KR20220073197A - 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 모듈 및 시스템 - Google Patents

반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 모듈 및 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 중공사 분리막의 양 말단이 에폭시 수지에 의해 포팅되어 중공사 분리막이 수용되는 하우징; 상기 하우징의 양 단부에 구비되는 엔드 캡; 상기 하우징의 일측에 형성된 CO2 가스 주입구; 수분을 포함한 CO2 가스를 배출하는 배출부; 미처리 초순수 주입부; 및 CO2 가스가 용해된 초순수 분배부;를 포함하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 모듈 및 그 시스템에 관한 것이다.

Description

반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 모듈 및 시스템{Anti-static hollow fiber membrane module and system for semiconductor manufacturing process}
본 발명은 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 모듈 및 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 중공사 분리막을 사용하여 CO2 가스가 용해된 초순수를 공급함으로써 반도체 제조공정 중 발생하는 정전기를 억제, 비저항값을 낮추어 웨이퍼상의 전기전도도를 저하시키는 대전방지 중공사 분리막 모듈 및 시스템에 관한 것이다.
반도체 소자가 초고집적화하면서 제조공정수가 증가함에 따라 각 공정 후에는 많은 양의 잔류물이나 이물질이 발생한다. 이를 제거하는 공정을 세정공정이라 하며 그 세정공정 시 초순수를 사용하는바, 이 초순수는 통상 18MΩcm 이상의 비저항 값을 가지고 있다. 그런데 이러한 비저항 값이 높을수록 웨이퍼 상의 전기전도도가 증가하여 미립자나 이물질 등이 완전히 제거되지 못하고 표면에 남아 있는 문제가 발생한다.
일반적으로 초순수는 절연상태인데, 절연상태의 초순수와 부도체인 실리콘 웨이퍼나 글라스, 플라스틱 재료가 접촉하여 마찰이 일어나면 정전기가 발생할 확률이 높아진다. 특히, 고압 제트 세정이나 고속 스핀 세정을 할 때에는 마찰력이 매우 높아져 정전기의 발생량이 커질 수 있으며, 회로의 고집적화에 따라 웨이퍼 표면에 형성된 금속 패턴의 선폭이 좁을수록 표면에 축적된 정전기로 인하여 회로가 파괴되기 쉬운 상태로 변한다.
초순수로 웨이퍼를 세정할 때에는 미립자가 정전기의 역학 현상에 의해 이탈이 잘 안되고 일단 박리된 미립자가 전위를 가져 재부착되는 경우가 많다. 따라서 통상 CO2 버블러(CO2 bubbler)라고 칭하는 대전방지 장치가 반도체 제조공정에 필수적으로 사용되고 있는바, CO2 가스를 초순수에 용해시켜 반도체 제조공정 중 발생하는 정전기를 억제하는 역할을 한다.
한편, 분리막이란 기체혼합물 중 특정 성분의 기체만을 분리할 수 있도록 막 물질을 이용한 것으로서, 분리막에 대한 선택적 기체투과 원리에 의하여 진행되는데, 기체혼합물이 막 표면에 접촉하였을 때 기체성분은 막 속으로 용해, 확산하는 과정을 거친다. 특히, 분리막을 이용한 막분리 공정은 상(phase) 변화가 없고 에너지 소모가 적은 장점 때문에 여러 분야에서 광범위하게 적용되고 있다. 그런데 종래 막분리 방식의 기체분리에 대한 연구는 주로 막의 소재에 집중된 반면, 분리막 시스템의 공정부분에 대한 연구개발은 미흡한 실정이다.
그러므로 본 발명자 등은 분리막 소재 및 공정에 대한 연구를 오랫동안 수행한 결과, 분리막을 통과하여 CO2 가스를 초순수 속으로 가압하면 분리막을 통해 초순수 속으로 CO2 가스가 용해될 수 있는 점에 착안하여, 분리성능이 우수한 중공사 분리막 모듈을 사용하면 높은 효율로 초순수에 CO2를 용해시킬 수 있으며, 이러한 중공사 분리막 모듈을 포함하는 CO2 버블러는 종래에 비하여 CO2 소모량을 크게 줄이면서 대전방지 장치로서 반도체 제조공정에 응응할 수 있음을 발견하고 본 발명을 완성하였다.
특허문헌 1. 한국등록특허 제10-1071270호 특허문헌 2. 한국공개특허 제10-2000-0032664호
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 높은 효율로 초순수에 CO2를 용해시킬 수 있는 CO2 투과도가 200 GPU 이상이면서 수분투과도가 0.1 g/m2·hr 이하, 처리수 비저항 값이 상용화 수준으로서 0.1MΩcm 이하에 이르는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 모듈을 제공하고자 하는 것이다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 공급하는 CO2 소모량을 크게 줄일 수 있는 상기 중공사 분리막 모듈을 포함하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템을 제공하고자 하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 중공사 분리막의 양 말단이 에폭시 수지에 의해 포팅되어 중공사 분리막이 수용되는 하우징; 상기 하우징의 양 단부에 구비되는 엔드 캡; 상기 하우징의 일측에 형성된 CO2 가스 주입구; 수분을 포함한 CO2 가스를 배출하는 배출부; 미처리 초순수 주입부; 및 CO2 가스가 용해된 초순수 분배부;를 포함하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 모듈을 제공한다.
상기 중공사 분리막은 폴리술폰계 중공사 지지체막의 표면에 폴리디메틸실록산, 또는 폴리에틸렌 글리콜 또는 폴리에틸렌/프로필렌 글리콜을 포함하는 반복단위가 그라프트된 유기폴리실록산 공중합체로 코팅된 복합막인 것을 특징으로 한다.
상기 중공사 분리막은 CO2 투과도가 200 GPU 이상, 수분투과도가 0.1 g/m2·hr 이하인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 (I) 폴리술폰계 소재, 유기용매 및 첨가제를 혼합 및 교반하여 균일한 방사용액을 얻는 단계; (II) 상기 방사용액을 이중 방사구금을 통하여 방사함으로써 중공사 지지체막을 형성하는 단계; 및 (III) 상기 중공사 지지체막의 표면에 폴리디메틸실록산, 또는 폴리에틸렌 글리콜 또는 폴리에틸렌/프로필렌 글리콜을 포함하는 반복단위가 그라프트된 유기폴리실록산 공중합체 용액을 코팅하는 단계;를 포함하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 CO2 가스 공급수단, 압력계 및 유량계를 구비한 CO2 가스 공급부; 미처리 초순수 공급수단, 압력계 및 유량계를 구비한 미처리 초순수 공급부; 상기 CO2 가스 공급부 및 상기 미처리 초순수 공급부가 각각 연통되는 상기 중공사 분리막 모듈; 및 상기 중공사 분리막 모듈의 일측에 연통되고, 유량계 및 비저항 측정 센서를 구비하여 CO2 가스가 용해된 초순수가 배출되는 드레인부;를 포함하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템을 제공한다.
상기 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템은 CO2 공급압력이 0.10 내지 0.18 Mpa에서 운전하는 것을 특징으로 한다.
상기 CO2 가스가 용해된 초순수의 비저항 값은 0.1MΩcm 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템은 처리용량이 1 내지 100LPM(L/min)인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 높은 효율로 초순수에 CO2를 용해시킬 수 있는 CO2 투과도가 200 GPU 이상이면서 수분투과도가 0.1 g/m2·hr 이하, 처리수 비저항 값이 상용화 수준으로서 0.1MΩcm 이하에 이르는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 모듈을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 CO2 소모량을 크게 줄일 수 있는 상기 중공사 분리막 모듈을 포함하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 모듈의 작용기전을 나타낸 개념도.
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 중공사 분리막 모듈의 구성을 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템의 구성도.
이하에서는 본 발명에 따른 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 모듈 및 시스템에 관하여 첨부된 도면과 함께 상세히 설명하기로 한다.
본 발명에서는 중공사 분리막의 양 말단이 에폭시 수지에 의해 포팅되어 중공사 분리막이 수용되는 하우징; 상기 하우징의 양 단부에 구비되는 엔드 캡; 상기 하우징의 일측에 형성된 CO2 가스 주입구; 수분을 포함한 CO2 가스를 배출하는 배출부; 미처리 초순수 주입부; 및 CO2 가스가 용해된 초순수 분배부;를 포함하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 모듈을 제공한다.
도 1에 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 모듈의 작용기전을 나타내었다. 일반적으로, 물속에 용존하는 기체는 접촉하는 기상중의 분압에 비례한다. 따라서 기상중의 분압을 높이면 물속에 용존하는 기체의 분압도 높일 수 있다. 초순수에 CO2, O2, N2 가스 등의 기체를 용해시키는 것을 통상 aeration이라 하는데, 본 발명에서의 aeration은 기상에서 CO2를 가압하여 초순수에 CO2를 용해시키는 것인바, 중공사 분리막을 통과하여 CO2 가스를 초순수 속으로 가압하면 중공사 분리막을 통해 초순수 속으로 CO2 가스가 용해되는 것이다.
도 1에서 보는 바와 같이, 초순수는 모듈 속의 중공사 분리막 내부를 흐르고, 그 사이 중공사 분리막 외부로부터 CO2 가스가 초순수 속으로 용해되어 들어간다. 용해된 CO2 가스가 초순수 속에서 이온화하여 초순수에 전도성이 부여됨으로써 정전기가 제거되는 작용기전을 갖는다. 본 발명에서는 분리 성능이 우수한 중공사 분리막을 다발로 사용하여 모듈화 함으로써 높은 효율로 CO2 가스 용해에 필요한 면적을 얻을 수 있는 장점이 있다.
도 2에는 본 발명의 일 구현예에 따른 중공사 분리막 모듈의 구성을 나타낸 단면도를 도시하였다. 먼저, 상기 중공사 분리막이 집적된 중공사 분리막 모듈은, 막 모듈의 하우징(101) 내에 1,000~300,000 가닥의 중공사 다발이 삽입되고, 그 양 말단은 에폭시 수지와 같은 포팅제에 의해 차단된다. 상기 막 모듈의 하우징은 알루미늄, 탄소강, 스테인레스 또는 플라스틱 소재로 제작할 수 있으며, 폴리프로필렌 수지와 같은 플라스틱 소재를 더욱 바람직하게 사용한다. 또한, 상기 하우징의 양 단부에는 엔드 캡(102)이 형성된다. 아울러 상기 하우징의 일측에는 CO2 가스 주입구(103)가 구비되고, 다른 일측에는 수분을 포함한 CO2 가스를 배출하는 배출부(104)가 구비된다. 중공사 분리막을 통과하여 CO2 가스를 미처리 초순수 속으로 가압하면, 미처리 초순수 주입부(105)로부터 주입된 초순수 속으로 중공사 분리막을 통해 CO2 가스가 용해되어 초순수 분배부(106)를 통하여 분배된다.
상기 중공사 분리막은 폴리술폰계 중공사 지지체막의 표면에 폴리디메틸실록산, 또는 폴리에틸렌 글리콜 또는 폴리에틸렌/프로필렌 글리콜을 포함하는 반복단위가 그라프트된 유기폴리실록산 공중합체로 코팅된 복합막일 수 있다.
이때, 상기 폴리에틸렌 글리콜 또는 폴리에틸렌/프로필렌 글리콜을 포함하는 반복단위가 그라프트된 유기폴리실록산 공중합체로서는 폴리[디메틸실록산-co-메틸(3-히드록시프로필)실록산]-그라프트-폴리(에틸렌 글리콜) 메틸 에테르, 폴리[디메틸실록산-co-메틸(3-히드록시프로필)실록산]-그라프트-폴리(에틸렌/프로필렌 글리콜) 메틸 에테르, 폴리[디메틸실록산-co-메틸(3-히드록시프로필)실록산]-그라프트-폴리(에틸렌 글리콜), 폴리[디메틸실록산-co-메틸(3-히드록시프로필)실록산]-그라프트-폴리(에틸렌/프로필렌 글리콜), 폴리[디메틸실록산-co-메틸(3-히드록시프로필)실록산]-그라프트-폴리(에틸렌 글리콜) 3-아미노프로필 에테르 또는 폴리[디메틸실록산-co-메틸(3-히드록시프로필)실록산]-그라프트-폴리(에틸렌 글리콜) [3-(트리메틸암모니오)프로필 클로라이드로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
또한, 상기 중공사 분리막은 CO2 투과도가 200 GPU 이상, 수분투과도가 0.1 g/m2·hr이하인 것이라야 중공사 분리막을 통해 초순수 속으로 CO2 가스가 용해되는 효율을 높이며, CO2 가스가 용해된 초순수의 비저항 값을 0.1MΩcm 이하로 제어할 수 있어, 대전방지 기능이 요구되는 반도체 제조공정에 적용 가능하므로 상용화 측면에서 바람직하다.
또한, 본 발명은 (I) 폴리술폰계 소재, 유기용매 및 첨가제를 혼합 및 교반하여 균일한 방사용액을 얻는 단계; (II) 상기 방사용액을 이중 방사구금을 통하여 방사함으로써 중공사 지지체막을 형성하는 단계; 및 (III) 상기 중공사 지지체막의 표면에 폴리디메틸실록산, 또는 폴리에틸렌 글리콜 또는 폴리에틸렌/프로필렌 글리콜을 포함하는 반복단위가 그라프트된 유기폴리실록산 공중합체 용액을 코팅하는 단계;를 포함하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막의 제조방법을 제공한다.
상기 (I) 단계의 폴리술폰계 소재로서는 폴리술폰(PS), 폴리에테르술폰(PES) 또는 폴리페닐렌술폰(PPSU)을 사용할 수 있다.
상기 (I) 단계의 유기용매로서는 상대적으로 비점이 높은 양용매를 사용하는 것이 바람직하다. 비점이 낮으면 고온의 중공사 방사과정에서 유기용매의 급격한 증발로 인하여 중공사 지지체막에 결함이 발생할 수 있고, 비점이 너무 높으면 방사용액이 공기를 통과하는 동안 유기용매의 증발이 일어나지 않아 균일한 모폴로지를 형성할 수 없게 된다. 따라서 상기 유기용매로서는 N-메틸피롤리돈(NMP), 디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸포름아미드(DMF) 및 디메틸술폭시드(DMSO)로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 것을 사용할 수 있으며, N-메틸피롤리돈(NMP)을 더욱 바람직하게 사용한다.
또한, 균일한 방사용액을 얻기 위하여 유기용매에 첨가제를 혼합하여 사용하는바, 상기 첨가제는 고분자용액의 점도를 다소 감소시키고 고분자 방사용액의 상태를 균일하게 유지하는 역할을 하는 테트라히드로퓨란, 메틸에틸케톤, 에틸아세테이트, 트리클로로에탄, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디메틸에테르, 디에틸에테르, 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 2-펜탄올, 메톡시에탄올, 다이옥산, 부톡시에탄올, 퍼퍼릴알코올, 터셔리아밀알코올, 아세트산, 시트릭산, 뷰티르산, 팔미트산, 옥살산, 프로피온산, 벤조산 및 타르타르산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 것일 수 있고, 프로피온산을 더욱 바람직하게 사용한다.
아울러 상기 첨가제는 방사용액 100 중량부에 대하여 10~30 중량부를 첨가하는 것인바, 첨가제의 함량이 10 중량부 미만이면 고분자 용액의 점도를 감소시키면서 균일한 방사용액을 얻는 것이 어렵고, 30 중량부를 초과하면 휘발성이 높은 용매의 비율이 높아 방사용액의 균일성이 확보되지 않고 중공사의 물성이 시간에 따라 변하기 쉬우므로, 상기 범위로 첨가제의 함량을 유지하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 (I) 단계의 방사용액은 20 내지 40 중량% 농도로 조절하는데, 그 농도가 20 중량% 미만이면 중공사의 기계적 강도가 약하여 지지체로서의 역할을 수행하기 어렵고, 농도가 40 중량%를 초과하면 수증기의 투과도가 매우 낮아질 수 있으므로, 상기 범위로 농도를 유지하는 것이 바람직하다.
중공사막의 방사공정을 좀 더 구체적으로 설명하면, 방사용액은 기포를 없애고, 필터를 사용하여 이물질을 제거한 후, 기어펌프를 통하여 60~80℃, 에어 갭 1~30cm를 유지한 상태에서 이중 방사구금으로 보낸다. 이어서 방사용액이 이중 방사구금의 바깥쪽 노즐을 통해서 나오게 되며, 이중 방사구금의 안쪽으로는 내부응고액을 토출시켜 중공사를 방사한다. 이때, 내부응고액으로는 물, 이소프로판올, 부탄올, 에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 글리세롤, 디메톡시에탄올, 디에톡시에탄올, 부톡시메탄올, 디메톡시부틸렌옥시드 또는 디글리시딜디메틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 것을 사용할 수 있는데, 물을 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 외부응고액인 물이 수용된 외부응고조는 20~30℃로 유지하여 상전이 과정을 거쳐 중공사를 권취하고, 흐르는 물에 2~3일간 세척하여 잔류 용매와 첨가제를 제거한 후, 메탄올에 3~5시간 동안 침적하고, n-헥산에 다시 3~5시간 동안 침적하여 메탄올을 n-헥산으로 치환한 다음, 70~80℃ 오븐에서 3시간 이상 건조시켜 중공사 지지체막을 얻는다.
다음으로, 상기 중공사 지지체막의 표면에 폴리디메틸실록산, 또는 폴리에틸렌 글리콜 또는 폴리에틸렌/프로필렌 글리콜을 포함하는 반복단위가 그라프트된 유기폴리실록산 공중합체 용액을 코팅함으로써 목적물인 복합막 형태의 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막을 제조한다.
또한, 본 발명은 CO2 가스 공급수단, 압력계 및 유량계를 구비한 CO2 가스 공급부; 미처리 초순수 공급수단, 압력계 및 유량계를 구비한 미처리 초순수 공급부; 상기 CO2 가스 공급부 및 상기 미처리 초순수 공급부가 각각 연통되는 상기 중공사 분리막 모듈; 및 상기 중공사 분리막 모듈의 일측에 연통되고, 유량계 및 비저항 측정 센서를 구비하여 CO2 가스가 용해된 초순수가 배출되는 드레인부;를 포함하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템을 제공한다.
도 3에 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템의 구성도를 나타내었다.
또한, 상기 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템은 CO2 공급압력이 0.10 내지 0.18 Mpa에서 운전하는 것을 핵심적인 기술적 특징으로 하는바, 이는 종래 분리막 시스템에서 CO2 공급압력이 0.2 Mpa인 것에 비하면 그 공급압력이 다소 낮다는 점에서 사뭇 차이가 있다. 다만, 본 발명에 따른 상기 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템에서 CO2 공급압력이 0.10 Mpa 미만으로 너무 낮으면 목적하는 처리수(CO2 가스가 용해된 초순수)의 비저항 값이 상용화 수준으로서 0.1MΩcm 이하에 이르지 못할 수 있으며, CO2 공급압력이 0.18 Mpa을 초과하면 CO2 소모량이 증가하는 단점이 있으므로, CO2 공급압력은 상기 범위에서 운전하는 것이 바람직하다.
따라서 본 발명의 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템에 의하면, 종래(CO2 공급압력 0.2 Mpa)에 비하여 CO2 공급압력을 저하시키면서도 CO2 소모량을 크게 줄일 수 있고, CO2 가스가 용해된 초순수의 비저항 값을 0.1MΩcm 이하로 유지할 수 있다.
또한, 상기 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템은 처리용량이 1 내지 100LPM(L/min)인 것일 수 있다.
[실시예]
[제조예 1] 중공사 분리막의 제조
교반기가 부착된 2L 반응기에 N-메틸피롤리돈 500g을 투입, 프로피온산 250g을 첨가제로 혼합 후 폴리술폰 250g을 서서히 가하고 교반하여 균일한 방사용액을 얻었다. 상기 방사용액은 기포를 없애고, 60μm필터를 이용하여 이물질을 제거하였다. 이어서 기어펌프를 통하여 방사온도 60℃, 에어 갭 10cm를 유지한 상태에서 이중 방사구금으로 보냈다. 이때, 이중 방사구금의 내부응고액으로는 상온의 물을 사용하였다. 물이 수용된 외부응고조의 온도를 20℃로 하여 상전이 과정을 거친 후 중공사를 권취하였으며, 흐르는 물에 2일간 세척하여 잔존하는 용매와 첨가제를 제거하였다. 그 후 메탄올에 3시간 침적하고, n-헥산에 다시 3시간 동안 침적하여 메탄올을 헥산으로 치환한 후, 70℃ 진공오븐에서 4시간 동안 건조시켜 중공사 지지체막을 얻었다. 상기 얻어진 중공사 지지체막의 표면을 폴리디메틸실록산 코팅용액으로 코팅한 후 건조하여 중공사 복합막을 제조하였다.
[제조예 2] 중공사 분리막 모듈의 제작
상기 제조예 1로부터 얻어진 중공사 분리막이 집적된 중공사 분리막 모듈은, 폴리프로필렌 소재의 하우징 내에 1,000 가닥의 중공사 다발을 삽입하고, 그 양 말단은 에폭시 수지로 포팅하여 차단하였다. 또한, 상기 하우징의 양 단부에는 엔드 캡을 형성하였다. 아울러 상기 하우징의 일측에는 CO2 가스 주입구, 수분을 포함한 CO2 가스를 배출하는 배출부, 미처리 초순수 주입부 및 CO2 가스가 용해된 초순수 분배부를 구비한 중공사 분리막 모듈을 제작하였다(모듈 용량 1LPM, 모듈 크기 내경 1inch).
[운전예] 중공사 분리막 시스템 설계 및 운전
도 3에 나타낸 바와 같이, CO2 가스 공급수단, 압력계 및 유량계를 구비한 CO2 가스 공급부; 미처리 초순수 공급수단, 압력계 및 유량계를 구비한 미처리 초순수 공급부; 상기 CO2 가스 공급부 및 상기 미처리 초순수 공급부가 각각 연통되는 상기 중공사 분리막 모듈; 및 상기 중공사 분리막 모듈의 일측에 연통되고, 유량계 및 비저항 측정 센서를 구비하여 CO2 가스가 용해된 초순수가 배출되는 드레인부;를 포함하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템을 설계하였다.
아울러 상기 설계한 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템에서 CO2의 공급압력을 아래 표 1과 같이 달리하여 운전하였고(실시예: CO2 공급압력 0.14 Mpa, 비교예:CO2 공급압력 0.20 Mpa) 그 결과를 비교하였다.
운전예 CO2 투과도
(GPU)		 H2O 투과도
(g/m2·hr)		 CO2 소모량
(cc/min)		 처리수 비저항
(MΩcm)
실시예 280 0.1 57.60 0.10
비교예 281 0.1 67.20 0.10
*(GPU=cm3/cm2·sec·cmHg)
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템을 운전한 실시예 및 비교예 모두가 CO2 투과도 200 GPU 이상, 수분투과도 0.1 g/m2·hr 이하, 처리수 비저항 0.1MΩcm로서 상용화 수준에 도달한 것을 알 수 있다.
특히, 상기 실시예에서는 비교예(종래 CO2 공급압력)와 대비하여 CO2 공급압력을 저하시키면서도 CO2 소모량을 약 15% 정도 현저하게 줄일 수 있어 상용화 측면에서 큰 장점이 있음을 확인할 수 있다.
101. 중공사 분리막 모듈 하우징
102. 엔드 캡
103. CO2 가스 주입구
104. 수분을 포함한 CO2 가스를 배출하는 배출부
105. 미처리 초순수 주입부
106. CO2 가스가 용해된 초순수 분배부

Claims (8)

  1. 중공사 분리막의 양 말단이 에폭시 수지에 의해 포팅되어 중공사 분리막이 수용되는 하우징;
    상기 하우징의 양 단부에 구비되는 엔드 캡;
    상기 하우징의 일측에 형성된 CO2 가스 주입구;
    수분을 포함한 CO2 가스를 배출하는 배출부;
    미처리 초순수 주입부; 및
    CO2 가스가 용해된 초순수 분배부;를 포함하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 중공사 분리막은 폴리술폰계 중공사 지지체막의 표면에 폴리디메틸실록산, 또는 폴리에틸렌 글리콜 또는 폴리에틸렌/프로필렌 글리콜을 포함하는 반복단위가 그라프트된 유기폴리실록산 공중합체로 코팅된 복합막인 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 모듈.
  3. 제1항에 있어서, 상기 중공사 분리막은 CO2 투과도가 200 GPU 이상, 수분투과도가 0.1 g/m2·hr 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 모듈.
  4. (I) 폴리술폰계 소재, 유기용매 및 첨가제를 혼합 및 교반하여 균일한 방사용액을 얻는 단계;
    (II) 상기 방사용액을 이중 방사구금을 통하여 방사함으로써 중공사 지지체막을 형성하는 단계; 및
    (III) 상기 중공사 지지체막의 표면에 폴리디메틸실록산, 또는 폴리에틸렌 글리콜 또는 폴리에틸렌/프로필렌 글리콜을 포함하는 반복단위가 그라프트된 유기폴리실록산 공중합체 용액을 코팅하는 단계;를 포함하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막의 제조방법.
  5. CO2 가스 공급수단, 압력계 및 유량계를 구비한 CO2 가스 공급부;
    미처리 초순수 공급수단, 압력계 및 유량계를 구비한 미처리 초순수 공급부;
    상기 CO2 가스 공급부 및 상기 미처리 초순수 공급부가 각각 연통되는 상기 중공사 분리막 모듈; 및
    상기 중공사 분리막 모듈의 일측에 연통되고, 유량계 및 비저항 측정 센서를 구비하여 CO2 가스가 용해된 초순수가 배출되는 드레인부;를 포함하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템.
  6. 제5항에 있어서, 상기 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템은 CO2 공급압력이 0.10 내지 0.18 Mpa에서 운전하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템.
  7. 제5항에 있어서, 상기 CO2 가스가 용해된 초순수의 비저항 값은 0.1MΩcm 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템.
  8. 제5항에 있어서, 상기 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템은 처리용량이 1 내지 100LPM(L/min)인 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 대전방지 중공사 분리막 시스템.
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