KR20220073551A - 터치 디스플레이 장치 - Google Patents

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KR20220073551A
KR20220073551A KR1020200161725A KR20200161725A KR20220073551A KR 20220073551 A KR20220073551 A KR 20220073551A KR 1020200161725 A KR1020200161725 A KR 1020200161725A KR 20200161725 A KR20200161725 A KR 20200161725A KR 20220073551 A KR20220073551 A KR 20220073551A
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차동중
정범
서상우
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 명세서는 제 1 방향으로 연장되는 복수의 X-터치 전극과 제 2 방향으로 연장되는 복수의 Y-터치 전극으로 구성된 복수의 터치 전극, 및 복수의 서브픽셀이 배치된 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널에 터치 구동 신호를 공급하고, 터치 센싱 신호를 검출하여 터치를 센싱하는 터치 구동 회로와, 터치 구동 회로와 복수의 터치 전극을 연결하는 복수의 터치 라우팅 배선을 포함하되, 디스플레이 패널과 터치 구동 회로 사이에서 일정한 곡률로 휘어지는 벤딩 영역과 터치 전극 사이의 베젤 영역에서, 복수의 터치 라우팅 배선의 하부 영역에 그라운드 전압이 인가되는 터치 브릿지 전극이 배치되는 터치 디스플레이 장치를 개시한다.

Description

터치 디스플레이 장치{TOUCH DISPLAY DEVICE}
본 명세서는 터치 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 디스플레이 패널의 내부로 유입되는 전하를 최소화함으로써, 안정적인 구동이 가능한 터치 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하는 디스플레이 장치에 대한 다양한 요구가 증가하고 있으며, 액정 디스플레이 (Liquid Crystal Display; LCD), 유기 발광 디스플레이 (Organic Light Emitting Diode Display; OLED Display) 등과 같은 다양한 유형의 디스플레이 장치가 활용되고 있다.
이러한 디스플레이 장치 중에는, 버튼, 키보드, 마우스 등의 통상적인 입력 방식에서 탈피하여, 사용자가 손쉽게 정보 또는 명령을 직관적이고 편리하게 입력할 수 있도록 해주는 터치 기반의 입력 방식을 제공하는 터치 디스플레이 장치가 있다.
이러한 터치 디스플레이 장치는 터치 기반의 입력 기능을 제공하기 위해서, 사용자의 터치 유무를 파악하고 터치 좌표를 정확하게 센싱할 수 있어야 한다. 이를 위해, 터치 디스플레이 장치는 터치 센서 구조를 갖는 터치 스크린 패널을 포함한다.
터치 스크린 패널은 다수의 터치 전극과, 이들을 터치 센싱 회로에 연결해 주기 위한 다수의 터치 라우팅 배선 등을 포함하는 터치 센서 구조를 가진다.
이와 같이, 터치 센싱 기능을 제공하는 디스플레이 패널에는 터치 라우팅 배선과 터치 전극뿐만 아니라, 디스플레이 구동을 위한 각종 전압, 신호 등이 인가되는 전극, 신호 라인 등이 배치되어 있어, 디스플레이 전극과 터치 전극 사이에 노이즈 전하가 유입되는 경우에 디스플레이 구동 및 터치 센싱 성능이 저하될 수 있는 문제점이 존재한다.
따라서, 터치 디스플레이 장치에 노이즈 전하의 유입을 감소시키고 디스플레이 구동 및 터치 센싱 성능을 개선하기 위한 연구가 진행되고 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치는 제 1 방향으로 연장되는 복수의 X-터치 전극과 제 2 방향으로 연장되는 복수의 Y-터치 전극으로 구성된 복수의 터치 전극, 및 복수의 서브픽셀이 배치된 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널에 터치 구동 신호를 공급하고, 터치 센싱 신호를 검출하여 터치를 센싱하는 터치 구동 회로와, 터치 구동 회로 및 복수의 터치 전극을 연결하는 복수의 터치 라우팅 배선을 포함하되, 디스플레이 패널과 터치 구동 회로 사이에서 일정한 곡률로 휘어지는 벤딩 영역과 터치 전극 사이의 베젤 영역에서, 복수의 터치 라우팅 배선의 하부 영역에 그라운드 전압이 인가되는 터치 브릿지 전극이 배치된다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 복수의 X-터치 전극은 터치 센싱 전극이고, 복수의 Y-터치 전극은 터치 구동 전극이다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 터치 센싱 전극이 가로 방향으로 연장되고, 터치 구동 전극이 세로 방향으로 연장되며, 터치 센싱 전극에 연결되는 복수의 센싱 터치 라우팅 배선은 디스플레이 패널에 데이터 전압을 공급하는 복수의 데이터 링크 배선과 중첩되지 않도록 디스플레이 패널의 최외곽에 배치된다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 복수의 데이터 링크 배선은 디스플레이 패널의 중앙 부분에 대응하는 위치에 배치되고, 터치 구동 전극에 연결되는 복수의 구동 터치 라우팅 배선은 복수의 데이터 링크 배선의 양측에 배치된다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 터치 브릿지 전극은 상부에 위치하는 복수의 터치 라우팅 배선의 수평 방향의 폭과 동일하거나 큰 폭으로 형성된다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 복수의 터치 라우팅 배선이 연결되는 터치 패드와 상기 벤딩 영역 사이의 노치 영역에, 복수의 터치 라우팅 배선의 하부에 적어도 하나 이상의 컨택홀을 통해서, 각각의 복수의 터치 라우팅 배선에 전기적으로 연결되는 복수의 터치 브릿지 배선을 더 포함한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 노치 영역은 기판과, 기판 상부에 형성된 절연층과, 절연층 상부에 형성된 평탄화막과, 평탄화막 상부에 형성된 터치 브릿지 배선과, 터치 브릿지 배선의 상부에서 일정한 영역을 절연하는 층간 유전체와, 층간 유전체의 상부에서, 터치 브릿지 배선과 일정 영역에서 전기적으로 연결되는 터치 라우팅 배선이 배치된다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 복수의 터치 라우팅 배선은 벤딩 영역에서 가요성을 가지는 복수의 제 1 노드 전극에 전기적으로 연결되고, 복수의 터치 브릿지 배선은 상기 벤딩 영역에서 가요성을 가지는 복수의 제 2 노드 전극에 전기적으로 연결된다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 터치 브릿지 전극은 노치 영역의 제 2 노드 전극과 전기적으로 분리된다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 제 1 노드 전극 및 제 2 노드 전극은 서로 다른 저항값을 가진다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 제 1 노드 전극 및 제 2 노드 전극은 벤딩 스트레스를 감소시킬 수 있도록 일부 영역이 제거된 벤딩 패턴으로 형성된다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 벤딩 영역은 제 2 노드 전극과, 제 2 노드 전극의 상부에 형성된 제 1 평탄화막과, 제 1 평탄화막의 상부에 형성된 제 1 노드 전극과, 제 1 노드 전극의 상부에 형성된 제 2 평탄화막이 형성된다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 베젤 영역은 평탄화막과, 평탄화막의 상부에 형성된 봉지층과, 봉지층의 상부에서 일체형 구조로 형성된 터치 브릿지 전극과, 터치 브릿지 전극의 상부에 형성된 층간 유전체와, 층간 유전체에 의해서 터치 브릿지 전극과 절연되는 복수의 터치 라우팅 배선과, 복수의 터치 라우팅 배선의 상부에 형성된 터치 보호막을 포함한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치는 복수의 터치 라우팅 배선에 인접해서 배치되며, 그라운드 전압이 인가되는 그라운드 터치 라우팅 배선을 더 포함한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 그라운드 터치 라우팅 배선은 베젤 영역에서 터치 브릿지 전극과 전기적으로 연결된다.
본 명세서의 실시예들에 따르면, 노이즈 전하의 유입을 감소시키고 디스플레이 구동 및 터치 센싱 성능을 개선할 수 있는 구조의 터치 디스플레이 장치를 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 명세서의 실시예들에 따르면, 디스플레이 패널의 베젤 영역에 터치 라우팅 배선과 적층되며 그라운드 전압에 연결되는 일체형 구조의 터치 브릿지 전극을 배치함으로써, 노이즈 전하의 유입을 감소시킬 수 있는 터치 디스플레이 장치를 제공할 수 있는 효과가 있다.
본 명세서에 개시된 실시예들의 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예들은 위에서 언급되지 않은 또 다른 효과를 발생시킬 수 있으며, 이는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이고,
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널에 터치 스크린 패널이 내장되는 구조를 예시적으로 나타낸 도면이고,
도 3은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱 구조를 예시로 나타낸 도면이고,
도 4는 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱 구조를 구성하는 터치 라우팅 배선의 배치를 예시로 나타낸 도면이고,
도 5는 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 영역별 터치 라우팅 배선의 평면 구조를 나타낸 도면이고,
도 6은 본 명세서의 일 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 베젤 영역에 형성된 터치 라우팅 배선과 터치 브릿지 전극의 단면 구조 예시를 나타낸 도면이고,
도 7은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 벤딩 영역과 노치 영역의 터치 라우팅 배선 구조를 예시로 나타낸 단면도이고,
도 8은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 벤딩 영역에 형성된 노드 전극의 단면 구조 예시를 나타낸 도면이고,
도 10은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 베젤 영역의 위치에 따른 터치 라우팅 배선의 구조를 예시로 나타낸 도면이고,
도 11은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 그라운드 터치 라우팅 배선이 포함된 평면 구조를 예시로 나타낸 도면이다.
본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, "~상에", "~상부에", "~하부에", "~옆에" 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간 적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
신호의 흐름 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, "A 노드에서 B 노드로 신호가 전달된다"는 경우에도, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않은 이상, A 노드에서 다른 노드를 경유하여 B 노드로 신호가 전달되는 경우를 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 영상을 표시하기 위한 디스플레이 기능과, 사용자의 터치를 센싱하는 터치 센싱 기능을 제공할 수 있다.
터치 디스플레이 장치(100)는 영상 표시 및 터치 센싱 기능을 함께 구현하도록, 데이터 라인들과 게이트 라인들이 배치되는 디스플레이 패널(110)과, 디스플레이 패널(110)을 구동하기 위한 디스플레이 구동 회로(120) 등을 포함할 수 있다.
디스플레이 구동 회로(120)는 기능적으로 볼 때, 데이터 라인들을 구동하기 위한 데이터 구동 회로, 게이트 라인들을 구동하기 위한 게이트 구동 회로, 데이터 구동 회로 및 게이트 구동 회로를 제어하기 위한 타이밍 컨트롤러 등을 포함할 수 있다. 디스플레이 구동 회로(120)는 하나 이상의 집적 회로로 구현될 수 있다.
터치 디스플레이 장치(100)는 터치 센싱을 위해서 다수의 터치 전극들(TE)이 배치된 터치 스크린 패널(TSP)과, 터치 스크린 패널(TSP)의 구동 및 센싱 처리를 수행하는 터치 구동 회로(200) 등을 포함할 수 있다.
이 때, 터치 디스플레이 장치(100)에서 터치 스크린 패널(TSP)은 디스플레이 패널(110)과 별도로 제작되어 디스플레이 패널(110)에 본딩되는 외장형 타입일 수도 있고, 디스플레이 패널(110)의 제작 과정에 함께 제작되어 디스플레이 패널(110)의 내부에 존재하는 내장형 타입일 수도 있다.
이에 따라, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 터치 스크린 패널(TSP)은 터치 센싱 기능을 구비한 독립된 패널로 볼 수도 있고, 터치 센싱 기능과 함께 디스플레이 기능을 동시에 가지는 디스플레이 패널(110)을 의미할 수도 있다. 이하에서는 터치 스크린 패널(TSP)을 포함하는 디스플레이 패널(110)의 경우를 가정하여 설명하기로 한다.
터치 구동 회로(200)는 디스플레이 패널(110)을 구동하기 위하여 디스플레이 패널(110)로 터치 구동 신호를 공급하고, 디스플레이 패널(110)로부터 터치 센싱 신호를 수신하며, 이를 토대로, 터치 유무 및 터치 좌표를 검출한다.
이러한 터치 구동 회로(200)는 터치 구동 신호를 공급하고 터치 센싱 신호를 수신하는 터치 센싱 회로와, 터치 유무를 검출하고 터치 좌표를 계산하는 터치 컨트롤러 등을 포함하여 구현될 수도 있다.
터치 구동 회로(200)는 하나 또는 둘 이상의 부품(예: 집적 회로)으로 구현될 수 있으며, 디스플레이 구동 회로(120)와 별도로 구현될 수도 있다.
또한, 터치 구동 회로(200)의 전체 또는 일부는 디스플레이 구동 회로(120) 또는 그 내부 회로와 통합되어 구현될 수 있다. 예를 들어, 터치 구동 회로(200)의 터치 센싱 회로는 디스플레이 구동 회로(120)의 데이터 구동 회로와 함께 하나의 집적 회로로 구현될 수 있다.
또한, 터치 컨트롤러는 터치 구동 회로(200) 내에 위치할 수도 있고, 터치 구동 회로(200)와 분리된 외부에 별도의 컨트롤 유닛 형태로 배치될 수도 있다.
한편, 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 전극들(TE)에 형성되는 커패시턴스에 기반하여 터치 유무 및 터치 좌표를 센싱할 수 있다.
터치 디스플레이 장치(100)는 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로서, 뮤추얼 커패시턴스(Mutual capacitance) 방식으로 터치를 센싱할 수도 있고, 셀프 커패시턴스(Self capacitance) 방식으로 터치를 센싱할 수도 있다.
뮤추얼 커패시턴스(Mutual capacitance) 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 다수의 터치 전극들(TE)은 터치 구동 라인을 통해 터치 구동 신호가 인가되는 터치 구동 전극과, 터치 센싱 라인을 통해 터치 센싱 신호가 센싱되며 터치 구동 전극과 커패시턴스를 형성하는 터치 센싱 전극으로 분류될 수 있다. 이 때, 터치 구동 라인과 터치 센싱 라인을 포함하여 터치 라인으로 지칭하고, 터치 구동 신호와 터치 센싱 신호를 포함하여 터치 신호로 지칭할 수 있을 것이다.
이러한 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 손가락, 펜 등의 포인터 유무에 따라, 터치 구동 전극과 터치 센싱 전극 사이에 발생하는 뮤추얼 커패시턴스의 변화를 토대로 터치 유무 및 터치 좌표 등을 검출한다.
셀프 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 각 터치 전극(TE)은 터치 구동 전극의 역할과 터치 센싱 전극의 역할을 모두 하게 된다. 즉, 하나의 터치 라인을 통해 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호가 인가되고, 터치 구동 신호가 인가된 터치 전극(TE)으로부터 전달되는 터치 센싱 신호를 동일한 터치 라인을 통해 수신한다. 따라서, 셀프 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식에서는, 터치 구동 전극과 터치 센싱 전극의 구분 및 터치 구동 라인과 터치 센싱 라인의 구분이 없게 된다.
이러한 셀프 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 손가락, 펜 등의 포인터와 터치 전극(TE) 사이에 발생하는 커패시턴스의 변화를 토대로 터치 유무 및 터치 좌표 등을 검출한다.
이와 같이, 터치 디스플레이 장치(100)는 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있고, 셀프 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있다.
또한, 이러한 터치 디스플레이 장치(100)는 액정 디스플레이 장치(Liquid Crystal Display Device), 유기 발광 디스플레이 장치(Organic Light Emitting Display Device), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel), 퀀텀닷 디스플레이(Quantum Dot Display) 등의 다양한 타입의 장치일 수 있다.
이러한 디스플레이 패널(110)은 영상이 표시되는 표시 영역(Active Area)과, 표시 영역의 외곽에서 영상이 표시되지 않는 비표시 영역(Non-active Area)을 포함할 수 있다.
디스플레이 패널(110)의 표시 영역에는 영상을 디스플레이하기 위한 위한 다수의 서브픽셀(Subpixel)이 배열되고, 디스플레이 구동을 위한 각종 전극들이나 신호 배선들이 위치한다. 또한, 디스플레이 패널(110)의 표시 영역에는 터치 센싱을 위한 다수의 터치 전극(TE)과 여기에 전기적으로 연결되는 다수의 터치 라우팅 배선 등이 배치될 수 있다. 이에 따라, 표시 영역은 터치 센싱이 가능한 터치 센싱 영역에 해당한다.
디스플레이 패널(110)의 비표시 영역에는 표시 영역에 배치된 각종 신호 배선들이 연장된 링크 배선들과 링크 배선들에 전기적으로 연결된 구동 패드들이 배치될 수 있다. 비표시 영역에 배치된 패드들은 디스플레이 구동 회로(120)에 본딩되거나 전기적으로 연결될 수 있다.
디스플레이 패널(110)의 비표시 영역에는, 표시 영역에 배치된 다수의 터치 전극(TE)으로부터 연장된 터치 라우팅 배선들 또는 터치 라우팅 배선과 전기적으로 연결된 터치 패드들이 배치될 수 있다. 비표시 영역에 배치된 터치 패드들은 터치 구동 회로(200)에 본딩되거나 전기적으로 연결될 수 있다.
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널에 터치 스크린 패널이 내장되는 구조를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 디스플레이 패널(110)의 표시 영역(AA)에는 기판(SUB) 상에 다수의 서브픽셀(SP)이 배열된다.
각 서브픽셀(SP)은 발광소자(ED)와, 발광소자(ED)를 구동하기 위한 제 1 트랜지스터(T1)와, 제 1 트랜지스터(T1)의 제 1 노드(N1)로 데이터 전압(VDATA)을 전달해주기 위한 제 2 트랜지스터(T2)와, 한 프레임 동안 일정 전압을 유지해주기 위한 스토리지 커패시터(Cst) 등을 포함할 수 있다.
제 1 트랜지스터(T1)는 제 2 트랜지스터(T2)를 통해 데이터 전압(VDATA)이 인가될 수 있는 제 1 노드(N1), 발광 소자(ED)와 전기적으로 연결되는 제 2 노드(N2), 및 구동 전압 라인(DVL)으로부터 구동 전압(VDD)이 인가되는 제 3 노드(N3)를 포함할 수 있다. 제 1 노드(N1)는 게이트 노드이고, 제 2 노드(N2)는 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있고, 제 3 노드(N3)는 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. 이러한 제 1 트랜지스터(T1)는 발광 소자(ED)를 구동하는 구동 트랜지스터라고 한다.
발광 소자(ED)는 제 1 전극(예: 애노드 전극), 발광층 및 제 2 전극(예: 캐소드 전극)을 포함할 수 있다. 제 1 전극은 제 1 트랜지스터(T1)의 제 2 노드(N2)와 전기적으로 연결되고, 제 2 전극은 기저 전압(VSS)이 인가될 수 있다.
이러한 발광 소자(ED)에서 발광층은 유기물을 포함하는 유기 발광층일 수 있다. 이 경우, 발광 소자(ED)는 유기 발광 다이오드(OLED; Organic Light Emitting Diode)일 수 있다.
제 2 트랜지스터(T2)는 게이트 라인(GL)을 통해 인가되는 스캔 신호(SCAN)에 의해 온-오프가 제어되며, 제 1 트랜지스터(T1)의 제 1 노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 제 2 트랜지스터(T2)는 스위칭 트랜지스터라고 할 수 있다.
제 2 트랜지스터(T2)가 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 되면, 데이터 라인(DL)을 통해 공급된 데이터 전압(VDATA)이 제 1 트랜지스터(T1)의 제 1 노드(N1)에 전달된다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 트랜지스터(T1)의 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.
각 서브픽셀(SP)은 2개의 트랜지스터(T1, T2)와 1개의 커패시터(Cst)를 포함하는 2T1C 구조를 가질 수 있으며, 경우에 따라서, 1개 이상의 트랜지스터를 더 포함하거나, 1개 이상의 커패시터를 더 포함할 수도 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 트랜지스터(T1)의 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 존재할 수 있는 기생 커패시터가 아니라, 제 1 트랜지스터(T1)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 커패시터(External Capacitor)일 수 있다.
제 1 트랜지스터(T1) 및 제 2 트랜지스터(T2)는 각각 n 타입 트랜지스터이거나 p 타입 트랜지스터일 수 있다.
한편, 디스플레이 패널(110)에는 발광 소자(ED), 2개 이상의 트랜지스터(T1, T2) 및 1개 이상의 커패시터(Cst) 등의 회로 소자가 배치된다. 이러한 회로 소자는 외부의 수분이나 산소 등에 취약하기 때문에, 외부의 수분이나 산소가 회로 소자로 침투되는 것을 방지하기 위한 봉지층(ENCAP)이 디스플레이 패널(110)에 배치될 수 있다.
이러한 봉지층(ENCAP)은 하나의 층으로 되어 있을 수도 있지만, 다수의 층으로 되어 있을 수도 있다. 예를 들어, 봉지층(ENCAP)이 다수의 층으로 이루어진 경우, 봉지층(ENCAP)은 하나 이상의 무기 봉지층과 하나 이상의 유기 봉지층을 포함할 수 있다. 구체적인 예로서, 봉지층(ENCAP)은 제 1 무기 봉지층, 유기 봉지층 및 제 2 무기 봉지층을 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 유기 봉지층은 제 1 무기 봉지층과 제 2 무기 봉지층 사이에 위치할 수 있다. 하지만, 봉지층(ENCAP)의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다.
제 1 무기 봉지층은 발광 소자(ED)와 가장 인접하도록 제 2 전극(예: 캐소드 전극) 상에 형성될 수 있다. 이러한 제 1 무기 봉지층은, 일 예로, 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화알루미늄(Al2O3) 등과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제 1 무기 봉지층이 저온 분위기에서 증착되므로, 제 1 무기 봉지층의 증착 공정 시 고온 분위기에 취약한 발광층(유기 발광층)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
유기 봉지층은 제 1 무기 봉지층보다 작은 면적으로 형성될 수 있으며, 제 1 무기 봉지층의 양 끝단을 노출시키도록 형성될 수 있다. 이러한 유기 봉지층은 터치 디스플레이 장치(100)의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충 역할을 하며, 평탄화 성능을 강화할 수 있다. 이러한 유기 봉지층은 일 예로, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 또는 실리콘옥시카본(SiOC) 등과 같은 유기 절연 재질로 형성될 수 있다.
제 2 무기 봉지층은 유기 봉지층 상에서 유기 봉지층 및 제 1 무기 봉지층 각각의 상부면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제 2 무기 봉지층은 외부의 수분이나 산소가 제 1 무기 봉지층 및 유기 봉지층으로 침투하는 것을 최소화하거나 차단할 수 있다. 이러한 제 2 무기 봉지층은 일 예로, 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3) 등과 같은 무기 절연 재질로 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 스크린 패널(TSP)이 봉지층(ENCAP) 상에 형성될 수 있다. 즉, 터치 디스플레이 장치(100)에서, 터치 스크린 패널(TSP)을 이루는 다수의 터치 전극(TE)이 봉지층(ENCAP) 상에 배치될 수 있다.
도 3은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱 구조를 예시로 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱 구조는 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 포함할 수 있다. 여기서, 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 봉지층(ENCAP) 상에 위치할 수 있다.
복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)은 제 1 방향으로 배치되고, 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 제 1 방향과 다른 제 2 방향으로 배치될 수 있다.
본 명세서에서, 제 1 방향 및 제 2 방향은 상대적으로 서로 다른 방향일 수 있으며, 일 예로, 제 1 방향은 x축 방향이고 제 2 방향은 y축 방향일 수 있다. 이와 반대로, 제 1 방향은 y축 방향이고 제 2 방향은 x축 방향일 수도 있다. 또한, 제 1 방향 및 제 2 방향은 서로 직교할 수도 있지만 직교하지 않을 수도 있다.
복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)은 전기적으로 연결된 여러 개의 X-터치 전극(X-TE)으로 구성될 수 있고, 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 전기적으로 연결된 여러 개의 Y-터치 전극(Y-TE)으로 구성될 수 있다.
여기서, 복수의 X-터치 전극(X-TE)과 복수의 Y-터치 전극(Y-TE)은 복수의 터치 전극(TE)에 포함되며 역할(기능)이 구분되는 전극들이다. 예를 들어, 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)을 구성하는 복수의 X-터치 전극(X-TE)은 터치 구동 전극이고, 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 구성하는 복수의 Y-터치 전극(Y-TE)은 터치 센싱 전극일 수 있다. 이 경우, 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)은 터치 구동 전극 라인에 해당하고, 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 터치 센싱 전극 라인에 해당한다.
이와 반대로, 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)을 구성하는 복수의 X-터치 전극(X-TE)은 터치 센싱 전극이고, 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 구성하는 복수의 Y-터치 전극(Y-TE)은 터치 구동 전극일 수 있다. 이 경우, 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)은 터치 센싱 전극 라인에 해당하고, 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 터치 구동 전극 라인에 해당한다.
터치 센싱을 위한 터치 센서 메탈은 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 이외에도, 복수의 터치 라우팅 배선(TL)을 포함할 수 있다.
다수의 터치 라우팅 배선(TL)은 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)에 연결되는 하나 이상의 X-터치 라우팅 배선(X-TL)과, 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)에 연결되는 하나 이상의 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)을 포함할 수 있다.
복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 각각은, 동일한 행(또는 열)에 배치되는 복수의 X-터치 전극(X-TE)과, 이들을 전기적으로 연결해주는 하나 이상의 X-터치 전극 연결 배선(X-CL)을 포함할 수 있다. 여기서, 인접한 2개의 X-터치 전극(X-TE)을 연결해주는 X-터치 전극 연결배선(X-CL)은 인접한 2개의 X-터치 전극(X-TE)과 일체화 된 금속일 수도 있고, 컨택홀을 통해 인접한 2개의 X-터치 전극(X-TE)과 연결되는 금속일 수도 있다.
복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 동일한 열(또는 행)에 배치되는 복수의 Y-터치 전극(Y-TE)과, 이들을 전기적으로 연결해주는 하나 이상의 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)을 포함할 수 있다. 여기서, 인접한 2개의 Y-터치 전극(Y-TE)을 연결해 주는 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)은 인접한 2개의 Y-터치 전극(Y-TE)과 일체화 된 금속일 수도 있고, 컨택홀을 통해 인접한 2개의 Y-터치 전극(Y-TE)과 연결되는 금속일 수도 있다.
X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 교차되는 영역(터치 전극 라인 교차 영역)에서는, X-터치 전극 연결 배선(X-CL)과 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)이 교차될 수 있다.
이와 같이, 터치 전극 라인 교차 영역에서, X-터치 전극 연결 배선(X-CL)과 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)이 교차되는 경우, X-터치 전극 연결 배선(X-CL)과 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)은 서로 다른 층에 위치하는 것이 바람직하다. 따라서, 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 교차되도록 배치되기 위해서, 복수의 X-터치 전극(X-TE), 복수의 X-터치 전극 연결 배선(X-CL), 복수의 Y-터치 전극(Y-TE), 및 복수의 Y-터치 전극 연결배선(Y-CL)은 둘 이상의 층에 위치할 수 있다.
복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)은 하나 이상의 X-터치 라우팅 배선(X-TL)을 통해 해당하는 X-터치 패널(X-TP)과 전기적으로 연결된다. 즉, 하나의 X-터치 전극 라인(X-TEL)에 포함된 복수의 X-터치 전극(X-TE)중 최 외곽에 배치된 X-터치 전극(X-TE)은 X-터치 라우팅 배선(X-TL)을 통해 해당하는 X-터치 패드(X-TP)와 전기적으로 연결된다.
복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 하나 이상의 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)을 통해 해당하는 Y-터치 패드(Y-TP)와 전기적으로 연결된다. 즉, 하나의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)에 포함된 복수의 Y-터치 전극(Y-TE) 중 최 외곽에 배치된 Y-터치 전극(Y-TE)은 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)을 통해 해당하는 Y-터치 패드(Y-TP)와 전기적으로 연결된다.
도 4는 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱 구조를 구성하는 터치 라우팅 배선의 배치를 예시로 나타낸 도면이다.
여기에서는 도 3의 X-터치 전극(X-TE)을 터치 센싱 전극으로 사용하고, Y-터치 전극(Y-TE)을 터치 구동 전극으로 사용하는 경우를 예시로 나타내고 있다.
따라서, 여기에서는 X-터치 전극(X-TE), X-터치 전극 연결 배선(X-CL), X-터치 전극 라인(X-TEL), X-터치 라우팅 배선(X-TL), X-터치 패드(X-TP)를 각각 터치 센싱 전극, 터치 센싱 전극 연결 배선, 터치 센싱 전극 라인, 센싱 터치 라우팅 배선, 및 센싱 터치 패드로 지칭할 수 있으며, Y-터치 전극(Y-TE), Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL), Y-터치 전극 라인(Y-TEL), Y-터치 라우팅 배선(Y-TL), Y-터치 패드(Y-TP)는 각각 터치 구동 전극, 터치 구동 전극 연결 배선, 터치 구동 전극 라인, 구동 터치 라우팅 배선, 및 구동 터치 패드로 지칭할 수 있을 것이다.
도 4를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)은 디스플레이 패널(110)의 구동을 위해서, 복수의 터치 구동 전극 라인은 하나 이상의 구동 터치 라우팅 배선(TLd)과 전기적으로 연결된다. 그리고, 각각의 구동 터치 라우팅 배선(TLd)은 구동 터치 패드(TPd)를 통해 터치 구동 회로(200)와 전기적으로 연결된다.
디스플레이 패널(110)의 센싱을 위해, 복수의 터치 센싱 전극 라인은 하나 이상의 센싱 터치 라우팅 배선(TLs)과 전기적으로 연결된다. 그리고, 각 센싱 터치 라우팅 배선(TLs)은 센싱 터치 패드(TPs)를 통해 터치 구동 회로(200)와 전기적으로 연결된다.
한편, 디스플레이 패널(110)의 표시 영역(AA)에는 복수의 데이터 라인(DL) 및 복수의 게이트 라인(GL)과 함께, 복수의 터치 구동 전극 라인과 복수의 터치 센싱 전극 라인이 배치된다.
이 때, 복수의 데이터 라인(DL)이 연장되는 비표시 영역(예를 들어, 디스플레이 패널(110)의 하부 비표시 영역)에는 복수의 데이터 라인(DL)과 연결되는 복수의 데이터 링크 배선(DLL)이 배치되며, 복수의 데이터 링크 배선(DLL)과 디스플레이 구동 회로(120)를 전기적으로 연결해주는 복수의 데이터 패드(DP)가 배치된다.
이 때, 복수의 데이터 라인(DL)이 연장되는 비표시 영역(예를 들어, 디스플레이 패널(110)의 하부 비표시 영역)에는 복수의 터치 구동 전극 라인에 연결된 복수의 구동 터치 라우팅 배선(TLd)과 복수의 터치 센싱 전극 라인으로부터 연장된 복수의 센싱 터치 라우팅 배선(TLs)이 배치될 수 있다.
이 때, 게이트 라인(GL)이 배치되는 방향으로 터치 센싱 전극 라인이 연장되는 경우, 복수의 구동 터치 라우팅 배선(TLd)이 데이터 링크 배선(DLL)의 양측에 위치하고 복수의 센싱 터치 라우팅 배선(TLs)이 디스플레이 패널(110)의 최외곽에 배치됨으로써 비표시 영역에서 복수의 데이터 링크 배선(DLL)과 중첩되지 않을 수 있다. 따라서, 데이터 라인(DL)에서 발생하는 노이즈가 센싱 터치 라우팅 배선(TLs) 또는 센싱 터치 패드(TPs) 등에 유입되는 현상이 줄어들어, 데이터 노이즈에 의한 터치 감도가 저하되는 것을 방지해줄 수 있다.
이 때, 터치 디스플레이 장치(100)는 요구되는 디자인에 기초하여, 수평, 수직, 또는 대각선 방향의 조합으로 일부 영역이 휘어지는 벤딩 영역(BD)을 포함할 수 있다.
여기에서는 디스플레이 패널(110)의 하부에 디스플레이 구동 회로(120)와 터치 구동 회로(200)가 위치하며, 디스플레이 패널(110)과 이들 사이의 수평 방향을 기준으로 벤딩 영역(BD)이 형성된 경우를 예시로 나타내고 있다.
그 결과, 데이터 패드(DP)에 결합되는 디스플레이 구동 회로(120)과 터치 패드(TPs, TPd)에 결합되는 터치 구동 회로(200)는 아래 방향 휘어져서 디스플레이 패널(110)의 후면에 위치할 수 있다.
벤딩 영역(BD)은 소정의 굴곡 반지름으로 휘어지는 굴곡 구간을 포함하며, 굴곡선을 따라 굴곡 축에 대한 각도를 갖고 안쪽 또는 바깥쪽으로 휘어질 수 있다. 벤딩 영역(BD) 내에서 외곽의 굴곡 반지름은 중앙 부분의 굴곡 반지름보다 작을 수 있다.
이와 같이, 벤딩 영역(BD)을 따라 디스플레이 패널(110)의 비표시 영역을 구부리면, 비표시 영역이 디스플레이 장치(100)의 앞면에서는 안보이거나 최소로만 보이게 된다. 이 때, 비표시 영역 중 디스플레이 장치(100)의 앞면에서 보이는 일부는 베젤(bezel)로 가려지는 베젤 영역(BZ)에 해당할 수 있다. 베젤 영역(BZ)은 독자적인 구조물, 또는 하우징이나 다른 적합한 요소로 형성될 수 있다. 여기에서는 표시 영역(AA)의 우측 모서리 부분을 베젤 영역(BZ)으로 표시하였지만, 표시 영역(AA)의 좌측 모서리 부분, 상부 모서리 부분 및 표시 영역(AA)과 벤딩 영역(BD) 사이의 공간이 베젤 영역(BZ)에 포함될 수 있다.
한편, 일반적으로 디스플레이 구동 회로(120) 또는 터치 구동 회로(200)의 크기는 디스플레이 패널(110)의 크기보다 작기 때문에, 벤딩 영역(BD)과 터치 패드(TPd, TPs) 사이에 위치하는 터치 라우팅 배선(TLd, TLs)은 디스플레이 패널(110)의 측면에서부터 중앙 부분으로 휘어지는 구조를 가지게 된다. 따라서, 벤딩 영역(BD)과 터치 패드(TPd, TPs) 사이에 위치하는 터치 라우팅 배선(TLd, TLs)의 구조를 반영하여, 벤딩 영역(BD)과 터치 패드(TPd, TPs) 사이의 영역을 노치 영역(NT)으로 표현할 수 있다.
터치 라우팅 배선(TLd, TLs)을 기준으로 볼 때, 노치 영역(NT)은 터치 라우팅 배선(TLd, TLs)이 형성될 수 있는 공간이 상대적으로 넓은 반면, 벤딩 영역(BD)과 베젤 영역(BZ)은 터치 라우팅 배선(TLd, TLs)이 형성될 수 있는 공간이 상대적으로 좁다고 할 수 있다.
도 5는 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 영역별 터치 라우팅 배선의 평면 구조를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 복수의 터치 구동 전극 라인은 하나 이상의 구동 터치 라우팅 배선(TLd)과 전기적으로 연결되고, 각각의 구동 터치 라우팅 배선(TLd)은 복수의 구동 터치 패드(TPd)를 통해 터치 구동 회로(200)와 전기적으로 연결된다.
또한, 복수의 터치 센싱 전극 라인은 하나 이상의 센싱 터치 라우팅 배선(TLs)과 전기적으로 연결되고, 각 센싱 터치 라우팅 배선(TLs)은 센싱 터치 패드(TPs)를 통해 터치 구동 회로(200)와 전기적으로 연결된다.
여기에서는 구동 터치 라우팅 배선(TLd)과 센싱 터치 라우팅 배선(TLs)을 포함하여 터치 라우팅 배선(TL)으로 표시하고, 구동 터치 패드(TPd)와 센싱 터치 패드(TPs)를 포함하여 터치 패드(TP)로 표시하였으며, 4개의 터치 패드(TP1, TP2, TP3, TP4)로부터 연장되는 터치 라우팅 배선(TL1, TL2, TL3, TL4)을 예시로 나타내고 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 터치 라우팅 배선(TL)은 터치 패드(TP)로부터 노치 영역(NT), 벤딩 영역(BD), 및 베젤 영역(BZ)을 통해 터치 전극(TE)에 연결된다. 이 때, 터치 라우팅 배선(TL)은 노치 영역(NT), 벤딩 영역(BD), 및 베젤 영역(BZ) 중 일부 영역에서 구조를 달리할 수 있다.
예를 들어, 터치 패드(TP)에 인접한 노치 영역(NT)에서 터치 라우팅 배선(TL)은 터치 신호를 전달하기 위한 단일 전극 구조로 이루어질 수도 있고, 터치 신호에 대한 전기적 저항을 줄이거나 단선의 경우를 대비하여 적어도 하나의 컨택홀로 연결되는 이중 적층 구조로 이루어질 수도 있다.
터치 라우팅 배선(TL)을 이중 적층 구조로 구성하는 경우에는 터치 라우팅 배선(TL)의 수직 상부 또는 수직 하부 위치에서 터치 라우팅 배선(TL)과 동일한 방향으로 연장되는 터치 브릿지 배선이 위치할 수 있으며, 터치 라우팅 배선(TL)과 터치 브릿지 배선은 전기적 연결을 위한 하나 이상의 컨택홀이 일정한 간격을 두고 형성될 수 있다.
노치 영역(NT)을 지나서 비표시 영역이 일정한 곡률 반지름으로 굴곡되는 벤딩 영역(BD)의 경우에도, 터치 신호를 전달하기 위한 단일 전극 구조로 이루어질 수도 있고, 터치 신호에 대한 전기적 저항을 줄이거나 단선의 경우를 대비하여 적어도 하나의 컨택홀로 연결되는 이중 적층 구조로 이루어질 수도 있다.
마찬가지로, 터치 라우팅 배선(TL)을 이중 적층 구조로 구성하는 경우에는 터치 라우팅 배선(TL)의 수직 상부 또는 수직 하부 위치에서 터치 라우팅 배선(TL)과 동일한 방향으로 연장되는 터치 브릿지 배선이 위치할 수 있으며, 터치 라우팅 배선(TL)과 터치 브릿지 배선은 전기적 연결을 위한 하나 이상의 컨택홀이 일정한 간격을 두고 형성될 수 있다.
이와 같이, 노치 영역(NT) 또는 벤딩 영역(BD)에서 터치 라우팅 배선(TL)과 터치 브릿지 배선이 수직 방향으로 적층되는 경우에는 터치 라우팅 배선(TL)을 통해 전달되는 터치 신호의 전기적 저항을 감소시킬 수 있고, 일부 구간에서 단선 등의 불량이 발생하더라도 터치 브릿지 배선을 통해 터치 신호가 전달될 수 있다.
터치 브릿지 배선은 노치 영역(NT)과 벤딩 영역(BD)을 전기적으로 연결할 수 있다.
본 명세서의 터치 디스플레이 장치(100)는 베젤 영역(BZ)에서 터치 라우팅 배선(TL)의 상부 또는 하부의 위치에서 그라운드 전압에 연결되는 일체형 구조의 터치 브릿지 전극(BE)을 형성함으로써, 노이즈 전하의 유입을 차단하고 터치 감도 및 구동 성능을 향상시킬 수 있도록 한다.
예를 들어, 터치 브릿지 전극(BE)은 복수의 터치 라우팅 배선(TL1, TL2, TL3, TL4)이 위치하는 영역을 포함할 수 있도록 복수의 터치 라우팅 배선(TL1, TL2, TL3, TL4)이 형성된 면적보다 넓은 크기를 가지는 일체형 전극 구조로 이루어질 수 있다.
이 때, 터치 브릿지 전극(BE)은 그라운드 전압에 연결된 상태에서 베젤 영역(BZ)에서 일측이 디스플레이 패널(110)에 접촉될 수 있으며 이로써 디스플레이 패널(110)에 유입되는 노이즈 전하를 그라운드 전압을 통해 방전시킬 수 있다.
베젤 영역(BZ)에서 터치 라우팅 배선(TL)의 상부 또는 하부에 위치하는 일체형 구조의 터치 브릿지 전극(BE)은 디스플레이 패널(110)에 유입되는 노이즈 전하를 방전시키기 위하여 그라운드 전압에 연결되기 때문에, 벤딩 영역(BD)에 형성되는 터치 브릿지 배선과 분리되는 것이 바람직하다.
이 때, 벤딩 영역(BD)에 위치하는 터치 라우팅 배선(TL) 및 터치 브릿지 배선은 노치 영역(NT)에 위치하는 터치 라우팅 배선(TL) 및 터치 브릿지 배선과 동일한 층에서 동일한 재질의 금속으로 이루어질 수도 있지만, 벤딩 영역(BD)이 일정한 곡률로 휘어지는 점을 고려하여 충분한 가요성(flexibility)을 가질 수 있는 구조 및 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
따라서, 벤딩 영역(BD)에 위치하는 터치 라우팅 배선(TL) 및 터치 브릿지 배선은 노치 영역(NT)에 형성되는 터치 라우팅 배선(TL) 및 터치 브릿지 배선과 다른 구조 및 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 벤딩 영역(BD)에 위치하는 터치 라우팅 배선(TL) 및 터치 브릿지 배선은 베젤 영역(BZ)에 형성되는 터치 라우팅 배선(TL) 및 터치 브릿지 전극(BE)과 구조 및 재질이 상이할 수 있다.
도 6은 본 명세서의 일 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 베젤 영역에 형성된 터치 라우팅 배선과 터치 브릿지 전극의 단면 구조 예시를 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 벤딩 영역(BD)으로부터 연장되어 터치 전극(TE)으로 연결되는 베젤 영역(BZ)은 수평 방향으로 배열되는 복수의 터치 라우팅 배선(TL1, TL2, TL3, TL4)과 복수의 터치 라우팅 배선(TL1, TL2, TL3, TL4)의 하부에 적층된 일체형 구조의 터치 브릿지 전극(BE)을 포함할 수 있다.
복수의 터치 라우팅 배선(TL1, TL2, TL3, TL4)은 각각 벤딩 영역(BD)과 노치 영역(NT)을 통해서 복수의 터치 패드(TP1, TP2, TP3, TP4)에 전기적으로 연결될 수 있다.
일체형 구조의 터치 브릿지 전극(BE)은 베젤 영역(BZ)에 위치하는 복수의 터치 패드(TP1, TP2, TP3, TP4)가 배치되는 영역을 포함하도록, 복수의 터치 패드(TP1, TP2, TP3, TP4)보다 넓은 폭(BEW)으로 형성될 수 있으며, 층간 유전체(ILD)에 의하여 복수의 터치 패드(TP1, TP2, TP3, TP4)와 절연될 수 있다. 이 때, 일체형 구조의 터치 브릿지 전극(BE)은 그라운드 전압(GND)에 연결된 상태에서 일측이 디스플레이 패널(110)에 접촉될 수 있으므로, 디스플레이 패널(110)에 유입되는 노이즈 전하는 그라운드 전압을 통해 방전될 수 있다.
한편, 일체형 구조의 터치 브릿지 전극(BE)은 순차적으로 적층된 평탄화막(PLN)과 봉지층(ENCAP)의 상부에 위치할 수 있다.
또한, 복수의 터치 라우팅 배선(TL1, TL2, TL3, TL4)의 상부에는 수분이나 먼지 등의 이물질이 침투하는 것을 방지하기 위한 터치 보호막(PAC)이 위치할 수 있다.
도 7은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 벤딩 영역과 노치 영역의 터치 라우팅 배선 구조를 예시로 나타낸 단면도이다.
도 7을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 터치 라우팅 배선(TL)과 터치 브릿지 배선(BL)은 노치 영역(NT)으로부터 벤딩 영역(BD)으로 연장되며, 일부 위치에 형성된 컨택홀(CH)을 통해 동일한 터치 신호(터치 구동 신호 또는 터치 센싱 신호)를 전달할 수 있다.
예를 들어, 터치 패드(TP)로부터 연장되는 터치 라우팅 배선(TL)은 노치 영역(NT)을 통해 벤딩 영역(BD)의 제 1 노드 전극(NE1)에 연결되고, 터치 브릿지 배선(BL)은 노치 영역(NT)의 일부 위치에서 터치 라우팅 배선(TL)과 컨택하는 동시에 벤딩 영역(BD)의 제 2 노드 전극(NE2)에 연결될 수 있다.
이 때, 터치 패드(TP)는 기판(SUB) 상에 형성된 절연층(INS)의 상부에 위치할 수 있다.
여기에서, 벤딩 영역(BD)에 형성되는 제 1 노드 전극(NE1)과 제 2 노드 전극(NE2)은 각각 터치 라우팅 배선(TL) 및 터치 브릿지 배선(BL)과 동일한 재질로 이루어질 수도 있지만, 벤딩 영역(BD)이 일정한 곡률로 휘어지는 점을 고려하여 충분한 가요성(flexibility)을 가질 수 있는 구조 및 재질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 제 1 노드 전극(NE1)과 제 2 노드 전극(NE2)은 터치 라우팅 배선(TL) 및 터치 브릿지 배선(BL)과 상이한 구조 및 재질로 이루어질 수 있을 것이다.
예를 들어, 벤딩 영역(BD)에서 절연층(INS)의 상부에 형성되는 제 1 노드 전극(NE1) 및 제 2 노드 전극(NE2)은 표시 영역(AA) 내의 서브픽셀(SP)에 위치하는 구동 트랜지스터의 게이트 전극이거나, 소스 전극 또는 드레인 전극과 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
노치 영역(NT)에서 절연층(INS)의 상부에는 평탄화막(PLN)이 형성되고, 그 상부에 터치 브릿지 배선(BL)과 터치 라우팅 배선(TL)이 순차적으로 적층될 수 있다.
이 때, 순차적으로 적층된 터치 라우팅 배선(TL)과 터치 브릿지 배선(BL)은 그 사이이 위치하는 층간 유전체(ILD)에 의해서 일부 영역이 절연될 수 있다.
또한, 터치 라우팅 배선(TL)의 상부에는 수분이나 먼지 등의 이물질이 침투하는 것을 방지하기 위한 터치 보호막(PAC)이 형성될 수 있다.
도 8은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 벤딩 영역에 형성된 노드 전극의 단면 구조 예시를 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 벤딩 영역(BD)은 노치 영역(NT)을 통해 연장되는 터치 라우팅 배선(TL)과 터치 브릿지 배선(BL)에 각각 연결되며, 수직 방향으로 이격되어 적층되는 제 1 노드 전극(NE1) 및 제 2 노드 전극(NE2)으로 이루어질 수 있다.
제 1 노드 전극(NE1)의 상부에는 일정한 두께의 제 1 평탄화막(PLN1)이 위치하고, 제 1 노드 전극(NE1)과 제 2 노드 전극(NE2) 사이에는 제 2 평탄화막(PLN2)이 일정한 두께로 형성될 수 있다.
앞에서 설명한 바와 같이, 벤딩 영역(BD)은 일정한 곡률 반지름으로 휘어질 수 있으므로, 벤딩 영역(BD)에 위치하는 노드 전극(NE1, NE2)은 벤딩 스트레스를 견딜 수 있는 특징을 가질 수 있다.
이를 위해, 벤딩 영역(BD)에 위치하는 노드 전극(NE1, NE2)은 일정한 범위 내의 가요성을 견딜 수 있는 다층 구조로 이루어질 수 있다.
또한, 제 1 노드 전극(NE1)과 제 2 노드 전극(NE2)은 벤딩 영역(BD)에서 휘어지는 방향에 따라 서로 다른 전기 저항 또는 서로 다른 접촉 저항을 가질 수 있다. 예를 들어, 벤딩 영역(BD)이 하부 방향으로 휘어지는 경우, 아래에 위치하는 제 2 노드 전극(NE2) 보다 상부에 위치하는 제 1 노드 전극(NE1)이 낮은 접촉 저항을 가지도록 구성될 수 있다.
또는 제 1 노드 전극(NE1)과 제 2 노드 전극(NE)이 벤딩 스트레스를 감소시킬 수 있도록 일부 영역이 제거된 벤딩 패턴의 형상으로 이루어질 수도 있을 것이다.
도 9는 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서 터치 라우팅 배선이 형성되는 영역의 단면을 예시로 나타낸 도면이다.
다만, 여기에서는 Y-터치 전극(Y-TE)이 판 형상으로 도시되었으며, 이는 예시일 뿐, 메쉬 타입으로 되어 있을 수도 있다.
도 9를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 표시 영역(AA) 내에 위치하는 서브픽셀(SP)에는 구동 트랜지스터인 제 1 트랜지스터(T1)가 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다.
제 1 트랜지스터(T1)는 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 또는 드레인 전극(DE)과, 반도체층(SEMI) 등을 포함할 수 있다. 이 때, 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 벤딩 영역(BD)에 위치하는 제 1 노드 전극(NE1) 및 제 2 노드 전극(NE2)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
게이트 전극(GE)과 반도체층(SEMI)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 중첩될 수 있다. 소스 전극(SE)은 절연층(INS) 상에 형성되어 반도체층(SEMI)의 일 측과 접촉하고, 드레인 전극(DE)은 절연층(INS) 상에 형성되어 반도체층(SEMI)의 타 측과 접촉할 수 있다.
발광 소자(ED)는 애노드 전극(또는 캐소드 전극)에 해당하는 제 1 전극(E1)과, 제 1 전극(E1) 상에 형성되는 발광층(EL)과, 발광층(EL) 위에 형성된 캐소드 전극(또는 애노드 전극)에 해당하는 제 2 전극(E2) 등을 포함할 수 있다.
제 1 전극(E1)은 평탄화막(PLN)을 관통하는 화소 컨택홀을 통해 노출된 제 1 트랜지스터(T1)의 소스 전극(SE)과 전기적으로 접속된다.
발광층(EL)은 뱅크(BANK)에 의해 마련된 발광 영역의 제 1 전극(E1) 상에 형성된다. 발광층(EL)은 제 1 전극(E1) 상에 정공 관련층, 발광층, 전자 관련층 순으로 또는 역순으로 적층되어 형성될 수 있다. 제 2 전극(E2)은 발광층(EL)을 사이에 두고 제 1 전극(E1)과 대향하도록 형성될 수 있다.
봉지층(ENCAP)은 외부의 수분이나 산소에 취약한 발광 소자(ED)로 외부의 수분이나 산소가 침투되는 것을 차단한다. 이러한 봉지층(ENCAP)은 하나의 층으로 되어 있을 수도 있지만, 복수의 적층 구조(PAS1, PCL, PAS2)로 이루어질 수도 있다.
예를 들어, 봉지층(ENCAP)이 복수의 적층 구조(PAS1, PCL, PAS2)로 이루어진 경우, 봉지층(ENCAP)은 하나 이상의 무기 봉지층(PAS1, PAS2)과 하나 이상의 유기 봉지층(PCL)을 포함할 수 있다. 구체적인 예로서, 봉지층(ENCAP)은 제 1 무기 봉지층(PAS1), 유기 봉지층(PCL) 및 제 2 무기 봉지층(PAS2)의 순서대로 적층될 수 있다.
여기에서, 유기 봉지층(PCL)은 적어도 하나의 유기 봉지층 또는 적어도 하나의 무기 봉지층을 더 포함할 수도 있다.
제 1 무기 봉지층(PAS1)은 발광 소자(ED)와 가장 인접하도록 캐소드 전극에 해당하는 제 2 전극(E2)이 형성된 기판(SUB) 상에 형성된다. 이러한 제 1 무기 봉지층(PAS1)은 일 예로, 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화 실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성된다. 제 1 무기 봉지층(PAS1)이 저온 분위기에서 증착되기 때문에, 제 1 무기 봉지층(PAS1)은 증착 공정이 진행되는 과정에서 고온 분위기에 취약한 유기물을 포함하는 발광층(EL)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
유기 봉지층(PCL)은 제 1 무기 봉지층(PAS1)보다 작은 면적으로 형성될 수 있으며, 이 경우, 유기 봉지층(PCL)은 제 1 무기 봉지층(PAS1)의 양끝단을 노출시키도록 형성될 수 있다. 유기 봉지층(PCL)은 유기 발광 디스플레이 장치인 터치 디스플레이 장치의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충 역할을 하며, 평탄화 성능을 강화하는 역할을 할 수 있다. 유기 봉지층(PCL)은 일 예로, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 또는 실리콘옥시카본(SiOC)과 같은 유기 절연 재질로 형성될 수 있다.
한편, 유기 봉지층(PCL)이 잉크젯 방식을 통해 형성되는 경우, 비표시 영역 및 표시 영역(AA)의 경계 영역이나 비표시 영역의 내의 일부 영역에 해당하는 댐 영역에 하나 또는 둘 이상의 댐(DAM)이 형성될 수 있다.
예를 들어, 댐 영역은 비표시 영역에서 복수의 터치 패드(TP)가 형성된 패드 영역과 표시 영역(AA) 사이에 위치하며, 이러한 댐 영역에는 표시 영역(AA)과 인접한 1차 댐(DAM1)과 패드 영역에 인접한 2차 댐(DAM2)이 존재할 수 있다.
댐 영역에 배치되는 하나 이상의 댐(DAM)은 액상 형태의 유기 봉지층(PCL)이 표시 영역(AA)에 적재될 때, 액상 형태의 유기 봉지층(PCL)이 비표시 영역의 방향으로 무너져 패드 영역을 침범하는 것을 방지할 수 있다.
1차 댐(DAM1) 또는 2차 댐(DAM2)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 1차 댐(DAM1) 또는 2차 댐(DAM2)이 뱅크(BANK) 및 스페이서(도시하지 않음) 중 적어도 어느 하나와 동일 재질로 동시에 형성될 수 있다. 이 경우, 마스크 추가 공정 및 비용 상승 없이 댐 구조를 형성할 수 있다.
또한, 1차 댐(DAM1) 또는 2차 댐(DAM2)은 제 1 무기 봉지층(PAS1) 및 제 2 무기 봉지층(PAS2)이 뱅크(BANK) 상에 적층된 구조로 이루어질 수 있다. 이 때, 유기물을 포함하는 유기 봉지층(PCL)은 1차 댐(DAM1)의 내측면에 위치하거나, 1차 댐(DAM1) 및 2차 댐(DAM2) 중 적어도 일부의 상부에 위치할 수 있다.
제 2 무기 봉지층(PAS2)은 유기 봉지층(PCL)이 형성된 기판(SUB) 상에 유기 봉지층(PCL) 및 제 1 무기 봉지층(PAS1) 각각의 상부면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 제 2 무기 봉지층(PAS2)은 외부의 수분이나 산소가 제 1 무기 봉지층(PAS1) 및 유기 봉지층(PCL)으로 침투하는 것을 최소화하거나 차단한다. 이러한 제 2 무기 봉지층(PAS2)은 일 예로, 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화 실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 무기 절연 재질로 형성된다.
이러한 봉지층(ENCAP) 상에는 터치 버퍼층(T-BUF)이 배치될 수 있다. 터치 버퍼층(T-BUF)은 터치 전극(X-TE, Y-TE) 및 터치 전극 연결 배선(X-CL, Y-CL)을 포함하는 터치 센서 메탈과, 발광 소자(ED)의 제 2 전극(E2) 사이에 위치할 수 있다.
터치 버퍼층(T-BUF)은 터치 센서 메탈과, 발광 소자(ED)의 제 2 전극(E2) 사이의 이격 거리가 미리 정해진 최소 이격 거리(예: 1㎛)를 유지하도록 설계될 수 있다. 이에 따라, 터치 센서 메탈과, 발광 소자(ED)의 제 2 전극(E2) 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스를 줄여주거나 방지해줄 수 있고, 이를 통해, 기생 캐패시턴스에 의한 터치 감도 저하를 방지해줄 수 있다.
반면, 이러한 터치 버퍼층(T-BUF)이 없이, 봉지층(ENCAP) 상에 터치 전극(X-TE, Y-TE) 및 터치 전극 연결 배선(X-CL, Y-CL)을 포함하는 터치 센서 메탈이 배치될 수도 있다.
또한, 터치 버퍼층(T-BUF)은 터치 버퍼층(T-BUF) 상에 배치되는 터치 센서 메탈의 제조 공정 과정에 이용되는 약액(현상액 또는 식각액 등등) 또는 외부로부터의 수분 등이 유기물을 포함하는 발광층(EL)으로 침투되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라, 터치 버퍼층(T-BUF)은 약액 또는 수분에 취약한 발광층(EL)의 손상을 방지할 수 있다.
터치 버퍼층(T-BUF)은 고온에 취약한 유기물을 포함하는 발광층(EL)의 손상을 방지하기 위해 일정 온도(예: 100 ℃) 이하의 저온에서 형성 가능하고 저유전율을 가지는 유기 절연 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 터치 버퍼층(T-BUF)은 아크릴 계열, 에폭시 계열 또는 실록산(Siloxan) 계열의 재질로 형성될 수 있다. 유기 절연 재질로 평탄화 성능을 가지는 터치 버퍼층(T-BUF)은 유기 발광 디스플레이 장치의 휘어짐에 따른 봉지층(ENCAP)을 구성하는 내부층(PAS1, PCL, PAS2)의 손상 및 터치 버퍼층(T-BUF) 상에 형성되는 터치 센서 메탈의 깨짐 현상을 방지할 수 있다.
뮤추얼-커패시턴스 기반의 터치 센싱 구조의 경우, 터치 버퍼층(T-BUF) 상에 X-터치 전극 라인(X-TEL) 및 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 배치되며, X-터치 전극 라인(X-TEL) 및 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 교차되게 배치될 수 있다. Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 복수의 Y-터치 전극(Y-TE) 사이를 전기적으로 연결해 주는 복수의 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)을 포함할 수 있다.
이 때, 복수의 Y-터치 전극(Y-TE)과 복수의 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)은 층간 유전체(ILD)를 사이에 두고 서로 다른 층에 위치할 수 있다.
복수의 Y-터치 전극(Y-TE)은 y축 방향을 따라 일정한 간격으로 이격될 수 있다. 이러한 복수의 Y-터치 전극(Y-TE)은 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)을 통해 y축 방향으로 인접한 다른 Y-터치 전극(Y-TE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)은 터치 버퍼층(T-BUF) 상에 형성되며 층간 유전체(ILD)을 관통하는 터치 컨택홀을 통해 노출되어 y축 방향으로 인접한 2개의 Y-터치 전극(Y-TE)과 전기적으로 접속될 수 있다.
Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)은 뱅크(BANK)와 중첩되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)에 의해 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
X-터치 전극 라인(X-TEL)은 복수의 X-터치 전극(X-TE) 사이를 전기적으로 연결해 주는 복수의 X-터치 전극 연결 배선(X-CL)을 포함할 수 있다. 복수의 X-터치 전극(X-TE)과 복수의 X-터치 전극 연결 배선(X-CL)은 층간 유전체(ILD)을 사이에 두고 서로 다른 층에 위치할 수 있다.
복수의 X-터치 전극(X-TE)은 층간 유전체(ILD) 상에서 x축 방향을 따라 일정한 간격으로 이격될 수 있다. 이러한 복수의 X-터치 전극(X-TE)은 X-터치 전극 연결 배선(X-CL)을 통해 x축 방향으로 인접한 다른 X-터치 전극(X-TE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
X-터치 전극 연결 배선(X-CL)은 X-터치 전극(X-TE)과 동일 평면 상에 배치되어 별도의 컨택홀 없이 x축 방향으로 인접한 2개의 X-터치 전극(X-TE)과 전기적으로 접속되거나, x축 방향으로 인접한 2개의 X-터치 전극(X-TE)과 일체로 되어 있을 수 있다.
X-터치 전극 연결 배선(X-CL)은 뱅크(BANK)와 중첩되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, X-터치 전극 연결 배선(X-CL)에 의해 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
한편, Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL) 및 Y-터치 패드(Y-TP)를 통해 터치 구동 회로(200)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 마찬가지로, X-터치 전극 라인(X-TEL)은 X-터치 라우팅 배선(X-TL) 및 X-터치 패드(X-TP)를 통해 터치 구동 회로(200)와 전기적으로 연결될 수 있다.
이 때, X-터치 패드(X-TP) 및 Y-터치 패드(Y-TP)를 덮는 패드 커버 전극이 더 배치될 수도 있다.
X-터치 패드(X-TP)은 X-터치 라우팅 배선(X-TL)과 별도로 형성될 수도 있고, X-터치 라우팅 배선(X-TL)이 연장되어 형성될 수도 있다. Y-터치 패드(Y-TP)는 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)과 별도로 형성될 수도 있고, Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)이 연장되어 형성될 수도 있다.
X-터치 패드(X-TP)가 X-터치 라우팅 배선(X-TL)으로부터 연장되어 형성되고, Y-터치 패드(Y-TP)가 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)으로부터 연장되어 형성되는 경우, X-터치 패드(X-TP), X-터치 라우팅 배선(X-TL), Y-터치 패드(Y-TP) 및 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)은 동일한 제 1 도전 물질로 구성될 수 있다. 여기서, 제 1 도전 물질은, 일 예로, Al, Ti, Cu, Mo와 같은 내식성 및 내산성이 강하고 전도성이 좋은 금속을 이용하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
예를 들어, 제 1 도전 물질로 된 X-터치 패드(X-TP), X-터치 라우팅 배선(X-TL), Y-터치 패드(Y-TP) 및 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)은 Ti/Al/Ti 또는 Mo/Al/Mo와 같이 적층된 3층 구조로 형성될 수 있다.
X-터치 패드(X-TP) 및 Y-터치 패드(Y-TP)를 덮을 수 있는 패드 커버 전극은 제1 및 Y-터치 전극(X-TE, Y-TE)과 동일 재질의 제 2 도전 물질로 구성될 수 있다. 여기서, 제 2 도전 물질은 내식성 및 내산성이 강한 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전물질로 형성될 수 있다. 이러한 패드 커버 전극은 터치 버퍼층(T-BUF)에 의해 노출되도록 형성됨으로써 터치 구동 회로(200)와 본딩되거나 또는 터치 구동 회로(200)가 실장된 회로 필름과 본딩될 수 있다.
여기서, 터치 버퍼층(T-BUF)은 터치 센서 메탈을 덮도록 형성되어 터치 센서 메탈이 외부의 수분 등에 의해 부식되는 것을 방지할 수 있다. 일 예로, 터치 버퍼층(T-BUF)은 유기 절연 재질로 형성되거나, 원편광판 또는 에폭시 또는 아크릴 재질의 필름 형태로 형성될 수 있다. 이러한 터치 버퍼층(T-BUF)은 봉지층(ENCAP) 상에 없을 수도 있다. 즉, 터치 버퍼층(T-BUF)은 필수적인 구성이 아닐 수도 있다.
Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)은 터치 라우팅 배선 컨택홀을 통해 Y-터치 전극(Y-TE)과 전기적으로 연결되거나, Y-터치 전극(Y-TE)과 일체로 이루어질 수 있다.
이러한 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)은 비표시 영역까지 연장되어 봉지층(ENCAP)의 상부 및 측면과 댐(DAM)의 상부 및 측면을 지나서 Y-터치 패드(Y-TP)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)은 Y-터치 패드(Y-TP)를 통해 터치 구동 회로(200)와 전기적으로 연결될 수 있다.
Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)은 Y-터치 전극(Y-TE)에서의 터치 센싱 신호를 터치 구동 회로(200)로 전달해주거나, 터치 구동 회로(200)로부터 터치 구동 신호를 공급받아 Y-터치 전극(Y-TE)에 전달해줄 수 있다.
이 때, 노치 영역(NT)과 벤딩 영역(BD)에서 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)의 하부에는 컨택홀(CH)을 통해 연결되는 Y-터치 브릿지 배선(Y-BL)이 배치될 수 있다. Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)과 Y-터치 브릿지 배선(Y-BL)은 일정한 간격으로 형성된 적어도 하나의 컨택홀(CH)을 통해 전기적으로 연결되기 때문에, 동일한 터치 구동 신호 또는 터치 센싱 신호가 전달될 수 있다.
이와 같이, Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)과 Y-터치 브릿지 배선(Y-BL)이 전기적으로 연결되는 경우, 터치 구동 신호 또는 터치 센싱 신호의 전달 과정에서 전기적 저항을 감소시킬 수 있다. 또한, 복수의 컨택홀(CH)을 통해서 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)과 Y-터치 브릿지 배선(Y-BL)을 연결하는 경우에는 일부 구간에서 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL) 또는 Y-터치 브릿지 배선(Y-BL)에 단선이 발생하더라도 컨택홀(CH)을 통하여 터치 신호(터치 구동 신호 또는 터치 센싱 신호)가 우회할 수 있으므로 터치 센싱의 성능을 유지할 수 있다.
Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)과 Y-터치 브릿지 배선(Y-BL)는 그 사이에 배치된 층간 유전체(ILD)에 의해서, 컨택홀(CH) 이외의 영역이 절연될 수 있다.
한편, 베젤 영역(BZ)에는 복수의 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL1, Y-TL2, Y-TL3, Y-TL4)이 배치될 수 있으며, 그 하부에는 일체형 구조의 Y-터치 브릿지 전극(Y-BE)이 배치될 수 있다.
Y-터치 브릿지 전극(Y-BE)은 일체형 구조로 이루어져서, 상부에 위치한 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL1, Y-TL2, Y-TL3, Y-TL4)이 차지하는 면적을 커버할 수 있도록 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL1, Y-TL2, Y-TL3, Y-TL4)과 동일하거나 넓은 폭으로 형성될 수 있다.
이 때, Y-터치 브릿지 전극(Y-BE)은 디스플레이 패널(110)에 유입되는 노이즈 전하를 방전할 수 있도록 그라운드 전압(GND)에 연결되며, 벤딩 영역(BD)에 위치하는 Y-터치 브릿지 배선(Y-BL) 또는 제 2 노드 전극(NE2)과는 분리된다.
이로써, Y-터치 라우팅 배선(Y-TL1, Y-TL2, Y-TL3, Y-TL4)이 차지하는 면적을 커버할 수 있도록 일체형 구조로 형성된 Y-터치 브릿지 전극(Y-BE)에 의해서 디스플레이 패널(110)에 유입되는 노이즈 전하가 그라운드 전압(GND)으로 용이하게 방전됨으로써, 터치 디스플레이 장치(100)의 터치 센싱 성능을 향상시키고 디스플레이 구동에 따른 불량을 줄일 수 있다.
한편, X-터치 라우팅 배선(X-TL)은 터치 라우팅 배선 컨택홀을 통해 X-터치 전극(X-TE)과 전기적으로 연결되거나, X-터치 전극(X-TE)과 일체로 되어 있을 수 있다.
이러한 X-터치 라우팅 배선(X-TL)은 비표시 영역까지 연장되어 봉지층(ENCAP)의 상부 및 측면과 댐(DAM)의 상부 및 측면을 지나서 X-터치 패드(Y-TP)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, X-터치 라우팅 배선(X-TL)은 X-터치 패드(X-TP)를 통해 터치 구동 회로(200)와 전기적으로 연결될 수 있다.
X-터치 라우팅 배선(X-TL)은 터치 구동 회로(200)로부터 터치 구동 신호를 공급받아 X-터치 전극(X-TE)에 전달할 수 있고, X-터치 전극(X-TE)에서의 터치 센싱 신호를 터치 구동 회로(200)로 전달해줄 수도 있다.
X-터치 라우팅 배선(X-TL) 및 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)의 배치는 디스플레이 패널(110)의 설계 사항에 따라 다양하게 변경 가능할 것이다.
한편, X-터치 전극(X-TE) 및 Y-터치 전극(Y-TE)의 상부에는 터치 보호막(PAC)이 배치될 수 있다. 이러한 터치 보호막(PAC)은 댐(DAM)의 앞 부분 또는 뒷 부분까지 확장되어 X-터치 라우팅 배선(X-TL) 및 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL) 상에도 배치될 수 있다.
한편, 여기에 도시된 단면도는 터치 디스플레이 장치(100)의 구조를 개념적으로 도시한 것으로서, 보는 방향이나 위치 등에 따라 각 패턴들(각종 층들이나 각종 전극들)의 위치, 두께, 또는 폭이 달라질 수도 있고, 각종 패턴들의 연결 구조도 변경될 수 있으며, 도시된 여러 층들 이외에도 추가적인 층이 더 존재할 수도 있고, 도시된 여러 층들 중 일부는 생략되거나 통합되어 있을 수도 있다. 예를 들어, 뱅크(BANK)의 폭은 도면에 비해 좁을 수도 있고, 댐(DAM)의 높이도 도면보다 낮거나 높을 수 있다.
도 10은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 베젤 영역의 위치에 따른 터치 라우팅 배선의 구조를 예시로 나타낸 도면이다.
도 10을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 디스플레이 패널(110)의 봉지층(ENCAP) 상부에는 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 배치된다.
이 때, 복수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)에 연결된 복수의 X-터치 라우팅 배선(X-TL)고, 복수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)에 연결된 일체형복수의 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)이 배치될 수 있다. 이 때, 터치 전극(TE)과 터치 패드(TP) 사이를 연결하는 X-터치 라우팅 배선(X-TL)과 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)의 폭은 일정하지 않을 수 있다.
일 예로, 디스플레이 패널(110)에 배치된 복수의 터치 라우팅 배선(TL) 중 적어도 하나는 터치 패드(TP)와 인접한 부분의 폭이 터치 패드(TP)와 멀리 배치된 부분의 폭보다 좁을 수 있다. 즉, 터치 패드(TP)와 인접한 영역에 배치되는 터치 라우팅 배선(TL)의 수가 많으므로, 해당 영역에 배치된 터치 라우팅 배선(TL)의 폭은 상대적으로 좁을 수 있다.
그리고, 터치 패드(TP)와 먼 영역에 배치되는 터치 라우팅 배선(TL)의 수가 작으므로, 해당 영역에 배치된 터치 라우팅 배선(TL)의 폭은 상대적으로 넓을 수 있다. 이러한 터치 라우팅 배선(TL)의 폭은, 터치 패드(TP)로부터 멀어질수록 점차적으로 넓어질 수도 있고, 계단식으로 넓어질 수도 있다.
이와 같이, 터치 라우팅 배선(TL)이 터치 패드(TP)로부터 먼 영역에 배치될수록 폭이 넓은 부분을 포함하도록 함으로써, 터치 패드(TP)와 멀리 배치된 터치 전극(TE)과 연결되는 터치 라우팅 배선(TL)의 저항이 감소되도록 할 수 있다. 따라서, 터치 라우팅 배선(TL)의 길이 차이로 인한 저항 차이에 대한 보상이 이루어질 수 있다.
한편, 디스플레이 패널(110)에 인접한 베젤 영역(BZ)에서는 복수의 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL1, Y-TL2, Y-TL3, Y-TL4)의 하부에 일체형 구조의 Y-터치 브릿지 전극(Y-BE)이 형성될 수 있다. 일체형 구조의 Y-터치 브릿지 전극(Y-BE)은 그라운드 전압(GND)이 인가되며, 디스플레이 패널(110)에 유입되는 노이즈 전하가 방전될 수 있는 방전 경로의 역할을 한다.
이 때, Y-터치 브릿지 전극(Y-BE)은 층간 유전체(ILD)를 사이에 두고, 상부에 위치한 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL1, Y-TL2, Y-TL3, Y-TL4)이 차지하는 면적을 커버할 수 있도록 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL1, Y-TL2, Y-TL3, Y-TL4)과 동일하거나 넓은 폭으로 형성될 수 있다.
이 때, 벤딩 영역(BD) 및 노치 영역(NT)에는 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL1, Y-TL2, Y-TL3, Y-TL4)의 하부에 일정한 간격의 컨택홀(CH)을 통해 연결되는 Y-터치 브릿지 배선(Y-BL)이 배치될 수 있는데, 베젤 영역(BZ)의 Y-터치 브릿지 전극(Y-BE)은 벤딩 영역(BD) 및 노치 영역(NT)에 위치하는 Y-터치 브릿지 배선(Y-BL) 또는 제 2 노드 전극(NE2)과는 분리된다.
이로써, Y-터치 라우팅 배선(Y-TL1, Y-TL2, Y-TL3, Y-TL4)이 차지하는 면적을 커버할 수 있도록 형성된 일체형 구조의 Y-터치 브릿지 전극(Y-BE)에 의해서 디스플레이 패널(110)에 유입되는 노이즈 전하가 그라운드 전압(GND)으로 용이하게 방전됨으로써, 터치 디스플레이 장치(100)의 터치 센싱 성능을 향상시키고 디스플레이 구동에 따른 불량을 줄일 수 있다.
또한, 베젤 영역(BZ)에서는 복수의 X-터치 라우팅 배선(X-TL1, X-TL2, X-TL3, X-TL4)의 하부에 일체형 구조의 X-터치 브릿지 전극(X-BE)이 형성될 수 있다. 일체형 구조의 X-터치 브릿지 전극(X-BE)은 그라운드 전압(GND)이 인가되며, 디스플레이 패널(110)에 유입되는 노이즈 전하가 방전될 수 있는 방전 경로의 역할을 한다.
이 때, X-터치 브릿지 전극(X-BE)은 층간 유전체(ILD)를 사이에 두고, 상부에 위치한 X-터치 라우팅 배선(X-TL1, X-TL2, X-TL3, X-TL4)이 차지하는 면적을 커버할 수 있도록 X-터치 라우팅 배선(X-TL1, X-TL2, X-TL3, X-TL4)과 동일하거나 넓은 폭으로 형성될 수 있다.
이 때, 벤딩 영역(BD) 및 노치 영역(NT)에는 X-터치 라우팅 배선(X-TL1, X-TL2, X-TL3, X-TL4)의 하부에 일정한 간격의 컨택홀(CH)을 통해 연결되는 X-터치 브릿지 배선(X-BL)이 배치될 수 있는데, 베젤 영역(BZ)의 X-터치 브릿지 전극(X-BE)은 벤딩 영역(BD)에 위치하는 X-터치 브릿지 배선(X-BL) 또는 제 2 노드 전극(NE2)과는 분리된다.
이로써, X-터치 라우팅 배선(X-TL1, X-TL2, X-TL3, X-TL4)이 차지하는 면적을 커버할 수 있도록 형성된 일체형 구조의 X-터치 브릿지 전극(X-BE)에 의해서 디스플레이 패널(110)에 유입되는 노이즈 전하가 그라운드 전압(GND)으로 용이하게 방전됨으로써, 터치 디스플레이 장치(100)의 터치 센싱 성능을 향상시키고 디스플레이 구동에 따른 불량을 줄일 수 있다.
한편, 본 명세서의 터치 디스플레이 장치(100)는 베젤 영역(BZ)에 위치하는 일체형 구조의 터치 브릿지 전극(BE)이 그라운드 전압(GND)에 연결될 뿐만 아니라, 터치 신호를 전송하는 복수의 터치 라우팅 배선(TL)에 그라운드 전압(GND)과 연결되는 그라운드 터치 라우팅 배선이 하나 이상 배치됨으로써, 복수의 터치 라우팅 배선(TL)을 통해 유입되는 노이즈 전하를 방전시킬 수도 있다.
도 11은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 그라운드 터치 라우팅 배선이 포함된 평면 구조를 예시로 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 복수의 터치 전극 라인(TEL)은 하나 이상의 터치 라우팅 배선(TL)과 전기적으로 연결되고, 각각의 터치 라우팅 배선(TL)은 복수의 터치 패드(TP)를 통해 터치 구동 회로(200)와 전기적으로 연결된다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 터치 라우팅 배선(TL)은 터치 패드(TP)로부터 노치 영역(NT), 벤딩 영역(BD), 및 베젤 영역(BZ)을 통해 터치 전극(TE)에 연결된다. 이 때, 터치 라우팅 배선(TL)은 노치 영역(NT), 벤딩 영역(BD), 및 베젤 영역(BZ) 중 일부 영역에서 구조를 달리할 수 있다.
예를 들어, 터치 패드(TP)에 인접한 노치 영역(NT)에서 터치 라우팅 배선(TL)은 터치 신호를 전달하기 위한 단일 전극 구조로 이루어질 수도 있고, 터치 신호에 대한 전기적 저항을 줄이거나 단선의 경우를 대비하여 적어도 하나의 컨택홀로 연결되는 이중 적층 구조로 이루어질 수도 있다.
한편, 터치 신호를 전달하는 복수의 터치 라우팅 배선(TL1, TL2, TL3, TL4)과 평행하게, 그라운드 패드(GP)를 통해 그라운드 전압에 연결되는 그라운드 터치 라우팅 배선(GTL)이 추가적으로 배치될 수 있다. 따라서, 복수의 터치 라우팅 배선(TL)이 배치되는 영역으로 유입되는 노이즈 전하는 그라운드 터치 라우팅 배선(GTL)을 통해 방전될 수 있다.
이 때, 본 명세서의 터치 디스플레이 장치(100)는 베젤 영역(BZ)에서 복수의 터치 라우팅 배선(TL1, TL2, TL3, TL4)의 하부에 그라운드 전압(GND)에 연결된 일체형 구조의 터치 브릿지 전극(BE)이 배치되기 때문에, 그라운드 터치 라우팅 배선(GTL)과 일체형 구조의 터치 브릿지 전극(BE)을 컨택홀(CH)을 통해 연결할 수 있을 것이다.
이와 같이, 그라운드 터치 라우팅 배선(GTL)과 일체형 구조의 터치 브릿지 전극(BE)을 컨택홀(CH)을 통해 연결하는 경우에는 디스플레이 패널(110)을 통해 유입되는 노이즈 전하 뿐만 아니라, 복수의 터치 라우팅 배선(TL)이 배치되는 영역으로 유입되는 노이즈 전하를 함께 방전할 수 있으므로, 노이즈 전하의 유입을 차단하고 터치 감도 및 구동 성능을 향상시킬 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 명세서의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 명세서의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 명세서의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 명세서의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 명세서의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 디스플레이 장치
110: 디스플레이 패널
120: 디스플레이 구동 회로
200: 터치 구동 회로

Claims (15)

  1. 제 1 방향으로 연장되는 복수의 X-터치 전극과 제 2 방향으로 연장되는 복수의 Y-터치 전극으로 구성된 복수의 터치 전극, 및 복수의 서브픽셀이 배치된 디스플레이 패널;
    상기 디스플레이 패널에 터치 구동 신호를 공급하고, 터치 센싱 신호를 검출하여 터치를 센싱하는 터치 구동 회로; 및
    상기 터치 구동 회로와 상기 복수의 터치 전극을 연결하는 복수의 터치 라우팅 배선을 포함하되,
    상기 디스플레이 패널과 상기 터치 구동 회로 사이에서 일정한 곡률로 휘어지는 벤딩 영역과 상기 터치 전극 사이의 베젤 영역에서, 상기 복수의 터치 라우팅 배선의 하부 영역에 그라운드 전압이 인가되는 터치 브릿지 전극이 배치되는 터치 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 X-터치 전극은 터치 센싱 전극이고,
    상기 복수의 Y-터치 전극은 터치 구동 전극인 터치 디스플레이 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 터치 센싱 전극이 가로 방향으로 연장되고,
    상기 터치 구동 전극이 세로 방향으로 연장되며,
    상기 터치 센싱 전극에 연결되는 복수의 센싱 터치 라우팅 배선은 상기 디스플레이 패널에 데이터 전압을 공급하는 복수의 데이터 링크 배선과 중첩되지 않도록 상기 디스플레이 패널의 최외곽에 배치되는 터치 디스플레이 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 데이터 링크 배선은 상기 디스플레이 패널의 중앙 부분에 대응하는 위치에 배치되고, 상기 터치 구동 전극에 연결되는 복수의 구동 터치 라우팅 배선은 상기 복수의 데이터 링크 배선의 양측에 위치하는 터치 디스플레이 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 터치 브릿지 전극은
    상부에 위치하는 상기 복수의 터치 라우팅 배선의 수평 방향의 폭과 동일하거나 큰 폭으로 형성된 터치 디스플레이 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 터치 라우팅 배선이 연결되는 터치 패드와 상기 벤딩 영역 사이의 노치 영역에,
    상기 복수의 터치 라우팅 배선의 하부에 적어도 하나 이상의 컨택홀을 통해서, 각각의 상기 복수의 터치 라우팅 배선에 전기적으로 연결되는 복수의 터치 브릿지 배선이 더 형성된 터치 디스플레이 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 노치 영역에는
    기판;
    상기 기판 상부에 형성된 절연층;
    상기 절연층 상부에 형성된 평탄화막;
    상기 평탄화막 상부에 형성된 상기 터치 브릿지 배선;
    상기 터치 브릿지 배선의 상부에서 일정한 영역을 절연하는 층간 유전체; 및
    상기 층간 유전체의 상부에서, 상기 터치 브릿지 배선과 일정 영역에서 전기적으로 연결되는 상기 터치 라우팅 배선이 형성된 터치 디스플레이 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 터치 라우팅 배선은 상기 벤딩 영역에서 가요성을 가지는 복수의 제 1 노드 전극에 전기적으로 연결되고,
    상기 복수의 터치 브릿지 배선은 상기 벤딩 영역에서 가요성을 가지는 복수의 제 2 노드 전극에 전기적으로 연결되는 터치 디스플레이 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 터치 브릿지 전극은
    상기 노치 영역의 제 2 노드 전극과 전기적으로 분리되는 터치 디스플레이 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 노드 전극 및 상기 제 2 노드 전극은 서로 다른 저항값을 가지는 터치 디스플레이 장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 노드 전극 및 상기 제 2 노드 전극은 벤딩 스트레스를 감소시킬 수 있도록 일부 영역이 제거된 벤딩 패턴으로 형성된 터치 디스플레이 장치.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 벤딩 영역은
    상기 제 2 노드 전극;
    상기 제 2 노드 전극의 상부에 형성된 제 1 평탄화막;
    상기 제 1 평탄화막의 상부에 형성된 상기 제 1 노드 전극; 및
    상기 제 1 노드 전극의 상부에 형성된 제 2 평탄화막을 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 베젤 영역은
    평탄화막;
    상기 평탄화막의 상부에 형성된 봉지층;
    상기 봉지층의 상부에서 일체형 구조로 형성된 상기 터치 브릿지 전극;
    상기 터치 브릿지 전극의 상부에 형성된 층간 유전체;
    상기 층간 유전체에 의해서 상기 터치 브릿지 전극과 절연되는 상기 복수의 터치 라우팅 배선; 및
    상기 복수의 터치 라우팅 배선의 상부에 형성된 터치 보호막을 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 터치 라우팅 배선에 인접해서 배치되며, 그라운드 전압이 인가되는 그라운드 터치 라우팅 배선을 더 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 그라운드 터치 라우팅 배선은
    상기 베젤 영역에서 상기 터치 브릿지 전극과 전기적으로 연결되는 터치 디스플레이 장치.
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