 즉, 원판의 주위 환경을 퍼지 가스로 치환하는 기술이 일본국 특개평 11-249286호 공보와 일본국 특허 제4585514호 공보에 제안되어 있다.Regarding cloudiness of the original plate, from the storage environment and transport environment of the original plate, volatile impurities (mainly SO x , NH 3 , organic matter) that are the cause of clouding and moisture, which is a product of cloudiness (low humidity), are removed (low humidity) of the original plate. It has become an effective measure to comprehensively suppress the cloudiness of As an example of such a countermeasure, a technology for gas purging by supplying a gas such as clean dry air (CDA) to the surrounding environment of the original plate, that is, replacing the surrounding environment of the original plate with a purge gas, is disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 11-249286. and Japanese Patent No. 4585514.

또한, 원판의 흐림은, 펠리클 막 내에 존재하는 수분에 의해서도 형성된다. 단, 펠리클 막 내부가 저습도 환경에 노출되어도, 펠리클 막 내부가 저습도로 치환될 때까지는 시간을 필요로 한다. 따라서, 원판의 보관고 등의 보관 환경을 가스 퍼지하는 것은, 펠리클 막 내의 저습도화에 유효하여, 원판의 흐림을 억제하는데 효과적이다. In addition, the cloudiness of the original plate is also formed by moisture present in the pellicle film. However, even when the inside of the pellicle membrane is exposed to a low humidity environment, it takes time until the inside of the pellicle membrane is replaced with low humidity. Therefore, gas purge of the storage environment such as the storage of the original plate is effective for reducing the humidity in the pellicle film, and is effective for suppressing cloudiness of the original plate.

그렇지만, 종래기술에서는, 원판의 보관 환경 등의 주위 환경을 저습도화하기 위해, 대량(대유량)의 퍼지 가스가 필요하게 된다고 하는 과제가 있다. However, in the prior art, there is a problem that a large amount (large flow rate) of purge gas is required in order to reduce the humidity of the surrounding environment such as the storage environment of the original plate.

본 발명은, 원판의 수납 공간을 저습도화하는데 유리한 수납장치를 제공한다. The present invention provides a storage device advantageous for reducing the humidity of the storage space of the original plate.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일측면으로서의 수납장치는, 패턴이 형성된 패턴면을 포함하는 원판을 수납하는 수납장치로서, 상기 원판의 상기 패턴면과는 반대측의 제1면을 따른 제1기류, 및, 상기 패턴면으로부터 이격되어 설치되고 상기 패턴면을 보호하는 보호부재의 상기 패턴면의 측과는 반대측의 제2면을 따른 제2기류의 적어도 한쪽의 기류가 형성되도록, 기체를 불어내서 공급하는 제1공급부와, 상기 제1공급부에 의해 형성된 상기 적어도 한쪽의 기류에 간섭하는 제3기류가 형성되도록, 기체를 불어내서 공급하는 제2공급부와, 상기 제2공급부로부터 불어내지는 기체의 분출 방향에 교차하고, 상기 제2공급부에 의해 형성된 상기 제3기류를 받기 위한 수취면을 포함하는 부재를 갖고, 상기 제1공급부는, 상기 원판을 반송하기 위한 반송구를 기준으로 하여 상기 원판을 수납하는 수납 공간의 안쪽에 배치되고, 상기 제2공급부는, 상기 반송구를 기준으로 하여 상기 수납 공간의 전방측에 배치되어 있는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, an accommodating device as an aspect of the present invention is a accommodating device for accommodating an original plate including a patterned surface on which a pattern is formed, and a first airflow along a first surface opposite to the patterned surface of the original plate. , and blowing the gas so that at least one air flow of the second air flow along the second surface opposite to the pattern surface side of the protective member installed spaced apart from the pattern surface and protecting the pattern surface is formed. A first supply unit for supplying, a second supply unit for blowing and supplying gas so that a third airflow interfering with the at least one airflow formed by the first supply unit is formed, and blowing out of the gas from the second supply unit a member intersecting the direction and including a receiving surface for receiving the third airflow formed by the second supply unit, wherein the first supply unit receives the original plate with reference to a conveying port for transporting the original plate is disposed inside the storage space, and the second supply unit is disposed on the front side of the storage space with respect to the transport port.

본 발명이 또 다른 목적 또는 다른 측면은, 이하, 첨부도면을 참조해서 설명되는 실시형태에 의해 명확해질 것이다. Another object or other aspect of the present invention will become apparent from the embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따르면, 예를 들면, 원판의 수납 공간을 저습도화하는데 유리한 수납장치를 제공할 수 있다. According to the present invention, for example, it is possible to provide a storage device advantageous for reducing the humidity of the storage space of the original plate.

도1은, 본 발명의 제1실시형태에 있어서의 수납장치의 구성을 도시한 개략도다.
도2는, 제1기류의 유량과, 제2기류의 유량과, 제3기류의 유량의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도3은, 본 발명의 제1실시형태에 있어서의 수납장치의 구성을 도시한 개략도다.
도4는, 본 발명의 제1실시형태에 있어서의 수납장치의 구성을 도시한 개략도다.
도5는, 본 발명의 제1실시형태에 있어서의 수납장치의 구성을 도시한 개략도다.
도6은, 본 발명의 제1실시형태에 있어서의 수납장치의 구성을 도시한 개략도다.
도7a 및 도7b는, 본 발명의 제2실시형태에 있어서의 수납장치의 구성을 도시한 개략도다.
도8은, 본 발명의 제3실시형태에 있어서의 수납장치의 구성을 도시한 개략도다.
도9는, 본 발명의 제4실시형태에 있어서의 수납장치의 구성을 도시한 개략도다.
도10은, 본 발명의 일측면으로서의 노광장치의 구성을 도시한 개략도다.
도11은, 종래기술에 있어서의 수납장치의 구성을 도시한 개략도다.
도12는, 종래기술에 있어서의 수납장치의 구성을 도시한 개략도다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a storage device according to a first embodiment of the present invention.
It is a figure for demonstrating the relationship between the flow volume of a 1st airflow, the flow volume of a 2nd airflow, and the flow volume of a 3rd airflow.
Fig. 3 is a schematic diagram showing the configuration of a storage device according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 4 is a schematic diagram showing the configuration of a storage device according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 5 is a schematic diagram showing the configuration of a storage device according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 6 is a schematic diagram showing the configuration of a storage device according to the first embodiment of the present invention.
7A and 7B are schematic diagrams showing the configuration of a storage device according to a second embodiment of the present invention.
Fig. 8 is a schematic diagram showing the configuration of a storage device according to a third embodiment of the present invention.
Fig. 9 is a schematic diagram showing the configuration of a storage device according to a fourth embodiment of the present invention.
Fig. 10 is a schematic diagram showing the configuration of an exposure apparatus as an aspect of the present invention.
Fig. 11 is a schematic diagram showing the configuration of a storage device in the prior art.
Fig. 12 is a schematic diagram showing the configuration of a storage device in the prior art.

이하, 첨부도면을 참조해서 실시형태를 상세히 설명한다. 이때, 이하의 실시형태는 청구범위에 관한 발명을 한정하는 것은 아니다. 실시형태에는 복수의 특징이 기재되어 있지만, 이들 복수의 특징의 전부가 발명에 필수적인 것인 것은 아니며, 또한, 복수의 특징은 임의로 조합되어도 된다. 또한, 첨부도면에 있어서는, 동일 혹은 유사한 구성에 동일한 참조번호를 붙이고, 중복한 설명은 생략한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. At this time, the following embodiment does not limit the invention concerning a claim. Although the plurality of features are described in the embodiment, not all of these plurality of features are essential to the invention, and the plurality of features may be arbitrarily combined. In addition, in the accompanying drawings, the same reference numerals are attached to the same or similar components, and repeated descriptions are omitted.

우선, 본 실시형태를 설명하기 전에, 원판을 수납(보관)하는 수납장치(보관 고)에 관한 종래기술에 대해 설명한다. First, before explaining this embodiment, the prior art regarding the storage device (storage storage) which accommodates (stores) an original plate is demonstrated.

도11은, 특허문헌 1에 개시되어 있는 수납장치(1000)의 구성을 도시한 개략도다. 수납장치(1000)는, 패턴이 형성된 패턴면을 포함하는 원판(91)을 수납하는 수납 공간(원판(91)의 주위 환경)을 일방향으로부터 가스 퍼지하고 있다. 구체적으로는, 공급부(94)가, 원판(91)의 패턴면과는 반대측의 이면(92)의 주위와 원판(91)의 패턴면을 보호하는 보호부재(펠리클)의 보호면(93)의 주위에, 노즐을 거쳐 기체(95)(저습도 가스)를 흘림으로써, 수납 공간의 가스 퍼지가 행해지고 있다. 이와 같이, 원판(91)의 수납 공간을 일방향으로부터 가스 퍼지하면, 도11에 나타낸 것과 같이, 원판(91)에 대해 하류측에서 소용돌이(96)가 발생하여, 원판(91)의 주위의 고습도 분위기를 말려들게 하기 때문에, 수납 공간을 저습도화할 수 없다고 하는 과제가 있다. 11 is a schematic diagram showing the configuration of the storage device 1000 disclosed in Patent Document 1. As shown in FIG. The storage device 1000 gas purges from one direction the storage space (environmental environment of the original plate 91) accommodating the original plate 91 including the patterned surface on which the pattern is formed. Specifically, the supply unit 94 is a protective surface 93 of a protective member (pellicle) that protects the periphery of the back surface 92 on the opposite side to the pattern surface of the original plate 91 and the pattern surface of the original plate 91. Gas purging of the storage space is performed by flowing the gas 95 (low-humidity gas) through a nozzle around the periphery. In this way, when the storage space of the disk 91 is purged with gas from one direction, as shown in FIG. 11 , a vortex 96 is generated on the downstream side with respect to the disk 91, and a high-humidity atmosphere around the disk 91 is generated. In order to entrain the , there is a problem that the storage space cannot be made low in humidity.

도12는, 특허문헌 2에 개시되어 있는 수납장치(2000)의 구성을 도시한 개략도다. 수납장치(2000)는, 패턴이 형성된 패턴면을 포함하는 원판(101)을 수납하는 수납 공간(110)을 가스 퍼지하고 있다. 구체적으로는, 수납장치(2000)에서는, 원판(101)의 수납 공간(110)의 개구측으로부터 내측을 향해서 기체 104(저습도 가스)를 흘리고, 이러한 기체 104는, 수납 공간(110)(의 내측)을 퍼지하고나서 개구측으로 흐른다. 이때, 기체 104), 원판(101)의 패턴면과는 반대측의 이면(102)의 주위와 원판(101)의 패턴면을 보호하는 보호부재(펠리클)의 보호면(103)의 주위를 흐른다. 이때, 도12에서는, 원판(101)의 수납 공간(110)의 내측으로부터 개구측으로 흐르는 기체 104의 흐름을 나타내고 있다. 또한, 수납장치(2000)에는, 원판(101)의 수납 공간(110)의 개구측(원판(101)에 대해 하류측)의 윗쪽에, 아래쪽을 향해, 노즐을 거쳐 기체 106(저습도 가스)을 불어내서 에어 커튼을 형성하는 공급부(105)가 설치되어 있다 또한, 수납장치(2000)에는, 원판(101)의 수납 공간(110)을 규정하는 챔버(108)에 설치된 개구를 닫아, 수납 공간(110)을 밀폐 공간으로 하는 개폐 기구(109)가 설치되어 있다. Fig. 12 is a schematic diagram showing the configuration of a storage device 2000 disclosed in Patent Document 2; The accommodating device 2000 gas purges the accommodating space 110 accommodating the disk 101 including the patterned surface on which the pattern is formed. Specifically, in the storage device 2000, the gas 104 (low-humidity gas) flows from the opening side of the storage space 110 of the disk 101 toward the inside, and the gas 104 is in the storage space 110 (of After purging the inner side), it flows to the opening side. At this time, the base 104 flows around the back surface 102 on the opposite side to the pattern surface of the original plate 101 and around the protective surface 103 of the protective member (pellicle) that protects the pattern surface of the original plate 101 . At this time, FIG. 12 shows the flow of the gas 104 flowing from the inside of the storage space 110 of the disk 101 to the opening side. Further, in the storage device 2000, the gas 106 (low-humidity gas) is provided in the upper side of the opening side (downstream side with respect to the disk 101) of the storage space 110 of the disk 101, downward, through the nozzle. A supply unit 105 for blowing air to form an air curtain is provided. Further, in the storage device 2000, an opening provided in the chamber 108 defining the storage space 110 of the disk 101 is closed, so that the storage space An opening/closing mechanism 109 having 110 as an enclosed space is provided.

이러한 수납장치(2000)에서는, 개폐 기구(109)에 의해 수납 공간(110)을 밀폐 공간으로 해서 가스 퍼지하지 않는 경우, 원판(101)에 대해 하류측에서 소용돌이(107)가 발생하여, 원판(101)의 주위의 고습도 분위기를 말려들게 하기 때문에, 수납 공간(110)을 저습도화할 수 없다. 원판(101)의 수납 공간(110)을 저습도화하기 위해서는, 소용돌이(107)가 발생하는 영역을 좁혀서 주위의 고습도 분위기의 말려듦을 저감해야만 한다. 따라서, 공급부(105)에 의해, 원판(101)의 이면(102)의 주위와 보호부재의 보호면(103)의 주위에 흐르는 기체(104)의 흐름을 차단하도록 하는 에어 커튼을 형성하는 것이 생각된다. 단, 이러한 에어 커튼을 형성하기 위해서는, 대량(대유량)의 기체 106이 필요하게 된다고 하는 과제가 있다. In such a storage device 2000, when the storage space 110 is not purged with gas by the opening/closing mechanism 109 as a closed space, a vortex 107 is generated on the downstream side with respect to the disk 101, and the disk ( 101), since the surrounding high-humidity atmosphere is entrained, the storage space 110 cannot be made low in humidity. In order to reduce the humidity of the storage space 110 of the disc 101, the area in which the vortex 107 is generated must be narrowed to reduce entrainment of the surrounding high-humidity atmosphere. Therefore, it is considered to form an air curtain that blocks the flow of the gas 104 flowing around the back surface 102 of the disk 101 and around the protection surface 103 of the protection member by the supply unit 105 do. However, there is a problem that a large amount (large flow rate) of the gas 106 is required to form such an air curtain.

이하, 각 실시형태에 있어서, 원판의 수납 공간을 저습도화하는데 유리한 수납장치에 대해 설명한다. Hereinafter, in each embodiment, the storage device advantageous for reducing the humidity of the storage space of the original plate is demonstrated.

<제1실시형태><First embodiment>

도1은, 본 발명의 제1실시형태에 있어서의 수납장치(1A)의 구성을 도시한 개략도다. 수납장치(1A)는, 수납 챔버(미도시)에 의해 규정되는 수납 공간 AS에 있어서, 패턴이 형성된 패턴면(14)을 포함하는 원판(11)을 수납(보관)한다. Fig. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a storage device 1A according to a first embodiment of the present invention. In the storage space AS defined by the storage chamber (not shown), the storage device 1A accommodates (stores) the original plate 11 including the patterned surface 14 on which the pattern is formed.

원판(11)은, 예를 들면, 수납 챔버에 설치된 유지 홈이나 유지 부재를 거쳐, 수납 공간 AS에서 유지되어 있다. 원판(11)에는, 원판(11)의 패턴면(14)에 이물질이 부착되는 것을 방지하기 위해, 펠리클로 불리는 보호부재(12)가 설치되어 있다. 보호부재(12)는, 지지 프레임(12a)을 거쳐, 원판(11)의 패턴면(14)으로부터 소정의 거리만큼 이격(오프셋)되어 지지되어 있다. The disk 11 is hold|maintained in the storage space AS via the holding groove and holding member provided in the storage chamber, for example. In order to prevent foreign matter from adhering to the pattern surface 14 of the original plate 11 , a protective member 12 called a pellicle is provided on the original plate 11 . The protection member 12 is supported while being spaced apart (offset) by a predetermined distance from the pattern surface 14 of the disk 11 via the support frame 12a.

수납장치(1A)에는, 원판(11)을 수납하는 수납 공간 AS(원판(11)의 주위 환경)을 일방향으로부터 가스 퍼지하기 위해, 제1공급부(13)(노즐)가 설치되어 있다. 제1공급부(13)는, 원판(11)의 패턴면(14)과는 반대측의 이면(15)(제1면)의 주위와 보호부재(12)의 패턴면(14)의 측과는 반대측의 보호면(16)(제2면)의 주위에 기체를 공급하고, 이러한 기체로 수납 공간 AS를 치환한다. 구체적으로는, 제1공급부(13)는, 원판(11)의 이면(15)을 따른(즉, 이면(15)의 주위를 흐르는) 제1기류(17), 및, 보호부재(12)의 보호면(16)을 따른(즉, 보호면(16)의 주위를 흐르는) 제2기류(18)의 적어도 한쪽의 기류를 형성하는 기능을 갖는다. 본 실시형태에서는 제1공급부(13)는, 제1기류(17) 및 제2기류(18)의 양쪽의 기류가 형성되는 것 같이, 수납 공간 AS에 대하여, 기체를 불어내서 공급한다. 이와 같이, 제1공급부(13)는, 수납 공간 AS의 안쪽으로부터 수납 공간 AS의 전방측을 향하는 일방향의 기류(제1기류(17) 및 제2기류(18))를 형성한다. 이때, 제1공급부(13)는, 제1기류(17)와 제2기류(18)를 1개의 노즐로 형성해도 되고, 제1기류(17) 및 제2기류(18)의 각각을 다른 노즐 (2개의 노즐)로 형성해도 된다. 제1기류(17) 및 제2기류(18)의 각각을 다른 노즐로 형성함으로써, 제1기류(17)의 유량과 제2기류(18)의 유량을 개별적으로 제어(설치)하는 것이 가능해진다. In the storage device 1A, a first supply unit 13 (nozzle) is provided for purging the storage space AS (the surrounding environment of the disk 11) in which the disk 11 is accommodated from one direction. The first supply part 13 is on the side opposite to the periphery of the back surface 15 (first surface) on the opposite side to the pattern surface 14 of the original plate 11 and to the side opposite to the pattern surface 14 of the protection member 12 . gas is supplied around the protective surface 16 (second surface) of the Specifically, the first supply unit 13 includes a first airflow 17 along the rear surface 15 of the disk 11 (that is, flowing around the rear surface 15 ), and the protective member 12 . It has a function of forming at least one airflow of the second airflow 18 along the protection surface 16 (that is, flowing around the protection surface 16). In this embodiment, the 1st supply part 13 blows and supplies gas with respect to storage space AS so that the airflow of both the 1st airflow 17 and the 2nd airflow 18 is formed. In this way, the first supply unit 13 forms one-way airflows (the first airflow 17 and the second airflow 18) from the inside of the storage space AS toward the front side of the storage space AS. At this time, the 1st supply part 13 may form the 1st airflow 17 and the 2nd airflow 18 by one nozzle, and each nozzle of the 1st airflow 17 and the 2nd airflow 18 is different. (two nozzles) may be formed. By forming each of the first airflow 17 and the second airflow 18 with different nozzles, it becomes possible to individually control (install) the flow rate of the first airflow 17 and the flow rate of the second airflow 18 . .

또한, 수납장치(1A)에는, 수납 챔버에 설치된 개구측, 구체적으로는, 수납장치(1A)와 외부 사이에서 원판(11)을 반송하기 위한 반송구 CP의 측의 윗쪽에, 제2공급부(21)가 설치되어 있다. 제2공급부(21)은, 반송구 CP과 외부를 차단하기 위한 에어 커튼을 형성한다. 구체적으로는, 제2공급부(21)는, 제1공급부(13)에 의해 형성된 제1기류(17) 및 제2기류(18)의 적어도 한쪽의 기류에 간섭하는 제3기류(19)가 형성되도록, 기체를 불어내서 공급한다. 본 실시형태에서는, 제2공급부(21)는, 제1공급부(13)에 의해 형성된 제1기류(17) 및 제2기류(18)의 양쪽의 기류에 부딪치는(교차하는) 제3기류(19)가 형성되도록, 아래쪽을 향해, 기체를 불어내서 공급한다. Further, in the storage device 1A, on the side of the opening provided in the storage chamber, specifically, above the transport port CP for transporting the disc 11 between the storage device 1A and the outside, a second supply unit ( 21) is installed. The second supply unit 21 forms an air curtain for blocking the transfer port CP and the outside. Specifically, in the second supply unit 21 , a third air flow 19 interfering with at least one of the first air flow 17 and the second air flow 18 formed by the first supply unit 13 is formed. As much as possible, the gas is supplied by blowing. In the present embodiment, the second supply unit 21 includes a third airflow (intersecting) which collides with (intersects) the airflows of both the first airflow 17 and the second airflow 18 formed by the first supply part 13 . 19) is formed, and the gas is supplied by blowing downwards.

도1에 나타낸 것과 같이, 수납장치(1A)에서는, 제1공급부(13)는, 반송구 CP을 기준으로 하여 수납 공간 AS의 안쪽에 배치되고, 제2공급부(21)는, 반송구 CP을 기준으로 하여 수납 공간 AS의 전방측에 배치되어 있다. 또한, 수납 공간 AS에 수납된 원판(11)을 기준으로 하면, 제1공급부(13)는, 원판(11)의 한쪽의 측(-Y방향)에 배치되고, 제2공급부(21)는, 원판(11)의 다른쪽의 측(+Y방향)에 배치되어 있다. 이러한 배치에 의해, 수납장치(1A)에서는, 수납 공간 AS를 일방향으로부터 가스 퍼지하는 것을 가능하게 하고 있다. As shown in Fig. 1, in the storage device 1A, the first supply unit 13 is disposed inside the storage space AS with the conveyance port CP as a reference, and the second supply unit 21 serves the conveyance port CP. It is arranged on the front side of the storage space AS as a reference. In addition, based on the disc 11 accommodated in the storage space AS, the first supply unit 13 is disposed on one side (-Y direction) of the disc 11, and the second supply unit 21 is It is arrange|positioned on the other side (+Y direction) of the disk 11. With this arrangement, in the storage device 1A, it is possible to gas purge the storage space AS from one direction.

제1공급부(13) 및 제2공급부(21)로부터 공급하는 기체(퍼지 가스)로서는, 예를 들면, 클린 드라이 에어(CDA)를 들 수 있다. CDA는, 원판(11)의 흐림 생성 물질인 수분(수증기)을 포함하는 비율이 통상의 공기에 비해 극단적으로 낮고, 본 실시형태에서는, 그 습도가 1% 이하인 기체다. 또한, 제1공급부(13) 및 제2공급부(21)로부터 공급하는 기체는, 수분을 포함하는 비율이 적은 불활성 가스, 예를 들면, 질소(N2)이어도 된다. 습도가 1% 이하인 CDA로 수납 공간 AS를 퍼지함으로써, 원판(11)의 주위 환경의 습도를, 예를 들면, 1.5% 이하의 저습도로 하는 것이 가능하여, 원판(11)의 흐림의 발생을 억제할 수 있다.As gas (purge gas) supplied from the 1st supply part 13 and the 2nd supply part 21, clean dry air (CDA) is mentioned, for example. CDA is a gas whose ratio of containing moisture (water vapor), which is a clouding material of the original plate 11, extremely low compared to normal air, and whose humidity is 1% or less in the present embodiment. In addition, the gas supplied from the 1st supply part 13 and the 2nd supply part 21 may be an inert gas with a small ratio containing water|moisture content, for example, nitrogen (N2). By purging the storage space AS with the CDA having a humidity of 1% or less, it is possible to reduce the humidity of the surrounding environment of the original plate 11 to a low humidity of, for example, 1.5% or less, thereby reducing the occurrence of cloudiness of the original plate 11 can be suppressed

이때, 원판(11)의 주위 환경의 습도를 목표 습도 이하로 할 수 있으면, 제1공급부(13)로부터 공급하는 기체와 제2공급부(21)로부터 공급하는 기체가 달라도 된다. 바꾸어 말하면, 제3기류(19)를 형성하는 기체가 제1기류(17) 및 제2기류(18)를 형성하는 기체와 다른 기체이어도 된다. 단, 장치 구성의 복잡화의 관점에서, 제1공급부(13)로부터 공급하는 기체와 제2공급부(21)로부터 공급하는 기체는 같은 기체인 것이 바람직하다. At this time, the gas supplied from the first supply unit 13 and the gas supplied from the second supply unit 21 may be different from each other as long as the humidity of the surrounding environment of the disk 11 can be lowered to the target humidity. In other words, the gas forming the third air stream 19 may be a different gas from the gas forming the first air stream 17 and the second air stream 18 . However, it is preferable that the gas supplied from the first supply unit 13 and the gas supplied from the second supply unit 21 are the same from the viewpoint of complexity of the device configuration.

또한, 수납장치(1A)에는, 제2공급부(21)에 대향하여, 벽 부재(20)가 설치되어 있다. 벽 부재(20)는, 제2공급부(21)로부터 불어내지는 기체의 분출 방향 BD에 교차하고, 제2공급부(21)에 의해 형성된 제3기류(19)를 받기 위한 수취면(20a)을 포함하는 부재이다. 구체적으로는, 수취면(20a)이, 보호부재(12)의 보호면(16)에 대하여, Y방향(보호면(16)을 따른 방향)에 있어서, 보호면(16)으로부터 외측에 0mm 이상 300mm 이하의 범위에서 연장되도록, 벽 부재(20)를 구성한다. 벽 부재(20)는, 수납 공간 AS를 규정하는 수납 챔버의 일부로서 구성되어 있어도 되고, 수납 챔버와는 별도로 구성되어 있어도 된다. Moreover, the wall member 20 is provided in 1A of storage apparatuses opposing the 2nd supply part 21. As shown in FIG. The wall member 20 intersects the blowing direction BD of the gas blown out from the second supply unit 21 , and includes a receiving surface 20a for receiving a third air stream 19 formed by the second supply unit 21 . is the absence of Specifically, the receiving surface 20a is 0 mm or more outside the protection surface 16 in the Y direction (direction along the protection surface 16) with respect to the protection surface 16 of the protection member 12 . The wall member 20 is configured to extend in a range of 300 mm or less. The wall member 20 may be comprised as a part of the storage chamber which prescribes|regulates the storage space AS, and may be comprised separately from the storage chamber.

수납장치(1A)에 있어서도, 상기한 바와 같이, 제1기류(17) 및 제2기류(18)에 기인하여, 원판(11)에 대해 하류측에서 소용돌이(22)가 발생한다. 단, 본 실시형태에서는, 제2공급부(21)에 의해 형성되는 제3기류(19)와 벽 부재(20)로 제1기류(17) 및 제2기류(18)를 끼움으로써, 소용돌이(22)가 발생하는 영역(발생 영역)을 좁힐 수 있다. 따라서, 원판(11)의 주위의 고습도 분위기의 말려듦을 저감하여, 수납 공간 AS를 저습도화할 수 있다. 또한, 제2공급부(21)와 벽 부재(20) 사이의 Z방향(원판(11)의 패턴면(14)에 직교하는 방향)의 거리는, 소용돌이(22)의 발생 영역을 좁히는 관점에서, 짧은 쪽이 바람직하다. 구체적으로는, 벽 부재(20)는, Z방향에 있어서, 수취면(20a)과 제2공급부(21)의 기체의 분출구 사이의 거리가 10mm 이상 500mm 이하가 되도록 배치되어 있으면 된다. Also in the storage device 1A, as described above, the vortex 22 is generated on the downstream side with respect to the disk 11 due to the first air flow 17 and the second air flow 18 . However, in the present embodiment, by sandwiching the first air flow 17 and the second air flow 18 with the third air flow 19 and the wall member 20 formed by the second supply unit 21, the vortex 22 ) can be narrowed down. Therefore, entrainment of the high-humidity atmosphere around the disk 11 can be reduced, and the storage space AS can be made low in humidity. In addition, the distance in the Z direction (direction orthogonal to the pattern surface 14 of the disk 11) between the second supply part 21 and the wall member 20 is short from the viewpoint of narrowing the generation region of the vortex 22 . side is preferable Specifically, the wall member 20 should just be arrange|positioned so that the distance between the receiving surface 20a and the gas outlet of the 2nd supply part 21 may become 10 mm or more and 500 mm or less in Z direction.

여기에서, 도2를 참조하여, 제1기류(17)의 유량 Q1과, 제2기류(18)의 유량 Q2와, 제3기류(19)의 유량 Q3의 관계에 대해 설명한다. 도2에서는, 제3기류(19)의 유량 Q3이 제1기류(17)의 유량 Q1과 제2기류(18)의 유량 Q2의 합(제1기류(17)와 제2기류(18)의 총 유량) 이상인 경우, 즉, Q3≥Q1+Q2인 경우에 있어서의 원판(11)의 주변에서의 기체의 흐름을 나타내고 있다. 이 경우, 도2에 나타낸 것과 같이, 제3기류(19)가 벽 부재(20)의 수취면(20a)에 부딪침으로써, 그것의 일부가 원판(11)의 측으로 흐르는(역류하는) 기류 19a가 발생한다. 이에 따라, 원판(11)의 주위의 고습도 분위기가 말려들어, 고습도의 기체가 원판(11)의 측으로 향하는 기류 81이 생성되기 때문에, 원판(11)의 주위 환경인 수납 공간 AS의 저습도화에 불리하게 된다. 따라서, 제3기류(19)의 유량 Q3은, 제1기류(17)의 유량 Q1과 제2기류(18)의 유량 Q2와의 합(제1기류(17)와 제2기류(18)의 총 유량)보다도 적은 것, 즉, Q3<Q1+Q2인 것이 바람직하다. Here, with reference to FIG. 2, the relationship between the flow volume Q1 of the 1st airflow 17, the flow volume Q2 of the 2nd airflow 18, and the flow volume Q3 of the 3rd airflow 19 is demonstrated. In Fig. 2, the flow rate Q3 of the third air flow 19 is the sum of the flow rate Q1 of the first air flow 17 and the flow rate Q2 of the second air flow 18 (the ratio of the first air flow 17 and the second air flow 18) total flow rate) or more, ie, when Q3≥Q1+Q2, the gas flow in the periphery of the disk 11 is shown. In this case, as shown in Fig. 2, as the third airflow 19 hits the receiving surface 20a of the wall member 20, the airflow 19a, a part of which flows to the side of the disk 11 (reverse flow), is Occurs. As a result, the high-humidity atmosphere around the disk 11 is entrained, and an airflow 81 is generated in which the high-humidity gas is directed toward the disk 11, which is disadvantageous in reducing the humidity of the storage space AS, which is the environment around the disk 11. will do Accordingly, the flow rate Q3 of the third airflow 19 is the sum of the flow rate Q1 of the first airflow 17 and the flow rate Q2 of the second airflow 18 (the total of the first airflow 17 and the second airflow 18 ). flow rate), that is, Q3<Q1+Q2 is preferable.

또한, 수납장치(1A)는, 도3에 나타낸 것과 같이, 수납 공간 AS를 복수단 설치하는, 즉, 원판(11)의 수납 선반을 복수단 적층하는 것으로, 원판(11)을 복수 수납하도록 구성하는 것도 가능하다. 이때, 도3에서는, 수납 선반을 2단 쌓고 있지만, 수납 선반의 단 수는 한정되는 것은 아니고, 3단 이상의 수납 선반을 적층해도 된다. 도3은, 복수의 원판(11)을 수납가능한 수납장치(1A)의 구성을 도시한 도면이다. 이 경우, 제2공급부(21) 및 벽 부재(20)는, 복수의 수납 공간 AS(복수의 원판(11))의 각각에 대해 설치된다. 이때, 도3에 나타내는 수납장치(1A)와 같이 , 상단의 수납 공간 AS에 설치된 벽 부재(20)에, 하단의 수납 공간 AS에 제3기류(19)를 형성하기 위한 제2공급부(21)를 설치해도 된다. 한편, 제1공급부(13)는, 복수의 수납 공간 AS의 각각에 대해 설치할 필요는 없고, 도3에 나타낸 것과 같이, 1개의 제1공급부(13)에 의해, 복수의 수납 공간 AS의 각각에 있어서의 제1기류(17) 및 제2기류(18)를 형성해도 된다. 이 경우, 복수의 수납 공간 AS의 각각에 대해 제1공급부(13)를 설치하는 경우와 비교하여, 장치 구성의 점에서 유리하다. In addition, as shown in Fig. 3, the storage device 1A is configured to accommodate a plurality of the disks 11 by providing a plurality of storage spaces AS, that is, by stacking the storage shelves of the disk 11 in a plurality of stages. It is also possible to At this time, although two storage shelves are stacked in Fig. 3, the number of storage shelves is not limited, and three or more storage shelves may be stacked. Fig. 3 is a diagram showing the configuration of a storage device 1A capable of accommodating a plurality of disks 11. As shown in Figs. In this case, the second supply unit 21 and the wall member 20 are provided for each of the plurality of storage spaces AS (the plurality of disks 11 ). At this time, like the storage device 1A shown in FIG. 3 , a second supply unit 21 for forming a third airflow 19 in the storage space AS at the lower end in the wall member 20 installed in the storage space AS at the upper end. may be installed. On the other hand, the first supply unit 13 does not need to be provided for each of the plurality of storage spaces AS, and as shown in Fig. 3 , the first supply unit 13 is provided to each of the plurality of storage spaces AS. You may form the 1st airflow 17 and the 2nd airflow 18 in. In this case, compared to the case where the first supply unit 13 is provided for each of the plurality of storage spaces AS, it is advantageous in terms of the device configuration.

또한, 도1에서는, 벽 부재(20)는, 제2공급부(21)에 대향하는 부분에만 존재하고 있다. 단, 벽 부재(20)는, 도4에 나타낸 것과 같이, 원판(11)의 이면(15)이나 보호부재(12)의 보호면(16)보다도 제1공급부(13)의 측으로 연장되어 있어도 된다. 이 경우, 제2공급부(21)에 의해 형성되는 제2기류(18)가 벽 부재(20)에서 정류된다. 마찬가지로, 제1기류(17)의 정류라고 하는 관점에서, 제2공급부(21)를, 도4에 나타낸 것과 같이 원판(11)의 이면(15)이나 보호부재(12)의 보호면(16)보다도 제1공급부(13)의 측으로 연장시켜도 된다. In addition, in FIG. 1, the wall member 20 exists only in the part opposing the 2nd supply part 21. As shown in FIG. However, as shown in Fig. 4, the wall member 20 may extend to the side of the first supply unit 13 rather than the back surface 15 of the disk 11 or the protection surface 16 of the protection member 12. . In this case, the second airflow 18 formed by the second supply portion 21 is rectified in the wall member 20 . Similarly, from the viewpoint of rectification of the first airflow 17, the second supply unit 21 is connected to the back surface 15 of the disk 11 or the protection surface 16 of the protection member 12, as shown in FIG. You may extend to the side of the 1st supply part 13 rather than that.

도5는, 도1에 나타낸 수납장치(1A)의 XY평면도다. 제1기류(17)는, 도5에 나타낸 것과 같이, X방향에 있어서, 원판(11)의 이면(15)보다도 넓은 범위에서 흐르는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 제2기류(18)는, X방향에 있어서, 보호부재(12)의 보호면(16)보다도 넓은 범위에서 흐르는 것이 바람직하다. 따라서, 제1공급부(13)는, X방향에 있어서, 원판(11)의 이면(15)이나 보호부재(12)의 보호면(16)보다도 넓은 범위에 제1기류(17) 및 제2기류(18)가 형성되도록, 기체를 불어내서 공급하면 좋다. 또한, 제3기류(19)는, X방향에 있어서, 제1기류(17) 및 제2기류(18)보다도 넓은 범위에서 흐르는 것이 바람직하다. 따라서, 제2공급부(21)는, X방향에 있어서, 제1기류(17) 및 제2기류(18)보다도 넓은 범위에 제3기류(19)가 형성되도록, 기체를 불어내서 공급하면 좋다. Fig. 5 is an XY plan view of the storage device 1A shown in Fig. 1 . As shown in Fig. 5, the first air flow 17 preferably flows in a wider range than the back surface 15 of the disk 11 in the X direction. Similarly, in the X direction, it is preferable that the second air flow 18 flows in a wider range than the protection surface 16 of the protection member 12 . Therefore, in the X direction, the first supply unit 13 has the first airflow 17 and the second airflow in a wider range than the back surface 15 of the disk 11 or the protection surface 16 of the protection member 12 . What is necessary is just to supply by blowing out gas so that (18) may be formed. Moreover, it is preferable that the 3rd airflow 19 flows in the X direction in the range wider than the 1st airflow 17 and the 2nd airflow 18. As shown in FIG. Therefore, in the X direction, the second supply unit 21 may supply the gas by blowing so that the third air flow 19 is formed in a wider range than the first air flow 17 and the second air flow 18 .

제2공급부(21)(의 기체의 분출구)는, Y방향에 있어서, 원판(11)의 근방에 배치되는 것이 바람직하다. 이것은, 제2공급부(21)를 원판(11)으로부터 떨어진 위치에 배치하면, 제3기류(19)와 제1기류(17) 및 제2기류(18)가 간섭하는(교차하는) 위치가 원판(11)으로부터 떨어져, 소용돌이(22)의 발생 영역이 +Y방향으로 넓어져, 수납 공간 AS의 저습도화에 시간을 필요로 하여 버리기 때문이다. It is preferable that the 2nd supply part 21 (gas|gas ejection port) is arrange|positioned in the vicinity of the disk 11 in a Y direction. This is, when the second supply unit 21 is disposed at a position away from the disk 11, the position where the third air flow 19 and the first air flow 17 and the second air flow 18 interfere (intersect) is the disk This is because, away from (11), the generation region of the vortex 22 expands in the +Y direction, and it takes time to reduce the humidity of the storage space AS.

또한, 상기한 바와 같이, 제3기류(19)는, 벽 부재(20)와 협동하여, 원판(11)에 대해 하류측에서 제1기류(17) 및 제2기류(18)를 끼어넣으면 된다. 따라서, 도6에 나타낸 것과 같이, 제2공급부(21)와 벽 부재(20)가 Z방향에 있어서 대향하고 있을 필요는 없고, 제2공급부(21)로부터 불어내지는 기체의 분출 방향 BD와 수취면(20a)이 교차하도록, 제2공급부(21)와 벽 부재(20)를 배치하면 된다. 제2공급부(21)와 벽 부재(20)가 Y방향으로 어긋나 있어도, 제2공급부(21)로부터 불어내지는 기체의 분출 방향 BD와 벽 부재(20)의 수취면(20a)이 교차하고 있으면 된다. In addition, as described above, the third air flow 19 cooperates with the wall member 20 to insert the first air flow 17 and the second air flow 18 from the downstream side with respect to the disk 11 . . Therefore, as shown in Fig. 6, the second supply unit 21 and the wall member 20 do not need to face each other in the Z direction, and the gas blown out from the second supply unit 21 in the ejection direction BD and the receiving surface What is necessary is just to arrange|position the 2nd supply part 21 and the wall member 20 so that 20a may intersect. Even if the second supply unit 21 and the wall member 20 are shifted in the Y direction, it is sufficient that the blowing direction BD of the gas blown out from the second supply unit 21 and the receiving surface 20a of the wall member 20 intersect each other. .

<제2실시형태><Second embodiment>

도7a 및 도7b를 참조하여, 본 발명의 제2실시형태에 있어서의 수납장치(1B)에 대해 설명한다. 도7a는, 본 발명의 제2실시형태에 있어서의 수납장치(1B)의 구성을 도시한 개략도이고, 도7b는, 도7a에 나타낸 수납장치(1B)의 XY 평면도다. 수납장치(1B)는, 수납 챔버(미도시)에 의해 규정되는 수납 공간 AS에 있어서, 패턴이 형성된 패턴면(14)을 포함하는 원판(11)을 수납(보관)한다. 수납장치 1B는, 수납장치 1A와 같은 구성을 갖지만, 수납장치 1A와 비교하여, 벽 부재(20)의 구성이 다르다. A storage device 1B according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 7A and 7B. Fig. 7A is a schematic diagram showing the configuration of a storage device 1B according to a second embodiment of the present invention, and Fig. 7B is an XY plan view of the storage device 1B shown in Fig. 7A. The storage device 1B accommodates (stores) the original plate 11 including the pattern surface 14 on which the pattern is formed in the storage space AS defined by the storage chamber (not shown). The storage device 1B has the same configuration as the storage device 1A, but the configuration of the wall member 20 is different from that of the storage device 1A.

벽 부재(20)는, 본 실시형태에서는 수취면(20a)에 있어서, 제2공급부(21) 측으로 돌출한 볼록부(41)를 포함한다. 볼록부(41)는, 제2공급부(21)에 대향하고, 제2공급부(21)로부터 불어내지는 기체의 분출 방향 BD에 교차하도록 설치되어 있다. 벽 부재(20)의 수취면(20a)에 볼록부(41)를 설치함으로써, 제2공급부(21)와 벽 부재(20) 사이의 Z방향의 거리를 좁힐 수 있다. 또한, 볼록부(41)의 제2공급부(21) 측의 면은, Z방향에 있어서, 제2공급부(21) 측의 면이 보호부재(12)의 보호면(16)보다도 높은 위치(+Z방향)가 되도록 하면 된다. The wall member 20 includes the convex part 41 which protrudes toward the 2nd supply part 21 side in the receiving surface 20a in this embodiment. The convex part 41 is provided so that it may oppose the 2nd supply part 21, and may cross|intersect the ejection direction BD of the gas blown out from the 2nd supply part 21. As shown in FIG. By providing the convex part 41 on the receiving surface 20a of the wall member 20, the distance in the Z direction between the 2nd supply part 21 and the wall member 20 can be narrowed. In addition, the surface of the convex part 41 on the second supply part 21 side is at a position (+) where the surface on the side of the second supply part 21 side is higher than the protective surface 16 of the protective member 12 in the Z direction. Z direction).

제1실시형태에서 설명한 바와 같이, 제2공급부(21)에 의해 형성되는 제3기류(19)와 벽 부재(20)에 의해, 소용돌이(42)의 발생 영역을 좁힐 수 있지만, 본 실시형태와 같이, 볼록부(41)를 설치함으로써, 소용돌이(42)의 발생 영역을 더 좁힐 수 있다. 따라서, 원판(11)의 주위의 고습도 분위기의 말려듦을 저감하여, 수납 공간 AS를 저습도화할 수 있다. 이와 같이, 볼록부(41)는, 원판(11)의 주위 환경의 저습도화에 효과적이다. As described in the first embodiment, the generation area of the eddy 42 can be narrowed by the third air flow 19 and the wall member 20 formed by the second supply unit 21, but in this embodiment and Similarly, by providing the convex portion 41, the vortex 42 generation region can be further narrowed. Therefore, entrainment of the high-humidity atmosphere around the disk 11 can be reduced, and the storage space AS can be made low in humidity. In this way, the convex portion 41 is effective for reducing the humidity of the surrounding environment of the disk 11 .

또한, 본 실시형태에서는 도7b에 나타낸 것과 같이, 원판(11)에 대해 X방향에 측벽(43)을 설치하고 있다. 도7b를 참조하면, 제1공급부(13)에 의해 형성된 제1기류(17)는, 일반적으로, X방향으로 확산한다. 단, 본 실시형태에서는 측벽(43)이 설치되기 때문에, 제1기류(17)의 X방향으로의 확산을 억제할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에서는, 제1기류(17)를, X방향에 있어서, 원판(11)의 이면(15)보다도 좁은 범위에서 흘리는 것이 가능해진다. 마찬가지로, 제2기류(18)를, X방향에 있어서, 보호부재(12)의 보호면(16)보다도 좁은 범위에서 흘리는 것이 가능해진다. 한편, 제3기류(19)는, X방향에 있어서, 제1기류(17) 및 제2기류(18)보다도 넓은 범위에서 흐르는 것이 바람직하다. In addition, in this embodiment, as shown in FIG. 7B, the side wall 43 is provided with respect to the disk 11 in the X direction. Referring to Fig. 7B, the first air flow 17 formed by the first supply section 13 generally diffuses in the X direction. However, in this embodiment, since the side wall 43 is provided, the diffusion to the X direction of the 1st air flow 17 can be suppressed. Therefore, in this embodiment, it becomes possible to flow the 1st airflow 17 in a range narrower than the back surface 15 of the disk 11 in the X direction. Similarly, in the X direction, it becomes possible to flow the 2nd airflow 18 in the range narrower than the protection surface 16 of the protection member 12. As shown in FIG. On the other hand, it is preferable that the 3rd airflow 19 flows in the X direction in a wider range than the 1st airflow 17 and the 2nd airflow 18. As shown in FIG.

<제3실시형태><Third embodiment>

도8을 참조하여, 본 발명의 제3실시형태에 있어서의 수납장치(1C)에 대해 설명한다. 도8은, 본 발명의 제3실시형태에 있어서의 수납장치(1C)의 구성을 도시한 개략도다. 수납장치(1C)는, 수납 챔버(미도시)에 의해 규정되는 수납 공간 AS에 있어서, 패턴이 형성된 패턴면(14)을 포함하는 원판(11)을 수납(보관)한다. 수납장치 1C는, 수납장치 1A와 같은 구성을 갖지만, 수납장치 1A와 비교하여, 제3공급부(51)를 더 갖는다. 이때, 본 실시형태에서는, 제1공급부(13)는, 제1기류(17)만 형성되도록, 기체를 불어내서 공급한다. Referring to Fig. 8, a storage device 1C according to a third embodiment of the present invention will be described. Fig. 8 is a schematic diagram showing the configuration of a storage device 1C according to a third embodiment of the present invention. In the storage space AS defined by the storage chamber (not shown), the storage device 1C accommodates (stores) the original plate 11 including the pattern surface 14 on which the pattern is formed. The storage device 1C has the same configuration as the storage device 1A, but further has a third supply unit 51 as compared with the storage device 1A. At this time, in this embodiment, the 1st supply part 13 blows and supplies gas so that only the 1st airflow 17 may be formed.

제3공급부(51)는, 보호부재(12)의 보호면(16)에 대향해서 설치되고, 보호면(16)을 향해서 기체를 불어내서 공급한다. 이에 따라, 도8에 나타낸 것과 같이, 원판(11)의 수납 공간 AS에는, 기류 52가 형성된다. The 3rd supply part 51 is provided facing the protection surface 16 of the protection member 12, and blows gas toward the protection surface 16, and supplies it. Thereby, as shown in FIG. 8, an airflow 52 is formed in the storage space AS of the disk 11. As shown in FIG.

제3공급부(51)로부터 공급하는 기체(퍼지 가스)는, 원판(11)의 흐림 생성 물질인 수분(수증기)을 포함하는 비율이 통상의 공기에 비해 극단적으로 낮고, 본 실시형태에서는, 그것의 습도가 1% 이하의 기체다. 또한, 제3공급부(51)로부터 공급하는 기체는, 제1공급부(13)로부터 공급하는 기체와 제2공급부(21)로부터 공급하는 기체와 달라도 되고, 같아도 된다. The gas (purge gas) supplied from the third supply unit 51 has an extremely low ratio of containing moisture (water vapor), which is a clouding material of the original plate 11 , compared to normal air, and in this embodiment, its A gas with a humidity of less than 1%. The gas supplied from the third supply unit 51 may be different from or the same as the gas supplied from the first supply unit 13 and the gas supplied from the second supply unit 21 .

제1실시형태에서 설명한 바와 같이, 제2공급부(21)에 의해 형성되는 제3기류(19)와 벽 부재(20)에 의해, 소용돌이(53)의 발생 영역을 좁힐 수 있지만, 본 실시형태와 같이, 기류 52를 형성함으로써, 소용돌이(53)의 발생 영역을 더 좁힐 수 있다. 따라서, 원판(11)의 주위의 고습도 분위기의 말려듦을 저감하여, 수납 공간 AS를 저습도화할 수 있다. 이와 같이, 보호부재(12)의 보호면(16)에 대해 제3공급부(51)로부터 기체를 불어내서 기류 52를 형성하는 것은, 원판(11)의 주위 환경의 저습도화에 효과적이다. As described in the first embodiment, the generation area of the eddy 53 can be narrowed by the third airflow 19 and the wall member 20 formed by the second supply unit 21, but in this embodiment and Similarly, by forming the airflow 52 , it is possible to further narrow the generation area of the eddy 53 . Therefore, entrainment of the high-humidity atmosphere around the disk 11 can be reduced, and the storage space AS can be made low in humidity. In this way, blowing gas from the third supply unit 51 against the protection surface 16 of the protection member 12 to form an airflow 52 is effective for reducing the humidity of the surrounding environment of the disk 11 .

이때, 본 실시형태에서는, 제3공급부(51)를 벽 부재(20)에 설치하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제3공급부(51)는, 보호부재(12)의 보호면(16)의 전체 영역을 향해서 기체를 불어낼 수 있도록 구성되어 있으면 되고, 벽 부재(20)와는 별도로, 제3공급부(51)를 설치해도 된다. 또한, 제3공급부(51)의 기체의 분출구의 형상은, 슬릿 형상이나 원형 형상 등 임의의 형상을 선택가능하다. At this time, although the 3rd supply part 51 is provided in the wall member 20 in this embodiment, it is not limited to this. For example, the 3rd supply part 51 should just be comprised so that gas can blow toward the whole area|region of the protection surface 16 of the protection member 12, and, separately from the wall member 20, the 3rd supply part (51) may be provided. In addition, as for the shape of the gas outlet of the 3rd supply part 51, arbitrary shapes, such as a slit shape and a circular shape, can be selected.

<제4실시형태><Fourth embodiment>

도9를 참조하여, 본 발명의 제4실시형태에 있어서의 수납장치(1D)에 대해 설명한다. 도9는, 본 발명의 제4실시형태에 있어서의 수납장치(1D)의 구성을 도시한 개략도다. 수납장치(1D)는, 수납 챔버(미도시)에 의해 규정되는 수납 공간 AS에 있어서, 패턴이 형성된 패턴면(14)을 포함하는 원판(11)을 수납(보관)한다. 수납장치 1D는, 수납장치 1A와 같은 구성을 갖지만, 수납장치 1A와 비교하여, 제4공급부(61)를 더 갖는다. Referring to Fig. 9, a storage device 1D according to a fourth embodiment of the present invention will be described. Fig. 9 is a schematic diagram showing the configuration of a storage device 1D according to a fourth embodiment of the present invention. In the storage space AS defined by the storage chamber (not shown), the storage device 1D accommodates (stores) the original plate 11 including the pattern surface 14 on which the pattern is formed. The storage device 1D has the same configuration as the storage device 1A, but further has a fourth supply unit 61 as compared with the storage device 1A.

제4공급부(61)는, 제2공급부(21)에 대향하여, 벽 부재(20)에 설치되어 있다. 제4공급부(61)는, 제1공급부(13)에 의해 형성된 제1기류(17)나 제2기류(18)에 간섭하고, 또한, 제2공급부(21)에 의해 형성된 제3기류(19)에 대향하는 제4기류(62)가 형성되도록, 기체를 불어내서 공급한다. 이때, 제4기류(62)는, X방향에 있어서, 제3기류(19)와 같은 정도의 범위에서 흐르는 것이 바람직하다. The fourth supply unit 61 is provided in the wall member 20 opposite to the second supply unit 21 . The fourth supply part 61 interferes with the first airflow 17 or the second airflow 18 formed by the first supply part 13 , and furthermore, the third airflow 19 formed by the second supply part 21 . ), the gas is blown and supplied so that a fourth air flow 62 opposite to the air flow 62 is formed. At this time, it is preferable that the 4th airflow 62 flows in the range of about the same extent as the 3rd airflow 19 in the X direction.

제4공급부(61)로부터 공급하는 기체(퍼지 가스)는, 원판(11)의 흐림 생성 물질인 수분(수증기)을 포함하는 비율이 통상의 공기에 비해 극단적으로 낮고, 본 실시형태에서는, 그것의 습도가 1% 이하의 기체다. 또한, 제4공급부(61)로부터 공급하는 기체는, 제1공급부(13)로부터 공급하는 기체와 제2공급부(21)로부터 공급하는 기체와 달라도 되고, 같아도 된다. The gas (purge gas) supplied from the fourth supply unit 61 has an extremely low ratio of containing moisture (water vapor), which is a clouding material of the original plate 11 , compared to normal air, and in this embodiment, its A gas with a humidity of less than 1%. The gas supplied from the fourth supply unit 61 may be different from or the same as the gas supplied from the first supply unit 13 and the gas supplied from the second supply unit 21 .

제4기류(62)는, 본 실시형태에서는, 제1기류(17) 및 제2기류(18)에 간섭하도록(부딪치도록) 형성되기 때문에, 제3실시형태와 같은 효과를 얻을 수 있다. 구체적으로는, 제2공급부(21)에 의해 형성되는 제3기류(19)와 벽 부재(20)에 의해, 소용돌이(63)의 발생 영역을 좁힐 수 있지만, 본 실시형태와 같이, 제4기류(62)를 형성함으로써, 소용돌이(63)의 발생 영역을 더 좁힐 수 있다. 따라서, 원판(11)의 주위의 고습도 분위기의 말려듦을 저감하여, 수납 공간 AS를 저습도화할 수 있다. 이와 같이, 제4공급부(61)로부터 기체를 불어내서 제3기류(19)에 대향하는 제4기류(62)를 형성하는 것은, 원판(11)의 주위 환경의 저습도화에 효과적이다. Since the 4th airflow 62 is formed so that it may interfere (or collide) with the 1st airflow 17 and the 2nd airflow 18 in this embodiment, the effect similar to 3rd Embodiment can be acquired. Specifically, by the third airflow 19 and the wall member 20 formed by the second supply unit 21 , the eddy 63 can be narrowed, but as in the present embodiment, the fourth airflow By forming (62), it is possible to further narrow the generation region of the eddy (63). Therefore, entrainment of the high-humidity atmosphere around the disk 11 can be reduced, and the storage space AS can be made low in humidity. In this way, blowing gas from the fourth supply unit 61 to form the fourth air flow 62 opposite to the third air flow 19 is effective for reducing the humidity of the surrounding environment of the disk 11 .

여기에서, 제1기류(17)의 유량 Q1과, 제2기류(18)의 유량 Q2와, 제3기류(19)의 유량 Q3과, 제4기류(62)의 유량 Q4의 관계에 대해 설명한다. 예를 들면, 제3기류(19)의 유량 Q3과 제4기류(62)의 유량 Q4의 합(총 유량)이, 제1기류(17)의 유량 Q1과 제2기류(18)의 유량 Q2의 합(총 유량) 이상인 경우, 즉, Q3+Q4≥Q1+Q2인 경우를 생각한다. 이 경우, 제3기류(19)와 제4기류(62)가 부딪침으로써, 그것의 일부가 원판(11) 측으로 흐르는(역류하는) 기류가 발생한다. 이에 따라, 원판(11)의 주위의 고습도 분위기가 말려들어, 고습도의 기체가 원판(11) 측으로 향하는 기류가 생성되기 때문에, 원판(11)의 주위 환경인 수납 공간 AS의 저습도화에 불리하게 된다. 따라서, 제3기류(19)의 유량 Q3과 제4기류(62)의 유량 Q4의 합은, 제1기류(17)의 유량 Q1과 제2기류(18)의 유량 Q2의 합보다도 적은 것, 즉, Q3+Q4<Q1+Q2인 것이 바람직하다. Here, the relationship between the flow volume Q1 of the 1st airflow 17, the flow volume Q2 of the 2nd airflow 18, the flow volume Q3 of the 3rd airflow 19, and the flow volume Q4 of the 4th airflow 62 is demonstrated. do. For example, the sum (total flow rate) of the flow rate Q3 of the third air flow 19 and the flow rate Q4 of the fourth air flow 62 is the flow rate Q1 of the first air flow 17 and the flow rate Q2 of the second air flow 18 . Consider the case where the sum of (total flow rate) or more, that is, Q3+Q4≥Q1+Q2. In this case, when the third airflow 19 and the fourth airflow 62 collide, an airflow in which a part of it flows toward the disk 11 (reverse flow) is generated. Accordingly, the high-humidity atmosphere around the disk 11 is entrained, and an airflow is generated in which the high-humidity gas is directed toward the disk 11, which is disadvantageous in reducing the humidity of the storage space AS, which is the surrounding environment of the disk 11. . Therefore, the sum of the flow rate Q3 of the third air flow 19 and the flow rate Q4 of the fourth air flow 62 is less than the sum of the flow rate Q1 of the first air flow 17 and the flow rate Q2 of the second air flow 18, That is, it is preferable that Q3+Q4<Q1+Q2.

이와 같이, 제1실시형태, 제2실시형태, 제3실시형태 및 제4실시형태에 따르면, 대량(대유량)의 기체(퍼지 가스)를 필요로 하지 않고, 원판(11)의 주위 환경인 수납 공간 AS를 저습도화하는데 유리한 수납장치를 제공할 수 있다. 이때, 제1실시형태와, 제2실시형태와, 제3실시형태와, 제4실시형태는, 적절히 조합하는 것이 가능하다. In this way, according to the first, second, third, and fourth embodiments, a large amount (large flow rate) of gas (purge gas) is not required, and the surrounding environment of the disk 11 is It is possible to provide a storage device advantageous for reducing the humidity of the storage space AS. At this time, it is possible to combine 1st Embodiment, 2nd Embodiment, 3rd Embodiment, and 4th Embodiment suitably.

이하, 도10을 참조하여, 원판을 수납하는 수납부로서 수납장치 1A가 적용된 노광장치에 대해 설명한다. 이때, 여기에서는, 수납장치 1A를 노광장치에 적용하고 있지만, 수납장치 1B, 1C 또는 1D를 노광장치에 적용하는 것도 가능하다. 도10은, 본 발명의 일측면으로서의 노광장치(505)의 구성을 도시한 개략도다. Hereinafter, an exposure apparatus to which the storage device 1A is applied as a storage unit for accommodating the original plate will be described with reference to FIG. 10 . At this time, although the housing apparatus 1A is applied to the exposure apparatus here, it is also possible to apply the storage apparatus 1B, 1C or 1D to the exposure apparatus. Fig. 10 is a schematic diagram showing the configuration of an exposure apparatus 505 as one aspect of the present invention.

노광장치(505)는, 반도체 소자나 액정 표시 소자 등의 디바이스의 제조공정인 리소그래피 공정에 채용되고, 기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치다. 노광장치(505)는, 원판을 거쳐 기판을 노광하여, 원판의 패턴을 기판에 전사한다. 노광장치(505)에는, 스텝 앤드 스캔 방식, 스텝·앤드·리피트 방식, 그 밖의 노광방식을 채용할 수 있다. The exposure apparatus 505 is a lithographic apparatus employed in a lithography process that is a manufacturing process of a device such as a semiconductor element or a liquid crystal display element, and forms a pattern on a substrate. The exposure apparatus 505 exposes the substrate via the original plate, and transfers the pattern of the original plate onto the substrate. The exposure apparatus 505 can employ a step-and-scan method, a step-and-repeat method, and other exposure methods.

노광장치(505)는, 도10에 나타낸 것과 같이, 조명 광학계(501)와, 원판을 유지해서 이동하는 원판 스테이지(502)(원판 유지부)와, 투영 광학계(503)와, 기판을 유지해서 이동하는 기판 스테이지(504)와, 수납장치(1A)를 갖는다. As shown in Fig. 10, the exposure apparatus 505 includes an illumination optical system 501, an original plate stage 502 (original plate holder) that moves while holding an original plate, a projection optical system 503, and a substrate by holding the substrate. It has a moving substrate stage 504 and a storage device 1A.

조명 광학계(501)는, 광원으로부터의 빛으로, 원판 스테이지(502)에 유지된 원판(11)을 조명한다. 조명 광학계(501)는, 렌즈, 미러, 옵티컬 인테그레이터, 조리개 등을 포함한다. 이때, 광원에는, 예를 들면, 파장 약 193nm의 ArF 엑시머 레이저, 파장 약 248nm의 KrF 엑시머 레이저, 파장 약 157nm의 F2 레이저, YAG 레이저 등의 레이저를 사용할 수 있다. 광원에 사용되는 레이저의 개수는, 한정되는 것은 아니다. 광원에 레이저가 사용되는 경우, 조명 광학계(501)는, 레이저 광(평행 광)을 원하는 형상으로 정형하는 정형 광학계나 코히런트한 레이저 광을 인코히런트화하는 인코히런트화 광학계를 포함하면 된다. 또한, 광원은 레이저에 한정되는 것은 아니고, 1개 또는 복수의 수은 램프나 크세논 램프 등의 램프를 사용해도 된다.The illumination optical system 501 illuminates the original plate 11 held by the original plate stage 502 with light from a light source. The illumination optical system 501 includes a lens, a mirror, an optical integrator, an iris, and the like. In this case, for the light source, for example, an ArF excimer laser having a wavelength of about 193 nm, a KrF excimer laser having a wavelength of about 248 nm, an F 2 laser having a wavelength of about 157 nm, a laser such as a YAG laser can be used. The number of lasers used for the light source is not limited. When a laser is used as the light source, the illumination optical system 501 may include a shaping optical system that shapes laser light (parallel light) into a desired shape or an incoherent optical system that incoherently converts coherent laser light into a desired shape. . In addition, a light source is not limited to a laser, You may use lamps, such as one or several mercury lamp and a xenon lamp.

투영 광학계(503)는, 원판(11)의 패턴을, 기판 스테이지(504)에 유지된 기판에 투영한다. 투영 광학계(503)는, 복수의 렌즈 소자 만으로 이루어진 광학계, 복수의 렌즈 소자와 적어도 1개의 오목면 미러를 포함하는 광학계(카타디옵트릭 광학계)를 사용할 수 있다. 또한, 투영 광학계(503)는, 복수의 렌즈 소자와 1개의 키노폼(kinoform) 등의 회절 광학소자를 포함하는 광학계나 전미러형의 광학계 등을 사용할 수도 있다. The projection optical system 503 projects the pattern of the original plate 11 onto the substrate held by the substrate stage 504 . As the projection optical system 503, an optical system composed of only a plurality of lens elements, or an optical system (catadioptric optical system) including a plurality of lens elements and at least one concave mirror can be used. In addition, as the projection optical system 503, an optical system including a plurality of lens elements and a diffractive optical element such as a kinoform, an all-mirror optical system, or the like may be used.

수납장치(1A)는, 노광장치(505)의 외부로부터 노광장치(505)에 반입되고, 원판 스테이지(502)에 반송되는 원판(11)을 수납(보관)한다. 수납장치(1A)는, 상기한 바와 같이, 대량(대유량)의 기체(퍼지 가스)를 필요로 하지 않고, 원판(11)의 주위 환경인 수납 공간 AS를 저습도화할 수 있다. 따라서, 수납장치(1A)로부터 원판 스테이지(502)에 반송되어, 원판 스테이지(502)에 유지된 원판(11)은, 노광시에 있어서, 흐림의 발생이 억제된다. 이에 따라, 노광장치(505)는, 반도체 소자나 액정 표시 소자 등의 디바이스의 제조공정인 리소그래피 공정에 있어서, 종래보다도 고품위의 디바이스를 저코스트로 제조할 수 있다. The storage apparatus 1A accommodates (stores) the original plate 11 carried into the exposure apparatus 505 from the outside of the exposure apparatus 505 and conveyed to the original plate stage 502 . As described above, the storage device 1A can reduce the humidity of the storage space AS as the surrounding environment of the disk 11 without requiring a large amount of gas (purge gas). Accordingly, the original plate 11 conveyed from the storage device 1A to the original plate stage 502 and held on the original plate stage 502 is suppressed from blurring during exposure. Accordingly, the exposure apparatus 505 can manufacture a higher-quality device at a lower cost than in the prior art in a lithography process, which is a manufacturing process of a device such as a semiconductor element or a liquid crystal display element.

본 발명의 실시형태에 있어서의 물품의 제조방법은, 예를 들면, 디바이스(반도체 소자, 자기 기억매체, 액정 표시 소자 등) 등의 물품을 제조하는데 적합하다. 이러한 제조방법은, 노광장치(505)를 사용하여, 감광제가 도포된 기판을 노광하는(패턴을 기판에 형성하는) 공정과, 노광된 기판을 현상하는(기판을 처리하는) 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함할 수 있다. 본 실시형태에 있어서의 물품의 제조방법은, 종래에 비해, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 코스트의 적어도 1개에 있어서 유리하다. 이때, 전술한 물품의 제조방법은, 임플린트 장치나 묘화장치 등의 리소그래피 장치를 사용해서 행해도 된다. The manufacturing method of the article in the embodiment of the present invention is suitable for manufacturing articles such as devices (semiconductor elements, magnetic storage media, liquid crystal display elements, etc.), for example. This manufacturing method includes, using the exposure apparatus 505 , a process of exposing a substrate coated with a photosensitive agent (forming a pattern on the substrate), and a process of developing the exposed substrate (processing the substrate). In addition, such a manufacturing method may include other well-known processes (oxidation, film formation, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). The manufacturing method of the article according to the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article compared to the prior art. At this time, the manufacturing method of the article mentioned above may be performed using a lithographic apparatus, such as an implant apparatus and a drawing apparatus.

발명은 상기 실시형태에 제한되는 것은 아니고, 발명의 정신 및 범위에서 이탈하지 않고, 다양한 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 발명의 범위를 밝히기 위해서 청구항을 첨부한다. The invention is not limited to the above embodiments, and various changes and modifications are possible without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the claims are attached to clarify the scope of the invention.

Claims (14)

패턴이 형성된 패턴면을 포함하는 원판을 수납하는 수납장치로서,
상기 원판의 상기 패턴면과는 반대측의 제1면을 따른 제1기류, 및, 상기 패턴면으로부터 이격되어 설치되고 상기 패턴면을 보호하는 보호부재의 상기 패턴면의 측과는 반대측의 제2면을 따른 제2기류의 적어도 한쪽의 기류가 형성되도록, 기체를 불어내서 공급하는 제1공급부와,
상기 제1공급부에 의해 형성된 상기 적어도 한쪽의 기류에 간섭하는 제3기류가 형성되도록, 기체를 불어내서 공급하는 제2공급부와,
상기 제2공급부로부터 불어내지는 기체의 분출 방향에 교차하고, 상기 제2공급부에 의해 형성된 상기 제3기류를 받기 위한 수취면을 포함하는 부재를 갖고,
상기 제1공급부는, 상기 원판을 반송하기 위한 반송구를 기준으로 하여 상기 원판을 수납하는 수납 공간의 안쪽에 배치되고,
상기 제2공급부는, 상기 반송구를 기준으로 하여 상기 수납 공간의 전방측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 수납장치.
A storage device for accommodating a disc including a patterned surface on which a pattern is formed,
A first airflow along a first surface opposite to the pattern surface of the original plate, and a second surface opposite to the pattern surface side of a protective member installed spaced apart from the pattern surface and protecting the pattern surface A first supply unit for blowing and supplying gas so that at least one air flow of the second air flow along the
a second supply unit for blowing and supplying the gas so that a third air flow that interferes with the at least one air flow formed by the first supply unit is formed;
and a member that intersects in a direction in which gas blown out from the second supply unit and includes a receiving surface for receiving the third air stream formed by the second supply unit;
The first supply unit is disposed on the inside of the receiving space for accommodating the original plate with reference to the transport port for transporting the original plate,
The second supply unit is a storage device, characterized in that it is disposed on the front side of the storage space with respect to the transport port.
제 1항에 있어서,
상기 제1공급부는, 상기 적어도 한쪽의 기류로서, 상기 수납 공간의 안쪽으로부터 상기 수납 공간의 전방측을 향하는 일 방향의 기류가 형성되도록, 기체를 불어내서 공급하는 것을 특징으로 하는 수납장치.
The method of claim 1,
The storage device according to claim 1, wherein the first supply unit blows and supplies the gas so that an airflow in one direction from the inside of the storage space toward the front side of the storage space is formed as the at least one airflow.
제 1항에 있어서,
상기 제2공급부는, 상기 제3기류로서, 상기 제1공급부에 의해 형성된 상기 적어도 한쪽의 기류에 부딪치는 기류가 형성되도록, 기체를 불어내서 공급하는 것을 특징으로 하는 수납장치.
The method of claim 1,
and the second supply unit blows and supplies the gas so as to form an airflow that collides with the at least one airflow formed by the first supply unit as the third airflow.
제 1항에 있어서,
상기 부재는, 상기 수취면이 상기 패턴면에 직교하는 방향에 있어서 상기 제2면보다도 아래쪽에 위치하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 수납장치.
The method of claim 1,
The member is arranged so that the receiving surface is positioned below the second surface in a direction orthogonal to the pattern surface.
제 1항에 있어서,
상기 부재는, 상기 패턴면에 직교하는 방향에 있어서 상기 수취면과 상기 제2공급부의 기체의 분출구 사이의 거리가 10mm 이상 500mm 이하가 되도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 수납장치.
The method of claim 1,
The member is arranged so that a distance between the receiving surface and the gas outlet of the second supply unit in a direction orthogonal to the pattern surface is 10 mm or more and 500 mm or less.
제 1항에 있어서,
상기 수취면은, 상기 보호부재의 상기 제2면에 대해, 상기 제2면을 따른 방향에 있어서, 상기 제2면으로부터 외측으로 0mm 이상 300mm 이하의 범위에서 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 수납장치.
The method of claim 1,
The receiving surface of the protective member, in a direction along the second surface, with respect to the second surface of the protection member, the storage device, characterized in that extending outward from the second surface in a range of 0 mm or more and 300 mm or less.
제 1항에 있어서,
상기 제1공급부는, 상기 제1기류 및 상기 제2기류가 형성되도록, 기체를 불어내서 공급하고,
상기 제3기류의 유량은, 상기 제1기류의 유량과 상기 제2기류의 유량의 합보다도 적은 것을 특징으로 하는 수납장치.
The method of claim 1,
The first supply unit supplies by blowing gas so that the first airflow and the second airflow are formed,
and a flow rate of the third air flow is smaller than a sum of the flow rate of the first air flow and the flow rate of the second air flow.
제 1항에 있어서,
상기 수취면은, 상기 제2공급부 측으로 돌출한 볼록부를 포함하는 것을 특징으로 하는 수납장치.
The method of claim 1,
The receiving surface, the storage device, characterized in that it includes a convex portion protruding toward the second supply unit.
제 1항에 있어서,
상기 제1공급부는, 상기 제1기류만 형성되도록, 기체를 불어내서 공급하고,
상기 보호부재의 상기 제2면에 대향해서 설치되고, 상기 제2면을 향해 기체를 불어내서 공급하는 제3공급부를 더 갖는 것을 특징으로 하는 것을 수납장치.
The method of claim 1,
The first supply unit supplies by blowing gas so that only the first air flow is formed,
and a third supply unit provided to face the second surface of the protection member and supplying the gas by blowing toward the second surface.
제 1항에 있어서,
상기 부재에 설치되고, 상기 제1공급부에 의해 형성된 상기 적어도 한쪽의 기류에 간섭하고, 또한, 상기 제2공급부에 의해 형성된 상기 제3기류에 대향하는 제4기류가 형성되도록, 기체를 불어내서 공급하는 제4공급부를 더 갖는 것을 특징으로 하는 수납장치.
The method of claim 1,
It is provided on the member, and the gas is blown so as to interfere with the at least one airflow formed by the first supply unit and form a fourth airflow opposite to the third airflow formed by the second supply unit. A storage device, characterized in that it further has a fourth supply unit.
제 1항에 있어서,
상기 수납장치는, 상기 원판을 복수 수납하고,
상기 제2공급부 및 상기 부재는, 상기 원판의 각각에 대해 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 수납장치.
The method of claim 1,
The storage device accommodates a plurality of the disks,
The second supply unit and the member are provided for each of the discs.
제 1항에 있어서,
상기 기체는, 습도가 1% 이하의 기체를 포함하는 것을 특징으로 하는 수납장치.
The method of claim 1,
The gas is a storage device, characterized in that it contains a gas with a humidity of 1% or less.
기판을 노광하는 노광장치로서,
패턴이 형성된 패턴면을 포함하는 원판을 수납하는 수납부와,
상기 수납부로부터 반송된 상기 원판을 유지하는 원판 유지부와,
상기 원판 유지부에 유지된 상기 원판의 패턴을 상기 기판에 투영하는 투영 광학계를 갖고,
상기 수납부는,
상기 원판의 상기 패턴면과는 반대측의 제1면을 따른 제1기류, 및, 상기 패턴면으로부터 이격되어 설치되고 상기 패턴면을 보호하는 보호부재의 상기 패턴면의 측과는 반대측의 제2면을 따른 제2기류의 적어도 한쪽의 기류가 형성되도록, 기체를 불어내서 공급하는 제1공급부와,
상기 제1공급부에 의해 형성된 상기 적어도 한쪽의 기류에 간섭하는 제3기류가 형성되도록, 기체를 불어내서 공급하는 제2공급부와,
상기 제2공급부로부터 불어내지는 기체의 분출 방향에 교차하고, 상기 제2공급부에 의해 형성된 상기 제3기류를 받기 위한 수취면을 포함하는 부재를 갖고,
상기 제1공급부는, 상기 원판을 반송하기 위한 반송구를 기준으로 하여 상기 원판을 수납하는 수납 공간의 안쪽에 배치되고,
상기 제2공급부는, 상기 반송구를 기준으로 하여 상기 수납 공간의 전방측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
An exposure apparatus for exposing a substrate, comprising:
A receiving unit for accommodating a disc including a patterned surface on which a pattern is formed;
a disc holding part for holding the disc conveyed from the accommodating part;
and a projection optical system for projecting the pattern of the original plate held by the original plate holder onto the substrate;
The storage unit,
A first airflow along a first surface opposite to the pattern surface of the original plate, and a second surface opposite to the pattern surface side of a protective member installed spaced apart from the pattern surface and protecting the pattern surface A first supply unit for blowing and supplying gas so that at least one air flow of the second air flow along the
a second supply unit for blowing and supplying the gas so that a third air flow that interferes with the at least one air flow formed by the first supply unit is formed;
and a member that intersects in a direction in which gas blown out from the second supply unit and includes a receiving surface for receiving the third air stream formed by the second supply unit;
The first supply unit is disposed on the inside of the receiving space for accommodating the original plate with reference to the transport port for transporting the original plate,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the second supply unit is disposed on the front side of the accommodation space with respect to the conveyance port.
청구항 13에 기재된 노광장치를 사용해서 기판을 노광하는 공정과,
노광된 상기 기판을 현상하는 공정과,
현상된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 물품의 제조방법.
A step of exposing the substrate using the exposure apparatus according to claim 13;
developing the exposed substrate;
A method for manufacturing an article, comprising a step of manufacturing the article from the developed substrate.
KR1020210135447A 2020-12-16 2021-10-13 Storage device, exposure apparatus and method of manufacturing article KR20220086469A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020208629A JP2022095352A (en) 2020-12-16 2020-12-16 Storage device, exposure device, and article manufacturing method
JPJP-P-2020-208629 2020-12-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220086469A true KR20220086469A (en) 2022-06-23

Family

ID=81946795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210135447A KR20220086469A (en) 2020-12-16 2021-10-13 Storage device, exposure apparatus and method of manufacturing article

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2022095352A (en)
KR (1) KR20220086469A (en)
CN (1) CN114637168A (en)

Also Published As

Publication number Publication date
CN114637168A (en) 2022-06-17
JP2022095352A (en) 2022-06-28
TW202225858A (en) 2022-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5559584A (en) Exposure apparatus
US8235212B2 (en) Mask transport system configured to transport a mask into and out of a lithographic apparatus
US7057702B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7050149B2 (en) Exposure apparatus and exposure method
US6833903B2 (en) Inert gas purge method and apparatus, exposure apparatus, reticle stocker, reticle inspection apparatus, reticle transfer box, and device manufacturing method
JP2003188096A (en) Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, cleaning unit and method of cleaning contaminated object
JP4035510B2 (en) Lithographic apparatus including a gas cleaning system
JP4881407B2 (en) Lithographic apparatus, reticle exchange unit and device manufacturing method
JP4833953B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20220086469A (en) Storage device, exposure apparatus and method of manufacturing article
TWI841869B (en) Storage device, exposure device and method for manufacturing article
TWI806020B (en) Pulsed-discharge radiation source, the method of using the same, and lithographic apparatus
JP3958049B2 (en) Reticle with pellicle, device manufacturing related apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
US20070287074A1 (en) Controlled ambient reticle frame
JPH06260386A (en) Aligner
US6418187B1 (en) X-ray mask structure, and X-ray exposure method and apparatus using the same
US20230066653A1 (en) Reticle enclosure for lithography systems
JP2023528944A (en) Fluid purge system and method
JP3358107B2 (en) Exposure equipment
JP2002373855A (en) Aligner
KR20100039473A (en) Apparatus for keeping reticle and equipment for manufacturing substrate
JP2009071124A (en) Exposure apparatus and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination