TWI841869B - Storage device, exposure device and method for manufacturing article - Google Patents
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Abstract
提供一種收納裝置,係收納原版,前述原版包含形成有圖案的圖案面,具有:第1供給部,其係吹出並供給氣體而形成第1氣流以及第2氣流中的至少其中一方的氣流,前述第1氣流係沿著與前述原版的前述圖案面為相反側的第1面,前述第2氣流係沿著與保護構件的前述圖案面那側為相反側的第2面,前述保護構件被設置成離開前述圖案面而保護前述圖案面;第2供給部,其係吹出並供給氣體而形成第3氣流,前述第3氣流係與由前述第1供給部形成的前述至少一方的氣流干涉;以及構件,其係包含與從前述第2供給部吹出的氣體的吹出方向交叉並用於接受由前述第2供給部形成的前述第3氣流的接受面;其中,前述第1供給部係以用於搬運前述原版的搬運口為基準而配置在收納前述原版的收納空間的進深側;前述第2供給部係以前述搬運口為基準而配置在前述收納空間的近前側。A storage device is provided for storing an original plate, wherein the original plate includes a pattern surface on which a pattern is formed, and comprises: a first supply portion, which blows out and supplies gas to form at least one of a first airflow and a second airflow, wherein the first airflow is along the first surface opposite to the pattern surface of the original plate, and the second airflow is along the second surface opposite to the pattern surface side of a protective member, wherein the protective member is arranged to be away from the pattern surface to protect the pattern surface; and a second supply portion, which blows out and supplies gas. The invention relates to a component comprising a receiving surface which intersects with the blowing direction of the gas blown out from the second supply portion and is used to receive the third airflow formed by the second supply portion; wherein the first supply portion is arranged at the depth side of the storage space for storing the original plate based on the transport port for transporting the original plate; and the second supply portion is arranged at the near front side of the storage space based on the transport port.
Description
本發明有關收納裝置、曝光裝置及物品的製造方法。The present invention relates to a storage device, an exposure device and a method for manufacturing an article.
在半導體元件或液晶顯示元件的製造工序(光刻(Lithography)工序)中,使用了將原版(遮罩(mask)或者標線片(Reticle))的圖案向配置有抗蝕材料的基板(晶圓)投影而在基板上轉印(形成)圖案的曝光裝置。在曝光裝置中,當將原版的圖案向基板上投影時,即在基板曝光時,若在原版上有異物等存在,則該異物會連同圖案一起被轉印到基板上而成為缺陷(不良)的原因。 因而,一般來講,為了防止在原版的圖案面(形成有圖案的面)上附著異物,在原版上設有被稱為蒙版(Pellicle)的保護構件。在蒙版中例如有由合成樹脂構成的膜狀製品。蒙版經由蒙版支撐框從原版的圖案面偏移了規定距離地被支撐。由此,由於異物附著在從原版的圖案面偏移了規定距離的蒙版膜上,所以,在曝光時在基板上無法結成焦點,只不過是作為光斑顯現。這樣,透過在原版設置蒙版,能夠降低曝光時的異物影響。 另外,在曝光裝置中,為了應對半導體元件的微細化來實現高解析度,正在發展曝光波長的短波長化。當前,對於曝光波長,KrF準分子雷射的248nm、屬於真空紫外區的ArF準分子雷射的193nm是主流,在將ArF準分子雷射那樣的短波長(高能)用作光源的曝光裝置中,原版的模糊成為問題。具體來講,首先,因存在於原版的表面或環境氣體中的氧與鹼基的反應或者有機雜質的光化學反應,會在原版上形成出構成模糊起因的物質。並且,透過水分的存在和紫外線的照射(曝光的能量)使得模糊起因凝聚,成長為構成缺陷原因的尺寸的模糊。 針對原版的模糊,從原版的保管環境以及搬運環境將作為模糊原因物質的揮發性雜質(主要是SO x、NH 3、有機物)或作為模糊生成物質的水分除去(低濕度化)成為了總體上抑制原版模糊的有效對策。作為這樣對策的一例,在日本特開平11-249286號專利公報、日本專利第4585514號專利公報中提出了以下技術:在原版的周圍環境中供給清潔乾燥空氣(CDA)等氣體來進行氣體清洗,即由清洗氣體置換原版的周圍環境。 另外,原版的模糊也因存在於蒙版膜內部的水分而形成。但是,即便蒙版膜內部暴露於低濕度環境,在蒙版膜內部被置換成低濕度之前需要耗費時間。因此,對原版的保管庫等保管環境進行氣體清洗的方式對蒙版膜內部的低濕度化是有效的,對抑制原版的模糊是有效的。 In the manufacturing process (lithography process) of semiconductor elements or liquid crystal display elements, an exposure device is used to project the pattern of the original plate (mask or reticle) onto a substrate (wafer) provided with an anti-etching material to transfer (form) the pattern on the substrate. In the exposure device, when the pattern of the original plate is projected onto the substrate, that is, when the substrate is exposed, if there is foreign matter on the original plate, the foreign matter will be transferred to the substrate together with the pattern and become a cause of defects (poor performance). Therefore, generally speaking, in order to prevent foreign matter from adhering to the pattern surface of the original plate (the surface on which the pattern is formed), a protective member called a plench is provided on the original plate. The plench is, for example, a film-like product made of a synthetic resin. The mask is supported by the mask support frame at a predetermined distance offset from the pattern surface of the original. As a result, foreign matter attached to the mask film offset at a predetermined distance from the pattern surface of the original cannot be focused on the substrate during exposure and only appears as a light spot. In this way, by setting a mask on the original, the influence of foreign matter during exposure can be reduced. In addition, in the exposure device, in order to achieve high resolution in response to the miniaturization of semiconductor devices, the exposure wavelength is being shortened. Currently, the mainstream exposure wavelengths are 248nm of KrF excimer lasers and 193nm of ArF excimer lasers belonging to the vacuum ultraviolet region. In exposure devices that use short wavelengths (high energy) such as ArF excimer lasers as light sources, blurring of the original becomes a problem. Specifically, first, the substances that cause blurring are formed on the original plate due to the reaction between oxygen and alkali existing on the surface of the original plate or in the ambient gas, or the photochemical reaction of organic impurities. In addition, the presence of water and the irradiation of ultraviolet rays (exposure energy) cause the blurring to condense and grow into blurring of a size that causes defects. To combat the blurring of the original plate, removing volatile impurities (mainly SO x , NH 3 , organic matter) that are the substances that cause blurring, or water that is the substance that generates blurring (lowering the humidity) from the storage environment and transportation environment of the original plate is an effective measure to suppress the blurring of the original plate as a whole. As an example of such a countermeasure, the following technology is proposed in Japanese Patent Gazette No. 11-249286 and Japanese Patent Gazette No. 4585514: Gas cleaning is performed by supplying a gas such as clean dry air (CDA) to the surrounding environment of the original, that is, the surrounding environment of the original is replaced by the cleaning gas. In addition, the blurring of the original is also caused by the moisture inside the mask film. However, even if the inside of the mask film is exposed to a low humidity environment, it takes time before the inside of the mask film is replaced with a low humidity. Therefore, a method of gas cleaning of the storage environment such as the storage room of the original is effective for lowering the humidity inside the mask film and is effective for suppressing the blurring of the original.
[發明欲解決之課題] 然而,在現有技術中,存在著為了使原版的保管環境等周圍環境低濕度化而需要大量(大流量)的清洗氣體這樣的課題。 本發明提供有利於將原版的收納空間低濕度化的收納裝置。 [解決課題之手段] 為了達成前述目的,作為本發明的一個方面的收納裝置,該收納裝置,係收納原版,前述原版包含形成有圖案的圖案面,具有:第1供給部,其係吹出並供給氣體而形成第1氣流以及第2氣流中的至少其中一方的氣流,前述第1氣流係沿著與前述原版的前述圖案面為相反側的第1面,前述第2氣流係沿著與保護構件的前述圖案面那側為相反側的第2面,前述保護構件被設置成離開前述圖案面而保護前述圖案面;第2供給部,其係吹出並供給氣體而形成第3氣流,前述第3氣流係與由前述第1供給部形成的前述至少一方的氣流干涉;以及構件,其係包含與從前述第2供給部吹出的氣體的吹出方向交叉並用於接受由前述第2供給部形成的前述第3氣流的接受面;其中,前述第1供給部係以用於搬運前述原版的搬運口為基準而配置在收納前述原版的收納空間的進深側;前述第2供給部係以前述搬運口為基準而配置在前述收納空間的近前側。 本發明的另外目的或者其他方面將透過以下參閱附圖來說明的實施方式而明瞭。 [發明效果] 根據本發明,例如可提供有利於將原版的收納空間低濕度化的收納裝置。 [Problem to be solved by the invention] However, in the prior art, there is a problem that a large amount (large flow rate) of cleaning gas is required to reduce the humidity of the surrounding environment such as the storage environment of the original. The present invention provides a storage device that is conducive to reducing the humidity of the storage space of the original. [Means for solving the problem] In order to achieve the above-mentioned purpose, as one aspect of the present invention, a storage device is provided, which stores an original plate, wherein the original plate includes a pattern surface formed with a pattern, and has: a first supply portion, which blows out and supplies gas to form at least one of a first airflow and a second airflow, wherein the first airflow is along the first surface opposite to the pattern surface of the original plate, and the second airflow is along the second surface opposite to the pattern surface side of the protective member, and the protective member is arranged to be away from the pattern surface to protect the pattern surface; a second supply portion A part that blows out and supplies gas to form a third airflow, the third airflow interfering with at least one of the airflows formed by the first supply part; and a component that includes a receiving surface that intersects with the blowing direction of the gas blown from the second supply part and is used to receive the third airflow formed by the second supply part; wherein the first supply part is arranged on the depth side of the storage space for storing the original plate based on the transport port for transporting the original plate; and the second supply part is arranged on the near front side of the storage space based on the transport port. Other objects or other aspects of the present invention will be apparent from the following embodiments described with reference to the attached drawings. [Effect of the invention] According to the present invention, for example, a storage device that is conducive to reducing the humidity of the storage space for the original plate can be provided.
以下,參閱附圖詳細說明實施方式。另外,以下的實施方式並不限定有關申請專利範圍的發明。在實施方式中記載有多個特徵,但這些特徵並非全部都是發明的必要技術特徵,另外多個特徵也可以任意組合。進而,在附圖中,對相同或相似的構成標註相同的參考編號,省略重複說明。
首先,在說明本實施方式之前,對有關收納(保管)原版的收納裝置(保管庫)的現有技術進行說明。
圖11是表示專利文獻1所揭示的收納裝置1000的構成的概略圖。收納裝置1000從一個方向對收納包含形成有圖案的圖案面的原版91的收納空間(原版91的周圍環境)進行氣體清洗。具體來講,供給部94經由噴嘴使氣體95(低濕度氣體)流往原版91的與圖案面相反側的背面92的周圍或保護原版91的圖案面的保護構件(蒙版)的保護面93的周圍,從而進行收納空間的氣體清洗。這樣,若從一個方向對原版91的收納空間進行氣體清洗,則如圖11所示那樣,相對於原版91在下游側產生渦流96,將原版91的周圍的高濕度環境氣體捲入,故而存在無法使收納空間低濕度化這樣的課題。
圖12是表示專利文獻2所揭示的收納裝置2000的構成的概略圖。收納裝置2000對收納包含形成有圖案的圖案面的原版101的收納空間110進行氣體清洗。具體來講,在收納裝置2000中,使氣體104(低濕度氣體)從原版101的收納空間110的開口側朝內側流動,該氣體104在對收納空間110(的內側)進行清洗(purge)之後流向開口側。此時,氣體104在原版101的與圖案面相反側的背面102的周圍、保護原版101的圖案面的保護構件(蒙版)的保護面103的周圍流動。另外,在圖12中,表示出從原版101的收納空間110的內側流向開口側的氣體104的流動。另外,在收納裝置2000,在原版101的收納空間110的開口側(相對於原版101的下游側)的上方,設有經由噴嘴朝下方吹出氣體106(低濕度氣體)而形成氣簾的供給部105。進而,在收納裝置2000,設有將設於規定原版101的收納空間110的腔體108的開口關閉而將收納空間110形成為密閉空間的開閉機構109。
在這樣的收納裝置2000中,在由開閉機構109將收納空間110形成為密閉空間而不進行氣體清洗的場合,相對於原版101在下游側產生渦流107,捲入原版101的周圍的高濕度環境氣體,故而無法使收納空間110低濕度化。為了使原版101的收納空間110低濕度化,必須縮窄產生渦流107的區域來降低周圍的高濕度環境氣體的捲入。因而,考慮利用供給部105來形成將流向原版101的背面102的周圍、保護構件的保護面103的周圍的氣體104的流動遮斷那樣的氣簾。但是,存在為了形成這樣的氣簾而需要大量(大流量)的氣體106這樣的課題。
以下,在各實施方式中,對有利於將原版的收納空間低濕度化的收納裝置進行說明。
<第1實施方式>
圖1是表示本發明的第1實施方式中的收納裝置1A的構成的概略圖。收納裝置1A在由收納腔體(未圖示)規定的收納空間AS中收納(保管)包含形成有圖案的圖案面14的原版11。
原版11例如經由設於收納腔體的保持槽或保持構件而被保持在收納空間AS中。在原版11上,為了防止異物附著於原版11的圖案面14,設有被稱為蒙版的保護構件12。保護構件12經由支撐框12a從原版11的圖案面14離開(偏置)規定距離地被支撐。
在收納裝置1A中,為了從一個方向對收納原版11的收納空間AS(原版11的周圍環境)進行氣體清洗,設有第1供給部13(噴嘴)。第1供給部13向原版11的與圖案面14相反側的背面15(第1面)的周圍、保護構件12的與圖案面14側相反側的保護面16(第2面)的周圍供給氣體,以該氣體置換收納空間AS。具體來講,第1供給部13具有形成沿著原版11的背面15的(即在背面15的周圍流動的)第1氣流17以及沿著保護構件12的保護面16的(即在保護面16的周圍流動的)第2氣流18中的至少一方氣流的功能。在本實施方式中,第1供給部13以形成第1氣流17以及第2氣流18雙方氣流的方式相對於收納空間AS吹出並供給氣體。這樣,第1供給部13形成從收納空間AS的進深側流向收納空間AS的近前側的一個方向的氣流(第1氣流17以及第2氣流18)。另外,第1供給部13既可以由1個噴嘴形成第1氣流17和第2氣流18,也可以由分體的噴嘴(2個噴嘴)分別形成第1氣流17以及第2氣流18。透過由分體的噴嘴分別形成第1氣流17以及第2氣流18,能單獨地控制(設定)第1氣流17的流量和第2氣流18的流量。
另外,在收納裝置1A中,在設於收納腔體的開口側,具體是在用於在收納裝置1A與外部之間搬運原版11的搬運口CP那側的上方,設有第2供給部21。第2供給部21形成用於將搬運口CP與外部遮斷的氣簾。具體來講,第2供給部21以形成與由第1供給部13形成的第1氣流17以及第2氣流18中的至少一方氣流干涉的第3氣流19的方式吹出並供給氣體。在本實施方式中,第2供給部21以形成與由第1供給部13形成的第1氣流17以及第2氣流18雙方氣流碰撞的(交叉的)第3氣流19的方式朝下方吹出並供給氣體。
如圖1所示那樣,在收納裝置1A中,第1供給部13以搬運口CP為基準配置在收納空間AS的進深側,第2供給部21以搬運口CP為基準配置在收納空間AS的近前側。另外,若以收納於收納空間AS的原版11為基準,則第1供給部13配置在原版11的一方側(-Y方向),第2供給部13配置在原版11的另一方側(+Y方向)。透過這樣的配置,在收納裝置1A中,能從一個方向對收納空間AS進行氣體清洗。
作為從第1供給部13以及第2供給部21供給的氣體(清洗氣體),例如可列舉清潔乾燥空氣(CDA)。CDA與通常的空氣相比,其包含作為原版11的模糊生成物質的水分(水蒸氣)的比例極低,在本實施方式中是其濕度為1%以下的氣體。另外,從第1供給部13以及第2供給部21供給的氣體,也可以是包含水分的比例小的非活性氣體,例如氮氣(N
2)。透過以濕度為1%以下的CDA對收納空間AS進行清洗,能將原版11的周圍環境的濕度形成為例如1.5%以下的低濕度,能抑制原版11的模糊的產生。
另外,若能將原版11的周圍環境的濕度設為目標濕度以下,則從第1供給部13供給的氣體與從第2供給部21供給的氣體也可以不同。換言之,形成第3氣流19的氣體也可以是形成第1氣流17以及第2氣流18的氣體以外的氣體。但是,從裝置構成的複雜化觀點出發,優選的是,從第1供給部13供給的氣體和從第2供給部21供給的氣體是相同氣體。
進而,在收納裝置1A中,與第2供給部21相向地設有壁構件20。壁構件20是包含與從第2供給部21吹出的氣體的吹出方向BD交叉並用於接受由第2供給部21形成的第3氣流19的接受面20a的構件。具體來講,以接受面20a相對於保護構件12的保護面16在Y方向(沿著保護面16的方向)自保護面16起朝外側為0mm以上且300mm以下的範圍內延伸的方式構成壁構件20。壁構件20既可以作為規定收納空間AS的收納腔體的一部分構成,也可以與收納腔體分體地構成。
在收納裝置1A中,也如上述那樣,因第1氣流17以及第2氣流18,相對於原版11在下游側產生渦流22。但是,在本實施方式中,透過以由第2供給部21形成的第3氣流19和壁構件20夾入第1氣流17以及第2氣流18,能縮窄產生渦流22的區域(產生區域)。因此,能減少原版11的周圍的高濕度環境氣體的捲入,使收納空間AS低濕度化。另外,從縮窄渦流22的產生區域的觀點出發,優選的是,第2供給部21與壁構件20之間的Z方向(與原版11的圖案面14正交的方向)的距離短。具體來講,壁構件20可以配置成在Z方向使接受面20a與第2供給部21的氣體的吹出口之間的距離為10mm以上且500mm以下。
在此,參閱圖2,對第1氣流17的流量Q1、第2氣流18的流量Q2和第3氣流19的流量Q3的關係進行說明。在圖2中,示出了第3氣流19的流量Q3為第1氣流17的流量Q1與第2氣流18的流量Q2之和(第1氣流17和第2氣流18的總流量)以上的場合、即Q3≥Q1+Q2的場合的原版11的周邊處的氣體的流動。在該場合,如圖2所示那樣,透過第3氣流19碰撞壁構件20的接受面20a,產生其一部分朝原版11那側流動的(逆流的)氣流19a。由此,由於原版11的周圍的高濕度環境氣體被捲入,生成高濕度的氣體流向原版11那側的氣流81,所以,對原版11的周圍環境即收納空間AS的低濕度化不利。因此,優選的是,第3氣流19的流量Q3小於第1氣流17的流量Q1與第2氣流18的流量Q2之和(第1氣流17和第2氣流18的總流量),即Q3<Q1+Q2。
另外,收納裝置1A也能如圖3所示那樣構成為透過設置多層收納空間AS即層疊多層原版11的收納架來收納多個原版11。另外,在圖3中,層疊2層收納架,但並不限定收納架的層數,也可以層疊3層以上的收納架。圖3是示出能收納多個原版11的收納裝置1A的構成的圖。在該場合,相對於多個收納空間AS(多個原版11)分別設置第2供給部21以及壁構件20。此時,也可以如圖3所示的收納裝置1A那樣,在設於上層的收納空間AS的壁構件20,設置用於在下層的收納空間AS形成第3氣流19的第2供給部21。另一方面,第1供給部13無需針對多個收納空間AS分別設置,也可以如圖3所示那樣,由1個第1供給部13形成多個收納空間AS各自中的第1氣流17以及第2氣流18。在該場合,相比針對多個收納空間AS分別設置第1供給部13的場合,在裝置構成方面是有利的。
另外,在圖1中,壁構件20僅存在於與第2供給部21相向的部分。但是,壁構件20也可以如圖4所示那樣相比原版11的背面15或保護構件12的保護面16朝第1供給部13那側延伸。在該場合,由第2供給部21形成的第2氣流18透過壁構件20進行整流。同樣,從第1氣流17的整流這樣的觀點出發,也可以如圖4所示那樣使第2供給部21相比原版11的背面15或保護構件12的保護面16朝第1供給部13那側延伸。
圖5是圖1所示的收納裝置1A的XY平面圖。優選的是,第1氣流17如圖5所示那樣在X方向在比原版11的背面15寬的範圍流動。同樣,優選的是,第2氣流18在X方向在比保護構件12的保護面16寬的範圍流動。因此,第1供給部13可以按照在X方向在比原版11的背面15或保護構件12的保護面16寬的範圍形成第1氣流17以及第2氣流18的方式吹出並供給氣體。另外,優選的是,第3氣流19在X方向在比第1氣流17以及第2氣流18寬的範圍流動。因此,第2供給部21可以按照在X方向以在比第1氣流17以及第2氣流18寬的範圍形成第3氣流19的方式吹出並供給氣體。
優選的是,第2供給部21(的氣體的吹出口)在Y方向配置在原版11的附近。其原因在於,若將第2供給部21配置在遠離原版11的位置,則第3氣流19與第1氣流17以及第2氣流18干涉的(交叉的)位置且遠離原版11,渦流22的產生區域在+Y方向擴大,收納空間AS的低濕度化會需要時間。
另外,如上述那樣,第3氣流19只要與壁構件20協同地相對於原版11在下游側夾入第1氣流17以及第2氣流18即可。因此,如圖6所示那樣,無需使第2供給部21與壁構件20在Z方向相向,只要以從第2供給部21吹出的氣體的吹出方向BD與接受面20a交叉的方式配置第2供給部21和壁構件20即可。即便第2供給部21和壁構件20在Y方向錯開,只要從第2供給部21吹出的氣體的吹出方向BD與壁構件20的接受面20a交叉即可。
<第2實施方式>
參閱圖7A以及圖7B對本發明的第2實施方式中的收納裝置1B進行說明。圖7A是表示本發明的第2實施方式中的收納裝置1B的構成的概略圖,圖7B是圖7A所示的收納裝置1B的XY平面圖。收納裝置1B在由收納腔體(未圖示)規定的收納空間AS中收納(保管)包含形成有圖案的圖案面14的原版11。收納裝置1B具有與收納裝置1A同樣的構成,但與收納裝置1A比較,壁構件20的構成不同。
在本實施方式中,壁構件20在接受面20a中包含朝第2供給部21那側突出的凸部41。凸部41與第2供給部21相向並以與從第2供給部21吹出的氣體的吹出方向BD交叉的方式設置。透過在壁構件20的接受面20a設置凸部41,能縮小第2供給部21與壁構件20之間的Z方向的距離。另外,凸部41的第2供給部21那側的面可以形成為第2供給部21那側的面在Z方向位於比保護構件12的保護面16高的位置(+Z方向)。
如第1實施方式所說明的那樣,能利用由第2供給部21形成的第3氣流19和壁構件20縮窄渦流42的產生區域,但是,像本實施方式那樣能透過設置凸部41來進一步縮窄渦流42的產生區域。因此,能減少原版11的周圍的高濕度環境氣體的捲入,使收納空間AS低濕度化。這樣,凸部41對原版11的周圍環境的低濕度化是有效的。
另外,在本實施方式中,如圖7B所示那樣,相對於原版11在X方向設有側壁43。參閱圖7B,由第1供給部13形成的第1氣流17一般在X方向擴散。但是,在本實施方式中,由於設有側壁43,所以能抑制第1氣流17朝X方向的擴散。因此,在本實施方式中,能使第1氣流17在X方向在比原版11的背面15窄的範圍流動。同樣,能使第2氣流18在X方向在比保護構件12的保護面16窄的範圍流動。另一方面,優選的是,第3氣流19在X方向在比第1氣流17以及第2氣流18寬的範圍流動。
<第3實施方式>
參閱圖8對本發明的第3實施方式中的收納裝置1C進行說明。圖8是表示本發明的第3實施方式中的收納裝置1C的構成的概略圖。收納裝置1C在由收納腔體(未圖示)規定的收納空間AS中收納(保管)包含形成有圖案的圖案面14的原版11。收納裝置1C具有與收納裝置1A同樣的構成,但與收納裝置1A比較,還具有第3供給部51。另外,在本實施方式中,第1供給部13以僅形成第1氣流17的方式吹出並供給氣體。
第3供給部51與保護構件12的保護面16相向地設置,朝保護面16吹出並供給氣體。由此,如圖8所示那樣,在原版11的收納空間AS中形成氣流52。
從第3供給部51供給的氣體(清洗氣體)相比通常的空氣,其包含作為原版11的模糊生成物質的水分(水蒸氣)的比例極低,在本實施方式中是其濕度為1%以下的氣體。另外,從第3供給部51供給的氣體既可以與從第1供給部13供給的氣體或從第2供給部21供給的氣體不同,也可以相同。
如第1實施方式所說明的那樣,能利用由第2供給部21形成的第3氣流19和壁構件20縮窄渦流53的產生區域,但是,像本實施方式那樣透過形成氣流52而能進一步縮窄渦流53的產生區域。因此,能減少原版11的周圍的高濕度環境氣體的捲入,使收納空間AS低濕度化。這樣,相對於保護構件12的保護面16從第3供給部51吹出氣體而形成氣流52的方式對原版11的周圍環境的低濕度化是有效的。
另外,在本實施方式中,將第3供給部51設於壁構件20,但不限定於此。例如,第3供給部51只要構成為能朝保護構件12的保護面16的整個區域吹出氣體即可,也可以與壁構件20分體地設置第3供給部51。另外,第3供給部51的氣體的吹出口的形狀可選擇狹縫形狀或圓形形狀等任意形狀。
<第4實施方式>
參閱圖9對本發明的第4實施方式中的收納裝置1D進行說明。圖9是表示本發明的第4實施方式中的收納裝置1D的構成的概略圖。收納裝置1D在由收納腔體(未圖示)規定的收納空間AS中收納(保管)包含形成有圖案的圖案面14的原版11。收納裝置1D具有與收納裝置1A同樣的構成,但與收納裝置1A比較,還具有第4供給部61。
第4供給部61與第2供給部21相向地設於壁構件20。第4供給部61以形成第4氣流62的方式吹出並供給氣體,該第4氣流62與由第1供給部13形成的第1氣流17、第2氣流18干涉且與由第2供給部21形成的第3氣流19相向。另外,優選的是,第4氣流62在X方向在與第3氣流19同等程度的範圍內流動。
從第4供給部61供給的氣體(清洗氣體)相比通常的空氣,其包含作為原版11的模糊生成物質的水分(水蒸氣)的比例極低,在本實施方式中是其濕度為1%以下的氣體。另外,從第4供給部61供給的氣體既可以與從第1供給部13供給的氣體或從第2供給部21供給的氣體不同,也可以相同。
在本實施方式中,由於第4氣流62以與第1氣流17以及第2氣流18干涉(碰撞)的方式形成,所以能獲得與第3實施方式同樣的效果。具體來講,能利用由第2供給部21形成的第3氣流19和壁構件20縮窄渦流63的產生區域,但是,像本實施方式那樣透過形成第4氣流62而能進一步縮窄渦流63的產生區域。因此,能減少原版11的周圍的高濕度環境氣體的捲入,使收納空間AS低濕度化。這樣,形成從第4供給部61吹出氣體而與第3氣流19相向的第4氣流62的方式對原版11的周圍環境的低濕度化是有效的。
在此,對第1氣流17的流量Q1、第2氣流18的流量Q2、第3氣流19的流量Q3和第4氣流62的流量Q4的關係進行說明。例如考慮第3氣流19的流量Q3與第4氣流62的流量Q4之和(總流量)為第1氣流17的流量Q1與第2氣流18的流量Q2之和(總流量)以上的場合、即Q3+Q4≥Q1+Q2的場合。在該場合,透過第3氣流19與第4氣流62碰撞,產生其一部分流往原版11那側的(逆流的)氣流。由此,原版11的周圍的高濕度環境氣體被捲入,生成高濕度的氣體流往原版11那側的氣流,故而對作為原版11的周圍環境的收納空間AS的低濕度化不利。因此,優選的是,第3氣流19的流量Q3與第4氣流62的流量Q4之和小於第1氣流17的流量Q1與第2氣流18的流量Q2之和,即Q3+Q4<Q1+Q2。
這樣,根據第1實施方式、第2實施方式、第3實施方式以及第4實施方式,無需大量(大流量)的氣體(清洗氣體),能提供有利於使作為原版11的周圍環境的收納空間AS低濕度化的收納裝置。另外,能適當組合第1實施方式、第2實施方式、第3實施方式和第4實施方式。
以下,參閱圖10,對作為收納原版的收納部應用收納裝置1A的曝光裝置進行說明。另外,在此,將收納裝置1A應用於曝光裝置,但也可以將收納裝置1B、1C或者1D應用於曝光裝置。圖10是表示作為本發明的一個方面的曝光裝置505的構成的概略圖。
曝光裝置505是在作為半導體元件或液晶顯示元件等器件的製造工序的光刻工序中被採用而在基板上形成圖案的光刻裝置。曝光裝置505經由原版對基板進行曝光,將原版的圖案轉印到基板上。曝光裝置505可以採用步進掃描方式、分佈重複方式、其他曝光方式。
如圖10所示那樣,曝光裝置505具有:照明光學系統501、保持並移動原版的原版載臺502(原版保持部)、投影光學系統503、保持並移動基板的基板載臺504、以及收納裝置1A。
照明光學系統501利用來自光源的光對原版載臺502所保持的原版11進行照明。照明光學系統501包含透鏡、反射鏡、光學積分器、光圈等。另外,對於光源例如能使用波長約為193nm的ArF準分子雷射、波長約為248nm的KrF準分子雷射、波長約為157nm的F
2雷射、YAG雷射等雷射。光源所使用的雷射的個數並沒有限定。在光源使用雷射的場合,照明光學系統501可以包含將鐳射(平行光)整形為所期望的形狀的整形光學系統或使相干的鐳射不相干化的不相干化光學系統。另外,光源並不限定於雷射,也可以使用1個或者多個水銀燈或氙氣燈等燈。
投影光學系統503將原版11的圖案投影到基板載臺504所保持的基板上。投影光學系統503能使用僅由多個透鏡元件構成的光學系統、包含多個透鏡元件及至少1個凹面反射鏡的光學系統(反射折射光學系統)。另外,投影光學系統503能使用包含多個透鏡元件和1個衍射成像元件等衍射光學元件的光學系統或全反射鏡型的光學系統等。
收納裝置1A對從曝光裝置505的外部被搬入曝光裝置505並向原版載臺502被搬運的原版11進行收納(保管)。收納裝置1A如上述那樣無需大量(大流量)的氣體(清洗氣體),能使作為原版11的周圍環境的收納空間AS低濕度化。因此,從收納裝置1A向原版載臺502被搬運並被原版載臺502保持的原版11在曝光時可抑制模糊的產生。由此,曝光裝置505在半導體元件或液晶顯示元件等器件的製造工序的光刻工序中相比以往能以低成本製造出高品位的器件。
本發明的實施方式中的物品製造方法例如適於製造器件(半導體元件、磁性記憶媒體、液晶顯示元件等)等物品。該製造方法包含:使用曝光裝置505對塗敷了感光劑的基板進行曝光(在基板上形成圖案)的工序、以及對經過曝光的基板進行顯影(處理基板)的工序。另外,該製造方法能包含其他周知的工序(氧化、成膜、蒸鍍、摻雜、平坦化、蝕刻、抗蝕劑剝離、切割、黏合、封裝等)。本實施方式的物品製造方法相比以往的方法在物品的性能、品質、生產效率以及生產成本中的至少一個方面是有利的。另外,上述的物品製造方法也可以使用壓印裝置或描畫裝置等光刻裝置來進行。
本發明並不限於上述實施方式,在不脫離發明之精神及範圍下,是可以做各種的改變及變化。因此,為了公開發明的範圍而附上請求項。
Below, the implementation method is described in detail with reference to the attached drawings. In addition, the following implementation method does not limit the invention within the scope of the patent application. A plurality of features are recorded in the implementation method, but not all of these features are necessary technical features of the invention, and a plurality of features may be arbitrarily combined. Furthermore, in the attached drawings, the same reference numbers are given to the same or similar structures, and repeated descriptions are omitted. First, before describing the present implementation method, the prior art regarding a storage device (storage room) for storing (keeping) original plates is described. Figure 11 is a schematic diagram showing the structure of a
11:原版
12:保護構件
13:第1供給部(噴嘴)
14:圖案面
15:背面(第1面)
16:保護面(第2面)
17:第1氣流
18:第2氣流
19:第3氣流
20:壁構件
21:第2供給部
22:渦流
41:凸部
42:渦流
43:側壁
51:第3供給部
52:氣流
53:渦流
61:第4供給部
62:第4氣流
63:渦流
81:氣流
91:原版
92:背面
93:保護面
94:供給部
95:氣體(低濕度氣體)
96:渦流
101:原版
102:背面
103:保護面
104:氣體(低濕度氣體)
105:供給部
106:氣體(低濕度氣體)
107:渦流
108:腔體
109:開閉機構
110:收納空間
501:照明光學系統
502:原版載臺
503:投影光學系統
504:基板載臺
505:曝光裝置
1000:收納裝置
2000:收納裝置
12a:支撐框
19a:氣流
1A:收納裝置
1B:收納裝置
1C:收納裝置
1D:收納裝置
20a:接受面
AS:收納空間
BD:氣體的吹出方向
CP:搬運口
11: Original plate
12: Protective member
13: First supply unit (nozzle)
14: Pattern surface
15: Back side (first side)
16: Protective surface (second side)
17: First airflow
18: Second airflow
19: Third airflow
20: Wall member
21: Second supply unit
22: Vortex
41: Convex portion
42: Vortex
43: Side wall
51: Third supply unit
52: Airflow
53: Vortex
61: Fourth supply unit
62: Fourth airflow
63: Vortex
81: Airflow
91: Original plate
92: Back side
93: Protective surface
94: Supply unit
95: Gas (low-humidity gas)
96: Vortex
101: Original plate
102: Back
103: Protective surface
104: Gas (low-humidity gas)
105: Supply unit
106: Gas (low-humidity gas)
107: Vortex
108: Cavity
109: Opening and closing mechanism
110: Storage space
501: Illumination optical system
502: Original plate carrier
503: Projection optical system
504: Substrate carrier
505: Exposure device
1000: Storage device
2000:
[圖1]是表示本發明的第1實施方式中的收納裝置的構成的概略圖。 [圖2]是用於說明第1氣流的流量、第2氣流的流量和第3氣流的流量的關係的圖。 [圖3]是表示本發明的第1實施方式中的收納裝置的構成的概略圖。 [圖4]是表示本發明的第1實施方式中的收納裝置的構成的概略圖。 [圖5]是表示本發明的第1實施方式中的收納裝置的構成的概略圖。 [圖6]是表示本發明的第1實施方式中的收納裝置的構成的概略圖。 [圖7A]以及[圖7B]是表示本發明的第2實施方式中的收納裝置的構成的概略圖。 [圖8]是表示本發明的第3實施方式中的收納裝置的構成的概略圖。 [圖9]是表示本發明的第4實施方式中的收納裝置的構成的概略圖。 [圖10]是表示作為本發明的一個方面的曝光裝置的構成的概略圖。 [圖11]是表示現有技術中的收納裝置的構成的概略圖。 [圖12]是表示現有技術中的收納裝置的構成的概略圖。 [FIG. 1] is a schematic diagram showing the structure of the storage device in the first embodiment of the present invention. [FIG. 2] is a diagram for explaining the relationship between the flow rate of the first airflow, the flow rate of the second airflow, and the flow rate of the third airflow. [FIG. 3] is a schematic diagram showing the structure of the storage device in the first embodiment of the present invention. [FIG. 4] is a schematic diagram showing the structure of the storage device in the first embodiment of the present invention. [FIG. 5] is a schematic diagram showing the structure of the storage device in the first embodiment of the present invention. [FIG. 6] is a schematic diagram showing the structure of the storage device in the first embodiment of the present invention. [FIG. 7A] and [FIG. 7B] are schematic diagrams showing the structure of the storage device in the second embodiment of the present invention. [FIG. 8] is a schematic diagram showing the structure of the storage device in the third embodiment of the present invention. [Figure 9] is a schematic diagram showing the structure of the storage device in the fourth embodiment of the present invention. [Figure 10] is a schematic diagram showing the structure of the exposure device as one aspect of the present invention. [Figure 11] is a schematic diagram showing the structure of the storage device in the prior art. [Figure 12] is a schematic diagram showing the structure of the storage device in the prior art.
1A:收納裝置 1A: Storage device
11:原版 11: Original version
12:保護構件 12: Protective components
12a:支撐框 12a: Support frame
13:第1供給部(噴嘴) 13: 1st supply section (nozzle)
14:圖案面 14: Pattern side
15:背面(第1面) 15: Back side (side 1)
16:保護面(第2面) 16: Protective surface (2nd side)
17:第1氣流 17: The 1st airflow
18:第2氣流 18: Second airflow
19:第3氣流 19: The third airflow
20:壁構件 20: Wall components
20a:接受面 20a: Acceptance surface
21:第2供給部 21: Second supply department
22:渦流 22: Eddy current
AS:收納空間 AS: Storage space
BD:氣體的吹出方向 BD: Gas blowing direction
CP:搬運口 CP: Port of transportation
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JPH11249286A (en) | 1998-02-26 | 1999-09-17 | Innotech Corp | Reticule storage device |
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH11249286A (en) | 1998-02-26 | 1999-09-17 | Innotech Corp | Reticule storage device |
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