KR20220081040A - 파우더용 원자층 증착 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 분말 입자의 증착 균일도를 향상시킬 수 있게 하는 파우더용 원자층 증착 장치에 관한 것으로서, 분말이 수용될 수 있는 분말 수용 공간이 형성되는 챔버; 상기 챔버의 바닥부에 형성되는 샤워 헤드; 상기 샤워 헤드에 연결되고, 적어도 소스 가스, 퍼지 가스, 반응 가스 중 어느 하나의 공정 가스를 선택하여 상기 분말 수용 공간에 수용된 상기 분말에 순차적으로 공급하는 공정 가스 공급 라인; 상기 챔버의 측벽부에 형성되고, 상기 분말 수용 공간에 수용된 상기 분말에 제 1 플루다이징 가스(Fluidizing gas)를 분사하는 플루다이징 가스 분사 노즐; 및 상기 플루다이징 가스 분사 노즐에 상기 제 1 플루다이징 가스를 공급하는 제 1 플루다이징 가스 공급 라인;을 포함할 수 있다.

Description

파우더용 원자층 증착 장치{Atomic layer deposition apparatus for powder}
본 발명은 파우더용 원자층 증착 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 분말 입자의 증착 균일도를 향상시킬 수 있게 하는 파우더용 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
도 1은 기존의 파우더용 원자층 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 파우더용 원자층 증착 장치는, 원통 형상의 챔버(C)의 내부에 분말(1)이 수용되는 것으로서, 챔버(C)의 바닥면에 설치된 샤워 헤드(2)에 소스 가스(SG), 퍼지 가스(PG), 반응 가스(RG)를 순차적으로 공급하는 공정 가스 공급 라인(3)을 이용하여 분말(1) 입자에 원자층을 증착할 수 있다.
그러나, 이러한 종래의 파우더용 원자층 증착 장치는, 분말 장입량이 커지거나 또는 비중이 큰 분말들이 장입되는 경우, 총 장입된 분말의 밀도 증가 및 장입 무게의 증가로 인하여 하방에서 공급되는 기존의 반응 가스들만으로는 각 파우더 표면에 균일한 증착을 할 수 없었다.
즉, 종래에는 각 분말의 밀도 증가로 인하여 배기 효율이 상대적으로 떨어질 수밖에 없었던 것으로서, 이로 인해 대용량의 분말 증착 과정에서 파우더 코팅의 균일도가 크게 떨어지는 문제점 등이 있었다.
특히, 종래에는 분말의 증착 과정 도중에 비중이 큰 분말이 챔버에 대량으로 장입되는 경우, 챔버 내의 분말의 플루다이징 현상이 크게 감소되어 각 파우더 내부의 희석율이 떨어지고, 이로 인하여 분말 입자와 분말 입자 사이에서 균일한 증착 특성을 얻어 내기 어려웠었던 문제점들이 있었다. 이로 인하여 종래에는 파우더 코팅 불량 현상이 빈번하게 발생되는 등 많은 문제점들이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 장입된 분말 입자의 분산 효과를 극대화하기 위해서 별도로 반응기 내벽을 통해 분말에 플루다이징 가스를 공급하여 물리적으로 대량의 분말을 희석 및 분산시킬 수 있고, 이를 통해서 분말 증착의 균일도를 크게 개선할 수 있게 하는 파우더용 원자층 증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 파우더용 원자층 증착 장치는, 분말이 수용될 수 있는 분말 수용 공간이 형성되는 챔버; 상기 챔버의 바닥부에 형성되는 샤워 헤드; 상기 샤워 헤드에 연결되고, 적어도 소스 가스, 퍼지 가스, 반응 가스 중 어느 하나의 공정 가스를 선택하여 상기 분말 수용 공간에 수용된 상기 분말에 순차적으로 공급하는 공정 가스 공급 라인; 상기 챔버의 측벽부에 형성되고, 상기 분말 수용 공간에 수용된 상기 분말에 제 1 플루다이징 가스(Fluidizing gas)를 분사하는 플루다이징 가스 분사 노즐; 및 상기 플루다이징 가스 분사 노즐에 상기 제 1 플루다이징 가스를 공급하는 제 1 플루다이징 가스 공급 라인;을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 챔버는 전체적으로 수직방향으로 세워진 원통 또는 다각통 형상이고, 상기 제 1 플루다이징 가스 분사 노즐은 상기 챔버의 내측 측벽면에 설치될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 제 1 플루다이징 가스 공급 라인에 고압의 플루다이징 가스가 저장되었다가 동시에 대량으로 공급될 수 있는 제 1 필탱크(Fill tank) 및 제 1 밸브가 설치될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 플루다이징 가스 분사 노즐은, 적어도 경사 하향형 노즐, 수평형 노즐, 경사 상향형 노즐 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 플루다이징 가스 분사 노즐은, 연결 라인으로 서로 연결된 적어도 하나의 상부 경사 하향형 노즐과, 적어도 하나의 중간 수평형 노즐 및 적어도 하나의 하부 경사 상향형 노즐이 배치되는 중앙 집중식 노즐 조합일 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 플루다이징 가스 분사 노즐은, 연결 라인으로 서로 연결된 상부 경사 하향형 노즐들이 상부에서 하부까지 서로 평행하게 배치되는 하향 집중식 노즐 조합일 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 플루다이징 가스 분사 노즐은, 연결 라인으로 서로 연결된 적어도 하나의 경사 하향형 노즐과, 적어도 하나의 수평형 노즐이 상부에서 하부까지 반복적으로 배치되는 부분 집중식 노즐 조합일 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 샤워 헤드에 제 2 플루다이징 가스를 공급하는 제 2 플루다이징 가스 공급 라인;을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 제 2 플루다이징 가스 공급 라인에 고압의 플루다이징 가스가 저장되었다가 동시에 대량으로 공급될 수 있는 제 2 필탱크 및 제 2 밸브가 설치될 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 장입된 분말 입자의 분산 효과를 극대화하기 위해서 별도로 반응기 내벽을 통해 분말에 플루다이징 가스를 공급하여 물리적으로 대량의 분말을 희석 및 분산시킬 수 있고, 이를 통해서 분말 증착의 균일도를 크게 개선할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 기존의 파우더용 원자층 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 파우더용 원자층 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 파우더용 원자층 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 파우더용 원자층 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 파우더용 원자층 증착 장치(100)를 나타내는 단면도이다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 파우더용 원자층 증착 장치(100)는, 챔버(10)와, 샤워 헤드(20)와, 공정 가스 공급 라인(30)과, 플루다이징 가스 분사 노즐(40)과, 제 1 플루다이징 가스 공급 라인(50) 및 제 2 플루다이징 가스 공급 라인(60)을 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 챔버(10)는, 분말(1)이 수용되어 공정 처리될 수 있는 분말 수용 공간이 내부에 형성되는 일종의 밀폐가 가능한 원통 형상의 구조체일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 챔버(10)는 후술될 공정 가스가 아래에서 유입되어 위로 배출되는 상향식 가스 공급 구조이고, 상기 분말(1)은 하향식으로 장입될 수 있도록 상방에 개방이 가능한 덮개 부재(11)가 형성될 수 있으며, 상기 덮개 부재(11)에는 가스 배출구(12)가 형성될 수 있고, 상기 챔버(10)와 상기 덮개 부재 사이에는 상기 분말(1)의 누출을 방지할 수 있도록 메쉬(M)가 설치될 수 있다.
그러나, 이러한 상기 챔버(10)는 원통에만 국한되지 않고 다각통 형상이나 타원통 형상 등 매우 다양한 형상으로 형성된 통형상의 구조체가 모두 적용될 수 있다.
또한, 예컨대, 상기 샤워 헤드(20)는, 상기 챔버(10)의 바닥부에 형성되는 것으로서, 상기 샤워 헤드(20)를 통과한 공정 가스는 상승되면서 상기 분말(1) 입자 표면에 원자층을 증착시킬 수 있다. 여기서, 도시하진 않았지만, 상기 분말(1)과 상기 샤워 헤드(20) 사이에는 메쉬가 설치되어 상기 분말(1)의 낙하를 방지하게 할 수 있다.
또한, 예컨대, 상기 공정 가스 공급 라인(30)은, 상기 샤워 헤드(20)에 연결되고, 적어도 소스 가스(SG), 퍼지 가스(PG), 반응 가스(RG) 중 어느 하나의 공정 가스를 선택하여 상기 분말 수용 공간에 수용된 상기 분말(1)에 순차적으로 공급할 수 있는 가스 공급 유로를 형성하는 가스 공급관 등의 파이프나 튜브 라인일 수 있다.
따라서, 상기 샤워 헤드(20) 및 상기 공정 가스 공급 라인(30)를 이용하여 기본적으로 소스 가스(SG), 퍼지 가스(PG), 반응 가스(RG), 퍼지 가스(PG) 등의 순차적인 가스 공급 사이클을 반복하면서 상기 분말(1) 입자에 원자층을 시분할적으로 증착시킬 수 있다.
여기서, 도시하진 않았지만, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 파우더용 원자층 증착 장치(100)는 상기 분말(1)을 교반하는 교반 장치 등이 추가로 더 설치될 수 있다.
한편, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 파우더용 원자층 증착 장치(100)의 상기 가스 분사 노즐(40)은, 상기 공정 가스 공급 라인(30)와는 별도로 상기 챔버(10)의 측벽부에 형성되는 것으로서, 상기 분말 수용 공간에 수용된 상기 분말(1)에 제 1 플루다이징 가스(FG1)(Fluidizing gas)를 분사할 수 있는 방향 제어형 노즐일 수 있다.
여기서, 상기 제 1 플루다이징 가스(FG1)는 공정에 영향을 주지 않도록 질소나 아르곤 등의 불활성 가스가 적용되거나, 또는, 순차적으로 공급되는 상기 공정 가스와 동일한 공정 가스, 즉 적어도 소스 가스(SG), 퍼지 가스(PG), 반응 가스(RG) 중 어느 하나의 가스가 선택되어 적용될 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 챔버(10)는 전체적으로 수직방향으로 세워진 원통 또는 다각통 형상이고, 상기 제 1 플루다이징 가스 분사 노즐(40)은 상기 챔버(10)의 내측 측벽면에 360도 방향으로 설치될 수 있다.
또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 플루다이징 가스 분사 노즐(40)은, 적어도 경사 하향형 노즐(N1), 수평형 노즐(N2), 경사 상향형 노즐(N3) 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있는 것으로서, 복수개의 노즐의 분사 방향을 조절하여 상기 분말(1)의 전체 내부영역에 걸쳐서 화살표로 표시된 바와 같이, 소용돌이 형상으로 혼합되게 함으로써 균일한 희석 효과를 얻을 수 있다.
즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 플루다이징 가스 분사 노즐(40)은, 연결 라인(CL)으로 서로 연결된 적어도 하나의 상부 경사 하향형 노즐(N1)과, 적어도 하나의 중간 수평형 노즐(N2) 및 적어도 하나의 하부 경사 상향형 노즐(N3)이 배치되는 중앙 집중식 노즐 조합(41)이 적용될 수 있다
따라서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 중앙 집중식 노즐 조합(41)에 의해 상기 분말(1)의 전체 영역들 중에서 공정 환경에 따라 혼합에 취약한 중앙 부분에서 집중적으로 혼합 유동을 발생시키고, 이러한 유동이 가장 자리 방향으로도 전파되게 할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 파우더용 원자층 증착 장치(200)를 나타내는 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 파우더용 원자층 증착 장치(200)의 상기 가스 분사 노즐(40)은, 상기 플루다이징 가스 분사 노즐(40)은, 연결 라인(CL)으로 서로 연결된 경사 하향형 노즐(N1)들이 상부에서 하부까지 서로 평행하게 배치되는 하향 집중식 노즐 조합(42)이 적용될 수 있다.
따라서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 하향 집중식 노즐 조합(42)에 의해 상기 분말(1)의 전체 영역들 중에서 공정 환경에 따라 혼합에 취약한 하방 부분에서 집중적으로 혼합 유동을 발생시키고, 이러한 유동이 상방 및 가장 자리 방향으로도 전파되게 할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 파우더용 원자층 증착 장치(300)를 나타내는 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 파우더용 원자층 증착 장치(300)의 플루다이징 가스 분사 노즐(40)은, 연결 라인(CL)으로 서로 연결된 적어도 하나의 경사 하향형 노즐(N1)과, 적어도 하나의 수평형 노즐(N2)이 상부에서 하부까지 반복적으로 배치되는 부분 집중식 노즐 조합(43)이 적용될 수 있다.
따라서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 부분 집중식 노즐 조합(43)에 의해 상기 분말(1)의 전체 영역들 중에서 공정 환경에 따라 부분적으로 혼합에 취약한 중간과 중간 사이 부분에서 부분적으로 혼합 유동을 발생시키고, 이러한 유동이 나머지 방향으로도 전파되게 할 수 있다.
이러한, 상기 노즐 조합(41)(42)(43)들은 상기 분말(1)의 물성이나, 상기 챔버(10)의 스팩이나 공정 조건 등에 따라 최적의 조합을 선택하여 상황에 따라 적용시키는 것이 가능하다.
한편, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 플루다이징 가스 공급 라인(50)은, 상기 플루다이징 가스 분사 노즐(40)에 상기 제 1 플루다이징 가스(FG1)를 공급할 수 있는 가스 공급 유로를 형성하는 가스 공급관 등의 파이프나 튜브 라인일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 제 1 플루다이징 가스 공급 라인(50)에 고압의 상기 제 1 플루다이징 가스(FG1)가 저장되었다가 동시에 대량으로 공급될 수 있는 제 1 필탱크(51)(Fill tank) 및 제 1 밸브(52)가 설치될 수 있다.
따라서, 상기 제 1 밸브(52)를 순간적으로 개방하면 상기 제 1 필탱크(51)에 저장되어 있던 고압의 상기 제 1 플루다이징 가스(FG1)가 상기 챔버(10)의 내부로 대량 공급되면서 상기 분말(1)의 유동을 균일하게 유도하여 상기 분말(1)의 증착 균일도를 향상시킬 수 있다.
한편, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 플루다이징 가스 공급 라인(60)은, 상기 공정 가스 공급 라인(30)과 함께 상기 샤워 헤드(20)에 연결되는 것으로서, 상기 샤워 헤드(20)에 제 2 플루다이징 가스(FG2)를 공급할 수 있는 가스 공급 유로를 형성하는 가스 공급관 등의 파이프나 튜브 라인일 수 있다.
여기서, 상기 제 2 플루다이징 가스(FG2)는 공정에 영향을 주지 않도록 질소나 아르곤 등의 불활성 가스가 적용되거나, 또는, 순차적으로 공급되는 상기 공정 가스와 동일한 공정 가스, 즉 적어도 소스 가스(SG), 퍼지 가스(PG), 반응 가스(RG) 중 어느 하나의 가스가 선택되어 적용될 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 플루다이징 가스 공급 라인(60)에 고압의 상기 제 2 플루다이징 가스(FG2)가 저장되었다가 동시에 대량으로 공급될 수 있는 제 2 필탱크(61) 및 제 2 밸브(62)가 설치될 수 있다.
따라서, 상기 제 2 플루다이징 가스 공급 라인(60)은 별도의 상기 플루다이징 가스 분사 노즐(40) 대신에 상기 샤워 헤드(20)를 이용하여 상향 기류를 형성하는 것으로서, 상술된 상기 플루다이징 가스 분사 노즐(40)의 측방 기류와 합쳐져서 상기 분말(1) 내부에서 매우 강력한 유동을 유발시킬 수 있다.
그러므로, 본 발명에 따르면 장입된 분말 입자의 유동 및 분산 효과를 극대화하기 위해서 별도로 반응기 내벽을 통해 분말에 플루다이징 가스를 공급하여 물리적으로 대량의 분말을 희석 및 분산시킬 수 있고, 이를 통해서 분말 증착의 균일도를 크게 개선할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 분말
10: 챔버
11: 덮개 부재
12: 가스 배출구
M: 메쉬
20: 샤워 헤드
30: 공정 가스 공급 라인
SG: 소스 가스
PG: 퍼지 가스
RG: 반응 가스
40: 플루다이징 가스 분사 노즐
41: 중앙 집중식 노즐 조합
42: 하향 집중식 노즐 조합
43: 부분 집중식 노즐 조합
FG1: 제 1 플루다이징 가스
FG2: 제 2 플루다이징 가스
50: 제 1 플루다이징 가스 공급 라인
51: 제 1 필탱크
52: 제 1 밸브
CL: 연결 라인
N1: 경사 하향형 노즐
N2: 수평형 노즐
N3: 경사 상향형 노즐
60: 제 2 플루다이징 가스 공급 라인
61: 제 2 필탱크
62: 제 2 밸브
100, 200, 300: 파우더용 원자층 증착 장치

Claims (10)

  1. 분말이 수용될 수 있는 분말 수용 공간이 형성되는 챔버;
    상기 챔버의 바닥부에 형성되는 샤워 헤드;
    상기 샤워 헤드에 연결되고, 적어도 소스 가스, 퍼지 가스, 반응 가스 중 어느 하나의 공정 가스를 선택하여 상기 분말 수용 공간에 수용된 상기 분말에 순차적으로 공급하는 공정 가스 공급 라인;
    상기 챔버의 측벽부에 형성되고, 상기 분말 수용 공간에 수용된 상기 분말에 제 1 플루다이징 가스(Fluidizing gas)를 분사하는 플루다이징 가스 분사 노즐; 및
    상기 플루다이징 가스 분사 노즐에 상기 제 1 플루다이징 가스를 공급하는 제 1 플루다이징 가스 공급 라인;
    을 포함하는, 파우더용 원자층 증착 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버는 전체적으로 수직방향으로 세워진 원통 또는 다각통 형상이고,
    상기 제 1 플루다이징 가스 분사 노즐은 상기 챔버의 내측 측벽면에 설치되는, 파우더용 원자층 증착 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 플루다이징 가스 공급 라인에 고압의 플루다이징 가스가 저장되었다가 동시에 대량으로 공급될 수 있는 제 1 필탱크(Fill tank) 및 제 1 밸브가 설치되는, 파우더용 원자층 증착 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 플루다이징 가스 분사 노즐은, 적어도 경사 하향형 노즐, 수평형 노즐, 경사 상향형 노즐 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는, 파우더용 원자층 증착 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 플루다이징 가스 분사 노즐은, 연결 라인으로 서로 연결된 적어도 하나의 상부 경사 하향형 노즐과, 적어도 하나의 중간 수평형 노즐 및 적어도 하나의 하부 경사 상향형 노즐이 배치되는 중앙 집중식 노즐 조합인, 파우더용 원자층 증착 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 플루다이징 가스 분사 노즐은, 연결 라인으로 서로 연결된 경사 하향형 노즐들이 상부에서 하부까지 서로 평행하게 배치되는 하향 집중식 노즐 조합인, 파우더용 원자층 증착 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 플루다이징 가스 분사 노즐은, 연결 라인으로 서로 연결된 적어도 하나의 경사 하향형 노즐과, 적어도 하나의 수평형 노즐이 상부에서 하부까지 반복적으로 배치되는 부분 집중식 노즐 조합인, 파우더용 원자층 증착 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 샤워 헤드에 제 2 플루다이징 가스를 공급하는 제 2 플루다이징 가스 공급 라인;
    을 더 포함하는, 파우더용 원자층 증착 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 플루다이징 가스 공급 라인에 고압의 플루다이징 가스가 저장되었다가 동시에 대량으로 공급될 수 있는 제 2 필탱크 및 제 2 밸브가 설치되는, 파우더용 원자층 증착 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 플루다이징 가스 또는 상기 제 2 플루다이징 가스는, 공정에 영향을 주지 않도록 불활성 가스이거나, 또는 순차적으로 공급되는 적어도 소스 가스, 퍼지 가스, 반응 가스 중 어느 하나의 공정 가스와 동일한 가스인, 파우더용 원자층 증착 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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