KR20220073371A - Electroluminescence Display - Google Patents

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KR20220073371A
KR20220073371A KR1020200161383A KR20200161383A KR20220073371A KR 20220073371 A KR20220073371 A KR 20220073371A KR 1020200161383 A KR1020200161383 A KR 1020200161383A KR 20200161383 A KR20200161383 A KR 20200161383A KR 20220073371 A KR20220073371 A KR 20220073371A
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electrode
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light emitting
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KR1020200161383A
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김혜진
유희성
유명재
이윤석
한규형
차언호
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

이 출원은 봉지층을 구비한 전계 발광 표시장치에 관한 것이다. 이 출원에 의한 전계 발광 표시장치는, 기판, 애노드 전극, 유기 발광층, 캐소드 전극, 나노 입자들, 제1 무기막, 유기막 및 제2 무기막으로 포함한다. 애노드 전극은, 기판 위에 배치된다. 유기 발광층은, 애노드 전극 위에 배치된다. 캐소드 전극은, 유기 발광층 위에 배치된다. 나노 입자들은, 캐소드 전극 표면 위에 배치된다. 제1 무기막은, 캐소드 전극 표면 위에 배치되며, 나노 입자들을 덮는 다수 개의 나노 돌기들을 구비한다. 유기막은, 제1 무기막 위에 배치된다. 제2 무기막은, 유기막 위에 배치된다.This application relates to an electroluminescent display having an encapsulation layer. The electroluminescent display device according to this application includes a substrate, an anode electrode, an organic light emitting layer, a cathode electrode, nanoparticles, a first inorganic layer, an organic layer, and a second inorganic layer. The anode electrode is disposed on the substrate. The organic light emitting layer is disposed on the anode electrode. The cathode electrode is disposed on the organic light emitting layer. The nanoparticles are disposed on the cathode electrode surface. The first inorganic layer is disposed on the surface of the cathode electrode and includes a plurality of nano-protrusions covering the nanoparticles. The organic film is disposed on the first inorganic film. The second inorganic film is disposed on the organic film.

Description

전계 발광 표시장치{Electroluminescence Display}Electroluminescence Display {Electroluminescence Display}

이 출원은 봉지층을 구비한 전계 발광 표시장치에 관한 것이다. 특히, 이 출원은 유기 발광 소자를 보호하는 봉지층의 보호 성능을 개선한 전계 발광 표시장치에 관한 것이다.This application relates to an electroluminescent display having an encapsulation layer. In particular, this application relates to an electroluminescent display having improved protection performance of an encapsulation layer that protects an organic light emitting diode.

근래 CRT(Cathode Ray Tube), LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 전계발광소자(Luminescent Display) 등 다양한 형태의 표시장치가 개발되어 발전하고 있다. 이 같이 다양한 형태의 표시장치는 각각의 고유 특성에 맞춰 컴퓨터, 휴대폰, 은행의 입출금장치(ATM) 및 차량의 네비게이션 시스템 등과 같은 다양한 제품의 영상 데이터 표시를 위해 사용되고 있다.Recently, various types of display devices, such as a cathode ray tube (CRT), a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an electroluminescent display (Luminescent Display), have been developed and developed. Such various types of display devices are used to display image data of various products, such as computers, mobile phones, bank ATMs, and vehicle navigation systems, according to their unique characteristics.

특히, 자발광 표시장치인 유기 전계 발광 표시장치는 외부에서 수분과 가스와 같은 이물질이 소자 내부로 침투하는 경우, 유기 소자가 손상되어 사용 수명이 단축되는 문제가 발생한다. 이러한 문제를 방지하고자 유기 발광 소자를 보호하기 위한 봉지층을 적용하는 기술이 제안된 바 있다. 봉지층의 구성은 다양할 수 있으나, 봉지층이 유기 발광 소자를 온전히 덮지 못하는 경우, 외부에서 침투하는 이물질이 유기 발광 소자로 전파될 수 있다. 따라서, 완벽한 이물질 차단을 위해서는 봉지층이 유기 발광 소자를 온전히 덮을 수 있는 구조를 달성하기 위한 기술 개발이 필요하다.In particular, in the case of an organic electroluminescent display, which is a self-luminous display, when foreign substances such as moisture and gas penetrate into the element from the outside, the organic element is damaged and the service life is shortened. In order to prevent this problem, a technique for applying an encapsulation layer to protect the organic light emitting device has been proposed. The configuration of the encapsulation layer may vary, but when the encapsulation layer does not completely cover the organic light emitting device, foreign substances penetrating from the outside may propagate to the organic light emitting device. Therefore, in order to completely block foreign substances, it is necessary to develop a technology for achieving a structure in which the encapsulation layer can completely cover the organic light emitting diode.

이 출원의 목적은 종래 기술의 문제점을 극복하기 위한 것으로, 유기 발광 소자를 보호하는 봉지층을 구비한 전계발광 표시장치를 제공하는 데 있다. 특히, 봉지층을 구성하는 무기막과 유기막 사이의 계면 접착성을 확보하여 무기막과 유기막 사이에 공극이 발생하지 않도록 하는 데 있다. 이 출원의 다른 목적은, 봉지층을 구성하는 유기막을 도포하는 과정에서, 유기막의 퍼짐성(spreadability)을 높여 유기막이 하부막의 표면 위에 공극 없이 도포될 수 있도록 하는 데 있다.An object of this application is to overcome the problems of the prior art, and to provide an electroluminescent display device having an encapsulation layer for protecting an organic light emitting diode. In particular, the purpose is to ensure interfacial adhesion between the inorganic film and the organic film constituting the encapsulation layer to prevent voids from being generated between the inorganic film and the organic film. Another object of this application is to increase the spreadability of the organic film in the process of applying the organic film constituting the encapsulation layer, so that the organic film can be applied without voids on the surface of the lower film.

상기 목적을 달성하기 위해, 이 출원에 의한 전계 발광 표시장치는, 기판, 애노드 전극, 유기 발광층, 캐소드 전극, 나노 입자들, 제1 무기막, 유기막 및 제2 무기막으로 포함한다. 애노드 전극은, 기판 위에 배치된다. 유기 발광층은, 애노드 전극 위에 배치된다. 캐소드 전극은, 유기 발광층 위에 배치된다. 나노 입자들은, 캐소드 전극 표면 위에 배치된다. 제1 무기막은, 캐소드 전극 표면 위에 배치되며, 나노 입자들을 덮는 다수 개의 나노 돌기들을 구비한다. 유기막은, 제1 무기막 위에 배치된다. 제2 무기막은, 유기막 위에 배치된다.In order to achieve the above object, the electroluminescent display device according to this application includes a substrate, an anode electrode, an organic light emitting layer, a cathode electrode, nanoparticles, a first inorganic film, an organic film and a second inorganic film. The anode electrode is disposed on the substrate. The organic light emitting layer is disposed on the anode electrode. The cathode electrode is disposed on the organic light emitting layer. The nanoparticles are disposed on the cathode electrode surface. The first inorganic layer is disposed on the surface of the cathode electrode and includes a plurality of nano-protrusions covering the nanoparticles. The organic film is disposed on the first inorganic film. The second inorganic film is disposed on the organic film.

일례로, 나노 입자들은, 폭과 높이의 비율이 3:1이다. 나노 입자의 높이는 4nm 내지 10nm이다.For example, nanoparticles have a ratio of width to height of 3:1. The height of the nanoparticles is 4 nm to 10 nm.

일례로, 나노 입자들은, 폭과 간격의 비율이 1:7이다.For example, nanoparticles have a ratio of width to spacing of 1:7.

일례로, 캐소드 전극은, 은(Ag)을 포함한다. 나노 입자들은, 염화 은(AgCl)을 포함한다.For example, the cathode electrode includes silver (Ag). The nanoparticles contain silver chloride (AgCl).

일례로, 나노 돌기들은, 폭과 높이의 비율이 6:1이다. 나노 돌기의 높이는 5nm 내지 12nm이다.For example, the nano-protrusions have a width to height ratio of 6:1. The height of the nano-protrusions is 5 nm to 12 nm.

일례로, 나노 돌기들은, 폭과 간격의 비율이 1:5 이다.For example, in the nano-protrusions, the ratio of the width to the spacing is 1:5.

일례로, 제1 무기막은, 산화 실리콘, 질화 실리콘 및 산질화 실리콘 중 어느 하나를 포함한다.For example, the first inorganic layer includes any one of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride.

일례로, 애노드 전극은, 투명 산화 도전 물질을 포함하는 제1 층, 그리고 제1 층과 적층된 반사 금속 물질을 포함하는 제2 층을 포함한다.In one example, the anode electrode includes a first layer including a transparent oxidized conductive material, and a second layer including a reflective metal material laminated with the first layer.

일례로, 애노드 전극은, 100nm 내지 300nm의 두께를 갖는 광 반사 물질(Ag)을 포함한다. 캐소드 전극은, 15nm 내지 50nm의 두께를 갖는 금속 물질을 포함한다.For example, the anode electrode includes a light reflective material (Ag) having a thickness of 100 nm to 300 nm. The cathode electrode includes a metal material having a thickness of 15 nm to 50 nm.

또한, 이 출원에 의한 전계 발광 표시장치는, 기판, 유기 발광 소자, 나노 입자들, 제1 무기막 및 유기막을 포함한다. 유기 발광 소자는, 기판 위에 배치된 제1 전극 및 제2 전극을 구비한다. 나노 입자들은, 제2 전극의 표면 위에 배치된다. 제1 무기막은, 제2 전극 표면 위에 배치되며, 나노 입자들을 덮는 다수 개의 나노 돌기들을 구비한다. 유기막은, 제1 무기막 위에 배치된다.In addition, the electroluminescent display device according to this application includes a substrate, an organic light emitting device, nanoparticles, a first inorganic layer, and an organic layer. The organic light emitting device includes a first electrode and a second electrode disposed on a substrate. The nanoparticles are disposed on the surface of the second electrode. The first inorganic layer is disposed on the surface of the second electrode and includes a plurality of nano-protrusions covering the nanoparticles. The organic film is disposed on the first inorganic film.

일례로, 제2 전극은, 은(Ag)을 포함한다. 나노 입자들은, 4nm 내지 10nm인 높이를 갖는 염화 은(AgCl)을 포함한다. 나노 돌기들은, 6nm 내지 12nm인 높이를 갖는다.For example, the second electrode includes silver (Ag). The nanoparticles include silver chloride (AgCl) having a height of 4 nm to 10 nm. The nano-protrusions have a height of 6 nm to 12 nm.

일례로, 나노 입자들은, 높이의 1배 내지 3배의 폭을 갖고, 배치 간격이 폭의 7배로 산포된다. 나노 돌기들은, 높이의 3배 내지 6배의 폭을 갖고, 배치 간격이 폭의 5배로 산포된다.In one example, the nanoparticles have a width of 1 to 3 times the height, and the spacing is spread at 7 times the width. The nano-protrusions have a width of 3 to 6 times the height, and the spacing is 5 times the width.

이 출원에 의한 전계 발광 표시장치는, 유기 발광 소자 위에 무기막과 유기막이 적층된 봉지층을 구비한다. 특히, 무기막의 표면에는 다수의 돌기들을 구비함으로써, 유기막을 도포하는 과정에서 유기막의 퍼짐성(spreadability)을 향상할 수 있다. 그 결과, 무기막과 유기막 사이의 계면 접착성이 향상되며, 그 사이에 공극이 발생하지 않는다. 따라서, 이 출원은, 외부로부터 침투하는 이물질을 차단하는 성능이 우수한 봉지층을 구비하는 전계 발광 표시장치를 제공할 수 있다.The electroluminescent display according to this application includes an encapsulation layer in which an inorganic film and an organic film are laminated on an organic light emitting element. In particular, by having a plurality of protrusions on the surface of the inorganic film, spreadability of the organic film can be improved in the process of applying the organic film. As a result, the interfacial adhesiveness between the inorganic film and the organic film is improved, and no voids are formed therebetween. Accordingly, this application can provide an electroluminescent display device having an encapsulation layer having excellent performance in blocking foreign substances penetrating from the outside.

도 1은 이 출원에 의한 전계 발광 표시장치의 개략적인 구조를 나타내는 도면이다.
도 2는 이 출원에 의한 전계 발광 표시장치를 구성하는 한 화소의 회로 구성을 나타낸 도면이다.
도 3은 이 출원에 의한 화소들의 구조를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 II-II'를 따라 도시한 전 계발광 표시장치의 단면도이다.
도 5는 이 출원에 의한 전계 발광 표시장치의 유기 발광 소자와 봉지층의 구조를 나타내는 단면도로서, 도 4의 'X' 부분을 확대한 도면이다.
1 is a diagram showing a schematic structure of an electroluminescent display device according to this application.
2 is a diagram showing the circuit configuration of one pixel constituting the electroluminescence display according to the present application.
3 is a plan view showing the structure of pixels according to this application.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the electroluminescence display taken along line II-II' of FIG. 3 .
5 is a cross-sectional view illustrating the structure of the organic light emitting device and the encapsulation layer of the electroluminescent display according to this application, and is an enlarged view of the portion 'X' of FIG. 4 .

이 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 일 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 이 출원은 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 이 출원의 일 예들은 본 출원의 개시가 완전하도록 하며, 이 출원의 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 이 출원의 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of this application, and a method of achieving them, will become apparent with reference to examples described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, this application is not limited to the examples disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only examples of this application allow the disclosure of the present application to be complete, and it is common in the technical field to which the invention of this application belongs. It is provided to fully inform those with knowledge of the scope of the invention, and the invention of this application is only defined by the scope of the claims.

이 출원의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로, 여기에 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 이 출원의 예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.The shape, size, ratio, angle, number, etc. disclosed in the drawings for explaining an example of this application are exemplary, and thus are not limited to the matters shown here. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in explaining the example of this application, if it is determined that the detailed description of the related known technology may unnecessarily obscure the gist of the application, the detailed description thereof will be omitted.

이 출원 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this application specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, cases including the plural are included unless otherwise explicitly stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is construed as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal relationship is described with 'after', 'following', 'after', 'before', etc. It may include cases that are not continuous unless this is used.

제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 이 출원의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of this application.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.The term “at least one” should be understood to include all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of “at least one of the first, second, and third items” means that each of the first, second, or third items as well as two of the first, second and third items It may mean a combination of all items that can be presented from more than one.

이 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various examples of this application may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each example may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. .

이하에서는 이 출원에 따른 유기 발광 표시장치에 대한 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다.Hereinafter, an example of an organic light emitting diode display according to the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even though they are indicated in different drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 이 출원에 대해 상세히 설명한다. 도 1은 이 출원에 의한 전계발광 표시장치의 개략적인 구조를 나타내는 도면이다. 도 1에서 X축은 스캔 배선과 나란한 방향을 나타내고, Y축은 데이터 배선과 나란한 방향을 나타내며, Z축은 표시 장치의 높이 방향을 나타낸다.Hereinafter, this application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 is a view showing a schematic structure of an electroluminescent display device according to this application. In FIG. 1 , the X axis indicates a direction parallel to the scan wiring, the Y axis indicates a direction parallel to the data wiring, and the Z axis indicates a height direction of the display device.

도 1을 참조하면, 이 출원에 의한 전계발광 표시장치는 기판(110), 게이트(혹은 스캔) 구동부(200), 데이터 패드부(300), 소스 구동 집적회로(410), 연성필름(430), 회로 보드(450), 및 타이밍 제어부(500)를 포함한다.Referring to FIG. 1 , the electroluminescent display device according to this application includes a substrate 110 , a gate (or scan) driver 200 , a data pad unit 300 , a source driving integrated circuit 410 , and a flexible film 430 . , a circuit board 450 , and a timing controller 500 .

기판(110)은 절연 물질, 또는 유연성(flexibility)을 가지는 재료를 포함할 수 있다. 기판(110)은 유리, 금속, 또는 플라스틱 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전계발광 표시장치가 플렉서블(flexible) 표시장치인 경우, 기판(110)은 플라스틱 등과 같은 유연한 재질로 이루어질 수도 있다. 예를 들어 투명 폴리이미드(polyimide) 재질을 포함할 수 있다.The substrate 110 may include an insulating material or a material having flexibility. The substrate 110 may be made of glass, metal, plastic, or the like, but is not limited thereto. When the electroluminescent display device is a flexible display device, the substrate 110 may be made of a flexible material such as plastic. For example, it may include a transparent polyimide material.

기판(110)은 표시 영역(DA), 및 비표시 영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시 영역(DA)은 영상이 표시되는 영역으로서, 기판(110)의 중앙부를 포함한 대부분 영역에 정의될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 표시 영역(DA)에는 스캔 배선들(혹은 게이트 배선들), 데이터 배선들 및 화소들이 형성된다. 화소들은 복수의 서브 화소들을 포함하며, 복수의 서브 화소들은 각각 스캔 배선들과 데이터 배선들을 포함한다.The substrate 110 may be divided into a display area DA and a non-display area NDA. The display area DA is an area where an image is displayed and may be defined in most areas including the central portion of the substrate 110 , but is not limited thereto. Scan lines (or gate lines), data lines, and pixels are formed in the display area DA. The pixels include a plurality of sub-pixels, and each of the plurality of sub-pixels includes scan lines and data lines.

비표시 영역(NDA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로서, 표시 영역(DA)의 전체 또는 일부를 둘러싸도록 기판(110)의 가장자리 부분에 정의될 수 있다. 비표시 영역(NDA)에는 게이트 구동부(200)와 데이터 패드부(300)가 형성될 수 있다.The non-display area NDA is an area in which an image is not displayed, and may be defined at an edge portion of the substrate 110 to surround all or a part of the display area DA. The gate driver 200 and the data pad part 300 may be formed in the non-display area NDA.

게이트 구동부(200)는 타이밍 제어부(500)로부터 입력되는 게이트 제어신호에 따라 스캔 배선들에 스캔(혹은 게이트) 신호들을 공급한다. 게이트 구동부(200)는 베이스 기판(110)의 표시 영역(DA)의 일측 바깥쪽의 비표시 영역(NDA)에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성될 수 있다. GIP 방식은 게이트 구동부(200)가 기판(110) 상에 직접 형성되어 있는 구조를 일컫는다.The gate driver 200 supplies scan (or gate) signals to the scan lines according to a gate control signal input from the timing controller 500 . The gate driver 200 may be formed in a non-display area NDA outside one side of the display area DA of the base substrate 110 using a gate driver in panel (GIP) method. The GIP method refers to a structure in which the gate driver 200 is directly formed on the substrate 110 .

데이터 패드부(300)는 타이밍 제어부(500)로부터 입력되는 데이터 제어신호에 따라 데이터 배선들에 데이터 신호들을 공급한다. 데이터 패드부(300)는 구동 칩으로 제작되어 연성 필름(430)에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 기판(110)의 표시 영역(DA)의 일측 바깥 쪽의 비표시 영역(NDA)에 부착될 수 있다.The data pad unit 300 supplies data signals to data lines according to a data control signal input from the timing control unit 500 . The data pad unit 300 is manufactured as a driving chip, is mounted on the flexible film 430 , and is disposed on the non-display area NDA on the outside of one side of the display area DA of the substrate 110 in a tape automated bonding (TAB) method. can be attached.

소스 구동 집적 회로(410)는 타이밍 제어부(500)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어신호를 입력받는다. 소스 구동 집적 회로(410)는 소스 제어 신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터 전압들로 변환하여 데이터 배선들에 공급한다. 소스 구동 집적 회로(410)가 칩으로 제작되는 경우, COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성 필름(430)에 실장될 수 있다.The source driving integrated circuit 410 receives digital video data and a source control signal from the timing controller 500 . The source driving integrated circuit 410 converts digital video data into analog data voltages according to a source control signal and supplies them to data lines. When the source driving integrated circuit 410 is manufactured as a chip, it may be mounted on the flexible film 430 using a chip on film (COF) or chip on plastic (COP) method.

연성 필름(430)에는 데이터 패드부(300)와 소스 구동 집적 회로(410)를 연결하는 배선들, 데이터 패드부(300)와 회로 보드(450)를 연결하는 배선들이 형성될 수 있다. 연성 필름(430)은 이방성 도전 필름(antisotropic conducting film)을 이용하여 데이터 패드부(300) 상에 부착되며, 이로 인해 데이터 패드부(300)와 연성 필름(430)의 배선들이 연결될 수 있다.Wires connecting the data pad unit 300 and the source driving integrated circuit 410 and wirings connecting the data pad unit 300 and the circuit board 450 may be formed on the flexible film 430 . The flexible film 430 is attached on the data pad unit 300 using an anisotropic conducting film, whereby wires of the data pad unit 300 and the flexible film 430 may be connected.

회로 보드(450)는 연성 필름(430)들에 부착될 수 있다. 회로 보드(450)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로 보드(450)에는 타이밍 제어부(500)가 실장될 수 있다. 회로 보드(450)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.The circuit board 450 may be attached to the flexible films 430 . A plurality of circuits implemented with driving chips may be mounted on the circuit board 450 . For example, the timing controller 500 may be mounted on the circuit board 450 . The circuit board 450 may be a printed circuit board or a flexible printed circuit board.

타이밍 제어부(500)는 회로 보드(450)의 케이블을 통해 외부의 시스템 보드로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력 받는다. 타이밍 제어부(500)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부(200)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 소스 구동 집적 회로(410)들을 제어하기 위한 소스 제어신호를 발생한다. 타이밍 제어부(500)는 게이트 제어신호를 게이트 구동부(200)에 공급하고, 소스 제어신호를 소스 구동 집적 회로(410)들에 공급한다. 제품에 따라 타이밍 제어부(500)는 소스 구동 집적 회로(410)와 한 개의 구동 칩으로 형성되어 기판(110) 상에 실장될 수도 있다.The timing controller 500 receives digital video data and a timing signal from an external system board through a cable of the circuit board 450 . The timing controller 500 generates a gate control signal for controlling the operation timing of the gate driver 200 and a source control signal for controlling the source driving integrated circuits 410 based on the timing signal. The timing controller 500 supplies the gate control signal to the gate driver 200 and supplies the source control signal to the source driving integrated circuits 410 . Depending on the product, the timing controller 500 may be formed of the source driving integrated circuit 410 and one driving chip and mounted on the substrate 110 .

도 2는 이 출원에 의한 전계발광 표시장치를 구성하는 한 화소의 회로 구성을 나타낸 도면이다. 도 3은 이 출원에 의한 화소들의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3의 II-II'를 따라 도시한 전계발광 표시장치의 단면도이다. 도 2 내지 도 4에서는 전계발광 표시장치의 한 종류인 유기발광 표시장치를 예로서 설명한다. 2 is a diagram illustrating a circuit configuration of one pixel constituting an electroluminescent display device according to this application. 3 is a plan view showing the structure of pixels according to this application. 4 is a cross-sectional view of the electroluminescent display taken along II-II' of FIG. 3 . 2 to 4 , an organic light emitting display device, which is a type of an electroluminescent display device, will be described as an example.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 유기발광 표시장치의 한 화소는 스캔 배선(SL), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDD)에 의해 정의된다. 유기발광 표시장치의 한 화소 내부에는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT), 유기발광 다이오드(OLE) 그리고 보조 용량(Cst)을 포함한다. 구동 전류 배선(VDD)은 유기발광 다이오드(OLE)를 구동하기 위한 고 전위 전압이 인가된다.2 to 4 , one pixel of the organic light emitting diode display is defined by a scan line SL, a data line DL, and a driving current line VDD. One pixel of the organic light emitting diode display includes a switching thin film transistor ST, a driving thin film transistor DT, an organic light emitting diode OLE, and a storage capacitor Cst. A high potential voltage for driving the organic light emitting diode OLE is applied to the driving current line VDD.

예를 들어, 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부분에 배치될 수 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스위칭 게이트 전극(SG), 스위칭 소스 전극(SS) 및 스위칭 드레인 전극(SD)을 포함한다. 스위칭 게이트 전극(SG)은 스캔 배선(SL)에 연결된다. 스위칭 소스 전극(SS)은 데이터 배선(DL)에 연결되며, 스위칭 드레인 전극(SD)은 구동 박막 트랜지스터(DT)에 연결된다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 구동 박막 트랜지스터(DT)에 데이터 신호를 인가함으로써 구동 시킬 화소를 선택하는 기능을 한다.For example, the switching thin film transistor ST may be disposed at a portion where the scan line SL and the data line DL intersect. The switching thin film transistor ST includes a switching gate electrode SG, a switching source electrode SS, and a switching drain electrode SD. The switching gate electrode SG is connected to the scan line SL. The switching source electrode SS is connected to the data line DL, and the switching drain electrode SD is connected to the driving thin film transistor DT. The switching thin film transistor ST functions to select a pixel to be driven by applying a data signal to the driving thin film transistor DT.

구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLE)를 구동하는 기능을 한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)는 구동 게이트 전극(DG), 구동 소스 전극(DS) 및 구동 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 게이트 전극(DG)은 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 스위칭 드레인 전극(SD)에 연결된다. 구동 소스 전극(DS)은 구동 전류 배선(VDD)에 연결되며, 구동 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극(ANO)에 연결된다. 구동 박막 트랜지스터(DT)의 구동 게이트 전극(DG)과 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극(ANO) 사이에는 보조 용량(Cst)이 배치된다.The driving thin film transistor DT serves to drive the organic light emitting diode OLE of the pixel selected by the switching thin film transistor ST. The driving thin film transistor DT includes a driving gate electrode DG, a driving source electrode DS, and a driving drain electrode DD. The driving gate electrode DG is connected to the switching drain electrode SD of the switching thin film transistor ST. The driving source electrode DS is connected to the driving current line VDD, and the driving drain electrode DD is connected to the anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLE. The storage capacitor Cst is disposed between the driving gate electrode DG of the driving thin film transistor DT and the anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLE.

구동 박막 트랜지스터(DT)는 구동 전류 배선(VDD)과 유기발광 다이오드(OLE) 사이에 배치된다. 구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 드레인 전극에 연결된 게이트 전극의 전압의 크기에 따라 구동 전류 배선(VDD)으로부터 유기발광 다이오드(OLE)로 흐르는 전류량를 조정한다.The driving thin film transistor DT is disposed between the driving current line VDD and the organic light emitting diode OLE. The driving thin film transistor DT adjusts the amount of current flowing from the driving current line VDD to the organic light emitting diode OLE according to the magnitude of the voltage of the gate electrode connected to the drain electrode of the switching thin film transistor ST.

유기발광 다이오드(OLE)는 애노드 전극(ANO), 유기 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CAT)을 포함한다. 유기발광 다이오드(OLE)는 구동 박막 트랜지스터(DT)에 의해 조절되는 전류에 따라 발광한다. 다시 설명하면, 유기발광 다이오드(OLE)는 구동 박막 트랜지스터(DT)에 의해 조절되는 전류에 따라 발광량이 조절되므로, 전계발광 표시장치의 휘도를 조절할 수 있다. 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극(ANO)은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 구동 드레인 전극(DD)에 접속되고, 캐소드 전극(CAT)은 저 전위 전압이 공급되는 저전원 배선(VSS)에 접속된다. 즉, 유기발광 다이오드(OLE)는 저 전위 전압과 구동 박막 트랜지스터(DT)에 의해 조절된 고 전위 전압에 의해 구동된다.The organic light emitting diode OLE includes an anode electrode ANO, an organic light emitting layer OL, and a cathode electrode CAT. The organic light emitting diode OLE emits light according to a current controlled by the driving thin film transistor DT. In other words, since the amount of light emitted by the organic light emitting diode OLE is adjusted according to the current controlled by the driving thin film transistor DT, the luminance of the electroluminescence display can be adjusted. The anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLE is connected to the driving drain electrode DD of the driving thin film transistor DT, and the cathode electrode CAT is connected to the low power supply line VSS to which a low potential voltage is supplied. do. That is, the organic light emitting diode OLE is driven by a low potential voltage and a high potential voltage regulated by the driving thin film transistor DT.

박막 트랜지스터들(ST, DT)이 형성된 기판(SUB)의 표면 위에 평탄화 막(PL)이 적층되어 있다. 평탄화 막(PL)에는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD) 일부를 노출하는 콘택홀을 형성되어 있다.A planarization layer PL is stacked on the surface of the substrate SUB on which the thin film transistors ST and DT are formed. A contact hole exposing a portion of the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT is formed in the planarization layer PL.

평탄화 막(PL) 상부 표면에는 애노드 전극(ANO)이 형성되어 있다. 애노드 전극(ANO)은 콘택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결되어 있다. 애노드 전극(ANO)은 유기발광 다이오드(OLE)의 발광 구조에 따라 구성 요소가 달라질 수 있다. 일례로, 기판(SUB) 방향으로 빛을 제공하는 하부 발광형의 경우에는 투명 도전 물질로 형성할 수 있다. 다른 예로, 기판(SUB)과 대향하는 상부 방향으로 발광하는 경우에는 광 반사율이 우수한 금속 물질로 형성할 수 있다.An anode electrode ANO is formed on the upper surface of the planarization layer PL. The anode electrode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT through a contact hole. Components of the anode electrode ANO may vary depending on the light emitting structure of the organic light emitting diode OLE. For example, in the case of a bottom emission type that provides light in the direction of the substrate SUB, it may be formed of a transparent conductive material. As another example, when light is emitted in an upper direction opposite to the substrate SUB, it may be formed of a metal material having excellent light reflectance.

상부 발광형의 경우, 애노드 전극(ANO)은 제1 전극층(100)과 제2 전극층(200)이 적층될 수 있다. 제1 전극층(100)은, 일 함수를 맞추기 위한 물질로, 인듐-아연 산화물(Indium Zinc Oxide) 혹은 인듐-주석 산화물(Indium Tin Oxide)와 같은 산화 도전물질을 포함할 수 있다. 제2 전극층(200)은, 광 반사율이 우수한 금속 물질로, 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 또는 바륨(Ba) 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 2 이상의 합금 물질을 포함할 수 있다.In the case of the top emission type, the first electrode layer 100 and the second electrode layer 200 may be stacked for the anode electrode ANO. The first electrode layer 100 is a material for matching a work function, and may include an oxidizing conductive material such as indium zinc oxide or indium tin oxide. The second electrode layer 200 is a metal material having excellent light reflectance, and includes silver (Ag), aluminum (Al), molybdenum (Mo), gold (Au), magnesium (Mg), calcium (Ca), or barium (Ba). ) may include any one material selected from or two or more alloy materials.

예를 들어, 애노드 전극(ANO)은 알루미늄(Al)과 티타늄(Ti)의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄(Al)과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC(Ag/Pd/Cu) 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)와 같은 다층 구조로 형성될 수 있다. 또는, 제1 전극층(100)은 투명 도전 물질로 이루어지고, 제2 전극층(200)은, 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 또는 바륨(Ba) 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 2 이상의 합금 물질로 이루어질 수 있다.For example, the anode electrode (ANO) has a stacked structure of aluminum (Al) and titanium (Ti) (Ti/Al/Ti), a stacked structure of aluminum (Al) and ITO (ITO/Al/ITO), APC (Ag /Pd/Cu) alloy, and a multilayer structure such as an APC alloy and a laminate structure of ITO (ITO/APC/ITO). Alternatively, the first electrode layer 100 is made of a transparent conductive material, and the second electrode layer 200 is silver (Ag), aluminum (Al), molybdenum (Mo), gold (Au), magnesium (Mg), calcium It may be made of any one material selected from (Ca) and barium (Ba), or two or more alloy materials.

애노드 전극(AN0) 위에는, 유기 발광층(OL)이 적층되어 있다. 유기 발광층(OL)은 애노드 전극(ANO)과 뱅크(BA)를 덮도록 기판(SUB) 전체에 형성된다. 일 예에 따른 유기 발광층(OL)은 백색 광을 방출하기 위해 수직 적층된 2 이상의 발광부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광층(OL)은 제 1 광과 제 2 광의 혼합에 의해 백색 광을 방출하기 위한 제 1 발광부와 제 2 발광부를 포함할 수 있다.An organic light emitting layer OL is stacked on the anode electrode AN0. The organic emission layer OL is formed on the entire substrate SUB to cover the anode electrode ANO and the bank BA. The organic light emitting layer OL according to an example may include two or more light emitting units vertically stacked to emit white light. For example, the organic light emitting layer OL may include a first light emitting unit and a second light emitting unit for emitting white light by mixing the first light and the second light.

다른 예로 유기 발광층(OL)은 화소에 설정된 색상과 대응되는 컬러 광을 방출하기 위한, 청색 발광부, 녹색 발광부, 및 적색 발광부 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 추가적으로, 일 예에 따른 유기 발광 다이오드(OLE)는 유기 발광층(OL)의 발광 효율 및/또는 수명 등을 향상시키기 위한 기능층을 더 포함하여 이루어질 수 있다.As another example, the organic light emitting layer OL may include any one of a blue light emitting unit, a green light emitting unit, and a red light emitting unit for emitting color light corresponding to a color set in the pixel. Additionally, the organic light emitting diode OLE according to an example may further include a functional layer for improving light emitting efficiency and/or lifespan of the organic light emitting layer OL.

캐소드 전극(CAT)은 유기 발광층(OL)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. 캐소드 전극(CAT)은 유기 발광층(OL)과 공통적으로 연결되도록 기판(SUB) 전체에 걸쳐 형성된다. 하부 발광형의 경우, 캐소드 전극(CAT)은 광 반사 효율이 우수한 금속 물질을 포함한다. 예를 들어, 캐소드 전극(CAT)은, 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 또는 바륨(Ba) 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 2 이상의 합금 물질로 이루어질 수 있다.The cathode electrode CAT is formed to be electrically connected to the organic light emitting layer OL. The cathode electrode CAT is formed over the entire substrate SUB to be commonly connected to the organic light emitting layer OL. In the case of the bottom emission type, the cathode electrode CAT includes a metal material having excellent light reflection efficiency. For example, the cathode electrode CAT may be any one selected from silver (Ag), aluminum (Al), molybdenum (Mo), gold (Au), magnesium (Mg), calcium (Ca), and barium (Ba). It may be made of a material of , or two or more alloy materials.

상부 발광형의 경우, 캐소드 전극(CAT)은 광 투과성을 확보하기 위해, 면 저항이 비교적 낮은 금속 물질을 100nm 미만의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 캐소드 전극(CAT)은, 은(Ag) 혹은 은(Ag) 합금 물질을 15nm 내지 50nm의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 얇은 두께로 은 박막으로 캐소드 전극(CAT) 형성하는 경우, 빛을 반사하지 않고 대부분 투과한다. 즉, 유기 발광층(OL)에서 발생한 빛들 대부부은 애노드 전극(ANO)에서 반사되어 캐소드 전극(CAT) 쪽으로 반사되며, 캐소드 전극(CAT)을 투과하여 기판(SUB)의 상부 방향으로 발광된다.In the case of the top emission type, the cathode electrode CAT is preferably formed of a metal material having a relatively low sheet resistance to a thickness of less than 100 nm in order to secure light transmittance. For example, the cathode electrode CAT is preferably formed of silver (Ag) or a silver (Ag) alloy material to a thickness of 15 nm to 50 nm. When the cathode electrode (CAT) is formed with a thin silver film as described above, light is mostly transmitted without reflection. That is, most of the light emitted from the organic light emitting layer OL is reflected from the anode electrode ANO and reflected toward the cathode electrode CAT, and passes through the cathode electrode CAT to emit light in the upper direction of the substrate SUB.

캐소드 전극(CAT)의 표면 위에는 나노 입자(ND)들이 다수 분포되어 있다. 나노 입자(ND)는 은(Ag)을 포함하는 캐소드 전극(CAT)의 표면 위에 염소(Cl) 래디칼 확산 시켜 화학적 반응으로 형성한 염화은(AgCl)로 이루어진 입자들이다. 화학적 반응을 이용하여 형성하기 때문에, 나노 입자(ND)들은 서로 유사한 크기를 갖고 균일한 분포로 캐소드 전극(CAT)의 표면 위에 산포된다. 또한, 나노 입자(ND)의 하부는 캐소드 전극(CAT)의 표면과 접촉하고 그 위로 성장된 원기둥 혹은 반원형을 갖는다.A large number of nanoparticles ND are distributed on the surface of the cathode electrode CAT. Nanoparticles (ND) are particles made of silver chloride (AgCl) formed by chemical reaction by diffusing chlorine (Cl) radicals on the surface of a cathode electrode (CAT) containing silver (Ag). Since they are formed using a chemical reaction, the nanoparticles ND have a size similar to each other and are distributed on the surface of the cathode electrode CAT in a uniform distribution. In addition, the lower portion of the nanoparticles ND is in contact with the surface of the cathode electrode CAT and has a cylindrical or semicircular shape grown thereon.

캐소드 전극(CAT) 위에는 캐소드 전극(CAT)과 나노 입자(ND)들을 모두 덮는 봉지층(EN)이 적층되어 있다. 봉지층(EN)은 제1 무기막(PAS1), 유기막(PCL) 및 제2 무기막(PAS2)이 순차적으로 적층되어 있다. 제1 무기막(PAS1)은 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx) 혹은 산질화 실리콘(SiON)으로 형성할 수 있다. 제1 무기막(PAS1)은 0.5㎛ 내지 1.0㎛의 두께를 가질 수 있다. 유기막(PCL)은 에폭시(epoxy)와 같은 유기 물질로 형성할 수 있다. 유기막(PCL)은 8㎛ 내지 10㎛의 두께를 가질 수 있다. 제2 무기막(PAS2)은 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx) 혹은 산질화 실리콘(SiON)으로 형성할 수 있다. 제2 무기막(PAS2)은 0.5㎛ 내지 1.0㎛의 두께를 가질 수 있다.An encapsulation layer EN covering both the cathode electrode CAT and the nanoparticles ND is stacked on the cathode electrode CAT. In the encapsulation layer EN, a first inorganic layer PAS1 , an organic layer PCL, and a second inorganic layer PAS2 are sequentially stacked. The first inorganic layer PAS1 may be formed of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or silicon oxynitride (SiON). The first inorganic layer PAS1 may have a thickness of 0.5 μm to 1.0 μm. The organic layer PCL may be formed of an organic material such as epoxy. The organic layer PCL may have a thickness of 8 μm to 10 μm. The second inorganic layer PAS2 may be formed of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or silicon oxynitride (SiON). The second inorganic layer PAS2 may have a thickness of 0.5 μm to 1.0 μm.

구체적으로, 제1 무기막(PAS1)은 캐소드 전극(CAT) 그리고 나노 입자(ND)들과 접촉하며 적층된다. 그 결과, 제1 무기막(PAS1)은 나노 입자(ND)에 의한 나노 돌기(PT)들이 형성된다. 나노 돌기(PT)들은 나노 입자(ND)들의 형상이 제1 무기막(PAS1)의 적층 프로파일에 영향을 주어 형성된 구조체이다.Specifically, the first inorganic layer PAS1 is stacked in contact with the cathode electrode CAT and the nanoparticles ND. As a result, in the first inorganic layer PAS1 , nano-protrusions PT are formed by the nanoparticles ND. The nano-protrusions PT are structures formed by the shape of the nanoparticles ND affecting the stacking profile of the first inorganic layer PAS1 .

나노 돌기(PT)들을 포함하는 제1 무기막(PAS1) 위에는 유기막(PCL)이 도포되어 있다. 나노 돌기(PT)들로 인해 제1 무기막(PAS1)의 표면은 거칠기가 증가한다. 거칠기가 높아진 제1 무기막(PAS1) 위에 도포되는 유기막(PCL)은 퍼짐성(spreadability)이 우수하여 제1 무기막(PAS1) 위에 잘 퍼져 도포된다. 즉, 제1 무기막(PAS1)과 유기막(PCL)의 계면 사이에 공극 없이, 유기막(PCL)이 온전히 도포된다.An organic layer PCL is coated on the first inorganic layer PAS1 including the nano protrusions PT. The surface roughness of the first inorganic layer PAS1 increases due to the nano-protrusions PT. The organic layer PCL applied on the first inorganic layer PAS1 having an increased roughness has excellent spreadability, and thus is spread and applied on the first inorganic layer PAS1. That is, the organic layer PCL is completely coated without a gap between the interface between the first inorganic layer PAS1 and the organic layer PCL.

유기막(PCL) 위에는 제2 무기막(PAS2)이 적층되어 있다. 그 결과, 제1 무기막(PAS1), 유기막(PCL) 및 제2 무기막(PAS2)가 적층된 봉지층(EN)이 완성된다. 특히, 이 출원에 의한 봉지층(EN)은 제1 무기막(PAS1) 위에서 유기막(PCL)이 공극 없이 온전히 도포된 특성을 가진다. 따라서, 이 출원에 의한 봉지층(EN)은 들뜸이 발생하지 않아 외부로부터 침투하는 이물질을 완전히 방지할 수 있다.A second inorganic layer PAS2 is stacked on the organic layer PCL. As a result, the encapsulation layer EN in which the first inorganic layer PAS1 , the organic layer PCL, and the second inorganic layer PAS2 are stacked is completed. In particular, the encapsulation layer EN according to this application has a characteristic in which the organic layer PCL is completely coated on the first inorganic layer PAS1 without voids. Accordingly, the encapsulation layer EN according to this application does not float and can completely prevent foreign substances penetrating from the outside.

이하, 도 5를 더 참조하여, 이 출원에 의한 나노 입자(ND)와 나노 돌기(PT)의 구조에 대해 상세히 설명한다. 도 5는, 이 출원에 의한 전계 발광 표시장치의 유기 발광 소자와 봉지층의 구조를 나타내는 단면도로서, 도 4의 'X' 부분을 확대한 도면이다. 도 5에서는 평탄화 막(PL) 위에 형성된 유기발광 다이오드(OLE)와 유기발광 다이오드(OLE)를 덮는 봉지층(EN)을 확대하여 도시한다.Hereinafter, the structures of the nanoparticles (ND) and the nano-protrusions (PT) according to this application will be described in detail with further reference to FIG. 5 . 5 is a cross-sectional view illustrating the structure of the organic light emitting device and the encapsulation layer of the electroluminescent display according to this application, and is an enlarged view of the portion 'X' of FIG. 4 . In FIG. 5 , the organic light emitting diode OLE formed on the planarization layer PL and the encapsulation layer EN covering the organic light emitting diode OLE are enlarged.

도 5는 상부 발광형의 경우를 예로 들어 설명한다. 평탄화 막(PL) 위에는 애노드 전극(ANO)이 형성되어 있다. 상부 발광형의 경우 애노드 전극(ANO)은 산화물 전극층(100)과 반사 전극층(200)이 적층될 수 있다. 도 5에서는 산화물 전극층(100)이 하부에 적층된 것을 도시하였으나, 이에 국한되는 것은 아니며, 반사 전극층(200)이 하부에 적층될 수도 있다. 상부 발광형의 경우 반사 전극층(200)은, 100nm 이상의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 가장 바람직하게는 200nm 이상일 수 있다.5 will be described by taking the case of the top emission type as an example. An anode electrode ANO is formed on the planarization layer PL. In the case of the top emission type, the oxide electrode layer 100 and the reflective electrode layer 200 may be stacked for the anode electrode ANO. 5 illustrates that the oxide electrode layer 100 is stacked on the lower portion, but the present invention is not limited thereto, and the reflective electrode layer 200 may be stacked on the lower portion. In the case of the top emission type, the reflective electrode layer 200 preferably has a thickness of 100 nm or more. Most preferably, it may be 200 nm or more.

애노드 전극(ANO) 위에는 유기 발광층(OL)이 적층되어 있다. 유기 발광층(OL) 위에는 캐소드 전극(CAT)이 적층되어 있다. 상부 발광형의 경우, 캐소드 전극(CAT)은 은(Ag)으로 이루어진 15nm 내지 50nm의 두께를 갖는 박막인 것이 바람직하다. 가장 바람직하게는 30nm의 은(Ag) 박막층일 수 있다.An organic light emitting layer OL is stacked on the anode electrode ANO. A cathode electrode CAT is stacked on the organic light emitting layer OL. In the case of the top emission type, the cathode electrode CAT is preferably a thin film made of silver (Ag) and having a thickness of 15 nm to 50 nm. Most preferably, it may be a 30 nm silver (Ag) thin film layer.

캐소드 전극(CAT)의 상부 표면 위에는 나노 입자(ND)들이 다수 개 산포되어 있다. 나노 입자(ND)들은 염화 은(AgCl)일 수 있다. 나노 입자(ND)들은, 은(Ag)을 포함하는 캐소드 전극(CAT)의 표면 위에 염소(Cl) 가스를 플라즈마 처리하여 형성한 입자들일 수 있다. 염소(Cl) 가스의 플라즈마 처리 공정 조건 및 처리 시간을 조절하여, 나노 입자(ND)들의 크기는 높이(HN)가 3nm 내지 12nm 사이의 반구형으로 형성하는 것이 바람직하다. 가장 바람직하게는 나노 입자(ND)들은 높이(HN)가 4nm 내지 10nm 사이의 반구형일 수 있다. 다른 예로, 나노 입자(ND)들은 높이(HN)가 6nm 내지 10nm 사이의 기둥 형상을 가질 수 있다. 일례로, 끝 단이 둥근 원기둥 형상을 가질 수 있다. 나노 입자(ND)는 폭(WN)과 높이(HN)의 비율은 4:1 내지 1:1 사이인 것이 바람직하다. 가장 바람직하게는 폭(WN)과 높이(HN)의 비율은 3:1일 수 있다.A plurality of nanoparticles ND are dispersed on the upper surface of the cathode electrode CAT. The nanoparticles (ND) may be silver chloride (AgCl). The nanoparticles ND may be particles formed by plasma-treating chlorine (Cl) gas on the surface of the cathode electrode CAT including silver (Ag). By controlling the plasma treatment process conditions and treatment time of chlorine (Cl) gas, the size of the nanoparticles (ND) is preferably formed in a hemispherical shape with a height (H N ) of 3 nm to 12 nm. Most preferably, the nanoparticles (ND) may have a hemispherical shape with a height (H N ) of 4 nm to 10 nm. As another example, the nanoparticles ND may have a columnar shape with a height H N of 6 nm to 10 nm. For example, it may have a cylindrical shape with a rounded end. The ratio of the width (W N ) to the height (H N ) of the nanoparticles (ND) is preferably between 4:1 and 1:1. Most preferably, the ratio of the width (W N ) to the height (H N ) may be 3:1.

또한, 나노 입자(ND)들은 배치 간격(GN)이 폭(WN)의 4배 내지 9배를 갖도록 산포되는 것이 바람직하다. 가장 바람직하게는, 폭(WN)과 배치 간격(GN)은 1:7의 비율을 가질 수 있다.In addition, the nanoparticles (ND) are preferably distributed so that the arrangement interval (G N ) has 4 to 9 times the width (W N ). Most preferably, the width W N and the spacing G N may have a ratio of 1:7.

캐소드 전극(CAT)과 나노 입자(ND)들 위에는 제1 무기막(PAS1)이 적층되어 있다. 제1 무기막(PAS1)은 나노 입자(ND)들로 인해 나노 돌기(PT)들을 포함한다. 나노 돌기(PT)들은 제1 무기막(PAS1)의 표면 위로 일정 높이로 돌출된 부분들이다. 나노 돌기(PT)들이 다수 개 분포됨으로 인해 제1 무가막(PAS1)의 표면 거칠기가 증가한다.A first inorganic layer PAS1 is stacked on the cathode electrode CAT and the nanoparticles ND. The first inorganic layer PAS1 includes nano-protrusions PT due to the nanoparticles ND. The nano-protrusions PT are portions protruding at a predetermined height above the surface of the first inorganic layer PAS1 . Due to the distribution of a plurality of nano-protrusions PT, the surface roughness of the first uncapped film PAS1 is increased.

나노 돌기(PT)들은 나노 입자(ND)에 의해 크기와 배치 간격이 결정될 수 있다. 따라서, 나노 돌기(PT)들은, 높이(HP)가 3nm 내지 15nm 의 크기를 가질 수 있다. 가장 바람직하게는 5nm 내지 12nm의 크기를 가질 수 있다. 나노 돌기(PT)의 폭(WP)과 높이(HP)의 비율은 6:1 내지 1:1 사이 일 수 있다. 나노 돌기(PT)들의 배치 간격(GP)은 폭(WP)의 2배 내지 7배 사이일 수 있다. 가장 바람직하게는 폭(WP)과 배치 간격(GP)은 1:5의 비율을 가질 수 있다.The size and spacing of the nano-protrusions PT may be determined by the nanoparticles ND. Accordingly, the nano-protrusions PT may have a height of 3 nm to 15 nm. Most preferably, it may have a size of 5 nm to 12 nm. The ratio of the width (W P ) to the height ( HP ) of the nano-protrusion (PT) may be between 6:1 and 1:1. The spacing G P of the nano-protrusions PT may be 2 to 7 times the width W P . Most preferably, the width W P and the spacing G P may have a ratio of 1:5.

나노 돌기(PT)들을 포함하는 제1 무기막(PAS1) 위에는 유기막(PCL)이 도포되어 있다. 유기막(PCL)의 경우, 유기 물질을 용매와 섞어 묽은 젤(gel) 상태로 만든 후 잉크 젯 공정으로 산포하고, 용매를 증발시킴으로써 경화할 수 있다. 유기 물질을 산포함에 있어, 용매의 양이 많을 경우, 퍼짐성(spreadability)가 너무 높아져, 표시 영역(DA) 외부로 흘러 넘쳐 유기막(PCL)을 형성할 수 없다. 또한, 용매의 양이 적을 경우, 퍼짐성이 너무 낮아, 제1 무기막(PAS1) 표면 위에서 미 퍼짐이 발생하여 공극이 생길 수 있다. 공극은 외부에서 이 물질이 쉽게 전파될 수 있는 경로가 되어 소자의 수명에 악 영향을 줄 수 있다.An organic layer PCL is coated on the first inorganic layer PAS1 including the nano protrusions PT. In the case of the organic film (PCL), an organic material is mixed with a solvent to form a thin gel state, then dispersed by an ink jet process and cured by evaporating the solvent. When the organic material is included in the acid and the amount of the solvent is large, spreadability becomes too high and overflows to the outside of the display area DA, so that the organic layer PCL cannot be formed. In addition, when the amount of the solvent is small, the spreadability is too low, and micro-spreading may occur on the surface of the first inorganic layer PAS1 , resulting in voids. The air gap becomes a path through which this material can easily propagate from the outside, which can adversely affect the lifespan of the device.

따라서, 유기 물질을 도포하기 위한 용매의 양을 적게 하더라도 제1 무기막(PAS1)의 표면 거칠기를 높임으로써 유기 물질의 퍼짐성을 향상할 수 있다. 이 출원에 의하면, 유기 물질에 투여하는 용매의 비율을 정함에 있어, 표시 영역(DA) 외부로 흘러 넘치지 않을 정도의 비율로 정하더라도, 제1 무기막(PAS1)의 표면에 형성된 나노 돌기(PT)들로 인해, 표시 영역(DA) 내에서는 유기 물질의 퍼짐성이 높아진다. 그 결과, 유기 물질에 미 퍼짐에 의한 공극이 발생하지 않고, 제1 무기막(PAS1) 위에 유기막(PCL)이 완전히 밀착되도록 형성될 수 있다.Accordingly, even if the amount of the solvent for applying the organic material is small, the spreadability of the organic material may be improved by increasing the surface roughness of the first inorganic layer PAS1 . According to this application, in determining the ratio of the solvent to be administered to the organic material, even if the ratio is set so as not to overflow out of the display area DA, the nano-protrusions PT formed on the surface of the first inorganic layer PAS1 ), the spreadability of the organic material increases in the display area DA. As a result, voids due to non-spreading do not occur in the organic material, and the organic layer PCL may be formed to completely adhere to the first inorganic layer PAS1 .

도 5에는 도시하지 않았으나, 유기막(PCL) 위에는 제2 무기막(PAS2)이 적층될 수 있다.Although not shown in FIG. 5 , a second inorganic layer PAS2 may be stacked on the organic layer PCL.

이 출원에서 나노 돌기(PT)들은 봉지층(EN)의 제1 무기막(PAS1)의 표면 거칠기를 향상시키기 위한 것이다. 제1 무기막(PAS1)의 표면 거칠기를 향상시킨 이유는, 그 위에 도포되는 유기막(PCL)이 제1 무기막(PAS1)의 표면 위에 공극 없이 완전히 밀착되도록 퍼지도록 하기 위함이다. 다시 설명하면, 이 출원에 의한 나노 돌기(PT)는 유기발광 다이오드(OLE)의 광학적 특성을 향상시키기 보다는, 봉지층(EN)의 접착성을 향상시키기 위한 것이다.In this application, the nano-protrusions PT are for improving the surface roughness of the first inorganic layer PAS1 of the encapsulation layer EN. The reason for improving the surface roughness of the first inorganic layer PAS1 is to allow the organic layer PCL applied thereon to spread so that it completely adheres to the surface of the first inorganic layer PAS1 without voids. In other words, the nano-protrusions PT according to this application are for improving the adhesion of the encapsulation layer EN, rather than improving the optical properties of the organic light-emitting diode OLE.

따라서, 나노 돌기(PT)는 100nm보다 작은 크기를 가지는 것이 바람직하다. 바람직하게는 나노 돌기(PT)는 5nm 내지 12nm의 크기를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 산포 밀도를 결정하는 나노 돌기(PT)의 배치 간격(GP)은 나노 돌기(PT)의 폭(WP)의 5배를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.Therefore, the nano-protrusion PT preferably has a size smaller than 100 nm. Preferably, the nano-protrusion (PT) has a size of 5 nm to 12 nm. In addition, it is preferable that the spacing (G P ) of the nano-protrusions (PT), which determines the dispersion density, is formed to have 5 times the width (W P ) of the nano-protrusions (PT).

일례로, 나노 돌기(PT)는 높이가 10nm이고, 폭은 60nm인 반구 형상을 가질 수 있다. 이 때, 나노 돌기(PT)들은 나노 돌기(PT)의 폭(WP)의 5배로 분포되어, 산포 밀도는 70~80개/㎛2일 수 있다.For example, the nano-protrusions PT may have a hemispherical shape having a height of 10 nm and a width of 60 nm. At this time, the nano-protrusions PT are distributed five times the width W P of the nano-protrusions PT, and the dispersion density may be 70 to 80 pieces/㎛ 2 .

제1 무기막(PAS1)의 표면을 직접 처리하여 표면 거칠기를 향상시키는 것은, 제조 공정 및 물질을 고려했을 때, 비용과 시간이 많이 소요된다. 또한, 표시 영역(DA) 전체 면적에 걸쳐 균일하게 표면 거칠기를 갖도록 표면 처리하는 것이 매우 어렵다.Improving the surface roughness by directly treating the surface of the first inorganic layer PAS1 is costly and time-consuming in consideration of a manufacturing process and material. In addition, it is very difficult to treat the surface to have a uniform surface roughness over the entire area of the display area DA.

이 출원에서는 제1 무기막(PAS1)의 표면을 직접 처리하지 않고, 나노 돌기(PT)를 갖도록 하기 위해서, 캐소드 전극(CAT)에 나노 입자(ND)를 형성하는 특징이 있다. 제1 무기막(PAS1)이 바람직한 표면 거칠기를 갖도록 하기 위해, 캐소드 전극(CAT)의 표면에 형성되는 나노 입자(ND)는 4nm 내지 10nm의 크기를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 산포 밀도를 결정하는 나노 입자(ND)의 배치 간격(GN)은 나노 입자(ND)의 폭(WN)의 7배를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.In this application, in order to have the nano-protrusions PT without directly treating the surface of the first inorganic layer PAS1, nanoparticles ND are formed on the cathode electrode CAT. In order for the first inorganic layer PAS1 to have a desirable surface roughness, the nanoparticles ND formed on the surface of the cathode electrode CAT preferably have a size of 4 nm to 10 nm. In addition, it is preferable to form the spacing (G N ) of the nanoparticles (ND), which determines the dispersion density, to have 7 times the width (W N ) of the nanoparticles (ND).

일례로, 나노 입자(ND)는 높이가 8nm이고, 폭은 45nm인 반구 형상을 가질 수 있다. 이 때, 나노 입자(ND)들은 나노 입자(ND)의 폭(WP)의 7배로 분포되어, 산포 밀도는 70~80개/㎛2일 수 있다. 즉, 나노 돌기(PT)는 나노 입자(ND)에 의해 형성된 것이므로, 나노 돌기(PT)의 산포 밀도는 나노 입자(ND)의 산포 밀도와 동일하다.For example, the nanoparticles ND may have a hemispherical shape having a height of 8 nm and a width of 45 nm. In this case, the nanoparticles ND are distributed 7 times the width W P of the nanoparticles ND, and the dispersion density may be 70 to 80 pieces/㎛ 2 . That is, since the nano-protrusions PT are formed of the nanoparticles ND, the dispersion density of the nano-protrusions PT is the same as the dispersion density of the nanoparticles ND.

상술한 본 출원의 예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 출원의 적어도 하나의 예에 포함되며, 반드시 하나의 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 본 출원의 적어도 하나의 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 본 출원이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above-described examples of the present application are included in at least one example of the present application, and are not necessarily limited to only one example. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in at least one example of the present application may be combined or modified with respect to other examples by those of ordinary skill in the art to which the present application belongs. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present application.

이상에서 설명한 본 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 출원의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The present application described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and it is common in the technical field to which this application belongs that various substitutions, modifications and changes are possible within the scope not departing from the technical matters of the present application. It will be clear to those who have the knowledge of Therefore, the scope of the present application is indicated by the following claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present application.

OLE: 유기 발광 다이오드 ANO: 애노드 전극
OL: 유기 발광층 CAT: 캐소드 전극
ND: 나노 입자 PT: 나노 돌기
EN: 봉지층 PAS1: 제1 무기막
PCL: 유기막 PAS2: 제2 무기막
OLE: organic light emitting diode ANO: anode electrode
OL: organic light emitting layer CAT: cathode electrode
ND: Nanoparticles PT: Nano-protrusions
EN: encapsulation layer PAS1: first inorganic film
PCL: organic film PAS2: second inorganic film

Claims (12)

기판;
상기 기판 위에 배치된 애노드 전극;
상기 애노드 전극 위에 배치된 유기 발광층;
상기 유기 발광층 위에 배치된 캐소드 전극;
상기 캐소드 전극 표면 위에 배치된 다수 개의 나노 입자들;
상기 캐소드 전극 표면 위에 배치되며, 상기 나노 입자들을 덮는 다수 개의 나노 돌기들을 구비한 제1 무기막;
상기 제1 무기막 위에 배치된 유기막; 그리고
상기 유기막 위에 배치된 제2 무기막을 포함하는 전계 발광 표시장치.
Board;
an anode electrode disposed on the substrate;
an organic light emitting layer disposed on the anode electrode;
a cathode electrode disposed on the organic light emitting layer;
a plurality of nanoparticles disposed on the surface of the cathode electrode;
a first inorganic film disposed on the surface of the cathode electrode and having a plurality of nano-protrusions covering the nanoparticles;
an organic layer disposed on the first inorganic layer; and
and a second inorganic layer disposed on the organic layer.
제 1 항에 있어서,
상기 나노 입자들은,
폭과 높이의 비율이 3:1이며,
상기 높이는 4nm 내지 10nm인 전계 발광 표시장치.
The method of claim 1,
The nanoparticles are
The ratio of width to height is 3:1,
The height of the electroluminescent display device is 4 nm to 10 nm.
제 1 항에 있어서,
상기 나노 입자들은,
폭과 간격의 비율이 1:7인 전계 발광 표시장치.
The method of claim 1,
The nanoparticles are
An electroluminescent display device with a width to spacing ratio of 1:7.
제 1 항에 있어서,
상기 캐소드 전극은,
은(Ag)을 포함하고,
상기 나노 입자들은,
염화 은(AgCl)을 포함하는 전계 발광 표시장치.
The method of claim 1,
The cathode electrode is
containing silver (Ag),
The nanoparticles are
An electroluminescent display comprising silver chloride (AgCl).
제 1 항에 있어서,
상기 나노 돌기들은,
폭과 높이의 비율이 6:1이며,
상기 높이는 6nm 내지 12nm인 전계 발광 표시장치.
The method of claim 1,
The nano-protrusions are
The ratio of width to height is 6:1,
The height of the electroluminescent display device is 6nm to 12nm.
제 1 항에 있어서,
상기 나노 돌기들은,
폭과 간격의 비율이 1:5 이상인 전계 발광 표시장치.
The method of claim 1,
The nano-protrusions are
An electroluminescent display device in which the ratio of width to spacing is 1:5 or more.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 무기막은,
산화 실리콘, 질화 실리콘 및 산질화 실리콘 중 어느 하나를 포함하는 전계 발광 표시장치.
The method of claim 1,
The first inorganic film,
An electroluminescence display comprising any one of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride.
제 1 항에 있어서,
상기 애노드 전극은,
투명 산화 도전 물질을 포함하는 제1 층; 그리고
상기 제1 층과 적층된 반사 금속 물질을 포함하는 제2 층을 포함하는 전계 발광 표시장치.
The method of claim 1,
The anode electrode is
a first layer comprising a transparent oxidizing conductive material; and
and a second layer including a reflective metal material laminated with the first layer.
제 1 항에 있어서,
상기 애노드 전극은,
100nm 내지 300nm의 두께를 갖는 광 반사 물질을 포함하며,
상기 캐소드 전극은,
15nm 내지 50nm의 두께를 갖는 금속 물질을 포함하는 전계 발광 표시장치.
The method of claim 1,
The anode electrode is
a light reflective material having a thickness of 100 nm to 300 nm;
The cathode electrode is
An electroluminescent display including a metal material having a thickness of 15 nm to 50 nm.
기판;
상기 기판 위에 배치된 제1 전극 및 제2 전극을 구비한 유기 발광 소자;
상기 제2 전극의 표면 위에 배치된 다수 개의 나노 입자들;
상기 제2 전극 표면 위에 배치되며, 상기 나노 입자들을 덮는 다수 개의 나노 돌기들을 구비한 제1 무기막; 그리고
상기 제1 무기막 위에 배치된 유기막을 포함하는 전계 발광 표시장치.
Board;
an organic light emitting device having a first electrode and a second electrode disposed on the substrate;
a plurality of nanoparticles disposed on the surface of the second electrode;
a first inorganic film disposed on the surface of the second electrode and having a plurality of nano-protrusions covering the nanoparticles; and
and an organic layer disposed on the first inorganic layer.
제 10 항에 있어서,
상기 제2 전극은,
은(Ag)을 포함하고,
상기 나노 입자들은,
4nm 내지 10nm인 높이를 갖는 염화 은(AgCl)을 포함하며,
상기 나노 돌기들은,
6nm 내지 12nm인 높이를 갖는 전계 발광 표시장치.
11. The method of claim 10,
The second electrode is
containing silver (Ag),
The nanoparticles are
It contains silver chloride (AgCl) having a height of 4 nm to 10 nm,
The nano-protrusions are
An electroluminescent display having a height of 6 nm to 12 nm.
제 11 항에 있어서,
상기 나노 입자들은,
상기 높이의 1배 내지 3배의 폭을 갖고, 배치 간격이 상기 나노 입자 폭의 7배로 산포되며,
상기 나노 돌기들은,
상기 높이의 3배 내지 6배인 폭을 갖고, 배치 간격이 상기 나노 돌기 폭의 5배로 산포된 전계 발광 표시장치.
12. The method of claim 11,
The nanoparticles are
It has a width of 1 to 3 times the height, and the spacing is spread at 7 times the width of the nanoparticles,
The nano-protrusions are
The electroluminescent display device has a width that is 3 to 6 times the height, and the arrangement interval is 5 times the width of the nano-protrusions.
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