KR20220084828A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판의 디척킹 여부 판단이 가능한 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
본 발명은, 외부의 이송로봇을 통해 기판(1)이 도입 및 반출되며, 기판처리가 수행되는 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 처리공간(S) 내부에 설치되어, 정전흡착을 통해 저면에 기판(1)을 지지 및 고정하는 정전척(300)과; 상기 기판(1)을 향하여 광을 조사하고 반사되는 광을 수광하여, 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)으로부터의 디척킹여부를 감지하는 디척킹감지부(200)를 포함하며, 상기 디척킹감지부(200)는, 상기 기판(1)과 상기 정전척(300) 사이의 이격거리를 감지함으로써 상기 기판(1)의 디척킹여부를 판단하는 기판처리장치를 개시한다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of determining whether a substrate is dechucked.
The present invention, the substrate (1) is introduced and transported through an external transfer robot, and the process chamber (100) to form a processing space (S) in which the substrate processing is performed; an electrostatic chuck 300 installed inside the processing space S to support and fix the substrate 1 on the bottom surface through electrostatic adsorption; and a dechucking detection unit 200 for irradiating light toward the substrate 1 and receiving reflected light to detect whether the substrate 1 is dechucked from the electrostatic chuck 300, and The dechucking detection unit 200 discloses a substrate processing apparatus that determines whether the substrate 1 is dechucked by sensing a separation distance between the substrate 1 and the electrostatic chuck 300 .

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{Substrate processing apparatus and substrate processing method}Substrate processing apparatus and substrate processing method

본 발명은, 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판의 디척킹 여부 판단이 가능한 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of determining whether a substrate is dechucked.

일반적으로 기판을 처리하기 위해서는, 기판을 정위치에 지지한 상태에서 기판처리를 수행할 필요가 있으며, 이때의 기판을 지지 및 고정하는 구성으로서 정전척이 이용될 수 있다.In general, in order to process a substrate, it is necessary to perform substrate processing in a state in which the substrate is supported in a fixed position, and an electrostatic chuck may be used as a configuration for supporting and fixing the substrate at this time.

정전척을 이용하여 기판을 고정하고 기판처리를 수행하는 경우, 기판을 정전척이 근접하게 접근시켜 기판을 정전척에 흡착시키고, 고정된 기판에 대하여 기판처리를 수행하며, 처리가 완료된 기판을 정전척으로부터 분리하는 과정을 거친다.When a substrate is fixed using an electrostatic chuck and substrate processing is performed, the electrostatic chuck approaches the substrate closely to adsorb the substrate to the electrostatic chuck, performs substrate processing on the fixed substrate, and electrostatically transfers the processed substrate to the electrostatic chuck. It goes through the process of separating from the chuck.

이때, 처리가 완료된 기판을 정전척으로부터 분리하는 과정인 디척킹과정은, 전류의 제어를 통해 발생된 정전력을 제거함으로써, 기판이 정전척으로부터 분리되는 방법으로 수행된다.In this case, the dechucking process, which is a process of separating the processed substrate from the electrostatic chuck, is performed by removing the electrostatic force generated through the control of the current, whereby the substrate is separated from the electrostatic chuck.

그러나, 종래의 기판처리장치는, 정전척의 하부에 기판이 정전흡착되어 기판처리가 완료된 상태에서 정전척의 전류 제어를 통해 발생된 정전력 제거 시에도 잔류하는 정전기에 의해 기판이 정전척으로부터 분리되지 않는 문제점이 있다.However, in the conventional substrate processing apparatus, the substrate is not separated from the electrostatic chuck by residual static electricity even when the electrostatic power generated by controlling the current of the electrostatic chuck is removed in a state where the substrate is electrostatically adsorbed to the bottom of the electrostatic chuck and substrate processing is completed. There is a problem.

이러한 문제점을 개선하기 위하여, 종래의 기판처리장치는 정전력을 제거한 상태에서 기판의 가장자리를 물리적으로 분리하는 추가적인 구성을 구비하였으나, 기판이 점차 대형화되는 과정에서 기판의 가장자리가 일부 분리된 상태에서도 중심측이 여전히 정전척에 흡착되어 전체로서 디척킹이 완료되지 못하는 문제점이 있다.In order to improve this problem, the conventional substrate processing apparatus has an additional configuration for physically separating the edges of the substrate in a state in which electrostatic force is removed. Since the side is still adsorbed to the electrostatic chuck, there is a problem in that dechucking cannot be completed as a whole.

디척킹이 완료되지 못한 상태에서 새로운 기판이 진입하는 등 기판 이송이 진행되어 기판이 파손되거나, 공정이 지연되어 공정시간이 증가하는 문제점이 있다. In a state in which dechucking is not completed, there is a problem in that the substrate is transferred, such as a new substrate enters, so that the substrate is damaged, or the processing time is increased because the process is delayed.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판의 디척킹을 감지할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of detecting dechucking of a substrate in order to solve the above problems.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 외부의 이송로봇을 통해 기판(1)이 도입 및 반출되며, 기판처리가 수행되는 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 처리공간(S)에 설치되어, 정전흡착을 통해 저면에 기판(1)을 지지 및 고정하는 정전척(300)과; 상기 기판(1)을 향하여 광을 조사하고 반사되는 광을 수광하여 수광되는 광의 광량을 측정하는 디척킹감지부(200)와; 상기 디척킹감지부(200)로부터 수광되는 광의 광량을 통해 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)으로부터의 디척킹여부를 판단하는 디척킹판단부(230)를 포함하며, 상기 디척킹판단부(230)는, 상기 기판(1)과 상기 정전척(300) 사이의 이격거리를 감지함으로써 상기 기판(1)의 디척킹여부를 판단하는 기판처리장치를 개시한다. The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, and the present invention forms a processing space (S) in which the substrate 1 is introduced and unloaded through an external transfer robot, and substrate processing is performed. a process chamber 100 and; an electrostatic chuck 300 installed in the processing space S to support and fix the substrate 1 on the bottom surface through electrostatic adsorption; a dechucking sensing unit 200 for irradiating light toward the substrate 1 and receiving reflected light to measure the amount of light received; and a dechucking determining unit 230 that determines whether the substrate 1 is dechucked from the electrostatic chuck 300 through the amount of light received from the dechucking detecting unit 200, and the dechucking determination is made. The unit 230 discloses a substrate processing apparatus that determines whether the substrate 1 is dechucked by sensing a separation distance between the substrate 1 and the electrostatic chuck 300 .

상기 디척킹판단부(230)는, 감지되는 상기 기판(1)과 상기 정전척(300) 사이의 이격거리(d1)를 미리 설정된 기준거리(d2)와 비교하며, 상기 이격거리(d1)가 상기 기준거리(d2) 이상인 경우 상기 기판(1)이 디척킹된 것으로 판단할 수 있다. The dechucking determining unit 230 compares the sensed separation distance d1 between the substrate 1 and the electrostatic chuck 300 with a preset reference distance d2, and the separation distance d1 is When the reference distance d2 is greater than or equal to the reference distance d2, it may be determined that the substrate 1 is dechucked.

상기 디척킹감지부(200)는, 상기 기판(1)을 향해서 광을 조사하는 발광부(210)와, 상기 발광부(210)를 통해 조사되어 반사되는 광을 수광하는 수광부(220)를 포함할 수 있다. The dechucking detection unit 200 includes a light emitting unit 210 for irradiating light toward the substrate 1 and a light receiving unit 220 for receiving the light that is irradiated and reflected through the light emitting unit 210 . can do.

상기 디척킹판단부(230)는, 상기 기판(1)이 상기 정전척(300)의 저면에 정전흡착된 위치에서의 수광되는 광의 광량과 상기 기판(1)이 상기 정전척(300)으로부터 디척킹된 위치에서의 수광되는 광량을 비교하여 상기 기판(1)의 디척킹여부를 판단할 수 있다. The dechucking determination unit 230 includes the amount of light received at the position where the substrate 1 is electrostatically adsorbed on the bottom surface of the electrostatic chuck 300 and the amount of light received by the substrate 1 from the electrostatic chuck 300 . By comparing the amount of light received at the chucked position, it is possible to determine whether the substrate 1 is dechucked.

상기 디척킹감지부(200)는, 상기 처리공간(S) 내 상기 정전척(300)으로부터 하측으로 이격되어 설치될 수 있다. The dechucking sensing unit 200 may be installed to be spaced downward from the electrostatic chuck 300 in the processing space S.

상기 디척킹감지부(200)는, 상기 정전척(300)의 저면에 정전흡착된 상기 기판(1)의 가장자리에 대응되는 위치에 설치되어, 상기 기판(1)의 가장자리를 향하여 광을 조사할 수 있다. The dechucking sensing unit 200 is installed at a position corresponding to the edge of the substrate 1 electrostatically adsorbed on the bottom surface of the electrostatic chuck 300 to irradiate light toward the edge of the substrate 1 . can

상기 디척킹감지부(200)는, 상기 처리공간(S) 내 상기 정전척(300)의 상측에 설치되어, 상기 정전척(300)을 관통하여 상기 기판(1)을 향해 광을 조사할 수 있다. The dechucking detection unit 200 may be installed on the upper side of the electrostatic chuck 300 in the processing space S to pass through the electrostatic chuck 300 and irradiate light toward the substrate 1 . have.

상기 디척킹감지부(200)는, 상기 정전척(300)의 저면에 대응되는 높이에서 상기 정전척(300)의 측면으로부터 이격되어 설치되어, 상기 정전척(300)의 저면과 평행하도록 광을 조사할 수 있다. The dechucking sensing unit 200 is installed to be spaced apart from the side surface of the electrostatic chuck 300 at a height corresponding to the bottom surface of the electrostatic chuck 300 , and emits light parallel to the bottom surface of the electrostatic chuck 300 . can be investigated

상기 정전척(300)은, 저면에 상기 기판(1)이 정전흡착되기 위한 정전척플레이트(310)와, 상기 정전척플레이트(310)의 가장자리 측에 복수개 구비되어, 디척킹 과정에서 상기 기판(1)의 가장자리를 상기 정전척플레이트(310)로부터 하측으로 가압하여 분리하는 기판분리부(320)를 포함할 수 있다. The electrostatic chuck 300 includes an electrostatic chuck plate 310 for electrostatically adsorbing the substrate 1 and a plurality of electrostatic chuck plates 310 on the edge of the electrostatic chuck plate 310 in the dechucking process. 1) may include a substrate separation unit 320 for separating the edge by pressing downward from the electrostatic chuck plate 310 .

상기 디척킹판단부(230)의 디척킹여부 판단결과에 따라 상기 기판(1)에 대한 디척킹을 재수행하거나 상기 이송로봇을 통해 상기 기판(1)을 반출하도록 제어하는 제어부(500)를 추가로 포함할 수 있다. Add a control unit 500 that controls to perform dechucking of the substrate 1 again or to take out the substrate 1 through the transfer robot according to the dechucking determination result of the dechucking determination unit 230 can be included as

상기 정전척(300)의 하측에 배치되어, 상기 기판(1)이 상기 정전척(300)에 흡착 및 분리되도록 상기 기판(1)을 지지한 상태에서 상하로 이동시키는 리프트핀부(400)를 추가로 포함할 수 있다. A lift pin 400 is disposed below the electrostatic chuck 300 and moves up and down while supporting the substrate 1 so that the substrate 1 is adsorbed and separated from the electrostatic chuck 300 is added. can be included as

상기 제어부(500)는, 상기 디척킹판단부(230)를 통해 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)과의 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 상기 리프트핀부(400)를 상승시켜 상기 기판(1)을 상기 정전척(300)에 정전흡착시키고 재차 디척킹을 수행할 수 있다. When it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 is incompletely performed through the dechucking determination unit 230 , the control unit 500 controls the lift pin unit 400 . The substrate 1 may be electrostatically adsorbed to the electrostatic chuck 300 by raising the substrate 1 , and dechucking may be performed again.

상기 제어부(500)는, 상기 디척킹판단부(230)을 통해 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)과의 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 상기 이송로봇을 통한 상기 기판(1)의 이동을 중단할 수 있다. When it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 is incompletely performed through the dechucking determination unit 230 , the control unit 500 uses the transfer robot to transfer the substrate. The movement of (1) may be stopped.

또한 본 발명은, 기판처리장치를 통한 기판처리방법으로서, 상기 정전척(300)으로의 전원을 해제하여 기판처리가 완료된 상기 기판(1)을 상기 정전척(300)으로부터 분리하는 디척킹수행단계(S100)와; 상기 디척킹수행단계(S100) 이후에 상기 디척킹감지부(200)를 통해 상기 기판(1)을 향하여 광을 조사하고 반사되는 광을 수광하며, 상기 디척킹판단부(230)를 통해 상기 기판(1)과 상기 정전척(300) 사이의 이격거리를 감지함으로써 상기 기판(1)의 디척킹여부를 판단하는 디척킹판단단계(S200)와; 상기 디척킹판단단계(S200)를 통해 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)과의 디척킹이 완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 상기 이송로봇을 통해 상기 기판(1)을 이동하는 기판이동단계(S300)를 포함하며, 상기 디척킹판단단계(S200)를 통해 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)과의 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 상기 디척킹수행단계(S100)와 상기 디척킹판단단계(S200)를 재차 수행하는 기판처리방법을 개시한다. In addition, the present invention provides a method for processing a substrate using a substrate processing apparatus, wherein the dechucking step is performed in which the power to the electrostatic chuck 300 is released to separate the substrate 1 on which the substrate processing is completed, from the electrostatic chuck 300 . (S100) and; After the dechucking performing step (S100), the light is irradiated toward the substrate 1 through the dechucking detecting unit 200 and the reflected light is received, and the dechucking determining unit 230 allows the substrate to pass through. a dechucking determination step (S200) of determining whether the substrate 1 is dechucked by sensing the separation distance between (1) and the electrostatic chuck 300; When it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 has been completely performed through the dechucking determination step S200, the substrate moves the substrate 1 through the transfer robot. It includes a moving step (S300), and when it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 is incompletely performed through the dechucking determination step (S200), the dechucking performing step (S100) and the substrate processing method of performing the dechucking determination step (S200) again is disclosed.

상기 디척킹판단단계(S200)를 통해 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)과의 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 상기 디척킹판단단계(S200) 이후에 상기 기판(1)을 상기 정전척(300)에 재차 흡착하는 척킹수행단계(S400)를 추가로 포함할 수 있다. When it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 is incompletely performed through the dechucking determination step S200, the substrate 1 after the dechucking determination step S200 ) may further include a chucking performing step (S400) of adsorbing the electrostatic chuck 300 again.

상기 디척킹판단단계(S200)는, 상기 디척킹판단부(230)를 통해 상기 기판(1)과 상기 정전척(300) 사이의 이격거리(d1)를 미리 설정된 기준거리(d2)와 비교하여, 상기 이격거리(d1)가 상기 기준거리(d2) 이상인 경우 상기 기판(1)이 디척킹된 것으로 판단할 수 있다. In the dechucking determination step ( S200 ), the separation distance d1 between the substrate 1 and the electrostatic chuck 300 is compared with a preset reference distance d2 through the dechucking determination unit 230 . , when the separation distance d1 is equal to or greater than the reference distance d2, it may be determined that the substrate 1 is dechucked.

상기 디척킹수행단계(S100)는, 상기 정전척(300)으로의 전원을 해제하여 정전력을 제거하는 전원제어단계(S110)와; 상기 전원제어단계(S110) 이후에 상기 기판(1)의 가장자리를 상기 정전척(300)으로부터 하측으로 가압하여 분리하는 기판분리단계(S120)를 포함할 수 있다.The dechucking step (S100) includes: a power control step (S110) of releasing the power to the electrostatic chuck 300 to remove static power; After the power control step ( S110 ), a substrate separation step ( S120 ) of separating by pressing the edge of the substrate ( 1 ) downward from the electrostatic chuck ( 300 ) may be included.

본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법은, 기판이 정전척으로부터 완전한 디척킹이 수행되었는지를 감지 및 판단할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus and substrate processing method according to the present invention have the advantage of being able to detect and determine whether the substrate has been completely dechucked from the electrostatic chuck.

특히, 본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법은, 기판이 정전척으로부터 디척킹되었는지를 감지함으로써, 디척킹이 되지 않은 상태에서의 기판의 이동을 제한하여 안정적인 기판처리 수행이 가능한 이점이 있다. In particular, the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention have the advantage of stably performing substrate processing by limiting the movement of the substrate in a non-dechucking state by detecting whether the substrate is dechucked from the electrostatic chuck. .

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법은, 기판이 정전척으로부터 완전한 디척킹이 수행되었는지를 감지함으로써, 디척킹이 되지 않은 상태에서의 기판의 이동을 제한하여 공정시간을 단축하고 기판의 손상을 방지할 수 있는 이점이 있다. In addition, the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention detect whether the substrate has been completely dechucked from the electrostatic chuck, thereby limiting the movement of the substrate in the non-dechucking state to shorten the process time and reduce the substrate It has the advantage of preventing damage to

도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 모습을 보여주는 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는, 도 1의 기판처리장치 중 기판이 디척킹모습을 보여주는 확대도들로서, 도 2a는, 기판의 디척킹이 불완전하게 수행된 모습을 보여주는 도면이며, 도 2b는, 기판의 디척킹이 수행된 모습을 보여주는 도면이다.
도 3은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 4는, 본 발명에 따른 기판처리장치의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 5는, 도 1에 따른 기판처리장치를 통한 기판처리방법으로서, 기판의 디척킹을 감지과정을 나타내는 순서도이다.
도 6은, 도 5에 따른 기판처리방법 중 디척킹수행단계를 나타내는 순서도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
2A and 2B are enlarged views showing a state in which a substrate is dechucked in the substrate processing apparatus of FIG. 1 , and FIG. 2A is a view showing a state in which the dechucking of the substrate is incompletely performed, and FIG. 2B is a diagram of the substrate It is a diagram showing how dechucking is performed.
3 is a cross-sectional view showing another embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.
4 is a cross-sectional view showing another embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 5 is a flowchart illustrating a process of detecting dechucking of a substrate as a substrate processing method through the substrate processing apparatus according to FIG. 1 .
6 is a flowchart illustrating a dechucking step in the substrate processing method according to FIG. 5 .

이하 본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 외부의 이송로봇을 통해 기판(1)이 도입 및 반출되며, 기판처리가 수행되는 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 처리공간(S) 내부에 설치되어, 정전흡착을 통해 저면에 기판(1)을 지지 및 고정하는 정전척(300)과; 상기 기판(1)을 향하여 광을 조사하고 반사되는 광을 수광하여, 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)으로부터의 디척킹여부를 감지하는 디척킹감지부(200)를 포함한다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 1 , a substrate 1 is introduced and unloaded through an external transfer robot, and a process chamber 100 forming a processing space S in which substrate processing is performed. )Wow; an electrostatic chuck 300 installed inside the processing space S to support and fix the substrate 1 on the bottom surface through electrostatic adsorption; and a dechucking detection unit 200 for irradiating light toward the substrate 1 and receiving reflected light to detect whether the substrate 1 is dechucked from the electrostatic chuck 300 .

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 정전척(300)의 하측에 배치되어, 기판(1)이 정전척(300)에 흡착 및 분리되도록 기판(1)을 지지한 상태에서 상하로 이동시키는 리프트핀부(400)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention is disposed below the electrostatic chuck 300 to move the substrate 1 up and down while supporting the substrate 1 so that the substrate 1 is adsorbed and separated from the electrostatic chuck 300 . A lift pin unit 400 may be additionally included.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 디척킹판단부(230)의 디척킹여부 판단결과에 따라 기판(1)에 대한 디척킹을 재수행하거나 이송로봇을 통해 기판(1)을 반출하도록 제어하는 제어부(500)를 추가로 포함할 수 있다. In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention controls the dechucking of the substrate 1 to be re-performed or the substrate 1 taken out through the transfer robot according to the dechucking determination result of the dechucking determining unit 230 . It may further include a control unit 500 to

여기서 본 발명에 따른 처리대상인 기판은, 반도체, LCD(Liquid crystal display), OLED(Organic light emitting diode), 태양전지, 글래스 기판 등 종래 개시된 처리의 대상이되는 어떠한 구성도 적용 가능하다.Here, as the substrate to be processed according to the present invention, any configuration that is the object of the conventionally disclosed processing, such as a semiconductor, a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode (OLED), a solar cell, and a glass substrate, is applicable.

상기 공정챔버(100)는, 기판처리가 수행되는 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 100 is a configuration that forms a processing space (S) in which substrate processing is performed, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 공정챔버(100)는, 상측에 개구가 형성된 챔버본체(120)와, 챔버본체(120)의 개구에 탈착가능하게 결합되어 챔버본체(120)와 함께 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(110)를 포함할 수 있다.For example, the process chamber 100 includes a chamber body 120 having an opening at the upper side, and a processing space S that is detachably coupled to the opening of the chamber body 120 and sealed together with the chamber body 120 . ) to form an upper lead 110 may be included.

또한 다른 예로서, 상기 공정챔버(100)는, 일체화된 구성으로서 내부의 처리공간(S)을 형성하는 구성일 수 있음은 또한 물론이다.Also, as another example, the process chamber 100 may be a configuration that forms an internal processing space S as an integrated configuration.

상기 정전척(300)은, 처리공간(S)에 설치되어, 정전흡착을 통해 저면에 기판(1)을 지지 및 고정하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The electrostatic chuck 300 is installed in the processing space S to support and fix the substrate 1 on the bottom surface through electrostatic adsorption, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 정전척(300)은, 처리공간(S)의 상측에 설치되어 리프트핀부(400)를 통해 상승한 처리대상 기판(1)을 정전흡착을 통해 저면에 지지 및 고정할 수 있다.For example, the electrostatic chuck 300 may support and fix the processing target substrate 1 installed on the upper side of the processing space S and raised through the lift pin 400 to the bottom surface through electrostatic adsorption.

이로써 상기 정전척(300)은, 기판(1)이 유동을 방지하고 기판(1)이 정위치에 고정되어 기판처리가 수행될 수 있도록 할 수 있으며, 정전척(300)이 이동하는 과정에서도 기판(1)을 안정적으로 고정할 수 있다.As a result, the electrostatic chuck 300 prevents the substrate 1 from flowing and allows the substrate 1 to be fixed in a fixed position so that substrate processing can be performed. (1) can be fixed stably.

한편, 상기 정전척(300)은, 전원의 인가를 통해 기판(1)을 정전흡착할 수 있으며, 전원 해제를 통해 기판(1)의 정전흡착을 해제하고 기판(1)을 정전척(300)으로부터 분리할 수 있다.On the other hand, the electrostatic chuck 300 may electrostatically adsorb the substrate 1 through application of power, release the electrostatic adsorption of the substrate 1 through power release, and remove the substrate 1 from the electrostatic chuck 300 . can be separated from

한편, 상기 정전척(300)은, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 저면에 기판(1)이 정전흡착되기 위한 정전척플레이트(310)와, 정전척플레이트(310)의 가장자리 측에 복수개 구비되어 디척킹 과정에서 기판(1)의 가장자리를 정전척플레이트(310)로부터 하측으로 가압하여 분리하는 기판분리부(320)를 포함할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIGS. 2A and 2B , the electrostatic chuck 300 includes an electrostatic chuck plate 310 for electrostatically adsorbing the substrate 1 on its bottom surface, and an edge side of the electrostatic chuck plate 310 . A plurality of substrate separation units 320 may be provided to press the edge of the substrate 1 downward from the electrostatic chuck plate 310 to separate the substrate during the dechucking process.

상기 정전척플레이트(310)는, 처리공간(S)의 상측에 설치될 수 있으며, 전원의 인가 및 해제에 따라 저면에 기판(1)을 흡착 및 분리할 수 있다.The electrostatic chuck plate 310 may be installed above the processing space S, and may adsorb and separate the substrate 1 from the bottom surface according to the application and release of power.

상기 기판분리부(320)는, 정전척플레이트(310)의 가장자리 측에 복수개 구비되어 디척킹 과정에서 기판(1)의 가장자리를 정전척플레이트(310)로부터 하측으로 가압하여 분리하는 구성일 수 있다. A plurality of substrate separation units 320 may be provided on the edge side of the electrostatic chuck plate 310 to separate the substrate 1 by pressing the edge of the substrate 1 downward from the electrostatic chuck plate 310 during the dechucking process. .

예를 들면, 상기 기판분리부(320)는, 정전척플레이트(310)의 측면에 이격되어 배치되는 지지로드(321)와, 지지로드(321)의 끝단에 배치되는 힌지구동부(322)와, 힌지구동부(322)와 힌지부(323)를 통해 정전척플레이트(310) 측으로 돌출되도록 결합되어 디척킹 과정에서 회전을 통한 기판(1)의 가장자리 가압으로 기판(1)을 분리하는 기판분리부재(324)와, 일단이 기판분리부재(324)에 결합되고 타단이 힌지구동부(322)에 결합되어 힌지구동부(322)의 구동력을 기판분리부재(324)에 전달하여 기판분리부재(324)를 회전시키는 힌지부(323)를 포함할 수 있다. For example, the substrate separation unit 320 includes a support rod 321 disposed to be spaced apart from the side of the electrostatic chuck plate 310, and a hinge driving portion 322 disposed at an end of the support rod 321; A substrate separation member ( 324), and one end is coupled to the substrate separation member 324 and the other end is coupled to the hinge driving unit 322 to transmit the driving force of the hinge driving unit 322 to the substrate separation member 324 to rotate the substrate separation member 324 The hinge may include a hinge portion 323 .

즉, 상기 기판분리부(320)는, 정전척플레이트(310)의 측면에 구비된 상태에서 힌지구동부(322)의 힌지부(323) 구동을 통해 기판분리부재(324)를 회전시킬 수 있으며, 기판분리부재(324)의 회전으로 기판(1)의 가장자리가 간섭 및 가압되어 정전척(300)으로부터 기판(1)이 분리될 수 있다. That is, the substrate separation unit 320 may rotate the substrate separation member 324 by driving the hinge unit 323 of the hinge driving unit 322 in a state provided on the side surface of the electrostatic chuck plate 310, Due to the rotation of the substrate separation member 324 , the edge of the substrate 1 may be interfered with and pressed, so that the substrate 1 may be separated from the electrostatic chuck 300 .

한편, 상기 공정챔버(100)는, 게이트를 통해 외부의 이송로봇으로부터 기판(1)을 도입 및 반출할 수 있으며, 보다 구체적으로는 처리공간(S)을 통해 처리가 완료된 기판(1)을 후술하는 정전척(300)으로부터 디척킹하여 리프트핀부(400)에 안착시킨 상태에서 게이트를 통해 외부에서 들어오는 이송로봇으로 전달되어 외부로 반출할 수 있다. On the other hand, the process chamber 100 can introduce and take out the substrate 1 from an external transfer robot through a gate, and more specifically, the substrate 1 on which the processing is completed through the processing space S will be described later. After being dechucked from the electrostatic chuck 300 and seated on the lift pin unit 400 , it is transferred to the transfer robot coming in from the outside through the gate and can be taken out.

이 과정에서 정전척(300)으로부터 기판(1)의 디척킹이 완전하게 수행되지 못하는 경우, 기판(1)은 여전히 정전척(300)에 일부가 흡착되어 위치하며, 외부의 이송로봇이 새로운 기판(1)을 처리공간(S)으로 도입할 때 충돌하여 기판(1)이 손상되고 공정이 중단되는 문제점이 있다. In this process, if dechucking of the substrate 1 from the electrostatic chuck 300 is not completely performed, the substrate 1 is still partially adsorbed to the electrostatic chuck 300 and positioned, and an external transfer robot moves a new substrate. When (1) is introduced into the processing space (S), there is a problem in that the substrate 1 is damaged and the process is stopped due to collision.

이러한 문제점을 개선하기 위하여 기판(1)의 완전한 디척킹여부를 판단하기 위한 디척킹감지부(200) 및 디척킹판단부(230)를 포함할 수 있다.In order to improve this problem, a dechucking detecting unit 200 and a dechucking determining unit 230 for determining whether the substrate 1 is completely dechucked may be included.

상기 디척킹감지부(200)는, 기판(1)을 향하여 광을 조사하고 반사되는 광을 수광하는 구성일 수 있다.The dechucking sensing unit 200 may be configured to irradiate light toward the substrate 1 and receive reflected light.

예를 들면, 상기 디척킹감지부(200)는, 상기 기판(1)을 향해서 광을 조사하는 발광부(210)와, 상기 발광부(210)를 통해 조사되어 반사되는 광을 수광하는 수광부(220)를 포함할 수 있다. For example, the dechucking detection unit 200 includes a light emitting unit 210 for irradiating light toward the substrate 1 and a light receiving unit for receiving light reflected by being irradiated through the light emitting unit 210 ( 220) may be included.

상기 발광부(210)는, 기판(1)을 향해서 광을 조사하는 구성일 수 있다. 이때의 기판(1)을 향해서 조사되는 광의 광량값을 기준으로 수광되는 광량을 비교하여 기판(1)의 정전척(300)과의 이격거리를 감지할 수 있다.The light emitting unit 210 may be configured to emit light toward the substrate 1 . At this time, the distance between the substrate 1 and the electrostatic chuck 300 may be detected by comparing the received light amount based on the light amount value of the light irradiated toward the substrate 1 .

상기 수광부(220)는, 발광부(210)를 통해 조사되어 반사되는 광을 수광하는 구성일 수 있으며, 디척킹판단부(230)는, 수광되는 광의 광량으로부터 대응되는 기판(1)의 정전척(300)으로부터의 이격거리를 감지하여 기판(1)의 디척킹여부를 판단할 수 있다.The light receiving unit 220 may be configured to receive light that is irradiated and reflected through the light emitting unit 210 , and the dechucking determination unit 230 is the electrostatic chuck of the substrate 1 corresponding to the amount of light received. It is possible to determine whether the substrate 1 is dechucked by sensing the separation distance from the 300 .

상기 디척킹판단부(230)는, 발광부(210) 및 수광부(220)와 연결되어 조사하는 광의 광량과 반사되어 수광되는 광의 광량을 통해 기판(1)의 디척킹여부를 판단하는 구성일 수 있다. The dechucking determining unit 230 is connected to the light emitting unit 210 and the light receiving unit 220 to determine whether to dechuck the substrate 1 through the amount of light irradiated and the amount of light reflected and received. have.

이때, 상기 디척킹판단부(230)는, 전술한 디척킹감지부(200)와 일체로 구비되는 구성일 수 있으며, 다른 예로서 장치 외부에 구비되어 디척킹감지부와 유,무선으로 정보를 송수신할 수 있는 구성으로서, 디척킹감지부(200)를 통해 수광된 광량의 측정값을 전달받아 이를 토대로 기판(1)의 디척킹 여부를 판단하는 구성일 수 있다. At this time, the dechucking determination unit 230 may be of a configuration provided integrally with the dechucking detection unit 200 described above, and as another example, it is provided outside the device to transmit information with the dechucking detection unit wired and wirelessly. As a configuration capable of transmitting/receiving, a measurement value of the amount of light received through the dechucking detection unit 200 may be received and based on the received measurement value, it may be configured to determine whether the substrate 1 is dechucked.

이하 디척킹판단부(230)의 판단과정에 대하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the determination process of the dechucking determination unit 230 will be described.

상기 디척킹판단부(230)는, 기판(1)과 정전척(300) 사이의 이격거리를 감지함으로써, 기판(1)의 디척킹여부를 판단할 수 있으며, 보다 구체적으로는 기판(1)이 정전척(300)에 완전히 정전흡착된 상태일때의 기판(1)의 위치와 기판(1)이 정전척(300)으로부터 완전한 디척킹이 수행되었다고 판단되는 기판(1)의 위치를 미리 설정할 수 있다.The dechucking determination unit 230 may determine whether the substrate 1 is dechucked by sensing the separation distance between the substrate 1 and the electrostatic chuck 300 , and more specifically, the substrate 1 . The position of the substrate 1 when the electrostatic chuck 300 is completely electrostatically adsorbed and the position of the substrate 1 at which it is determined that the substrate 1 has been completely dechucked from the electrostatic chuck 300 can be preset. have.

즉, 기판(1)의 모든 면이 정전척(300)으로부터 완전하게 분리되었다고 판단될 수 있는 기판(1)의 위치인 기준지점 보다 기판(1)이 더 아래에 위치한 것으로 판단되는 경우 기판(1)에 대한 완전한 디척킹이 수행되었다고 판단할 수 있다. That is, when it is determined that the substrate 1 is located lower than the reference point, which is the position of the substrate 1 at which all surfaces of the substrate 1 can be determined to be completely separated from the electrostatic chuck 300 , the substrate 1 ), it can be judged that complete dechucking has been performed.

또한, 상기 기판(1)이 기준지점 보다 더 높은 위치에 위치한 것으로 판단되는 경우, 기판(1)에 대한 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단할 수 있다.In addition, when it is determined that the substrate 1 is positioned higher than the reference point, it may be determined that the dechucking of the substrate 1 is incompletely performed.

예를 들면, 상기 디척킹판단부(230)는, 수광되는 광의 광량을 센싱함으로써, 기판(1)의 정전척(300)으로부터의 이격거리를 감지할 수 있다. For example, the dechucking determination unit 230 may sense the separation distance of the substrate 1 from the electrostatic chuck 300 by sensing the amount of received light.

즉, 상기 디척킹판단부(230)는, 기판(1)이 정전척(300)의 저면에 정전흡착된 위치에서의 수광되는 광의 광량과 기판(1)이 정전척(300)으로부터 디척킹된 위치에서의 수광되는 광량을 비교하여 기판(1)의 디척킹여부를 판단할 수 있다.That is, the dechucking determination unit 230 determines the amount of light received at the position where the substrate 1 is electrostatically adsorbed to the bottom surface of the electrostatic chuck 300 and the amount of light received when the substrate 1 is dechucked from the electrostatic chuck 300 . It is possible to determine whether the substrate 1 is dechucked by comparing the amount of light received at the positions.

이때, 상기 디척킹판단부(230)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 처리공간(S) 내 정전척(300)으로부터 하측으로 이격되어 설치될 수 있으며, 보다 구체적으로는 정전척(300)의 저면에 정전흡착된 기판(1)의 가장자리에 대응되는 위치에 설치되어 기판(1)의 가장자리를 향하여 광을 조사할 수 있다. At this time, as shown in FIG. 1 , the dechucking determination unit 230 may be installed to be spaced downward from the electrostatic chuck 300 in the processing space S, and more specifically, the electrostatic chuck 300 . It is installed at a position corresponding to the edge of the substrate 1 electrostatically adsorbed on the bottom surface of the substrate 1 can be irradiated with light toward the edge of the substrate (1).

또한, 공정챔버(100)의 바닥면에 설치된 디척킹감지부(200)를 통해 기판(1)을 향하여 광을 조사하고, 반사되는 광을 수광할 수 있으며, 처리공간(S) 내부에 다양한 부속품 및 리프트핀부(400)의 구성으로 기판(1)의 가장자리에 대응되는 위치에 적어도 한개 구비될 수 있다. In addition, it is possible to irradiate light toward the substrate 1 through the dechucking detection unit 200 installed on the bottom surface of the process chamber 100 and receive the reflected light, and various accessories inside the processing space (S). And in the configuration of the lift pin 400 , at least one may be provided at a position corresponding to the edge of the substrate 1 .

한편, 상기 디척킹판단부(230)는, 기판(1)의 가장자리가 정전척(300)의 흡착면으로부터 이격거리(d1)를 갖는다고 판단하는 경우, 이격거리(d1)가 기준거리(d2)보다 작다면 기판(1)의 디척킹이 불완전한 것으로 판단할 수 있으며, 기준거리(d2)보다 크거나 같다면 기판(1)의 디척킹이 완전하게 수행된 것으로 판단할 수 있다. Meanwhile, when the dechucking determination unit 230 determines that the edge of the substrate 1 has a separation distance d1 from the suction surface of the electrostatic chuck 300 , the separation distance d1 is the reference distance d2 . ), it may be determined that the dechucking of the substrate 1 is incomplete, and if it is greater than or equal to the reference distance d2, it may be determined that the dechucking of the substrate 1 has been completely performed.

이때의 기준거리(d2)는 기판(1)의 면적 등을 종합적으로 고려하여 미리 설정된 값을 지정할 수 있으며, 기판(1)의 가장자리를 측정하는 점을 고려하여 충분한 이격거리로서 기판(1)의 전체면이 정전척(300)으로부터 완전히 분리된 상태일 때의 값을 지정할 수 있다. At this time, the reference distance d2 may be designated a preset value in consideration of the area of the substrate 1, etc. A value when the entire surface is completely separated from the electrostatic chuck 300 may be designated.

다른 예로서, 상기 디척킹감지부(200)는, 조사되는 광과 수광되는 광의 시간차를 이용하여 기판(1)의 정전척(300)으로부터 이격거리를 감지할 수 있으며, 수광여부에 따라 기판(1)의 위치를 간접적으로 판단하는 실시예 또한 적용 가능하다. As another example, the dechucking detection unit 200 may sense the separation distance from the electrostatic chuck 300 of the substrate 1 using a time difference between the irradiated light and the received light, and depending on whether the light is received, the substrate ( An embodiment in which the position of 1) is indirectly determined is also applicable.

한편, 다른 예로서 상기 디척킹감지부(200)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 처리공간(S) 내 정전척(300)의 저면에 대응되는 높이에서 정전척(300)의 측면으로부터 이격되어 설치되어, 정전척(300)의 저면과 평행하도록 광을 조사할 수 있다. Meanwhile, as another example, as shown in FIG. 3 , the dechucking detection unit 200 is spaced apart from the side surface of the electrostatic chuck 300 at a height corresponding to the bottom surface of the electrostatic chuck 300 in the processing space S. installed so as to be parallel to the bottom surface of the electrostatic chuck 300 , light may be irradiated.

즉, 상기 디척킹감지부(200)는, 발광부(210) 및 수광부(220)가 정전척(300)의 저면에 대응되는 높이에서 일측에 인접하여 설치되거나, 정전척(300)의 저면 양단에 서로 대향되어 설치되어, 정전척(300)의 저면과 평행하도록 광을 조사 및 수광할 수 있다. That is, in the dechucking sensing unit 200 , the light emitting unit 210 and the light receiving unit 220 are installed adjacent to one side at a height corresponding to the bottom of the electrostatic chuck 300 , or both ends of the bottom of the electrostatic chuck 300 . may be installed to face each other, and may irradiate and receive light so as to be parallel to the bottom surface of the electrostatic chuck 300 .

이때, 디척킹감지부(200)를 정전척(300)의 저면에 대응되는 높이에 설치하기 위하여 디척킹감지부(200)와 연결되어 지지하는 디척킹감지부설치부재(240)를 포함할 수 있다. At this time, in order to install the dechucking detection unit 200 at a height corresponding to the bottom surface of the electrostatic chuck 300, the dechucking detection unit installation member 240 that is connected to and supported the dechucking detection unit 200 may be included. have.

상기 디척킹판단부(230)는, 전술한 바와 같이 디척킹감지부(200)를 통해 센싱되는 광량의 변화를 통해 기판(1)의 정전척(300)으로부터의 이격거리를 감지하여 디척킹여부를 판단할 수 있으며, 다른 예로서, 광의 간섭 여부 및 수광부의 수광여부를 통해 간접적으로 기판(1)과 정전척(300) 사이의 분리여부를 판단하도록 할 수 있다. As described above, the dechucking determining unit 230 detects the separation distance of the substrate 1 from the electrostatic chuck 300 through a change in the amount of light sensed through the dechucking detecting unit 200 to determine whether dechucking is performed. can be determined, and as another example, whether the substrate 1 and the electrostatic chuck 300 are separated indirectly through whether or not light is received by the light-receiving unit can be determined.

또한, 다른 예로서, 상기 디척킹감지부(200)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 처리공간(S) 내 정전척(300)의 상측에 설치되어, 정전척(300)을 관통하여 기판(1)을 향해 광을 조사하는 구성일 수 있다. In addition, as another example, as shown in FIG. 4 , the dechucking detection unit 200 is installed on the upper side of the electrostatic chuck 300 in the processing space S and penetrates the electrostatic chuck 300 to penetrate the substrate. It may be configured to irradiate light toward (1).

즉, 상기 디척킹감지부(200)는, 정전척(300)의 상측에서 정전척(300)의 저면에 정전흡착되는 기판(1)을 향해 광을 조사하고 반사되는 광을 수광하여 디척킹판단부(230)로 하여금 기판(1)의 디척킹여부를 판단하도록 할 수 있다. That is, the dechucking detecting unit 200 irradiates light from the upper side of the electrostatic chuck 300 toward the substrate 1 that is electrostatically adsorbed on the bottom surface of the electrostatic chuck 300 and receives the reflected light to determine dechucking. The unit 230 may determine whether to dechuck the substrate 1 .

이를 위하여, 정전척(300)에 광 경로의 기능을 수행하기 위한 관통홀이 형성되거나 정전척플레이트(310)가 광 투과가 가능한 소재가 적용될 수 있다. To this end, a through hole for performing a function of an optical path may be formed in the electrostatic chuck 300 or a material capable of transmitting light through the electrostatic chuck plate 310 may be applied.

상기 리프트핀부(400)는, 정전척(300)의 하측에 배치되어 기판(1)이 정전척(300)에 흡착 및 분리되도록 기판(1)을 지지한 상태에서 상하로 이동시키는 구성일 수 있다.The lift pin unit 400 may be disposed below the electrostatic chuck 300 to move the substrate 1 up and down while supporting the substrate 1 so that the substrate 1 is adsorbed and separated from the electrostatic chuck 300 . .

예를 들면, 상기 리프트핀부(400)는, 상하로 이동하며 기판(1)을 지지하는 기판지지부(410)와 일단이 기판지지부(410)에 결합되고 타단이 외부의 상하구동부(미도시)에 결합되도록 공정챔버(100)의 하부면을 관통하여 설치되는 기판지지로드(420)를 포함할 수 있다.For example, the lift pin unit 400 includes a substrate support unit 410 that moves up and down and supports the substrate 1, one end is coupled to the substrate support unit 410, and the other end is an external vertical drive unit (not shown). It may include a substrate support rod 420 installed through the lower surface of the process chamber 100 so as to be coupled.

이로써, 상하구동부를 통한 기판지지로드(420)의 상하구동으로 기판지지부(410) 및 지지되는 기판(1)이 상하로 이동할 수 있다. Accordingly, the substrate support unit 410 and the supported substrate 1 may move up and down by vertical driving of the substrate support rod 420 through the vertical drive unit.

특히, 상기 리프트핀부(400)는, 상승하여 기판(1)의 디척킹이 수행되는 과정에서 정전척(300)으로부터 분리되는 기판(1)이 안착될 수 있으며, 외부의 이송로봇을 통해 기판(1)이 반출되도록 할 수 있다. In particular, in the lift pin unit 400 , the substrate 1 separated from the electrostatic chuck 300 may be seated in the process of dechucking the substrate 1 by rising, and the substrate ( 1 ) through an external transfer robot. 1) can be exported.

또한, 상기 리프트핀부(400)는, 기판감지부(200)를 통해 기판(1)의 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 정전척(300)에 기판(1)을 재차 척킹 시킨 후 디척킹을 시도할 수 있도록 상승을 통해 기판(1)을 정전척(300)의 척킹위치로 상승시킬 수 있다. In addition, when it is determined that the dechucking of the substrate 1 is incompletely performed through the substrate sensing unit 200 , the lift pin unit 400 chucks the substrate 1 in the electrostatic chuck 300 again, and then The substrate 1 may be raised to the chucking position of the electrostatic chuck 300 by lifting so that dechucking may be attempted.

또한, 상기 리프트핀부(400)는, 후술하는 제어부(500)로부터 기판(1)에 대한 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 기판(1)의 손상을 방지하기 위하여 구동이 중단될 수 있다.In addition, when it is determined by the control unit 500 to be described later that the dechucking of the substrate 1 is incompletely performed, the lift pin unit 400 may be stopped in operation to prevent damage to the substrate 1 . have.

상기 제어부(500)는, 디척킹판단부(230)의 디척킹여부 판단결과에 따라 기판(1)에 대한 디척킹을 재수행하거나 이송로봇을 통해 기판(1)을 반출하도록 제어하는 구성일 수 있다. The control unit 500 may be configured to control to perform dechucking of the substrate 1 again or to take out the substrate 1 through a transfer robot according to the dechucking determination result of the dechucking determination unit 230 have.

예를 들면, 상기 제어부(500)는, 디척킹판단부(230)의 디척킹여부 판단결과에 따라 디척킹이 완전하게 수행되었다고 판단되는 경우, 통상의 절차에 따라 기판(1)이 이동할 수 있도록 하며, 기판(1)의 디척킹이 불완전하게 수행되었다고 판단되는 경우, 기판처리장치의 기판(1) 이동을 중단할 수 있다.For example, when it is determined that dechucking has been completely performed according to the dechucking determination result of the dechucking determination unit 230, the control unit 500 is configured to allow the substrate 1 to move according to a normal procedure. And, when it is determined that the dechucking of the substrate 1 is incompletely performed, the movement of the substrate 1 of the substrate processing apparatus may be stopped.

보다 구체적으로, 상기 제어부(500)는, 상기 디척킹판단부(230)를 통해 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)과의 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 정전척(300)의 전원인가를 통해 기판(1)을 재차 정전흡착할 수 있다.More specifically, when it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 is incompletely performed through the dechucking determination unit 230 , the control unit 500 is configured to control the electrostatic chuck ( 300), the substrate 1 may be electrostatically adsorbed again.

한편, 이 과정에서 단순히 정전척(300)의 전원인가만으로는 기판(1)이 재차 흡착되지 않을 수 있는 바, 제어부(500)를 통해 리프트핀부(400)를 상승시켜 기판(1)을 정전척(300)에 정전흡착시킬 수 있다. Meanwhile, in this process, the substrate 1 may not be adsorbed again by simply applying power to the electrostatic chuck 300 , so the lift pin unit 400 is raised through the control unit 500 to lift the substrate 1 into the electrostatic chuck ( 300) can be electrostatically adsorbed.

이후, 상기 제어부(500)는, 완전한 척킹이 재차 수행된 상태에서 기판(1)에 대한 디척킹을 다시 시도할 수 있다. Thereafter, the controller 500 may attempt dechucking the substrate 1 again in a state in which the complete chucking is performed again.

한편, 상기 제어부(500)는, 다른 예로서, 디척킹판단부(230)를 통해 기판(1)의 정전척(300)과의 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 이송로봇을 통한 기판(1)의 이동을 중단할 수 있다. Meanwhile, as another example, when it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 is incompletely performed through the dechucking determination unit 230 , the control unit 500 uses the transfer robot to The movement of the substrate 1 may be stopped.

이하 본 발명에 따른 기판처리방법에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing method according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리방법은, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 정전척(300)으로의 전원을 해제하여 기판처리가 완료된 상기 기판(1)을 상기 정전척(300)으로부터 분리하는 디척킹수행단계(S100)와; 상기 디척킹수행단계(S100) 이후에 상기 디척킹감지부(200)를 통해 상기 기판(1)을 향하여 광을 조사하고 반사되는 광을 수광하여, 상기 디척킹판단부(230)를 통해 상기 기판(1)과 상기 정전척(300) 사이의 이격거리를 감지함으로써 상기 기판(1)의 디척킹여부를 판단하는 디척킹판단단계(S200)와; 상기 디척킹판단단계(S200)를 통해 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)과의 디척킹이 완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 상기 이송로봇을 통해 상기 기판(1)을 이동하는 기판이동단계(S300)를 포함한다. In the substrate processing method according to the present invention, as shown in FIGS. 5 and 6 , the substrate 1 is separated from the electrostatic chuck 300 by releasing the power to the electrostatic chuck 300 to complete the substrate processing. A dechucking performing step (S100) and; After the dechucking performing step (S100), the light is irradiated toward the substrate 1 through the dechucking detecting unit 200 and the reflected light is received, and the dechucking determining unit 230 passes through the substrate. a dechucking determination step (S200) of determining whether the substrate 1 is dechucked by sensing the separation distance between (1) and the electrostatic chuck 300; When it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 has been completely performed through the dechucking determination step S200, the substrate moves the substrate 1 through the transfer robot. It includes a moving step (S300).

또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은, 상기 디척킹판단단계(S200)를 통해 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)과의 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 상기 디척킹판단단계(S200) 이후에 상기 기판(1)을 상기 정전척(300)에 재차 흡착하는 척킹수행단계(S400)를 추가로 포함할 수 있다. In addition, in the substrate processing method according to the present invention, when it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 is incompletely performed through the dechucking determination step S200, the dechucking A chucking step (S400) of re-adsorbing the substrate 1 to the electrostatic chuck 300 may be further included after the determination step (S200).

상기 디척킹수행단계(S100)는, 정전척(300)으로의 전원을 해제하여 기판처리가 완료된 기판(1)을 정전척(300)으로부터 분리하는 단계일 수 있다. The dechucking step ( S100 ) may be a step of releasing the power to the electrostatic chuck 300 to separate the substrate 1 on which the substrate processing is completed from the electrostatic chuck 300 .

통상의 정전흡착된 기판(1)에 대한 디척킹 과정으로서, 정전척(300)에 인가되는 전원을 해제하여 정전력을 제거하고 이로써 흡착된 기판(1)을 정전척(300)으로부터 분리할 수 있다. As a typical dechucking process for the electrostatically adsorbed substrate 1 , the electrostatic force is removed by releasing the power applied to the electrostatic chuck 300 , thereby separating the adsorbed substrate 1 from the electrostatic chuck 300 . have.

한편, 이러한 분리과정에도 정전척플레이트(310)에 잔류하는 정전기에 따른 인력으로 인하여 기판(1)이 여전히 정전척(300)과 분리되지 않고 흡착된 상태를 유지할 수 있다.Meanwhile, even in this separation process, the substrate 1 may remain adsorbed without being separated from the electrostatic chuck 300 due to the attractive force caused by static electricity remaining on the electrostatic chuck plate 310 .

이를 위하여, 상기 디척킹수행단계(S100)는, 상기 정전척(300)으로의 전원을 해제하여 정전력을 제거하는 전원제어단계(S110)와; 상기 전원제어단계(S110) 이후에 상기 기판(1)의 가장자리를 상기 정전척(300)으로부터 하측으로 가압하여 분리하는 기판분리단계(S120)를 포함할 수 있다.To this end, the dechucking performing step (S100) includes a power control step (S110) of removing the static power by releasing the power to the electrostatic chuck 300; After the power control step ( S110 ), a substrate separation step ( S120 ) of separating by pressing the edge of the substrate ( 1 ) downward from the electrostatic chuck ( 300 ) may be included.

즉, 전원제어단계(S110)를 통해 정전척(300)으로의 전원을 해제하여 정전력을 제거한 상태에서, 기판(1)의 디척킹을 유도하기 위하여 전술한 기판분리부(320)를 통해 기판(1)의 가장자리를 정전척(300)으로부터 하측으로 가압하여 분리할 수 있다. That is, in a state in which the electrostatic power is removed by releasing the power to the electrostatic chuck 300 through the power control step S110 , the substrate 1 is de-chucked through the substrate separation unit 320 described above to induce dechucking. It can be separated by pressing the edge of (1) downward from the electrostatic chuck 300 .

상기 기판분리단계(S120)는, 기판(1)의 가장자리를 물리적으로 가압 접촉하여 분리하는 과정으로서, 기판(1)과 정전척(300) 사이를 분리하기 위하여 수행될 수 있으나, 전술한 바와 같이 기판(1)의 대형화 및 부분적인 분리로 인해 기판(1)의 완전한 디척킹이 수행되지 못하는 문제점이 있다. The substrate separation step ( S120 ) is a process of separating the edge of the substrate 1 by physically pressing and contacting it, and may be performed to separate the substrate 1 and the electrostatic chuck 300 , but as described above, There is a problem in that complete dechucking of the substrate 1 cannot be performed due to the enlargement and partial separation of the substrate 1 .

따라서, 기판(1)에 대한 완전한 디척킹이 수행되었는지를 판단하기 위하여, 디척킹수행단계(S100) 이후에 디척킹감지부(200)를 통해 기판(1)을 향하여 광을 조사하고 반사되는 광을 수광하여, 디척킹판단부(230)를 통해 기판(1)과 정전척(300) 사이의 이격거리를 감지함으로써 기판(1)의 디척킹여부를 판단하는 디척킹판단단계(S200)가 수행될 수 있다.Therefore, in order to determine whether complete dechucking of the substrate 1 has been performed, after the dechucking step S100 , the light is irradiated toward the substrate 1 through the dechucking detection unit 200 and reflected light The dechucking determination step (S200) of determining whether the substrate 1 is dechucked is performed by receiving the light and detecting the separation distance between the substrate 1 and the electrostatic chuck 300 through the dechucking determination unit 230. can be

상기 디척킹판단단계(S200)는, 전술한 디척킹판단부(230)를 통해 기판(1)과 정전척(300) 사이의 이격거리를 감지함으로써 기판(1)의 완전한 디척킹여부를 판단할 수 있다. The dechucking determination step (S200) is to determine whether the substrate 1 is completely dechucked by detecting the separation distance between the substrate 1 and the electrostatic chuck 300 through the dechucking determination unit 230 described above. can

한편, 디척킹판단단계(S200)는, 전술한 디척킹판단부(230)의 디척킹여부 판단에 대한 내용과 같이, 수광되는 광의 광량을 통해 대응되는 기판(1)과 정전척(300) 사이의 거리를 판단하여 기판(1)의 완전한 디척킹여부를 판단할 수 있다. On the other hand, the dechucking determination step ( S200 ) is performed between the substrate 1 and the electrostatic chuck 300 corresponding to the amount of light received through the amount of light received, as in the above-described determination of whether the dechucking determination unit 230 is dechucked. It is possible to determine whether the substrate 1 is completely dechucked by determining the distance.

상기 기판이동단계(S300)는, 디척킹판단단계(S200)를 통해 기판(1)의 정전척(300)과의 디척킹이 완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 이송로봇을 통해 기판(1)을 이동하는 단계일 수 있다. In the substrate moving step (S300), when it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 has been completely performed through the dechucking determination step (S200), the substrate 1 through the transfer robot may be a step of moving

기판처리가 완료된 상태의 기판(1)에 대하여 디척킹이 완료된 경우, 외부의 이송로봇을 통해 기판(1)을 처리공간(S) 외부로 반출하는 과정이 수행될 수 있으며, 뒤이어 미처리 기판(1)이 이송로봇을 통해 도입될 수 있다. When dechucking is completed with respect to the substrate 1 in the state where the substrate processing is completed, a process of carrying the substrate 1 out of the processing space S through an external transfer robot may be performed, followed by the unprocessed substrate 1 ) can be introduced through a transfer robot.

한편, 디척킹판단단계(S200)를 통해 기판(1)의 정전척(300)과의 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 디척킹수행단계(S100)와 디척킹판단단계(S200)가 재차 수행될 수 있으며, 디척킹판단단계(S200)를 통해 완전한 디척킹이 수행되었다고 판단될 때까지 디척킹수행단계(S100)와 디척킹판단단계(S200)가 반복적으로 수행될 수 있다. On the other hand, when it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 is incompletely performed through the dechucking determination step S200, the dechucking performing step S100 and the dechucking determining step S200 may be performed again, and the dechucking performing step S100 and the dechucking determining step S200 may be repeatedly performed until it is determined that complete dechucking has been performed through the dechucking determining step S200.

상기 척킹수행단계(S400)는, 디척킹판단단계(S200)를 통해 기판(1)의 정전척(300)과의 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 디척킹판단단계(S200) 이후에 기판(1)을 정전척(300)에 재차 흡착하는 단계일 수 잇다.In the chucking performing step (S400), when it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 is incompletely performed through the dechucking determining step (S200), after the dechucking determining step (S200) It may be a step of adsorbing the substrate 1 to the electrostatic chuck 300 again.

즉, 상기 척킹수행단계(S400)는, 디척킹판단단계(S200)를 통해 기판(1)의 정전척(300)과의 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 제어부(500)를 통해 기판(1)을 정전척(300)에 재차 정전흡착하고, 다시 디척킹수행단계(S100)와 디척킹판단단계(S200)가 순차적으로 수행될 수 있다. That is, in the chucking performing step (S400), when it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 is incompletely performed through the dechucking determining step (S200), the control unit 500 The substrate 1 may be electrostatically adsorbed to the electrostatic chuck 300 again, and again the dechucking performing step S100 and the dechucking determining step S200 may be sequentially performed.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above has only been described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as noted, the scope of the present invention should not be construed as being limited to the above embodiments, and It will be said that the technical idea and the technical idea accompanying the fundamental are all included in the scope of the present invention.

1: 기판 100: 공정챔버
200: 디척킹감지부 300: 정전척
400: 리프트핀부 500: 제어부1: substrate 100: process chamber
200: dechucking detection unit 300: electrostatic chuck
400: lift pin 500: control unit

Claims (17)

외부의 이송로봇을 통해 기판(1)이 도입 및 반출되며, 기판처리가 수행되는 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와;
상기 처리공간(S)에 설치되어, 정전흡착을 통해 저면에 기판(1)을 지지 및 고정하는 정전척(300)과;
상기 기판(1)을 향하여 광을 조사하고 반사되는 광을 수광하여 수광되는 광의 광량을 측정하는 디척킹감지부(200)와;
상기 디척킹감지부(200)로부터 수광되는 광의 광량을 통해 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)으로부터의 디척킹여부를 판단하는 디척킹판단부(230)를 포함하며,
상기 디척킹판단부(230)는,
상기 기판(1)과 상기 정전척(300) 사이의 이격거리를 감지함으로써 상기 기판(1)의 디척킹여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. a process chamber 100 in which the substrate 1 is introduced and transported through an external transfer robot and forms a processing space S in which substrate processing is performed;
an electrostatic chuck 300 installed in the processing space S to support and fix the substrate 1 on the bottom surface through electrostatic adsorption;
a dechucking sensing unit 200 for irradiating light toward the substrate 1 and receiving reflected light to measure the amount of light received;
and a dechucking determining unit 230 that determines whether the substrate 1 is dechucked from the electrostatic chuck 300 through the amount of light received from the dechucking detecting unit 200,
The dechucking determination unit 230,
and determining whether the substrate (1) is dechucked by sensing a separation distance between the substrate (1) and the electrostatic chuck (300). 청구항 1에 있어서,
상기 디척킹판단부(230)는,
감지되는 상기 기판(1)과 상기 정전척(300) 사이의 이격거리(d1)를 미리 설정된 기준거리(d2)와 비교하며, 상기 이격거리(d1)가 상기 기준거리(d2) 이상인 경우 상기 기판(1)이 디척킹된 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method according to claim 1,
The dechucking determination unit 230,
The sensed separation distance d1 between the substrate 1 and the electrostatic chuck 300 is compared with a preset reference distance d2, and when the separation distance d1 is equal to or greater than the reference distance d2, the substrate (1) Substrate processing apparatus, characterized in that it is determined that the dechucked. 청구항 1에 있어서,
상기 디척킹감지부(200)는,
상기 기판(1)을 향해서 광을 조사하는 발광부(210)와, 상기 발광부(210)를 통해 조사되어 반사되는 광을 수광하는 수광부(220)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The dechucking detection unit 200,
and a light emitting unit 210 for irradiating light toward the substrate 1 and a light receiving unit 220 for receiving the light reflected by being irradiated through the light emitting unit 210 . 청구항 1에 있어서,
상기 디척킹판단부(230)는,
상기 기판(1)이 상기 정전척(300)의 저면에 정전흡착된 위치에서의 수광되는 광의 광량과 상기 기판(1)이 상기 정전척(300)으로부터 디척킹된 위치에서의 수광되는 광량을 비교하여 상기 기판(1)의 디척킹여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method according to claim 1,
The dechucking determination unit 230,
The amount of light received when the substrate 1 is electrostatically adsorbed to the bottom surface of the electrostatic chuck 300 is compared with the amount of light received when the substrate 1 is dechucked from the electrostatic chuck 300 . to determine whether the substrate (1) is dechucked. 청구항 1에 있어서,
상기 디척킹감지부(200)는,
상기 처리공간(S) 내 상기 정전척(300)으로부터 하측으로 이격되어 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The dechucking detection unit 200,
The substrate processing apparatus, characterized in that it is installed to be spaced downward from the electrostatic chuck (300) in the processing space (S). 청구항 5에 있어서,
상기 디척킹감지부(200)는,
상기 정전척(300)의 저면에 정전흡착된 상기 기판(1)의 가장자리에 대응되는 위치에 설치되어, 상기 기판(1)의 가장자리를 향하여 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. 6. The method of claim 5,
The dechucking detection unit 200,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the electrostatic chuck (300) is installed at a position corresponding to the edge of the substrate (1) that is electrostatically adsorbed, and irradiates light toward the edge of the substrate (1). 청구항 1에 있어서,
상기 디척킹감지부(200)는,
상기 처리공간(S) 내 상기 정전척(300)의 상측에 설치되어, 상기 정전척(300)을 관통하여 상기 기판(1)을 향해 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The dechucking detection unit 200,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the light is provided on the upper side of the electrostatic chuck (300) in the processing space (S) to pass through the electrostatic chuck (300) and irradiate the light toward the substrate (1). 청구항 1에 있어서,
상기 디척킹감지부(200)는,
상기 정전척(300)의 저면에 대응되는 높이에서 상기 정전척(300)의 측면으로부터 이격되어 설치되어, 상기 정전척(300)의 저면과 평행하도록 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The dechucking detection unit 200,
The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the electrostatic chuck (300) is installed to be spaced apart from a side surface of the electrostatic chuck (300) at a height corresponding to the bottom surface of the electrostatic chuck (300), and is irradiated with light so as to be parallel to the bottom surface of the electrostatic chuck (300). 청구항 1에 있어서,
상기 정전척(300)은,
저면에 상기 기판(1)이 정전흡착되기 위한 정전척플레이트(310)와, 상기 정전척플레이트(310)의 가장자리 측에 복수개 구비되어, 디척킹 과정에서 상기 기판(1)의 가장자리를 상기 정전척플레이트(310)로부터 하측으로 가압하여 분리하는 기판분리부(320)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method according to claim 1,
The electrostatic chuck 300 is
An electrostatic chuck plate 310 for electrostatically adsorbing the substrate 1 is provided on a bottom surface thereof, and a plurality of electrostatic chuck plates 310 are provided on the edge side of the electrostatic chuck plate 310 so that the edge of the substrate 1 is attached to the electrostatic chuck during the dechucking process. A substrate processing apparatus comprising a substrate separation unit (320) for separating by pressing downward from the plate (310). 청구항 1에 있어서,
상기 디척킹판단부(230)의 디척킹여부 판단결과에 따라 상기 기판(1)에 대한 디척킹을 재수행하거나 상기 이송로봇을 통해 상기 기판(1)을 반출하도록 제어하는 제어부(500)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method according to claim 1,
Add a control unit 500 that controls to perform dechucking of the substrate 1 again or to take out the substrate 1 through the transfer robot according to the dechucking determination result of the dechucking determination unit 230 A substrate processing apparatus comprising a. 청구항 10에 있어서,
상기 정전척(300)의 하측에 배치되어, 상기 기판(1)이 상기 정전척(300)에 흡착 및 분리되도록 상기 기판(1)을 지지한 상태에서 상하로 이동시키는 리프트핀부(400)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.11. The method of claim 10,
A lift pin 400 is disposed below the electrostatic chuck 300 and moves up and down while supporting the substrate 1 so that the substrate 1 is adsorbed and separated from the electrostatic chuck 300 is added. A substrate processing apparatus comprising a. 청구항 11에 있어서,
상기 제어부(500)는,
상기 디척킹판단부(230)를 통해 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)과의 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 상기 리프트핀부(400)를 상승시켜 상기 기판(1)을 상기 정전척(300)에 정전흡착시키고 재차 디척킹을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. 12. The method of claim 11,
The control unit 500,
When it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 has been incompletely performed through the dechucking determination unit 230 , the lift pin unit 400 is raised to raise the substrate 1 . is electrostatically adsorbed to the electrostatic chuck (300) and dechucking is performed again. 청구항 10에 있어서,
상기 제어부(500)는,
상기 디척킹판단부(230)을 통해 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)과의 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 상기 이송로봇을 통한 상기 기판(1)의 이동을 중단하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. 11. The method of claim 10,
The control unit 500,
When it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 has been incompletely performed through the dechucking determination unit 230 , the movement of the substrate 1 through the transfer robot is stopped. Substrate processing apparatus, characterized in that. 청구항 제1항 내지 제13항 중 어느 하나의 항에 따른 기판처리장치를 통한 기판처리방법으로서,
상기 정전척(300)으로의 전원을 해제하여 기판처리가 완료된 상기 기판(1)을 상기 정전척(300)으로부터 분리하는 디척킹수행단계(S100)와;
상기 디척킹수행단계(S100) 이후에 상기 디척킹감지부(200)를 통해 상기 기판(1)을 향하여 광을 조사하고 반사되는 광을 수광하며, 상기 디척킹판단부(230)를 통해 상기 기판(1)과 상기 정전척(300) 사이의 이격거리를 감지함으로써 상기 기판(1)의 디척킹여부를 판단하는 디척킹판단단계(S200)와;
상기 디척킹판단단계(S200)를 통해 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)과의 디척킹이 완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 상기 이송로봇을 통해 상기 기판(1)을 이동하는 기판이동단계(S300)를 포함하며,
상기 디척킹판단단계(S200)를 통해 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)과의 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 상기 디척킹수행단계(S100)와 상기 디척킹판단단계(S200)를 재차 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법. As a substrate processing method through the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 13,
performing a dechucking step (S100) of releasing the power to the electrostatic chuck 300 and separating the substrate 1 on which the substrate processing has been completed, from the electrostatic chuck 300;
After the dechucking performing step (S100), the light is irradiated toward the substrate 1 through the dechucking detecting unit 200 and the reflected light is received, and the dechucking determining unit 230 allows the substrate to pass through. a dechucking determination step (S200) of determining whether the substrate 1 is dechucked by sensing the separation distance between (1) and the electrostatic chuck 300;
When it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 has been completely performed through the dechucking determination step S200, the substrate moves the substrate 1 through the transfer robot. Including a moving step (S300),
When it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 is incompletely performed through the dechucking determination step S200, the dechucking performing step S100 and the dechucking determining step (S200) Substrate processing method, characterized in that performed again. 청구항 14에 있어서,
상기 디척킹판단단계(S200)를 통해 상기 기판(1)의 상기 정전척(300)과의 디척킹이 불완전하게 수행된 것으로 판단되는 경우, 상기 디척킹판단단계(S200) 이후에 상기 기판(1)을 상기 정전척(300)에 재차 흡착하는 척킹수행단계(S400)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법. 15. The method of claim 14,
When it is determined that the dechucking of the substrate 1 with the electrostatic chuck 300 is incompletely performed through the dechucking determination step S200, the substrate 1 after the dechucking determination step S200 ) to the electrostatic chuck (300) again, chucking performing step (S400), characterized in that it further comprises a substrate processing method. 청구항 14에 있어서,
상기 디척킹판단단계(S200)는,
상기 디척킹판단부(230)를 통해 상기 기판(1)과 상기 정전척(300) 사이의 이격거리(d1)를 미리 설정된 기준거리(d2)와 비교하여, 상기 이격거리(d1)가 상기 기준거리(d2) 이상인 경우 상기 기판(1)이 디척킹된 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법. 15. The method of claim 14,
The dechucking determination step (S200) is,
The separation distance d1 between the substrate 1 and the electrostatic chuck 300 is compared with a preset reference distance d2 through the dechucking determination unit 230 , and the separation distance d1 is determined as the reference distance d2 . A substrate processing method, characterized in that it is determined that the substrate (1) is dechucked when the distance (d2) is greater than or equal to the distance (d2). 청구항 14에 있어서,
상기 디척킹수행단계(S100)는,
상기 정전척(300)으로의 전원을 해제하여 정전력을 제거하는 전원제어단계(S110)와;
상기 전원제어단계(S110) 이후에 상기 기판(1)의 가장자리를 상기 정전척(300)으로부터 하측으로 가압하여 분리하는 기판분리단계(S120)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법. 15. The method of claim 14,
The dechucking performing step (S100) is,
a power control step (S110) of removing the electrostatic power by releasing the power to the electrostatic chuck 300;
and a substrate separation step (S120) of separating by pressing the edge of the substrate (1) downward from the electrostatic chuck (300) after the power control step (S110).
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